DE112012001081B4

DE112012001081B4 - Substrat, Duplexer und Substratmodul

Info

Publication number: DE112012001081B4
Application number: DE112012001081.7T
Authority: DE
Inventors: c/o Murata Manufacturing Co. Lt Takemura Tadaji; c/o Murata Manufacturing Co. Ltd Yamato Syuji; c/o Murata Manufacturing Co. Uejima Takanori; c/o Murata Manufacturing Co. Ltd Takeuchi Morio
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2011-03-03
Filing date: 2012-02-29
Publication date: 2018-05-09
Anticipated expiration: 2032-03-01
Also published as: DE112012001081T5; WO2012118111A1; JP5605497B2; CN103404026A; CN103404026B; US9083313B2; US20130307637A1; JPWO2012118111A1

Abstract

Substrat (30), auf dem eine Hochfrequenzseitenfilterkomponente (32a) und eine Niedrigfrequenzseitenfilterkomponente (32b) befestigt sind und das einen Teil eines Duplexers (14) bildet, wobei das Substrat (30) folgende Merkmale aufweist:einen Substratkörper (39) mit einer ersten Hauptoberfläche (S1) und einer zweiten Hauptoberfläche (S2), die einander gegenüberliegen,eine Mehrzahl von ersten Befestigungselektroden (41a-f, 45a-f), die auf der ersten Hauptoberfläche (S1) bereitgestellt sind und die für eine Verbindung der Hochfrequenzseitenfilterkomponente (32a) oder der Niedrigfrequenzseitenfilterkomponente (32b) verwendet werden, undeine Mehrzahl von zweiten Befestigungselektroden (54a-f, 56a-f), die auf der zweiten Hauptoberfläche (S2) bereitgestellt sind und die für eine Verbindung eines Befestigungssubstrats (12) verwendet werden, auf dem der Duplexer (14) befestigt ist, wobei die Mehrzahl der zweiten Befestigungselektroden (54a-f, 56a-f) mit der Mehrzahl von ersten Befestigungselektroden (41a-f, 45a-f) überlagert ist, betrachtet in Draufsicht aus einer Richtung normal zu der ersten Hauptoberfläche (S1),wobei die ersten Befestigungselektroden (41a-f, 45a-f) und die zweiten Befestigungselektroden (54a-f, 56a-f), die miteinander überlagert sind, wenn sie in Draufsicht aus einer Richtung normal zu der ersten Hauptoberfläche (S1) betrachtet werden, elektrisch miteinander verbunden sind,wobei die Mehrzahl der ersten Befestigungselektroden (41a-f, 45a-f) nicht elektrisch miteinander in dem Substratkörper (39) verbunden sind,wobei die Mehrzahl von zweiten Befestigungselektroden (54a-f, 56a-f) nicht elektrisch miteinander in dem Substratkörper (39) verbunden sind,wobei die Mehrzahl der ersten Befestigungselektroden (41a-f, 45a-f) und die Mehrzahl von zweiten Befestigungselektroden (54a-f, 56a-f) jeweils mehrere mit Masse verbindbare Befestigungselektroden (41a, 41e, 41f, 45a, 45c, 45e, 54a, 54b, 54e, 54f, 56a, 56c, 56e) aufweisen, undwobei eine Fläche der ersten und/oder zweiten Befestigungselektroden, die mit Masse verbindbar sind, größer ist als eine Fläche der Befestigungselektroden, die nicht mit Masse verbindbar sind.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Substrate, Duplexer, Substratmodule und Herstellungsverfahren derselben und bezieht sich insbesondere auf ein Substrat, auf dem eine Hochfrequenzseiten-Filterkomponente und eine Niedrigfrequenzseiten-Filterkomponente befestigt sind, und auf einen Duplexer und ein Substratmodul.
Ein Verzweigungsfilter, das in der JP 2009 - 290 606 A beschrieben ist, ist ein bekanntes Beispiel eines Duplexers auf dem Stand der Technik. Der beschriebene Duplexer ist gebildet durch Befestigen eines piezoelektrischen Substrats, das ein akustisches Sende-Oberflächenwellenfilter und ein akustisches Empfangs-Oberflächenwellenfilter aufweist, die auf einer Hauptoberfläche desselben bereitgestellt sind, auf einer Schaltungsplatine. Diese Art einer Schaltungsplatine ist z. B. auf einer Hauptplatine einer drahtlosen Kommunikationsvorrichtung befestigt.
Bei dem in der JP 2009 - 290 606 A beschriebenen Verzweigungsfilter sind Induktorstrukturen zum Abgleichen des akustischen Sende-Oberflächenwellenfilters und des akustischen Empfangs-Oberflächenwellenfilters in die Schaltungsplatine eingebaut. Folglich, wenn Verdrahtungsleitungen, wie z. B. Induktorstrukturen, innerhalb der Schaltungsplatine bereitgestellt sind, sind ein Sendesignalweg und ein Empfangssignalweg nahe beieinander und neigen dazu, elektromagnetisch gekoppelt zu werden. Folglich besteht ein Risiko, dass ein Sende-Hochfrequenzsignal in den Empfangssignalweg eintritt und somit die Isolationscharakteristika von Senden und Empfang verschlechtert werden.
Weitere Duplexer und deren Aufbau werden in der WO 2010 / 052 821 A1 , der JP 2010 - 068 079 A , der US 2008 / 0 218 927 A1 , der US 2004 / 0 212 451 A1 oder der US 2002 / 0 058 151 A1 beschrieben.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Substrat, das in der Lage ist, die Isolationscharakteristika eines Hochfrequenzseiten-Signalwegs und eines Niedrigfrequenzseiten-Signalwegs zu verbessern, und einen Duplexer und ein Substratmodul zu schaffen.
Diese Aufgabe wird durch den Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
Gemäß der vorliegenden Erfindung können Isolationscharakteristika eines Hochfrequenzseitensignalwegs und eines Niedrigfrequenzseitensignalwegs verbessert werden.
Figurenliste

1 ist eine externe, perspektivische Ansicht eines Substratmoduls gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
2 stellt eine Schaltungskonfiguration des Substratmoduls gemäß 1 dar.
3 ist eine externe, perspektivische Ansicht eines Duplexers, der in das Substratmodul eingebaut ist.
4 ist eine externe, perspektivische Ansicht eines SAW-Filters.
5 stellt eine interne Konfiguration eines SAW-Filters dar.
6 ist ein Verdrahtungsdiagramm eines SAW-Filters.
7 ist eine auseinander gezogene, perspektivische Ansicht eines Gehäusesubstrats.
8 stellt eine Schaltungskonfiguration eines Substratmoduls entsprechend einem zweiten Modell dar.
9 stellt Graphen dar, die die Ergebnisse einer Computersimulation darstellen.
10 ist eine transparente Ansicht eines Gehäusesubstrats gemäß einer ersten Modifikation.
11 ist eine transparente Ansicht eines Gehäusesubstrats gemäß einer zweiten Modifikation.
12 stellt eine interne Konfiguration eines SAW-Filters dar.
13 ist ein Verdrahtungsdiagramm eines SAW-Filters.
14 stellt Draufsichten eines Gehäusesubstrats gemäß einer dritten Modifikation dar.
15 stellt Draufsichten eines Gehäusesubstrats gemäß einer vierten Modifikation dar.
16 stellt Draufsichten eines Gehäusesubstrats gemäß einer fünften Modifikation dar.
17 stellt Draufsichten eines Gehäusesubstrats gemäß einer sechsten Modifikation dar.
18 stellt Draufsichten eines Gehäusesubstrats gemäß einer siebten Modifikation dar.
19 stellt Draufsichten eines Gehäusesubstrats gemäß einer achten Modifikation dar.
20 ist eine Querschnitts-Strukturansicht eines Substratmoduls gemäß einer ersten Modifikation.
21 ist eine Querschnitts-Strukturansicht eines Substratmoduls gemäß einer zweiten Modifikation.
22 ist eine Querschnitts-Strukturansicht eines Substratmoduls gemäß einer dritten Modifikation.
23 ist eine Querschnitts-Strukturansicht eines Substratmoduls gemäß einer vierten Modifikation.
24 ist eine Querschnitts-Strukturansicht eines Substratmoduls gemäß einer fünften Modifikation.
25 stellt einen Duplexer des Substratmoduls gemäß der fünften Modifikation in Draufsicht dar.

Beschreibung von Ausführungsbeispielen
Hierin nachfolgend werden Gehäusesubstrate, Duplexer und Substratmodule gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung Bezug nehmend auf die Zeichnungen beschrieben.
(Konfiguration eines Substratmoduls)
Hierin nachfolgend wird die Konfiguration eines Substratmoduls gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung Bezug nehmend auf die Zeichnungen beschrieben. 1 ist eine externe, perspektivische Ansicht eines Substratmoduls 10 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. 2 stellt eine Schaltungskonfiguration des Substratmoduls 10 aus 1 dar. 3 ist eine externe, perspektivische Ansicht eines Duplexers 14, der in das Substratmodul 10 eingebaut ist. Hierin nachfolgend ist eine Höhenrichtung des Substratmoduls 10, das eine im Wesentlichen rechteckige Parallelepiped-Form aufweist, als eine z-Achsen-Richtung definiert. Zusätzlich dazu, wenn sie in Draufsicht aus der z-Achsen-Richtung betrachtet wird, ist eine Richtung, in der sich die langen Seiten erstrecken, als eine x-Achsen-Richtung definiert und eine Richtung, in der sich die kurzen Seiten erstrecken, ist als eine y-Achsen-Richtung definiert. Die x-Achse, die y-Achse und die z-Achse sind orthogonal zueinander.
Wie in 1 und 2 dargestellt ist, umfasst das Substratmodul 10 ein Befestigungssubstrat 12, den Duplexer 14, Anpassungselemente 16a bis 16d und Abdichtharz 20. Wie in 1 dargestellt ist, ist das Befestigungssubstrat 12 eine rechteckige Mehrschicht-Schaltungsplatine, die aus einer Mehrzahl von Isolatorschichten gebildet ist, die aufeinander gestapelt sind, und auf einer Hauptplatine eines zellulären Telefons befestigt werden soll. Das Befestigungssubstrat 12 umfasst Anschlussflächenelektroden (nicht dargestellt), die auf einer Hauptoberfläche desselben auf der positiven Seite in der z-Achsen-Richtung bereitgestellt sind, wobei die Anschlussflächenelektroden zum Befestigen des Duplexers 14 und der Anpassungselemente 16a bis 16d verwendet werden.
Der Duplexer 14 ist eine Verzweigungsschaltung, die ein Empfangssignal, das durch eine Antenne empfangen wird, die nicht dargestellt ist und eine relativ hohe Frequenz aufweist, an eine Empfangsschaltung (nicht dargestellt) ausgibt, die in dem Substratmodul 10 bereitgestellt ist und die ein Sendesignal, das aus einer Sendeschaltung ausgegeben wird (nicht dargestellt), die in dem Substratmodul 10 bereitgestellt ist und eine relativ niedrige Frequenz aufweist, an eine Antenne ausgibt. Wie in 1 dargestellt ist, ist der Duplexer 14 auf einer Hauptoberfläche des Befestigungssubstrats 12 auf der positiven Seite in der z-Achsen-Richtung befestigt, und umfasst, wie in 3 dargestellt ist, ein Gehäusesubstrat 30, SAW-Filter (Hochfrequenzseitenfilterkomponente und Niedrigfrequenzseitenfilterkomponente) 32a und 32b und ein Abdichtharz 34. Die Frequenz eines Sendesignals kann auch höher sein als die Frequenz eines Empfangssignals.
Wie in 2 dargestellt ist, ist das SAW-Filter 32a zwischen einer Sendeschaltung und einer Antenne bereitgestellt und hat die Eigenschaft es einem Sendesignal mit einer relativ niedrigen Frequenz zu ermöglichen durch dasselbe zu der Antenne von der Sendeschaltung zu passieren und einem Empfangssignal mit einer relativ hohen Frequenz nicht zu erlauben, durch dasselbe von der Antenne zu der Sendeschaltung zu passieren. Wie in 2 dargestellt ist, ist das SAW-Filter 32b zwischen der Antenne und den Empfangsschaltungen bereitgestellt und weist eine Eigenschaft auf, einem Empfangssignal mit einer relativ hohen Frequenz zu erlauben, durch dasselbe zu den Empfangsschaltungen von der Antenne zu passieren und einem Sendesignal mit einer relativ niedrigen Frequenz nicht zu erlauben, durch dasselbe von der Sendeschaltung zu den Empfangsschaltungen zu passieren.
Hierin nachfolgend werden die Konfigurationen der SAW-Filter 32a und 32b Bezug nehmend auf die Zeichnungen beschrieben. Die Grundkonfigurationen der SAW-Filter 32a und 32b sind im Wesentlichen dieselben und daher wird das SAW-Filter 32b als Beispiel beschrieben. 4 ist eine externe, perspektivische Ansicht der SAW-Filter 32a und 32b. 5 stellt eine interne Konfiguration des SAW-Filters 32b dar. 6 ist ein Verdrahtungsdiagramm für das SAW-Filter 32b. In 6 sind Signalleitungen unter Verwendung dicker Linien angezeigt und Masseleitungen sind unter Verwendung dünner Linien angezeigt. „Signalleitung“ bezeichnet eine Verdrahtungsleitung entlang derer ein Empfangssignal übertragen wird und „Masseleitung“ bezeichnet eine Verdrahtungsleitung, die auf einem Massepotential gehalten wird.
Wie in 4 bis 6 dargestellt ist, umfasst das SAW-Filter 32b ein piezoelektrisches Substrat 64, Anschlussflächenelektroden 66 (66a bis 66f), vertikale Kopplungsabschnitte 70 und 74, Parallel-Traps bzw. -Haftstellen 76 und 78 Reihen-Traps bzw. -Haftstellen 80 und 82. Das piezoelektrische Substrat 64 ist ein rechteckiges Substrat, das z. B. aus LiTaO₃, LiNbO₃ oder Quarz besteht.
