CN109643983B - 晶振片及晶体振动器件 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种既能提高抗冲击性能又能抑制电气特性恶化的可靠性高的晶振片及晶体振动器件。该晶振片是一种A T切割晶振片(2)，其具备：在中间部分的表里主面上形成有激发电极的俯视为矩形的振动部(22)；在振动部的外周形成的俯视为矩形的切口部(21)；在所述切口部的外周形成的俯视为矩形的外框部(23)；及从所述振动部的与X轴方向平行的边的一个端部沿着所述振动部的Z′轴方向延伸，将所述振动部与外框部连结的一个连结部(24)。所述连结部上形成有只朝着外框部宽度逐渐变宽的宽幅部(24a、24b)。

Description

晶振片及晶体振动器件

技术领域

本发明涉及一种具备在一个主面上形成的第一激发电极和在另一个主面上形成的第二激发电极的AT切割晶振片、及具备该晶振片的晶体振动器件。

背景技术

近年，各种电子设备朝着工作频率高频化、封装体小型化(特别是低矮化)方向发展。因此，随着高频化及封装体小型化，要求晶体振动器件也对应于高频化及封装体小型化。

尤其是，晶体振动器件中作为对应于小型化的器件，已有以下器件。该器件为，壳体由长方体的封装体构成，包括由玻璃或石英晶体等脆性材料构成的第一密封件和第二密封件、及由石英晶体构成且在两个主面上形成有激发电极的晶振片，第一密封件与第二密封件通过晶振片而叠层接合，配置在封装体内部的晶振片的激发电极被气密密封(例如，参照下述专利文献1)。这种叠层形态的晶体振动器件通常被称为三明治结构。

然而，如上所述的三明治结构的晶体振动器件中，晶振片的功能区域中有：作为晶体谐振器而进行激振用的振动部的区域、作为用于将晶振片与密封构件接合从而将振动部气密密封的外框部的区域、作为用于将外框部与振动部隔离以使外框部不妨碍上述振动部进行激振的切口部的区域、作为用于将振动部与外框部连结的连结部的区域、及作为用于使晶振片的布线线路与密封构件的布线线路电连接的布线部(布线图案、布线用通孔等)的区域。

这样的晶体振动器件中，因连结部的结构而有可能出现以下问题。即，若从振动部向外框部传递的振动位移较大，则会发生振动泄漏，从而使压电振动效率变差，另外，因落下等外部冲击而振动部大幅变形，则会导致连结部破损等。而现状是，三明治结构的晶体振动器件中，只靠连结部的设计来消除振动泄漏的不良影响并同时提高抗冲击性能是较为困难的。

【专利文献1】：日本特开2015－122652号公报

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明的目的在于，提供一种既能提高抗冲击性能又能抑制电气特性恶化的可靠性更高的晶振片及晶体振动器件。

为了达到上述目的，本发明的晶振片是具有一个主面和另一个主面的俯视为矩形的AT切割晶振片，其具备：在所述晶振片的中间部分的一个主面上形成有第一激发电极、另一个主面上形成有第二激发电极、且俯视为矩形的振动部；形成在所述振动部的外周的切口部；形成在所述切口部的外周且内周缘俯视为矩形的外框部；以及将所述振动部与所述外框部连结的一个连结部，该一个连结部被构成为，从所述振动部的与X轴方向平行的边的一个端部沿着所述振动部的Z′轴方向延伸，并只与所述外框部的与X轴方向平行的内周缘连接，所述连结部的+X轴侧的侧面形成有宽幅部，所述宽幅部被形成为，只从所述振动部朝着所述外框部宽度逐渐变宽。

基于上述结构，由于只通过从振动部的与X轴方向平行的边的一个端部沿着振动部的Z′轴方向延伸，并只与外框部的与X轴方向平行的内周缘连接的一个连结部来实现振动部与外框部间的连结，因而，不会构成沿着AT切割的振动部中振动位移分布较高的轴方向、即X轴延伸的连结部。另外，俯视为矩形的振动部中，角部(X轴方向的边的端部)是振动位移最小的区域。此外，由于连结部只与外框部的与X轴方向平行的内周缘的一个边连接，所以不会出现将振动传递到与该X轴方向平行的内周缘以外的多个部分(多个方向)而产生泄露的情况。由此，能减少从振动部向外框部泄露的振动所产生的影响，从而能使晶振片的振动部更高效地进行压电振动。另外，由于只用一个连结部将振动部与外框部连结，所以与用多个连结部将振动部与外框部连结的情况相比，能减轻施加于振动部的应力。因此，能防止因外框部所施加的应力，振动部受到应力作用而引起频移的情况发生，从而能使晶振片的振动部更稳定地进行压电振动。

另外，在落下或加工工程中外部冲击施加于晶振片的情况下，晶振片的振动部中最容易移位的部位是，位于与连结部连接的振动部角部的对角位置的振动部角部，即振动部的自由端。并且，晶振片的振动部产生移位时，连结部中应变应力最集中的部位不是连结部自由端的与振动部连接的部分，而是连结部固定端的与外框部连接的部分。尤其是，连结部的与外框部连接的部分中，与离振动部自由端最远的外框部内周缘的角部接近的一侧连接的部分为应力最集中的部位。对此，所述连结部被构成为，至少在与外框部内周缘的角部接近的所述连结部的+X轴侧的侧面形成有宽幅部，所述宽幅部被形成为宽度只从振动部朝着外框部逐渐变宽。因此，能提高连结部固定端的与外框部连接的部分的应力最集中部位的刚性，并能使因外部冲击引起的晶振片振动部移位而施加于连结部的应变应力向外框部扩散而得到分散。而且，与将连结部整体构成为宽度较宽的情况、或构成宽度从外框部朝着振动部变宽的宽幅部的情况相比，更能有效地抑制从振动部向外框部泄露的振动的影响。

因而，本发明能提供既能提高抗冲击性能又能抑制电气特性恶化的可靠性更高的晶振片。

本发明中，在上述结构的基础上，也可以为，在所述连结部的－X轴侧的侧面也形成有第二宽幅部，在将所述连结部的+X轴侧的侧面的宽幅部作为第一宽幅部的情况下，所述第一宽幅部和所述第二宽幅部被形成为相互非对称的形状。

基于上述结构，能进一步提高应变应力容易集中的连结部固定端的与外框部连结的部分的刚性，并且，通过改变所述连结部的－X轴侧的侧面与+X轴侧的侧面间的应力平衡，能缓和应变应力集中施加于外框部与连结部间的连接部分的情况。

