JP2022099603A - 圧電振動デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】半田による浸食作用を抑制することが可能な圧電振動デバイスを提供する。【解決手段】圧電振動デバイスにおいて、第２封止部材３０の内部空間に面していない側の第２主面３０２には、半田を介して外部回路基板に電気的に接続される外部電極端子３２が形成され、外部電極端子３２，３２は、パッケージ側面に形成された側面配線２７１，１７１，３７１、側面配線２７２，１７２，３７２を経由して、第１、第２励振電極１１１，１１２に電気的に接続されており、第７、第８側面配線３７１，３７２は、表面の金属膜が半田の濡れ性の低い少なくともＴｉを含む膜によって形成される。【選択図】図１０

Description

本発明は、圧電振動子等の圧電振動デバイスに関する。

近年、各種電子機器の動作周波数の高周波化や、パッケージの小型化（特に低背化）が進んでいる。そのため、高周波化やパッケージの小型化にともなって、圧電振動デバイス（例えば水晶振動子、水晶発振器等）も高周波化やパッケージの小型化への対応が求められている。

この種の圧電振動デバイスでは、その筐体が略直方体のパッケージで構成されている。このパッケージは、例えばガラスや水晶からなる第１封止部材および第２封止部材と、例えば水晶からなり両主面に励振電極が形成された圧電振動板とから構成され、第１封止部材と第２封止部材とが圧電振動板を介して積層して接合される。そして、パッケージの内部（内部空間）に配された圧電振動板の振動部（励振電極）が気密封止されている（例えば、特許文献１）。以下、このような圧電振動デバイスの積層形態をサンドイッチ構造という。

特開２０１０－２５２０５１号公報

上述したような圧電振動デバイスでは、圧電振動板の振動部の励振電極が、第２封止部材の内部空間に面していない側の主面に形成された外部電極端子に電気的に接続される。圧電振動デバイスを外部回路基板（実装基板）に搭載する場合、外部電極端子が半田を介して外部回路基板に電気的に接続されるようになっている。しかし、半田は、Ｓｎ（スズ）を含むため、励振電極から外部電極端子までの電気的な導通経路に、Ａｕ（金）が含まれる場合、半田による浸食作用によって、導通抵抗の増加や、断線等の不具合が発生することが懸念される。同様の問題点は、例えば第１封止部材の内部空間に面していない側の主面に形成されたアース接続用電極から、外部電極端子までの電気的な導通経路に、Ａｕ（金）が含まれる場合にも懸念される。

本発明は上述したような実情を考慮してなされたもので、半田による浸食作用を抑制することが可能な圧電振動デバイスを提供することを目的とする。

本発明は、上述の課題を解決するための手段を以下のように構成している。すなわち、本発明は、基板の一主面に第１励振電極が形成され、前記基板の他主面に前記第１励振電極と対になる第２励振電極が形成された圧電振動板と、前記圧電振動板の前記第１励振電極を覆う第１封止部材と、前記圧電振動板の前記第２励振電極を覆う第２封止部材と、が設けられ、前記第１封止部材と前記圧電振動板とが接合され、かつ前記第２封止部材と前記圧電振動板とが接合されることによって、前記第１励振電極と前記第２励振電極とを含む前記圧電振動板の振動部が気密封止された内部空間が設けられた圧電振動デバイスにおいて、前記第２封止部材の前記内部空間に面していない側の主面には、半田を介して外部回路基板に電気的に接続される外部電極端子が形成され、前記外部電極端子は、当該圧電振動デバイスのパッケージ側面に形成された側面配線に電気的に接続されており、前記側面配線の一部または全部には、前記半田に対する耐浸食構造が設けられていることを特徴とする。

上記構成によれば、パッケージ側面の側面配線の一部または全部に設けられた耐浸食構造により、側面配線における半田の浸食経路を遮断することができるので、例えば第１、第２励振電極やアース接続用電極への側面配線を経由した導通経路の半田の濡れ広がりを抑制することができ、第１、第２励振電極やアース接続用電極の半田による浸食を抑制することができる。また、側面配線の半田浸食による導通抵抗の増加や、断線等の発生を抑制することができる。

上記構成において、前記耐浸食構造を有する前記側面配線は、表面の金属膜が半田の濡れ性の低い金属によって形成されることが好ましい。この構成によれば、側面配線の表面の金属膜が半田の濡れ性の低い金属によって形成されるため、側面配線における半田の浸食経路を遮断することができるので、例えば第１、第２励振電極やアース接続用電極への導通経路の半田の濡れ広がりを抑制することができ、第１、第２励振電極やアース接続用電極の半田による浸食を抑制することができる。また、側面配線の半田浸食による導通抵抗の増加や、断線等の発生を抑制することができる。

上記構成において、前記耐浸食構造を有する前記側面配線は、少なくとも前記第２封止部材の側面に設けられていることが好ましい。この構成によれば、パッケージ側面のうちの少なくとも第２封止部材の側面において、半田の浸食経路を遮断することができ、例えば第１、第２励振電極やアース接続用電極の半田による浸食を抑制することができる。

上記構成において、前記金属膜は、少なくともＴｉを含む膜であることが好ましい。この構成によれば、パッケージ側面上に形成された金属膜の表面に、少なくともＴｉを含む膜が形成されるので、半田の濡れ性の低いＴｉを含む膜が露出された構成になっている。これにより、パッケージ側面における半田の浸食経路を遮断することができ、例えば第１、第２励振電極やアース接続用電極の半田による浸食を抑制することができる。

上記構成において、前記圧電振動板、前記第１、第２封止部材が、ＡＴカット水晶板であり、前記側面配線が、ＡＴカット水晶板のＺ´軸方向に沿って形成されていることが好ましい。この上記構成によれば、断線が生じにくい安定した側面配線を容易に形成することができる。

本発明の圧電振動デバイスによれば、パッケージ側面の側面配線の一部または全部に設けられた耐浸食構造により、側面配線における半田の浸食経路を遮断することができるので、例えば第１、第２励振電極やアース接続用電極への導通経路の半田の濡れ広がりを抑制することができ、第１、第２励振電極やアース接続用電極の半田による浸食を抑制することができる。また、側面配線の半田浸食による導通抵抗の増加や、断線等の発生を抑制することができる。

図１は、本実施形態にかかる水晶振動子の各構成を模式的に示した概略構成図である。 図２は、水晶振動子の第１封止部材の第１主面側の概略平面図である。 図３は、水晶振動子の第１封止部材の第２主面側の概略平面図である。 図４は、水晶振動子の水晶振動板の第１主面側の概略平面図である。 図５は、水晶振動子の水晶振動板の第２主面側の概略平面図である。 図６は、水晶振動子の第２封止部材の第１主面側の概略平面図である。 図７は、水晶振動子の第２封止部材の第２主面側の概略平面図である。 図８は、水晶振動子の－Ｘ方向側の概略側面図である。 図９は、水晶振動子の＋Ｘ方向側の概略側面図である。 図１０は、水晶振動子の第２封止部材の概略断面図である。 図１１は、変形例１にかかる水晶振動子の－Ｘ方向側の概略側面図である。 図１２は、変形例１にかかる水晶振動子の＋Ｘ方向側の概略側面図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の実施形態では、本発明を適用する圧電振動デバイスが水晶振動子である場合について説明する。

まず、本実施形態にかかる水晶振動子１００の基本的な構造を説明する。水晶振動子１００は、図１に示すように、水晶振動板（圧電振動板）１０、第１封止部材２０、および第２封止部材３０を備えて構成されている。この水晶振動子１００では、水晶振動板１０と第１封止部材２０とが接合され、水晶振動板１０と第２封止部材３０とが接合されることによって、略直方体のサンドイッチ構造のパッケージが構成される。すなわち、水晶振動子１００においては、水晶振動板１０の両主面のそれぞれに第１封止部材２０および第２封止部材３０が接合されることでパッケージの内部空間（キャビティ）が形成され、この内部空間に振動部１１（図４、図５参照）が気密封止される。

本実施形態にかかる水晶振動子１００は、例えば、１．０×０．８ｍｍのパッケージサイズであり、小型化と低背化とを図ったものである。また、小型化に伴い、パッケージでは、キャスタレーションを形成せずに、後述する側面配線等を用いて電極の導通を図っている。また、水晶振動子１００は、外部に設けられる外部回路基板（図示省略）に半田を介して電気的に接続されるようになっている。

次に、上記した水晶振動子１００における水晶振動板１０、第１封止部材２０および第２封止部材３０の各部材について、図１～図７を用いて説明する。なお、ここでは、接合されていないそれぞれ単体として構成されている各部材について説明を行う。図２～図７は、水晶振動板１０、第１封止部材２０および第２封止部材３０のそれぞれの一構成例を示しているに過ぎず、これらは本発明を限定するものではない。

