WO2022270543A1 - 圧電振動板および圧電振動デバイス - Google Patents

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WO2022270543A1
WO2022270543A1 PCT/JP2022/024902 JP2022024902W WO2022270543A1 WO 2022270543 A1 WO2022270543 A1 WO 2022270543A1 JP 2022024902 W JP2022024902 W JP 2022024902W WO 2022270543 A1 WO2022270543 A1 WO 2022270543A1
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vibrating
crystal
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outer frame
holding portion
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PCT/JP2022/024902
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学 大西
宏樹 藤原
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株式会社大真空
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    • H03H9/17Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
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Definitions

  • the present invention relates to a piezoelectric vibration plate and a piezoelectric vibration device having the same.
  • piezoelectric vibration devices for example, crystal resonators, crystal oscillators, etc.
  • the housing is composed of a substantially rectangular parallelepiped package.
  • This package comprises a first sealing member and a second sealing member made of, for example, glass or crystal, and a piezoelectric vibration plate made of, for example, crystal and having excitation electrodes formed on both main surfaces. and the second sealing member are laminated and joined via the piezoelectric diaphragm. Then, the vibrating portion (excitation electrode) of the piezoelectric diaphragm disposed inside (internal space) of the package is hermetically sealed (eg, Patent Document 1).
  • a sandwich structure such a laminated form of the piezoelectric vibration device will be referred to as a sandwich structure.
  • the piezoelectric diaphragm includes a vibrating portion, an outer frame portion surrounding the outer periphery of the vibrating portion, and a holding portion (bridge portion) connecting the vibrating portion and the outer frame portion. It is structured. That is, the piezoelectric vibration plate has a configuration in which the vibrating portion, the holding portion, and the outer frame portion are integrally provided by a piezoelectric substrate made of crystal or the like.
  • the connecting portion between the vibrating portion and the holding portion of the piezoelectric diaphragm is likely to break.
  • the present invention has been made in consideration of the above-described circumstances, and is capable of suppressing the occurrence of breakage at the connecting portion between the vibrating portion and the holding portion and the connecting portion between the outer frame portion and the holding portion.
  • An object of the present invention is to provide a piezoelectric diaphragm and a piezoelectric vibration device having such a piezoelectric diaphragm.
  • the present invention constitutes means for solving the above problems as follows. That is, the present invention provides a piezoelectric diaphragm comprising a vibrating portion, an outer frame portion surrounding the outer periphery of the vibrating portion, and a holding portion connecting the vibrating portion and the outer frame portion, wherein the outer frame A plurality of crystal planes are formed on the side surface of the outer frame portion and the side surface of the holding portion, which are connected to the first connection portion between the portion and the holding portion, and the crystal planes form a plurality of ridge lines. At least one of the first principal surface side and the second principal surface side of the first connecting portion is provided with a first intersection prevention portion for preventing intersection of the two or more ridgelines at the first connecting portion. It is characterized by Note that the ridge line does not include the outer peripheral edge of the first intersection prevention portion.
  • the first intersection preventing portion prevents the plurality of ridgelines formed by the plurality of crystal planes from concentrating at one point. be.
  • a plurality of crystal planes are formed on the side surface of the vibrating section and the side surface of the holding section connected to the connection portion between the vibrating section and the holding section, and these crystal planes form a plurality of ridge lines.
  • a second intersection prevention device for preventing intersection of the two or more ridge lines at the connecting portion between the vibrating portion and the holding portion on at least one of the first main surface side and the second main surface side; is preferably provided. Accordingly, by providing the cross-blocking portions on both sides of the holding portion in the longitudinal direction, the stress can be dispersed, and the occurrence of bending at the connection portion can be suppressed.
  • the first intersection prevention portion is provided on one of the first main surface side and the second main surface side
  • the second intersection prevention portion is provided on the first main surface side and the second main surface side. It is preferably provided on the other of the two main surfaces. Accordingly, by providing the intersection prevention portions on both sides of the first principal surface and the second principal surface, the stress can be dispersed, and the occurrence of breakage at the connection portion can be suppressed.
  • a third intersection preventing portion is provided at the second connecting portion between the outer frame portion and the holding portion. Accordingly, by providing the third intersection prevention portion in addition to the first and second intersection prevention portions, the stress can be dispersed and the occurrence of breakage at the connection portion can be suppressed.
  • the present invention also provides a piezoelectric diaphragm comprising a vibrating portion, an outer frame portion surrounding the outer periphery of the vibrating portion, and a holding portion connecting the vibrating portion and the outer frame portion, wherein the vibrating portion A plurality of crystal planes are formed on the side surface of the vibrating portion connected to the connecting portion between the vibrating portion and the holding portion, and the side surface of the holding portion.
  • At least one of the first main surface side and the second main surface side of the connection portion with the part is provided with a second intersection prevention portion that prevents intersection of the two or more ridgelines at the connection portion It is characterized by Note that the ridge line does not include the outer peripheral edge of the second intersection prevention portion.
  • the second intersection preventing portion prevents the plurality of ridgelines formed by the plurality of crystal planes from converging on one point at the connecting portion between the vibrating portion and the holding portion. As a result, it is possible to prevent the stress from concentrating on one point at the connecting portion between the vibrating portion and the holding portion, thereby suppressing the occurrence of cracks originating from the stress concentration point. It is possible to suppress the occurrence of bending at the connecting portion.
  • each of the crossing prevention portions is preferably a new crystal plane (for example, C plane or R plane) or a projection.
  • Intersection prevention portions having these shapes can be easily formed by devising the shape of the photomask when processing the piezoelectric diaphragm by wet etching.
  • the piezoelectric diaphragm is an AT-cut crystal plate
  • the first and second main surfaces are provided parallel to the AT-cut XZ′ plane
  • the first main surface is provided on the +Y direction side.
  • the second main surface is preferably provided on the -Y direction side.
  • only one holding portion is provided, and the holding portion extends in the ⁇ Z′ direction from a corner portion on the +X direction side and the ⁇ Z′ direction side of the vibrating portion
  • the side surface of the holding portion is a side surface of the holding portion on the ⁇ X direction side
  • the side surface of the outer frame portion is connected to the side surface of the holding portion.
  • the present invention may be a piezoelectric vibration device including the piezoelectric vibration plate having any one of the configurations described above, the first sealing member covering one main surface side of the vibration portion of the piezoelectric vibration plate; A second sealing member covering the other main surface side of the vibrating portion of the piezoelectric vibration plate is provided, the first sealing member and the piezoelectric vibration plate are joined together, and the second sealing member and the piezoelectric vibration plate are joined together.
  • the vibrating portion of the piezoelectric diaphragm is sealed by being joined to the diaphragm.
  • a piezoelectric diaphragm that can suppress the occurrence of breakage at the connecting portion between the vibrating portion and the holding portion and the connecting portion between the outer frame portion and the holding portion, and such a piezoelectric diaphragm. can be provided.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram schematically showing each configuration of a crystal oscillator according to this embodiment;
  • FIG. It is a schematic plan view of the first main surface side of the first sealing member of the crystal oscillator. It is a schematic plan view of the second main surface side of the first sealing member of the crystal oscillator. It is a schematic plan view of the first main surface side of the crystal plate according to the present embodiment. It is a schematic plan view of the second main surface side of the crystal diaphragm according to the present embodiment. It is a schematic plan view of the first main surface side of the second sealing member of the crystal oscillator. It is a schematic plan view of the second main surface side of the second sealing member of the crystal oscillator.
  • FIG. 4 is a schematic perspective view showing an example of a first main surface side of a connecting portion between a vibrating portion and a holding portion;
  • FIG. 5 is a schematic perspective view showing an example of a second main surface side of a connecting portion between a vibrating portion and a holding portion;
  • FIG. 5 is a schematic perspective view showing an example of a second main surface side of a connecting portion between a vibrating portion and a holding portion;
  • FIG. 5 is a schematic bottom view for explaining the inclination angle and inclination length of the crossing prevention portion;
  • FIG. 4 is a bottom view schematically showing an example of a crystal diaphragm provided with a plurality of cross-blocking portions;
  • the crystal resonator 100 includes a crystal diaphragm (piezoelectric diaphragm) 10, a first sealing member 20, and a second sealing member 30.
  • the crystal plate 10 and the first sealing member 20 are bonded together, and the crystal plate 10 and the second sealing member 30 are bonded together, thereby forming a substantially rectangular parallelepiped sandwich structure package.
  • the first sealing member 20 and the second sealing member 30 are bonded to both main surfaces of the crystal plate 10, respectively, thereby forming an internal space (cavity) of the package.
  • the vibrating portion 11 (see FIGS. 4 and 5) is hermetically sealed in this internal space.
  • the crystal oscillator 100 has a package size of, for example, 1.0 ⁇ 0.8 mm, and is intended to be compact and low profile. In addition, along with the miniaturization, in the package, through holes, which will be described later, are used to achieve electrode conduction without forming castellations. Further, the crystal oscillator 100 is electrically connected to an external circuit board (not shown) provided outside through solder.
  • each member of the crystal plate 10, the first sealing member 20, and the second sealing member 30 in the crystal oscillator 100 described above will be described with reference to FIGS. 1 to 7.
  • FIG. 1 here, each member configured as a single unit that is not joined will be described. 2 to 7 merely show one configuration example of each of the crystal diaphragm 10, the first sealing member 20, and the second sealing member 30, and do not limit the present invention.
  • the crystal diaphragm 10 is a piezoelectric substrate made of crystal, and both main surfaces (first main surface 101 and second main surface 102) thereof are flat and smooth. It is formed as a surface (mirror finish).
  • an AT-cut crystal plate that performs thickness-shear vibration is used as the crystal plate 10 .
  • both main surfaces 101 and 102 of the crystal diaphragm 10 are XZ' planes.
  • the direction parallel to the short side direction (short side direction) of the crystal diaphragm 10 is the X axis direction
  • the direction parallel to the longitudinal direction (long side direction) of the crystal diaphragm 10 is the Z′ axis. direction.
