JPWO2016158050A1 - 弾性波装置、通信モジュール機器及び弾性波装置の製造方法 - Google Patents

弾性波装置、通信モジュール機器及び弾性波装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2016158050A1
JPWO2016158050A1 JP2017509361A JP2017509361A JPWO2016158050A1 JP WO2016158050 A1 JPWO2016158050 A1 JP WO2016158050A1 JP 2017509361 A JP2017509361 A JP 2017509361A JP 2017509361 A JP2017509361 A JP 2017509361A JP WO2016158050 A1 JPWO2016158050 A1 JP WO2016158050A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
support layer
wave device
support
acoustic wave
cover member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017509361A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6521059B2 (ja
Inventor
大輔 関家
大輔 関家
拓 菊知
拓 菊知
康彦 平野
康彦 平野
大志 田中
大志 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of JPWO2016158050A1 publication Critical patent/JPWO2016158050A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6521059B2 publication Critical patent/JP6521059B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0504—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices
    • H03H9/0514—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
    • H03H9/0523—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps for flip-chip mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0542—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a lateral arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
    • H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/105—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the BAW device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/02—Forming enclosures or casings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

実装基板とカバー部材との間にモールド樹脂が充分に充填されており、かつ、カバー部材が凹みにくい、弾性波装置を提供する。弾性波装置１は、圧電基板１３上に設けられている第１の支持層１５ａ１，１５ａ２と、平面視した場合において、第１の支持層１５ａ１，１５ａ２を囲むように、圧電基板１３上に設けられている第２の支持層１５ｂと、第１の支持層１５ａ１，１５ａ２上及び第２の支持層１５ｂ上に設けられているカバー部材１６とを有する弾性波素子２と、弾性波素子２が実装されている実装基板３と、実装基板３上に設けられており、弾性波素子２を封止しているモールド樹脂７とを備える。第２の支持層１５ｂの厚みよりも第１の支持層１５ａ１，１５ａ２の厚みは薄い。カバー部材１６は、実装基板３から遠ざかるように圧電基板１３に向かって凸状に湾曲している。実装基板３とカバー部材１６との間にモールド樹脂７が充填されている。