水晶振動板１０は、図４、図５に示すように、水晶からなる圧電基板であって、その両主面（第１主面１０１，第２主面１０２）が平坦平滑面（鏡面加工）として形成されている。本実施形態では、水晶振動板１０として、厚みすべり振動を行うＡＴカット水晶板が用いられている。図４、図５に示す水晶振動板１０では、水晶振動板１０の両主面１０１，１０２が、ＸＺ´平面とされている。このＸＺ´平面において、水晶振動板１０の短手方向（短辺方向）に平行な方向がＸ軸方向とされ、水晶振動板１０の長手方向（長辺方向）に平行な方向がＺ´軸方向とされている。なお、ＡＴカットは、人工水晶の３つの結晶軸である電気軸（Ｘ軸）、機械軸（Ｙ軸）、および光学軸（Ｚ軸）のうち、Ｚ軸に対してＸ軸周りに３５°１５′だけ傾いた角度で切り出す加工手法である。ＡＴカット水晶板では、Ｘ軸は水晶の結晶軸に一致する。Ｙ´軸およびＺ´軸は、水晶の結晶軸のＹ軸およびＺ軸からそれぞれ概ね３５°１５′傾いた（この切断角度はＡＴカット水晶振動板の周波数温度特性を調整する範囲で多少変更してもよい）軸に一致する。Ｙ´軸方向およびＺ´軸方向は、ＡＴカット水晶板を切り出すときの切り出し方向に相当する。

水晶振動板１０の両主面１０１，１０２には、一対の励振電極（第１励振電極１１１，第２励振電極１１２）が形成されている。水晶振動板１０は、略矩形に形成された振動部１１と、この振動部１１の外周を取り囲む外枠部１２と、振動部１１と外枠部１２とを連結することで振動部１１を保持する保持部１３とを有している。すなわち、水晶振動板１０は、振動部１１、外枠部１２および保持部１３が一体的に設けられた構成となっている。保持部１３は、振動部１１の＋Ｘ方向かつ－Ｚ´方向に位置する１つの角部のみから、－Ｚ´方向に向けて外枠部１２まで延びている（突出している）。そして、振動部１１と外枠部１２との間には、水晶振動板１０を切り抜いて形成された切り抜き部１０ａが設けられている。本実施形態では、水晶振動板１０には、振動部１１と外枠部１２とを連結する保持部１３が１つのみ設けられており、切り抜き部１０ａが振動部１１の外周囲を囲うように連続して形成されている。

第１励振電極１１１は振動部１１の第１主面１０１側に設けられ、第２励振電極１１２は振動部１１の第２主面１０２側に設けられている。第１励振電極１１１，第２励振電極１１２には、これらの励振電極を外部電極端子に接続するための引出配線（第１引出配線１１３，第２引出配線１１４）が接続されている。第１引出配線１１３は、第１励振電極１１１から引き出され、保持部１３を経由して、外枠部１２に形成された接続用接合パターン１４に繋がっている。第２引出配線１１４は、第２励振電極１１２から引き出され、保持部１３を経由して、外枠部１２に形成された接続用接合パターン１５に繋がっている。

水晶振動板１０の両主面（第１主面１０１，第２主面１０２）には、水晶振動板１０を第１封止部材２０および第２封止部材３０に接合するための振動板側封止部がそれぞれ設けられている。第１主面１０１の振動板側封止部としては振動板側第１接合パターン１２１が形成されており、第２主面１０２の振動板側封止部としては振動板側第２接合パターン１２２が形成されている。振動板側第１接合パターン１２１および振動板側第２接合パターン１２２は、外枠部１２に設けられており、平面視で環状に形成されている。振動板側第１接合パターン１２１の外周縁は、水晶振動板１０（外枠部１２）の第１主面１０１の外周縁に近接して設けられている。振動板側第２接合パターン１２２の外周縁は、水晶振動板１０（外枠部１２）の第２主面１０２の外周縁に近接して設けられている。

水晶振動板１０の第１主面１０１には、振動板側第１接合パターン１２１の外周側に、積層間配線用接合パターン１８１，１８２が形成されている。積層間配線用接合パターン１８１，１８２は、振動板側第１接合パターン１２１に接続されておらず、振動板側第１接合パターン１２１とは所定の間隔を隔てて設けられている。積層間配線用接合パターン１８１は、水晶振動板１０の第１主面１０１の－Ｘ方向側かつ＋Ｚ´方向側の部分に設けられており、後述する第１側面配線１７１に接続されている。積層間配線用接合パターン１８２は、水晶振動板１０の第１主面１０１の＋Ｘ方向側かつ－Ｚ´方向側の部分に設けられており、後述する第２側面配線１７２に接続されている。

また、水晶振動板１０の第２主面１０２には、振動板側第２接合パターン１２２の外周側に、積層間配線用接合パターン１８３，１８４が形成されている。積層間配線用接合パターン１８３，１８４は、振動板側第２接合パターン１２２に接続されておらず、振動板側第２接合パターン１２２とは所定の間隔を隔てて設けられている。積層間配線用接合パターン１８３は、水晶振動板１０の第２主面１０２の－Ｘ方向側かつ＋Ｚ´方向側の部分に設けられており、後述する第１側面配線１７１に接続されている。積層間配線用接合パターン１８４は、水晶振動板１０の第２主面１０２の＋Ｘ方向側かつ－Ｚ´方向側の部分に設けられており、後述する第２側面配線１７２に接続されている。

水晶振動板１０には、図４、図５に示すように、第１主面１０１と第２主面１０２との間を貫通する１つのスルーホールが形成されている。具体的には、第１スルーホール１６２は、外枠部１２であって、振動板側第１接合パターン１２１および振動板側第２接合パターン１２２の内周側に設けられている。また、第１スルーホール１６２は、振動部１１のＺ´軸方向の一方側（図４、図５では、－Ｚ´方向側）に設けられている。第１スルーホール１６２の周囲には、第１主面１０１側では接続用接合パターン１２４が、第２主面１０２側では接続用接合パターン１５が形成されている。

第１スルーホール１６２には、第１主面１０１と第２主面１０２とに形成された電極の導通を図るための貫通電極が、第１スルーホール１６２の内壁面に沿って形成されている。また、第１スルーホール１６２の中央部分は、第１主面１０１と第２主面１０２との間を貫通した中空状態の貫通部分となる。なお、第１主面１０１および第２主面１０２の電極間の導通を、スルーホールの貫通電極以外の手段（例えば外枠部１２の内壁面等に形成された配線）によって行ってもよい。

水晶振動板１０の側面には、図４、図５に示すように、２つの側面配線が形成されている。具体的には、水晶振動板１０の－Ｘ方向側の側面１０３に、第１側面配線１７１が形成されている。水晶振動板１０の＋Ｘ方向側の側面１０４に、第２側面配線１７２が形成されている。

第１側面配線１７１は、水晶振動板１０の－Ｘ方向側の側面１０３の＋Ｚ´方向側の部分に形成されている。第１側面配線１７１は、水晶振動板１０の第１主面１０１に設けられた積層間配線用接合パターン１８１に接続されている。第１側面配線１７１は、水晶振動板１０の第２主面２０２に設けられた積層間配線用接合パターン１８３に接続されている。

第２側面配線１７２は、水晶振動板１０の＋Ｘ方向側の側面１０４の－Ｚ´方向側の部分に形成されている。第２側面配線１７２は、水晶振動板１０の第１主面１０１に設けられた積層間配線用接合パターン１８２に接続されている。第２側面配線１７２は、水晶振動板１０の第２主面２０２に設けられた積層間配線用接合パターン１８４に接続されている。

また、水晶振動板１０の外枠部１２の内壁面には、図４、図５に示すように、２つの内部配線が形成されている。具体的には、水晶振動板１０の外枠部１２の－Ｘ方向側の内壁面１０５に、第１内部配線１７３が形成されている。水晶振動板１０の外枠部１２の＋Ｘ方向側の内壁面１０６に、第２内部配線１７４が形成されている。

第１内部配線１７３は、外枠部１２の－Ｘ方向側の内壁面１０５の中央部に所定の幅で設けられている。第１内部配線１７３は、水晶振動板１０の第１主面１０１に設けられた振動板側第１接合パターン１２１に接続されている。第１内部配線１７３は、水晶振動板１０の第２主面１０２に設けられた振動板側第２接合パターン１２２に接続されている。

第２内部配線１７４は、外枠部１２の＋Ｘ方向側の内壁面１０６の中央部に所定の幅で設けられている。第２内部配線１７４は、水晶振動板１０の第１主面１０１に設けられた振動板側第１接合パターン１２１に接続されている。第２内部配線１７４は、水晶振動板１０の第２主面１０２に設けられた振動板側第２接合パターン１２２に接続されている。第１内部配線１７３および第２内部配線１７４は、振動部１１を挟んで互いに対向するように配置されている。

第１封止部材２０は、図２、図３に示すように、１枚のＡＴカット水晶板から形成された直方体の基板であり、この第１封止部材２０の第２主面２０２（水晶振動板１０に接合する面）は平坦平滑面（鏡面加工）として形成されている。なお、第１封止部材２０は振動部を有するものではないが、水晶振動板１０と同様にＡＴカット水晶板を用いることで、水晶振動板１０と第１封止部材２０の熱膨張率を同じにすることができ、水晶振動子１００における熱変形を抑制することができる。また、第１封止部材２０におけるＸ軸、Ｙ軸およびＺ´軸の向きも水晶振動板１０と同じとされている。

