CN103404026B - 基板、双工器及基板模块 - Google Patents

基板、双工器及基板模块 Download PDF

Info

Publication number
CN103404026B
CN103404026B CN201280011340.3A CN201280011340A CN103404026B CN 103404026 B CN103404026 B CN 103404026B CN 201280011340 A CN201280011340 A CN 201280011340A CN 103404026 B CN103404026 B CN 103404026B
Authority
CN
China
Prior art keywords
installing electrodes
base plate
substrate
terminal pad
pad electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201280011340.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103404026A (zh
Inventor
竹村忠治
大和秀司
上嶋孝纪
竹内壮央
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN103404026A publication Critical patent/CN103404026A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103404026B publication Critical patent/CN103404026B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6406—Filters characterised by a particular frequency characteristic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/213—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0566—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers
    • H03H9/0576—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers including surface acoustic wave [SAW] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/50—Circuits using different frequencies for the two directions of communication
    • H04B1/52—Hybrid arrangements, i.e. arrangements for transition from single-path two-direction transmission to single-direction transmission on each of two paths or vice versa
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/50—Circuits using different frequencies for the two directions of communication
    • H04B1/52—Hybrid arrangements, i.e. arrangements for transition from single-path two-direction transmission to single-direction transmission on each of two paths or vice versa
    • H04B1/525—Hybrid arrangements, i.e. arrangements for transition from single-path two-direction transmission to single-direction transmission on each of two paths or vice versa with means for reducing leakage of transmitter signal into the receiver
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6436—Coupled resonator filters having one acoustic track only

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Transceivers (AREA)

Abstract

本发明提供一种能提高高频侧的信号路径与低频侧的信号路径之间的隔离特性的基板、双工器及基板模块。封装基板（30）安装有两个SAW滤波器，构成双工器的一部分。基板主体（39）具有彼此相对的主面（S1、S2）。连接盘电极（41、45）设置在主面（S1）上，且用于与两个SAW滤波器中的任意一个相连接。连接盘电极（54、56）设置在主面（S2）上，且用于与安装有双工器的安装基板相连接，在从z轴方向俯视时，它们分别与连接盘电极（41、45）重叠。从z轴方向俯视时重合的连接盘电极（41、45）与连接盘电极（54、56）电连接。

Description

基板、双工器及基板模块
技术领域
本发明涉及基板、双工器、基板模块及其制造方法，更具体而言，涉及安装有高频侧滤波器元器件及低频侧滤波器元器件的基板、双工器及基板模块。
背景技术
作为现有的双工器，例如，已知有专利文献1记载的分频器。专利文献1记载的双工器通过将压电基板安装在电路基板上而构成，该压电基板在一个主面上同时设有发送用弹性表面波滤波器及接收用弹性表面波滤波器。这样的电路基板例如安装在无线通信设备的母板上。
然而，在专利文献1记载的分频器中，电路基板内置有用于使发送用弹性表面波滤波器与接收用弹性表面波滤波器进行匹配的电感器图案。由此，若在电路基板内设有电感器图案那样的布线，则发送用的信号路径与接收用的信号路径接近而容易发生电磁耦合。其结果是，有可能会使发送用的高频信号进入接收用的信号路径而使发送接收之间的隔离特性下降。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2009－290606号公报
发明内容
发明所要解决的问题
因此，本发明的目的在于提供一种能提高高频侧的信号路径与低频侧的信号路径之间的隔离特性的基板、双工器及基板模块。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明的一个实施方式所涉及的基板是安装有高频侧滤波器元器件及低频侧滤波器元器件、且构成双工器的一部分的基板，其特征在于，包括：基板主体，该基板主体具有彼此相对的第一主面及第二主面；多个第一安装电极，该多个第一安装电极设置在所述第一主面上，且用于与所述高频侧滤波器元器件或所述低频侧滤波器元器件进行连接；以及第二安装电极，该第二安装电极是设置在所述第二主面上、且用于与安装有所述双工器的安装基板进行连接的多个第二安装电极，从所述第一主面的法线方向俯视时，分别与所述多个第一安装电极重叠，从所述第一主面的法线方向俯视时重合的所述第一安装电极与所述第二安装电极电连接。
本发明的一个实施方式所涉及的双工器的特征在于，包括：所述基板；安装在所述基板的所述第一主面上的高频侧滤波器元器件；以及安装在所述基板的所述第一主面上的低频侧滤波器元器件。
本发明的一个实施方式所涉及的基板模块的特征在于，包括：安装基板；以及安装在所述安装基板上的所述双工器。
发明的效果
根据本发明，能提高高频侧的信号路径与低频侧的信号路径之间的隔离特性。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式所涉及的基板模块的外观立体图。
图2是表示图1的基板模块的电路结构的图。
图3是内置于基板模块的双工器的外观立体图。
图4是SAW滤波器的外观立体图。
图5是表示SAW滤波器的内部结构的图。
图6是SAW滤波器的布线图。
图7是封装基板的分解立体图。
图8是表示相当于第二模型的基板模块的电路结构的图。
图9是表示计算机仿真的结果的曲线图。
图10是变形例1所涉及的封装基板的透视图。
图11是变形例2所涉及的封装基板的透视图。
图12是表示SAW滤波器的内部结构的图。
图13是SAW滤波器的布线图。
图14是变形例3所涉及的封装基板的俯视图。
图15是变形例4所涉及的封装基板的俯视图。
图16是变形例5所涉及的封装基板的俯视图。
图17是变形例6所涉及的封装基板的俯视图。
图18是变形例7所涉及的封装基板的俯视图。
