CN107251428B - 弹性波装置、通信模块设备以及弹性波装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种在安装基板与覆盖构件之间充分填充了注塑树脂并且覆盖构件不易凹陷的弹性波装置。弹性波装置(1)具备:弹性波元件(2),具有:第一支承层(15a1、15a2),设置在压电基板(13)上;第二支承层(15b),设置在压电基板(13)上,使得在俯视的情况下包围第一支承层(15a1、15a2);以及覆盖构件(16),设置在第一支承层(15a1、15a2)上以及第二支承层(15b)上;安装基板(3),安装有弹性波元件(2);以及注塑树脂(7),设置在安装基板(3)上,对弹性波元件(2)进行密封。第一支承层(15a1、15a2)的厚度比第二支承层(15b)的厚度薄。覆盖构件(16)朝向压电基板(13)弯曲为凸状,使得远离安装基板(3)。在安装基板(3)与覆盖构件(16)之间填充有注塑树脂(7)。

Description

弹性波装置、通信模块设备以及弹性波装置的制造方法
技术领域
本发明涉及在安装基板安装有具有WLP(Wafer Level Package,晶片级封装)构造的弹性波元件的弹性波装置、通信模块设备以及弹性波装置的制造方法。
背景技术
以往,在安装基板安装有具有WLP构造的弹性波元件的弹性波装置被广泛用于便携式电话机等。
在下述的专利文献1中的弹性波元件中,在压电基板上设置有支承体,使得包围压电基板上的功能部。进而,在压电基板上,在被支承体包围的部分设置有支承柱。
下述的专利文献2中的弹性波元件,具有中央部弯曲而使得靠近压电基板侧的覆盖构件。弹性波元件从上表面以及下表面被两层绝缘层夹着,并通过第三层的绝缘层覆盖侧面。在对3层绝缘层进行压接时,对覆盖构件施加压力,使覆盖构件弯曲。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第5141852号
专利文献2:日本特开2014-14131号公报
发明内容
发明要解决的课题
近年来,追求弹性波装置的进一步的低高度化。因此,安装基板与弹性波元件的覆盖构件的间隔变得更窄。然而,专利文献1中的覆盖构件是平坦的。因此,在通过注塑树脂对弹性波元件进行密封时,有时安装基板与覆盖构件之间的注塑树脂的填充会不充分。
在专利文献2中,通过压接的3层绝缘层对弹性波元件进行密封。
本发明的目的在于,提供一种在安装基板与覆盖构件之间充分填充有注塑树脂并且覆盖构件不易凹陷的弹性波装置、通信模块设备以及弹性波装置的制造方法。
用于解决课题的技术方案
本发明涉及的弹性波装置具备:弹性波元件,具有:压电基板,具有相互对置的一对主面;激励电极,设置在所述压电基板的一个主面上;至少一个第一支承层,设置在所述压电基板的所述一个主面上;第二支承层,设置在所述压电基板的所述一个主面上,使得在俯视的情况下包围所述激励电极以及所述第一支承层;以及覆盖构件,设置在所述第一支承层、所述第二支承层上,并与所述第二支承层以及所述压电基板一起对所述激励电极进行密封;安装基板,安装有所述弹性波元件;以及注塑树脂,设置在所述安装基板上,对所述弹性波元件进行密封,所述第一支承层的厚度比所述第二支承层的厚度薄,所述覆盖构件朝向所述压电基板弯曲为凸状,使得远离所述安装基板,在所述安装基板与所述覆盖构件之间填充有所述注塑树脂。
在本发明涉及的弹性波装置的某个特定的局面中,所述第一支承层具有作为横穿所述第一支承层的方向的宽度方向,所述第二支承层具有作为横穿所述第二支承层的方向的宽度方向,至少一个所述第一支承层的宽度比所述第二支承层的宽度窄。在该情况下,能够增大配置激励电极等的部分的面积。
在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的局面中,存在多个所述第一支承层,所述多个第一支承层中的至少一个第一支承层的宽度比其它第一支承层的宽度窄,并且所述多个第一支承层中的至少一个第一支承层的厚度比其它第一支承层的厚度薄。在该情况下,能够增大配置激励电极等的部分的面积。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的局面中,在俯视所述弹性波装置的情况下,所述第一支承层在两端与所述第二支承层相接。在该情况下,第一支承层能够在侧面方向上对第二支承层进行支承,因此强度进一步增强。
在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的局面中,所述第一支承层具有一端部以及另一端部,在俯视所述弹性波装置的情况下,所述第一支承层的一端部与所述第二支承层相接,所述第一支承层的另一端部的形状比该另一端部以外的形状大。在该情况下,能够稳定地支承覆盖构件。
本发明涉及的通信模块设备具备:前端部,包含按照本发明构成的弹性波装置;以及有源元件,与所述前端部连接。在该情况下,能够在安装基板与覆盖构件之间更加充分地填充注塑树脂。