Wie in 4 dargestellt ist, sind die Anschlussflächenelektroden 66 auf einer Hauptoberfläche des piezoelektrischen Substrats 64 auf der negativen Seite in der z-Achsen-Richtung bereitgestellt. Genauer gesagt sind die Anschlussflächenelektroden 66a bis 66c in dieser Reihenfolge von der negativen Seite zu der positiven Seite in der x-Achsen-Richtung entlang einem Rand auf der negativen Seite in der y-Achsen-Richtung bereitgestellt. Die Anschlussflächenelektroden 66d bis 66f sind in dieser Reihenfolge von der negativen Seite zu der positiven Seite in der x-Achsen-Richtung entlang einem Rand auf der positiven Seite in der y-Achsen-Richtung bereitgestellt. Wie in 2 dargestellt ist, sind die Anschlussflächenelektroden 66a, 66c und 66e mit Masse über das Befestigungssubstrat 12 und das Gehäusesubstrat 30 verbunden. Die Anschlussflächenelektrode 66 ist mit der Antenne über das Gehäusesubstrat 30 verbunden. Die Anschlussflächenelektroden 66d und 66f sind mit den Empfangsschaltungen über das Gehäusesubstrat 30 verbunden.
Wie in 5 und 6 dargestellt ist, sind der vertikale Kopplungsabschnitt 70 und die Reihen-Haftstelle 80 in Reihe miteinander zwischen den Anschlussflächenelektroden 66d und 66b verbunden. Der vertikale Kopplungsabschnitt 70 ist auf gegenüberliegenden Abschnitten 70a bis 70f gebildet. Die gegenüberliegenden Abschnitte 70a, 70c, 70d und 70f sind jeweils derart gebildet, dass eine Masseleitung, die mit der Anschlussflächenelektrode 66e verbunden ist, und einer Signalleitung, die mit der Anschlussflächenelektrode 66b über die Reihen-Haftstelle 80 verbunden ist, einander in der z-Achsen-Richtung gegenüberliegen. Die gegenüberliegenden Abschnitte 70b und 70e sind derart gebildet, dass eine Signalleitung, die mit der Anschlussflächenelektrode 66b verbunden ist, und eine Masseleitung, die mit der Anschlussflächenelektrode 66e verbunden ist, einander in der z-Achsen-Richtung gegenüberliegen. Die gegenüberliegenden Abschnitte 70a bis 70f sind in dieser Reihenfolge von der negativen Seite zu der positiven Seite in der y-Achsen-Richtung bereitgestellt.
Die Reihen-Haftstelle 80 (series trap) ist ein Resonator, der in Reihe zwischen den vertikalen Kopplungsabschnitt 70 und die Anschlussflächenelektrode 66b geschaltet ist. Die Parallel-Haftstelle (parallel trap) 76 ist ein Resonator, der in Reihe zwischen die Anschlussflächenelektrode 66d und die Anschlussflächenelektrode 66a geschaltet ist.
Der vertikale Kopplungsabschnitt 74 und die Reihen-Haftstelle 82 sind in Reihe zwischen die Anschlussflächenelektroden 66f und 66b geschaltet. Der vertikale Kopplungsabschnitt 74 ist aus gegenüberliegenden Abschnitten 74a bis 74f gebildet. Die gegenüberliegenden Abschnitte 74a, 74c, 74d und 74f sind jeweils derart gebildet, dass eine Masseleitung, die mit der Anschlussflächenelektrode 66e verbunden ist, und eine Signalleitung, die mit der Anschlussflächenelektrode 66b über die Reihen-Haftstelle 82 verbunden ist, einander in der z-Achsen-Richtung gegenüberliegen. Die gegenüberliegenden Abschnitte 74b und 74e sind derart gebildet, dass eine Signalleitung, die mit der Anschlussflächenelektrode 66f verbunden ist, und eine Masseleitung, die mit der Anschlussflächenelektrode 66e verbunden ist, einander in der z-Achsen-Richtung gegenüberliegen. Die gegenüberliegenden Abschnitte 74a bis 74f sind in dieser Reihenfolge von der negativen Seite zu der positiven Seite in der y-Achsen-Richtung bereitgestellt.
Die Reihen-Haftstelle 82 ist ein Resonator, der in Reihe zwischen den vertikalen Kopplungsabschnitt 74 und die Anschlussflächenelektrode 66b geschaltet ist. Die Parallel-Haftstelle 78 ist ein Resonator, der in Reihe zwischen die Anschlussflächenelektrode 66f und die Anschlussflächenelektrode 66c geschaltet ist.
Zusätzlich dazu, wie in 5 und 6 dargestellt ist, sind die mit Masse verbundenen Anschlussflächenelektroden 66a, 66c und 66e nicht miteinander mit einer Masseleitung verbunden. Das heißt, die Anschlussflächenelektroden 66a, 66c und 66e sind nicht elektrisch miteinander in dem SAW-Filter 32b verbunden.
Als Nächstes wird die Operation des so konfigurierten SAW-Filters 32b beschrieben. Wenn ein Empfangssignal von der Anschlussflächenelektrode 66b über die Reihen-Haftstelle 80 eingegeben wird, wird eine akustische Oberflächenwelle in den gegenüberliegenden Abschnitten 70a, 70c, 70d und 70f erzeugt. Die akustische Oberflächenwelle breitet sich entlang der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats 64 aus. Die gegenüberliegenden Abschnitte 70b und 70e wandeln die akustische Oberflächenwelle, die in den gegenüberliegenden Abschnitten 70a, 70c, 70d und 70f erzeugt wird, in ein Empfangssignal um. Danach wird das Empfangssignal zu der Außenseite des SAW-Filters 32b über die Anschlussflächenelektrode 66d ausgegeben.
Zusätzlich dazu wird ein Empfangssignal, das aus der Anschlussflächenelektrode 66b eingegeben wird, in die gegenüberliegenden Abschnitte 74a, 74c, 74d und 74f über die Reihen-Haftstelle 82 eingegeben und eine akustische Oberflächenwelle wird in den gegenüberliegenden Abschnitten 74a, 74c, 74d und 74f erzeugt. Die akustische Oberflächenwelle breitet sich entlang der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats 64 aus. Die gegenüberliegenden Abschnitte 74b und 74e wandeln die akustische Oberflächenwelle, die in den gegenüberliegenden Abschnitten 74a, 74c, 74d und 74f erzeugt wird, in ein Empfangssignal um. Danach wird das Empfangssignal zu der Außenseite des SAW-Filters 32b über die Anschlussflächenelektrode 66f ausgegeben. Das Signal, das durch die gegenüberliegenden Abschnitte 74 verläuft, ist 180° phasenverschoben zu einem Signal, das durch die gegenüberliegenden Abschnitte 70 verläuft. Somit sind diese Signale Differenzübertragungssignale.
Das Gehäusesubstrat 30 weist die SAW-Filter 32a und 32b befestigt an demselben auf und bildet einen Teil des Duplexers 14. 7 ist eine auseinander gezogene, perspektivische Ansicht des Gehäusesubstrats 30.
wie in 7 dargestellt ist, umfasst das Gehäusesubstrat 30 einen Substratkörper 39, Anschlussflächenelektroden 41 (41a bis 41f), 45 (45a bis 45f), 54 (54a bis 54f), 56 (56a bis 56f), Verbindungsleiter 50 (50a bis 50f) und 52 (52a bis 52f) und Durchgangslochleiter b (b1 bis b36).
Der Substratkörper 39 ist eine rechteckige Mehrschichtverdrahtungsplatine, die aus Isolatorschichten 40a bis 40c gebildet ist, bestehend aus aufeinander gestapeltem Alumina. Wie in 7 dargestellt ist, weist der Substratkörper 39 Hauptoberflächen S1 und S2 auf, die einander gegenüberliegen. Die Hauptoberfläche S1 ist eine Oberfläche, die auf der positiven Seite in der z-Achsen-Richtung positioniert ist, und die Hauptoberfläche S2 ist eine Oberfläche, die auf der negativen Seite in der z-Achsen-Richtung angeordnet ist. Zusätzlich dazu wird die Hauptoberfläche einer Isolatorschicht 40 auf der positiven Seite in der z-Achsen-Richtung als eine Frontoberfläche bezeichnet und die Hauptoberfläche einer Isolatorschicht 40 auf der negativen Seite in der z-Achsen-Richtung wird als eine Rückoberfläche bezeichnet.
Wie in 7 dargestellt ist, sind die Anschlussflächenelektroden 41 (41a bis 41f) auf der Hauptoberfläche S1 bereitgestellt (d. h. auf der Frontoberfläche der Isolatorschicht 40a) und werden somit für eine Verbindung des SAW-Filters 32a verwendet. Genauer gesagt sind die Anschlussflächenelektroden 41a bis 41c in dieser Reihenfolge von der negativen Seite zu der positiven Seite in der x-Achsen-Richtung entlang einem Rand der Hauptoberfläche S1 auf der negativen Seite in der y-Achsen-Richtung bereitgestellt. Die Anschlussflächenelektroden 41d bis 41f sind in dieser Reihenfolge von der negativen Seite zu der positiven Seite in der x-Achsen-Richtung entlang einer geraden Linie bereitgestellt, die zwischen den zwei Rändern der Hauptoberfläche S1 in der y-Achsen-Richtung positioniert ist.
Zusätzlich dazu, wie in 7 dargestellt ist, umfassen die Anschlussflächenelektroden 41 (41a bis 41f) Befestigungsabschnitte 42 (42a bis 42f) und Verbindungsabschnitte 44 (44a bis 44f). Die Befestigungsabschnitte 42 weisen eine rechteckige Form auf und werden zur Verbindung des SAW-Filters 32a verwendet. Die Befestigungsabschnitte 42a bis 42f sind jeweils mit den Anschlussflächenelektroden 62a bis 62f (siehe 2 und 4) z. B. mit Lötmittel verbunden. Die Verbindungsabschnitte 44 sind Vorsprünge, die von einem beliebigen der vier Ränder der Befestigungsabschnitte 42 hervorstehen. Die Durchgangslochleiter b, die später beschrieben werden, sind mit den Verbindungsabschnitten 44 verbunden.
Wie in 7 dargestellt ist, sind die Anschlussflächenelektroden 54 (54a bis 54f) auf der Hauptoberfläche S2 bereitgestellt (d. h. auf der Rückoberfläche der Isolatorschicht 40c) und sind rechteckige Elektroden, die zur Verbindung des Befestigungssubstrats 12 verwendet werden. Das heißt, die Anschlussflächenelektroden 54 sind unter Verwendung von Lötmittel oder ähnlichem mit Anschlussflächenelektroden (nicht dargestellt) verbunden, die auf einer Hauptoberfläche des Befestigungssubstrats 12 auf der positiven Seite in der z-Achsen-Richtung bereitgestellt sind. Genauer gesagt, wie in 2 dargestellt ist, sind die Anschlussflächenelektroden 54a, 54b, 54e und 54f über die Anschlussflächenelektroden des Befestigungssubstrats 12 mit Masse verbunden. Wie in 2 dargestellt ist, ist die Anschlussflächenelektrode 54c mit der Sendeschaltung über eine Anschlussflächenelektrode des Befestigungssubstrats 12 verbunden. Wie in 2 dargestellt ist, ist die Anschlussflächenelektrode 54d mit der Antenne über eine Anschlussflächenelektrode des Befestigungssubstrats 12 verbunden.
Die Anschlussflächenelektroden 54a bis 54c sind in dieser Reihenfolge von der negativen Seite zu der positiven Seite in der x-Achsen-Richtung entlang einem Rand der Hauptoberfläche S2 auf der negativen Seite in der y-Achsen-Richtung bereitgestellt. Die Anschlussflächenelektroden 54d bis 54f sind in dieser Reihenfolge von der negativen Seite zu der positiven Seite in der x-Achsen-Richtung entlang einer geraden Linie bereitgestellt, die zwischen den zwei Rändern der Hauptoberfläche S2 in der y-Achsen-Richtung positioniert ist.
Zusätzlich dazu sind die Anschlussflächenelektroden 54a bis 54f jeweils mit den Anschlussflächenelektroden 54a bis 54f überlagert, betrachtet in Draufsicht aus der z-Achsen-Richtung (d. h. einer Richtung normal zu der Hauptoberfläche S1). Bei diesem Ausführungsbeispiel sind die Anschlussflächenelektroden 41a bis 41f jeweils mit den Befestigungsabschnitten 42a bis 42f überlagert, betrachtet in Draufsicht aus einer Richtung normal zu der Hauptoberfläche S1.
Zusätzlich dazu sind die Anschlussflächenelektroden 41a bis 41f und die Anschlussflächenelektroden 54a bis 54f, die miteinander überlagert sind, wenn sie in Draufsicht aus einer Richtung normal zu der Hauptoberfläche S1 betrachtet werden, elektrisch miteinander verbunden. Als Nächstes wird die Verbindung der Anschlussflächenelektroden 41 und 54 beschrieben.
Die Durchgangslochleiter b1 bis b6 erstrecken sich in der z-Achsen-Richtung so, um die Isolatorschicht 40a zu durchdringen. Die Durchgangslochleiter b1 bis b6 sind jeweils mit den Verbindungsabschnitten 44a bis 44f verbunden (Anschlussflächenelektroden 41a bis 41f).
Die Durchgangslochleiter b13 bis b18 erstrecken sich in der z-Achsen-Richtung, um die Isolatorschicht 40b zu durchdringen. Die Durchgangslochleiter b25 bis b30 erstrecken sich in der z-Achsen-Richtung, um die Isolatorschicht 40c zu durchdringen. Die Durchgangslochleiter b13 und b25 sind in Reihe miteinander verbunden und bilden dadurch einen einzelnen Durchgangslochleiter. Die Durchgangslochleiter b14 und b26 sind in Reihe miteinander verbunden und bilden dadurch einen einzelnen Durchgangslochleiter. Die Durchgangslochleiter b15 und b27 sind in Reihe miteinander verbunden und bilden dadurch einen einzelnen Durchgangslochleiter. Die Durchgangslochleiter b16 und b28 sind in Reihe miteinander verbunden und bilden dadurch einen einzelnen Durchgangslochleiter. Die Durchgangslochleiter b17 und b29 sind in Reihe miteinander verbunden und bilden dadurch einen einzelnen Durchgangslochleiter. Die Durchgangslochleiter b18 und b30 sind in Reihe miteinander verbunden und bilden dadurch einen einzelnen Durchgangslochleiter. Die Durchgangslochleiter b25 bis b30 sind jeweils mit den Anschlussflächenelektroden 54a bis 54f verbunden.