图19是变形例8所涉及的封装基板的俯视图。
图20是变形例1所涉及的基板模块的截面结构图。
图21是变形例2所涉及的基板模块的截面结构图。
图22是变形例3所涉及的基板模块的截面结构图。
图23是变形例4所涉及的基板模块的截面结构图。
图24是变形例5所涉及的基板模块的截面结构图。
图25是俯视变形例5所涉及的基板模块的双工器时的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式所涉及的封装基板、双工器及基板模块进行说明。
（基板模块的结构）
以下，参照附图对本发明的一个实施方式所涉及的基板模块的结构进行说明。图1是本发明的一个实施方式所涉及的基板模块10的外观立体图。图2是表示图1的基板模块10的电路结构的图。图3是内置于基板模块10的双工器14的外观立体图。以下，在呈近似长方体状的基板模块10中，将高度方向定义为z轴方向。此外，将从z轴方向俯视时的长边方向定义为x轴方向，将短边方向定义为y轴方向。x轴、y轴、z轴彼此正交。
如图1及图2所示，基板模块10包括安装基板12、双工器14、匹配元件16a～16d、及封固树脂20。如图1所示，安装基板12是将多个绝缘体层进行层叠而成的长方形形状的多层电路基板，其被安装在移动电话的母板上。安装基板12具有连接盘电极（未图示），该连接盘电极设置在z轴方向的正方向侧的主面上，且用于安装双工器14及匹配元件16a～16d。
双工器14是分频电路，将未图示的天线所接收到的具有相对较高频率的接收信号输出到设置在基板模块10上的接收电路（未图示），并将由设置在基板模块10上的发送电路（未图示）所输出的具有相对较低频率的发送信号输出到天线。如图1所示，双工器14安装在安装基板12的z轴方向的正方向侧的主面上，如图3所示，其包括封装基板30、SAW滤波器（高频侧滤波器元器件及低频侧滤波器元器件）32a、32b、及封固树脂34。另外，发送信号的频率也可以比接收信号的频率要高。
如图2所示，SAW滤波器32a设置在发送电路与天线之间，具有以下特性：使具有相对较低频率的发送信号从发送电路通过至天线，不让具有相对较高频率的接收信号从天线通过至发送电路。如图2所示，SAW滤波器32b设置在天线与接收电路之间，具有以下特性：使具有相对较高频率的接收信号从天线通过至接收电路，不让具有相对较低频率的发送信号从发送电路通过至接收电路。
以下，参照附图对SAW滤波器32a、32b的结构进行说明。另外，SAW滤波器32a、32b的基本结构大致相同，因此，以SAW滤波器32b为例进行说明。图4是SAW滤波器32a、32b的外观立体图。图5是表示SAW滤波器32b的内部结构的图。图6是SAW滤波器32b的布线图。图6中，信号线用粗线来表示，接地线用细线来表示。信号线是指传输接收信号的布线，接地线是指保持在接地电位的布线。
如图4至图6所示，SAW滤波器32b包括压电基板64、连接盘电极66（66a～66f）、纵结合部70、74、并联陷波器76、78、及串联陷波器80、82。压电基板64是由LiTaO3、LiNbO3、水晶等构成的长方形形状的基板。
如图4所示，连接盘电极66设置在压电基板64的z轴方向的负方向侧的主面上。更详细而言，连接盘电极66a～66c设置成沿着y轴方向的负方向侧的边从x轴方向的负方向侧向正方向侧按此顺序进行排列。连接盘电极66d～66f设置成沿着y轴方向的正方向侧的边从x轴方向的负方向侧向正方向侧按此顺序进行排列。然后，如图2所示，连接盘电极66a、66c、66e经由安装基板12及封装基板30进行接地。连接盘电极66b经由封装基板30与天线相连接。连接盘电极66d、66f分别经由封装基板30与接收电路相连接。
如图5及图6所示，在连接盘电极66d与66b之间串联连接有纵结合部70及串联陷波器80。纵结合部70由相对部70a～70f所构成。相对部70a、70c、70d、70f是分别通过使与连接盘电极66e相连接的接地线同经由串联陷波器80与连接盘电极66b相连接的信号线在z轴方向上相对而构成的。相对部70b、70e是分别通过使与连接盘电极66d相连接的信号线同与连接盘电极66e相连接的接地线在z轴方向上相对而构成的。而且，相对部70a～70f从y轴方向的负方向侧朝正方向侧按此顺序排列。
串联陷波器80是串联连接在纵结合部70与连接盘电极66b之间的谐振器。并联陷波器76是串联连接在连接盘电极66d与连接盘电极66a之间的谐振器。
在连接盘电极66f和66b之间串联连接有纵结合部74及串联陷波器82。纵结合部74由相对部74a～74f所构成。相对部74a、74c、74d、74f是通过使与连接盘电极66e相连接的接地线同经由串联陷波器82与连接盘电极66b相连接的信号线在z轴方向上相对而构成的。相对部74b、74e是通过使与连接盘电极66f相连接的信号线同与连接盘电极66e相连接的接地线在z轴方向上相对而构成的。然后，相对部74a～74f从y轴方向的负方向侧朝正方向侧按此顺序排列。
串联陷波器82是串联连接在纵结合部74与连接盘电极66b之间的谐振器。并联陷波器78是串联连接在连接盘电极66f与连接盘电极66c之间的谐振器。
此外，如图5及图6所示，接地的连接盘电极66a、66c、66e未利用接地线彼此进行连接。即，连接盘电极66a、66c、66e在SAW滤波器32b中未进行电连接。
以下对具有以上结构的SAW滤波器32b的动作进行说明。若接收信号从连接盘电极66b经由串联陷波器80输入，则在相对部70a、70c、70d、70f中产生弹性表面波。弹性表面波在压电基板64的表面上前进。相对部70b、70e将在相对部70a、70c、70d、70f中产生的弹性表面波转换为接收信号。此后，接收信号经由连接盘电极66d输出到SAW滤波器32b外。
此外，从连接盘电极66b输入的接收信号经由串联陷波器82输入到相对部74a、74c、74d、74f，在该相对部74a、74c、74d、74f中产生弹性表面波。弹性表面波在压电基板64的表面上前进。相对部74b、74e将在相对部74a、74c、74d、74f中产生的弹性表面波转换为接收信号。此后，接收信号经由连接盘电极66f输出到SAW滤波器32b外。另外，通过相对部74的信号相对于通过相对部70的信号，相位相差180度。由此，这些信号成为差动传输信号。
封装基板30安装有SAW滤波器32a、32b，构成双工器14的一部分。图7是封装基板30的分解立体图。
如图7所示，封装基板30包括基板主体39、连接盘电极41（41a～41f）、45（45a～45f）、54（54a～54f）、56（56a～56f）、连接导体50（50a～50f）、52（52a～52f）、及通孔导体b（b1～b36）。
基板主体39是通过将由铝所构成的绝缘体层40a～40c进行层叠而构成的长方形形状的多层布线基板。如图7所示，基板主体39具有彼此相对的主面S1、S2。主面S1是位于z轴方向的正方向侧的面，主面S2是位于z轴方向的负方向侧的面。此外，将绝缘体层40的z轴方向的正方向侧的主面称为表面，将绝缘体层40的z轴方向的负方向侧的主面称为背面。
如图7所示，连接盘电极41（41a～41f）设置在主面S1上（即，绝缘体层40a的表面上），且用于与SAW滤波器32a进行连接。更详细而言，连接盘电极41a～41c设置成沿着主面S1的y轴方向的负方向侧的边从x轴方向的负方向侧向正方向侧按此顺序进行排列。连接盘电极41d～41f设置成沿着位于主面S1的y轴方向的两侧的边的中间的直线从x轴方向的负方向侧向正方向侧按此顺序进行排列。
此外，如图7所示，连接盘电极41（41a～41f）包含安装部42（42a～42f）及连接部44（44a～44f）。安装部42呈长方形形状，用于与SAW滤波器32a进行连接。安装部42a～42f分别利用焊料等与连接盘电极62a～62f（参照图2及图4）相连接。连接部44是从安装部42的四个边的任一个边突出的突起。后述的通孔导体b与连接部44相连接。
如图7所示，连接盘电极54（54a～54f）是设置在主面S2上（即，绝缘体层40c的背面上）、并且用于与安装基板12进行连接的长方形形状的电极。即，连接盘电极54通过焊料等与设置在安装基板12的z轴方向的正方向侧的主面上的连接盘电极（未图示）相连接。具体而言，如图2所示，连接盘电极54a、54b、54e、54f经由安装基板12的连接盘电极进行接地。如图2所示，连接盘电极54c经由安装基板12的连接盘电极与发送电路相连接。如图2所示，连接盘电极54d经由安装基板12的连接盘电极与天线相连接。
连接盘电极54a～54c设置成沿着主面S2的y轴方向的负方向侧的边从x轴方向的负方向侧向正方向侧按此顺序进行排列。连接盘电极54d～54f设置成沿着位于主面S2的y轴方向的两侧的边的中间的直线从x轴方向的负方向侧向正方向侧按此顺序进行排列。
此外，从z轴方向（即、主面S1的法线方向）俯视时，连接盘电极54a～54f分别与连接盘电极41a～41f重叠。本实施方式中，从主面S1的法线方向俯视时，连接盘电极54a～54f分别与安装部42a～42f重叠。
而且，从主面S1的法线方向俯视时重合的连接盘电极41a～41f与连接盘电极54a～54f进行电连接。以下，对连接盘电极41与54的连接进行说明。