本发明涉及的弹性波装置的制造方法具备:制作弹性波元件的工序,所述弹性波元件具有:压电基板,具有相互对置的一对主面;激励电极,设置在所述压电基板的一个主面上;至少一个第一支承层,设置在所述压电基板的所述一个主面上;第二支承层,设置在所述压电基板的所述一个主面上,使得在俯视的情况下包围所述激励电极以及所述第一支承层;以及覆盖构件,设置在所述第一支承层、所述第二支承层上,并与所述第二支承层以及所述压电基板一起对所述激励电极进行密封;将所述弹性波元件安装在安装基板上的工序;以及在所述安装基板上设置注塑树脂,并对所述弹性波元件进行密封的工序,在制作所述弹性波元件的工序中,没置所述第一支承层、所述第二支承层,使得所述第一支承层的厚度比所述第二支承层的厚度薄,并且使所述覆盖构件朝向所述压电基板弯曲为凸状,使得远离所述安装基板,在对所述弹性波元件进行密封的工序中,设置所述注塑树脂,使得所述注塑树脂填充到所述安装基板与所述覆盖构件之间。在该情况下,能够在安装基板与覆盖构件之间更加充分地填充注塑树脂。
在本发明涉及的弹性波装置的制造方法的某个特定的局面中,设置多个所述第一支承层,并将所述多个第一支承层设置为所述多个第一支承层中的至少一个第一支承层的宽度比其它第一支承层的宽度小。在该情况下,能够容易地使至少一个第一支承层的厚度比第二支承层的厚度薄。因此,能够提高生产率。进而,由于具有宽度宽的第一支承层,所以能够提高强度。
发明效果
根据本发明,能够提供一种在安装基板与覆盖构件之间充分填充有注塑树脂并且覆盖构件不易凹陷的弹性波装置、通信模块设备以及弹性波装置的制造方法。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的正面剖视图。
图2(a)是本发明的第一实施方式中的弹性波元件的俯视图,图2(b)是沿着图2(a)中的A-A线的弹性波元件的剖视图。
图3是本发明的第一实施方式的第一变形例中的弹性波元件的正面剖视图。
图4(a)是本发明的第二实施方式中的弹性波元件的俯视图,图4(b)是沿着图4(a)中的B-B线的弹性波元件的剖视图。
图5是本发明的第二实施方式的第二变形例中的弹性波元件的俯视图。
图6(a)~图6(c)是用于说明第二实施方式中的弹性波元件的制造方法的正面剖视图。
图7(a)以及图7(b)是用于说明第二实施方式涉及的弹性波装置的制造方法的正面剖视图。
图8是本发明的第三实施方式中的弹性波元件的正面剖视图。
图9(a)是本发明的第四实施方式中的弹性波元件的俯视图,图9(b)是沿着图9(a)中的C-C线的弹性波元件的激励部的剖视图。
图10是包含本发明的弹性波装置的通信模块设备的正面剖视图。
图11是示出包含本发明的弹性波装置的通信模块设备的一个例子的框图。
具体实施方式
以下,一边参照附图一边对本发明的具体的实施方式进行说明,从而明确本发明。
另外,需要指出的是,本说明书记载的各实施方式是例示性的,能够在不同的实施方式之间进行结构的部分置换或组合。
图1是本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的正面剖视图。另外,在本申请的附图中,利用在矩形中描绘了对角线的简图来表示后述的激励电极。
弹性波装置1具有安装基板3。安装基板3的材料没有特别限定,例如能够使用陶瓷等。
在安装基板3上安装有弹性波元件2。更具体地,在安装基板3上设置有电极连接盘4a、4b。另一方面,将在后面进行详述,但是弹性波元件2具有压电基板13。在压电基板13的图1中的下侧设置有第二支承层15b。在第二支承层15b的下侧设置有覆盖构件16。在覆盖构件16的下侧设置有多个凸块6。凸块6由焊料等构成。弹性波元件2通过凸块6与电极连接盘4a、4b接合。
在安装基板3上设置有注塑树脂7。通过注塑树脂7对弹性波元件2进行密封。
本实施方式的特征在于,覆盖构件16朝向压电基板13弯曲为凸状,使得远离安装基板3。由此,包括覆盖构件16与安装基板3之间在内,能够充分填充注塑树脂7。进而,由于存在对覆盖构件16进行支承的第一支承层15a1、15a2,从而覆盖构件16不易凹陷。即,由于存在第一支承层15a1、15a2,从而能够对覆盖构件16进行支承。因此,能够确保包括覆盖构件16与安装基板3之间在内的、注塑树脂7的高填充性,并且能够具有高耐久性。与弹性波元件2的详细结构一起对此进行说明。
图2(a)是本发明的第一实施方式中的弹性波元件的俯视图。图2(b)是沿着图2(a)的A-A线的弹性波元件的剖视图。
如上所述,弹性波元件2具有压电基板13。如图2(b)所示,压电基板13具有作为相互对置的一对主面的第一主面13a和第二主面13b。压电基板13没有特别限定,例如由LiNbO3、LiTaO3等的压电单晶构成。压电基板13也可以由压电陶瓷等构成。
