CN103415995A - 电子元器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够抑制设置在表面弹性波元器件上的空间被压坏的电子元器件。当从z轴方向俯视时，支撑层(14)包围住压电基板(12)的主表面(S1)上的元器件区域(E)。表面弹性波元器件(18)设置在元器件区域(E)内。保护层(20)设置在支撑层(14)上，且该保护层(20)与主表面(S1)相对。在主表面(S1)、支撑层(14)、以及保护层(20)所包围的空间(Sp)内，支撑构件(16)将主表面(S1)和保护层(20)连接起来，并且该支撑构件(16)不与支撑层(14)相接触。

Description

电子元器件
技术领域
本发明涉及电子元器件，更特定而言，涉及具有表面弹性波元器件的电子元器件。
背景技术
作为现有的具有表面弹性波元器件的电子元器件，例如，已知有专利文献1中记载的弹性波器件。在该弹性波器件中，在压电基板上设置有弹性波元器件。而且，该压电基板被树脂膜覆盖。此处，在弹性波元器件上设置有空洞部，以使树脂膜不与弹性波元器件接触。
然而，专利文献1中所记载的弹性波器件存在如下问题：安装时，空洞部会被压坏。更详细而言，当制作具有弹性波器件的电路模块时，在将弹性波器件安装到基板之后，利用树脂来实施模塑，以覆盖弹性波器件。此时，会对树脂施加较高的压力。因此，在专利文献1所记载的弹性波器件中，可能导致树脂膜因压力而变形，因而使空洞部被压坏。尤其是，随着空洞部的体积变大，该空洞部更易被压坏。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2009－159124号公报
发明内容
发明所要解决的问题
因而，本发明的目的在于提供一种能够抑制设置在表面弹性波元器件上的空间被压坏的电子元器件。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明一个实施方式所涉及的电子元器件的特征在于，具有：基板；支撑层，当从所述基板的主表面的法线方向俯视时，该支撑层包围住该主表面上的规定区域；表面弹性波元器件，该表面弹性波元器件设置在所述规定区域内；保护层，该保护层设置在所述支撑层上，且该保护层与所述主表面相对；以及柱状构件，在所述主表面、所述支撑层以及所述保护层所包围的空间内，该柱状构件将所述主表面和所述保护层连接起来，并且该柱状构件不与所述支撑层相接触。
发明效果
根据本发明，能够抑制设置在表面弹性波元器件上的空间被压坏。
附图说明
图1是俯视SAW滤波器时的图。
图2是沿图1的SAW滤波器的A-A的截面构造图。
图3是图1的SAW滤波器的分解图。
图4是图1的SAW滤波器的等效电路图。
图5是安装有SAW滤波器的电路模块的截面构造图。
图6是制造SAW滤波器时的工序截面图。
图7是制造SAW滤波器时的工序截面图。
图8是第1变形例所涉及的SAW滤波器的截面构造图。
图9是第2变形例所涉及的SAW滤波器的截面构造图。
具体实施方式
下面，对本发明的一个实施方式所涉及的SAW(表面弹性波)滤波器进行说明。
（SAW滤波器的结构）
首先，参照附图对SAW滤波器的结构进行说明。图1是俯视SAW滤波器时的图。图2是沿图1的SAW滤波器10的A-A的截面构造图。图3是图1的SAW滤波器10的分解图。图4是图1的SAW滤波器10的等效电路图。下面，将SAW滤波器10的层叠方向(垂直方向)定义为z轴方向。另外，当从z轴方向俯视SAW滤波器时，将沿着SAW滤波器10的长边的方向定义为x轴方向，将沿着SAW滤波器10的短边的方向定义为y轴方向。
SAW滤波器10如图1至图4所示，具有：压电基板12，支撑层14，柱状构件16，表面弹性波元器件18(18a～18t)，布线19，保护层20、22，凸部(外部连接部)24(24a～24g)，焊盘30(30a～30g)，以及通孔导体V1～V7。
压电基板12形成为长方形的板状，且具有主表面S1(参照图2)。作为压电基板12，采用例如水晶基板、LiTaO3基板、LiNbO3基板、形成有ZnO薄膜的基板等。主表面S1是指压电基板12的2个主表面之中位于z轴方向的正方向侧的主表面。
如图1及图2所示，在压电基板12的主表面S1上规定有元器件区域E。元器件区域E是主表面S1上除了角落部分附近以及各条边附近之外的区域。
如图1及图3所示，当从z轴方向俯视时，支撑层14为包围元器件区域E的长方形的框形。更详细而言，如图3所示，支撑层14具有框部14a以及突起部14b～14g。框部14a为沿着主表面S1的4条边的长方形的框形。突起部14b～14e分别在主表面S1的4个角上、向框部14a的内侧突出。突起部14f、14g分别在主表面S1的y轴方向的正方向侧及负方向侧的长边的中点上、向框部14a的内侧突出。支撑层14起到防止水分等侵入到SAW滤波器10内的作用，该支撑层14利用耐水性优异的绝缘材料(例如，聚酰亚胺)来进行制作。另外，元器件区域E是指在主表面S1中未设置支撑层14的区域。
