WO2016147814A1 - 弾性波装置及びその製造方法 - Google Patents

弾性波装置及びその製造方法 Download PDF

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WO2016147814A1
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acoustic wave
substrate
sealing resin
wave device
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俊成 是枝
聖 角居
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株式会社村田製作所
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    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device

Definitions

  • the present invention relates to an acoustic wave device in which an acoustic wave element having a WLP (Wafer Level Package) structure is mounted on a mounting substrate.
  • WLP Wafer Level Package
  • an acoustic wave device in which an acoustic wave element having a WLP structure is mounted on a mounting substrate has been widely used for mobile phones and the like.
  • the acoustic wave element on the mounting substrate is sealed with a sealing resin.
  • the mounting board should have a flat shape.
  • the thickness of the mounting board is often non-uniform for various reasons.
  • the thickness of the mounting substrate may be nonuniform even when it has a portion where the internal wiring is provided and a portion where the internal wiring is not provided.
  • the thickness of the mounting board is made thinner. Therefore, the mounting substrate is easily warped.
  • An object of the present invention is to provide an elastic wave device in which the parallelism between the upper surface of the sealing resin and the terminal electrode is good, and the contact failure between the terminal electrode on the mounting substrate and the inspection electrode hardly occurs. is there.
  • An elastic wave device is provided on a piezoelectric substrate having a first main surface and a second main surface facing the first main surface, and on the second main surface of the piezoelectric substrate.
  • IDT electrode and a support member provided on the second main surface of the piezoelectric substrate so as to surround the IDT electrode in a plan view from the second main surface side of the piezoelectric substrate
  • an elastic wave element that is provided on the support member and includes a cover member that seals the IDT electrode together with the support member and the piezoelectric substrate, and an upper surface and a lower surface.
  • the cover member is curved toward the piezoelectric substrate side. In this case, the parallelism between the upper surface of the sealing resin and the terminal electrode is even better, and contact failure between the terminal electrode on the mounting substrate and the inspection electrode is less likely to occur.
  • the cover member is curved more greatly than the mounting substrate. In this case, the parallelism between the upper surface of the sealing resin and the terminal electrode is even better, and contact failure between the terminal electrode on the mounting substrate and the inspection electrode is less likely to occur.
  • the volume of the sealing resin is equal to or greater than the volume of the mounting substrate. In this case, the parallelism between the upper surface of the sealing resin and the terminal electrode is even better, and contact failure between the terminal electrode on the mounting substrate and the inspection electrode is less likely to occur.
  • the area of the sealing resin in a plan view from the first main surface side of the piezoelectric substrate is A1
  • the area of the acoustic wave element is A2
  • the area of the mounting substrate is A3, and the thickness that is the distance from the surface of the sealing resin in contact with the upper surface of the mounting substrate to the surface opposite to the mounting substrate is T1, and the thickness of the acoustic wave element Is T2, and the thickness of the mounting substrate is T3, the following formula (1) Formula (1) A1 ⁇ T1-A2 ⁇ T2 ⁇ A3 ⁇ T3 Meet.
  • the parallelism between the upper surface of the sealing resin and the terminal electrode is even better, and contact failure between the terminal electrode on the mounting substrate and the inspection electrode is less likely to occur.
  • the thickness of the elastic wave device is 1 mm or less
  • the thickness of the mounting substrate is 0.5 mm or less
  • the mounting substrate with respect to the thickness of the elastic wave device is 45% or less.
  • the parallelism between the upper surface of the sealing resin and the terminal electrode can be made better and the contact failure between the terminal electrode on the mounting substrate and the inspection electrode is less likely to occur.
  • the mounting substrate has a thickness of 0.2 mm or less.
  • the parallelism between the upper surface of the sealing resin and the terminal electrode can be made better and the contact failure between the terminal electrode on the mounting substrate and the inspection electrode is less likely to occur.
  • the acoustic wave element is bonded to the mounting substrate by a bump.
  • the acoustic wave element can be suitably mounted on the mounting substrate.
  • the method of manufacturing an acoustic wave device includes a piezoelectric substrate having a first main surface and a second main surface facing the first main surface, and the second main surface of the piezoelectric substrate. And on the second main surface of the piezoelectric substrate so as to surround the IDT electrode in a plan view from the second main surface side of the piezoelectric substrate.
  • a plurality of acoustic wave elements each having a support member, a cover member provided on the support member and sealing the IDT electrode together with the support member and the piezoelectric substrate, and an upper surface and a lower surface.
  • the parallelism between the upper surface of the sealing resin and the terminal electrode is even better, and contact failure between the terminal electrode on the mounting substrate and the inspection electrode is less likely to occur.
  • the sealing resin when the sealing resin is pressurized until the cover member is curved toward the piezoelectric substrate, the mother mounting substrate is covered by the inner wall surface of the internal space. It is flattened. In this case, the parallelism between the upper surface of the sealing resin and the terminal electrode is even better, and contact failure between the terminal electrode on the mounting substrate and the inspection electrode is less likely to occur.
  • an acoustic wave device and a method for manufacturing the same in which the parallelism between the upper surface of the sealing resin and the terminal electrode is good, and poor contact between the terminal electrode on the mounting substrate and the inspection electrode hardly occurs. Can be provided.
  • FIG. 1 is a front sectional view of an acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • 2 (a) to 2 (c) are front cross-sectional views for explaining a method of manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a front sectional view of an acoustic wave device according to a first modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a front sectional view of an acoustic wave device according to a second modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a front sectional view of an elastic wave device of a comparative example.
  • FIG. 6 is a front sectional view of an acoustic wave device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a front sectional view of the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • the acoustic wave device 1 has a mounting substrate 3.
  • the mounting substrate 3 has an upper surface 3a and a lower surface 3b facing each other.
  • the material of the mounting substrate 3 is not specifically limited, For example, you may consist of appropriate ceramics. Or you may consist of resin etc. which contain a glass epoxy resin.
  • Electrode lands 4 a and 4 b are provided on the upper surface 3 a of the mounting substrate 3. Terminal electrodes 5a and 5b electrically connected to the outside are provided on the lower surface 3b. Although not shown, the electrode lands 4a and 4b, the terminal electrodes 5a and 5b, and the mounting substrate 3 are electrically connected.
  • the elastic wave element 2 is mounted on the upper surface 3 a of the mounting substrate 3. More specifically, the acoustic wave element 2 is joined to the electrode lands 4a and 4b by the bumps 6a and 6b.
  • the bumps 6a and 6b are made of a metal such as solder.
  • the acoustic wave element 2 has a piezoelectric substrate 13.
  • the piezoelectric substrate 13 has a first main surface 13a and a second main surface 13b facing each other.
  • the piezoelectric substrate 13 is made of, for example, a piezoelectric single crystal or piezoelectric ceramic.