  • the AT cut is 35° around the X axis with respect to the Z axis among the three crystal axes of artificial quartz, the electrical axis (X axis), the mechanical axis (Y axis), and the optical axis (Z axis).
  • the X-axis coincides with the crystallographic axis of the quartz.
  • the Y'-axis and Z'-axis are inclined approximately 35°15' from the Y-axis and Z-axis of the quartz crystal axis, respectively (this cut angle may be changed slightly within the range of adjusting the frequency-temperature characteristics of the AT-cut quartz diaphragm. (may be).
  • the Y'-axis direction and the Z'-axis direction correspond to the cutting direction when cutting out an AT-cut crystal plate.
  • a pair of excitation electrodes (a first excitation electrode 111 and a second excitation electrode 112) are formed on both main surfaces 101 and 102 of the crystal plate 10 .
  • the crystal diaphragm 10 holds the vibrating portion 11 by connecting the vibrating portion 11 formed in a substantially rectangular shape, the outer frame portion 12 surrounding the outer periphery of the vibrating portion 11, and the vibrating portion 11 and the outer frame portion 12. It has a holding portion (bridge portion) 13 for holding. That is, the crystal diaphragm 10 has a configuration in which the vibrating portion 11, the outer frame portion 12, and the holding portion 13 are integrally provided.
  • the holding portion 13 extends (protrudes) from only one corner portion of the vibrating portion 11 positioned in the +X direction and the -Z′ direction to the outer frame portion 12 in the ⁇ Z′ direction. Between the vibrating portion 11 and the outer frame portion 12, a penetrating portion (slit) 10a that penetrates through the crystal diaphragm 10 in the thickness direction is provided.
  • the crystal diaphragm 10 is provided with only one holding portion 13 that connects the vibrating portion 11 and the outer frame portion 12 , and the penetrating portion 10 a surrounds the outer periphery of the vibrating portion 11 . formed continuously. Details of the holding portion 13 will be described later.
  • the first excitation electrode 111 is provided on the first principal surface 101 side of the vibrating portion 11
  • the second excitation electrode 112 is provided on the second principal surface 102 side of the vibrating portion 11
  • the first excitation electrode 111 and the second excitation electrode 112 are connected to input/output lead wires (first lead wire 113 and second lead wire 114) for connecting these excitation electrodes to external electrode terminals.
  • the input-side first extraction wiring 113 is extracted from the first excitation electrode 111 and connected to the connection bonding pattern 14 formed on the outer frame portion 12 via the holding portion 13
  • the output-side second extraction wiring 114 is extracted from the second excitation electrode 112 and connected to the connection bonding pattern 15 formed on the outer frame portion 12 via the holding portion 13 .
  • a diaphragm-side first bonding pattern 121 is formed as the diaphragm-side sealing portion of the first principal surface 101
  • a diaphragm-side second bonding pattern 122 is formed as the diaphragm-side sealing portion of the second principal surface 102 . is formed.
  • the diaphragm-side first bonding pattern 121 and the diaphragm-side second bonding pattern 122 are provided on the outer frame portion 12 and are formed in an annular shape in plan view.
  • the crystal diaphragm 10 is formed with five through holes penetrating between the first principal surface 101 and the second principal surface 102 .
  • the four first through holes 161 are provided in four corner (corner) regions of the outer frame portion 12 .
  • the second through hole 162 is provided in the outer frame portion 12 on one side of the vibrating portion 11 in the Z′-axis direction ( ⁇ Z′ direction side in FIGS. 4 and 5).
  • Connection bonding patterns 123 are formed around the first through holes 161 .
  • a connection bonding pattern 124 is formed on the first main surface 101 side
  • a connection bonding pattern 15 is formed on the second main surface 102 side.
  • first through hole 161 and the second through hole 162 through electrodes for conducting the electrodes formed on the first main surface 101 and the second main surface 102 are formed along the inner wall surfaces of the through holes. formed. Further, the central portions of the first through hole 161 and the second through hole 162 are hollow penetrating portions penetrating between the first main surface 101 and the second main surface 102 .
  • the outer peripheral edge of the diaphragm-side first bonding pattern 121 is provided close to the outer peripheral edge of the first main surface 101 of the crystal diaphragm 10 (outer frame portion 12).
  • the outer peripheral edge of the diaphragm-side second bonding pattern 122 is provided close to the outer peripheral edge of the second main surface 102 of the crystal diaphragm 10 (outer frame portion 12).
  • an example in which five through holes are formed penetrating between the first main surface 101 and the second main surface 102 is given. 10 may be partially cut out to form a castellation in which an electrode is attached to the inner wall surface of the cutout region (the same applies to the first sealing member 20 and the second sealing member 30). ).
  • the first sealing member 20 is a rectangular parallelepiped substrate formed from one AT-cut crystal plate.
  • the surface to be joined to the diaphragm 10) is formed as a flat smooth surface (mirror finish).
  • the first sealing member 20 does not have a vibrating portion, by using an AT-cut crystal plate like the crystal plate 10, the coefficient of thermal expansion of the crystal plate 10 and the first sealing member 20 can be adjusted to They can be made the same, and thermal deformation in the crystal resonator 100 can be suppressed.
  • the directions of the X-axis, Y-axis and Z′-axis in the first sealing member 20 are the same as those in the crystal plate 10 .
  • first and second terminals 22 and 23 for wiring are for electrically connecting the first and second excitation electrodes 111 and 112 of the crystal plate 10 and the external electrode terminals 32 of the second sealing member 30. is provided as wiring for The first and second terminals 22 and 23 are provided at both ends in the Z'-axis direction, the first terminal 22 is provided on the +Z' direction side, and the second terminal 23 is provided on the -Z' direction side. is provided.
  • the first and second terminals 22 and 23 are formed to extend in the X-axis direction.
  • the first terminal 22 and the second terminal 23 are formed in a substantially rectangular shape.
  • the metal film 28 is provided between the first and second terminals 22 and 23 and is arranged at a predetermined distance from the first and second terminals 22 and 23 .
  • the metal film 28 is provided on almost all regions of the first major surface 201 of the first sealing member 20 where the first and second terminals 22 and 23 are not formed.
  • the metal film 28 is provided from the +X direction end to the ⁇ X direction end of the first main surface 201 of the first sealing member 20 .
  • the first sealing member 20 is formed with six through holes penetrating between the first principal surface 201 and the second principal surface 202 .
  • four third through holes 211 are provided in four corner (corner) regions of the first sealing member 20 .
  • the fourth and fifth through holes 212 and 213 are provided in the +Z' direction and -Z' direction in FIGS. 2 and 3, respectively.
  • third through-hole 211 and the fourth and fifth through-holes 212 and 213 through-electrodes for conducting the electrodes formed on the first principal surface 201 and the second principal surface 202 are provided in the respective through-holes. It is formed along the inner wall surface.
  • the center portions of the third through-hole 211 and the fourth and fifth through-holes 212 and 213 are hollow penetrating portions penetrating between the first main surface 201 and the second main surface 202 .
  • Two third through-holes 211, 211 located at the corners of the +X direction and +Z' direction in FIGS.
  • the through-electrodes of the through-hole 211 and the third through-hole 211 located at the corners in the -X direction and -Z' direction are electrically connected to each other by the metal film 28 .
  • the through electrode of the third through hole 211 and the through electrode of the fourth through hole 212 located at the corners in the ⁇ X direction and +Z′ direction are electrically connected by the first terminal 22 .
  • a through-electrode of the third through-hole 211 located at a corner in the +X direction and the ⁇ Z′ direction and a through-electrode of the fifth through-hole 213 are electrically connected by the second terminal 23 .
  • a sealing member side first bonding pattern 24 is formed as a sealing member side first sealing portion for bonding to the crystal plate 10 .
  • the sealing member side first bonding pattern 24 is formed in an annular shape in plan view.
  • connecting bonding patterns 25 are formed around the third through holes 211 .
  • a connection bonding pattern 261 is formed around the fourth through hole 212
  • a connection bonding pattern 262 is formed around the fifth through hole 213 .
  • a connection bonding pattern 263 is formed on the side opposite to the connection bonding pattern 261 in the longitudinal direction of the first sealing member 20 ( ⁇ Z′ direction side), and is connected to the connection bonding pattern 261 .
  • the connection pattern 263 is connected by the wiring pattern 27 .
  • the outer peripheral edge of the sealing member side first bonding pattern 24 is provided close to the outer peripheral edge of the second main surface 202 of the first sealing member 20 .
  • the second sealing member 30 is a rectangular parallelepiped substrate formed from one AT-cut crystal plate.
  • the surface to be joined to the diaphragm 10) is formed as a flat smooth surface (mirror finish). It is desirable that the second sealing member 30 also uses an AT-cut crystal plate in the same manner as the crystal plate 10 and that the directions of the X-axis, Y-axis, and Z′-axis are the same as those of the crystal plate 10 .
  • a sealing member-side second bonding pattern 31 as a sealing member-side second sealing portion for bonding to the crystal diaphragm 10 is formed on the first main surface 301 of the second sealing member 30 .
  • the sealing member side second bonding pattern 31 is formed in an annular shape in plan view. The outer peripheral edge of the sealing member side second bonding pattern 31 is provided close to the outer peripheral edge of the first main surface 301 of the second sealing member 30 .
  • the second main surface 302 of the second sealing member 30 (the outer main surface not facing the crystal plate 10 ) has four external circuit boards electrically connected to an external circuit board provided outside the crystal unit 100 .
  • An electrode terminal 32 is provided.
  • the external electrode terminals 32 are positioned at four corners (corners) of the second main surface 302 of the second sealing member 30 .
  • the second sealing member 30 is formed with four through-holes penetrating between the first main surface 301 and the second main surface 302 .
  • the four sixth through holes 33 are provided in four corner (corner) regions of the second sealing member 30 .
  • through electrodes for conducting the electrodes formed on the first main surface 301 and the second main surface 302 are formed along the respective inner wall surfaces of the sixth through hole 33.