Description

本発明は、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）構造を有する弾性波素子が実装基板に実装されている弾性波装置、通信モジュール機器及び弾性波装置の製造方法に関する。
従来、ＷＬＰ構造を有する弾性波素子が実装基板に実装されている弾性波装置が、携帯電話機などに広く用いられている。
下記の特許文献１における弾性波素子では、圧電基板上の機能部を囲むように、圧電基板上に支持体が設けられている。さらに、圧電基板上には、支持体に囲まれている部分に支持柱が設けられている。
下記の特許文献２における弾性波素子は、圧電基板側に近づくように中央部が湾曲しているカバー部材を有する。弾性波素子は、上面及び下面から２層の絶縁層により挟まれており、側面を３層目の絶縁層により覆われている。３層の絶縁層を圧着するに際し、カバー部材に圧力が加わり、カバー部材が湾曲するとしている。
特許第５１４１８５２号 特開２０１４−１４１３１号公報
近年では、弾性波装置のさらなる低背化が求められている。よって、実装基板と弾性波素子のカバー部材との間隔がより狭くなっている。しかしながら、特許文献１におけるカバー部材は平坦である。そのため、弾性波素子をモールド樹脂により封止するに際し、実装基板とカバー部材との間のモールド樹脂の充填が充分でないことがあった。
特許文献２では、圧着された３層の絶縁層により弾性波素子が封止されている。
本発明の目的は、実装基板とカバー部材との間にモールド樹脂が充分に充填されており、かつ、カバー部材が凹みにくい、弾性波装置、通信モジュール機器及び弾性波装置の製造方法を提供することにある。
本発明に係る弾性波装置は、対向し合っている一対の主面を有する圧電基板と、前記圧電基板の一方主面上に設けられている励振電極と、前記圧電基板の前記一方主面上に設けられている少なくとも１個の第１の支持層と、平面視した場合において、前記励振電極及び前記第１の支持層を囲むように、前記圧電基板の前記一方主面上に設けられている第２の支持層と、前記第１，第２の支持層上に設けられており、前記第２の支持層及び前記圧電基板と共に前記励振電極を封止しているカバー部材とを有する弾性波素子と、前記弾性波素子が実装されている実装基板と、前記実装基板上に設けられており、前記弾性波素子を封止しているモールド樹脂とを備え、前記第２の支持層の厚みよりも前記第１の支持層の厚みが薄く、前記カバー部材が、前記実装基板から遠ざかるように前記圧電基板に向かって凸状に湾曲しており、前記実装基板と前記カバー部材との間に前記モールド樹脂が充填されている。
本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記第１の支持層が、前記第１の支持層を横断する方向としての幅方向を有し、前記第２の支持層が、前記第２の支持層を横断する方向としての幅方向を有し、少なくとも１個の前記第１の支持層の幅が、前記第２の支持層の幅よりも狭い。この場合には、励振電極などを配置する部分の面積を大きくすることができる。
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記第１の支持層が複数存在し、前記複数の第１の支持層の内少なくとも１個の第１の支持層の幅が、他の第１の支持層の幅よりも狭く、かつ前記複数の第１の支持層の内少なくとも１個の第１の支持層の厚みが、他の第１の支持層の厚みよりも薄い。この場合には、励振電極などを配置する部分の面積を大きくすることができる。
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記弾性波装置を平面視した場合に、前記第１の支持層が前記第２の支持層と両端で接している。この場合には、第１の支持層は、第２の支持層を側面方向において支持することができるので、強度が一層強くなる。
本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記第１の支持層が一方端部及び他方端部を有し、前記弾性波装置を平面視した場合に、前記第１の支持層の一方端部が前記第２の支持層と接しており、前記第１の支持層の他方端部の形状が、該他方端部以外の形状よりも大きい。この場合には、カバー部材を安定に支持することができる。
本発明に係る通信モジュール機器は、本発明に従って構成された弾性波装置を含むフロントエンド部と、前記フロントエンド部に接続されている能動素子とを備える。この場合には、実装基板とカバー部材との間にモールド樹脂をより一層充分に充填することができる。
本発明に係る弾性波装置の製造方法は、対向し合っている一対の主面を有する圧電基板と、前記圧電基板の一方主面上に設けられている励振電極と、前記圧電基板の前記一方主面上に設けられている少なくとも１個の第１の支持層と、平面視した場合において、前記励振電極及び前記第１の支持層を囲むように、前記圧電基板の前記一方主面上に設けられている第２の支持層と、前記第１，第２の支持層上に設けられており、前記第２の支持層及び前記圧電基板と共に前記励振電極を封止しているカバー部材とを有する弾性波素子を作製する工程と、前記弾性波素子を実装基板上に実装する工程と、前記実装基板上にモールド樹脂を設け、前記弾性波素子を封止する工程とを備え、前記弾性波素子を作製する工程では、前記第２の支持層の厚みよりも前記第１の支持層の厚みが薄くなるように、前記第１，第２の支持層を設け、かつ前記カバー部材を、前記実装基板から遠ざかるように前記圧電基板に向かって凸状に湾曲させ、前記弾性波素子を封止する工程では、前記実装基板と前記カバー部材との間に前記モールド樹脂が充填されるように、前記モールド樹脂を設ける。この場合には、実装基板とカバー部材との間にモールド樹脂をより一層充分に充填することができる。
本発明に係る弾性波装置の製造方法のある特定の局面では、前記第１の支持層を複数設け、前記複数の第１の支持層の内少なくとも１個の第１の支持層の幅が、他の第１の支持層の幅よりも小さくなるように前記複数の第１の支持層を設ける。この場合には、第２の支持層の厚みよりも、少なくとも１個の第１の支持層の厚みを容易に薄くすることができる。よって、生産性を高めることができる。さらに、幅が広い第１の支持層を有するため、強度を高めることができる。
本発明によれば、実装基板とカバー部材との間にモールド樹脂が充分に充填されており、かつ、カバー部材が凹みにくい、弾性波装置、通信モジュール機器及び弾性波装置の製造方法を提供することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。 図２（ａ）は、本発明の第１の実施形態における弾性波素子の平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う弾性波素子の断面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態の第１の変形例における弾性波素子の正面断面図である。 図４（ａ）は、本発明の第２の実施形態における弾性波素子の平面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）中のＢ−Ｂ線に沿う弾性波素子の断面図である。 図５は、本発明の第２の実施形態の第２の変形例における弾性波素子の平面図である。 図６（ａ）〜図６（ｃ）は、第２の実施形態における弾性波素子の製造方法を説明するための正面断面図である。 図７（ａ）及び図７（ｂ）は、第２の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための正面断面図である。 図８は、本発明の第３の実施形態における弾性波素子の正面断面図である。 図９（ａ）は、本発明の第４の実施形態における弾性波素子の平面図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）中のＣ−Ｃ線に沿う弾性波素子の励振部の断面図である。 図１０は、本発明の弾性波装置を含む通信モジュール機器の正面断面図である。 図１１は、本発明の弾性波装置を含む通信モジュール機器の一例を示すブロック図である。
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。なお、本願の図面においては、後述する励振電極を、矩形に対角線を引いた略図により示す。
弾性波装置１は、実装基板３を有する。実装基板３の材料は特に限定されないが、例えば、セラミックスなどが用いられ得る。
