CN107925393B - 压电振动器件 - Google Patents

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Abstract

本发明的课题在于，提供能够容易应对小型化的三明治结构的压电振动器件。解决手段为在晶体振荡器101中，设置有晶振片2、覆盖晶振片2的第一激发电极221的第一密封部件3、和覆盖晶振片2的第二激发电极222的第二密封部件4。第一密封部件3与晶振片2接合，并且第二密封部件4与晶振片2接合，由此形成大致长方体的封装体12，在该封装体12中，设置有内部空间13，该内部空间13将包括第一激发电极221和第二激发电极222的晶振片2的振动部23气密地密封，将晶振片2的振动部23气密地密封的接合材料11形成为在俯视下呈环状、并且在封装体12的四角以外的部分中沿着该封装体12的外周缘设置。

Description

压电振动器件
技术领域
本发明涉及压电振动器件。
背景技术
近年来，各种电子设备朝着工作频率高频化、封装体小型化(特别是低矮化)的方向发展。因此，随着高频化及封装体小型化，要求压电振动器件(例如晶体振荡器振荡器等)也应对高频化及封装体小型化。
这种压电振动器件中，其壳体由大致长方体的封装体构成。该封装体包括：由玻璃、石英晶体形成的第一密封部件及第二密封部件，以及由石英晶体形成且在两个主面上形成有激发电极的晶振片；第一密封部件与第二密封部件隔着晶振片叠层而接合，在封装体的内部(内部空间)配置的晶振片的激发电极被气密地密封(例如，专利文献1)。以下，将这样的压电振动器件的叠层形态称为三明治结构。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2010-252051号公报
发明内容
发明要解决的课题
如上所述，近年来，压电振动器件的小型化正在推进。但是，在现有的压电振动器件中，将压电振动板(晶振片)的振动部气密地密封的密封部的外缘形状形成在俯视下为大致矩形。因此，难以有效利用封装体的四角的空间，这成为妨碍压电振动器件的小型化的重要原因。
本发明是鉴于上述实际情况而做出的，其目的在于，提供能够容易地应对小型化的三明治结构的压电振动器件。
用于解决课题的手段
本发明的用于解决上述课题的手段按以下方式构成。即，本发明为压电振动器件，其特征在于，所述压电振动器件设置有：压电振动板，其中，在基板的一个主面上形成有第一激发电极，在所述基板的另一个主面上形成有与所述第一激发电极成对的第二激发电极；第一密封部件，覆盖所述压电振动板的所述第一激发电极；和第二密封部件，覆盖所述压电振动板的所述第二激发电极；其中，所述第一密封部件与所述压电振动板接合，并且所述第二密封部件与所述压电振动板接合，由此形成大致长方体的封装体，在所述封装体中，设有内部空间，所述内部空间将包括所述第一激发电极和所述第二激发电极的所述压电振动板的振动部气密地密封，在所述压电振动器件中，将所述压电振动板的振动部气密地密封的密封部形成为在俯视下呈环状、并且在所述封装体的四角以外的部分中沿所述封装体的外周缘设置。
根据上述构成，能够尽可能地使内部空间(其气密地密封有压电振动板的振动部)的空间增大，能够使用尽可能大的构成的振动部。由此，能够提高振动部的设计自由度，能够设计各种特性的振动部。另外，能够将封装体的四角的空间用作例如贯通孔、电气路径等的配置空间，并且，能够将封装体的外周缘之中的四角以外的空间用作密封部的配置空间，因此，能够有效利用包括封装体的四角在内的外周缘的空间。因而，在三明治结构的压电振动器件中，能够容易地应对小型化。
在上述构成中，在所述封装体的四角，设置有将所述压电振动板的一个主面与另一个主面之间贯通的外部贯通孔，在所述密封部之中，沿着所述封装体的外周缘的各外缘部可分别设置为在俯视下比连结所述两个外部贯通孔的中心的直线更靠近所述封装体的所述外周缘。
根据上述构成，在俯视下，在密封部的外侧配置外部贯通孔，能够利用封装体的四角的空间，能够在压电振动板中形成外部贯通孔，例如，通过在外部贯通孔中形成电极，能够使压电振动板的一个主面与另一个主面之间导通。另外，封装体的四角易于由外力而在封装体的各层(压电振动板、第一密封部件、及第二密封部件)中发生剥离。但是，根据本构成，通过避开封装体的四角从而配置密封部，能够保护密封部免受由外力引起的剥离。另外，通过尽可能地减少在密封部的内侧设置的贯通孔的数目，能够提高内部空间(其气密地密封有压电振动板的振动部)的气密性。
在上述构成中，也可以：在所述第一密封部件的一个主面上，形成与外部元件电连接的多个布线图案，在所述第二密封部件的另一个主面上，形成与外部电路基板电连接的多个外部电极端子，在所述各外部贯通孔中分别形成外部贯通电极，经由包含该外部贯通电极的外部电气路径而将所述布线图案与所述外部电极端子电连接，其中，所述外部贯通电极用于实现在所述压电振动板的所述一个主面和所述另一个主面上形成的电极的导通。
根据上述构成，当使用焊料(流动性导电接合材料)而将外部电极端子电连接于外部电路基板时，焊料从外部电极端子向外部电气路径蔓延。此时，由于蔓延至外部电气路径的焊料的侵蚀作用，内部空间(其气密地密封有压电振动板的振动部)的气密性有可能降低。但是，根据本构成，由于在比密封部更靠外侧的位置配置外部电气路径，因此，能够抑制焊料的侵蚀作用对内部空间的气密性降低的影响。
这里，外部电极端子通常设置于第二密封部件的另一个主面的四个角部。在本构成中，将外部电极端子与外部元件连接的外部电气路径设置于封装体的四角。由此，能够经由外部电气路径而以最短距离将外部电极端子与外部元件连接，能够抑制噪声。另外，外部电气路径隔着密封部而与振动部隔离，因此，在从外部电极端子向外部电气路径供给包含高频成分的信号的情况下，也能够抑制由高频成分引起的噪声的影响。
在上述构成中，也可以：在所述第一密封部件中形成将一个主面与另一个主面之间贯通的第一贯通孔，在该第一贯通孔中形成第一贯通电极，该第一贯通电极用于实现在所述一个主面和所述另一个主面上形成的电极的导通，该第一贯通电极与所述压电振动板的所述第一激发电极电连接，在所述压电振动板中形成将一个主面与另一个主面之间贯通的第二贯通孔，在该第二贯通孔中形成第二贯通电极，该第二贯通电极用于实现在所述一个主面和所述另一个主面上形成的电极的导通，该第二贯通电极与所述压电振动板的所述第二激发电极电连接，所述第一贯通电极及所述第二贯通电极设置于在俯视下所述密封部的内侧的位置、并且没有与所述密封部电连接。
根据上述构成，外部电气路径设置于密封部的外侧，另一方面将外部元件与激发电极(第一激发电极、第二激发电极)连接的第一贯通电极及第二贯通电极设置于密封部的内侧，因此，能够抑制由外部电气路径导致的寄生电容(杂散电容)的增加。这种情况下，外部电气路径设置于封装体的四角、并且设置于从激发电极离开的位置，因此，对于抑制寄生电容而言是有利的。另外，由于密封部没有与第一贯通电极及第二贯通电极连接，因此，能够抑制由两者的连接引起的寄生电容的产生，能够确保压电振动器件的频率可变量较大。
在上述构成中，所述密封部的外缘形状可以是在俯视下为八边形。
根据上述构成，能够更有效地对在封装体的外周缘之中的四角以外的空间中设置的密封部、和在封装体的四角的空间中设置的贯通孔进行配置。
发明效果
根据本发明，能够尽可能地使内部空间(其气密地密封有压电振动板的振动部)的空间增大，能够使用尽可能大的构成的振动部。由此，能够提高振动部的设计自由度，能够设计各种特性的振动部。另外，能够将封装体的四角的空间用作例如贯通孔、电气路径等的配置空间，并且，能够将封装体的外周缘之中的四角以外的空间用作密封部的配置空间，因此，能够有效利用包括封装体的四角在内的外周缘的空间。因而，在三明治结构的压电振动器件中，能够容易地应对小型化。