Die Verbindungsleiter 50 (50a bis 50f) sind auf der Frontoberfläche der Isolatorschicht 40b bereitgestellt. Das heißt, die Verbindungsleiter 50 sind in den Substratkörper 39 eingebaut. Ein Ende von jedem der Verbindungsleiter 50 ist mit einem entsprechenden der Verbindungsabschnitte 44 überlagert, betrachtet in Draufsicht aus der z-Achsen-Richtung. Das andere Ende von jedem der Verbindungsleiter 50 ist mit einer entsprechenden der Anschlussflächenelektroden 54 überlagert, betrachtet in Draufsicht aus der z-Achsen-Richtung. Somit stellen die Verbindungsleiter 50a bis 50f jeweils Verbindungen zwischen den Durchgangslochleitern b1 bis b6 und den Durchgangslochleitern b13 bis b18 bereit. Daher sind die Anschlussflächenelektroden 41a bis 41f und die Anschlussflächenelektroden 54a bis 54f, die miteinander überlagert sind, betrachtet in Draufsicht aus einer Richtung normal zu der Hauptoberfläche S1, elektrisch miteinander verbunden.
Wie in 7 dargestellt ist, sind die Anschlussflächenelektroden 45 (45a bis 45f) auf der Hauptoberfläche S1 bereitgestellt (d. h. auf der Frontoberfläche der Isolatorschicht 40a) und werden zur Verbindung des SAW-Filters 32b verwendet. Genauer gesagt sind die Anschlussflächenelektroden 45a bis 45c in dieser Reihenfolge von der negativen Seite zu der positiven Seite in der x-Achsen-Richtung entlang einer geraden Linie bereitgestellt, die zwischen den zwei Rändern der Hauptoberfläche S1 in der y-Achsen-Richtung positioniert ist. Die Anschlussflächenelektroden 45d bis 45f sind in dieser Reihenfolge von der negativen Seite zu der positiven Seite in der x-Achsen-Richtung entlang einem Rand der Hauptoberfläche S1 auf der positiven Seite in der y-Achsen-Richtung bereitgestellt.
Zusätzlich dazu, wie in 7 dargestellt ist, umfassen die Anschlussflächenelektroden 45 (45a bis 45f) Befestigungsabschnitte 46 (46a bis 46f) und Verbindungsabschnitte 48 (48a bis 48f). Die Befestigungsabschnitte 46 weisen eine rechteckige Form auf und werden zur Verbindung des SAW-Filters 32b verwendet. Die Befestigungsabschnitte 46a bis 46f sind jeweils mit Lötmittel oder ähnlichem mit den Anschlussflächenelektroden 66a bis 66f verbunden (siehe 2 und 4). Die Verbindungsabschnitte 48 sind Vorsprünge, die von jeglichem der vier Ränder der Befestigungsabschnitte 46 hervorstehen. Durchgangslochleiter b, die später beschrieben werden, sind mit den Verbindungsabschnitten 48 verbunden.
Wie in 7 dargestellt ist, sind die Anschlussflächenelektroden 56 (56a bis 56f) auf der Hauptoberfläche S2 bereitgestellt (d. h. auf der Rückoberfläche der Isolatorschicht 40c) und sind rechteckige Elektroden, die zur Verbindung des Befestigungssubstrats 12 verwendet werden. Das heißt, die Anschlussflächenelektroden 56 sind unter Verwendung von Lötmittel oder ähnlichem mit den Anschlussflächenelektroden (nicht dargestellt) verbunden, die auf einer Hauptoberfläche des Befestigungssubstrats 12 auf der positiven Seite in der z-Achsen-Richtung bereitgestellt sind. Genauer gesagt, wie in 2 dargestellt ist, sind die Anschlussflächenelektroden 56a, 56c und 56e mit Masse über die Anschlussflächenelektroden des Befestigungssubstrats 12 verbunden. Wie in 2 dargestellt ist, ist die Anschlussflächenelektrode 56b mit der Antenne über eine Anschlussflächenelektrode des Befestigungssubstrats 12 verbunden. Wie in 2 dargestellt ist, ist die Anschlussflächenelektrode 56d mit einer ersten Empfangsschaltung über eine Anschlussflächenelektrode des Befestigungssubstrats 12 verbunden. Wie in 2 dargestellt ist, ist die Anschlussflächenelektrode 56f mit einer zweiten Empfangsschaltung über eine Anschlussflächenelektrode des Befestigungssubstrats 12 verbunden.
Die Anschlussflächenelektroden 56a bis 56c sind in dieser Reihenfolge von der negativen Seite zu der positiven Seite in der x-Achsen-Richtung entlang einer geraden Linie bereitgestellt, die zwischen den zwei Rändern der Hauptoberfläche S2 in der y-Achsen-Richtung positioniert ist. Die Anschlussflächenelektroden 56d bis 56f sind in dieser Reihenfolge von der negativen Seite zu der positiven Seite in der x-Achsen-Richtung entlang einem Rand der Hauptoberfläche S2 auf der positiven Seite in der y-Achsen-Richtung bereitgestellt.
Zusätzlich dazu sind die Anschlussflächenelektroden 56a bis 56f jeweils mit den Anschlussflächenelektroden 45a bis 45f überlagert, betrachtet in Draufsicht aus der z-Achsen-Richtung (d. h. einer Richtung normal zu der Hauptoberfläche S1). Bei diesem Ausführungsbeispiel sind die Anschlussflächenelektroden 56a bis 56f jeweils mit den Befestigungsabschnitten 46a bis 46f überlagert, betrachtet in Draufsicht aus einer Richtung normal zu der Hauptoberfläche S1.
Zusätzlich dazu sind die Anschlussflächenelektroden 45a bis 45f und die Anschlussflächenelektroden 56a bis 56f, die miteinander überlagert sind, wenn sie in Draufsicht aus einer Richtung normal zu der Hauptoberfläche S1 betrachtet werden, elektrisch miteinander verbunden. Als Nächstes wird eine Verbindung der Anschlussflächenelektroden 45 und 56 beschrieben.
Die Durchgangslochleiter b7 bis b12 erstrecken sich in der z-Achsen-Richtung, um die Isolatorschicht 40a zu durchdringen. Die Durchgangslochleiter b7 bis b12 sind jeweils mit den Verbindungsabschnitten 48a bis 48f verbunden (Anschlussflächenelektroden 45a bis 45f).
Die Durchgangslochleiter b19 bis b24 erstrecken sich in der z-Achsen-Richtung, um die Isolatorschicht 40b zu durchdringen. Die Durchgangslochleiter b31 bis b36 erstrecken sich in der z-Achsen-Richtung, um die Isolatorschicht 40c zu durchdringen. Die Durchgangslochleiter b19 und b31 sind in Reihe miteinander verbunden und bilden dadurch einen einzelnen Durchgangslochleiter. Die Durchgangslochleiter b20 und b32 sind in Reihe miteinander verbunden und bilden dadurch einen einzelnen Durchgangslochleiter. Die Durchgangslochleiter b21 und b33 sind in Reihe miteinander verbunden und bilden dadurch einen einzelnen Durchgangslochleiter. Die Durchgangslochleiter b22 und b34 sind in Reihe miteinander verbunden und bilden dadurch einen einzelnen Durchgangslochleiter. Die Durchgangslochleiter b23 und b35 sind in Reihe miteinander verbunden und bilden dadurch einen einzelnen Durchgangslochleiter. Die Durchgangslochleiter b24 und b36 sind in Reihe miteinander verbunden und bilden dadurch einen einzelnen Durchgangslochleiter. Die Durchgangslochleiter b31 bis b36 sind jeweils mit den Anschlussflächenelektroden 56a bis 56f verbunden.
Die Verbindungsleiter 52 (52a bis 52f) sind auf der Frontoberfläche der Isolatorschicht 40b bereitgestellt. Das heißt, die Verbindungsleiter 52 sind in den Substratkörper 39 eingebaut. Ein Ende von jedem der Verbindungsleiter 52 ist mit einem entsprechenden einen der Verbindungsabschnitte 48 überlagert, betrachtet in Draufsicht aus der z-Achsen-Richtung. Das andere Ende von jedem der Verbindungsleiter 52 ist mit einer entsprechenden einen der Anschlussflächenelektroden 56 überlagert, betrachtet in Draufsicht aus der z-Achsen-Richtung. Somit stellen die Verbindungsleiter 52a bis 52f jeweils Verbindungen zwischen den Durchgangslochleitern b7 bis b12 und den Durchgangslochleitern b19 bis b24 bereit. Daher sind die Anschlussflächenelektroden 45a bis 45f und die Anschlussflächenelektroden 56a bis 56f, die miteinander überlagert sind, betrachtet in Draufsicht aus einer Richtung normal zu der Hauptoberfläche S1, elektrisch miteinander verbunden.
Hier sind die Anschlussflächenelektroden 41a bis 41f und 45a bis 45f nicht elektrisch miteinander in dem Substratkörper 39 verbunden. Zusätzlich dazu sind die Anschlussflächenelektroden 54a bis 54f und 56a bis 56f nicht elektrisch miteinander in dem Substratkörper 39 verbunden.
Das Abdichtharz 34 ist z. B. aus einem Epoxidharz gebildet und, wie in 3 dargestellt ist, bereitgestellt, um die Hauptoberfläche S1 des Gehäusesubstrats 30 und die SAW-Filter 32a und 32b abzudecken. Somit werden die SAW-Filter 32a und 32b durch das Abdichtharz 34 geschützt.
Wie in 1 dargestellt ist, sind die Anpassungselemente 16a bis 16d auf der Hauptoberfläche des Befestigungssubstrats 12 auf der positiven Seite in der z-Achsen-Richtung befestigt und sind chipartige, elektronische Komponenten zum Realisieren einer Impedanzanpassung zwischen dem Befestigungssubstrat 12 und dem Duplexer 14. Die Anpassungselemente 16a, 16b und 16c, wie in 2 dargestellt ist, sind Spulen, die in Reihe zwischen den Anschlussflächenelektroden 54a, 54c und 56b und Masse verbunden sind. Das Anpassungselement 16d ist eine Spule, die zwischen eine Signalleitung, die die Anschlussflächenelektrode 56d und die erste Empfangsschaltung miteinander verbindet, und eine Signalleitung verbunden ist, die die Anschlussflächenelektrode 56f und die zweite Empfangsschaltung miteinander verbindet.
Das Abdichtharz 20 ist bereitgestellt, um die Hauptoberfläche des Befestigungssubstrats 12 auf der positiven Seite in der z-Achsen-Richtung, den Duplexer 14 und die Anpassungselemente 16a bis 16d abzudecken. Somit werden der Duplexer 14 und die Anpassungselemente 16a bis 16d geschützt.
Als Nächstes wird die Operation des so konfigurierten Substratmoduls 10 beschrieben. In dem Fall, in dem ein Sendesignal von einer drahtlosen Kommunikationsvorrichtung übertragen werden soll, in der das Substratmodul 10 befestigt ist, erzeugt die Sendeschaltung ein Sendesignal. Das Sendesignal läuft durch den Duplexer 14 und wird zu der Antenne übertragen. Hier weist das SAW-Filter 32a des Duplexers 14 eine Charakteristik auf, zu erlauben, dass ein Sendesignal durch dasselbe zwischen der Anschlussflächenelektrode 62c und der Anschlussflächenelektrode 62d passiert und nicht zu erlauben, dass ein Empfangssignal durch dasselbe zwischen der Anschlussflächenelektrode 62c und der Anschlussflächenelektrode 62d passiert. Daher, sogar wenn ein Empfangssignal, das durch die Antenne empfangen wird, in das SAW-Filter 32a von der Anschlussflächenelektrode 62d eingegeben wird, kann das Empfangssignal nicht aus der Anschlussflächenelektrode 62c ausgegeben werden. Daher wird der Eintritt eines Empfangssignals in die Sendeschaltung unterdrückt.
Zusätzlich dazu empfängt die Antenne ein Empfangssignal in dem Fall, in dem die drahtlose Kommunikationsvorrichtung, in der das Substratmodul 10 befestigt ist, ein Empfangssignal empfängt. Das Empfangssignal verläuft durch den Duplexer 14 und wird zu einer Empfangsschaltung übertragen. Hier weist das SAW-Filter 32b des Duplexers 14 eine Charakteristik auf, ein Empfangssignal, das aus der Anschlussflächenelektrode 66b empfangen wird, in Signale gegenläufige Phasen zu trennen und diese Signale aus der Anschlussflächenelektrode 66d und der Anschlussflächenelektrode 66f auszugeben. Daher, sogar wenn ein Sendesignal, das durch die Sendeschaltung erzeugt wird, in das SAW-Filter 32b aus der Anschlussflächenelektrode 66b eingegeben wird, kann das Sendesignal nicht aus der Anschlussflächenelektrode 62d ausgegeben werden. Auf ähnliche Weise, wenn ein Empfangssignal, das durch die Antenne empfangen wird, in das SAW-Filter 32b aus der Anschlussflächenelektrode 66b eingegeben wird, kann das Empfangssignal nicht aus den Anschlussflächenelektroden 62d und 66f ausgegeben werden. Daher wird der Eintritt eines Sendesignals in eine Empfangsschaltung unterdrückt.
(Effekte)
Mit dem oben beschriebenen Gehäusesubstrat 30, dem Duplexer 14 und dem Substratmodul 10 können die Isolationscharakteristika des Signalwegs eines Sendesignals und des Signalwegs eines Empfangssignals in dem Duplexer 14 verbessert werden. Detaillierter gesagt sind bei dem Verzweigungsfilter, das in Patentdokument 1 beschrieben ist, Induktorstrukturen zum Anpassen des akustischen Sende-Oberflächenwellenfilters und des akustischen Empfangs-Oberflächenwellenfilters in die Schaltungsplatine eingebaut. Als Ergebnis, wenn die Verdrahtungsleitung, wie z. B. Induktorstrukturen innerhalb der Schaltungsplatine bereitgestellt sind, sind ein Sendesignalweg und ein Empfangssignalweg nahe beieinander und neigen dazu, elektromagnetisch gekoppelt zu werden. Als Ergebnis besteht ein Risiko, dass ein Sende-Hochfrequenzsignal, das in den Empfangssignalweg eintritt, und somit die Isolationscharakteristika von Senden und Empfangen verschlechtert werden.