実装基板３上には、弾性波素子２が実装されている。より具体的には、実装基板３上には、電極ランド４ａ，４ｂが設けられている。他方、詳細は後述するが、弾性波素子２は、圧電基板１３を有する。圧電基板１３の図１における下側には、第２の支持層１５ｂが設けられている。第２の支持層１５ｂの下側には、カバー部材１６が設けられている。カバー部材１６の下側には、複数のバンプ６が設けられている。バンプ６は、半田などからなる。弾性波素子２は、バンプ６により、電極ランド４ａ，４ｂに接合されている。
実装基板３上には、モールド樹脂７が設けられている。モールド樹脂７により、弾性波素子２が封止されている。
本実施形態の特徴は、カバー部材１６が実装基板３から遠ざかるように圧電基板１３に向かって凸状に湾曲していることにある。それによって、カバー部材１６と実装基板３との間を含めて、モールド樹脂７を充分に充填することが可能になる。さらに、カバー部材１６を支える第１の支持層１５ａ１，１５ａ２があることによって、カバー部材１６が凹みにくくなる。すなわち、第１の支持層１５ａ１，１５ａ２があることによって、カバー部材１６を支えることができる。従って、カバー部材１６と実装基板３との間を含めた、モールド樹脂７の高い充填性を担保しつつ、高い耐久性を有することが可能となる。これを、弾性波素子２の構成の詳細と共に説明する。
図２（ａ）は、本発明の第１の実施形態における弾性波素子の平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線に沿う弾性波素子の断面図である。
上述したように、弾性波素子２は、圧電基板１３を有する。図２（ｂ）に示すように、圧電基板１３は、対向し合っている一対の主面である、第１の主面１３ａと第２の主面１３ｂとを有する。圧電基板１３は、特に限定されないが、例えば、ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３などの圧電単結晶からなる。圧電基板１３は、圧電セラミックスなどからなっていてもよい。
圧電基板１３の一方の主面としての第２の主面１３ｂ上には、励振電極が設けられている。本実施形態では、励振電極は、複数のＩＤＴ電極１４ａ〜１４ｃである。各ＩＤＴ電極１４ａ〜１４ｃに電圧を印加することにより、弾性表面波がそれぞれ励振される。図示されていないが、本実施形態では、ＩＤＴ電極１４ａの弾性表面波伝搬方向の両側には、反射器が設けられている。それによって、弾性波共振子が構成されている。同様に、ＩＤＴ電極１４ｂ，１４ｃを励振電極とする弾性波共振子も、それぞれ構成されている。弾性波素子２においては、上記各弾性波共振子を含むフィルタが構成されている。なお、弾性波素子２の回路構成は、特に限定されない。
図２（ａ）に示すように、圧電基板１３の第２の主面１３ｂ上には、複数の第１の支持層１５ａ１，１５ａ２及び第２の支持層１５ｂが設けられている。第１の支持層１５ａ１は、ＩＤＴ電極１４ａとＩＤＴ電極１４ｂとの間に設けられている。第１の支持層１５ａ２は、ＩＤＴ電極１４ｂとＩＤＴ電極１４ｃとの間に設けられている。なお、第１の支持層は、少なくとも１個設けられていればよい。
第１の支持層１５ａ１，１５ａ２は、第１の支持層１５ａ１，１５ａ２の厚み方向に垂直な長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗ１を有する。第２の支持層１５ｂは、第２の支持層１５ｂを横断する方向としての幅方向Ｗ２を有する。第１の支持層１５ａ１，１５ａ２は、圧電基板１３の第２の主面１３ｂ側からの平面視において、矩形状の形状を有する。第１の支持層１５ａ１は、長さ方向Ｌの両端部１５ａ１１，１５ａ１２を有する。第１の支持層１５ａ２は、長さ方向Ｌの両端部１５ａ２１，１５ａ２２を有する。なお、第１の支持層１５ａ１，１５ａ２の平面形状は特に限定されない。第１の支持層１５ａ１，１５ａ２の平面形状は、例えば、屈曲している部分を有してもよい。
第２の支持層１５ｂは、圧電基板１３の第２の主面１３ｂ側からの平面視において、ＩＤＴ電極１４ａ〜１４ｃ及び第１の支持層１５ａ１，１５ａ２を囲んでいる。第１の支持層１５ａ１の両端部１５ａ１１，１５ａ１２及び第１の支持層１５ａ２の両端部１５ａ２１，１５ａ２２は、第２の支持層１５ｂに接している。本実施形態では、第１の支持層１５ａ１，１５ａ２の幅と第２の支持層１５ｂの幅とは同じ広さである。なお、第１の支持層１５ａ１，１５ａ２の幅と第２の支持層１５ｂの幅とは異なる広さであってもよい。図２（ｂ）に示すように、第２の支持層１５ｂの厚みよりも第１の支持層１５ａ１，１５ａ２の厚みは薄い。
第１の支持層１５ａ１，１５ａ２上及び第２の支持層１５ｂ上には、カバー部材１６が設けられている。より具体的には、カバー部材１６は、第１の支持層１５ａ１，１５ａ２及び第２の支持層１５ｂに接するように設けられている。よって、カバー部材１６は、第１の支持層１５ａ１，１５ａ２及び第２の支持層１５ｂの厚みの差に追従した形状となっている。第２の支持層１５ｂの厚みよりも第１の支持層１５ａ１，１５ａ２の厚みは薄いため、カバー部材１６は、圧電基板１３に近づくように圧電基板１３に向かって凸状に湾曲している。
第２の支持層１５ｂ及びカバー部材１６を貫通するように、アンダーバンプメタル層１７ａ，１７ｂが設けられている。アンダーバンプメタル層１７ａは、第１，第２の端部１７ａ１１，１７ａ１２を有する。アンダーバンプメタル層１７ｂは、第１，第２の端部１７ｂ１１，１７ｂ１２を有する。アンダーバンプメタル層１７ａ，１７ｂの第１の端部１７ａ１１，１７ｂ１１は、圧電基板１３上にそれぞれ至っている。
カバー部材１６上には、複数のバンプ６が設けられている。アンダーバンプメタル層１７ａ，１７ｂの第２の端部１７ａ１２，１７ｂ１２は、各バンプ６にそれぞれ接続されている。図示されていないが、ＩＤＴ電極１４ａ〜１４ｃは、アンダーバンプメタル層１７ａまたはアンダーバンプメタル層１７ｂに電気的に接続されている。図１に示したように、各バンプ６は、電極ランド４ａ，４ｂに接合されている。電極ランド４ａ，４ｂ、各バンプ６並びにアンダーバンプメタル層１７ａまたはアンダーバンプメタル層１７ｂを介して、ＩＤＴ電極１４ａ〜１４ｃは実装基板３に電気的に接続されている。
ところで、近年、弾性波装置のさらなる低背化が求められている。そのため、実装基板とカバー部材との間隔がより狭くなっている。モールド樹脂を設けるに際しては、加熱により軟化させた固体のモールド樹脂を、圧力をかけて充填する。しかしながら、間隔が狭い部分にモールド樹脂を充填することは困難であった。そのため、実装基板とカバー部材との間にモールド樹脂が充分に充填されていないことがあった。
これに対して、図１に戻り、本実施形態では、カバー部材１６が実装基板３から遠ざかるように圧電基板１３に向かって凸状に湾曲している。そのため、実装基板３とカバー部材１６との間隔が広くなっている。よって、実装基板３とカバー部材１６との間にモールド樹脂７を容易に充填することができる。図１に示されているように、カバー部材１６及び実装基板３とモールド樹脂７との間には、空隙が存在しない。このように、モールド樹脂７を確実に、かつ充分に充填することができる。
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、カバー部材１６は、第１の支持層１５ａ１，１５ａ２に接するように設けられている。よって、第１の支持層１５ａ１，１５ａ２の厚みを制御することにより、第１の支持層１５ａ１，１５ａ２の厚みと第２の支持層１５ｂとの厚みの差を制御できる。カバー部材１６が、第１の支持層１５ａ１，１５ａ２の厚みと、第２の支持層１５ｂの厚みとの差に追従した形状となることから、カバー部材１６の湾曲度合いを確実に制御することができる。そして、第１の支持層１５ａ１，１５ａ２の厚みを、第２の支持層１５ｂの厚みよりも薄くすることで、図２（ｂ）に示すように、カバー部材１６が下側に凹む。これにより、図１に示すように、実装基板とカバー部材との間にモールド樹脂がより一層充分に充填されることになる。さらに、第１の支持層１５ａ１の両端部１５ａ１１，１５ａ１２及び第１の支持層１５ａ２の両端部１５ａ２１，１５ａ２２は、第２の支持層１５ｂに接している。これにより、第１の支持層１５ａ１，１５ａ２は、第２の支持層１５ｂを側面方向において支持しているので、強度が一層強くなる。第１の支持層１５ａ１，１５ａ２の厚みが第２の支持層１５ｂの厚みよりも薄いため、支持層樹脂硬化時の第１の支持層１５ａ１，１５ａ２の熱収縮の度合いは小さい。よって、第２支持層１５ｂが変形しにくい。よって、弾性波素子２の厚み方向の強度だけでなく、側面方向の強度も高めることができる。