如图2所示，保护层20设置于支撑层14的z轴方向的正方向侧，且与主表面S1相对。更详细而言，保护层20为与主表面S1基本相同的长方形。而且，通过将保护层20层叠在支撑层14的z轴方向的正方向侧，由此使该保护层20在不与主表面S1接触的情况下，隔着空间与该主表面S1相对。下面，将利用主表面S1、支撑层14、以及保护层20的z轴方向的负方向侧的主表面所包围的空间称为空间Sp。保护层20利用与支撑层14不同的绝缘材料来制作，例如利用环氧来制作。
如图2所示，保护层22设置于保护层20的z轴方向的正方向侧。更详细而言，保护层22为与保护层20相同的长方形，当从z轴方向俯视时，该保护层22以与保护层20一致的状态相重叠。保护层22起到防止水分等侵入到SAW滤波器10内的作用，该保护层22利用耐水性优异的绝缘材料(例如，聚酰亚胺)来进行制作。也就是说，保护层22利用与支撑层14相同的绝缘材料来制作。另外，因为在支撑层14固化后才形成保护层22，因此，在将保护层22直接层叠在支撑层14上的情况下，保护层22与支撑层14较难紧密地接触。因此，在SAW滤波器10中，在支撑层14与保护层22之间设置有保护层20。也就是说，保护层20将支撑层14与保护层22粘接起来。
在空间Sp内，柱状构件16将主表面S1与保护层20的z轴方向的负方向侧的主表面连接起来，并且该柱状构件16不与支撑层14相接触。更详细而言，当从z轴方向的正方向侧俯视时，柱状构件16设置在主表面S1的对角线的交点附近(即，主表面S1的中央附近)，且该柱状构件16是在z轴方向上延伸的圆柱状的绝缘体。柱状构件16利用与支撑层14相同的绝缘材料(即，聚酰亚胺)来制作。柱状构件16能够抑制保护层20、22发生变形而使空间Sp被压坏。
焊盘30a～30f分别由设置于主表面S1的Al、Cu、Ni、Au、Pt等导体层来构成，如图1及图3所示，当从z轴方向俯视时，上述焊盘30a～30f分别与支撑层14的突起部14b～14g相重叠。焊盘30a～30f与后述的通孔导体V1～V6相连接。另外，焊盘30g由设置于主表面S1的Al、Cu、Ni、Au、Pt等导体层来构成，如图1所示，当从z轴方向俯视时，该焊盘30g与主表面S1的对角线的交点相重叠。焊盘30g与后述的通孔导体V7相连接。
如图3所示，通孔导体V1～V6分别在z轴方向上贯穿支撑层14、以及保护层20、22。通孔导体V1～V6在z轴方向的负方向侧的端部分别与焊盘30a～30f相连接。
如图3所示，通孔导体V7在z轴方向上贯穿柱状构件16、以及保护层20、22。也就是说，通孔导体V7在柱状构件16内沿着z轴方向(主表面S1的法线方向)延伸。通孔导体V7的z轴方向的负方向侧的端部与焊盘30g相连接。
凸部24a～24g分别设置在通孔导体V1～V7正上方的保护层22的z轴方向的正方向侧的主表面上，且分别与通孔导体V1～V7的z轴方向的正方向侧的端部相连接。凸部24f相当于外部连接部。凸部24a～24g是在将SAW滤波器10安装到电路基板时、与电路基板的焊盘连接的例如为球状的焊料。
表面弹性波元器件18设置在元器件区域E内。表面弹性波元器件18由形成于主表面S1上的Al、Cu、Ni、Au、Pt等导体层来构成，并通过使2个梳形电极相对来形成IDT(Inter Digital Transducer:叉指换能器)。因而，表面弹性波元器件18构成谐振子，该谐振子具有在取决于梳形电极的间距的谐振频率下的谐振特性。而且，利用多个表面弹性波元器件18来构成具有梯形电路的梯形滤波器。因而，设置尺寸不同的表面弹性波元器件18，以使梯形滤波器具有所希望的通过特性。另外，因为表面弹性波元器件18的结构以及原理与通常的表面弹性波元器件的结构以及原理是相同的，因此，不再进行更详细的说明。
布线19由形成于主表面S1上的Al、Cu、Ni、Au、Pt等导体层来构成，且与表面弹性波元器件18和焊盘30相连接。下面，详细地说明SAW滤波器10的电路结构。
如图4所示，表面弹性波元器件18a～18f串联连接在凸部24a和凸部24b之间。更详细而言，表面弹性波元器件18a的一个梳形电极通过布线19、焊盘30a以及通孔导体V1来与凸部24a相连接。表面弹性波元器件18a的另一个梳形电极通过布线19来与表面弹性波元器件18b的一个梳形电极相连接。表面弹性波元器件18b的另一个梳形电极通过布线19来与表面弹性波元器件18c的一个梳形电极相连接。表面弹性波元器件18c的另一个梳形电极通过布线19来与表面弹性波元器件18d的一个梳形电极相连接。表面弹性波元器件18d的另一个梳形电极通过布线19来与表面弹性波元器件18e的一个梳形电极相连接。表面弹性波元器件18e的另一个梳形电极通过布线19来与表面弹性波元器件18f的一个梳形电极相连接。表面弹性波元器件18f的另一个梳形电极通过布线19、焊盘30b以及通孔导体V2来与凸部24ab相连接。