  • the electrodes formed on the first main surface 301 and the external electrode terminals 32 formed on the second main surface 302 are electrically connected by the through electrodes formed on the inner wall surfaces of the sixth through holes 33 in this way. .
  • each sixth through hole 33 is a hollow penetrating portion penetrating between the first main surface 301 and the second main surface 302 . Also, on the first main surface 301 of the second sealing member 30 , a connection bonding pattern 34 is formed around each of the sixth through holes 33 .
  • the crystal diaphragm 10 and the first sealing member 20 have the diaphragm-side first bonding pattern. 121 and the sealing member side first bonding pattern 24 are overlapped, diffusion bonding is performed, and the crystal diaphragm 10 and the second sealing member 30 are bonded by the diaphragm side second bonding pattern 122 and the sealing member side second bonding. Diffusion bonding is performed in a state where the patterns 31 are overlapped to manufacture the sandwich structure package shown in FIG. As a result, the internal space of the package, that is, the accommodation space of the vibrating portion 11 is hermetically sealed.
  • the bonding patterns for connection described above are also overlapped and diffusion bonded.
  • electrical conduction between the first excitation electrode 111, the second excitation electrode 112, and the external electrode terminal 32 is obtained by bonding the connection bonding patterns to each other.
  • the first excitation electrode 111 includes a first extraction wiring 113, a wiring pattern 27, a fourth through hole 212, a first terminal 22, a third through hole 211, a first through hole 161, and a sixth through hole. 33 in order to be connected to the external electrode terminal 32 .
  • the second excitation electrode 112 extends through the second lead-out wiring 114, the second through hole 162, the fifth through hole 213, the second terminal 23, the third through hole 211, the first through hole 161, and the sixth through hole 33 in this order. It is connected to the external electrode terminal 32 via. Also, the metal film 28 is grounded (grounded, using part of the external electrode terminal 32) via the third through hole 211, the first through hole 161, and the sixth through hole 33 in this order. .
  • various bonding patterns are formed by laminating a plurality of layers on a crystal plate, and a Ti (titanium) layer and an Au (gold) layer are formed from the bottom layer side by vapor deposition or sputtering. It is preferable to Further, if other wirings and electrodes formed on the crystal resonator 100 are configured in the same manner as the bonding pattern, the bonding pattern, the wiring and the electrodes can be patterned at the same time, which is preferable.
  • the sealing portions (seal paths) 115 and 116 for hermetically sealing the vibrating portion 11 of the crystal plate 10 are formed annularly in plan view.
  • the seal path 115 is formed by diffusion bonding (Au—Au bonding) of the diaphragm side first bonding pattern 121 and the sealing member side first bonding pattern 24 described above, and the outer edge shape and inner edge shape of the seal path 115 are substantially octagonal. formed.
  • the seal path 116 is formed by diffusion bonding (Au—Au bonding) of the diaphragm side second bonding pattern 122 and the sealing member side second bonding pattern 31 described above, and the outer edge shape and inner edge shape of the seal path 116 are approximately It is shaped like an octagon.
  • the first sealing member 20 and the crystal plate 10 have a gap of 1.00 ⁇ m or less
  • the second sealing member 30 has a gap of 1.00 ⁇ m or less
  • the crystal diaphragm 10 have a gap of 1.00 ⁇ m or less. That is, the thickness of the seal path 115 between the first sealing member 20 and the crystal diaphragm 10 is 1.00 ⁇ m or less
  • the thickness of the seal path 116 between the second sealing member 30 and the crystal diaphragm 10 is , 1.00 ⁇ m or less (specifically, 0.15 ⁇ m to 1.00 ⁇ m for the Au—Au junction of this embodiment).
  • a conventional metal paste sealing material using Sn has a thickness of 5 ⁇ m to 20 ⁇ m.
  • the crystal diaphragm 10 includes a substantially rectangular vibrating portion 11, an outer frame portion 12 surrounding the outer periphery of the vibrating portion 11, and the vibrating portion 11 and the outer frame portion 12.
  • a plurality of crystal planes are formed by wet etching as shown in FIGS. there is
  • a pair of opposing first and second main surfaces of the holding portion 13 are provided parallel to the AT-cut XZ′ plane, and the first main surface is provided on the +Y direction side.
  • the second main surface is a surface provided on the -Y direction side.
  • the first main surface of holding portion 13 is provided on the same plane as the first main surface of vibrating portion 11
  • the second main surface of holding portion 13 is provided on the same plane as the second main surface of vibrating portion 11 .
  • the width direction of the holding portion 13 is parallel to the X-axis direction. 8 and 9, illustration of the first and second lead wires 113 and 114 formed on the first and second main surface portions of the holding portion 13 is omitted.
  • the holding portion 13 extends from the -Z' direction side surface of the vibrating portion 11 toward the -Z' direction side.
  • the side surface of the holding portion 13 on the -X direction side and the side surface of the vibrating portion 11 on the -Z' direction side cross each other substantially perpendicularly.
  • the side surface of the holding portion 13 on the +X direction side and the side surface of the vibrating portion 11 on the +X direction side extend substantially linearly.
  • a plurality of crystal planes are formed by wet etching on the ⁇ Z′ direction side surface of the vibrating portion 11 and the ⁇ X direction side surface of the holding portion 13, and a plurality of ridge lines are formed by these crystal planes.
  • a connection portion (boundary portion) 13D on the second main surface side ( ⁇ Y direction side) between the vibrating portion 11 and the holding portion 13 has an intersection prevention portion that prevents two or more ridge lines from crossing in the connection portion 13D. is provided.
  • a C surface 16 as shown in FIG. 9 is provided as an intersection prevention portion.
  • a plurality of ridgelines 18a to 18e are formed on the ⁇ Z′ direction side surface of the vibrating portion 11 and the ⁇ X direction side surface of the holding portion 13. .
  • the C surface 16 prevents the three ridgelines 18c, 18d, and 18e from crossing each other at the connecting portion 13D on the second main surface side between the vibrating portion 11 and the holding portion 13.
  • the ridgelines 18c, 18d, and 18e are connected (intersect) with the outer peripheral edge 16a of the C-plane 16, and the C-plane 16 prevents the ridgelines 18c, 18d, and 18e from concentrating on one point.
  • the C surface 16 as described above can be easily realized by devising the shape of the photomask when processing the crystal diaphragm 10 by wet etching. That is, when wet etching is performed to form the penetrating portion 10a in the crystal plate 10, a portion of the photomask corresponding to the connecting portion (boundary portion) 13D between the vibrating portion 11 and the holding portion 13 on the second main surface side is etched. , C-plane 16 may be provided.
  • the connecting portion 13D on the second main surface side between the vibrating portion 11 and the holding portion 13 the side surface of the vibrating portion 11 on the ⁇ Z′ direction side and the ⁇ X direction of the holding portion 13
  • the C surface 16 prevents the plurality of ridgelines 18c, 18d, and 18e formed on the side surfaces on the direction side from concentrating on one point.
  • the three ridgelines 18a, 18b, and 18c are concentrated at one point in the connecting portion 13A on the first main surface side between the vibrating portion 11 and the holding portion 13, and there is a possibility that the stress will be concentrated at that one point.
  • the ridgelines 18c, 18d, and 18e are concentrated at one point, and there is a possibility that the stress will be concentrated at that one point as well.
  • both ends of the ridgeline 18c become stress concentration points, and there is a possibility that the ridgeline 18c is likely to break along the ridgeline 18c.
  • the connecting portion 13D on the second main surface side between the vibrating portion 11 and the holding portion 13 is provided with the C surface 16 to prevent the plurality of ridgelines 18c, 18d, and 18e from concentrating on one point. As a result, it is possible to suppress the occurrence of folding along the ridgeline 18c. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to suppress the occurrence of breakage at the connecting portion between the vibrating portion 11 and the holding portion 13 of the crystal plate 10 .
  • the crystal diaphragm 10 includes a vibrating portion 11, an outer frame portion 12 surrounding the outer periphery of the vibrating portion 11, and a holding portion (connecting portion) 13 connecting the vibrating portion 11 and the outer frame portion 12. and a penetrating portion 10a penetrating in the thickness direction is provided between the vibrating portion 11 and the outer frame portion 12 .
  • the size and height of the crystal oscillator 100 can be reduced.
  • the crystal resonator 100 that has been made smaller and thinner, it is possible to suppress the occurrence of breakage at the connecting portion between the vibrating portion 11 and the holding portion 13 of the crystal plate 10 .
  • the C surface 16 as the intersection preventing portion is provided in the connection portion 13D on the second main surface side between the vibrating portion 11 and the holding portion 13. 13 on the first main surface side, or on the connection portion 13A on the first main surface side and the connection portion 13D on the second main surface side between the vibrating portion 11 and the holding portion 13. Both may be provided.
  • the C-plane may not remain after wet etching because the thickness of the holding portion 13 is thin.
  • the shape of the intersection prevention portion may be other than the C surface 16, and may be, for example, an R surface or a protrusion.
  • the shape of the cross-blocking portion may be a shape combining a C-plane and an R-plane. From the viewpoint of reliably suppressing the occurrence of folding, it is preferable that the shape of the intersection prevention portion is an R surface shape (rounded chamfered shape). Intersection prevention portions having these shapes can be easily formed by devising the shape of a photomask when processing the crystal diaphragm 10 by wet etching.
  • the cross-blocking portion may be a new crystal plane 17 formed by wet etching as shown in FIG. In the example of FIG.
  • a ridge line 18f extending from the connecting portion 13A on the first main surface side between the vibrating portion 11 and the holding portion 13 connects (intersects) with the outer peripheral edge 17a of the new crystal plane 17.
  • the crystal plane 17 prevents the ridgeline 18f from crossing the ridgelines 18g and 18h formed at the connection portion 13D of the vibrating portion 11 and the holding portion 13 on the second main surface side.