なお、第１の支持層１５ａ１の両端部１５ａ１１，１５ａ１２及び第１の支持層１５ａ２の両端部１５ａ２１，１５ａ２２は、第２の支持層１５ｂに必ずしも接していなくてもよい。この場合においても、厚み方向の強度を高めることができ、かつモールド樹脂を充分に充填することができる。
本実施形態のように、複数の第１の支持層が設けられている場合、少なくとも１個の第１の支持層の幅は、第２の支持層の幅よりも広くてもよい。例えば、図３に示す第１の変形例の弾性波素子５２では、第１の支持層５５ａ１，５５ａ２が設けられている。第１の支持層５５ａ２の幅は、第２の支持層１５ｂの幅よりも広い。この場合には、弾性波素子の強度を高めることができる。
図４（ａ）は、本発明の第２の実施形態における弾性波素子の平面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）中のＢ−Ｂ線に沿う弾性波素子の断面図である。
弾性波素子２２は、第１の支持層２５ａ１，２５ａ２の幅が第２の支持層１５ｂの幅よりも狭い点で、第１の実施形態と異なる。第２の実施形態の弾性波素子２２及び弾性波装置は、上記以外の点においては、第１の実施形態の弾性波素子２及び弾性波装置１と同様の構成を有する。
本実施形態においても、実装基板とカバー部材１６との間隔を広くすることができる。よって、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、第１の支持層２５ａ１，２５ａ２の幅が狭いため、ＩＤＴ電極１４ａ〜１４ｃなどを配置する部分の面積を大きくすることできる。あるいは、圧電基板１３の面積を小さくすることもでき、弾性波素子２２及び弾性波装置を小型にすることもできる。
図５に示す第２の実施形態の第２の変形例の弾性波素子６２のように、第１の支持層６５ａ１，６５ａ２は、他の部分よりも幅が広い幅広部６５Ａ１，６５Ａ２を有してもよい。言い換えれば、幅広部６５Ａ１，６５Ａ２の形状は、他の部分以外の形状よりも大きい。より具体的には、幅広部６５Ａ１は、第１の支持層６５ａ１の一方端部６５ａ１１を含む位置に配置されている。第１の支持層６５ａ１の幅広部６５Ａ１に含まれる端部６５ａ１１は、第２の支持層１５ｂに接していない。第１の支持層６５ａ２の一方端部６５ａ２１も、幅広部６５Ａ２に含まれており、第２の支持層１５ｂに接していない。これにより、ＩＤＴ電極１４ａ〜１４ｃなどを配置する部分の面積を大きくすることができ、かつカバー部材１６を安定に支持することができる。
なお、弾性波素子６２では、第１の支持層６５ａ１，６５ａ２の他方端部６５ａ１２，６５ａ２２は、第２の支持層１５ｂに接している。
幅広部６５Ａ１の位置は、特に限定されない。なお、第１の支持層６５ａ１の両端部６５ａ１１，６５ａ１２が第２の支持層１５ｂに接している場合の第１の支持層６５ａ１の長さ方向Ｌの中央部付近に、幅広部６５Ａ１が位置していることが好ましい。上記の位置は、第２の支持層１５ｂから、長さ方向Ｌにおいて最も離れている位置である。そのため、カバー部材１６、第２の支持層１５ｂ及び圧電基板１３からなる中空部は、厚み方向の圧力により、上記の位置において潰され易い。上記の位置に幅広部６５Ａ１を配置することにより、弾性波素子６２の強度を効果的に高めることができる。幅広部６５Ａ２についても同様である。
幅広部６５Ａ１は、第１の支持層６５ａ１の端部６５ａ１１，６５ａ１２のいずれも含まない位置に配置されていてもよい。幅広部６５Ａ２も、第１の支持層６５ａ２の端部６５ａ２１，６５ａ２２のいずれも含まない位置に配置されていてもよい。このとき、例えば、第１の支持層６５ａ１の両端部６５ａ１１，６５ａ１２及び第１の支持層６５ａ２の両端部６５ａ２１，６５ａ２２が、第２の支持層１５ｂに接していてもよい。この場合、弾性波素子６２の強度をより一層高めることができる。
図５に示されているように、幅広部６５Ａ１，６５Ａ２の平面形状は矩形状だが、平面形状は特に限定されない。例えば、多角形や円形などであってもよい。
次に、第２の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明する。
図６（ａ）〜図６（ｃ）は、第２の実施形態における弾性波素子の製造方法を説明するための正面断面図である。図７（ａ）及び図７（ｂ）は、第２の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための正面断面図である。
図６（ａ）に示すように、圧電基板１３を用意する。次に、圧電基板１３の第２の主面１３ｂ上に、ＩＤＴ電極１４ａ〜１４ｃを設ける。ＩＤＴ電極１４ａ〜１４ｃを設けるに際しては、例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法などにより金属膜を形成する。次に、フォトリソグラフィ法などにより、金属膜をパターニングする。
次に、圧電基板１３の第２の主面１３ｂ上に、第１の支持層及び第２の支持層を設ける。第１の支持層及び第２の支持層は、例えば、フォトリソグラフィ法などにより設けることができる。この場合、第１の支持層及び第２の支持層を同時に設けることもできる。
より具体的には、図６（ａ）に示すように、圧電基板１３の第２の主面１３ｂ上に光硬化性樹脂層２５を積層する。次に、光硬化性樹脂層２５の第１の領域２５Ｘ１及び第２の領域２５Ｘ２に同時に露光する。このとき、第２の領域２５Ｘ２の幅よりも第１の領域２５Ｘ１の幅が小さくなるように露光する。それによって、光硬化性樹脂層２５の第１，２の領域２５Ｘ１，２５Ｘ２を光硬化する。光硬化性樹脂層２５の第３の領域２５Ｙには露光しないため、第３の領域２５Ｙは光硬化されない。なお、露光に用いるマスクのパターンを調整することにより、第１の領域２５Ｘ１の幅及び第２の領域２５Ｘ２の幅を容易に調整することができる。
上記露光に際し、光硬化性樹脂層２５の第２の領域２５Ｘ２を露光する面積よりも、第１の領域２５Ｘ１を露光する面積は小さい。それによって、第２の領域２５Ｘ２の光硬化反応の速度よりも第１の領域２５Ｘ１の光硬化反応の速度を遅くすることができる。よって、第１の領域２５Ｘ１及び第２の領域２５Ｘ２を同時に露光しても、第２の領域２５Ｘ２の未硬化部よりも第１の領域２５Ｘ１の未硬化部を多くすることができる。
次に、図６（ｂ）に示すように、光硬化性樹脂層の未硬化部をエッチングにより除去する。それによって、図６（ａ）に示した光硬化性樹脂層２５の第１の領域２５Ｘ１から第１の支持層２５ａ１，２５ａ２を形成する。光硬化性樹脂層２５の第２の領域２５Ｘ２から第２の支持層１５ｂを形成する。
このとき、図６（ａ）に示した第２の領域２５Ｘ２の未硬化部よりも第１の領域２５Ｘ１の未硬化部の方が多い。よって、第２の領域２５Ｘ２がエッチングにより除去される部分よりも、第１の領域２５Ｘ１がエッチングにより除去される部分の方が多い。従って、第２の支持層１５ｂの厚みよりも第１の支持層２５ａ１，２５ａ２の厚みは薄くなる。
上記のフォトリソグラフィ法により、第１の支持層２５ａ１，２５ａ２及び第２の支持層１５ｂを同時に設けることができる。加えて、光硬化性樹脂層２５に露光する線幅を調整することにより、第１の支持層２５ａ１，２５ａ２及び第２の支持層１５ｂの厚みを調整することができる。それによって、第１の支持層２５ａ１，２５ａ２及び第２の支持層１５ｂを設けると同時に、両者の厚みの差も形成することができる。このように、生産性を効果的に高めることができる。
なお、第１の支持層２５ａ１，２５ａ２及び第２の支持層１５ｂを設ける方法は特に限定されない。第１の支持層２５ａ１，２５ａ２及び第２の支持層１５ｂの厚みの調整は、例えば、研磨などにより行ってもよい。
次に、図６（ｃ）に示すように、第１の支持層２５ａ１，２５ａ２上及び第２の支持層１５ｂ上にカバー部材１６を設ける。このとき、第１の支持層２５ａ１，２５ａ２及び第２の支持層１５ｂに接するように、カバー部材１６を設ける。それによって、カバー部材１６を圧電基板１３に向かって凸状に湾曲させる。
次に、カバー部材１６及び第２の支持層１５ｂに複数の貫通孔を設ける。次に上記複数の貫通孔を満たすように、アンダーバンプメタル層１７ａ，１７ｂを設ける。アンダーバンプメタル層１７ａ，１７ｂは、例えば、電解めっき法などにより設けることができる。
次に、アンダーバンプメタル層１７ａ，１７ｂに接続するように、カバー部材１６上にバンプ６をそれぞれ設ける。これにより、弾性波素子２２を得ることができる。