附图说明
[图1]图1为示出本实施方式涉及的晶体振荡器的各构成的概略构成图。
[图2]图2为晶体振荡器的第一密封部件的概略俯视图。
[图3]图3为晶体振荡器的第一密封部件的概略背面图。
[图4]图4为晶体振荡器的晶振片的概略俯视图。
[图5]图5为晶体振荡器的晶振片的概略背面图。
[图6]图6为晶体振荡器的第二密封部件的概略俯视图。
[图7]图7为晶体振荡器的第二密封部件的概略背面图。
[图8]图8为示出晶体振荡器中的接合材料、与晶振片的振动部、贯通孔等在俯视下的位置关系的图。
[图9]图9为示出晶体振荡器的第一密封部件的变形例的概略俯视图。
[图10]图10为示出晶体振荡器的第一密封部件的变形例的概略背面图。
[图11]图11为示出晶体振荡器的晶振片的变形例的概略俯视图。
[图12]图12为示出晶体振荡器的晶振片的变形例的概略背面图。
[图13]图13为示出晶体振荡器的第二密封部件的变形例的概略俯视图。
[图14]图14为示出晶体振荡器的第二密封部件的变形例的概略背面图。
[图15]图15为示出变形例涉及的晶体振荡器中的接合材料、与晶振片的振动部、贯通孔等在俯视下的位置关系的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。需要说明的是，以下的实施方式中，对将本发明应用于晶体振荡器(作为压电振动器件)的情况进行说明。
如图1所示，本实施方式涉及的晶体振荡器101中，设置有：晶振片2(本发明所说的压电振动板)；第一密封部件3，其覆盖晶振片2的第一激发电极221(参见图4)，并将形成在晶振片2的一个主面211上的第一激发电极221气密地密封；第二密封部件4，其在该晶振片2的另一个主面212将晶振片2的第二激发电极222(参见图5)覆盖，并将与第一激发电极221成对形成的该第二激发电极222气密地密封；以及，搭载于第一密封部件3的电子部件元件(本实施方式中为IC5)。作为电子部件元件的IC5为与晶振片2一起构成振荡电路的1芯片集成电路元件。在该晶体振荡器101中，晶振片2与第一密封部件3接合，晶振片2与第二密封部件4接合，由此，构成大致长方体的三明治结构的封装体12。
另外，第一密封部件3与第二密封部件4经由晶振片2而接合，由此形成了封装体12的内部空间13，在该封装体12的内部空间13中，振动部23(其包括形成在晶振片2的两个主面211、212上的第一激发电极221及第二激发电极222)被气密地密封。本实施方式所涉及的晶体振荡器101例如采用1.0×0.8mm的封装体尺寸，以实现小型化和低矮化。另外，伴随小型化，本封装体12中未形成垛结构(castellation)，而采用贯通孔(第十一～第二十五贯通孔)来实现电极的导通。
接下来，使用图1～7，对构成晶体振荡器101的封装体12的晶振片2、第一密封部件3和第二密封部件4进行说明。需要说明的是，这里，对晶振片2、第一密封部件3、及第二密封部件4尚未接合而分别为单体结构时的各部件进行说明。
如图4、图5所示，晶振片2为由石英晶体构成的压电基板，其两个主面(一个主面211、另一个主面212)被加工成平坦平滑面(镜面加工)。
在晶振片2的两个主面211、212(一个主面211、另一个主面212)上形成有一对(成对的)激发电极(第一激发电极221、第二激发电极222)。并且，在两个主面211、212上，两个缺口部24(贯通形状)被形成为包围着一对第一激发电极221和第二激发电极222，从而构成振动部23。缺口部24由俯视凹状体241(两个长方形从一个俯视长方形的两端分别相对该长方形的长边方向朝直角方向延伸而成形的、由三个俯视长方形构成的俯视体)、和俯视长方形体242构成。并且，在俯视凹状体241与俯视长方形体242之间的部位(保持部)213上，设置有用于将第一激发电极221及第二激发电极222引出到IC5的引出电极(第一引出电极223、第二引出电极224)。第一激发电极221及第一引出电极223由在一个主面211上进行物理气相沉积而形成的基底PVD膜、和在该基底PVD膜上进行物理气相沉积而叠层形成的电极PVD膜构成。第二激发电极222及第二引出电极224由在另一个主面212上进行物理气相沉积而形成的基底PVD膜、和在该基底PVD膜上进行物理气相沉积而叠层形成的电极PVD膜构成。
晶振片2中，在沿着两个主面211、212的振动部23的外围，以包围振动部23的方式分别设置有用于与第一密封部件3和第二密封部件4接合的振动侧密封部25。在晶振片2的一个主面211的振动侧密封部25上，形成有用于与第一密封部件3接合的振动侧第一接合图案251。另外，在晶振片2的另一个主面212的振动侧密封部25上，形成有用于与第二密封部件4接合的振动侧第二接合图案252。振动侧第一接合图案251及振动侧第二接合图案252形成为在俯视下呈环状，形成为外缘形状为大致八边形。振动侧第一接合图案251及振动侧第二接合图案252设置于在俯视下为晶振片2的四角以外的部分。振动侧第一接合图案251及振动侧第二接合图案252具有同一宽度，且设置于在俯视下相同的位置。内部空间13被形成为俯视下位于振动侧第一接合图案251及振动侧第二接合图案252的内侧(内侧)。此处所说的内部空间13的内侧是指，不包含后述的接合材料11上，严格说是接合材料11的内周面的内侧。晶振片2的一对第一激发电极221和第二激发电极222不与振动侧第一接合图案251及振动侧第二接合图案252电连接。
振动侧第一接合图案251由在一个主面211上进行物理气相沉积而形成的基底PVD膜2511、和在基底PVD膜2511上进行物理气相沉积而叠层形成的电极PVD膜2512构成。振动侧第二接合图案252由在另一个主面212上进行物理气相沉积而形成的基底PVD膜2521、和在基底PVD膜2521上进行物理气相沉积而叠层形成的电极PVD膜2522构成。换言之，振动侧第一接合图案251与振动侧第二接合图案252具有相同构成，由多个层在两个主面211、212的振动侧密封部25上叠层而构成，从其最下层侧开始蒸镀形成Ti层(或Cr层)和Au层。如此，在振动侧第一接合图案251和振动侧第二接合图案252中，基底PVD膜2511、2521由单一的材料(Ti(或Cr))构成；电极PVD膜2512、2522由单一的材料(Au)构成，与基底PVD膜2511、2521相比，电极PVD膜2512、2522更厚。另外，在晶振片2的一个主面211上形成的第一激发电极221和振动侧第一接合图案251具有相同厚度，第一激发电极221和振动侧第一接合图案251的表面(主面)由相同金属构成，在晶振片2的另一个主面212上形成的第二激发电极222与振动侧第二接合图案252具有相同厚度，第二激发电极222和振动侧第二接合图案252的表面(主面)由相同金属构成。另外，振动侧第一接合图案251和振动侧第二接合图案252是非Sn图案。
在此，可以使第一激发电极221、第一引出电极223及振动侧第一接合图案251成为相同构成，在此情况下，可以用相同的工序一并形成第一激发电极221、第一引出电极223及振动侧第一接合图案251。同样，可以使第二激发电极222、第二引出电极224及振动侧第二接合图案252成为相同构成，在此情况下，可以用相同的工序一并形成第二激发电极222、第二引出电极224及振动侧第二接合图案252。详细而言，通过用真空蒸镀、溅射、离子电镀、MBE、激光消融等PVD法(例如，光刻(Photolithography)等加工中的图案化用的膜形成法)形成基底PVD膜、电极PVD膜，而一并进行膜形成，能够有助于减少制造工时，使成本降低。