本发明中，在上述结构的基础上，也可以为，所述第一宽幅部及所述第二宽幅部被设置在所述连结部的－Z′轴侧的部分。在此情况下，也可以为，在所述连结部的+Z′轴侧的部分且为该连结部的－X轴侧的侧面形成有第三宽幅部，所述第三宽幅部被形成为，从所述振动部朝着所述外框部宽度逐渐变窄。

基于上述结构，在连结部除了第一宽幅部及第二宽幅部之外，还设置有第三宽幅部，因而，能借助于第一宽幅部及第二宽幅部提高连结部的与外框部连接的部分的刚性，同时还能借助于第三宽幅部提高连结部的与振动部连接的部分的刚性。

本发明中，在上述结构的基础上，也可以为，所述第三宽幅部被形成为，俯视时小于所述第一宽幅部及所述第二宽幅部。

基于所述结构，既能抑制经由连结部从振动部泄漏到外框部的振动的影响，又能抑制乱真发生等对压电振动特性产生的不良影响。

本发明中，在上述结构的基础上，也可以为，在夹着所述振动部的中心，俯视为所述连结部的对角位置上，形成有从所述外框部的内周缘向所述切口部侧突出的突出部。

基于上述结构，在振动部的自由端向X轴方向过度移位之前，振动部的自由端近傍的端部与外框部的突出部相抵接而受到支撑。因此，在落下或加工工程中外部冲击施加于晶振片的情况下，晶振片的振动部不会向板面方向大幅变形，从而能防止连结部破损等。另外，由于不在振动部形成突出部而在外框部形成突出部，所以不存在因在振动部形成突出部而引起振动位移区域变化或乱真发生等从而对压电振动特性产生不良影响的危险性，另外，由于提高了外框部的刚性，所以还有利于提高抗冲击性能。

较佳为，本发明被应用于，具备覆盖所述晶振片的一个主面的第一密封构件、及覆盖所述晶振片的另一个主面的第二密封构件的层叠形态的三明治结构的晶体振动器件。

基于该结构，由于采用第一密封构件和第二密封构件夹着晶振片的结构，所以能实现较为小型的晶体振动器件。另外，由于具备上述晶振片，所以既能实现晶体振动器件的小型化，又能提高抗冲击性能，还能抑制电气特性的恶化。

发明的效果：

基于上述结构，本发明能提供既能提高抗冲击性能又能抑制电气特性恶化的可靠性更高的晶振片。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式所涉及的晶体谐振器的各构成部分的概要结构图。

图2是晶体谐振器的第一密封构件的概要俯视图。

图3是晶体谐振器的第一密封构件的概要仰视图。

图4是晶体谐振器的晶振片的概要俯视图。

图5是晶体谐振器的晶振片的概要仰视图。

图6是晶体谐振器的第二密封构件的概要俯视图。

图7是晶体谐振器的第二密封构件的概要仰视图。

图8是有关本发明的其它的实施方式一的俯视图。

图9是图8的C－C线上的截面图。

图10是有关本发明的其它的实施方式二、其它的实施方式三的俯视图。

图11是有关本发明的其它的实施方式四的俯视图。

图12是有关本发明的其它的实施方式五的俯视图。

图13是有关本发明的其它的实施方式六的俯视图，也是将晶振片的要部放大表示的图。

＜附图标记说明＞

101    晶体谐振器

12     封装体

13     内部空间

2      晶振片

21     切口部

22     振动部

221    第一激发电极

222    第二激发电极

223    第一引出电极

224    第二引出电极

23     外框部

24     连结部

3      第一密封构件

4      第二密封构件

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。在以下实施方式中，对于将本发明应用于作为晶体振动器件的晶体谐振器的情况进行说明。

如图1所示，在本实施方式所涉及的晶体谐振器101中，设置有晶振片2、第一密封构件3及第二密封构件4，其中，第一密封构件3将晶振片2的第一激发电极221(参照图4)覆盖，并将形成在晶振片2的一个主面211上的第一激发电极221气密密封；第二密封构件4在该晶振片2的另一个主面212上将晶振片2的第二激发电极222(参照图5)覆盖，并将与第一激发电极221形成为一对的该第二激发电极222气密密封。该晶体谐振器101中，构成有晶振片2与第一密封构件3接合，晶振片2与第二密封构件4接合的三明治结构的封装体12。

并且，由于第一密封构件3与第二密封构件4通过晶振片2而接合，所以形成了封装体12的内部空间13，在该封装体12的内部空间13内，包括形成在晶振片2的一个主面211上的第一激发电极221和形成在晶振片2的另一个主面212上的第二激发电极222的振动部22被气密密封。本实施方式所涉及的晶体谐振器101的封装体尺寸例如为1.0×0.8mm，实现了小型化和低矮化。另外，伴随着小型化，封装体12中未形成雉堞墙，而是利用通孔(第一～第三通孔)来实现电极的电导通。

下面，结合图1～图7，对上述晶体谐振器101的各构成部分进行说明。另外，在此，对作为晶振片2、第一密封构件3、第二密封构件4尚未接合时的各单体而构成的各构件进行说明。

晶振片2如图4、图5所示，由作为压电材料的石英晶体构成，其两个主面(一个主面211、另一个主面212)被加工成平坦平滑面(镜面加工)。该一个主面211与另一个主面212相互平行。本实施方式中，作为晶振片2，采用了俯视为矩形的进行厚度剪切振动的AT切割石英晶体板。图4、图5所示的晶振片2中，晶振片2的两个主面211、212位于XZ′平面。该XZ′平面中，与晶振片2的短边方向平行的方向为X轴方向；与晶振片2的长边方向平行的方向为Z′轴方向。另外，AT切割是在人工石英晶体的三个晶轴，即电轴(X轴)、机轴(Y轴)、及光轴(Z轴)中，围绕X轴相对Z轴只倾斜了35°15′的角度进行切割的加工方法。AT切割石英晶体板中，X轴与石英晶体的晶轴一致。Y′轴及Z′轴与相对石英晶体的晶轴的Y轴及Z轴分别倾斜35°15′的轴一致。Y′轴方向及Z′轴方向相当于将AT切割石英晶体板切割时的切割方向。

