TWI639307B - 晶振片及晶體振動器件 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種既能提高抗衝擊性能又能抑制電氣特性惡化的可靠性高的晶振片及晶體振動器件。該晶振片是一種AT切割晶振片(2)，其具備：在中間部分的表裡主面上形成有激發電極的俯視為矩形的振動部(22)；在振動部的外周形成的俯視為矩形的切口部(21)；在所述切口部的外周形成的俯視為矩形的外框部(23)；及從所述振動部的與X軸方向平行的邊的一個端部沿著所述振動部的Z’軸方向延伸，將所述振動部與外框部連結的一個連結部(24)。所述連結部上形成有只朝著外框部寬度逐漸變寬的寬幅部(24a、24b)。

Description

晶振片及晶體振動器件

本發明涉及一種具備在一個主面上形成的第一激發電極和在另一個主面上形成的第二激發電極的AT切割晶振片及具備該晶振片的晶體振動器件。

近年，各種電子設備朝著工作頻率高頻化、封裝體小型化(特別是低矮化)方向發展。因此，隨著高頻化及封裝體小型化，要求晶體振動器件也對應於高頻化及封裝體小型化。

尤其是，晶體振動器件中作為對應於小型化的器件，已有以下器件。該器件為，殼體由長方體的封裝體構成，包括由玻璃或石英晶體等脆性材料構成的第一密封件和第二密封件、及由石英晶體構成且在兩個主面上形成有激發電極的晶振片，第一密封件與第二密封件通過晶振片而疊層接合，配置在封裝體內部的晶振片的激發電極被氣密密封(例如，參照下述專利文獻1)。這種疊層形態的晶體振動器件通常被稱為三明治結構。

然而，如上所述的三明治結構的晶體振動器件中，晶振片的功能區域中有：作為晶體諧振器而進行激振用的振動部的區域、作為用於將晶振片與密封構件接合從而將振動部氣密密封的外框部的區域、作為用於將外框部與振動部隔離以使外框部不妨礙上述振動部進行激振的切口部的區域、作為用於將振動部與外框部連結 的連結部的區域、及作為用於使晶振片的佈線線路與密封構件的佈線線路電連接的佈線部(佈線圖案、佈線用通孔等)的區域。

這樣的晶體振動器件中，因連結部的結構而有可能出現以下問題。即，若從振動部向外框部傳遞的振動位移較大，則會發生振動洩漏，從而使壓電振動效率變差，另外，因落下等外部衝擊而振動部大幅彎曲，則會導致連結部破損等。而現狀是，三明治結構的晶體振動器件中，只靠連結部的設計來消除振動洩漏的不良影響並同時提高抗衝擊性能是較為困難的。

[專利文獻1]：日本特開2015-122652號公報

為了解決上述技術問題，本發明的目的在於，提供一種既能提高抗衝擊性能又能抑制電氣特性惡化的可靠性更高的晶振片及晶體振動器件。

為了達到上述目的，本發明的晶振片是具有一個主面和另一個主面且俯視為矩形的AT切割晶振片，其具備：在所述晶振片的中間部分的一個主面上形成有第一激發電極、另一個主面上形成有第二激發電極、且俯視為矩形的振動部；形成在所述振動部的外周的切口部；形成在所述切口部的外周且內周緣俯視為矩形的外框部；以及將所述振動部與所述外框部連結的一個連結部，該一個連結部被構成為，從所述振動部的與X軸方向平行的邊的一個端部沿著所述振動部的Z’軸方向延伸，並只與所述外框部的與X軸方向平行的內周緣連接，所述連結部的+X軸側的側面形成有寬幅部， 所述寬幅部被形成為，只從所述振動部朝著所述外框部寬度逐漸變寬。

基於上述結構，由於只通過從振動部的與X軸方向平行的邊的一個端部沿著振動部的Z’軸方向延伸，並只與外框部的與X軸方向平行的內周緣連接的一個連結部來實現振動部與外框部間的連結，因而，不會構成沿著AT切割的振動部中振動位移分佈較高的軸方向、即X軸延伸的連結部。另外，俯視為矩形的振動部中，角部(X軸方向的邊的端部)是振動位移最小的區域。此外，由於連結部只與外框部的與X軸方向平行的內周緣的一個邊連接，所以不會出現將振動傳遞到與該X軸方向平行的內周緣以外的多個部分(多個方向)而產生洩露的情況。由此，能減少從振動部向外框部洩露的振動所產生的影響，從而能使晶振片的振動部更高效地進行壓電振動。另外，由於只用一個連結部將振動部與外框部連結，所以與用多個連結部將振動部與外框部連結的情況相比，能減輕施加於振動部的應力。因此，能防止因外框部所施加的應力，振動部受到應力作用而引起頻移的情況發生，從而能使晶振片的振動部更穩定地進行壓電振動。

另外，在落下或加工工程中外部衝擊施加於晶振片的情況下，晶振片的振動部中最容易移位的部位是，位於與連結部連接的振動部角部的對角位置的振動部角部，即振動部的自由端。並且，晶振片的振動部產生移位時，連結部中應變應力最集中的部位不是連結部自由端的與振動部連接的部分，而是連結部固定端的與外 框部連接的部分。尤其是，連結部的與外框部連接的部分中，與離振動部自由端最遠的外框部內周緣的角部近旁的一側連接的部分為應力最集中的部位。對此，所述連結部被構成為，至少在與外框部內周緣的角部接近的所述連結部的+X軸側的側面形成有寬幅部，所述寬幅部被形成為寬度只從振動部朝著外框部逐漸變寬。因此，能提高連結部固定端的與外框部連接的部分的應力最集中部位的剛性，並能使因外部衝擊引起的晶振片振動部移位而施加於連結部的應變應力向外框部擴散而得到分散。而且，與將連結部整體構成為寬度較寬、或構成寬度從外框部朝著振動部變寬的寬幅部的情況相比，更能有效地抑制從振動部向外框部洩露的振動的影響。

因而，本發明能提供既能提高抗衝擊性能又能抑制電氣特性惡化的可靠性更高的晶振片。

本發明中，在上述結構的基礎上，也可以為，在所述連結部的-X軸側的側面形成有第二寬幅部，在將所述連結部的+X軸側的側面的寬幅部作為第一寬幅部的情況下，所述第一寬幅部和所述第二寬幅部被形成為相互不對稱的形狀。

基於上述結構，能進一步提高應變應力容易集中的連結部固定端的與外框部連結的部分的剛性，並且，通過改變所述連結部的-X軸側的側面與+X軸側的側面間的應力平衡，能緩和應變應力集中施加於外框部與連結部間的連接部分的情況。