在压电基板13的作为一个主面的第二主面13b上设置有激励电极。在本实施方式中,激励电极是多个IDT电极14a~14c。通过对各IDT电极14a~14c施加电压,从而分别激励声表面波。虽然未图示,但是在本实施方式中,在IDT电极14a的声表面波传播方向的两侧设置有反射器。由此,构成弹性波谐振器。同样地,还分别构成以IDT电极14b、14c为激励电极的弹性波谐振器。在弹性波元件2中,构成了包含上述各弹性波谐振器的滤波器。另外,弹性波元件2的电路结构没有特别限定。
如图2(a)所示,在压电基板13的第二主面13b上设置有多个第一支承层15a1、15a2以及第二支承层15b。第一支承层15a1设置在IDT电极14a与IDT电极14b之间。第一支承层15a2设置在IDT电极14b与IDT电极14c之间。另外,第一支承层只要至少设置一个即可。
第一支承层15a1、15a2具有与第一支承层15a1、15a2的厚度方向垂直的长度方向L以及宽度方向W1。第二支承层15b具有作为横穿第二支承层15b的方向的宽度方向W2。第一支承层15a1、15a2在从压电基板13的第二主面13b侧的俯视下具有矩形的形状。第一支承层15a1具有长度方向L上的两端部15a11、15a12。第一支承层15a2具有长度方向L上的两端部15a21、15a22。另外,第一支承层15a1、15a2的平面形状没有特别限定。第一支承层15a1、15a2的平面形状例如也可以具有弯折的部分。
第二支承层15b在从压电基板13的第二主面13b侧的俯视下包围IDT电极14a~14c以及第一支承层15a1、15a2。第一支承层15a1的两端部15a11、15a12以及第一支承层15a2的两端部15a21、15a22与第二支承层15b相接。在本实施方式中,第一支承层15a1、15a2的宽度与第二支承层15b的宽度为相同宽度。另外,第一支承层15a1、15a2的宽度与第二支承层15b的宽度也可以是不同的宽度。如图2(b)所示,第一支承层15a1、15a2的厚度比第二支承层15b的厚度薄。
在第一支承层15a1、15a2上以及第二支承层15b上,设置有覆盖构件16。更具体地,覆盖构件16设置为与第一支承层15a1、15a2以及第二支承层15b相接。因此,覆盖构件16成为追随第一支承层15a1、15a2与第二支承层15b的厚度之差的形状。因为第一支承层15a1、15a2的厚度比第二支承层15b的厚度薄,因此覆盖构件16朝向压电基板13弯曲为凸状,使得靠近压电基板13。
凸块下金属层17a、17b设置为贯通第二支承层15b以及覆盖构件16。凸块下金属层17a具有第一端部17a11、第二端部17a12。凸块下金属层17b具有第一端部17b11、第二端部17b12。凸块下金属层17a、17b的第一端部17a11、17b11分别到达压电基板13上。
在覆盖构件16上,设置有多个凸块6。凸块下金属层17a、17b的第二端部17a12、17b12与各凸块6分别连接。虽然未图示,但是IDT电极14a~14c与凸块下金属层17a或凸块下金属层17b电连接。如图1所示,各凸块6与电极连接盘4a、4b接合。IDT电极14a~14c经由电极连接盘4a、4b、各凸块6以及凸块下金属层17a或凸块下金属层17b与安装基板3电连接。
可是,近年来,追求弹性波装置的进一步的低高度化。因此,安装基板与覆盖构件的间隔变得更窄。在设置注塑树脂时,对通过加热而软化的固体的注塑树脂施加压力来进行填充。然而,难以在间隔窄的部分填充注塑树脂。因此,有时在安装基板与覆盖构件之间没有充分填充注塑树脂。
相对于此,返回到图1,在本实施方式中,覆盖构件16朝向压电基板13弯曲为凸状,使得远离安装基板3。因此,安装基板3与覆盖构件16的间隔变宽。因此,能够在安装基板3与覆盖构件16之间容易地填充注塑树脂7。如图1所示,在覆盖构件16以及安装基板3与注塑树脂7之间不存在空隙。像这样,能够可靠地并且充分地填充注塑树脂7。
如图2(a)以及图2(b)所示,覆盖构件16设置为与第一支承层15a1、15a2相接。因此,通过对第一支承层15a1、15a2的厚度进行控制,从而能够对第一支承层15a1、15a2的厚度与第二支承层15b的厚度之差进行控制。由于覆盖构件16成为追随第一支承层15a1、15a2的厚度与第二支承层15b的厚度之差的形状,所以能够可靠地控制覆盖构件16的弯曲程度。而且,通过使第一支承层15a1、15a2的厚度比第二支承层15b的厚度薄,从而如图2(b)所示,覆盖构件16向下侧凹陷。由此,如图1所示,注塑树脂更加充分地填充到安装基板与覆盖构件之间。进而,第一支承层15a1的两端部15a11、15a12以及第一支承层15a2的两端部15a21、15a22与第二支承层15b相接。由此,第一支承层15a1、15a2在侧面方向上对第二支承层15b进行支承,因此强度进一步增强。由于第一支承层15a1、15a2的厚度比第二支承层15b的厚度薄,因此支承层树脂固化时的第一支承层15a1、15a2的热收缩的程度小。因此,第二支承层15b不易变形。因此,不仅能够提高弹性波元件2的厚度方向上的强度,还能够提高侧面方向上的强度。
另外,第一支承层15a1的两端部15a11、15a12以及第一支承层15a2的两端部15a21、15a22未必一定要与第二支承层15b相接。在该情况下,也能够提高厚度方向上的强度,并且能够充分填充注塑树脂。