  • the acoustic wave element 2 is mounted on the mounting substrate 3 from the second main surface 13b side of the piezoelectric substrate 13.
  • An IDT electrode 14 is provided on the second main surface 13 b of the piezoelectric substrate 13. By applying an AC voltage to the IDT electrode 14, an elastic wave is excited. Further, a support member 15 is provided on the second main surface 13b so as to surround the IDT electrode 14 in a plan view from the second main surface 13b side. A cover member 16 is provided on the support member 15. The IDT electrode 14 is sealed by the piezoelectric substrate 13, the support member 15, and the cover member 16. The center portion of the cover member 16 is curved toward the piezoelectric substrate 13 side.
  • Under bump metal layers 17 a and 17 b are provided so as to penetrate the support member 15 and the cover member 16.
  • the under bump metal layers 17a and 17b have first end portions 17a1 and 17b1 and second end portions 17a2 and 17b2, respectively.
  • the first end portions 17a1 and 17b1 reach the piezoelectric substrate 13, respectively.
  • the second end portions 17a2 and 17b2 are connected to the bumps 6a and 6b, respectively.
  • the under bump metal layers 17a and 17b and the IDT electrode 14 are electrically connected. Therefore, the acoustic wave element 2 is electrically connected to the outside through the bumps 6a and 6b, the electrode lands 4a and 4b, the internal electrodes of the mounting substrate 3 and the terminal electrodes 5a and 5b.
  • the sealing resin 7 is provided on the upper surface 3 a of the mounting substrate 3.
  • the sealing resin 7 seals the acoustic wave element 2.
  • the sealing resin 7 has an upper surface 7a and a lower surface 7b which is a surface on the mounting substrate 3 side.
  • the thickness of the mounting substrate 3 is thinner than the thickness of the sealing resin 7.
  • the thickness of the sealing resin is a distance from the surface in contact with the upper surface of the mounting substrate to the surface opposite to the mounting substrate.
  • the feature of the present embodiment is that the thickness of the mounting substrate 3 is thinner than the thickness of the sealing resin 7. As a result, the parallelism between the upper surface 7a of the sealing resin 7 and the terminal electrodes 5a and 5b can be improved, and poor contact between the terminal electrodes 5a and 5b on the mounting substrate 3 and the inspection electrode hardly occurs. . This will be described below together with the manufacturing method of the present embodiment.
  • 2 (a) to 2 (c) are front sectional views for explaining a method of manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • a plurality of acoustic wave elements 2A are prepared.
  • Each elastic wave element 2A has the same configuration as the elastic wave element 2 except that each cover member 16A is not curved.
  • a mother mounting board 3A having an upper surface 3Aa and a lower surface 3Ab is prepared.
  • a plurality of electrode lands 4a and 4b are provided on the upper surface 3Aa of the mother mounting substrate 3A.
  • a plurality of terminal electrodes 5a and 5b are provided on the lower surface 3Ab of the mother mounting substrate 3A.
  • the mother mounting substrate 3A a substrate having a thickness smaller than that of a sealing resin described later is used.
  • the mother mounting substrate 3A is curved so as to be convex toward the upper surface 3Aa.
  • the mother mounting substrate 3A is ideally not curved, but is actually often curved. When the thickness of the mother mounting substrate 3A is thin, it is easier to bend.
  • a plurality of acoustic wave elements 2A are mounted on the upper surface 3Aa of the mother mounting substrate 3A.
  • Each acoustic wave element 2A is mounted such that the upper surface 3Aa of the mother mounting substrate 3A and the cover member 16A of each acoustic wave element 2A face each other with a gap therebetween.
  • each acoustic wave element 2A is bonded to each electrode land 4a, 4b of the mother mounting substrate 3A by bumps 6a, 6b.
  • each acoustic wave element 2A and the mother mounting substrate 3A are electrically connected.
  • the sealing resin 7A is provided on the upper surface 3Aa side of the mother mounting substrate 3A so as to cover each acoustic wave element 2A, thereby sealing each acoustic wave element 2A.
  • a mold X is used for the sealing.
  • the mold X includes first and second molds X1 and X2.
  • the first mold X1 has an inner wall surface X1a.
  • the second mold X2 has an inner wall surface X2a.
  • the first mold X1 is arranged on the second mold X2 so that the inner wall surface X1a and the inner wall surface X2a face each other. Thereby, an internal space is formed in the mold X.
  • the inner wall surface X1a of the first mold X1 and the inner wall surface X2a of the second mold X2 extend in parallel to each other.
  • the mother mounting substrate 3A and each acoustic wave element 2A are disposed on the inner wall surface X2a of the second mold X2 from the lower surface 3Ab side of the mother mounting substrate 3A.
  • at least a part of the lower surface 3Ab of the mother mounting substrate 3A or the plurality of terminal electrodes 5a, 5b is in contact with the inner wall surface X2a of the second mold X2.
  • the mold X is clamped.
  • the inner space of the mold X is filled with the sealing resin 7A.
  • the sealing resin 7A is pressurized because the fluidity of the sealing resin 7A is not high. If necessary, the sealing resin 7A may be heated to increase the fluidity of the sealing resin 7A.
  • the sealing resin 7A is supplied to the internal space of the mold X.
  • the thickness of the sealing resin 7A is larger than the thickness of the mother mounting substrate 3A. Therefore, pressure can be effectively applied to the sealing resin 7A.
  • the mother mounting substrate 3A is pressed toward the lower surface 3Ab. Accordingly, the mother mounting substrate 3A can be shaped along the inner wall surface X2a of the second mold X2 on the lower surface 3Ab side, and the curved shape can be flattened.
  • the terminal electrodes 5a and 5b can be arranged along the second mold X2. Since the upper surface 7Aa of the sealing resin 7A has a shape along the first mold X1, the upper surface 7Aa can be made flat. At this time, the acoustic wave element 2 having the curved cover member 16 is configured.
  • the mother mounting board 3A can be formed into a flat shape, and this form is most desirable.
  • the mother mounting board 3A does not necessarily have to be flat, and the mother mounting board 3A may be curved.
  • the cover member 16A shown in FIG. by pressing the sealing resin 7A until the cover member 16A is curved, the mother mounting substrate 3A can be more reliably flattened.
  • the sealing resin 7A is cured.
  • the mother mounting substrate 3A and the sealing resin 7A are divided by a dicing process or the like. Thereby, the some elastic wave apparatus 1 can be obtained.
  • the lower surface 3b of the mounting substrate 3 of the acoustic wave device 1 is formed into a flat shape by the above pressurization.
  • the lower surface 3b of the mounting substrate 3 and the upper surface 7a of the sealing resin 7 are along the inner wall surface X1a of the first mold X1 extending in parallel and the inner wall surface X2a of the second mold X2 shown in FIG. It has a shape. Therefore, the parallelism between the lower surface 3b of the mounting substrate 3 and the upper surface 7a of the sealing resin 7 can be improved.
