WO2021251233A1 - 発光装置 - Google Patents

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WO2021251233A1
WO2021251233A1 PCT/JP2021/020974 JP2021020974W WO2021251233A1 WO 2021251233 A1 WO2021251233 A1 WO 2021251233A1 JP 2021020974 W JP2021020974 W JP 2021020974W WO 2021251233 A1 WO2021251233 A1 WO 2021251233A1
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light
light emitting
semiconductor laser
wavelength conversion
emitting device
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PCT/JP2021/020974
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忠征 北島
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日亜化学工業株式会社
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    • H01S5/4031—Edge-emitting structures

Definitions

  • This disclosure relates to a light emitting device.
  • Patent Document 1 discloses a light source device that raises light emitted from a plurality of light emitting elements, reflects it by a reflecting surface of a mirror, and emits it to the outside.
  • the light emitting device disclosed in the present specification includes a base having a mounting surface, one or more light reflecting members arranged on the mounting surface, and one or more light reflecting surfaces provided on a virtual one plane. It has a first light emitting surface facing toward one or more light reflecting surfaces, and is arranged on the mounting surface so that the first light emitting surface is oblique to the one or more light reflecting surfaces in a top view. It has a first light emitting element in which light emitted from the first light emitting surface is applied to the one or more light reflecting surfaces, and a second light emitting surface facing the one or more light reflecting surfaces.
  • the second light emitting surface is arranged on the mounting surface so as to be oblique to the first light emitting surface in a top view, and the light emitted from the second light emitting surface is one or more light reflecting surfaces.
  • the light emitting device has a second light emitting element, and the light from the first light emitting element and the light from the second light emitting element reflected by the one or more light reflecting surfaces come close to each other to form the light emitting device. It is characterized by being incident on the light extraction region.
  • a light emitting device that collects light from a plurality of light emitting elements in a light extraction region and effectively extracts the light is realized.
  • FIG. 1 is a perspective view of a light emitting device according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a top view corresponding to FIG. 1.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the light emitting device in line III-III of FIG.
  • FIG. 4 is a perspective view for explaining the internal structure of the light emitting device according to the embodiment.
  • FIG. 5 is a perspective view for explaining the internal structure of the light emitting device according to the embodiment.
  • FIG. 6 is a top view corresponding to FIG.
  • FIG. 7 is a perspective view of a state in which the wavelength conversion member and the translucent member according to the embodiment are joined.
  • FIG. 8 is a top view corresponding to FIG. 7.
  • FIG. 7 is a perspective view of a state in which the wavelength conversion member and the translucent member according to the embodiment are joined.
  • FIG. 9 is a top view showing the upper surface side of the wavelength conversion member transmitted through to explain the joint surface between the translucent member and the wavelength conversion member according to the embodiment.
  • FIG. 10 is a bottom view of the wavelength conversion member according to the embodiment.
  • FIG. 11 is a top view of the translucent member according to the embodiment.
  • FIG. 12 is an image showing the intensity distribution of light applied to the light reflecting surface of the light emitting device according to the embodiment.
  • FIG. 13 is an image showing the intensity distribution of light incident on the wavelength conversion unit of the light emitting device according to the embodiment.
  • polygons such as triangles and quadrangles are referred to as polygons including shapes in which the corners of the polygon are rounded, chamfered, chamfered, rounded, etc. It shall be called. Further, not only the corner (edge of the side) but also the shape in which the middle part of the side is processed is also referred to as a polygon. That is, the partially processed shape, which is based on the polygon, is included in the interpretation of the "polygon" described in the present specification and the claims.
  • top and bottom, left and right, front and back, front and back, front and back only describe the relationship such as relative position, orientation, and direction, and are related to the relationship at the time of use. It does not have to match.
  • FIG. 1 is a perspective view showing an example of a light emitting device 1 according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a top view of the light emitting device 1.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the light emitting device 1 in line III-III of FIG.
  • FIG. 4 is a perspective view showing a state in which the light shielding member 90 is removed from the light emitting device 1 in order to explain the internal structure.
  • FIG. 5 is a perspective view showing a state in which the translucent member 82 and the wavelength conversion member 81 are further removed from the light emitting device 1 in order to explain the internal structure.
  • FIG. 6 is a top view in the same state as in FIG. FIG.
  • FIG. 7 is a perspective view showing a state in which the wavelength conversion member 81 and the translucent member 82 according to the embodiment are joined.
  • FIG. 8 is a top view in the same state as in FIG. 7.
  • FIG. 9 is a top view showing the upper surface side of the wavelength conversion member 81 transmitted through to explain the joint surface between the translucent member 82 and the wavelength conversion member 81.
  • the bonding region of the metal film 821 of the translucent member 82 and the conductive film 813 of the wavelength conversion member 81 are shown by hatching.
  • the fine-grained hatching is the conductive film 813.
  • FIG. 10 is a bottom view of the wavelength conversion member 81 according to the embodiment.
  • FIG. 11 is a top view of the translucent member 82 according to the embodiment.
  • the components of the light emitting device 1 include a base 10, a plurality of light emitting elements 20, one or a plurality of submounts 30, one or more light reflecting members 40, a protective element 50, a temperature measuring element 60, a plurality of wirings 70, and wavelength conversion.
  • a member 81, a translucent member 82, and a light-shielding member 90 are included. Further, the light emitting device 1 may have further other components.
  • the base 10 has a plurality of upper surfaces 11, a lower surface 13, one or a plurality of inner surfaces 14, and a plurality of outer surfaces 15.
  • the base 10 has a concave shape that is recessed from above to below. Further, the base portion 10 has a rectangular outer shape in a top view.
  • the plurality of upper surfaces 11 include a bottom surface 111.
  • the bottom surface 111 is a mounting surface on which other components are arranged. Further, the bottom surface 111 is the lowermost upper surface among the plurality of upper surfaces 11.
  • the plurality of upper surfaces 11 include an uppermost surface 112, which is the uppermost upper surface.
  • the bottom surface 111 is surrounded by the top surface 112 in top view.
  • the plurality of top surfaces 11 include one or a plurality of top surfaces 11 located between the top surface 112 and the bottom surface 111.
  • the first upper surface 11 and the second upper surface 11 are numbered in order from the one having the lowest height from the bottom surface 111.
  • the base portion 10 has a plurality of stepped portions 16 having different heights from the bottom surface 111.
  • the step portion 16 is composed of only the upper surface 11 and all the inner side surfaces 14 intersecting with the upper surface 11 and advancing downward.
  • the plurality of stepped portions 16 are composed of a stepped portion 16 composed of an uppermost surface 112 and all inner side surfaces 14 intersecting with the uppermost surface 112 and advancing downward, and a first upper surface 11 and all inner side surfaces 14 intersecting with the stepped portion 16 advancing downward.
  • the stepped portion 16 is included.
  • the first stepped portion 16 and the second stepped portion 16 are numbered in order from the one having the lowest height from the bottom surface 111 to the upper surface 11 of the stepped portion 16. I will do it.
  • a first step portion 16 having one first upper surface 11 and two second upper surfaces 11 between the uppermost surface 112 and the lower surface 111, including the first upper surface.
  • the base 10 can be formed using ceramic as the main material.
  • ceramic aluminum nitride, silicon nitride, aluminum oxide, and silicon carbide can be used as the ceramic.
  • other materials having insulating properties may be used as the main material for formation.
  • one or more metal films are provided on the bottom surface 111 of the base 10. Further, one or a plurality of metal films are provided on the upper surface 11 of the stepped portion 16 of the base portion 10. Further, a plurality of metal films 17 electrically connected to the metal films provided on the bottom surface 111 and the step portion 16 are provided on the uppermost surface 112 of the base portion 10.
  • the light emitting element 20 has an upper surface, a lower surface, and one or more side surfaces. Further, the light emitting element 20 has one or more light emitting surfaces for emitting light in the upper surface, the lower surface, and one or a plurality of side surfaces.
  • the light emitting element 20 is, for example, a semiconductor laser element.
  • the light emitting element 20 is not limited to the semiconductor laser element, and may be, for example, a light emitting diode (LED) or an organic light emitting diode (OLED).
  • LED light emitting diode
  • OLED organic light emitting diode
  • a semiconductor laser element is adopted as the light emitting element 20.
  • the semiconductor laser device has a rectangular outer shape when viewed from above. Further, the side surface that intersects with one of the two short sides of the rectangle is the light emitting surface of the semiconductor laser device. Further, the upper surface and the lower surface of the semiconductor laser element have a larger area than the light emitting surface.
  • the light (laser light) emitted from the semiconductor laser element has a spread and forms an elliptical farfield pattern (hereinafter referred to as "FFP") on a surface parallel to the light emitting surface of the light.
  • FFP indicates the shape and light intensity distribution of the emitted light at a position away from the light emitting surface.
  • Light passing through the center of the elliptical shape of the FFP in other words, light having a peak intensity in the light intensity distribution of the FFP, is referred to as light traveling along the optical axis. Further, the optical path of light traveling along the optical axis is referred to as the optical axis of the light. Further, in the light intensity distribution of FFP, light having an intensity of 1 / e 2 or more with respect to the peak intensity value is referred to as "main portion" light.
  • the minor axis direction of the ellipse is the parallel direction of the FFP
  • the major axis direction is the vertical direction of the FFP.
  • a plurality of layers including an active layer constituting a semiconductor laser device are laminated in the vertical direction of the FFP.
  • the angle corresponding to the half-value full width of the light intensity distribution is called the light spread angle of the semiconductor laser element.
  • the spread angle of light in the vertical direction of the FFP is referred to as the spread angle in the vertical direction
  • the spread angle of light in the parallel direction of the FFP is referred to as the spread angle in the parallel direction.
  • the light emitting element 20 is not limited to the semiconductor laser element, and a light emitting element having at least a part of the characteristics of the above-mentioned semiconductor laser element can be adopted. Further, it is also possible to adopt a light emitting element that does not have these characteristics.
  • the light emitting element 20 emits light having a light emission peak wavelength in the range of 320 nm to 530 nm, typically 430 nm to 480 nm.
  • Examples of the light emitting device 20 that emits such light include a semiconductor laser device including a nitride semiconductor.
  • the nitride semiconductor for example, GaN, InGaN, and AlGaN can be used.
  • the light emitted from the light emitting element 20 does not have to be limited to such a wavelength range.
  • the submount 30 has a bottom surface, an top surface, and one or more sides. Further, the sub mount 30 has the smallest width in the vertical direction. Further, the submount 30 is configured in the shape of a rectangular parallelepiped. The shape is not limited to a rectangular parallelepiped.
  • the submount 30 is formed using, for example, silicon nitride, aluminum nitride, or silicon carbide. In addition, other materials may be used.
  • the light reflecting member 40 has one or more light reflecting surfaces 41 that reflect light.
  • the light reflecting member 40 is provided with a light reflecting surface 41 having a light reflectance of 90% or more with respect to the peak wavelength of the irradiated light.
  • the light reflectance here can be 100% or less or less than 100%.
  • the light reflecting surface 41 is a flat surface. Further, the light reflecting surface 41 is inclined with respect to the lower surface of the light reflecting member 40. This inclination angle is in the range of 10 degrees or more and 80 degrees or less.
