CN1933327A - 表面声波器件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种表面声波器件及其制造方法。实现一种小型、薄型的表面声波器件。表面声波器件的特征在于，其包括：表面声波芯片，其具有形成于压电基板的主面上的IDT电极、从IDT电极引出的取出电极、和沿着压电基板的主面的外周形成的金属接合部；盖基板，其由绝缘性材料构成，具有与取出电极连接的连接电极、外部电极、和将连接电极与外部电极连接的贯通电极，在通过将表面声波芯片和盖基板接合而形成的空间的内部，IDT电极和取出电极被气密密封，在压电基板的主面上形成有辅助部，该辅助部具有即使压电基板或盖基板变形时盖基板也不会接触IDT电极的高度。

Description

表面声波器件及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种表面声波器件及其制造方法，具体涉及具有防止IDT电极和盖基板接触的辅助部的表面声波器件及其制造方法。

背景技术

以往，已公知如下的表面声波器件：在压电基板上表面声波芯片由IDT电极、取出(extraction)电极、及包围这些IDT电极和取出电极而设置的阳极接合部构成，绝缘性的盖基板在玻璃板上形成空隙部和贯通孔，由设于贯通孔及其周边部的外部电极和在外部电极上设置的印刷电极构成，将表面声波芯片的取出电极与盖基板的外部电极接合，而且将阳极接合部接合在盖基板上，以将IDT电极密封。

另外，提出有下面的表面声波器件，在上述盖基板上不设置空隙部，该表面声波器件构成为具有盖基板、和使表面声波芯片的取出电极与阳极接合部的膜厚比前述膜厚增加约3μm的表面声波芯片，利用取出电极和阳极接合部，在IDT电极和盖基板之间设置空隙部(例如参照专利文献1)。

专利文献1日本特开平8-213874号公报(第3～5页、图1、3、8)

在盖基板上设置空隙的上述专利文献1的结构中，在盖基板上设置即使IDT电极和盖基板因外力而变形时也不会接触的空隙部。因此，为了确保盖基板的强度，必须使盖基板整体变厚，所以是对表面声波器件的薄型化不利的结构。

并且，在使取出电极和阳极接合部变厚、确保IDT电极和盖基板的空隙的结构中，认为例如在盖基板的中央部产生变形时，盖基板和IDT电极将接触。另外，在该结构中，在IDT电极的表面波行进方向两端设置取出电极，所以无法设置在一般的表面声波芯片中设置的反射器或反射壁，可以预料将不能获得正确的谐振频率。

发明内容

本发明把解决前述课题作为其宗旨，提供一种表面声波器件及其制造方法，该表面声波器件实现了小型、薄型，而且即使压电基板和盖基板变形时IDT电极和盖基板也不会接触。

本发明的表面声波器件的特征在于，所述表面声波器件包括：表面声波芯片，其具有形成于压电基板的主面上的IDT电极、从所述IDT电极引出的取出电极、和沿着所述压电基板的主面外周形成的金属接合部；盖基板，其由绝缘性材料构成，具有设于一个主面上的与所述取出电极连接的连接电极、设在另一个主面上的外部电极、和将所述连接电极与所述外部电极进行连接的贯通电极，在通过在所述金属接合部将所述表面声波芯片和所述盖基板接合而形成的空间的内部，所述IDT电极和所述取出电极被气密密封，在所述空间的内部，在所述压电基板的主面上形成有辅助部，该辅助部具有即使所述压电基板或所述盖基板变形所述盖基板也不会接触所述IDT电极的高度。

根据本发明，IDT电极和取出电极设在被气密密封的空间内部，在空间内部设置有辅助部，其具有即使压电基板或盖基板变形时盖基板也不会接触IDT电极的高度。该辅助部被设定成低于上述空间的高度、高于IDT电极的厚度，所以为了使盖基板和IDT电极不接触，将空间的高度设定成具有上述富余部分即可，不必设定得过高，并且也不必为了确保盖基板的强度而将盖基板加厚，具有可以实现薄型的表面声波器件，防止谐振频率因IDT电极和盖基板的接触而变得不稳定的效果。