如图4、图5所示，晶振片2上形成有将一个主面211与另一个主面212之间贯通的五个贯通孔(第十一～第十五贯通孔271～275)。第十一贯通孔271与第一密封部件3的第十六贯通孔351及第二密封部件4的第二十二贯通孔451相连。第十二贯通孔272与第一密封部件3的第十七贯通孔352及第二密封部件4的第二十三贯通孔452相连。第十三贯通孔273与第一密封部件3的第十八贯通孔353及第二密封部件4的第二十四贯通孔453相连。第十四贯通孔274与第一密封部件3的第十九贯通孔354及第二密封部件4的第二十五贯通孔454相连。第十五贯通孔275与从第二激发电极222引出的第二引出电极224相连，并通过接合材料14而与第一密封部件3的第二十一贯通孔356相连。
第十一～第十五贯通孔271～275中，如图1、图4、图5所示，沿着第十一～第十五贯通孔271～275各自的内壁面形成有用于将形成在一个主面211和另一个主面212上的电极导通的贯通电极71。并且，第十一～第十五贯通孔271～275各自的中央部分成为将一个主面211与另一个主面212之间贯通的中空状态的贯通部分72。在第十一～第十五贯通孔271～275各自的外围，形成有连接用接合图案73。连接用接合图案73被设置在晶振片2的两个主面(一个主面211、另一个主面212)上。连接用接合图案73采用与振动侧第一接合图案251、振动侧第二接合图案252相同的构成，振动侧第一接合图案251、振动侧第二接合图案252可通过同一工序形成。具体而言，连接用接合图案73由在晶振片2的两个主面(一个主面211、另一个主面212)上进行物理气相沉积而形成的基底PVD膜、和在该基底PVD膜上进行物理气相沉积而叠层形成的电极PVD膜构成。晶振片2的一个主面211上形成的第十五贯通孔275的连接用接合图案73沿着图4的箭头A1的方向延伸，并被设置在振动侧第一接合图案251与缺口部24之间。晶振片2的另一个主面212上形成的第十五贯通孔275的连接用接合图案73与从第二激发电极222引出的第二引出电极224形成为一体。另外，在从第一激发电极221引出的第一引出电极223上，一体地形成有沿图4的箭头A1的方向延伸的连接用接合图案73，该连接用接合图案73被设置在振动侧第一接合图案251与缺口部24之间。
在晶体振荡器101中，第十一～第十四贯通孔271～274形成在俯视下的内部空间13的外侧(接合材料11的外周面的外侧)。更具体而言，第十一～第十四贯通孔271～274设置于在俯视下的晶振片2的四角。另一方面，第十五贯通孔275形成在俯视下内部空间13的内侧(接合材料11的内周面的内侧)。换言之，第十五贯通孔275设置于在俯视下晶振片2的四角以外的部分。第十一～第十五贯通孔271～275不与动侧第一接合图案251及振动侧第二接合图案252电连接。
对第一密封部件3采用弯曲刚度(截面惯性矩×杨氏模量)为1000[N·mm2]以下的材料。具体而言，如图2、图3所示，第一密封部件3是由一块玻璃晶片形成的长方体基板，该第一密封部件3的另一个主面312(与晶振片2接合的面)被加工成平坦平滑面(镜面加工)。第一密封部件3在俯视下具有与晶振片2大致相同的形状及大小。
该第一密封部件3的另一个主面312上设置有用于与晶振片2接合的密封侧第一密封部32。在第一密封部件3的密封侧第一密封部32上，形成有用于与晶振片2接合的密封侧第一接合图案321。密封侧第一接合图案321形成为俯视下呈环状，且形成为外缘形状为大致八边形。密封侧第一接合图案321设置于俯视下第一密封部件3的四角以外的部分。密封侧第一接合图案321在第一密封部件3的密封侧第一密封部32上的所有位置上宽度相同。
该密封侧第一接合图案321由在第一密封部件3上进行物理气相沉积而形成的基底PVD膜3211、和在基底PVD膜3211上进行物理气相沉积而叠层形成的电极PVD膜3212构成。另外，本实施方式中，对基底PVD膜3211使用Ti(或Cr)，对电极PVD膜3212使用Au。另外，密封侧第一接合图案321是非Sn图案。具体而言，密封侧第一接合图案321是通过使多个层在另一个主面312的密封侧第一密封部32上叠层而构成的，从其最下层侧蒸镀形成了Ti层(或Cr层)和Au层。
如图1、图2所示，在第一密封部件3的一个主面311(搭载IC5的面)上，形成有包括搭载作为振荡电路元件的IC5用的搭载垫在内的六个电极图案33。六个电极图案33分别单独与第十六～第二十一贯通孔351～356连接。IC5是利用金属凸块(例如Au凸块等)34通过FCB(Flip Chip Bonding，倒装芯片贴合)法而被接合在电极图案33上的。各电极图案33采用与密封侧第一接合图案321相同的构成，由在一个主面311上进行物理气相沉积而形成的基底PVD膜、和在该基底PVD膜上进行物理气相沉积而叠层形成的电极PVD膜构成。
如图1～3所示，在第一密封部件3上形成有将一个主面311与另一个主面312之间贯通的六个贯通孔(第十六～第二十一贯通孔351～356)。第十六贯通孔351与晶振片2的第十一贯通孔271相连。第十七贯通孔352与晶振片2的第十二贯通孔272相连。第十八贯通孔353与晶振片2的第十三贯通孔273相连。第十九贯通孔354与晶振片2的第十四贯通孔274相连。第二十贯通孔355通过接合材料14与从晶振片2的第一激发电极221引出的第一引出电极223相连。第二十一贯通孔356通过接合材料14与晶振片2的第十五贯通孔275相连。
如图1～3所示，第十六～第二十一贯通孔351～356中，沿着第十六～第二十一贯通孔351～356各自的内壁面，形成有用于将一个主面311和另一个主面312上形成的电极导通的贯通电极71。并且，第十六～第二十一贯通孔351～356各自的中央部分成为将一个主面311与另一个主面312之间贯通的中空状态的贯通部分72。在第十六～第二十一贯通孔351～356各自的外围形成有连接用接合图案73。连接用接合图案73被设置在第一密封部件3的另一个主面312上。连接用接合图案73采用与密封侧第一接合图案321相同的构成，可在与密封侧第一接合图案321相同的工序中形成。具体而言，连接用接合图案73由在第一密封部件3的另一个主面312上进行物理气相沉积而形成的基底PVD膜、和在该基底PVD膜上进行物理气相沉积而叠层形成的电极PVD膜构成。第二十贯通孔355及第二十一贯通孔356的连接用接合图案73沿着图12的箭头A1的方向延伸。
晶体振荡器101中，第十六～第十九贯通孔351～354形成于俯视下在内部空间13的外侧(接合材料11的外周面的外侧)。更具体而言，第十六～第十九贯通孔351～354形成于俯视下第一密封部件3的四角。另一方面，第二十贯通孔355、第二十一贯通孔356形成于俯视下在内部空间13的内侧(接合材料11的内周面的内侧)。换言之，第二十贯通孔355、第二十一贯通孔356设置在俯视下第一密封部件3的四角以外的部分。第十六～第二十一贯通孔351～356不与密封侧第一接合图案321电连接。另外，六个电极图案33也不与密封侧第一接合图案321电连接。
对第二密封部件4采用弯曲刚度(截面惯性矩×杨氏模量)为1000[N·mm2]以下的材料。具体而言，如图6所示，第二密封部件4是由一块玻璃晶片形成的长方体基板，该第二密封部件4的一个主面411(与晶振片2接合的面)被加工成平坦平滑面(镜面加工)。第二密封部件4在俯视下具有与晶振片2大致相同的形状及大小。
该第二密封部件4的一个主面411上设置有用于与晶振片2接合的密封侧第二密封部42。在密封侧第二密封部42上，形成有用于与晶振片2接合的密封侧第二接合图案421。密封侧第二接合图案421形成为俯视下呈环状，并且形成为外缘形状为大致八边形。密封侧第二接合图案421设置于俯视下第二密封部件4的四角以外的部分。密封侧第二接合图案421在第二密封部件4的密封侧第二密封部42的所有部位上宽度相同