Dementsprechend sind in dem Gehäusesubstrat 30 die Anschlussflächenelektroden 41a bis 41f und 45a bis 45f und die Anschlussflächenelektroden 54a bis 54f und 56a bis 56f, die miteinander überlagert sind, betrachtet in Draufsicht aus einer Richtung normal zu der Hauptoberfläche S1, elektrisch miteinander verbunden. Somit besteht kein Bedarf, vergleichsweise lange Verdrahtungsleitungen innerhalb des Gehäusesubstrats 30 bereitzustellen, um die Anschlussflächenelektroden 41a bis 41f und 45a bis 45f und die Anschlussflächenelektroden 54a bis 54f und 56a bis 56f zu verbinden. Daher sind in dem Gehäusesubstrat 30 der Signalweg eines Sendesignals und der Signalweg des Empfangssignals nicht nahe beieinander und kreuzen einander nicht. Folglich wird eine elektromagnetische Kopplung des Signalwegs eines Sendesignals und des Signalwegs eines Empfangssignals unterdrückt und eine Verschlechterung von Isolationscharakteristika von Senden und Empfangen wird unterdrückt.
Zusätzlich dazu können bei dem Gehäusesubstrat 30, dem Duplexer 14 und dem Substratmodul 10 die Isolationscharakteristika des Signalwegs eines Sendesignals und des Signalwegs eines Empfangssignals in dem Duplexer 14 ebenfalls aus dem nachfolgenden Grund verbessert werden. Genauer gesagt sind in dem Gehäusesubstrat 30 die Anschlussflächenelektroden 41a bis 41f und 45a bis 45f nicht elektrisch miteinander in dem Substratkörper 39 verbunden. Zusätzlich dazu sind die Anschlussflächenelektroden 54a bis 54f und 56a bis 56f nicht elektrisch miteinander in dem Substratkörper 39 verbunden. Das heißt, die mit Masse verbundenen Anschlussflächenelektroden 41a, 41b, 41e, 41f, 45a, 45c und 45e sind nicht elektrisch miteinander in dem Substratkörper 39 verbunden. Die mit Masse verbundenen Anschlussflächenelektroden 54a, 54b, 54e, 54f, 56a, 56c und 56e sind nicht elektrisch miteinander in dem Substratkörper 39 verbunden. Somit wird z. B., sogar wenn ein Sendesignal in das Gehäusesubstrat 30 über die mit Masse verbundene Anschlussflächenelektrode 45a eintritt, das Sendesignal nicht zu den mit Masse verbundenen Anschlussflächenelektroden 41a, 41b, 41e, 41f, 45c und 45e übertragen. Dementsprechend wird der Eintritt eines Sendesignals in die Anschlussflächenelektroden 45b und 45f, die mit den Empfangsschaltungen über die Anschlussflächenelektroden 41a, 41b, 41e, 41f, 45c und 45e verbunden sind, unterdrückt. Folglich können bei dem Duplexer 14 und dem Substratmodul 10 die Isolationscharakteristika des Signalwegs eines Sendesignals und des Signalwegs eines Empfangssignals in dem Duplexer 14 verbessert werden.
Zusätzlich dazu können bei dem Gehäusesubstrat 30, dem Duplexer 14 und dem Substratmodul 10 die Isolationscharakteristika des Signalwegs eines Sendesignals und des Signalwegs eines Empfangssignals bei dem Duplexer 14 aus dem nachfolgenden Grund verbessert werden. Detaillierter gesagt sind in dem Gehäusesubstrat 30 die Anschlussflächenelektroden 41a bis 41f und 45a bis 45f nicht elektrisch miteinander in dem Substratkörper 39 verbunden. Zusätzlich dazu sind die Anschlussflächenelektroden 54a bis 54f und 56a bis 56f nicht elektrisch miteinander in dem Substratkörper 39 verbunden. Dementsprechend wird in dem Fall, in dem eine Verbindung zwischen den Anschlussflächenelektroden 54a bis 54f und 56a bis 56f notwendig ist, eine solche Verbindung innerhalb des Befestigungssubstrats 12 hergestellt. Das Befestigungssubstrat 12 ist größer als das Gehäusesubstrat 30 und daher können Verdrahtungsleitungen zum Verbinden innerhalb desselben so angeordnet sein, dass sie voneinander beabstandet sind. Als Ergebnis kann verhindert werden, dass der Signalweg eines Sendesignals und der Signalweg eines Empfangssignals nahe beieinander sind und die Isolationscharakteristika des Signalwegs eines Sendesignals und des Signalwegs eines Empfangssignals können verbessert werden.
Zusätzlich dazu können bei dem Gehäusesubstrat 30, dem Duplexer 14 und dem Substratmodul 10 die Isolationscharakteristika des Signalwegs eines Sendesignals und des Signalwegs eines Empfangssignals in dem Duplexer 14 aus dem folgenden Grund verbessert werden. Detaillierter gesagt stellen die Verbindungsleiter 50a bis 50f jeweils Verbindungen zwischen den Durchgangslochleitern b1 bis b6 und den Durchgangslochleitern b13 bis b18 bereit. Zusätzlich dazu stellen die Verbindungsleiter 52a bis 52f jeweils Verbindungen zwischen den Durchgangslochleitern b7 bis b12 und den Durchgangslochleitern b19 bis b24 bereit. Daher kann die Distanz zwischen dem Signalweg eines Sendesignals und dem Signalweg eines Empfangssignals in dem Gehäusesubstrat 30 durch die Verbindungsleiter 50 und 52 groß gemacht werden. Daher können mit dem oben beschriebenen Gehäusesubstrat 30, dem Duplexer 14 und dem Substratmodul 10 die Isolationscharakteristika des Signalwegs eines Sendesignals und des Signalwegs eines Empfangssignals in dem Duplexer 14 verbessert werden.
Zusätzlich dazu sind in dem Gehäusesubstrat 30 die Durchgangslochleiter b1 bis b12, die Durchgangslochleiter b13 bis b36 und die Verbindungsleiter 50a bis 50f und 52a bis 52f bereitgestellt, um den Anschlussflächenelektroden 41a bis 41f und 45a und 45f und den Anschlussflächenelektroden 54a bis 54f und 56a bis 56f zu entsprechen. Die Verbindungsleiter 50a bis 50f und 52a bis 52f sind elektrisch nicht miteinander in dem Substratkörper 39 verbunden. Daher können mit dem oben beschriebenen Gehäusesubstrat 30, dem Duplexer 14 und dem Substratmodul 10 die Isolationscharakteristika des Signalwegs eines Sendesignals und des Signalwegs eines Empfangssignals in dem Duplexer 14 verbessert werden.
Zusätzlich dazu wird mit dem Gehäusesubstrat 30, dem Duplexer 14 und dem Substratmodul 10 der Freiheitsgrad beim Entwerfen des Signalwegs eines Sendesignals und des Signalwegs eines Empfangssignals innerhalb des Duplexers 14 erhöht. Dementsprechend wird in dem Fall, in dem eine Verbindung zwischen den Anschlussflächenelektroden 54a bis 54f und 56a bis 56f notwendig ist, eine solche Verbindung innerhalb des Befestigungssubstrats 12 hergestellt. Das Befestigungssubstrat 12 ist größer als das Gehäusesubstrat 30 und daher können die Verdrahtungsleitungen zur Verbindung mit einem hohen Freiheitsgrad entworfen sein.
Bei dem Gehäusesubstrat 30, dem Duplexer 14 und dem Substratmodul 10 wird das Auftreten von Verbindungsdefekten zwischen dem Gehäusesubstrat 30 und den SAW-Filtern 32a und 32b unterdrückt. Detaillierter gesagt werden die Durchgangslochleiter b gebildet durch Bilden von Durchgangslöchern in der Isolatorschicht 40a und dann Füllen der Durchgangslöcher mit einem Leiter. Folglich ist es wahrscheinlich, dass eine Unebenheit in Abschnitten der Hauptoberfläche S1 auftritt, wo die Durchgangslochleiter b bereitgestellt sind. Wenn die SAW-Filter 32a und 32b und das Gehäusesubstrat 30 miteinander verbunden sind, besteht ein Risiko, dass Verbindungsdefekte zwischen denselben an den Abschnitten auftreten, wo eine solche Unebenheit auftritt. Dementsprechend umfassen bei dem Gehäusesubstrat 30, wie in 7 dargestellt ist, die Anschlussflächenelektroden 41 und 45 die Befestigungsabschnitte 42 und 46 und die Verbindungsabschnitte 44 und 48. Die Befestigungsabschnitte 42 und 46 werden für eine Verbindung der SAW-Filter 32a und 32b verwendet. Zusätzlich dazu sind die Durchgangslochleiter b mit den Verbindungsabschnitten 44 und 48 verbunden. Das heißt, bei den Anschlussflächenelektroden 41 und 45 sind ein Abschnitt, mit dem die SAW-Filter 32a und 32b verbunden sind, und ein Abschnitt, mit dem die Durchgangslöcher b verbunden sind, separat bereitgestellt. Da die Durchgangslochleiter b nicht mit den Befestigungsabschnitten 42 und 46 verbunden sind, die beim Verbinden der SAW-Filter 32a und 32b verwendet werden, ist es unwahrscheinlich, dass eine Unebenheit auftritt. Daher wird bei dem Gehäusesubstrat 30, dem Duplexer 14 und dem Substratmodul 10 das Auftreten von Verbindungsdefekten zwischen dem Gehäusesubstrat 30 und den SAW-Filtern 32a und 32b unterdrückt.
(Computersimulation)
Die Erfinder der vorliegenden Anmeldung haben die nachfolgende Computersimulation ausgeführt, um die Effekte weiter klarzustellen, die durch das Gehäusesubstrat 30, den Duplexer 14 und das Substratmodul 10 erzeugt werden. Detaillierter gesagt haben die Erfinder der vorliegenden Anmeldung das Substratmodul 10, das in 2 dargestellt ist, als ein erstes Modul erzeugt und haben ein Substratmodul erzeugt, das nachfolgend als ein zweites Modul beschrieben ist. Die Isolationscharakteristika eines Signalwegs eines Sendesignals und eines Signalwegs eines Empfangssignals wurden für das erste Modell und das zweite Modell berechnet.
Zuerst wird das zweite Modell Bezug nehmend auf die Zeichnungen beschrieben. 8 stellt eine Schaltungskonfiguration eines Substratmoduls 110 entsprechend dem zweiten Modell dar. In 8 sind Strukturen dieselben wie jene in 2 durch dieselben Bezugszeichen bezeichnet.
Bei dem Substratmodul 110 sind Anschlussflächenelektroden 41d und 45b miteinander verbunden. Zusätzlich dazu sind die Anschlussflächenelektroden 41e, 41f, 45a, 45c und 45e miteinander verbunden. Zusätzlich dazu, obwohl es nicht dargestellt ist, ist eine Spulenverdrahtung zum Realisieren einer Impedanzanpassung für das Befestigungssubstrat 12 und den Duplexer 14 innerhalb eines Gehäusesubstrats 130 bereitgestellt.
9(a) und 9(b) sind Graphen, die die Ergebnisse der Computersimulation darstellen. 9(a) ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem Einfügungsverlust der Anschlussflächenelektrode 56f von der Anschlussflächenelektrode 54c und der Frequenz dar stellt. 9(b) ist ein Graph, der die Beziehung zwischen dem Einfügungsverlust der Anschlussflächenelektrode 56d von der Anschlussflächenelektrode 54c und der Frequenz darstellt.
Wie in 9(a) und 9(b) dargestellt ist, ist es bei dem Frequenzband eines Sendesignals deutlich, dass der Einfügungsverlust bei dem ersten Modell größer ist als bei dem zweiten Modell. Daher ist es deutlich, dass es weniger wahrscheinlich ist, dass ein Sendesignal bei dem ersten Modell in eine Empfangsschaltung eintritt als bei dem zweiten Modell. Das heißt es ist deutlich, dass die Isolationscharakteristika von Senden und Empfangen bei dem ersten Modell ausgezeichneter sind als bei dem zweiten Modell.
(Gehäusesubstrat gemäß einer ersten Modifikation)
Als Nächstes wird ein Gehäusesubstrat gemäß einer ersten Modifikation Bezug nehmend auf die Zeichnungen beschrieben. 10 ist eine transparente Ansicht eines Gehäusesubstrats 30a gemäß einer ersten Modifikation.
Das Gehäusesubstrat 30 und das Gehäusesubstrat 30a unterscheiden sich voneinander im Hinblick auf Vorliegen oder Nichtvorliegen der Verbindungsleiter 50 und 52. Detaillierter gesagt sind bei dem Gehäusesubstrat 30a die Anschlussflächenelektroden 41 und 45 und die Anschlussflächenelektrode 54 und 56 jeweils miteinander durch Durchgangslochleiter b1 bis b12 verbunden, die sich in der z-Achsen-Richtung erstrecken. Bei dem Gehäusesubstrat 30a sind die Verbindungsleiter 50 und 52 nicht bereitgestellt und daher kann der Substratkörper 39 in einer Monoschichtstruktur hergestellt sein, und die Kosten der Herstellung des Substrats und das Profil des Substratmoduls können reduziert werden. Zusätzlich dazu können, da der Substratkörper 39 aus einer Einzelschicht besteht, Wellen und Verziehen des Gehäusesubstrats 30a unterdrückt werden. Als Ergebnis können die Kosten der Herstellung des Gehäusesubstrats 30a reduziert werden.
Bei dem Gehäusesubstrat 30a sind die Anschlussflächenelektroden 41 und 45 und die Anschlussflächenelektroden 54 und 56 jeweils miteinander durch einzelne Durchgangslochleiter verbunden. Die Anschlussflächenelektroden 41 und 45 und die Anschlussflächenelektroden 54 und 56 können jedoch jeweils miteinander durch eine Mehrzahl von Durchgangslochleitern b verbunden sein. Zusätzlich dazu ist es nicht notwendig, dass alle der Anschlussflächenelektroden 41 und 45 und der Anschlussflächenelektroden 54 und 56 miteinander durch eine Mehrzahl von Durchgangslochleitern b verbunden sind und nur einige der Anschlussflächenelektroden 41 und 45 und der Anschlussflächenelektroden 54 und 56 können miteinander durch eine Mehrzahl von Durchgangslochleitern b verbunden sein.