  • a straight line passing over the light reflecting surface 41 and passing through a straight line parallel to the lower surface of the light reflecting member 40 is referred to as a parallel direction of the light reflecting surface 41.
  • the light reflecting surface 41 does not have to be a flat surface, and may be, for example, a curved surface. In this case, a straight line passing through a plane connecting three points on the outer edge of the light reflecting surface 41 of the curved surface and passing through a straight line parallel to the lower surface of the light reflecting member 40 is defined as a parallel direction of the light reflecting surface 41. ..
  • the inclination angle of the light reflecting surface 41 is 45 degrees.
  • the manufactured product shall include a difference of ⁇ 5 degrees from the specific angle in consideration of manufacturing accuracy.
  • the main material forming the outer shape of the light reflecting member 40 glass, metal, or the like can be used.
  • the main material is preferably a heat-resistant material, and for example, glass such as quartz or BK7 (borosilicate glass), metal such as aluminum, or Si can be used.
  • the light reflecting surface may be formed by using, for example, a metal such as Ag or Al or a dielectric multilayer film such as Ta 2 O 5 / SiO 2 , TIO 2 / SiO 2 , or Nb 2 O 5 / SiO 2. can.
  • the protection element 50 is a circuit element for preventing an excessive current from flowing to a specific element such as a light emitting element and destroying the element.
  • a typical example of the protection element 50 is a constant voltage diode such as a Zener diode.
  • a Zener diode for example, a Si diode can be used.
  • the temperature measuring element 60 is an element used as a temperature sensor for measuring the ambient temperature.
  • a thermistor can be used as the temperature measuring element 60.
  • the wiring 70 is composed of a conductor having a linear shape with both ends as joints. In other words, the wiring 70 has joints at both ends of the linear portion to join with other components.
  • the wiring 70 is used for the electrical connection between the two components.
  • a metal wire can be used as the wiring 70. Examples of metals include gold, aluminum, silver, copper and the like.
  • the wavelength conversion member 81 has an upper surface, a lower surface, and one or more side surfaces. Further, the wavelength conversion member 81 has a wavelength conversion unit 811. Further, the wavelength conversion member 81 has a surrounding portion 812 that surrounds the wavelength conversion portion 811. Further, the wavelength conversion member 81 has one or more conductive films 813 on the lower surface side. Further, the wavelength conversion member 81 has a plurality of metal films 814 on the lower surface side. Further, the wavelength conversion member 81 has a light-shielding film 815 on the upper surface side.
  • the wavelength conversion unit 811 and the surrounding unit 812 are integrally formed.
  • the inner side surface of the surrounding portion 812 and the side surface of the wavelength conversion unit 811 are in contact with each other, and one or more side surfaces of the wavelength conversion unit 811 are surrounded by the surrounding portion 812.
  • One or more outer surfaces of the enclosing portion 812 correspond to one or more side surfaces of the wavelength conversion member 81.
  • the wavelength conversion unit 811 and the surrounding unit 812 can be formed by using an inorganic material that is not easily decomposed by irradiation with light as the main material. It does not have to be an inorganic material.
  • the wavelength conversion member 81 is formed of an integrally sintered body in which the wavelength conversion unit 811 and the surrounding portion 812 are integrally sintered.
  • a wavelength conversion unit 811 made of a molded product such as a sintered body and a powder / granular material forming the surrounding portion 812 are integrally molded and sintered, and the wavelength is sintered.
  • the base material of the conversion member 81 can be formed.
  • a normal pressure sintering method, a discharge plasma sintering method (SPS method), a hot press sintering method (HP method), or the like can be used.
  • the wavelength conversion unit 811 has a rectangular parallelepiped shape.
  • the shape of the wavelength conversion unit 811 does not have to be limited to a rectangular parallelepiped.
  • the wavelength conversion unit 811 has a vertically long shape when viewed from above.
  • the wavelength conversion unit 811 has a vertically long shape in a bottom view. Further, in the wavelength conversion unit 811, the vertically long directions in the top view and the bottom view are aligned.
  • the wavelength conversion unit 811 converts the incident light into light having a different wavelength. Further, the wavelength conversion unit 811 emits light converted to a different wavelength. Further, a part of the incident light is emitted from the wavelength conversion unit 811 without being converted by the wavelength conversion unit 811.
  • the wavelength conversion unit 811 can be formed by using ceramics as a main material and containing a phosphor. Not limited to this, glass may be used as the main material. Alternatively, it may be formed of a single crystal of a fluorescent substance or a single crystal of a fluorescent substance.
  • ceramics when ceramics is used as the main material of the wavelength conversion unit 811, it can be formed by sintering a phosphor and a translucent material such as aluminum oxide.
  • the content of the phosphor can be 0.05% by volume to 50% by volume with respect to the total volume of the ceramics.
  • ceramics obtained by sintering a powder of a fluorescent substance, which is substantially composed of only the fluorescent substance, may be used.
  • the phosphor examples include yttrium aluminum garnet (YAG) activated with cerium, lutetium aluminum garnet (LAG) activated with cerium, europium and / or chromium-activated nitrogen-containing calcium aluminosilicate (CaO-).
  • YAG yttrium aluminum garnet
  • LAG lutetium aluminum garnet
  • CeO- chromium-activated nitrogen-containing calcium aluminosilicate
  • Examples thereof include Al 2 O 3- SiO 2 ), europium-activated silicate ((Sr, Ba) 2 SiO 4 ), ⁇ -sialon phosphor, ⁇ -sialon phosphor and the like.
  • YAG phosphor yttrium aluminum garnet
  • LAG lutetium aluminum garnet
  • CeO- chromium-activated nitrogen-containing calcium aluminosilicate
  • Examples thereof include Al 2 O 3- SiO 2 ), europium-activated silicate ((S
  • the surrounding portion 812 has a shape in which a through hole is provided in the central portion of a rectangular parallelepiped flat plate.
  • the wavelength conversion unit 811 is provided so as to close the through hole.
  • the surrounding portion 812 can be formed using ceramics as the main material. Further, the present invention is not limited to this, and a metal, a composite of ceramics and a metal, or the like may be used.
  • the surrounding portion 812 in which a material having a high thermal conductivity is used as the main material, has a heat radiating function for exhausting heat in the wavelength conversion unit 811, and from this viewpoint, it can be regarded as a heat radiating member instead of the surrounding portion 812.
  • the surrounding portion 812 preferably has a high reflectance in a region in contact with at least one or a plurality of side surfaces of the wavelength conversion unit 811.
  • the surrounding portion 812 in which a material having a high reflectance is used as the main material, has high reflectivity for reflecting the irradiated light, and from this viewpoint, the surrounding portion 812 can be regarded as a light reflecting member.
  • the material having high reflectance and high thermal conductivity include alumina (Al 2 O 3 ).
  • the surrounding unit 812 does not have a wavelength conversion function like the wavelength conversion unit 811.
  • the enclosing portion 812 does not contain a fluorescent substance.
  • the surrounding portion 812 has a light-shielding property having a transmittance of 5% or less. From this point of view, the surrounding portion 812 can be regarded as a light-shielding member.
  • the conductive film 813 is provided in the surrounding portion 812. Further, the conductive film 813 is provided on the outside of the wavelength conversion unit 811. That is, the conductive film 813 is not provided in the wavelength conversion unit 811. As a result, light can be efficiently incident on the wavelength conversion unit 811.
  • the conductive film 813 is provided at a position close to the wavelength conversion unit 811.
  • the distance between the wavelength conversion unit 811 and the conductive film 813 is 500 ⁇ m or less at the closest position, preferably 300 ⁇ m or less.
  • the conductive film 813 is provided so as to surround the wavelength conversion unit 811.
  • a linear conductive film 813 surrounds the wavelength conversion unit 811.
  • the conductive film 813 has a thin linear shape and surrounds the wavelength conversion unit 811.
  • the thin linear shape means, for example, a linear shape in which the line width is smaller than the width of the wavelength conversion unit 811 and the length of the line is longer than the outer circumference of the wavelength conversion unit 811 in the bottom view.
  • the line width may be further set to be 1 ⁇ 2 or less of the width of the wavelength conversion unit 811.
  • the width of the wavelength conversion unit 811 is, for example, the width of the short side when the outer shape is rectangular, and the width of the minor diameter when the outer shape is elliptical, for example. Further, in the case of other shapes, the width is substantially specified based on these examples.
  • the conductive film 813 can be formed of an oxide.
  • the oxide forming the conductive film 813 include indium tin oxide (ITO) and ruthenium oxide (RuO 2 ). These oxides have the property of being brittle and fragile as compared with metal materials such as gold, silver and aluminum.
  • each of the plurality of metal films 814 includes two metal films 814 connected to the conductive film 813. One end of the linear conductive film 813 and one of the two metal films 814 overlap with each other, and the other end of the conductive film 813 overlaps with the other metal film 814.
  • the metal film 814 can be formed by using, for example, Ti / Pt / Au.
  • the light-shielding film 815 is provided in the surrounding portion 812, and the light-shielding film 815 is provided outside the wavelength conversion unit 811. That is, the light-shielding film 815 is not provided in the wavelength conversion unit 811. Further, it is desirable that the light-shielding film 815 reaches the boundary between the wavelength conversion portion 811 and the surrounding portion 812 on the upper surface side. As a result, it is possible to suppress the emission of light from sources other than the wavelength conversion unit 811 in the wavelength conversion member 81.
  • the light-shielding film 815 can be formed by using, for example, a metal.
  • the translucent member 82 has a lower surface, an upper surface, and one or more side surfaces. Further, the translucent member 82 has a translucent property of transmitting light. Here, the translucency means that the transmittance with respect to light is 80% or more. Further, the translucent member 82 has a base material formed in the shape of a rectangular parallelepiped flat plate. The shape is not limited to a rectangular parallelepiped.
  • the translucent member 82 can be formed by using sapphire as the main material.
  • Sapphire is a material with relatively high transmittance and relatively high strength.
  • quartz, silicon carbide, glass, or the like can be used as the main material.
  • the translucent member 82 has a plurality of metal films 821. Further, the plurality of metal films 821 are provided on the upper surface side of the translucent member 82. The plurality of metal films 821 include two metal films 821 provided for wiring. The two metal films 821 are provided in the outer peripheral region of the translucent member 82. The two metal films 821 are not provided in the central region of the translucent member 82.
  • the two metal films 821 have a joint region in a part thereof.
  • the metal film 821 can be formed by providing, for example, Ti / Pt / Au. Further, in the joint region, for example, AuSn can be further provided on the joint region to form the joint region.
  • the light-shielding member 90 is formed of a resin having a light-shielding property.
  • the light-shielding property indicates a property of not transmitting light
  • the light-shielding property may be realized by utilizing the property of absorbing light, the property of reflecting light, and the like in addition to the property of blocking light.
  • it can be formed by containing a filler such as a light diffusing material and / or a light absorbing material in the resin.
  • Examples of the resin forming the light-shielding member 90 include epoxy resin, silicone resin, acrylate resin, urethane resin, phenol resin, BT resin and the like.
  • Examples of the light-absorbing filler include dark-colored pigments such as carbon black.
  • Light emitting device 1 Next, a light emitting device 1 manufactured by using these components will be described.