像本实施方式这样,在设置有多个第一支承层的情况下,也可以是,至少一个第一支承层的宽度比第二支承层的宽度宽。例如,在图3所示的第一变形例的弹性波元件52中,设置有第一支承层55a1、55a2。第一支承层55a2的宽度比第二支承层15b的宽度宽。在该情况下,能够提高弹性波元件的强度。
图4(a)是本发明的第二实施方式中的弹性波元件的俯视图。图4(b)是沿着图4(a)中的B-B线的弹性波元件的剖视图。
弹性波元件22与第一实施方式的不同点在于,第一支承层25a1、25a2的宽度比第二支承层15b的宽度窄。第二实施方式的弹性波元件22以及弹性波装置在上述以外的方面具有与第一实施方式的弹性波元件2以及弹性波装置1同样的结构。
在本实施方式中,也能够扩大安装基板与覆盖构件16的间隔。因此,能够得到与第一实施方式同样的效果。进而,由于第一支承层25a1、25a2的宽度窄,所以能够增大配置IDT电极14a~14c等的部分的面积。或者,也能够减小压电基板13的面积,还能够使弹性波元件22以及弹性波装置为小型。
像图5所示的第二实施方式的第二变形例的弹性波元件62那样,第一支承层65a1、65a2也可以具有宽度比其它部分宽的宽宽度部65A1、65A2。换言之,宽宽度部65A1、65A2的形状比其它部分的形状大。更具体地,宽宽度部65A1配置在包含第一支承层65a1的一端部65a11的位置。第一支承层65a1的包含于宽宽度部65A1的端部65a11与第二支承层15b不相接。第一支承层65a2的一端部65a21也包含于宽宽度部65A2,且与第二支承层15b不相接。由此,能够增大配置IDT电极14a~14c等的部分的面积,并且能够稳定地支承覆盖构件16。
另外,在弹性波元件62中,第一支承层65a1、65a2的另一端部65a12、65a22与第二支承层15b相接。
宽宽度部65A1的位置没有特别限定。另外,优选宽宽度部65A1位于第一支承层65a1的两端部65a11、65a12与第二支承层15b相接的情况下的第一支承层65a1的长度方向L上的中央部附近。上述的位置是在长度方向L上从第二支承层15b最分开的位置。因此,由覆盖构件16、第二支承层15b以及压电基板13构成的中空部容易由于厚度方向上的压力而在上述位置被压扁。通过在上述位置配置宽宽度部65A1,从而能够有效地提高弹性波元件62的强度。对于宽宽度部65A2也是同样的。
宽宽度部65A1也可以配置在不包含第一支承层65a1的端部65a11、65a12中的任一个的位置。宽宽度部65A2也可以配置在不包含第一支承层65a2的端部65a21、65a22中的任一个的位置。此时,例如,第一支承层65a1的两端部65a11、65a12以及第一支承层65a2的两端部65a21、65a22也可以与第二支承层15b相接。在该情况下,能够更加提高弹性波元件62的强度。
如图5所示,宽宽度部65A1、65A2的平面形状为矩形,但是平面形状没有特别限定。例如,也可以是多边形、圆形等。
接着,对第二实施方式涉及的弹性波装置的制造方法进行说明。
图6(a)~图6(c)是用于说明第二实施方式中的弹性波元件的制造方法的正面剖视图。图7(a)以及图7(b)是用于说明第二实施方式涉及的弹性波装置的制造方法的正面剖视图。
如图6(a)所示,准备压电基板13。接着,在压电基板13的第二主面13b上设置IDT电极14a~14c。在设置IDT电极14a~14c时,例如通过溅射法、CVD法等形成金属膜。接着,通过光刻法等,对金属膜进行图案形成。
接着,在压电基板13的第二主面13b上设置第一支承层以及第二支承层。第一支承层以及第二支承层例如能够通过光刻法等来设置。在该情况下,还能够同时设置第一支承层以及第二支承层。
更具体地,如图6(a)所示,在压电基板13的第二主面13b上层叠光固化性树脂层25。接着,对光固化性树脂层25的第一区域25X1以及第二区域25X2同时进行曝光。此时,进行曝光,使得第一区域25X1的宽度小于第二区域25X2的宽度。由此,对光固化性树脂层25的第一区域25X1、第二区域25X2进行光固化。由于不对光固化性树脂层25的第三区域25Y进行曝光,所以第三区域25Y不被光固化。另外,通过调整用于曝光的掩模的图案,从而能够容易地调整第一区域25X1的宽度以及第二区域25X2的宽度。
在上述曝光时,对光固化性树脂层25的第一区域25X1进行曝光的面积小于对第二区域25X2进行曝光的面积。由此,能够使第一区域25X1的光固化反应的速度比第二区域25X2的光固化反应的速度慢。因此,即使对第一区域25X1以及第二区域25X2同时进行曝光,也能够使第一区域25X1的未固化部比第二区域25X2的未固化部多。
接着,如图6(b)所示,通过蚀刻来除去光固化性树脂层的未固化部。由此,从图6(a)所示的光固化性树脂层25的第一区域25X1形成第一支承层25a1、25a2。从光固化性树脂层25的第二区域25X2形成第二支承层15b。