  • it is possible to prevent stress from concentrating on one point at the connection portion 13D on the first main surface side between the vibrating portion 11 and the holding portion 13, and to suppress the occurrence of cracks originating from the stress concentration point. It is possible to suppress the occurrence of breakage at the connecting portion between the vibrating portion 11 and the holding portion 13 .
  • the inclination angle ⁇ 1 of the portion inclined in plan view (bottom view) of the new crystal plane 17 as the intersection prevention portion is preferably 30° to 60°. In particular, 45° is more preferable.
  • the inclination angle ⁇ 1 is the angle of the direction in which the inclined portion of the new crystal plane 17 extends in plan view with respect to the direction in which the holding portion 13 extends (here, the Z′-axis direction).
  • the slope length L1 of the portion of the new crystal plane 17 that is sloped in plan view (bottom view) is preferably 30 ⁇ m or more.
  • the slope length L1 is 30 to 50 ⁇ m.
  • the inclination length L1 is preferable for the crystal diaphragm 10 corresponding to the frequency of 40 to 60 MHz.
  • the plurality of ridgelines 18c, 18d, and 18e may intersect only the outer peripheral edge 16a of the C surface 16 at the connection portion 13D on the second main surface side between the vibrating portion 11 and the holding portion 13. good.
  • only one holding portion (connecting portion) 13 that connects the vibrating portion 11 and the outer frame portion 12 is provided in the crystal diaphragm 10, but two or more holding portions 13 are provided.
  • the configuration of the above embodiment may be applied to the connecting portion between each holding portion 13 and vibrating portion 11 .
  • the C surface 16 as the intersection preventing portion is provided in the connection portion 13D on the second main surface side between the vibrating portion 11 and the holding portion 13. It may be provided at the connecting portion with the portion 13 , or at both the connecting portion between the vibrating portion 11 and the holding portion 13 and the connecting portion between the outer frame portion 12 and the holding portion 13 .
  • a plurality of ridge lines formed by a plurality of crystal planes are formed at one point at the connecting portion between the outer frame portion 12 and the holding portion 13. is blocked by the cross blocking portion.
  • the new crystal plane 19 can be, for example, the C-plane, the R-plane, or a combination of the C-plane and the R-plane.
  • the new crystal plane 19 provided on the second main surface side ( ⁇ Y direction side) of the holding portion 13 is indicated by a solid line, and in FIG. A new crystal plane 19 provided on the side) is indicated by a dashed line.
  • new crystal planes 19 can be formed at a maximum of six locations. Specifically, a connecting portion 13A (see FIG. 4) on the first main surface side between the vibrating portion 11 and the holding portion 13, and a connecting portion 13D (see FIG. 5) on the second main surface side between the vibrating portion 11 and the holding portion 13 ), a connection portion 13B (first connection portion, see FIG. 4) located on the ⁇ X direction side of the first main surface side between the outer frame portion 12 and the holding portion 13, the outer frame portion 12 and the holding portion 13 A connection portion 13E (first connection portion, see FIG.
  • new crystal planes 19 that can be formed varies depending on the number and positions of the holding portions 13 .
  • new crystal planes 19 should be formed at a maximum of eight locations. is possible.
  • a new crystal plane 19D is provided in the connecting portion 13D on the second principal surface side between the vibrating portion 11 and the holding portion 13, and the first principal plane between the outer frame portion 12 and the holding portion 13 is provided.
  • a new crystal plane 19B is provided in the connection portion 13B located on the ⁇ X direction side of the plane side.
  • the inclination angle ⁇ 1 of the two new crystal planes 19B and 19D is the same angle (eg 45°), and the inclination length L1 of the two new crystal planes 19B and 19D is the same length (eg 30 ⁇ m). It has become.
  • a new crystal plane 19D is provided at the connecting portion 13D on the second main surface side between the vibrating portion 11 and the holding portion 13, and the outer frame portion 12 and the holding portion 13 are connected.
  • a new crystal plane 19B is provided in the connection portion 13B located on the ⁇ X direction side of the first main surface side of the outer frame portion 12 and the holding portion 13, and the connection between the outer frame portion 12 and the holding portion 13 is located on the +X direction side of the first main surface side.
  • a new crystal plane 19C is provided in the portion 13C.
  • the inclination angles ⁇ 1 of the three new crystal planes 19B, 19C, and 19D are the same angle (for example, 45°), and the three new crystal planes 19B, 19C, and 19D
  • the slope length L1 is the same length (for example, 30 ⁇ m).
  • the tilt angles ⁇ 1 of the three new crystal planes 19B, 19C, and 19D are the same angle (for example, 45°), but the tilt angle of the new crystal plane 19D
  • the length L1 (eg, 25 ⁇ m) is smaller than the tilt length L1 (eg, 30 ⁇ m) of the two new crystal planes 19B and 19C.
  • a new crystal plane 19B is provided at the connection portion 13B located on the ⁇ X direction side of the first main surface side between the outer frame portion 12 and the holding portion 13.
  • a new crystal plane 19C is provided in the connection portion 13C located on the +X direction side of the first main surface side with the holding portion 13 .
  • the inclination angle ⁇ 1 of the two new crystal planes 19B and 19C is the same angle (eg 45°), and the inclination length L1 of the two new crystal planes 19B and 19C is the same length (eg 30 ⁇ m). It has become.
  • the new crystal plane 19 is provided only on the second main surface side ( ⁇ Y direction side) of the holding portion 13 (for example, FIG. It is preferable to provide it on both the main surface side (+Y direction side) and the second main surface side ( ⁇ Y direction side) of the holding portion 13 (for example, FIGS. 12(a) to 12(c)).
  • stress can be dispersed, and the occurrence of breakage at the connection portion can be suppressed. be able to.
  • the new crystal plane 19 is provided only on the ⁇ X direction side of the holding portion 13 (for example, FIG. It is preferable to provide both (for example, FIG. 12(b)).
  • the new crystal planes 19 can be dispersed, and the occurrence of breakage at the connection portion can be suppressed. .
  • the thickness of the vibrating portion 11 and the holding portion 13 of the crystal plate 10 may be thinner than the thickness of the outer frame portion 12 .
  • the first sealing member 20 and the second sealing member 30 are made of quartz plates, but the present invention is not limited to this, and the first sealing member 20 and the second sealing member 30 are For example, it may be made of glass. Further, the first sealing member 20 and the second sealing member 30 are not limited to a brittle material such as crystal or glass, and may be a resin plate, a resin film, or the like. The vibrating portion 11 may be sealed by being attached to the plate 10 .
  • crystal oscillator 100 a crystal oscillator having a sandwich structure in which the crystal plate 10 is sandwiched between the first sealing member 20 and the second sealing member 30 is used.
  • crystal oscillator 100 may be used.
  • a crystal oscillator having a structure in which the crystal plate 10 is housed inside a base made of an insulating material such as ceramic, glass, or crystal and has a recess, and a lid is bonded to the base may be used.
  • the number of the external electrode terminals 32 on the second main surface 302 of the second sealing member 30 is four, but the present invention is not limited to this. It may be one, six, eight, or the like. Moreover, although the case where the present invention is applied to the crystal oscillator 100 has been described, the present invention is not limited to this, and may be applied to, for example, a crystal oscillator or the like.