该密封侧第二接合图案421由在第二密封部件4上进行物理气相沉积而形成的基底PVD膜4211、和在基底PVD膜4211上进行物理气相沉积而叠层形成的电极PVD膜4212构成。需要说明的是，本实施方式中，对基底PVD膜4211使用Ti(或Cr)，对电极PVD膜4212使用Au。另外，密封侧第二接合图案421是非Sn图案。具体而言，密封侧第二接合图案421是多个层在一个主面411的密封侧第二密封部42上层叠而构成的，从其最下层侧蒸镀形成Ti层(或Cr层)和Au层。
在第二密封部件4的另一个主面412(不与晶振片2面对面的外侧的主面)上，设置有与外部电连接的四个外部电极端子(第一～第四外部电极端子433～436)。第一～第四外部电极端子433～436分别位于第二密封部件4的另一个主面412的四个角部。这些外部电极端子(第一～第四外部电极端子433～436)由在另一个主面412上进行物理气相沉积而形成的基底PVD膜4331～4361、和在基底PVD膜4331～4361上进行物理气相沉积而叠层形成的电极PVD膜4332～4362构成。
如图1、图6、图7所示，在第二密封部件4上形成有将一个主面411与另一个主面412之间贯通的四个贯通孔(第二十二～第二十五贯通孔451～454)。第二十二贯通孔451与第一外部电极端子433及晶振片2的第十一贯通孔271相连。第二十三贯通孔452与第二外部电极端子434及晶振片2的第十二贯通孔272相连。第二十四贯通孔453与第三外部电极端子435及晶振片2的第十三贯通孔273相连。第二十五贯通孔454与第四外部电极端子436及晶振片2的第十四贯通孔274相连。
如图1、图6、图7所示，在第二十二～第二十五贯通孔451～454中，沿着第二十二～第二十五贯通孔451～454各自的内壁面，形成有用于将形成在一个主面411和另一个主面412上的电极导通的贯通电极71。并且，第二十二～第二十五贯通孔451～454各自的中央部分成为将一个主面411与另一个主面412之间贯通的中空状态的贯通部分72。在第二十二～第二十五贯通孔451～454各自的外围，形成有连接用接合图案73。连接用接合图案73被设置在第二密封部件4的一个主面411上。连接用接合图案73采用与密封侧第二接合图案421相同的构成，并且可在与密封侧第二接合图案421相同的工序中形成。具体而言，连接用接合图案73由在第二密封部件4的一个主面411上进行物理气相沉积而形成的基底PVD膜、和在该基底PVD膜上进行物理气相沉积而叠层形成的电极PVD膜构成。
晶体振荡器101中，第二十二～第二十五贯通孔451～454形成为俯视下在内部空间13的外侧(接合材料11的外周面的外侧)。更具体而言，第二十二～第二十五贯通孔451～454设置于俯视下第二密封部件4的四角。并且，第二十二～第二十五贯通孔451～454不与密封侧第二接合图案421电连接。另外，第一～第四外部电极端子433～436也不与密封侧第二接合图案421电连接。
在包含上述晶振片2、第一密封部件3及第二密封部件4的晶体振荡器101中，不另外使用粘合剂等接合专用材料，而将晶振片2与第一密封部件3在振动侧第一接合图案251与密封侧第一接合图案321相重叠的状态下扩散接合；晶振片2与第二密封部件4在振动侧第二接合图案252和密封侧第二接合图案421相重叠的状态下扩散接合，从而制成图1所示的三明治结构的封装体12。由此，封装体12的内部空间13，即振动部23的容纳空间被气密地密封。需要说明的是，振动侧第一接合图案251和密封侧第一接合图案321自身成为扩散接合之后生成的接合材料11。振动侧第二接合图案252和密封侧第二接合图案421自身成为扩散接合之后生成的接合材料11。接合材料11形成为在俯视下呈环状，并且形成为外缘形状为大致八边形。
此时，第十一～第二十五贯通孔各自的外围的连接用接合图案73彼此也在相重叠的状态下扩散接合。具体而言，第十一贯通孔271和第十六贯通孔351的连接用接合图案73彼此扩散接合。第十一贯通孔271和第二十二贯通孔451的连接用接合图案73彼此扩散接合。另外，第十二贯通孔272和第十七贯通孔352的连接用接合图案73彼此扩散接合。第十二贯通孔272和第二十三贯通孔452的连接用接合图案73彼此扩散接合。另外，第十三贯通孔273和第十八贯通孔353的连接用接合图案73彼此扩散接合。第十三贯通孔273和第二十四贯通孔453的连接用接合图案73彼此扩散接合。另外，第十四贯通孔274和第十九贯通孔354的连接用接合图案73彼此扩散接合。第十四贯通孔274和第二十五贯通孔454的连接用接合图案73彼此扩散接合。
另外，第十五贯通孔275和第二十一贯通孔356的连接用接合图案73彼此扩散接合。第十五贯通孔275的连接用接合图案73在与第二密封部件4的一个主面411上设置的连接用接合图案73相重叠的状态下被扩散接合。第二十贯通孔355的连接用接合图案73在与从第一引出电极223延伸出的连接用接合图案73相重叠的状态下被扩散接合，在此，第一引出电极223是从晶振片2的第一激发电极221引出的。并且，各个连接用接合图案73彼此成为扩散接合之后生成的接合材料14。因扩散接合而形成的这些接合材料14发挥使贯通孔的贯通电极71彼此导通的作用、及将接合部位气密地密封的作用。需要说明的是，图1中，用实线表示被设置为在俯视下比密封用的接合材料11靠外侧的接合材料14；用虚线表示被设置为比接合材料11靠内侧的接合材料14。
并且，第二十贯通孔355成为用于将IC5与第一激发电极221导通的电气路径(导通路)。第二十一贯通孔356、第十五贯通孔275成为用于将IC5与第二激发电极222导通的第二电气路径。第十六贯通孔351、第十一贯通孔271、第二十二贯通孔451成为用于将IC5与第一外部电极端子433导通的第三电气路径。第十七贯通孔352、第十二贯通孔272、第二十三贯通孔452成为用于将IC5与第二外部电极端子434导通的第四电气路径。第十八贯通孔353、第十三贯通孔273、第二十四贯通孔453成为用于将IC5与第三外部电极端子435导通的第五电气路径。第十九贯通孔354、第十四贯通孔274、第二十五贯通孔454成为用于将IC5与第四外部电极端子436导通的第六电气路径。
本实施方式中，扩散接合于常温进行。此处所说的常温是指5℃～35℃。通过该常温扩散接合，具有下述效果(抑制气体发生且接合良好)，这是比作为共晶焊料的融点的183℃更低的值，是优选的例子。然而，不仅仅是常温扩散接合具有下述效果，只要于常温以上且低于230℃的温度进行扩散接合即可。特别是，通过于200℃以上且低于230℃的温度进行扩散接合，由于低于作为无Pb焊料的融点的230℃，并在Au的再结晶温度(200℃)以上，所以能使接合部分的不稳定区域变得稳定。另外，本实施方式中，由于未使用Au-Sn这样的接合专用材料，所以不会产生电镀气体、粘合剂气体、金属气体等气体。从而，能够达到Au的再结晶温度以上。
并且，在通过扩散接合而制造的封装体12中，第一密封部件3与晶振片2之间有1.00μm以下的间隙；第二密封部件4与晶振片2之间有1.00μm以下的间隙。换言之，第一密封部件3与晶振片2之间的接合材料11的厚度在1.00μm以下；第二密封部件4与晶振片2之间的接合材料11的厚度在1.00μm以下(具体而言，本实施方式的Au-Au接合中为0.15μm～1.00μm)。需要说明的是，作为比较，在使用Sn的现有技术的金属膏密封材料的情况下，则为5μm～20μm。