此时,图6(a)所示的第一区域25X1的未固化部比第二区域25X2的未固化部多。因此,第一区域25X1通过蚀刻而被除去的部分比第二区域25X2通过蚀刻而被除去的部分更多。因此,第一支承层25a1、25a2的厚度比第二支承层15b的厚度薄。
通过上述光刻法,能够同时设置第一支承层25a1、25a2以及第二支承层15b。除此以外,通过调整对光固化性树脂层25进行曝光的线宽,从而能够调整第一支承层25a1、25a2以及第二支承层15b的厚度。由此,能够在设置第一支承层25a1、25a2以及第二支承层15b的同时,还形成两者的厚度之差。像这样,能够有效地提高生产率。
另外,设置第一支承层25a1、25a2以及第二支承层15b的方法没有特别限定。第一支承层25a1、25a2以及第二支承层15b的厚度的调整,例如可以通过研磨等来进行。
接着,如图6(c)所示,在第一支承层25a1、25a2上以及第二支承层15b上设置覆盖构件16。此时,将覆盖构件16设置为与第一支承层25a1、25a2以及第二支承层15b相接。由此,使覆盖构件16朝向压电基板13弯曲为凸状。
接着,在覆盖构件16以及第二支承层15b设置多个贯通孔。接着设置凸块下金属层17a、17b,使得填满上述多个贯通孔。凸块下金属层17a、17b例如能够通过电解镀法等来设置。
接着,在覆盖构件16上分别设置凸块6,使得与凸块下金属层17a、17b连接。由此,能够得到弹性波元件22。
接着,如图7(a)所示,将弹性波元件22经由各凸块6与安装基板3上的电极连接盘4a、4b连接。
接着,如图7(b)所示,在安装基板3上设置注塑树脂7。由此,对弹性波元件22进行密封。弹性波元件22的覆盖构件16朝向压电基板13弯曲为凸状,使得远离安装基板3。因此,能够在安装基板3与覆盖构件16之间可靠地并且充分地填充注塑树脂7。由此,能够得到弹性波装置21。
图8是第三实施方式中的弹性波元件的正面剖视图。
弹性波元件32的第一支承层35a2的厚度是与第二支承层15b的厚度相同的厚度,并且第一支承层35a2的宽度是与第二支承层15b的宽度相同的宽度。第一支承层35a1的宽度比第一支承层35a2的宽度窄,并且第一支承层35a1的厚度比第一支承层35a2以及第二支承层15b的厚度薄。第三实施方式的弹性波元件32以及弹性波装置在上述方面以外具有与第一实施方式的弹性波元件2以及弹性波装置1同样的结构。
即使在该情况下,覆盖构件36也朝向压电基板13侧弯曲为凸状。因此,能够得到与第一实施方式同样的效果。
第一支承层35a1与第一支承层35a2以及第二支承层15b的宽度以及厚度之差,能够通过与第二实施方式的弹性波元件22的制造方法同样的方法来容易地设置。因此,能够提高生产率。进而,由于具有宽度宽的第一支承层35a2,因此强度高。另外,第一支承层35a1的宽度也可以是第一支承层35a2的宽度以上的宽度。
第一实施方式、第二实施方式以及第三实施方式中的弹性波元件2、22以及32利用声表面波。本发明不限于利用声表面波的弹性波元件,还能够应用于具有利用体波的弹性波元件的弹性波装置。
图9(a)是本发明的第四实施方式中的弹性波元件的俯视图。图9(b)是沿着图9(a)中的C-C的弹性波元件的激励部的剖视图。另外,在图9(a)中,利用在矩形中描绘了对角线的简图来表示激励部。
弹性波元件42是隔膜型的弹性波元件。在弹性波元件42中,激励体波。在第四实施方式中,激励体波的部分的结构与第一实施方式不同。进而,弹性波元件42的基板48不限于压电基板。在上述方面以外,第四实施方式的弹性波元件42以及弹性波装置具有与第一实施方式的弹性波元件2以及弹性波装置1同样的结构。
如图9(a)所示,弹性波元件42具有基板48。基板48的材料没有特别限定,能够使用陶瓷等。
在基板48上,构成有作为激励体波的部分的激励部44A~44C。激励部44A~44C均具有同样的结构。使用图9(b)对激励部44A的结构进行说明。
在基板48上设置有电介质膜49。电介质膜49具有与基板48相接的第一部分49a和不与基板48相接的第二部分49b。在基板48与电介质膜49的第二部分49b之间配置有空隙D。电介质膜49没有特别限定,例如可以由SiO2、SiN等构成。
在电介质膜49上设置有第一电极44a。在电介质膜49上以及第一电极44a上设置有压电体膜43。在压电体膜43上设置有第二电极44b。第一电极44a和第二电极44b具有隔着压电体膜43相互对置的部分。
通过对第一电极44a以及第二电极44b施加电压,从而激励体波。在像上述那样进行激励的部分与基板48之间配置有空隙D。像这样,激励部44A具有隔膜型的结构。
第四实施方式的弹性波装置,具有图1中的IDT电极14a~14c置换为激励部44A~44C的结构。因此,在本实施方式中,也能够得到与第一实施方式同样的效果。
本发明的弹性波装置被广泛用于各种各样的电子设备、通信设备。使用图10对该例子进行说明。
图10是包含本发明的弹性波装置的通信模块设备的正面剖视图。