  • one or more light reflecting members 40 are arranged on the mounting surface of the base 10.
  • the lower surface of one or more light reflecting members 40 is joined to the mounting surface of the base 10.
  • the inclination angle of the light reflecting surface 41 with respect to the mounting surface of the base 10 is the same as the inclination angle of the light reflecting surface 41 with respect to the lower surface of the light reflecting member 40.
  • one or more light reflecting surfaces 41 are provided on a virtual one plane.
  • the light reflecting member 40 of 1 is arranged, and the light reflecting surface 41 of 1 is provided on a virtual plane of 1.
  • a plurality of light reflecting members 40 having a size obtained by dividing the illustrated light reflecting member 40 into two or more may be arranged. In this case, a plurality of light reflecting surfaces 41 are provided on a virtual plane of 1.
  • the protection element 50 and the temperature measuring element 60 are arranged on the mounting surface of the base 10.
  • the protective element 50 is located in a direction opposite to the direction in which one or more light reflecting surfaces 41 face with respect to one or more light reflecting members 40.
  • the temperature measuring element 60 is located in a direction opposite to the direction in which one or more light reflecting surfaces 41 face with respect to one or more light reflecting members 40.
  • one or more submounts 30 are arranged on the mounting surface of the base 10.
  • the plurality of sides face one or more light reflecting surfaces 41.
  • the orientation of the light reflecting surface 41 with respect to the parallel direction is different between the plurality of side surfaces in the top view.
  • the plurality of side surfaces include one or more side surfaces whose intersecting lines intersecting the upper surface of the submount 30 are parallel to the parallel direction of one or more light reflecting surfaces 41 in a top view.
  • the plurality of side surfaces include one or more side surfaces whose intersecting lines intersecting the upper surface of the submount 30 are not parallel to the parallel direction of the one or more light reflecting surfaces 41 in top view.
  • the parallelism here includes a difference of ⁇ 5 degrees.
  • each of the three submounts 30 has a side surface facing the light reflecting surface 41.
  • the three submounts 30 are composed of one submount 30 arranged in the center and two submounts 30 arranged on both sides thereof in a top view. In the two submounts 30 arranged on both sides, the side surface facing the light reflecting surface 41 also faces the submount 30 arranged in the center.
  • the side surface of the submount 30 arranged in the center facing the light reflecting surface 41 is surrounded by two virtual straight lines parallel to the parallel direction of the light reflecting surface 41 in top view.
  • One of the two straight lines is one end of both ends of the side surface of each of the two submounts 30 arranged on both sides facing the light reflecting surface 41, and the submount 30 arranged in the center. It is a straight line connecting one end closer to.
  • the remaining one is one of both ends of the side surface of each of the two submounts 30 arranged on both sides facing the light reflecting surface 41, which is far from the centrally arranged submount 30. It is a straight line connecting one end.
  • the line of intersection where the side surface facing the light reflecting surface 41 and the upper surface intersect is parallel to the parallel direction of the light reflecting surface 41.
  • the parallelism here includes a difference of ⁇ 5 degrees depending on the manufacturing accuracy.
  • the line of intersection where the side surface facing the light reflecting surface 41 and the upper surface intersect is not parallel to the parallel direction of the light reflecting surface 41.
  • the side surfaces of the two submounts 30 arranged on both sides facing the light reflecting surface 41 have the same angle as the parallel direction of the light reflecting surface 41 in top view.
  • the same thing here includes a difference of ⁇ 5 degrees due to manufacturing accuracy.
  • a plurality of light emitting elements 20 are arranged on the mounting surface.
  • the plurality of light emitting elements 20 are arranged on the mounting surface via one or a plurality of submounts 30.
  • the plurality of light emitting elements 20 are bonded to one or a plurality of submounts 30.
  • Each of the plurality of light emitting elements 20 has a light emitting surface facing the light reflecting surface 41.
  • at least one side surface is a light emitting surface.
  • at least one side surface to be a light emitting surface includes a light emitting surface facing the light reflecting surface 41.
  • the light emitted from the light emitting surface irradiates one or more light reflecting surfaces 41. Further, in each of the plurality of light emitting elements 20, the light emitted from the side surface facing the light reflecting surface 41 irradiates one or more light reflecting surfaces 41.
  • each of the plurality of light emitting elements 20 facing the light reflecting surface 41 has a different orientation with respect to the parallel direction of the light reflecting surface 41 in top view.
  • the plurality of light emitting elements 20 include one or more light emitting elements 20 whose side surfaces facing the light reflecting surface 41 are parallel to the parallel direction of one or more light reflecting surfaces 41 in a top view. It can be said that the light emitting element 20 faces the light reflecting surface 41 having one or more light emitting surfaces.
  • the plurality of light emitting elements 20 include one or more light emitting elements 20 whose side surfaces facing the light reflecting surface 41 are not parallel to the parallel direction of one or more light reflecting surfaces 41 in the top view. It can be said that the light emitting element 20 has a light emitting surface arranged obliquely with respect to one or more light reflecting surfaces 41.
  • the side surface of the two light emitting elements 20 arbitrarily selected from the plurality of light emitting elements 20 facing the light reflecting surface 41 is viewed from above, and the other is oblique to one. Arranged to be. By making it slanted, the light emitted from each other's light emitting elements 20 to one or more light reflecting surfaces 41 can be brought close to each other.
  • three light emitting elements 20 are arranged on a mounting surface via three submounts 30. Further, the number of light emitting elements 20 bonded to one submount 30 is one.
  • one light emitting element 20 having a light emitting surface facing one or more light reflecting surfaces 41 is arranged. Further, one light emitting element 20 is arranged so that the light emitting element 20 is at the center and the light emitting surface is oblique to one or more light reflecting surfaces 41 on both sides thereof.
  • the light emitting elements 20 on both sides pass through the side surface of the central light emitting element 20 facing one or more light reflecting surfaces 41 and with respect to a straight line perpendicular to the parallel direction of one or more light reflecting surfaces 41.
  • the light emitting elements 20 on both sides pass through the side surface of the central light emitting element 20 facing one or more light reflecting surfaces 41 and with respect to a straight line perpendicular to the parallel direction of one or more light reflecting surfaces 41.
  • one or more light reflecting surfaces 41 pass through the side surface of the central light emitting element 20 facing toward one or more light reflecting surfaces 41, and are formed by a straight line perpendicular to the parallel direction of one or more light reflecting surfaces 41.
  • the light emitting elements 20 on both sides irradiate the light of the main portion to the closer region of the divided regions, respectively.
  • each of the plurality of light emitting elements 20 is a semiconductor laser element.
  • the light passing through the optical axis emitted from each of the plurality of semiconductor laser elements travels in different directions from the respective light emitting surfaces and is applied to one or more light reflecting surfaces 41.
  • the plurality of semiconductor laser elements include semiconductor laser elements in which the direction in which light passing through the optical axis travels from the light emitting surface is orthogonal to the parallel direction of one or more light reflecting surfaces 41. Further, the plurality of semiconductor laser elements include two semiconductor laser elements in which the light passing through the optical axis is arranged line-symmetrically with respect to the direction in which the light passes from the light emitting surface.
  • the semiconductor laser element in which the light passing through the optical axis is orthogonal to the parallel direction of one or more light reflecting surfaces 41 is the above-mentioned central light emitting element 20.
  • the two semiconductor laser elements arranged line-symmetrically are the above-mentioned light emitting elements 20 on both sides.
  • the semiconductor laser elements on both sides are the first semiconductor laser element and the second semiconductor laser element, respectively, and one or more light reflecting surfaces 41 are a plane perpendicular to the mounting surface and are emitted from the central semiconductor laser element.
  • the light passing through the optical axis of the light is divided into two with a plane passing through a straight line extending in the direction of travel from the light emitting surface as a boundary.
  • the region on the side where the first semiconductor laser element is arranged is the first reflection region and the region on the side where the second semiconductor laser element is arranged is the second reflection region, the region from the first semiconductor laser element The emitted light passing through the optical axis is irradiated to the first reflection region, and the light emitted from the second semiconductor laser element through the optical axis is irradiated to the second reflection region.
  • a plurality of wirings 70 for electrically connecting the light emitting element 20, the protection element 50, and the temperature measuring element 60 are joined.
  • a metal film provided on the bottom surface 111 of the base 10 is used for electrical connection. As a result, these elements and the external power supply can be electrically connected via the metal film on the upper surface 11 of the base 10.
  • the wavelength conversion member 81 is arranged.
  • the wavelength conversion member 81 is supported by the base 10.
  • the wavelength conversion member 81 is arranged above the mounting surface. Further, the wavelength conversion member 81 is arranged above the plurality of light emitting elements 20 and one or more light reflecting members 40.
  • Light emitted from a plurality of light emitting elements 20 and reflected by one or more light reflecting members 40 is incident on the wavelength conversion member 81.
  • the main portion of the light emitted by the plurality of light emitting elements 20 is incident on the wavelength conversion member 81.
  • the light emitting device 1 all of the light emitted from the three semiconductor laser elements is reflected by one or more light reflecting surfaces 41 and incident on the wavelength conversion member 81. Further, the lower surface of the wavelength conversion member 81 is an incident surface of light emitted from the plurality of light emitting elements 20, and the upper surface of the wavelength conversion member 81 is the wavelength-converted light or the light emitted from the plurality of light emitting elements 20. It becomes the exit surface.
  • the wavelength conversion member 81 is fixed to the base 10 via the translucent member 82.
  • the wavelength conversion member 81 is attached to the base 10 by joining the translucent member 82 to the base 10 in a state where the wavelength conversion member 81 and the translucent member 82 are joined. It is fixed.
  • the wavelength conversion member 81 may be directly fixed to the base 10.
  • the translucent member 82 is arranged on the upper surface 11 of the base 10. Further, the lower surface of the translucent member 82 is joined to the base 10. Further, the translucent member 82 is joined to the upper surface 11 of the step portion 16 formed below the uppermost surface 112 of the base portion 10.
  • the plurality of light emitting elements 20 are arranged in the closed space of the light emitting device 1.
  • the base 10 and the translucent member 82 are joined to form this closed space.
  • the translucent member 82 can serve as a lid member.
  • this closed space is formed in an airtightly sealed state. By hermetically sealing, it is possible to suppress the collection of organic substances and the like on the light emitting surface of the semiconductor laser device.
  • the wavelength conversion member 81 has a light extraction region for extracting light.
  • the light extraction region includes an emission surface of light emitted from the light emitting device 1 to the outside and an incident surface of light incident to emit light to the outside.
  • the light extraction region may have a component other than the wavelength conversion member 81.
  • the other components here also include components not shown in the illustrated light emitting device 1.
  • the light extraction region is smaller than the mounting surface of the base 10 in the top view. Further, among the plurality of light emitting elements 20, the length of the light extraction region in the same direction as this distance is smaller than the distance between the two light emitting elements 20 located at the farthest positions in the top view.
  • the wavelength conversion unit 811 has a light extraction region.
  • the lower surface of the wavelength conversion unit 811 is an incident surface of light in the light extraction region
  • the upper surface of the wavelength conversion unit 811 is a light emission surface in the light extraction region.
  • the light extraction area is surrounded by the surrounding portion 812.