在晶体振荡器101中，第一激发电极221、第二激发电极222、及第一～第四外部电极端子433～436不与作为将振动部23气密地密封的密封部的接合材料11(振动侧第一接合图案251及密封侧第一接合图案321、振动侧第二接合图案252及密封侧第二接合图案421)电连接。详细而言，第一激发电极221依次经由第一电气路径(第二十贯通孔355)及电极图案33而与IC5电连接。第二激发电极222依次经由第二电气路径(第十五贯通孔275、第二十一贯通孔356)及电极图案33而与IC5电连接。第一、第二电气路径成为配置在俯视下比接合材料11更靠内侧的位置的内部电气路径。构成第二电气路径的第十五贯通孔275及第二十一贯通孔356以在俯视下重叠的方式设置。
另外，IC5依次经由电极图案33及第三电气路径(第十六贯通孔351、第十一贯通孔271、及第二十二贯通孔451)而与第一外部电极端子433电连接。IC5依次经由电极图案33及第四电气路径(第十七贯通孔352、第十二贯通孔272、及第二十三贯通孔452)而与第二外部电极端子434电连接。IC5依次经由电极图案33及第五电气路径(第十八贯通孔353、第十三贯通孔273、及第二十四贯通孔453)而与第三外部电极端子435电连接。IC5依次经由电极图案33及第六电气路径(第十九贯通孔354、第十四贯通孔274、及第二十五贯通孔454)而与第四外部电极端子436电连接。第三～第六电气路径成为配置在俯视下比接合材料11更靠外侧的位置的外部电气路径。
另外，构成第三电气路径的第十六贯通孔351、第十一贯通孔271及第二十二贯通孔451以在俯视下重叠的方式设置。构成第四电气路径的第十七贯通孔352、第十二贯通孔272、及第二十三贯通孔452以在俯视下重叠的方式设置。构成第五电气路径的第十八贯通孔353、第十三贯通孔273、及第二十四贯通孔453以在俯视下重叠的方式设置。构成第六电气路径的第十九贯通孔354、第十四贯通孔274、及第二十五贯通孔454以在俯视下重叠的方式设置。由此，当利用FCB法而将IC5搭载于第一密封部件3的一个主面311时，能够较大地确保能够实施FCB法的区域。
在本实施方式中，在晶体振荡器101中，作为密封部的接合材料11在俯视下在封装体12的四角以外的部分中沿着封装体12的外周缘设置。以下，对这一方面，参照图1～图8进行说明。图8为示出晶体振荡器101中的接合材料11、与晶振片2的振动部23、贯通孔等在俯视下的位置关系的图。在图8中，作为贯通孔，以晶振片2的第十一～第十五贯通孔271～275为代表进行示出。需要说明的是，在本实施方式中，在俯视下，封装体12的外周缘与晶振片2、第一密封部件3、及第二密封部件4的各外周缘一致。
在晶体振荡器101中，接合材料11在晶振片2与第一密封部件3之间通过振动侧第一接合图案251与密封侧第一接合图案321的扩散接合而形成。另外，接合材料11在晶振片2与第二密封部件4之间通过振动侧第二接合图案252与密封侧第二接合图案421的扩散接合而形成。
振动侧第一接合图案251、振动侧第二接合图案252、密封侧第一接合图案321、及密封侧第二接合图案421在俯视下具有相同形状及大小，晶振片2与第一密封部件3之间的接合材料11、与晶振片2与第二密封部件4之间的接合材料11形成为在俯视下为形同形状及大小。像这样，在晶体振荡器101中，在晶振片2的两个主面211、212上，分别形成有俯视下为相同形状及大小的接合材料11。
接合材料11的外缘形状形成为在俯视下为八边形。接合材料11的外缘形状成为与振动侧第一接合图案251、振动侧第二接合图案252、密封侧第一接合图案321、及密封侧第二接合图案421的外缘形状(参见图3～图6)相同的形状。
另外，在晶体振荡器101中，接合材料11在俯视下在封装体12的四角以外的部分中沿着封装体12的外周缘(平行地)设置。接合材料11以避开封装体12的四角的第三～第六电气路径(换言之，第十一～第十四贯通孔271～274、第十六～第十九贯通孔351～354、及第二十二～第二十五贯通孔451～454)的方式配置。另外，接合材料11以在俯视下包围振动部23的方式设置，振动部23的容纳空间(内部空间13)通过接合材料11而得以气密地密封。
具体而言，如图8所示，接合材料11在俯视下具有：沿着封装体12的一对短边(平行地)设置的一对第一直线部11A、沿着封装体12的一对长边(平行地)设置的一对第二直线部11B、和以将第一直线部11A的端部及第二直线部11B的端部连接的方式设置的4个连结部11C。一对第一直线部11A及一对第二直线部11B成为沿着封装体12的外周缘(短边及长边)的外缘部。
一对第一直线部11A在俯视下接近封装体12的短边而设置。第一直线部11A的长度(短边方向的尺寸)至少成为封装体12的短边的[1/3]以上的长度。两个第一直线部11A的长度成为相同长度。在一个第一直线部11A的短边方向的两侧隔开规定间隔地设置有第十一、第十二贯通孔271、272。在俯视下，与连结第十一、第十二贯通孔271、272的中心的直线L1相比，一个第一直线部11A的外端更接近封装体12的短边而设置。在另一个第一直线部11A的短边方向的两侧，隔开规定间隔地设置有第十三、第十四贯通孔273、274。在俯视下，与连结第十三、第十四贯通孔273、274的中心的直线L2相比，另一个第一直线部11A的外端更接近封装体12的短边而设置。在本实施方式中，第一直线部11A的外端相对于封装体12的短边而言隔开规定的间隔而设置。另外，一个第一直线部11A的内端在俯视下位于直线L1上的位置，另一个第一直线部11A的内端在俯视下位于直线L2上的位置。需要说明的是，当一个第一直线部11A的外端比直线L1更接近封装体12的短边时，该第一直线部11A的内端可以位于直线L1的外侧的位置，或者也可以位于直线L1的内侧的位置。同样地，当另一个第一直线部11A的外端比直线L2更接近封装体12的短边时，该第一直线部11A的内端可以位于直线L2的外侧的位置，或者也可以位于直线L2的内侧的位置。
一对第二直线部11B在俯视下接近封装体12的长边而设置。第二直线部11B的长度(长边方向的尺寸)至少成为封装体12的长边的[1/3]以上的长度，且比上述第一直线部11A更长。两个第二直线部11B的长度成为相同长度。在一个第二直线部11B的长边方向的两侧，隔开规定间隔地设置有第十一、第十三贯通孔271、273。在俯视下，一个第二直线部11B的外端比连结第十一、第十三贯通孔271、273的中心的直线L3更接近封装体12的长边而设置。在另一个第二直线部11B的长边方向的两侧，隔开规定间隔地设置有第十二、第十四贯通孔272、274。另一个第二直线部11B的外端在俯视下比连结第十二、第十四贯通孔272、274的中心的直线L4更接近封装体12的长边而设置。在本实施方式中，第二直线部11B的外端相对于封装体12的长边隔开规定的间隔而设置。另外，一个第二直线部11B的内端在俯视下位于直线L3上的位置，另一个第二直线部11B的内端在俯视下位于直线L4上的位置。需要说明的是，当一个第二直线部11B的外端比直线L3更接近封装体12的长边时，该第二直线部11B的内端可以位于直线L3的外侧的位置，或者，也可以位于直线L3的内侧的位置。同样地，当另一个第二直线部11B的外端比直线L4更接近封装体12的长边时，该第一直线部11B的内端可以位于直线L4的外侧的位置，或者，也可以位于直线L4的内侧的位置。
4个连结部11C在俯视下相对于封装体12的外周缘(短边及长边)而非平行地设置。在本实施方式中，连结部11C相对于封装体12的两条对角线之中的任一者大致平行地延伸。换言之，连结部11C以在俯视下与封装体12的对角线交叉的方式设置。需要说明的是，也可以将连结部11C配置为在俯视下与封装体12的对角线正交。