并且，该辅助部可以配置在空间内部的IDT电极和取出电极的富余空间内，所以不必增大压电基板和盖基板的平面尺寸，即可实现小型的表面声波器件。

并且，优选所述辅助部是在所述IDT电极附近的不与所述IDT电极接触的位置上、沿着所述IDT电极的长度方向形成的金属膜。

这样，通过在IDT电极的附近而且沿着IDT电极设置由金属膜构成的辅助部，可以防止盖基板和IDT电极的接触，实现小型化、薄型化。另外，具体情况将在后面的实施方式中说明，但由于辅助部由金属膜形成，所以能够延用IDT电极或取出电极的形成工序而容易地形成。

优选地，所述取出电极沿着所述IDT电极的长度方向大致设在所述IDT电极的形成区域的范围内，以与所述压电基板和所述盖基板接合时所述空间的高度相同的厚度而形成，兼作为所述辅助部。

通过这样形成取出电极，除了原有的与外部电极的连接功能外，还使取出电极具有作为辅助部的功能，不需重新形成辅助部，即可发挥前述效果。该取出电极可以形成在为了具有原本的作为取出电极的功能而设计的平面大小和空闲的空间区域范围内，所以表面声波器件的尺寸不会变大。

并且，优选地，所述辅助部形成于构成所述IDT电极的汇流条(busbar)的表面。

汇流条与叉指电极一起构成IDT电极，但即使在该汇流条的表面设置辅助部，也不会影响谐振频率。因此，如果在汇流条的表面设置辅助部，由于设在与IDT电极最近的部位，所以即使将辅助部的高度抑制得较低，也能够达到本发明的目的。并且，辅助部的占有区域也是IDT电极的范围内，所以不需要辅助部的专用空间。

并且，本发明的表面声波器件的制造方法的特征在于，该方法包括：形成表面声波芯片的步骤，该表面声波芯片具有设于压电基板的主面上的IDT电极、从所述IDT电极引出的取出电极、沿着所述压电基板的主面外周形成的金属接合部和辅助部；形成盖基板的步骤，该盖基板具有设于一个主面上的与所述取出电极连接的连接电极、设在另一个主面上的外部电极、和将所述连接电极与所述外部电极进行连接的贯通电极；将所述表面声波芯片和所述盖基板在所述金属接合部接合的步骤；将贯通电极气密密封的步骤，将所述辅助部形成为具有即使所述压电基板或所述盖基板变形时所述盖基板也不会接触所述IDT电极的高度。

所述辅助部可以在取出电极或IDT电极的形成步骤中形成，在制造时不会产生因设置辅助部造成的步骤的大幅增加。

并且，取出电极经由设于盖基板上的贯通电极与外部电极连接，所以不必横穿接合电极，可以保持空间的气密性。

并且，优选地，所述辅助部的形成步骤包括以下步骤：在所述取出电极或所述金属接合部的形成步骤中，在与所述IDT电极及所述取出电极相分离的位置上，利用与所述取出电极相同的材料形成第1层后，把所述辅助部层叠至规定的厚度。

此处，辅助部利用与取出电极或金属接合部分别电性独立的相同材料的金属膜形成。

因此，在形成取出电极或金属接合部的步骤中形成辅助部，并通过增加使所述辅助部成为规定厚度的步骤，可以对应于所要求的辅助部的厚度，再层叠1层或多层金属膜来形成辅助部。

并且，优选地，在所述取出电极的形成步骤中，将所述取出电极沿着所述IDT电极的长度方向大致形成于所述IDT电极的形成区域的范围内，将所述取出电极形成为具有与所述表面声波芯片和所述盖基板接合时所述盖基板的内表面一致的厚度。