  • both the strong and weak light intensity parts are black due to monochrome processing, but the black color in the center of the elliptical FFP light is the strong light intensity part, and the FFP light.
  • the black color on the outer circumference of is a part where the light intensity is weak.
  • the light from the plurality of light emitting elements 20 reflected by one or more light reflecting surfaces 41 approaches each other and is incident on the light extraction region of the light emitting device 1.
  • the light emitted from each light emitting element 20 includes light emitted to a specific point of the light reflecting surface 41. Further, the light irradiated to this specific point is incident on the incident surface of the light extraction region. At this time, the distance between the two points on the incident surface of the light extraction region is smaller than the distance between the two points on the light reflecting surface 41. Further, the magnitude relationship between the two points in the light reflecting surface 41 and the light extraction region is established at any irradiation point where the light of the main portion is irradiated.
  • the light from the plurality of light emitting elements 20 is not arranged in parallel with each other in a plan view parallel to the one or more light reflecting surfaces 41, and the other is opposed to one. It is slanted.
  • the three lights overlap. That is, on the incident surface of the light extraction region, the light from the plurality of light emitting elements 20 is arranged in parallel with each other in a plan view parallel to the incident surface.
  • the plurality of light emitting elements 20 are semiconductor laser elements, this relationship holds in the major axis direction or the minor axis direction of the elliptical FFP.
  • the parallelism here includes a difference of ⁇ 5 degrees.
  • the light from a plurality of light emitting elements 20 having the same emission shape (for example, FFP in the case of a semiconductor laser element) emitted from the light emitting surface has a high proportion of light on the incident surface of the light in the light extraction region.
  • FFP in the case of a semiconductor laser element
  • the emission shapes of the light emitted from the plurality of light emitting elements 20 for example, 50% or more of the light of the main portion can be superimposed, and further, 80% or more of the light of the main portion can be superimposed. ..
  • At least a part of the region where the wavelength conversion unit 811 is provided overlaps with a part of the region where one or more light reflecting surfaces 41 are provided in the top view. Further, in the top view, at least a part of the light extraction region and a part of the region where one or more light reflecting surfaces 41 are provided overlap. Further, in the top view, at least a part of the region where the incident surface of light is provided in the light extraction region and a part of the region where one or more light reflecting surfaces 41 are provided overlap.
  • the length of the wavelength conversion unit 811 is smaller than the length of both ends of the one or more light reflecting members 40 with respect to the parallel direction of one or more light reflecting surfaces 41.
  • the length of the wavelength conversion unit 811 is the length of both ends of one or more light reflecting members 40, and the light emitting element 20 for irradiating one or more light reflecting surfaces 41 with light. Less than the length divided by the number of. In the illustrated example of the light emitting device 1, since three semiconductor laser elements are irradiated, the length of the wavelength conversion unit 811 is 1 of the lengths of both ends of the light reflecting member 40 with respect to the parallel direction of the light reflecting surface 41. Less than / 3.
  • the incident surface of the light of the wavelength conversion unit 811 has a longer length in the direction perpendicular to the length in the parallel direction of one or more light reflecting surfaces 41.
  • the light reflecting member 40 has a wavelength conversion unit 811 while the length of the light reflecting surface 41 in the parallel direction is larger than the length in the direction perpendicular to the light reflecting surface 41.
  • the length of the light reflecting surface 41 in the parallel direction is smaller than the length in the direction perpendicular to the light reflecting surface 41. In this way, the light from the plurality of light emitting elements 20 can be collected in a small irradiation region on the incident surface of the light.
  • Part or all of the light incident on the wavelength conversion unit 811 is converted into light having a different wavelength by the wavelength conversion unit 811.
  • Light from the plurality of light emitting elements 20 or wavelength-converted light is emitted from the upper surface of the wavelength conversion unit 811 to the outside of the light emitting device 1.
  • the wavelength conversion member 81 is joined to the upper surface of the translucent member 82. Further, the surrounding portion 812 of the wavelength conversion member 81 and the translucent member 82 are joined. Further, the wavelength conversion member 81 and the translucent member 82 are joined so that the metal film 814 of the wavelength conversion member 81 and the metal film 821 of the translucent member 82 are electrically connected. Specifically, the metal film 814 of the wavelength conversion member 81 and the metal film 821 of the translucent member 82 are joined.
  • the conductive film 813 is surrounded by a thin linear film in the vicinity of the wavelength conversion unit 811. Therefore, when an abnormality such as a crack occurs in the wavelength conversion unit 811, the conductive film 813 also cracks in response to the impact and changes the electrical connection state. By detecting a large increase in the resistance value, it is possible to detect an abnormality in the wavelength conversion unit 811. From this, it can be said that the conductive film 813 is an abnormality detecting element which is a sensor for detecting an abnormality of the wavelength conversion unit 811. By using the conductive film 813 made of an oxide having a brittle and fragile property as compared with a metal material, it is possible to improve the detection accuracy for damage to the wavelength conversion unit.