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Abstract

水晶振動板(10)は、振動部(11)と、振動部(11)の外周を取り囲む外枠部(12)と、振動部(11)と外枠部(12)とを連結する保持部(13)とを備えており、外枠部(12)と保持部(13)との接続部分につながる外枠部(12)の側面および保持部(13)の側面には、複数の結晶面が形成され、これらの結晶面によって複数の稜線が形成され、外枠部(12)と保持部(13)との接続部分の第1主面側および第2主面側の少なくとも一方には、当該接続部分における2つ以上の稜線の交差を阻止する交差阻止部が設けられている。

Description

圧電振動板および圧電振動デバイス
 本発明は、圧電振動板およびこれを備えた圧電振動デバイスに関する。
 近年、各種電子機器の動作周波数の高周波化や、パッケージの小型化(特に低背化)が進んでいる。そのため、高周波化やパッケージの小型化にともなって、圧電振動デバイス(例えば水晶振動子、水晶発振器等)も高周波化やパッケージの小型化への対応が求められている。
 この種の圧電振動デバイスでは、その筐体が略直方体のパッケージで構成されている。このパッケージは、例えばガラスや水晶からなる第1封止部材および第2封止部材と、例えば水晶からなり両主面に励振電極が形成された圧電振動板とから構成され、第1封止部材と第2封止部材とが圧電振動板を介して積層して接合される。そして、パッケージの内部(内部空間)に配された圧電振動板の振動部(励振電極)が気密封止されている(例えば、特許文献1)。以下、このような圧電振動デバイスの積層形態をサンドイッチ構造という。
特開2010-252051号公報
 上述したような圧電振動デバイスでは、圧電振動板は、振動部と、この振動部の外周を取り囲む外枠部と、振動部と外枠部とを連結する保持部(ブリッジ部)とを備えた構造になっている。すなわち、圧電振動板は、水晶等からなる圧電基板により、振動部と保持部と外枠部とが一体的に設けられた構成となっている。しかし、圧電振動板の振動部と保持部との接続部分で折れが発生しやすいという問題があった。その原因は、圧電振動板をウエットエッチングによって加工する際、振動部の側面や保持部の側面に複数の結晶面が形成され、これらの結晶面によって複数の稜線が形成されるが、この場合、特定の稜線の両端に、複数の稜線が集中すると、その稜線に沿って折れやすくなるためであると考えられる。このような問題は、圧電振動板の外枠部と保持部との接続部分においても同様に懸念される。
 本発明は上述したような実情を考慮してなされたもので、振動部と保持部との接続部分や、外枠部と保持部との接続部分での折れの発生を抑制することが可能な圧電振動板、およびそのような圧電振動板を備えた圧電振動デバイスを提供することを目的とする。
 本発明は、上述の課題を解決するための手段を以下のように構成している。すなわち、本発明は、振動部と、前記振動部の外周を取り囲む外枠部と、前記振動部と前記外枠部とを連結する保持部とを備えた圧電振動板であって、前記外枠部と前記保持部との第1の接続部分につながる前記外枠部の側面および前記保持部の側面には、複数の結晶面が形成され、これらの結晶面によって複数の稜線が形成され、前記第1の接続部分の第1主面側および第2主面側の少なくとも一方には、当該第1の接続部分における2つ以上の前記稜線の交差を阻止する第1の交差阻止部が設けられていることを特徴とする。なお、前記稜線には、前記第1の交差阻止部の外周縁は含まれないものとする。
 上記構成によれば、外枠部と保持部との第1の接続部分において、複数の結晶面によって形成された複数の稜線が、1点に集中することが第1の交差阻止部により阻止される。これにより、外枠部と保持部との第1の接続部分において、応力が1点に集中することを回避でき、応力集中点が起点となる亀裂の発生を抑制することができ、外枠部と保持部との第1の接続部分での折れの発生を抑制することができる。
 上記構成において、前記振動部と前記保持部との接続部分につながる前記振動部の側面および前記保持部の側面には、複数の結晶面が形成され、これらの結晶面によって複数の稜線が形成され、前記振動部と前記保持部との接続部分の第1主面側および第2主面側の少なくとも一方には、当該接続部分における2つ以上の前記稜線の交差を阻止する第2の交差阻止部が設けられていることが好ましい。これにより、保持部の長手方向の両側にそれぞれ交差阻止部を設けることによって、応力を分散させることができ、接続部分での折れの発生を抑制することができる。
 上記構成において、前記第1の交差阻止部が、前記第1主面側および前記第2主面側の一方に設けられ、前記第2の交差阻止部が、前記第1主面側および前記第2主面側の他方に設けられていることが好ましい。これにより、第1主面側および第2主面側の両側にそれぞれ交差阻止部を設けることによって、応力を分散させることができ、接続部分での折れの発生を抑制することができる。
 上記構成において、前記外枠部と前記保持部との第2の接続部分に、第3の交差阻止部が設けられていることが好ましい。これにより、第1、第2の交差阻止部に加えて、第3の交差阻止部を設けることによって、応力を分散させることができ、接続部分での折れの発生を抑制することができる。
 また、本発明は、振動部と、前記振動部の外周を取り囲む外枠部と、前記振動部と前記外枠部とを連結する保持部とを備えた圧電振動板であって、前記振動部と前記保持部との接続部分につながる前記振動部の側面および前記保持部の側面には、複数の結晶面が形成され、これらの結晶面によって複数の稜線が形成され、前記振動部と前記保持部との接続部分の第1主面側および第2主面側の少なくとも一方の接続部分には、当該接続部分における2つ以上の前記稜線の交差を阻止する第2の交差阻止部が設けられていることを特徴とする。なお、前記稜線には、前記第2の交差阻止部の外周縁は含まれないものとする。
 上記構成によれば、振動部と保持部との接続部分において、複数の結晶面によって形成された複数の稜線が、1点に集中することが第2の交差阻止部により阻止される。これにより、振動部と保持部との接続部分において、応力が1点に集中することを回避でき、応力集中点が起点となる亀裂の発生を抑制することができ、振動部と保持部との接続部分での折れの発生を抑制することができる。
 上記構成において、前記各交差阻止部は、新たな結晶面(例えばC面やR面)または突起であることが好ましい。これらの形状の交差阻止部は、ウエットエッチングによる圧電振動板の加工時、フォトマスクの形状を工夫することによって容易に形成することができる。
 また、上記構成において、当該圧電振動板はATカット水晶板であり、前記第1、第2主面はATカットのXZ´平面に平行に設けられ、前記第1主面は+Y方向側に設けられ、前記第2主面は-Y方向側に設けられることが好ましい。この場合、前記保持部は、1つのみ設けられ、前記保持部は、前記振動部の+X方向側かつ-Z´方向側の角部から、-Z´方向側に向けて延びており、前記保持部の側面は、前記保持部の-X方向側の側面であり、当該保持部の側面に前記外枠部の側面が接続されることが好ましい。
 また、本発明は、上記いずれかの構成の圧電振動板を備えた圧電振動デバイスであってもよく、前記圧電振動板の前記振動部の一主面側を覆う第1封止部材と、前記圧電振動板の前記振動部の他主面側を覆う第2封止部材とが備えられ、前記第1封止部材と前記圧電振動板とが接合され、かつ前記第2封止部材と前記圧電振動板とが接合されることによって、前記圧電振動板の前記振動部が封止されることを特徴とする。上記構成の圧電振動板を備えた圧電振動デバイスによれば、上述した圧電振動板の作用効果と同様の作用効果が得られる。すなわち、振動部と外枠部とが保持部によって連結された枠体付きの圧電振動板を用いた場合、圧電振動デバイスの小型化および低背化を図ることが可能であるが、そのような小型化および薄型化を図った圧電振動デバイスにおいて、振動部と保持部との接続部分や、外枠部と保持部との接続部分での折れの発生を抑制することができる。
 本発明によれば、振動部と保持部との接続部分や、外枠部と保持部との接続部分での折れの発生を抑制することが可能な圧電振動板、およびそのような圧電振動板を備えた圧電振動デバイスを提供することができる。
本実施形態にかかる水晶振動子の各構成を模式的に示した概略構成図である。 水晶振動子の第1封止部材の第1主面側の概略平面図である。 水晶振動子の第1封止部材の第2主面側の概略平面図である。 本実施形態にかかる水晶振動板の第1主面側の概略平面図である。 本実施形態にかかる水晶振動板の第2主面側の概略平面図である。 水晶振動子の第2封止部材の第1主面側の概略平面図である。 水晶振動子の第2封止部材の第2主面側の概略平面図である。 振動部と保持部との接続部分の第1主面側の一例を示す概略斜視図である。 振動部と保持部との接続部分の第2主面側の一例を示す概略斜視図である。 振動部と保持部との接続部分の第2主面側の一例を示す概略斜視図である。 交差阻止部の傾斜角度、および傾斜長さを説明するための概略底面図である。 複数の交差阻止部が設けられた水晶振動板の一例を模式的に示す底面図である。
 以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の実施形態では、本発明を適用する圧電振動デバイスが水晶振動子である場合について説明する。
 まず、本実施形態にかかる水晶振動子100の基本的な構造を説明する。水晶振動子100は、図1に示すように、水晶振動板(圧電振動板)10、第1封止部材20、および第2封止部材30を備えて構成されている。この水晶振動子100では、水晶振動板10と第1封止部材20とが接合され、水晶振動板10と第2封止部材30とが接合されることによって、略直方体のサンドイッチ構造のパッケージが構成される。すなわち、水晶振動子100においては、水晶振動板10の両主面のそれぞれに第1封止部材20および第2封止部材30が接合されることでパッケージの内部空間(キャビティ)が形成され、この内部空間に振動部11(図4、図5参照)が気密封止される。
 本実施形態にかかる水晶振動子100は、例えば、1.0×0.8mmのパッケージサイズであり、小型化と低背化とを図ったものである。また、小型化に伴い、パッケージでは、キャスタレーションを形成せずに、後述するスルーホールを用いて電極の導通を図っている。また、水晶振動子100は、外部に設けられる外部回路基板(図示省略)に半田を介して電気的に接続されるようになっている。
 次に、上記した水晶振動子100における水晶振動板10、第1封止部材20および第2封止部材30の各部材について、図1~図7を用いて説明する。なお、ここでは、接合されていないそれぞれ単体として構成されている各部材について説明を行う。図2~図7は、水晶振動板10、第1封止部材20および第2封止部材30のそれぞれの一構成例を示しているに過ぎず、これらは本発明を限定するものではない。