通孔导体b1～b6分别以贯通绝缘体层40a的方式在z轴方向上延伸。而且，通孔导体b1～b6分别与连接部44a～44f（连接盘电极41a～41f）相连接。
通孔导体b13～b18分别以贯通绝缘体层40b的方式在z轴方向上延伸。通孔导体b25～b30分别以贯通绝缘体层40c的方式在z轴方向上延伸。通孔导体b13和b25通过串联连接而构成一根通孔导体。通孔导体b14和b26通过串联连接而构成一根通孔导体。通孔导体b15和b27通过串联连接而构成一根通孔导体。通孔导体b16和b28通过串联连接而构成一根通孔导体。通孔导体b17和b29通过串联连接而构成一根通孔导体。通孔导体b18和b30通过串联连接而构成一根通孔导体。而且，通孔导体b25～b30分别与连接盘电极54a～54f相连接。
连接导体50（50a～50f）设置在绝缘体层40b的表面上。即，连接导体50内置于基板主体39。而且，从z轴方向俯视时，连接导体50的一端与连接部44重叠。从z轴方向俯视时，连接导体50的另一端与连接盘电极54重叠。由此，连接导体50a～50f分别对通孔导体b1～b6与通孔导体b13～b18的连接进行中继。因此，从主面S1的法线方向俯视时重合的连接盘电极41a～41f与连接盘电极54a～54f电连接。
如图7所示，连接盘电极45（45a～45f）设置在主面S1上（即，绝缘体层40a的表面上），且用于与SAW滤波器32b进行连接。更详细而言，连接盘电极45a～45c设置成沿着位于主面S1的y轴方向的两侧的边的中间的直线从x轴方向的负方向侧向正方向侧按此顺序进行排列。连接盘电极45d～45f设置成沿着主面S1的y轴方向的正方向侧的边从x轴方向的负方向侧向正方向侧按此顺序进行排列。
此外，如图7所示，连接盘电极45（45a～45f）包含安装部46（46a～46f）及连接部48（48a～48f）。安装部46呈长方形形状，用于与SAW滤波器32b进行连接。安装部46a～46f分别利用焊料等与连接盘电极66a～66f（参照图2及图4）相连接。连接部48是从安装部46的四个边的任一个边突出的突起。后述的通孔导体b与连接部48相连接。
如图7所示，连接盘电极56（56a～56f）是设置在主面S2上（即，绝缘体层40c的背面上）、并且用于与安装基板12进行连接的长方形形状的电极。即，连接盘56通过焊料等与设置在安装基板12的z轴方向的正方向侧的主面上的连接盘电极（未图示）相连接。具体而言，如图2所示，连接盘电极56a、56c、56e经由安装基板12的连接盘电极进行接地。如图2所示，连接盘电极56b经由安装基板12的连接盘电极与天线相连接。如图2所示，连接盘电极56d经由安装基板12的连接盘电极与第一接收电路相连接。如图2所示，连接盘电极56f经由安装基板12的连接盘电极与第二接收电路相连接。
连接盘电极56a～56c设置成沿着位于主面S2的y轴方向的两侧的边的中间的直线从x轴方向的负方向侧向正方向侧按此顺序进行排列。连接盘电极56d～56f设置成沿着主面S2的y轴方向的正方向侧的边从x轴方向的负方向侧向正方向侧按此顺序进行排列。
此外，从z轴方向（即、主面S1的法线方向）俯视时，连接盘电极56a～56f分别与连接盘电极45a～45f重叠。本实施方式中，从主面S1的法线方向俯视时，连接盘电极56a～56f分别与安装部46a～46f重叠。
而且，从主面S1的法线方向俯视时重合的连接盘电极45a～45f与连接盘电极56a～56f进行电连接。以下，对连接盘电极45与56的连接进行说明。
通孔导体b7～b12分别以贯通绝缘体层40a的方式在z轴方向上延伸。而且，通孔导体b7～b12分别与连接部48a～48f（连接盘电极45a～45f）相连接。
通孔导体b19～b24分别以贯通绝缘体层40b的方式在z轴方向上延伸。通孔导体b31～b36分别以贯通绝缘体层40c的方式在z轴方向上延伸。通孔导体b19和b31通过串联连接而构成一根通孔导体。通孔导体b20和b32通过串联连接而构成一根通孔导体。通孔导体b21和b33通过串联连接而构成一根通孔导体。通孔导体b22和b34通过串联连接而构成一根通孔导体。通孔导体b23和b35通过串联连接而构成一根通孔导体。通孔导体b24和b36通过串联连接而构成一根通孔导体。而且，通孔导体b31～b36分别与连接盘电极56a～56f相连接。
连接导体52（52a～52f）设置在绝缘体层40b的表面上。即，连接导体52内置于基板主体39。而且，从z轴方向俯视时，连接导体52的一端与连接部48重叠。从z轴方向俯视时，连接导体52的另一端与连接盘电极56重叠。由此，连接导体52a～52f分别对通孔导体b7～b12与通孔导体b19～b24的连接进行中继。因此，从主面S1的法线方向俯视时重合的连接盘电极45a～45f与连接盘电极56a～56f电连接。
此处，连接盘电极41a～41f与45a～45f在基板主体39中未进行电连接。此外，连接盘电极54a～54f与56a～56f在基板主体39中未进行电连接。
封固树脂34例如由环氧树脂构成，如图3所示，以覆盖封装基板30的主面S1及SAW滤波器32a、32b的方式进行设置。由此，SAW滤波器32a、32b被封固树脂34保护。
如图1所示，匹配元件16a～16d是安装在安装基板12的z轴方向的正方向侧的主面上的、用于进行安装基板12与双工器14之间的阻抗匹配的芯片型电子元器件。如图2所示，匹配元件16a、16b、16c是串联连接在连接盘电极54a、54c、56b与接地之间的线圈。匹配元件16d是连接在以下两个信号线之间的线圈，该两个信号线是连接连接盘电极56d和第一接收电路的信号线、以及连接连接盘电极56f和第二接收电路的信号线。
封固树脂20以覆盖安装基板12的z轴方向的正方向侧的主面、双工器14及匹配元件16a～16d的方式进行设置。由此，双工器14及匹配元件16a～16d得到保护。
具有以上结构的基板模块10如以下说明的那样进行动作。在由装载有基板模块10的无线通信设备对发送信号进行发送时，发送电路生成发送信号。发送信号通过双工器14并传输到天线。此处，双工器14的SAW滤波器32a具有以下特性：在连接盘电极62c与连接盘电极62d之间让发送信号通过，在连接盘电极62c与连接盘电极62d之间不让接收信号通过。因此，天线接收到的接收信号即使从连接盘电极62d输入到SAW滤波器32a，也无法从连接盘电极62c输出。因此，能抑制接收信号进入发送电路。
此外，在装载有基板模块10的无线通信设备对接收信号进行接收时，天线对接收信号进行接收。接收信号通过双工器14并传输到接收电路。此处，双工器14的SAW滤波器32b具有将从连接盘电极66b输入的接收信号分离为相反的相位并从连接盘电极66d和连接盘电极66f分别进行输出的特性。因此，发送电路所生成的发送信号即使从连接盘电极66b输入到SAW滤波器32b，也无法从连接盘电极62d输出。同样，天线所接收到的接收信号即使从连接盘电极66b输入到SAW滤波器32b，也无法从连接盘电极62d、66f输出。因此，能抑制发送信号进入接收电路。
（效果）
根据以上的封装基板30、双工器14及基板模块10，能提高双工器14内发送信号的信号路径与接收信号的信号路径之间的隔离特性。更详细而言，在专利文献1记载的分频器中，电路基板内置有用于使发送用弹性表面波滤波器与接收用弹性表面波滤波器进行匹配的电感器图案。由此，若在电路基板内设有电感器图案那样的布线，则发送用的信号路径与接收用的信号路径接近而容易发生电磁耦合。其结果是，有可能会使发送用的高频信号进入接收用的信号路径而使发送接收之间的隔离特性下降。
因此，封装基板30中，从主面S1的法线方向俯视时重合的连接盘电极41a～41f、45a～45f与连接盘电极54a～54f、56a～56f进行电连接。由此，无需为了连接盘电极41a～41f、45a～45f与连接盘电极54a～54f、56a～56f的连接而在封装基板30内设置较长的布线。因此，在封装基板30内，不会发生发送信号的信号路径与接收信号的信号路径接近或交叉的情况。其结果是，能抑制发送信号的信号路径与接收信号的信号路径进行电磁耦合，并抑制发送接收之间的隔离特性的下降。
此外，根据封装基板30、双工器14及基板模块10，由于以下的理由，也能提高双工器14内发送信号的信号路径与接收信号的信号路径之间的隔离特性。更详细而言，封装基板30中，连接盘电极41a～41f与45a～45f在基板主体39中未进行电连接。此外，连接盘电极54a～54f与56a～56f在基板主体39中未进行电连接。即，接地的连接盘电极41a、41b、41e、41f、45a、45c、45e在基板主体39中未进行电连接。接地的连接盘电极54a、54b、54e、54f、56a、56c、56e在基板主体39中未进行电连接。由此，例如，即使发送信号经由接地的连接盘电极45a进入封装基板30内，也不会传输到接地的连接盘电极41a、41b、41e、41f、45c、45e。因此，能抑制发送信号经由连接盘电极41a、41b、41e、41f、45c、45e进入与接收电路相连接的连接盘电极45d、45f。其结果是，根据双工器14及基板模块10，能提高双工器14内发送信号的信号路径与接收信号的信号路径之间的隔离特性。