Zusätzlich dazu weisen die Anschlussflächenelektroden 41 und 45 in dem Gehäusesubstrat 30a eine rechteckige Form auf, aber wie in 7 dargestellt ist, können die Anschlussflächenelektroden 41 und 45 die Befestigungsabschnitte 42 und 46 und die Verbindungsabschnitte 44 und 48 umfassen.
(Gehäusesubstrat gemäß einer zweiten Modifikation)
Als Nächstes wird ein Gehäusesubstrat gemäß einer zweiten Modifikation Bezug nehmend auf die Zeichnungen beschrieben. 11 ist eine transparente Ansicht eines Gehäusesubstrats 30b gemäß einer zweiten Modifikation.
Das Gehäusesubstrat 30b und das Gehäusesubstrat 30a unterscheiden sich voneinander im Hinblick auf das Vorliegen oder Nichtvorliegen der Anschlussflächenelektroden 41, 45, 54 und 56. Detaillierter gesagt sind bei dem Gehäusesubstrat 30b die Anschlussflächenelektroden 41, 45, 54 und 56 nicht bereitgestellt. Daher funktionieren die Endoberflächen der Durchgangslochleiter b1 bis b12 auf der positiven Seite in der z-Achsen-Richtung als Befestigungselektroden für eine Verbindung der SAW-Filter 32a und 32b und die Endoberflächen der Durchgangslochleiter b1 bis b12 auf der negativen Seite in der z-Achsen-Richtung funktionieren als Befestigungselektroden für eine Verbindung des Befestigungssubstrats 12. Das heißt, die Anschlussflächenelektroden 62 und 66 der SAW-Filter 32a und 32b sind direkt mit den Endoberflächen der Durchgangslochleiter b1 bis b12 auf der positiven Seite in der z-Achsen-Richtung verbunden. Zusätzlich dazu sind die Anschlussflächenelektroden des Befestigungssubstrats 12 direkt mit den Endoberflächen der Durchgangslochleiter b1 bis b12 auf der negativen Seite in der z-Achsen-Richtung verbunden.
Bei dem Gehäusesubstrat 30b kann, da die Anschlussflächenelektroden 41, 45, 54 und 56 nicht bereitgestellt sind, die Anzahl der Herstellungsschritte reduziert werden.
Zusätzlich dazu sind die Endoberflächen der Durchgangslochleiter b1 bis b12 kleiner als die Anschlussflächenelektroden 41, 45, 54 und 56. Daher ist es, sogar wenn die Durchgangslochleiter b1 bis b12 nahe beieinander sind, unwahrscheinlich, dass Kurzschlüsse zwischen den Durchgangslochleitern b1 bis b12 auftreten. Daher können bei dem Gehäusesubstrat 30b, sogar in dem Fall, in dem der Abstand der Anschlussflächenelektroden 62 und 66 der SAW-Filter 32a und 32b und der Abstand der Anschlussflächenelektroden des Befestigungssubstrats 12 schmal sind, das Gehäusesubstrat 30b, die SAW-Filter 32a und 32b und das Befestigungssubstrat 12 miteinander verbunden sein.
(SAW-Filter gemäß einer Modifikation)
Als Nächstes werden SAW-Filter 32'a und 32'b gemäß einer Modifikation Bezug nehmend auf die Zeichnungen beschrieben. Hierin nachfolgend wird eine Beschreibung gegeben, die die SAW-Filter 32'b als ein Beispiel angibt. 12 stellt eine interne Konfiguration des SAW-Filters 32'b dar. 13 ist ein Verdrahtungsdiagramm für das SAW-Filter 32'b.
Das SAW-Filter 32b und das SAW-Filter 32'b unterscheiden sich voneinander insofern, dass einige der Masseleitungen aus dem SAW-Filter 32'b entfernt wurden. Detaillierter gesagt, wie in 12 und 13 dargestellt ist, wurden die Masseleitung, die die gegenüberliegenden Abschnitte 70a und 70b verbindet, die Masseleitung, die die gegenüberliegenden Abschnitte 70e und 70f verbindet, die Masseleitung, die die gegenüberliegenden Abschnitte 74a und 74b verbindet, und die Masseleitung, die die gegenüberliegenden Abschnitte 74e und 74f verbindet, entfernt. Somit kann die Erzeugung von Streukapazitäten und parasitären Induktivitäten reduziert werden und die Isolationscharakteristika können verbessert werden.
(Gehäusesubstrat gemäß einer dritten Modifikation)
Als Nächstes wird ein Gehäusesubstrat gemäß einer dritten Modifikation Bezug nehmend auf Zeichnungen beschrieben. 14 stellt Draufsichten eines Gehäusesubstrats 30c gemäß der dritten Modifikation dar.
Das Gehäusesubstrat 30c und das Gehäusesubstrat 30a unterscheiden sich voneinander im Hinblick auf die Größen der Anschlussflächenelektroden 41 und 45. Detaillierter gesagt sind bei dem Gehäusesubstrat 30c die Größen der Anschlussflächenelektroden 41 und 45 nicht einheitlich. Die Bereiche der Anschlussflächenelektroden 45a, 45c und 45e, die mit den Anschlussflächenelektroden 66a, 66c und 66e verbunden sind, sind größer als die Bereiche der Anschlussflächenelektroden 45b, 45d, 45f, die nicht mit den Anschlussflächenelektroden 66a, 66c und 66e verbunden sind, aus den Anschlussflächenelektroden 66a bis 66f, die verwendet werden, wenn die SAW-Filterkomponente 32b befestigt wird.
Zusätzlich dazu sind die Bereiche der Anschlussflächenelektroden 56a, 56c und 56e, die mit den Anschlussflächenelektroden 45a, 45c und 45e verbunden sind, die mit den Anschlussflächenelektroden 66a, 66c und 66e verbunden sind, größer als die Bereiche der Anschlussflächenelektroden 56b, 56d und 56f, die mit den Anschlussflächenelektroden 45b, 45d und 45f verbunden sind, die nicht mit den Anschlussflächenelektroden 66a, 66c und 66e verbunden sind, aus den Anschlussflächenelektroden 66a bis 66f, die beim Befestigen der SAW-Filterkomponente 32b verwendet werden.
Wie oben beschrieben wurde, sind die Bereiche der Anschlussflächenelektroden 45a, 45c und 45e, die auf dem Massepotential gehalten werden, größer hergestellt als die Bereiche der anderen Anschlussflächenelektroden 45b, 45d und 45f, wodurch der Eintritt eines Sendesignals von der Seite der Anschlussflächenelektroden 41a, 41c und 41f in die Anschlussflächenelektroden 45b, 45d und 45f unterdrückt wird. Als Ergebnis werden die Isolationscharakteristika des Signalwegs eines Sendesignals und des Signalwegs eines Empfangssignals verbessert.
Zusätzlich dazu werden die Bereiche der Anschlussflächenelektroden 56a, 56c und 56e, die auf dem Massepotential gehalten werden, größer hergestellt als die Bereiche der anderen Anschlussflächenelektroden 56b, 56d und 56f, wodurch der Eintritt eines Sendesignals von der Seite der Anschlussflächenelektroden 54a, 54c und 54e in die Anschlussflächenelektroden 56b, 56d und 56f unterdrückt wird. Als Ergebnis werden die Isolationscharakteristika des Signalwegs eines Sendesignals und des Signalwegs eines Empfangssignals verbessert.
Zusätzlich dazu sind bei dem Gehäusesubstrat 30c eine Mehrzahl von Durchgangslochleitern b7-1 bis b7-3, b9-1 bis b9-3 und b11-1 bis b11-4 jeweils mit den Anschlussflächenelektroden 45a, 45c, 45e, 56a, 56c und 56e verbunden. Folglich werden die Anschlussflächenelektroden 45a, 45c, 45e, 56a, 56c und 56e sicherer auf dem Massepotential gehalten. Folglich werden die Isolationscharakteristika des Signalwegs eines Sendesignals und des Signalwegs eines Empfangssignals verbessert.
Zusätzlich dazu wird dadurch, dass die Anschlussflächenelektroden 45a, 45c, 45e, 56a, 56c und 56e sicherer auf dem Massepotential gehalten werden, das Auftreten einer elektromagnetischen Feldkopplung zwischen dem Signalweg eines Sendesignals und dem Signalweg eines Empfangssignals unterdrückt.
(Gehäusesubstrat gemäß einer vierten Modifikation)
Als Nächstes wird ein Gehäusesubstrat gemäß einer vierten Modifikation Bezug nehmend auf die Zeichnungen beschrieben. 15 stellt Draufsichten eines Gehäusesubstrats 30d gemäß der vierten Modifikation dar.
Das Gehäusesubstrat 30d und das Gehäusesubstrat 30a unterscheiden sich voneinander im Hinblick auf die Größen der Anschlussflächenelektroden 41 und 45. Detaillierter gesagt sind bei dem Gehäusesubstrat 30d die Größen der Anschlussflächenelektroden 41 und 45 nicht einheitlich. Die Bereiche der Anschlussflächenelektroden 41b, 41d und 41f, die mit den Anschlussflächenelektroden 62b, 62d und 62f verbunden sind, sind größer als die Bereiche der Anschlussflächenelektrode 41a, 41c und 41e, die nicht mit den Anschlussflächenelektroden 62b, 62d und 62f aus den Anschlussflächenelektroden 62a bis 62f verbunden sind, die beim Befestigen der SAW-Filterkomponente 32a verwendet werden.
Zusätzlich dazu sind die Bereiche der Anschlussflächenelektroden 54b, 54d und 54f, die mit den Anschlussflächenelektroden 41b, 41d und 41f verbunden sind, die mit den Anschlussflächenelektroden 62b, 62d und 62f verbunden sind, größer als die Bereiche der Anschlussflächenelektroden 54a, 54c und 54e, die mit den Anschlussflächenelektroden 41a, 41c und 41e verbunden sind, die nicht mit den Anschlussflächenelektroden 62b, 62d und 62f aus den Anschlussflächenelektroden 62a bis 62f verbunden sind, die beim Befestigen der SAW-Filterkomponente 32a verwendet werden.
Somit wird dadurch, dass die Bereiche der Anschlussflächenelektroden 41b, 41d und 41f, die auf dem Massepotential gehalten sind, größer gemacht werden als die Bereiche der anderen Anschlussflächenelektroden 41a, 41c und 41e, der Eintritt eines Empfangssignals von der Seite der Anschlussflächenelektroden 45b, 45d und 45e zu den Anschlussflächenelektroden 41a, 41c und 41e unterdrückt. Folglich werden die Isolationscharakteristika des Signalwegs eines Sendesignals und des Signalwegs eines Empfangssignals verbessert.
Zusätzlich dazu wird dadurch, dass die Bereiche der Anschlussflächenelektroden 54b, 54d und 54f, die auf dem Massepotential gehalten werden, größer gemacht werden als die Bereiche der anderen Anschlussflächenelektroden 54a, 54c und 54e, der Eintritt eines Empfangssignals von der Seite der Anschlussflächenelektroden 56b, 56d und 56f in die Anschlussflächenelektroden 54a, 54c und 54e unterdrückt. Folglich werden die Isolationscharakteristika des Signalwegs eines Sendesignals und des Signalwegs eines Empfangssignals verbessert.
Zusätzlich dazu ist bei dem Gehäusesubstrat 30d eine Mehrzahl von Durchgangslochelektroden b2-1 bis b2-4, b4-1 bis b4-3 und b6-1 bis b6-2 jeweils mit den Anschlussflächenelektroden 41b, 41d, 41f, 54b, 54d und 54f verbunden. Folglich werden die Anschlussflächenelektroden 41b, 41d, 41f, 54b, 54d und 54f sicherer auf dem Massepotential gehalten. Als Ergebnis werden die Isolationscharakteristika des Signalwegs eines Sendesignals und des Signalwegs eines Empfangssignals verbessert.
Zusätzlich dazu wird dadurch, dass die Anschlussflächenelektroden 41b, 41d, 41f, 54b, 54d und 54f sicherer auf dem Massepotential gehalten werden, das Auftreten einer elektromagnetischen Feldkopplung zwischen dem Signalweg eines Sendesignals und dem Signalweg eines Empfangssignals unterdrückt.
(Gehäusesubstrat gemäß einer fünften Modifikation)
Als Nächstes wird ein Gehäusesubstrat gemäß einer fünften Modifikation Bezug nehmend auf die Zeichnungen beschrieben. 16 stellt Draufsichten eines Gehäusesubstrats 30e gemäß der fünften Modifikation dar.
Wie in 16(a) dargestellt ist, können die Bereiche der Anschlussflächenelektroden 41b, 41d, 41f, 45a, 45c und 45e größer sein als die Bereiche der Anschlussflächenelektroden 41a, 41c, 41e, 45b, 45d und 45f.
Auf ähnliche Weise, wie in 16(b) dargestellt ist, können die Bereiche der Anschlussflächenelektroden 54b, 54d, 54f, 56a, 56c und 56e größer sein als die Bereiche der Anschlussflächenelektroden 54a, 54c, 54e, 56b, 56d und 56f.
(Gehäusesubstrat gemäß einer sechsten Modifikation)
Als Nächstes wird ein Gehäusesubstrat gemäß einer sechsten Modifikation Bezug nehmend auf die Zeichnungen beschrieben. 17 stellt Draufsichten eines Gehäusesubstrats 30f gemäß der sechsten Modifikation dar.
Das Gehäusesubstrat 30f und das Gehäusesubstrat 30a unterscheiden sich insofern voneinander, dass die Ecken der Anschlussflächenelektroden 45f einer Abschrägung unterzogen werden. Detaillierter gesagt werden gegenüberliegende Ecken der Anschlussflächenelektroden 45a, 45c und 45e, die mit den Anschlussflächenelektroden 66a, 66c und 66e verbunden sind, einer Abschrägung unterzogen. Hier bedeutet der Ausdruck „Abschrägen“, dass die Ecken der Anschlussflächenelektroden 45a, 45c und 45e in einer geraden Linie abgeschnitten sind.
