WO2024024614A1 - 水晶振動板および水晶振動デバイス - Google Patents

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WO2024024614A1
WO2024024614A1 PCT/JP2023/026541 JP2023026541W WO2024024614A1 WO 2024024614 A1 WO2024024614 A1 WO 2024024614A1 JP 2023026541 W JP2023026541 W JP 2023026541W WO 2024024614 A1 WO2024024614 A1 WO 2024024614A1
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WO
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outer frame
crystal
crystal diaphragm
main surface
vibrating
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Application number
PCT/JP2023/026541
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
宏樹 藤原
Original Assignee
株式会社大真空
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/19Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of quartz

Definitions

  • the present invention relates to a crystal diaphragm and a crystal oscillation device.
  • crystal oscillation devices eg, crystal resonators, crystal oscillators, etc.
  • a so-called sandwich structure crystal vibrating device is known as a crystal vibrating device suitable for miniaturization and low profile.
  • the casing of a sandwich-structured crystal vibrating device is a package having a substantially rectangular parallelepiped shape.
  • This package is composed of a first sealing member and a second sealing member made of glass or crystal, for example, and a crystal diaphragm having excitation electrodes formed on both main surfaces.
  • the stop member is laminated and joined with a crystal diaphragm interposed therebetween.
  • the vibrating portion of the crystal diaphragm disposed inside the package (internal space) is hermetically sealed by a first sealing member and a second sealing member (see, for example, Patent Document 1).
  • the crystal diaphragm used in the sandwich-structured crystal oscillation device described above consists of a vibrating part in which an excitation electrode is formed, an outer frame part arranged around the vibrating part, and a vibrating part in the outer frame part.
  • a holding portion that connects and holds the crystal plate is integrally formed with the crystal plate.
  • an AT-cut type crystal plate is widely used because it is easy to process and has excellent frequency-temperature characteristics.
  • the vibrating part and the holding part are formed thinner than the outer frame part, and a penetrating part is formed between the thick outer frame part and the thin vibrating part.
  • a part of the outer frame gradually becomes thinner due to the anisotropy of the crystal. is formed.
  • Such an inclined region is also formed at the connection portion between the outer frame portion and the holding portion. For this reason, because the inclined area intersects with the side surface of the holding part (the surface in contact with the penetrating part), during etching, the root area on the outer frame side of the holding part is gouged toward the inside of the holding part. The problem was that it was formed. If such a gouge is formed, there are concerns that the holding portion may break, and the vibration characteristics of the vibrating portion may deteriorate due to high resistance due to breakage of the lead wiring or thinning of the lead wiring.
  • the present invention has been made in consideration of the above-mentioned circumstances, and an object of the present invention is to provide a crystal diaphragm and a crystal oscillation device that can suppress the formation of gouges in the root region on the outer frame side of the holding part. With the goal.
  • the present invention constitutes means for solving the above-mentioned problems as follows. That is, the present invention includes an outer frame part and a vibrating part formed thinner than the outer frame part, a penetrating part is formed between the outer frame part and the vibrating part, and the outer frame part
  • the outer frame portion and the vibrating portion are connected to each other by a holding portion formed thinner than the crystal diaphragm, the outer frame portion having a connecting portion with the holding portion on one main surface of the outer frame portion.
  • a flat area formed on the same surface as the holding part and an inclined area inclined with respect to the flat area are provided, and of the end part of the holding part on the connecting part side, at least the area on the penetrating part side, It is characterized in that it is provided continuously in the flat area.
  • a flat area is provided at the connection part between the outer frame and the holding part, and the sloped area and the side surface of the holding part do not directly intersect, so the area at the base of the holding part on the outer frame side.
  • formation of gouges during etching can be suppressed. Thereby, it is possible to suppress the occurrence of bending of the holding portion and the deterioration of the vibration characteristics of the vibrating portion due to disconnection or high resistance of the lead wiring.
  • the length of the flat region along the direction in which the holding portion extends is larger than that of the inclined region.
  • the length of the flat region along the direction in which the holding portion extends is smaller than that of the inclined region. This makes it possible to secure the vibration area of the vibrating section and improve impact resistance.
  • a flat area formed on the same surface as the holding part and an end area of the outer frame are provided at the connection part with the holding part on the other main surface of the outer frame part.
  • an end of the holding portion on the connection portion side is connected to the flat area.
  • the outer frame by providing at least a part of the flat region on the other main surface of the outer frame portion at a position overlapping with the flat region on the one main surface of the outer frame portion in a plan view, the outer frame The influence of external stress from the outer frame portion can be reduced, and the stress balance in the outer frame portion can be improved.
  • the present invention may be a crystal vibrating device including a crystal vibrating plate having any of the above configurations, and a first sealing member that covers one main surface side of the vibrating part of the crystal vibrating plate; a second sealing member that covers the other main surface side of the vibrating section of a crystal diaphragm, the first sealing member and the crystal diaphragm are joined, and the second sealing member and the crystal The vibrating portion of the crystal diaphragm is sealed by being joined to the diaphragm.
  • the crystal vibrating device including the crystal vibrating plate having the above configuration the same effects as those of the crystal vibrating plate described above can be obtained.
  • a crystal diaphragm with a frame body in which the vibrating part and the outer frame part are connected by the holding part it is possible to reduce the size and height of the crystal vibrating device.
  • a crystal vibrating device that is designed to be smaller and thinner it is possible to suppress the formation of gouges in the root region of the holding portion on the outer frame side.
  • the flat area is provided at the connecting portion between the outer frame and the holding part, and the inclined area and the side surface of the holding part do not directly intersect, so that the holding part It is possible to prevent a gouge from being formed in the root region on the outer frame side during etching. Thereby, it is possible to suppress the occurrence of bending of the holding portion and the deterioration of the vibration characteristics of the vibrating portion due to disconnection or high resistance of the lead wiring.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram schematically showing each configuration of a crystal oscillator according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic plan view of the first main surface side of the first sealing member of the crystal oscillator.
  • FIG. 3 is a schematic plan view of the second main surface side of the first sealing member of the crystal oscillator.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of a first main surface side of a crystal diaphragm of a crystal oscillator.
  • FIG. 3 is a schematic plan view of the second main surface side of the crystal diaphragm of the crystal oscillator.
  • FIG. 3 is a schematic plan view of the first main surface side of the second sealing member of the crystal oscillator.
  • FIG. 3 is a schematic plan view of the second main surface side of the second sealing member of the crystal oscillator.
  • FIG. 3 is a schematic plan view schematically showing the configuration of the second main surface side of the crystal diaphragm. 9 is a sectional view taken along the line D1-D1 in FIG. 8.
  • FIG. 3 is a perspective view showing the configuration of the second principal surface side of the connecting portion between the holding portion of the crystal diaphragm and the outer frame portion.
  • FIG. 3 is a schematic plan view schematically showing the configuration of the second main surface side of the crystal diaphragm according to Modification Example 1.
  • FIG. FIG. 7 is a schematic plan view schematically showing the configuration of a first main surface side of a crystal diaphragm according to a second modification.
  • FIG. 13 is a sectional view taken along the line D2-D2 in FIG. 12.
  • FIG. FIG. 7 is a schematic plan view of a second main surface side of a tuning fork type crystal diaphragm of a crystal oscillator according to another embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic plan view schematically showing the configuration of a first main surface side of a crystal diaphragm according to Modification Example 3;
  • a crystal oscillation device to which the present invention is applied is a crystal oscillator.
  • the crystal oscillation device to which the present invention is applicable is not limited to a crystal oscillator, and the present invention may be applied to a crystal resonator.
  • the crystal oscillator 101 includes a crystal diaphragm 2, a first sealing member 3, a second sealing member 4, and an IC chip 5.
  • the crystal diaphragm 2 and the first sealing member 3 are bonded together, and the crystal diaphragm 2 and the second sealing member 4 are bonded to form a package 12 having a substantially rectangular parallelepiped sandwich structure.
  • an IC chip 5 is mounted on the main surface of the first sealing member 3 on the opposite side to the bonding surface with the crystal diaphragm 2 .
  • the IC chip 5 as an electronic component element is a one-chip integrated circuit element that constitutes an oscillation circuit together with the crystal diaphragm 2.
  • a first excitation electrode 221 is formed on a first main surface 211 that is one main surface
  • a second excitation electrode 222 is formed on a second main surface 212 that is the other main surface.
  • the first sealing member 3 and the second sealing member 4 are bonded to both main surfaces (first main surface 211, second main surface 212) of the crystal diaphragm 2, respectively.
  • An internal space of the package 12 is formed, and a vibrating section 22 (see FIGS. 4 and 5) including a first excitation electrode 221 and a second excitation electrode 222 is hermetically sealed in the internal space.
  • the crystal oscillator 101 has a package size of, for example, 1.0 ⁇ 0.8 mm, and is designed to be smaller and lower in height.
  • a package size of, for example, 1.0 ⁇ 0.8 mm, and is designed to be smaller and lower in height.
  • conduction between electrodes is achieved using through holes, which will be described later, without forming castellations.
  • each member of the crystal diaphragm 2, first sealing member 3, and second sealing member 4 in the crystal oscillator 101 will be explained using FIGS. 1 to 7. Note that each member that is not joined and is configured as a single unit will be explained here.
  • the crystal diaphragm 2 is a piezoelectric substrate made of crystal, and both principal surfaces (first principal surface 211, second principal surface 212) are flat and smooth surfaces (mirror-finished). It is formed as.