另外，如图4所示，表面弹性波元器件18g连接在凸部24a和凸部24e之间。更详细而言，表面弹性波元器件18g的一个梳形电极通过布线19、焊盘30a以及通孔导体V1与凸部24a相连接。表面弹性波元器件18g的另一个梳形电极通过布线19、焊盘30e以及通孔导体V5与凸部24e相连接。
另外，如图4所示，表面弹性波元器件18h的一端连接在表面弹性波元器件18b、18c之间，其另一端与凸部24e连接。更详细而言，表面弹性波元器件18h的一个梳形电极通过布线19，与表面弹性波元器件18b的另一个梳形电极及表面弹性波元器件18c的一个梳形电极相连接。表面弹性波元器件18h的另一个梳形电极通过布线19、焊盘30e以及通孔导体V5来与凸部24e相连接。
另外，如图4所示，表面弹性波元器件18i的一端连接在表面弹性波元器件18d、18e之间，其另一端连接在凸部24g、24f之间。更详细而言，表面弹性波元器件18i的一个梳形电极通过布线19，与表面弹性波元器件18d的另一个梳形电极及表面弹性波元器件18e的一个梳形电极相连接。表面弹性波元器件18i的另一个梳形电极通过布线19、焊盘30g以及通孔导体V7与凸部24g相连接，并且还通过布线19、焊盘30f以及通孔导体V6来与凸部24f相连接。
另外，如图4所示，表面弹性波元器件18j的一端与凸部24b相连接，另一端连接在凸部24g、24f之间。更详细而言，表面弹性波元器件18j的一个梳形电极通过布线19、焊盘30b以及通孔导体V2与凸部24b相连接。表面弹性波元器件18j的另一个梳形电极通过布线19、焊盘30g以及通孔导体V7与凸部24g相连接，并且还通过布线19、焊盘30f以及通孔导体V6来与凸部24f相连接。
如图4所示，表面弹性波元器件18k～18p串联连接在凸部24c和凸部24d之间。更详细而言，表面弹性波元器件18k的一个梳形电极通过布线19、焊盘30c以及通孔导体V3来与凸部24c相连接。表面弹性波元器件18k的另一个梳形电极通过布线19来与表面弹性波元器件18l的一个梳形电极相连接。表面弹性波元器件18l的另一个梳形电极通过布线19来与表面弹性波元器件18m的一个梳形电极相连接。表面弹性波元器件18m的另一个梳形电极通过布线19来与表面弹性波元器件18n的一个梳形电极相连接。表面弹性波元器件18n的另一个梳形电极通过布线19来与表面弹性波元器件18o的一个梳形电极相连接。表面弹性波元器件18o的另一个梳形电极通过布线19来与表面弹性波元器件18p的一个梳形电极相连接。表面弹性波元器件18p的另一个梳形电极通过布线19、焊盘30d以及通孔导体V4来与凸部24d相连接。
另外，如图4所示，表面弹性波元器件18q连接在凸部24c和凸部24e之间。更详细而言，表面弹性波元器件18q的一个梳形电极通过布线19、焊盘30c以及通孔导体V3来与凸部24c相连接。表面弹性波元器件18q的另一个梳形电极通过布线19、焊盘30e以及通孔导体V5来与凸部24e相连接。
另外，如图4所示，表面弹性波元器件18r的一端连接在表面弹性波元器件18l、18m之间，其另一端与凸部24e连接。更详细而言，表面弹性波元器件18r的一个梳形电极通过布线19，与表面弹性波元器件18l的另一个梳形电极及表面弹性波元器件18m的一个梳形电极相连接。表面弹性波元器件18r的另一个梳形电极通过布线19、焊盘30e以及通孔导体V5来与凸部24e相连接。
另外，如图4所示，表面弹性波元器件18s的一端连接在表面弹性波元器件18n、18o之间，其另一端连接在凸部24g、24f之间。更详细而言，表面弹性波元器件18s的一个梳形电极通过布线19，与表面弹性波元器件18n的另一个梳形电极及表面弹性波元器件18o的一个梳形电极相连接。表面弹性波元器件18s的另一个梳形电极通过布线19、焊盘30g以及通孔导体V7来与凸部24g相连接，并且还通过布线19、焊盘30f以及通孔导体V6来与凸部24f相连接。
另外，如图4所示，表面弹性波元器件18t的一端与凸部24d相连接，另一端连接在凸部24g、24f之间。更详细而言，表面弹性波元器件18t的一个梳形电极通过布线19、焊盘30d以及通孔导体V4来与凸部24d相连接。表面弹性波元器件18t的另一个梳形电极通过布线19、焊盘30g以及通孔导体V7来与凸部24g相连接，并且还通过布线19、焊盘30f以及通孔导体V6来与凸部24f相连接。