 本実施形態にかかる水晶振動板10は、図4、図5に示すように、水晶からなる圧電基板であって、その両主面(第1主面101、第2主面102)が平坦平滑面(鏡面加工)として形成されている。本実施形態では、水晶振動板10として、厚みすべり振動を行うATカット水晶板が用いられている。図4、図5に示す水晶振動板10では、水晶振動板10の両主面101,102が、XZ´平面とされている。このXZ´平面において、水晶振動板10の短手方向(短辺方向)に平行な方向がX軸方向とされ、水晶振動板10の長手方向(長辺方向)に平行な方向がZ´軸方向とされている。なお、ATカットは、人工水晶の3つの結晶軸である電気軸(X軸)、機械軸(Y軸)、および光学軸(Z軸)のうち、Z軸に対してX軸周りに35°15′だけ傾いた角度で切り出す加工手法である。ATカット水晶板では、X軸は水晶の結晶軸に一致する。Y´軸およびZ´軸は、水晶の結晶軸のY軸およびZ軸からそれぞれ概ね35°15′傾いた(この切断角度はATカット水晶振動板の周波数温度特性を調整する範囲で多少変更してもよい)軸に一致する。Y´軸方向およびZ´軸方向は、ATカット水晶板を切り出すときの切り出し方向に相当する。
 水晶振動板10の両主面101,102には、一対の励振電極(第1励振電極111、第2励振電極112)が形成されている。水晶振動板10は、略矩形に形成された振動部11と、この振動部11の外周を取り囲む外枠部12と、振動部11と外枠部12とを連結することで振動部11を保持する保持部(ブリッジ部)13とを有している。すなわち、水晶振動板10は、振動部11、外枠部12および保持部13が一体的に設けられた構成となっている。保持部13は、振動部11の+X方向かつ-Z´方向に位置する1つの角部のみから、-Z´方向に向けて外枠部12まで延びている(突出している)。そして、振動部11と外枠部12との間には、水晶振動板10の厚み方向に貫通する貫通部(スリット)10aが設けられている。本実施形態では、水晶振動板10には、振動部11と外枠部12とを連結する保持部13が1つのみ設けられており、貫通部10aが振動部11の外周囲を囲うように連続して形成されている。保持部13の詳細については後述する。
 第1励振電極111は振動部11の第1主面101側に設けられ、第2励振電極112は振動部11の第2主面102側に設けられている。第1励振電極111、第2励振電極112には、これらの励振電極を外部電極端子に接続するため入出力用の引出配線(第1引出配線113、第2引出配線114)が接続されている。入力側の第1引出配線113は、第1励振電極111から引き出され、保持部13を経由して、外枠部12に形成された接続用接合パターン14につながっている。出力側の第2引出配線114は、第2励振電極112から引き出され、保持部13を経由して、外枠部12に形成された接続用接合パターン15につながっている。
 水晶振動板10の両主面(第1主面101、第2主面102)には、水晶振動板10を第1封止部材20および第2封止部材30に接合するための振動板側封止部がそれぞれ設けられている。第1主面101の振動板側封止部としては振動板側第1接合パターン121が形成されており、第2主面102の振動板側封止部としては振動板側第2接合パターン122が形成されている。振動板側第1接合パターン121および振動板側第2接合パターン122は、外枠部12に設けられており、平面視で環状に形成されている。
 また、水晶振動板10には、図4、図5に示すように、第1主面101と第2主面102との間を貫通する5つのスルーホールが形成されている。具体的には、4つの第1スルーホール161は、外枠部12の4隅(角部)の領域にそれぞれ設けられている。第2スルーホール162は、外枠部12であって、振動部11のZ´軸方向の一方側(図4、図5では、-Z´方向側)に設けられている。第1スルーホール161の周囲には、それぞれ接続用接合パターン123が形成されている。また、第2スルーホール162の周囲には、第1主面101側では接続用接合パターン124が、第2主面102側では接続用接合パターン15が形成されている。
 第1スルーホール161および第2スルーホール162には、第1主面101と第2主面102とに形成された電極の導通を図るための貫通電極が、スルーホールそれぞれの内壁面に沿って形成されている。また、第1スルーホール161および第2スルーホール162それぞれの中央部分は、第1主面101と第2主面102との間を貫通した中空状態の貫通部分となる。振動板側第1接合パターン121の外周縁は、水晶振動板10(外枠部12)の第1主面101の外周縁に近接して設けられている。振動板側第2接合パターン122の外周縁は、水晶振動板10(外枠部12)の第2主面102の外周縁に近接して設けられている。なお、本実施形態では、第1主面101と第2主面102との間を貫通する5つのスルーホールが形成されている例を挙げたが、スルーホールを形成せずに、水晶振動板10の側面の一部を切り欠き、当該切り欠かれた領域の内壁面に電極が被着したキャスタレーションを形成してもよい(第1封止部材20、第2封止部材30についても同様)。
 第1封止部材20は、図2、図3に示すように、1枚のATカット水晶板から形成された直方体の基板であり、この第1封止部材20の第2主面202(水晶振動板10に接合する面)は平坦平滑面(鏡面加工)として形成されている。なお、第1封止部材20は振動部を有するものではないが、水晶振動板10と同様にATカット水晶板を用いることで、水晶振動板10と第1封止部材20の熱膨張率を同じにすることができ、水晶振動子100における熱変形を抑制することができる。また、第1封止部材20におけるX軸、Y軸およびZ´軸の向きも水晶振動板10と同じとされている。
 第1封止部材20の第1主面201(水晶振動板10に面しない外方の主面)には、図2に示すように、配線用の第1、第2端子22,23と、シールド用(アース接続用)の金属膜28とが形成されている。配線用の第1、第2端子22,23は、水晶振動板10の第1、第2励振電極111,112と、第2封止部材30の外部電極端子32とを電気的に接続するための配線として設けられている。第1、第2端子22,23は、Z´軸方向の両端部に設けられており、第1端子22が、+Z´方向側に設けられ、第2端子23が、-Z´方向側に設けられている。第1、第2端子22,23は、X軸方向に延びるように形成されている。第1端子22および第2端子23は、略矩形状に形成されている。
 金属膜28は、第1、第2端子22,23の間に設けられており、第1、第2端子22,23とは所定の間隔を隔てて配置されている。金属膜28は、第1封止部材20の第1主面201の第1、第2端子22,23が形成されていない領域のうち、ほとんどすべての領域に設けられている。金属膜28は、第1封止部材20の第1主面201の+X方向の端部から-X方向の端部にわたって設けられている。
 第1封止部材20には、図2、図3に示すように、第1主面201と第2主面202との間を貫通する6つのスルーホールが形成されている。具体的には、4つの第3スルーホール211が、第1封止部材20の4隅(角部)の領域に設けられている。第4、第5スルーホール212,213は、図2、図3の+Z´方向および-Z´方向にそれぞれ設けられている。
 第3スルーホール211および第4、第5スルーホール212,213には、第1主面201と第2主面202とに形成された電極の導通を図るための貫通電極が、スルーホールそれぞれの内壁面に沿って形成されている。また、第3スルーホール211および第4、第5スルーホール212,213それぞれの中央部分は、第1主面201と第2主面202との間を貫通した中空状態の貫通部分となる。そして、第1封止部材20の第1主面201の対角に位置する2つの第3スルーホール211,211(図2、図3の+X方向かつ+Z´方向の角部に位置する第3スルーホール211と、-X方向かつ-Z´方向の角部に位置する第3スルーホール211)の貫通電極同士が、金属膜28によって電気的に接続されている。また、-X方向かつ+Z´方向の角部に位置する第3スルーホール211の貫通電極と、第4スルーホール212の貫通電極とが、第1端子22によって電気的に接続されている。+X方向かつ-Z´方向の角部に位置する第3スルーホール211の貫通電極と、第5スルーホール213の貫通電極とが、第2端子23によって電気的に接続されている。
 第1封止部材20の第2主面202には、水晶振動板10に接合するための封止部材側第1封止部としての封止部材側第1接合パターン24が形成されている。封止部材側第1接合パターン24は、平面視で環状に形成されている。また、第1封止部材20の第2主面202では、第3スルーホール211の周囲に接続用接合パターン25がそれぞれ形成されている。第4スルーホール212の周囲には接続用接合パターン261が、第5スルーホール213の周囲には接続用接合パターン262が形成されている。さらに、接続用接合パターン261に対して第1封止部材20の長軸方向の反対側(-Z´方向側)には接続用接合パターン263が形成されており、接続用接合パターン261と接続用接合パターン263とは配線パターン27によって接続されている。封止部材側第1接合パターン24の外周縁は、第1封止部材20の第2主面202の外周縁に近接して設けられている。
 第2封止部材30は、図6、図7に示すように、1枚のATカット水晶板から形成された直方体の基板であり、この第2封止部材30の第1主面301(水晶振動板10に接合する面)は平坦平滑面(鏡面加工)として形成されている。なお、第2封止部材30においても、水晶振動板10と同様にATカット水晶板を用い、X軸、Y軸およびZ´軸の向きも水晶振動板10と同じとすることが望ましい。
 この第2封止部材30の第1主面301には、水晶振動板10に接合するための封止部材側第2封止部としての封止部材側第2接合パターン31が形成されている。封止部材側第2接合パターン31は、平面視で環状に形成されている。封止部材側第2接合パターン31の外周縁は、第2封止部材30の第1主面301の外周縁に近接して設けられている。
 第2封止部材30の第2主面302(水晶振動板10に面しない外方の主面)には、水晶振動子100の外部に設けられる外部回路基板に電気的に接続する4つの外部電極端子32が設けられている。外部電極端子32は、第2封止部材30の第2主面302の4隅(隅部)にそれぞれ位置する。
 第2封止部材30には、図6、図7に示すように、第1主面301と第2主面302との間を貫通する4つのスルーホールが形成されている。具体的には、4つの第6スルーホール33は、第2封止部材30の4隅(角部)の領域に設けられている。第6スルーホール33には、第1主面301と第2主面302とに形成された電極の導通を図るための貫通電極が、第6スルーホール33それぞれの内壁面に沿って形成されている。このように第6スルーホール33の内壁面に形成された貫通電極によって、第1主面301に形成された電極と、第2主面302に形成された外部電極端子32とが導通されている。また、第6スルーホール33それぞれの中央部分は、第1主面301と第2主面302との間を貫通した中空状態の貫通部分となっている。また、第2封止部材30の第1主面301では、第6スルーホール33の周囲には、それぞれ接続用接合パターン34が形成されている。
 上記構成の水晶振動板10、第1封止部材20、および第2封止部材30を含む水晶振動子100では、水晶振動板10と第1封止部材20とが振動板側第1接合パターン121および封止部材側第1接合パターン24を重ね合わせた状態で拡散接合され、水晶振動板10と第2封止部材30とが振動板側第2接合パターン122および封止部材側第2接合パターン31を重ね合わせた状態で拡散接合されて、図1に示すサンドイッチ構造のパッケージが製造される。これにより、パッケージの内部空間、つまり、振動部11の収容空間が気密封止される。