第１封止部材２０の第１主面２０１（水晶振動板１０に面しない外方の主面）には、図２に示すように、配線用の第１、第２端子２２，２３と、シールド用（アース接続用）の金属膜２８とが形成されている。配線用の第１、第２端子２２，２３は、水晶振動板１０の第１、第２励振電極１１１，１１２と、第２封止部材３０の外部電極端子３２とを電気的に接続するための配線として設けられている。第１、第２端子２２，２３は、Ｚ´軸方向の両端部に設けられており、第１端子２２が、＋Ｚ´方向側に設けられ、第２端子２３が、－Ｚ´方向側に設けられている。第１、第２端子２２，２３は、Ｘ軸方向に延びるように形成されている。第１端子２２および第２端子２３は、略矩形状に形成されている。第１端子２２は、第１主面２０１の－Ｘ方向側の端部まで延びており、後述する第３側面配線２７１に接続されている。第２端子２３は、第１主面２０１の＋Ｘ方向側の端部まで延びており、後述する第４側面配線２７２に接続されている。

金属膜２８は、第１、第２端子２２，２３の間に設けられており、第１、第２端子２２，２３とは所定の間隔を隔てて配置されている。金属膜２８は、第１封止部材２０の第１主面２０１の第１、第２端子２２，２３が形成されていない領域のうち、ほとんど全ての領域に設けられている。金属膜２８は、第１封止部材２０の第１主面２０１の＋Ｘ方向の端部から－Ｘ方向の端部にわたって設けられている。金属膜２８は、第１主面２０１の－Ｘ方向の端部まで延びており、後述する第５側面配線２７３に接続されている。また、金属膜２８は、第１主面２０１の＋Ｘ方向の端部まで延びており、後述する第６側面配線２７４に接続されている。

第１封止部材２０には、図２、図３に示すように、第１主面２０１と第２主面２０２との間を貫通する２つのスルーホールが形成されている。具体的には、第２，第３スルーホール２１２，２１３が、図２、図３の＋Ｚ´方向および－Ｚ´方向にそれぞれ設けられている。

第２，第３スルーホール２１２，２１３には、第１主面２０１と第２主面２０２とに形成された電極の導通を図るための貫通電極が、第２，第３スルーホール２１２，２１３それぞれの内壁面に沿って形成されている。また、第２，第３スルーホール２１２，２１３それぞれの中央部分は、第１主面２０１と第２主面２０２との間を貫通した中空状態の貫通部分となる。そして、第２スルーホール２１２の貫通電極が、第１端子２２に電気的に接続されている。第３スルーホール２１３の貫通電極が、第２端子２３に電気的に接続されている。

第１封止部材２０の第２主面２０２には、水晶振動板１０に接合するための封止部材側第１封止部としての封止部材側第１接合パターン２４が形成されている。封止部材側第１接合パターン２４は、平面視で環状に形成されている。封止部材側第１接合パターン２４の外周縁は、第１封止部材２０の第２主面２０２の外周縁に近接して設けられている。また、第１封止部材２０の第２主面２０２では、第２スルーホール２１２の周囲には接続用接合パターン２６１が形成されており、第３スルーホール２１３の周囲には接続用接合パターン２６２が形成されている。さらに、接続用接合パターン２６１に対して第１封止部材２０の長軸方向の反対側（－Ｚ´方向側）には接続用接合パターン２６３が形成されており、接続用接合パターン２６１と接続用接合パターン２６３とは配線パターン２７によって接続されている。

また、第１封止部材２０の第２主面２０２には、封止部材側第１接合パターン２４の外周側に、積層間配線用接合パターン２８１，２８２が形成されている。積層間配線用接合パターン２８１，２８２は、封止部材側第１接合パターン２４に接続されておらず、封止部材側第１接合パターン２４とは所定の間隔を隔てて設けられている。積層間配線用接合パターン２８１は、第１封止部材２０の第２主面２０２の－Ｘ方向側かつ＋Ｚ´方向側の部分に設けられており、後述する第３側面配線２７１に接続されている。積層間配線用接合パターン２８２は、第１封止部材２０の第２主面２０２の＋Ｘ方向側かつ－Ｚ´方向側の部分に設けられており、後述する第４側面配線２７２に接続されている。

第１封止部材２０の側面には、図２、図３に示すように、４つの側面配線が形成されている。具体的には、第１封止部材２０の－Ｘ方向側の側面２０３に、第３側面配線２７１および第５側面配線２７３が形成されている。第１封止部材２０の＋Ｘ方向側の側面２０４に、第４側面配線２７２および第６側面配線２７４が形成されている。

第３側面配線２７１は、第１封止部材２０の－Ｘ方向側の側面２０３の＋Ｚ´方向側の部分に形成されている。第３側面配線２７１は、第１封止部材２０の第１主面２０１に設けられた第１端子２２に接続されている。第３側面配線２７１は、第１封止部材２０の第２主面２０２に設けられた積層間配線用接合パターン２８１に接続されている。

第４側面配線２７２は、第１封止部材２０の＋Ｘ方向側の側面２０４の－Ｚ´方向側の部分に形成されている。第４側面配線２７２は、第１封止部材２０の第１主面２０１に設けられた第２端子２３に接続されている。第４側面配線２７２は、第１封止部材２０の第２主面２０２に設けられた積層間配線用接合パターン２８２に接続されている。

第５側面配線２７３は、第１封止部材２０の－Ｘ方向側の側面２０３の－Ｚ´方向側の部分に形成されている。第５側面配線２７３は、第１封止部材２０の第１主面２０１に設けられた金属膜２８に接続されている。第５側面配線２７３は、第１封止部材２０の第２主面２０２に設けられた封止部材側第１接合パターン２４に接続されている。

第６側面配線２７４は、第１封止部材２０の＋Ｘ方向側の側面２０４の＋Ｚ´方向側の部分に形成されている。第６側面配線２７４は、第１封止部材２０の第１主面２０１に設けられた金属膜２８に接続されている。第６側面配線２７４は、第１封止部材２０の第２主面２０２に設けられた封止部材側第１接合パターン２４に接続されている。

第２封止部材３０は、図６、図７に示すように、１枚のＡＴカット水晶板から形成された直方体の基板であり、この第２封止部材３０の第１主面３０１（水晶振動板１０に接合する面）は平坦平滑面（鏡面加工）として形成されている。なお、第２封止部材３０においても、水晶振動板１０と同様にＡＴカット水晶板を用い、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ´軸の向きも水晶振動板１０と同じとすることが望ましい。

この第２封止部材３０の第１主面３０１には、水晶振動板１０に接合するための封止部材側第２封止部としての封止部材側第２接合パターン３１が形成されている。封止部材側第２接合パターン３１は、平面視で環状に形成されている。封止部材側第２接合パターン３１の外周縁は、第２封止部材３０の第１主面３０１の外周縁に近接して設けられている。

また、第２封止部材３０の第１主面３０１には、封止部材側第２接合パターン３１の外周側に、積層間配線用接合パターン３８１，３８２が形成されている。積層間配線用接合パターン３８１，３８２は、封止部材側第２接合パターン３１に接続されておらず、封止部材側第２接合パターン３１とは所定の間隔を隔てて設けられている。積層間配線用接合パターン３８１は、第２封止部材３０の第１主面３０１の－Ｘ方向側かつ＋Ｚ´方向側の部分に設けられており、後述する第７側面配線３７１に接続されている。積層間配線用接合パターン３８２は、第２封止部材３０の第１主面３０１の＋Ｘ方向側かつ－Ｚ´方向側の部分に設けられており、後述する第８側面配線３７２に接続されている。

第２封止部材３０の第２主面３０２（水晶振動板１０に面しない外方の主面）には、水晶振動子１００の外部に設けられる外部回路基板に電気的に接続する４つの外部電極端子３２が設けられている。外部電極端子３２は、第２封止部材３０の第２主面３０２の４隅（隅部）にそれぞれ位置する。外部電極端子３２は、平面視で、水晶振動子１００のパッケージの内部空間に沿ってそれぞれ設けられており、略Ｌ字状に形成されている。外部電極端子３２は、平面視で、上述した水晶振動板１０の外枠部１２と重複する位置に設けられている。

第２封止部材３０の側面には、図６、図７に示すように、４つの側面配線が形成されている。具体的には、第２封止部材３０の－Ｘ方向側の側面３０３に、第７側面配線３７１および第９側面配線３７３が形成されている。第２封止部材３０の＋Ｘ方向側の側面３０４に、第８側面配線３７２および第１０側面配線３７４が形成されている。

第７側面配線３７１は、第２封止部材３０の－Ｘ方向側の側面３０３の＋Ｚ´方向側の部分に形成されている。第７側面配線３７１は、第２封止部材３０の第１主面３０１に設けられた積層間配線用接合パターン３８１に接続されている。第７側面配線３７１は、第２封止部材３０の第２主面３０２に設けられた外部電極端子３２に接続されている。