  • first principal surface 211, second principal surface 212) are flat and smooth surfaces (mirror-finished). It is formed as.
  • the crystal diaphragm 2 an AT-cut crystal plate that performs thickness shear vibration is used.
  • both main surfaces 211 and 212 of the crystal diaphragm 2 are XZ' planes.
  • the direction parallel to the transverse direction (short side direction) of the crystal diaphragm 2 is the X-axis direction
  • the direction parallel to the longitudinal direction (long side direction) of the crystal diaphragm 2 is the Z' axis. direction.
  • AT cut is performed at an angle of 35° around the X-axis with respect to the Z-axis among the three crystal axes of artificial quartz: the electrical axis (X-axis), the mechanical axis (Y-axis), and the optical axis (Z-axis).
  • This is a processing method in which the material is cut out at an angle of 15'.
  • the X axis coincides with the crystal axis of the quartz crystal.
  • the Y' axis and the Z' axis coincide with axes inclined by 35° and 15' from the Y axis and Z axis of the crystal axis of the quartz crystal, respectively.
  • the Y'-axis direction and the Z'-axis direction correspond to the cutting direction when cutting out the AT-cut crystal plate.
  • a pair of excitation electrodes (a first excitation electrode 221 and a second excitation electrode 222) are formed on both main surfaces 211 and 212 of the crystal diaphragm 2.
  • the crystal diaphragm 2 holds a vibrating part 22 by connecting a vibrating part 22 formed into a substantially rectangular shape, an outer frame part 23 surrounding the outer periphery of the vibrating part 22, and the vibrating part 22 and the outer frame part 23. It has a holding part 24 that holds. That is, the crystal diaphragm 2 has a structure in which the vibrating part 22, the outer frame part 23, and the holding part 24 are integrally provided, and the penetrating part 2a (see FIG. 8) is formed.
  • the holding portion 24 is provided only at one location between the vibrating portion 22 and the outer frame portion 23. Further, the vibrating section 22 and the holding section 24 are formed thinner than the outer frame section 23. Due to the difference in thickness between the outer frame part 23 and the holding part 24, the natural frequencies of the piezoelectric vibrations of the outer frame part 23 and the holding part 24 are different. becomes difficult to resonate with. Note that the holding portion 24 is not limited to one location, and the holding portion 24 is formed at two locations between the vibrating portion 22 and the outer frame portion 23 (for example, on both sides in the ⁇ Z′ axis direction). may be provided.
  • the holding part 24 extends (projects) from only one corner of the vibrating part 22 located in the +X direction and the -Z' direction to the outer frame part 23 in the -Z' direction. In this way, the holding part 24 is provided at the corner of the outer peripheral end of the vibrating part 22, where the displacement of piezoelectric vibration is relatively small. Compared to the case where the holding part 24 is provided in the outer frame part 23, leakage of piezoelectric vibration to the outer frame part 23 through the holding part 24 can be suppressed, and the vibrating part 22 can be made to piezoelectrically vibrate more efficiently.
  • the stress acting on the vibrating part 22 can be reduced, and the frequency shift of piezoelectric vibration caused by such stress can be reduced, thereby stabilizing the piezoelectric vibration. can improve sex.
  • the first excitation electrode 221 is provided on the first main surface 211 side of the vibrating section 22, and the second excitation electrode 222 is provided on the second main surface 212 side of the vibrating section 22.
  • the first excitation electrode 221 and the second excitation electrode 222 are connected to lead wires (first lead wire 223 and second lead wire 224) for connecting these excitation electrodes to external electrode terminals.
  • the first lead wiring 223 is drawn out from the first excitation electrode 221 and connected to the connection bonding pattern 27 formed on the outer frame part 23 via the holding part 24 .
  • the second lead wiring 224 is drawn out from the second excitation electrode 222 and connected to the connection bonding pattern 28 formed on the outer frame part 23 via the holding part 24 . In this way, the first lead wiring 223 is formed on the first main surface 211 side of the holding part 24, and the second lead wiring 224 is formed on the second main surface 212 side of the holding part 24.
  • a vibration-side seal for joining the crystal diaphragm 2 to the first sealing member 3 and the second sealing member 4 is provided on both principal surfaces (first principal surface 211, second principal surface 212) of the crystal diaphragm 2.
  • a stop portion is provided respectively.
  • a vibration-side first bonding pattern 251 for bonding to the first sealing member 3 is formed.
  • a vibration-side second bonding pattern 252 for bonding to the second sealing member 4 is formed.
  • the first vibration-side bonding pattern 251 and the second vibration-side bonding pattern 252 are provided on the outer frame portion 23 and are formed in an annular shape when viewed from above.
  • the first excitation electrode 221 and the second excitation electrode 222 are not electrically connected to the vibration-side first bonding pattern 251 and the vibration-side second bonding pattern 252.
  • five through holes are formed in the crystal diaphragm 2, passing through between the first main surface 211 and the second main surface 212.
  • the four first through holes 261 are provided in four corner (corner) regions of the outer frame portion 23, respectively.
  • the second through hole 262 is provided in the outer frame portion 23 on one side of the vibrating portion 22 in the Z' axis direction (+Z' direction side in FIGS. 4 and 5).
  • Connection bonding patterns 253 are formed around the first through holes 261, respectively.
  • a connection bonding pattern 254 is formed on the first main surface 211 side
  • a connection bonding pattern 28 is formed on the second main surface 212 side.
  • first through-hole 261 and the second through-hole 262 through-hole electrodes are provided along the inner wall surfaces of the respective through-holes for electrically connecting the electrodes formed on the first main surface 211 and the second main surface 212. It is formed. Further, the center portions of each of the first through hole 261 and the second through hole 262 are hollow penetrating portions that penetrate between the first main surface 211 and the second main surface 212.
  • 254, 27, and 28 can be formed by the same process.
  • these are a base film formed by physical vapor phase growth on both main surfaces 211 and 212 of the crystal diaphragm 2, and a laminated layer formed by physical vapor phase growth on the base film. It can be formed from a bonding film. Note that in this embodiment, Ti (or Cr) is used for the base film, and Au is used for the bonding film.
  • the first sealing member 3 is a rectangular parallelepiped substrate formed from a single crystal wafer, and the second main surface 312 (a crystal diaphragm 2) is formed as a flat and smooth surface (mirror finish).
  • the first main surface 311 (the surface on which the IC chip 5 is mounted) of the first sealing member 3 has six electrodes including a mounting pad on which the IC chip 5, which is an oscillation circuit element, is mounted.
  • a pattern 37 is formed.
  • the IC chip 5 is bonded to the electrode pattern 37 by FCB (Flip Chip Bonding) using metal bumps (for example, Au bumps) 38 (see FIG. 1).
  • the first sealing member 3 has six through holes connected to each of the six electrode patterns 37 and penetrating between the first main surface 311 and the second main surface 312. A hole is formed. Specifically, four third through holes 322 are provided in four corner (corner) regions of the first sealing member 3. The fourth and fifth through holes 323 and 324 are provided in the A2 direction and the A1 direction in FIGS. 2 and 3, respectively. Note that the A1 and A2 directions in FIGS. 2, 3, 6, and 7 correspond to the -Z' direction and +Z' direction in FIGS. 4 and 5, respectively, and The B1 and B2 directions correspond to the ⁇ X direction and +X direction in FIGS. 4 and 5, respectively.
  • the third through hole 322 and the fourth and fifth through holes 323 and 324 are provided with through electrodes for electrically connecting the electrodes formed on the first main surface 311 and the second main surface 312. It is formed along the inner wall surface. Further, the central portions of the third through hole 322 and the fourth and fifth through holes 323 and 324 are hollow penetrating portions that penetrate between the first main surface 311 and the second main surface 312.
  • a sealing-side first bonding pattern 321 is formed as a sealing-side first sealing portion for bonding to the crystal diaphragm 2 .
  • the sealing side first bonding pattern 321 is formed in an annular shape when viewed from above.
  • connection bonding patterns 34 are formed around the third through holes 322, respectively.
  • a connection bonding pattern 351 is formed around the fourth through hole 323
  • a connection bonding pattern 352 is formed around the fifth through hole 324 .
  • a connection bonding pattern 353 is formed on the opposite side (A2 direction side) of the first sealing member 3 in the long axis direction with respect to the connection bonding pattern 351, and the connection bonding pattern 351 and the connection bonding It is connected to the pattern 353 by the wiring pattern 33. Note that the connection bonding pattern 353 is not connected to the connection bonding pattern 352.
  • the sealing side first bonding pattern 321, the connection bonding patterns 34, 351 to 353, and the wiring pattern 33 can be formed in the same process.
  • these include a base film formed by physical vapor phase growth on the second main surface 312 of the first sealing member 3, and a laminated layer formed by physical vapor phase growth on the base film. It can be formed from a bonding film made of Note that in this embodiment, Ti (or Cr) is used for the base film, and Au is used for the bonding film.
  • the second sealing member 4 is a rectangular parallelepiped substrate formed from a single crystal wafer, and the first main surface 411 (a crystal diaphragm 2) is formed as a flat and smooth surface (mirror finish).
  • a second sealing-side bonding pattern 421 is formed as a second sealing-side sealing portion for bonding to the crystal diaphragm 2 .
  • the sealing-side second bonding pattern 421 is formed in an annular shape when viewed from above.
  • the second main surface 412 (the outer main surface that does not face the crystal diaphragm 2) of the second sealing member 4, four external electrode terminals 43 that are electrically connected to the outside are provided.
