JP5660197B2

JP5660197B2 - 電子部品

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Publication number: JP5660197B2
Application number: JP2013503428A
Authority: JP
Inventors: 秀司大和; 比良　光善; 光善比良
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2011-03-09
Filing date: 2012-02-10
Publication date: 2015-01-28
Anticipated expiration: 2032-02-10
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Description

本発明は、電子部品に関し、より特定的には、表面弾性波素子を備えている電子部品に関する。

従来の表面弾性波素子を備えている電子部品としては、例えば、特許文献１に記載の弾性波デバイスが知られている。該弾性波デバイスでは、圧電基板上に弾性波素子が設けられている。更に、圧電基板は、樹脂膜により覆われている。ただし、弾性波素子に樹脂膜が接触しないように、弾性波素子上には、空洞部が設けられている。

ところで、特許文献１に記載の弾性波デバイスは、実装時に、空洞部がつぶれるという問題を有している。より詳細には、弾性波デバイスを備えた回路モジュールの作製の際には、弾性波デバイスが基板に実装された後に、弾性波デバイスを覆うように樹脂によりモールドが施される。この際、樹脂に対して比較的に高い圧力が加えられる。そのため、特許文献１に記載の弾性波デバイスでは、圧力によって樹脂膜が変形し、空洞部がつぶれるおそれがある。特に、空洞部の体積が大きくなるにしたがって、該空洞部はつぶれやすくなる。

特開２００９−１５９１２４号公報

そこで、本発明の目的は、表面弾性波素子上に設けられている空間がつぶれることを抑制できる電子部品を提供することである。

本発明の一形態に係る電子部品は、基板と、前記基板の主面の法線方向から平面視したときに、該主面上の所定領域を囲んでいる支持層と、前記所定領域内に設けられている表面弾性波素子と、前記支持層上に設けられ、かつ、前記主面に対向しているカバー層と、前記主面、前記支持層及び前記カバー層に囲まれた空間内において、該主面と該カバー層とを繋いでいると共に、前記支持層と接触していない柱状部材と、前記柱状部材内を前記主面の法線方向に延在している第１のビアホール導体と、前記支持層内を前記主面の法線方向に延在する第２のビアホール導体と、を備えており、前記柱状部材は、前記主面の中央に設けられており、前記第１のビアホール導体の前記主面に平行な面における断面積は、前記第２のビアホール導体の該主面に平行な面における断面積よりも大きいこと、を特徴とする。

本発明によれば、表面弾性波素子上に設けられている空間がつぶれることを抑制できる。

ＳＡＷフィルタを平面視した図である。図１のＳＡＷフィルタのＡ−Ａにおける断面構造図である。図１のＳＡＷフィルタの分解図である。図１のＳＡＷフィルタの等価回路図である。ＳＡＷフィルタが実装された回路モジュールの断面構造図である。ＳＡＷフィルタの製造時の工程断面図である。ＳＡＷフィルタの製造時の工程断面図である。第１の変形例に係るＳＡＷフィルタの断面構造図である。第２の変形例に係るＳＡＷフィルタの断面構造図である。

以下に、本発明の一実施形態に係るＳＡＷ（表面弾性波）フィルタについて説明する。

（ＳＡＷフィルタの構成）
まず、ＳＡＷフィルタの構成について図面を参照しながら説明する。図１は、ＳＡＷフィルタ１０を平面視した図である。図２は、図１のＳＡＷフィルタ１０のＡ−Ａにおける断面構造図である。図３は、図１のＳＡＷフィルタ１０の分解図である。図４は、図１のＳＡＷフィルタ１０の等価回路図である。以下では、ＳＡＷフィルタ１０の積層方向（鉛直方向）をｚ軸方向と定義する。また、ＳＡＷフィルタ１０をｚ軸方向から平面視したときに、ＳＡＷフィルタ１０の長辺に沿った方向をｘ軸方向と定義し、ＳＡＷフィルタ１０の短辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。

ＳＡＷフィルタ１０は、図１ないし図４に示すように、圧電基板１２、支持層１４、柱状部材１６、表面弾性波素子１８（１８ａ〜１８ｔ）、配線１９、カバー層２０，２２、バンプ（外部接続部）２４（２４ａ〜２４ｇ）、パッド３０（３０ａ〜３０ｇ）及びビアホール導体Ｖ１〜Ｖ７を備えている。

圧電基板１２は、長方形状の板状をなしており、主面Ｓ１（図２参照）を有している。圧電基板１２としては、例えば、水晶基板、ＬｉＴａＯ₃基板、ＬｉＮｂＯ₃基板、ＺｎＯ薄膜が形成された基板等が用いられる。主面Ｓ１は、圧電基板１２の２つの主面のうちのｚ軸方向の正方向側に位置している主面を指している。

圧電基板１２の主面Ｓ１上には、図１及び図２に示すように、素子領域Ｅが規定されている。素子領域Ｅは、主面Ｓ１において、角部近傍及び各辺近傍を除く領域である。

支持層１４は、図１及び図３に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、素子領域Ｅを囲む長方形の枠状をなしている。より詳細には、支持層１４は、図３に示すように、枠部１４ａ及び突起部１４ｂ〜１４ｇを含んでいる。枠部１４ａは、主面Ｓ１の４辺に沿った長方形の枠状をなしている。突起部１４ｂ〜１４ｅはそれぞれ、主面Ｓ１の４つの角において、枠部１４ａの内側に向かって突出している。突起部１４ｆ，１４ｇはそれぞれ、主面Ｓ１のｙ軸方向の正方向側及び負方向側の長辺の中点において、枠部１４ａの内側に向かって突出している。支持層１４は、ＳＡＷフィルタ１０内に水分等が侵入することを防止する役割を果たしており、耐水性に優れた絶縁材料（例えば、ポリイミド）により作製されている。また、素子領域Ｅとは、主面Ｓ１において、支持層１４が設けられていない領域を意味する。

カバー層２０は、図２に示すように、支持層１４のｚ軸方向の正方向側に設けられており、主面Ｓ１に対向している。より詳細には、カバー層２０は、主面Ｓ１と略同じ長方形状をなしている。そして、カバー層２０は、支持層１４のｚ軸方向の正方向側に積層されることにより、主面Ｓ１と接触することなく空間を介して対向している。以下では、主面Ｓ１、支持層１４及びカバー層２０のｚ軸方向の負方向側の主面により囲まれた空間を空間Ｓｐと呼ぶ。カバー層２０は、支持層１４とは異なる絶縁材料により作製されており、例えば、エポキシにより作製されている。

カバー層２２は、図２に示すように、カバー層２０のｚ軸方向の正方向側に設けられている。より詳細には、カバー層２２は、カバー層２０と同じ長方形状をなしており、ｚ軸方向から平面視したときに、カバー層２０と一致した状態で重なっている。カバー層２２は、ＳＡＷフィルタ１０内に水分等が侵入することを防止する役割を果たしており、耐水性に優れた絶縁材料（例えば、ポリイミド）により作製されている。すなわち、カバー層２２は、支持層１４と同じ絶縁材料により作製されている。なお、カバー層２２は、支持層１４が硬化した後に形成されるので、カバー層２２を支持層１４上に直接に積層した場合には、カバー層２２が支持層１４に密着しにくい。そのため、ＳＡＷフィルタ１０では、支持層１４とカバー層２２との間に、カバー層２０が設けられている。すなわち、カバー層２０は、支持層１４とカバー層２２とを接着している。

柱状部材１６は、空間Ｓｐ内において、主面Ｓ１とカバー層２０のｚ軸方向の負方向側の主面とを繋いでいると共に、支持層１４と接触していない。より詳細には、柱状部材１６は、ｚ軸方向の正方向側から平面視したときに、主面Ｓ１の対角線の交点付近（すなわち、主面Ｓ１の中央付近）に設けられており、ｚ軸方向に延在する円柱状の絶縁体である。柱状部材１６は支持層１４と同じ絶縁材料（すなわち、ポリイミド）により作製されている。柱状部材１６は、カバー層２０，２２が変形して空間Ｓｐがつぶれることを抑制している。

パッド３０ａ〜３０ｆはそれぞれ、主面Ｓ１上に設けられたＡｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔ等の導体層からなり、図１及び図３に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、支持層１４の突起部１４ｂ〜１４ｇと重なっている。パッド３０ａ〜３０ｆには、後述するビアホール導体Ｖ１〜Ｖ６が接続される。また、パッド３０ｇは、主面Ｓ１上に設けられたＡｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔ等の導体層からなり、図１に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、主面Ｓ１の対角線の交点と重なっている。パッド３０ｇには、後述するビアホール導体Ｖ７が接続される。

ビアホール導体Ｖ１〜Ｖ６はそれぞれ、図３に示すように、支持層１４及びカバー層２０，２２をｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｖ１〜Ｖ６のｚ軸方向の負方向側の端部はそれぞれ、パッド３０ａ〜３０ｆに接続されている。

ビアホール導体Ｖ７は、図３に示すように、柱状部材１６及びカバー層２０，２２をｚ軸方向に貫通している。すなわち、ビアホール導体Ｖ７は、柱状部材１６内をｚ軸方向（主面Ｓ１の法線方向）に延在している。ビアホール導体Ｖ７のｚ軸方向の負方向側の端部は、パッド３０ｇに接続されている。

バンプ２４ａ〜２４ｇはそれぞれ、ビアホール導体Ｖ１〜Ｖ７の直上のカバー層２２のｚ軸方向の正方向側の主面上に設けられており、ビアホール導体Ｖ１〜Ｖ７のｚ軸方向の正方向側の端部に接続されている。バンプ２４ｆは、外部接続部に相当する。バンプ２４ａ〜２４ｇは、ＳＡＷフィルタ１０が回路基板に実装される際に、回路基板のランドに接続され、例えば、球状のはんだである。

表面弾性波素子１８は、素子領域Ｅ内に設けられている。表面弾性波素子１８は、主面Ｓ１上に形成されたＡｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔ等の導体層からなり、２つの櫛形電極が対向することによりＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌＴｒａｎｓｄｕｃｅｒ）を形成している。そして、表面波弾性素子１８は、櫛形電極のピッチによって定まる共振周波数の共振特性を有する共振子を構成している。更に、複数の表面波弾性素子１８によって、ラダー型回路を有するラダー型フィルタが構成されている。そして、ラダー型フィルタが所望の通過特性を有するように、異なるサイズの表面波弾性素子１８が設けられている。なお、表面弾性波素子１８の構成及び原理については、一般的な表面弾性波素子の構成及び原理と同じであるので、これ以上の詳細な説明を省略する。

配線１９は、主面Ｓ１上に形成されたＡｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔ等の導体層からなり、表面弾性波素子１８及びパッド３０を接続している。以下に、ＳＡＷフィルタ１０の回路構成についてより詳細に説明する。

表面弾性波素子１８ａ〜１８ｆは、図４に示すように、バンプ２４ａとバンプ２４ｂ間に直列接続されている。より詳細には、表面弾性波素子１８ａの一方の櫛形電極は、配線１９、パッド３０ａ及びビアホール導体Ｖ１を介してバンプ２４ａに接続されている。表面弾性波素子１８ａの他方の櫛形電極は、配線１９を介して表面弾性波素子１８ｂの一方の櫛形電極に接続されている。表面弾性波素子１８ｂの他方の櫛形電極は、配線１９を介して表面弾性波素子１８ｃの一方の櫛形電極に接続されている。表面弾性波素子１８ｃの他方の櫛形電極は、配線１９を介して表面弾性波素子１８ｄの一方の櫛形電極に接続されている。表面弾性波素子１８ｄの他方の櫛形電極は、配線１９を介して表面弾性波素子１８ｅの一方の櫛形電極に接続されている。表面弾性波素子１８ｅの他方の櫛形電極は、配線１９を介して表面弾性波素子１８ｆの一方の櫛形電極に接続されている。表面弾性波素子１８ｆの他方の櫛形電極は、配線１９、パッド３０ｂ及びビアホール導体Ｖ２を介してバンプ２４ｂに接続されている。

また、表面弾性波素子１８ｇは、図４に示すように、バンプ２４ａとバンプ２４ｅとの間に接続されている。より詳細には、表面弾性波素子１８ｇの一方の櫛形電極は、配線１９、パッド３０ａ及びビアホール導体Ｖ１を介してバンプ２４ａに接続されている。表面弾性波素子１８ｇの他方の櫛形電極は、配線１９、パッド３０ｅ及びビアホール導体Ｖ５を介してバンプ２４ｅに接続されている。

また、表面弾性波素子１８ｈは、図４に示すように、表面弾性波素子１８ｂ，１８ｃの間とバンプ２４ｅとの間に接続されている。より詳細には、表面弾性波素子１８ｈの一方の櫛形電極は、配線１９を介して表面弾性波素子１８ｂの他方の櫛形電極及び表面弾性波素子１８ｃの一方の櫛形電極に接続されている。表面弾性波素子１８ｈの他方の櫛形電極は、配線１９、パッド３０ｅ及びビアホール導体Ｖ５を介してバンプ２４ｅに接続されている。

また、表面弾性波素子１８ｉは、図４に示すように、表面弾性波素子１８ｄ，１８ｅの間とバンプ２４ｇ，２４ｆとの間に接続されている。より詳細には、表面弾性波素子１８ｉの一方の櫛形電極は、配線１９を介して表面弾性波素子１８ｄの他方の櫛形電極及び表面弾性波素子１８ｅの一方の櫛形電極に接続されている。表面弾性波素子１８ｉの他方の櫛形電極は、配線１９、パッド３０ｇ及びビアホール導体Ｖ７を介してバンプ２４ｇに接続されていると共に、配線１９、パッド３０ｆ及びビアホール導体Ｖ６を介してバンプ２４ｆに接続されている。

また、表面弾性波素子１８ｊは、図４に示すように、バンプ２４ｂとバンプ２４ｇ，２４ｆとの間に接続されている。より詳細には、表面弾性波素子１８ｊの一方の櫛形電極は、配線１９、パッド３０ｂ及びビアホール導体Ｖ２を介してバンプ２４ｂに接続されている。表面弾性波素子１８ｊの他方の櫛形電極は、配線１９、パッド３０ｇ及びビアホール導体Ｖ７を介してバンプ２４ｇに接続されていると共に、配線１９、パッド３０ｆ及びビアホール導体Ｖ６を介してバンプ２４ｆに接続されている。

表面弾性波素子１８ｋ〜１８ｐは、図４に示すように、バンプ２４ｃとバンプ２４ｄ間に直列接続されている。より詳細には、表面弾性波素子１８ｋの一方の櫛形電極は、配線１９、パッド３０ｃ及びビアホール導体Ｖ３を介してバンプ２４ｃに接続されている。表面弾性波素子１８ｋの他方の櫛形電極は、配線１９を介して表面弾性波素子１８ｌの一方の櫛形電極に接続されている。表面弾性波素子１８ｌの他方の櫛形電極は、配線１９を介して表面弾性波素子１８ｍの一方の櫛形電極に接続されている。表面弾性波素子１８ｍの他方の櫛形電極は、配線１９を介して表面弾性波素子１８ｎの一方の櫛形電極に接続されている。表面弾性波素子１８ｎの他方の櫛形電極は、配線１９を介して表面弾性波素子１８ｏの一方の櫛形電極に接続されている。表面弾性波素子１８ｏの他方の櫛形電極は、配線１９を介して表面弾性波素子１８ｐの一方の櫛形電極に接続されている。表面弾性波素子１８ｐの他方の櫛形電極は、配線１９、パッド３０ｄ及びビアホール導体Ｖ４を介してバンプ２４ｄに接続されている。

また、表面弾性波素子１８ｑは、図４に示すように、バンプ２４ｃとバンプ２４ｅとの間に接続されている。より詳細には、表面弾性波素子１８ｑの一方の櫛形電極は、配線１９、パッド３０ｃ及びビアホール導体Ｖ３を介してバンプ２４ｃに接続されている。表面弾性波素子１８ｑの他方の櫛形電極は、配線１９、パッド３０ｅ及びビアホール導体Ｖ５を介してバンプ２４ｅに接続されている。

また、表面弾性波素子１８ｒは、図４に示すように、表面弾性波素子１８ｌ，１８ｍの間とバンプ２４ｅとの間に接続されている。より詳細には、表面弾性波素子１８ｒの一方の櫛形電極は、配線１９を介して表面弾性波素子１８ｌの他方の櫛形電極及び表面弾性波素子１８ｍの一方の櫛形電極に接続されている。表面弾性波素子１８ｒの他方の櫛形電極は、配線１９、パッド３０ｅ及びビアホール導体Ｖ５を介してバンプ２４ｅに接続されている。

また、表面弾性波素子１８ｓは、図４に示すように、表面弾性波素子１８ｎ，１８ｏの間とバンプ２４ｇ，２４ｆとの間に接続されている。より詳細には、表面弾性波素子１８ｓの一方の櫛形電極は、配線１９を介して表面弾性波素子１８ｎの他方の櫛形電極及び表面弾性波素子１８ｏの一方の櫛形電極に接続されている。表面弾性波素子１８ｓの他方の櫛形電極は、配線１９、パッド３０ｇ及びビアホール導体Ｖ７を介してバンプ２４ｇに接続されていると共に、配線１９、パッド３０ｆ及びビアホール導体Ｖ６を介してバンプ２４ｆに接続されている。

また、表面弾性波素子１８ｔは、図４に示すように、バンプ２４ｄとバンプ２４ｇ，２４ｆとの間に接続されている。より詳細には、表面弾性波素子１８ｔの一方の櫛形電極は、配線１９、パッド３０ｄ及びビアホール導体Ｖ４を介してバンプ２４ｄに接続されている。表面弾性波素子１８ｔの他方の櫛形電極は、配線１９、パッド３０ｇ及びビアホール導体Ｖ７を介してバンプ２４ｇに接続されていると共に、配線１９、パッド３０ｆ及びビアホール導体Ｖ６を介してバンプ２４ｆに接続されている。

以上のように構成されたＳＡＷフィルタ１０では、バンプ２４ａが９００ＭＨｚ帯域の高周波信号の入力端子として用いられ、バンプ２４ｂが９００ＭＨｚ帯域の高周波信号の出力端子として用いられる。また、バンプ２４ｅ〜２４ｇは、接地される。これにより、表面弾性波素子１８ａ〜１８ｊは、９００ＭＨｚ帯域の高周波信号を通過させるＳＡＷフィルタとして機能する。

また、バンプ２４ｃが８５０ＭＨｚ帯域の高周波信号の入力端子として用いられ、バンプ２４ｄが８５０ＭＨｚ帯域の高周波信号の出力端子として用いられる。また、バンプ２４ｅ〜２４ｇは、接地される。これにより、表面弾性波素子１８ｋ〜１８ｔは、８５０ＭＨｚ帯域の高周波信号を通過させるＳＡＷフィルタとして機能する。

以上のように構成されたＳＡＷフィルタ１０は、回路基板に実装されて回路モジュールとして用いられる。以下に、ＳＡＷフィルタ１０が実装された回路モジュールについて図面を参照しながら説明する。図５は、ＳＡＷフィルタ１０が実装された回路モジュール１００の断面構造図である。

回路モジュール１００は、ＳＡＷフィルタ１０、回路基板１０２、ランド１０４及びモールド樹脂１０６を備えている。回路基板１０２は、多層配線基板である。ランド１０４は、回路基板１０２の主面上に設けられている外部電極である。

ＳＡＷフィルタ１０は、バンプ２４がランド１０４と接触するように、回路基板１０２上に実装されている。バンプ２４は、実装時に溶融させられることにより、ランド１０４上において広がっている。これにより、ＳＡＷフィルタ１０は、回路基板１０２上に固定されている。モールド樹脂１０６は、ＳＡＷフィルタ１０及び回路基板１０２の主面上を覆っている。これにより、ＳＡＷフィルタ１０が保護されている。

（ＳＡＷフィルタ１０の製造方法）
以下に、ＳＡＷフィルタ１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。図６及び図７は、ＳＡＷフィルタ１０の製造時の工程断面図である。なお、以下では、１つのＳＡＷフィルタ１０の製造方法について説明するが、実際には、マトリクス状に配列された複数のＳＡＷフィルタ１０が同時に作製されて、最終的に個別のＳＡＷフィルタ１０に分割される。

まず、図６（ａ）に示すように、圧電基板１２を準備する。

次に、図６（ｂ）に示すように、圧電基板１２の主面Ｓ１上に表面弾性波素子１８、配線１９及びパッド３０をフォトリソグラフィー法により形成する。具体的には、表面弾性波素子１８、配線１９及びパッド３０が形成される部分に開口を有するレジストパターンを形成する。次に、レジストパターン及び開口にＡｌを主成分とする金属を蒸着成膜する。次に、剥離液に浸漬して、レジストパターンを除去する。この際、レジストパターン上の金属膜も除去される。これにより、表面弾性波素子１８、配線１９及びパッド３０が主面Ｓ１上に形成される。

次に、図６（ｃ）に示すように、圧電基板１２の主面Ｓ１上に支持層１４及び柱状部材１６をフォトリソグラフィー法により形成する。具体的には、スピンコート法により圧電基板１２の主面Ｓ１上に感光性ポリイミドを塗布する。次に、感光性ポリイミドを露光及び現像する。更に、感光性ポリイミドを加熱することにより硬化させ、酸素プラズマにより表面弾性波素子１８に付着している有機物を除去する。これにより、支持層１４及び柱状部材１６が形成される。

次に、図７（ａ）に示すように、支持層１４上にカバー層２０，２２を形成する。具体的には、エポキシフィルムからなるカバー層２０とポリイミドフィルムからなるカバー層２２が積層された積層フィルムを準備する。そして、積層フィルムを支持層１４上に配置して熱圧着する。

次に、図７（ｂ）に示すように、ビアホール導体Ｖ１〜Ｖ７が形成される位置にビームを照射して、支持層１４、柱状部材１６及びカバー層２０，２２にビアホールを形成する。なお、ビアホールの形成方法は、ビームを照射する方法に限らず、フォトリソグラフィー法であってもよい。

次に、図７（ｃ）に示すように、ビアホールの内部に電界めっきにより導体を充填してビアホール導体Ｖ１〜Ｖ７を形成する。なお、ビアホール導体Ｖ１〜Ｖ７の周囲が支持層１４により囲まれているので、空間Ｓｐ内にめっき液が侵入することが抑制されている。

最後に、図２に示すように、ビアホール導体Ｖ１〜Ｖ７上にはんだペーストを印刷することによって、バンプ２４ａ〜２４ｇを形成する。以上の工程を経て、ＳＡＷフィルタ１０が完成する。なお、前記ＳＡＷフィルタ１０の製造方法は、一例であるので、ＳＡＷフィルタ１０は別の方法によって作製されてもよい。

（効果）
以上のように構成されたＳＡＷフィルタ１０によれば、表面弾性波素子１８上に設けられている空間Ｓｐがつぶれることを抑制できる。より詳細には、特許文献１に記載の弾性波デバイスを備えた回路モジュールの作製の際には、弾性波デバイスが基板に実装された後に、弾性波デバイスを覆うように樹脂によりモールドが施される。この際、樹脂に対して比較的に高い圧力が加えられる。そのため、特許文献１に記載の弾性波デバイスでは、圧力によって樹脂膜が変形し、空洞部がつぶれるおそれがある。特に、空洞部の体積が大きくなるにしたがって、該空洞部はつぶれやすくなる。