第８側面配線３７２は、第２封止部材３０の＋Ｘ方向側の側面３０４の－Ｚ´方向側の部分に形成されている。第８側面配線３７２は、第２封止部材３０の第１主面３０１に設けられた積層間配線用接合パターン３８２に接続されている。第８側面配線３７２は、第２封止部材３０の第２主面３０２に設けられた外部電極端子３２に接続されている。

第９側面配線３７３は、第２封止部材３０の－Ｘ方向側の側面３０３の－Ｚ´方向側の部分に形成されている。第９側面配線３７３は、第２封止部材３０の第１主面３０１に設けられた封止部材側第２接合パターン３１に接続されている。第９側面配線３７３は、第２封止部材３０の第２主面３０２に設けられた外部電極端子３２に接続されている。

第１０側面配線３７４は、第２封止部材３０の＋Ｘ方向側の側面３０４の＋Ｚ´方向側の部分に形成されている。第１０側面配線３７４は、第２封止部材３０の第１主面３０１に設けられた封止部材側第２接合パターン３１に接続されている。第１０側面配線３７４は、第２封止部材３０の第２主面３０２に設けられた外部電極端子３２に接続されている。

上記構成の水晶振動板１０、第１封止部材２０、および第２封止部材３０を含む水晶振動子１００では、水晶振動板１０と第１封止部材２０とが振動板側第１接合パターン１２１および封止部材側第１接合パターン２４を重ね合わせた状態で拡散接合され、水晶振動板１０と第２封止部材３０とが振動板側第２接合パターン１２２および封止部材側第２接合パターン３１を重ね合わせた状態で拡散接合されて、図１、図８、図９に示すサンドイッチ構造のパッケージが製造される。これにより、パッケージの内部空間、つまり、振動部１１の収容空間が気密封止される。

水晶振動子１００において、水晶振動板１０の振動部１１を気密封止する封止部（シールパス）１１５，１１６は、平面視で、環状に形成されている。シールパス１１５は、上述した振動板側第１接合パターン１２１および封止部材側第１接合パターン２４の拡散接合（Ａｕ－Ａｕ接合）によって形成され、シールパス１１５の内縁形状が略八角形に形成されている。シールパス１１５の外縁形状は略矩形に形成され、シールパス１１５の外周縁がパッケージの外周縁に近接して配置される。同様に、シールパス１１６は、上述した振動板側第２接合パターン１２２および封止部材側第２接合パターン３１の拡散接合（Ａｕ－Ａｕ接合）によって形成され、シールパス１１６の内縁形状が略八角形に形成されている。シールパス１１６の外縁形状は略矩形に形成され、シールパス１１６の外周縁がパッケージの外周縁に近接して配置される。

このように拡散接合によってシールパス１１５，１１６が形成された水晶振動子１００において、第１封止部材２０と水晶振動板１０とは、１．００μｍ以下のギャップを有し、第２封止部材３０と水晶振動板１０とは、１．００μｍ以下のギャップを有する。つまり、第１封止部材２０と水晶振動板１０との間のシールパス１１５の厚みが、１．００μｍ以下であり、第２封止部材３０と水晶振動板１０との間のシールパス１１６の厚みが、１．００μｍ以下（具体的には、本実施形態のＡｕ－Ａｕ接合では０．１５μｍ～１．００μｍ）である。なお、比較例として、Ｓｎを用いた従来の金属ペースト封止材では、５μｍ～２０μｍとなる。

また、上述した接続用接合パターン同士、および積層間配線用接合パターン同士も重ね合わせられた状態で拡散接合される。そして、接続用接合パターン同士、および積層間配線用接合パターン同士の接合により、水晶振動子１００では、第１励振電極１１１、第２励振電極１１２と、外部電極端子３２との間の電気的導通が得られるようになっている。具体的には、第１励振電極１１１は、第１引出配線１１３、配線パターン２７、第２スルーホール２１２、第１端子２２、第３側面配線２７１、第１積層間配線１１７、第１側面配線１７１、第２積層間配線１１８、および第７側面配線３７１を順に経由して、外部電極端子３２に接続される。第１積層間配線１１７は、第１封止部材２０と水晶振動板１０との積層間に配置される配線である。この第１積層間配線１１７は、第１封止部材２０の第２主面２０２に形成された積層間配線用接合パターン２８１と、水晶振動板１０の第１主面１０１に形成された積層間配線用接合パターン１８１との拡散接合によって形成される。図８に示すように、第１積層間配線１１７の＋Ｚ´方向側の端部に、第３側面配線２７１が接続され、第１積層間配線１１７の－Ｚ´方向側の端部に、第１側面配線１７１が接続されている。第２積層間配線１１８は、水晶振動板１０と第２封止部材３０との積層間に配置される配線である。この第２積層間配線１１８は、水晶振動板１０の第２主面１０２に形成された積層間配線用接合パターン１８３と、第２封止部材３０の第１主面３０１に形成された積層間配線用接合パターン３８１との拡散接合によって形成される。
図８に示すように、第２積層間配線１１８の－Ｚ´方向側の端部に、第１側面配線１７１が接続され、第２積層間配線１１８の＋Ｚ´方向側の端部に、第７側面配線３７１が接続されている。

また、第２励振電極１１２は、第２引出配線１１４、第１スルーホール１６２、第３スルーホール２１３、第２端子２３、第４側面配線２７２、第３積層間配線１１９、第２側面配線１７２、第４積層間配線１２０、および第８側面配線３７２を順に経由して、外部電極端子３２に接続される。第３積層間配線１１９は、第１封止部材２０と水晶振動板１０との積層間に配置される配線である。この第３積層間配線１１９は、第１封止部材２０の第２主面２０２に形成された積層間配線用接合パターン２８２と、水晶振動板１０の第１主面１０１に形成された積層間配線用接合パターン１８２との拡散接合によって形成される。図９に示すように、第３積層間配線１１９の－Ｚ´方向側の端部に、第４側面配線２７２が接続され、第３積層間配線１１９の＋Ｚ´方向側の端部に、第２側面配線１７２が接続されている。第４積層間配線１２０は、水晶振動板１０と第２封止部材３０との積層間に配置される配線である。この第４積層間配線１２０は、水晶振動板１０の第２主面１０２に形成された積層間配線用接合パターン１８４と、第２封止部材３０の第１主面３０１に形成された積層間配線用接合パターン３８２との拡散接合によって形成される。図９に示すように、第４積層間配線１２０の＋Ｚ´方向側の端部に、第２側面配線１７２が接続され、第４積層間配線１２０の－Ｚ´方向側の端部に、第８側面配線３７２が接続されている。

さらに、金属膜２８は、第５側面配線２７３、シールパス１１５、第１内部配線１７３、シールパス１１６、第９側面配線３７３を順に経由して、アース接続（グランド接続、外部電極端子３２の一部を利用）されている。同様に、金属膜２８は、第６側面配線２７４、シールパス１１５、第２内部配線１７４、シールパス１１６、第１０側面配線３７４を順に経由して、アース接続（グランド接続、外部電極端子３２の一部を利用）されている。

本実施形態では、第１、第２励振電極１１１，１１２と、外部電極端子３２，３２との間の電気的な導通経路は、環状のシールパス１１５，１１６には電気的に接続されないようになっている。

具体的には、平面視で、環状のシールパス１１５，１１６の内方において、第１励振電極１１１が、第２スルーホール２１２の貫通電極を介して、第１封止部材２０の第１主面２０１の第１端子２２に電気的に接続されている。第１端子２２は、平面視で、環状のシールパス１１５，１１６の内方と外方に跨って配置されている。そして、平面視で、環状のシールパス１１５，１１６の外方において、第１端子２２が、水晶振動子１００のパッケージ側面に形成された側面配線２７１，１７１，３７１を経由して、第２封止部材３０の第２主面３０２の外部電極端子３２に電気的に接続されている。このような第１励振電極１１１と、外部電極端子３２との間の電気的な導通経路は、環状のシールパス１１５，１１６には電気的に接続されていない。

同様に、平面視で、環状のシールパス１１５，１１６の内方において、第２励振電極１１２が、第１スルーホール１６２の貫通電極および第３スルーホール２１３の貫通電極を介して、第１封止部材２０の第１主面２０１の第２端子２３に電気的に接続されている。第２端子２３は、平面視で、環状のシールパス１１５，１１６の内方と外方に跨って配置されている。そして、平面視で、環状のシールパス１１５，１１６の外方において、第２端子２３が、水晶振動子１００のパッケージ側面に形成された側面配線２７２，１７２，３７２を経由して、第２封止部材３０の第２主面３０２の外部電極端子３２に電気的に接続されている。このような第２励振電極１１２と、外部電極端子３２との間の電気的な導通経路は、環状のシールパス１１５，１１６には電気的に接続されていない。

