JP2022135890A - 弾性波デバイスチップ、弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスチップまたは弾性波デバイスを備えるモジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】より小型で、よりアイソレーション特性に優れた弾性波デバイスチップ、弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスチップまたは弾性波デバイスを備えるモジュールを提供する。【解決手段】弾性波デバイスチップは、基板と、前記基板上に形成された送信用フィルタと、前記基板上に形成された受信用フィルタと、前記基板上に形成され、前記送信用フィルタ用の送信用グランドパッドと、前記基板上に形成され、前記受信用フィルタ用の受信用グランドパッドと、を備える弾性波デバイスチップであって、前記送信用フィルタは、複数の直列共振器と複数の並列共振器を備えており、前記複数の並列共振器のうちの一つであって、前記受信用グランドパッドと電気的に接続されている第１並列共振器を有し、前記第１並列共振器は、前記受信用フィルタの通過帯域の最も高周波の周波数と近似する共振周波数を有する。【選択図】図２
Description
本開示は、弾性波デバイスチップ、弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスチップまたは弾性波デバイスを備えるモジュールに関連する。
特許文献１は、電子部品を開示する。当該電子部品によれば、アイソレーション特性を向上し得る。
しかしながら、特許文献１に記載の電子部品においては、弾性波デバイスに付加回路を設ける必要がある。このため、電子部品を小型にすることができない。
本開示は、上述の課題を解決するためになされた。本開示の目的は、より小型で、アイソレーション特性に優れた弾性波デバイスチップ、弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスチップまたは弾性波デバイスを備えるモジュールを提供することである。
本開示にかかる弾性波デバイスは、
基板と、
前記基板上に形成された送信用フィルタと、
前記基板上に形成された受信用フィルタと、
前記基板上に形成され、前記送信用フィルタの送信用グランドパッドと、
前記基板上に形成され、前記受信用フィルタの受信用グランドパッドと、
を備える弾性波デバイスチップであって、
前記送信用フィルタは、複数の直列共振器と複数の並列共振器を備えており、
前記複数の並列共振器のうちの一つであって、前記受信用グランドパッドと電気的に接続されている第１並列共振器を有し、
前記第１並列共振器は、前記送信用フィルタの最終段において並列分割された共振器のうちの一つであり、前記受信用フィルタの通過帯域の最も高周波の周波数と近似する共振周波数を有する、弾性波デバイスチップとした。
基板と、
前記基板上に形成された送信用フィルタと、
前記基板上に形成された受信用フィルタと、
前記基板上に形成され、前記送信用フィルタの送信用グランドパッドと、
前記基板上に形成され、前記受信用フィルタの受信用グランドパッドと、
を備える弾性波デバイスチップであって、
前記送信用フィルタは、複数の直列共振器と複数の並列共振器を備えており、
前記複数の並列共振器のうちの一つであって、前記受信用グランドパッドと電気的に接続されている第１並列共振器を有し、
前記第１並列共振器は、前記送信用フィルタの最終段において並列分割された共振器のうちの一つであり、前記受信用フィルタの通過帯域の最も高周波の周波数と近似する共振周波数を有する、弾性波デバイスチップとした。
前記第１並列共振器は、前記送信用グランドパッドと電気的に接続されていないことが、本開示の一形態とされる。
前記第１並列共振器は、前記複数の並列共振器のうちで、前記送信用フィルタの入力端子から最も遠い位置に配置されることが、本開示の一形態とされる。
前記第１並列共振器のキャパシタンスは、前記複数の並列共振器のキャパシタンスの平均値よりも小さいことが、本開示の一形態とされる。