  • the conductive film 813 is provided on the incident surface side of the wavelength conversion member 81 where the light from the light emitting element 20 is incident. Further, the conductive film 813 is provided on the side of the wavelength conversion member 81 facing the translucent member 82. Therefore, the translucent member 82 is arranged in the vicinity of the conductive film 813 without contacting the conductive film 813, or in contact with the conductive film 813.
  • the conductive film 813 is not provided directly under the light extraction region. Further, the metal film 821 of the translucent member 82 is not provided directly below the light extraction region. By doing so, light can be incident on the wavelength conversion unit 811 without being blocked by the conductive film 813.
  • the upper surface of the translucent member 82 is larger than the lower surface of the wavelength conversion member 81. Further, when viewed from above, the upper surface of the translucent member 82 surrounds the lower surface of the wavelength conversion member 81. Alternatively, it surrounds the wavelength conversion member 81. In top view, the two metal films 821 on the upper surface of the translucent member 82 are each provided from a region overlapping the lower surface of the wavelength conversion member 81 to a region not overlapping.
  • the wiring 70 (second wiring 72) for electrically connecting the abnormality detecting element is joined.
  • a metal film provided on the stepped portion 16 of the base portion 10 is used.
  • the abnormality detection element and the external power supply can be electrically connected via the metal film on the upper surface 11 of the base 10.
  • the light-shielding member 90 is formed inside the frame formed by the upper surface 11 of the base 10.
  • the light-shielding member 90 is formed so as to fill the gap between the base 10 and the wavelength conversion member 81.
  • the light-shielding member 90 can be formed, for example, by pouring a thermosetting resin and curing it with heat. By providing the light-shielding member 90, leakage of light from other than the light extraction surface is suppressed.
  • the light-shielding member 90 does not reach the upper surface of the wavelength conversion member 81. Alternatively, even if it reaches the upper surface of the surrounding portion 812, it does not reach the upper surface of the wavelength conversion unit 811. As a result, the light-shielding member 90 can be provided so as to fill the gap while avoiding the wavelength conversion unit 811 which is the light extraction surface.
  • the present invention having the technical features disclosed in the specification is not limited to the structure described in the embodiment of the specification.
  • the present invention can be applied to a light emitting device having a component not disclosed in the embodiment, and a difference from the disclosed structure does not constitute a basis for not being able to apply the present invention.
  • the components included in the light emitting device disclosed by the embodiment may include non-essential components.
  • the light emitting device disclosed by the embodiment of the present specification includes not only the viewpoint of completion of the invention but also the viewpoint of disclosure of a rational configuration assuming one usage mode. While the application of the invention is not limited to the exemplary usage pattern, there is also an aspect in which the invention works effectively when applied to the usage pattern.
  • the light emitting device described in the embodiment can be used for an in-vehicle headlight. That is, it can be said that the in-vehicle headlight is one usage form to which the present disclosure is applied.
  • the present disclosure is not limited to this, and can be used for light sources such as lighting, projectors, head-mounted displays, and other display backlights.
  • Light emitting device 10 Base 11 Top surface 111 Bottom surface 112 Top surface 13 Bottom surface 14 Inner side surface 15 Outer side surface 16 Stepped part 17 Metal film 20 Light emitting element 30 Submount 40 Light reflecting member 41 Light reflecting surface 50 Protective element 60 Temperature measuring element 70 Wiring 71 1st wiring 72 2nd wiring 81 Wavelength conversion member 811 Wavelength conversion part 812 Surrounding part 813 Conductive film 814 Metal film 815 Light-shielding film 82 Translucent member 821 Metal film 90 Light-shielding member

Landscapes

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Abstract

実装面を有する基部と、実装面に配置され、１以上の光反射面を仮想的な１の平面上に設ける１以上の光反射部材と、１以上の光反射面の方を向く第１光出射面を有し、上面視で第１光出射面が１以上の光反射面に対して斜めとなるように実装面に配置され、第１光出射面から出射された光が１以上の光反射面に照射される第１発光素子と、１以上の光反射面の方を向く第２光出射面を有し、上面視で第２光出射面が第１光出射面に対して斜めとなるように実装面に配置され、第２光出射面から出射された光が１以上の光反射面に照射される第２発光素子と、を有し、１以上の光反射面によって反射された第１発光素子からの光及び第２発光素子からの光が互いに近付いて発光装置の光の取出し領域に入射することを特徴とする発光装置。

Description

発光装置
　本開示は、発光装置に関する。
　特許文献１には、複数の発光素子から出射された光を立ち上げミラーの反射面によって反射し、外部へと出射する光源装置が開示されている。
特開２０２０－２１７６１
　特許文献１の光源装置では各発光素子から出射される光の光軸が互いに平行であるため、通常は、両端に配置される発光素子の発光点間の距離以上の長さを有する光の取出し領域が確保されるものと考えられる。
　一方で、特許文献１のように光の取出し領域が広く確保される発光装置ばかりが求められるわけではない。光の取出し領域の大きさや、そこから取り出される光の特性によっては、発光装置における各構成要素の配置には改善の余地がある。
　本明細書において開示される発光装置は、実装面を有する基部と、前記実装面に配置され、１以上の光反射面を仮想的な１の平面上に設ける１以上の光反射部材と、前記１以上の光反射面の方を向く第１光出射面を有し、上面視で前記第１光出射面が前記１以上の光反射面に対して斜めとなるように前記実装面に配置され、前記第１光出射面から出射された光が前記１以上の光反射面に照射される第１発光素子と、前記１以上の光反射面の方を向く第２光出射面を有し、上面視で前記第２光出射面が前記第１光出射面に対して斜めとなるように前記実装面に配置され、前記第２光出射面から出射された光が前記１以上の光反射面に照射される第２発光素子と、を有し、前記１以上の光反射面によって反射された前記第１発光素子からの光及び前記第２発光素子からの光が互いに近付いて前記発光装置の光の取出し領域に入射することを特徴とする。
　本開示の実施形態によれば、複数の発光素子からの光を光の取出し領域に集めて、効果的に光を取り出す発光装置が実現される。
図１は、実施形態に係る発光装置の斜視図である。 図２は、図１に対応する上面図である。 図３は、図２のIII-III線における発光装置の断面図である。 図４は、実施形態に係る発光装置の内部構造を説明するための斜視図である。 図５は、実施形態に係る発光装置の内部構造を説明するための斜視図である。 図６は、図５に対応する上面図である。 図７は、実施形態に係る波長変換部材及び透光性部材が接合された状態の斜視図である。 図８は、図７に対応する上面図である。 図９は、実施形態に係る透光性部材と波長変換部材との接合面を説明するために波長変換部材の上面側を透過した上面図である。 図１０は、実施形態に係る波長変換部材の下面図である。 図１１は、実施形態に係る透光性部材の上面図である。 図１２は、実施形態に係る発光装置の光反射面に照射される光の強度分布を表す画像である。 図１３は、実施形態に係る発光装置の波長変換部に入射する光の強度分布を表す画像である。
　本明細書または特許請求の範囲において、三角形や四角形などの多角形に関しては、多角形の隅に角丸め、面取り、角取り、丸取り等の加工が施された形状も含めて、多角形と呼ぶものとする。また、隅（辺の端）に限らず、辺の中間部分に加工が施された形状も同様に、多角形と呼ぶものとする。つまり、多角形をベースに残しつつ、部分的な加工が施された形状は、本明細書及び特許請求の範囲で記載される“多角形”の解釈に含まれるものとする。
　また、多角形に限らず、台形や円形や凹凸など、特定の形状を表す言葉についても同様である。また、その形状を形成する各辺を扱う場合も同様である。つまり、ある辺において、隅や中間部分に加工が施されていたとしても、“辺”の解釈には加工された部分も含まれる。なお、部分的な加工のない“多角形”や“辺”を、加工された形状と区別する場合は“厳密な”を付して、例えば、“厳密な四角形”などと記載するものとする。
　また、本明細書または特許請求の範囲において、上下、左右、表裏、前後、手前と奥などの表現は、相対的な位置、向き、方向などの関係を述べるに過ぎず、使用時における関係と一致していなくてもよい。