在如上所述构成的SAW滤波器10中，凸部24a用作为900MHz频带的高频信号的输入端子，凸部24b用作为900Mhz频带的高频信号的输出端子。另外，凸部24e～24g接地。由此，表面弹性波元器件18a～18j起到使900MHz频带的高频信号通过的SAW滤波器的作用。
另外，凸部24c用作为850MHz频带的高频信号的输入端子，凸部24d用作为850MHz频带的高频信号的输出端子。另外，凸部24e～24g接地。由此，表面弹性波元器件18k～18t起到使850MHz频带的高频信号通过的SAW滤波器的作用。
如上所述构成的SAW滤波器10安装于电路基板，且被用作为电路模块。下面，参照附图来说明安装有SAW滤波器10的电路模块。图5是安装有SAW滤波器10的电路模块100的截面构造图。
电路模块100具有SAW滤波器10、电路基板102、连接盘104以及模塑树脂106。电路基板102是多层布线基板。连接盘104是设置于电路基板102的主表面上的外部电极。
SAW滤波器10安装于电路基板102上，以使凸部24与连接盘104相接触。在安装时通过使凸部24发生熔融，由此使其在连接盘104上展开。由此，SAW滤波器10固定于电路基板102上。模塑树脂106覆盖于SAW滤波器10以及电路基板102的主表面上。由此，对SAW滤波器10进行保护。
(SAW滤波器10的制造方法)
下面，参照附图对SAW滤波器10的制造方法进行说明。图6及图7是制造SAW滤波器10时的工序截面图。另外，下面对1个SAW滤波器10的制造方法进行说明，但是实际上同时制作排列成矩阵形的多个SAW滤波器10，最后再将其分割成独立的SAW滤波器10。
首先，如图6(a)所示，准备压电基板12。
接着，如图6(b)所示，利用光刻法在压电基板12的主表面S1上形成弹性波元器件18、布线19、以及焊盘30。具体而言，在形成有表面弹性波元器件18、布线19、以及焊盘30的部分，形成具有开口的抗蚀剂图案。然后，在抗蚀剂图案及开口，蒸镀并成膜以Al为主要成分的金属。接着，浸渍到剥离液中，以除去抗蚀剂。此时，抗蚀剂上的金属膜也被除去。由此，在主表面S1上形成了表面弹性波元器件18、布线19、以及焊盘30。
接着，如图6(c)所示，利用光刻法在压电基板12的主表面S1上形成支撑层14、以及柱状构件16。具体而言，利用旋涂法，在压电基板12的主表面S1上涂敷感光性聚酰亚胺。接着，对感光性聚酰亚胺进行曝光以使其显影。进一步地，通过对感光性聚酰亚胺进行加热以使其发生固化，利用氧等离子来除去附着于表面弹性波元器件18上的有机物。由此，形成支撑层14以及柱状构件16。
接着，如图7(a)所示，在支撑层14上形成保护层20、22。具体而言，准备层叠薄膜，该层叠薄膜是通过层叠由环氧薄膜组成的保护层20和由聚酰亚胺薄膜组成的保护层22而得到的。然后，将层叠薄膜配置在支撑层14上，并进行热压接。
然后，如图7(b)所示，向形成有通孔导体V1～V7的位置照射射线，在支撑层14、柱状构件16以及保护层20、22上形成通孔。另外，通孔的形成方法不仅限于照射射线的方法，也可以是光刻法。
然后，如图7(c)所示，利用电镀来在通孔的内部填充导体，以形成通孔导体V1～V7。另外，因为通孔导体V1～V7的周围被支撑层14所包围，因此，能够抑制镀敷液侵入到空间Sp内。
最后，如图2所示，通过在通孔导体V1～V7上印刷焊料糊料，由此形成凸部24a～24g。经过上述工序，完成SAW滤波器10。另外，上述SAW滤波器10的制造方法仅是一个示例，SAW滤波器10也可用其它的方法来制作。
（效果）
根据如上所述构成的SAW滤波器10，能够抑制设置于表面弹性波元器件18上的空间Sp被压坏。更详细而言，当制作专利文献1中所记载的具有弹性波器件的电路模块时，在将弹性波器件安装到基板之后，利用树脂来实施模塑，以覆盖弹性波器件。此时，会对树脂施加较高的压力。因此，在专利文献1所记载的弹性波器件中，可能导致树脂膜因压力而变形，因而使空洞部被压坏。尤其是，随着空洞部的体积变大，该空洞部更易被压坏。
另一方面，在SAW滤波器10中，如图2所示，在空间Sp中设置有柱状构件16，该柱状构件16将主表面S1和保护层20的z轴方向的负方向侧的主表面连接起来。由此，在安装SAW滤波器10时，即使对保护层20、22施加压力，但是由于利用柱状构件16会支撑保护层20、22，因此，能够抑制保护层20、22发生变形。其结果是，在SAW滤波器10中，能够抑制空间Sp被压坏。