次に、図７（ａ）に示すように、弾性波素子２２を、各バンプ６を介して実装基板３上の電極ランド４ａ，４ｂに接続する。
次に、図７（ｂ）に示すように、実装基板３上にモールド樹脂７を設ける。それによって、弾性波素子２２を封止する。弾性波素子２２のカバー部材１６は、実装基板３から遠ざかるように圧電基板１３に向かって凸状に湾曲している。よって、実装基板３とカバー部材１６との間にモールド樹脂７を確実に、かつ充分に充填することができる。これにより、弾性波装置２１を得ることができる。
図８は、第３の実施形態における弾性波素子の正面断面図である。
弾性波素子３２の第１の支持層３５ａ２の厚みは、第２の支持層１５ｂの厚みと同じ厚さであり、かつ第１の支持層３５ａ２の幅は、第２の支持層１５ｂの幅と同じ広さである。第１の支持層３５ａ１の幅は、第１の支持層３５ａ２の幅よりも狭く、かつ第１の支持層３５ａ１の厚みは、第１の支持層３５ａ２及び第２の支持層１５ｂの厚みよりも薄い。第３の実施形態の弾性波素子３２及び弾性波装置は、上記の点以外においては、第１の実施形態の弾性波素子２及び弾性波装置１と同様の構成を有する。
この場合においても、カバー部材３６は、圧電基板１３側に向かって凸状になるように湾曲している。よって、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
第１の支持層３５ａ１と第１の支持層３５ａ２及び第２の支持層１５ｂとの幅及び厚みの差は、第２の実施形態の弾性波素子２２の製造方法と同様の方法により、容易に設けることができる。よって、生産性を高めることができる。さらに、幅が広い第１の支持層３５ａ２を有するため、強度が高い。なお、第１の支持層３５ａ１の幅は、第１の支持層３５ａ２の幅以上の広さであってもよい。
第１の実施形態、第２の実施形態及び第３の実施形態における弾性波素子２、２２及び３２は、弾性表面波を利用する。本発明は、弾性表面波を利用する弾性波素子に限られず、バルク波を利用する弾性波素子を有する弾性波装置にも適用することができる。
図９（ａ）は、本発明の第４の実施形態における弾性波素子の平面図である。図９（ｂ）は、図９（ａ）中のＣ−Ｃに沿う弾性波素子の励振部の断面図である。なお、図９（ａ）では、励振部を矩形に対角線を引いた略図により示す。
弾性波素子４２は、メンブレン型の弾性波素子である。弾性波素子４２では、バルク波が励振される。第４の実施形態では、バルク波が励振される部分の構成が第１の実施形態と異なる。さらに、弾性波素子４２の基板４８は、圧電基板には限られない。上記の点以外においては、第４の実施形態の弾性波素子４２及び弾性波装置は、第１の実施形態の弾性波素子２及び弾性波装置１と同様の構成を有する。
図９（ａ）に示すように、弾性波素子４２は、基板４８を有する。基板４８の材料は、特に限定されないが、セラミックスなどが用いられ得る。
基板４８上には、バルク波が励振される部分である励振部４４Ａ〜４４Ｃが構成されている。励振部４４Ａ〜４４Ｃは、いずれも同様の構成を有する。図９（ｂ）を用いて、励振部４４Ａの構成を説明する。
基板４８上には、誘電体膜４９が設けられている。誘電体膜４９は、基板４８に接している第１の部分４９ａと、基板４８には接していない第２の部分４９ｂとを有する。基板４８と誘電体膜４９の第２の部分４９ｂとの間には、空隙Ｄが配置されている。誘電体膜４９は、特に限定されないが、例えば、ＳｉＯ２やＳｉＮなどからなっていてもよい。
誘電体膜４９上には、第１の電極４４ａが設けられている。誘電体膜４９上及び第１の電極４４ａ上には、圧電体膜４３が設けられている。圧電体膜４３上には、第２の電極４４ｂが設けられている。第１の電極４４ａと第２の電極４４ｂとは、圧電体膜４３を介して対向し合っている部分を有する。
第１の電極４４ａ及び第２の電極４４ｂに電圧を印加することにより、バルク波が励振される。上記のように励振される部分と、基板４８との間には、空隙Ｄが配置されている。このように、励振部４４Ａは、メンブレン型の構成を有する。
第４の実施形態の弾性波装置は、図１におけるＩＤＴ電極１４ａ〜１４ｃが、励振部４４Ａ〜４４Ｃに置き換わった構成を有する。従って、本実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
本発明の弾性波装置は、様々な電子機器や通信機器に広く用いられる。この例を、図１０を用いて説明する。
図１０は、本発明の弾性波装置を含む通信モジュール機器の正面断面図である。
通信モジュール機器１０の実装基板３上には、弾性波素子２及び素子５Ａ，５Ｂが実装されている。素子５Ａ，５Ｂは、コンデンサや抵抗などの受動素子であってもよく、ＩＣやトランジスタなどの能動素子であってもよい。なお、実装基板３上に実装されている素子の個数及び種類は、特に限定されない。
図１１は、本発明の弾性波装置を含む通信モジュール機器の一例を示すブロック図である。
通信モジュール機器１０は、例えば、フロントエンド部２Ａと、フロントエンド部２Ａに接続されている能動素子２Ｂとを有する。より具体的には、フロントエンド部２Ａは、複数の弾性波素子２と、スイッチ２Ａａとを含む。スイッチ２Ａａにより、用いられる弾性波素子２が切り替えられる。フロントエンド部２Ａは、アンテナ２Ｃに接続されている。能動素子２Ｂとしては、例えば、ＰＡ（Ｐｏｗｅｒ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）やＬＮＡ（Ｌｏｗ Ｎｏｉｓｅ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）などを挙げることができる。この通信モジュール機器１０は、移動体通信機器やヘルスケア通信機器などに用いられる。
移動体通信機器としては、携帯電話、スマートフォン、カーナビなどがある。ヘルスケア機器としては、体重計や体脂肪計などがある。ヘルスケア機器や移動体通信機器は、アンテナ、ＲＦモジュール、ＬＳＩ、ディスプレイ、入力部、電源などを備えている。
ここで、実装基板上に複数の素子が実装されている場合、モールド樹脂を複数の素子同士の間に充填する必要がある。そのため、実装基板と弾性波素子のカバー部材との間にモールド樹脂を充分に充填することは困難であった。これに対して、図１０に示すように、本発明の通信モジュール機器１０における弾性波素子２のカバー部材１６は、実装基板３から遠ざかるように圧電基板１３に向かって凸状に湾曲している。従って、モールド樹脂７を確実に、かつ充分に充填することができる。
１…弾性波装置
２…弾性波素子
２Ａ…フロントエンド部
２Ａａ…スイッチ
２Ｂ…能動素子
２Ｃ…アンテナ
３…実装基板
４ａ，４ｂ…電極ランド
５Ａ，５Ｂ…素子
６…バンプ
７…モールド樹脂
１０…通信モジュール機器
１３…圧電基板
１３ａ，１３ｂ…第１，第２の主面
１４ａ〜１４ｃ…ＩＤＴ電極
１５ａ１，１５ａ２…第１の支持層
１５ａ１１，１５ａ１２，１５ａ２１，１５ａ２２…端部
１５ｂ…第２の支持層
１６…カバー部材
１７ａ，１７ｂ…アンダーバンプメタル層
１７ａ１１，１７ｂ１１…第１の端部
１７ａ１２，１７ｂ１２…第２の端部
２１…弾性波装置
２２…弾性波素子
２５…光硬化性樹脂層
２５ａ１，２５ａ２…第１の支持層
２５Ｘ１，２５Ｘ２…第１，第２の領域
２５Ｙ…第３の領域
３２…弾性波素子
３５ａ１，３５ａ２…第１の支持層
３６…カバー部材
４２…弾性波素子
４３…圧電体膜
４４Ａ〜４４Ｃ…励振部
４４ａ，４４ｂ…第１，第２の電極
４８…基板
４９…誘電体膜
４９ａ，４９ｂ…第１，第２の部分
５２…弾性波素子
５５ａ１，５５ａ２…第１の支持層
６２…弾性波素子
６５Ａ１，６５Ａ２…幅広部
６５ａ１，６５ａ２…第１の支持層
６５ａ１１，６５ａ１２，６５ａ２１，６５ａ２２…端部
図５に示す第２の実施形態の第２の変形例の弾性波素子６２のように、第１の支持層６５ａ１，６５ａ２は、他の部分よりも幅が広い幅広部６５Ａ１，６５Ａ２を有してもよい。言い換えれば、幅広部６５Ａ１，６５Ａ２の形状は、他の部分の形状よりも大きい。より具体的には、幅広部６５Ａ１は、第１の支持層６５ａ１の一方端部６５ａ１１を含む位置に配置されている。第１の支持層６５ａ１の幅広部６５Ａ１に含まれる端部６５ａ１１は、第２の支持層１５ｂに接していない。第１の支持層６５ａ２の一方端部６５ａ２１も、幅広部６５Ａ２に含まれており、第２の支持層１５ｂに接していない。これにより、ＩＤＴ電極１４ａ〜１４ｃなどを配置する部分の面積を大きくすることができ、かつカバー部材１６を安定に支持することができる。

