JP2012129481A - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】外部電極に導電樹脂を利用するガラスよりなる基板部材をもつパッケージよりなる表面実装電子部品の回路基板への実装信頼性を向上させる。
【解決の手段】ガラス基板１には円錐形の貫通孔があけられ、貫通孔には金属棒１２が無鉛低融点ガラス５によって封止されている。
金属棒１２にはこれを被覆するスパッタ金属１７が形成されこれらを覆って導電樹脂１３が形成され、さらにこの導電樹脂に金属電極１４が形成される。
【選択図】図２

Description

本発明はガラスをパッケージ構成部材としてもつ電子部品及びその製造方法に関するものである。

電子部品例えば水晶振動子は、電子機器の基準発振源や、マイクロコンピュータのクロック源などとして用いられている。

この水晶振動子は中空でかつ真空に気密封止された小型の表面実装型パッケージに水晶振動片を封入して構成される表面実装型電子部品が中心となっている。この中空の気密封止された小型の表面実装型パッケージの従来のものとしてセラミックスの容器に金属製の蓋を接合した表面実装型パッケージが製造されている。

しかしこのセラミックスを用いたパッケージは高価なためガラスを利用したパッケージが提案されている。パッケージにガラスを用いた場合、ガラス基板にガラス又は金属製の蓋が接合材で接合されている。また、外部電極と内部電極とは貫通孔に無鉛低融点ガラスにより封入されている金属棒により形成される貫通電極で接続されている。また、内部電極には接続材により水晶振動片が接続されている。

貫通電極は、Ｆｅ−Ｎｉ合金、コバール（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ）合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ合金、ジュメット線などの金属棒を無鉛低融点ガラスにより貫通孔に封入することにより形成される。無鉛低融点ガラスは主に酸化鉛に代えて酸化ビスマス、酸化亜鉛などを利用するなどにより無鉛化を図る。ここで低融点とは作業温度が約７００℃以下のものを指す。

外部電極はガラス・フリットをバインダーとする厚膜導電ペーストやスパッタ金属膜を下地としてその上にＮｉとＳｎのめっきを形成するなどの構造をもっている。

このような水晶振動子ははんだにより回路基板のランドと外部電極と接続・固定され実装される。このとき、外部電極ははんだによる接合を基本とするためはんだとの接合性がよいことが求められる。

ところでガラスは強度が低いという欠点がある。また、このような金属片端子がないタイプの外部電極をもつ表面実装パッケージは、応力の緩和機構をほとんどもたないため回路基板との熱膨張差による応力や基板の変形応力の影響を直接受ける。このため、回路基板上にはんだ付けされた表面実装パッケージは基板の変形、落下衝撃、熱衝撃、振動等により大きな応力を受ける。

そのため、回路基板の変形等によりガラスを使用したパッケージに亀裂が入り水晶振動子の発信停止に至ることがある。また、この亀裂発生は融点が高くかつクリープ強度が高く熱応力緩和が起こりにくいＰｂフリーはんだでおこりやすい。

そこでこの欠点を改善する方法として外部電極構造の下地層として導電樹脂を設ける（特許文献１参照）。あるいは下地構造として絶縁樹脂と導電樹脂の２層構造を採用するなどの方法により応力緩和を行うことが提案されている（特許文献２参照）。

特開２０１０−４２１６号公報 特開２０１０−１０３４７９号公報

上記のように導電樹脂を利用した場合、内部電極と外部電極を接続する貫通電極部に採用されるＦｅ−Ｎｉ合金、コバール合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ合金などのＮｉ合金と導電樹脂の間で大きな界面抵抗ないしは接続抵抗が生じ、水晶振動子ではインピーダンスが大きくなるという欠点があった。

また、Ｆｅ−Ｎｉ合金、コバール合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ合金等の細棒を封入する無鉛低融点ガラスは安定性に劣るため、導電樹脂との間で相互的悪作用を及ぼし接着強度の低下などをもたらす。

上記課題を解決するため本発明では、ガラスで形成された基板と、前記基板の一方の面上に形成された内部電極と、前記基板の一方の面と反対の面上に形成された外部電極と、前記基板の一方の面から反対の面まで貫通する貫通孔内に配置され、前記内部電極と前記外部電極とを電気的に接続する貫通電極と、前記基板の一方の面側に設けられ、内部電極と電気的に接続する電子素子と、を備える電子部品であって、前記貫通電極が金属棒で構成されるとともに、前記金属棒が無鉛低融点ガラスにより封止され、前記外部電極が、前記金属棒の前記外部電極側の端面をスパッタにより被覆するスパッタ金属層と、前記スパッタ金属層から前記基板の前記貫通孔の周囲まで覆う導電樹脂層と、を備えることを特徴とする。