在晶振片2的中间部分有被加工成俯视为矩形的振动部22，其两个主面(一个主面211、另一个主面212)上形成有一对激发电极(第一激发电极221、第二激发电极222)。第一激发电极221、第二激发电极222上连接着用于与后述的外部电极端子(一个外部电极端子431、另一个外部电极端子432)连接的引出电极(第一引出电极223、第二引出电极224)。

换言之，在振动部22的一个主面侧形成有第一激发电极221；在振动部22的另一个主面侧形成有背对该第一激发电极221的第二激发电极222。另外，在第一激发电极221上形成有，经由后述的连结部24延伸至外框部23并最终与一个外部电极端子431连接的第一引出电极223；在第二激发电极222上形成有，经由后述的连结部24延伸至外框部23并最终与另一个外部电极端子432连接的第二引出电极224。

另外，具有切口部21、外框部23及一个连结部(保持部)24，其中，切口部21形成在晶振片2的振动部22的外周，沿晶振片2的厚度方向将一个主面211与另一个主面212之间贯通，其外周缘和内周缘俯视为矩形；外框部23被形成为包围着振动部22和切口部21的外周的状态，其外周缘和内周缘俯视为矩形；一个连结部24被形成为，将振动部22与外框部23连结的同时，向晶振片2的Z′轴方向延伸，并只与成为外框部23的与X轴方向平行的内周缘233的一个边连接。晶振片2被构成为，振动部22、连结部24、及外框部23形成为一体。这些振动部22、连结部24、及外框部23的两个主面(一个主面、另一个主面)被形成为，互为相同的面或者厚度不同的平行的面。本实施方式中，振动部22与连结部24厚度相同，与它们的厚度相比，外框部23的厚度更厚，因而，振动部22和连结部24的两个主面(一个主面、另一个主面)分别为相同的面，而相对于振动部22和连结部24的两个主面(一个主面、另一个主面)，外框部23的两个主面(一个主面、另一个主面)为平行的面。

另外，不局限于本实施方式，也可以改变振动部22和连结部24的厚度，例如，也可以将外框部23形成为厚度最厚，将振动部22形成为厚度第二厚，将连结部24形成为厚度最薄。另外，也可以在振动部22的一部分形成厚度不同的区域、构成凸台形状或倒凸台形状。通过这样使外框部23与连结部24厚度不同，外框部23与连结部24、或连结部24与振动部22间的压电振动的固有振动频率会不同，从而两者不容易产生共振。

另外，也可以如图8、图9所示的其它的实施方式一那样，使连结部24与外框部23厚度相同，只将振动部22形成得较薄。这样的结构中，除了因振动部22与连结部24的压电振动的固有振动频率不同，连结部24不容易与振动部22的压电振动产生共振之外，还能提高连结部24的与外框部23连接的部分的刚性，同时，能使因外部冲击引起振动部22移位而施加于连结部24的应变应力集中的情况得到缓和。

换言之，本实施方式中，连结部24只设置在振动部22与外框部23之间的Z′轴方向的一个部位，连结部24只从位于振动部22的+X方向及－Z′方向的一个角部22a(振动部22的与X轴方向平行的边的一个端部)朝着－Z′方向延伸(沿着Z′轴方向延伸)至外框部23。未设置连结部24的部位成为切口部21的空间(间隙)。如此，振动部22的外周缘部中，只在压电振动的移位较小的角部22a的一个部位(振动部22的与X轴方向平行边的一个端部)设置有沿着Z′轴方向延伸的一个连结部24。

因此，不会构成沿着AT切割的振动部22中振动位移分布较高的轴方向、即X轴延伸的连结部24。此外，俯视为矩形的振动部22中，角部(X轴方向的边的端部)为振动位移最小的区域。因此，经由连结部24从振动部22泄漏到外框部23的压电振动的影响减小，能使晶振片2的振动部22更高效地进行压电振动。另外，与设置两个以上连结部24的情况相比，能减轻作用于振动部22的应力，从而能减少由这样的应力引起的压电振动频移，使压电振动的稳定性提高。另外，能提供有利于小型化的带有外框部的晶振片2。

如上所述，本发明的一个特征在于：具有从振动部22的X轴方向的端部沿着Z′轴方向延伸出的唯一的连结部24。除此特征外，还具有以下特征：在外框部23的Z′轴方向的内周缘上至少形成有，与相对于与连结部24连接的振动部22的角部为对角(振动部22的自由端)的角部接近的凸部(突出部)。以下，对于如图4、图5所示的本实施方式的追加特征进行详细说明。

在外框部23的Z′轴方向的内周缘231上形成有半圆形的凸部23c，该半圆形的凸部23c接近与连结部24连接的振动部22的角部22a的对角位置上的角部22c。与外框部23的内周缘231在X轴方向上相对的内周缘232上，在与振动部22的角部22b接近并与凸部23c相对的位置上也形成有相同形状的凸部23b。换言之，在外框部23的Z′轴方向的内周缘231、内周缘232上，与振动部22的角部22c、角部22b接近的半圆形的凸部23b和凸部23c被形成为，相对于从外框部23的X轴方向的中心通过并与Z′轴平行的中心线线对称。

因此，在作为振动部22的自由端的角部22c尚未在X轴方向发生过度的移位之前，振动部22的角部22c近傍的端部会与外框部23的Z′轴方向的内周缘231上的凸部23c相抵接而受到支撑，并且，振动部22的角部22b近傍的端部会与外框部23的Z′轴方向的内周缘232上的凸部23b相抵接而受到支撑。因此，晶振片2的振动部22不会向板面方向大幅变形，能防止连结部24破损等。另外，由于这些凸部23b、凸部23c只设置在外框部23的Z′轴方向的内周缘的一部分，所以不会使振动部22的有效面积变窄，能够消除因晶振片2的小型化引起振动区域缩小而造成的电气特性降低。

另外，凸部的个数不为本实施方式所限定，也可以如图10(a)所示的其它的实施方式二那样，只在与作为与连结部24连接的振动部22的角部22a的对角位置的角部22c接近的外框部23的Z′轴方向的内周缘231的一个部位形成半圆形的凸部23c。进一步，也可以如图10(b)所示的其它的实施方式三那样，在与连结部24所连接的振动部22的角部22a以外的所有的角部22d、角部22c、角部22b接近的Z′轴方向的内周缘231及内周缘232的三个部位形成半圆形的凸部23d、凸部23c、及凸部23b。