水晶振動子１００において、上述した各種接合パターンは、複数の層が水晶板上に積層されてなり、その最下層側からＴｉ（チタン）層とＡｕ（金）層とが蒸着またはスパッタリングにより形成されているものとすることが好ましい。また、水晶振動子１００に形成される他の配線や電極も、接合パターンと同一の構成とすれば、接合パターンや配線および電極を同時にパターニングでき、好ましい。

本実施形態では、上記構成の水晶振動子１００において、第２封止部材３０の第７、第８側面配線３７１，３７２からＡｕ膜の一部または全部が除去されており、第２封止部材３０の第７、第８側面配線３７１，３７２がＡｕ以外の導電性金属によって導通を行う構成になっているので、半田に対する耐浸食構造を有している。以下、この点について詳細に説明する。

水晶振動子１００の第２封止部材３０の内部空間に面していない側の第２主面３０２には、半田を介して外部回路基板に電気的に接続される外部電極端子３２が形成されている。外部電極端子３２は、水晶振動子１００のパッケージ側面に形成された側面配線３７１，１７１，２７１を経由して、第１励振電極１１１に電気的に接続されている。また、外部電極端子３２は、水晶振動子１００のパッケージ側面に形成された側面配線３７２，１７２，２７２を経由して、第２励振電極１１２に電気的に接続されている。そして、第２封止部材３０の第７、第８側面配線３７１，３７２に、半田に対する耐浸食構造が設けられている。

本実施形態の耐浸食構造について、図１０を参照して説明する。なお、図１０では、第２封止部材３０の－Ｘ方向側の側面３０３の第７側面配線３７１に設けられた耐浸食構造のみを示しているが、第２封止部材３０の＋Ｘ方向側の側面３０４の第８側面配線３７２にも同様の耐浸食構造が設けられている。

図１０に示すように、第２封止部材３０の－Ｘ方向側の側面３０３に第７側面配線３７１が形成されている。第７側面配線３７１によって、第２封止部材３０の第２主面３０２に形成された外部電極端子３２と、第２封止部材３０の第１主面３０１に形成された第２積層間配線１１８とが電気的に接続されている。

第７側面配線３７１は、第２封止部材３０の－Ｘ方向側の側面３０３上に、蒸着またはスパッタリングにより成膜された第１の導電性金属からなる第１金属膜３７１ａと、この第１金属膜３７１ａ上に、蒸着またはスパッタリングにより成膜された第２の導電性金属からなる第２金属膜３７１ｂとを有する構成になっている。

外部電極端子３２は、第２封止部材３０の第２主面３０２上に、蒸着またはスパッタリングにより成膜された第１の導電性金属からなる第１金属膜３２ａと、この第１金属膜３２ａ上に、蒸着またはスパッタリングにより成膜された第２の導電性金属からなる第２金属膜３２ｂと、この第２金属膜３２ｂ上に、例えば蒸着により成膜されたＡｕ（金）からなるＡｕ膜３２ｃとを有する構成になっている。

第２積層間配線１１８は、第２封止部材３０の第１主面３０１に設けられた積層間配線用接合パターン３８１と、水晶振動板１０の第２主面２０２に設けられた積層間配線用接合パターン１８３とが接合することによって形成される。Ａｕ膜の除去が、第２積層間配線１１８の形成前（接合前）に、ウエハの状態の第２封止部材３０に対して行われるため、図１０では、第２積層間配線１１８の形成前（接合前）の積層間配線用接合パターン３８１のみを図示している。積層間配線用接合パターン３８１は、第２封止部材３０の第１主面３０１上に、蒸着またはスパッタリングにより成膜された第１の導電性金属からなる第１金属膜３８１ａと、この第１金属膜３８１ａ上に、蒸着またはスパッタリングにより成膜されたＡｕ（金）からなるＡｕ膜３８１ｃとを有する構成になっている。

本実施形態では、第１の導電性金属として、Ｔｉ（チタン）が用いられ、第２の導電性金属として、ＮｉＴｉ（ニッケル・チタン）が用いられている。なお、上述の第１、第２の導電性金属は一例であって、上記以外の導電性金属を用いてもよい。また、上述した第７側面配線３７１、外部電極端子３２、および積層間配線用接合パターン３８１の多層構造は一例であって、各電極の層数は特に限定されない。例えば、積層間配線用接合パターン３８１を、外部電極端子３２と同様に、第２金属膜を有する３層構造としてもよいし、あるいは、外部電極端子３２を、積層間配線用接合パターン３８１と同様に、第２金属膜を有しない２層構造としてもよい。

積層間配線用接合パターン３８１の第１金属膜３８１ａと、第７側面配線３７１の第１金属膜３７１ａと、外部電極端子３２の第１金属膜３２ａとが一体的に形成されている。また、第７側面配線３７１の第２金属膜３７１ｂと、外部電極端子３２の第２金属膜３２ｂとが一体的に形成されている。

一方、積層間配線用接合パターン３８１のＡｕ膜３８１ｃと、外部電極端子３２のＡｕ膜３２ｃとは一体的に形成されておらず、第２封止部材３０の－Ｘ方向側の側面３０３において遮断されている。第７側面配線３７１は、Ａｕ以外の導電性金属によって、積層間配線用接合パターン３８１と、外部電極端子３２とが導通される構成になっている。この場合、第７側面配線３７１は、第２封止部材３０の－Ｘ方向側の側面３０３に形成されたＡｕ膜が除去されることによって形成することが可能である。つまり、第２封止部材３０の－Ｘ方向側の側面３０３にもＡｕ膜を予め形成しておき、このＡｕ膜を、積層間配線用接合パターン３８１のＡｕ膜３８１ｃおよび外部電極端子３２のＡｕ膜３２ｃと一体的に形成する。そして、第２封止部材３０の－Ｘ方向側の側面３０３のＡｕ膜を、例えばメタルエッチングによって除去することにより、Ａｕ膜を含まない第７側面配線３７１が形成される。このようにして、Ａｕ膜が除去された第７側面配線３７１が、第２封止部材３０の－Ｘ方向側の側面３０３に形成される。Ａｕ膜の除去は、ウエハの状態の第２封止部材３０に対して行われ、第２封止部材３０が水晶振動板１０と接合される前に行われる。

なお、図１０に示すように、第２封止部材３０の－Ｘ方向側の側面３０３のＡｕ膜の全部を除去してもよいし、第２封止部材３０の－Ｘ方向側の側面３０３のＡｕ膜の一部を除去してもよい。

本実施形態では、第７側面配線３７１からＡｕ膜の一部または全部が除去されており、第７側面配線３７１がＡｕ以外の導電性金属によって導通を行う構成になっているので、半田対する耐浸食性を有する。

詳細には、水晶振動子１００を外部回路基板に搭載する場合、一般的には、半田が用いられ、半田は、第２封止部材３０の外部電極端子３２と外部回路基板との間に介在される。しかし、半田は、Ｓｎ（スズ）を含むため、第７側面配線３７１がＡｕ膜を有する場合、このＡｕ膜に沿って第７側面配線３７１内に半田が濡れ広がるおそれがある。このため、半田の浸食作用によって、Ａｕ膜を構成するＡｕが半田に拡散し、導通抵抗の増加や、断線等の不具合が発生することが懸念される。このように、第７側面配線３７１がＡｕ膜によって導通を行う構成の場合、このＡｕ膜が半田の浸食経路になる可能性がある。

そこで、本実施形態では、第７側面配線３７１において、半田の浸食経路になり得るＡｕ膜を遮断し、Ａｕ以外の導電性金属で形成された第１金属膜３７１ａによって、第２封止部材３０の第１主面３０１の積層間配線用接合パターン３８１と、第２主面３０２の外部電極端子３２とを導通するようにしている。このように、第７側面配線３７１に設けられた耐浸食構造により、第７側面配線３７１における半田の浸食経路を遮断することができるので、第１励振電極１１１への導通経路の半田の濡れ広がりを抑制することができ、第１励振電極１１１の半田による浸食を抑制することができる。また、第７側面配線３７１の半田浸食による導通抵抗の増加や、断線等の発生を抑制することができる。

同様に、第８側面配線３７２に設けられた耐浸食構造により、第８側面配線３７２における半田の浸食経路を遮断することができるので、第２励振電極１１２への導通経路の半田の濡れ広がりを抑制することができ、第２励振電極１１２の半田による浸食を抑制することができる。また、第８側面配線３７２の半田浸食による導通抵抗の増加や、断線等の発生を抑制することができる。

以上のように、本実施形態では、第７、第８側面配線３７１，３７２の表面の金属膜が、半田の濡れ性の低い金属（この場合、ＮｉＴｉ）によって形成されている。第７、第８側面配線３７１，３７２の表面の金属膜が、少なくともＴｉを含む膜によって形成され、半田の濡れ性の低いＴｉを含む膜が露出された構成になっている。これにより、第７、第８側面配線３７１，３７２における半田の浸食経路を遮断することができるので、第１、第２励振電極１１１，１１２への導通経路の半田の濡れ広がりを抑制することができ、第１、第２励振電極１１１，１１２の半田による浸食を抑制することができる。また、第７、第８側面配線３７１，３７２の半田浸食による導通抵抗の増加や、断線等の発生を抑制することができる。