另外，在SAW滤波器10中，设计的自由度变高。更详细而言，在SAW滤波器10中，柱状构件16不与支撑层14相接触。也就是说，在离开元器件区域E的支撑层14的位置，能够配置柱状构件16。因此，在元器件区域E内，能够在任意位置配置柱状构件16。因而，在元器件区域E，能够在未设置有表面弹性波元器件18、布线19、以及焊盘30的位置上配置柱状构件16。其结果是，在SAW滤波器10中，设计的自由度变高。
另外，在SAW滤波器10中，能够得到较高的散热性能。更详细而言，在SAW滤波器10中，设置有通孔导体V7，该通孔导体V7在z轴方向上贯穿柱状构件16以及保护层20、22。而且，通孔导体V7通过焊盘30g与布线19相连接。因此，因将RF电压施加到SAW滤波器10而产生的热量会通过通孔导体V7而发散到SAW滤波器10的外部。其结果是，在SAW滤波器10中，能够提高耐电性能。
另外，在SAW滤波器10中，提高了凸部24a和凸部24b之间的衰减特性、以及凸部24c和凸部24d之间的衰减特性，还提高了凸部24a和凸部24b以外的凸部24之间的隔离特性、以及凸部24c和凸部24d以外的凸部24之间的隔离特性。更详细而言，通孔导体V7与施加接地电位的凸部24f相连接。由此，相比于未设置通孔导体V7的情况，在SAW滤波器10中，施加接地电位的部分增多。其结果是，在SAW滤波器10中，提高了衰减特征以及隔离特性。尤其是，在将SAW滤波器10用于便携电话的情况下，在便携电话的双工器电路中，提高了发送接收之间的隔离特性。
另外，在安装有SAW滤波器10的电路模块100中，能够抑制脉动的产生。更详细而言，在SAW滤波器10中，z轴方向发生振动，导致脉动的产生。与此相对地，SAW滤波器10在电路模块100中被模塑树脂106覆盖。因此，z轴方向的振动被模塑树脂106吸收。其结果是，能够抑制脉动的产生。
另外，在SAW滤波器10中，因为通孔导体V7与凸部24f直接连接，因此，不需要用于连接它们的布线。其结果是，能够抑制因布线而产生的电感分量和电容分量，能够抑制SAW滤波器10特性的劣化。
（第1变形例）
下面，参照附图，对第1变形例所涉及的SAW滤波器进行说明。图8是第1变形例所涉及的SAW滤波器10a的截面构造图。
在SAW滤波器10a中，如图8所示，可以不设置凸部24f。即使在SAW滤波器10a中，也能够抑制空间Sp被压坏，并且能够得到较高的散热特性。
（第2变形例）
下面，参照附图，对第2变形例所涉及的SAW滤波器进行说明。图9是第2变形例所涉及的SAW滤波器10b的截面构造图。
在SAW滤波器10b中，如图9所示，可以不设置凸部24f以及通孔导体V7。即使在SAW滤波器10b中，也能够抑制空间Sp被压坏。
（其它的实施方式）
本发明所涉及的SAW滤波器不仅限于上述实施方式所示的SAW滤波器10、10a、10b，在其主旨范围内能够进行变形。
在SAW滤波器10、10a、10b中，可以不设置多个柱状构件16。
另外，柱状构件16为圆柱形，但可以是圆锥形等形状。
另外，优选通孔导体V7的与主表面S1平行的平面的截面面积大于通孔导体V1～V6的与主表面S1平行的平面的截面面积。通孔导体V7是散热效果和接地效果最好的通孔导体。因此，通过使通孔导体V7的截面面积最大，能够提高散热效果和接地效果。而且，通过使通孔导体V7的截面面积变大，能更为有效地抑制空间Sp被压坏。
工业上的实用性
如上所述，本发明适用于电子元器件，在抑制设置于表面弹性波元器件上的空间被压坏这一点上尤为突出。
标号说明
E  元器件区域
S1  主表面
V1～V7  通孔导体
10、10a、10b SAW滤波器
12  压电基板
14  支撑层
14a  框部
14b～14g  突起部
16  柱状构件
18a～18t  表面弹性波元器件
19  布线
20、22  保护层
24a～24g  凸部
30a～30g  焊盘
100  电路模块
102  电路基板
104  连接盘
106  模塑树脂

Claims (10)

1.一种电子元器件，其特征在于，具有:基板；
支撑层，当从所述基板的主表面的法线方向俯视时，该支撑层包围该主表面上的规定区域；
表面弹性波元器件，该表面弹性波元器件设置于所述规定区域内；
保护层，该保护层设置于所述支撑层上，且与所述主表面相对；以及
柱状构件，在所述主表面、所述支撑层及所述保护层所包围的空间内，该柱状构件将所述主表面和所述保护层连接起来，并且该柱状构件不与所述支撑层相接触。
2.如权利要求1中所述的电子元器件，其特征在于，还具有第1通孔导体，该第1通孔导体在所述柱状构件内沿着所述主表面的法线方向延伸。
3.如权利要求2中所述的电子元器件，其特征在于，还具备：布线，该布线与所述第1通孔导体相连接，且该布线设置于所述主表面上；以及
外部连接部，该外部连接部与所述第1通孔导体相连接，且设置于所述第1通孔导体的正上方的所述保护层上，所述外部连接部被施加接地电位。