Zusätzlich dazu werden gegenüberliegende Ecken der Anschlussflächenelektroden 56a, 56c und 56e, die mit den Anschlussflächenelektroden 45a, 45c und 45e verbunden sind, die mit den Anschlussflächenelektroden 66a, 66c und 66e verbunden sind, einer Abschrägung unterzogen.
Bei dem oben beschriebenen Gehäusesubstrat 30f sind die Distanzen zwischen den Anschlussflächenelektroden 45a, 45c und 45e vergrößert. Somit werden Kurzschlüsse zwischen den Anschlussflächenelektroden 45 zur Zeit der Befestigung unterdrückt.
(Gehäusesubstrat gemäß einer siebten Modifikation)
Als Nächstes wird ein Gehäusesubstrat gemäß einer siebten Modifikation Bezug nehmend auf die Zeichnungen beschrieben. 18 stellt Draufsichten eines Gehäusesubstrats 30g gemäß der siebten Modifikation dar.
Das Gehäusesubstrat 30g und das Gehäusesubstrat 30f unterscheiden sich voneinander insofern, dass die Ecken der Anschlussflächenelektroden 45b und 56b einer Abschrägung unterzogen sind. Detaillierter gesagt sind Ecken der Anschlussflächenelektrode 45b, die an beiden Enden des Randes auf der negativen Seite in der y-Achsen-Richtung positioniert sind, einer Abschrägung unterzogen. Somit wird eine Länge L1 eines Abschnitts, entlang der ein Rand der Anschlussflächenelektrode 45b auf der negativen Seite in der x-Achsen-Richtung einem Rand der Anschlussflächenelektrode 45a auf der positiven Seite in der x-Achsen-Richtung gegenüberliegt, kürzer. Auf ähnliche Weise wird eine Länge L1 eines Abschnitts, entlang der ein Rand der Anschlussflächenelektrode 45b auf der positiven Seite in der x-Achsen-Richtung einem Rand der Anschlussflächenelektrode 45c auf der negativen Seite in der x-Achsen-Richtung gegenüberliegt, kürzer. Somit werden die Streukapazitäten, die zwischen der Anschlussflächenelektrode 45b und den Anschlussflächenelektroden 45a und 45c erzeugt werden, reduziert.
Ecken der Anschlussflächenelektrode 56b, die an beiden Enden des Randes auf der negativen Seite in der y-Achsen-Richtung positioniert sind, sind einer Abschrägung unterzogen. Somit wird eine Länge L2 eines Abschnitts, entlang dem ein Rand der Anschlussflächenelektrode 56b auf der negativen Seite in der x-Achsen-Richtung einem Rand der Anschlussflächenelektrode 56a auf der positiven Seite in der x-Achsen-Richtung gegenüberliegt, kürzer. Auf ähnliche Weise wird eine Länge L2 eines Abschnitts, entlang dem ein Rand der Anschlussflächenelektrode 56b auf der positiven Seite in der x-Achsen-Richtung einem Rand der Anschlussflächenelektrode 56c auf der negativen Seite in der x-Achsen-Richtung gegenüberliegt, kürzer. Somit werden die Streukapazitäten, die zwischen der Anschlussflächenelektrode 56b und den Anschlussflächenelektroden 56a und 56c erzeugt werden, reduziert.
(Gehäusesubstrat gemäß einer achten Modifikation)
Als Nächstes wird ein Gehäusesubstrat gemäß einer achten Modifikation Bezug nehmend auf die Zeichnungen beschrieben. 19 stellt Draufsichten eines Gehäusesubstrats 30h gemäß der achten Modifikation dar.
Das Gehäusesubstrat 30h und das Gehäusesubstrat 30g unterscheiden sich voneinander insofern, dass die Ecken der Anschlussflächenelektroden 45b und 56b einer abgerundeten Abschrägung unterzogen sind. Somit wird eine Länge L1 eines Abschnitts, entlang der ein Rand der Anschlussflächenelektrode 45b auf der negativen Seite in der x-Achsen-Richtung einem Rand der Anschlussflächenelektrode 45a auf der positiven Seite in der x-Achsen-Richtung gegenüberliegt, kürzer. Auf ähnliche Weise wird eine Länge L1 eines Abschnitts, entlang der ein Rand der Anschlussflächenelektrode 45b auf der positiven Seite in der x-Achsen-Richtung einem Rand der Anschlussflächenelektrode 45c auf der negativen Seite in der x-Achsen-Richtung gegenüberliegt, kürzer. Somit werden die Streukapazitäten, die zwischen der Anschlussflächenelektrode 45b und den Anschlussflächenelektroden 45a und 45c erzeugt werden, weiter reduziert.
Zusätzlich dazu wird eine Länge L2 eines Abschnitts, entlang der ein Rand der Anschlussflächenelektrode 56b auf der negativen Seite in der x-Achsen-Richtung einem Rand der Anschlussflächenelektrode 56a auf der positiven Seite in der x-Achsen-Richtung gegenüberliegt, kürzer. Auf ähnliche Weise wird eine Länge L2 eines Abschnitts, entlang der ein Rand der Anschlussflächenelektrode 56b auf der positiven Seite in der x-Achsen-Richtung einem Rand der Anschlussflächenelektrode 56c auf der negativen Seite in der x-Achsen-Richtung gegenüberliegt, kürzer. Somit werden die Streukapazitäten, die zwischen der Anschlussflächenelektrode 56b und den Anschlussflächenelektroden 56a und 56c erzeugt werden, weiter reduziert.
(Substratmodul gemäß einer ersten Modifikation)
Als Nächstes wird ein Substratmodul 10a gemäß einer ersten Modifikation Bezug nehmend auf die Zeichnungen beschrieben. 20 ist eine strukturelle Querschnittsansicht des Substratmoduls 10a gemäß einer ersten Modifikation.
Wie in 2 dargestellt ist, umfasst das Substratmodul 10 die Anpassungselemente 16a bis 16d. Wie in 1 dargestellt ist, sind die Anpassungselemente 16a bis 16d auf dem Befestigungssubstrat 12 in dem Substratmodul 10 befestigt. Im Gegensatz dazu sind bei dem Substratmodul 10a die Anpassungselemente 16a und 16b aus der Mehrzahl von Anpassungselementen 16a bis 16d zum Realisieren einer Impedanzanpassung mit dem Duplexer 14 in das Befestigungssubstrat 12 eingebaut. Andererseits sind die Anpassungselemente 16c und 16d aus der Mehrzahl von Anpassungselementen 16a bis 16d an dem Befestigungssubstrat 12 befestigt. Ein Masseweg R4, der ein Masseweg ist, der innerhalb des Befestigungssubstrats 12 bereitgestellt ist und auf dem Massepotential gehalten ist, ist zwischen dem Anpassungselement 16b und dem Anpassungselement 16c bereitgestellt.
Detaillierter ausgedrückt umfasst das Befestigungssubstrat 12 einen Substratkörper 12a, einen Antennenweg R1, Empfangswege R2-1 und R2-2, einen Sendeweg R3, einen Masseweg R4 und Außenelektroden 90a bis 90d. Der Substratkörper 12a ist ein Mehrschichtsubstrat, das durch Stapeln einer Mehrzahl von Isolatorschichten aufeinander gebildet ist.
Die Außenelektroden 90a bis 90d sind auf einer Hauptoberfläche des Substratkörpers 12a auf der negativen Seite in der z-Achsen-Richtung bereitgestellt und werden beim Befestigen des Substratmoduls 10 auf einer Hauptplatine eines zellulären Telefons verwendet. Eine Antenne, die auf der Hauptplatine bereitgestellt ist, ist mit der Außenelektrode 90a verbunden. Eine Sendeschaltung, die auf der Hauptplatine bereitgestellt ist, ist mit der Außenelektrode 90b verbunden. Eine Masseelektrode, die auf der Hauptplatine bereitgestellt ist, ist mit der Außenelektrode 90c verbunden. Eine Empfangsschaltung, die auf der Hauptplatine bereitgestellt ist, ist mit der Außenelektrode 90d verbunden.
Ein Antennenweg R1-1 ist aus Durchgangslochleitern und Leiterschichten gebildet und stellt eine elektrische Verbindung zwischen den SAW-Filtern 32a und 32b und dem Anpassungselement 16c bereit. Ein Antennenweg R1-2 ist aus Durchgangslochleitern und Leiterschichten gebildet und stellt eine elektrische Verbindung zwischen dem Anpassungselement 16c und der Außenelektrode 90a bereit.
Der Empfangsweg R2-1 ist aus Durchgangslochleitern und Leiterschichten gebildet und stellt eine elektrische Verbindung zwischen dem SAW-Filter 32b und dem Anpassungselement 16d bereit. Der Empfangsweg R2-2 ist aus Durchgangslochleitern und Leiterschichten gebildet und stellt eine elektrische Verbindung zwischen dem Anpassungselement 16d und der Außenelektrode 90d bereit.
Der Sendeweg R3 ist aus Durchgangslochleitern und Leiterschichten gebildet und stellt eine elektrische Verbindung zwischen der Außenelektrode 90b und dem SAW-Filter 32a bereit. Der Sendeweg R3 ist gewickelt und bildet dadurch das Anpassungselement 16b. Die Leiterschichten des Sendewegs R3 können eine spiralartige oder mäanderförmige Form aufweisen.
Der Masseweg R4 ist aus Durchgangslochleitern und Leiterschichten gebildet und ist mit der Außenelektrode 90c verbunden. Der Masseweg R4 ist gewickelt und bildet dadurch das Anpassungselement 16a. Die Leiterschichten des Massewegs R4 können eine spiralartige oder mäanderförmige Form aufweisen.
Hier, wie in 20 dargestellt ist, erstreckt sich der Masseweg R4 zwischen dem Anpassungselement 16b, das aus dem Sendeweg R3 gebildet ist, und dem Anpassungselement 16c, das auf dem Substratkörper 12a befestigt ist. Somit wird die Isolation der Antennenwege R1-1 und R1-2 und dem Sendeweg R3 voneinander verbessert.
(Substratmodul gemäß einer zweiten Modifikation)
Als Nächstes wird ein Substratmodul 10b gemäß einer zweiten Modifikation Bezug nehmend auf die Zeichnungen beschrieben. 21 ist eine strukturelle Querschnittsansicht des Substratmoduls 10b gemäß der zweiten Modifikation.
Das Substratmodul 10b und das Substratmodul 10a unterscheiden sich voneinander abhängig davon, ob das Anpassungselement 16c innerhalb des Befestigungssubstrats 12 bereitgestellt ist. Bei dem Substratmodul 10b ist der Antennenweg R1 aus Durchgangslochleitern und Leiterschichten gebildet und stellt eine elektrische Verbindung zwischen den SAW-Filtern 32a und 32b und der Außenelektrode 90a bereit. Der Antennenweg R1 ist gewickelt und bildet dadurch das Anpassungselement 16c. Die Leiterschichten des Antennenwegs R1 können eine spiralartige oder mäanderförmige Form aufweisen.
Zusätzlich dazu sind das Anpassungselement 16b, das auf dem Signalweg R3 gebildet ist, und das Anpassungselement 16c, das aus dem Antennenweg R1 gebildet ist, benachbart zueinander. Das Anpassungselement 16b und das Anpassungselement 16c sind auf unterschiedlichen Isolatorschichten bereitgestellt. Somit wird eine elektromagnetische Kopplung des Anpassungselements 16b und des Anpassungselements 16c unterdrückt.
Zusätzlich dazu ist das Anpassungselement 16c in das Befestigungssubstrat 12 eingebaut und daher wird das Substratmodul 10b in seiner Größe reduziert.
(Substratmodul gemäß einer dritten Modifikation)
Als Nächstes wird ein Substratmodul 10c gemäß einer dritten Modifikation Bezug nehmend auf die Zeichnungen beschrieben. 22 ist eine strukturelle Querschnittsansicht des Substratmoduls 10c gemäß der dritten Modifikation.
Das Substratmodul 10c und das Substratmodul 10b unterscheiden sich voneinander im Hinblick auf die Position des Anpassungselements 16c. Detaillierter ausgedrückt ist das Anpassungselement 16c des Substratmoduls 10c an einer Position bereitgestellt, die weiter weg von dem Anpassungselement 16b beabstandet ist als es das Anpassungselement 16c von dem Substratmodul 10b ist. Detaillierter ausgedrückt sind bei dem Substratmodul 10c das Anpassungselement 16c und das Anpassungselement 16b nicht miteinander überlagert, betrachtet in Draufsicht aus der z-Achsen-Richtung. Somit wird eine elektromagnetische Kopplung des Anpassungselements 16b und des Anpassungselements 16c effektiver unterdrückt.
(Substratmodul gemäß einer vierten Modifikation)
Als Nächstes wird ein Substratmodul 10d gemäß einer vierten Modifikation Bezug nehmend auf die Zeichnungen beschrieben. 23 ist eine strukturelle Querschnittsansicht des Substratmoduls 10d gemäß der vierten Modifikation.
Das Substratmodul 10d und das Substratmodul 10b unterscheiden sich voneinander im Hinblick auf die Form des Massewegs R4. Detaillierter ausgedrückt ist bei dem Substratmodul 10d der Masseweg R4 zwischen dem Anpassungselement 16b und dem Anpassungselement 16d bereitgestellt, die benachbart zueinander sind. Somit wird eine elektromagnetische Kopplung des Anpassungselements 16b und des Anpassungselements 16c effektiver unterdrückt.
(Substratmodul gemäß einer fünften Modifikation)
Als Nächstes wird ein Substratmodul 10e gemäß einer fünften Modifikation Bezug nehmend auf die Zeichnungen beschrieben. 24 ist eine strukturelle Querschnittsansicht des Substratmoduls 10e gemäß der fünften Modifikation. 25 stellt einen Duplexer 14 des Substratmoduls 10e gemäß der fünften Modifikation in Draufsicht dar.
Wie in 24 dargestellt ist, umfasst das Befestigungssubstrat 12 des Substratmoduls 10e den Substratkörper 12a, Antennenwege R1-3 und R1-4, Empfangswege R2-1 und R2-2, den Sendeweg R3, den Masseweg R4 und die Außenelektroden 90a bis 90d. Der Substratkörper 12a ist ein Mehrschichtsubstrat, das durch Stapeln einer Mehrzahl von Isolatorschichten aufeinander gebildet wird.