 この際、上述した接続用接合パターン同士も重ね合わせられた状態で拡散接合される。そして、接続用接合パターン同士の接合により、水晶振動子100では、第1励振電極111、第2励振電極112、外部電極端子32の電気的導通が得られるようになっている。具体的には、第1励振電極111は、第1引出配線113、配線パターン27、第4スルーホール212、第1端子22、第3スルーホール211、第1スルーホール161、および第6スルーホール33を順に経由して、外部電極端子32に接続される。第2励振電極112は、第2引出配線114、第2スルーホール162、第5スルーホール213、第2端子23、第3スルーホール211、第1スルーホール161、および第6スルーホール33を順に経由して、外部電極端子32に接続される。また、金属膜28は、第3スルーホール211、第1スルーホール161、および第6スルーホール33を順に経由して、アース接続(グランド接続、外部電極端子32の一部を利用)されている。
 水晶振動子100において、各種接合パターンは、複数の層が水晶板上に積層されてなり、その最下層側からTi(チタン)層とAu(金)層とが蒸着またはスパッタリングにより形成されているものとすることが好ましい。また、水晶振動子100に形成される他の配線や電極も、接合パターンと同一の構成とすれば、接合パターンや配線および電極を同時にパターニングでき、好ましい。
 上述のように構成された水晶振動子100では、水晶振動板10の振動部11を気密封止する封止部(シールパス)115,116は、平面視で、環状に形成されている。シールパス115は、上述した振動板側第1接合パターン121および封止部材側第1接合パターン24の拡散接合(Au-Au接合)によって形成され、シールパス115の外縁形状および内縁形状が略八角形に形成されている。同様に、シールパス116は、上述した振動板側第2接合パターン122および封止部材側第2接合パターン31の拡散接合(Au-Au接合)によって形成され、シールパス116の外縁形状および内縁形状が略八角形に形成されている。
 このように拡散接合によってシールパス115,116が形成された水晶振動子100において、第1封止部材20と水晶振動板10とは、1.00μm以下のギャップを有し、第2封止部材30と水晶振動板10とは、1.00μm以下のギャップを有する。つまり、第1封止部材20と水晶振動板10との間のシールパス115の厚みが、1.00μm以下であり、第2封止部材30と水晶振動板10との間のシールパス116の厚みが、1.00μm以下(具体的には、本実施形態のAu-Au接合では0.15μm~1.00μm)である。なお、比較例として、Snを用いた従来の金属ペースト封止材では、5μm~20μmとなる。
 次に、本実施形態にかかる水晶振動板10について、図4、図5、図8、図9を参照して説明する。
 図4、図5に示すように、水晶振動板10は、略矩形に形成された振動部11と、振動部11の外周を取り囲む外枠部12と、振動部11と外枠部12とを連結する保持部13とを備えており、振動部11、外枠部12、および保持部13それぞれの側面には、図8、図9に示すようなウエットエッチングによる複数の結晶面が形成されている。
 図8、図9に示すように、保持部13の対向する一対の第1、第2主面はATカットのXZ´平面に平行に設けられ、第1主面は+Y方向側に設けられた面であり、第2主面は-Y方向側に設けられた面になっている。保持部13の第1主面は振動部11の第1主面と同一平面上に設けられ、保持部13の第2主面は振動部11の第2主面と同一平面上に設けられている。保持部13の幅方向は、X軸方向に平行な方向になっている。なお、図8、図9では、保持部13の第1、第2主面部に形成される第1、第2引出配線113,114の図示を省略している。
 保持部13は、振動部11の-Z´方向側の側面から-Z´方向側へ向けて延びている。保持部13の-X方向側の側面と、振動部11の-Z´方向側の側面とは略垂直に交差している。保持部13の+X方向側の側面と、振動部11の+X方向側の側面とは略直線状に延びている。振動部11の-Z´方向側の側面および保持部13の-X方向側の側面には、ウエットエッチングによる複数の結晶面が形成されており、これらの結晶面によって複数の稜線が形成されている。
 振動部11と保持部13との第2主面側(-Y方向側)の接続部分(境界部分)13Dには、当該接続部分13Dにおける2つ以上の稜線の交差を阻止する交差阻止部が設けられている。本実施形態では、図9に示すようなC面16が交差阻止部として設けられている。
 具体的には、図8、図9に示すように、振動部11の-Z´方向側の側面および保持部13の-X方向側の側面に、複数の稜線18a~18eが形成されている。そして、C面16によって、3つの稜線18c,18d,18eが、振動部11と保持部13との第2主面側の接続部分13Dにおいて互いに交差することが阻止されている。稜線18c,18d,18eは、C面16の外周縁16aに接続(交差)しており、稜線18c,18d,18eが1点に集中することが、C面16によって阻止されている。
 上述のようなC面16は、ウエットエッチングによる水晶振動板10の加工時に、フォトマスクの形状を工夫することによって容易に実現できる。すなわち、水晶振動板10に貫通部10aを形成するウエットエッチングを行う際、フォトマスクの、振動部11と保持部13との第2主面側の接続部分(境界部分)13Dに対応する部分に、C面16に対応する形状の突出部を設ければよい。
 本実施形態によれば、上述したように、振動部11と保持部13との第2主面側の接続部分13Dにおいて、振動部11の-Z´方向側の側面および保持部13の-X方向側の側面に形成された複数の稜線18c,18d,18eが1点に集中することが、C面16によって阻止されている。これにより、振動部11と保持部13との第2主面側の接続部分13Dにおいて、応力が1点に集中することを回避でき、応力集中点が起点となる亀裂の発生を抑制することができ、振動部11と保持部13との接続部分での折れの発生を抑制することができる。
 ここで、振動部11と保持部13との第1主面側の接続部分13Aでは、3つの稜線18a,18b,18cが1点に集中しており、その1点に応力が集中する可能性がある。C面16を設けなかった場合、稜線18c,18d,18eが1点に集中し、その1点にも応力が集中する可能性がある。このように、C面16を設けなかった場合、稜線18cの両端が応力集中点となり、稜線18cに沿って折れが発生しやすくなる可能性がある。
 しかし、本実施形態では、振動部11と保持部13との第2主面側の接続部分13DにC面16を設けて、複数の稜線18c,18d,18eが1点に集中することを阻止しており、これにより、稜線18cに沿って折れが発生することを抑制するようにしている。したがって、本実施形態によれば、水晶振動板10の振動部11と保持部13との接続部分での折れの発生を抑制することができる。
 本実施形態では、水晶振動板10は、振動部11と、当該振動部11の外周を取り囲む外枠部12と、振動部11と外枠部12とを連結する保持部(連結部)13とを備え、振動部11と外枠部12との間には、厚み方向に貫通する貫通部10aが設けられている構成になっている。このような振動部11と外枠部12とが保持部13によって連結された枠体付きの水晶振動板10を用いた場合、水晶振動子100の小型化および低背化を図ることが可能であるが、そのような小型化および薄型化を図った水晶振動子100において、水晶振動板10の振動部11と保持部13との接続部分での折れの発生を抑制することができる。
 今回開示した実施形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。したがって、本発明の技術的範囲は、上記した実施形態のみによって解釈されるものではなく、請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
 上記実施形態では、交差阻止部としてのC面16を振動部11と保持部13との第2主面側の接続部分13Dに設けたが、そのようなC面を、振動部11と保持部13との第1主面側の接続部分13Aに設けてもよいし、あるいは、振動部11と保持部13との第1主面側の接続部分13Aおよび第2主面側の接続部分13Dの両方に設けてもよい。例えば60MHz以上の高周波に対応した水晶振動板10では、保持部13の厚さが薄くなるため、ウエットエッチング後にC面が残らない場合がある。そこで、第1主面側および第2主面側の両方に対し、C面に対応する形状のフォトマスクを行うことによって、ウエットエッチング後に、第1主面側および第2主面側の少なくとも一方により安定的にC面を形成することが可能になる。
 上記実施形態において、交差阻止部の形状はC面16以外であってもよく、例えばR面や突起部であってもよい。また、交差阻止部の形状を、C面とR面とを組み合わせたような形状としてもよい。なお、折れの発生を確実に抑制する観点からは、交差阻止部の形状をR面形状(丸面取り形状)とすることが好ましい。これらの形状の交差阻止部は、ウエットエッチングによる水晶振動板10の加工時、フォトマスクの形状を工夫することによって容易に形成することができる。また、交差阻止部を、図10に示すようなウエットエッチングによる新たな結晶面17としてもよい。図10の例では、振動部11と保持部13との第1主面側の接続部分13A側から延びる稜線18fが新たな結晶面17の外周縁17aに接続(交差)しており、新たな結晶面17によって、振動部11と保持部13との第2主面側の接続部分13Dに形成された稜線18g,18hに、稜線18fが交差することが阻止されている。これにより、振動部11と保持部13との第1主面側の接続部分13Dにおいて、応力が1点に集中することを回避でき、応力集中点が起点となる亀裂の発生を抑制することができ、振動部11と保持部13との接続部分での折れの発生を抑制することができる。
 ここで、図11に示すように、交差阻止部としての新たな結晶面17の平面視(底面視)で傾斜している部分の傾斜角度α1は、30°~60°であることが好ましく、特に、45°であることがより好ましい。傾斜角度α1は、保持部13が延びる方向(ここでは、Z’軸方向)に対する、新たな結晶面17の平面視で傾斜している部分が延びる方向の角度を言う。また、新たな結晶面17の平面視(底面視)で傾斜している部分の傾斜長さL1は、30μm以上であることが好ましい。例えば、1.0×0.8mmサイズの水晶振動板10では、保持部13の厚さが20~40μm、保持部13の長さが60~200μmのとき、傾斜長さL1は、30~50μmであることが好ましく、特に、40~60MHzの周波数に対応した水晶振動板10で好ましい傾斜長さL1になっている。
 上記実施形態において、複数の稜線18c,18d,18eは、振動部11と保持部13との第2主面側の接続部分13Dにおいて、C面16の外周縁16aとのみ交差するようにしてもよい。
 上記実施形態では、水晶振動板10に、振動部11と外枠部12とを連結する保持部(連結部)13が1つのみ設けられたが、保持部13が2つ以上設けられていてもよく、この場合、それぞれの保持部13と振動部11との接続部分に上記実施形態の構成を適用すればよい。