4.如权利要求1至3中任一项所述的电子元器件，其特征在于，利用相同的材料来制作所述支撑层和所述柱状构件。
5.如权利要求1至4中任一项所述的电子元器件，其特征在于，所述保护层包括：
第1保护层，该第1保护层设置于所述支撑层上，并且利用与该支撑层不同的材料来制作；以及
第2保护层，该第2保护层设置于所述第1保护层上，且利用与所述支撑层相同的材料来制作。
6.如权利要求5中所述的电子元器件，其特征在于，所述第1保护层粘接所述支撑层和所述第2保护层。
7.如权利要求1至6中任一项所述的电子元器件，其特征在于，所述表面弹性波元器件构成表面弹性波滤波器。
8.如权利要求1至7中任一项所述的电子元器件，其特征在于，在所述规定区域内设置多个所述表面弹性波元器件。
9.如权利要求1至8中任一项所述的电子元器件，其特征在于，所述柱状构件设置于所述主表面的中央。
10.如权利要求9中所述的电子元器件，其特征在于，还具有：第1通孔导体，该第1通孔导体在所述柱状构件内沿着所述主表面的法线方向延伸；以及
第2通孔导体，该第2通孔导体在所述支撑层内沿着所述主表面的法线方向延伸，
所述第1通孔导体的与所述主表面平行的面的截面积大于所述第2通孔导体的与该主表面平行的面的截面积。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106301278A (zh) * 2015-06-24 2017-01-04 株式会社村田制作所 弹性波装置
CN106301277A (zh) * 2015-06-24 2017-01-04 株式会社村田制作所 弹性波装置
CN106471738A (zh) * 2014-07-22 2017-03-01 株式会社村田制作所 双工器
CN111512548A (zh) * 2017-12-27 2020-08-07 株式会社村田制作所 弹性波滤波器、多工器、高频前端电路以及通信装置

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101645172B1 (ko) * 2012-09-25 2016-08-03 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치 및 그 제조 방법
WO2014077239A1 (ja) 2012-11-13 2014-05-22 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP6127651B2 (ja) * 2013-03-29 2017-05-17 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子機器、移動体および電子デバイスの製造方法
KR101754193B1 (ko) * 2013-08-02 2017-07-05 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 분파장치
CN105474539B (zh) * 2013-08-20 2017-12-01 株式会社村田制作所 声表面波设备及其制造方法
JP5907195B2 (ja) 2014-02-27 2016-04-26 株式会社村田製作所 電子部品及び電子部品の製造方法
CN107251428B (zh) * 2015-03-27 2020-10-23 株式会社村田制作所 弹性波装置、通信模块设备以及弹性波装置的制造方法
WO2016208287A1 (ja) * 2015-06-24 2016-12-29 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置
JP6350510B2 (ja) * 2015-12-24 2018-07-04 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
WO2017221953A1 (ja) * 2016-06-21 2017-12-28 株式会社村田製作所 弾性波デバイス
US10109903B2 (en) * 2016-10-06 2018-10-23 Invensas Corporation Flipped RF filters and components
KR20180064175A (ko) 2016-12-05 2018-06-14 삼성전기주식회사 탄성파 필터 장치
CN110383686B (zh) * 2017-03-09 2023-02-28 株式会社村田制作所 弹性波装置、弹性波装置封装件、多工器、高频前端电路及通信装置