另外，上述凸部不局限于俯视形状为半圆形，可以是椭圆形等具有曲率的形状，也可以是三角形、矩形等多角形。此外，各凸部的厚度是相应于加工工序而形成的情况下，较佳为与外框部23、振动部22等厚度相同，但无特别限定。

在此，也可以如图11所示的其它的实施方式四那样，在外框部23的内周缘的角部形成突出部，而不是在外框部23的内周缘设置半圆形凸部。

如图11所示，在外框部23的平行于Z′轴方向的内周缘231与平行于X轴方向的内周缘234大致直角状地连接的角部235c上，形成有向切口部21侧突出的突出部235f。该突出部235f朝着振动部22的角部22c突出，夹着振动部22的中心，被设置在俯视为连结部24的对角的位置。突出部235f被形成为大致三角形，侧面被形成为凹状地弯曲的形状(R形状)。

另外，如图11所示，在外框部23的平行于Z′轴方向的内周缘232与平行于X轴方向的内周缘234大致直角状地连接的角部235b，形成有向切口部21侧突出的突出部235e。该突出部235e为近似三角形，侧面被形成为凹状弯曲的形状(R形状)，并朝着振动部22的角部22b突出。同样地，在外框部23的平行于Z′轴方向的内周缘231与平行于X轴方向的内周缘233大致直角状地连接的角部235d，形成有向切口部21侧突出的突出部235g。该突出部235g为近似三角形状，侧面被形成为凹状地弯曲的形状(R形状)，并朝着振动部22的角部22d突出。突出部235g被设置在夹着振动部22的中心，俯视为突出部235e的对角的位置。

如此，在外框部23的内周缘的角部235b、235c、235d上形成有突出部235e、235f、235g。借助于突出部235e、235f、235g，能够获得与上述凸部23b、23c、23d同样的效果。即，突出部235e、235f、235g的部分相当于切口部21的宽度变窄的量，由于突出部235e、235f、235g与振动部22之间的距离缩小，所以晶振片2的振动部22不会向板面方向大幅变形，能防止连结部24的破损等。另外，由于只在外框部23的内周缘的一部分设置有突出部235e、235f、235g，所以振动部22的有效面积不会变窄，从而还能消除因晶振片2的小型化而使振动区域缩小所造成的电气特性恶化。

另外，如图11所示，在连结部24的对角位置设置的突出部235f被构成为，大于未在连结部24的对角位置设置的突出部235e、235g。因此，在连结部24的对角位置设置的突出部235f与振动部22之间的距离小于未在连结部24的对角位置设置的突出部235e、235g与振动部22之间的距离。

在此，落下或加工过程中外部冲击施加于晶振片2的情况下，晶振片2的振动部22中最容易移位的是，相对于与连结部24连接的振动部22的角部22a位于对角位置的振动部22的角部22c、即振动部的自由端。由于连结部24沿着Z′轴方向延伸，所以振动部22的自由端尤其在板面方向(X轴和Z′轴)中的X轴方向上容易发生过度的移位。该结构中，夹着振动部22的中心，在俯视为连结部24的对角的位置上，形成有从外框部23的内周缘向切口部21侧突出的突出部235f，该突出部235f被构成为大于未在连结部24的对角位置设置的突出部235e、235g。由此，振动部22的自由端在X轴方向上尚未发生过度的移位之前，振动部22的自由端近傍的端部与外框部23的突出部235f相抵接而受到支撑。因此，晶振片2的振动部22不会向板面方向大幅弯曲，从而能防止连结部24的破损等。另外，由于未在振动部22形成突出部，而在外框部23形成突出部235f，所以能消除因在振动部22形成突出部而引起振动位移区域变化或发生乱真等从而对压电振动特性造成不良影响的危险性，并有利于提高外框部23的刚性从而提高抗冲击性能。

另外，如图12所示的其它的实施方式五那样，某些情况下，振动部22的角部22b、22c、22d不是直角，而是被形成为凸状地弯曲的形状(R形状)。换言之，振动部22的角部22b、22c、22d被形成为顶点被切成弯曲形状，从而切口部21的宽度变宽。在此情况下，较佳为如图12所示那样，使在连结部24的对角位置设置的角部22c的切除部分小于未在连结部24的对角位置设置的角部22b、22d的切除部分。由此，能使在连结部24的对角位置设置的角部22c与外框部23之间的距离小于未在连结部24的对角位置设置的角部22b、22d与外框部23之间的距离，从而能获得与在外框部23上设置如上所述的凸部23c(参照图4)、突出部235f(参照图11)的情况下相同的效果。

其次，本发明中，除了具有从振动部22的X轴方向的端部向Z′轴方向延伸的唯一的连结部24这一特征之外，还具有另一特征：连结部24在连结部24的+X轴侧的侧面具备宽幅部24b(本发明所说的第一宽幅部)，宽幅部24b被形成为只从振动部22朝着外框部23宽度(X轴方向的宽度)逐渐变宽。以下，对如图4、图5所示的本实施方式中的追加特征进行详细说明。

本实施方式的连结部24中，在连结部24的－X轴侧的侧面和+X轴侧的侧面的两方形成有宽幅部24a(本发明所说的第二宽幅部)和宽幅部24b(本发明所说的第一宽幅部)。各宽幅部被形成为俯视为近似八字形的形状，即，从振动部22所连接的端部241至外框部23所连接的端部242为止的整体只朝着一个方向直线状地宽度扩展的形状。另外，与宽幅部24a相比，宽幅部24b被形成为相对于Z′轴的扩展角度更大、其面积也更大。即，宽幅部24a和宽幅部24b被形成为相互非对称的形状。

由此，能提高连结部24固定端侧的与外框部23连接的部分的刚性，同时，能使因外部冲击引起晶振片2的振动部22移位而施加于连结部24的应变应力扩散到外框部23从而被分散。而且，与将连结部24整体构成为宽度较宽的情况相比，如上所述那样，还能抑制从振动部22向外框部23泄漏的振动的影响。进一步，由于宽幅部24a和宽幅部24b被形成为相互非对称的形状，所以能通过改变连结部24的－X轴侧的侧面与+X轴侧的侧面间的应力平衡，而使施加于外框部23与连结部24接触的部分的应变应力集中的情况得到缓和。