Claims (8)

  1. 対向し合っている一対の主面を有する圧電基板と、前記圧電基板の一方主面上に設けられている励振電極と、前記圧電基板の前記一方主面上に設けられている少なくとも１個の第１の支持層と、平面視した場合において、前記励振電極及び前記第１の支持層を囲むように、前記圧電基板の前記一方主面上に設けられている第２の支持層と、前記第１，第２の支持層上に設けられており、前記第２の支持層及び前記圧電基板と共に前記励振電極を封止しているカバー部材と、を有する弾性波素子と、
    前記弾性波素子が実装されている実装基板と、
    前記実装基板上に設けられており、前記弾性波素子を封止しているモールド樹脂と、を備え、
    前記第２の支持層の厚みよりも前記第１の支持層の厚みが薄く、
    前記カバー部材が、前記実装基板から遠ざかるように前記圧電基板に向かって凸状に湾曲しており、
    前記実装基板と前記カバー部材との間に前記モールド樹脂が充填されている、弾性波装置。
  2. 前記第１の支持層が、前記第１の支持層を横断する方向としての幅方向を有し、
    前記第２の支持層が、前記第２の支持層を横断する方向としての幅方向を有し、
    少なくとも１個の前記第１の支持層の幅が、前記第２の支持層の幅よりも狭い、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 前記第１の支持層が複数存在し、
    前記複数の第１の支持層の内少なくとも１個の第１の支持層の幅が、他の第１の支持層の幅よりも狭く、かつ前記複数の第１の支持層の内少なくとも１個の第１の支持層の厚みが、他の第１の支持層の厚みよりも薄い、請求項２に記載の弾性波装置。
  4. 前記弾性波装置を平面視した場合に、前記第１の支持層が前記第２の支持層と両端で接している、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  5. 前記第１の支持層が一方端部及び他方端部を有し、前記弾性波装置を平面視した場合に、前記第１の支持層の一方端部が前記第２の支持層と接しており、前記第１の支持層の他方端部の形状が、該他方端部以外の形状よりも大きい、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波装置を含むフロントエンド部と、
    前記フロントエンド部に接続されている能動素子と、
    を備える、通信モジュール機器。
  7. 対向し合っている一対の主面を有する圧電基板と、前記圧電基板の一方主面上に設けられている励振電極と、前記圧電基板の前記一方主面上に設けられている少なくとも１個の第１の支持層と、平面視した場合において、前記励振電極及び前記第１の支持層を囲むように、前記圧電基板の前記一方主面上に設けられている第２の支持層と、前記第１，第２の支持層上に設けられており、前記第２の支持層及び前記圧電基板と共に前記励振電極を封止しているカバー部材と、を有する弾性波素子を作製する工程と、
    前記弾性波素子を実装基板上に実装する工程と、
    前記実装基板上にモールド樹脂を設け、前記弾性波素子を封止する工程と、
    を備え、
    前記弾性波素子を作製する工程では、前記第２の支持層の厚みよりも前記第１の支持層の厚みが薄くなるように、前記第１，第２の支持層を設け、かつ前記カバー部材を、前記実装基板から遠ざかるように前記圧電基板に向かって凸状に湾曲させ、
    前記弾性波素子を封止する工程では、前記実装基板と前記カバー部材との間に前記モールド樹脂が充填されるように、前記モールド樹脂を設ける、弾性波装置の製造方法。
  8. 前記第１の支持層を複数設け、前記複数の第１の支持層の内少なくとも１個の第１の支持層の幅が、他の第１の支持層の幅よりも小さくなるように前記複数の第１の支持層を設ける、請求項７に記載の弾性波装置の製造方法。
JP2017509361A 2015-03-27 2016-02-16 弾性波装置、通信モジュール機器及び弾性波装置の製造方法 Active JP6521059B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015066206 2015-03-27
JP2015066206 2015-03-27
PCT/JP2016/054465 WO2016158050A1 (ja) 2015-03-27 2016-02-16 弾性波装置、通信モジュール機器及び弾性波装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2016158050A1 true JPWO2016158050A1 (ja) 2017-10-26
JP6521059B2 JP6521059B2 (ja) 2019-05-29