前記第１並列共振器のキャパシタンスは、前記複数の並列共振器の中で最も小さいキャパシタンスであることが、本発明の一形態とされる。
前記基板は、圧電性基板と、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスからなる基板が接合されている基板であることが、本開示の一形態とされる。
前記弾性波デバイスチップと、
前記弾性波デバイスチップと電気的に接続される配線基板と、
を備え、
前記配線基板は、
前記送信用グランドパッドと電気的に接続される実装面の送信用グランド電極と、
前記受信用グランドパッドと電気的に接続される実装面の受信用グランド電極と、
を備え、
前記受信用グランド電極の面積は、前記送信用グランド電極の面積よりも大きい、弾性波デバイスであることが、本開示の一形態とされる。
前記弾性波デバイスチップと電気的に接続される配線基板と、
を備え、
前記配線基板は、
前記送信用グランドパッドと電気的に接続される実装面の送信用グランド電極と、
前記受信用グランドパッドと電気的に接続される実装面の受信用グランド電極と、
を備え、
前記受信用グランド電極の面積は、前記送信用グランド電極の面積よりも大きい、弾性波デバイスであることが、本開示の一形態とされる。
前記弾性波デバイスチップまたは前記弾性波デバイスを備えるモジュールが、本発明の一形態とされる。
本開示によれば、より小型で、アイソレーション特性に優れた弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュールを提供できる。
実施の形態について添付の図面に従って説明する。なお、各図中、同一または相当する部分には同一の符号が付される。当該部分の重複説明は適宜に簡略化ないし省略される。
実施の形態１．
図１は実施の形態１における弾性波デバイスの縦断面図である。
図１は実施の形態１における弾性波デバイスの縦断面図である。
図１は、弾性波デバイス１として、デュプレクサである弾性波デバイスの例を示す。
図１に示されるように、弾性波デバイス１は、配線基板３と複数の外部接続端子３１と複数の電極パッド９と複数のバンプ１５とデバイスチップ５と封止部１７を備える。
例えば、配線基板３は、樹脂からなる多層基板である。例えば、配線基板３は、複数の誘電体層からなる低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）多層基板である。
複数の外部接続端子３１は、配線基板３の下面に形成される。
複数の電極パッド９は、配線基板３の主面に形成される。例えば、電極パッド９は、銅または銅を含む合金で形成される。例えば、電極パッド９の厚みは、１０μｍから２０μｍである。
複数のバンプ１５は、複数の電極パッド９のそれぞれの上面に形成される。例えば、バンプ１５は、金バンプである。例えば、バンプ１５の高さは、２０μｍから５０μｍである。
例えば、デバイスチップ５は、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムまたは水晶などの圧電単結晶で形成された基板である。例えば、デバイスチップ５は、圧電セラミックスで形成された基板である。例えば、デバイスチップ５は、圧電基板と支持基板とが接合された基板である。例えば、支持基板は、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスで形成された基板である。
デバイスチップ５は、バンプ１５を介して、配線基板３にフリップチップボンディングにより実装される。デバイスチップ５は、複数のバンプ１５を介して複数の電極パッド９と電気的に接続される。
デバイスチップ５は、機能素子が形成される基板である。例えば、デバイスチップ５の主面において、送信用フィルタ２０１と受信用フィルタ２０２とが形成される。
送信用フィルタ２０１は、所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成される。例えば、送信用フィルタ２０１は、複数の直列共振器と複数の並列共振器からなるラダー型フィルタである。
受信用フィルタ２０２は、所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成される。例えば、受信用フィルタ２０２は、複数の直列共振器と複数の並列共振器からなるラダー型フィルタである。
封止部１７は、デバイスチップ５を覆うように形成される。例えば、封止部１７は、合成樹脂等の絶縁体により形成される。例えば、封止部１７は、金属で形成される。
封止部１７が合成樹脂で形成される場合、当該合成樹脂は、エポキシ樹脂、ポリイミドなどである。好ましくは、封止部１７は、エポキシ樹脂を用い、低温硬化プロセスを用いてエポキシ樹脂で形成される。
次に、図２と図３とを用いて、本開示の弾性波デバイス１と比較例の弾性波デバイスとの構成を説明する。
図２は実施の形態１における弾性波デバイスの構成を示す図である。図３は実施の形態１における弾性波デバイスとの比較例としての弾性波デバイスの構成を示す図である。
図２は実施の形態１における弾性波デバイスの構成を示す図である。図３は実施の形態１における弾性波デバイスとの比較例としての弾性波デバイスの構成を示す図である。
図２の（ａ）は、実施の形態１における弾性波デバイス１のデバイスチップ５を示す。図２の（ｂ）は、実施の形態１における弾性波デバイス１の配線基板３の第１層を示す。図２の（ｃ）は、実施の形態１における弾性波デバイス１の配線基板３の第２層を示す。図２の（ｄ）は、実施の形態１における弾性波デバイス１の配線基板３の外部接続端子３１を示す。
図２の（ａ）において、デバイスチップ５は、複数の弾性波素子５２と配線パターン５４とを備える。
複数の弾性波素子５２は、複数の直列共振器Ｓ１ａ、Ｓ１ｂ、Ｓ２ａ、Ｓ２ｂ、Ｓ３ａ、Ｓ３ｂ、Ｓ４と複数の並列共振器Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３ａ、Ｐ３ｂとを含む。
複数の直列共振器Ｓ１ａ、Ｓ１ｂ、Ｓ２ａ、Ｓ２ｂ、Ｓ３ａ、Ｓ３ｂ、Ｓ４と複数の並列共振器Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３ａ、Ｐ３ｂとは、送信用フィルタ２０１として機能し得るように形成される。その他の直列共振器とその他の並列共振器とは、受信用フィルタ２０２としての機能し得るように形成される。
例えば、配線パターン５４は、銀、アルミニウム、銅、チタン、パラジウムなどの適宜の金属もしくは合金により形成される。例えば、配線パターン５４は、複数の金属層を積層してなる積層金属膜により形成される。例えば、配線パターン５４の厚みは、１５０ｎｍから４００ｎｍである。
配線パターン５４は、アンテナ用パッドＡＮＴと送信用パッドＴｘと受信用パッドＲｘと複数の送信用グランドパッドＧＮＤ－Ｔｘと複数の受信用グランドパッドＧＮＤ－Ｒｘとを含む。配線パターン５４は、弾性波素子５２と電気的に接続される。
図２の（ｂ）において、配線基板３は、第１アンテナ用電極３０１と第１送信用電極３０２と第１受信用電極３０３と第１送信用グランド電極３０４と第１受信用グランド電極３０５とを備える。
第１アンテナ用電極３０１と第１送信用電極３０２と第１受信用電極３０３と第１送信用グランド電極３０４と第１受信用グランド電極３０５とは、電気的に接続されない。
実装状態において、第１アンテナ用電極３０１は、アンテナ用パッドＡＮＴと電気的に接続される。第１送信用電極３０２は、送信用パッドＴｘと電気的に接続される。第１受信用電極３０３は、受信用パッドＲｘと電気的に接続される。第１送信用グランド電極３０４は、複数の送信用グランドパッドＧＮＤ－Ｔｘと電気的に接続される。第１受信用グランド電極３０５は、複数の受信用グランドパッドＧＮＤ－Ｒｘと電気的に接続される。
図２の（ｃ）において、配線基板３は、第２アンテナ用電極４０１と第２送信用電極４０２と第２受信用電極４０３と第２送信用グランド電極４０４と第２受信用グランド電極４０５とを備える。
第２アンテナ用電極４０１と第２送信用電極４０２と第２受信用電極４０３と第２送信用グランド電極４０４と第２受信用グランド電極４０５とは、電気的に接続されない。