  • the terminal electrodes 5a and 5b on the lower surface 3b of the mounting substrate 3 are used in the inspection for selecting the acoustic wave device 1 shown in FIG.
  • the inspection is performed by bringing the inspection electrodes into contact with the terminal electrodes 5a and 5b.
  • the terminal electrode was greatly inclined from the plane including the upper surface of the sealing resin. Therefore, it has been difficult to increase the contact area between the terminal electrode and the inspection electrode.
  • the position of the plurality of terminal electrodes in the thickness direction of the acoustic wave device is often shifted. Therefore, when a plurality of terminal electrodes are simultaneously brought into contact with the inspection electrode, a contact failure often occurs. Therefore, reexamination was often performed.
  • the parallelism between the lower surface 3b of the mounting substrate 3 and the upper surface 7a of the sealing resin 7 is good. Furthermore, the parallelism between the terminal electrodes 5a and 5b and the upper surface 7a of the sealing resin 7 is good. Therefore, poor contact between the terminal electrodes 5a and 5b and the inspection electrode is unlikely to occur. Productivity can also be increased because re-inspection is unlikely to occur.
  • the mounting substrate is most preferably not curved, but may be curved. In this case, it is preferable that the mounting substrate is curved smaller than the cover member.
  • the degree of curvature of the cover member and the mounting substrate is obtained from the curvature of the curved portion of the cover member and the mounting substrate.
  • the elastic wave device When measuring the curvature of the curved portion of the cover member and the curvature of the curved portion of the mounting substrate, the elastic wave device is cut in the thickness direction at a plurality of locations. Next, the curvature of the curved portion of each cover member and the curvature of the curved portion of each mounting substrate exposed in the cross section of the plurality of cut portions are measured. Of the measured curvatures, the maximum curvature may be used as the degree of bending, and the degree of bending may be compared.
  • the mounting substrate 33 is curved toward the elastic wave element 2 side.
  • the mounting substrate 33 is curved smaller than the cover member 16.
  • the mounting substrate 43 is curved on the side opposite to the elastic wave element 2.
  • the mounting substrate 43 is curved smaller than the cover member 16.
  • the volume of the sealing resin 7 in the acoustic wave device 1 is preferably equal to or greater than the volume of the mounting substrate 3.
  • the area of the sealing resin 7 in a plan view from the first main surface 13a side of the piezoelectric substrate 13 of the acoustic wave element 2 is A1
  • the area of the acoustic wave element 2 is A2
  • the area of the mounting substrate 3 is A3.
  • the thickness of the sealing resin 7 is T1
  • the thickness of the acoustic wave element 2 is T2
  • the thickness of the mounting substrate 3 is T3. At this time, it is preferable to satisfy
  • the acoustic wave element 2 is sealed with the sealing resin 7 so that the sealing resin 7 and the mounting substrate 3 after separation are in the relationship of the formula (1). It is preferable to do.
  • the sealing resin 7A can be effectively pressurized, and the mother mounting substrate 3A can be flattened more reliably. Therefore, in the acoustic wave device 1 after separation, the parallelism between the lower surface 3b and the terminal electrodes 5a and 5b of the mounting substrate 3 and the upper surface 7a of the sealing resin 7 is good.
  • the cover member of the acoustic wave element 2 is curved or the mounting substrate has a taper shape in the thickness direction and has a distribution in the thickness value
  • the median value of the thickness distribution is T2 or T3. It can be used as a thickness.
  • the thickness of the elastic wave device 1 of the present embodiment is not particularly limited, but is 1 mm or less. In this case, it is preferable that the thickness of the mounting substrate 3 is 0.5 mm or less and the occupation ratio of the thickness of the mounting substrate 3 with respect to the thickness of the elastic wave device 1 is 45% or less. At this time, the thickness of the mother mounting substrate 3A shown in FIG. Therefore, the mother mounting substrate 3A can be easily deformed, and the shape of the mother mounting substrate 3A can be easily formed along the second mold X2. More preferably, the thickness of the mounting substrate 3 is desirably 0.4 mm or less, and more preferably, the thickness of the mounting substrate 3 is desirably 0.3 mm or less.
  • the thickness of the mounting substrate 3 is 0.2 mm or less.
  • the mounting substrate 3 having a thickness of 0.2 mm or less that is not used as the mounting substrate of the acoustic wave device 1 is used, the mounting substrate 3 having relatively high flexibility is obtained. If such a mounting substrate 3 is used, the flexibility of the mounting substrate 3 acts so as not to hinder the displacement of the terminal electrodes. Therefore, when the plurality of terminal electrodes provided on the lower surface of the mounting substrate 3 are corrected to a flat arrangement, the effect of improving the flatness of the plurality of terminal electrodes is particularly great.
  • the mounting substrate 3 is thinner, the parallelism between the lower surface 3b of the mounting substrate 3 and the upper surface 7a of the sealing resin 7 can be more reliably improved. Furthermore, the parallelism between the terminal electrodes 5a and 5b and the upper surface 7a of the sealing resin 7 can be improved more reliably. Therefore, the contact failure between the terminal electrodes 5a and 5b and the inspection electrode is less likely to occur. Furthermore, the elastic wave device can be made smaller. From the viewpoint of the strength of the acoustic wave device 1, the thickness of the mounting substrate 3 is desirably 0.1 mm or more.
  • the elastic wave device 1 when the elastic wave device 1 is mounted on the substrate of the module device, a process of holding the upper surface of the elastic wave device 1 by suction and arranging it at a predetermined position is widely used. During suction, the acoustic wave element may be damaged due to stress acting on the acoustic wave element.
  • the ratio of the thickness of the sealing resin covering the upper surface of the acoustic wave element to the thickness of the sealing resin between the lower surface of the acoustic wave element and the mounting substrate 3 is preferably set to 1 or more. As a result, it is possible to reduce the stress acting on the acoustic wave element during suction while maintaining the height of the sealed portion of the acoustic wave device 1.
  • the parallelism between the terminal electrodes 5a and 5b and the inspection electrode is good, the contact area between the terminal electrodes 5a and 5b and the inspection electrode can be easily increased. Therefore, even if the acoustic wave device is downsized, poor contact between the terminal electrodes 5a and 5b and the inspection electrode hardly occurs.
  • the mounting substrate is ideally uniform in thickness, but actually the thickness is often not uniform.
  • the mounting substrate has internal wiring
  • the mounting substrate has a portion where the internal wiring is provided and a portion where the internal wiring is not provided.
  • the thickness of the mounting substrate may become uneven.
  • FIG. 5 shows a comparative example in which the thickness of the mounting substrate 23 is not uniform.