Die Außenelektroden 90a bis 90d sind auf einer Hauptoberfläche des Substratkörpers 12a auf der negativen Seite in der z-Achsen-Richtung bereitgestellt und werden beim Befestigen des Substratmoduls 10e auf einer Hauptplatine eines zellulären Telefons verwendet. Eine Antenne, die auf der Hauptplatine bereitgestellt ist, ist mit der Außenelektrode 90a verbunden. Eine Sendeschaltung, die auf der Hauptplatine bereitgestellt ist, ist mit der Außenelektrode 90b verbunden. Eine Masseelektrode, die auf der Hauptplatine bereitgestellt ist, ist mit der Außenelektrode 90c verbunden. Eine Empfangsschaltung, die auf der Hauptplatine bereitgestellt ist, ist mit der Außenelektrode 90d verbunden.
Der Antennenweg R1-3 ist aus Durchgangslochleitern und Leiterschichten gebildet und stellt eine elektrische Verbindung zwischen dem SAW-Filter 32a und der Außenelektrode 90a bereit. Der Antennenweg R1-4 ist aus Durchgangslochleitern und Leiterschichten gebildet und stellt eine elektrische Verbindung zwischen dem SAW-Filter 32b und der Außenelektrode 90a bereit. Der Antennenweg R1-3 und der Antennenweg R1-4 sind zusammengeführt und mit der Außenelektrode 90a verbunden.
Der Empfangsweg R2-1 ist aus Durchgangslochleitern und Leiterschichten gebildet und stellt eine elektrische Verbindung zwischen dem SAW-Filter 32b und dem Anpassungselement 16d bereit. Der Empfangsweg R2-2 ist aus Durchgangslochleitern und Leiterschichten gebildet und stellt eine elektrische Verbindung zwischen dem Anpassungselement 16d und der Außenelektrode 90d bereit.
Der Sendeweg R3 ist aus Durchgangslochleitern und Leiterschichten gebildet und stellt eine elektrische Verbindung zwischen der Außenelektrode 90b und dem SAW-Filter 32a bereit. Der Sendeweg R3 ist gewickelt und bildet dadurch das Anpassungselement 16b. Die Leiterschichten des Sendewegs R3 können eine spiralartige oder mäanderförmige Form aufweisen.
Der Masseweg R4 ist aus Durchgangslochleitern und Leiterschichten gebildet und ist mit der Außenelektrode 90c verbunden. Der Masseweg R4 ist gewickelt und bildet dadurch das Anpassungselement 16a. Die Leiterschichten des Massewegs R4 können eine spiralartige oder mäanderförmige Form aufweisen.
Die Sendeleitung R3, die Antennenwege R1-3 und R1-4 und die Empfangswege R2-1 und R2-2, wie in 25 dargestellt ist, sind jeweils aus Verdrahtungsleitungsleitern L1 bis L5 gebildet. Das heißt, das Befestigungssubstrat 12 ist zusätzlich mit den Verdrahtungsleitungsleitern L1 bis L5 bereitgestellt.
Die Verdrahtungsleitungsleiter L1 bis L5, wie in 25 dargestellt ist, sind jeweils elektrisch mit den Anschlussflächenelektroden 54c, 54d, 56b, 56d und 56f des Duplexers 14 verbunden. In 25 sind Verdrahtungsleitungsleiter, die mit den Anschlussflächen 54a, 54b, 54e, 54f, 56a, 56c und 56e verbunden sind, nicht dargestellt.
Der Verdrahtungsleitungsleiter L1 umfasst Verdrahtungsleitungsabschnitte a1 und a2. Die Verdrahtungsleitungsabschnitte a1 und a2 sind linienförmige Leiterschichten, die innerhalb des Substratkörpers 12a bereitgestellt sind. Ein Ende des Verdrahtungsleitungsabschnitts a1 ist mit der Anschlussflächenelektrode 54c verbunden. Der Verdrahtungsleitungsabschnitt a2, wie in 24 und 25 dargestellt ist, ist mit dem anderen Ende des Verdrahtungsleitungsabschnitts a1 über einen Durchgangslochleiter verbunden. Somit sind die Verdrahtungsleitung a1 und die Verdrahtungsleitung a2 auf unterschiedlichen Isolatorschichten in dem Substratkörper 12a bereitgestellt. Zusätzlich dazu, wie in 25 dargestellt ist, ist eine Leitungsbreite w2 der Verdrahtungsleitung a2 größer als eine Leitungsbreite w1 der Verdrahtungsleitung a1.
Der Verdrahtungsleitungsleiter L2 umfasst Verdrahtungsleitungsabschnitte a3 und a4. Die Verdrahtungsleitungsabschnitte a3 und a4 sind linienförmige Leiterschichten, die innerhalb des Substratkörpers 12a bereitgestellt sind. Ein Ende des Verdrahtungsleitungsabschnitts a3 ist mit der Anschlussflächenelektrode 54d verbunden. Der Verdrahtungsleitungsabschnitt a4, wie in 24 und 25 dargestellt ist, ist mit dem anderen Ende des Verdrahtungsleitungsabschnitts a3 über einen Durchgangslochleiter verbunden. Somit sind die Verdrahtungsleitung a3 und die Verdrahtungsleitung a4 auf unterschiedlichen Isolatorschichten in dem Substratkörper 12a bereitgestellt. Zusätzlich dazu, wie in 25 dargestellt ist, ist eine Leitungsbreite w2 der Verdrahtungsleitung a4 größer als eine Leitungsbreite w1 der Verdrahtungsleitung a3.
Der Verdrahtungsleitungsleiter L3 umfasst Verdrahtungsleitungsabschnitte a5 und a6. Die Verdrahtungsleitungsabschnitte a5 und a6 sind linienförmige Leiterschichten, die innerhalb des Substratkörpers 12a bereitgestellt sind. Ein Ende des Verdrahtungsleitungsabschnitts a5 ist mit der Anschlussflächenelektrode 56b verbunden. Der Verdrahtungsleitungsabschnitt a6, wie in 24 und 25 dargestellt ist, ist mit dem anderen Ende des Verdrahtungsleitungsabschnitts a5 über einen Durchgangslochleiter verbunden. Somit sind die Verdrahtungsleitung a5 und die Verdrahtungsleitung a6 auf unterschiedlichen Isolatorschichten in dem Substratkörper 12a bereitgestellt. Zusätzlich dazu, wie in 25 dargestellt ist, ist eine Leitungsbreite w2 der Verdrahtungsleitung a6 größer als eine Leitungsbreite w1 der Verdrahtungsleitung a5.
Der Verdrahtungsleitungsleiter L4 umfasst Verdrahtungsleitungsabschnitte a7 und a8. Die Verdrahtungsleitungsabschnitte a7 und a8 sind linienförmige (line-shaped) Leiterschichten, die innerhalb des Substratkörpers 12a bereitgestellt sind. Ein Ende des Verdrahtungsleitungsabschnitts a7 ist mit der Anschlussflächenelektrode 56d verbunden. Der Verdrahtungsleitungsabschnitt a8, wie in 24 und 25 dargestellt ist, ist mit dem anderen Ende des Verdrahtungsleitungsabschnitts a7 über einen Durchgangslochleiter verbunden. Somit sind die Verdrahtungsleitung a7 und die Verdrahtungsleitung a8 auf unterschiedlichen Isolatorschichten in dem Substratkörper 12a bereitgestellt. Zusätzlich dazu, wie in 25 dargestellt ist, ist eine Leitungsbreite w2 der Verdrahtungsleitung a8 größer als eine Leitungsbreite w1 der Verdrahtungsleitung a7.
Der Verdrahtungsleitungsleiter L5 umfasst Verdrahtungsleitungsabschnitte a9 und a10. Die Verdrahtungsleitungsabschnitte a9 und a10 sind linienförmige Leiterschichten, die innerhalb des Substratkörpers 12a bereitgestellt sind. Ein Ende des Verdrahtungsleitungsabschnitts a9 ist mit der Anschlussflächenelektrode 56f verbunden. Der Verdrahtungsleitungsabschnitt a10, wie in 24 und 25 dargestellt ist, ist mit dem anderen Ende des Verdrahtungsleitungsabschnitts a9 über einen Durchgangslochleiter verbunden. Somit sind die Verdrahtungsleitung a9 und die Verdrahtungsleitung a10 auf unterschiedlichen Isolatorschichten in dem Substratkörper 12a bereitgestellt. Zusätzlich dazu, wie in 25 dargestellt ist, ist eine Leitungsbreite w2 der Verdrahtungsleitung a10 größer als eine Leitungsbreite w1 der Verdrahtungsleitung a9.
Mit dem somit konfigurierten Substratmodul 10e können die Isolationscharakteristika verbessert werden. Detaillierter ausgedrückt, wenn das Substratmodul 10e in seiner Größe reduziert ist, sind die Anschlussflächenelektroden 54 und 56 näher beieinander und die Verdrahtungsleitungsleiter L1 bis L5 sind näher beieinander. In einem solchen Fall besteht ein Risiko, dass ein Hochleistungssendesignal in die Empfangsschaltungen aus den Anschlussflächenelektroden 56d und 56f eintritt. Folglich neigen die Isolationscharakteristika dazu, verschlechtert zu werden.
Dementsprechend sind bei dem Substratmodul 10e die einen Enden der Verdrahtungsleitungsabschnitte a1, a3, a5, a7 und a9 jeweils mit den Anschlussflächenelektroden 54c, 54d, 56b, 56d und 56f verbunden. Zusätzlich dazu sind die Verdrahtungsleitungsabschnitte a2, a4, a6, a8 und a10 jeweils mit den anderen Enden der Verdrahtungsleitungen a1, a3, a5, a7 und a9 verbunden und weisen eine dickere Leitungsbreite w2 auf als die Leitungsbreite w1 der Verdrahtungsleitungsabschnitte a1, a3, a5, a7 und a9. Somit sind die Distanzen zwischen den Verdrahtungsleitungsleitern L1 bis L5 in der Nähe der Anschlussflächenelektroden 54c, 54d, 56b, 56d und 56f vergrößert. Folglich werden die Isolationscharakteristika der Verdrahtungsleitungsleiter L1 bis L5 verbessert.
Zusätzlich dazu kann bei dem Substratmodul 10e z. B. ein Verstärker oder eine Schalter-IC auf einer Stufe vor oder nach dem Duplexer 14 verbunden sein. Folglich kann dadurch, dass die Leitungsbreite w1 der Verdrahtungsleitungsabschnitte a1, a3, a5, a7 und a9 kleiner gemacht wird als die Leitungsbreite w2 der Verdrahtungsleitungsabschnitte a2, a4, a6, a8 und a10, eine Impedanzanpassung zwischen dem Verstärker oder der Schalter-IC und den Verdrahtungsleitungsabschnitten a1, a3, a5, a7 und a9 erhalten werden.
Zusätzlich dazu kann bei dem Substratmodul 10e eine Impedanzanpassung ohne Weiteres für die Verdrahtungsleitungsleiter L1 bis L5 erhalten werden. Detaillierter gesagt, da die Verdrahtungsleitungsabschnitte a1, a3, a5, a7 und a9 und die Verdrahtungsleitungsabschnitte a2, a4, a6, a8 und a10 auf unterschiedlichen Isolatorschichten bereitgestellt sind, liegt eine Isolatorschicht zwischen den Verdrahtungsleitungsabschnitten a1, a3, a5, a7 und a9 und den Verdrahtungsleitungsabschnitten a2, a4, a6, a8 und a10 vor. Daher kann die dielektrische Konstante der Isolatorschicht bei der Impedanzanpassung der Verdrahtungsleitungsabschnitte a1, a3, a5, a7 und a9 und die Verdrahtungsleitungsabschnitte a2, a4, a6, a8 und a10 verwendet werden. Somit kann eine Impedanzanpassung ohne Weiteres für die Verdrahtungsleitungsleiter L1 bis L5 erhalten werden.
Zusätzlich dazu kann durch Bereitstellen des Verdrahtungsleitungsabschnitts a1, durch den ein Sendesignal übertragen wird, und der Verdrahtungsleitungsabschnitte a7 und a9, durch die Empfangssignale übertragen werden, auf unterschiedlichen Isolatorschichten, die Distanz zwischen dem Verdrahtungsleitungsleiter L1 und den Verdrahtungsleitungsleitern L4 und L5 groß gemacht werden. Folglich wird der Eintritt eines Sendesignals in eine Empfangsschaltung aus den Anschlussflächenelektroden 56b und 56f unterdrückt. Das heißt, die Isolationscharakteristika werden verbessert.
Bei den Verdrahtungsleitungsleitern L4 und L5, die mit den Empfangsschaltungen verbunden sind, kann die Leitungsbreite w1 der Verdrahtungsleitungsabschnitte a7 und a9 schmäler sein als die Leitungsbreite w2 der Verdrahtungsleitungsabschnitte a8 und a10, und bei dem Verdrahtungsleitungsleiter L1, der mit der Sendeschaltung verbunden ist, kann die Leitungsbreite w1 des Verdrahtungsleitungsabschnitts a1 und die Leitungsbreite w2 des Verdrahtungsleitungsabschnitts a2 gleich zueinander hergestellt werden. Auch bei dieser Konfiguration wird der Eintritt eines Sendesignals in eine Empfangsschaltung aus den Anschlussflächenelektroden 56d und 56f unterdrückt. Das heißt, die Isolationscharakteristika werden verbessert. Zusätzlich dazu ist bei dem Verdrahtungsleitungsleiter L1, der mit der Sendeschaltung verbunden ist, die Leitungsbreite w1 des Verdrahtungsleitungsabschnitts a1 nicht schmäler als die Leitungsbreite w2 des Verdrahtungsleitungsabschnitts a2 und daher wird ein Verlust der Zeit der Übertragung eines Sendesignals reduziert.
(Andere Ausführungsbeispiele)
Gehäusesubstrate, Duplexer und Substratmodule gemäß der vorliegenden Erfindung sind nicht auf jene beschränkt, die bei dem obigen Ausführungsbeispiel beschrieben sind, und Modifikationen können innerhalb des Schutzbereichs des Wesens der vorliegenden Erfindung modifiziert werden.