这样，取出电极形成为具有接触盖基板的厚度，而且沿着IDT电极，所以能够利用取出电极限制盖基板的内表面高度。即，该取出电极兼备所述辅助部的功能。因此，不需要形成辅助部的步骤，可以简化表面声波芯片的制造步骤。

并且，优选地，所述辅助部的形成步骤包括以下步骤：在所述IDT电极的形成步骤中，在所述IDT电极的附近利用与所述IDT电极相同的步骤形成第1层后，将所述辅助部层叠至规定的厚度。

这样，辅助部的第1层利用与IDT电极相同的材质及相同的厚度形成，再进行层叠以达到规定的厚度来形成辅助部，所以辅助部在IDT电极附近一定形成得比IDT电极厚，能够可靠地防止该IDT电极与盖基板的接触。

并且，优选地，利用所述IDT电极的形成步骤及所述取出电极的形成步骤之外的另外的辅助部形成步骤，将所述辅助部形成为规定的厚度。

这样，可以任意选择与IDT电极或取出电极不同的材质及制造步骤来形成辅助部。

并且，优选地，在所述IDT电极的形成步骤之后，在构成所述IDT电极的汇流条表面，利用与所述IDT电极相同的材料将所述辅助部层叠至规定的厚度。

这样，如果在汇流条前表面设置辅助部，则设在与IDT电极最近的部位，所以即使将辅助部的高度抑制得较低，也能够达到本发明的目的。并且，辅助部的占有区域为IDT电极的范围内。

附图说明

图1表示本发明的实施方式1涉及的表面声波器件，(a)表示其俯视图，(b)表示(a)中的A-A切断面的剖视图。

图2是本发明的实施方式1涉及的表面声波芯片的俯视图。

图3是本发明的实施方式1涉及的盖基板的俯视图。

图4(a)～(e)是本发明的实施方式1涉及的表面声波器件的制造步骤的一例的剖视图。

图5是本发明的实施方式1的变形例1涉及的表面声波芯片的俯视图。

图6是本发明的实施方式1的变形例2涉及的表面声波芯片的俯视图。

图7表示本发明的实施方式2涉及的表面声波芯片，(a)表示其俯视图，(b)表示(a)中的B-B切断面的剖视图。

符号说明

10表面声波器件；15表面声波芯片；20压电基板；30盖基板40金属接合部；45、46取出电极；50IDT电极；60、61反射器；70辅助部；73、74连接电极；77、78外部电极。

具体实施方式

以下，根据附图说明本发明的实施方式。另外，在本实施方式中，针对表面声波器件，示例了应用了本发明的振子的优选实施方式。

图1～图4表示本发明的实施方式1涉及的表面声波器件的结构及制造方法，图5表示实施方式1的变形例1，图6表示实施方式1的变形例2，图7表示实施方式2。

(实施方式1)

图1～图4表示实施方式1涉及的表面声波器件的结构及制造方法。

图1表示本实施方式涉及的表面声波器件10，(a)表示其俯视图，(b)表示(a)中的A-A切断面的剖视图。图2是表面声波芯片15的俯视图，图3是盖基板30的俯视图。在图1、图2、图3中，表面声波器件10由具有IDT电极50(Inter Digital Transducer)的表面声波芯片15、和层叠在该表面声波芯片15的上表面上进行直接接合的盖基板30构成。

表面声波芯片15由矩形的压电基板20构成，在作为其主面的表面22的大致中央，形成有由一对叉指电极和各自的汇流条51、52构成的IDT电极50。在其长度方向(表面波的行进方向)的两端侧形成有反射器60、61。另外，IDT电极50和反射器60、61的具体形状省略图示。

上述一对叉指电极的一方从汇流条51垂直地引出引线电极45A，在引线电极45A的端部沿着压电基板20的长度方向形成有取出电极45。叉指电极的另一方从汇流条52沿引线电极45A的反方向引出引线电极46A，在其端部的与取出电极45成对角的位置上形成有取出电极46。并且，在压电基板20的表面22的外周的整个周缘形成有金属接合部40。