  • the parallelism between the upper surface 7a of the sealing resin 7 and the upper surface 23a of the mounting substrate 23 is good.
  • the parallelism between the upper surface 7a of the sealing resin 7 and the lower surface 23b of the mounting substrate 23 is impaired.
  • the parallelism between the upper surface 7a of the sealing resin 7 and the terminal electrodes 5a and 5b is also impaired. Therefore, contact failure between the terminal electrodes 5a and 5b and the inspection electrode is likely to occur.
  • the elastic wave device according to the second embodiment shown below even if the thickness of the mounting substrate is not uniform, the same effect as that of the elastic wave device 1 of the first embodiment can be obtained. it can.
  • FIG. 6 is a front sectional view of the acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention.
  • the thickness of the mounting board 23 is not uniform.
  • the acoustic wave element 2 is inclined with respect to the upper surface 27 a of the sealing resin 27. Except for the above points, the elastic wave device 21 has the same configuration as the elastic wave device 1 of the first embodiment.
  • the mounting board 23 has first and second end faces 23c and 23d facing each other.
  • the thickness at the second end face 23d is thinner than the thickness at the first end face 23c.
  • the parallelism between the lower surface 23b of the mounting substrate 23 and the upper surface 27a of the sealing resin 27 is good as in the first embodiment.
  • the parallelism between the terminal electrodes 5a and 5b and the upper surface 27a of the sealing resin 27 is also good.
  • the elastic wave device 21 can also be obtained by the same method as the method for manufacturing the elastic wave device 1 of the first embodiment. More specifically, as shown in FIG. 2B, the sealing resin is pressurized and filled until the cover member is curved. Accordingly, the mother mounting substrate can be arranged along the mold on the second main surface side. Further, the terminal electrodes 5a and 5b can also be arranged along the mold. Thereby, the elastic wave device 21 in which the parallelism between the lower surface 23b and the terminal electrodes 5a and 5b of the mounting substrate 23 and the upper surface 27a of the sealing resin 27 can be obtained.
  • Elastic wave apparatus 23 ... Mounting board 23a ... Upper surface 23b ... Lower surface 23c, 23d ... 1st, 2nd end surface 27 ... Sealing Resin 27a ... Upper surface 31 ... Elastic wave device 33 ... Mounting substrate 41 ... Elastic wave device 43 ... Mounting substrate 51 ... Elastic wave device X ... Mold X1, X2 ... First and second molds X1a, X2 a ... Inner wall surface

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

　封止樹脂の上面と端子電極との平行度が良好であり、実装基板上の端子電極と検査用の電極との接触不良が生じ難い、弾性波装置を提供する。　弾性波装置１は、対向し合っている第１の主面１３ａ及び第２の主面１３ｂを有する圧電基板１３と、圧電基板１３の第２の主面１３ｂに設けられているＩＤＴ電極１４と、平面視において、ＩＤＴ電極１４を囲むように、圧電基板１３の第２の主面１３ｂ上に設けられている支持部材１５と、支持部材１５上に設けられており、支持部材１５と圧電基板１３と共にＩＤＴ電極１４を封止しているカバー部材１６と、を有する弾性波素子２と、弾性波素子２が実装されている実装基板３と、実装基板３の上面７ａ側に設けられており、弾性波素子２を封止している封止樹脂７とを備える。封止樹脂７の実装基板３の上面に接している面から、実装基板３とは反対側の面までの距離である厚みよりも実装基板３の厚みは薄い。

Description

弾性波装置及びその製造方法