本実施形態では、水晶振動板１０、第１、第２封止部材２０，３０が、それぞれＡＴカット水晶板であり、側面配線２７１，１７１，３７１および側面配線２７２，１７２，３７２が、ＡＴカット水晶板のＺ´軸方向に沿って（Ｘ軸端面に）形成されている。これにより、断線が生じにくい安定した側面配線２７１，１７１，３７１および側面配線２７２，１７２，３７２を容易に形成することができる。この点について、以下に説明する。

水晶振動子１００の製造工程で、水晶振動板１０、第１、第２封止部材２０，３０はウエハの状態で製造されるが、水晶振動板１０、第１、第２封止部材２０，３０の外形は、それぞれウェットエッチングによって形成される。ここで、ＡＴカット水晶板の異方性により、水晶振動板１０等のＺ´軸端面には、Ｚ´軸方向に突出する突起部等が生じることがあり、Ｚ´軸端面に側面配線を形成する場合、突起部の部分で側面配線の膜厚が小さくなったり、露光時に突起部の影が生じて側面配線のパターニングが困難になるといった問題がある。

一方、水晶振動板１０等のＸ軸端面には、そのような突起部は形成されず、Ｘ軸端面は、なす角が鈍角となるような複数の傾斜面がつながった形状になる。このため、水晶振動板１０等のＸ軸端面に側面配線を形成する場合、側面配線の膜厚を容易に確保することができ、露光時に影が生じにくく側面配線のパターニングを容易に行うことができる。これにより、水晶振動板１０等のＸ軸端面には、Ｚ´軸端面に比べて、側面配線を容易に形成することができ、また、導通抵抗も小さくすることができる。

したがって、本実施形態では、ＡＴカット水晶板によって形成された水晶振動板１０、第１、第２封止部材２０，３０のＺ´軸方向に沿って（Ｘ軸端面に）側面配線２７１，１７１，３７１および側面配線２７２，１７２，３７２を形成することによって、断線が生じにくい安定した側面配線２７１，１７１，３７１および側面配線２７２，１７２，３７２を容易に形成することができる。

なお、側面配線２７１，１７１，３７１および側面配線２７２，１７２，３７２だけでなく、側面配線２７３，３７３および側面配線２７４，３７４についても同様に、第１、第２封止部材２０，３０のＺ´軸方向に沿って形成されているので、断線が生じにくい安定した側面配線２７３，３７３および側面配線２７４，３７４を容易に形成することができる。

また、水晶振動板１０のウエハでは、第１側面配線１７１および第２側面配線１７２の電極構成が、振動部１１の第１、第２励振電極１１１，１１２の電極構成と共通する。このため、第１、第２封止部材２０，３０の電極構成に比べて、第１側面配線１７１および第２側面配線１７２の下地電極膜（例えばＴｉ膜）が薄く形成される。例えば水晶振動板１０の電極構成は、Ｔｉ膜、Ａｕ膜を含む構成になっており、第１、第２封止部材２０，３０の電極構成は、Ｔｉ膜、ＮｉＴｉ膜、Ａｕ膜を含む構成になっている。また、水晶振動板１０の電極構成のＴｉ膜は、第１、第２封止部材２０，３０の電極構成のＴｉ膜よりも薄くなっている。

本実施形態では、第１励振電極１１１が、第１封止部材２０に設けられた第２スルーホール２１２の貫通電極を介して、第１封止部材２０の内部空間に面していない側の第１主面２０１に形成された第１端子２２に電気的に接続されている。第２励振電極１１２が、水晶振動板１０に設けられた第１スルーホール１６２の貫通電極、および第１封止部材２０に設けられた第３スルーホール２１３の貫通電極を介して、第１封止部材２０の形成された第２端子２３に電気的に接続されている。第１端子２２は、水晶振動子１００のパッケージ側面に形成された側面配線２７１，１７１，３７１を経由して、第２封止部材３０の内部空間に面していない側の第２主面３０２に形成された外部電極端子（第１外部電極端子）３２に電気的に接続されている。第２端子２３は、水晶振動子１００のパッケージ側面に形成された側面配線２７２，１７２，３７２を経由して、第２封止部材３０の第２主面３０２に形成された外部電極端子（第２外部電極端子）３２に電気的に接続されている。

本実施形態によれば、第１封止部材２０の内部空間に面していない側の第１主面２０１に形成された第１、第２端子２２，２３を経由して、第１、第２励振電極１１１，１１２と、外部電極端子３２，３２とが電気的に接続されるので、第１、第２励振電極１１１，１１２から外部電極端子３２，３２までの電気的な導通経路を長くすることができ、第１、第２励振電極１１１，１１２の半田による浸食を抑制することができる。また、側面配線２７１，１７１，３７１および側面配線２７２，１７２，３７２の半田浸食による導通抵抗の増加や、断線等の発生を抑制することできる。さらに、第１、第２端子２２，２３と、外部電極端子３２，３２とが、スルーホールを用いずに電気的に接続されるため、水晶振動板１０、第１、第２封止部材２０，３０それぞれの外周縁部にスルーホールを形成する必要がなくなり、水晶振動子１００の小型化に容易に対応できる。

この場合、側面配線２７１，１７１，３７１および側面配線２７２，１７２，３７２は、パッケージ側面に凹部（キャスタレーション）を形成することなく形成されている。これにより、水晶振動板１０、第１、第２封止部材２０，３０それぞれの側面に凹部を形成する必要がなくなり、水晶振動子１００の小型化に容易に対応できる。

本実施形態では、水晶振動子１００のパッケージ側面に形成された側面配線２７１，１７１，３７１のうち、水晶振動板１０に形成された第１側面配線１７１が、少なくとも第２封止部材３０に形成された第７側面配線３７１に対し、平面視でずらして配置されている。図８に示すように、水晶振動板１０の第１側面配線１７１が、第１封止部材２０の第３側面配線２７１および第２封止部材３０の第７側面配線３７１の両方に対し、平面視で、－Ｚ´方向側にずらして配置されている。そして、水晶振動板１０の第１側面配線１７１が、第１積層間配線１１７を介して第１封止部材２０の第３側面配線２７１に接続され、第１側面配線１７１が、第２積層間配線１１８を介して第２封止部材３０の第７側面配線３７１に接続されている。このように、水晶振動板１０に形成された第１側面配線１７１を、第１、第２封止部材２０，３０に形成された第３、第７側面配線２７１，３７１に対し、ずらすことによって、水晶振動子１００のパッケージ側面における、半田の浸食を抑制することができ、第１励振電極１１１の半田による浸食を抑制することができる。

また、水晶振動子１００のパッケージ側面に形成された側面配線２７２，１７２，３７２のうち、水晶振動板１０に形成された第２側面配線１７２が、少なくとも第２封止部材３０に形成された第８側面配線３７２に対し、平面視でずらして配置されている。図９に示すように、水晶振動板１０の第２側面配線１７２が、第１封止部材２０の第４側面配線２７２および第２封止部材３０の第８側面配線３７２の両方に対し、平面視で、＋Ｚ´方向側にずらして配置されている。そして、水晶振動板１０の第２側面配線１７２が、第３積層間配線１１９を介して第１封止部材２０の第４側面配線２７２に接続され、第２側面配線１７２が、第４積層間配線１２０を介して第２封止部材３０の第８側面配線３７２に接続されている。このように、水晶振動板１０に形成された第２側面配線１７２を、第１、第２封止部材２０，３０に形成された第４、第８側面配線２７２，３７２に対し、ずらすことによって、水晶振動子１００のパッケージ側面における、半田の浸食を抑制することができ、第２励振電極１１２の半田による浸食を抑制することができる。

なお、ずらす量（Ｚ´軸方向の長さ）については、水晶振動板１０の側面配線１７１，１７２と、第１、第２封止部材２０，３０の側面配線２７１，２７２，３７１，３７２とが側面視で重畳していなければ特に限定されない。図８、図９に示す例では、水晶振動板１０の側面配線１７１，１７２と、第２封止部材３０の側面配線３７１，３７２との間には、水晶振動板１０の側面配線１７１，１７２のＺ´軸方向の幅と略同じ長さの隙間が設けられている。また、水晶振動板１０の側面配線１７１，１７２と、第１封止部材２０の側面配線２７１，２７２との間には、水晶振動板１０の側面配線１７１，１７２のＺ´軸方向の幅と略同じ長さの隙間が設けられている。

また、本実施形態では、第１封止部材２０の第１主面２０１にアース用電極としての金属膜２８が設けられている。金属膜２８は、水晶振動板１０の外枠部１２の内壁面１０５に形成された第１内部配線１７３を経由して、第２封止部材３０の第２主面３０２に形成された外部電極端子３２に電気的に接続されている。また、金属膜２８は、水晶振動板１０の外枠部１２の内壁面１０６に形成された第２内部配線１７４を経由して、第２封止部材３０の第２主面３０２に形成された外部電極端子３２に電気的に接続されている。このように、水晶振動板１０の外枠部１２の内壁面１０５，１０６にアース接続用の内部配線１７３，１７４が設けられているので、外部環境の影響を受けにくくなり、アース接続を安定的に行うことができる。