  • the external electrode terminals 43 are located at four corners (corners) of the second sealing member 4, respectively.
  • the second sealing member 4 is formed with four through holes that penetrate between the first main surface 411 and the second main surface 412.
  • the four sixth through holes 44 are provided in four corner (corner) regions of the second sealing member 4 .
  • a through-hole electrode is formed along the inner wall surface of each through-hole for electrically connecting the electrodes formed on the first main surface 411 and the second main surface 412.
  • the center portion of each of the sixth through holes 44 becomes a hollow penetrating portion that penetrates between the first main surface 411 and the second main surface 412.
  • connection bonding patterns 45 are formed around the sixth through holes 44, respectively.
  • the sealing side second bonding pattern 421 and the connection bonding pattern 45 can be formed in the same process.
  • these include a base film formed by physical vapor phase growth on the first main surface 411 of the second sealing member 4, and a laminated layer formed by physical vapor phase growth on the base film. It can be formed from a bonding film made of Note that in this embodiment, Ti (or Cr) is used for the base film, and Au is used for the bonding film.
  • the crystal diaphragm 2 and the first sealing member 3 are connected to the vibration-side first bonding pattern 251 and The crystal diaphragm 2 and the second sealing member 4 are diffusion bonded with the sealing side first bonding pattern 321 superimposed, and the vibration side second bonding pattern 252 and the sealing side second bonding pattern 421 are overlapped.
  • the sandwich structure package 12 shown in FIG. 1 is manufactured by diffusion bonding in this state. Thereby, the internal space of the package 12, that is, the housing space for the vibrating section 22, is hermetically sealed.
  • connection bonding patterns are also overlapped and diffusion bonded. Then, in the crystal oscillator 101, electrical continuity between the first excitation electrode 221, the second excitation electrode 222, the IC chip 5, and the external electrode terminal 43 can be obtained by joining the connection bonding patterns to each other.
  • the first excitation electrode 221 is connected to the first lead wiring 223, the joint between the connection bonding pattern 27 and the connection bonding pattern 353, the wiring pattern 33, the connection bonding pattern 351, and the inside of the fourth through hole 323. It is connected to the IC chip 5 via the through electrode and the electrode pattern 37 in this order.
  • the second excitation electrode 222 includes the second lead wiring 224, the connection bonding pattern 28, the through electrode in the second through hole 262, the joint between the connection bonding pattern 254 and the connection bonding pattern 352, and the fifth through hole 324. It is connected to the IC chip 5 via the through electrode inside and the electrode pattern 37 in this order.
  • the IC chip 5 also includes an electrode pattern 37, a through electrode in the third through hole 322, a joint between the connection bonding pattern 34 and the connection bonding pattern 253, a through electrode in the first through hole 261, and a connection bond. It is connected to the external electrode terminal 43 via the joint between the pattern 253 and the connection bonding pattern 45 and the through electrode in the sixth through hole 44 in this order.
  • the first sealing member 3 and the crystal diaphragm 2 have a gap of 1.00 ⁇ m or less
  • the second sealing member 4 and the crystal diaphragm have a gap of 1.00 ⁇ m or less.
  • a conventional metal paste sealing material using Sn has a thickness of 5 ⁇ m to 20 ⁇ m.
  • the vibrating part 22 and the holding part 24 are formed thinner than the outer frame part 23, and the holding part 24 extends in the Z'-axis direction. ing.
  • a connecting portion 25 with the holding part 24 on one main surface (here, the second main surface 212) of the outer frame part 23 has a flat area 25b formed on the same surface as the holding part 24, and a flat area 25b formed on the same surface as the holding part 24.
  • at least regions 24b and 24c on the penetrating portion 2a side of the end portion 24a of the holding portion 24 on the connection portion 25 side are provided continuously with the flat region 25b. This point will be explained below with reference to FIGS. 4, 5, and 8 to 10. Note that in FIGS. 8 to 10, illustrations of electrodes, through holes, etc. formed in the crystal diaphragm 2 are omitted.
  • the crystal diaphragm 2 has an external shape as shown in FIGS. 4, 5, and 8 by performing two types of etching processes, frequency adjustment etching and external shape forming etching, on a rectangular crystal plate. It is formed.
  • the frequency adjustment etching the thicknesses of the vibrating section 22 and the holding section 24 are adjusted in order to set the oscillation frequency of the crystal oscillator 101 to a predetermined value.
  • the outer shape etching a through portion 2a (see FIG. 8) is formed in a rectangular crystal plate, and the outer shapes of the vibrating section 22, the outer frame section 23, and the holding section 24 are formed. Further, the through holes in the crystal diaphragm 2 are also formed in the external shape forming etching.
  • the anisotropy of the crystal causes a portion of the outer frame 23 to gradually become thinner from the thicker outer frame 23 to the thinner holding part 24.
  • a sloped area is formed in the area. In such sloped areas, the resist is not straight and the amount of resist applied is more likely to vary than in flat areas, so the pattern is not formed accurately and some parts are wobbly after etching. Therefore, since the inclined region and the side surface of the holding part 24 (the surface in contact with the penetrating part 2a) intersect with each other, the holding part 24 is There was a problem that a gouge was formed towards the inside of the pipe.
  • a connecting portion 25 between the outer frame portion 23 and the holding portion 24 is formed on the same plane as the second main surface 212 of the holding portion 24.
  • a flat region 25b is formed.
  • the flat region 25b is formed to be flush with the second main surface 212 of the holding portion 24 during frequency adjustment etching.
  • an inclined region 25a is formed at the connecting portion 25 between the outer frame section 23 and the holding section 24 together with the through section 2a during the external shape forming etching.
  • the side surfaces (side surfaces on the ⁇ X direction side) of the holding portion 24 do not directly intersect with each other.
  • the -Z' direction side end 24a of the holding portion 24 is connected to a flat area 25b that is approximately rectangular in plan view, and the flat area 25b is connected to the inclined area 25a. It is connected to the.
  • a flat region 25b is interposed between the holding portion 24 and the inclined region 25a.
  • the width of the flat region 25b in the X-axis direction is larger than the width of the end 24a of the holding portion 24 on the connection portion 25 side in the X-axis direction.
  • the flat area 25b is formed in a part of the inner end of the outer frame part 23 on the side that contacts the penetration part 2a, and a recessed part having a shape corresponding to the flat area 25b and the inclined area 25a is provided in the outer frame part 23. ing.
  • the ends of the flat region 25b on the ⁇ X direction side are connected to the inclined regions 26a and 26b.
  • the flat region 25b is formed by setting back a rectangular opening formed during frequency adjustment etching to the outer frame portion 23 side by a region corresponding to the flat region 25b.
  • the amount of setback toward the outer frame portion 23 side is preferably 20 ⁇ m or more.
  • inclined regions 25a, 26a, and 26b are formed in the region of the outer frame portion 23 on the penetrating portion 2a side (region on the +Z′ direction side) together with the penetrating portion 2a, but the holding portion 24 is formed. In this region, the holding portion 24 is not directly connected to the inclined region 25a, but is connected via the flat region 25b.
  • the inclined regions 25a, 26a, and 26b are formed on the second main surface 212 side of the crystal diaphragm 2, It is designed not to be formed on the first main surface 211 side of the plate 2.
  • the flat region 25b is provided in the connecting portion 25 between the outer frame portion 23 and the holding portion 24, and the inclined region 25a and the side surface (side surface on the ⁇ X direction side) of the holding portion 24 are Since they do not directly intersect, it is possible to suppress the formation of a gouge portion in the root region of the holding portion 24 on the outer frame portion 23 side during etching. Thereby, it is possible to suppress the deterioration of the vibration characteristics of the vibrating part 22 due to the occurrence of bending of the holding part 24 and the disconnection or high resistance of the second lead-out wiring 224 (see FIG. 5).
  • the length Lb of the flat region 25b along the direction in which the holding portion 24 extends may be at least 1 ⁇ m.
  • the thickness is preferably 1 ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • the vibration area of the vibrating section 22 can be secured and the impact resistance can be improved. It can be improved.
  • Such a dimensional relationship (Lb ⁇ La) is effective, for example, in a relatively high-frequency crystal oscillator 101 with an oscillation frequency of 60 MHz or higher.
  • the inclination angle ⁇ 1 of the inclined region 25a with respect to the flat region 25b can be, for example, 28°, but in the case of an AT-cut crystal diaphragm, it is preferably 25° to 35°.
  • the crystal diaphragm 2 includes a vibrating section 22, an outer frame section 23 surrounding the outer periphery of the vibrating section 22, and a holding section 24 connecting the vibrating section 22 and the outer frame section 23, A penetrating portion 2a penetrating in the thickness direction is provided between the vibrating portion 22 and the outer frame portion 23.
  • an AT-cut crystal diaphragm that performs thickness-shear vibration is used as the crystal diaphragm, but other crystal diaphragms (for example, an SC-cut crystal diaphragm, a Z-cut crystal diaphragm (crystal Z plate)) etc.) may be used.
  • the present invention is also applicable to a tuning fork type crystal diaphragm using a Z-cut crystal diaphragm as shown in FIG.
  • the tuning fork type crystal diaphragm 6 shown in FIG. 14 includes a vibrating part 62 formed in a tuning fork shape, an outer frame part 63 surrounding the outer periphery of the vibrating part 62, and connecting the vibrating part 62 and the outer frame part 63. and a holding section 64 that holds the vibrating section 62.
