JP2022179778A - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2022179778A
JP2022179778A JP2022165975A JP2022165975A JP2022179778A JP 2022179778 A JP2022179778 A JP 2022179778A JP 2022165975 A JP2022165975 A JP 2022165975A JP 2022165975 A JP2022165975 A JP 2022165975A JP 2022179778 A JP2022179778 A JP 2022179778A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
metal film
alignment mark
semiconductor laser
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022165975A
Other languages
English (en)
Inventor
忠征 北島
Tadayuki Kitajima
知一 田路
Tomokazu Taji
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2019172444A external-priority patent/JP7206494B2/ja
Application filed by Nichia Chemical Industries Ltd filed Critical Nichia Chemical Industries Ltd
Publication of JP2022179778A publication Critical patent/JP2022179778A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H01S5/02375—Positioning of the laser chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0087—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for illuminating phosphorescent or fluorescent materials, e.g. using optical arrangements specifically adapted for guiding or shaping laser beams illuminating these materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02255—Out-coupling of light using beam deflecting elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H01S5/02326—Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H01S5/0261—Non-optical elements, e.g. laser driver components, heaters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
    • H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures
    • H01S5/4056—Edge-emitting structures emitting light in more than one direction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0071—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for beam steering, e.g. using a mirror outside the cavity to change the beam direction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/02345—Wire-bonding

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

Figure 2022179778000001
【課題】精度よく実装された発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】光を出射する出射端面を有する第１半導体レーザ素子を含む１または複数の電子部品と、前記第１半導体レーザ素子が配置される第１面と、第１金属膜及び第２金属膜を含む複数の金属膜と、を有する基部と、を備え、前記第１金属膜は、前記複数の電子部品のうちの少なくともいずれかの電子部品と電気的に接続し、かつ、前記第１半導体レーザ素子のアライメントに利用される第１アライメントマークを形成し、前記第２金属膜は、前記複数の電子部品のうちの少なくともいずれかの電子部品と電気的に接続し、かつ、前記第１半導体レーザ素子のアライメントに利用される第２アライメントマークを形成し、前記第１アライメントマークと第２アライメントマークを結ぶ仮想的な直線と、前記第１半導体レーザ素子の出射端面とが、平行である発光装置。
【選択図】図７