KR102282201B1 (ko) 2017-08-31 2021-07-26 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치 및 그것을 구비한 탄성파 모듈

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001094390A (ja) * 1999-09-20 2001-04-06 Toshiba Corp 弾性表面波デバイスおよびその製造方法
JP2004129223A (ja) * 2002-07-31 2004-04-22 Murata Mfg Co Ltd 圧電部品およびその製造方法
CN1933327A (zh) * 2005-09-13 2007-03-21 精工爱普生株式会社 表面声波器件及其制造方法
JP2009218762A (ja) * 2008-03-10 2009-09-24 Panasonic Corp 弾性表面波デバイス
JP2009278016A (ja) * 2008-05-16 2009-11-26 Kyocera Corp 電子部品
JP2010245704A (ja) * 2009-04-02 2010-10-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd 弾性表面波素子用基板および弾性表面波装置
JP2010278972A (ja) * 2009-06-01 2010-12-09 Murata Mfg Co Ltd 弾性波装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4965479A (en) * 1987-01-12 1990-10-23 Hewlett-Packard Company Surface transverse wave resonator
RU2153221C2 (ru) * 1994-05-02 2000-07-20 СИМЕНС МАЦУШИТА КОМПОНЕНТС ГмбХ УНД Ко. КГ Устройство корпусирования для электронных конструктивных элементов
JP4377500B2 (ja) 1999-12-24 2009-12-02 京セラ株式会社 弾性表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法
DE10253163B4 (de) * 2002-11-14 2015-07-23 Epcos Ag Bauelement mit hermetischer Verkapselung und Waferscale Verfahren zur Herstellung
JP4576849B2 (ja) * 2004-03-01 2010-11-10 パナソニック株式会社 集積回路装置
US7298231B2 (en) * 2004-05-27 2007-11-20 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device and communication apparatus
WO2006106831A1 (ja) * 2005-04-01 2006-10-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 弾性表面波デバイスおよびその製造方法
DE102005026243B4 (de) * 2005-06-07 2018-04-05 Snaptrack, Inc. Elektrisches Bauelement und Herstellungsverfahren
CN101107776B (zh) 2005-06-16 2010-05-19 株式会社村田制作所 压电器件及其制作方法
EP2501039B1 (en) * 2006-01-18 2015-04-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave device and boundary acoustic wave device
WO2008059674A1 (fr) * 2006-11-13 2008-05-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elément d'onde interne acoustique, dispositif d'onde interne acoustique et leur procédé de fabrication