此外，根据封装基板30、双工器14及基板模块10，由于以下的理由，也能提高双工器14内发送信号的信号路径与接收信号的信号路径之间的隔离特性。更详细而言，封装基板30中，连接盘电极41a～41f与45a～45f在基板主体39中未进行电连接。此外，连接盘电极54a～54f与56a～56f在基板主体39中未进行电连接。因此，在连接盘电极54a～54f与56a～56f之间需要连接的情况下，该连接在安装基板12内进行。由于安装基板12比封装基板30要大，因此，能将用于连接的布线分开进行配置。其结果是，能抑制发送信号的信号路径接近接收信号的信号路径，并提高发送信号的信号路径与接收信号的信号路径之间的隔离特性。
此外，根据封装基板30、双工器14及基板模块10，由于以下的理由，也能提高双工器14内发送信号的信号路径与接收信号的信号路径之间的隔离特性。更详细而言，连接导体50a～50f分别对通孔导体b1～b6与通孔导体b13～b18的连接进行中继。此外，连接导体52a～52f分别对通孔导体b7～b12与通孔导体b19～b24的连接进行中继。因此，在封装基板30内能通过连接导体50、52来增大发送信号的信号路径与接收信号的信号路径之间的间隔。因此，根据封装基板30、双工器14及基板模块10，能提高双工器14内发送信号的信号路径与接收信号的信号路径之间的隔离特性。
此外，在封装基板30中，通孔导体b1～b12、通孔导体b13～b36及连接导体50a～50f、52a～52f与连接盘电极41a～41f、45a～45f及连接盘电极54a～54f、56a～56f相对应地进行设置。而且，连接导体50a～50f与52a～52f在基板主体39中彼此未进行电连接。因此，根据封装基板30、双工器14及基板模块10，能提高双工器14内发送信号的信号路径与接收信号的信号路径之间的隔离特性。
此外，根据封装基板30、双工器14及基板模块10，能提高双工器14内发送信号的信号路径及接收信号的信号路径的设计自由度。如上所述，在连接盘电极54a～54f与56a～56f之间需要连接的情况下，该连接在安装基板12内进行。由于安装基板12比封装基板30要大，因此，能以较高的自由度对用于连接的布线进行设计。
封装基板30、双工器14及基板模块10中，能抑制封装基板30与SAW滤波器32a、32b之间的连接不良的发生。更详细而言，通孔导体b是通过在绝缘体层40a上形成通孔、并将导体填充到该通孔内而形成的。因此，在主面S1上，在设有通孔导体b的部分容易产生凹凸。在产生这样的凹凸的部分，若SAW滤波器32a、32b与封装基板30相连接，则有可能在它们之间会发生连接不良。因此，如图7所示，在封装基板30中，连接盘电极41、45包含安装部42、46及连接部44、48。而且，安装部42、46用于与SAW滤波器32a、32b进行连接。此外，连接部44、48与通孔导体b相连接。即，在连接盘电极41、45中，分别设置有与SAW滤波器32a、32b相连接的部分和与通孔导体b相连接的部分。由于通孔导体b未同用于与SAW滤波器32a、32b相连接的安装部42、46进行连接，因此，不易产生凹凸。因此，在封装基板30、双工器14及基板模块10中，能抑制封装基板30与SAW滤波器32a、32b之间的连接不良的发生。
（计算机仿真）
本案发明人为了进一步明确封装基板30、双工器14及基板模块10所起到的效果，进行了以下说明的计算机仿真。更详细而言，本案发明人将图2所示的基板模块10作为第一模型进行制作，将以下说明的基板模块作为第二模型进行了制作。然后，在第一模型及第二模型中，计算出了发送信号的信号路径与接收信号的信号路径之间的隔离特性。
首先，参照附图对第二模型进行说明。图8是表示相当于第二模型的基板模块110的电路结构的图。另外，在图8中，对于与图2相同的结构标注相同的参照标号。
在基板模块110中，连接盘电极41d和45b相连接。此外，连接盘电极41e、41f、45a、45c、45e相连接。此外，尽管未图示，但在封装基板130内设有成为用于进行安装基板12与双工器14的阻抗匹配的线圈的布线。
图9是表示计算机仿真的结果的曲线图。图9（a）是表示从连接盘电极54c到连接盘电极56f的插入损耗与频率的关系的曲线图。图9（b）是表示从连接盘电极54c到连接盘电极56d的插入损耗与频率的关系的曲线图。
从图9（a）及图9（b）可知，在发送信号的频带中，第一模型的插入损耗比第二模型的插入损耗要大。因此，可知第一模型与第二模型相比，发送信号更加不易进入接收电路。即，可知第一模型与第二模型相比，其发送接收之间的隔离特性更加优异。
（变形例1所涉及的封装基板）
以下，参照附图对变形例1所涉及的封装基板进行说明。图10是变形例1所涉及的封装基板30a的透视图。
封装基板30与封装基板30a的不同之处在于有无连接导体50、52。更详细而言，在封装基板30a中，连接盘电极41、45与连接盘电极54、56分别通过在z轴方向上延伸的通孔导体b1～b12进行连接。根据封装基板30a，由于未设有连接导体50、52，因此，能使基板主体39成为单层结构，能降低基板的制造成本，并能使基板模块低高度化。此外，由于基板主体39为单层，因此，能抑制封装基板30a的起伏和翘曲。其结果是，能降低封装基板30a的制造成本。
另外，在封装基板30a中，连接盘电极41、45与连接盘电极54、56分别通过一根通孔导体进行连接。然而，连接盘电极41、45与连接盘电极54、56也可以分别通过多根通孔导体b进行连接。此外，无需在所有的连接盘电极41、45与连接盘电极54、56之间通过多根通孔导体b进行连接，也可以在一部分的连接盘电极41、45与连接盘电极54、56之间通过多根通孔导体b进行连接
此外，封装基板30a中的连接盘电极41、45呈长方形形状，但也可如图7所示，包含安装部42、46及连接部44、48。
（变形例2所涉及的封装基板）
以下，参照附图对变形例2所涉及的封装基板进行说明。图11是变形例2所涉及的封装基板30b的透视图。
封装基板30b与封装基板30a的不同之处在于有无连接盘电极41、45、54、56。更详细而言，封装基板30b中未设有连接盘电极41、45、54、56。因此，通孔导体b1～b12的z轴方向的正方向侧的端面起到用于与SAW滤波器32a、32b进行连接的安装电极的作用，通孔导体b1～b12的z轴方向的负方向侧的端面起到用于与安装基板12进行连接的安装电极的作用。即，SAW滤波器32a、32b的连接盘电极62、66与通孔导体b1～b12的z轴方向的正方向侧的端面直接连接。此外，安装基板12的连接盘电极与通孔导体b1～b12的z轴方向的负方向侧的端面直接连接。
根据封装基板30b，由于未设有连接盘电极41、45、54、56，因此，能减少制造工序数。
此外，通孔导体b1～b12的端面比连接盘电极41、45、54、56要小。因此，即使将通孔导体b1～b12彼此靠近，在通孔导体b1～b12之间也不易发生短路。因此，根据封装基板30b，即使在SAW滤波器32a、32b的连接盘电极62、66的间距、安装基板12的连接盘电极的间距变窄的情况下，也能使封装基板30b与SAW滤波器32a、32b及安装基板12进行连接。
（变形例所涉及的SAW滤波器）
以下，参照附图对变形例所涉及的SAW滤波器32’a、32’b进行说明。以下，以SAW滤波器32’b为例进行说明。图12是表示SAW滤波器32’b的内部结构的图。图13是SAW滤波器32’b的布线图。
SAW滤波器32b与SAW滤波器32’b的不同之处在于，在SAW滤波器32’b中，除去了一部分的接地线。更详细而言，如图12及图13所示，除去了连接相对部70a和70b之间的接地线、连接相对部70e和70f之间的接地线、连接相对部74a和74b之间的接地线、以及连接相对部74e和74f之间的接地线。由此，能降低寄生电容、寄生电感的产生，提高隔离特性。
（变形例3所涉及的封装基板）
以下，参照附图对变形例3所涉及的封装基板进行说明。图14是变形例3所涉及的封装基板30c的俯视图。
封装基板30c与封装基板30a的不同之处在于连接盘电极41和45的尺寸。更详细而言，封装基板30c中，连接盘电极41和45的尺寸不相同。与连接盘电极66a、66c、66e相连接的连接盘电极45a、45c、45e的面积比未与安装SAW滤波器元器件32b时使用的连接盘电极66a～66f中的连接盘电极66a、66c、66e相连接的连接盘电极45b、45d、45f的面积要大。
此外，同与连接盘电极66a、66c、66e相连接的连接盘电极45a、45c、45e进行连接的连接盘电极56a、56c、56e的面积比同未与安装SAW滤波器元器件32b时使用的连接盘电极66a～66f中的连接盘电极66a、66c、66e相连接的连接盘电极45b、45d、45f进行连接的连接盘电极56b、56d、56f的面积要大。
如上所述，通过使保持在接地电位的连接盘电极45a、45c、45e的面积比其它连接盘电极45b、45d、45f的面积要大，从而能抑制发送信号从连接盘电极41a、41c、41f侧进入连接盘电极45b、45d、45f。其结果是，能提高发送信号的信号路径与接收信号的信号路径之间的隔离特性。
此外，通过使保持在接地电位的连接盘电极56a、56c、56e的面积比其它连接盘电极56b、56d、56f的面积要大，从而能抑制发送信号从连接盘电极54a、54c、54e侧进入连接盘电极56b、56d、56f。其结果是，能提高发送信号的信号路径与接收信号的信号路径之间的隔离特性。