在通信模块设备10的安装基板3上安装有弹性波元件2以及元件5A、5B。元件5A、5B可以是电容器、电阻等无源元件,也可以是IC、晶体管等有源元件。另外,安装在安装基板3上的元件的个数以及种类没有特别限定。
图11是示出包含本发明的弹性波装置的通信模块设备的一个例子的框图。
通信模块设备10例如具有前端部2A和与前端部2A连接的有源元件2B。更具体地,前端部2A包含多个弹性波元件2和开关2Aa。通过开关2Aa对所使用的弹性波元件2进行切换。前端部2A与天线2C连接。作为有源元件2B,例如能够举出PA(Power Amplifier,功率放大器)、LNA(Low Noise Amplifier,低噪声放大器)等。该通信模块设备10用于移动体通信设备、保健通信设备等。
作为移动体通信设备,有便携式电话、智能电话、车载导航仪等。作为保健设备,有体重计、体脂计等。保健设备、移动体通信设备具备天线、RF模块、LSI、显示器、输入部、电源等。
在此,在安装基板上安装有多个元件的情况下,需要在多个元件彼此之间填充注塑树脂。因此,难以在安装基板与弹性波元件的覆盖构件之间充分填充注塑树脂。相对于此,如图10所示,本发明的通信模块设备10中的弹性波元件2的覆盖构件16朝向压电基板13弯曲为凸状,使得远离安装基板3。因此,能够可靠地并且充分地填充注塑树脂7。
附图标记说明
1:弹性波装置;
2:弹性波元件;
2A:前端部;
2Aa:开关;
2B:有源元件;
2C:天线;
3:安装基板;
4a、4b:电极连接盘;
5A、5B:元件;
6:凸块;
7:注塑树脂;
10:通信模块设备;
13:压电基板;
13a、13b:第一主面、第二主面;
14a~14c:IDT电极;
15a1、15a2:第一支承层;
15a11、15a12、15a21、15a22:端部;
15b:第二支承层;
16:覆盖构件;
17a、17b:凸块下金属层;
17a11、17b11:第一端部;
17a12、17b12:第二端部;
21:弹性波装置;
22:弹性波元件;
25:光固化性树脂层;
25a1、25a2:第一支承层;
25X1、25X2:第一区域、第二区域;
25Y:第三区域;
32:弹性波元件;
35a1、35a2:第一支承层;
36:覆盖构件;
42:弹性波元件;
43:压电体膜;
44A~44C:激励部;
44a、44b:第一电极、第二电极;
48:基板;
49:电介质膜;
49a、49b:第一部分、第二部分;
52:弹性波元件;
55a1、55a2:第一支承层;
62:弹性波元件;
65A1、65A2:宽宽度部;
65a1、65a2:第一支承层;
65a11、65a12、65a21、65a22:端部。

Claims (8)

1.一种弹性波装置,具备:
弹性波元件,具有:压电基板,具有相互对置的一对主面;激励电极,设置在所述压电基板的一个主面上;至少一个第一支承层,设置在所述压电基板的所述一个主面上;第二支承层,设置在所述压电基板的所述一个主面上,使得在从所述压电基板的所述一个主面侧俯视的情况下包围所述激励电极以及所述第一支承层;以及覆盖构件,设置在所述第一支承层、所述第二支承层上,并与所述第二支承层以及所述压电基板一起对所述激励电极进行密封;
安装基板,安装有所述弹性波元件;以及
注塑树脂,设置在所述安装基板上,对所述弹性波元件进行密封,
所述第一支承层的厚度比所述第二支承层的厚度薄,
所述覆盖构件朝向所述压电基板弯曲为凸状,使得远离所述安装基板,
在所述安装基板与所述覆盖构件之间填充有所述注塑树脂。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,
所述第一支承层具有作为横穿所述第一支承层的方向的宽度方向,
所述第二支承层具有作为横穿所述第二支承层的方向的宽度方向,
至少一个所述第一支承层的宽度比所述第二支承层的宽度窄。
3.根据权利要求2所述的弹性波装置,其中,
存在多个所述第一支承层,
所述多个第一支承层中的至少一个第一支承层的宽度比其它第一支承层的宽度窄,并且所述多个第一支承层中的至少一个第一支承层的厚度比其它第一支承层的厚度薄。
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的弹性波装置,其中,
在从所述压电基板的所述一个主面侧俯视所述弹性波装置的情况下,所述第一支承层在两端与所述第二支承层相接。
5.根据权利要求1~3中的任一项所述的弹性波装置,其中,
所述第一支承层具有一端部以及另一端部,在从所述压电基板的所述一个主面侧俯视所述弹性波装置的情况下,所述第一支承层的一端部与所述第二支承层相接,所述第一支承层的另一端部的形状比该另一端部以外的形状大。
6.一种通信模块设备,具备:
前端部,包含权利要求1~5中的任一项所述的弹性波装置;以及
有源元件,与所述前端部连接。
7.一种弹性波装置的制造方法,具备:
制作弹性波元件的工序,所述弹性波元件具有:压电基板,具有相互对置的一对主面;激励电极,设置在所述压电基板的一个主面上;至少一个第一支承层,设置在所述压电基板的所述一个主面上;第二支承层,设置在所述压电基板的所述一个主面上,使得在从所述压电基板的所述一个主面侧俯视的情况下包围所述激励电极以及所述第一支承层;以及覆盖构件,设置在所述第一支承层、所述第二支承层上,并与所述第二支承层以及所述压电基板一起对所述激励电极进行密封;
将所述弹性波元件安装在安装基板上的工序;以及
在所述安装基板上设置注塑树脂,并对所述弹性波元件进行密封的工序,
在制作所述弹性波元件的工序中,设置所述第一支承层、所述第二支承层,使得所述第一支承层的厚度比所述第二支承层的厚度薄,并且使所述覆盖构件朝向所述压电基板弯曲为凸状,使得远离所述安装基板,
在对所述弹性波元件进行密封的工序中,设置所述注塑树脂,使得所述注塑树脂填充到所述安装基板与所述覆盖构件之间。
8.根据权利要求7所述的弹性波装置的制造方法,其中,
设置多个所述第一支承层,并将所述多个第一支承层设置为所述多个第一支承层中的至少一个第一支承层的宽度比其它第一支承层的宽度小。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5797356B2 (ja) * 2013-09-26 2015-10-21 京セラ株式会社 弾性波装置および弾性波モジュール
US20200220513A1 (en) * 2016-03-11 2020-07-09 Akoustis, Inc. Wireless communication infrastructure system configured with a single crystal piezo resonator and filter structure using thin film transfer process
KR101953219B1 (ko) * 2016-11-24 2019-02-28 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
CN106935700A (zh) * 2017-03-24 2017-07-07 苏州权素船舶电子有限公司 一种电子元器件
CN111052607B (zh) 2017-08-31 2023-10-17 株式会社村田制作所 弹性波装置以及具备该弹性波装置的弹性波模块
WO2021010164A1 (ja) * 2019-07-16 2021-01-21 株式会社村田製作所 電子部品および電子部品の製造方法
JP7302897B2 (ja) * 2021-08-19 2023-07-04 三安ジャパンテクノロジー株式会社 モジュールの製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000261284A (ja) * 1999-03-05 2000-09-22 Kyocera Corp 弾性表面波装置及びその製造方法
WO2012144370A1 (ja) * 2011-04-19 2012-10-26 京セラ株式会社 電子部品および弾性波装置
WO2013027760A1 (ja) * 2011-08-22 2013-02-28 京セラ株式会社 弾性波装置および電子部品
CN202931260U (zh) * 2012-11-14 2013-05-08 日本碍子株式会社 用于弹性波装置的复合基板
CN103824932A (zh) * 2012-11-15 2014-05-28 日本电波工业株式会社 压电零件
CN104205631A (zh) * 2012-03-26 2014-12-10 株式会社村田制作所 弹性波装置及其制造方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7011134B2 (en) * 2000-10-13 2006-03-14 Chien-Min Sung Casting method for producing surface acoustic wave devices
WO2002063763A1 (fr) * 2001-02-06 2002-08-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif de traitement des ondes acoustiques de surface, procede de fabrication associe, et dispositif a circuit electronique
US6829691B2 (en) * 2002-06-28 2004-12-07 Hewlett-Packard Development, L.P. System for compressing/decompressing data
JP5269301B2 (ja) * 2006-07-21 2013-08-21 太陽誘電株式会社 弾性表面波装置