　また、本明細書または特許請求の範囲において、ある構成要素に関し、これに該当するものが複数あり、それぞれを区別して表現する場合に、その構成要素の頭に“第１”、“第２”と付記して区別することがある。また、本明細書と特許請求の範囲とで区別する対象や観点が異なる場合、本明細書と特許請求の範囲との間で、同一の付記が、同一の対象を指さない場合がある。
　例えば、本明細書において“第１”、“第２”、“第３”と付記されて区別される対象があり、本明細書の“第１”及び“第３”のみを対象として特許請求の範囲を記載する場合に、見易さの観点から特許請求の範囲においては“第１”、“第２”と付記して区別することがある。この場合、特許請求の範囲において“第１”、“第２”と付記された対象が、本明細書において“第１”“第３”と付記された対象を指すことになる。
　以下に、図面を参照しながら、本明を実施するための形態を説明する。ただし、示される形態は、本発明の技術思想が具体化されたものではあるが、本発明を限定するものではない。また、以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、重複した説明は適宜省略することがある。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。
　＜実施形態＞
　図１は、実施形態に係る発光装置１の一例を示す斜視図である。図２は、発光装置１の上面図である。図３は、図２のIII-III線における発光装置１の断面図である。図４は、内部構造を説明するために発光装置１から遮光部材９０を除いた状態の斜視図である。図５は、内部構造を説明するために発光装置１からさらに透光性部材８２と波長変換部材８１を除いた状態の斜視図である。図６は、図５と同様の状態における上面図である。図７は、実施形態に係る波長変換部材８１と透光性部材８２とが接合された状態を示す斜視図である。図８は、図７と同様の状態における上面図である。図９は、透光性部材８２と波長変換部材８１との接合面を説明するために波長変換部材８１の上面側を透過した上面図である。なお、図９では、透光性部材８２の金属膜８２１における接合領域と、波長変換部材８１の導電膜８１３とをハッチングで記している。目の細かいハッチングが導電膜８１３である。図１０は、実施形態に係る波長変換部材８１の下面図である。図１１は、実施形態に係る透光性部材８２の上面図である。
　発光装置１の構成要素には、基部１０、複数の発光素子２０、１または複数のサブマウント３０、１以上の光反射部材４０、保護素子５０、温度測定素子６０、複数の配線７０、波長変換部材８１、透光性部材８２、及び、遮光部材９０が含まれる。また、発光装置１は、さらに他の構成要素を有していてもよい。
　次に、各構成要素について説明する。
　（基部１０）
　基部１０は、複数の上面１１、下面１３、１または複数の内側面１４、及び、１または複数の外側面１５を有している。基部１０は、上方から下方に向かって窪んだ凹形状を有する。また、基部１０は、上面視における外形が矩形である。
　複数の上面１１には、底面１１１が含まれる。底面１１１は、他の構成要素が配置される実装面である。また、底面１１１は、複数の上面１１のうち、最も下方にある上面である。複数の上面１１には、最も上方にある上面である最上面１１２が含まれる。底面１１１は、上面視で最上面１１２に囲まれる。
　複数の上面１１には、最上面１１２と底面１１１の間に位置する１または複数の上面１１が含まれる。ここでは、この１または複数の上面１１を区別する場合、底面１１１からの高さが低い方から、第１上面１１、第２上面１１と、順番に番号を付することにする。
　基部１０は、底面１１１からの高さが異なる複数の段差部１６を有する。ここで、段差部１６は、上面１１、及び、この上面１１と交わり下方に進む全ての内側面１４のみから構成される。複数の段差部１６には、最上面１１２及びこれと交わり下方に進む全ての内側面１４で構成される段差部１６と、第１上面１１及びこれと交わり下方に進む全ての内側面１４で構成される段差部１６と、が含まれる。
　ここでは、複数の段差部１６を区別する場合、底面１１１からの段差部１６の上面１１までの高さが低い方から、第１段差部１６、第２段差部１６と、順番に番号を付することにする。図示される基部１０の例では、最上面１１２と底面１１１との間に、１つの第１上面１１と、２つの第２上面１１と、を有し、第１上面を含む第１段差部１６と、それぞれ第２上面１１を含む２つの第２段差部１６と、最上面１１２を含む第３段差部１６と、を有する。
　基部１０は、セラミックを主材料として形成することができる。例えば、セラミックとして、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、炭化ケイ素を用いることができる。なお、セラミックに限らず、絶縁性を有する他の材料を主材料に用いて形成してもよい。
　また、基部１０の底面１１１には、１または複数の金属膜が設けられる。また、基部１０の段差部１６の上面１１には、１または複数の金属膜が設けられる。また、基部１０の最上面１１２には、底面１１１および段差部１６に設けられた金属膜と電気的に接続している複数の金属膜１７が設けられる。
　（発光素子２０）
　発光素子２０は、上面、下面、及び、１または複数の側面を有する。また、発光素子２０は、上面、下面、及び、１または複数の側面の中に、光を出射する１以上の光出射面を有する。
　発光素子２０は、例えば、半導体レーザ素子である。なお、発光素子２０は、半導体レーザ素子に限らず、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）や有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などであってもよい。図示される発光装置１の例では、発光素子２０として、半導体レーザ素子が採用されている。
　半導体レーザ素子は、上面視で長方形の外形を有する。また、長方形の２つの短辺のうちの一辺と交わる側面が、半導体レーザ素子の光出射面となる。また、半導体レーザ素子の上面及び下面は、光出射面よりも面積が大きい。
　なお、半導体レーザ素子から放射される光（レーザ光）は拡がりを有し、光の光出射面と平行な面において楕円形状のファーフィールドパターン（以下「ＦＦＰ」という。）を形成する。ここで、ＦＦＰとは、光出射面から離れた位置における出射光の形状や光強度分布を示す。
　ＦＦＰの楕円形状の中心を通る光、言い換えると、ＦＦＰの光強度分布においてピーク強度の光を、光軸を進む光、と呼ぶものとする。また、光軸を進む光の光路を、その光の光軸、と呼ぶものとする。また、ＦＦＰの光強度分布において、ピーク強度値に対して１／ｅ２以上の強度を有する光を、「主要部分」の光と呼ぶものとする。
　半導体レーザ素子である発光素子２０から出射される光のＦＦＰの楕円形状において、楕円の短径方向をＦＦＰの平行方向、長径方向をＦＦＰの垂直方向というものとする。半導体レーザ素子を構成する、活性層を含んだ複数の層は、ＦＦＰの垂直方向に積層される。
　半導体レーザ素子のＦＦＰの光強度分布に基づき、光強度分布の半値全幅に相当する角度を、その半導体レーザ素子の光の拡がり角と呼ぶものとする。ＦＦＰの垂直方向における光の拡がり角を垂直方向の拡がり角と呼び、ＦＦＰの平行方向における光の拡がり角を平行方向の拡がり角と呼ぶものとする。
　発光素子２０には、半導体レーザ素子に限らず、上述した半導体レーザ素子が有する特性の少なくとも一部を備える発光素子を採用することができる。また、これらの特性を備えていない発光素子を採用することもできる。
　発光素子２０は、光の発光ピーク波長が、３２０ｎｍ～５３０ｎｍの範囲、典型的には、４３０ｎｍ～４８０ｎｍの範囲にある光を出射する。このような光を出射する発光素子２０としては、窒化物半導体を含む半導体レーザ素子が挙げられる。窒化物半導体としては、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、及びＡｌＧａＮを用いることができる。なお、発光素子２０から出射される光は、このような波長範囲に限らなくてよい。
　（サブマウント３０）
　サブマウント３０は、下面、上面、及び、１または複数の側面を有する。また、サブマウント３０は上下方向の幅が最も小さい。また、サブマウント３０は、直方体の形状で構成される。なお、形状は直方体に限らなくてよい。サブマウント３０は、例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、又は炭化ケイ素を用いて形成される。なお、他の材料を用いてもよい。
　（光反射部材４０）
　光反射部材４０は、光を反射する１以上の光反射面４１を有する。例えば、光反射部材４０には、照射された光のピーク波長に対する光反射率が９０％以上となる光反射面４１が設けられる。ここでの光反射率は１００％以下あるいは１００％未満とすることができる。
　光反射面４１は、平面である。また、光反射面４１は、光反射部材４０の下面に対して傾斜している。この傾斜角は、１０度以上８０度以下の範囲にある。光反射面４１上を通る直線であって光反射部材４０の下面に平行な直線を通る方向を光反射面４１の平行方向というものとする。なお、光反射面４１は平面でなくてもよく、例えば、曲面であってもよい。この場合、曲面の光反射面４１の外縁上の３点を結ぶ平面上を通る直線であって光反射部材４０の下面に平行な直線を通る方向を光反射面４１の平行方向というものとする。
　図示される光反射部材４０の例では、光反射面４１の傾斜角は４５度である。なお、傾斜角の具体的な角度について述べる場合、製造精度を考慮して、製造品についてはその具体的な角度から±５度の差を含むものとする。
　光反射部材４０は、その外形を形成する主材料に、ガラスや金属などを用いることができる。主材料は熱に強い材料がよく、例えば、石英若しくはＢＫ７（硼珪酸ガラス）等のガラス、アルミニウム等の金属、又はＳｉを用いることができる。また、光反射面は、例えば、Ａｇ、Ａｌ等の金属やＴａ２Ｏ５／ＳｉＯ２、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５／ＳｉＯ２等の誘電体多層膜を用いて形成することができる。
　（保護素子５０）
　保護素子５０は、発光素子などの特定の素子に過剰な電流が流れて破壊されてしまうことを防ぐための回路要素である。保護素子５０の典型例は、ツェナーダイオードなどの定電圧ダイオードである。ツェナーダイオードとしては、例えば、Ｓｉダイオードを用いることができる。
　（温度測定素子６０）
　温度測定素子６０は、周辺の温度を測定するための温度センサとして利用される素子である。温度測定素子６０としては、例えば、サーミスタを用いることができる。
　（配線７０）
　配線７０は、両端を接合部とする線状の形状を有する導電体から構成される。言い換えると、配線７０は、線状部分の両端に、他の構成要素と接合する接合部を有する。配線７０は、２つの構成要素間の電気的な接続に用いられる。配線７０としては、例えば、金属のワイヤを用いることができる。金属の例は、金、アルミニウム、銀、銅などを含む。
　（波長変換部材８１）
　波長変換部材８１は、上面と、下面と、１または複数の側面とを有する。また、波長変換部材８１は、波長変換部８１１を有する。また、波長変換部材８１は、波長変換部８１１を囲う包囲部８１２を有する。また、波長変換部材８１は、下面側に１以上の導電膜８１３を有する。また、波長変換部材８１は、下面側に複数の金属膜８１４を有する。また、波長変換部材８１は、上面側に遮光膜８１５を有する。
　波長変換部材８１において、波長変換部８１１と包囲部８１２とは、一体的に形成されている。包囲部８１２の内側面と波長変換部８１１の側面とが接しており、波長変換部８１１の１または複数の側面が包囲部８１２によって囲われる。包囲部８１２の１または複数の外側面が波長変換部材８１の１または複数の側面に相当する。波長変換部８１１及び包囲部８１２は、光の照射により分解されにくい無機材料を主材料に用いて形成することができる。なお、無機材料でなくてもよい。
　また、波長変換部材８１は、波長変換部８１１と包囲部８１２とが一体的に焼結された一体焼結体で形成されている。このような一体焼結体は、例えば、焼結体等の成形品からなる波長変換部８１１と、包囲部８１２を形成する粉粒の材料と、を一体的に成形して焼結し、波長変換部材８１の母材を形成することができる。焼結には、例えば、常圧焼結法、放電プラズマ焼結法（ＳＰＳ法）やホットプレス焼結法（ＨＰ法）等を用いることができる。
　波長変換部８１１は直方体の形状である。なお、波長変換部８１１の形状は、直方体に限らなくてもよい。波長変換部８１１は、上面視で、縦長の形状である。波長変換部８１１は、下面視で、縦長の形状である。また、波長変換部８１１において、上面視及び下面視における縦長の方向は揃っている。
　波長変換部８１１は、入射した光を異なる波長の光に変換する。また、波長変換部８１１は、異なる波長に変換した光を出射する。また、入射した光の一部は、波長変換部８１１によって変換されずに波長変換部８１１から出射する。
　波長変換部８１１は、セラミックスを主材料とし、蛍光体を含有させて形成することができる。これに限らず、ガラスを主材料としてもよい。またあるいは、蛍光体単体の多結晶や、蛍光体の単結晶で形成するなどしてもよい。
　例えば、波長変換部８１１の主材料にセラミックスを用いる場合、蛍光体と酸化アルミニウム等の透光性材料とを焼結させて形成することができる。蛍光体の含有量は、セラミックスの総体積に対して０．０５体積％～５０体積％とすることができる。また例えば、蛍光体の紛体を焼結させた、実質的に蛍光体のみからなるセラミックスを用いてもよい。
　蛍光体としては、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット（ＬＡＧ）、ユウロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ－Ａｌ2Ｏ3－ＳｉＯ2）、ユウロピウムで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）2ＳｉＯ4）、αサイアロン蛍光体、βサイアロン蛍光体等が挙げられる。なかでも、耐熱性が良好であり、青色の励起光と組み合わせて白色光の発光が可能となる蛍光体であるＹＡＧ蛍光体を用いることが好ましい。
　包囲部８１２は、直方体の平板の中央部分に貫通孔が設けられた形状である。貫通孔を塞ぐように波長変換部８１１が設けられる。包囲部８１２は、セラミックスを主材料に用いて形成することができる。また、これに限らず、金属や、セラミックスと金属の複合体などを用いてもよい。
　また、包囲部８１２には、波長変換部８１１による熱を排熱する高熱伝導率の材料を用いるのが好ましい。高熱伝導率の材料が主材料に用いられた包囲部８１２は、波長変換部８１１における熱を排熱する放熱機能を有し、この観点から包囲部８１２に代えて放熱部材と捉えることもできる。
　また、包囲部８１２には、発光素子２０が出射した光及び蛍光体が発する蛍光を高反射率で反射する材料を用いるのが好ましい。また、包囲部８１２は、少なくとも波長変換部８１１の１または複数の側面と接する領域において高反射率を有するのが好ましい。高反射率の材料が主材料に用いられた包囲部８１２は、照射された光を反射する高反射性を有し、この観点から包囲部８１２は光反射部材と捉えることもできる。なお、高反射率及び高熱伝導率を有する材料としては、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）が挙げられる。
　包囲部８１２は、波長変換部８１１のような波長変換機能を有していない。例えば、包囲部８１２は、蛍光体を含まない。また、包囲部８１２は、透過率が５％以下の遮光性を有する。この観点から包囲部８１２は遮光部材と捉えることもできる。
　また、導電膜８１３は、包囲部８１２に設けられる。また、導電膜８１３は、波長変換部８１１の外側に設けられる。つまり、導電膜８１３は、波長変換部８１１には設けられない。これにより、効率的に波長変換部８１１に光を入射させることができる。
　また、導電膜８１３は、波長変換部８１１に近い位置に設けられる。例えば、波長変換部８１１と導電膜８１３との距離は、最も近い位置で５００μｍ以下であり、好ましくは、３００μｍ以下である。また、導電膜８１３は、波長変換部８１１を囲うように設けられる。図示される波長変換部材８１では、線状の導電膜８１３が波長変換部８１１を囲っている。
　導電膜８１３は細い線状で波長変換部８１１を囲うのが好ましい。細い線状とは、例えば、下面視で、線幅が、波長変換部８１１の幅よりも小さく、線の長さが、波長変換部８１１の外周よりも長い線状を示す。また例えば、さらに線幅が、波長変換部８１１の幅の１／２以下であることとしてもよい。ここでの波長変換部８１１の幅は、例えば外形が矩形の場合は短辺の幅であり、例えば外形が楕円形の場合は短径の幅である。また、これ以外の形状の場合は、これらの例示に基づき、実質的に幅が特定される。
　導電膜８１３は、酸化物で形成することができる。導電膜８１３を形成する酸化物としては、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）や酸化ルテニウム（ＲｕＯ２）などが挙げられる。これらの酸化物は、金、銀、アルミニウム等の金属材料と比べて脆く、割れやすい性質を有する。
　複数の金属膜８１４は、包囲部８１２に設けられる、また、複数の金属膜８１４は、波長変換部８１１の外側に設けられる。つまり、複数の金属膜８１４は、波長変換部８１１には設けられない。これにより、効率的に波長変換部８１１に光を入射させることができる。また、複数の金属膜８１４には、それぞれ導電膜８１３と接続する２つの金属膜８１４が含まれる。線状の導電膜８１３の両端のうちの一端と２つの金属膜８１４のうちの一方の金属膜８１４とが重なり、導電膜８１３の他端が他方の金属膜８１４とが重なる。金属膜８１４は、例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕを用いて形成することができる。
　遮光膜８１５は、包囲部８１２に設けられる、また、遮光膜８１５は、波長変換部８１１の外側に設けられる。つまり、遮光膜８１５は、波長変換部８１１には設けられない。また、遮光膜８１５は、上面側における波長変換部８１１と包囲部８１２の境界に達することが望ましい。これにより、波長変換部材８１において、波長変換部８１１以外から光が出射されることを抑えることができる。遮光膜８１５は、例えば、金属を用いて形成することができる。
　（透光性部材８２）
　透光性部材８２は、下面と、上面と、１または複数の側面とを有する。また、透光性部材８２は、光を透過する透光性を有する。ここで、透光性とは、光に対する透過率が８０％以上であることとする。また、透光性部材８２は、直方体の平板形状で形成される母材を有する。なお、形状は直方体に限らない。
　透光性部材８２は、サファイアを主材料に用いて形成することができる。サファイアは、比較的透過率が高く、比較的強度も高い材料である。なお、主材料には、サファイアの他に、例えば、石英、炭化ケイ素、又は、ガラス等を用いることもできる。
　また、透光性部材８２は、複数の金属膜８２１を有する。また、複数の金属膜８２１は、透光性部材８２の上面側に設けられる。複数の金属膜８２１には、配線のために設けられる２つの金属膜８２１が含まれる。２つの金属膜８２１は、透光性部材８２の外周領域に設けられる。２つの金属膜８２１は、透光性部材８２の中央領域には設けられない。
　また、２つの金属膜８２１は、一部に、接合領域を有する。金属膜８２１は、例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕを設けて形成することができる。また、接合領域においては、例えば、その上にさらにＡｕＳｎを設けて形成することができる。
　（遮光部材９０）
　遮光部材９０は、遮光性を有する樹脂によって形成される。ここで、遮光性とは光を透過しない性質を示し、光を遮る性質の他、吸収する性質や反射する性質などを利用して、遮光性を実現してもよい。例えば、樹脂に、光拡散材及び／又は光吸収材等のフィラーを含有させることで形成できる。
　遮光部材９０を形成する樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、ＢＴレジン等が挙げられる。また、光吸収性のフィラーとしては、カーボンブラック等の暗色系の顔料等が挙げられる。
　（発光装置１）
　次に、これらの構成要素を用いて製造される発光装置１について説明する。まず、基部１０の実装面に１以上の光反射部材４０が配置される。１以上の光反射部材４０の下面が基部１０の実装面に接合される。基部１０の実装面に対する光反射面４１の傾斜角は、光反射部材４０の下面に対する光反射面４１の傾斜角と同じである。
　１以上の光反射部材４０が配されることにより、仮想的な１の平面上に、１以上の光反射面４１が設けられる。図示される発光装置１の例では、１の光反射部材４０が配され、仮想的な１の平面上に、１の光反射面４１が設けられている。なお、図示される光反射部材４０を２以上に分割したサイズの光反射部材４０を複数配置してもよい。この場合、仮想的な１の平面上に、複数の光反射面４１が設けられる。
　次に、基部１０の実装面に、保護素子５０と温度測定素子６０とが配置される。実装面上において、保護素子５０は、１以上の光反射部材４０に対し、１以上の光反射面４１が向く方向とは反対の方向に位置する。実装面上において、温度測定素子６０は、１以上の光反射部材４０に対し、１以上の光反射面４１が向く方向とは反対の方向に位置する。光反射面４１の背後のスペースを有効活用することで、発光装置１を小型にすることができる。
　次に、基部１０の実装面に１または複数のサブマウント３０が配置される。１または複数のサブマウント３０において、複数の側面が１以上の光反射面４１の方を向く。この複数の側面は、上面視で、光反射面４１の平行方向に対する向きがそれぞれ異なる。この複数の側面には、上面視で、サブマウント３０の上面と交わる交線が、１以上の光反射面４１の平行方向と平行な１以上の側面が含まれる。この複数の側面には、上面視で、サブマウント３０の上面と交わる交線が、１以上の光反射面４１の平行方向と平行ではない１以上の側面が含まれる。なお、ここでの平行は、±５度の差を含むものとする。
　図示される発光装置１の例では、３つのサブマウント３０が実装面に配置される。また、この３つのサブマウント３０のそれぞれが、光反射面４１の方を向く側面を有する。３つのサブマウント３０は、上面視で、中央に配置される１つのサブマウント３０と、その両側に配置される２つのサブマウント３０で構成される。両側に配置される２つのサブマウント３０において、光反射面４１の方を向く側面は、中央に配置されるサブマウント３０の方も向いている。
　中央に配置されるサブマウント３０の光反射面４１の方を向く側面は、上面視で、光反射面４１の平行方向に平行な仮想的な２つの直線に囲まれる。２つの直線のうちの１つは、両側に配置される２つのサブマウント３０のそれぞれにおける光反射面４１の方を向く側面の両端のうちの一端であって、中央に配置されるサブマウント３０に近い方の一端を結ぶ直線である。残りの１つは、両側に配置される２つのサブマウント３０のそれぞれにおける光反射面４１の方を向く側面の両端のうちの一端であって、中央に配置されるサブマウント３０から遠い方の一端を結ぶ直線である。
　中央に配置されるサブマウント３０は、光反射面４１の方を向く側面と上面とが交わる交線が、光反射面４１の平行方向と平行である。なお、ここでの平行は、製造精度による±５度の差を含む。また、両端に配置される２つのサブマウント３０は、光反射面４１の方を向く側面と上面とが交わる交線が、光反射面４１の平行方向と平行ではない。
　両側に配置される２つのサブマウント３０の光反射面４１の方を向く側面は、上面視で、光反射面４１の平行方向と成す角度が同じである。なお、ここでの同じは、製造精度による±５度の差を含む。
　次に、複数の発光素子２０が実装面に配置される。複数の発光素子２０は、１または複数のサブマウント３０を介して実装面に配置される。複数の発光素子２０は、１または複数のサブマウント３０に接合される。
　複数の発光素子２０はそれぞれ、光反射面４１の方を向く光出射面を有する。複数の発光素子２０のそれぞれにおいて、少なくとも１の側面は光出射面となる。また、光出射面となる少なくとも１の側面には、光反射面４１の方を向く光出射面が含まれる。
　複数の発光素子２０のそれぞれにおいて、光出射面から出射された光が１以上の光反射面４１に照射される。また、複数の発光素子２０のそれぞれにおいて、光反射面４１の方を向く側面から出射された光が１以上の光反射面４１に照射される。
　複数の発光素子２０のそれぞれにおける光反射面４１の方を向く側面は、上面視で、光反射面４１の平行方向に対する向きが異なる。複数の発光素子２０には、上面視で、光反射面４１の方を向く側面が、１以上の光反射面４１の平行方向と平行な１以上の発光素子２０が含まれる。この発光素子２０は、光出射面が１以上の光反射面４１に正対しているといえる。
　複数の発光素子２０には、上面視で、光反射面４１の方を向く側面が、１以上の光反射面４１の平行方向と平行ではない１以上の発光素子２０が含まれる。この発光素子２０は、光出射面が１以上の光反射面４１に対して斜めに配置されているといえる。
　複数の発光素子２０間でみれば、複数の発光素子２０から任意に選択される２つの発光素子２０の光反射面４１の方を向く側面は、上面視で、一方に対して他方が斜めになるように配置される。斜めにすることで、互いの発光素子２０から１以上の光反射面４１に照射される光を近付けることができる。
　図示される発光装置１の例では、３つの発光素子２０が３つのサブマウント３０を介して実装面に配置される。また、１のサブマウント３０に接合される発光素子２０の数は１つである。
　また、上面視で、光出射面が１以上の光反射面４１に正対する１の発光素子２０が配置される。また、この発光素子２０を中央とし、この両側にそれぞれ、光出射面が１以上の光反射面４１に対して斜めとなるようにして、１の発光素子２０が配置されている。
　また、上面視で、中央の発光素子２０の１以上の光反射面４１の方を向く側面を通り、１以上の光反射面４１の平行方向に垂直な直線に対して、両側の発光素子２０は線対称に配置される。
　また、上面視で、中央の発光素子２０の１以上の光反射面４１の方を向く側面を通り、１以上の光反射面４１の平行方向に垂直な直線によって、１以上の光反射面４１を二分したときに、両側の発光素子２０はそれぞれ、二分された領域のうち近い方の領域に主要部分の光を照射する。
　また、図示される発光装置１の例では、複数の発光素子２０は、それぞれ半導体レーザ素子である。複数の半導体レーザ素子のそれぞれから出射される光軸を通る光は、それぞれの光出射面から異なる方向に進み、１以上の光反射面４１に照射される。
　複数の半導体レーザ素子には、光軸を通る光が光出射面から進む方向が、１以上の光反射面４１の平行方向と直交する半導体レーザ素子が含まれる。また、複数の半導体レーザ素子には、この光軸を通る光が光出射面から進む方向に対して線対称に配置される２つの半導体レーザ素子が含まれる。
　また、光軸を通る光が１以上の光反射面４１の平行方向と直交する半導体レーザ素子は、上述した中央の発光素子２０である。また、線対称に配置される２つの半導体レーザ素子は、上述した両側の発光素子２０である。
　また、両側の半導体レーザ素子をそれぞれ第１半導体レーザ素子及び第２半導体レーザ素子とし、１以上の光反射面４１を、実装面に垂直な平面であり、かつ、中央の半導体レーザ素子から出射される光の光軸を通る光が光出射面から進む方向に伸びる直線を通る平面を境界にして二分する。このとき、第１半導体レーザ素子が配置される側にある領域を第１反射領域とし、第２半導体レーザ素子が配置される側にある領域を第２反射領域とすると、第１半導体レーザ素子から出射された光軸を通る光は第１反射領域に照射され、第２半導体レーザ素子から出射された光軸を通る光は第２反射領域に照射される。
　次に、発光素子２０、保護素子５０、及び、温度測定素子６０を電気的に接続するための複数の配線７０（第１配線７１）が接合される。電気的な接続には、基部１０の底面１１１に設けられた金属膜を利用する。これにより、基部１０の上面１１の金属膜を介して、これらの素子と外部電源とを電気的に接続することができる。
　次に、波長変換部材８１が配置される。波長変換部材８１は、基部１０に支持される。波長変換部材８１は、実装面の上方に配置される。また、波長変換部材８１は、複数の発光素子２０及び１以上の光反射部材４０の上方に配置される。
　波長変換部材８１には、複数の発光素子２０から出射され、１以上の光反射部材４０によって反射された光が入射する。複数の発光素子２０によって出射された光の主要部分は、波長変換部材８１に入射する。
　図示される発光装置１の例では、３つの半導体レーザ素子から出射された光のいずれも、１以上の光反射面４１に反射され、波長変換部材８１へと入射する。また、波長変換部材８１の下面は、複数の発光素子２０から出射された光の入射面となり、波長変換部材８１の上面は、波長変換された光または複数の発光素子２０から出射された光の出射面となる。
　また、波長変換部材８１は、透光性部材８２を介して、基部１０に固定される。図示される発光装置１の例では、波長変換部材８１と透光性部材８２とが接合された状態で、透光性部材８２を基部１０に接合することで、波長変換部材８１を基部１０に固定している。なお、波長変換部材８１を、直接基部１０に固定してもよい。
　透光性部材８２は、基部１０の上面１１に配置される。また、透光性部材８２の下面が基部１０と接合する。また、透光性部材８２は、基部１０最上面１１２よりも下方に形成される段差部１６の上面１１と接合する。