実装状態において、第２アンテナ用電極４０１は、第１アンテナ用電極３０１と電気的に接続される。第２送信用電極４０２は、第１送信用電極３０２と電気的に接続される。第２受信用電極４０３は、第１受信用電極３０３と電気的に接続される。第２送信用グランド電極４０４は、第１送信用グランド電極３０４と電気的に接続される。第２受信用グランド電極４０５は、第１受信用グランド電極３０５と電気的に接続される。
図２の（ｄ）において、外部接続端子３１は、アンテナ用端子５０１と送信用端子５０２と受信用端子５０３と複数の送信用グランド端子５０４と複数の受信用グランド端子５０５とを含む。
アンテナ用端子５０１と送信用端子５０２と受信用端子５０３と複数の送信用グランド端子５０４と複数の受信用グランド端子５０５とは、電気的に接続されない。
実装状態において、アンテナ用端子５０１は、第２アンテナ用電極４０１と電気的に接続される。送信用端子５０２は、第２送信用電極４０２と電気的に接続される。受信用端子５０３は、第２受信用電極４０３と電気的に接続される。複数の送信用グランド端子５０４は、第２送信用グランド電極４０４と電気的に接続される。複数の送信用グランド端子５０４は、第２受信用グランド電極４０５と電気的に接続されない。複数の受信用グランド端子５０５は、第２受信用グランド電極４０５と電気的に接続される。複数の受信用グランド端子５０５は、第２送信用グランド電極４０４と電気的に接続されない。
アンテナ用端子５０１は、送信用フィルタ２０１の出力端子となる。アンテナ用端子５０１は、受信用フィルタ２０２の入力端子となる。送信用端子５０２は、送信用フィルタ２０１の入力端子となる。受信用端子５０３は、受信用フィルタ２０２の出力端子となる。複数の送信用グランド端子５０４は、送信用フィルタ２０１のグランド端子となる。複数の受信用グランド端子５０５は、受信用フィルタ２０２のグランド端子となる。
電気信号が送信用端子５０２に入力されると、当該電気信号は、送信用フィルタ２０１に到達する。当該電気信号のうち、所望の周波数帯域の電気信号が送信用フィルタ２０１を通過する。その結果、所望の周波数帯の電気信号がアンテナ用端子から出力される。
電気信号がアンテナ端子５０１に入力されると、当該電気信号は、受信用フィルタ２０２に到達する。当該電気信号のうち、所望の周波数帯域の電気信号が受信用フィルタ２０２を通過する。その結果、所望の周波数帯の電気信号が受信用端子５０３から出力される。
本実施の形態において、並列共振器Ｐ３ｂは、第１並列共振器として、受信用グランドパッドＧＮＤ－Ｒｘと電気的に接続される。並列共振器Ｐ３ｂは、送信用グランドパッドＧＮＤ－Ｔｘと電気的に接続されない。
並列共振器Ｐ３ｂは、複数の並列共振器Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３ａ、Ｐ３ｂのうちで、送信用端子５０２から最も遠い位置に配置される。
並列共振器Ｐ３ｂは、送信用フィルタ２０１の最終段において並列分割された共振器のうちの一つである。具体的には、送信用フィルタ２０１において、最終段の並列共振器は、並列共振器Ｐ３ａと並列共振器Ｐ３ｂとに並列分割される。
並列共振器Ｐ３ｂのキャパシタンスは、複数の並列共振器Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３ａ、Ｐ３ｂのキャパシタンスの平均値よりも小さい。並列共振器Ｐ３ｂのキャパシタンスは、複数の並列共振器Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３ａ、Ｐ３ｂの中で最も小さいキャパシタンスである。
例えば、並列共振器Ｐ３ｂは、受信用フィルタ２０２の通過帯域の最も高周波の周波数と近似する共振周波数を有する。
第１受信用グランド電極３０５の面積と第２受信用グランド電極４０５の面積とは、第１送信用グランド電極３０４の面積と第２送信用グランド電極４０４の面積とよりも大きい。