　本発明は、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ　Ｌｅｖｅｌ　Ｐａｃｋａｇｅ）構造を有する弾性波素子が実装基板に実装されている弾性波装置に関する。
　従来、ＷＬＰ構造を有する弾性波素子が実装基板に実装されている弾性波装置が、携帯電話機などに広く用いられている。
　下記の特許文献１に記載の弾性波装置では、実装基板上の弾性波素子が、封止樹脂により封止されている。
特開２０１０－２７８９７１号公報
　実装基板は、理想的には、平坦な形状であることが望ましい。しかしながら、実際には、様々な理由により実装基板の厚みが不均一であることが多い。特許文献１における実装基板のように、内部配線が設けられている部分と設けられていない部分とを有する場合も、実装基板の厚みが不均一になることがあった。さらに、近年では、弾性波装置のより一層の小型化が求められている。そのため、実装基板の厚みは、より薄くされている。よって、実装基板が反り易くなっている。
　このような実装基板に弾性波素子を搭載した後に樹脂モールドした場合、封止樹脂の上面と実装基板の下面及び端子電極との平行度が損なわれることがあった。よって、検査工程において、検査用の電極と端子電極との間で接触不良が生じることがあった。
　本発明の目的は、封止樹脂の上面と端子電極との平行度が良好であり、実装基板上の端子電極と検査用の電極との接触不良が生じ難い、弾性波装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置は、第１の主面及び該第１の主面に対向している第２の主面を有する圧電基板と、前記圧電基板の前記第２の主面上に設けられているＩＤＴ電極と、前記圧電基板の前記第２の主面側からの平面視において、前記ＩＤＴ電極を囲むように、前記圧電基板の前記第２の主面上に設けられている支持部材と、前記支持部材上に設けられており、前記支持部材と前記圧電基板と共に前記ＩＤＴ電極を封止しているカバー部材とを有する弾性波素子と、上面と下面とを有し、前記下面に設けられている端子電極を有し、前記上面に前記弾性波素子が実装されている実装基板と、前記実装基板の前記上面側に設けられており、前記弾性波素子を封止している封止樹脂とを備え、前記封止樹脂の前記実装基板の前記上面に接している面から、前記実装基板とは反対側の面までの距離である厚みよりも前記実装基板の厚みが薄い。
　本発明の弾性波装置のある特定の局面では、前記カバー部材が、前記圧電基板側に湾曲している。この場合には、封止樹脂の上面と端子電極との平行度がより一層良好であり、実装基板上の端子電極と検査用の電極との接触不良がより一層生じ難い。
　本発明の弾性波装置の他の特定の局面では、前記カバー部材が、前記実装基板よりも大きく湾曲している。この場合には、封止樹脂の上面と端子電極との平行度がより一層良好であり、実装基板上の端子電極と検査用の電極との接触不良がより一層生じ難い。
　本発明の弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記封止樹脂の体積が、前記実装基板の体積以上である。この場合には、封止樹脂の上面と端子電極との平行度がより一層良好であり、実装基板上の端子電極と検査用の電極との接触不良がより一層生じ難い。
　本発明の弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記圧電基板の前記第１の主面側からの平面視における前記封止樹脂の面積をＡ１、前記弾性波素子の面積をＡ２、前記実装基板の面積をＡ３とし、前記封止樹脂の前記実装基板の前記上面に接している面から、前記実装基板とは反対側の面までの距離である厚みをＴ１、前記弾性波素子の厚みをＴ２、前記実装基板の厚みをＴ３とすると、下記の式（１）
　式（１）
　Ａ１×Ｔ１－Ａ２×Ｔ２≧Ａ３×Ｔ３
を満たす。この場合には、封止樹脂の上面と端子電極との平行度がより一層良好であり、実装基板上の端子電極と検査用の電極との接触不良がより一層生じ難い。
　本発明の弾性波装置の別の特定の局面では、前記弾性波装置の厚みが１ｍｍ以下であり、前記実装基板の厚みが０．５ｍｍ以下であり、かつ前記弾性波装置の厚みに対する前記実装基板の厚みの占有率が４５％以下である。この場合には、封止樹脂の上面と端子電極との平行度をより確実に良好にすることができ、実装基板上の端子電極と検査用の電極との接触不良がより一層生じ難い。
　本発明の弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記実装基板の厚みが０．２ｍｍ以下である。この場合には、封止樹脂の上面と端子電極との平行度をより確実に良好にすることができ、実装基板上の端子電極と検査用の電極との接触不良がより一層生じ難い。
　本発明の弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記実装基板上に、バンプにより前記弾性波素子が接合されている。この場合には、弾性波素子を実装基板上に好適に実装することができる。
　本発明の弾性波装置の製造方法は、第１の主面及び該第１の主面に対向している第２の主面を有する圧電基板と、前記圧電基板の前記第２の主面上に設けられているＩＤＴ電極と、前記圧電基板の前記第２の主面側からの平面視において、前記ＩＤＴ電極を囲むように、前記圧電基板の前記第２の主面上に設けられている支持部材と、前記支持部材上に設けられており、前記支持部材と前記圧電基板と共に前記ＩＤＴ電極を封止しているカバー部材と、をそれぞれ有する複数の弾性波素子と、上面と下面とを有し、前記下面に設けられている端子電極を有するマザーの実装基板と、を用意する工程と、前記複数の弾性波素子を、前記カバー部材と前記マザーの実装基板の前記上面とが隙間を介して対向するように、前記マザーの実装基板の前記上面に実装する工程と、前記複数の弾性波素子が前記マザーの実装基板の前記上面に実装された前記マザーの実装基板を、第１の金型と第２の金型により形成された内部空間内に配置する工程と、前記弾性波素子が封止されるように、前記マザーの実装基板の前記上面上に、前記カバー部材が前記圧電基板側に湾曲するまで前記内部空間内に流動性を有する封止樹脂を加圧して供給する工程と、前記封止樹脂を硬化する工程と、前記マザーの実装基板及び前記封止樹脂を分割し、個片化する工程とを備える。この場合には、封止樹脂の上面と端子電極との平行度がより一層良好であり、実装基板上の端子電極と検査用の電極との接触不良がより一層生じ難い。
　本発明の弾性波装置の製造方法のある特定の局面では、前記カバー部材が前記圧電基板側に湾曲するまで前記封止樹脂を加圧するとき、前記マザーの実装基板が前記内部空間の内壁面によって平坦化されることを特徴とする。この場合には、封止樹脂の上面と端子電極との平行度がより一層良好であり、実装基板上の端子電極と検査用の電極との接触不良がより一層生じ難い。
　本発明によれば、封止樹脂の上面と端子電極との平行度が良好であり、実装基板上の端子電極と検査用の電極との接触不良が生じ難い、弾性波装置及びその製造方法を提供することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。 図２（ａ）～図２（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための正面断面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態の第１の変形例に係る弾性波装置の正面断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態の第２の変形例に係る弾性波装置の正面断面図である。 図５は、比較例の弾性波装置の正面断面図である。 図６は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