而且，封装基板30c中，多个通孔导体b7-1～b7-3、b9-1～b9-3、b11-1～b11～4分别与连接盘电极45a、45c、45e、56a、56c、56e相连接。因此，连接盘电极45a、45c、45e、56a、56c、56e能更可靠地保持在接地电位。其结果是，能提高发送信号的信号路径与接收信号的信号路径之间的隔离特性。
而且，通过使连接盘电极45a、45c、45e、56a、56c、56e更可靠地保持在接地电位，从而可抑制发送信号的信号路径与接收信号的信号路径之间产生电磁耦合。
（变形例4所涉及的封装基板）
以下，参照附图对变形例4所涉及的封装基板进行说明。图15是变形例4所涉及的封装基板30d的俯视图。
封装基板30d与封装基板30a的不同之处在于连接盘电极41和45的尺寸。更详细而言，封装基板30d中，连接盘电极41和45的尺寸不均匀。与连接盘电极62b、62d、62f相连接的连接盘电极41b、41d、41f的面积比未与安装SAW滤波器元器件32a时使用的连接盘电极62a～62f中的连接盘电极62b、62d、62f相连接的连接盘电极41a、41c、41e的面积要大。
此外，同与连接盘电极62b、62d、62f相连接的连接盘电极41b、41d、41f进行连接的连接盘电极54b、54d、54f的面积比同未与安装SAW滤波器元器件32a时使用的连接盘电极62a～62f中的连接盘电极62b、62d、62f相连接的连接盘电极41a、41c、41e进行连接的连接盘电极54a、54c、54e的面积要大。
如上所述，通过使保持在接地电位的连接盘电极41b、41d、41f的面积比其它连接盘电极41a、41c、41e的面积要大，从而能抑制接收信号从连接盘电极45b、45d、45e侧进入连接盘电极41a、41c、41e。其结果是，能提高发送信号的信号路径与接收信号的信号路径之间的隔离特性。
此外，通过使保持在接地电位的连接盘电极54b、54d、54f的面积比其它连接盘电极54a、54c、54e的面积要大，从而能抑制接收信号从连接盘电极56b、56d、56f侧进入连接盘电极54a、54c、54e。其结果是，能提高发送信号的信号路径与接收信号的信号路径之间的隔离特性。
而且，在封装基板30d中，多个通孔导体b2-1～b2-4、b4-1～b4-3、b6-1～b6-2分别与连接盘电极41b、41d、41f、54b、54d、54f相连接。因此，连接盘电极41b、41d、41f、54b、54d、54f能更可靠地保持在接地电位。其结果是，能提高发送信号的信号路径与接收信号的信号路径之间的隔离特性。
而且，通过使连接盘电极41b、41d、41f、54b、54d、54f更可靠地保持在接地电位，从而可抑制发送信号的信号路径与接收信号的信号路径之间发生电磁耦合。
（变形例5所涉及的封装基板）
以下，参照附图对变形例5所涉及的封装基板进行说明。图16是变形例5所涉及的封装基板30e的俯视图。
如图16（a）所示，也可以使连接盘电极41b、41d、41f、45a、45c、45e的面积比连接盘电极41a、41c、41e、45b、45d、45f的面积要大。
同样，如图16（b）所示，也可以使连接盘电极54b、54d、54f、56a、56c、56e的面积比连接盘电极54a、54c、54e、56b、56d、56f的面积要大。
（变形例6所涉及的封装基板）
以下，参照附图对变形例6所涉及的封装基板进行说明。图17是变形例6所涉及的封装基板30f的俯视图。
封装基板30f与封装基板30a的不同之处在于对连接盘电极45的角实施了倒角。更详细而言，与连接盘电极66a、66c、66e相连接的连接盘电极45a、45c、45e在彼此相对的角实施了倒角。此处的倒角是指对连接盘电极45a、45c、45e的角进行直线切割。
此外，同与连接盘电极66a、66c、66e相连接的连接盘电极45a、45c、45e进行连接的连接盘电极56a、56c、56e在彼此相对的角实施了倒角。
根据以上的封装基板30f，能增大连接盘电极45a、45c、45e之间的距离。由此，能抑制安装时连接盘电极45彼此发生短路。
（变形例7所涉及的封装基板）
以下，参照附图对变形例7所涉及的封装基板进行说明。图18是变形例7所涉及的封装基板30g的俯视图。
封装基板30g与封装基板30f的不同之处在于对连接盘电极45b、56b的角实施了倒角。更详细而言，对连接盘电极45b的位于y轴方向的负方向侧的边的两端的角实施了倒角。由此，连接盘电极45b的x轴方向的负方向侧的边与连接盘电极45a的x轴方向的正方向侧的边相对的部分的长度L1变短。同样地，连接盘电极45b的x轴方向的正方向侧的边与连接盘电极45c的x轴方向的负方向侧的边相对的部分的长度L1变短。由此，能降低连接盘电极45b与连接盘电极45a、45c之间产生的寄生电容。
对连接盘电极56b的位于y轴方向的负方向侧的边的两端的角实施了倒角。由此，连接盘电极56b的x轴方向的负方向侧的边与连接盘电极56a的x轴方向的正方向侧的边相对的部分的长度L2变短。同样地，连接盘电极56b的x轴方向的正方向侧的边与连接盘电极56c的x轴方向的负方向侧的边相对的部分的长度L2变短。由此，能降低连接盘电极56b与连接盘电极56a、56c之间产生的寄生电容。
（变形例8所涉及的封装基板）
以下，参照附图对变形例8所涉及的封装基板进行说明。图19是变形例8所涉及的封装基板30h的俯视图。
封装基板30h与封装基板30g的不同之处在于对连接盘电极45b、56b的角实施了倒圆角。由此，连接盘电极45b的x轴方向的负方向侧的边与连接盘电极45a的x轴方向的正方向侧的边相对的部分的长度L1变短。同样地，连接盘电极45b的x轴方向的正方向侧的边与连接盘电极45c的x轴方向的负方向侧的边相对的部分的长度L1变短。由此，能进一步降低连接盘电极45b与连接盘电极45a、45c之间产生的寄生电容。
而且，连接盘电极56b的x轴方向的负方向侧的边与连接盘电极56a的x轴方向的正方向侧的边相对的部分的长度L2变得更短。同样地，连接盘电极56b的x轴方向的正方向侧的边与连接盘电极56c的x轴方向的负方向侧的边相对的部分的长度L2变得更短。由此，能进一步降低连接盘电极56b与连接盘电极56a、56c之间产生的寄生电容。
（变形例1所涉及的基板模块）
接下来参照附图对变形例1所涉及的基板模块10a进行说明。图20是变形例1所涉及的基板模块10a的截面结构图。
如图2所示，基板模块10包括匹配元件16a～16d。如图1所示，基板模块10中，匹配元件16a～16d安装在安装基板12上。另一方面，基板模块10a中，安装基板12内置有用于与双工器14之间进行阻抗匹配的多个匹配元件16a～16d中的一部分的匹配元件16a、16b。另一方面，多个匹配元件16a～16d中的一部分匹配元件16c、16d安装在安装基板12上。而且，在匹配元件16b与匹配元件16c之间设有设置在安装基板12内的接地路径、即保持在接地电位的接地路径R4。
更详细而言，安装基板12包括基板主体12a及天线路径R1、接收路径R2-1、R2-2、发送路径R3、接地路径R4及外部电极90a～90d。基板主体12a是将多个绝缘体层进行层叠而成的多层基板。
外部电极90a～90d设置在基板主体12a的z轴方向的负方向侧的主面上，在将基板模块10安装到移动电话的母板上时使用外部电极90a～90d。设置在母板上的天线与外部电极90a相连接。设置在母板上的发送电路与外部电极90b相连接。设置在母板上的接地电极与外部电极90c相连接。设置在母板上的接收电路与外部电极90d相连接。
天线路径R1-1由通孔导体及导体层构成，对SAW滤波器32a、32b与匹配元件16c之间的电连接进行中继。天线路径R1-2由通孔导体及导体层构成，对匹配元件16c与外部电极90a之间的电连接进行中继。
接收路径R2-1由通孔导体及导体层构成，对SAW滤波器32b与匹配元件16d之间的电连接进行中继。接收路径R2-2由通孔导体构成，对匹配元件16d与外部电极90d之间的电连接进行中继。
发送路径R3由通孔导体及导体层构成，对外部电极90b与SAW滤波器32a之间的电连接进行中继。发送路径R3通过蛇行来构成匹配元件16b。另外，发送路径R3的导体层也可以呈螺旋状或蜿蜒状等。
接地路径R4由通孔导体及导体层构成，并与外部电极90c相连接。接地路径R4通过蛇行来构成匹配元件16a。另外，接地路径R4的导体层也可以呈螺旋状或蜿蜒状等。
此处，如图20所示，接地路径R4在由发送路径R3所构成的匹配元件16b与安装在基板主体12a上的匹配元件16c之间延伸。由此，能提高天线路径R1-1、R1-2与发送路径R3之间的隔离特性。
（变形例2所涉及的基板模块）
接下来参照附图对变形例2所涉及的基板模块10b进行说明。图21是变形例2所涉及的基板模块10b的截面结构图。
基板模块10b与基板模块10a的不同之处在于，匹配元件16c是否设置在安装基板12内。基板模块10b中，天线路径R1由通孔导体及导体层构成，对SAW滤波器32a、32b与外部电极90a之间的电连接进行中继。而且，天线路径R1通过蛇行来构成匹配元件16c。另外，天线路径R1的导体层也可以呈螺旋状或蜿蜒状等。
此外，由发送路径R3构成的匹配元件16b与由天线路径R1构成的匹配元件16c相邻。而且，匹配元件16b和匹配元件16c设置在不同的绝缘体层上。由此，能抑制匹配元件16b与匹配元件16c进行电磁耦合。