本発明によれば内部電極と外部電極とを接続する貫通電極に採用される金属棒と導電樹脂の間の界面抵抗、又は接続抵抗を非常に小さくかつ安定した値とすることができる。また、金属棒を封入する無鉛低融点ガラスと導電樹脂成分の相互的悪作用を除去することが可能となり、導電樹脂の劣化、強度低下、および接着強度低下を抑制できる。

また、前記スパッタ金属層が、Ａｌ、又はＡｌ合金で形成されていることを特徴とする。
また、前記スパッタ金属層が、前記金属棒側に形成されたＴｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ、及びＴｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌのいずれかの合金から選ばれる第１の金属層と、前記導電樹脂層側に形成されたＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ及びＳｎから選ばれる第２の金属層とで構成されることを特徴とする。

また、前記スパッタ金属層が、さらに前記無鉛低融点ガラスの前記外部電極側を完全に覆うことを特徴とする。
これにより、外部電極と無鉛低融点ガラスとの密着性を向上することができる。

また、前記外部電極は、前記導電樹脂層と前記基板の一方の面と反対の面との間に、前記基板の一方の面と反対の面の前記貫通孔の開口端から周囲まで覆う絶縁樹脂層を備えることを特徴とする。

また、導電樹脂層１３と絶縁樹脂層１５の２層を形成する場合は、導電樹脂層１３単層の場合より応力緩和効果、ガラスとの接着力などで有利である。さらに、導電樹脂層１３と、絶縁樹脂層１５を構成する合成樹脂とが種々の組み合わせをとり得るので高温高湿や温度サイクルなどの信頼性においても有利となる。
また、前記電子素子が水晶振動片であることを特徴とする。

本発明に係る電子部品の製造方法は、ガラスで形成された基板と、前記基板の一方の面上に形成された内部電極と、前記基板の一方の面と反対の面上に形成された外部電極と、前記基板の一方の面から反対の面まで貫通する貫通孔内に配置され、前記内部電極と前記外部電極とを電気的に接続する貫通電極と、前記基板の一方の面側に設けられ、内部電極と電気的に接続する電子素子と、を備える電子部品の製造方法であって、前記基板の一方の面から反対の面まで貫通する貫通孔内に金属棒を配置し、前記金属棒を無鉛低融点ガラスにより封止する貫通電極形成工程と、前記金属棒の前記外部電極側の端面をスパッタにより被覆するスパッタ金属層を形成し、前記スパッタ金属層から前記基板の前記貫通孔の周囲まで覆う導電樹脂層を形成する外部電極形成工程と、を備えることを特徴とする。

本発明によれば内部電極と外部電極とを接続する貫通電極に採用される金属棒と導電樹脂の間の界面抵抗、又は接続抵抗を非常に小さくかつ安定した値とすることができる。また、金属棒を封入する無鉛低融点ガラスと導電樹脂成分の相互的悪作用を除去することが可能となり、導電樹脂の劣化、強度低下、および接着強度低下を抑制できる。

本発明に係る電子部品を回路基板に実装した状態を示す断面図である。 本発明に係る電子部品の外部電極部分を示す断面図である。 本発明に係る電子部品の外部電極部分を示す断面図である。 本発明に係る電子部品の外部電極部分を示す断面図である。

以下に本発明を詳細に説明する。
図１は、本発明に係る電子部品１００を回路基板１１に実装した状態を示す断面図である。

本発明において、電子素子８は、水晶振動片であり、電子部品１００は水晶振動子である。電子部品１００は、ガラスで形成された基板１と、基板１の一方の面上に形成された内部電極６と、基板の一方の面と反対の面上に形成された外部電極４と、基板の一方の面から反対の面まで貫通する貫通孔内に配置され、内部電極６と外部電極４とを電気的に接続する貫通電極と、基板の一方の面側に設けられ、内部電極６と電気的に接続する電子素子８と、を備えている。

また、基板１と蓋２とで内部に中空構造を有する電子部品のパッケージを構成している。また、基板１と蓋２とは、接合部３を介して接合されている。
また、電子素子８は、基板１上に内部電極６及び接続部７を介して設置されている。