　弾性波装置１は、実装基板３を有する。実装基板３は、対向し合っている上面３ａと、下面３ｂとを有する。実装基板３の材料は特に限定されないが、例えば、適宜のセラミックスからなっていてもよい。あるいは、ガラスエポキシ樹脂を含む樹脂などからなっていてもよい。
　実装基板３の上面３ａには、電極ランド４ａ，４ｂが設けられている。下面３ｂには、外部と電気的に接続される端子電極５ａ，５ｂが設けられている。図示されていないが、電極ランド４ａ，４ｂと端子電極５ａ，５ｂと、実装基板３とは電気的に接続されている。
　実装基板３の上面３ａには、弾性波素子２が実装されている。より具体的には、バンプ６ａ，６ｂにより、弾性波素子２が電極ランド４ａ，４ｂに接合されている。バンプ６ａ，６ｂは、半田などの金属からなる。
　弾性波素子２は、圧電基板１３を有する。圧電基板１３は、対向し合っている第１の主面１３ａ及び第２の主面１３ｂを有する。圧電基板１３は、例えば、圧電単結晶や圧電セラミックスなどからなる。なお、弾性波素子２は、圧電基板１３の第２の主面１３ｂ側から実装基板３上に実装されている。
　圧電基板１３の第２の主面１３ｂには、ＩＤＴ電極１４が設けられている。ＩＤＴ電極１４に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。さらに、第２の主面１３ｂには、第２の主面１３ｂ側からの平面視において、ＩＤＴ電極１４を囲むように支持部材１５が設けられている。支持部材１５上には、カバー部材１６が設けられている。圧電基板１３、支持部材１５及びカバー部材１６により、ＩＤＴ電極１４が封止されている。カバー部材１６は、その中央部が圧電基板１３側に湾曲している。
　支持部材１５及びカバー部材１６を貫通するように、アンダーバンプメタル層１７ａ，１７ｂが設けられている。アンダーバンプメタル層１７ａ，１７ｂは、第１の端部１７ａ１，１７ｂ１及び第２の端部１７ａ２，１７ｂ２をそれぞれ有する。第１の端部１７ａ１，１７ｂ１は、圧電基板１３上にそれぞれ至っている。第２の端部１７ａ２，１７ｂ２は、バンプ６ａ，６ｂにそれぞれ接続されている。図示されていないが、アンダーバンプメタル層１７ａ，１７ｂとＩＤＴ電極１４とは電気的に接続されている。よって、弾性波素子２では、バンプ６ａ，６ｂ、電極ランド４ａ，４ｂ、実装基板３の内部電極及び端子電極５ａ，５ｂを介して、外部に電気的に接続される。
　実装基板３の上面３ａには、封止樹脂７が設けられている。封止樹脂７は、弾性波素子２を封止している。封止樹脂７は、上面７ａ及び実装基板３側の面である下面７ｂを有する。実装基板３の厚みは、封止樹脂７の厚みよりも薄い。ここで封止樹脂の厚みとは、実装基板の上面に接している面から、実装基板とは反対側の面までの距離である。
　本実施形態の特徴は、実装基板３の厚みが封止樹脂７の厚みよりも薄いことにある。それによって、封止樹脂７の上面７ａと端子電極５ａ，５ｂとの平行度を良好にすることができ、実装基板３上の端子電極５ａ，５ｂと検査用の電極との接触不良が生じ難い。これを、本実施形態の製造方法と共に、以下において説明する。
　図２（ａ）～図２（ｃ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための正面断面図である。
　図２（ａ）に示すように、複数の弾性波素子２Ａを用意する。各弾性波素子２Ａは、各カバー部材１６Ａが湾曲していない以外の点では、弾性波素子２と同様の構成を有する。さらに、上面３Ａａ及び下面３Ａｂを有するマザーの実装基板３Ａを用意する。マザーの実装基板３Ａの上面３Ａａ上には、複数の電極ランド４ａ，４ｂが設けられている。マザーの実装基板３Ａの下面３Ａｂ上には、複数の端子電極５ａ，５ｂが設けられている。マザーの実装基板３Ａとしては、後述する封止樹脂の厚みよりも薄い厚みとなるような基板を用いる。
　マザーの実装基板３Ａは、上面３Ａａ側に凸状になるように湾曲している。マザーの実装基板３Ａは、理想的には湾曲していないことが望ましいが、実際には湾曲していることが多い。マザーの実装基板３Ａの厚みが薄い場合、より湾曲し易い。
　次に、マザーの実装基板３Ａの上面３Ａａ上に複数の弾性波素子２Ａを実装する。マザーの実装基板３Ａの上面３Ａａと、各弾性波素子２Ａのカバー部材１６Ａとが隙間を介して対向するように、各弾性波素子２Ａを実装する。このとき、マザーの実装基板３Ａの各電極ランド４ａ，４ｂ上に、各弾性波素子２Ａをバンプ６ａ，６ｂにより接合する。それによって、各弾性波素子２Ａとマザーの実装基板３Ａとを電気的に接続する。
　次に、図２（ｂ）に示すように、封止樹脂７Ａを、各弾性波素子２Ａを覆うようにマザーの実装基板３Ａの上面３Ａａ側に設けることにより、各弾性波素子２Ａを封止する。該封止に際しては、金型Ｘを用いる。金型Ｘは、第１，第２の金型Ｘ１，Ｘ２を有する。第１の金型Ｘ１は、内壁面Ｘ１ａを有する。第２の金型Ｘ２は、内壁面Ｘ２ａを有する。金型Ｘを型締めすると、内壁面Ｘ１ａと内壁面Ｘ２ａとが対向し合うように、第１の金型Ｘ１が第２の金型Ｘ２上に配置される。それによって、金型Ｘに内部空間が形成されている。このとき、第１の金型Ｘ１の内壁面Ｘ１ａと第２の金型Ｘ２の内壁面Ｘ２ａとは、互いに平行に延びている。
　各弾性波素子２Ａの封止に際しては、マザーの実装基板３Ａ及び各弾性波素子２Ａを、マザーの実装基板３Ａの下面３Ａｂ側から第２の金型Ｘ２の内壁面Ｘ２ａ上に配置する。このとき、マザーの実装基板３Ａの下面３Ａｂまたは複数の端子電極５ａ，５ｂの少なくとも一部は、第２の金型Ｘ２の内壁面Ｘ２ａに接している。次に、金型Ｘを型締めする。次に、金型Ｘの内部空間に封止樹脂７Ａを充填する。該充填に際し、封止樹脂７Ａの流動性は高くないため、封止樹脂７Ａを加圧する。必要に応じ、封止樹脂７Ａの流動性を高めるために、封止樹脂７Ａを加熱してもよい。
　第１の実施形態の弾性波装置の製造方法においては、各弾性波素子のカバー部材が圧電基板側に湾曲するまで加圧して、封止樹脂７Ａを金型Ｘの内部空間に供給する。上述のように、封止樹脂７Ａの厚みは、マザーの実装基板３Ａの厚みよりも厚い。そのため、封止樹脂７Ａに圧力を効果的に加えることができる。このように加圧することにより、マザーの実装基板３Ａを下面３Ａｂ側に押圧する。それによって、マザーの実装基板３Ａを、下面３Ａｂ側の第２の金型Ｘ２の内壁面Ｘ２ａに沿う形状とすることができ、湾曲した形状を平坦化することができる。さらに、端子電極５ａ，５ｂが第２の金型Ｘ２に接するようにマザーの実装基板３Ａを押圧するため、端子電極５ａ，５ｂを第２の金型Ｘ２に沿う配置とすることができる。封止樹脂７Ａの上面７Ａａは、第１の金型Ｘ１に沿う形状となるため、上面７Ａａを平坦な形状とすることができる。なお、このとき、湾曲したカバー部材１６を有する弾性波素子２が構成されている。
　図２（ｂ）に示されている形態では、マザーの実装基板３Ａを平坦な形状とすることができており、この形態が最も望ましい。なお、マザーの実装基板３Ａを必ずしも平坦な形状にはしなくともよく、マザーの実装基板３Ａが湾曲していてもよい。