Family

ID=57005610

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017509361A Active JP6521059B2 (ja) 2015-03-27 2016-02-16 弾性波装置、通信モジュール機器及び弾性波装置の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10164603B2 (ja)
JP (1) JP6521059B2 (ja)
KR (1) KR101931508B1 (ja)
CN (1) CN107251428B (ja)
WO (1) WO2016158050A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5797356B2 (ja) * 2013-09-26 2015-10-21 京セラ株式会社 弾性波装置および弾性波モジュール
US20200220513A1 (en) * 2016-03-11 2020-07-09 Akoustis, Inc. Wireless communication infrastructure system configured with a single crystal piezo resonator and filter structure using thin film transfer process
KR101953219B1 (ko) * 2016-11-24 2019-02-28 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
CN106935700A (zh) * 2017-03-24 2017-07-07 苏州权素船舶电子有限公司 一种电子元器件
WO2019044310A1 (ja) 2017-08-31 2019-03-07 株式会社村田製作所 弾性波装置およびそれを備えた弾性波モジュール
WO2021010164A1 (ja) * 2019-07-16 2021-01-21 株式会社村田製作所 電子部品および電子部品の製造方法
JP7302897B2 (ja) * 2021-08-19 2023-07-04 三安ジャパンテクノロジー株式会社 モジュールの製造方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000261284A (ja) * 1999-03-05 2000-09-22 Kyocera Corp 弾性表面波装置及びその製造方法
JP2012199833A (ja) * 2011-03-22 2012-10-18 Taiyo Yuden Co Ltd 電子部品、電子デバイス、及び電子部品の製造方法
WO2012144370A1 (ja) * 2011-04-19 2012-10-26 京セラ株式会社 電子部品および弾性波装置
WO2013027760A1 (ja) * 2011-08-22 2013-02-28 京セラ株式会社 弾性波装置および電子部品
WO2015022856A1 (ja) * 2013-08-13 2015-02-19 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP2015142228A (ja) * 2014-01-28 2015-08-03 ナガセケムテックス株式会社 中空部を有する実装構造体およびその製造方法
WO2015151514A1 (ja) * 2014-03-31 2015-10-08 ナガセケムテックス株式会社 中空部を有する回路部材および実装構造体、ならびに実装構造体の製造方法
WO2016147814A1 (ja) * 2015-03-16 2016-09-22 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
WO2016158744A1 (ja) * 2015-03-27 2016-10-06 株式会社村田製作所 電子部品