另外，这些宽幅部的形状不受本实施方式限定，也可以如图10(a)所示的其它的实施方式二那样，将宽幅部24a1形成为，朝着从连结部24的中间至与振动部22所连接的端部241间的连接点与外框部23所连接的端部242间的连接点的一个方向，弯曲状地宽度扩展；将宽幅部24b1形成为，从振动部22所连接的端部241至外框部23所连接的端部242的整体，只朝着一个方向弯曲状地宽度扩展。并且，也可以如图10(b)所示的其它的实施方式三那样，将宽幅部24b2形成为，只在连结部24的+X轴侧的侧面，从振动部22所连接的端部241至外框部23所连接的端部242的整体，只朝着一个方向直线状地宽度扩展。如此，本实施方式的宽幅部可被形成在连结部24的整体(从与振动部22间的连接点、即端部241至与外框部23间的连接点、即端部242为止的整体)；也可如图13所示的其它的实施方式六那样，只形成在连结部24的一部分。另外，其形状可以是弯曲状，也可以是直线状，还可以是它们的组合。

图13所示的其它的实施方式六中，在连结部24的+X轴侧的侧面设置的第一宽幅部24d、和在连结部24的－X轴侧的侧面设置的第二宽幅部24e只形成在连结部24的一部分，而未形成在连结部24的整体上。另外，图13中省略了第一激发电极221、第一引出电极223等的图示。

具体而言，如图13所示，第一宽幅部24d及第二宽幅部24e被设置在连结部24的靠外框部23一侧的部分(－Z′轴侧的部分)，而未设置在连结部24的靠振动部22一侧的部分(+Z′轴侧的部分)。第一宽幅部24d及第二宽幅部24e被形成为近似三角形，侧面被形成为凹状地弯曲的形状(R形状)。

除了该第一宽幅部24d及第二宽幅部24e之外，在连结部24的靠振动部22一侧的部分(+Z′轴侧的部分)还形成有第三宽幅部24f。第三宽幅部24f与第一宽幅部24d及第二宽幅部24e不同，被形成为从振动部22朝着外框部23宽度逐渐变窄。第三宽幅部24f被形成为近似三角形，侧面被形成为凹状地弯曲的形状(R形状)。

第三宽幅部24f被设置在连结部24的－X轴侧的侧面。换言之，在连结部24的－X轴侧的侧面形成有第二宽幅部24e及第三宽幅部24f。图13的例中，在第二宽幅部24e与第三宽幅部24f之间设置有与Z′轴方向平行地延伸的部分24h。另一方面，在连结部24的－X轴侧的侧面只设置有第一宽幅部24d，连结部24的靠振动部22一侧的部分(+Z′轴侧的部分)24g被形成为与Z′轴方向平行。该部分24g的+X轴侧的侧面从振动部22的与Z′轴方向平行的边225开始直线状地延伸。另外，图13的例中，在比连结部24的Z′轴方向的中间位置更靠近－Z′轴侧之处设置有第一宽幅部24d及第二宽幅部24e；在比其中间位置更靠近+Z′轴侧之处设置有第三宽幅部24f。但是，不局限于此，也可以将第一宽幅部24d及第二宽幅部24e一直形成到超过连结部24的Z′轴方向的中间位置为止的位置。

如上所述，在连结部24，除了第一宽幅部24d及第二宽幅部24e之外，还设置有第三宽幅部24f，因而，能提高通过第一宽幅部24d及第二宽幅部24e而与连结部24的外框部23连接的部分(端部242)的刚性，并能提高通过第三宽幅部24f而与连结部24的振动部22连接的部分(端部241)的刚性。

另外，如图13所示，由于第三宽幅部24f被形成为俯视时比第一宽幅部24d及第二宽幅部24e更小，所以能抑制通过连结部24从振动部22向外框部23泄漏的振动的影响，并且还能抑制乱真发生等对压电振动特性产生的不良影响。

并且，在晶振片2中，从第一激发电极221引出的第一引出电极223经由连结部24，与在外框部23形成的连接用接合图案27相连。从第二激发电极222引出的第二引出电极224经由连结部24，与在外框部23形成的连接用接合图案28相连。

第一激发电极221由在振动部22的一个主面2201上进行物理气相沉积而形成的基底PVD膜、及在该基底PVD膜上进行物理气相沉积而叠层形成的电极PVD膜构成。第一引出电极223由在连结部24的一个主面2401的一部分及一个侧面的一部分上进行物理气相沉积而形成的基底PVD膜、及在该基底PVD膜上进行物理气相沉积而叠层形成的电极PVD膜构成。第二激发电极222由在振动部22的另一个主面2202上进行物理气相沉积而形成的基底PVD膜、及在该基底PV D膜上进行物理气相沉积而叠层形成的电极PVD膜构成。第二引出电极224由在连结部24的另一个主面2402的一部分及另一侧面的一部分上进行物理气相沉积而形成的基底PVD膜、及在该基底PVD膜上进行物理气相沉积而叠层形成的电极PVD膜构成。

在晶振片2的两个主面211、212上分别设置有用于将晶振片2与第一密封构件3和第二密封构件4接合的振动侧密封部25。在晶振片2的一个主面211的振动侧密封部25上形成有用于与第一密封构件3接合的振动侧第一接合图案251。另外，在晶振片2的另一个主面212的振动侧密封部25上形成有用于与第二密封构件4接合的振动侧第二接合图案252。振动侧第一接合图案251及振动侧第二接合图案252被设置在上述外框部23，并被形成为俯视为环状。振动侧第一接合图案251及振动侧第二接合图案252被设置为，与晶振片2的两个主面211、212的外周缘接近。晶振片2的一对第一激发电极221、第二激发电极222不与振动侧第一接合图案251及振动侧第二接合图案252电连接。

振动侧第一接合图案251由在一个主面211上进行物理气相沉积而形成的基底PVD膜2511、和在基底PVD膜2511上进行物理气相沉积而叠层形成的电极PVD膜2512构成。振动侧第二接合图案252由在另一个主面212上进行物理气相沉积而形成的基底PVD膜2521、和在基底PVD膜2521上进行物理气相沉积而叠层形成的电极PVD膜2522构成。换言之，振动侧第一接合图案251和振动侧第二接合图案252具有相同结构，由多个层在两个主面211、212的振动侧密封部25上叠层而构成，从其最下层侧起蒸镀形成有Ti层(或者Cr层)和Au层。如此，振动侧第一接合图案251和振动侧第二接合图案252中，基底PVD膜2511、2521由单一的材料(T i或者Cr)构成；电极PVD膜2512、2522由单一的材料(A u)构成，与基底PVD膜2511、2521相比，电极PVD膜2512、2522更厚。另外，晶振片2的一个主面211上形成的第一激发电极221和振动侧第一接合图案251具有相同厚度，第一激发电极221和振动侧第一接合图案251的表面由相同金属构成，晶振片2的另一个主面212上形成的第二激发电极222和振动侧第二接合图案252具有相同厚度，第二激发电极222和振动侧第二接合图案252的表面由相同金属构成。另外，振动侧第一接合图案251和振动侧第二接合图案252为非Sn图案。