　なお、図２（ｂ）に示したカバー部材１６Ａを必ずしも湾曲させなくともよい。もっとも、カバー部材１６Ａが湾曲するまで封止樹脂７Ａを加圧することにより、マザーの実装基板３Ａを、より確実に平坦化することができる。
　次に、封止樹脂７Ａを硬化する。次に、図２（ｃ）に示すように、ダイシング工程などによりマザーの実装基板３Ａ及び封止樹脂７Ａを分割する。これにより、複数の弾性波装置１を得ることができる。弾性波装置１の実装基板３の下面３ｂは、上記の加圧により、平坦な形状とされている。実装基板３の下面３ｂ及び封止樹脂７の上面７ａは、図２（ｂ）に示した平行に延びる第１の金型Ｘ１の内壁面Ｘ１ａ及び第２の金型Ｘ２の内壁面Ｘ２ａに沿う形状となっている。よって、実装基板３の下面３ｂと封止樹脂７の上面７ａとの平行度を良好にすることができている。
　封止樹脂の充填に際し、封止樹脂の加圧が不充分な弾性波装置を得た場合、実装基板が金型の内壁面にならわずに大きく湾曲する問題が発生していた。そのため、実装基板の下面と封止樹脂の上面との平行度は損なわれていた。よって、実装基板の下面上の端子電極と封止樹脂の上面との平行度も損なわれていた。
　ところで、図１に示す弾性波装置１を選別するための検査に際し、実装基板３の下面３ｂの端子電極５ａ，５ｂを用いる。端子電極５ａ，５ｂに検査用の電極を接触させることにより、検査を行う。このとき、端子電極の表面と封止樹脂の上面との平行度が損なわれている場合、端子電極と検査用の電極との接触不良が生じ易かった。より具体的には、端子電極が、封止樹脂の上面を含む平面から大きく傾いていた。そのため、端子電極と検査用の電極との接触面積を大きくすることが困難であった。さらに、複数の端子電極同士の、弾性波装置の厚み方向の位置がずれることが多かった。そのため、複数の端子電極を同時に検査用の電極と接触させるに際し、接触不良が生じることが多かった。よって、再検査が行われることも多かった。
　これに対して、本実施形態では、実装基板３の下面３ｂと封止樹脂７の上面７ａとの平行度は良好である。さらに、端子電極５ａ，５ｂと封止樹脂７の上面７ａとの平行度は良好である。従って、端子電極５ａ，５ｂと検査用の電極との接触不良が生じ難い。再検査の必要も生じ難いため、生産性を高めることもできる。
　なお、実装基板は、湾曲していないことが最も望ましいが、湾曲していてもよい。この場合、カバー部材よりも実装基板の方が小さく湾曲していることが好ましい。カバー部材及び実装基板の湾曲の度合いは、カバー部材及び実装基板の湾曲部分の曲率により求められる。
　カバー部材の湾曲部分の曲率及び実装基板の湾曲部分の曲率を測定するに際しては、弾性波装置を複数箇所において厚み方向に切断する。次に、複数の切断部分の断面に露出している各カバー部材の湾曲部分の曲率及び各実装基板の湾曲部分の曲率をそれぞれ測定する。測定された曲率の内、最大の曲率を湾曲の度合いとして、湾曲の度合いを対比すればよい。
　カバー部材よりも実装基板の方が小さく湾曲している場合、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。以下において、この例を示す。
　図３に示す第１の変形例の弾性波装置３１では、実装基板３３は、弾性波素子２側に湾曲している。カバー部材１６よりも実装基板３３の方が小さく湾曲している。
　図４に示す第２の変形例の弾性波装置４１では、実装基板４３は、弾性波素子２とは反対側に湾曲している。カバー部材１６よりも実装基板４３の方が小さく湾曲している。
　図１に戻り、弾性波装置１における封止樹脂７の体積は、実装基板３の体積以上であることが好ましい。ここで、弾性波素子２の圧電基板１３の第１の主面１３ａ側からの平面視における封止樹脂７の面積をＡ１、弾性波素子２の面積をＡ２、実装基板３の面積をＡ３とする。封止樹脂７の厚みをＴ１、弾性波素子２の厚みをＴ２、実装基板３の厚みをＴ３とする。このとき、下記の式（１）を満たすことが好ましい。
　式（１）Ａ１×Ｔ１－Ａ２×Ｔ２≧Ａ３×Ｔ３
　図２（ｂ）で示した樹脂モールディングの工程に際し、個片化後の封止樹脂７及び実装基板３が式（１）の関係となるように封止樹脂７によって弾性波素子２を封止することが好ましい。それによって、図２（ｂ）に示した工程において、封止樹脂７Ａを効果的に加圧することができ、マザーの実装基板３Ａをより確実に平坦化させることができる。よって、個片化後の弾性波装置１において、実装基板３の下面３ｂ及び端子電極５ａ，５ｂと封止樹脂７の上面７ａとの平行度は良好である。なお、弾性波素子２のカバー部材が湾曲しており、あるいは実装基板が厚み方向にテーパー形状を有しており、厚みの値に分布を持つ場合、厚みの分布の中央値をＴ２やＴ３の厚みとして用いることができる。
　本実施形態の弾性波装置１の厚みは、特に限定されないが、１ｍｍ以下である。この場合、実装基板３の厚みは、０．５ｍｍ以下であり、かつ弾性波装置１の厚みに対する実装基板３の厚みの占有率が４５％以下であることが好ましい。このとき、図２（ｂ）で示したマザーの実装基板３Ａの厚みも薄い。よって、マザーの実装基板３Ａを変形させ易く、マザーの実装基板３Ａの形状を第２の金型Ｘ２に沿う形状とすることが容易となる。より好ましくは、実装基板３の厚みは０．４ｍｍ以下であることが望ましく、さらに好ましくは、実装基板３の厚みは０．３ｍｍ以下であることが望ましい。最も好ましくは、実装基板３の厚みは０．２ｍｍ以下であることが望ましい。一般的に弾性波装置１の実装基板として使用されていない厚み０．２ｍｍ以下の実装基板３を用いた場合、比較的高い柔軟性を有する実装基板３が得られる。このような実装基板３を用いれば、実装基板３の柔軟性が端子電極の変位を阻害しないよう作用する。従って、実装基板３の下面に設けた複数の端子電極が平坦な配置に修正されるとき、複数の端子電極の平坦性が高められる効果が特に大きい。
　実装基板３の厚みが薄いほど、実装基板３の下面３ｂと封止樹脂７の上面７ａとの平行度をより確実に良好にすることができる。さらに、端子電極５ａ，５ｂと封止樹脂７の上面７ａとの平行度もより確実に良好にすることができる。よって、端子電極５ａ，５ｂと検査用の電極との接触不良がより一層生じ難い。さらに弾性波装置を小型にすることもできる。弾性波装置１の強度の観点から、実装基板３の厚みが０．１ｍｍ以上であることが望ましい。
　一方、弾性波装置１をモジュール装置の基板に実装する場合、弾性波装置１の上面を吸引により保持して所定の位置に配置する工程が広く用いられている。吸引の際に、弾性波素子へ作用する応力により、弾性波素子が損傷する場合があった。これに対して、弾性波素子の上面を覆う封止樹脂の厚みの、弾性波素子の下面と実装基板３との間にある封止樹脂の厚みに対する比率を１以上に設定することが好ましい。それによって、弾性波装置１の封止部分の高さを維持したままで、吸引の際に、弾性波素子へ作用する応力を低減することができる。
　なお、本実施形態では、端子電極５ａ，５ｂと検査用の電極との平行度が良好であるため、端子電極５ａ，５ｂと検査用の電極との接触面積を容易に大きくすることができる。従って、弾性波装置を小型にしても、端子電極５ａ，５ｂと検査用の電極との接触不良は生じ難い。
　ここで、実装基板は、理想的には厚みが均一であることが望ましいが、実際には、厚みが均一でないことが多い。例えば、実装基板が内部配線を有する場合、内部配線が設けられている部分と内部配線が設けられていない部分とを有する。それによって、実装基板の厚みが不均一になることがある。
　図５に、実装基板２３の厚みが不均一である比較例を示す。弾性波装置５１では、封止樹脂７の上面７ａと実装基板２３の上面２３ａとの平行度は良好である。しかしながら、封止樹脂７の上面７ａと実装基板２３の下面２３ｂとの平行度は損なわれている。封止樹脂７の上面７ａと端子電極５ａ，５ｂとの平行度も損なわれている。よって、端子電極５ａ，５ｂと検査用の電極との接触不良が生じ易かった。
　これに対して、以下に示す第２の実施形態に係る弾性波装置では、実装基板の厚みが不均一であっても、第１の実施形態の弾性波装置１と同様の効果を得ることができる。
　図６は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
　弾性波装置２１では、実装基板２３の厚みは不均一である。弾性波素子２は、封止樹脂２７の上面２７ａに対して傾いている。上記の点以外においては、弾性波装置２１は、第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
　実装基板２３は、対向し合っている第１，第２の端面２３ｃ，２３ｄを有する。実装基板２３においては、第１の端面２３ｃにおける厚みよりも第２の端面２３ｄにおける厚みの方が薄い。この場合においても、第１の実施形態と同様に、実装基板２３の下面２３ｂと封止樹脂２７の上面２７ａとの平行度は良好である。端子電極５ａ，５ｂと封止樹脂２７の上面２７ａとの平行度も良好である。
　弾性波装置２１を得るに際しても、第１の実施形態の弾性波装置１の製造方法と同様の方法により得ることができる。より具体的には、図２（ｂ）に示したように、カバー部材が湾曲するまで封止樹脂を加圧して充填する。それによって、マザーの実装基板を、第２の主面側の金型に沿う配置にすることができる。さらに、端子電極５ａ，５ｂも、金型に沿う配置とすることができる。これにより、実装基板２３の下面２３ｂ及び端子電極５ａ，５ｂと封止樹脂２７の上面２７ａとの平行度が良好な弾性波装置２１を得ることができる。
　１…弾性波装置
　２，２Ａ…弾性波素子
　３…実装基板
　３Ａ…マザーの実装基板
　３ａ，３Ａａ…上面
　３ｂ，３Ａｂ…下面
　４ａ，４ｂ…電極ランド
　５ａ，５ｂ…端子電極
　６ａ，６ｂ…バンプ
　７，７Ａ…封止樹脂
　７ａ，７Ａａ…上面
　７ｂ…下面
　１３…圧電基板
　１３ａ，１３ｂ…第１，第２の主面
　１４…ＩＤＴ電極
　１５…支持部材
　１６，１６Ａ…カバー部材
　１７ａ，１７ｂ…アンダーバンプメタル層
　１７ａ１，１７ｂ１…第１の端部
　１７ａ２，１７ｂ２…第２の端部
　２１…弾性波装置
　２３…実装基板
　２３ａ…上面
　２３ｂ…下面
　２３ｃ，２３ｄ…第１，第２の端面
　２７…封止樹脂
　２７ａ…上面
　３１…弾性波装置
　３３…実装基板
　４１…弾性波装置
　４３…実装基板
　５１…弾性波装置
　Ｘ…金型
　Ｘ１，Ｘ２…第１，第２の金型
　Ｘ１ａ，Ｘ２ａ…内壁面

Claims (10)

  1. 　第１の主面及び該第１の主面に対向している第２の主面を有する圧電基板と、前記圧電基板の前記第２の主面上に設けられているＩＤＴ電極と、前記圧電基板の前記第２の主面側からの平面視において、前記ＩＤＴ電極を囲むように、前記圧電基板の前記第２の主面上に設けられている支持部材と、前記支持部材上に設けられており、前記支持部材と前記圧電基板と共に前記ＩＤＴ電極を封止しているカバー部材と、を有する弾性波素子と、
    　上面と下面とを有し、前記下面に設けられている端子電極を有し、前記上面に前記弾性波素子が実装されている実装基板と、
    　前記実装基板の前記上面側に設けられており、前記弾性波素子を封止している封止樹脂と、
    を備え、
    　前記封止樹脂の前記実装基板の前記上面に接している面から、前記実装基板とは反対側の面までの距離である厚みよりも前記実装基板の厚みが薄い、弾性波装置。
  2. 　前記カバー部材が、前記圧電基板側に湾曲している、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記カバー部材が、前記実装基板よりも大きく湾曲している、請求項２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記封止樹脂の体積が、前記実装基板の体積以上である、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  5. 　前記圧電基板の前記第１の主面側からの平面視における前記封止樹脂の面積をＡ１、前記弾性波素子の面積をＡ２、前記実装基板の面積をＡ３とし、前記封止樹脂の前記実装基板の前記上面に接している面から、前記実装基板とは反対側の面までの距離である厚みをＴ１、前記弾性波素子の厚みをＴ２、前記実装基板の厚みをＴ３とすると、下記の式（１）
    　式（１）
    　Ａ１×Ｔ１－Ａ２×Ｔ２≧Ａ３×Ｔ３
    を満たす、請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　前記弾性波装置の厚みが１ｍｍ以下であり、前記実装基板の厚みが０．５ｍｍ以下であり、かつ前記弾性波装置の厚みに対する前記実装基板の厚みの占有率が４５％以下である、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  7. 　前記実装基板の厚みが０．２ｍｍ以下である、請求項６に記載の弾性波装置。
  8. 　前記実装基板上に、バンプにより前記弾性波素子が接合されている、請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 　第１の主面及び該第１の主面に対向している第２の主面を有する圧電基板と、前記圧電基板の前記第２の主面上に設けられているＩＤＴ電極と、前記圧電基板の前記第２の主面側からの平面視において、前記ＩＤＴ電極を囲むように、前記圧電基板の前記第２の主面上に設けられている支持部材と、前記支持部材上に設けられており、前記支持部材と前記圧電基板と共に前記ＩＤＴ電極を封止しているカバー部材と、をそれぞれ有する複数の弾性波素子と、上面と下面とを有し、前記下面に設けられている端子電極を有するマザーの実装基板と、を用意する工程と、
    　前記複数の弾性波素子を、前記カバー部材と前記マザーの実装基板の前記上面とが隙間を介して対向するように、前記マザーの実装基板の前記上面に実装する工程と、
    　前記複数の弾性波素子が前記マザーの実装基板の前記上面に実装された前記マザーの実装基板を、第１の金型と第２の金型とにより形成された内部空間内に配置する工程と、
    　前記弾性波素子が封止されるように、前記マザーの実装基板の前記上面上に、前記カバー部材が前記圧電基板側に湾曲するまで前記内部空間内に流動性を有する封止樹脂を加圧して供給する工程と、
    　前記封止樹脂を硬化する工程と、
    　前記マザーの実装基板及び前記封止樹脂を分割し、個片化する工程と、
    を備える、弾性波装置の製造方法。
  10. 　前記カバー部材が前記圧電基板側に湾曲するまで前記封止樹脂を加圧するとき、前記マザーの実装基板が前記内部空間の内壁面によって平坦化される、請求項９に記載の弾性波装置の製造方法。
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