Description

本発明は、発光装置に関する。
従来より、実装面に、発光素子などの構成要素を実装するときに、アライメントマーク
を設け、このアライメントマークに基づいて実装する方法が知られている。例えば、特許
文献１には、半導体発光素子を取り付ける第１面にアライメントマークを形成したサブマ
ウントが開示されている。
特開２０１２－１６４７３７
特許文献１は、実装面に実装される構成要素として１つの半導体発光素子の実装精度を
考慮すればよい。しかしながら、１つの実装面に複数の構成要素を実装して光学系を形成
する場合には、総合的な観点から実装精度を高めるための工夫が求められる。
本明細書において開示される発光装置の製造方法は、第１半導体レーザ素子の光の出射
端面が、配置面を有する基部に設けられた複数のアライメントマークに基づいて得られる
第１直線と平行となるように、前記第１半導体レーザ素子を前記配置面に配置する工程と
、第１光反射部材の所定の領域に基づいて得られる、前記第１光反射部材を配置するとき
の位置合わせの基準となる基準線が、前記第１直線を所定の角度回転させた第２直線と平
行となるように前記第１光反射部材を前記配置面に配置する工程と、を含む。
また、本明細書において開示される発光装置は、配置面を有し、複数のアライメントマ
ークが設けられた基部と、前記配置面に配置される半導体レーザ素子と、前記配置面に配
置される光反射部材と、を有し、前記半導体レーザ素子及び前記光反射部材は、上面視で
、前記半導体レーザ素子の光の出射端面と、前記光反射部材の光反射面の上端または下端
とが、垂直及び平行を除く所定の角度となるように、前記配置面に配置され、前記複数の
アライメントマークを結ぶ直線と、前記半導体レーザ素子の光の出射端面とが、平行であ
る。
また、本明細書において開示される基部は、底面と、上面視で、前記底面を囲い、矩形
の枠を形成する上面と、前記上面において、矩形の枠を形成する４辺のうちの第１辺に係
る領域から前記第１辺と交わる第２辺に係る領域に亘って設けられた第１金属膜と、４辺
のうちの前記第１辺と対向する第３辺に係る領域から前記第３辺と交わる第４辺に係る領
域に亘って設けられた第２金属膜と、を有し、前記第１金属膜は、前記第１辺に係る領域
に電気的な接続のための第１導通領域が、前記第２辺に係る領域にアライメントマークの
ための第１アライメント領域が設けられ、前記第２金属膜は、前記第３辺に係る領域に電
気的な接続のための第２導通領域が、前記第４辺に係る領域にアライメントマークのため
の第２アライメント領域が設けられている。
本明細書に基づき開示される発明によれば、発光装置を精度良く実装することができる
。またあるいは、精度良く実装可能な発光装置が実現される。またあるいは、精度良く実
装するための基部が提供される。
図１は、第１実施形態に係る発光装置の斜視図である。 図２は、図１に対応する上面図である。 図３は、図２のIII-III線における発光装置の断面図である。 図４は、第１実施形態に係る発光装置の内部構造を説明するための斜視図である。 図５は、図４に対応する上面図である。 図６は、第１実施形態に係る発光装置の内部構造を説明するための斜視図である。 図７は、図６に対応する上面図である。 図８は、図７において基部の底面（配置面）を拡大した上面図である。 図９は、第１実施形態に係る透光性部材と波長変換部材が接合された状態の斜視図である。 図１０は、図９に対応する上面図である。 図１１は、第１実施形態に係る透光性部材と波長変換部材との接合面を説明するために波長変換部材を透過した上面図である。 図１２は、第１実施形態に係る波長変換部材の下面図である。 図１３は、第２実施形態に係る発光装置の斜視図である。 図１４は、図１３に対応する上面図である。 図１５は、第２実施形態に係る発光装置の内部構造を説明するための斜視図である。
本明細書または特許請求の範囲において、三角形や四角形などの多角形に関しては、多
角形の隅に角丸め、面取り、角取り、丸取り等の加工が施された形状も含めて、多角形と
呼ぶものとする。また、隅（辺の端）に限らず、辺の中間部分に加工が施された形状も同
様に、多角形と呼ぶものとする。つまり、多角形をベースにして加工が施された形状は、
本明細書及び特許請求の範囲で記載される“多角形”の解釈に含まれるものとする。
また、多角形に限らず、台形や円形や凹凸など、特定の形状を表す言葉についても同様
である。また、その形状を形成する各辺を扱う場合も同様である。つまり、ある辺におい
て、隅や中間部分に加工が施されていたとしても、“辺”の解釈は加工された部分も含む
。なお、意図的な加工が加えられていない“多角形”や“辺”を、加工された形状と区別
する場合は“厳密な”を付して、例えば、“厳密な四角形”などと記載するものとする。
また、本明細書または特許請求の範囲において、ある構成要素に関し、これに該当する
ものが複数あり、それぞれを区別して表現する場合に、その構成要素の頭に“第１”、“
第２”と付記して区別することがある。このとき、本明細書と特許請求の範囲とで区別す
る対象や観点が異なっていれば、本明細書における付記の態様と、特許請求の範囲におけ
る付記の態様と、が一致しないことがある。
以下に、図面を参照しながら、本明を実施するための形態を説明する。ただし、示され
る形態は、本発明の技術思想が具体化されたものではあるが、本発明を限定するものでは
ない。また、以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材
を示しており、重複した説明は適宜省略することがある。なお、各図面が示す部材の大き
さや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。
＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係る発光装置１の斜視図である。図２は、図１に対応する発光
装置１の上面図である。図３は、図２のIII-III線における発光装置１の断面図である。
図４は、内部構造を説明するために発光装置１から遮光部材１００を除いた状態の斜視図
である。図５は、図４と同様の状態における上面図である。図６は、内部構造を説明する
ために発光装置１からさらに透光性部材と波長変換部材を除いた状態の斜視図である。図
７は、図６と同様の状態における上面図である。図８は、図７において基部１０の底面１
２（配置面）の領域を拡大した上面図である。なお、図８では、半導体レーザ素子２０と
光反射部材４０との配置関係がわかり易いように、一部の構成要素を除いた状態で記して
ある。図９は、透光性部材８０と波長変換部材９０が接合された状態の斜視図である。図
１０は、図９と同様の状態における上面図である。図１１は、透光性部材８０と波長変換
部材９０との接合面を説明するために波長変換部材９０を透過した上面図である。図１２
は、第１実施形態に係る波長変換部材９０の下面図である。
発光装置１は、構成要素として、基部１０、２つの半導体レーザ素子２０、２つのサブ
マウント３０、２つの光反射部材４０、保護素子５０、温度測定素子６０、配線７０、透
光性部材８０、波長変換部材９０、及び、遮光部材１００を有する。
基部１０は、上面から下面の方向に窪んだ凹形状を有する。また、上面視で外形が矩形
であり、窪みはこの外形の内側に形成される。基部１０は、上面１１、底面１２、下面１
３、内側面１４、及び、外側面１５を有しており、内側面１４と底面１２とが窪んだ空間
を作り上げる。また、上面視で、上面１１と交わる外側面１５によって矩形の外形が形成
される。上面視で、上面１１と交わる内側面１４によって矩形の枠が形成され、窪んだ空
間がこの枠に囲まれる。
矩形の外形を形成する４辺（上面視外側面１５）の各辺は、矩形の枠を形成する４辺（
上面視内側面１４）のうちの最も近い辺と平行である。なお、外形に係る辺と枠に係る辺
の距離とは、各辺の中点に基づいて、中点間の距離を指すものとしてもよい。つまり、中
点間の距離が最も小さくなる外形の１辺と枠の１辺との組合せにおいて、平行関係が成り
立つ。ここでの平行は、５度以下の差を含むものとする。
また、基部１０は、枠の内側において２つの段差部１６を形成する。ここで、段差部１
６は、上面と、この上面と交わり下方に進む側面と、で構成される部分を指すものとする
。そのため、基部１０の内側面１４は、基部１０の上面１１と交わる側面と、段差部の側
面と、を含んで構成される。
ここでは、２つの段差部１６を、底面１２に近い方から第１段差部１６１、第２段差部
１６２、と呼ぶものとする。なお、基部１０において、２つの段差部１６を有していなく
てもよい。例えば、段差部１６は１つであってもよい。
面と面との交差については、図面から特定することができる。例えば、外側面１５は、
上面１１及び下面１３と交わる、といえる。また例えば、第１段差部１６１の上面は、こ
の上面から上方に進む側面として、一部において第２段差部１６２の側面と交わり、他の
一部において上面１１に交わる側面と交わる、といえる。なお、辺と辺との交差について
も同様である。
基部１０は、セラミックを主材料として形成することができる。例えば、セラミックと
して、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、炭化ケイ素を用いることがで
きる。なお、セラミックに限らず、絶縁性を有する他の材料を主材料に用いて形成しても
よい。
また、基部１０には複数の金属膜１７が設けられる。基部１０の上面１１には６つの金
属膜１７１が、底面１２には５つの金属膜１７２が、第２段差部１６２の上面には２つの
金属膜１７３が設けられる。また、底面１２における４つの金属膜１７２、及び、第２段
差部１６２の上面における２つの金属膜１７３、のそれぞれが、基部１０の内部を通る金
属を介して、上面１１に設けられた６つの金属膜１７１のいずれかと繋がる。また、第１
段差部１６１の上面にも金属膜が設けられる。
上面１１には、上面視で、１辺に係る領域に３つの金属膜１７１が配置される。ここで
、１辺に係る領域とは、上述した最も近い関係にある外形の１辺と枠の1辺との間の領域
である。また、２辺との間の領域とは、一方の辺の任意の点と他方の辺の任意の点を結ぶ
どんな直線も含むことのできる領域をいうものとする。上面１１には、対向する２辺に係
る領域にそれぞれ３つの金属膜１７１が配置される。また、この３つの金属膜１７１は並
べて配置される。