在此，可以对第一激发电极221、第一引出电极223及振动侧第一接合图案251采用相同结构，在此情况下，可用相同工序一起形成第一激发电极221、第一引出电极223及振动侧第一接合图案251。同样，可以对第二激发电极222、第二引出电极224及振动侧第二接合图案252采用相同结构，在此情况下，可用相同工序一起形成第二激发电极222、第二引出电极224及振动侧第二接合图案252。详细而言，通过用真空蒸镀、溅射、离子电镀、MBE、激光烧蚀等PVD法(例如，光刻等加工中的图案化用的膜形成法)形成基底PVD膜及电极PVD膜，而一起进行膜形成，从而减少制造工序，有利于降低成本。

另外，如图4、5所示，在晶振片2上形成有将一个主面211与另一个主面212间贯通的一个通孔(第一通孔26)。第一通孔26设置于晶振片2的外框部23。第一通孔26与后述的第二密封构件4的连接用接合图案453相连。

如图1、4、5所示，在第一通孔26上，沿着第一通孔26的内壁面形成有用于将一个主面211和另一个主面212上形成的电极电导通的贯通电极261。并且，第一通孔26的中间部分成为将一个主面211与另一个主面212间贯通的中空状态的贯通部分262。在第一通孔26的外围形成有连接用接合图案264、265。连接用接合图案264、265被设置在晶振片2的两个主面211、212上。

晶振片2的一个主面211上形成的第一通孔26的连接用接合图案264在外框部23沿着X轴方向延伸。另外，在晶振片2的一个主面211上形成有与第一引出电极223相连的连接用接合图案27，该连接用接合图案27也在外框部23沿着X轴方向延伸。连接用接合图案27被设置在连接用接合图案264的Z′轴方向的相反侧，连接用接合图案27和连接用接合图案264夹着振动部22(第一激发电极221)。换言之，在振动部22的Z′轴方向的两侧设置有连接用接合图案27、264。

同样，在晶振片2的另一个主面212上形成的第一通孔26的连接用接合图案265在外框部23中沿着X轴方向延伸。另外，在晶振片2的另一个主面212上，形成有与第二引出电极224相连的连接用接合图案28，该连接用接合图案28也在外框部23中沿着X轴方向延伸。连接用接合图案28被设置在连接用接合图案265的Z′轴方向的相反侧，连接用接合图案28和连接用接合图案265夹着振动部22(第二激发电极222)。换言之，在振动部22的Z′轴方向的两侧设置有连接用接合图案28、265。

连接用接合图案27、28、264、265采用与振动侧第一接合图案251、振动侧第二接合图案252相同的结构，可通过与振动侧第一接合图案251、振动侧第二接合图案252相同的工序形成。具体而言，连接用接合图案27、28、264、265由在晶振片2的两个主面211、212上进行物理气相沉积而形成的基底PVD膜、和在该基底PVD膜上进行物理气相沉积而叠层形成的电极PVD膜构成。

晶体谐振器101中，第一通孔26及连接用接合图案27、28、264、265被形成在俯视为内部空间13的内侧(接合材料11的内周面的内侧)之处。内部空间13被形成在俯视为振动侧第一接合图案251及振动侧第二接合图案252的内侧之处。内部空间13的内侧是指，不包含后述的接合材料11上表面、严格说是接合材料11的内周面的内侧。第一通孔26及连接用接合图案27、28、264、265不与振动侧第一接合图案251及振动侧第二接合图案252电连接。

对第一密封构件3采用弯曲刚度(截面二阶矩×杨氏模量)在1000[N·mm²]以下的材料。具体而言，第一密封构件3是由图2、3所示的一块玻璃晶片加工成的长方体基板，该第一密封构件3的另一个主面312(与晶振片2接合的面)被加工成平坦平滑面(镜面加工)。

在该第一密封构件3的另一个主面312上，设置有用于与晶振片2接合的密封侧第一封止部32。在密封侧第一封止部32形成有用于与晶振片2接合的密封侧第一接合图案321。密封侧第一接合图案321被形成为俯视为环状。密封侧第一接合图案321被设置为与第一密封构件3的另一个主面312的外周缘接近。密封侧第一接合图案321在第一密封构件3的密封侧第一封止部32的所有部位上宽度相同。

该密封侧第一接合图案321由在第一密封构件3上进行物理气相沉积而形成的基底PVD膜3211、和在基底PVD膜3211上进行物理气相沉积而叠层形成的电极PVD膜3212构成。另外，本实施方式中，对基底PVD膜3211采用了Ti(或者Cr)，对电极PVD膜3212采用了Au。另外，密封侧第一接合图案321是非Sn图案。具体而言，密封侧第一接合图案321是通过多个层在另一个主面312的密封侧第一封止部32上叠层而构成的，从其最下层侧起蒸镀形成Ti层(或者Cr层)和Au层。

在第一密封构件3的另一个主面312，即与晶振片2相向的一侧的面上，形成有与晶振片2的连接用接合图案264、27接合的连接用接合图案35、36。连接用接合图案35、36沿着第一密封构件3的短边方向(图3的A1方向)的方向延伸。连接用接合图案35、36被设置为，在第一密封构件3的长边方向(图3的A2方向)隔开规定间隔，连接用接合图案35、36在A2方向的间隔与晶振片2的连接用接合图案264、27在Z′轴方向的间隔(参照图4)大致相同。连接用接合图案35、36通过布线图案33而相互连接。布线图案33被设置在连接用接合图案35、36之间。布线图案33沿着A2方向延伸。布线图案33未与晶振片2的连接用接合图案264、27接合。

连接用接合图案35、36及布线图案33采用与密封侧第一接合图案321相同的结构，可通过与密封侧第一接合图案321相同的工序形成。具体而言，连接用接合图案35、36及布线图案33由在第一密封构件3的另一个主面312上进行物理气相沉积而形成的基底PVD膜、和在该基底PVD膜上进行物理气相沉积而叠层形成的电极PVD膜构成。

晶体谐振器101中，连接用接合图案35、36及布线图案33被形成在俯视为内部空间13的内侧(接合材料11的内周面的内侧)之处。连接用接合图案35、36及布线图案33不与密封侧第一接合图案321电连接。另外，晶体谐振器101中，图3的A1方向与图4的X轴方向一致；图3的A2方向与图4的Z′轴方向一致。

对第二密封构件4采用弯曲刚度(截面二阶矩×杨氏模量)在1000[N·mm2]以下的材料。具体而言，第二密封构件4是由图6、7所示的一块玻璃晶片加工成的长方体基板，该第二密封构件4的一个主面411(与晶振片2接合的面)被形成为平坦平滑面(镜面加工)。

在该第二密封构件4的一个主面411上设置有用于与晶振片2接合的密封侧第二封止部42。在密封侧第二封止部42上形成有用于与晶振片2接合的密封侧第二接合图案421。密封侧第二接合图案421被形成为俯视为环状。密封侧第二接合图案421被设置为与第二密封构件4的一个主面411的外周缘接近。密封侧第二接合图案421在第二密封构件4的密封侧第二封止部42的所有部位上宽度相同。

该密封侧第二接合图案421由在第二密封构件4上进行物理气相沉积而形成的基底PVD膜4211、和在基底PVD膜4211上进行物理气相沉积而叠层形成的电极PVD膜4212构成。另外，本实施方式中，对基底PVD膜4211采用Ti(或者Cr)；对电极PVD膜4212采用Au。另外，密封侧第二接合图案421是非Sn图案。具体而言，密封侧第二接合图案421是通过多个层在另一个主面412的密封侧第二封止部42上叠层而构成的，从其最下层侧起蒸镀形成有Ti层(或者Cr层)和Au层。

另外，在第二密封构件4的另一个主面412(不面对晶振片2的、外侧的主面)上设置有与外部电连接的一对外部电极端子(一个外部电极端子431、另一个外部电极端子432)。一个外部电极端子431、另一个外部电极端子432如图1、7所示，分别位于第二密封构件4的另一个主面412的俯视为长边方向的两端。这一对外部电极端子(一个外部电极端子431、另一个外部电极端子432)由在另一个主面412上进行物理气相沉积而形成的基底PVD膜4311、4321、和在基底PVD膜4311、4321上进行物理气相沉积而叠层形成的电极P VD膜4312、4322构成。一个外部电极端子431及另一个外部电极端子432分别占有第二密封构件4的另一个主面412的1/3以上的区域。

如图1、6、7所示，在第二密封构件4上形成有，将一个主面411和另一个主面412间贯通的两个通孔(第二通孔45、第三通孔46)。第二通孔45与一个外部电极端子431及晶振片2的连接用接合图案265相连。第三通孔46与另一个外部电极端子432及晶振片2的连接用接合图案28相连。

如图1、6、7所示，在第二通孔45、第三通孔46上，沿着第二通孔45、第三通孔46的内壁面分别形成有，用于将一个主面411和另一个主面412上形成的电极的电导通的贯通电极451、461。并且，第二通孔45、第三通孔46的中间部分成为将一个主面411和另一个主面412间贯通的中空状态的贯通部分452、462。在第二通孔45、第三通孔46各自的外围形成有连接用接合图案453、463。

连接用接合图案453、463被设置在第二密封构件4的一个主面411上，与晶振片2的连接用接合图案265、28接合。连接用接合图案453、463沿着第二密封构件4的短边方向(图6的B1方向)延伸。连接用接合图案453、463被设置为，在第二密封构件4的长边方向(图6的B2方向)上隔开规定间隔，连接用接合图案453、463在B2方向的间隔与晶振片2的连接用接合图案265、28在Z′轴方向的间隔(参照图5)大致相同。

连接用接合图案453、463采用与密封侧第二接合图案421相同的结构，可通过与密封侧第二接合图案421相同的工序形成。具体而言，连接用接合图案453、463由在第二密封构件4的一个主面411上进行物理气相沉积而形成的基底PVD膜、和在该基底PVD膜上进行物理气相沉积而叠层形成的电极PVD膜构成。

晶体谐振器101中，第二通孔45、第三通孔46及连接用接合图案453、463被形成在俯视为内部空间13的内侧之处。第二通孔45、第三通孔46及连接用接合图案453、463不与密封侧第二接合图案421电连接。另外，一个外部电极端子431、另一个外部电极端子432也不与密封侧第二接合图案421电连接。另外，晶体谐振器101中，图6的B1方向与图5的X轴方向一致；图6的B2方向与图5的Z′轴方向一致。

具有上述结构的晶体谐振器101中，不使用现有技术中另外使用的粘结剂等接合专用材料，晶振片2与第一密封构件3在使振动侧第一接合图案251和密封侧第一接合图案321相重合的状态下扩散接合；晶振片2与第二密封构件4在使振动侧第二接合图案252和密封侧第二接合图案421相重合的状态下扩散接合，而制成图1所示的三明治结构的封装体12。由此，封装体12的内部空间13，即振动部22的容纳空间被气密密封。另外，振动侧第一接合图案251和密封侧第一接合图案321本身成为扩散接合后生成的接合材料11，振动侧第二接合图案252和密封侧第二接合图案421本身成为扩散接合后生成的接合材料11。接合材料11被形成为俯视为环状。本实施方式中，从晶振片2的第一激发电极221、第二激发电极222至一个外部电极端子431、另一个外部电极端子432为止的布线线路均被设置在俯视为接合材料11的内侧之处。接合材料11被形成为俯视时接近封装体12的外周缘。由此，能使晶振片2的振动部22的尺寸增大。

此时，上述连接用接合图案彼此也在相重合的状态下扩散接合。具体而言，晶振片2的连接用接合图案264和第一密封构件3的连接用接合图案35扩散接合。晶振片2的连接用接合图案27和第一密封构件3的连接用接合图案36扩散接合。另外，晶振片2的连接用接合图案265和第二密封构件4的连接用接合图案453扩散接合。晶振片2的连接用接合图案28和第二密封构件4的连接用接合图案463扩散接合。然后，各自的连接用接合图案彼此成为扩散接合后生成的接合材料14。因扩散接合而形成的这些接合材料14发挥使通孔的贯通电极与接合材料14电导通的作用、及将接合部位气密密封的作用。另外，如图1中虚线所示，接合材料14被设置为俯视时比密封用的接合材料11更靠内侧。

在此，第一通孔26和第二通孔45被配置为俯视时不相叠合。具体而言，如图6所示，前视(从图6的B1方向看)时，第一通孔26和第二通孔45被配置在上下一条直线上。图6中，为方便起见，用双点划线示出第二密封构件4的上方设置的晶振片2上形成的第一通孔26。另一方面，侧视(从图6的B2方向看)时，第一通孔26和第二通孔45不在一条直线上排列而是相互偏离地配置。更详细而言，接合材料14(连接用接合图案265、453)的长边方向(B1方向)的一个端部连接着第一通孔26；接合材料14的长边方向的另一个端部连接着第二通孔45。并且，第一通孔26的贯通电极261与第二通孔45的贯通电极451通过接合材料14而电连接。如此，通过将第一通孔26和第二通孔45配置为俯视时不叠合，能实现将晶振片2的振动部22气密密封的内部空间13的气密性得到确保的良好结构。

并且，如上所述那样制造的封装体12中，第一密封构件3与晶振片2之间有1.00μm以下的间隙；第二密封构件4与晶振片2之间有1.00μm以下的间隙。换言之，第一密封构件3与晶振片2之间的接合材料11的厚度在1.00μm以下；第二密封构件4与晶振片2之间的接合材料11的厚度在1.00μm以下(具体而言，本实施方式的A u－Au接合中为0.01μm～1.00μm)。而与此相比，使用了S n的现有技术的金属膏密封材料则为5μm～20μm。

另外，本实施方式中，在三明治结构的晶体谐振器101中，较佳为，在第一密封构件3的另一个主面312，即与晶振片2相向的面上设置有与晶振片2的第一激发电极221连接的布线图案33，该布线图案33的至少一部分被设置在俯视时与振动部22和外框部23之间的空间(切口部21)叠合的位置；布线图案33被设置在俯视时与第一激发电极221、第二激发电极222不叠合的位置。

通过采用这样的结构，能将第一密封构件3的另一个主面312作为布线图案33的配置区域而有効利用，从而既能确保振动部22的尺寸，又能实现晶体谐振器101的小型化。换言之，由于不需要在晶振片2上另外确保布线图案33的配置区域，所以相当于增加了振动部22的尺寸。因而，不需要为满足晶体谐振器101的小型化要求而过分缩小振动部22的尺寸。

另外，由于第一密封构件3的另一个主面312被形成为平坦面，所以能减小第一密封构件3的厚度，从而有利于晶体谐振器101的低矮化。换言之，如果在第一密封构件3的另一个主面312上设有凹部，则第一密封构件3的厚度会增加相当于凹部深度的尺寸。然而，通过将第一密封构件3的另一个主面312形成为平坦面，能防止第一密封构件3的厚度增加，从而有利于晶体谐振器101的低矮化。在此情况下，晶振片2的振动部22及连结部24被形成为比外框部23薄，所以，既能实现晶体谐振器101的低矮化，又有利于防止振动部22与第一密封构件3和第二密封构件4接触。

另外，本实施方式中，对第一密封构件3和第二密封构件4采用玻璃，但不局限于此，也可以采用石英晶体。

另外，以上示出的本发明的实施方式及实施例均为将本发明具体化的例子，而非用于对本发明的技术范围进行限定。上述各实施方式中，将晶体谐振器作为晶体振动器件，但也可以将本发明应用于晶体谐振器以外的晶体振动器件(例如，晶体振荡器等)。

本申请以2016年8月30日向日本提出的、申请号为日本特愿2016－167646号的日本发明专利申请为基础，要求其优先权。因此，其全部内容被导入本申请。

工业实用性

本发明适用于将石英晶体用作压电振动板的基板材料的晶体振动器件(晶体谐振器、晶体振荡器等)。

Claims (8)

1.一种晶振片，是具有一个主面和另一个主面的俯视为矩形的AT切割晶振片，其特征在于：

具备

在所述晶振片的中间部分的一个主面上形成有第一激发电极、另一个主面上形成有第二激发电极、且俯视为矩形的振动部；

形成在所述振动部的外周的切口部；

形成在所述切口部的外周、且内周缘俯视为矩形的外框部；以及

将所述振动部与所述外框部连结的一个连结部，

所述一个连结部被形成为，从所述振动部的与X轴方向平行的边的一个端部沿着所述振动部的Z′轴方向延伸，并只与所述外框部的与X轴方向平行的内周缘连接，

在所述连结部的+X轴侧的侧面形成有第一宽幅部，所述第一宽幅部被形成为，只从所述振动部朝着所述外框部宽度逐渐变宽，

在所述连结部的－X轴侧的侧面形成有第二宽幅部，所述第一宽幅部和所述第二宽幅部被形成为相互非对称的形状。

2.如权利要求1所述的晶振片，其特征在于：

所述第一宽幅部及所述第二宽幅部被设置在所述连结部的－Z′轴侧的部分。

3.如权利要求1或2所述的晶振片，其特征在于：

在所述连结部的+Z′轴侧的部分且为该连结部的－X轴侧的侧面，形成有第三宽幅部，

所述第三宽幅部被形成为，从所述振动部朝着所述外框部宽度逐渐变窄。

4.如权利要求3所述的晶振片，其特征在于：

所述第三宽幅部被形成为，俯视时小于所述第一宽幅部及所述第二宽幅部。

5.如权利要求1或2所述的晶振片，其特征在于：

在夹着所述振动部的中心，俯视为所述连结部的对角位置上，形成有从所述外框部的内周缘向所述切口部侧突出的突出部。

6.如权利要求3所述的晶振片，其特征在于：

在夹着所述振动部的中心，俯视为所述连结部的对角位置上，形成有从所述外框部的内周缘向所述切口部侧突出的突出部。

7.如权利要求4所述的晶振片，其特征在于：

在夹着所述振动部的中心，俯视为所述连结部的对角位置上，形成有从所述外框部的内周缘向所述切口部侧突出的突出部。

8.一种晶体振动器件，其特征在于：具备

如权利要求1至7中任一项所述的晶振片；

覆盖所述晶振片的一个主面的第一密封构件；以及

覆盖所述晶振片的另一个主面的第二密封构件。

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