  • the tuning fork type crystal diaphragm 6 has a structure in which a vibrating part 62, an outer frame part 63, and a holding part 64 are integrally provided, and a penetrating part 6a is formed between the outer frame part 63 and the vibrating part 62. has been done.
  • FIG. 14 shows the second main surface 612 side of the tuning fork type crystal diaphragm 6. Further, illustrations of the first and second excitation electrodes formed in the vibrating section 62 and the lead wires connected to the first and second excitation electrodes are omitted.
  • the vibrating section 62 includes two legs 62a and 62b extending along the Y'-axis direction and a base 62c to which the ends of the legs 62a and 62b are connected.
  • the legs 62a, 62b extend in the -Y' direction from the end of the base 62c on the -Y' direction side.
  • Recesses 62d and 62e are formed in the first and second main surfaces 612 of the legs 62a and 62b, respectively, and the legs 62a and 62b have a substantially H-shaped cross section.
  • the holding portion 64 is provided only at one location between the vibrating portion 62 and the outer frame portion 63.
  • the holding portion 64 extends from the central portion of the base portion 62c in the X-axis direction to the outer frame portion 63 in the +Y′ direction at the end portion of the base portion 62c of the vibrating portion 62 in the +Y′ direction.
  • the vibrating part 62 and the holding part 64 are formed thinner than the outer frame part 63, and the holding part 64 extends in the Y'-axis direction.
  • a connecting portion 65 with the holding part 64 on one main surface (here, the second main surface 612) of the outer frame part 63 has a flat area 65b formed on the same surface as the holding part 64, and a flat area 65b formed on the same surface as the holding part 64.
  • a slope region 65a that slopes toward the opposite side is provided.
  • the end portion 64a of the holding portion 64 on the connecting portion 65 side at least regions 64b and 64c on the penetrating portion 6a side are provided continuously to the flat region 65b. Specifically, as shown in FIG.
  • the -Y' direction side end 64a of the holding portion 64 is connected to a flat area 65b that is approximately rectangular in plan view, and the flat area 65b is connected to the inclined area 65a. It is connected.
  • a flat region 65b is interposed between the holding portion 64 and the inclined region 65a. Note that a flat region and an inclined region may be provided in the connection portion 65 with the holding portion 64 on the other main surface (first main surface) side of the outer frame portion 63.
  • the flat region 25b is formed only in a part of the inner end of the outer frame 23 on the side that is in contact with the penetrating part 2a, but for example, as shown in modification 1 of FIG.
  • the flat region 25b may be formed over the entire inner end of the outer frame portion 23 on the side that is in contact with the outer frame portion 2a.
  • a flat region 25c is formed in the connecting portion 25 between the outer frame portion 23 and the holding portion 24, and the flat area 25c is formed in the same plane as the first main surface 211 of the holding portion 24. ing.
  • the flat region 25c is formed to be flush with the first main surface 211 of the holding portion 24 during frequency adjustment etching.
  • An end portion 24a of the holding portion 24 on the ⁇ Z′ direction side is connected to a substantially triangular flat region 25c in plan view.
  • a part of the end portion 24a of the holding portion 24 on the connection portion 25 side (the end portion on the ⁇ Z′ direction side) is connected to the flat region 25c.
  • the width of the flat region 25c in the X-axis direction is smaller than the width of the end 24a of the holding portion 24 on the side of the connection portion 25 in the X-axis direction.
  • the flat area 25c is formed in a part of the inner end of the outer frame part 23 on the side that contacts the penetration part 2a, and a substantially triangular recess corresponding to the flat area 25c is provided in the outer frame part 23. .
  • the flat region 25c is connected to a wall surface (step surface) extending in the vertical direction.
  • the flat region 25c is connected to the end region 23a of the outer frame portion 23 via this wall surface.
  • At least a part of the end region 23a of the outer frame portion 23 is provided at a position overlapping the inclined region 25a on the second main surface 212 of the outer frame portion 23 in a plan view. It is also possible to have a configuration in which According to this configuration, the influence of external stress from the outer frame portion 23 (for example, stress during solder mounting) can be reduced, and impact resistance can be improved.
  • At least a portion of the flat region 25c may be provided at a position that overlaps the flat region 25b in a plan view. According to this configuration, the influence of external stress from the outer frame portion 23 can be reduced, and the stress balance in the outer frame portion 23 can be improved.
  • the flat area 25c formed on the same plane as the first main surface 211 of the holding part 24 is located at the inner end of the outer frame part 23 on the side that contacts the penetrating part 2a.
  • a flat region 25d is formed over half or more of the inner end of the outer frame 23 on the side that contacts the penetrating portion 2a. It's okay.
  • a substantially trapezoidal recess corresponding to the flat region 25d is provided in the outer frame portion 23, and the flat region 25d is larger than the flat region 25c in FIGS. 12 and 13.
  • intersection portion 25e of the first main surface 211 of the holding portion 24 and the outer frame portion 23 is included in the flat region 25d, making it difficult to form a complicated crystal plane at the intersection portion 25e. Cracks etc. can be suppressed.
  • the crystal diaphragm 2 is provided with only one holding portion 24 that connects the vibrating portion 22 and the outer frame portion 23, but two or more holding portions 24 may be provided. In this case, the configuration of the above embodiment may be applied to the connecting portion 25 between each holding portion 24 and the outer frame portion 23.
  • the holding section 24 is provided at the corner of the vibrating section 22. Specifically, the holding section 24 extended from the corner of the vibrating section 22 on the +X direction side and the -Z' direction side toward the -Z' direction side.
  • the present invention is not limited to this, and the holding portion 24 may extend from the corner of the vibrating portion 22 on the +X direction side and the +Z′ direction side toward the +Z′ direction side.
  • the holding section 24 may be provided not at a corner of the vibrating section 22 but at an intermediate position of the vibrating section 22 in the X-axis direction or the Z'-axis direction.
  • the present invention is not limited to this, and at least the base regions 24b and 24c of the end portion 24a on the connection portion 25 side of the holding portion 24 may be connected to the flat region 25b, and from the region 24b on the ⁇ X direction side to the +X All the regions up to the region 24c on the direction side do not need to be connected to the flat region 25b.
  • the first sealing member 3 and the second sealing member 4 are formed of crystal plates, but the first sealing member 3 and the second sealing member 4 are not limited to this. , for example, may be made of glass.
  • the first sealing member 3 and the crystal diaphragm 2 and the second sealing member 4 and the crystal diaphragm 2 are bonded by Au-Au bonding, but the brazing material is not used.
  • the first sealing member 3 and the crystal diaphragm 2 may be joined together, and the second sealing member 4 and the crystal diaphragm 2 may be joined together by using the same.
  • the present invention is applied to a crystal resonator having a sandwich structure in which the crystal diaphragm 2 is sandwiched between the first and second sealing members 3 and 4, but the present invention is not limited to this.
  • the present invention can also be applied to a crystal resonator having a structure in which a crystal diaphragm is mounted on a concave base substrate made of an insulating material such as ceramic, and hermetically sealed with a lid member.