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7011134B2 (en) * 2000-10-13 2006-03-14 Chien-Min Sung Casting method for producing surface acoustic wave devices
EP1361657B1 (en) * 2001-02-06 2013-07-24 Panasonic Corporation Surface acoustic wave device
US6829691B2 (en) * 2002-06-28 2004-12-07 Hewlett-Packard Development, L.P. System for compressing/decompressing data
JP5269301B2 (ja) * 2006-07-21 2013-08-21 太陽誘電株式会社 弾性表面波装置
JP2008131152A (ja) * 2006-11-17 2008-06-05 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイス
WO2009104438A1 (ja) * 2008-02-18 2009-08-27 株式会社 村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
WO2010052914A1 (ja) * 2008-11-10 2010-05-14 パナソニック株式会社 弾性波素子と、これを用いた電子機器
DE112012001150B4 (de) * 2011-03-09 2018-03-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elektronische Komponente
CN103460599B (zh) 2011-03-28 2016-08-17 株式会社村田制作所 电子部件及其制造方法
JP2013038471A (ja) * 2011-08-03 2013-02-21 Taiyo Yuden Co Ltd 弾性波フィルタ
JP5663730B2 (ja) * 2012-02-28 2015-02-04 スカイワークス・パナソニック フィルターソリューションズ ジャパン株式会社 弾性波装置およびその製造方法
JP5358724B1 (ja) * 2012-06-28 2013-12-04 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス内蔵モジュール及び通信装置
WO2014077239A1 (ja) * 2012-11-13 2014-05-22 株式会社村田製作所 弾性波装置
CN202931260U (zh) * 2012-11-14 2013-05-08 日本碍子株式会社 用于弹性波装置的复合基板
CN103824932A (zh) * 2012-11-15 2014-05-28 日本电波工业株式会社 压电零件
JP2014212409A (ja) * 2013-04-18 2014-11-13 セイコーエプソン株式会社 Ｍｅｍｓ振動子、電子機器、及び移動体
WO2014171036A1 (ja) * 2013-04-18 2014-10-23 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JP5856592B2 (ja) 2013-08-30 2016-02-10 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス内蔵モジュール及び通信装置
JP5797356B2 (ja) * 2013-09-26 2015-10-21 京セラ株式会社 弾性波装置および弾性波モジュール

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000261284A (ja) * 1999-03-05 2000-09-22 Kyocera Corp 弾性表面波装置及びその製造方法
JP2012199833A (ja) * 2011-03-22 2012-10-18 Taiyo Yuden Co Ltd 電子部品、電子デバイス、及び電子部品の製造方法
WO2012144370A1 (ja) * 2011-04-19 2012-10-26 京セラ株式会社 電子部品および弾性波装置
WO2013027760A1 (ja) * 2011-08-22 2013-02-28 京セラ株式会社 弾性波装置および電子部品
WO2015022856A1 (ja) * 2013-08-13 2015-02-19 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP2015142228A (ja) * 2014-01-28 2015-08-03 ナガセケムテックス株式会社 中空部を有する実装構造体およびその製造方法
WO2015151514A1 (ja) * 2014-03-31 2015-10-08 ナガセケムテックス株式会社 中空部を有する回路部材および実装構造体、ならびに実装構造体の製造方法
WO2016147814A1 (ja) * 2015-03-16 2016-09-22 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
WO2016158744A1 (ja) * 2015-03-27 2016-10-06 株式会社村田製作所 電子部品

Also Published As

Publication number Publication date
US10164603B2 (en) 2018-12-25
CN107251428A (zh) 2017-10-13
CN107251428B (zh) 2020-10-23
KR20170102925A (ko) 2017-09-12
US20170358728A1 (en) 2017-12-14
KR101931508B1 (ko) 2018-12-21
JP6521059B2 (ja) 2019-05-29
WO2016158050A1 (ja) 2016-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6521059B2 (ja) 弾性波装置、通信モジュール機器及び弾性波装置の製造方法
US8963402B2 (en) Piezoelectric vibrator element, piezoelectric module, and electronic device
JP5141852B2 (ja) 電子部品及びその製造方法
US10812042B2 (en) Electronic component
JP2012070098A (ja) 電子部品およびその製造方法、並びに電子部品を備えた電子デバイス
US8981623B2 (en) Piezoelectric vibrating piece, piezoelectric device, and method for manufacturing piezoelectric device
JP6547914B2 (ja) 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
JP6042689B2 (ja) 弾性波デバイス及びその設計方法
JP6017250B2 (ja) 圧電デバイス
US10958231B2 (en) Surface acoustic wave device, high-frequency module, and method of fabricating surface acoustic wave device
US9941461B2 (en) Electronic component element and composite module including the same
CN107636964B (zh) 弹性波装置
CN111052607A (zh) 弹性波装置以及具备该弹性波装置的弹性波模块
JP2009130665A (ja) 圧電発振器
US10411672B2 (en) Elastic wave device
JP6612529B2 (ja) 弾性波装置および通信装置
JP6508217B2 (ja) 基板、基板の製造方法及び弾性波装置
CN114208032A (zh) 压电振动器件及其制造方法
JP2009272795A (ja) 圧電振動素子、圧電デバイス、及びその製造方法
JP2018121265A (ja) 水晶素子および水晶デバイス
JP6560035B2 (ja) 厚みすべり水晶素子
JP5828480B2 (ja) 圧電装置
JP2012195976A (ja) 圧電デバイス
JP2010251905A (ja) 振動子の接続構造、発振子、発振子パッケージ

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170712

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170712

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180828

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181023

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190402

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190415

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6521059

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150