ここで、水晶振動子１００の製造工程で、水晶振動板１０はウエハの状態で製造されるが、水晶振動板１０のウエハでは、第１内部配線１７３、第２内部配線１７４等の電極構成が、振動部１１の第１、第２励振電極１１１，１１２の電極構成と共通する。このため、第１、第２封止部材２０，３０の電極構成に比べて、第１内部配線１７３、第２内部配線１７４等の下地電極膜（例えばＴｉ膜）が薄く形成される。したがって、水晶振動子１００のパッケージの半田による実装により、パッケージの側面に設けられた電極は、半田浸食による断線リスクが高くなり、アース接続を安定的に行うことができなくなる可能性がある。しかし、本実施形態では、水晶振動板１０の外枠部１２の内壁面１０５（１０６）にアース接続用の第１内部配線１７３（第２内部配線１７４）を設けることによって、そのような半田浸食による断線を未然に防ぐことができ、第１内部配線１７３（第２内部配線１７４）を介して、アース接続を安定的に行うことができる。

本実施形態では、上述したように、環状のシールパス１１５，１１６が、第１内部配線１７３（第２内部配線１７４）に電気的に接続されている。これにより、アース接続された環状のシールパス１１５，１１６によって、水晶振動板１０の振動部１１を囲うことができるので、電磁波のシールド効果を高めることができる。

また、本実施形態では、第１内部配線１７３（第２内部配線１７４）が、水晶振動板１０の外枠部１２の内壁面１０５（１０６）に沿って延びるように平面状に形成されている。このように、外枠部１２の内壁面１０５（１０６）に平面状に形成された第１内部配線１７３（第２内部配線１７４）によって、電磁波のシールド効果を高めることができる。この場合、第１、第２内部配線１７３，１７４が、水晶振動板１０の外枠部１２の平面視で対向する一対の内壁面１０５，１０６にそれぞれ設けられている。これにより、平面状に形成された一対の第１、第２内部配線１７３，１７４によって振動部１１が挟まれるので、振動部１１の側方からの電磁波を効果的にシールドすることができる。さらに、第１、第２内部配線１７３，１７４が延びる方向（Ｚ´軸方向）において、第１、第２内部配線１７３，１７４の幅が、第１、第２励振電極１１１，１１２の幅よりも大きくなっているので、電磁波のシールド効果をより高めることができる。

本実施形態では、上述したように、第１封止部材２０の内部空間に面していない側の第１主面２０１に形成された金属膜２８が、第１封止部材２０の－Ｘ方向側の側面２０３に形成された第５側面配線２７３に電気的に接続されており、第２封止部材３０の外部電極端子３２が、第２封止部材３０の－Ｘ方向側の側面３０３に形成された第９側面配線３７３に電気的に接続されている。また、第１封止部材２０の金属膜２８が、第１封止部材２０の＋Ｘ方向側の側面２０４に形成された第６側面配線２７４に電気的に接続されており、第２封止部材３０の外部電極端子３２が、第２封止部材３０の＋Ｘ方向側の側面３０４に形成された第１０側面配線３７４に電気的に接続されている。この構成によれば、第１、第２封止部材２０，３０のシールパス１１５，１１６よりも外周側の部分に、電気的な接続を行うためのスルーホールを設ける必要がなくなるので、水晶振動子１００の小型化に容易に対応できる。また、金属膜２８が第１封止部材２０の内部空間に面していない側の第１主面２０１に形成されているので、内部空間内に形成される配線の形成を妨げることがなくなり、第１、第２励振電極１１１，１１２等と短絡する危険性がなくなる。さらに、金属膜２８が第１、第２励振電極１１１，１１２から比較的離れているパッケージ表面に形成されるので、電磁波のシールド効果をより高めることができる。

本実施形態では、図４に示すように、水晶振動板１０の－Ｘ方向側の側面１０３に、第１励振電極１１１に電気的に接続される第１側面配線１７１が設けられており、この第１側面配線１７１と第１励振電極１１１との間に、第１内部配線１７３が配置されている。第１側面配線１７１と第１励振電極１１１とが側面視で重畳するが、第１側面配線１７１と第１励振電極１１１との間に、アース接続された第１内部配線１７３を配置することによって、第１側面配線１７１と第１励振電極１１１との重畳に起因して発生する寄生容量を抑制できる。

また、図５に示すように、水晶振動板１０の＋Ｘ方向側の側面１０４に、第２励振電極１１２に電気的に接続される第２側面配線１７２が設けられており、この第２側面配線１７２と第２励振電極１１２との間に、第２内部配線１７４が配置されている。第２側面配線１７２と第２励振電極１１２とが側面視で重畳するが、第２側面配線１７２と第２励振電極１１２との間に、アース接続された第２内部配線１７４を配置することによって、第２側面配線１７２と第２励振電極１１２との重畳に起因して発生する寄生容量を抑制できる。

今回開示した実施形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。従って、本発明の技術的範囲は、上記した実施形態のみによって解釈されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。

上述した耐浸食構造は一例であって、さまざまに変更することが可能である。例えば、第２封止部材３０の第７、第８側面配線３７１，３７２からのＡｕ膜の一部または全部の除去に加えて、第２封止部材３０の外部電極端子３２の端部のＡｕ膜３２ｃの一部を除去してもよいし、あるいは、第２封止部材３０の積層間配線用接合パターン３８１の端部のＡｕ膜３８１ｃの一部を除去してもよい。

また、上記実施形態では、第２封止部材３０の第７、第８側面配線３７１，３７２からＡｕ膜の一部または全部を除去する場合について説明した。しかし、これに限らず、第２封止部材３０の第７、第８側面配線３７１，３７２のＡｕ膜を残した状態で、このＡｕ膜上にＡｕ以外の半田の濡れ性の低い金属（例えばＴｉ）からなる金属膜を形成することによって、耐浸食構造を構成してもよい。第２封止部材３０の第７、第８側面配線３７１，３７２のＡｕ膜の表面が、Ａｕ以外の金属からなる金属膜によって覆われている。この場合、第２封止部材３０の第７、第８側面配線３７１，３７２のＡｕ膜に沿って半田が濡れ広がることを抑制することができ、導通抵抗の増加や、断線等の不具合の発生を抑制することができる。なお、半田の濡れ広がりをより確実に抑制する観点からは、上記実施形態のように、第２封止部材３０の第７、第８側面配線３７１，３７２のＡｕ膜を除去することによって、半田の浸食経路を遮断することが好ましい。

上記実施形態において、第２封止部材３０の第７、第８側面配線３７１，３７２からのＡｕ膜の一部または全部の除去に加えて、第２封止部材３０の外部電極端子３２のＡｕ膜３２ｃの一部を除去してもよいし、あるいは、第２封止部材３０の積層間配線用接合パターン３８１のＡｕ膜３８１ｃの一部を除去してもよい。

上述した耐浸食構造は、少なくとも第２封止部材３０の第７、第８側面配線３７１，３７２に設けられていることが好ましいが、第２封止部材３０の第７、第８側面配線３７１，３７２に加えて、第１封止部材２０の第３、第４側面配線２７１，２７２にも、同様の耐浸食構造を設けることが可能である。この場合、第２封止部材３０の第７、第８側面配線３７１，３７２に加えて、第１封止部材２０の第３、第４側面配線２７１，２７２においても、半田の浸食経路を遮断することができ、好ましい。

上記実施形態では、第１、第２励振電極１１１，１１２に電気的に接続される側面配線３７１，１７１，２７１、側面配線３７２，１７２，２７２に、半田に対する耐浸食構造を設けた場合について説明した。しかし、第１封止部材２０の第１主面２０１に形成されたアース用電極としての金属膜２８に電気的に接続される側面配線３７３，２７３、側面配線３７４，２７４に、半田に対する耐浸食構造を設けてもよい。あるいは、第１、第２励振電極１１１，１１２に電気的に接続される側面配線３７１，１７１，２７１、側面配線３７２，１７２，２７２とともに、アース用電極としての金属膜２８に電気的に接続される側面配線３７３，２７３、側面配線３７４，２７４に、半田に対する耐浸食構造を設けてもよい。これらの場合、上述した耐浸食構造が、少なくとも第２封止部材３０の第９、第１０側面配線３７３，３７４に設けられていることが好ましいが、第２封止部材３０の第９、第１０側面配線３７３，３７４に加えて、第１封止部材２０の第５、第６側面配線２７３，２７４にも、同様の耐浸食構造を設けることが可能である。

上記実施形態では、水晶振動板１０の側面配線１７１，１７２を、第１封止部材２０の側面配線２７１，２７２および第２封止部材３０の側面配線３７１，３７２の両方に対して、Ｚ´軸方向にずらして配置したが、水晶振動板１０の側面配線１７１，１７２を、第１封止部材２０の側面配線２７１，２７２に対しては、Ｚ´軸方向にずらさず、第２封止部材３０の側面配線３７１，３７２のみに対して、Ｚ´軸方向にずらして配置してもよい。