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Abstract

水晶振動板2は、外枠部23と、外枠部23よりも薄肉に形成された振動部22とを備え、外枠部23と振動部22との間に貫通部2aが形成され、外枠部23よりも薄肉に形成された保持部24によって外枠部23と振動部22が連結されている。外枠部23の一方の主面における保持部24との接続部分25には、保持部24と同一面に形成された平坦領域25bと、平坦領域25bに対し傾斜する傾斜領域25aとが設けられ、保持部24の接続部分25側の端部24aのうち、少なくとも貫通部2a側の領域24b,24cは、平坦領域25bに連続して設けられている。

Description

水晶振動板および水晶振動デバイス
 本発明は、水晶振動板および水晶振動デバイスに関する。
 近年、各種電子機器の動作周波数の高周波化や、パッケージの小型化(特に低背化)が進んでいる。そのため、高周波化やパッケージの小型化にともなって、水晶振動デバイス(例えば水晶振動子、水晶発振器等)も高周波化やパッケージの小型化への対応が求められている。
 小型化および低背化に適した水晶振動デバイスとして、いわゆるサンドイッチ構造の水晶振動デバイスが知られている。サンドイッチ構造の水晶振動デバイスは、その筐体が略直方体のパッケージで構成されている。このパッケージは、例えばガラスや水晶からなる第1封止部材および第2封止部材と、両主面に励振電極が形成された水晶振動板とから構成され、第1封止部材と第2封止部材とが水晶振動板を介して積層して接合される。そして、パッケージの内部(内部空間)に配された水晶振動板の振動部が第1封止部材および第2封止部材によって気密封止されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2010-252051号公報
 上述したようなサンドイッチ構造の水晶振動デバイスにて使用される水晶振動板は、励振電極が形成された振動部と、振動部の周囲に配置された外枠部と、振動部を外枠部に連結して保持する保持部とが、水晶板において一体形成されている。このような水晶振動板としては、加工が容易であり、且つ周波数温度特性が優れたATカット型の水晶板が広く用いられる。
 このような水晶振動板では、振動部および保持部は、外枠部よりも薄肉に形成され、肉厚の外枠部と薄肉の振動部との間に貫通部が形成されている。しかし、エッチングによりこのような水晶振動板の外形形状を加工すると、水晶の異方性により厚肉の外枠部から薄肉の保持部にかけて外枠部の一部に次第に薄肉になるように傾斜領域が形成される。このような傾斜領域は、外枠部と保持部との接続部分にも形成される。このため、傾斜領域と保持部の側面(貫通部に接する面)とが交差することによって、エッチングの際、保持部の外枠部側の付け根の領域に、保持部の内部に向かう、えぐれが形成されるという問題があった。このようなえぐれが形成されると、保持部の折れの発生や、引出配線の断線や引出配線が細くなることによる高抵抗化に起因する振動部の振動特性の悪化が懸念される。
 本発明は上述したような実情を考慮してなされたもので、保持部の外枠部側の付け根の領域にえぐれが形成されることを抑制可能な水晶振動板および水晶振動デバイスを提供することを目的とする。
 本発明は、上述の課題を解決するための手段を以下のように構成している。すなわち、本発明は、外枠部と、前記外枠部よりも薄肉に形成された振動部とを備え、前記外枠部と前記振動部との間に貫通部が形成され、前記外枠部よりも薄肉に形成された保持部によって前記外枠部と前記振動部が連結された水晶振動板であって、前記外枠部の一方の主面における前記保持部との接続部分には、前記保持部と同一面に形成された平坦領域と、前記平坦領域に対し傾斜する傾斜領域とが設けられ、前記保持部の前記接続部分側の端部のうち、少なくとも前記貫通部側の領域は、前記平坦領域に連続して設けられていることを特徴とする。
 上記構成によれば、外枠部と保持部との接続部分に平坦領域が設けられており、傾斜領域と保持部の側面とが直接交差しないので、保持部の外枠部側の付け根の領域に、エッチングの際にえぐれ部が形成されることを抑制できる。これにより、保持部の折れの発生や、引出配線の断線や高抵抗化に起因する振動部の振動特性の悪化を抑制することができる。また、外枠部と保持部の間に段差等の厚み差がある場合、厚みが薄い箇所に力(応力や衝撃)が集中するが、外枠部と保持部との接続部分に設けられた傾斜領域により、その力を徐々に弱めることができる。これにより、傾斜領域を設けることによって、外枠部から振動部への外部応力を緩和でき、保持部の折れ防止等の耐衝撃性能を向上できる。
 上記構成において、前記保持部が延在する方向に沿った長さが、前記傾斜領域よりも前記平坦領域が大きいことが好ましい。これにより、外枠部からの外部応力(例えば半田実装時の応力)を効果的に抑制することができ、発振周波数のシフトやCI値の悪化を抑制することができる。
 上記構成において、前記保持部が延在する方向に沿った長さが、前記傾斜領域よりも前記平坦領域が小さいことが好ましい。これにより、振動部の振動エリアを確保したり、耐衝撃性を向上させたりすることができる。
 上記構成において、前記外枠部の他方の主面における前記保持部との接続部分には、前記保持部と同一面に形成された平坦領域と、前記外枠部の端部領域とが設けられ、前記保持部の前記接続部分側の端部は、前記平坦領域と接続されていることが好ましい。この場合、前記外枠部の前記他方の主面における前記端部領域の少なくとも一部を、前記外枠部の前記一方の主面における前記傾斜領域と平面視で重畳する位置に設けることによって、外枠部からの外部応力(例えば半田実装時の応力)の影響を軽減することができ、耐衝撃性を向上させることができる。また、前記外枠部の前記他方の主面における前記平坦領域の少なくとも一部を、前記外枠部の前記一方の主面における前記平坦領域と平面視で重畳する位置に設けることによって、外枠部からの外部応力の影響を軽減することができ、外枠部における応力バランスを改善することができる。
 また、本発明は、上記いずれかの構成の水晶振動板を備えた水晶振動デバイスであってもよく、前記水晶振動板の前記振動部の一主面側を覆う第1封止部材と、前記水晶振動板の前記振動部の他主面側を覆う第2封止部材とが備えられ、前記第1封止部材と前記水晶振動板とが接合され、かつ前記第2封止部材と前記水晶振動板とが接合されることによって、前記水晶振動板の前記振動部が封止されることを特徴とする。上記構成の水晶振動板を備えた水晶振動デバイスによれば、上述した水晶振動板の作用効果と同様の作用効果が得られる。すなわち、振動部と外枠部とが保持部によって連結された枠体付きの水晶振動板を用いた場合、水晶振動デバイスの小型化および低背化を図ることが可能であるが、そのような小型化および薄型化を図った水晶振動デバイスにおいて、保持部の外枠部側の付け根の領域にえぐれが形成されることを抑制できる。
 本発明の水晶振動板および水晶振動デバイスによれば、外枠部と保持部との接続部分に平坦領域が設けられており、傾斜領域と保持部の側面とが直接交差しないので、保持部の外枠部側の付け根の領域に、エッチングの際にえぐれ部が形成されることを抑制できる。これにより、保持部の折れの発生や、引出配線の断線や高抵抗化に起因する振動部の振動特性の悪化を抑制することができる。
本発明の実施の形態にかかる水晶発振器の各構成を模式的に示す概略構成図である。 水晶発振器の第1封止部材の第1主面側の概略平面図である。 水晶発振器の第1封止部材の第2主面側の概略平面図である。 水晶発振器の水晶振動板の第1主面側の概略平面図である。 水晶発振器の水晶振動板の第2主面側の概略平面図である。 水晶発振器の第2封止部材の第1主面側の概略平面図である。 水晶発振器の第2封止部材の第2主面側の概略平面図である。 水晶振動板の第2主面側の構成を模式的に示す概略平面図である。 図8のD1-D1線断面図である。 水晶振動板の保持部と外枠部との接続部分の第2主面側の構成を示す斜視図である。 変形例1にかかる水晶振動板の第2主面側の構成を模式的に示す概略平面図である。 変形例2にかかる水晶振動板の第1主面側の構成を模式的に示す概略平面図である。 図12のD2-D2線断面図である。 他の実施の形態にかかる水晶発振器の音叉型水晶振動板の第2主面側の概略平面図である。 変形例3にかかる水晶振動板の第1主面側の構成を模式的に示す概略平面図である。
 以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下の実施の形態では、本発明を適用する水晶振動デバイスが水晶発振器である場合について説明する。なお、本発明が適用可能な水晶振動デバイスは水晶発振器に限定されるものではなく、水晶振動子に本発明を適用してもよい。
 本実施の形態にかかる水晶発振器101は、図1に示すように、水晶振動板2、第1封止部材3、第2封止部材4、およびICチップ5を備えて構成されている。この水晶発振器101では、水晶振動板2と第1封止部材3とが接合され、水晶振動板2と第2封止部材4とが接合されることによって、略直方体のサンドイッチ構造のパッケージ12が構成される。また、第1封止部材3における水晶振動板2との接合面と反対側の主面に、ICチップ5が搭載される。電子部品素子としてのICチップ5は、水晶振動板2とともに発振回路を構成する1チップ集積回路素子である。
 水晶振動板2では、一方の主面である第1主面211に第1励振電極221が形成され、他方の主面である第2主面212に第2励振電極222が形成されている。そして、水晶発振器101においては、水晶振動板2の両主面(第1主面211、第2主面212)のそれぞれに第1封止部材3および第2封止部材4が接合されることで、パッケージ12の内部空間が形成され、内部空間に第1励振電極221および第2励振電極222を含む振動部22(図4、図5参照)が気密封止されている。
 本実施の形態にかかる水晶発振器101は、例えば、1.0×0.8mmのパッケージサイズであり、小型化と低背化とを図ったものである。また、小型化に伴い、パッケージ12では、キャスタレーションを形成せずに、後述する貫通孔を用いて電極の導通を図っている。
 次に、水晶発振器101における水晶振動板2、第1封止部材3および第2封止部材4の各部材について、図1~図7を用いて説明する。なお、ここでは、接合されていないそれぞれ単体として構成されている各部材について説明を行う。
 水晶振動板2は、図4、図5に示すように、水晶からなる圧電基板であって、その両主面(第1主面211,第2主面212)が平坦平滑面(鏡面加工)として形成されている。本実施の形態では、水晶振動板2として、厚みすべり振動を行うATカット水晶板が用いられている。図4、図5に示す水晶振動板2では、水晶振動板2の両主面211,212が、XZ´平面とされている。このXZ´平面において、水晶振動板2の短手方向(短辺方向)に平行な方向がX軸方向とされ、水晶振動板2の長手方向(長辺方向)に平行な方向がZ´軸方向とされている。なお、ATカットは、人工水晶の3つの結晶軸である電気軸(X軸)、機械軸(Y軸)、および光学軸(Z軸)のうち、Z軸に対してX軸周りに35°15′だけ傾いた角度で切り出す加工手法である。ATカット水晶板では、X軸は水晶の結晶軸に一致する。Y´軸およびZ´軸は、水晶の結晶軸のY軸およびZ軸からそれぞれ35°15′傾いた軸に一致する。Y´軸方向およびZ´軸方向は、ATカット水晶板を切り出すときの切り出し方向に相当する。
 水晶振動板2の両主面211,212には、一対の励振電極(第1励振電極221,第2励振電極222)が形成されている。水晶振動板2は、略矩形に形成された振動部22と、この振動部22の外周を取り囲む外枠部23と、振動部22と外枠部23とを連結することで振動部22を保持する保持部24とを有している。すなわち、水晶振動板2は、振動部22、外枠部23および保持部24が一体的に設けられた構成となっており、外枠部23と振動部22との間に貫通部2a(図8参照)が形成されている。
 本実施の形態では、保持部24は、振動部22と外枠部23との間の1箇所のみに設けられている。また、振動部22および保持部24は、外枠部23よりも薄肉に形成されている。このような外枠部23と保持部24との厚みの違いにより、外枠部23と保持部24の圧電振動の固有振動数が異なることになり、保持部24の圧電振動に外枠部23が共鳴しにくくなる。なお、保持部24の形成箇所は1か所に限定されるものではなく、保持部24は、振動部22と外枠部23との間の2箇所(例えば、-Z´軸方向の両側)に設けられていてもよい。
 保持部24は、振動部22の+X方向かつ-Z´方向に位置する1つの角部のみから、-Z´方向に向けて外枠部23まで延びている(突出している)。このように、振動部22の外周端部のうち、圧電振動の変位が比較的小さい角部に保持部24が設けられているので、保持部24を角部以外の部分(辺の中央部)に設けた場合に比べて、保持部24を介して圧電振動が外枠部23に漏れることを抑制することができ、より効率的に振動部22を圧電振動させることができる。また、保持部24を2つ以上設けた場合に比べて、振動部22に作用する応力を低減することができ、そのような応力に起因する圧電振動の周波数シフトを低減して圧電振動の安定性を向上させることができる。
 第1励振電極221は振動部22の第1主面211側に設けられ、第2励振電極222は振動部22の第2主面212側に設けられている。第1励振電極221,第2励振電極222には、これらの励振電極を外部電極端子に接続するための引出配線(第1引出配線223,第2引出配線224)が接続されている。第1引出配線223は、第1励振電極221から引き出され、保持部24を経由して、外枠部23に形成された接続用接合パターン27に繋がっている。第2引出配線224は、第2励振電極222から引き出され、保持部24を経由して、外枠部23に形成された接続用接合パターン28に繋がっている。このように、保持部24の第1主面211側に第1引出配線223が形成され、保持部24の第2主面212側に第2引出配線224が形成されている。
 水晶振動板2の両主面(第1主面211,第2主面212)には、水晶振動板2を第1封止部材3および第2封止部材4に接合するための振動側封止部がそれぞれ設けられている。第1主面211の振動側封止部としては、第1封止部材3に接合するための振動側第1接合パターン251が形成されている。また、第2主面212の振動側封止部としては、第2封止部材4に接合するための振動側第2接合パターン252が形成されている。振動側第1接合パターン251および振動側第2接合パターン252は、外枠部23に設けられており、平面視で環状に形成されている。第1励振電極221,第2励振電極222は、振動側第1接合パターン251および振動側第2接合パターン252とは電気的に接続されていない。
 また、水晶振動板2には、図4、図5に示すように、第1主面211と第2主面212との間を貫通する5つの貫通孔が形成されている。具体的には、4つの第1貫通孔261は、外枠部23の4隅(角部)の領域にそれぞれ設けられている。第2貫通孔262は、外枠部23であって、振動部22のZ´軸方向の一方側(図4、図5では、+Z´方向側)に設けられている。第1貫通孔261の周囲には、それぞれ接続用接合パターン253が形成されている。また、第2貫通孔262の周囲には、第1主面211側では接続用接合パターン254が、第2主面212側では接続用接合パターン28が形成されている。
 第1貫通孔261および第2貫通孔262には、第1主面211と第2主面212とに形成された電極の導通を図るための貫通電極が、貫通孔それぞれの内壁面に沿って形成されている。また、第1貫通孔261および第2貫通孔262それぞれの中央部分は、第1主面211と第2主面212との間を貫通した中空状態の貫通部分となる。
 水晶振動板2において、第1励振電極221、第2励振電極222、第1引出配線223,第2引出配線224、第1接合パターン251、振動側第2接合パターン252、および接続用接合パターン253,254,27,28は、同一のプロセスで形成することができる。具体的には、これらは、水晶振動板2の両主面211,212上に物理的気相成長させて形成された下地膜と、当該下地膜上に物理的気相成長させて積層形成された接合膜とから形成することができる。なお、本実施の形態では、下地膜には、Ti(もしくはCr)が用いられ、接合膜にはAuが用いられている。
 第1封止部材3は、図2、図3に示すように、1枚の水晶ウエハから形成された直方体の基板であり、この第1封止部材3の第2主面312(水晶振動板2に接合する面)は平坦平滑面(鏡面加工)として形成されている。この第1封止部材3の第1主面311(ICチップ5を搭載する面)には、図2に示すように、発振回路素子であるICチップ5を搭載する搭載パッドを含む6つの電極パターン37が形成されている。ICチップ5は、金属バンプ(例えばAuバンプ等)38(図1参照)を用いて電極パターン37に、FCB(Flip Chip Bonding)法により接合される。
 第1封止部材3には、図2、図3に示すように、6つの電極パターン37のそれぞれと接続され、第1主面311と第2主面312との間を貫通する6つの貫通孔が形成されている。具体的には、4つの第3貫通孔322が、第1封止部材3の4隅(角部)の領域に設けられている。第4,第5貫通孔323,324は、図2、図3のA2方向およびA1方向にそれぞれ設けられている。なお、図2、図3、図6、図7のA1およびA2方向は、図4、図5の-Z´方向および+Z´方向にそれぞれ一致し、図2、図3、図6、図7のB1およびB2方向は、図4、図5の-X方向および+X方向にそれぞれ一致する。
 第3貫通孔322および第4,第5貫通孔323,324には、第1主面311と第2主面312とに形成された電極の導通を図るための貫通電極が、貫通孔それぞれの内壁面に沿って形成されている。また、第3貫通孔322および第4,第5貫通孔323,324それぞれの中央部分は、第1主面311と第2主面312との間を貫通した中空状態の貫通部分となる。
 第1封止部材3の第2主面312には、水晶振動板2に接合するための封止側第1封止部としての封止側第1接合パターン321が形成されている。封止側第1接合パターン321は、平面視で環状に形成されている。
 また、第1封止部材3の第2主面312では、第3貫通孔322の周囲には、それぞれ接続用接合パターン34が形成されている。第4貫通孔323の周囲には接続用接合パターン351が、第5貫通孔324の周囲には接続用接合パターン352が形成されている。さらに、接続用接合パターン351に対して第1封止部材3の長軸方向の反対側(A2方向側)には接続用接合パターン353が形成されており、接続用接合パターン351と接続用接合パターン353とは配線パターン33によって接続されている。なお、接続用接合パターン353は、接続用接合パターン352とは接続されていない。
 第1封止部材3において、封止側第1接合パターン321、接続用接合パターン34,351~353、および配線パターン33は、同一のプロセスで形成することができる。具体的には、これらは、第1封止部材3の第2主面312上に物理的気相成長させて形成された下地膜と、当該下地膜上に物理的気相成長させて積層形成された接合膜とから形成することができる。なお、本実施の形態では、下地膜には、Ti(もしくはCr)が用いられ、接合膜にはAuが用いられている。
 第2封止部材4は、図6、図7に示すように、1枚の水晶ウエハから形成された直方体の基板であり、この第2封止部材4の第1主面411(水晶振動板2に接合する面)は平坦平滑面(鏡面加工)として形成されている。この第2封止部材4の第1主面411には、水晶振動板2に接合するための封止側第2封止部としての封止側第2接合パターン421が形成されている。封止側第2接合パターン421は、平面視で環状に形成されている。
 第2封止部材4の第2主面412(水晶振動板2に面しない外方の主面)には、外部に電気的に接続する4つの外部電極端子43が設けられている。外部電極端子43は、第2封止部材4の4隅(角部)にそれぞれ位置する。
 第2封止部材4には、図6、図7に示すように、第1主面411と第2主面412との間を貫通する4つの貫通孔が形成されている。具体的には、4つの第6貫通孔44は、第2封止部材4の4隅(角部)の領域に設けられている。第6貫通孔44には、第1主面411と第2主面412とに形成された電極の導通を図るための貫通電極が、貫通孔それぞれの内壁面に沿って形成されている。また、第6貫通孔44それぞれの中央部分は、第1主面411と第2主面412との間を貫通した中空状態の貫通部分となる。また、第2封止部材4の第1主面411では、第6貫通孔44の周囲には、それぞれ接続用接合パターン45が形成されている。
 第2封止部材4において、封止側第2接合パターン421、および接続用接合パターン45は、同一のプロセスで形成することができる。具体的には、これらは、第2封止部材4の第1主面411上に物理的気相成長させて形成された下地膜と、当該下地膜上に物理的気相成長させて積層形成された接合膜とから形成することができる。なお、本実施の形態では、下地膜には、Ti(もしくはCr)が用いられ、接合膜にはAuが用いられている。
 上記構成の水晶振動板2、第1封止部材3、および第2封止部材4を含む水晶発振器101では、水晶振動板2と第1封止部材3とが振動側第1接合パターン251および封止側第1接合パターン321を重ね合わせた状態で拡散接合され、水晶振動板2と第2封止部材4とが振動側第2接合パターン252および封止側第2接合パターン421を重ね合わせた状態で拡散接合されて、図1に示すサンドイッチ構造のパッケージ12が製造される。これにより、パッケージ12の内部空間、つまり、振動部22の収容空間が気密封止される。
 この際、上述した接続用接合パターン同士も重ね合わせられた状態で拡散接合される。そして、接続用接合パターン同士の接合により、水晶発振器101では、第1励振電極221、第2励振電極222、ICチップ5および外部電極端子43の電気的導通が得られるようになっている。
 具体的には、第1励振電極221は、第1引出配線223、接続用接合パターン27と接続用接合パターン353との接合部、配線パターン33、接続用接合パターン351、第4貫通孔323内の貫通電極、および電極パターン37を順に経由して、ICチップ5に接続される。第2励振電極222は、第2引出配線224、接続用接合パターン28、第2貫通孔262内の貫通電極、接続用接合パターン254と接続用接合パターン352との接合部、第5貫通孔324内の貫通電極、および電極パターン37を順に経由して、ICチップ5に接続される。また、ICチップ5は、電極パターン37、第3貫通孔322内の貫通電極、接続用接合パターン34と接続用接合パターン253との接合部、第1貫通孔261内の貫通電極、接続用接合パターン253と接続用接合パターン45との接合部、および第6貫通孔44内の貫通電極を順に経由して、外部電極端子43に接続される。
 そして、上述のようにして製造されたサンドイッチ構造のパッケージ12では、第1封止部材3と水晶振動板2とは、1.00μm以下のギャップを有し、第2封止部材4と水晶振動板2とは、1.00μm以下のギャップを有する。つまり、第1封止部材3と水晶振動板2との間の接合材の厚みが、1.00μm以下であり、第2封止部材4と水晶振動板2との間の接合材の厚みが、1.00μm以下(具体的には、本実施の形態のAu-Au接合では0.15μm~1.00μm)である。なお、比較として、Snを用いた従来の金属ペースト封止材では、5μm~20μmとなる。
 本実施の形態では、上記構成の水晶振動板2において、振動部22および保持部24は、外枠部23よりも薄肉に形成されており、保持部24は、Z´軸方向に延在している。外枠部23の一方の主面(ここでは、第2主面212)における保持部24との接続部分25には、保持部24と同一面に形成された平坦領域25bと、平坦領域25bに対し傾斜する傾斜領域25aとが設けられ、保持部24の接続部分25側の端部24aのうち、少なくとも貫通部2a側の領域24b,24cは、平坦領域25bに連続して設けられている。以下、この点について、図4、図5、図8~図10を参照して説明する。なお、図8~図10では、水晶振動板2に形成される電極や貫通孔等の図示を省略している。
 ここで、水晶振動板2は、矩形状の水晶板に対し、周波数調整エッチングおよび外形形成エッチングの2種類のエッチング工程を行うことによって、図4、図5、図8に示すような外形形状に形成される。周波数調整エッチングでは、水晶発振器101の発振周波数を所定の値とするために、振動部22および保持部24の厚みを調整する。外形形成エッチングでは、矩形状の水晶板に貫通部2a(図8参照)を形成し、振動部22、外枠部23および保持部24の外形形状を形成する。また、水晶振動板2における貫通孔も外形形成エッチングにおいて形成される。
 エッチングによって上述のような水晶振動板2の外形形状を形成すると、水晶の異方性により厚肉の外枠部23から薄肉の保持部24にかけて外枠部23の一部に次第に薄肉になるように傾斜領域が形成される。このような傾斜領域では、レジストが真直ぐにならなかったり、平坦領域と比較して塗布量がバラつきやすいため、パターンが正確に形成されず、エッチング後にガタついている部分が生じる。このため、傾斜領域と保持部24の側面(貫通部2aに接する面)とが交差することによって、外形形成エッチングの際、保持部24の外枠部23側の付け根の領域に、保持部24の内部に向かう、えぐれが形成されるという問題があった。
 そこで、本実施の形態では、図8~図10に示すように、外枠部23と保持部24との接続部分25に、保持部24の第2主面212と同一の平面に形成された平坦領域25bを形成するようにしている。平坦領域25bは、周波数調整エッチングの際に保持部24の第2主面212と同一面になるように形成される。このような平坦領域25bを設けることによって、外形形成エッチングの際に、貫通部2aとともに、外枠部23と保持部24との接続部分25に傾斜領域25aが形成されるが、傾斜領域25aと保持部24の側面(±X方向側の側面)とが直接交差しないようになっている。
 より具体的には、図8に示すように、保持部24の-Z´方向側の端部24aは、平面視で略矩形の平坦領域25bに接続されており、平坦領域25bが傾斜領域25aに接続されている。保持部24と傾斜領域25aとの間に平坦領域25bが介在されている。保持部24の接続部分25側の端部(-Z´方向側の端部)24aでは、-X方向側の領域24bから+X方向側の領域24cまでの全ての領域が、平坦領域25bに接続されている。保持部24の接続部分25側の端部24aのX軸方向の幅よりも、平坦領域25bのX軸方向の幅のほうが大きくなっている。平坦領域25bは、貫通部2aに接する側の外枠部23の内側端部の一部に形成されており、平坦領域25bおよび傾斜領域25aに対応する形状の凹部が外枠部23に設けられている。平坦領域25bの±X方向側の端部は、傾斜領域26a,26bに接続されている。
 平坦領域25bは、周波数調整エッチングの際に形成される矩形状の開口部を、平坦領域25bに対応する領域だけ外枠部23側へセットバックすることによって形成される。この際、外枠部23側へのセットバック量は、20μm以上であることが好ましい。そして、外形形成エッチングによって、貫通部2aとともに、外枠部23の貫通部2a側の領域(+Z´方向側の領域)に傾斜領域25a,26a,26bが形成されるが、保持部24が形成される領域では、保持部24は、傾斜領域25aに、直接接続されず、平坦領域25bを介して接続される。なお、保持部24が-Z´方向に接続された本実施の形態の構成では、傾斜領域25a,26a,26bは、水晶振動板2の第2主面212側に形成されるが、水晶振動板2の第1主面211側には形成されないようになっている。
 本実施の形態によれば、外枠部23と保持部24との接続部分25に平坦領域25bが設けられており、傾斜領域25aと保持部24の側面(±X方向側の側面)とが直接交差しないので、保持部24の外枠部23側の付け根の領域に、エッチングの際にえぐれ部が形成されることを抑制できる。これにより、保持部24の折れの発生や、第2引出配線224(図5参照)の断線や高抵抗化に起因する振動部22の振動特性の悪化を抑制することができる。また、外枠部23と保持部24の間に段差等の厚み差がある場合、厚みが薄い箇所に力(応力や衝撃)が集中するが、外枠部23と保持部24との接続部分25に設けられた傾斜領域25aにより、その力を徐々に弱めることができる。これにより、傾斜領域25aを設けることによって、外枠部23から振動部22への外部応力を緩和でき、保持部24の折れ防止等の耐衝撃性能を向上できる。
 ここで、平坦領域25bの保持部24が延在する方向(Z´軸方向)に沿った長さLbは、少なくとも1μmあればよく、水晶振動板2の小型化を実現しつつ、振動部22の面積を確保するため、1μm~30μmであることが好ましい。この場合、平坦領域25bのZ´軸方向の長さLbを、傾斜領域25aのZ´軸方向の長さLaよりも大きくすることによって、外枠部23からの外部応力(例えば半田実装時の応力)を効果的に抑制することができ、発振周波数のシフトやCI値の悪化を抑制することができる。このような寸法関係(Lb>La)は、例えば発振周波数が48MHz等の比較的低周波の水晶発振器101において有効である。
 一方、平坦領域25bのZ´軸方向の長さLbを、傾斜領域25aのZ´軸方向の長さLaよりも小さくすることによって、振動部22の振動エリアを確保したり、耐衝撃性を向上させたりすることができる。このような寸法関係(Lb<La)は、例えば発振周波数が60MHz以上の比較的高周波の水晶発振器101において有効である。
 傾斜領域25aの平坦領域25bに対する傾斜角度α1は、例えば28°とすることが可能であるが、ATカット水晶振動板の場合、25°~35°であることが好ましい。
 本実施の形態では、水晶振動板2は、振動部22と、当該振動部22の外周を取り囲む外枠部23と、振動部22と外枠部23とを連結する保持部24とを備え、振動部22と外枠部23との間には、厚み方向に貫通する貫通部2aが設けられている構成になっている。このような振動部22と外枠部23とが保持部24によって連結された枠体付きの水晶振動板2を用いた場合、水晶発振器101の小型化および低背化を図ることが可能であるが、そのような小型化および薄型化を図った水晶発振器101においても、上述した水晶振動板2の作用効果と同様の作用効果が得られる。
 本発明は、その精神や主旨または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施の形態はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
 上記実施の形態では、水晶振動板として、厚みすべり振動を行うATカット水晶振動板を用いたが、それ以外の水晶振動板(例えばSCカット水晶振動板、Zカット水晶振動板(水晶Z板)等)を用いてもよい。例えば、図14に示すようなZカット水晶振動板を用いた音叉型水晶振動板にも、本発明を適用可能である。