ここで、３つの金属膜１７１が配置される一方の辺に係る領域を第１領域１１１、第１
領域１１１と交わる２辺に係る領域のうちの一方の辺に係る領域を第２領域１１２、３つ
の金属膜１７１が配置される他方の辺に係る領域を第３領域１１３、第３領域１１３と交
わる２辺に係る領域のうち第２領域ではない方の辺に係る領域を第４領域１１４、と呼ぶ
ものとする。図２では、これらの領域をハッチングで記している。
第１領域１１１に設けられた３つの金属膜１７１のうちの１つは、第１領域１１１から
第２領域１１２に亘って設けられる。第３領域１１３に設けられた３つの金属膜１７１の
うちの１つは、第３領域１１３から第４領域１１４に亘って設けられる。
第２領域１１２に亘る金属膜１７１は、第２領域１１２においてアライメントマーク１
８を形成する。第４領域１１４に亘る金属膜１７１は、第４領域１１４においてアライメ
ントマーク１８を形成する。ここでは、第２領域１１２に設けられたアライメントマーク
１８を第１アライメントマーク１８１、第４領域１１４に設けられたアライメントマーク
１８を第２アライメントマーク１８２、と呼ぶものとする。
なお、アライメントマーク１８は、並べて配置される３つの金属膜１７１のいずれとも
繋がっていなくてよい。つまり、３つの金属膜１７１とは別にアライメントマークを形成
してもよい。また、アライメントマークは金属膜を設ける以外の方法で形成されてもよい
。
第１アライメントマーク１８１は、上面視で、第１領域１１１における枠に係る辺（内
側面１４）を含む直線と、この直線に平行で、第２領域１１２における枠に係る辺（内側
面１４）の中点ＣＰを通る直線と、の間に設けられる。第２アライメントマーク１８２は
、上面視で、第３領域１１３における枠に係る辺（内側面１４）を含む直線と、この直線
に平行で、第４領域１１４における枠に係る辺（内側面１４）の中点ＣＰを通る直線と、
の間に設けられる。
上面視で、第１アライメントマーク１８１と第２アライメントマーク１８２を結ぶ直線
は、基部１０の外形を形成する４辺のいずれとも垂直及び平行ではない。また、枠を形成
する４辺のいずれとも垂直及び平行ではない。また、いずれの辺との間にも、１０度以上
の角度差を有する。つまり、基部１０の外形または枠を形成する４辺のいずれに対しても
斜めの直線である。
基部１０の底面１２には、２つのアライメントマーク１８が形成される。２つの金属膜
１７２に１つずつアライメントマーク１８が形成される。２つのアライメントマーク１８
をそれぞれ、第３アライメントマーク１８３、第４アライメントマーク１８４、と呼ぶも
のとする。
上面視で、第３アライメントマーク１８３と第４アライメントマーク１８４を結ぶ直線
は、基部１０の外形を形成する４辺のいずれとも垂直及び平行ではない。また、枠を形成
する４辺のいずれとも垂直及び平行ではない。また、いずれの辺との間にも、１０度以上
の角度差を有する。また、第１アライメントマーク１８１と第２アライメントマーク１８
２を結ぶ直線と重なる。ここでの重なるとは、交点を軸に４度以下のずれを含むものとす
る。
なお、金属膜１７が設けられる領域（場所）や数はこれに限らない。上面１１や底面１
２に設ける金属膜の数を変えるなどしてもよい。例えば、上面１１に、対向する２辺に係
る領域に２つずつ、あるいは、１つずつ、金属膜を設けてもよい。発光装置１では、基部
１０の底面１２、第２段差部１６２の上面、及び、基部１０の上面１１に、複数の金属膜
が設けられているといえる。
半導体レーザ素子２０は、上面視で長方形の外形を有する。また、長方形の２つの短辺
のうちの一辺と交わる側面が、半導体レーザ素子２０から放射される光の出射端面２１と
なる。また、半導体レーザ素子２０の上面及び下面は、出射端面２１よりも面積が大きい
。
なお、半導体レーザ素子から放射される光（レーザ光）は拡がりを有し、光の出射端面
と平行な面において楕円形状のファーフィールドパターン（以下「ＦＦＰ」という。）を
形成する。ここで、ＦＦＰとは、出射端面から離れた位置における出射光の形状や光強度
分布を示す。
半導体レーザ素子２０から出射される光のＦＦＰの形状は、活性層を含む複数の半導体
層の層方向よりも、それに垂直な積層方向の方が長い楕円形状である。この層方向をＦＦ
Ｐの水平方向、積層方向をＦＦＰの垂直方向というものとする。
また、半導体レーザ素子２０のＦＦＰの光強度分布に基づいて、ピーク強度値に対する
１／ｅ２以上の強度を有する光を、主要部分の光と呼ぶものとする。また、この光強度分
布の半値全幅に相当する角度を拡がり角と呼ぶものとする。ＦＦＰの垂直方向における拡
がり角は垂直方向の拡がり角と呼び、ＦＦＰの水平方向における拡がり角は水平方向の拡
がり角と呼ぶものとする。
半導体レーザ素子２０には、例えば、青色の光を放射する半導体レーザ素子を採用する
ことができる。ここで、青色の光は、その発光ピーク波長が４２０ｎｍ～４９４ｎｍの範
囲内にある光をいうものとする。青色の光を発する半導体レーザ素子として、窒化物半導
体を含む半導体レーザ素子が挙げられる。窒化物半導体としては、例えば、ＧａＮ、Ｉｎ
ＧａＮ、及びＡｌＧａＮを用いることができる。
サブマウント３０は、直方体の形状で構成され、下面、上面、及び、側面を有する。ま
た、サブマウント３０は上下方向の幅が最も小さい。なお、形状は直方体に限らなくてよ
い。サブマウント３０は、例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、又は炭化ケイ素を用
いて形成される。なお、他の材料を用いてもよい。また、サブマウント３０の上面には金
属膜が設けられている。
光反射部材４０は、光を反射する２つの光反射面４１を有する。光反射面には、例えば
、照射された光のピーク波長に対する光反射率が９９％以上となる面が設けられる。ここ
での光反射率は１００％以下あるいは１００％未満とすることができる。
２つの光反射面４１は平面形状で、下面に対して傾斜しており、互いに下面に対する傾
斜角が異なる。つまり、２つの光反射面４１はいずれも、下面からみた配置関係が垂直で
も平行でもない。また、２つの光反射面４１は連続して繋がっており、一体的な１つの反
射領域を形成する。
ここでは、下面に近い方の光反射面を第１反射面４１１、遠い方の光反射面を第２反射
面４１２と呼ぶものとする。光反射部材４０では、第２反射面４１２の傾斜角の方が、第
１反射面４１１の傾斜角よりも大きい。例えば、第１反射面４１１と第２反射面４１２と
の傾斜角の差は、１０度以上から６０度以下の範囲にある。
なお、一体的な１つの反射領域を形成する３つ以上の光反射面４１を有していてもよい
。また、１つの光反射面４１で１つの反射領域を形成してもよい。また、連続して繋がっ
ていない光反射面をさらに有していてもよい。また、光反射面４１の形状は、平面形状で
なく曲面形状であってもよい。
光反射部材４０は、その外形を形成する主材料に、ガラスや金属などを用いることがで
きる。主材料は熱に強い材料がよく、例えば、石英若しくはＢＫ７（硼珪酸ガラス）等の
ガラス、アルミニウム等の金属、又はＳｉを用いることができる。また、光反射面は、例
えば、Ａｇ、Ａｌ等の金属やＴａ２Ｏ５／ＳｉＯ２、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５／
ＳｉＯ２等の誘電体多層膜を用いて形成することができる。
保護素子５０は、特定の素子（例えば半導体レーザ素子）に過剰な電流が流れて破壊さ
れてしまうことを防ぐためのものである。保護素子５０としては、例えば、Ｓｉで形成さ
れたツェナーダイオードを用いることができる。
温度測定素子６０は、周辺の温度を測定するための温度センサとして利用される素子で
ある。温度測定素子６０としては、例えば、サーミスタを用いることができる。
配線７０は、特定の素子（例えば半導体レーザ素子）の電気的な接続に用いられる。配
線７０としては、例えば、金属のワイヤを用いることができる。
透光性部材８０は、直方体の平板形状で構成され、下面と、上面と、側面とを有する。
透光性部材は、光を透過する透光性を有する。ここで、透光性とは、光に対する透過率が
８０％以上であることとする。なお、形状は直方体に限らない。
透光性部材８０は、サファイアを主材料に用いて形成することができる。サファイアは
、比較的屈折率が高く、比較的強度も高い材料である。なお、主材料には、サファイアの
他に、例えば、石英、炭化ケイ素、又は、ガラス等を用いることもできる。
透光性部材８０の上面には、２つの金属膜が設けられる。また、透光性部材８０の下面
には、金属膜が設けられる。上面及び下面のいずれの面においても、外周領域に金属膜は
設けられる。そのため、透光性部材８０には、上面視または下面視で、透光性を有する領
域と、透光性を有さない領域と、がある。また、中央部に透光性を有する領域が設けられ
る。
波長変換部材９０は、直方体の平板形状で構成され、下面と、上面と、側面とを有する
。また、波長変換部材９０は、透光性の波長変換部９１と、包囲部９２と、を有する。ま
た、波長変換部９１と包囲部９２とが一体的に形成されている。包囲部９２の内側面が波
長変換部９１の側面と接しており、包囲部９２の外側面が波長変換部材９０の側面に相当
する。
波長変換部９１は直方体の形状である。また、波長変換部９１は、波長変換部９１に入
射した光を波長の異なる光に変換する。波長変換部材９０は、光の照射により分解されに
くい無機材料を主材料に用いて形成することができる。なお、無機材料でなくてもよい。
また、波長変換部９１は、セラミックスを主材料とし、蛍光体を含有させて形成するこ
とができる。これに限らず、ガラスを主材料とする、あるいは、蛍光体の単結晶で形成す
るなどしてもよい。なお、波長変換部９１における発熱を考慮して、融点が１３００℃～
２５００℃の材料を主材料に用いるのが好ましい。
例えば、波長変換部９１の主材料にセラミックスを用いる場合、蛍光体と酸化アルミニ
ウム等の透光性材料とを焼結させて形成することができる。蛍光体の含有量は、セラミッ
クスの総体積に対して０．０５体積％～５０体積％とすることができる。また例えば、蛍
光体の紛体を焼結させた、実質的に蛍光体のみからなるセラミックスを用いてもよい。
蛍光体としては、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット（Ｙ
ＡＧ）、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット（ＬＡＧ）、ユウ
ロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ－Ａｌ
2Ｏ3－ＳｉＯ2）、ユウロピウムで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）2ＳｉＯ4）、
αサイアロン蛍光体、βサイアロン蛍光体等が挙げられる。なかでも、耐熱性が良好な蛍
光体であるＹＡＧ蛍光体を用いることが好ましい。
包囲部９２は、直方体の平板の中央部分に貫通孔を有する形状である。貫通孔の領域に
波長変換部９１が設けられる。また、貫通孔の形状は、波長変換部９１の形状に対応して
おり、包囲部９２は波長変換部９１の側面を囲う。
包囲部９２は、セラミックスを主材料に用いて形成することができる。また、これに限
らず、金属や、セラミックスと金属の複合体などを用いてもよい。また、包囲部９２には
、波長変換部９１による熱を排熱する高熱伝導率の材料を用いるのが好ましい。高熱伝導
率の材料が主材料に用いられた包囲部９２は、波長変換部９１における熱を排熱する放熱
機能を有し、この観点から包囲部９２に代えて放熱部材と捉えることができる。
また、包囲部９２には、半導体レーザ素子２０が出射した光及び蛍光体が発する蛍光を
高反射率で反射する材料を用いるのが好ましい。高反射率の材料が主材料に用いられた包
囲部９２は、照射された光を反射する高反射性を有し、この観点から包囲部９２に代えて
光反射部材と捉えることができる。なお、高反射率及び高熱伝導率を有する材料としては
、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）セラミックスが挙げられる。
包囲部９２の下面には、導電膜が設けられる。導電膜は、線状で、下面視で波長変換部
９１に重なるように設けられる。線状の導電膜の両端は、包囲部９２の下面に設けられた
金属膜に繋がる。また、両端は互いに異なる金属膜に繋がる。なお、波長変換部９１に重
ならず、波長変換部９１の近傍に設けられてもよい。
なお、導電膜は細い線状で形成されるのが好ましい。細い線状とは、例えば、下面視で
、波長変換部９１の幅よりも小さい線幅となっている部分の線の長さが波長変換部９１の
外周よりも長いことを示す。ここでの波長変換部９１の幅は、例えば外形が矩形の場合は
短辺の幅であり、例えば外形が楕円形の場合は短径の幅である。また、これ以外の形状の
場合は、これらの例示に基づき、実質的に幅が特定される。
波長変換部材９０は、例えば、焼結体等の成形品からなる波長変換部９１と、包囲部９
２を形成する粉粒の材料と、を一体的に成形して焼結し形成することができる。または、
焼結体等の成形品からなる包囲部９２と、波長変換部９１を形成する粉粒の材料と、を一
体的に成形して焼結し形成することができる。焼結には、例えば、放電プラズマ焼結法（
ＳＰＳ法）やホットプレス焼結法（ＨＰ法）等を用いることができる。
導電膜は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を用いて形成することができる。ＩＴＯは可
視光による透過率が高い。ＩＴＯで形成された導電膜は透光性を有し、この観点から透光
性導電膜と捉えることができる。
遮光部材１００は、中央部に貫通孔が形成された形状を有する。また、下面側には、貫
通孔を囲う凸形状が形成される。言い換えると、下面側において、中央部が窪んだ凹形状
が形成される。
遮光部材１００は、遮光性を有する樹脂によって形成される。ここで、遮光性とは光を
透過しない性質を示し、光を遮る性質の他、吸収する性質や反射する性質などを利用して
、遮光性を実現してもよい。例えば、樹脂に、光拡散材及び／又は光吸収材等のフィラー
を含有させることで形成できる。
遮光部材１００を形成する樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリレー
ト樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、ＢＴレジン等が挙げられる。また、光吸収性の
フィラーとしては、カーボンブラック等の暗色系の顔料等が挙げられる。
次に、これらの構成要素を用いて発光装置１を製造する工程について説明する。
まず、基部１０の底面１２に２つの光反射部材４０が配置される。従って、基部１０の
底面１２は光反射部材４０が配置される配置面といえる。２つの光反射部材４０は、それ
ぞれ異なる金属膜１７２の上に配置され、その下面が基部１０の底面１２に接合される。
各光反射部材４０の配置位置は、アライメントマーク１８と、光反射部材４０の基準線Ｓ
Ｌと、に基づいて決定される。
光反射部材４０の基準線ＳＬとは、光反射部材４０を配置するときの位置合わせの基準
となる線である。また、この基準線ＳＬは、光反射部材４０の所定の領域に設けられるか
、所定の領域に有する特徴から導き出すことができる。つまり、光反射部材４０の所定の
領域に基づいて得ることができる。
発光装置１では、上面視で、光反射面４１の上端に相当する辺を通る直線が、光反射部
材４０の基準線ＳＬとなる。これに限らず、例えば、光反射面４１の下端に相当する辺を
通る直線を基準線としてもよく、また例えば、光反射部材４０の矩形の上面のうち２つの
頂点を特徴点として、この２つの特徴点を通る直線を基準線としてもよい。
各光反射部材４０は、上面視で、基準線ＳＬが、第１アライメントマーク１８１と第２
アライメントマーク１８２を通る直線を所定の角度回転させた直線と、平行となるように
配置される。ここで、第１アライメントマーク１８１と第２アライメントマーク１８２を
通る直線を第１直線１Ｌ、第１直線１Ｌを所定の角度回転させた直線を第２直線２Ｌ、と
呼ぶものとする。
また、２つの光反射部材４０は点対称に配置される。第１アライメントマーク１８１と
第２アライメントマーク１８２を結ぶ直線の中点ＣＰに対して、２つの光反射部材４０は
対称となるように配置される。
詳細には、実装機において、第１アライメントマーク１８１と第２アライメントマーク
１８２に基づいて中点ＣＰを決定し、この中点ＣＰを軸にして第１直線１Ｌを所定の角度
回転させた第２直線２Ｌを規定する。上面視で、第２直線２ＬをＸ方向、第２直線２Ｌに
垂直な方向をＹ方向とし、中点ＣＰの座標を（０，０）としたＸＹ平面に基づき、基準線
ＳＬが第２直線２Ｌと平行になり、かつ、２つの光反射部材４０が座標（０，０）で点対
称となるように配置する。
上面視で、第２直線２Ｌは、第１領域１１１または第３領域１１３の枠に係る辺（内側
面１４）と平行である。また、第２領域１１２または第４領域１１４の枠に係る辺（内側
面１４）と垂直である。ここでの平行または垂直は、６度以下の差を含むものとする。
つまり、第１直線１Ｌを回転させる所定の角度は、設計上の第１直線１Ｌと基部１０の
枠に係る辺を通る直線とが成す角度から得られる。なお、平行及び垂直ではなく、斜めと
なるように所定の角度を設計してもよい。
なお、第１直線１Ｌは、第３アライメントマーク１８３と第４アライメントマーク１８
４を通る直線であってもよい。またあるいは、任意の２つのアライメントマーク１８を通
る直線であってもよく、３つ以上のアライメントマーク１８を通る直線であってもよい。
従って、第１直線１Ｌは、複数のアライメントマーク１８に基づいて得られる直線といえ
る。
また、２つの光反射部材４０は、第３アライメントマーク１８３と第４アライメントマ
ーク１８４を結ぶ直線の中点ＣＰに対して対称に配置されてもよい。
また、上面視で、２つの光反射部材４０と、第３アライメントマーク１８３及び第４ア
ライメントマーク１８４とは重ならない。従って、この段階で、第３アライメントマーク
１８３及び第４アライメントマーク１８４は上面側から見ることができる。
次に、基部１０の底面１２に、保護素子５０と温度測定素子６０とが配置される。保護
素子５０は、２つの光反射部材４０のうちの一方が配置されている金属膜１７２に配置さ
れ、接合される。温度測定素子６０は、２つの光反射部材４０が配置された金属膜１７２
とは異なる金属膜１７２の上に配置され、接合される。
次に、基部１０の底面１２に２つのサブマウント３０が配置される。各サブマウント３
０は、上面視で、上面のいずれかの辺が、第１直線と平行となるように配置される。また
、２つのサブマウント３０は、それぞれ異なる金属膜１７２の上に配置され、その下面が
基部１０の底面１２に接合される。また、２つのサブマウント３０はそれぞれ、光反射部
材４０が配置されている金属膜１７２に配置される。
なお、サブマウント３０と光反射部材４０は、異なる金属膜１７２に配置されていても
よい。また、上面視で、２つのサブマウント３０と、第３アライメントマーク１８３及び
第４アライメントマーク１８４とは重ならない。従って、この段階で、第３アライメント
マーク１８３及び第４アライメントマーク１８４は上面側から見ることができる。
次に、半導体レーザ素子２０がサブマウント３０に配置される。２つの半導体レーザ素
子２０は、それぞれ異なるサブマウント３０の上面に配置され、その下面が接合される。
各半導体レーザ素子２０の配置位置は、アライメントマーク１８と、半導体レーザ素子２
０の光の出射端面２１と、に基づいて決定される。
各半導体レーザ素子２０は、上面視で、出射端面２１が、第１直線１Ｌと平行となるよ
うに配置される。また、２つの半導体レーザ素子２０は、点対称に配置される。第１アラ
イメントマーク１８１と第２アライメントマーク１８２を結ぶ直線の中点ＣＰに対して、
２つの半導体レーザ素子２０は対称となるように配置される。
詳細には、実装機において、第１アライメントマーク１８１と第２アライメントマーク
１８２に基づいて第１直線１Ｌを規定し、中点ＣＰを決定する。上面視で、第１直線１Ｌ
をＸ方向、第１直線１Ｌに垂直な方向をＹ方向とし、中点ＣＰの座標を（０，０）とした
ＸＹ平面に基づき、出射端面２１が第１直線１Ｌと平行になり、かつ、２つの半導体レー
ザ素子２０が座標（０，０）で点対称となるように配置する。
従って、２つの半導体レーザ素子２０と、２つの光反射部材４０とは、同じ点に基づい
て、対称に配置されている。なお、２つの半導体レーザ素子２０は、第３アライメントマ
ーク１８３と第４アライメントマーク１８４を結ぶ直線の中点ＣＰに対して対称に配置さ
れてもよい。
また、上面視で、２つの半導体レーザ素子２０と、第３アライメントマーク１８３及び