连结部11C的长度比上述第一直线部11A及第二直线部11B短。4个连结部11C的长度成为相同长度。连结部11C设置于封装体12的四角，并且设置于第十一～第十四贯通孔271～274的附近。连结部11C相对于第十一～第十四贯通孔271～274的外围的接合材料14(连接用接合图案73)而言隔开规定的间隔设置。
如上所述，在本实施方式中，接合材料11在俯视下封装体12的四角以外的部分中沿着封装体12的外周缘设置，在俯视下，贯通孔(第十一～第十四贯通孔271～274、第十六～第十九贯通孔351～354、及第二十二～第二十五贯通孔451～454)配置于接合材料11的外侧。由此，可得到下述这样的效果。
能够尽可能使内部空间13(其气密地密封有晶振片2的振动部23)的空间增大，能够使用尽可能大的构成的振动部23。由此，能够提高振动部23的设计自由度，能够设计各种特性的振动部23。另外，能够将封装体12的四角的空间用作第十一～第十四贯通孔271～274、第十六～第十九贯通孔351～354、及第二十二～第二十五贯通孔451～454的配置空间，并且，能够将封装体12的外周缘的之中的四角以外的空间用作接合材料11的配置空间，因此，能够有效利用包括封装体12的四角在内的外周缘的空间。因而，在三明治结构的晶体振荡器101中，能够容易地应对小型化。并且，由于接合材料11的外缘形状形成为在俯视下为八边形，因此，能够更高效地配置接合材料11、第十一～第十四贯通孔271～274、第十六～第十九贯通孔351～354、及第二十二～第二十五贯通孔451～454。
这里，封装体12的四角易于由外力而在封装体12的各层(晶振片2、第一密封部件3、及第二密封部件4)中发生剥离。但是，在本实施方式中，在封装体12的四角配置第十一～第十四贯通孔271～274、第十六～第十九贯通孔351～354、及第二十二～第二十五贯通孔451～454，并且避开封装体12的四角来配置接合材料11，由此能够保护接合材料11免受由外力引起的剥离。这里，接合材料11的外缘形状为八边形、并且连结部11C以与封装体12的对角线交叉的方式设置，因此，能够借助连结部11C来缓和从封装体12的四角朝向中心传导的应力，能够保护接合材料11免受由外力引起的剥离。
另外，在接合材料11之中，沿着封装体12的外周缘的第一、第二直线部11A、11B分别在俯视下比连结两个贯通孔的中心的直线L1～L4更接近封装体12的外周缘而设置。而且，接合材料11以避开封装体12的四角的第十一～第十四贯通孔271～274、第十六～第十九贯通孔351～354、及第二十二～第二十五贯通孔451～454的方式配置。换言之，在比接合材料11更靠外侧的位置，配置第十一～第十四贯通孔271～274、第十六～第十九贯通孔351～354、及第二十二～第二十五贯通孔451～454。像这样，尽可能地减少设置在接合材料11的内侧的贯通孔的数目，由此，能够提高气密地密封有晶振片2的振动部23的内部空间13的气密性。
此外，当使用焊料(流动性导电接合材料)而将晶体振荡器101接合于外部的电路基板时，焊料从外部电极端子(第一～第四外部电极端子433～436)传导至第二十二～第二十五贯通孔451～454，并蔓延到第二十二～第二十五贯通孔451～454的贯通部分72，由此，第二十二～第二十五贯通孔451～454的贯通部分72被包埋。此时，由于向贯通部分72蔓延的焊料的侵蚀作用，气密地密封有晶振片2的振动部23的内部空间13的气密性有可能降低。但是，根据本实施方式，第十一～第十四贯通孔271～274、第十六～第十九贯通孔351～354、及第二十二～第二十五贯通孔451～454被配置在比接合材料11更靠外侧的位置，因此，能够抑制焊料的侵蚀作用对内部空间13的气密性降低的影响。
这里，外部电极端子(第一～第四外部电极端子433～436)通常设置于第二密封部件4的另一个主面412的四个角部。将外部电极端子与IC5连接的第三～第六电气路径(即，第十一～第十四贯通孔271～274、第十六～第十九贯通孔351～354、及第二十二～第二十五贯通孔451～454)设置于封装体12的四角。由此，能够经由第三～第六电气路径而以最短距离将外部电极端子与IC5连接，能够抑制噪声。另外，第三～第六电气路径通过接合材料11而与振动部23隔离，因此，在从外部电极端子而向第三～第六电气路径供给包含高频成分的信号的情况下，也能够抑制由高频成分引起的噪声的影响。
另外，第三～第六电气路径设置于接合材料11的外侧，另一方面，将IC5与激发电极(第一激发电极221、第二激发电极222)连接的第一、第二电气路径设置于接合材料11的内侧，因此，能够抑制由第三～第六电气路径导致的寄生电容(杂散电容)的增加。这种情况下，第三～第六电气路径设置于封装体12的四角，由于是设置于从激发电极离开的位置，因此，对于抑制寄生电容而言是有利的。另外，由于接合材料11没有与第一、第二电气路径连接，因此，能够抑制由两者的连接而引起的寄生电容的产生，能够确保压电振动器件的频率可变量较大。
此外，本发明只要不脱离其精神、主旨或主要特征，就能够以其他各种形式实施。因此，上述的实施方式在所有方面只是单纯的例示，并不进行限定性解释。本发明的保护范围由权利要求书表示，说明书正文没有任何约束。而且，属于权利要求书的等同范围的变形、变更全部属于本发明的范围内。
需要说明的是，在本实施方式中，在第一密封部件3及第二密封部件4中使用了玻璃，但不限于此，也可以使用石英晶体。另外，晶振片2、第一密封部件3、及第二密封部件4也可以由AT切割石英晶体构成。这种情况下，晶振片2、第一密封部件3、及第二密封部件4的热膨胀率相同，能够抑制由晶振片2、第一密封部件3、及第二密封部件4的热膨胀差引起的封装体12的变形，因此，能够提高气密地密封有晶振片2的振动部23的内部空间13的气密性。另外，由封装体12的变形引起的应变有可能经由保持部213而传导至第一激发电极221及第二激发电极222，从而成为频率变动的主要原因，但通过使得晶振片2、第一密封部件3、及第二密封部件4均由石英晶体构成，能够抑制如上所述的频率变动。
另外，在本实施方式中，在压电振动板中使用了石英晶体，但不限于此，只要是压电材料即可，可以是其他材料，也可以是铌酸锂、钽酸锂等。
另外，在本实施方式中，作为接合材料11，使用了Ti(或Cr)和Au，但不限于此，接合材料11也可以由例如Ni和Au构成。
另外，在本实施方式中，使接合材料11的外缘形状为八边形，但不限于此，也可以使接合材料11的外缘形状为例如五边形、六边形等五边形以上的任意的多边形。另外，也不限于多边形，也可以使接合材料11的外缘形状为包含弯曲部的形状，具体而言，也可以使上述连结部11C的形状为例如圆弧状这样的弯曲形状。
另外，在本实施方式中，接合材料11相对于封装体12的外周缘而言隔开规定的间隔而配置，但也可以将接合材料11形成为直至封装体12的外周缘。
另外，在本实施方式中，将外部电极端子作为第一外部电极端子433、第二外部电极端子434、第三外部电极端子435、及第四外部电极端子436这4个端子，但不限于此，也可以使外部电极端子为例如6端子、8端子等这样的任意数目的端子。
在上述实施方式中，作为压电振动器件，对在晶体振荡器101的晶振片2上形成有两个保持部213、213的情况进行了说明(参见图4、图5)，但也可以采用在晶振片2上仅设置一个保持部213的构成。针对该变形例涉及的晶体振荡器102，参见图9～15进行说明。图9为示出晶体振荡器102的第一密封部件3的变形例的概略俯视图，并与图2对应。图10为示出晶体振荡器102的第一密封部件3的变形例的概略背面图，并与图3对应。图11为示出晶体振荡器102的晶振片2的变形例的概略俯视图，并与图4对应。图12为示出晶体振荡器102的晶振片2的变形例的概略背面图，并与图5对应。图13为示出晶体振荡器102的第二密封部件4的变形例的概略俯视图，并与图6对应。图14为示出晶体振荡器102的第二密封部件4的变形例的概略背面图，并与图7对应。图15为示出晶体振荡器102中的接合材料、与晶振片2的振动部、贯通孔等在俯视下的位置关系的图，并与图8对应。需要说明的是，方便起见，对与上述实施方式的晶体振荡器101(参见图1～8)共通的构成标注相同标记，并省略说明。以下，针对本变形例涉及的晶体振荡器102，主要对不同于上述实施方式的晶体振荡器101的构成进行说明。