　複数の発光素子２０は、発光装置１の閉空間に配置される。基部１０と透光性部材８２とが接合して、この閉空間が出来上がる。透光性部材８２は蓋部材としての役割を果たすことができる。図示される発光装置１の例では、この閉空間は気密封止された状態で形成される。気密封止されることで、半導体レーザ素子の光出射面に有機物等が集塵することを抑制できる。
　波長変換部材８１は、光を取出すための光の取出し領域を有する。光の取出し領域には、発光装置１から外部へと出射される光の出射面と、外部へと光を出射させるために入射される光の入射面と、が含まれる。なお、発光装置１において、光の取出し領域は、波長変換部材８１とは別の構成要素が有していてもよい。ここでの別の構成要素には、図示される発光装置１に表れていない構成要素も含む。
　発光装置１において、光の取出し領域は、上面視で、基部１０の実装面よりも小さい。また、複数の発光素子２０のうち、上面視で最も離れた位置にある２つの発光素子２０の間の距離よりも、この距離と同じ方向における光の取出し領域の長さの方が小さい。
　図示される発光装置１の例では、波長変換部８１１が光の取出し領域を有する。波長変換部８１１の下面は、光の取出し領域における光の入射面であり、波長変換部８１１の上面は、光の取出し領域における光の出射面である。また、光の取出し領域は、包囲部８１２によって囲まれる。
　図１２及び図１３は、それぞれ、図示される発光装置１の例において、３つの半導体レーザ素子から出射された光の、光反射面４１における光強度分布と、波長変換部８１１の光の入射面における光強度分布を表している。なお、図の画像はモノクロ処理によって光強度の強い部分と弱い部分がどちらも黒色になっているが、楕円形状のＦＦＰの光の中心部における黒色は光強度の強い部分であり、ＦＦＰの光の外周における黒色は光強度の弱い部分である。
　これらの図からわかるように、発光装置１では、１以上の光反射面４１によって反射された複数の発光素子２０からの光は、互いに近付いて発光装置１の光の取出し領域に入射する。複数の発光素子２０から選択される任意の２つの発光素子２０に関し、それぞれの発光素子２０から出射される光には、光反射面４１の特定の点に照射される光が含まれる。また、この特定の点に照射された光は、光の取出し領域の入射面において特定の点に入射する。このとき、光反射面４１における２点間の距離よりも、光の取出し領域の入射面における２点間の距離の方が小さい。また、この光反射面４１および光の取出し領域における２点間距離の大小関係は、主要部分の光が照射されるいずれの照射点においても成り立つ。
　また、１以上の光反射面４１においては、複数の発光素子２０からの光は、１以上の光反射面４１に平行な平面視で、互いに平行に並んではおらず、一方に対して他方が斜めになっている。一方で、波長変換部８１１の光の入射面において、３つの光は重なっている。つまり、光の取出し領域の入射面において、この入射面に平行な平面視で、複数の発光素子２０からの光は互いに平行に並ぶ。例えば、複数の発光素子２０が半導体レーザ素子の場合、楕円形状のＦＦＰの長径方向、または、短径方向について、この関係が成り立つ。なお、ここでの平行は、±５度の差を含む。
　また、光出射面から出射される光の発光形状（例えば、半導体レーザ素子の場合のＦＦＰ）が同じ複数の発光素子２０からの光は、光の取出し領域における光の入射面において高い割合で重ならせることができる。複数の発光素子２０から出射される光の発光形状を揃えることで、例えば、主要部分の光の５０％以上を重ねることができ、さらには、主要部分の光の８０％以上を重ねることもできる。
　発光装置１では、上面視で、波長変換部８１１が設けられる領域の少なくとも一部と、１以上の光反射面４１が設けられる領域の一部とが重なる。また、上面視で、光の取出し領域の少なくとも一部と、１以上の光反射面４１が設けられる領域の一部とが重なる。また、上面視で、光の取出し領域における光の入射面が設けられる領域の少なくとも一部と、１以上の光反射面４１が設けられる領域の一部とが重なる。
　また、上面視で、１以上の光反射面４１の平行方向に関し、１以上の光反射部材４０の両端の長さよりも、波長変換部８１１の長さの方が小さい。１以上の光反射面４１の平行方向に関し、波長変換部８１１の長さは、１以上の光反射部材４０の両端の長さを、１以上の光反射面４１に光を照射させる発光素子２０の数で割った長さよりも小さい。図示される発光装置１の例では、３つの半導体レーザ素子が照射されるため、光反射面４１の平行方向に関し、波長変換部８１１の長さは、光反射部材４０の両端の長さの１／３よりも小さい。
　また、上面視で、波長変換部８１１の光の入射面は、１以上の光反射面４１の平行方向における長さよりも、これに垂直な方向の長さの方が大きい。図示される発光装置１の例では、上面視で、光反射部材４０は、光反射面４１の平行方向の長さの方がこれに垂直な方向の長さよりも大きい一方で、波長変換部８１１の光の入射面は、光反射面４１の平行方向の長さの方がこれに垂直な方向の長さよりも小さい。このように、光の入射面において、複数の発光素子２０からの光を小さな照射領域に集めることができる。
　波長変換部８１１に入射した光の一部あるいは全部は、波長変換部８１１によって異なる波長の光に変換される。複数の発光素子２０からの光または波長変換された光が、波長変換部８１１の上面から発光装置１の外部に出射される。
　ここで、波長変換部材８１と透光性部材８２の接合について説明する。波長変換部材８１は、透光性部材８２の上面に接合される。また、波長変換部材８１の包囲部８１２と、透光性部材８２とが接合される。また、波長変換部材８１と透光性部材８２とは、波長変換部材８１の金属膜８１４と、透光性部材８２の金属膜８２１とが電気的に接続するように接合される。具体的には、波長変換部材８１の金属膜８１４と、透光性部材８２の金属膜８２１とが接合される。
　導電膜８１３は、波長変換部８１１の近傍においてその周りを細い線状の膜で囲っている。そのため、波長変換部８１１に割れなどの異常が発生すると、その衝撃に対応して導電膜８１３にも亀裂が入るなどして電気的な接続状態に変化を与える。抵抗値の大幅な上昇を検知することで波長変換部８１１の異常を検知することができる。このことから、導電膜８１３は、波長変換部８１１の異常を検知するセンサである異常検知素子といえる。金属材料と比べて脆く、割れやすい性質を有する酸化物で形成される導電膜８１３を用いることで、波長変換部の破損に対する検知精度を向上させることができる。
　導電膜８１３は、波長変換部材８１において、発光素子２０からの光が入射する入射面側に設けられる。また、導電膜８１３は、波長変換部材８１の、透光性部材８２と対向する側に設けられる。そのため、透光性部材８２は、導電膜８１３と接触せずに導電膜８１３の近傍に、あるいは、導電膜８１３と接触して、配される。
　導電膜８１３は、光の取出し領域の直下に設けられない。また、透光性部材８２の金属膜８２１は、光の取出し領域の直下に設けられない。このようにすることで、導電膜８１３に遮られずに、波長変換部８１１に光を入射させることができる。
　なお、透光性部材８２の上面の方が、波長変換部材８１の下面よりも大きい。また、上面視で、透光性部材８２の上面は、波長変換部材８１の下面を囲う。あるいは、波長変換部材８１を囲う。上面視で、透光性部材８２の上面の２つの金属膜８２１はそれぞれ、波長変換部材８１の下面と重なる領域から重ならない領域に亘って設けられる。
　発光装置１の製造工程の説明に戻る。波長変換部材８１が配置されると、次に、異常検知素子を電気的に接続するための配線７０（第２配線７２）が接合される。電気的な接続には、基部１０の段差部１６に設けられた金属膜が利用される。これにより、基部１０の上面１１の金属膜を介して、異常検知素子と外部電源とを電気的に接続することができる。
　次に、遮光部材９０が、基部１０の上面１１による枠の内側に形成される。遮光部材９０は、基部１０と波長変換部材８１との隙間を埋めるようにして形成される。遮光部材９０は、例えば、熱硬化性の樹脂を流し込み、これを熱で硬化させることで形成できる。遮光部材９０を設けることで、光取出面以外からの光の漏れを抑制する。
　遮光部材９０は、波長変換部材８１の上面には達さない。あるいは、包囲部８１２の上面に達したとしても、波長変換部８１１の上面には達さない。これにより、光取出面である波長変換部８１１を避けつつ、隙間を埋めるようにして遮光部材９０を設けることができる。
　以上、説明してきたが、明細書により開示された技術的特徴を有した本発明は、明細書の実施形態で説明した構造に限られるわけではない。例えば、実施形態に開示のない構成要素を有する発光装置においても本発明は適用され得るものであり、開示された構造と違いがあることは本発明を適用できないことの根拠とはならない。また、発明を完成させるための最小の構成要素という観点でみれば、実施形態により開示された発光装置が有する構成要素の中には、必須でない構成要素も含まれ得るといえる。
　このことはつまり、本明細書の実施形態により開示される発光装置には、発明の完成という観点の他、一つの利用形態を想定した合理的構成の開示という観点も含まれるということである。発明の適用はその例示的な利用形態に限られるものではない一方で、その利用形態に適用することで効果的に作用する側面もある。
　このような点から、本発明（特許請求の範囲）において、一実施形態において開示された全ての構成要素を備えることは必須ではないこともあり得る。例えば、特許請求の範囲に、実施形態により開示された発光装置の一部の構成要素が記載されていなかった場合、その構成要素については、本実施形態に開示されたものに限らず、代替、省略、形状の変形、材料の変更などといった当業者による設計の自由度を認め、その上で特許請求の範囲に記載された発明が適用されることを請求するものである。
　実施形態に記載の発光装置は、車載ヘッドライトに利用することができる。つまり、車載ヘッドライトは、本開示が適用される一つの利用形態といえる。なお、本開示は、これに限らず、照明、プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ、その他ディスプレイのバックライト等の光源に利用することができる。
　１　発光装置
　１０　基部
　１１　上面
　１１１　底面
　１１２　最上面
　１３　下面
　１４　内側面
　１５　外側面
　１６　段差部
　１７　金属膜
　２０　発光素子
　３０　サブマウント
　４０　光反射部材
　４１　光反射面
　５０　保護素子
　６０　温度測定素子
　７０　配線
　７１　第１配線
　７２　第２配線
　８１　波長変換部材
　８１１　波長変換部
　８１２　包囲部
　８１３　導電膜
　８１４　金属膜
　８１５　遮光膜
　８２　透光性部材
　８２１　金属膜
　９０　遮光部材

Claims (10)

  1. 　発光装置であって、
    　実装面を有する基部と、
    　前記実装面に配置され、１以上の光反射面を仮想的な１の平面上に設ける１以上の光反射部材と、
    　前記１以上の光反射面の方を向く第１光出射面を有し、上面視で前記第１光出射面が前記１以上の光反射面に対して斜めとなるように前記実装面に配置され、前記第１光出射面から出射された光が前記１以上の光反射面に照射される第１発光素子と、
    　前記１以上の光反射面の方を向く第２光出射面を有し、上面視で前記第２光出射面が前記第１光出射面に対して斜めとなるように前記実装面に配置され、前記第２光出射面から出射された光が前記１以上の光反射面に照射される第２発光素子と、
    　を有し、
    　前記１以上の光反射面によって反射された前記第１発光素子からの光及び前記第２発光素子からの光が互いに近付いて前記発光装置の光の取出し領域に入射することを特徴とする発光装置。
  2. 　前記第１発光素子は、上面、下面、及び、前記第１光出射面となる側面を有する第１半導体レーザ素子であり、
    　前記第１光出射面から出射される光軸を通る光が前記第１光出射面から第１方向に進み前記１以上の光反射面に照射され、
    　前記第２発光素子は、上面、下面、及び、前記第２光出射面となる側面を有する第２半導体レーザ素子であり、
    　前記第２光出射面から出射される光軸を通る光が前記第２光出射面から第１方向とは異なる第２方向に進み前記１以上の光反射面に照射される、請求項１に記載の発光装置。
  3. 　上面、下面、及び、光を出射する第３光出射面である側面を有し、前記第３光出射面から出射される光軸を通る光が前記第３光出射面から第１の方向及び第２方向とは異なる第３方向に進み、前記１以上の光反射面に照射される第３半導体レーザ素子をさらに有する請求項２に記載の発光装置。
  4. 　前記第１半導体レーザ素子から出射され、前記１以上の光反射部材によって反射された光と、前記第２半導体レーザ素子から出射され、前記１以上の光反射部材によって反射された光と、前記第３半導体レーザ素子から出射され、前記１以上の光反射部材によって反射された光と、が入射する波長変換部材をさらに有する請求項３に記載の発光装置。
  5. 　前記波長変換部材は、光の取出し領域を有し、
    　前記実装面を上から見た平面視で、前記波長変換部材の光の取出し領域の少なくとも一部と、前記１以上の光反射面が設けられる領域の一部とが重なる請求項４に記載の発光装置。
  6. 　前記１以上の光反射面の平行方向と、前記第３方向とが直交する請求項３乃至５のいずれか一項に記載の発光装置。
  7. 　前記実装面を上からみた平面視で、前記第１半導体レーザ素子及び前記第２半導体レーザ素子は、前記第３方向に対して線対称に配置される、請求項３乃至６のいずれか一項に記載の発光装置。
  8. 　前記１以上の光反射面を、前記実装面に垂直な平面であり、かつ、前記第３半導体レーザ素子から出射される光の光軸を通り前記第３方向に伸びる直線を通る前記平面を境界にして二分したときの、第１半導体レーザ素子が配置される側にある領域を第１反射領域とし、第２半導体レーザ素子が配置される側にある領域を第２反射領域とした場合に、
    　前記第１半導体レーザ素子から出射された光軸を通る光は、前記第１反射領域に照射され、
    　前記第２半導体レーザ素子から出射された光軸を通る光は、前記第２反射領域に照射される請求項３乃至７のいずれか一項に記載の発光装置。
  9. 　前記実装面を上からみた平面視で、前記第１半導体レーザ素子から出射される光の光軸を通り前記第１方向に伸びる直線と、前記第２半導体レーザ素子から出射される光の光軸を通り前記第２方向に伸びる直線との交点は、前記第３半導体レーザ素子から出射される光の光軸を通り前記第３方向に伸びる直線上であって、かつ、前記１以上の反射面の外側にある請求項３乃至８のいずれか一項に記載の発光装置。
  10. 　前記１以上の光反射部材は、１つの光反射部材で構成され、
    　前記１以上の反射面は、前記１つの光反射部材に設けられる１つの反射面で構成される、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の発光装置。
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