図３の（ａ）は、実施の形態１における弾性波デバイスとの比較例としての弾性波デバイスのデバイスチップを示す。図３の（ｂ）は、実施の形態１における弾性波デバイスとの比較例としての弾性波デバイスの配線基板の第１層を示す。図３の（ｃ）は、実施の形態１における弾性波デバイスとの比較例としての弾性波デバイスの配線基板の第２層を示す。図３の（ｄ）は、実施の形態１における弾性波デバイスとの比較例としての弾性波デバイスの外部接続端子を示す。
図３の（ａ）において、デバイスチップ５は、図２の（ａ）と同様に、複数の弾性波素子５２と配線パターン５４とを備える。デバイスチップは、並列共振器Ｐ３ｂの代わりに並列共振器Ｐ１ｂを備える。デバイスチップは、複数の送信用グランドパッドＧＮＤ－Ｔｘと複数の受信用グランドパッドＧＮＤ－Ｒｘとの代わりに複数のグランドパッドＧＮＤを備える。
図３の（ｂ）において、配線基板３は、図２の（ｂ）と同様に、第１アンテナ用電極３０１と第１送信用電極３０２と第１受信用電極３０３を備える。配線基板３は、第１送信用グランド電極３０４と第１受信用グランド電極３０５の代わりに第１グランド電極６０１を備える。
実装状態において、第１グランド電極６０１は、グランドパッドＧＮＤとに電気的に接続される。
図３の（ｃ）において、配線基板３は、図２の（ｃ）と同様に、第２アンテナ用電極４０１と第２送信用電極４０２と第２受信用電極４０３とを備える。配線基板３は、第２送信用グランド電極４０４と第２受信用グランド電極４０５との代わりに第２グランド電極７０１を備える。
実装状態において、第２グランド電極７０１は、第１グランド電極６０１とに電気的に接続される。
図３の（ｄ）において、外部接続端子３１は、図２の（ｄ）と同様に、アンテナ用端子５０１と送信用端子５０２と受信用端子５０３とを含む。外部接続端子３１は、複数の送信用グランド端子５０４と複数の受信用グランド端子５０５との代わりに複数のグランド端子８０１を含む。
実装状態において、複数のグランド端子８０１は、第２グランド電極７０１に電気的に接続される。
次に、図４を用いて、弾性波素子５２の例を説明する。
図４は実施の形態１における弾性波デバイスの弾性波素子の例を示す図である。
図４は実施の形態１における弾性波デバイスの弾性波素子の例を示す図である。
図４に示されるように、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）５２ａと一対の反射器５２ｂとは、デバイスチップ５の主面に形成される。ＩＤＴ５２ａと一対の反射器５２ｂとは、弾性表面波を励振し得るように設けられる。
例えば、ＩＤＴ５２ａと一対の反射器５２ｂとは、アルミニウムと銅の合金で形成される。例えば、ＩＤＴ５２ａと一対の反射器５２ｂとは、チタン、パラジウム、銀などの適宜の金属もしくはこれらの合金で形成される。例えば、ＩＤＴ５２ａと一対の反射器５２ｂとは、複数の金属層が積層した積層金属膜により形成される。例えば、ＩＤＴ５２ａと一対の反射器５２ｂとの厚みは、１５０ｎｍから４００ｎｍである。
ＩＤＴ５２ａは、一対の櫛形電極５２ｃを備える。一対の櫛形電極５２ｃは、互いに対向する。櫛形電極５２ｃは、複数の電極指５２ｄとバスバー５２ｅとを備える。複数の電極指５２ｄは、長手方向を合わせて配置される。バスバー５２ｅは、複数の電極指５２ｄを接続する。
一対の反射器５２ｂの一方は、ＩＤＴ５２ａの一側に隣接する。一対の反射器５２ｂの他方は、ＩＤＴ５２ａの他側に隣接する。
次に、図５を用いて、送信用フィルタ２０１の通過特性を説明する。
図５は実施の形態１における弾性波デバイスと比較例との送信用フィルタの通過特性を示す図である。
図５は実施の形態１における弾性波デバイスと比較例との送信用フィルタの通過特性を示す図である。
実線の波形は、ナローバンドにおける本実施の形態１の送信用フィルタ２０１の通過特性を示す。ナローバンドにおける破線の波形は、比較例の送信用フィルタの通過特性を示す。
図５に示されるように、本実施の形態の送信用フィルタ２０１の通過特性は、比較例の送信用フィルタの通過特性に対して改善される。
次に、図６を用いて、受信用フィルタ２０２の通過特性を説明する。
図６は実施の形態１における弾性波デバイスと比較例との受信用フィルタの通過特性を示す図である。
図６は実施の形態１における弾性波デバイスと比較例との受信用フィルタの通過特性を示す図である。
実線の波形は、ナローバンドにおける本実施の形態１の受信用フィルタ２０２の通過特性を示す。破線の波形は、ナローバンドにおける比較例の受信用フィルタの通過特性を示す。
図６に示されるように、本実施の形態の受信用フィルタ２０２の通過特性は、比較例の受信用フィルタの通過特性に対して改善される。
次に、図７を用いて、アイソレーション特性を説明する。
図７は実施の形態１における弾性波デバイスと比較例とのアイソレーション特性を示す図である。
図７は実施の形態１における弾性波デバイスと比較例とのアイソレーション特性を示す図である。
実線の波形は、ナローバンドにおける本実施の形態１の弾性波デバイス１のアイソレーション特性を示す。破線の波形は、ナローバンドにおける比較例のアイソレーション特性を示す。
図７に示されるように、本実施の形態の弾性波デバイス１のアイソレーション特性は、比較例のアイソレーション特性に対して改善される。特に、９６０ＭＨｚよりもやや高周波側の領域において、並列共振器Ｐ３ｂにより、アイソレーション特性が改善される。
次に、図８を用いて、アンテナインピーダンスを説明する。
図８は実施の形態１における弾性波デバイスと比較例とのアンテナインピーダンスを示す図である。
図８は実施の形態１における弾性波デバイスと比較例とのアンテナインピーダンスを示す図である。
実線の波形は、本実施の形態１の弾性波デバイス１のアンテナインピーダンスを示す。破線の波形は、比較例のアンテナインピーダンスを示す。
図８のスミスチャートに示されるように、本実施の形態の弾性波デバイス１のアンテナインピーダンスは、比較例のアンテナインピーダンスに対して改善される。
次に、図９を用いて、耐電力性の第１例を説明する。
図９は実施の形態１における弾性波デバイスと比較例との耐電力性の第１例を示す図である。
図９は実施の形態１における弾性波デバイスと比較例との耐電力性の第１例を示す図である。
実線の波形は、本実施の形態１の弾性波デバイス１の並列共振器Ｐ１の耐電力性を示す。破線の波形は、比較例において並列共振器Ｐ１と同じ位置に配置された並列共振器の耐電力性を示す。
図９に示されるように、本実施の形態の並列共振器Ｐ１の耐電力性は、比較例において並列共振器Ｐ１と同じ位置に配置された並列共振器の耐電力性に対して改善される。
次に、図１０を用いて、耐電力性の第２例を説明する。
図１０は実施の形態１における弾性波デバイスと比較例との耐電力性の第２例を示す図である。
図１０は実施の形態１における弾性波デバイスと比較例との耐電力性の第２例を示す図である。
実線の波形は、本実施の形態１の弾性波デバイス１の並列共振器Ｐ３ｂの耐電力性を示す。破線の波形は、比較例の並列共振器Ｐ１ｂの耐電力性を示す。
図１０に示されるように、本実施の形態の並列共振器Ｐ３ｂの耐電力性は、比較例において並列共振器Ｐ１ｂの耐電力性よりも少しだけ劣る。
しかしながら、並列共振器Ｐ３ｂの耐電力性は、直列共振器Ｓ４と同時に電力の供給を受ける。また、並列共振器Ｐ３ｂは、送信用端子５０２から最も遠い位置に配置される。このため、並列共振器Ｐ３ｂは、並列共振器Ｐ１ｂよりも壊れにくい。
以上で説明された実施の形態１によれば、並列共振器Ｐ３ｂは、受信用グランドパッドＧＮＤ－Ｒｘと電気的に接続される。このため、より小型で、よりアイソレーション特性に優れた弾性波デバイス１を提供することができる。
また、並列共振器Ｐ３ｂは、送信用グランドパッドＧＮＤ－Ｔｘと電気的に接続されない。このため、よりアイソレーション特性に優れた弾性波デバイス１を提供することができる。
また、並列共振器Ｐ３ｂは、複数の並列共振器Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３ａ、Ｐ３ｂのうちで、送信用端子５０２から最も遠い位置に配置される。このため、並列共振器Ｐ３ｂを壊れにくくすることができる。
また、並列共振器Ｐ３ｂは、送信用フィルタ２０１の最終段において並列分割された共振器のうちの一つである。このため、並列共振器Ｐ３ｂを壊れにくくすることができる。
また、並列共振器Ｐ３ｂのキャパシタンスは、複数の並列共振器Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３ａ、Ｐ３ｂのキャパシタンスの平均値よりも小さい。このため、送信用フィルタ２０１の挿入損失を小さくすることができる。
また、並列共振器Ｐ３ｂのキャパシタンスは、複数の並列共振器Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３ａ、Ｐ３ｂの中で最も小さいキャパシタンスである。このため、送信用フィルタ２０１の挿入損失をより小さくすることができる。
また、並列共振器Ｐ３ｂは、受信用フィルタ２０２の通過帯域の最も高周波の周波数と近似する共振周波数を有する。このため、よりアイソレーション特性に優れた弾性波デバイス１を提供することができる。
また、デバイスチップ５の基板は、圧電性基板と、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスからなる基板が接合されている基板である。このため、より温度特性の優れた弾性波デバイス１を提供することができる。
また、第１受信用グランド電極３０５の面積と第２受信用グランド電極４０５の面積とは、第１送信用グランド電極３０４の面積と第２送信用グランド電極４０４の面積とよりも大きい。このため、受信用フィルタ２０２としてＤＭＳフィルタが用いられた場合でも、受信用フィルタ２０２のフロアレベルを適切に設定することができる。
実施の形態２．
図１１は実施の形態２における弾性波デバイスが適用されるモジュールの縦断面図である。なお、実施の形態１の部分と同一又は相当部分には同一符号が付される。当該部分の説明は省略される。
図１１は実施の形態２における弾性波デバイスが適用されるモジュールの縦断面図である。なお、実施の形態１の部分と同一又は相当部分には同一符号が付される。当該部分の説明は省略される。
図１１において、モジュール１００は、配線基板１３０と複数の外部接続端子１３１と集積回路部品ＩＣと弾性波デバイス１とインダクタ１１１と封止部１１７とを備える。
配線基板１３０は、実施の形態１の配線基板３と同等である。
複数の外部接続端子１３１は、配線基板１３０の下面に形成される。複数の外部接続端子１３１は、予め設定された移動通信端末のマザーボードに実装される。
図示されないが、集積回路部品ＩＣは、配線基板１３０の内部に実装される。集積回路部品ＩＣは、スイッチング回路とローノイズアンプとを含む。
弾性波デバイス１は、配線基板１３０の主面に実装される。
インダクタ１１１は、配線基板１３０の主面に実装される。インダクタ１１１は、インピーダンスマッチングのために実装される。例えば、インダクタ１１１は、Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｐａｓｓｉｖｅ Ｄｅｖｉｃｅ（ＩＰＤ）である。
封止部１１７は、弾性波デバイス１を含む複数の電子部品を封止する。
以上で説明された実施の形態２によれば、モジュール１００は、弾性波デバイス１を備える。このため、より小型で、よりアイソレーション特性に優れたモジュール１００を提供することができる。
少なくとも一つの実施形態のいくつかの側面が説明されたが、様々な改変、修正および改善が当業者にとって容易に想起されることを理解されたい。かかる改変、修正および改善は、本開示の一部となることが意図され、かつ、本開示の範囲内にあることが意図される。
理解するべきことだが、ここで述べられた方法および装置の実施形態は、上記説明に記載され又は添付図面に例示された構成要素の構造および配列の詳細への適用に限られない。方法および装置は、他の実施形態で実装し、様々な態様で実施又は実行することができる。
特定の実装例は、例示のみを目的としてここに与えられ、限定されることを意図しない。
本開示で使用される表現および用語は、説明目的であって、限定としてみなすべきではない。ここでの「含む」、「備える」、「有する」、「包含する」およびこれらの変形の使用は、以降に列挙される項目およびその均等物並びに付加項目の包括を意味する。
「又は（若しくは）」の言及は、「又は（若しくは）」を使用して記載される任意の用語が、当該記載の用語の一つの、一つを超える、およびすべてのものを示すように解釈され得る。
前後左右、頂底上下、横縦、表裏への言及は、いずれも、記載の便宜を意図する。当該言及は、本開示の構成要素がいずれか一つの位置的又は空間的配向に限られるものではない。したがって、上記説明および図面は、例示にすぎない。
１ 弾性波デバイス、 ３ 配線基板、 ５ デバイスチップ、 ９ 電極パッド、 １５ バンプ、 １７ 封止部、 ３１ 外部接続端子、 ５２ 弾性波素子、 ５２ａ ＩＤＴ、 ５２ｂ 反射器、 ５２ｃ 櫛形電極、 ５２ｄ 電極指、 ５４ 配線パターン、 １００ モジュール、 １０５ デバイスチップ、 １１１ インダクタ、 １１７ 封止部、 １３０ 配線基板、 １３１ 外部接続端子、 ２０１ 送信用フィルタ、 ２０２ 受信用フィルタ、 ３０１ 第１アンテナ用電極、 ３０２ 第１送信用電極、 ３０３ 第１受信用電極、 ３０４ 第１送信用グランド電極、 ３０５ 第１受信用グランド電極、 ４０１ 第２アンテナ用電極、 ４０２ 第２送信用電極、 ４０３ 第２受信用電極、 ４０４ 第２送信用グランド電極、 ４０５ 第２受信用グランド電極、 ５０１ アンテナ用端子、 ５０２ 送信用端子、 ５０３ 受信用端子、 ５０４ 送信用グランド端子、 ５０５ 受信用グランド端子、 ６０１ 第１グランド電極、 ７０１ 第２グランド電極、 ８０１ グランド端子
Claims (8)
- 基板と、
前記基板上に形成された送信用フィルタと、
前記基板上に形成された受信用フィルタと、
前記基板上に形成され、前記送信用フィルタの送信用グランドパッドと、
前記基板上に形成され、前記受信用フィルタの受信用グランドパッドと、
を備える弾性波デバイスチップであって、
前記送信用フィルタは、複数の直列共振器と複数の並列共振器を備えており、
前記複数の並列共振器のうちの一つであって、前記受信用グランドパッドと電気的に接続されている第１並列共振器を有し、
前記第１並列共振器は、前記送信用フィルタの最終段において並列分割された共振器のうちの一つであり、前記受信用フィルタの通過帯域の最も高周波の周波数と近似する共振周波数を有する、弾性波デバイスチップ。 - 前記第１並列共振器は、前記送信用グランドパッドと電気的に接続されていない、請求項１に記載の弾性波デバイスチップ。
- 前記第１並列共振器は、前記複数の並列共振器のうちで、前記送信用フィルタの入力端子から最も遠い位置に配置される、請求項１または２に記載の弾性波デバイスチップ。
- 前記第１並列共振器のキャパシタンスは、前記複数の並列共振器のキャパシタンスの平均値よりも小さい、請求項１～３に記載の弾性波デバイスチップ。
- 前記第１並列共振器のキャパシタンスは、前記複数の並列共振器の中で最も小さいキャパシタンスである、請求項１～４に記載の弾性波デバイスチップ。
- 前記基板は、圧電性基板と、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスからなる基板が接合されている基板である請求項１～５に記載の弾性波デバイスチップ。
- 請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の弾性波デバイスチップと、
前記弾性波デバイスチップと電気的に接続される配線基板と、
を備え、
前記配線基板は、
前記送信用グランドパッドと電気的に接続される実装面の送信用グランド電極と、
前記受信用グランドパッドと電気的に接続される実装面の受信用グランド電極と、
を備え、
前記受信用グランド電極の面積は、前記送信用グランド電極の面積よりも大きい、弾性波デバイス。 - 請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の弾性波デバイスチップまたは請求項７に記載の弾性波デバイスを備えるモジュール。
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