如图11、12所示，将晶振片2、振动部23、和包围该振动部23的外围的外框部27的保持部213仅设置一个。保持部213仅从位于振动部23的+X方向且-Z方向的位置的一个角部23a，朝向-Z方向而延伸(突出)至外框部27。由于仅设置了一个保持部213，因此，切口部(缺口部)24以包围振动部23的外围的方式连续形成。另外，振动部23与外框部27仅经由保持部213而得以连结。
在保持部213的一个主面侧设置有从第一激发电极221引出的第一引出电极223，在该保持部213的另一个主面侧设置有从第二激发电极222引出的第二引出电极。第一引出电极223经由保持部213而与在外框部27的一个主面侧形成的激发电极接合图案261相连。第二引出电极经由保持部213而与在外框部27的另一个主面侧形成的激发电极接合图案264相连。激发电极接合图案264成为在第十五贯通孔275的外围形成的连接用接合图案。在本变形例中，晶振片2的保持部213仅为一个，第一引出电极223及第二引出电极在相同方向(-Z方向)上延伸，因此，将第一激发电极221与第一激发电极用外部电极连接的布线及将第二激发电极222与第二激发电极用外部电极连接的布线与上述实施方式不同。
在晶振片2的一个主面211上，除了上述激发电极接合图案261以外，还形成有激发电极接合图案262、263。激发电极接合图案262、263设置于外框部27。激发电极接合图案262是用于对第二激发电极222施加电压的图案，在激发电极接合图案262中，形成有用于在晶振片2的另一个主面212侧进行布线的第十五贯通孔275。激发电极接合图案261、262在X轴方向上隔开规定的间隔而设置。激发电极接合图案263与激发电极接合图案261、262设置在夹着晶振片2的振动部23而在Z轴方向上互为相反侧的位置。激发电极接合图案263在晶振片2的外框部27中沿X轴方向延伸。
在晶振片2的另一个主面212上，除了上述激发电极接合图案264以外，还形成有接合用图案265。激发电极接合图案264及接合用图案265在晶振片2的外框部27沿着X轴方向延伸。激发电极接合图案264通过第十五贯通孔275而与一个主面211侧的激发电极接合图案262连接。接合用图案265与激发电极接合图案264设置于夹着晶振片2的振动部23而在Z轴方向上互为相反侧的位置。
第十五贯通孔275、激发电极接合图案261～264、及接合用图案265设置在比振动侧第一接合图案251及振动侧第二接合图案252更靠内周侧的位置。第十五贯通孔275、激发电极接合图案261～264、及接合用图案265没有与振动侧第一接合图案251及振动侧第二接合图案252电连接。在本变形例中，与上述实施方式同样地，振动侧第一接合图案251及振动侧第二接合图案252形成为在俯视下呈环状，外缘形状及内缘形状形成为大致八边形。另外，第十一～第十四贯通孔271～275及接合用图案73设置于比振动侧第一接合图案251及振动侧第二接合图案252更靠外周侧的位置。
如图9、图10所示，在第一密封部件3的另一个主面312上形成有密封侧激发电极接合图案361～363。密封侧激发电极接合图案361、363经由第二十贯通孔355及第二十一贯通孔356内的电极而与在第一密封部件3的一个主面311形成的外部电极33、33导通。密封侧激发电极接合图案363为用于对第一激发电极221施加电压的图案，在密封侧激发电极接合图案363中，形成有用于在第一密封部件3的一个主面311侧进行布线的第二十一贯通孔356。密封侧激发电极接合图案363与晶振片2的激发电极接合图案261连接。
密封侧激发电极接合图案361、362为用于对第二激发电极222施加电压的图案，在密封侧激发电极接合图案361中，形成有用于在第一密封部件3的一个主面311侧进行布线的第二十贯通孔355。密封侧激发电极接合图案361与晶振片2的激发电极接合图案263连接。密封侧激发电极接合图案362与晶振片2的激发电极接合图案262连接。密封侧激发电极接合图案361沿着A1方向延伸，并且与布线图案34一体形成。密封侧激发电极接合图案362与密封侧激发电极接合图案361设置于夹着布线图案34在A2方向上互为相反侧的位置。换言之，在布线图案34的A2方向的一端侧连接密封侧激发电极接合图案361，在布线图案34的A2方向的另一端侧连接有密封侧激发电极接合图案362。密封侧激发电极接合图案362设置于在A1方向上相对于密封侧激发电极接合图案363而言隔开规定间隔的位置。另外，密封侧激发电极接合图案361设置于在A2方向上与密封侧激发电极接合图案363相反一侧的位置。
第二十贯通孔355、第二十一贯通孔356、密封侧激发电极接合图案361～363、及布线图案34设置于比密封侧第一接合图案321更靠内周侧的位置。第二十贯通孔355、第二十一贯通孔356、密封侧激发电极接合图案361～363、及布线图案34没有与密封侧第一接合图案321电连接。在本变形例中，与上述实施方式同样地，密封侧第一接合图案321形成为在俯视下呈环状，并且外缘形状及内缘形状形成为大致八边形。另外，第十六贯通孔351～第十九贯通孔354及接合用图案73设置于比密封侧第一接合图案321更靠外周侧。
如图13、图14所示，在第二密封部件4的一个主面411上形成有密封侧激发电极接合图案461及接合用图案462。密封侧激发电极接合图案461与晶振片2的激发电极接合图案264连接。接合用图案462与晶振片2的接合用图案265连接。密封侧激发电极接合图案461及接合用图案462沿B1方向延伸。接合用图案462设置于在B2方向上与密封侧激发电极接合图案461相反一侧的位置。
密封侧激发电极接合图案461及接合用图案462设置在比密封侧第二接合图案421更靠内周侧的位置。密封侧激发电极接合图案461及接合用图案462没有与密封侧第二接合图案421电连接。在本变形例中，与上述实施方式同样地，密封侧第二接合图案421形成为在俯视下呈环状，并且外缘形状及内缘形状形成为大致八边形。另外，第二十二～第二十五贯通孔451～454及接合用图案73设置于比密封侧第二接合图案421更靠外周侧的位置。
在本变形例中，与上述实施方式同样地，对于第一密封部件3与晶振片2的接合而言，将晶振片2的振动侧第一接合图案251与第一密封部件3的密封侧第一接合图案321重叠、将晶振片2的激发电极接合图案261、262、263与第一密封部件3的密封侧激发电极接合图案363、362、361重叠，在这种状态下，将各金属扩散接合。另外，对于第二密封部件4与晶振片2的接合而言，将晶振片2的振动侧第二接合图案252与第二密封部件4的密封侧第二接合图案421重叠、将晶振片2的激发电极接合图案264与第二密封部件4的密封侧激发电极接合图案461重叠、将晶振片2的接合用图案265与第二密封部件4的接合用图案462重叠，在这种状态下，将各金属扩散接合。由此，可制造具有与上述实施方式同样的三明治结构的封装体12(参见图1)的体谐振器102。需要说明的是，第一密封部件3的另一个主面312的布线图案34没有与晶振片2的一个主面211的各图案接合。