JP2008131152A (ja) * 2006-11-17 2008-06-05 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイス
JP5077714B2 (ja) * 2008-02-18 2012-11-21 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
CN102204094B (zh) * 2008-11-10 2014-01-15 松下电器产业株式会社 弹性波元件及使用了该弹性波元件的电子设备
DE112012001150B4 (de) * 2011-03-09 2018-03-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elektronische Komponente
JP2012199833A (ja) 2011-03-22 2012-10-18 Taiyo Yuden Co Ltd 電子部品、電子デバイス、及び電子部品の製造方法
CN103460599B (zh) 2011-03-28 2016-08-17 株式会社村田制作所 电子部件及其制造方法
JP2013038471A (ja) * 2011-08-03 2013-02-21 Taiyo Yuden Co Ltd 弾性波フィルタ
WO2013128823A1 (ja) * 2012-02-28 2013-09-06 パナソニック株式会社 弾性波装置およびその製造方法
JP5358724B1 (ja) * 2012-06-28 2013-12-04 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス内蔵モジュール及び通信装置
WO2014077239A1 (ja) * 2012-11-13 2014-05-22 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2014171036A1 (ja) * 2013-04-18 2014-10-23 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JP2014212409A (ja) * 2013-04-18 2014-11-13 セイコーエプソン株式会社 Mems振動子、電子機器、及び移動体
KR101825499B1 (ko) * 2013-08-13 2018-02-05 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치
JP5856592B2 (ja) 2013-08-30 2016-02-10 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス内蔵モジュール及び通信装置
JP5797356B2 (ja) * 2013-09-26 2015-10-21 京セラ株式会社 弾性波装置および弾性波モジュール
JP6355013B2 (ja) * 2014-01-28 2018-07-11 ナガセケムテックス株式会社 中空部を有する実装構造体およびその製造方法
WO2015151514A1 (ja) * 2014-03-31 2015-10-08 ナガセケムテックス株式会社 中空部を有する回路部材および実装構造体、ならびに実装構造体の製造方法
CN107210728B (zh) * 2015-03-16 2020-11-17 株式会社村田制作所 弹性波装置及其制造方法
KR101958134B1 (ko) * 2015-03-27 2019-03-13 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 전자 부품

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000261284A (ja) * 1999-03-05 2000-09-22 Kyocera Corp 弾性表面波装置及びその製造方法
WO2012144370A1 (ja) * 2011-04-19 2012-10-26 京セラ株式会社 電子部品および弾性波装置
WO2013027760A1 (ja) * 2011-08-22 2013-02-28 京セラ株式会社 弾性波装置および電子部品
CN104205631A (zh) * 2012-03-26 2014-12-10 株式会社村田制作所 弹性波装置及其制造方法
CN202931260U (zh) * 2012-11-14 2013-05-08 日本碍子株式会社 用于弹性波装置的复合基板
CN103824932A (zh) * 2012-11-15 2014-05-28 日本电波工业株式会社 压电零件

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