Bei dem Gehäusesubstrat 30 umfassen die Anschlussflächenelektroden 41 und 45 die Befestigungsabschnitte 42 und 46 und die Verbindungsabschnitte 44 und 48 und die Anschlussflächenelektroden 54 und 56 weisen eine rechteckige Form auf. Ähnlich zu den Anschlussflächenelektroden des Gehäusesubstrats 30 jedoch können die Anschlussflächenelektroden 54 und 56 ferner Befestigungsabschnitte und Verbindungsabschnitte umfassen. In einem solchen Fall wären die Durchgangslochleiter b25 bis b36 mit den Verbindungsabschnitten der Anschlussflächenelektroden 54 und 56 verbunden.
Zusätzlich dazu sind bei dem Gehäusesubstrat 30 die Verbindungsleiter 50 und 52 alle auf der Frontoberfläche der Isolatorschicht 40b bereitgestellt. In dem Fall jedoch, in dem der Substratkörper 39 aus vier oder mehr Isolatorschichten 40 gebildet ist, wäre es bevorzugt, benachbarte Verbindungsleiter 50 und 52 auf unterschiedlichen Isolatorschichten 40 bereitzustellen. Dadurch kann die Distanz zwischen den Verbindungsleitern 50 und 52 vergrößert werden und die Isolationscharakteristika eines Signalwegs eines Sendesignals und eines Signalwegs eines ersten Empfangssignals und eines Signalwegs eines zweiten Empfangssignals in dem Duplexer 14 können verbessert werden.
Bei dem SAW-Filter 32a müssen, ähnlich zu dem SAW-Filter 32b, die Anschlussflächenelektroden 62a, 62c, 62d und 62f, die mit Masse verbunden sind, nicht miteinander durch eine Masseleitung verbunden sein. Das heißt, die Anschlussflächenelektroden 62a, 62c, 62d und 62f müssen nicht elektrisch miteinander in dem SAW-Filter 32a verbunden sein.
Industrielle Anwendbarkeit
Wie oben beschrieben wurde, wird die vorliegende Erfindung bei Substraten, Duplexern und Substratmoduln verwendet und ist insofern ausgezeichnet, dass Isolationscharakteristika eines Hochfrequenzseiten-Signalwegs und eines NiedrigfrequenzseitenSignalwegs verbessert werden können.
Bezugszeichenliste

b1 bis b36: Durchgangslochleiter
L1 bis L5: Verdrahtungsleitungsleiter
a1 bis a10: Verdrahtungsleitungsabschnitt
10, 10a bis 10e: Substratmodul
12: Befestigungssubstrat
14: Duplexer
16a bis 16d: Anpassungselement
30, 30a bis 30h: Gehäusesubstrat
32a, 32b, 32'b, 32'b: SAW-Filter
39: Substratkörper
40a bis 40c: Isolatorschicht
41a bis 41f, 45a bis 45f, 54a bis 54f, 56a bis 56f, 62a bis 62f, 66a bis 66f: Anschlussflächenelektrode
42a bis 42f, 46a bis 46f: Befestigungsabschnitt
44a bis 44f, 48a bis 48f: Verbindungsabschnitt
50a bis 50f, 52a bis 52f: Verbindungsleiter
64: piezoelektrisches Substrat
70, 74: vertikaler Kopplungsabschnitt
70a bis 70f, 74a bis 74f: gegenüberliegender Abschnitt

Claims

Substrat (30), auf dem eine Hochfrequenzseitenfilterkomponente (32a) und eine Niedrigfrequenzseitenfilterkomponente (32b) befestigt sind und das einen Teil eines Duplexers (14) bildet, wobei das Substrat (30) folgende Merkmale aufweist: einen Substratkörper (39) mit einer ersten Hauptoberfläche (S1) und einer zweiten Hauptoberfläche (S2), die einander gegenüberliegen, eine Mehrzahl von ersten Befestigungselektroden (41a-f, 45a-f), die auf der ersten Hauptoberfläche (S1) bereitgestellt sind und die für eine Verbindung der Hochfrequenzseitenfilterkomponente (32a) oder der Niedrigfrequenzseitenfilterkomponente (32b) verwendet werden, und eine Mehrzahl von zweiten Befestigungselektroden (54a-f, 56a-f), die auf der zweiten Hauptoberfläche (S2) bereitgestellt sind und die für eine Verbindung eines Befestigungssubstrats (12) verwendet werden, auf dem der Duplexer (14) befestigt ist, wobei die Mehrzahl der zweiten Befestigungselektroden (54a-f, 56a-f) mit der Mehrzahl von ersten Befestigungselektroden (41a-f, 45a-f) überlagert ist, betrachtet in Draufsicht aus einer Richtung normal zu der ersten Hauptoberfläche (S1), wobei die ersten Befestigungselektroden (41a-f, 45a-f) und die zweiten Befestigungselektroden (54a-f, 56a-f), die miteinander überlagert sind, wenn sie in Draufsicht aus einer Richtung normal zu der ersten Hauptoberfläche (S1) betrachtet werden, elektrisch miteinander verbunden sind, wobei die Mehrzahl der ersten Befestigungselektroden (41a-f, 45a-f) nicht elektrisch miteinander in dem Substratkörper (39) verbunden sind, wobei die Mehrzahl von zweiten Befestigungselektroden (54a-f, 56a-f) nicht elektrisch miteinander in dem Substratkörper (39) verbunden sind, wobei die Mehrzahl der ersten Befestigungselektroden (41a-f, 45a-f) und die Mehrzahl von zweiten Befestigungselektroden (54a-f, 56a-f) jeweils mehrere mit Masse verbindbare Befestigungselektroden (41a, 41e, 41f, 45a, 45c, 45e, 54a, 54b, 54e, 54f, 56a, 56c, 56e) aufweisen, und wobei eine Fläche der ersten und/oder zweiten Befestigungselektroden, die mit Masse verbindbar sind, größer ist als eine Fläche der Befestigungselektroden, die nicht mit Masse verbindbar sind.
Substrat (30) gemäß Anspruch 1 bei dem gegenüberliegende Ecken der ersten und/oder zweiten Befestigungselektroden, die mit Masse verbindbar sind, abgeschrägt oder abgerundet sind.
Substrat (30) gemäß Anspruch 1 oder Anspruch 2, das ferner folgende Merkmale aufweist: erste Durchgangslochleiter (b1-b12), die mit den ersten Befestigungselektroden (41a-f, 45a-f) verbunden sind und sich in einer Richtung normal zu der ersten Hauptoberfläche (S1) innerhalb des Substratkörpers (39) erstrecken, wobei die ersten Befestigungselektroden (41a-f, 45a-f) jeweils einen ersten Befestigungsabschnitt, der bei der Verbindung der Hochfrequenzseitenfilterkomponente (32a) oder der Niedrigfrequenzseitenfilterkomponente (32b) verwendet wird, und einen ersten Verbindungsabschnitt (44a-48f) umfassen, mit dem ein entsprechender einer der ersten Durchgangslochleiter (b1-b12) verbunden ist.
Substrat (30) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, das ferner folgende Merkmale aufweist: zweite Durchgangslochleiter (b25-b36), die mit den zweiten Befestigungselektroden (54a-f, 56a-f) verbunden sind und sich in einer Richtung normal zu der ersten Hauptoberfläche (S1) innerhalb des Substratkörpers (39) erstrecken, wobei die zweiten Befestigungselektroden (54a-f, 56a-f) jeweils einen zweiten Befestigungsabschnitt, der zum Verbinden des Befestigungssubstrats (12) verwendet wird, und einen zweiten Verbindungsabschnitt umfassen, mit dem ein entsprechender einer der zweiten Durchgangslochleiter (b25-b36) verbunden ist.
Substrat (30) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, das ferner folgende Merkmale aufweist: erste Durchgangslochleiter (b1-b12), die mit den ersten Befestigungselektroden (41a-f, 45a-f) verbunden sind und sich in einer Richtung normal zu der ersten Hauptoberfläche (S1) innerhalb des Substratkörpers (39) erstrecken, zweite Durchgangslochleiter (b25-b36), die mit den zweiten Befestigungselektroden (54a-f, 56a-f) verbunden sind und sich in einer Richtung normal zu der ersten Hauptoberfläche (S1) innerhalb des Substratkörpers (39) erstrecken, und Verbindungsleiter, die in den Substratkörper (39) eingebaut sind und Verbindungen zwischen den ersten Durchgangslochleitern (b1-b12) und den zweiten Durchgangslochleitern (b25-b36) bereitstellen.
Substrat (30) gemäß Anspruch 5, bei dem die ersten Durchgangslochleiter (b1-b12), die zweiten Durchgangslochleiter (b25-b36) und die Verbindungsleiter bereitgestellt sind, um der Mehrzahl von ersten Befestigungselektroden (41a-f, 45a-f) und der Mehrzahl von zweiten Befestigungselektroden (54a-f, 56a-f) zu entsprechen, und die Mehrzahl der Verbindungsleiter nicht elektrisch miteinander in dem Substratkörper (39) verbunden sind.
Substrat (30) gemäß Anspruch 5 oder Anspruch 6, bei dem die ersten Durchgangslochleiter (b1-b12), die zweiten Durchgangslochleiter (b25-b36) und die Verbindungsleiter bereitgestellt sind, um der Mehrzahl von ersten Befestigungselektroden (41a-f, 45a-f) und der Mehrzahl von zweiten Befestigungselektroden (54a-f, 56a-f) zu entsprechen, und das Substrat (30) durch Stapeln von vier oder mehr Isolatorschichten (40a-c) aufeinander gebildet ist, und benachbarte Verbindungsleiter auf unterschiedlichen Isolatorschichten (40a-c) bereitgestellt sind.
Substrat (30) gemäß Anspruch 1, das ferner folgende Merkmale aufweist: Durchgangslochleiter (b1-b36), die mit den ersten Befestigungselektroden (41a-f, 45a-f) und den zweiten Befestigungselektroden (54a-f, 56a-f) verbunden sind und sich in einer Richtung normal zu der ersten Hauptoberfläche (S1) innerhalb des Substratkörpers (39) erstrecken.
Duplexer (14), der folgende Merkmale aufweist: das Substrat (30) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, eine Hochfrequenzseitenfilterkomponente (32a), die auf der ersten Hauptoberfläche (S1) des Substrats (30) befestigt ist, und eine Niedrigfrequenzseitenfilterkomponente (32b), die auf der ersten Hauptoberfläche (S1) des Substrats (30) befestigt ist.
Duplexer (14) gemäß Anspruch 9, bei dem die Hochfrequenzseitenfilterkomponente (32a) eine Mehrzahl von ersten Masseelektroden umfasst, die mit den mit Masse verbindbaren ersten Befestigungselektroden (41a-f, 45a-f) verbunden sind, und die Mehrzahl von ersten Masseelektroden nicht elektrisch miteinander in der Hochfrequenzseitenfilterkomponente (32a) verbunden sind.
Duplexer (14) gemäß Anspruch 9 oder Anspruch 10, bei dem die Niedrigfrequenzseitenfilterkomponente (32b) eine Mehrzahl von zweiten Masseelektroden umfasst, die mit den mit Masse verbindbaren ersten Befestigungselektroden (41a-f, 45a-f) verbunden sind, und die Mehrzahl von zweiten Masseelektroden nicht elektrisch miteinander in der Niedrigfrequenzseitenfilterkomponente (32b) verbunden sind.
Substratmodul, das folgende Merkmale aufweist: ein Befestigungssubstrat (12), und den Duplexer (14) gemäß einem der Ansprüche 9 bis 11, der auf dem Befestigungssubstrat (12) befestigt ist.
Substratmodul gemäß Anspruch 12, bei dem ein Anpassungselement zum Ausführen einer Impedanzanpassung mit dem Duplexer (14) in das Befestigungssubstrat (12) eingebaut ist.
Substratmodul gemäß Anspruch 13, bei dem das Befestigungssubstrat (12) ein Mehrschichtsubstrat ist und das Anpassungselement aus einer Leiterschicht gebildet ist und einem Durchgangslochleiter, der innerhalb des Mehrschichtsubstrats bereitgestellt ist, und benachbarte Anpassungselemente auf unterschiedlichen Schichten innerhalb des Befestigungssubstrats (12) bereitgestellt sind.
Substratmodul gemäß Anspruch 13 oder Anspruch 14, bei dem eine Masseleiterschicht, die auf einem Massepotential gehalten ist, zwischen benachbarten Anpassungselementen bereitgestellt ist.
Substratmodul gemäß einem der Ansprüche 13 bis 15, bei dem das Befestigungssubstrat (12) ein Mehrschichtsubstrat ist, ein erstes Anpassungselement aus einer Mehrzahl von Anpassungselementen zum Erhalten einer Impedanzanpassung mit dem Duplexer (14) in das Befestigungssubstrat (12) eingebaut ist, ein zweites Anpassungselement aus der Mehrzahl von Anpassungselementen auf dem Befestigungssubstrat (12) befestigt ist, und eine Masseleiterschicht, die auf einem Massepotential gehalten ist, innerhalb des Befestigungssubstrats (12) zwischen dem ersten Anpassungselement und dem zweiten Anpassungselement bereitgestellt ist.
Substratmodul gemäß einem der Ansprüche 12 bis 16, bei dem das Befestigungssubstrat (12) einen Verdrahtungsleitungsleiter umfasst, der elektrisch mit einer der zweiten Befestigungselektroden (54a-f, 56a-f) verbunden ist, und der Verdrahtungsleitungsleiter Folgendes umfasst: einen ersten Verdrahtungsleitungsabschnitt, bei dem ein Ende mit der zweiten Befestigungselektrode verbunden ist, und einen zweiten Verdrahtungsleitungsabschnitt, der mit dem anderen Ende des erste Verdrahtungsleitungsabschnitts verbunden ist und eine größere Leitungsdicke aufweist als der erste Verdrahtungsleitungsabschnitt.
Substratmodul gemäß Anspruch 17, bei dem das Befestigungssubstrat (12) ein Mehrschichtsubstrat ist, das aus einer Mehrzahl von Isolatorschichten gebildet ist, die aufeinander gestapelt sind, und der erste Verdrahtungsleitungsabschnitt und der zweite Verdrahtungsleitungsabschnitt auf unterschiedlichen Isolatorschichten innerhalb des Mehrschichtsubstrats bereitgestellt sind.
Substratmodul gemäß Anspruch 17 oder 18, bei dem eine Empfangsschaltung mit dem Verdrahtungsleitungsleiter verbunden ist.