また、上記実施形態では、第１封止部材２０の側面配線２７１，２７２および第２封止部材３０の側面配線３７１，３７２を側面視で略同じ位置に配置したが、第１封止部材２０の側面配線２７１，２７２および第２封止部材３０の側面配線３７１，３７２を側面視でずらして配置してもよい。

上記実施形態では、水晶振動板１０の側面配線１７１，１７２、第１封止部材２０の側面配線２７１，２７２、および第２封止部材３０の側面配線３７１，３７２を、水晶振動子１００のパッケージのＸ軸方向の側面（Ｘ軸端面）に形成したが、水晶振動板１０の側面配線１７１，１７２、第１封止部材２０の側面配線２７１，２７２、および第２封止部材３０の側面配線３７１，３７２を、水晶振動子１００のパッケージのＺ´軸方向の側面（Ｚ´軸端面）に形成してもよい。ただし、上述したように、水晶振動板１０の側面配線１７１，１７２、第１封止部材２０の側面配線２７１，２７２、および第２封止部材３０の側面配線３７１，３７２を、水晶振動子１００のパッケージのＸ軸方向の側面（Ｘ軸端面）に形成することによって、断線が生じにくい安定した側面配線を容易に形成することができる。

上記実施形態では、水晶振動板１０に形成された第１、第２側面配線１７１，１７２が、第２封止部材３０の内部空間に面していない側の第２主面３０２に形成された外部電極端子３２，３２に対し、側面視で、上下方向において重畳する位置に配置されたが（図８、図９参照）、例えば図１１、図１２に示す変形例１のように、第１、第２側面配線１７１ａ，１７２ａを、外部電極端子３２，３２に対し、側面視で、上下方向において重畳しない位置に配置してもよい。

この変形例１では、図１１に示すように、水晶振動板１０の－Ｘ方向側の側面１０３に形成された第１側面配線１７１ａが、図８の第１側面配線１７１よりも－Ｚ´方向側にずらして配置されている。そして、側面視で、第１側面配線１７１ａが２つの外部電極端子３２，３２間のスペースに配置されている。第１側面配線１７１ａが、外部電極端子３２，３２に対し、側面視で、上下方向において重畳しない位置に配置されている。

また、図１２に示すように、水晶振動板１０の＋Ｘ方向側の側面１０４に形成された第２側面配線１７２ａが、図９の第２側面配線１７２よりも＋Ｚ´方向側にずらして配置されている。そして、側面視で、第２側面配線１７２ａが２つの外部電極端子３２，３２間のスペースに配置されている。第２側面配線１７２ａが、外部電極端子３２，３２に対し、側面視で、上下方向において重畳しない位置に配置されている。

この変形例１によれば、水晶振動板１０に形成された第１、第２側面配線１７１ａ，１７２ａを、第２封止部材３０に形成された外部電極端子３２，３２に対し、側面視で、上下方向において重畳させないことによって、外部電極端子３２，３２からはみ出した半田が第１、第２側面配線１７１ａ，１７２ａに接触して付着することが避けられる。これにより、第１、第２側面配線１７１ａ，１７２ａの半田付着による導通抵抗の増加や、断線等の発生を抑制することができる。

上記実施形態では、４つの外部電極端子３２のうち２つをアース接続用の電極端子として用いたが、１つの外部電極端子３２のみをアース接続用の電極端子として用いてもよい。例えば、第１０側面配線３７４を外部電極端子３２に直接的に接続し、この外部電極端子３２に金属膜２８を経由して第９側面配線３７３を電気的に接続する構成としてもよい。この場合、第９側面配線３７３は、シールパス１１６、第１内部配線１７３、シールパス１１５、および第５側面配線２７３を順に経由して、金属膜２８に電気的に接続され、さらに、第６側面配線２７４、シールパス１１５、第２内部配線１７４、シールパス１１６、および第１０側面配線３７４を順に経由して、外部電極端子３２に電気的に接続される。なお、第１、第２内部配線１７３，１７４のうち一方のみを設ける構成としてもよい。

上記実施形態では、アース接続された第１、第２内部配線１７３，１７４を水晶振動板１０の外枠部１２の内壁面１０５，１０６に形成したが、水晶振動板１０の外側面（例えば側面１０３，１０４）にアース接続された側面配線を設ける構成としてもよい。この場合、アース接続された水晶振動板１０の側面配線を第２封止部材３０に形成された第９、第１０側面配線３７３，３７４に対し、平面視でずらして配置してもよい。あるいは、アース接続された水晶振動板１０の側面配線を、第２封止部材３０に形成された第９、第１０側面配線３７３，３７４、および第１封止部材２０に形成された第５、第６側面配線２７３，２７４に対し、平面視でずらして配置してもよい。これらの構成によれば、シールパス１１５，１１６から外部電極端子３２，３２までの電気的な導通経路を長くすることができ、シールパス１１５，１１６の半田による浸食を抑制することができる。また、アース接続された水晶振動板１０の側面配線や、側面配線３７３，３７４、側面配線２７３，２７４の半田浸食による断線等の発生を抑制することできる。

上記実施形態では、水晶振動板１０の外枠部１２の－Ｘ方向側の内壁面１０５および＋Ｘ方向側の内壁面１０６に第１、第２内部配線１７３，１７４を形成したが、水晶振動板１０の外枠部１２の－Ｚ´方向側の内壁面および＋Ｚ´方向側の内壁面に内部配線を形成してもよい。また、水晶振動板１０の外枠部１２の４つの内壁面（－Ｘ方向側の内壁面１０５、＋Ｘ方向側の内壁面１０６、－Ｚ´方向側の内壁面、および＋Ｚ´方向側の内壁面）の全てに内部配線を形成してもよい。

上記実施形態では、第１封止部材２０の内部空間に面していない側の第１主面２０１にアース用電極を設けたが、これに限らず、第１封止部材２０の内部空間に面している側の第２主面２０２にアース用電極を形成してもよい。

上記実施形態では、第２封止部材３０の第２主面３０２の外部電極端子３２の数を４つとしたが、これに限定されるものではなく、外部電極端子３２の数を、例えば、２つ、６つ、あるいは８つ等としてもよい。また、本発明を水晶振動子１００に適用した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば水晶発振器等にも本発明を適用してもよい。

上記実施形態では、第１封止部材２０および第２封止部材３０を水晶板によって形成したが、これに限定されるものではなく、第１封止部材２０および第２封止部材３０を、例えば、ガラスまたは樹脂によって形成してもよい。

１０ 水晶振動板（圧電振動板）
２０ 第１封止部材
３０ 第２封止部材
３２ 外部電極端子
１００ 水晶振動子（圧電振動デバイス）
１１１ 第１励振電極
１１２ 第２励振電極
１７１ 第１側面配線
１７２ 第２側面配線
２７１ 第３側面配線
２７２ 第４側面配線
３０２ 第２主面（内部空間に面していない側の主面）
３７１ 第７側面配線
３７２ 第８側面配線

Claims (5)

1. 基板の一主面に第１励振電極が形成され、前記基板の他主面に前記第１励振電極と対になる第２励振電極が形成された圧電振動板と、
   前記圧電振動板の前記第１励振電極を覆う第１封止部材と、
   前記圧電振動板の前記第２励振電極を覆う第２封止部材と、が設けられ、
   前記第１封止部材と前記圧電振動板とが接合され、かつ前記第２封止部材と前記圧電振動板とが接合されることによって、前記第１励振電極と前記第２励振電極とを含む前記圧電振動板の振動部が気密封止された内部空間が設けられた圧電振動デバイスにおいて、
   前記第２封止部材の前記内部空間に面していない側の主面には、半田を介して外部回路基板に電気的に接続される外部電極端子が形成され、
   前記外部電極端子は、当該圧電振動デバイスのパッケージ側面に形成された側面配線に電気的に接続されており、前記側面配線の一部または全部には、前記半田に対する耐浸食構造が設けられていることを特徴とする圧電振動デバイス。
2. 請求項１に記載の圧電振動デバイスにおいて、
   前記耐浸食構造を有する前記側面配線は、表面の金属膜が半田の濡れ性の低い金属によって形成されることを特徴とする圧電振動デバイス。
3. 請求項２に記載の圧電振動デバイスにおいて、
   前記耐浸食構造を有する前記側面配線は、少なくとも前記第２封止部材の側面に設けられていることを特徴とする圧電振動デバイス。
4. 請求項２または３に記載の圧電振動デバイスにおいて、
   前記金属膜は、少なくともＴｉを含む膜であることを特徴とする圧電振動デバイス。
5. 請求項１～４のいずれか１つに記載の圧電振動デバイスにおいて、
   前記圧電振動板、前記第１、第２封止部材が、ＡＴカット水晶板であり、
   前記側面配線が、ＡＴカット水晶板のＺ´軸方向に沿って形成されていることを特徴とする圧電振動デバイス。

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