此外，由于匹配元件16c内置于安装基板12内，因此，能实现基板模块10b的小型化。
（变形例3所涉及的基板模块）
接下来参照附图对变形例3所涉及的基板模块10c进行说明。图22是变形例3所涉及的基板模块10c的截面结构图。
基板模块10c与基板模块10b的不同之处在于匹配元件16c的位置。更详细而言，基板模块10c的匹配元件16c与基板模块10b的匹配元件16c相比，设置在离匹配元件16b更远的位置上。更详细而言，基板模块10c中，从z轴方向俯视时，匹配元件16c与匹配元件16b未重叠。由此，能更加有效地抑制匹配元件16b与匹配元件16c进行电磁耦合。
（变形例4所涉及的基板模块）
接下来参照附图对变形例4所涉及的基板模块10d进行说明。图23是变形例4所涉及的基板模块10d的截面结构图。
基板模块10d与基板模块10b的不同之处在于接地路径R4的形状。更详细而言，基板模块10d中，接地路径R4设置在相邻的匹配元件16b与匹配元件16d之间。由此，能更加有效地抑制匹配元件16b与匹配元件16c进行电磁耦合。
（变形例5所涉及的基板模块）
接下来参照附图对变形例5所涉及的基板模块10e进行说明。图24是变形例5所涉及的基板模块10e的截面结构图。图25是俯视变形例5所涉及的基板模块10e的双工器14时的图。
如图24所示，基板模块10e的安装基板12包括基板主体12a及天线路径R1-3、R1-4、接收路径R2-1、R2-2、发送路径R3、接地路径R4及外部电极90a～90d。基板主体12a是将多个绝缘体层进行层叠而成的多层基板。
外部电极90a～90d设置在基板主体12a的z轴方向的负方向侧的主面上，在将基板模块10e安装到移动电话的母板上时使用外部电极90a～90d。设置在母板上的天线与外部电极90a相连接。设置在母板上的发送电路与外部电极90b相连接。设置在母板上的接地电极与外部电极90c相连接。设置在母板上的接收电路与外部电极90d相连接。
天线路径R1-3由通孔导体及导体层构成，对SAW滤波器32a与外部电极90a之间的电连接进行中继。天线路径R1-4由通孔导体及导体层构成，对SAW滤波器32b与外部电极90a之间的电连接进行中继。天线路径R1-3与天线路径R1-4合流，并与外部电极90a相连接。
接收路径R2-1由通孔导体及导体层构成，对SAW滤波器32b与匹配元件16d之间的电连接进行中继。接收路径R2-2由通孔导体构成，对匹配元件16d与外部电极90d之间的电连接进行中继。
发送路径R3由通孔导体及导体层构成，对外部电极90b与SAW滤波器32a之间的电连接进行中继。发送路径R3通过蛇行来构成匹配元件16b。另外，发送路径R3的导体层也可以呈螺旋状或蜿蜒状等。
接地路径R4由通孔导体及导体层构成，并与外部电极90c相连接。接地路径R4通过蛇行来构成匹配元件16a。另外，接地路径R4的导体层也可以呈螺旋状或蜿蜒状等。
此外，如图25所示，发送路径R3、天线路径R1-3、R1-4及接收路径R2-1、R2-2分别由布线导体L1～L5构成。即，安装基板12进一步包括布线导体L1～L5。
如图25所示，布线导体L1～L5分别与双工器14的连接盘电极54c、54d、56b、56d、56f进行电连接。另外，在图25中，省略了与连接盘54a、54b、54e、54f、56a、56c、56e相连接的布线导体。
布线导体L1包含布线部a1、a2。布线部a1、a2是设置在基板主体12a内的线状导体层。布线部a1的一端与连接盘电极54c相连接。如图24及图25所示，布线部a2经由通孔导体与布线部a1的另一端相连接。由此，布线a1和布线a2在基板主体12a内设置在不同的绝缘体层上。此外，如图25所示，布线a2的线宽w2比布线a1的线宽w1要粗。
布线导体L2包含布线部a3、a4。布线部a3、a4是设置在基板主体12a内的线状的导体层。布线部a3的一端与连接盘电极54d相连接。如图24及图25所示，布线部a4经由通孔导体与布线部a3的另一端相连接。由此，布线a3和布线a4在基板主体12a内设置在不同的绝缘体层上。此外，如图25所示，布线a4的线宽w2比布线a3的线宽w1要粗。
布线导体L3包含布线部a5、a6。布线部a5、a6是设置在基板主体12a内的线状的导体层。布线部a5的一端与连接盘电极56b相连接。如图24及图25所示，布线部a6经由通孔导体与布线部a5的另一端相连接。由此，布线a5和布线a6在基板主体12a内设置在不同的绝缘体层上。此外，如图25所示，布线a6的线宽w2比布线a5的线宽w1要粗。
布线导体L4包含布线部a7、a8。布线部a7、a8是设置在基板主体12a内的线状的导体层。布线部a7的一端与连接盘电极56d相连接。如图24及图25所示，布线部a8经由通孔导体与布线部a7的另一端相连接。由此，布线a7和布线a8在基板主体12a内设置在不同的绝缘体层上。此外，如图25所示，布线a8的线宽w2比布线a7的线宽w1要粗。
布线导体L5包含布线部a9、a10。布线部a9、a10是设置在基板主体12a内的线状的导体层。布线部a9的一端与连接盘电极56f相连接。如图24及图25所示，布线部a10经由通孔导体与布线部a9的另一端相连接。由此，布线a9和布线a10在基板主体12a内设置在不同的绝缘体层上。此外，如图25所示，布线a10的线宽w2比布线a9的线宽w1要粗。
根据具有以上结构的基板模块10e，能提高隔离特性。更详细而言，若基板模块10e实现小型化，则连接盘电极54与56彼此接近，布线导体L1～L5彼此接近。在此情况下，功率较高的发送信号有可能会从连接盘电极56d、56f进入接收电路。因此，容易产生隔离特性的劣化。
因此，基板模块10e中，布线部a1、a3、a5、a7、a9分别在一端与连接盘电极54c、54d、56b、56d、56f相连接。而且，布线部a2、a4、a6、a8、a10分别与布线部a1、a3、a5、a7、a9的另一端相连接，并具有比布线部a1、a3、a5、a7、a9的线宽w1要粗的线宽w2。由此，在连接盘电极54c、54d、56b、56d、56f附近，布线导体L1～L5的间隔变宽。其结果是，能提高布线导体L1～L5之间的隔离特性。
此外，在基板模块10e中，在双工器14的前级或后级有时连接有放大器、开关IC等。因此，通过使布线部a1、a3、a5、a7、a9的线宽w1比布线部a2、a4、a6、a8、a10的线宽w2要细，从而能在放大器、开关IC等与布线部a1、a3、a5、a7、a9之间进行阻抗匹配。
此外，基板模块10e中，能容易地进行布线导体L1～L5的阻抗匹配。更详细而言，由于使布线部a1、a3、a5、a7、a9和布线部a2、a4、a6、a8、a10设置在不同的绝缘体层上，因此，在布线部a1、a3、a5、a7、a9与布线部a2、a4、a6、a8、a10之间存在绝缘体层。因此，对于布线部a1、a3、a5、a7、a9与布线部a2、a4、a6、a8、a10的阻抗匹配能利用绝缘体层的介电常数。由此，能容易地进行布线导体L1～L5的阻抗匹配。
此外，通过将传输发送信号的布线部a1和传输接收信号的布线部a7、a9设置在不同的绝缘体层上，能增大布线导体L1与布线导体L4、L5的间隔。其结果是，能抑制发送信号从连接盘电极56d、56f进入接收电路。即，能提高隔离特性。
另外，在与接收电路相连接的布线导体L4、L5中，也可以使布线部a7、a9的线宽w1比布线部a8、a10的线宽w2要细，在与发送电路相连接的布线导体L1中，也可以使布线部a1的线宽w1与布线部a2的线宽w2相等。通过采用这样的结构，也能抑制发送信号从连接盘电极56d、56f进入接收电路。即，能提高隔离特性。此外，在与发送电路相连接的布线导体L1中，由于布线部a1的线宽w1不比布线部a2的线宽w2细，因此，能降低发送信号传输时的损耗。
（其它实施方式）
本发明所涉及的封装基板、双工器及基板模块并不限于上述实施方式及上述变形例，在其要点的范围内能进行变形。
另外，在封装基板30中，连接盘电极41、45包含安装部42、46及连接部44、48，连接盘电极54、56呈长方形形状。然而，连接盘电极54、56也可以与封装基板30的连接盘电极相同，包含安装部及连接部。在此情况下，通孔导体b25～b36与连接盘电极54、56的连接部相连接。
此外，在封装基板30中，连接导体50、52全部设置在绝缘体层40b的表面上。然而，在基板主体39由四层以上的绝缘体层40所构成的情况下，优选相邻的连接导体50、52彼此设置在不同的绝缘体层40上。由此，能增大连接导体50和52之间的距离，提高双工器14内发送信号的信号路径与第一接收信号的信号路径和第二接收信号的信号路径之间的隔离特性。
另外，在SAW滤波器32a中，与SAW滤波器32b相同，接地的连接盘电极62a、62c、62d、62f也可以不利用接地线相互进行连接。即，连接盘电极62a、62c、62d、62f在SAW滤波器32a中也可以不进行电连接。
工业上的实用性
如上所述，本发明适用于基板、双工器及基板模块，在能提高高频侧的信号路径与低频侧的信号路径之间的隔离特性方面比较优异。
标号说明
b1～b36通孔导体
L1～L5布线导体
a1～a10布线部
10、10a～10e基板模块
12安装基板
14双工器
16a～16d匹配元件