另外，在不与IDT电极50和反射器60、61接触的IDT电极50和反射器60、61的附近，沿着IDT电极50、反射器60、61的长度方向的两侧(即在长度方向为表面波的行进方向时为宽度方向两侧)形成有岛状的多个辅助部70。该辅助部70比IDT电极50的厚度厚，在不接触盖基板30的背面33的范围内形成。即，辅助部70的厚度被适当设定在即使压电基板20(表面声波芯片15)或盖基板30变形时，IDT电极50(包括反射器60、61)与盖基板30的背面33也不接触的范围内。

另外，在图2中，辅助部70在IDT电极50和反射器60、61两侧分别各设有6个，但辅助部70的数量不限于此，也可以从6个开始增减。并且，设置位置也不限于图2所示，可以在可达到本发明目的的范围内，设置在适当选择的位置上。因此，也可以设在IDT电极50和反射器60、61的单侧。

在本实施方式中，压电基板20由石英形成，此外也可以采用钽酸锂、铌酸锂等压电材料。并且，考虑到电特性、加工特性和成本，IDT电极50、反射器60、61和引线电极45A、46A利用铝膜形成，但也可以使用其他的铝合金等导电性金属材料。取出电极45、46、辅助部70和金属接合部40利用Cr/Au膜或Cr/Ni/Au膜形成为相同厚度。

盖基板30由矩形的玻璃基板构成，从其表面32朝向背面33开设有锥状贯通孔34、35。贯通孔34、35对应于分别设于上述压电基板20上的取出电极45、46而配置在对角方向上。

在盖基板30的背面33，在前述贯通孔34、35的开口的整个周缘上分别形成有形状与取出电极45、46对应的连接电极73、74。另外，在盖基板30的背面33，在其外周的整个周缘上形成有金属接合部41。

各个贯通孔34、35及与其连续的连接电极73、74的内周面，被由导电性金属材料形成的贯通电极75、76覆盖。在盖基板30的表面32，在贯通孔34、35的周缘分别形成有外部电极77、78。并且，外部电极77、78经由设于贯通孔34、35的贯通电极75、76，与连接电极73、74分别电连接。

在本实施方式中，盖基板30利用热膨胀率接近构成压电基板20的石英的钠玻璃形成。连接电极73、74和金属接合部41利用Cr/Au膜或Cr/Ni/Au膜形成为相同厚度。贯通电极75、76和外部电极77、78同样利用Cr/Au膜或Cr/Ni/Au膜形成。

盖基板30除了钠玻璃外，也可以利用热膨胀率与石英相同或近似的其他玻璃材料或绝缘材料、或与压电基板20相同的石英形成。并且，在利用石英以外的压电材料形成压电基板20时，也可以利用热膨胀率与该压电材料相同或近似的绝缘性材料的薄板形成盖基板30。

通过将金属接合部40和金属接合部41、取出电极45、46和连接电极73、74热压接，而使表面声波芯片15和盖基板30成为一体，在形成于表面声波芯片15和盖基板30之间的空间的内部，IDT电极50、反射器60、61、取出电极45、46被气密密封。在本实施方式中，把取出电极45、46和连接电极73、74、及金属接合部40和金属接合部41的厚度设定为，在将它们接合的状态下比IDT电极50、反射器60、61的铝膜厚。

并且，辅助部70被设定得比IDT电极50、反射器60、61的铝膜厚，比前述空间的高度薄。

作为表面声波芯片15和盖基板30的接合手段，也可以采用在取出电极45、46、金属接合面40的上表面形成AuSn合金膜，通过热压接或共晶接合来进行接合的结构。

因此，基于前述实施方式1的表面声波器件10，由于将辅助部70设定得低于前述空间的高度、高于IDT电极50的厚度，所以即使压电基板20或盖基板30因外力等产生变形时，也能够利用辅助部70保持盖基板30，盖基板30不会接触IDT电极50和反射器60、61，所以能够确保并且保持预先期待的表面声波器件的激励、接收动作。