第４アライメントマーク１８４とは重ならない。従って、この段階で、第３アライメント
マーク１８３及び第４アライメントマーク１８４は上面側から見ることができる。
２つの半導体レーザ素子２０は、上面視で、出射端面２１が、基部１０の内側面１４ま
たは外側面１５と平行及び垂直にならない。そのため、光反射面４１の上端とも、平行及
び垂直にならない。つまり、半導体レーザ素子２０は、上面視で、基部１０の内側面１４
及び外側面１５、または、光反射面４１の上端、に対して出射端面２１が斜めになるよう
に配置される。
発光装置１では、上面視で、半導体レーザ素子２０の出射端面２１を含む直線と、光反
射面４１の上端を含む直線と、が成す斜角は、２５度以上３５度以下の範囲にある。なお
、ここでの斜角は、図８に示す角度αであり、角度βではない。また、斜角は１０度以上
８０度以下の範囲でもよい。なお、光反射部材４０への光の照射を考慮すると、斜角は４
５度以下で設計するのがよい。
２つの半導体レーザ素子２０のそれぞれで、出射端面２１から出射された光は、対応す
る光反射部材４０に照射される。対応する光反射部材４０とは、同じ金属膜に配置されて
いる光反射部材４０である。少なくとも主要部分の光が光反射面４１に照射されるように
、半導体レーザ素子２０は配置される。
アライメントマーク１８から直接的に得られる第１直線１Ｌと、この第１直線１Ｌを中
点ＣＰで回転させて得られる第２直線２Ｌとでは、第１直線１Ｌに合わせて実装する方が
確度がよい。そのため、斜めの配置関係にある半導体レーザ素子２０と光反射部材４０に
おいて、出射端面２１を第１直線に合わせ、光反射部材４０を第２直線に合わせる方が、
光反射部材４０によって反射される光の進行方向を精度良く実装することができる。
また、光反射部材４０を、上面視で、基部１０の内側面１４または外側面１５の所定の
辺に合わせて実装するよりも、第１直線から所定の角度回転させた第２直線に合わせて実
装する方が、半導体レーザ素子２０と光反射部材４０の間の斜角を精度良く実装すること
ができる。
対応する半導体レーザ素子２０と光反射部材４０との間で、光反射部材４０よりも半導
体レーザ素子２０の方が中点から遠い位置にある。従って、半導体レーザ素子２０から出
射された光は、中点に近付く方向に進む。なお、２つの半導体レーザ素子２０のうちの少
なくとも一方は温度測定素子６０に近い位置に配される。配置の対称性から、一方の半導
体レーザ素子２０の温度と他方の半導体レーザ素子２０の温度に大きな差はないと考えら
れるためである。
半導体レーザ素子２０が配されたサブマウント３０は、発光装置１において、半導体レ
ーザ素子２０から発生した熱を逃がす放熱部材としての役割を果たしている。サブマウン
ト３０を放熱部材として機能させるには、半導体レーザ素子２０よりも熱伝導率の良い材
料で形成すればよい。また、基部の底面よりも熱伝導率の良い材料で形成すると、より高
い放熱効果を得ることができる。
また、サブマウント３０は、発光装置１において、半導体レーザ素子の光の出射位置を
調整する役割を果たすことができる。例えば、光軸を通る光が底面１２と水平になるよう
にし、かつ、光反射面４１の所定の位置に照射させたい場合に、サブマウントを調整部材
として用いることができる。
次に、半導体レーザ素子２０の電気的な接続、保護素子５０の電気的な接続、及び、温
度測定素子６０の電気的な接続を確立するために複数の配線７０が接合される。電気的な
接続には、基部１０の底面１２に設けられた金属膜１７２を利用する。そのため、基部１
０の底面１２に設けられた金属膜１７２は、電気的に接続のために設けられた導通領域と
しての役割を果たしている。
配線７０は、２つの半導体レーザ素子と保護素子５０とが直列に接続するように接合さ
れる。また、温度測定素子６０が、２つの半導体レーザ素子及び保護素子５０とは別で、
電気的に接続するように接合される。
いくつかの配線７０は、その一端を半導体レーザ素子２０の上面に接合し、他端を基部
１０の底面１２に設けられた金属膜１７２に接合する。そのため、配線７０の一端を半導
体レーザ素子２０の上面に接合するときの配置位置は、第１直線に基づいて決定される。
これにより、細い幅の上面に精度良く配線７０を接合することができる。
次に、透光性部材８０が基部１０の上面に配置される。透光性部材８０は、その下面が
基部１０の段差部１６の上面に配置され接合される。より詳細には、第１段差部１６１の
上面に接合される。透光性部材８０の下面の外周領域に設けられた金属膜と、第１段差部
１６１の上面に設けられた金属膜と、がＡｕ－Ｓｎ等を介して接合し固定される。
透光性部材８０が基部１０に接合されることで、半導体レーザ素子２０が配された閉空
間が形成される。このように、発光装置１では、透光性部材８０は蓋部材としての役割を
果たすことができる。また、この閉空間は気密封止された状態で形成される。気密封止さ
れることで、半導体レーザ素子２０の光の出射端面に有機物等が集塵することを抑制でき
る。
上面視で、透光性部材８０は、第３アライメントマーク１８３及び第４アライメントマ
ーク１８４と重なる。一方で、第１アライメントマーク１８１及び第２アライメントマー
ク１８２とは重ならない。従って、第１アライメントマーク１８１及び第２アライメント
マーク１８２は、基部１０の透光性部材８０と接合する接合領域の外側に設けられる。
ここで、透光性部材８０は、上面に波長変換部材９０が接合された状態で、基部１０に
接合される。つまり、透光性部材８０が基部１０の上面に配され、波長変換部材９０が透
光性部材８０の上面に配される。そのため、波長変換部材９０が、底面１２に配置された
半導体レーザ素子２０及び光反射部材４０の上方に配置される。
２つの半導体レーザ素子２０より出射された光、特に主要部分の光は、それぞれに対応
する光反射部材４０の光反射面４１によって反射され、透光性部材８０を透過し、波長変
換部９１の下面に入射する。
波長変換部９１に入射した光の一部あるいは全部は、波長変換部９１によって異なる波
長の光に変換される。レーザ光または波長変換された光が、波長変換部９１の上面から発
光装置１の外部に出射される。つまり、波長変換部９１の上面が、発光装置１の光取出面
となる。
上面視で、第１アライメントマークと第２アライメントマークを結ぶ直線の中点ＣＰは
、波長変換部が設けられる領域内にある。このように配置することで、２つの半導体レー
ザ素子２０から出射された光を効果的に波長変換部９１に入射させることができる。
なお、波長変換により生じる熱が特定の箇所に集中すると波長変換部９１が劣化しやす
いため、波長変換部９１に入射する光の分布は拡散している方がよい。例えば、２つの半
導体レーザ素子２０のそれぞれから出射されたレーザ光の光強度の強い部分が重ならない
ようにするとよい。発光装置１では、光軸を通る光が、波長変換部の中心を通らないよう
にしている。
波長変換部材９０は、包囲部９２と、透光性部材８０とを接合させることにより、透光
性部材８０と接合する。また、包囲部９２において導電膜の一端に繋がる金属膜と、透光
性部材８０の２つの金属膜のうちの一方とが接合し、他端に繋がる金属膜と、２つの金属
膜のうちの他方の金属膜とが接合する。これにより、透光性部材８０の２つの金属膜を電
極として、電気的に接続することができるようになる。
また、導電膜は、波長変換部９１の下面に細い線状の膜を這わせるようにして設けられ
る。そのため、波長変換部９１に割れなどの異常が発生すると、その衝撃に対応して導電
膜にも亀裂が入るなどして電気的な接続状態に変化を与える。従って、この変化（例えば
、抵抗値の大幅な上昇）を検知することで波長変換部９１の異常を検知することができる
。導電膜は、波長変換部９１の異常を検知するセンサである異常検知素子９３といえる。
透光性部材８０の上面の方が、波長変換部材９０の下面よりも大きい。また、上面視で
、透光性部材８０の上面は、波長変換部材９０の下面を囲う。あるいは、波長変換部材９
０を囲う。上面視で、透光性部材８０の上面の２つの金属膜はそれぞれ、波長変換部材９
０の下面と重なる領域から重ならない領域に亘って設けられる。
次に、異常検知素子９３を電気的に接続するための配線７０が接合される。電気的な接
続には、基部１０の第２段差部１６２に設けられた金属膜１７３と、透光性部材８０の金
属膜の波長変換部材９０の下面と重ならない領域と、が利用される。そのため、これらの
金属膜は、電気的に接続のために設けられた導通領域としての役割を果たしている。配線
７０は、その一端が透光性部材８０の上面の金属膜に、他端が第２段差部１６２の上面の
金属膜１７３に、接合される。
ここでは、半導体レーザ素子２０、保護素子５０，及び、温度測定素子６０を電気的に
接続するための配線７０を第１配線７１、異常検知素子９３を電気的に接続するための配
線７０を第２配線７２、と呼ぶものとする。
基部１０の上面１１の６つの金属膜１７１は、半導体レーザ素子２０に電源を供給する
ための２つの金属膜と、温度測定素子６０に電源を供給するための２つの金属膜と、異常
検知素子９３に電源を供給するための２つの金属膜と、で構成される。そのため、基部１
０の上面１１に設けられた金属膜１７１は、電気的に接続のために設けられた導通領域と
しての役割を果たしている。
なお、電源供給の態様はこれに限らなくてよい。例えば、温度測定素子６０や異常検知
素子９３を有さない場合は、係る金属膜も有さなくてよい。また例えば、他の目的で金属
膜が利用されてもよい。
また、第１アライメントマーク１８１を形成する金属膜１７１は、第１領域１１１に導
通領域を有し、第２領域１１２にアライメントマーク１８のためのアライメント領域を有
する。少なくとも、第１アライメントマーク１８１は、第１領域１１１には形成されない
。
また、第２アライメントマークを形成する金属膜１７１は、第３領域１１３に導通領域
を有し、第４領域１１４にアライメントマーク１８のためのアライメント領域を有する。
少なくとも、第２アライメントマーク１８２は、第３領域１１３には形成されない。
次に、遮光部材１００が、基部１０の上面１１による枠の内側に形成される。遮光部材
１００は、基部１０と波長変換部材９０との隙間を埋めるようにして形成される。遮光部
材１００は、樹脂を流し込み、これを熱で硬化させることで形成できる。樹脂が隙間に入
り込むことで、定型化された遮光部材１００を嵌め込むよりも良好な遮光性を得ることが
できる。なお、半導体レーザ素子２０が配される閉空間には樹脂は侵入しない。
遮光部材１００は、基部１０の上面１１と交わる内側面１４、基部１０の段差部１６の
上面、透光性部材８０の側面、透光性部材８０の上面、及び、波長変換部材９０の側面、
に接する。また、波長変換部材９０の上面には達さない。あるいは、包囲部９２の上面に
達したとしても、波長変換部９１の上面には達さない。これにより、半導体レーザ素子２
０からの光が、波長変換部９１以外の場所から漏れることを抑制できる。
また、遮光部材１００は、第２配線７２を内包する。つまり、遮光部材１００が形成さ
れた時点で、発光装置１において第２配線７２は露出しない。これにより、第２配線７２
を水滴等の付着から保護することができる。なお、必ずしも内包していなくてよい。
遮光部材１００が形成する貫通孔には、波長変換部材９０が貫通する。また、遮光部材
１００の下面側に形成される凸形状の突出部分は、透光性部材８０の側面と、基部１０の
内側面１４と、の間の溝に嵌る。
遮光部材１００は、上面視で、基部１０の上面１１による枠の内側に露出していた金属
領域を隠す。発光装置１において、遮光部材１００は絶縁性の材料によって形成されてお
り、絶縁部材としての役割を果たしている。これにより、外部電源による発光装置１への
給電のための導通領域は、凹形状の窪んだ空間の外側に限定することができる。
また、上面視で、遮光部材１００は、第１アライメントマーク１８１及び第２アライメ
ントマーク１８２とは重ならない。つまり、遮光部材１００は、第１アライメントマーク
１８１及び第２アライメントマーク１８２を隠さない。
以上の工程で発光装置１を製造することができる。発光装置１は、その外形において、
第１アライメントマーク１８１及び第２アライメントマーク１８２を有する。そのため、
製造された発光装置１を他の部材に実装するなどの際に、第１アライメントマーク１８１
及び第２アライメントマーク１８２を利用した精度の良い実装が可能となる。
第３アライメントマーク１８３及び第４アライメントマーク１８４を、基部１０の底面
１２に配置される構成要素の実装に利用し、第１アライメントマーク１８１及び第２アラ
イメントマーク１８２を、他の構成要素の実装に利用するなどしてもよい。実装機の性能
によっては、配置面である底面１２と同じ平面に設けられたアライメントマーク１８の方
が精度良く実装できる場合がある。
また、第１アライメントマーク１８１及び第２アライメントマーク１８２を、発光装置
１以外の部材との実装に利用し、第３アライメントマーク１８３及び第４アライメントマ
ーク１８４を、発光装置１の構成要素の実装に利用するなどしてもよい。また、これに限
らず、工程に応じて上面１１のアライメントマーク１８と、底面１２のアライメントマー
ク１８とを使い分けてよい。
なお、ここで説明した工程は一例であり、一部で工程の順番を入れ替えるなどしてもよ
い。例えば、光反射部材４０を配置する前に、サブマウント３０と半導体レーザ素子２０
を配置してもよい。また例えば、サブマウント３０に半導体レーザ素子２０を配置してか
ら、底面１２にサブマウント３０を配置してもよい。その他、明らかに実現不可能な工程
順でなければ、柔軟な変更が可能である。なお、明らかに実現不可能な工程順とは、例え
ば、蓋部材により閉空間を形成した後に半導体レーザ素子２０を閉空間に配置するなどの
工程順である。
＜第２実施形態＞
図１３は、第２実施形態に係る発光装置２の斜視図である。図１４は、図１３に対応す
る発光装置２の上面図である。図１５は、内部構造を説明するために発光装置２から遮光
部材１０１を除いた状態の斜視図である。
第２実施形態に係る発光装置２は、基部の形状と、これに伴って形成される遮光部材の
形状と、が第１実施形態に係る発光装置１と異なる。また、発光装置１では、アライメン
トマークとしたい領域に金属膜を設けることでアライメントマークを形成したが、発光装
置２では、アライメントマークとしたい領域の周囲に金属膜を設けることでアライメント
マークを形成する。
発光装置１の基部１０では、第２段差部１６２が、上面視で、第２領域１１２及び第４
領域１１４における枠に係る辺の全長に亘って形成されていたが、発光装置２の基部２１
０では、第２段差部１６３が、上面視で、第２領域１１２における枠に係る辺の一部と、
第４領域１１４における枠に係る辺の一部とに形成される。なお、第１領域乃至第４領域
については、第１実施形態で説明したものと同義のため、図１３乃至図１５においては符
号を省略している。
また、上面視で、第２領域１１２における枠に係る辺の他の一部には、第２段差部１６
３が形成されず、第４領域１１４における枠に係る辺の他の一部には、第２段差部１６３
が形成されない。具体的には、第２領域１１２及び第４領域における枠に係る辺のそれぞ
れにおいて、中央部分に第２段差部１６３は形成され、その両側部分には第２段差部１６
３は形成されない。
第２段差部１６３が形成されない部分では、第１段差部１６１の上面が、上面１１に交
わる側面と交わる。そのため、上面１１の第２領域１１２及び第４領域１１４のそれぞれ
は、上面視で内側面１４と交わる部分が凹形状となる。また、上面１１の幅（内側面１４
から外側面１５までの距離）でいえば、凹形状の窪みにあたる部分よりも凹形状の窪みの
両側にあたる部分の方が大きい。
ここで、前者の幅の狭い部分を上面１１の幅狭部、後者の幅の広い部分を上面１１の幅
広部というものとする。第２領域１１２及び第４領域のそれぞれに関し、第２段差部１６
３は、上面視で、幅広部における内側面１４を通る直線と、外側面１５を通る直線との
間に形成される。
発光装置２において、アライメントマーク１９が上面１１の幅広部に設けられる。また
、第１アライメントマーク１９１及び第２アライメントマーク１９２の各アライメントマ
ークは、アライメントマークを設ける領域の周囲を金属膜が囲うことで形成される。具体
的な形成方法としては、例えば、アライメントマークを設ける領域にマスクをした上で金
属膜を設け、それからマスクを除去するといった方法がある。また例えば、金属膜を設け
てから、アライメントマークを設ける領域部分だけ金属膜を取り除くといった方法を採っ
てもよい。
金属膜１７１を利用してアライメントマークを形成する場合に、発光装置１のように、
そのアライメントマークの形状の金属膜を形成するよりも、発光装置２のように、アライ
メントマークを設ける領域の周囲に金属膜を形成する方が、安定して製造できる場合があ
る。一方で、前者の場合と後者の場合とでは、後者の方がアライメントマークの形成のた
めに広い領域を確保する必要がある。
発光装置１のように第２段差部が枠に係る辺の全長に亘って形成される基部の形状では
、後者のアライメントマークを形成するために基部の外形を大きくする必要がある。そこ
で、発光装置２のように、第２段差部を部分的に形成することで、基部の外形を大きくし
なくても後者の方法でアライメントマークを形成することができる。
そのため、上面視で、第１領域１１１または第３領域１１３における枠に係る辺と平行
な直線であって、第１アライメントマーク１９１または第２アライメントマーク１９２を
通る直線は、第２段差部１６３とは交わらない。また、第２段差部１６３は、この第１ア
ライメントマーク１９１を通る直線と、第２アライメントマーク１９２を通る直線と、で
挟まれる領域内に形成され、この領域外においては形成されない。また、第１アライメン
トマーク１９１と第２アライメントマーク１９２を結ぶ直線は、第２段差部１６３とは交
わらない。
発光装置２では、第２領域１１２における枠に係る辺の方向に関して、第２段差部１６
３の長さよりも、第１段差部１６１の長さの方が長い。また、発光装置１よりも、第１段
差部１６１の長さと第２段差部１６３の長さの差が大きくなる。また、第２段差部１６３
の上面の金属膜に第２配線７２が接合される。
遮光部材１０１は、例えば、樹脂を流し込み、これを熱で効果させることで形成できる
。樹脂は、絶縁性の材料によって形成され、装置外部の要因によって第２配線７２が意図
せず通電してしまうことから保護する絶縁部材としての役割を果たす。この役割を果たす
には、第２配線７２が露出しないように絶縁部材を形成することが求められる。上述した
ように、発光装置２の第２段差部１６３は第１段差部１６１よりも長さが短いため、樹脂
の流し込みを制御しやすくなる。
以上、説明してきたが、明細書により開示された技術的特徴を有した本発明は、明細書
の各実施形態で説明した発光装置の構造に限られるわけではない。例えば、実施形態に開
示のない構成要素を有する発光装置においても本発明は適用され得るものであり、開示さ
れた発光装置と違いがあることは本発明を適用できないことの根拠とはならない。
このことはつまり、実施形態により開示された発光装置の全ての構成要素を必要十分に
備えることを必須としないものであっても、本発明が適用され得ることを示す。例えば、
特許請求の範囲に、実施形態により開示された発光装置の一部の製造工程や一部の構成要
素が記載されていなかった場合、その構成要素については、本実施形態に開示されたもの
に限らず、代替、省略、形状の変形、材料の変更などといった当業者による設計の自由度
を認め、その上で特許請求の範囲に記載された発明が適用されることを請求するものであ
る。
各実施形態に記載の発光装置は、車載ヘッドライト、照明、プロジェクター、ヘッドマ
ウントディスプレイ、その他ディスプレイのバックライト等の光源に使用することができ
る。
１、２ 発光装置
１０、２１０ 基部
１１ 上面
１１１ 第１領域
１１２ 第２領域
１１３ 第３領域
１１４ 第４領域
１２ 底面
１３ 下面
１４ 内側面
１５ 外側面
１６ 段差部
１６１ 第１段差部
１６２、１６３ 第２段差部
１７ 金属膜
１７１ 金属膜（上面）
１７２ 金属膜（底面）
１７３ 金属膜（第２段差部）
１８、１９ アライメントマーク
１８１、１９１ 第１アライメントマーク
１８２、１９２ 第２アライメントマーク
１８３ 第３アライメントマーク
１８４ 第４アライメントマーク
２０ 半導体レーザ素子
２１ 出射端面
３０ サブマウント
４０ 光反射部材
４１ 光反射面
４１１ 第１反射面
４１２ 第２反射面
５０ 保護素子
６０ 温度測定素子
７０ 配線
７１ 第１配線
７２ 第２配線
８０ 透光性部材
９０ 波長変換部材
９１ 波長変換部
９２ 包囲部
９３ 異常検知素子
１００、１０１ 遮光部材

Claims (14)

  1. 光を出射する出射端面を有する第１半導体レーザ素子を含む１または複数の電子部品と、
    前記第１半導体レーザ素子が配置される第１面と、第１金属膜及び第２金属膜を含む複数の金属膜と、を有する基部と、
    を備え、
    前記第１金属膜は、前記複数の電子部品のうちの少なくともいずれかの電子部品と電気的に接続し、かつ、前記第１半導体レーザ素子のアライメントに利用される第１アライメントマークを形成し、
    前記第２金属膜は、前記複数の電子部品のうちの少なくともいずれかの電子部品と電気的に接続し、かつ、前記第１半導体レーザ素子のアライメントに利用される第２アライメントマークを形成し、
    前記第１アライメントマークと前記第２アライメントマークを結ぶ仮想的な直線と、前記第１半導体レーザ素子の出射端面とが、平行である発光装置。
  2. 前記１または複数の電子部品は、光を出射する出射端面を有する第２半導体レーザ素子を含み、
    前記第２半導体レーザ素子は前記第１面に配置され、
    前記仮想的な直線と、前記第２半導体レーザ素子の出射端面とが、平行である請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記第１半導体レーザ素子及び前記第２半導体レーザ素子は、前記第１アライメントマークと前記第２アライメントマークの中点からの距離が等しくなるように配置される、請求項２に記載の発光装置。
  4. 前記基部に配置される光反射部材をさらに備える、請求項１～３のいずれか一項に記載の発光装置。
  5. 前記光反射部材によって反射された光が透過する透光性部材をさらに備え、
    前記透光性部材は、上面視で、前記第１金属膜及び前記第２金属膜と重なる位置に設けられる、請求項４に記載の発光装置。
  6. 前記光反射部材によって反射された光が透過する透光性部材をさらに備え、
    前記複数の金属膜は、第３アライメントマークを形成する第３金属膜、及び、第４アライメントマークを形成する第４金属膜を含み、
    前記透光性部材は、上面視で、前記第１金属膜及び前記第２金属膜とは重ならず、かつ、前記第３金属膜及び前記第４金属膜と重なる位置に設けられる、請求項４に記載の発光装置。
  7. 前記基部は、凹形状を有し、前記第１金属膜及び前記第２金属膜は、前記第１面よりも上方にある第２面に形成される、請求項１～６のいずれか一項に記載の発光装置。
  8. 前記第１金属膜は、前記第１アライメントマークの周りを囲うように設けられることで前記第１アライメントマークを形成し、
    前記第２金属膜は、前記第２アライメントマークの周りを囲うように設けられることで前記第２アライメントマークを形成する、請求項１～７のいずれか一項に記載の発光装置。
  9. 前記基部は、前記第１面よりも上方にあり、上面視で前記第１面を囲い、かつ、上面視で相対的に幅が狭い幅狭部及び相対的に幅が広い幅広部を有する、第２面を有し、
    前記第１金属膜及び前記第２金属膜は、前記第２面の幅広部に形成される、請求項１～８のいずれか一項に記載の発光装置。
  10. 前記１または複数の電子部品は、温度測定素子を含む、請求項１～９のいずれか一項に記載の発光装置。
  11. 前記第１半導体レーザ素子は、前記第１金属膜及び前記第２金属膜に電気的に接続される、請求項１～１０のいずれか一項に記載の発光装置。
  12. 前記第１半導体レーザ素子及び前記第２半導体レーザ素子は、前記第１金属膜及び前記第２金属膜に電気的に接続される、請求項２に記載の発光装置。
  13. 前記複数の金属膜は、前記複数の電子部品のうちの少なくともいずれかの電子部品と電気的に接続し、かつ、アライメントマークを形成しない金属膜を含む、請求項１～１２のいずれか一項に記載の発光装置。
  14. 前記第１半導体レーザ素子は、青色の光を出射する、請求項１～１３のいずれか一項に記載の発光装置。
JP2022165975A 2019-02-15 2022-10-17 発光装置 Pending JP2022179778A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019025299 2019-02-15
JP2019025299 2019-02-15
JP2019172444A JP7206494B2 (ja) 2019-02-15 2019-09-24 発光装置の製造方法、発光装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019172444A Division JP7206494B2 (ja) 2019-02-15 2019-09-24 発光装置の製造方法、発光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2022179778A true JP2022179778A (ja) 2022-12-02