本發明中，在上述結構的基礎上，也可以為，所述第一寬幅部及所述第二寬幅部被設置在所述連結部的-Z’軸側的部分。在此情況下，也可以為，在所述連結部的+Z’軸側的部分且為該連結部的-X軸側的側面形成有第三寬幅部，所述第三寬幅部被形成為，從所述振動部朝著所述外框部寬度逐漸變窄。

基於上述結構，在連結部除了第一寬幅部及第二寬幅部之外，還設置有第三寬幅部，因而，能借助於第一寬幅部及第二寬幅部提高連結部的與外框部連接的部分的剛性，同時還能借助於第三寬幅部提高連結部的與振動部連接的部分的剛性。

本發明中，在上述結構的基礎上，也可以為，所述第三寬幅部被形成為，俯視時小於所述第一寬幅部及所述第二寬幅部。

基於所述結構，既能抑制經由連結部從振動部洩漏到外框部的振動的影響，又能抑制亂真發生等對壓電振動特性產生的不良影響。

本發明中，在上述結構的基礎上，也可以為，在夾著所述振動部的中心，俯視為所述連結部的對角位置上，形成有從所述外框部的內周緣向所述切口部側突出的突出部。

基於上述結構，在振動部的自由端向X軸方向過度移位之前，振動部的自由端附近的端部與外框部的突出部相抵接而受到支撐。因此，在落下或加工工程中外部衝擊施加於晶振片的情況下，晶振片的振動部不會向板面方向大幅彎曲，從而能防止連結部破損等。另外，由於不在振動部形成突出部而在外框部形成突出部， 所以不存在因在振動部形成突出部而引起振動位移區域變化或亂真發生等從而對壓電振動特性產生不良影響的危險性，另外，由於提高了外框部的剛性，所以還有利於提高抗衝擊性能。

較佳為，本發明被應用於，具備覆蓋所述晶振片的一個主面的第一密封構件、及覆蓋所述晶振片的另一個主面的第二密封構件的層疊形態的三明治結構的晶體振動器件。

基於該結構，由於採用第一密封構件和第二密封構件夾著晶振片的結構，所以能實現較為小型的晶體振動器件。另外，由於具備上述晶振片，所以既能實現晶體振動器件的小型化，又能提高抗衝擊性能，還能抑制電氣特性的惡化。

基於上述結構，本發明能提供既能提高抗衝擊性能又能抑制電氣特性惡化的可靠性更高的晶振片。

101‧‧‧晶體諧振器

11、14‧‧‧接合構件

12‧‧‧封裝體

13‧‧‧內部空間

2‧‧‧晶振片

21‧‧‧切口部

211、212、2201、2202、2401、2402、312、411、412‧‧‧主面

22‧‧‧振動部

22a、22b、22c、22d、235b、235c、235d‧‧‧角部

221‧‧‧第一激發電極

222‧‧‧第二激發電極

223‧‧‧第一引出電極

224‧‧‧第二引出電極

225‧‧‧邊

23‧‧‧外框部

23b、23c、23d‧‧‧凸部

231、232、233、234‧‧‧內周緣

235e、235f、235g‧‧‧突出部

24‧‧‧連結部(保持部)

24a、24b、24a1、24b1、24b2‧‧‧寬幅部

24d‧‧‧第一寬幅部

24e‧‧‧第二寬幅部

24f‧‧‧第三寬幅部

24h、24g‧‧‧部分

241、242‧‧‧端部

25‧‧‧振動側密封部

251‧‧‧振動側第一接合圖案

2511、2521、3211、4211、4311、4321‧‧‧基底PVD膜

2512、2522、3212、4212、4312、4322‧‧‧電極PVD膜

252‧‧‧振動側第二接合圖案

26‧‧‧第一通孔

261、451、461‧‧‧貫通電極

262、452、462‧‧‧貫通部分

264、265、27、28、35、36、453、463‧‧‧連接用接合圖案

3‧‧‧第一密封構件

32‧‧‧密封側第一封止部

321‧‧‧密封側第一接合圖案

33‧‧‧佈線圖案

4‧‧‧第二密封構件

42‧‧‧密封側第二封止部

431、432‧‧‧外部電極端子

45‧‧‧第二通孔

46‧‧‧第三通孔

圖1是表示本發明的實施方式所涉及的晶體諧振器的各構成部分的概要結構圖。

圖2是晶體諧振器的第一密封構件的概要俯視圖。

圖3是晶體諧振器的第一密封構件的概要仰視圖。

圖4是晶體諧振器的晶振片的概要俯視圖。

圖5是晶體諧振器的晶振片的概要仰視圖。

圖6是晶體諧振器的第二密封構件的概要俯視圖。

圖7是晶體諧振器的第二密封構件的概要仰視圖。

圖8是與本發明的其它的實施方式一相關的俯視圖。

圖9是圖8的C-C線上的截面圖。

圖10是與本發明的其它的實施方式二、實施方式三相關的俯視圖。

圖11是與本發明的其它的實施方式四相關的俯視圖。

圖12是與本發明的其它的實施方式五相關的俯視圖。

圖13是與本發明的其它的實施方式六相關的俯視圖，也是將晶振片的要部放大表示的圖。

以下，參照附圖對本發明的實施方式進行說明。在以下實施方式中，對於將本發明應用於作為晶體振動器件的晶體諧振器的情況進行說明。

如圖1所示，在本實施方式所涉及的晶體諧振器101中，設置有晶振片2、第一密封構件3及第二密封構件4，其中，第一密封構件3將晶振片2的第一激發電極221(參照圖4)覆蓋，並將形成在晶振片2的一個主面211上的該第一激發電極221氣密密封；第二密封構件4在該晶振片2的另一個主面212上將晶振片2的第二激發電極222(參照圖5)覆蓋，並將與第一激發電極221形成為一對的該第二激發電極222氣密密封。該晶體諧振器101中，構成有晶振片2與第一密封構件3接合，晶振片2與第二密封構件4接合的三明治結構的封裝體12。

並且，由於第一密封構件3與第二密封構件4通過晶振片2而接合，所以形成了封裝體12的內部空間13，在該封裝體12的內部空間13內，包括形成在晶振片2的一個主面211上的第一激發電極221和形成在晶振片2的另一個主面212上的第二激發電極222的振動部22被氣密密封。本實施方式所涉及的晶體諧振器101的封裝體尺寸例如為1.0×0.8mm，實現了小型化和低矮化。另外，伴隨著小型化，封裝體12中未形成雉堞牆，而使用通孔(第一~第三通孔)來實現電極的電導通。

下面，結合圖1~圖7，對上述晶體諧振器101的各構成部分進行說明。另外，在此，對作為晶振片2、第一密封構件3、第二密封構件4尚未接合時的各單體而構成的各構件進行說明。

晶振片2如圖4、圖5所示，由作為壓電材料的石英晶體構成，其兩個主面(一個主面211、另一個主面212)被加工成平坦平滑面(鏡面加工)。該一個主面211與另一個主面212相互平行。本實施方式中，作為晶振片2，採用了俯視為矩形的進行厚度剪切振動的AT切割石英晶體板。圖4、圖5所示的晶振片2中，晶振片2的兩個主面211、212位於XZ’平面。該XZ’平面中，與晶振片2的短邊方向平行的方向為X軸方向；與晶振片2的長邊方向平行的方向為Z’軸方向。另外，AT切割是在人工石英晶體的三個晶軸，即電軸(X軸)、機軸(Y軸)、及光軸(Z軸)中，圍繞X軸相對Z軸只傾斜了35度15分的角度進行切割的加工方法。AT切割石英晶體板中，X軸與石英晶體的晶軸一致。Y’軸及Z’軸與相對石英晶體的晶軸的Y軸及Z軸 分別傾斜35度15分的軸一致。Y’軸方向及Z’軸方向相當於將AT切割石英晶體板切割時的切割方向。

在晶振片2的中間部分有被加工成俯視為矩形的振動部22，其兩個主面(一個主面211、另一個主面212)上形成有一對激發電極(第一激發電極221、第二激發電極222)。第一激發電極221、第二激發電極222上連接著用於與後述的外部電極端子(一個外部電極端子431、另一個外部電極端子432)連接的引出電極(第一引出電極223、第二引出電極224)。

換言之，在振動部22的一個主面側形成有第一激發電極221；在振動部22的另一個主面側形成有背對該第一激發電極221的第二激發電極222。另外，在第一激發電極221上形成有，經由後述的連結部24延伸至外框部23並最終與一個外部電極端子431連接的第一引出電極223；在第二激發電極222上形成有，經由後述的連結部24延伸至外框部23並最終與另一個外部電極端子432連接的第二引出電極224。

另外，具有切口部21、外框部23及一個連結部(保持部)24，其中，切口部21形成在晶振片2的振動部22的外周，沿晶振片2的厚度方向將一個主面211與另一個主面212之間貫通，其外周緣和內周緣俯視為矩形；外框部23被形成為包圍著振動部22和切口部21的外周的狀態，其外周緣和內周緣俯視為矩形；一個連結部24被形成為，向晶振片2的Z’軸方向延伸並只與外框部23的與X軸方向平行的內周緣233的一個邊連接，從而將振動部22與外框部23連結。晶 振片2被構成為，振動部22、連結部24、及外框部23形成為一體。這些振動部22、連結部24、及外框部23的兩個主面(一個主面、另一個主面)被形成為，互為相同的面或者厚度不同的平行的面。本實施方式中，振動部22與連結部24厚度相同，與它們的厚度相比，外框部23的厚度更厚，因而，振動部22和連結部24的兩個主面(一個主面、另一個主面)分別為相同的面，而相對於振動部22和連結部24的兩個主面(一個主面、另一個主面)，外框部23的兩個主面(一個主面、另一個主面)為與它們平行的面。

另外，不局限於本實施方式，也可以改變振動部22和連結部24的厚度，例如，也可以將外框部23形成為厚度最厚，將振動部22形成為厚度第二厚，將連結部24形成為厚度最薄。另外，也可以在振動部22的一部分形成厚度不同的區域、構成凸台形狀或倒凸台形狀。通過這樣使外框部23與連結部24厚度不同，外框部23與連結部24、或連結部24與振動部22間的壓電振動的固有振動頻率會不同，從而兩者不容易產生共振。

另外，也可以如圖8、圖9所示的其它的實施方式一那樣，使連結部24與外框部23厚度相同，只將振動部22形成得較薄。這樣的結構中，除了因振動部22與連結部24的壓電振動的固有振動頻率不同，連結部24不容易與振動部22的壓電振動產生共振之外，還能提高連結部24的與外框部23連接的部分的剛性，同時，能使因外部衝擊引起振動部22移位而施加於連結部24的應變應力集中的情況得到緩和。

換言之，本實施方式中，只在振動部22與外框部23之間的Z’軸方向的一個部位設置有連結部24，連結部24只從位於振動部22的+X方向及-Z’方向的一個角部22a(振動部22的與X軸方向平行的邊的一個端部)朝著-Z’方向延伸(沿著Z’軸方向延伸)至外框部23。未設置連結部24的部位成為切口部21的空間(間隙)。如此，振動部22的外周緣部中，只在壓電振動的移位較小的角部22a的一個部位(振動部22的與X軸方向平行邊的一個端部)設置有沿著Z’軸方向延伸的一個連結部24。

因此，不會構成沿著AT切割的振動部22中振動位移分佈較高的軸方向、即X軸延伸的連結部24。此外，俯視為矩形的振動部22中，角部(X軸方向的邊的端部)為振動位移最小的區域。因此，經由連結部24從振動部22洩漏到外框部23的壓電振動的影響減小，能使晶振片2的振動部22更高效地進行壓電振動。另外，與設置兩個以上連結部24的情況相比，能減輕作用於振動部22的應力，從而能減少由這樣的應力引起的壓電振動頻移，使壓電振動的穩定性提高。另外，能提供有利於小型化的帶有外框部的晶振片2。

如上所述，本發明的一個特徵在於：具有從振動部22的X軸方向的端部沿著Z’軸方向延伸出的唯一的連結部24。除此特徵外，還具有以下特徵：在外框部23的Z’軸方向的內周緣上至少形成有，與振動部22的自由端側的角部接近的凸部(突出部)，其中，振動部22的自由端是指，位於與連結部24連接的振動部22角部的對角側的 一端。以下，對圖4、圖5所示的本實施方式的追加特徵進行詳細說明。

在外框部23的Z’軸方向的內周緣231上形成有半圓形的凸部23c，該半圓形的凸部23c接近與連結部24連接的振動部22的角部22a的對角位置上的角部22c。與外框部23的內周緣231在X軸方向上相對的內周緣232上，在與振動部22的角部22b接近並與凸部23c相對的位置上也形成有相同形狀的凸部23b。換言之，在外框部23的Z’軸方向的內周緣231、內周緣232上，與振動部22的角部22c、角部22b接近的半圓形的凸部23b、凸部23c被形成為，相對於從外框部23的X軸方向的中心通過並與Z’軸平行的中心線線對稱。

因此，在振動部22的自由端的角部22c尚未在X軸方向發生過度的移位之前，振動部22的角部22c附近的端部會與外框部23的Z’軸方向的內周緣231上的凸部23c相抵接而受到支撐；振動部22的角部22b附近的端部會與外框部23的Z’軸方向的內周緣232上的凸部23b相抵接而受到支撐。因此，晶振片2的振動部22不會向板面方向大幅彎曲，能防止連結部24破損等。另外，由於只在外框部23的Z’軸方向的內周緣的一部分設置有凸部23b、凸部23c，所以不會使振動部22的有效面積變窄，能夠消除因晶振片2的小型化引起振動區域縮小而造成的電氣特性降低。

另外，凸部的個數不為本實施方式所限定，也可以如圖10(a)所示的其它的實施方式二那樣，只在外框部23的Z’軸方向的內周緣231的一個部位形成半圓形的凸部23c，形成該凸部23c的部位接近與 連結部24連接的振動部22的角部22a的對角位置上的角部22c。進一步，也可以如圖10(b)所示的其它的實施方式三那樣，在Z’軸方向的內周緣231及內周緣232的三個部位形成半圓形的凸部23d、凸部23c、及凸部23b，形成凸部23d、凸部23c、及凸部23b的部位分別接近與連結部24連接的振動部22的角部22a以外的角部22d、角部22c、角部22b。

另外，上述凸部不局限於俯視形狀為半圓形，可以是橢圓形等具有曲率的形狀，也可以是三角形、矩形等多角形。此外，各凸部的厚度是相應於加工工序而形成的情況下，較佳為與外框部23、振動部22等厚度相同，但無特別限定。

在此，也可以取代在外框部23的內周緣設置半圓形凸部，而如圖11所示的其它的實施方式四那樣，在外框部23的內周緣的角部形成突出部。

如圖11所示，在外框部23的平行於Z’軸方向的內周緣231與平行於X軸方向的內周緣234大致直角狀地連接的角部235c上，形成有向切口部21側突出的突出部235f。該突出部235f朝著振動部22的角部22c突出，夾著振動部22的中心，被設置在俯視為連結部24的對角的位置上。突出部235f被形成為大致三角形，側面被形成為凹狀地彎曲的形狀(R形狀)。

另外，如圖11所示，在外框部23的平行於Z’軸方向的內周緣232與平行於X軸方向的內周緣234大致直角狀地連接的角部235b上，形成有向切口部21側突出的突出部235e。該突出部235e為近似三角 形，側面被形成為凹狀彎曲的形狀(R形狀)，朝著振動部22的角部22b突出。同樣地，在外框部23的平行於Z’軸方向的內周緣231與平行於X軸方向的內周緣233大致直角狀地連接的角部235d上，形成有向切口部21側突出的突出部235g。該突出部235g為近似三角形狀，側面被形成為凹狀地彎曲的形狀(R形狀)，朝著振動部22的角部22d突出。突出部235g被設置在夾著振動部22的中心，俯視為突出部235e的對角的位置上。

如此，在外框部23的內周緣的角部235b、235c、235d上形成有突出部235e、235f、235g。借助於突出部235e、235f、235g，能夠獲得與上述凸部23b、23c、23d同樣的效果。即，突出部235e、235f、235g的部分相當於切口部21的寬度變窄的量，由於突出部235e、235f、235g與振動部22之間的距離縮短，所以晶振片2的振動部22不會向板面方向大幅彎曲，能防止連結部24的破損等。另外，由於只在外框部23的內周緣的一部分設置有突出部235e、235f、235g，所以振動部22的有效面積不會變窄，還能消除因晶振片2的小型化而振動區域縮小所造成的電氣特性惡化。

另外，如圖11所示，在連結部24的對角位置設置的突出部235f被形成為，大於在連結部24的對角位置以外的位置設置的突出部235e、235g。因此，在連結部24的對角位置設置的突出部235f與振動部22之間的距離小於在設置在連結部24的對角位置以外的位置設置的突出部235e、235g與振動部22之間的距離。

在此，落下或加工過程中外部衝擊施加於晶振片2的情況下，晶振片2的振動部22中最容易移位的是，與連結部24連接的振動部22的角部22a的對角位置上的振動部22的角部22c、即振動部的自由端。由於連結部24沿著Z’軸方向延伸，所以振動部22的自由端尤其在板面方向(X軸和Z’軸)中的X軸方向上容易發生過度的移位。該結構中，夾著振動部22的中心，在俯視為連結部24的對角的位置上，形成有從外框部23的內周緣向切口部21側突出的突出部235f，該突出部235f被形成為大於設置在連結部24的對角位置以外的位置上的突出部235e、235g。由此，振動部22的自由端在X軸方向上尚未發生過度的移位之前，振動部22的自由端附近的端部與外框部23的突出部235f相抵接而受到支撐。因此，晶振片2的振動部22不會向板面方向大幅彎曲，從而能防止連結部24的破損等。另外，由於未在振動部22形成突出部，而在外框部23形成突出部235f，所以能消除因在振動部22形成突出部而引起振動位移區域變化或發生亂真等從而對壓電振動特性造成不良影響的危險性，並有利於提高外框部23的剛性從而提高抗衝擊性能。

另外，如圖12所示的其它的實施方式五那樣，某些情況下，振動部22的角部22b、22c、22d不是直角，而是被形成為凸狀地彎曲的形狀(R形狀)。換言之，振動部22的角部22b、22c、22d被形成為頂點被切成彎曲形狀，從而切口部21的寬度變寬。在此情況下，較佳為如圖12所示那樣，使連結部24的對角位置上設置的角部22c的切除部分小於連結部24的對角位置以外的位置上設置的角部 22b、22d的切除部分。由此，能使連結部24的對角位置上設置的角部22c與外框部23之間的距離小於連結部24的對角位置以外的位置上設置的角部22b、22d與外框部23之間的距離，從而能獲得與在外框部23上設置如上所述的凸部23c(參照圖4)、突出部235f(參照圖11)的情況相同的效果。

其次，本發明中，除了具有從振動部22的X軸方向的端部向Z’軸方向延伸的唯一的連結部24這一特徵之外，還具有另一特徵：連結部24在連結部24的+X軸側的側面具備寬幅部24b(本發明所說的第一寬幅部)，寬幅部24b被形成為只從振動部22朝著外框部23寬度(X軸方向的寬度)逐漸變寬。以下，對如圖4、圖5所示的本實施方式中的上述另一特徵進行詳細說明。

本實施方式的連結部24中，在連結部24的-X軸側的側面和+X軸側的側面的兩方形成有寬幅部24a(本發明所說的第二寬幅部)和寬幅部24b(本發明所說的第一寬幅部)。各寬幅部被形成為，從與振動部22相接的端部241至與外框部23相接的端部242整體只朝著一個方向直線狀地寬度擴展的俯視為近似八字形的形狀。另外，與寬幅部24a相比，寬幅部24b被形成為相對於Z’軸的擴展角度更大、其面積也更大。即，寬幅部24a和寬幅部24b被形成為相互不對稱的形狀。

由此，能提高連結部24固定端側的與外框部23連接的部分的剛性，同時，能使因外部衝擊引起晶振片2的振動部22移位而施加於連結部24的應變應力擴散到外框部23從而被分散。而且，與將連 結部24整體構成為寬度較寬的情況相比，如上所述那樣，還能抑制從振動部22向外框部23洩漏的振動的影響。進一步，由於寬幅部24a和寬幅部24b被形成為相互不對稱的形狀，所以能通過改變連結部24的-X軸側的側面與+X軸側的側面間的應力平衡，而使施加於外框部23與連結部24接觸的部分的應變應力集中的情況得到緩和。

另外，這些寬幅部的形狀不受本實施方式限定，也可以如圖10(a)所示的其它的實施方式二那樣，將寬幅部24a1形成為，從連結部24的中間至與外框部23相接的端部242的連接點為止朝著一個方向彎曲狀地寬度擴展；將寬幅部24b1形成為，從與振動部22相接的端部241至與外框部23相接的端部242，整體只朝著一個方向的彎曲狀地寬度擴展。並且，也可以如圖10(b)所示的其它的實施方式三那樣，將寬幅部24b2形成為，只在連結部24的+X軸側的側面，從與振動部22相接的端部241至與外框部23相接的端部242，整體只向一個方向直線狀地寬度擴展。如此，本實施方式的寬幅部可被形成在連結部24的整體(從與振動部22間的連接點、即端部241至與外框部23間的連接點、即端部242為止的整體)；也可如圖13所示的其它的實施方式六那樣，只形成在連結部24的一部分。另外，其形狀可以是彎曲狀，也可以是直線狀，還可以是它們的組合。

圖13所示的其它的實施方式六中，在連結部24的+X軸側的側面設置的第一寬幅部24d、和在連結部24的-X軸側的側面設置的第二寬 幅部24e只形成在連結部24的一部分，而未形成在連結部24的整體。另外，圖13中省略了第一激發電極221、第一引出電極223等的圖示。

具體而言，如圖13所示，第一寬幅部24d及第二寬幅部24e被設置在連結部24的靠外框部23一側的部分(-Z’軸側的部分)，而未設置在連結部24的靠振動部22一側的部分(+Z’軸側的部分)。第一寬幅部24d及第二寬幅部24e被形成為近似三角形，側面被形成為凹狀地彎曲的形狀(R形狀)。

除了該第一寬幅部24d及第二寬幅部24e之外，在連結部24的靠振動部22一側的部分(+Z’軸側的部分)還形成有第三寬幅部24f。第三寬幅部24f與第一寬幅部24d及第二寬幅部24e不同，被形成為從振動部22朝著外框部23寬度逐漸變窄。第三寬幅部24f被形成為近似三角形，側面被形成為凹狀地彎曲的形狀(R形狀)。

第三寬幅部24f被設置在連結部24的-X軸側的側面。換言之，在連結部24的-X軸側的側面形成有第二寬幅部24e及第三寬幅部24f。圖13的例中，在第二寬幅部24e與第三寬幅部24f之間設置有與Z’軸方向平行地延伸的部分24h。另一方面，在連結部24的+X軸側的側面只設置有第一寬幅部24d，連結部24的靠振動部22一側的部分(+Z’軸側的部分)24g被形成為與Z’軸方向平行。該部分24g的+X軸側的側面從振動部22的與Z’軸方向平行的邊225開始直線狀地延伸。另外，圖13的例中，在比連結部24的Z’軸方向的中間位置更靠近-Z’軸側之處設置有第一寬幅部24d及第二寬幅部24e；在比其 中間位置更靠近+Z’軸側之處設置有第三寬幅部24f。但是，不局限於此，也可以將第一寬幅部24d及第二寬幅部24e一直形成到超過連結部24的Z’軸方向的中間位置為止的位置。

如上所述，在連結部24，除了第一寬幅部24d及第二寬幅部24e之外，還設置有第三寬幅部24f，因而，能提高通過第一寬幅部24d及第二寬幅部24e而與連結部24的外框部23連接的部分(端部242)的剛性，並能提高通過第三寬幅部24f而與連結部24的振動部22連接的部分(端部241)的剛性。

另外，如圖13所示，由於第三寬幅部24f被形成為俯視時比第一寬幅部24d及第二寬幅部24e更小，所以能抑制通過連結部24從振動部22向外框部23洩漏的振動的影響，並且還能抑制亂真發生等對壓電振動特性產生的不良影響。

並且，在晶振片2中，從第一激發電極221引出第一引出電極223，該第一引出電極223經由連結部24，與在外框部23形成的連接用接合圖案27相連。從第二激發電極222引出第二引出電極224，該第二引出電極224經由連結部24，與在外框部23形成的連接用接合圖案28相連。

第一激發電極221由在振動部22的一個主面2201上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜、及在該基底PVD膜上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜構成。第一引出電極223由在連結部24的一個主面2401的一部分及一個側面的一部分上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜、及在該基底PVD膜上進行物理氣相沉積而 疊層形成的電極PVD膜構成。第二激發電極222由在振動部22的另一個主面2202上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜、及在該基底PVD膜上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜構成。第二引出電極224由在連結部24的另一個主面2402的一部分及另一側面的一部分上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜、及在該基底PVD膜上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜構成。

在晶振片2的兩個主面211、212上分別設置有用於將晶振片2與第一密封構件3和第二密封構件4接合的振動側密封部25。在晶振片2的一個主面211的振動側密封部25上形成有用於與第一密封構件3接合的振動側第一接合圖案251。另外，在晶振片2的另一個主面212的振動側密封部25上形成有用於與第二密封構件4接合的振動側第二接合圖案252。振動側第一接合圖案251及振動側第二接合圖案252被設置在上述外框部23，並被形成為俯視為環狀。振動側第一接合圖案251及振動側第二接合圖案252被設置為，與晶振片2的兩個主面211、212的外周緣接近。晶振片2的一對第一激發電極221、第二激發電極222不與振動側第一接合圖案251及振動側第二接合圖案252電連接。

振動側第一接合圖案251由在一個主面211上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜2511、和在基底PVD膜2511上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜2512構成。振動側第二接合圖案252由在另一個主面212上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜2521、和在基底PVD膜2521上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD 膜2522構成。換言之，振動側第一接合圖案251和振動側第二接合圖案252具有相同結構，由多個層在兩個主面211、212的振動側密封部25上疊層而構成，從其最下層側起蒸鍍形成有Ti層(或者Cr層)和Au層。如此，振動側第一接合圖案251和振動側第二接合圖案252中，基底PVD膜2511、2521由單一的材料(Ti(或者Cr))構成；電極PVD膜2512、2522由單一的材料(Au)構成，與基底PVD膜2511、2521相比，電極PVD膜2512、2522更厚。另外，晶振片2的一個主面211上形成的第一激發電極221和振動側第一接合圖案251具有相同厚度，第一激發電極221和振動側第一接合圖案251的表面由相同金屬構成，晶振片2的另一個主面212上形成的第二激發電極222和振動側第二接合圖案252具有相同厚度，第二激發電極222和振動側第二接合圖案252的表面由相同金屬構成。另外，振動側第一接合圖案251和振動側第二接合圖案252為非Sn圖案。

在此，可以對第一激發電極221、第一引出電極223及振動側第一接合圖案251採用相同結構，在此情況下，可用相同工序一起形成第一激發電極221、第一引出電極223及振動側第一接合圖案251。同樣，可以對第二激發電極222、第二引出電極224及振動側第二接合圖案252採用相同結構，在此情況下，可用相同工序一起形成第二激發電極222、第二引出電極224及振動側第二接合圖案252。詳細而言，通過用真空蒸鍍、濺射、離子電鍍、MBE、鐳射燒蝕等PVD法(例如，光刻等加工中的圖案化用的膜形成法)形成基底 PVD膜及電極PVD膜，而一起進行膜形成，能減少製造工序，從而有利於降低成本。

另外，如圖4、5所示，在晶振片2上形成有將一個主面211與另一個主面212間貫通的一個通孔(第一通孔26)。第一通孔26設置於晶振片2的外框部23。第一通孔26與後述的第二密封構件4的連接用接合圖案453相連。

如圖1、4、5所示，在第一通孔26上，沿著第一通孔26的內壁面形成有用於將一個主面211和另一個主面212上形成的電極電導通的貫通電極261。並且，第一通孔26的中間部分成為將一個主面211與另一個主面212間貫通的中空狀態的貫通部分262。在第一通孔26的週邊形成有連接用接合圖案264、265。連接用接合圖案264、265被設置在晶振片2的兩個主面211、212上。

晶振片2的一個主面211上形成的第一通孔26的連接用接合圖案264在外框部23沿著X軸方向延伸。另外，在晶振片2的一個主面211上形成有與第一引出電極223相連的連接用接合圖案27，該連接用接合圖案27也在外框部23沿著X軸方向延伸。連接用接合圖案27被設置在連接用接合圖案264的Z’軸方向的相反側，連接用接合圖案27和連接用接合圖案264夾著振動部22(第一激發電極221)。換言之，在振動部22的Z’軸方向的兩側設置有連接用接合圖案27、264。

同樣，在晶振片2的另一個主面212上形成的第一通孔26的連接用接合圖案265在外框部23中沿著X軸方向延伸。另外，在晶振片2 的另一個主面212上，形成有與第二引出電極224相連的連接用接合圖案28，該連接用接合圖案28也在外框部23中沿著X軸方向延伸。連接用接合圖案28被設置在連接用接合圖案265的Z’軸方向的相反側，連接用接合圖案28和連接用接合圖案265夾著振動部22(第二激發電極222)。換言之，在振動部22的Z’軸方向的兩側設置有連接用接合圖案28、265。

連接用接合圖案27、28、264、265採用與振動側第一接合圖案251、振動側第二接合圖案252相同的結構，可通過與振動側第一接合圖案251、振動側第二接合圖案252相同的工序形成連接用接合圖案27、28、264、265。具體而言，連接用接合圖案27、28、264、265由在晶振片2的兩個主面211、212上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜、和在該基底PVD膜上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜構成。

晶體諧振器101中，第一通孔26及連接用接合圖案27、28、264、265被形成在俯視為內部空間13的內側(接合構件11的內周面的內側)之處。內部空間13被形成在俯視為振動側第一接合圖案251及振動側第二接合圖案252的內側之處。內部空間13的內側是指，不包含後述的接合構件11上表面、嚴格說是接合構件11的內周面的內側。第一通孔26及連接用接合圖案27、28、264、265不與振動側第一接合圖案251及振動側第二接合圖案252電連接。

對第一密封構件3採用彎曲剛度(截面二階矩×楊氏模數)在1000[N．mm²]以下的材料。具體而言，第一密封構件3是由圖2、3所示的一 塊玻璃晶片加工成的長方體基板，該第一密封構件3的另一個主面312(與晶振片2接合的面)被加工成平坦平滑面(鏡面加工)。

在該第一密封構件3的另一個主面312上，設置有用於與晶振片2接合的密封側第一封止部32。在密封側第一封止部32形成有用於與晶振片2接合的密封側第一接合圖案321。密封側第一接合圖案321被形成為俯視為環狀。密封側第一接合圖案321被設置為與第一密封構件3的另一個主面312的外周緣接近。密封側第一接合圖案321在第一密封構件3的密封側第一封止部32的所有部位上寬度相同。

該密封側第一接合圖案321由在第一密封構件3上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜3211、和在基底PVD膜3211上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜3212構成。另外，本實施方式中，對基底PVD膜3211採用了Ti(或者Cr)，對電極PVD膜3212採用了Au。另外，密封側第一接合图案321是非Sn图案。具體而言，密封側第一接合圖案321是通過多個層在另一個主面312的密封側第一封止部32上疊層而構成的，從其最下層側起蒸鍍形成Ti層(或者Cr層)和Au層。

在第一密封構件3的另一個主面312，即與晶振片2相向的一側的面上，形成有與晶振片2的連接用接合圖案264、27接合的連接用接合圖案35、36。連接用接合圖案35、36沿著第一密封構件3的短邊方向(圖3的A1方向)的方向延伸。連接用接合圖案35、36被設置為，在第一密封構件3的長邊方向(圖3的A2方向)隔開規定間隔，連接用接合圖案35、36在A2方向的間隔與晶振片2的連接用接合 圖案264、27在Z’軸方向的間隔(參照圖4)大致相同。連接用接合圖案35、36通過佈線圖案33而相互連接。佈線圖案33被設置在連接用接合圖案35、36之間。佈線圖案33沿著A2方向延伸。佈線圖案33不與晶振片2的連接用接合圖案264、27接合。

連接用接合圖案35、36及佈線圖案33採用與密封側第一接合圖案321相同的結構，可通過與密封側第一接合圖案321相同的工序形成連接用接合圖案35、36及佈線圖案33。具體而言，連接用接合圖案35、36及佈線圖案33由在第一密封構件3的另一個主面312上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜、和在該基底PVD膜上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜構成。

晶體諧振器101中，連接用接合圖案35、36及佈線圖案33被形成在俯視為內部空間13的內側(接合構件11的內周面的內側)之處。連接用接合圖案35、36及佈線圖案33不與密封側第一接合圖案321電連接。另外，晶體諧振器101中，圖3的A1方向與圖4的X軸方向一致；圖3的A2方向與圖4的Z’軸方向一致。

對第二密封構件4採用彎曲剛度(截面二階矩×楊氏模數)在1000[N．mm²]以下的材料。具體而言，第二密封構件4是由圖6、7所示的一塊玻璃晶片加工成的長方體基板，該第二密封構件4的一個主面411(與晶振片2接合的面)被形成為平坦平滑面(鏡面加工)。

在該第二密封構件4的一個主面411上設置有用於與晶振片2接合的密封側第二封止部42。在密封側第二封止部42上形成有用於與晶振片2接合的密封側第二接合圖案421。密封側第二接合圖案421被 形成為俯視為環狀。密封側第二接合圖案421被設置為與第二密封構件4的一個主面411的外周緣接近。密封側第二接合圖案421在第二密封構件4的密封側第二封止部42的所有部位上寬度相同。

該密封側第二接合圖案421由在第二密封構件4上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜4211、和在基底PVD膜4211上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜4212構成。另外，本實施方式中，對基底PVD膜4211採用Ti(或者Cr)；對電極PVD膜4212採用Au。另外，密封側第二接合图案421是非Sn图案。具體而言，密封側第二接合圖案421是通過多個層在另一個主面412的密封側第二封止部42上疊層而構成的，從其最下層側起蒸鍍形成有Ti層(或者Cr層)和Au層。

另外，在第二密封構件4的另一個主面412(不面對晶振片2的、外側的主面)上設置有與外部電連接的一對外部電極端子(一個外部電極端子431、另一個外部電極端子432)。一個外部電極端子431、另一個外部電極端子432如圖1、7所示，分別位於第二密封構件4的另一個主面412的俯視為長邊方向的兩端。這一對外部電極端子(一個外部電極端子431、另一個外部電極端子432)由在另一個主面412上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜4311、4321、和在基底PVD膜4311、4321上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜4312、4322構成。一個外部電極端子431及另一個外部電極端子432分別佔有第二密封構件4的另一個主面412的1/3以上的區域。

如圖1、6、7所示，在第二密封構件4上形成有，將一個主面411和另一個主面412間貫通的兩個通孔(第二通孔45、第三通孔46)。第二通孔45與一個外部電極端子431及晶振片2的連接用接合圖案265相連。第三通孔46與另一個外部電極端子432及晶振片2的連接用接合圖案28相連。

如圖1、6、7所示，在第二通孔45、第三通孔46上，沿著第二通孔45、第三通孔46的內壁面分別形成有，用於將一個主面411和另一個主面412上形成的電極的電導通的貫通電極451、461。並且，第二通孔45、第三通孔46的中間部分成為將一個主面411和另一個主面412間貫通的中空狀態的貫通部分452、462。在第二通孔45、第三通孔46各自的週邊形成有連接用接合圖案453、463。

連接用接合圖案453、463被設置在第二密封構件4的一個主面411上，與晶振片2的連接用接合圖案265、28接合。連接用接合圖案453、463沿著第二密封構件4的短邊方向(圖6的B1方向)延伸。連接用接合圖案453、463被設置為，在第二密封構件4的長邊方向(圖6的B2方向)上隔開規定間隔，連接用接合圖案453、463在B2方向的間隔與晶振片2的連接用接合圖案265、28在Z’軸方向的間隔(參照圖5)大致相同。

連接用接合圖案453、463採用與密封側第二接合圖案421相同的結構，可通過與密封側第二接合圖案421相同的工序形成連接用接合圖案453、463。具體而言，連接用接合圖案453、463由在第二密封構件4的一個主面411上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD 膜、和在該基底PVD膜上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜構成。

晶體諧振器101中，第二通孔45、第三通孔46及連接用接合圖案453、463被形成在俯視為內部空間13的內側之處。第二通孔45、第三通孔46及連接用接合圖案453、463不與密封側第二接合圖案421電連接。另外，一個外部電極端子431、另一個外部電極端子432也不與密封側第二接合圖案421電連接。另外，晶體諧振器101中，圖6的B1方向與圖5的X軸方向一致；圖6的B2方向與圖5的Z’軸方向一致。

具有上述結構的晶體諧振器101中，不使用現有技術中另外使用的黏結劑等接合專用材料，晶振片2與第一密封構件3在使振動側第一接合圖案251和密封側第一接合圖案321相重合的狀態下擴散接合；晶振片2與第二密封構件4在使振動側第二接合圖案252和密封側第二接合圖案421相重合的狀態下擴散接合，而製成圖1所示的三明治結構的封裝體12。由此，封裝體12的內部空間13，即振動部22的容納空間被氣密密封。另外，振動側第一接合圖案251和密封側第一接合圖案321本身成為擴散接合後生成的接合構件11，振動側第二接合圖案252和密封側第二接合圖案421本身成為擴散接合後生成的接合構件11。接合構件11被形成為俯視為環狀。本實施方式中，從晶振片2的第一激發電極221、第二激發電極222至一個外部電極端子431、另一個外部電極端子432為止的佈線線路均被設置在俯視為接合構件11的內側之處。接合構件11被形成為俯 視時接近封裝體12的外周緣。由此，能使晶振片2的振動部22的尺寸增大。

此時，上述連接用接合圖案彼此也在相重合的狀態下擴散接合。具體而言，晶振片2的連接用接合圖案264和第一密封構件3的連接用接合圖案35擴散接合。晶振片2的連接用接合圖案27和第一密封構件3的連接用接合圖案36擴散接合。另外，晶振片2的連接用接合圖案265和第二密封構件4的連接用接合圖案453擴散接合。晶振片2的連接用接合圖案28和第二密封構件4的連接用接合圖案463擴散接合。然後，各自的連接用接合圖案彼此成為擴散接合後生成的接合構件14。因擴散接合而形成的這些接合構件14發揮使通孔的貫通電極與接合構件14電導通的作用、及將接合部位氣密密封的作用。另外，如圖1中虛線所示，接合構件14被設置為俯視時比密封用的接合構件11更靠內側。

在此，第一通孔26和第二通孔45被配置為俯視時不相疊合。具體而言，如圖6所示，前視(從圖6的B1方向看)時，第一通孔26和第二通孔45被配置在上下一條直線上。圖6中，為方便起見，用雙點劃線示出第二密封構件4的上方設置的晶振片2上形成的第一通孔26。另一方面，側視(從圖6的B2方向看)時，第一通孔26和第二通孔45不在一條直線上而相互偏離地配置。更詳細而言，接合構件14(連接用接合圖案265、453)的長邊方向(B1方向)的一個端部連接著第一通孔26；接合構件14的長邊方向的另一個端部連接著第二通孔45。並且，第一通孔26的貫通電極261與第二通孔45的貫通電 極451通過接合構件14而電連接。如此，通過將第一通孔26和第二通孔45配置為俯視時不疊合，能實現將晶振片2的振動部22氣密密封的內部空間13的氣密性得到確保的更加良好的結構。

並且，如上所述製造的封裝體12中，第一密封構件3與晶振片2之間有1.00μm以下的間隙；第二密封構件4與晶振片2之間有1.00μm以下的間隙。換言之，第一密封構件3與晶振片2之間的接合構件11的厚度在1.00μm以下；第二密封構件4與晶振片2之間的接合構件11的厚度在1.00μm以下(具體而言，本實施方式的Au-Au接合中為0.01μm~1.00μm)。而與此相比，使用了Sn的現有技術的金屬膏密封材料則為5μm~20μm。

另外，本實施方式中，在三明治結構的晶體諧振器101中，較佳為，在第一密封構件3的另一個主面312，即與晶振片2相向的面上設置有與晶振片2的第一激發電極221連接的佈線圖案33，該佈線圖案33的至少一部分被設置在俯視時與振動部22和外框部23之間的空間(切口部21)疊合的位置；佈線圖案33被設置在俯視時與第一激發電極221、第二激發電極222不疊合的位置。

通過採用這樣的結構，能將第一密封構件3的另一個主面312作為佈線圖案33的配置區域而有效利用，從而既能確保振動部22的尺寸，又能實現晶體諧振器101的小型化。換言之，由於不需要在晶振片2上另外確保佈線圖案33的配置區域，所以相當於增加了振動部22的尺寸。因而，不需要為滿足晶體諧振器101的小型化要求而過分縮小振動部22的尺寸。

另外，由於第一密封構件3的另一個主面312被形成為平坦面，所以能減小第一密封構件3的厚度，從而有利於晶體諧振器101的低矮化。換言之，如果在第一密封構件3的另一個主面312上設有凹部，則第一密封構件3的厚度會增加相當於凹部深度的尺寸。然而，通過將第一密封構件3的另一個主面312形成為平坦面，能防止第一密封構件3的厚度增加，從而有利於晶體諧振器101的低矮化。在此情況下，晶振片2的振動部22及連結部24被形成為比外框部23薄，所以，既能實現晶體諧振器101的低矮化，又有利於防止振動部22與第一密封構件3和第二密封構件4接觸。

另外，本實施方式中，對第一密封構件3和第二密封構件4採用玻璃，但不局限於此，也可以採用石英晶體。

另外，以上示出的本發明的實施方式及實施例均為將本發明具體化的例子，而非用於對本發明的技術範圍進行限定。上述各實施方式中，將晶體諧振器作為晶體振動器件，但也可以將本發明應用於晶體諧振器以外的晶體振動器件(例如，晶體振盪器等)。

工業實用性

本發明適用於將石英晶體作為壓電振動板的基板材料的晶體振動器件(晶體諧振器、晶體振盪器等)。

Claims (6)

1. 一種晶振片，是具有一個主面和另一個主面且俯視為矩形的AT切割晶振片，其特徵在於：具備：在該晶振片的中間部分的一個主面上形成有一第一激發電極、另一個主面上形成有一第二激發電極、且俯視為矩形的一振動部；形成在該振動部的外周的一切口部；形成在一切口部的外周、且內周緣俯視為矩形的一外框部；以及將該振動部與該外框部連結的一連結部，該連結部被形成為，從該振動部的與X軸方向平行的邊的一端部沿著該振動部的Z’軸方向延伸，並只與該外框部的與X軸方向平行的一內周緣連接，在該連結部的+X軸側的側面形成有一寬幅部，該寬幅部被形成為，只從該振動部朝著該外框部寬度逐漸變寬；在該連結部的-X軸側的側面形成有一第二寬幅部，在將該連結部的+X軸側的側面的該寬幅部作為一第一寬幅部的情況下，該第一寬幅部和該第二寬幅部被形成為相互不對稱的形狀。
2. 如請求項第1項所述的晶振片，其特徵在於：該第一寬幅部及該第二寬幅部被設置在該連結部的-Z’軸側的部分。
3. 如請求項第1項所述的晶振片，其特徵在於：在該連結部的+Z’軸側的部分且為該連結部的-X軸側的側面，形成有一第三寬幅部，該第三寬幅部被形成為，從該振動部朝著該外框部寬度逐漸變窄。
4. 如請求項第3項所述的晶振片，其特徵在於：該第三寬幅部被形成為，俯視時小於該第一寬幅部及該第二寬幅部。
5. 如請求項第1項所述的晶振片，其特徵在於：在夾著該振動部的中心，俯視為該連結部的對角位置上，形成有從該外框部的內周緣向該切口部側突出的一突出部。
6. 一種晶體振動器件，其特徵在於：具備如請求項第1~5項中任一項所述的晶振片；覆蓋該晶振片的一個主面的一第一密封構件；以及覆蓋該晶振片的另一個主面的一第二密封構件。