JP4468436B2 (ja) 2007-12-25 2010-05-26 富士通メディアデバイス株式会社 弾性波デバイスおよびその製造方法
JP4460612B2 (ja) 2008-02-08 2010-05-12 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波デバイス及びその製造方法
JP4722204B2 (ja) 2009-07-27 2011-07-13 京セラ株式会社 弾性表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法
JP4762333B2 (ja) 2009-07-27 2011-08-31 京セラ株式会社 弾性表面波装置
US8471433B2 (en) * 2009-10-14 2013-06-25 Panasonic Corporation Elastic wave device and electronic device using the same
WO2012132147A1 (ja) * 2011-03-28 2012-10-04 株式会社村田製作所 電子部品及びその製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001094390A (ja) * 1999-09-20 2001-04-06 Toshiba Corp 弾性表面波デバイスおよびその製造方法
JP2004129223A (ja) * 2002-07-31 2004-04-22 Murata Mfg Co Ltd 圧電部品およびその製造方法
CN1933327A (zh) * 2005-09-13 2007-03-21 精工爱普生株式会社 表面声波器件及其制造方法
JP2009218762A (ja) * 2008-03-10 2009-09-24 Panasonic Corp 弾性表面波デバイス
JP2009278016A (ja) * 2008-05-16 2009-11-26 Kyocera Corp 電子部品
JP2010245704A (ja) * 2009-04-02 2010-10-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd 弾性表面波素子用基板および弾性表面波装置
JP2010278972A (ja) * 2009-06-01 2010-12-09 Murata Mfg Co Ltd 弾性波装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106471738A (zh) * 2014-07-22 2017-03-01 株式会社村田制作所 双工器
CN106471738B (zh) * 2014-07-22 2019-04-12 株式会社村田制作所 双工器
CN106301278A (zh) * 2015-06-24 2017-01-04 株式会社村田制作所 弹性波装置
CN106301277A (zh) * 2015-06-24 2017-01-04 株式会社村田制作所 弹性波装置
CN106301277B (zh) * 2015-06-24 2019-02-22 株式会社村田制作所 弹性波装置
US10250221B2 (en) 2015-06-24 2019-04-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave device
CN106301278B (zh) * 2015-06-24 2019-07-05 株式会社村田制作所 弹性波装置
CN111512548A (zh) * 2017-12-27 2020-08-07 株式会社村田制作所 弹性波滤波器、多工器、高频前端电路以及通信装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE112012001150T5 (de) 2013-12-05
US20130335171A1 (en) 2013-12-19
WO2012120968A1 (ja) 2012-09-13
DE112012001150B4 (de) 2018-03-01
CN103415995B (zh) 2016-08-17
JP5660197B2 (ja) 2015-01-28
JPWO2012120968A1 (ja) 2014-07-17
US9197192B2 (en) 2015-11-24

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