30、30a～30h封装基板
32a、32b、32’a、32’bSAW滤波器
39基板主体
40a～40c绝缘体层
41a～41f、45a～45f、54a～54f、56a～56f、62a～62f、66a～66f连接盘电极
42a～42f、46a～46f安装部
44a～44f、48a～48f连接部
50a～50f、52a～52f连接导体
64压电基板
70、74纵结合部
70a～70f、74a～74f相对部

Claims (25)

1.一种基板，该基板安装有高频侧滤波器元器件及低频侧滤波器元器件，构成双工器的一部分，其特征在于，包括：
基板主体，该基板主体具有彼此相对的第一主面及第二主面；
多个第一安装电极，该多个第一安装电极设置在所述第一主面上，且用于与所述高频侧滤波器元器件或所述低频侧滤波器元器件进行连接；以及
第二安装电极，该第二安装电极是设置在所述第二主面上、且用于与安装有所述双工器的安装基板进行连接的多个第二安装电极，从所述第一主面的法线方向俯视时，分别与所述多个第一安装电极重叠，
从所述第一主面的法线方向俯视时重合的所述第一安装电极与所述第二安装电极电连接，
从所述第一主面的法线方向俯视时，所述多个第二安装电极分别与所述多个第一安装电极一一对应地重叠，
所述多个第一安装电极在所述基板主体中彼此未进行电连接，所述多个第二安装电极在所述基板主体中彼此未进行电连接，
所述多个第一安装电极的数量与所述多个第二安装电极的数量相同。
2.如权利要求1所述的基板，其特征在于，
所述多个第一安装电极在所述基板主体中彼此未进行电连接，
所述多个第二安装电极在所述基板主体中彼此未进行电连接。
3.如权利要求1或2所述的基板，其特征在于，
所述基板还包括第一通孔导体，该第一通孔导体与所述第一安装电极相连接，并在所述基板主体内在所述第一主面的法线方向上延伸，
所述第一安装电极包含：
第一安装部，该第一安装部用于与所述高频侧滤波器元器件或所述低频侧滤波器元器件进行连接；以及
第一连接部，该第一连接部与所述第一通孔导体相连接。
4.如权利要求1或2所述的基板，其特征在于，
所述基板还包括第二通孔导体，该第二通孔导体与所述第二安装电极相连接，并在所述基板主体内在所述第一主面的法线方向上延伸，
所述第二安装电极包含：
第二安装部，该第二安装部用于与所述安装基板进行连接；以及
第二连接部，该第二连接部与所述第二通孔导体相连接。
5.如权利要求1或2所述的基板，其特征在于，
所述基板还包括：
第一通孔导体，该第一通孔导体与所述第一安装电极相连接，并在所述基板主体内在所述第一主面的法线方向上延伸；
第二通孔导体，该第二通孔导体与所述第二安装电极相连接，并在所述基板主体内在所述第一主面的法线方向上延伸；以及
连接导体，该连接导体内置于所述基板主体，且对所述第一通孔导体与所述第二通孔导体的连接进行中继。
6.如权利要求5所述的基板，其特征在于，
所述第一通孔导体、所述第二通孔导体及所述连接导体与所述多个第一安装电极及所述多个第二安装电极相对应地进行设置，
所述连接导体在所述基板主体中彼此未进行电连接。
7.如权利要求5所述的基板，其特征在于，
所述第一通孔导体、所述第二通孔导体及所述连接导体与所述多个第一安装电极及所述多个第二安装电极相对应地进行设置，
所述基板是将多个绝缘体层进行层叠而构成的，
相邻的所述连接导体彼此设置在不同的所述绝缘体层上。
8.如权利要求1或2所述的基板，其特征在于，
所述基板还包括通孔导体，该通孔导体与所述第一安装电极及所述第二安装电极相连接，并在所述基板主体内在所述第一主面的法线方向上延伸。
9.一种双工器，其特征在于，包括：
基板，该基板是权利要求1至8中任一项所述的基板；
高频侧滤波器元器件，该高频侧滤波器元器件安装在所述基板的所述第一主面上；以及
低频侧滤波器元器件，该低频侧滤波器元器件安装在所述基板的所述第一主面上。
10.如权利要求9所述的双工器，其特征在于，
所述高频侧滤波器元器件包含与所述第一安装电极相连接的多个第一接地电极，
所述多个第一接地电极在所述高频侧滤波器元器件中彼此未进行电连接。
11.如权利要求9或10所述的双工器，其特征在于，
所述低频侧滤波器元器件包含与所述第一安装电极相连接的多个第二接地电极，
所述多个第二接地电极在所述低频侧滤波器元器件中彼此未进行电连接。
12.如权利要求11所述的双工器，其特征在于，
与所述第二接地电极相连接的所述第一安装电极的面积比安装所述低频侧滤波器元器件时所使用的所述第一安装电极中未与该第二接地电极相连接的所述第一安装电极的面积要大。
13.如权利要求11所述的双工器，其特征在于，
同与所述第二接地电极相连接的所述第一安装电极进行连接的所述第二安装电极的面积比同安装所述低频侧滤波器元器件时所使用的所述第一安装电极中未与该第二接地电极相连接的所述第一安装电极进行连接的所述第二安装电极的面积要大。
14.如权利要求12或13所述的双工器，其特征在于，
与所述第二接地电极相连接的所述第一安装电极在彼此相对的角实施了倒角。
15.如权利要求12或13所述的双工器，其特征在于，
同与所述第二接地电极相连接的所述第一安装电极进行连接的所述第二安装电极在彼此相对的角实施了倒角。
16.如权利要求10所述的双工器，其特征在于，
与所述第一接地电极相连接的所述第一安装电极的面积比安装所述高频侧滤波器元器件时所使用的所述第一安装电极中未与该第一接地电极相连接的所述第一安装电极的面积要大。
17.如权利要求10所述的双工器，其特征在于，
同与所述第一接地电极相连接的所述第一安装电极进行连接的所述第二安装电极的面积比同安装所述高频侧滤波器元器件时所使用的所述第一安装电极中未与该第一接地电极相连接的所述第一安装电极进行连接的所述第二安装电极的面积要大。
18.一种基板模块，其特征在于，包括：
安装基板；以及
安装在所述安装基板上的权利要求9至17中任一项所述的双工器。
19.如权利要求18所述的基板模块，其特征在于，
所述安装基板内置有用于与所述双工器之间进行阻抗匹配的匹配元件。
20.如权利要求19所述的基板模块，其特征在于，
所述安装基板是多层基板，
所述匹配元件由设置在所述多层基板内的导体层或通孔导体所构成，
相邻的所述匹配元件在所述安装基板内设置在不同的层上。
21.如权利要求19或20所述的基板模块，其特征在于，
在相邻的所述匹配元件之间设有保持在接地电位的接地导体层。
22.如权利要求19或20所述的基板模块，其特征在于，
所述安装基板是多层基板，
所述安装基板内置有用于与所述双工器之间进行阻抗匹配的多个匹配元件中的一部分的第一匹配元件，
所述多个匹配元件中的一部分的第二匹配元件安装在所述安装基板上，
在所述第一匹配元件与所述第二匹配元件之间设有接地导体层，该接地导体层设置在所述安装基板内，并保持在接地电位。
23.如权利要求18、19、20的任一项所述的基板模块，其特征在于，
所述安装基板包括与所述第二安装电极进行电连接的布线导体，
所述布线导体包含：
第一布线部，该第一布线部在一端与所述第二安装电极相连接；以及
第二布线部，该第二布线部与所述第一布线部的另一端相连接，且具有比所述第一布线部的线宽要粗的线宽。
24.如权利要求23所述的基板模块，其特征在于，
所述安装基板是将多个绝缘体层进行层叠而构成的多层基板，
所述第一布线部与所述第二布线部在所述多层基板内设置在不同的所述绝缘体层上。
25.如权利要求23所述的基板模块，其特征在于，
接收电路与所述布线导体相连接。
CN201280011340.3A 2011-03-03 2012-02-29 基板、双工器及基板模块 Active CN103404026B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-045978 2011-03-03
JP2011045978 2011-03-03
JP2011-183495 2011-08-25
JP2011183495 2011-08-25
PCT/JP2012/055040 WO2012118111A1 (ja) 2011-03-03 2012-02-29 基板、デュプレクサ及び基板モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103404026A CN103404026A (zh) 2013-11-20
CN103404026B true CN103404026B (zh) 2016-05-04

Family

ID=46758042

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280011340.3A Active CN103404026B (zh) 2011-03-03 2012-02-29 基板、双工器及基板模块

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9083313B2 (zh)
JP (1) JP5605497B2 (zh)
CN (1) CN103404026B (zh)
DE (1) DE112012001081B4 (zh)