図１に示すように、電子部品１００は、外部電極４とはんだ９を接合することにより、電子回路基板１１上のランド１０に接続される。このときはんだ９は、Ｐｂフリーはんだを用いることができる。

図２を用いて電子部品１００の第一実施形態に係る外部電極部分を詳細に説明する。図２は、図１に示す電子部品１００の外部電極部分を示す断面図である。

基板１は、平板状のガラスで形成される。ガラスは水晶振動子、ＳＡＷ素子などのパッケージに安価な基板材料として使用される。また、基板１は、円錐形の貫通孔を有し、貫通孔には貫通電極である金属棒１２が無鉛低融点ガラス５によって封止されている。

また、蓋２は、セラミック、シリコンその他無機単結晶、ガラス、金属、合金などで形成されている。

電子素子８と内部電極６の接続には、接合剤７として有機導電性接着剤を使用する、Ａｕ−２０重量％Ｓｎはんだを使用する、その他の高温はんだを使用する、Ａｕバンプによる超音波接合を利用する、前記方法とワイヤボンディングを併用するなどが可能である。

また、このような表面実装型の電子部品１００は極めて小型化しているため、基板１の厚みは０．４ｍｍ〜０．２ｍｍ、さらにはそれ以下となっている。

基板１に用いるガラスは、特にソーダガラスを用いることが好ましい。ソーダガラスはソーダ石灰ガラスとも呼ばれ、シリカ（ＳｉＯ２）、炭酸カルシウム、炭酸ナトリウムを主原料とするガラスで、溶融Ｓｎ浴上に溶融したガラスを流し込むフロート法により薄板ガラスが低コストで製造することができる。

このようにフロート法により製造されたソーダガラスの薄板ガラスは極めて低コストという特徴をもち、このような表面実装型の電子部品のパッケージに有利である。

また、ガラスを使用すると、基板１上に多数のパッケージ領域を形成することが可能となり、水晶振動片などの電子素子８との接合や、蓋２と基板１との接合を多数一括して行えるという利点もある。

さらに、ガラスをパッケージの部材として利用した水晶振動子は水晶振動片を気密封止後に外部よりレーザーにより周波数調整が可能であるという大きな利点をもつ。

そして、ソーダガラスは水晶振動片と熱膨張係数が近いため水晶振動子の温度特性に悪影響をあたえることが少ないという利点もある。

しかしながら、ガラスは多結晶であるセラミックス、特にパッケージ材料として頻繁に使用されるアルミナ、あるいはプラスチック、金属などより脆く破壊しやすく、応力を緩和しにくいという欠点をもつ。そのため、この欠点を改善するために、外部電極４に導電樹脂が利用して応力を緩和する。

このとき、外部電極４と内部電極６を電気的に接続する貫通電極に金属棒１２を使用する。この金属棒１２は無鉛低融点ガラス５により封止される。

金属棒１２は、ガラスとの密着性に優れ、低膨張率で熱膨張率がガラスに近いＦｅ−Ｎｉ合金、コバール合金（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金）、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ合金などのＮｉ合金、ジュメット線などを用いる。

無鉛低融点ガラス５は、主に酸化鉛に代えて酸化ビスマス、酸化亜鉛などを利用してホウケイ酸ガラスなどの無鉛低融点化を行ったものである。、ここで低融点とは作業温度が約７００℃以下のものを指す。このとき、場合によっては、無鉛低融点ガラス５に熱膨張率の調整、強度向上などのために結晶質のフィラーを充填する。

ここで、無鉛低融点ガラス５は不安定であるため、外部電極４として導電樹脂を用いた場合、悪影響を与える。さらに、導電樹脂と上記Ｎｉ合金よりなる金属棒の直接接合は界面抵抗、又は接触抵抗が非常に大きいという欠点を有する。

そこで、本発明では上記欠点に改善するため、外部電極４の導電樹脂で形成される導電樹脂層１３と金属棒１２との間にスパッタでスパッタ金属層１７を形成する。すなわち、導電樹脂層１３はスパッタ金属層１７から基板１の貫通孔の周囲まで覆っている。

このとき、スパッタによりスパッタ金属層１７を形成することにより、めっきなどと異なり、無鉛低融点ガラス５に悪影響を与えることがない。めっきを用いた場合、無鉛低融点ガラス５はめっき液と反応しやすく、種々の問題が生じる。

スパッタ金属層１７は、Ａｌ、又はAｌ合金で形成される。Ａｌは導電樹脂と低接触抵抗（界面抵抗）の接続を行う。

また、スパッタ金属層１７は、金属棒１２側に形成されたＴｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ、及びＴｉ、Ｎｉ、ＣｒおよびＡｌのいずれかの合金のうちから選ばれた１種類（第１の金属層）と、導電樹脂層１３側に形成されたＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、及びＳｎのうちから選ばれた１種類（第２の金属層）との２層構造で形成することもできる。Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌなどはガラスとの密着性に優れる。Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｓｎも導電樹脂との接触抵抗が小さいが、ガラスとの密着性が悪いために下地としてＴｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌを使用する必要がある。

さらに、金属棒１２側からＣｒ、Ｎｉ、Ａｕの順に積層させる３層構造も可能である。このような３層構造は、２層構造又は１層構造の場合より無鉛低融点ガラスによる悪影響を防げる。このとき、ＣｒとＡｕの間のＮｉ等は導電樹脂と無鉛低融点ガラスのより有効なバリア層として機能する。

なお、これら金属はいずれもほぼ純金属の状態で使用する必要性はなく、例えばＡｌ−Ｓｉ、Ｎｉ−Ｃｒなどのような合金状態でも構わず、本発明はこれらの合金にも当然適用される。

導電樹脂層１３は、絶縁樹脂に導電フィラーを混合したものが利用できる。ここで絶縁樹脂は、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアリルエーテル樹脂、シアネート樹脂あるいはそれらを変性した絶縁性樹脂を主成分とし、さらに必要に応じて無機物等のフィラーを添加したものなどが利用できる。また、導電フィラーは、Ａｇ、Ａｇ合金、ＡｇコートＣｕ、Ｃｕ、ＡｇとＣｕ、ＡｇとＮｉ混合フィラーなどが利用できる。

また、図２に示すように、導電樹脂層１３は金属電極層１４に覆われる。金属電極層１４は、例えばＣｕ又はNiで形成される。なお、Cuの場合は厚さ５μｍ以上、又Ｎｉの場合は厚さ１μｍ以上形成する。又は、金属電極層１４は、Ｃｕ上にＮｉを形成することも可能である。なお、導電樹脂層１３全体の厚みは１０〜６０μｍが適当である。

さらに、これらの金属上に、保護層としてＳｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔなどの１層、ＰｄとＡｕの２層が形成されてもよい。

また、金属電極層１４は、めっきにより形成される。めっきは、電解めっき、無電解めっきが可能であるが、給電用の配線が必要ない無電解めっきが好ましい。金属電極層１４がＮｉの場合、無電解めっきとしてＮｉ−Ｐ系、Ｎｉ−Ｂ系の無電解めっきが利用できる。なお、無電解めっきにより形成されたＮｉ−Ｐ等は導電樹脂層１３との間で大きな界面抵抗を示すことはない。また、無電解Ｎｉ−Ｐは、電解Ｎｉより耐食性に優れ、その上の保護層のＡｕを極めて薄く形成できる。なお、バレルめっきによる電解めっきは、ガラスのウェハ又は基板を利用するため利用できない。

以下、本実施形態に係る電子部品１００の製造方法を説明する。
本発明に係る電子部品１００は、基板１に形成された貫通孔に金属棒１２を配置し、金属棒１２を無鉛低融点ガラス５で封止する工程を行う。

次に、基板１上に内部電極６を形成する工程を行う。内部電極６はめっき、スパッタなどで形成することができる。

次に、内部電極６上に電子素子８を設置する工程を行う。電子素子８は、接続部７として有機導電性接着剤を使用する、接続部７としてＡｕ−２０重量％Ｓｎその他の高温はんだを使用する、接続部７としてＡｕバンプを使用して超音波接合を利用する、または接続部７としてバンプを用いて接続するなどにより内部電極６と接続する。

その後、基板１上に蓋２を設置し、パッケージを形成する工程を行う。このとき、蓋２と基板１の電子素子８を設けた部分との間で外気と遮断された空洞部を形成する。

この工程において、蓋２がガラスの場合、基板１との接合は陽極接合やガラスを直接溶融させるレーザー接合が可能である。また、蓋２と基板１との接合は、間に接合部３として低融点ガラスなどを介在させて接合させることができる。また、蓋２と基板１との接合は、接合部３としてレーザー光吸収材を介在させるレーザー接合が可能である。また、接合部３にＡｕ−２０重量％Ｓｎはんだなどの高温はんだを使用することもできる。また、接合部３に有機樹脂を用いて加熱・加圧接合などが可能である。また、蓋２が金属の場合はろう材を挟んでの溶接が可能である。

なお、蓋２に空間を形成するための凹部を形成するには、ガラスのプレス成形を利用することができる。また、エッチングを利用して凹部を形成することもできる。また、サンドブラストを利用して凹部を形成することもできる。また、厚膜法により側壁を形成して蓋２を形成することもできる。また、蓋２の側壁としてガラスプリフォームを接合するなどの方法がある。なお、凹部は蓋２ではなく基板１に形成してもよい。

次に基板１の内部電極６を形成した面と反対の面上に外部電極４を形成する工程を行う。まず、金属棒１２の外部電極４側の端面にスパッタによりスパッタ金属層１７を形成する。次に、スパッタ電極層１７を導電樹脂層１３で覆う。最後に導電樹脂層１３を金属電極層１４で覆う。これにより、外部電極４を形成する。

以上により、図１に示す電子部品１００を形成する。また、外部電極４とはんだ９を接合することにより、電子回路基板１１上のランド１０に接続される。このときはんだ９は、Ｐｂフリーはんだを用いることができる。

図３は、本発明の別の実施例の外部電極の断面図を示す図である。なお、第一実施形態と同様の構成については説明を省略する。本実施形態は、スパッタ金属層１７が無鉛低融点ガラス５の外部電極４側を完全に覆うように広く形成されている点で第一実施形態と異なる。
この場合、外部電極４と無鉛低融点ガラス５との密着性を向上することができる。

図４は、本発明のさらに別の実施例の外部電極の断面図を示す図である。なお、第一実施形態と同様の構成については説明を省略する。本実施形態は、導電樹脂層１３及び金属電極層１４と基板１との間に絶縁樹脂層１５が形成される点で第一実施形態と異なる。すなわち、外部電極４は、導電樹脂層１３と基板１の一方の面と反対の面との間に、基板１の一方の面と反対の面の貫通孔の開口端から周囲まで覆う絶縁樹脂層１５を備える。

図４に示すように、基板１の一方の面と反対の面上に絶縁樹脂層１５が形成される。この絶縁樹脂層１５は、基板1の貫通孔上に開口部１６が設けられている。また、開口部１６において、金属棒１２の外部電極側の端面にスパッタ電極１７が形成され、スパッタ電極１７及びその周囲に導電樹脂層１３が形成される。

絶縁樹脂層１５は、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアリルエーテル樹脂、シアネート樹脂あるいはそれらを変性した絶縁性樹脂を主成分とし、さらに必要に応じて無機物等のフィラーを添加したものなどが利用できる。絶縁樹脂層１５は、柔軟性があり応力緩和性を有し、各種応力に対しガラス基板部材の破壊を抑制する効果を有する。

絶縁樹脂にはめっきで金属電極が形成できない。一方、導電樹脂はめっきでその上に金属電極が形成できるが、絶縁樹脂より脆く、応力緩和効果が劣り、また樹脂含有量が少ないためガラスとの密着性が劣る。本実施形態では、基板１にまず絶縁樹脂層１５を形成しその上に導電樹脂層１３を形成し、さらにその上に金属電極１４を形成する。そのため、絶縁樹脂の高い応力緩和効果とガラスへの密着性が利用でき、かつ導電樹脂のめっき形成性も利用できる。さらに、絶縁樹脂と導電樹脂の密着性も良好で応力緩和効果と密着性のすぐれた外部電極が得られる。

本実施形態における絶縁樹脂層１５と導電樹脂層１３の２層構造との合計の厚みは、２０〜８０μｍが適当である。

また、絶縁樹脂層１５は、導電性がないため、少なくとも金属棒１２部分では絶縁樹脂層１５に開口部１６が必要で、開口部１６において金属棒１２と導電樹脂層１３とがスパッタ金属層１７を介して接続する必要がある。

以上のように、導電樹脂層１３と絶縁樹脂層１５の２層を形成する場合は、導電樹脂層１３単層の場合より応力緩和効果、ガラスとの接着力などで有利である。さらに、導電樹脂層１３と、絶縁樹脂層１５を構成する合成樹脂とが種々の組み合わせをとり得るので高温高湿や温度サイクルなどの信頼性においても有利となる。

また、各実施形態の構成は、ガラス・フリットを使用した厚膜電極では５００℃程度の熱処理を必要とし、真空封止前に外部電極形成する必要があるなどの工程上の制約が出てくるときにも有利である。

水晶振動子などのように真空封止が要求されるものでは気密封止後、高温工程を経ることは真空度の点において不利であるが、このような樹脂は２００℃以下の比較的低い温度まででの熱処理（硬化処理）ですむため真空封止にたいしても有利となる。

樹脂パターンの形成には、種々の印刷法やあるいはフォトリソグラフィー法なども考えられるが、スクリーン印刷法が最も量産的で低コストな方法で精度のよい印刷が可能である。

スクリーン印刷法には、金属マスクに開口部を形成するような開口マスク又はステンシル型マスクとメッシュ（紗）に感光樹脂などでパターン形成したメッシュ・マスクがある。本発明において、メッシュ・マスクを用いた場合、精度よく印刷でき、開口マスクでは不可能な浮島パターンも形成可能であるという利点を有する。

なお、本発明の電子部品のパッケージ化は１枚の大きなガラス基板に多数の電子部品を形成し、それぞれの電子部品に対応する外部電極を一括して多数形成し、その後ガラス基板を切断して各電子部品に個片化するという極めて量産的な方法に向いている。

このような１枚の大きなガラス基板で一括して多数の電子部品を形成する方法において、平板状の基板へのスクリーン印刷方法は極めて生産性に優れている。

さらに、陽極接合、無電解めっきはガラスなどの大きな基板で一括して処理を行う場合に好適である。

本発明により、図１に示すような表面実装パッケージ型電子部品は、電子回路基板１１にＰｂフリーはんだで接続・固定し実装した状態でセラミック製のパッケージと同等な各種信頼性と低インピーダンス特性を保持することができる。

１ ガラス基板
２ 蓋
３ 接合材
４ 外部電極
５ 無鉛低融点ガラス
６ 内部電極
７ 接続材
８ 電子素子
９ はんだ
１０ ランド
１１ 回路基板
１２ 金属棒
１３ 導電樹脂層
１４ 金属電極層
１５ 絶縁樹脂層
１６ 開口部
１７ スパッタ金属層
１００ 電子部品

Claims (7)

1. ガラスで形成された基板と、前記基板の一方の面上に形成された内部電極と、前記基板の一方の面と反対の面上に形成された外部電極と、前記基板の一方の面から反対の面まで貫通する貫通孔内に配置され、前記内部電極と前記外部電極とを電気的に接続する貫通電極と、前記基板の一方の面側に設けられ、内部電極と電気的に接続する電子素子と、を備える電子部品であって、
   前記貫通電極が金属棒で構成されるとともに、前記金属棒が無鉛低融点ガラスにより封止され、
   前記外部電極が、前記金属棒の前記外部電極側の端面をスパッタにより被覆するスパッタ金属層と、前記スパッタ金属層から前記基板の前記貫通孔の周囲まで覆う導電樹脂層と、を備えることを特徴とする電子部品。
2. 前記スパッタ金属層が、Ａｌ、又はＡｌ合金で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
3. 前記スパッタ金属層が、前記金属棒側に形成されたＴｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ、及びＴｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌのいずれかの合金から選ばれる第１の金属層と、前記導電樹脂層側に形成されたＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ及びＳｎから選ばれる第２の金属層とで構成されることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
4. 前記スパッタ金属層が、さらに前記無鉛低融点ガラスの前記外部電極側を完全に覆うことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電子部品。
5. 前記外部電極は、前記導電樹脂層と前記基板の一方の面と反対の面との間に、前記基板の一方の面と反対の面の前記貫通孔の開口端から周囲まで覆う絶縁樹脂層を備えることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電子部品。
6. 前記電子素子が水晶振動片であることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電子部品。
7. ガラスで形成された基板と、前記基板の一方の面上に形成された内部電極と、前記基板の一方の面と反対の面上に形成された外部電極と、前記基板の一方の面から反対の面まで貫通する貫通孔内に配置され、前記内部電極と前記外部電極とを電気的に接続する貫通電極と、前記基板の一方の面側に設けられ、内部電極と電気的に接続する電子素子と、を備える電子部品の製造方法であって、
   前記基板の一方の面から反対の面まで貫通する貫通孔内に金属棒を配置し、前記金属棒を無鉛低融点ガラスにより封止する貫通電極形成工程と、
   前記金属棒の前記外部電極側の端面をスパッタにより被覆するスパッタ金属層を形成し、前記スパッタ金属層から前記基板の前記貫通孔の周囲まで覆う導電樹脂層を形成する外部電極形成工程と、を備えることを特徴とする電子部品の製造方法。

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