Family

ID=69593597

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022165975A Pending JP2022179778A (ja) 2019-02-15 2022-10-17 発光装置

Country Status (4)

Country Link
US (3) US11303095B2 (ja)
EP (1) EP3706262B1 (ja)
JP (1) JP2022179778A (ja)
CN (1) CN111585165A (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6711333B2 (ja) * 2017-08-16 2020-06-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7469592B2 (ja) 2019-12-05 2024-04-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2023058370A (ja) * 2021-10-13 2023-04-25 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光モジュール

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57183034A (en) * 1981-05-07 1982-11-11 Toshiba Corp Electron bean transfer device
JP2829979B2 (ja) 1988-08-24 1998-12-02 日本電気株式会社 光接続回路の実装方法
JPH11109184A (ja) 1997-09-30 1999-04-23 Kyocera Corp 光デバイス実装用基板及び光モジュール
JP3567822B2 (ja) 1999-10-29 2004-09-22 株式会社村田製作所 電子部品と通信機装置および電子部品の製造方法
JP2003195119A (ja) 2001-12-25 2003-07-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光送信モジュール、光受信モジュール及び光送受信モジュール
JP2006269864A (ja) 2005-03-25 2006-10-05 Nec Tokin Corp 固体電解コンデンサ
DE102006017293A1 (de) 2005-12-30 2007-07-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer optisch pumpbaren Halbleitervorrichtung
JP4241870B2 (ja) * 2007-07-19 2009-03-18 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP5020012B2 (ja) 2007-09-26 2012-09-05 ラピスセミコンダクタ株式会社 光通信モジュール及びその製造方法
JP5430496B2 (ja) 2010-05-27 2014-02-26 京セラ株式会社 電子部品搭載用パッケージ
JP2012164737A (ja) * 2011-02-04 2012-08-30 Sony Corp サブマウント、サブマウント組立体及びサブマウント組立方法
JP5972598B2 (ja) 2012-02-22 2016-08-17 日本電波工業株式会社 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
JP5717714B2 (ja) * 2012-12-27 2015-05-13 株式会社フジクラ 合波装置、合波方法、及び、ｌｄモジュール
JP5597288B1 (ja) * 2013-07-31 2014-10-01 株式会社フジクラ Ｌｄモジュール
JP6146506B2 (ja) 2015-03-26 2017-06-14 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ装置及びこの半導体レーザ装置を用いたバックライト装置
US9748733B2 (en) * 2015-03-26 2017-08-29 Nichia Corporation Semiconductor laser device and backlight device using the semiconductor laser device
DE102015105807A1 (de) * 2015-04-16 2016-10-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Leuchtvorrichtung
JP6940749B2 (ja) 2016-04-28 2021-09-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6665666B2 (ja) 2016-04-28 2020-03-13 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法、レーザモジュールの製造方法及び発光装置
JP6838326B2 (ja) 2016-09-07 2021-03-03 セイコーエプソン株式会社 発光素子モジュール、原子発振器、電子機器および移動体
US10763640B2 (en) 2017-04-24 2020-09-01 Nlight, Inc. Low swap two-phase cooled diode laser package

Also Published As

Publication number Publication date
US20220190553A1 (en) 2022-06-16
EP3706262B1 (en) 2022-01-26
US11962121B2 (en) 2024-04-16
US20230253756A1 (en) 2023-08-10
CN111585165A (zh) 2020-08-25
US11664638B2 (en) 2023-05-30
EP3706262A2 (en) 2020-09-09
US11303095B2 (en) 2022-04-12
US20200266605A1 (en) 2020-08-20
EP3706262A3 (en) 2020-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2022179778A (ja) 発光装置
JP7235944B2 (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
US11469355B2 (en) Wavelength conversion part, method of manufacturing wavelength conversion part, and light emitting device
US11626706B2 (en) Method of manufacturing optical member, optical member, and light emitting device
JP2023126349A (ja) 発光装置
JP7206494B2 (ja) 発光装置の製造方法、発光装置
JP2022185010A (ja) 発光装置
JP2020144363A (ja) 光学部材、又は、発光装置
CN111025441B (zh) 光学配件、其制造方法、以及发光装置
WO2021251233A1 (ja) 発光装置
JP6989795B2 (ja) 光学部材の製造方法、光学部材、発光装置の製造方法、及び、発光装置
US20240044475A1 (en) Light emitting device
US20210384699A1 (en) Method of manufacturing metal-coated member, metal-coated member, wavelength conversion member, and light emitting device
JP2021196557A (ja) 光学部材、及び、発光装置
US11631965B2 (en) Light emitting device and optical part
JP2023047990A (ja) 光学部材、発光装置
US20230387360A1 (en) Light-emitting device
JP2022057984A (ja) 発光部材及びその製造方法、光学部材、発光装置
JP2023080739A (ja) 光学部材及び発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221025

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230731

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230829

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231025

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240123

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240315