另外，与上述实施方式同样地，如图15所示，振动侧第一接合图案251及密封侧第一接合图案321自身成为在扩散接合后生成的接合材料11，振动侧第二接合图案252及密封侧第二接合图案421自身成为在扩散接合后生成的接合材料11。接合材料11形成为在俯视下呈环状，并且外缘形状及内缘形状形成为大致八边形。
在晶体振荡器102中，第一激发电极221、第二激发电极222、及第一～第四外部电极端子433～436没有与作为将振动部23气密地密封的密封部的接合材料11(振动侧第一接合图案251及密封侧第一接合图案321、振动侧第二接合图案252及密封侧第二接合图案421)电连接。详细而言，第一激发电极221依次经由第一电气路径(第二十一贯通孔356)、及电极图案33而与IC5电连接。第二激发电极222依次经由第二电气路径(第十五贯通孔275、布线图案34、第二十贯通孔355)、及电极图案33而与IC5电连接。第一、第二电气路径成为配置于在俯视下比接合材料11更靠内侧的位置的内部电气路径。
另外，IC5依次经由电极图案33、及第三电气路径(第十六贯通孔351、第十一贯通孔271、及第二十二贯通孔451)而与第一外部电极端子433电连接。IC5依次经由电极图案33、及第四电气路径(第十七贯通孔352、第十二贯通孔272、及第二十三贯通孔452)而与第二外部电极端子434电连接。IC5依次经由电极图案33、及第五电气路径(第十八贯通孔353、第十三贯通孔273、及第二十四贯通孔453而与第三外部电极端子435电连接。IC5依次经由电极图案33、及第六电气路径(第十九贯通孔354、第十四贯通孔274、及第二十五贯通孔454而与第四外部电极端子436电连接。第三～第六电气路径成为配置于在俯视下比接合材料11更靠外侧的位置的部电气路径。
另外，构成第三电气路径的第十六贯通孔351、第十一贯通孔271、及第二十二贯通孔451以在俯视下重叠的方式设置。构成第四电气路径的第十七贯通孔352、第十二贯通孔272、及第二十三贯通孔452以在俯视下重叠的方式设置。构成第五电气路径的第十八贯通孔353、第十三贯通孔273、及第二十四贯通孔453以在俯视下重叠的方式设置。构成第六电气路径的第十九贯通孔354、第十四贯通孔274、及第二十五贯通孔454以在俯视下重叠的方式设置。由此，当利用FCB法而将IC5搭载于第一密封部件3的一个主面311时，能够较大地确保能够实施FCB法的区域大。
在本变形例中，与上述实施方式同样地，在晶体振荡器102中，作为密封部的接合材料11在俯视下在封装体12的四角以外的部分中沿着封装体12的外周缘而设置。接合材料11的外缘形状及内缘形状形成为在俯视下为八边形。接合材料11的外缘形状及内缘形状成为与振动侧第一接合图案251、振动侧第二接合图案252、密封侧第一接合图案321、及密封侧第二接合图案421的外缘形状(参见图10～图13)相同的形状。
具体而言，如图15所示，接合材料11具有：在俯视下，沿着封装体12的一对短边(平行地)设置的一对第一直线部11A、沿着封装体12的一对长边(平行地)设置的一对第二直线部11B、和以将第一直线部11A的端部及第二直线部11B的端部连接的方式设置的4个连结部11C。一对第一直线部11A及一对第二直线部11B成为沿着封装体12的外周缘(短边及长边)的外缘部。连结部11C相对于封装体12的两条对角线中的任一者而大致平行地延伸。换言之，连结部11C以在俯视下与封装体12的对角线交叉的方式设置。连结部11C的长度比上述第一直线部11A及第二直线部11B短。而且，接合材料11与晶振片2的振动部23、贯通孔等在俯视下的位置关系与上述实施方式的情况(参见图8)大致相同。
如上所述，本变形例涉及的晶体振荡器102中，接合材料11在俯视下在封装体12的四角以外的部分中沿着封装体12的外周缘设置，在俯视下，贯通孔(第十一～第十四贯通孔271～274、第十六～第十九贯通孔351～354、及第二十二～第二十五贯通孔451～454)配置在接合材料11的外侧。由此，根据本变形例涉及的晶体振荡器102，可得到与上述实施方式的晶体振荡器101同样的作用效果。
本申请要求基于2015年6月12日向日本提出申请的特愿2015-119039号的优先权。如在此所述，其全部内容被并入本申请。
产业上的可利用性
本发明可在第一密封部件与第二密封部件隔着压电振动板而叠层并接合而成的三明治结构的压电振动器件中利用。
附图标记说明
101 晶体振荡器
11 接合材料(密封部)
12 封装体
13 内部空间
2 晶振片
221 第一激发电极
222 第二激发电极
23 振动部
271～274 第一～第四贯通孔(外部贯通孔)
3 第一密封部件
4 第二密封部件
5 IC(外部元件)

Claims (6)

1.压电振动器件，其特征在于，所述压电振动器件设置有：
压电振动板，在所述压电振动板的基板的一个主面上形成有第一激发电极，在所述基板的另一个主面上形成有与所述第一激发电极成对的第二激发电极，
第一密封部件，覆盖所述压电振动板的所述第一激发电极，和
第二密封部件，覆盖所述压电振动板的所述第二激发电极；
所述第一密封部件与所述压电振动板接合，并且所述第二密封部件与所述压电振动板接合，由此形成大致长方体的封装体，在所述封装体中设有内部空间，所述内部空间将包括所述第一激发电极和所述第二激发电极的所述压电振动板的振动部气密地密封，
在所述压电振动器件中，
将所述压电振动板的振动部气密地密封的密封部形成为俯视下呈环状、并且在所述封装体的四角以外的部分中沿所述封装体的外周缘设置，环状的密封部不与所述第一激发电极和所述第二激发电极电连接。
2.根据权利要求1所述的压电振动器件，其特征在于，
在所述封装体的四角设有外部贯通孔，所述外部贯通孔将所述压电振动板的一个主面与另一个主面之间贯通，
在所述密封部之中，沿着所述封装体的外周缘的各外缘部分别设置为在俯视下比连结所述两个外部贯通孔的中心的直线更接近所述封装体的所述外周缘。
3.根据权利要求2所述的压电振动器件，其特征在于，
在所述第一密封部件的一个主面上，形成有与外部元件电连接的多个布线图案，
在所述第二密封部件的另一个主面上，形成有与外部电路基板电连接的多个外部电极端子，
在所述各外部贯通孔中，分别形成有外部贯通电极，所述布线图案与所述外部电极端子经由包含所述外部贯通电极的外部电气路径电连接，其中，所述外部贯通电极用于实现在所述压电振动板的所述一个主面和所述另一个主面上形成的电极的导通。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的压电振动器件，其特征在于，
在所述第一密封部件中，形成有将一个主面与另一个主面之间贯通的第一贯通孔，在所述第一贯通孔中形成有第一贯通电极，所述第一贯通电极用于实现在所述一个主面和所述另一个主面上形成的电极的导通，所述第一贯通电极与所述压电振动板的所述第一激发电极电连接，
在所述压电振动板中，形成有将一个主面与另一个主面之间贯通的第二贯通孔，在所述第二贯通孔中形成有第二贯通电极，所述第二贯通电极用于实现在所述一个主面和所述另一个主面上形成的电极的导通，所述第二贯通电极与所述压电振动板的所述第二激发电极电连接，
所述第一贯通电极及所述第二贯通电极设置于在俯视下所述密封部的内侧的位置，并且不与所述密封部电连接。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的压电振动器件，其特征在于，
所述密封部的外缘形状在俯视下为八边形。
6.根据权利要求4所述的压电振动器件，其特征在于，
所述密封部的外缘形状在俯视下为八边形。
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