并且，该辅助部70配置在空间内部，如图2所示，长度方向形成于IDT电极50和反射器60、61的区域范围内，宽度方向形成于形成取出电极45或取出电极46的范围内，所以即使设置辅助部70，平面尺寸也不会变大。

另外，辅助部70的厚度也在加上金属接合部40、41在内的厚度(接合时形成的空间的高度)的范围内，所以总体厚度不会变厚。

并且，不需要如前述的现有技术那样在盖基板30上设置凹陷状空隙，所以盖基板30的结构强度提高，而且可以形成得较薄，由此可以提供小型、薄型的表面声波器件。

(实施方式1的表面声波器件的制造方法)

下面，参照附图说明本实施方式的表面声波器件的制造方法。

图4(a)～(e)是本实施方式涉及的表面声波器件10的制造步骤的一例的剖视图。首先，准备在纵向和横向上连续排列了图2所示压电基板20的大张的石英晶片21。在图4(a)中，在石英晶片21的表面22形成规定厚度的Cr/Au膜，使用光刻技术将取出电极45、46和金属接合部40、辅助部70的第1层70A形成为所期望的形状。

然后，在石英晶片21的表面22上形成规定厚度的铝膜，使用光刻技术将IDT电极50、反射器60、61、引线电极45A、46A(参照图2)形成为所期望的形状，并且使引线电极45A、46A与取出电极45、46电连接。

此处，进一步具体说明辅助部70的形成步骤，辅助部70的第1层70A的厚度与金属接合部40、取出电极45、46相同，所以在金属接合部40和取出电极45、46、辅助部70的第1层70A的形成步骤之后，进一步在辅助部70的第1层70A的表面上层叠Cr/Au膜(与取出电极45、46相同的材质)以成为辅助部原本的厚度，形成辅助部70(参照图4(b))。

下面，说明盖基板30的制造步骤。参照图4(c)进行说明。

首先，准备在纵向和横向上连续排列了图3所示盖基板30的大张的玻璃基板31。在玻璃基板31上通过喷砂加工或蚀刻间接形成各盖基板30的贯通孔34、35。特别是在喷砂加工中，可以容易地将贯通孔34、35加工为所期望的锥状。

然后，在玻璃基板31的背面33(接合时的盖基板的内表面)上形成规定厚度的Cr/Au膜，使用光刻技术将连接电极73、74和金属接合部41形成为所期望的形状。

将按照上面所述形成的盖基板30(在该状态下为玻璃基板31)和压电基板20(石英晶片21)接合。

参照图4(d)说明接合步骤。按照图4(d)所示将石英晶片21与玻璃基板31上下对准位置，使金属接合部40和金属接合部41、取出电极45、46和连接电极73、74在接触的状态下重合。在该状态下，使用接合装置，利用一面加压一面加热的热压接法接合成一体。

在该状态下，在形成于表面声波芯片15和盖基板30之间的空间内收纳IDT电极50、反射器60、61(参照图1(a))、取出电极45、46。

然后，在玻璃基板31的表面32上将由Cr/Au膜(或Cr/Ni/Au膜)构成的外部电极77、78形成为所期望的形状，然后形成贯通电极75、76。

参照图4(e)进行说明。接合后的层叠体在清洗后，在贯通孔34、35和连接电极73、74的内周面通过溅射等形成Cr膜和Au膜(或Cr膜、Ni膜和Au膜)，从而形成贯通电极75、76。贯通孔34、35形成为锥状，所以能够从玻璃基板31的上表面通过溅射等容易地形成。

另外，贯通电极75、76是薄膜，所以在中央形成有贯通孔36、37。

然后，在贯通孔36、37内填充导电材料形成密封部件80。参照图1(b)进行说明。在贯通孔36、37的内表面已经形成有金属膜的贯通电极75、76，润湿性提高，所以能够容易填充密封部件80。由此，可以可靠地保持通过连接电极73、74和取出电极45、46，IDT电极50的各个叉指电极与对应的外部电极77、78之间的导通，以及贯通孔36、37的气密性，提供高可靠性的器件。

最后，将玻璃基板31和石英晶片21的层叠体沿着纵横垂直的外轮廓线90切成方块，从而完成图1所示的单体的表面声波器件10。

另外，关于辅助部70，在前述制造方法中，首先形成与金属接合部40和取出电极45、46相同厚度的第1层70A，然后层叠相同材质的金属膜直到成为所期望的厚度，但是如果金属接合部40和取出电极45、46比IDT电极50厚，是实现辅助部70的功能所需要的厚度，则可不需要进一步的层叠步骤。

因此，根据前述实施方式1的表面声波器件的制造方法，辅助部70可以在取出电极45、46的形成步骤中形成，从而在制造时不会产生因设置辅助部70造成的工序的大幅增加。

并且，取出电极45、46分别通过设于盖基板30的贯通电极75、76连接外部电极77、78，所以不会横穿金属接合部40，可以保持空间内的气密性。

另外，在形成取出电极45、46的步骤中形成辅助部70的第1层70A，再追加形成为规定厚度的层叠步骤，由此可以对应于所要求的辅助部70的厚度，层叠1层或多层金属膜，自由地形成所期望的厚度的辅助部70。

(实施方式1的变形例1)

辅助部70在前述的实施方式1(参照图1、2)中排列成多个岛状形状，但辅助部70的形状不限于岛状，可以提出各种形状。

图5是实施方式1的变形例1涉及的表面声波芯片15的俯视图。对与前述实施方式(参照图1～3)相同的部分赋予相同符号。由于剖面的关系，与实施方式1相同，所以省略图示。辅助部由沿着IDT电极50和反射器60、61两侧，跨越引线电极45A或引线电极46A形成的辅助部71、72构成。

另外，该辅助部71、72设在IDT电极50和反射器60、61的长度方向的范围内，但根据IDT电极50和反射器60、61及金属接合部40的内侧区域的尺寸关系，在达到本发明目的的范围内，可以只设在IDT电极50的范围(两侧)内，也可以只设在IDT电极50和反射器60、61的单侧。

按上面所述形成时，也能够发挥与前述实施方式1相同的效果。

(实施方式1的变形例2)

图6表示实施方式1的其他变形例的表面声波芯片15。变形例2形成为增大取出电极45、46并使其兼备辅助部的功能。

取出电极45、46沿着IDT电极50和反射器60、61的长度方向(表面波的行进方向)两侧，长度方向形成在IDT电极50和反射器60、61的形成区域范围内，宽度方向形成在实施方式1(参照图1(a))所表现的取出电极45、46的范围内。

该变形例2的取出电极45、46的厚度为与前述空间的高度一致的厚度。即，与将金属接合部40和金属接合部41接合后的高度相等。此时，不需要在实施方式1中形成于盖基板30的背面33的连接电极73、74。这样，取出电极45、46一并具备作为辅助部的功能。

作为接合方法基于前述实施方式1的制造方法，但在金属接合部40和金属接合部41之间也可以利用热压接法来进行接合。

在像该变形例2这样形成取出电极45、46时，也可以采用其他的接合方法。例如，有在由玻璃构成的盖基板30与金属接合部40及取出电极45、46之间进行阳极接合的方法。此处，由于将盖基板30和金属接合部40直接接合，所以不需形成前述实施方式1(参照图1(b))所示的设置在盖基板30上的金属接合部41。并且，金属接合部40和取出电极45、46的厚度为前述实施方式1所示空间的高度，即将金属接合部40、41相加后的厚度。由此，可以进行盖基板30和表面声波芯片15的接合，并且具有作为辅助部所需的高度的空间。

这样，通过形成图6所示形状的取出电极45、46，可以使取出电极具有作为辅助部的功能，不必重新形成辅助部，即可发挥前述效果。该取出电极可形成在为了具有原本作为取出电极的功能而设计的平面大小的范围内，所以表面声波器件的尺寸不会变大。

另外，在图6中，贯通孔34、35设在与实施方式1(参照图1(a))相同的对角位置，但这些位置可以自由选择设计，例如取出电极45、46的中心位置(IDT电极50的长度方向中心位置)等，也具有提高与未图示的外部电路的连接布局的自由度的效果。

(实施方式1的变形例3)

下面，说明实施方式1的变形例3。该变形例3在形成IDT电极50时，与IDT电极50相同，使用铝形成辅助部，辅助部的形状可以与前述实施方式1(参照图2)及其变形例1(参照图5)相同，所以省略图示。

该变形例3在IDT电极50(包括反射器60、61、引线电极45A、46A)的形成步骤中，在形成辅助部的第1层后，接着在该第1层的表面上层叠铝层，以成为规定的辅助部厚度。

因此，在这种变形例3中，可以发挥与前述实施方式1和变形例1相同的效果。

(实施方式2)

下面，参照附图说明本发明的实施方式2。实施方式2的特征在于，在构成IDT电极和反射器的汇流条表面形成辅助部。

图7表示实施方式2涉及的表面声波芯片15，(a)表示其俯视图，(b)表示图7(a)中的B-B切断面的剖视图。在图7(a)、(b)中，利用前述实施方式1的制造方法，表面声波芯片15在压电基板20的表面22形成了IDT电极50、取出电极45、46、金属接合部40。

此处，在构成IDT电极50的叉指电极连续的汇流条51、52(也包括反射器60、61的汇流条)表面上形成IDT电极50(包括反射器60、61)后，层叠作为辅助部的辅助电极53、54，使总体厚度与前述辅助部70(参照图1(b))相同。辅助电极53、54与IDT电极50相同由铝构成。

已知即使在该汇流条51、52的表面设置辅助电极53、54，也不会影响励振、接收特性。因此，如果在汇流条51、52的上表面设置作为辅助部的辅助电极53、54，由于设在与IDT电极50和反射器60、61最近的部位，所以即使将辅助电极53、54的高度抑制得较低，也能够达到本发明的目的。并且，辅助电极53、54的占有区域也为IDT电极50、反射器60、61的范围内，有助于表面声波器件10的小型化。

另外，辅助电极53、54在汇流条51、52上以不接触叉指电极的范围的宽度形成。这是因为在层叠形成辅助电极53、54时，即使存在制造上的偏差时，辅助电极53、54也不会到达叉指电极的区域，因此即使这样也不会妨碍达到本发明目的。

另外，本发明不限于前述实施方式，在可以达到本发明目的的范围内的变形和改进等也包含于本发明中。

即，本发明主要针对特定的实施方式进行了特别图示并进行了说明，但在不脱离本发明的技术思想和目的的范围下，关于形状、材质、组合、其他具体结构及制造步骤之间的加工方法，本行业技术人员可以对以上说明的实施方式进行各种变形。

因此，以上公开的限定了形状、材质、制造步骤等的记载，只是为了易于理解本发明而作的示例性记载，不能用于限定本发明，采用脱离了上述形状、材质、组合等的限定的一部分或全部的限定的部件名称进行的记载，也包含于本发明中。

例如，在前述实施方式1中，在压电基板20上利用与取出电极45、46相同材质的金属膜形成辅助部70，但辅助部70也可以利用与它们不同的材料，作为辅助部单体形成于压电基板20的表面上。

并且，也可以在盖基板30上形成辅助部。该情况时，在不与IDT电极50和反射器60、61接触的附近区域，例如，与实施方式1的辅助部70和盖基板30的尺寸关系同样地，以与设于盖基板30上的辅助部和表面声波芯片15的尺寸关系相等的尺寸关系，利用与金属接合部41或连接电极73、74的形成步骤连续的步骤形成辅助部。即使形成这种结构，也能够达到本发明的目的。

因此，根据前述实施方式1和实施方式2，可以实现一种表面声波器件，该表面声波器件可以实现小型、薄型化，而且即使压电基板和盖基板因外力而变形时IDT电极和盖基板也不会彼此接触，并且可利用简单的步骤实现该表面声波器件的制造方法。

Claims (10)

1.一种表面声波器件，其特征在于，

所述表面声波器件包括：

表面声波芯片，其具有形成于压电基板的主面上的IDT电极、从所述IDT电极引出的取出电极、和沿着所述压电基板的主面的外周形成的金属接合部；以及

盖基板，其由绝缘性材料构成，具有设于一个主面上的与所述取出电极连接的连接电极、设在另一个主面上的外部电极、和将所述连接电极与所述外部电极进行连接的贯通电极，

在通过在所述金属接合部将所述表面声波芯片和所述盖基板接合而形成的空间的内部，所述IDT电极和所述取出电极被气密密封，

在所述空间的内部，在所述压电基板的主面上形成有辅助部，该辅助部具有即使所述压电基板或所述盖基板变形所述盖基板也不会接触所述IDT电极的高度。

2.根据权利要求1所述的表面声波器件，其特征在于，所述辅助部是在所述IDT电极附近的不与所述IDT电极接触的位置上、沿着所述IDT电极的长度方向形成的金属膜。

3.根据权利要求1所述的表面声波器件，其特征在于，所述取出电极沿着所述IDT电极的长度方向大致设在所述IDT电极的形成区域的范围内，以与所述压电基板和所述盖基板接合时所述空间的高度相同的厚度而形成，兼作为所述辅助部。

4.根据权利要求1所述的表面声波器件，其特征在于，所述辅助部形成于构成所述IDT电极的汇流条的表面。

5.一种表面声波器件的制造方法，其特征在于，该方法包括：

形成表面声波芯片的步骤，该表面声波芯片具有设于压电基板的主面上的IDT电极、从所述IDT电极引出的取出电极、沿着所述压电基板的主面的外周形成的金属接合部和辅助部；

形成盖基板的步骤，该盖基板具有设于一个主面上的与所述取出电极连接的连接电极、设在另一个主面上的外部电极、和将所述连接电极与所述外部电极进行连接的贯通电极；

将所述表面声波芯片和所述盖基板在所述金属接合部接合的步骤；以及

将所述贯通电极气密密封的步骤，

将所述辅助部形成为具有即使所述压电基板或所述盖基板变形，所述盖基板也不会接触所述IDT电极的高度。

6.根据权利要求5所述的表面声波器件的制造方法，其特征在于，所述辅助部的形成步骤包括以下步骤：在所述取出电极或所述金属接合部的形成步骤中，在与所述IDT电极及所述取出电极相分离的位置上，利用与所述取出电极相同的材料形成第1层后，把所述辅助部层叠至规定的厚度。

7.根据权利要求5所述的表面声波器件的制造方法，其特征在于，在所述取出电极的形成步骤中，将所述取出电极沿着所述IDT电极的长度方向大致形成于所述IDT电极的形成区域的范围内，将所述取出电极形成为具有与所述表面声波芯片和所述盖基板接合时所述盖基板的内表面一致的厚度。

8.根据权利要求5所述的表面声波器件的制造方法，其特征在于，所述辅助部的形成步骤包括以下步骤：在所述IDT电极的形成步骤中，在所述IDT电极的附近利用与所述IDT电极相同的步骤形成第1层后，进一步将所述辅助部层叠至规定的厚度。

9.根据权利要求5所述的表面声波器件的制造方法，其特征在于，利用所述IDT电极的形成步骤及所述取出电极的形成步骤之外的另外的辅助部形成步骤，将所述辅助部形成为规定的厚度。

10.根据权利要求5所述的表面声波器件的制造方法，其特征在于，在所述IDT电极的形成步骤之后，在构成所述IDT电极的汇流条表面，利用与所述IDT电极相同的材料将所述辅助部层叠至规定的厚度。

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