一方、ＳＡＷフィルタ１０では、図２に示すように、空間Ｓｐ内において、主面Ｓ１とカバー層２０のｚ軸方向の負方向側の主面とを繋いでいる柱状部材１６が設けられている。これにより、ＳＡＷフィルタ１０の実装時に、カバー層２０，２２に圧力がかかったとしても、カバー層２０，２２は、柱状部材１６により支持されているので、変形することが抑制される。その結果、ＳＡＷフィルタ１０では、空間Ｓｐがつぶれることが抑制される。

また、ＳＡＷフィルタ１０では、設計の自由度が高くなる。より詳細には、ＳＡＷフィルタ１０では、柱状部材１６は、支持層１４に接触していない。すなわち、素子領域Ｅの支持層１４から離れた位置に柱状部材１６を配置することが可能である。よって、素子領域Ｅ内において任意の位置に柱状部材１６を配置できる。したがって、素子領域Ｅにおいて表面弾性波素子１８、配線１９及びパッド３０が設けられていない位置に柱状部材１６を配置できる。その結果、ＳＡＷフィルタ１０では、設計の自由度が高くなる。

また、ＳＡＷフィルタ１０では、高い放熱性が得られる。より詳細には、ＳＡＷフィルタ１０では、柱状部材１６及びカバー層２０，２２をｚ軸方向に貫通するビアホール導体Ｖ７が設けられている。更に、ビアホール導体Ｖ７は、パッド３０ｇを介して配線１９に接続されている。そのため、ＳＡＷフィルタ１０へのＲＦ電圧の印加により発生した熱は、ビアホール導体Ｖ７を介してＳＡＷフィルタ１０外へと放射されるようになる。その結果、ＳＡＷフィルタ１０では、耐電力性を向上させることができる。

また、ＳＡＷフィルタ１０では、バンプ２４ａとバンプ２４ｂとの間及びバンプ２４ｃとバンプ２４ｄとの間の減衰特性及びバンプ２４ａとバンプ２４ｂ以外のバンプ２４との間及びバンプ２４ｃとバンプ２４ｄ以外のバンプ２４との間のアイソレーション特性が向上する。より詳細には、ビアホール導体Ｖ７は、接地電位が印加されるバンプ２４ｆに接続されている。これにより、ビアホール導体Ｖ７が設けられていない場合に比べて、ＳＡＷフィルタ１０では、接地電位が印加される部分が多くなる。その結果、ＳＡＷフィルタ１０では、減衰特性及びアイソレーション特性が向上する。特に、ＳＡＷフィルタ１０が携帯電話に用いられた場合には、携帯電話のデュプレクサ回路において、送受信間におけるアイソレーション特性が向上する。

また、ＳＡＷフィルタ１０が実装された回路モジュール１００では、リップルの発生を抑制できる。より詳細には、ＳＡＷフィルタ１０では、ｚ軸方向の振動が発生し、リップルとなる。これに対して、ＳＡＷフィルタ１０は、回路モジュール１００においてモールド樹脂１０６に覆われている。そのため、ｚ軸方向の振動がモールド樹脂１０６により吸収される。その結果、リップルの発生が抑制される。

また、ＳＡＷフィルタ１０では、ビアホール導体Ｖ７とバンプ２４ｆとが直接に接続されているので、これらを接続するための配線が用いられない。その結果、配線によってインダクタンス成分やキャパシタ成分が発生することが抑制され、ＳＡＷフィルタ１０の特性劣化が抑制される。

（第１の変形例）
以下に第１の変形例に係るＳＡＷフィルタについて図面を参照しながら説明する。図８は、第１の変形例に係るＳＡＷフィルタ１０ａの断面構造図である。

ＳＡＷフィルタ１０ａでは、図８に示すように、バンプ２４ｆが設けられていなくてもよい。ＳＡＷフィルタ１０ａにおいても、空間Ｓｐがつぶれることを抑制できると共に、高い放熱性を得ることができる。

（第２の変形例）
以下に第２の変形例に係るＳＡＷフィルタについて図面を参照しながら説明する。図９は、第２の変形例に係るＳＡＷフィルタ１０ｂの断面構造図である。

ＳＡＷフィルタ１０ｂでは、図９に示すように、バンプ２４ｆ及びビアホール導体Ｖ７が設けられていなくてもよい。ＳＡＷフィルタ１０ｂにおいても、空間Ｓｐがつぶれることを抑制できる。

（その他の実施形態）
本発明に係るＳＡＷフィルタは、前記実施形態に示したＳＡＷフィルタ１０，１０ａ，１０ｂに限らずその要旨の範囲内において変形可能である。

ＳＡＷフィルタ１０，１０ａ，１０ｂにおいて、複数の柱状部材１６が設けられていてもよい。

また、柱状部材１６は、円柱形状をなしているが、角柱状等の形状をなしていてもよい。

また、ビアホール導体Ｖ７の主面Ｓ１に平行な平面における断面積は、ビアホール導体Ｖ１〜Ｖ６の該主面に平行な平面における断面積よりも大きいことが好ましい。ビアホール導体Ｖ７は、放熱効果や接地効果が最も大きいビアホール導体である。したがって、ビアホール導体Ｖ７の断面積を最も大きくすることにより、放熱効果及び接地効果を向上させることができる。更に、ビアホール導体Ｖ７の断面積が大きくなることにより、空間Ｓｐがつぶれることがより効果的に抑制されるようになる。

以上のように、本発明は、電子部品に有用であり、特に、表面弾性波素子上に設けられている空間がつぶれることを抑制できる点において優れている。

Ｅ素子領域
Ｓ１主面
Ｖ１〜Ｖ７ビアホール導体
１０，１０ａ，１０ｂＳＡＷフィルタ
１２圧電基板
１４支持層
１４ａ枠部
１４ｂ〜１４ｇ突起部
１６柱状部材
１８ａ〜１８ｔ表面弾性波素子
１９配線
２０，２２カバー層
２４ａ〜２４ｇバンプ
３０ａ〜３０ｇパッド
１００回路モジュール
１０２回路基板
１０４ランド
１０６モールド樹脂

Claims

基板と、
前記基板の主面の法線方向から平面視したときに、該主面上の所定領域を囲んでいる支持層と、
前記所定領域内に設けられている表面弾性波素子と、
前記支持層上に設けられ、かつ、前記主面に対向しているカバー層と、
前記主面、前記支持層及び前記カバー層に囲まれた空間内において、該主面と該カバー層とを繋いでいると共に、前記支持層と接触していない柱状部材と、
前記柱状部材内を前記主面の法線方向に延在している第１のビアホール導体と、
前記支持層内を前記主面の法線方向に延在する第２のビアホール導体と、
を備えており、
前記柱状部材は、前記主面の中央に設けられており、
前記第１のビアホール導体の前記主面に平行な面における断面積は、前記第２のビアホール導体の該主面に平行な面における断面積よりも大きいこと、
を特徴とする電子部品。
前記第１のビアホール導体に接続され、かつ、前記主面上に設けられている配線と、
前記第１のビアホール導体に接続され、かつ、前記第１のビアホール導体の直上の前記カバー層上に設けられている外部接続部であって、接地電位が印加される外部接続部と、
を更に備えていること、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
前記支持層と前記柱状部材とは同じ材料により作製されていること、
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子部品。
前記カバー層は、
前記支持層上に設けられ、かつ、該支持層とは異なる材料により作製されている第１のカバー層と、
前記第１のカバー層上に設けられ、かつ、前記支持層と同じ材料により作製されている第２のカバー層と、
を含んでいること、
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品。
前記第１のカバー層は、前記支持層と前記第２のカバー層とを接着していること、
を特徴とする請求項４に記載の電子部品。
前記表面弾性波素子は、表面弾性波フィルタを構成していること、
を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の電子部品。
前記所定領域内には、複数の前記表面弾性波素子が設けられていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の電子部品。