 図14に示す音叉型水晶振動板6は、音叉形状に形成された振動部62と、この振動部62の外周を取り囲む外枠部63と、振動部62と外枠部63とを連結することで振動部62を保持する保持部64とを備えた構成になっている。音叉型水晶振動板6は、振動部62、外枠部63および保持部64が一体的に設けられた構成となっており、外枠部63と振動部62との間に貫通部6aが形成されている。なお、図14では、音叉型水晶振動板6の第2主面612側を示している。また、振動部62に形成される第1、第2励振電極や、第1、第2励振電極に接続される引出配線の図示を省略している。
 振動部62は、Y´軸方向に沿って延びる2本の脚部62a,62bと、脚部62a,62bの端部が接続される基部62cとを備えた構成になっている。脚部62a,62bは、基部62cの-Y´方向側の端部から、-Y´方向に向けて延びている。脚部62a,62bの第1主面および第2主面612には、それぞれ凹部62d,62eが形成されており、脚部62a,62bの断面形状が略H字状に形成されている。保持部64は、振動部62と外枠部63との間の1箇所のみに設けられている。保持部64は、振動部62の基部62cの+Y´方向の端部において、基部62cのX軸方向の中央部から、+Y´方向に向けて外枠部63まで延びている。
 そして、振動部62および保持部64は、外枠部63よりも薄肉に形成されており、保持部64は、Y´軸方向に延在している。外枠部63の一方の主面(ここでは、第2主面612)における保持部64との接続部分65には、保持部64と同一面に形成された平坦領域65bと、平坦領域65bに対し傾斜する傾斜領域65aとが設けられている。保持部64の接続部分65側の端部64aのうち、少なくとも貫通部6a側の領域64b,64cは、平坦領域65bに連続して設けられている。具体的には、図14に示すように、保持部64の-Y´方向側の端部64aは、平面視で略矩形の平坦領域65bに接続されており、平坦領域65bが傾斜領域65aに接続されている。保持部64と傾斜領域65aとの間に平坦領域65bが介在されている。なお、外枠部63の他方の主面(第1主面)側における保持部64との接続部分65に、平坦領域および傾斜領域を設けてもよい。
 上記実施の形態では、平坦領域25bは、貫通部2aに接する側の外枠部23の内側端部の一部のみに形成されたが、例えば図11の変形例1に示すように、貫通部2aに接する側の外枠部23の内側端部の全体にわたって平坦領域25bを形成してもよい。
 上記実施の形態において、例えば図12、図13の変形例2に示すように、外枠部23の他方の主面(ここでは、第1主面211)における保持部24との接続部分25に、保持部24と同一面に形成された平坦領域25cと、外枠部23の端部領域23aとが設けられ、保持部24の接続部分25側の端部24aが、平坦領域25cと接続されていてもよい。
 図12、図13に示す変形例2では、外枠部23と保持部24との接続部分25に、保持部24の第1主面211と同一の平面に形成された平坦領域25cが形成されている。平坦領域25cは、周波数調整エッチングの際に保持部24の第1主面211と同一面になるように形成される。保持部24の-Z´方向側の端部24aは、平面視で略三角形状の平坦領域25cに接続されている。保持部24の接続部分25側の端部(-Z´方向側の端部)24aの一部の領域が、平坦領域25cに接続されている。保持部24の接続部分25側の端部24aのX軸方向の幅よりも、平坦領域25cのX軸方向の幅のほうが小さくなっている。
 平坦領域25cは、貫通部2aに接する側の外枠部23の内側端部の一部に形成されており、平坦領域25cに対応する略三角形状の凹部が外枠部23に設けられている。なお、保持部24が-Z´方向に接続された本構成では、図8の例とは異なり、外枠部23の第1主面211側には、平坦領域25cに繋がる傾斜領域は設けられておらず、平坦領域25cは垂直方向に延びる壁面(段差面)に接続されている。平坦領域25cは、この壁面を介して、外枠部23の端部領域23aに接続されている。
 ここで、図13に示すように、外枠部23の端部領域23aの少なくとも一部が、外枠部23の第2主面212における傾斜領域25aと平面視で重畳する位置に設けられている構成としてもよい。この構成によれば、外枠部23からの外部応力(例えば半田実装時の応力)の影響を軽減することができ、耐衝撃性を向上させることができる。
 また、平坦領域25cの少なくとも一部が、平坦領域25bと平面視で重畳する位置に設けられている構成としてもよい。このよう構成によれば、外枠部23からの外部応力の影響を軽減することができ、外枠部23における応力バランスを改善することができる。
 また、図12、図13に示す変形例2では、保持部24の第1主面211と同一の平面に形成された平坦領域25cが、貫通部2aに接する側の外枠部23の内側端部の一部のみに形成されたが、図15に示す変形例3のように、貫通部2aに接する側の外枠部23の内側端部の半部以上の部分にわたって平坦領域25dを形成してもよい。この変形例3では、平坦領域25dに対応する略台形状の凹部が外枠部23に設けられており、平坦領域25dが、図12、図13の平坦領域25cよりも大きくなっている。これにより、保持部24の第1主面211と外枠部23との交点部分25eが平坦領域25dに含まれるので、この交点部分25eに複雑な結晶面が形成されにくくなり、保持部24のクラック等を抑制できる。
 上記実施の形態では、水晶振動板2に、振動部22と外枠部23とを連結する保持部24が1つのみ設けられたが、保持部24が2つ以上設けられていてもよく、この場合、それぞれの保持部24と外枠部23との接続部分25について上記実施の形態の構成を適用すればよい。
 また、上記実施の形態では、保持部24が振動部22の角部に設けられた。詳細には、保持部24は、振動部22の+X方向側かつ-Z´方向側の角部から、-Z´方向側に向けて延びていた。しかし、これに限らず、保持部24が振動部22の+X方向側かつ+Z´方向側の角部から、+Z´方向側に向けて延びていてもよい。また、保持部24が振動部22の角部ではなく、振動部22のX軸方向またはZ´軸方向の中間位置に設けられていてもよい。
 上記実施の形態では、保持部24の接続部分25側の端部(-Z´方向側の端部)24aでは、-X方向側の領域24bから+X方向側の領域24cまでの全ての領域が、平坦領域25bに接続されていた。しかし、これに限らず、保持部24の接続部分25側の端部24aの、少なくとも付け根の領域24b、24cが、平坦領域25bに接続されていればよく、-X方向側の領域24bから+X方向側の領域24cまでの全ての領域が、平坦領域25bに接続されていなくてもよい。
 上記実施の形態では、第1封止部材3および第2封止部材4を水晶板によって形成したが、これに限定されるものではなく、第1封止部材3および第2封止部材4を、例えば、ガラスによって形成してもよい。また、上記実施の形態では、Au-Au接合によって、第1封止部材3と水晶振動板2の接合、および第2封止部材4と水晶振動板2の接合を行ったが、ろう材を用いて、第1封止部材3と水晶振動板2の接合、および第2封止部材4と水晶振動板2の接合を行ってもよい。また、上記実施の形態では、水晶振動板2を第1、第2封止部材3,4により挟み込んだサンドイッチ構造の水晶振動子に本発明を適用したが、これに限定されるものではなく、例えばセラミック等の絶縁材料からなる凹状のベース基板に、水晶振動板を搭載し、リッド部材により気密封止した構造の水晶振動子にも本発明を適用可能である。
 この出願は、2022年7月28日に日本で出願された特願2022-120859に基づく優先権を請求する。これに言及することにより、その全ての内容は本出願に組み込まれるものである。
 101  水晶発振器(水晶振動デバイス)
 2  水晶振動板
 2a  貫通部
 22  振動部
 23  外枠部
 24  保持部
 24a  接続部分側の端部
 24b,24c  貫通部側の領域
 25  接続部分
 25a  傾斜領域
 25b  平坦領域
 212  第2主面

Claims (7)

  1.  外枠部と、前記外枠部よりも薄肉に形成された振動部とを備え、
     前記外枠部と前記振動部との間に貫通部が形成され、前記外枠部よりも薄肉に形成された保持部によって前記外枠部と前記振動部が連結された水晶振動板であって、
     前記外枠部の一方の主面における前記保持部との接続部分には、前記保持部と同一面に形成された平坦領域と、前記平坦領域に対し傾斜する傾斜領域とが設けられ、
     前記保持部の前記接続部分側の端部のうち、少なくとも前記貫通部側の領域は、前記平坦領域に連続して設けられていることを特徴とする水晶振動板。
  2.  請求項1に記載の水晶振動板において、
     前記保持部が延在する方向に沿った長さが、前記傾斜領域よりも前記平坦領域が大きいことを特徴とする水晶振動板。
  3.  請求項1に記載の水晶振動板において、
     前記保持部が延在する方向に沿った長さが、前記傾斜領域よりも前記平坦領域が小さいことを特徴とする水晶振動板。
  4.  請求項1に記載の水晶振動板において、
     前記外枠部の他方の主面における前記保持部との接続部分には、前記保持部と同一面に形成された平坦領域と、前記外枠部の端部領域とが設けられ、
     前記保持部の前記接続部分側の端部は、前記平坦領域と接続されていることを特徴とする水晶振動板。
  5.  請求項4に記載の水晶振動板において、
     前記外枠部の前記他方の主面における前記端部領域の少なくとも一部が、前記外枠部の前記一方の主面における前記傾斜領域と平面視で重畳する位置に設けられていることを特徴とする水晶振動板。
  6.  請求項4に記載の水晶振動板において、
     前記外枠部の前記他方の主面における前記平坦領域の少なくとも一部が、前記外枠部の前記一方の主面における前記平坦領域と平面視で重畳する位置に設けられていることを特徴とする水晶振動板。
  7.  請求項1~6のいずれか1つに記載の水晶振動板を備えた水晶振動デバイスであって、
     前記水晶振動板の前記振動部の一主面側を覆う第1封止部材と、
     前記水晶振動板の前記振動部の他主面側を覆う第2封止部材とが備えられ、
     前記第1封止部材と前記水晶振動板とが接合され、かつ前記第2封止部材と前記水晶振動板とが接合されることによって、前記水晶振動板の前記振動部が封止されることを特徴とする水晶振動デバイス。
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