 上記実施形態では、交差阻止部としてのC面16を振動部11と保持部13との第2主面側の接続部分13Dに設けたが、そのようなC面を、外枠部12と保持部13との接続部分に設けてもよいし、あるいは、振動部11と保持部13との接続部分、および外枠部12と保持部13との接続部分の両方に設けてもよい。交差阻止部を外枠部12と保持部13との接続部分に設けることによって、外枠部12と保持部13との接続部分において、複数の結晶面によって形成された複数の稜線が、1点に集中することが交差阻止部により阻止される。これにより、外枠部12と保持部13との接続部分において、応力が1点に集中することを回避でき、応力集中点が起点となる亀裂の発生を抑制することができ、外枠部12と保持部13との接続部分での折れの発生を抑制することができる。
 ここで、図12を参照して、複数の交差阻止部を設けた場合について説明する。図12の例では、交差阻止部としての新たな結晶面19(図12では、19B,19C,19D)が、2つまたは3つ設けられている。新たな結晶面19は、例えばC面や、R面、あるいはC面とR面とを組み合わせた面とすることが可能である。便宜上、図12では、保持部13の第2主面側(-Y方向側)に設けられる新たな結晶面19を実線で示し、図12では、保持部13の第1主面側(+Y方向側)に設けられる新たな結晶面19を破線で示している。
 図4、図5に示す構成の水晶振動板10では、新たな結晶面19は、最大で6箇所に形成することが可能になっている。具体的には、振動部11と保持部13との第1主面側の接続部分13A(図4参照)、振動部11と保持部13との第2主面側の接続部分13D(図5参照)、外枠部12と保持部13との第1主面側の-X方向側に位置する接続部分13B(第1の接続部分、図4参照)、外枠部12と保持部13との第2主面側の-X方向側に位置する接続部分13E(第1の接続部分、図5参照)、外枠部12と保持部13との第1主面側の+X方向側に位置する接続部分13C(第2の接続部分、図4参照)、外枠部12と保持部13との第2主面側の+X方向側に位置する接続部分13F(第2の接続部分、図5参照)に、新たな結晶面19を形成することが可能になっている。
 なお、新たな結晶面19を形成可能な数は、保持部13の数や位置によって異なる。例えば、保持部13が振動部11の角部ではなく、振動部11のX軸方向またはZ´軸方向の中間位置に接続される場合、新たな結晶面19を最大で8箇所に形成することが可能である。
 図12(a)の例では、振動部11と保持部13との第2主面側の接続部分13Dに新たな結晶面19Dが設けられ、外枠部12と保持部13との第1主面側の-X方向側に位置する接続部分13Bに新たな結晶面19Bが設けられている。2つの新たな結晶面19B,19Dの傾斜角度α1は、同じ角度(例えば45°)になっており、2つの新たな結晶面19B,19Dの傾斜長さL1は、同じ長さ(例えば30μm)になっている。
 図12(b)、(c)の例では、振動部11と保持部13との第2主面側の接続部分13Dに新たな結晶面19Dが設けられ、外枠部12と保持部13との第1主面側の-X方向側に位置する接続部分13Bに新たな結晶面19Bが設けられ、外枠部12と保持部13との第1主面側の+X方向側に位置する接続部分13Cに新たな結晶面19Cが設けられている。図12(b)の例では、3つの新たな結晶面19B,19C,19Dの傾斜角度α1は、同じ角度(例えば45°)になっており、3つの新たな結晶面19B,19C,19Dの傾斜長さL1は、同じ長さ(例えば30μm)になっている。一方、図12(c)の例では、3つの新たな結晶面19B,19C,19Dの傾斜角度α1は、同じ角度(例えば45°)になっているが、1つの新たな結晶面19Dの傾斜長さL1(例えば25μm)が、2つの新たな結晶面19B,19Cの傾斜長さL1(例えば30μm)よりも小さくなっている。
 図12(d)の例では、外枠部12と保持部13との第1主面側の-X方向側に位置する接続部分13Bに新たな結晶面19Bが設けられ、外枠部12と保持部13との第1主面側の+X方向側に位置する接続部分13Cに新たな結晶面19Cが設けられている。2つの新たな結晶面19B,19Cの傾斜角度α1は、同じ角度(例えば45°)になっており、2つの新たな結晶面19B,19Cの傾斜長さL1は、同じ長さ(例えば30μm)になっている。
 図12(a)~(d)の例について、それぞれシェア強度を計測したところ、次の点が分かった。新たな結晶面19を外枠部12側のみに設けた場合(例えば図12(d))に比べて、新たな結晶面19を振動部11側および外枠部12側の両方に設けることが好ましい(例えば図12(a)~(c))。これにより、保持部13の長手方向の両側にそれぞれ新たな結晶面19を設けることによって、応力を分散させることができ、接続部分での折れの発生を抑制することができる。
 新たな結晶面19を保持部13の第2主面側(-Y方向側)のみに設けた場合(例えば図12(d))に比べて、新たな結晶面19を保持部13の第1主面側(+Y方向側)および保持部13の第2主面側(-Y方向側)の両方に設けることが好ましい(例えば図12(a)~(c))。これにより、保持部13の第1主面側および第2主面側の両側にそれぞれ新たな結晶面19を設けることによって、応力を分散させることができ、接続部分での折れの発生を抑制することができる。
 新たな結晶面19を保持部13の-X方向側のみに設けた場合(例えば図12(a))に比べて、新たな結晶面19を保持部13の+X方向側および-X方向側の両方に設けることが好ましい(例えば図12(b))。これにより、保持部13の-X方向側および+X方向側の両側にそれぞれ新たな結晶面19を設けることによって、応力を分散させることができ、接続部分での折れの発生を抑制することができる。
 また、新たな結晶面19の一部を異なる傾斜長さL1に形成した場合(例えば図12(c))に比べて、新たな結晶面19を全て同じ傾斜長さL1に形成することが好ましい(例えば図12(b))。
 上記実施形態において、水晶振動板10の振動部11および保持部13の厚みが、外枠部12の厚みよりも薄くなっていてもよい。
 上記実施形態では、第1封止部材20および第2封止部材30を水晶板によって形成したが、これに限定されるものではなく、第1封止部材20および第2封止部材30を、例えば、ガラスによって形成してもよい。また、第1封止部材20および第2封止部材30を、水晶やガラスなどの脆性材料に限らず、樹脂板や樹脂フィルム等としてもよく、この場合、樹脂板や樹脂フィルム等を水晶振動板10に貼り付けることによって振動部11を封止するようにしてもよい。
 上記実施形態では、水晶振動子100として、水晶振動板10が第1封止部材20および第2封止部材30の間に挟まれたサンドイッチ構造の水晶振動子を用いたが、これ以外の構造の水晶振動子100を用いてもよい。例えば、凹部を有する、セラミックやガラスや水晶などの絶縁材料から成るベースの内部に水晶振動板10を収容し、当該ベースに蓋を接合した構造の水晶振動子を用いてもよい。
 上記実施形態では、第2封止部材30の第2主面302の外部電極端子32の数を4つとしたが、これに限定されるものではなく、外部電極端子32の数を、例えば、2つ、6つ、あるいは8つ等としてもよい。また、本発明を水晶振動子100に適用した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば水晶発振器等にも本発明を適用してもよい。
 この出願は、2021年6月25日に日本で出願された特願2021-105678号に基づく優先権を請求する。これに言及することにより、その全ての内容は本出願に組み込まれるものである。
 10  水晶振動板(圧電振動板)
 11  振動部
 12  外枠部
 13  保持部
 13A,13D  接続部分
 13B,13C,13E,13F  接続部分(第1、第2の接続部分)
 16  C面(交差阻止部)
 17,19B,19C,19D  新たな結晶面(交差阻止部)
 18a~18h  稜線
 100  水晶振動子(圧電振動デバイス)

Claims (9)

  1.  振動部と、前記振動部の外周を取り囲む外枠部と、前記振動部と前記外枠部とを連結する保持部とを備えた圧電振動板において、
     前記外枠部と前記保持部との第1の接続部分につながる前記外枠部の側面および前記保持部の側面には、複数の結晶面が形成され、これらの結晶面によって複数の稜線が形成され、
     前記第1の接続部分の第1主面側および第2主面側の少なくとも一方には、当該第1の接続部分における2つ以上の前記稜線の交差を阻止する第1の交差阻止部が設けられていることを特徴とする圧電振動板。
  2.  請求項1に記載の圧電振動板において、
     前記振動部と前記保持部との接続部分につながる前記振動部の側面および前記保持部の側面には、複数の結晶面が形成され、これらの結晶面によって複数の稜線が形成され、
     前記振動部と前記保持部との接続部分の第1主面側および第2主面側の少なくとも一方には、当該接続部分における2つ以上の前記稜線の交差を阻止する第2の交差阻止部が設けられていることを特徴とする圧電振動板。
  3.  請求項2に記載の圧電振動板において、
     前記第1の交差阻止部が、前記第1主面側および前記第2主面側の一方に設けられ、
     前記第2の交差阻止部が、前記第1主面側および前記第2主面側の他方に設けられていることを特徴とする圧電振動板。
  4.  請求項1に記載の圧電振動板において、
     前記外枠部と前記保持部との第2の接続部分に、第3の交差阻止部が設けられていることを特徴とする圧電振動板。
  5.  請求項2に記載の圧電振動板において、
     前記外枠部と前記保持部との第2の接続部分に、第3の交差阻止部が設けられていることを特徴とする圧電振動板。
  6.  振動部と、前記振動部の外周を取り囲む外枠部と、前記振動部と前記外枠部とを連結する保持部とを備えた圧電振動板において、
     前記振動部と前記保持部との接続部分につながる前記振動部の側面および前記保持部の側面には、複数の結晶面が形成され、これらの結晶面によって複数の稜線が形成され、
     前記振動部と前記保持部との接続部分の第1主面側および第2主面側の少なくとも一方の接続部分には、当該接続部分における2つ以上の前記稜線の交差を阻止する第2の交差阻止部が設けられていることを特徴とする圧電振動板。
  7.  請求項1~6のいずれか1つに記載の圧電振動板において、
     前記各交差阻止部は、新たな結晶面または突起であることを特徴とする圧電振動板。
  8.  請求項1~6のいずれか1つに記載の圧電振動板において、
     当該圧電振動板はATカット水晶板であり、
     前記第1、第2主面はATカットのXZ´平面に平行に設けられ、
     前記保持部は、1つのみ設けられ、前記保持部は、前記振動部の+X方向側かつ-Z´方向側の角部から、-Z´方向側に向けて延びており、
     前記保持部の側面は、前記保持部の-X方向側の側面であり、当該保持部の側面に前記外枠部の側面が接続されることを特徴とする圧電振動板。
  9.  圧電振動デバイスであって、
     請求項1~6のいずれか1つに記載の圧電振動板を備えたことを特徴とする圧電振動デバイス。
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