WO (1) WO2012118111A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160126199A1 (en) * 2014-10-31 2016-05-05 Skyworks Solutions, Inc. Signal paths for radio-frequency modules
US9862592B2 (en) * 2015-03-13 2018-01-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. MEMS transducer and method for manufacturing the same
DE112016001482T5 (de) 2015-04-01 2017-12-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Duplexer
KR102414843B1 (ko) * 2017-05-22 2022-06-30 삼성전기주식회사 음향파 디바이스 및 그 제조방법
CN107623532A (zh) * 2017-08-25 2018-01-23 深圳天珑无线科技有限公司 一种通信终端
WO2020066380A1 (ja) * 2018-09-28 2020-04-02 株式会社村田製作所 回路モジュール及び通信装置
JP7286389B2 (ja) * 2019-04-15 2023-06-05 キヤノン株式会社 無線通信装置、無線通信システムおよび通信方法
JP2021164142A (ja) * 2020-04-03 2021-10-11 株式会社村田製作所 高周波モジュール、高周波回路及び通信装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3180774B2 (ja) 1998-08-31 2001-06-25 日本電気株式会社 高周波増幅装置
JP3495300B2 (ja) 1999-12-10 2004-02-09 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2001267881A (ja) * 2000-03-17 2001-09-28 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイス及びこれを用いた通信装置、並びにアンテナデュプレクサ
JP4221884B2 (ja) 2000-07-26 2009-02-12 株式会社デンソー ミリ波帯高周波装置
JP4172566B2 (ja) * 2000-09-21 2008-10-29 Ｔｄｋ株式会社 セラミック多層基板の表面電極構造及び表面電極の製造方法
JP3855842B2 (ja) * 2002-05-16 2006-12-13 株式会社村田製作所 弾性表面波分波器およびそれを有する通信装置
JP2004260375A (ja) 2003-02-25 2004-09-16 Kyocera Corp 弾性表面波フィルタ用パッケージ
JP3778902B2 (ja) * 2003-04-28 2006-05-24 富士通メディアデバイス株式会社 分波器及び電子装置
US7385463B2 (en) * 2003-12-24 2008-06-10 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device and electronic circuit device
US7298231B2 (en) * 2004-05-27 2007-11-20 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device and communication apparatus
JP2006304145A (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Kyocera Corp 高周波モジュール
TW200713681A (en) 2005-09-26 2007-04-01 Murata Manufacturing Co High-frequency front end module, and duplexer
JP2007129459A (ja) 2005-11-02 2007-05-24 Murata Mfg Co Ltd 多層基板モジュール
JP2007142812A (ja) * 2005-11-18 2007-06-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 複合ｒｆモジュールパッケージ
DE102005056340A1 (de) * 2005-11-25 2007-05-31 Epcos Ag Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement
JP2006101550A (ja) * 2005-12-05 2006-04-13 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイス及びこれを用いた通信装置、並びにアンテナデュプレクサ
JP4734436B2 (ja) 2008-04-11 2011-07-27 日本電波工業株式会社 デュプレクサ
JP5230270B2 (ja) 2008-05-29 2013-07-10 京セラ株式会社 分波器および無線通信機器
JP2010068079A (ja) * 2008-09-09 2010-03-25 Panasonic Corp アンテナ共用器、高周波回路及び無線通信装置
JP5051484B2 (ja) * 2008-11-04 2012-10-17 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置
JP5273861B2 (ja) * 2009-04-22 2013-08-28 太陽誘電株式会社 通信モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
DE112012001081T5 (de) 2014-06-26
WO2012118111A1 (ja) 2012-09-07
JP5605497B2 (ja) 2014-10-15
CN103404026A (zh) 2013-11-20
DE112012001081B4 (de) 2018-05-09
US9083313B2 (en) 2015-07-14
US20130307637A1 (en) 2013-11-21
JPWO2012118111A1 (ja) 2014-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103404026B (zh) 基板、双工器及基板模块
CN105453429B (zh) 高频模块
JP6406266B2 (ja) 高周波モジュール
CN106464294A (zh) 高频模块
CN111342814B (zh) 一种体声波滤波器和多工器以及电子设备
US9614494B2 (en) Reactance filter comprising acoustic waves resonators
KR20160029829A (ko) 분파장치
CN103391064B (zh) 开关模块
CN110249526B (zh) 声表面波装置
CN103563492A (zh) 印刷电路板和双工器电路
CN103945023B (zh) 层叠基板模块
JP2022135890A (ja) 弾性波デバイスチップ、弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスチップまたは弾性波デバイスを備えるモジュール
KR102424038B1 (ko) 멀티플렉서
TWI517570B (zh) LC filter circuit and high frequency module
CN103208669B (zh) 一种压电声波双工器系统
CN107431478A (zh) 双工器
CN108352825B (zh) 弹性波滤波器、双工器以及弹性波滤波器模块
JP5790770B2 (ja) 高周波モジュール、送信フィルタモジュール、受信フィルタモジュール
US7965989B2 (en) High frequency module
US11368135B2 (en) High-frequency module
JP6564448B2 (ja) ＲＦフィルタ回路、減衰が改善されたｒｆフィルタおよび分離度が改善されたデュプレクサ
US8872601B2 (en) Circuit module including a duplexer mounted on a circuit substrate having a specified second ground path
CN103053112A (zh) 弹性波装置
JP2004214898A (ja) 電子装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant