DE112004000738B3

DE112004000738B3 - Oberflächenwellenverzweigungsfilter

Info

Publication number: DE112004000738B3
Application number: DE112004000738T
Authority: DE
Inventors: Norio Nagaokakyo Taniguchi; Yasunori Nagaokakyo Kishimoto
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2003-05-14
Filing date: 2004-04-19
Publication date: 2010-07-29
Anticipated expiration: 2024-04-20
Also published as: JP3867733B2; CN100517966C; US6822537B1; KR20060009274A; JPWO2004102799A1; CN1781247A; WO2004102799A1; KR100645763B1

Abstract

Oberflächenwellenverzweigungsfilter, mit:
einem ersten Oberflächenwellenfilterchip (3) mit einer relativ niedrigen Mittenfrequenz, der eine Mehrzahl von SAW-Resonatoren und eine Mehrzahl von Höckern auf einer unteren Oberfläche aufweist;
einem zweiten Oberflächenwellenfilterchip (4) mit einer relativ hohen Mittenfrequenz, der eine Mehrzahl von SAW-Resonatoren umfasst und der eine Mehrzahl von Höckern (10) auf einer unteren Oberfläche (4a) aufweist; und
einem Gehäusebauglied (8) mit Verdrahtungsstrukturen, die auf einer Chipbefestigungsoberfläche (8b) des Gehäusebauglieds (8) gebildet sind, wobei der erste und zweite Oberflächenwellenfilterchip (3, 4) unter Verwendung der Mehrzahl von Höckern mit den Verdrahtungsstrukturen verbunden sind;
wobei die Chipbefestigungsoberfläche (8b) des Gehäusebauglieds (8) folgendes aufweist:
zumindest eine Signalverdrahtungsstruktur (24; 31; 44), die mit einem Ausgangsende (7) des zweiten Oberflächenwellenfilterchips (4) verbunden ist; und
eine Masseverdrahtungsstruktur (25; 45), die mit einem Massepotential eines SAW-Resonators (P5) verbunden ist, der in nächster Nähe zu dem Ausgangsende (7) des zweiten Oberflächenwellenfilterchips (4) ist;...

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Oberflächenwellenverzweigungsfilter zur Verwendung als Verzweigungsfilter, die z. B. mit Antennenabschnitten von drahtlosen Kommunikationsvorrichtungen verbunden sind. Genauer gesagt bezieht sich die vorliegende Erfindung auf ein Oberflächenwellenverzweigungsfilter mit einer Struktur, bei der erste und zweite Oberflächenwellenfilterchip mit unterschiedlichen Mittenfrequenzen, über Höcker, die auf den Oberflächenwellenfilterchips vorgesehen sind, mit einer Verdrahtungsstruktur verbunden sind, die auf einem Gehäusebauglied bereitgestellt ist.
In den letzten Jahren wurden, um eine weitere Miniaturisierung zu erreichen, verschiedene Verzweigungsfilter, die Oberflächenwellenfilter verwenden, für kompakte drahtlose Kommunikationsvorrichtungen entwickelt, wie z. B. tragbare Telefone.
Bei diesem Typ eines Oberflächenwellenverzweigungsfilters sind erste und zweite Oberflächenwellenfilter mit unterschiedlichen Mittenfrequenzen in einem Gehäuse befestigt. Es besteht ein großer Bedarf nach einer besser gesicherten Isolation zwischen dem ersten und zweiten Oberflächenwellenfilter.
Ein Beispiel von Strukturen zum Verbessern der Isolation ist offenbart in der ungeprüften japanischen Patentanmeldungsveröffentlichung Nr. 5-167389 . Somit, wie in 19 gezeigt ist, bei einem Oberflächenwellenverzweigungsfilter 201, das in der ungeprüften japanischen Patentanmeldungsveröffentlichung Nr. 5-167389 beschrieben ist, sind erste und zweite Oberflächenwellenfilterchips 203 und 204 in einem Gehäusebauglied 202 befestigt. Das Gehäusebauglied 202 weist Signal-Eingangs/Ausgangs-Anschlüsse C1, C2, D1 und D2 auf. Der erste Oberflächenwellenfilterchip 203 weist Signal-Eingangs/Ausgangs-Anschlüsse A1 und A2 auf, und der zweite Oberflächenwellenfilterchip 204 weist Signal-Eingangs/Ausgangs-Anschlüsse B1 und B2 auf. Die Signal-Eingangs/Ausgangs-Anschlüsse A1, A2, B1, B2, C1, C2, D1 und D2 sind derart angeordnet, dass eine Signalleitung, die die Signal-Eingangs/Ausgangs-Anschlüsse A1, A2 und C2 verbindet, und eine Signalleitung, die die Signal-Eingangs/Ausgangs-Anschlüsse B1, B2 und D2 verbindet, entlang zwei geraden Linien (X, Y) angeordnet sind, die einander im Wesentlichen in rechten Winkeln überkreuzen. Bei einer solchen Anordnung der Signal-Eingangs/Ausgangs-Anschlüsse wird eine induktive Kopplung zwischen der Mehrzahl von Signalleitungen unterdrückt und die Isolation wird verbessert.
Unterdessen offenbart die ungeprüfte japanische Patentanmeldungsveröffentlichung Nr. 8-18393 ein Verzweigungsfiltergehäuse, das in 20 gezeigt ist. In diesem Fall sind der erste und zweite Oberflächenwellenfilterchip 212 und 213 in einem Verzweigungsfiltergehäuse 211 mit einer Mehrschichtstruktur angeordnet. Streifenleitungen 214 und 215 sind in dem Verzweigungsfiltergehäuse 211 eingebettet, um Phasenanpassungsschaltungen zu bilden. Die charakteristischen Impedanzen der Streifenleitungen 214 und 215 werden erhöht, relativ zu der charakteristischen Impedanz einer externen Schaltung, die mit dem Verzweigungsfiltergehäuse verbunden ist, und zumindest zwei Masseanschlüsse sind in dem Gehäuse für einen Oberflächenwellenfilterchip vorgesehen, wodurch die Dämpfung verbessert wird.
Bei einem Oberflächenwellenverzweigungsfilter, das in der ungeprüften japanischen Patentanmeldungsveröffentlichung Nr. 2003-51731 offenbart ist, sind Oberflächenwellenchips, die ein erstes und zweites Oberflächenwellenfilter bilden, in einem Gehäuse untergebracht. In diesem Fall sind das erste und zweite Oberflächenwellenfilter elektrisch mit Anschlusselektroden durch Bond-Drähte verbunden, die in dem Gehäuse angeordnet sind. Bei diesem Oberflächenwellenverzweigungsfilter überkreuzen ein Bonddraht, der mit einem Signalanschluss verbunden ist, und ein Bonddraht, der mit einem Masseanschluss verbunden ist, einander in dem ersten Oberflächenwellenfilter, wodurch die Isolation und Dämpfung verbessert wird.
Bei der Konfiguration, die in der ungeprüften japanischen Patentanmeldungsveröffentlichung Nr. 5-167389 beschrieben ist, sind die Signalleitungen des ersten und zweiten Oberflächenwellenfilterchips auf eine Weise angeordnet, die oben beschrieben ist, um eine gegenseitige induktive Kopplung zu unterdrücken. Bei dieser Anordnung jedoch, obwohl die gegenseitige Induktivität zu einem gewissen Ausmaß unterdrückt werden kann, ist die Unterdrückung noch nicht ausreichend. Somit ist mit dem Oberflächenwellenverzweigungsfilter 201 die Isolation zwischen dem ersten und zweiten Oberflächenwellenfilterchip nicht ausreichend.
Zusätzlich dazu, wenn eine Befestigungsverschiebung zwischen dem ersten und zweiten Oberflächenwellenfilterchip auftritt, besteht insofern ein Problem, dass die Dämpfungs- und Isolations-Charakteristika sich zu einem großen Ausmaß verschlechtern.
Zu dem kann für die Konfiguration, die in der japanischen ungeprüften Patentanmeldungsveröffentlichung Nr. 8-18393 beschrieben ist, wenn sie an eine Flip-Chip- Bondsystem-Gehäusestruktur angewendet wird, die Niedriginduktivitätskomponenten aufweist, die Dämpfung nicht ausreichend verbessert werden, aufgrund ihrer Niedriginduktivitätskomponenten.
Das Oberflächenwellenverzweigungsfilter, das in der japanischen ungeprüften Patentanmeldungsveröffentlichung Nr. 2003-51731 beschrieben ist, erreicht eine Aufhebung von Strom aufgrund einer gegenseitigen Induktivität, durch Überkreuzen der Bonddrähte. Das Filter macht es jedoch schwierig, eine Miniaturisierung eines Oberflächenwellenverzweigungsfilters zu erreichen, aufgrund der Struktur, die Bonddrähte verwendet.
Die DE 102 48 493 A1 beschreibt ein Verzweigungsfilter mit einem Empfangs-Oberflächenwellenfilter und einem Sende-Oberflächenwellenfilter, die auf einem Mehrschicht-Keramiksubstrat angeordnet sind. Das Verzweigungsfilter umfasst ferner zumindest ein Anpassungselement und ein Tiefpassfilter, die in dem Mehrschicht-Keramiksubstrat gebildet sind. Das Anpassungselement ist mit dem Empfangs-Oberflächenfilter verbunden, wobei das Tiefpassfilter mit dem Sende-Oberflächenwellenfilter verbunden ist. Die Masse des Tiefpassfilters ist in dem Mehrschicht-Keramiksubstrat von den Massen der anderen Schaltungselemente getrennt.
Die DE 199 41 872 A1 beschreibt eine Elektronik-komponente, die ein Substrat mit einer Oberfläche umfasst, auf der eine Elektrode gebildet ist. Ferner umfasst die Elektronikkomponente ein SAW-Schaltungselement mit einer Oberfläche, auf der eine Schaltung gebildet ist. Das Schaltungselement ist derart gehalten, dass sich die Oberfläche des Schaltungselements und die Oberfläche des Substrats gegenüber liegen. Eine Höckerelektrode verbindet die Schaltung auf dem Schaltungselement mit der Elektrode des Substrats, wobei ein Dichtungsmittel das Schaltungselement und das Substrat an dem Rand des Raumes zwischen der schaltungsbildenden Oberfläche des Schaltungselements und dem Substrat miteinander verbindet.
Die DE 199 32 649 A1 beschreibt ein SAW-Filter vom Reaktanzfiltertyp mit zumindest zwei SAW-Resonatoren in zwei parallelen Zweigen und einem SAW-Resonator in einem seriellen Zweig. Auf dem Substrat ist eine elektrische Verbindung der Masseseiten der zwei Resonatoren in den parallelen Zweigen vor der Anbindung an das Gehäuse vorgesehen, um eine Verschiebung der dem Parallelzweig zugehörenden Polstelle zu einer niedrigeren Frequenz zu erreichen.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Oberflächenwellenverzweigungsfilter mit einem ersten und einem zweiten Oberflächenwellenfilterchip zu schaffen, das eine Miniaturisierung erlaubt und eine Isolation zwischen den Oberflächenwellenfilterchips verbessert, eine vorteilhafte Dämpfungscharakteristik erreicht und geringe Charakteristikänderungen zeigt.
Diese Aufgabe wird durch ein Oberflächenwellenverzweigungsfilter gemäß Anspruch 1 gelöst.
Bevorzugte Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen definiert.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
1(a) und 1(b) sind eine schematische auseinandergezogene per- spektivische Ansicht bzw. eine Frontquerschnittsansicht, die ein Oberflächenwellenverzweigungsfilter gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellen.
2 ist ein Diagramm, das die Schaltungskonfiguration eines Oberflächenwellenverzweigungsfilters gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.
3 ist eine schematische Bodenansicht, die die Strukturen der Elektroden zeigt, die auf der unteren Oberfläche eines Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilterchips zur Verwendung bei dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung angeordnet sind.
4 ist eine schematische Draufsicht, die eine Mehrzahl von Verdrahtungsstrukturen auf der oberen Oberfläche eines Häusungsbauglieds darstellt, zur Verwendung bei dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
5 ist eine schematische Draufsicht, die Verdrahtungsstrukturen darstellt, die auf der oberen Oberfläche eines Häusungsbauglieds in einem bekannten Oberflächenwellenverzweigungsfilter angeordnet sind, das zum Vergleich vorbereitet ist.
6 ist ein Graph, der eine Frequenzcharakteristik des Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilters des ersten Ausführungsbeispiels und eine Frequenzcharakteristik eines Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilterchips eines Oberflächenwellenverzweigungsfilters des Vergleichsbeispiels zeigt.
7 ist ein Graph, der eine Isolationscharakteristik eines Oberflächenwellenverzweigungsfilters eines zweiten Ausführungsbeispiels und eine Isolationscharakteristik des Oberflächenwellenverzweigungsfilters des Vergleichsbeispiels zeigt.
8 ist eine schematische Draufsicht, die eine Verdrahtungsstruktur zeigt, bereitgestellt auf der oberen Oberfläche eines Häusungsbauglieds des Oberflächenwellenverzweigungsfilters des zweiten Ausführungsbeispiels.
9 ist eine schematische Draufsicht, die Verdrahtungsstrukturen auf der oberen Oberfläche eines Häusungsbauglieds darstellt, zur Verwendung bei einem Oberflächenwellenverzweigungsfilter gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
10 ist ein Graph, der eine Frequenzcharakteristik eines Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilters bei dem Oberflächenwellenverzweigungsfilter gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel zeigt.
11 ist ein Graph, der eine Isolationscharakteristik des Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilters bei dem Oberflächenwellenverzweigungsfilter gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel zeigt.
12 ist ein Graph, der eine Frequenzcharakteristik des Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilters bei dem Oberflächenwellenverzweigungsfilter des Vergleichsbeispiels zeigt.
13 ist ein Graph, der eine Isolationscharakteristik des Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilters bei dem Oberflächenwellenverzweigungsfilter des Vergleichsbeispiels zeigt.
14 ist eine schematische Draufsicht, die ein Oberflächenwellenverzweigungsfilter gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellt und Verdrahtungsstrukturen auf der oberen Oberfläche eines Häusungsbauglieds darstellt, das in demselben verwendet wird.
15 ist eine schematische Draufsicht, die Verdrahtungsstrukturen auf der oberen Oberfläche eines Häusungsbauglieds darstellt zur Verwendung bei einem Oberflächenwellenverzweigungsfilters gemäß einer Modifikation des ersten Ausführungsbeispiels.
16 ist eine Bodenansicht eines Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilterchips, der an der oberen Oberfläche des Häusungsbauglieds befestigt werden soll, das in 15 gezeigt ist.
17 ist eine schematische Draufsicht, die Verdrahtungsstrukturen auf der oberen Oberfläche eines Häusungsbauglieds darstellt zur Verwendung bei einem Oberflächenwellenverzweigungsfilter einer Modifikation des Oberflächenwellenverzweigungsfilters gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel.
18 ist eine schematische Draufsicht, die die Positionsbeziehungen einer Mehrzahl von Durchkontaktierungslochelektroden darstellt, die mit einer Empfangsseiten-Masseverdrahtungsstruktur verbunden sind, um eine Masseverbindung zu verbessern, bei den Verdrahtungsstrukturen, die in 17 gezeigt sind.
19 ist eine schematische Querschnittsdraufsicht, die ein bekanntes Oberflächenwellenverzweigungsfilter darstellt.
20 ist eine schematische Frontquerschnittsansicht, die ein anderes Beispiel eines bekannten Oberflächenwellenverzweigungsfilters darstellt.
Die vorliegende Erfindung wird aus der nachfolgenden Beschreibung der spezifischen Ausführungsbeispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen verständlich.
1(a) und 1(b) sind eine schematische auseinandergezogene perspektivische Ansicht bzw. eine Frontquerschnittsansicht, die ein Oberflächenwellenverzweigungsfilter gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellen. 2 ist ein Diagramm, das die Schaltungskonfiguration des Oberflächenwellenverzweigungsfilters dieses Ausführungsbeispiels zeigt.
Wie in 2 gezeigt ist, weist ein Oberflächenwellenverzweigungsfilter 1 einen Antennenverbindungsanschluss 2 auf, der mit einer Antenne ANT verbunden ist. Ein Sendeseiten-Oberflächenwellenfilterchip 3, der einen ersten Oberflächenwellenfilterchip definiert, und ein Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilterchip 4, der einen zweiten Oberflächenwellenfilterchip definiert, sind mit dem Antennenverbindungsanschluss 2 verbunden. Ein Phasenanpassungselement 5 ist zwischen den Antennenverbindungsanschluss 2 und den Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilterchip 4 geschaltet.
Wie gezeigt ist, weist jeder der Oberflächenwellenfilterchips 3 und 4 eine Struktur auf, bei der eine Mehrzahl von SAW-Resonatoren verbunden ist, um eine Leiterschaltung zu bilden. Genauer gesagt weist der Oberflächenwellenfilter chip 3 SAW-Resonatoren S1 bis S6 auf, die Reihen-Arm-Resonatoren definieren, und SAW-Resonatoren P1 und P2, die Parallel-Arm-Resonatoren definieren, und der Oberflächenwellenfilterchip 4 weist SAW-Resonatoren S7 bis S10 auf, die Reihen-Arm-Resonatoren definieren, und SAW-Resonatoren P3 bis P5, die Parallel-Arm-Resonatoren definieren.
In 2 sind Signalanschlüsse, die an gegenüberliegenden Seiten des ANT-Anschlusses 2 der Oberflächenwellenfilterchips 3 und 4 angeordnet sind, ein Sendeseiten-Signalanschluss 6 und ein Empfangsseiten-Signalanschluss 7.
Der SAW-Resonator P5 ist in nächster Nähe zu dem Empfangsseiten-Signalanschluss 7 und weist ein Ende verbunden mit dem Massepotential auf. Hierin ist von der Mehrzahl von SAW-Resonatoren bei dem Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilterchip 4 die Elektrodenstruktur in einem Häusungsbauglied, verbunden mit dem Massepotential des SAW-Resonators P5, strittig. Somit sollte bei der vorliegenden Erfindung darauf hingewiesen werden, dass ein Massepotential eines SAW-Resonators, der in nächster Nähe zu dem Ausgang des zweiten SAW-Filterchips ist, sich auf das Massepotential des SAW-Resonators P5 bezieht, gezeigt in 2.
Wie in 1(b) gezeigt ist, ist bei dem Oberflächenwellenverzweigungsfilter 1 ein hohler Abschnitt 8a in dem oberen Abschnitt eines Häusungsbauglieds 8 gebildet. Bei der vorliegenden Erfindung sind der Sendeseiten-Oberflächenwellenfilterchip 3 und der Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilterchip 4 auf einer Chipbefestigungsoberfläche 8b des Häusungsbauglieds befestigt. Hierin bezieht sich die Chipbefestigungsoberfläche 8b des Häusungsbauglieds 8 auf die Bodenoberfläche in dem hohlen Abschnitt 8a. Bei der vorliegenden Erfindung kann ein Flachplatten-Häusungsbauglied ohne hohlen Abschnitt 8a verwendet werden.
Bei dem Oberflächenwellenverzweigungsfilter 1 ist ein Deckelbauglied 9 an demselben angebracht, um den hohlen Abschnitt 8a des Häusungsbauglieds 8 abzudecken.
Bei dem Oberflächenwellenverzweigungsfilter 1 sind der Sendeseiten-Oberflächenwellenfilterchip 3 und der Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilterchip 4 elektrisch mit verschiedenen Verdrahtungsstrukturen verbunden, die auf der Chipbefestigungsoberfläche 8b des Häusungsbauglieds 8 vorgesehen sind und die nachfolgend beschrieben werden, die eine Mehrzahl von Höckern 10 und 11 verwenden, was schematisch gezeigt ist. Ferner sind die Oberflächenwellenfilterchips 3 und 4 mit der Chipbefestigungsoberfläche 8b des Häusungsbauglieds 8 verknüpft.
Das Phasenanpassungselement 5, gezeigt in 2, ist durch Streifenleitungen 12 und 13 definiert, gezeigt in 1(b). Die Streifenleitungen 12 und 13 sind in dem Häusungsbauglied 8 eingebettet und sind elektrisch mit dem Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilterchip 4 durch entsprechende Durchkontaktierungslochelektroden 14 und 15 verbunden.
Bei diesem Typ von Oberflächenwellenverzweigungsfilter 1 sind der Sendeseiten-Oberflächenwellenfilterchip 3 und der Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilterchip 4 benachbart zueinander angeordnet. Somit verläuft der Magnetfluss, der durch einen elektrischen Strom erzeugt wird, der durch den Sendeseiten-Oberflächenwellenfilterchip 3 verläuft, durch die Seite des Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilterchips 4. Genauer gesagt verläuft der Magnetfluss in einer Richtung, die senkrecht zu den Hauptoberflächen des Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilterchips 4 und der Chipbefestigungsoberfläche 8b des Häusungsbauglieds 8 ist. Als Ergebnis bestehen insofern Probleme, dass die Frequenzcharakteristika des Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilterchips 4 sich verschlechtern und die Isolation zwischen den Oberflä chenwellenfilterchips 3 und 4 sich aufgrund eines solchen Magnetflusses verschlechtert.
Bei dem Oberflächenwellenverzweigungsfilter 1 des ersten Ausführungsbeispiels wird die Form der Verdrahtungsstruktur, die auf der Chipbefestigungsoberfläche 8b des Häusungsbauglieds 8 gebildet ist, verbessert, um die Verschlechterung von Charakteristika aufgrund eines solchen Magnetflusses zu verhindern. Dies wird nun Bezug nehmend auf 1(a) zusammen mit 3 und 4 beschrieben.
1(a) ist eine auseinandergezogene, perspektivische Ansicht, die schematisch einen Abschnitt zeigt, bei dem der Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilterchip 4 an der Chipbefestigungsoberfläche 8b des Häusungsbauglieds 8 befestigt ist. Verschiedene Elektroden, gezeigt in 3, sind auf der unteren Oberfläche des Oberflächenwellenfilterchips 4 vorgesehen. Das heißt, die SAW-Resonatoren S7 bis S10 und P3 bis P5, die in 2 gezeigt sind, sind auf der unteren Oberfläche 4a des Oberflächenwellenfilterchips 4 angeordnet. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist jeder der SAW-Resonatoren S7 bis S10 und P3 bis P5 durch einen Ein-Tor-SAW-Resonator definiert und weist eine Struktur auf, bei der Reflektoren an zwei gegenüberliegenden Seiten der Oberflächenwellen-Ausbreitungsrichtung eines IDT (interdigital transducer = interdigitaler Wandler) vorgesehen sind.
Elektrodenanschlussflächen 16a bis 16g sind ebenfalls auf der unteren Oberfläche 4a des Oberflächenwellenfilterchips 4 angeordnet. Die Elektrodenanschlussflächen 16a bis 16g sind mit entsprechenden Metallhöckern versehen, die in 3 nicht gezeigt sind. Die Metallhöcker entsprechen z. B. den Metallhöckern 10, die schematisch in 1(b) gezeigt sind, und stehen abwärts von der unteren Oberfläche 4a des Oberflächenwellenfilterchips 4 hervor.
Auf der Chipbefestigungsoberfläche 8b des Häusungsbauglieds 8 ist eine Mehrzahl von Verdrahtungsstrukturen an Abschnit ten vorgesehen, die mit den oben beschriebenen Metallhöckern verknüpft sind. Somit, wie in 1(a) und 4 gezeigt ist, sind eine Antennenseiten-Signalverdrahtungsstruktur 22, eine Antennenseiten-Masseverdrahtungsstruktur 21, eine Zwischenstufen-Masseverdrahtungsstruktur 23, eine Empfangsseiten-Signalverdrahtungsstruktur 24 und eine Empfangsseiten-Masseverdrahtungsstruktur 25 bereitgestellt.
Merkmale dieses Ausführungsbeispiels liegen in den Strukturen der Empfangsseiten-Signalverdrahtungsstruktur 24 und der Empfangsseiten-Masseverdrahtungsstruktur 25.
Die Empfangsseiten-Signalverdrahtungsstruktur 24 ist ein Abschnitt, der mit dem Empfangsseiten-Signalanschluss 7 verknüpft ist, gezeigt in 2, d. h. dem Metallhöcker, der auf der Elektrodenanschlussfläche 16d vorgesehen ist, gezeigt in 3. Die Empfangsseiten-Masseverdrahtungsstruktur 25 ist andererseits ein Abschnitt, der mit dem Massepotential des SAW-Resonators P5 verbunden ist, gezeigt in 2, d. h. den individuellen Höckern, die auf den Elektrodenanschlussflächen 16e bis 16g vorgesehen sind, gezeigt in 3.
An einem Abschnitt, angezeigt durch eine strich-gepunktete Linie B in 4, sind verschiedene Verdrahtungsstrukturen, die mit dem Sendeseiten-Oberflächenwellenfilterchip 3 verbunden sind, gezeigt in 1(b), angeordnet.
Bei dem Oberflächenwellenverzweigungsfilter 1 ist eine Mehrzahl von Durchkontaktierungslochelektroden V1 bis V9 in dem Häusungsbauglied 8 vorgesehen. Das obere Ende von jeder der Durchkontaktierungslochelektroden V1 bis V9 ist mit einer der Verdrahtungsstrukturen 21 bis 25 verbunden. Bei diesem Ausführungsbeispiel erstrecken sich die Durchkontaktierungslochelektroden V1 bis V9, um zumindest einen Abschnitt des Häusungsbauglieds 8 zu durchdringen, d. h. erstrecken sich in einer Richtung senkrecht zu der Chipbefestigungsoberfläche 8b. Die Durchkontaktierungslochelekt rode V4 ist mit der Antennensignalverdrahtungsstruktur 22 verbunden und ist elektrisch mit den Streifenleitungen 12 und 13 verbunden, wie oben beschrieben. Die anderen Durchkontaktierungslochelektroden sind vorgesehen, um sich zu der unteren Oberfläche des Häusungsbauglieds 8 zu erstrecken, und sind elektrisch mit äußeren Verbindungselektroden verbunden, die auf der unteren Oberfläche des Häusungsbauglieds 8 angeordnet sind.
Unterdessen ist die Mehrzahl von Durchkontaktierungslochelektroden V7 bis V9 elektrisch mit der Empfangsseiten-Masseverdrahtungsstruktur 25 verbunden. Somit weist das Oberflächenwellenverzweigungsfilter 1 auch einen Vorteil insofern auf, dass die Masseverbindung durch die Durchkontaktierungslochelektroden V7 bis V9 verbessert wird.
Wie oben beschrieben ist, sind bei dem Oberflächenwellenverzweigungsfilter 1 der Sendeseiten-Oberflächenwellenfilterchip 3 und der Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilterchip 4 benachbart zueinander angeordnet. Somit erzeugen während der Operation elektrische Signale, die durch den Sendeseiten-Oberflächenwellenfilterchip 3 fließen, und Elektrodenabschnitte auf dem Häusungsbauglied 8, die elektrisch mit dem Sendeseiten-Oberflächenwellenfilter 3 verbunden sind, einen Magnetfluss. Dieser Magnetfluss verläuft in der Richtung senkrecht zu der Chipbefestigungsoberfläche 8b durch den Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilterchip 4 und die Abschnitte der Chipbefestigungsoberfläche 8b des Häusungsbauglieds 8, an dem die Verdrahtungsstrukturen 21 bis 25 vorgesehen sind.
Wenn bei dem Oberflächenwellenverzweigungsfilter 1 ein Magnetfluss insbesondere durch die Abschnitte verläuft, an denen die Empfangsseiten-Signalverdrahtungsstruktur 24 und die Empfangsseiten-Masseverdrahtungsstruktur 25 vorgesehen sind, verschlechtert sich die Isolation. Dementsprechend ist bei diesem Ausführungsbeispiel die Empfangsseiten-Signalverdrahtungsstruktur 24 gebogen, um eine im Wesentli chen U-förmige Konfiguration aufzuweisen, wie in 1(a) und 4 gezeigt ist. Dies schafft eine Konfiguration, bei der die Empfangsseiten-Signalverdrahtungsstruktur 24 einen Verdrahtungsstrukturabschnitt aufweist, der in großer Nähe zu der Empfangsseiten-Masseverdrahtungsstruktur 25 ist. Als Ergebnis ist es möglich, den Einfluss eines Magnetflusses zu unterdrücken, der in der Richtung senkrecht zu der Chipbefestigungsoberfläche 8b durch den Abschnitt zwischen der Empfangsseiten-Signalverdrahtungsstruktur 24 und der Empfangsseiten-Masseverdrahtungsstruktur 25 verläuft.
Dies wird im Vergleich zu einer ebenen Form der Verdrahtungsstruktur beschrieben, die in 5 gezeigt ist und die einem herkömmlichen Beispiel entspricht. 5 ist eine schematische Draufsicht eines Häusungsbauglieds 220, das zum Vergleich vorbereitet ist. In diesem Fall, wie bei der Chipbefestigungsoberfläche 8b des Häusungsbauglieds 8, sind eine Antennenseiten-Signalverdrahtungsstruktur 222, eine Antennenseiten-Masseverdrahtungsstruktur 221, eine Zwischenstufen-Masseverdrahtungsstruktur 223, eine Empfangsseiten-Signalverdrahtungsstruktur 224 und eine Empfangsseiten-Masseverdrahtungsstruktur 225 auf der Chipbefestigungsoberfläche des Häusungsbauglieds 220 vorgesehen. Die Empfangsseiten-Signalverdrahtungsstruktur 224 ist von den benachbarten Verdrahtungsstrukturen beabstandet, ähnlich zu den Verdrahtungsstrukturen 222 und 223. Wie aus 5 ersichtlich ist, weist die Empfangsseiten-Signalverdrahtungsstruktur 224 eine im Wesentlichen lineare Form auf.
Im Gegensatz dazu ist bei dem Oberflächenwellenverzweigungsfilter 1 dieses Ausführungsbeispiels die Empfangsseiten-Signalverdrahtungsstruktur 24 gebogen, um die im Wesentlichen U-förmige Konfiguration aufzuweisen, und ist in große Nähe zu der Empfangsseiten-Masseverdrahtungsstruktur 25 gebracht.
Genauer gesagt, wie in 4 gezeigt ist, weist bei diesem Ausführungsbeispiel die Empfangsseiten-Signalverdrahtungsstruktur 24 einen ersten Verdrahtungsstrukturabschnitt 24a, einen zweiten Verdrahtungsstrukturabschnitt 24b und einen dritten Verdrahtungsstrukturabschnitt 24c auf. Der erste Verdrahtungsstrukturabschnitt 24a liegt an einem Abschnitt gegenüberliegend zu der Empfangsseiten-Masseverdrahtungsstruktur 25, um sich linear parallel zu einer Kante der Empfangsseiten-Masseverdrahtungsstruktur 25 zu erstrecken. Der zweite und dritte Verdrahtungsstrukturabschnitt 24b und 24c sind von zwei gegenüberliegenden Seiten des ersten Verdrahtungsstrukturabschnitts 24a in einer Richtung, die im Wesentlichen senkrecht zu dem ersten Verdrahtungsstrukturabschnitt 24a ist, und weg von der Empfangsseiten-Masseverdrahtungsstruktur 25 gebogen. Der zweite und dritte Verdrahtungsstrukturabschnitt 24b und 24c müssen nicht notwendigerweise senkrecht zu dem ersten Verdrahtungsstrukturabschnitt 24a sein und können somit gebogen sein, um einen anderen Winkel als ungefähr 90° zu bilden.
6 zeigt eine Frequenzcharakteristik des Oberflächenwellenverzweigungsfilters 1 dieses Ausführungsbeispiels unter Verwendung des Häusungsbauglieds 8 und eine Frequenzcharakteristik eines Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilterchips eines Oberflächenwellenverzweigungsfilters eines Vergleichsbeispiels. Das Oberflächenwellenverzweigungsfilter des Vergleichsbeispiels ist auf die selbe Weise konfiguriert wie das Oberflächenwellenverzweigungsfilter 1 dieses Ausführungsbeispiels, verwendet aber das Häusungsbauglied 220, das in 5 gezeigt ist. Die durchgezogene Linie in 6 zeigt das Ergebnis des ersten Ausführungsbeispiels an, und die gepunktete Linie zeigt das Ergebnis des Vergleichsbeispiels an.
7 ist ein Graph, der die Isolationscharakteristik der Oberflächenwellenverzweigungsfilter des Ausführungsbeispiels, das oben beschrieben ist, und des Vergleichsbeispiels zeigt. Die durchgezogene Linie zeigt das Ergebnis des Ausführungsbeispiels an und die gepunktete Linie zeigt das Ergebnis des Vergleichsbeispiels an. Das Tx-Durchlassband der Oberflächenwellenverzweigungsfilter ist 824 bis 849 MHz und das Rx-Durchlassband derselben ist 869 bis 894 MHz.
Wie aus 6 und 7 deutlich wird, weist das Oberflächenwellenverzweigungsfilter dieses Ausführungsbeispiels eine vorteilhafte Isolationscharakteristik in einem Band außerhalb des Durchlassbandes des Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilters auf, im Vergleich zu dem Oberflächenwellenverzweigungsfilter des Vergleichsbeispiels, und zeigt somit eine ausreichende Außerband-Dämpfung bei den Frequenzcharakteristika des Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilterchips. Dies scheint der Fall zu sein, da die Empfangsseiten-Signalverdrahtungsstruktur 24 in großer Nähe zu der Empfangsseiten-Masseverdrahtungsstruktur 25 ist, wie oben beschrieben ist, um dadurch den Einfluss des zuvor erwähnten Magnetflusses zu unterdrücken, der durch einen Abschnitt zwischen denselben fließt.
8 ist eine schematische Draufsicht, die die Strukturen von Verdrahtungsstrukturen auf der oberen Oberfläche des Häusungsbauglieds eines Oberflächenwellenverzweigungsfilters gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. 8 entspricht 4, in der das erste Ausführungsbeispiel dargestellt ist. Da andere Strukturen des Oberflächenwellenverzweigungsfilters des zweiten Ausführungsbeispiels analog zu jenen des ersten Oberflächenwellenverzweigungsfilters sind, wird die Beschreibung des ersten Ausführungsbeispiels aufgenommen.
Bei dem Oberflächenwellenverzweigungsfilter des zweiten Ausführungsbeispiels, wie bei dem ersten Ausführungsbeispiel, sind die Antennenseiten-Signalverdrahtungsstruktur 22, die Antennenseiten-Masseverdrahtungsstruktur 21, die Zwischenstufen-Masseverdrahtungsstruktur 23 und die Empfangsseiten-Masseverdrahtungsstruktur 25 auf der Chipbefes tigungsoberfläche 8b des Häusungsbauglieds 8 angeordnet. Während die im Wesentlichen U-förmige Empfangsseiten-Signalverdrahtungsstruktur 24 in dem ersten Ausführungsbeispiel gebildet ist, weist eine Empfangsseiten-Signalverdrahtungsstruktur 31 bei dem zweiten Ausführungsbeispiel keine im Wesentlichen U-förmige Konfiguration sondern eine lineare Form auf.
Die Durchkontaktierungslochelektrode V6 ist mit der Empfangsseiten-Signalverdrahtungsstruktur 31 verbunden, und die Durchkontaktierungslochelektroden V7 bis V9 sind mit der Empfangsseiten-Masseverdrahtungsstruktur 25 verbunden. Von den Durchkontaktierungslochelektroden V7 bis V9 ist die Durchkontaktierungslochelektrode V7 in größter Nähe zu der Durchkontaktierungslochelektrode V6. Von den Durchkontaktierungslochelektroden V1 bis V9, die elektrisch mit dem Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilterchip 4 verbunden sind, ist die Distanz zwischen der Durchkontaktierungslochelektrode V6 und der Durchkontaktierungslochelektrode V7 auf ein Minimum unter den Distanzen zwischen Durchkontaktierungslochelektroden eingestellt, die mit unterschiedlichen Potentialen verbunden sind. Von anderen Paaren von benachbarten Durchkontaktierungslochelektroden, die mit unterschiedlichen Potentialen verbunden sind, kann die Distanz zwischen zumindest einem Paar von Durchkontaktierungslochelektroden die gleiche sein wie die Distanz zwischen der Durchkontaktierungslochelektrode V6 und der Durchkontaktierungslochelektrode V7.
Da die Distanz zwischen der Durchkontaktierungslochelektrode V6 und der Durchkontaktierungslochelektrode V7 reduziert ist, wie oben bei diesem Ausführungsbeispiel beschrieben wurde, wird der zuvor erwähnte Magnetfluss daran gehindert, durch einen Abschnitt zwischen der Empfangsseiten-Signalverdrahtungsstruktur 31 und der Empfangsseiten-Masseverdrahtungsstruktur 25 zu fließen. Der Grund dafür ist bei diesem Ausführungsbeispiel, dass die Durchkontaktierungslochelektroden V6 und V7 so vorgesehen sind, um sich von der Chipbefestigungsoberfläche 8b des Häusungsbauglieds 8 zu einer niedrigeren Oberfläche 8c des Häusungsbauglieds 8 durch zumindest einen Abschnitt des Häusungsbauglieds 8 zu erstrecken. Somit unterdrückt eine Reduzierung bei der Distanz zwischen den Durchkontaktierungslochelektroden V6 und V7 den Einfluss des zuvor erwähnten Magnetflusses zwischen denselben.
Auf diese Weise kann der Einfluss des Magnetflusses, der durch ein Signal erzeugt wird, das durch den Sendeseiten-Oberflächenwellenfilterchip 3 und die Elektroden des Häusungsbauglieds 8 verläuft, die mit dem Sendeseiten-Oberflächenwellenfilterchip 3 verbunden sind, auch überwunden werden durch Reduzieren der Distanz R zwischen der Durchkontaktierungslochelektrode V6 und der Durchkontaktierungslochelektrode V7.
Wie oben beschrieben wurde, wird die Durchkontaktierungslochelektrode V6 in große Nähe zu der Durchkontaktierungslochelektrode V7 gebracht. Anders ausgedrückt, an einem Abschnitt, bei dem die Durchkontaktierungslochelektrode V6 vorgesehen ist, wird die Empfangsseiten-Signalverdrahtungsstruktur 31 in große Nähe zu der Empfangsseiten-Masseverdrahtungsstruktur 25 gebracht. Das heißt, bei dem Oberflächenwellenverzweigungsfilter des zweiten Ausführungsbeispiels, weist die Empfangsseiten-Signalverdrahtungsstruktur 31 auch einen Verdrahtungsstrukturabschnitt auf, der in großer Nähe zu der Empfangsseiten-Masseverdrahtungsstruktur 25 ist.
Bei dem zweiten Ausführungsbeispiel, da es ausreichend ist, die Durchkontaktierungslochelektrode V6 in große Nähe zu der Durchkontaktierungslochelektrode V7 zu bringen, muss die Signalverdrahtungsstruktur 31 keine komplizierte Form aufweisen. In der Praxis jedoch, zur Miniaturisierung, ist es schwierig, ein Paar aus Durchkontaktierungslochelektroden zu bilden, um in großer Nähe zueinander zu sein, wie bei der Durchkontaktierungslochelektrode V6 und der Durch kontaktierungslochelektrode V7. Somit wird für eine Miniaturisierung des Oberflächenwellenverzweigungsfilters ein Abschnitt der Empfangsseiten-Signalverdrahtungsstruktur in große Nähe zu der Empfangsseiten-Masseverdrahtungsstruktur 25 gebracht, wie bei dem ersten Ausführungsbeispiel, um eine Struktur zu schaffen, bei der die Distanz zwischen der Durchkontaktierungslochelektrode V6 und der Durchkontaktierungslochelektrode V7 vergrößert im Vergleich zu dem zweiten Ausführungsbeispiel ist. Diese Struktur erleichtert die Bildung der Durchkontaktierungslochelektroden V6 und V7. Somit, wenn die Bildungsgenauigkeit der Durchkontaktierungslochelektroden betrachtet wird, erleichtert die Struktur des ersten Ausführungsbeispiels die Herstellung und ist somit vorteilhaft im Vergleich zu dem zweiten Ausführungsbeispiel.
9 ist eine Ansicht, die ein Oberflächenwellenverzweigungsfilter gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellt. Genauer gesagt ist 9 eine schematische Draufsicht, die die Strukturen von Verdrahtungsstrukturen auf der Chipbefestigungsoberfläche eines Häusungsbauglieds zur Verwendung bei dem dritten Ausführungsbeispiel zeigt und 4 entspricht, die in Verbindung mit dem ersten Ausführungsbeispiel dargestellt ist.
Da andere Strukturen bei dem dritten Ausführungsbeispiel analog zu jenen bei dem ersten Ausführungsbeispiel sind, wird die Beschreibung derselben aufgenommen.
Bei dem Oberflächenwellenverzweigungsfilter des dritten Ausführungsbeispiels sind eine Antennenseiten-Signalverdrahtungsstruktur 41, eine Antennenseiten-Masseverdrahtungsstruktur 42, eine Zwischenstufen-Masseverdrahtungsstruktur 43, eine Empfangsseiten-Signalverdrahtungsstruktur 44 und eine Empfangsseiten-Masseverdrahtungsstruktur 45 auf der oberen Oberfläche des Häusungsbauglieds 8 angeordnet. Durchkontaktierungslochelektroden V1 bis V10 sind so vorge sehen, um zumindest einen Abschnitt des Häusungsbauglieds 8 zu durchdringen.
Bei dem dritten Ausführungsbeispiel ist die Empfangsseiten-Signalverdrahtungsstruktur 44 ebenfalls auf die selbe Weise konfiguriert wie die Empfangsseiten-Signalverdrahtungsstruktur 24 des ersten Ausführungsbeispiels. Das heißt, die Empfangsseiten-Verdrahtungsstruktur 44 weist eine gebogene, im Wesentlichen U-förmige Konfiguration auf, um einen Verdrahtungsstrukturabschnitt aufzuweisen, der in großer Nähe zu der Empfangsseiten-Masseverdrahtungsstruktur 45 ist. Somit, wie bei dem ersten Ausführungsbeispiel, kann die Form der Empfangsseiten-Signalverdrahtungsstruktur 44 den Einfluss des vorangehend erwähnten Magnetflusses von der Seite des Sendeseiten-Oberflächenwellenfilterchips 3 unterdrücken.
Zusätzlich dazu sind bei diesem Ausführungsbeispiel die Durchkontaktierungslochelektrode V10 und die Durchkontaktierungslochelektrode V7 angeordnet, wie in der Figur gezeigt ist, um zu ermöglichen, dass der Magnetfluss aufgehoben wird, was weiter die Dämpfung und Isolation verbessern kann. Die Anordnung und die Strukturen von den Durchkontaktierungslochelektroden V7 und V10 wird nun beschrieben.
In 9 sind die Durchkontaktierungslochelektroden V7 und V10 an zwei gegenüberliegenden Seiten der imaginären Linie E angeordnet, die die imaginären Punkte C und D verbindet. Die Durchkontaktierungslochelektrode V10 ist mit der Empfangsseiten-Masseverdrahtungsstruktur 45 verbunden, auf die selbe Weise wie die Durchkontaktierungslochelektroden V7 bis V9. Der imaginäre Punkt D zeigt einen Abschnitt an, der mit dem Höcker verbunden ist, der mit dem Empfangsseiten-Signalanschluss 7 des Oberflächenwellenfilterchips 4 verbunden ist, gezeigt in 1. Der imaginäre Punkt C zeigt einen Abschnitt an, der mit dem Höcker auf der Elektrodenanschlussfläche 16f verknüpft ist, die mit dem Massepoten tial des SAW-Resonators P5 des Oberflächenwellenfilterchips 4 verbunden ist, wie in 1 gezeigt ist. Das heißt, der Punkt D ist die Verbindungsstelle des Höckers, der mit dem Ausgangsende des Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilterchips 4 verbunden ist, der den zweiten Oberflächenwellenfilterchip definiert und der in größter Nähe zu der Signalverdrahtungsstruktur ist. Der Punkt C ist mit dem Höcker verbunden, der mit dem Massepotential des SAW-Resonators verbunden ist, der in größter Nähe zu dem Ausgangsende ist. Die Durchkontaktierungslochelektroden V7 und V10, die mit Massepotential verbunden sind, sind auf gegenüberliegenden Seiten der imaginären Linie E angeordnet, die die Punkte C und D verbindet.
Während der Verwendung des Oberflächenwellenverzweigungsfilters 1, wenn ein Magnetfluss, der aus der Sendeseite geleckt ist, in der Richtung verläuft, die senkrecht zu der oberen Oberfläche des Gehäuses 8 ist, werden induzierte Ströme, angezeigt durch gepunktete Linien F und G in 9, in einer solchen Richtung erzeugt, um um den Magnetfluss zu kreisen. Bei diesem Ausführungsbeispiel jedoch sind die Durchkontaktierungslochelektroden V7 und V10 an zwei gegenüberliegenden Seiten der imaginären Linie E angeordnet. Anders ausgedrückt wird Strom, der zu dem Massepotential fließt, unterteilt und fließt in Linien H und I, so dass die induzierten Ströme F und G einander aufheben. Somit ist es möglich, den Einfluss des zuvor erwähnten Magnetflusses zu unterdrücken und die Außerband-Dämpfung und -Isolierung weiter zu verbessern. Dies wird beschrieben Bezug nehmend auf 10 bis 13. 10 und 11 sind Graphen, die Frequenzcharakteristika bzw. Isolationscharakteristika der Empfangsseite des Oberflächenwellenverzweigungsfilters gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel zeigen. 12 und 13 sind Graphen, die Frequenzcharakteristika und Isolationscharakteristika der Empfangsseite des Oberflächenwellenverzweigungsfilters des oben beschriebenen Vergleichsbeispiels zeigen.
Die Befestigungsposition jedes Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilterchips wurde innerhalb der Chipbefestigungsoberfläche in der vertikalen und horizontalen Richtung um ungefähr 50 μm mit befestigtem Sendeseiten-Oberflächenwellenfilterchip verschoben, und die Charakteristika wurden erhalten. Von diesen Charakteristika, in 10 bis 13, zeigen die durchgezogenen Linien die besten Dämpfungscharakteristika und die besten Isolationscharakteristika an, und die gepunkteten Linien zeigen die schlechtesten Dämpfungscharakteristika und die schlechtesten Isolationscharakteristika an. In 10 und 11, sogar wenn die Befestigungsverschiebung des Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilters auftritt, weichen die Charakteristika kaum ab. Somit überlappen die durchgezogene Linie und die gepunktete Linie miteinander zu einem solchen Grad, dass es schwierig ist, zwischen denselben zu unterscheiden. Im Gegensatz dazu, in 12 und 13, wenn die Befestigungsverschiebung des Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilters auftritt, weichen die Dämpfungs- und Isolations-Charakteristika zu einem hohen Grad ab, wodurch die Differenz zwischen der durchgezogenen Linie und der gepunkteten Linie erhöht wird.
Wie aus dem Vergleich zwischen 10, 11, 12 und 13 ersichtlich ist, war bei dem Vergleichsbeispiel die Abweichung der Dämpfung des Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilters bei dem Sendeseiten-Durchlassband 4,0 dB und die Abweichung der Isolation bei dem Sendeseiten-Band war 5,1 dB. Im Gegensatz dazu zeigt das dritte Ausführungsbeispiel eine bedeutende Verbesserung. Die Dämpfung des Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilters bei dem Durchlassband des Sendeseiten-Oberflächenwellenfilters war 1,2 dB und die Isolation desselben bei dem Sendeseiten-Durchlassband war 0,8 dB.
Wie aus dem Vergleich zwischen 10 und 11 und 12 und 13 ersichtlich ist, zeigt das dritte Ausführungsbeispiel eine sogar noch vorteilhaftere Isolationscharakteristik in einem Band außerhalb des Empfangsseiten-Passbandes und kann eine ausreichende Dämpfung bei Frequenzen niedriger als dem Durchlassband bei der Frequenzcharakteristik liefern.
Bei dem dritten Ausführungsbeispiel ist der oben beschriebene imaginäre Punkt C ein Abschnitt, der mit einem Höcker auf der Elektrodenanschlussfläche 16f verbunden ist, verbunden mit dem Massepotential des SAW-Resonators P5 des Oberflächenwellenfilterchips 4. Eine Mehrzahl von Höckern kann jedoch auf der Elektrodenanschlussfläche gebildet sein, verbunden mit dem Massepotential des SAW-Resonators P5 des Oberflächenwellenfilterchips 4. In einem solchen Fall entspricht die Mitte der Mehrzahl von Höckern dem imaginären Punkt C. Das heißt, der Höcker, der mit dem Massepotential des SAW-Resonators 5 verbunden ist und der in großer Nähe zu der Signalverdrahtungsstruktur ist, kann durch eine Mehrzahl von Höckern gebildet sein. In einem solchen Fall können die Durchkontaktierungslochelektroden V7 und V10 derart angeordnet sein, dass der Mittelpunkt der Mehrzahl von Höckern der imaginäre Punkt D ist.
14 ist eine schematische Draufsicht, die ein Oberflächenwellenverzweigungsfilter gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellt. 14 ist eine schematische Draufsicht, die die Strukturen von Elektroden auf der Chipbefestigungsoberfläche 8b des Häusungsbauglieds 8 zeigt.
Das Oberflächenwellenverzweigungsfilter des vierten Ausführungsbeispiels entspricht einer Modifikation des zweiten Oberflächenwellenverzweigungsfilters, das oben beschrieben ist. Somit, wie in 8 gezeigt ist, weist bei dem zweiten Ausführungsbeispiel die Empfangsseiten-Signalverdrahtungsstruktur 31 eine im Wesentlichen lineare Form auf und ist mit der Durchkontaktierungslochelektrode V6 an dem Außenende verbunden. Obwohl die Signalverdrahtungsstruktur 31 gebildet ist, um eine im Wesentlichen lineare Form bei dem zweiten Ausführungsbeispiel aufzuweisen, kann eine L- förmige Signalverdrahtungsstruktur, wie in 14 gezeigt ist, als die Empfangsseiten-Signalverdrahtungsstruktur 32 gebildet sein. In diesem Fall ist auf ähnliche Weise die Empfangsseiten-Signalverdrahtungsstruktur 32 mit der Durchkontaktierungslochelektrode V6 an dem Außenende verbunden. Unter den Distanzen zwischen den Paaren von Durchkontaktierungslochelektroden, die mit unterschiedlichen Potentialen verbunden sind, ist die Distanz zwischen der Durchkontaktierungslochelektrode V6 und der Durchkontaktierungslochelektrode V7, die mit der Empfangsseiten-Masseverdrahtungsstruktur 25 verbunden ist, auf ein Minimum eingestellt, wie bei dem zweiten Ausführungsbeispiel. Somit, ähnlich zu dem zweiten Ausführungsbeispiel, kann auch dieses Ausführungsbeispiel die Dämpfung des Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilters erhöhen und die Isolation verbessern.
15 und 16 sind Ansichten, die eine andere Modifikation des ersten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung darstellen. 15 ist eine Ansicht, die die Form von Verdrahtungsstrukturen auf der oberen Oberfläche eines Strukturbauglieds zur Verwendung bei dieser Modifikation zeigt. 16 ist eine schematische Bodenansicht, die die Formen von Elektroden auf der unteren Oberfläche des Oberflächenwellenfilterchips 4 zur Verwendung bei dieser Modifikation zeigt.
Während die Masseverdrahtungsstruktur 25 bei dem ersten Ausführungsbeispiel eine Elektrode umfasst, kann die Empfangsseiten-Masseverdrahtungsstruktur 25 in eine Masseverdrahtungsstruktur 25a und eine Masseverdrahtungsstruktur 25b getrennt sein, wie in 15 gezeigt ist. Somit kann auf ähnliche Weise bei jedem des ersten, zweiten und dritten Ausführungsbeispiels die Empfangsseiten-Masseverdrahtungsstruktur in eine Mehrzahl von Verdrahtungsstrukturen getrennt sein.
17 ist eine Ansicht, die ein Oberflächenwellenverzweigungsfilter gemäß einer Modifikation des Oberflächenwellenverzweigungsfilters des dritten Ausführungsbeispiels darstellt, das oben beschrieben ist. 17 ist eine Ansicht, die 9 entspricht, bei der das dritte Ausführungsbeispiel dargestellt ist.
Bei dem Oberflächenwellenverzweigungsfilter dieser Modifikation weist eine Empfangsseiten-Verdrahtungsstruktur 44a keine im Wesentlichen U-förmige Konfiguration auf. Bei diesem Ausführungsbeispiel, wie bei dem Oberflächenwellenverzweigungsfilter des dritten Ausführungsbeispiels, sind die Durchkontaktierungslochelektrode V10 und die Durchkontaktierungslochelektrode V7 angeordnet, wie in der Figur gezeigt ist. Diese Anordnung kann den Einfluss eines Magnetflusses von der Seite des Sendeseiten-Oberflächenwellenfilterchips 3 aufheben, um dadurch die Dämpfung und Isolation zu verbessern.
Somit, wie in 17 gezeigt ist, in der die Form der Empfangsseiten-Signalverdrahtungsstruktur bei dem dritten Ausführungsbeispiel verändert ist, kann die Anordnung der Durchkontaktierungslochelektroden V7 und V10, wie gezeigt ist, die Dämpfung und Isolation verbessern, aber nicht so viel wie im Vergleich zu dem dritten Ausführungsbeispiel.
Zusätzlich dazu, wie schematisch in 18 gezeigt ist, ist bei der Modifikation, die in 17 gezeigt ist, auf der Oberfläche, mit der ein Höcker für eine Empfangsseiten-Masseverdrahtungsstruktur verbunden ist, der Winkel, der durch eine Linie, die den imaginären Punkt D und die Durchkontaktierungslochelektrode V7 verbindet, die mit einer Empfangsseiten-Masseverdrahtungsstruktur verbunden ist, und eine Linie, die den imaginären Punkt D und die Durchkontaktierungslochelektrode V10 verbindet, die mit einer anderen Masseverdrahtungsstruktur verbunden ist, gebildet wird, vorzugsweise 90° oder mehr. Als ein Ergebnis wird die Masseverbindung bei der Empfangsseiten-Masseverdrahtungsstruktur verbessert.
Die gepunktete Linie J, gezeigt in 18, zeigt eine Region an, in der der Oberflächenwellenfilterchip 4 an der Chipbefestigungsoberfläche 8b des Häusungsbauglieds 8 befestigt ist. Wie aus 18 deutlich wird, sind die Durchkontaktierungslochelektroden V1 bis V10 innerhalb und außerhalb der Region verteilt, in der der Empfangsseiten-Oberflächenwellenfilterchip 4 befestigt ist. Anders ausgedrückt ist die Durchkontaktierungslochelektrode V10 innerhalb der Region angeordnet, in der der Oberflächenwellenfilterchip 4 befestigt ist, und andere Durchkontaktierungslochelektroden V7 bis V9, die mit Massepotential verbunden sind, sind außerhalb dieser Region angeordnet. Auf diese Weise ist zumindest eine Durchkontaktierungslochelektrode V10 in der Region angeordnet, in der der Oberflächenwellenfilterchip 4 befestigt ist, und die anderen Durchkontaktierungslochelektroden V1 bis V9 sind in einer Region außerhalb der Region angeordnet, in der der Oberflächenwellenfilterchip 4 befestigt ist. Mit dieser Anordnung, während der erste und zweite Oberflächenwellenfilterchip 3 und 4 bei den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen und Modifikationen als separate Chips konfiguriert sind, können der erste und zweite Oberflächenwellenfilterchip 3 und 4 integriert und als ein einzelner Chip konfiguriert sein.
Bei einem Oberflächenwellenverzweigungsfilter gemäß einer ersten Erfindung ist eine Signalverdrahtungsstruktur, die auf einer Chipbefestigungsoberfläche eines Häusungsbauglieds angeordnet ist, konfiguriert, um einen Strukturabschnitt aufzuweisen, der in größerer Nähe zu einer Masseverdrahtungsstruktur als zu einem Höcker eines zweiten Oberflächenwellenfilterchips ist, der mit der Signalverdrahtungsstruktur verbunden ist. Somit ist es möglich, einen Magnetfluss daran zu hindern, der durch ein Signal verursacht wird, das durch einen ersten Oberflächenwellenfilterchip fließt, durch einen Abschnitt zu passieren, an dem die Masseverdrahtungsstruktur und die Signalverdrahtungsstruktur, die mit dem zweiten Oberflächenwellenfilterchip verbunden ist, vorgesehen sind. Somit ist es möglich, die Isolationscharakteristik in einem Band außerhalb des Durchlassbandes des zweiten Oberflächenwellenfilters zu verbessern und eine ausreichende Außerbanddämpfung für das zweite Oberflächenwellenfilter zu schaffen.
Die Signalverdrahtungsstruktur ist gebogen, um in großer Nähe zu der Masseverdrahtungsstruktur zu sein, um dadurch den zuvor erwähnten Strukturabschnitt zu liefern, der in großer Nähe zu der Masseelektrodenstruktur ist. In diesem Fall kann ein ausschließliches Konfigurieren der ebenen Form der Signalverdrahtungsstruktur die Isolation der Seite des zweiten Oberflächenwellenfilters gemäß der vorliegenden Erfindung verbessern.
Wenn die Signalverdrahtungsstruktur einen ersten Verdrahtungsstrukturabschnitt aufweisen kann, der sich parallel zu einer Kante der Masseverdrahtungsstruktur an einem Abschnitt in großer Nähe zu der Masseverdrahtungsstruktur erstreckt, und einen zweiten und dritten Verdrahtungsstrukturabschnitt, die von zwei gegenüberliegenden Enden des ersten Verdrahtungsstrukturabschnitts in einer Richtung weg von dem Massestrukturabschnitt gebogen sind. In diesem Fall kann das Bilden der Signalverdrahtungsstruktur, um eine solche im Wesentlichen U-förmige Konfiguration aufzuweisen, die Außerbandisolation der Seite des zweiten Oberflächenwellenfilters gemäß der vorliegenden Erfindung verbessern.
An dem zweiten oder dritten Verdrahtungsstrukturabschnitt kann die Signalverdrahtungsstruktur elektrisch mit dem Ausgangsende des zweiten Oberflächenwellenfilterchips über einen Höcker verbunden sein. In diesem Fall, sogar wenn der erste Verdrahtungsstrukturabschnitt in große Nähe zu der Masseverdrahtungsstruktur gebracht wird, um die Isolation zu verbessern, ist es möglich, den Verbindungsabschnitt der Signalverdrahtungsstruktur mit einem Höcker weg von der Masseverdrahtungsstruktur anzuordnen. Somit ist es möglich, ohne weiteres das zweite Oberflächenwellenfilter mit dem Häusungsbauglied mit einem Höcker zu verbinden. Zusätzlich dazu kann eine Durchkontaktierungslochelektrode, die mit dem zweiten oder dritten Verdrahtungsstrukturabschnitt verbunden ist, in dem Häusungsbauglied an dem zweiten oder dritten Verdrahtungsstrukturabschnitt gebildet sein. In diesem Fall können die Durchkontaktierungslochelektrode und die Durchkontaktierungslochelektrode, die mit der Masseseiten-Verdrahtungsstruktur verbunden ist, voneinander beabstandet sein. Somit kann für eine Miniaturisierung die Distanz zwischen beiden Durchkontaktierungslochelektroden groß genug gemacht werden, wodurch die Bildung der Durchkontaktierungslochelektroden erleichtert wird.
Bei einem Oberflächenwellenverzweigungsfilter gemäß einer zweiten Erfindung, weist die Chipbefestigungsoberfläche des Häusungsbauglieds eine Signalverdrahtungsstruktur, die mit einem Ausgangsende des zweiten Oberflächenwellenfilterchips verbunden ist, und eine Masseverdrahtungsstruktur auf, die mit einem Massepotential eines SAW-Resonators verbunden ist, der in größter Nähe zu dem Ausgangsende des zweiten Oberflächenwellenfilterchips ist. Die Chipbefestigungsoberfläche weist eine Signaldurchkontaktierungslochelektrode und eine Massedurchkontaktierungslochelektrode auf, die mit der Signalverdrahtungsstruktur bzw. der Masseverdrahtungsstruktur verbunden sind, und die zumindest einen Abschnitt des Häusungsbauglieds durchdringen. Von den Distanzen zwischen Durchkontaktierungslochelektroden, die in dem Häusungsbauglied angeordnet sind, und die mit unterschiedlichen Potentialen verbunden sind, ist die Distanz zwischen der Signaldurchkontaktierungslochelektrode und der Massedurchkontaktierungslochelektrode am geringsten.
Wie bei der ersten Erfindung kann diese Anordnung den Einfluss aufgrund eines Magnetflusses unterdrücken, verursacht durch einen Strom, der durch den ersten Oberflächenwellenfilterchip fließt und der durch die Region fließt, in der die Signalverdrahtungsstruktur und die Masseverdrahtungsstruktur vorgesehen sind. Somit ist es möglich, die Außerbandisolation des zweiten Oberflächenwellenfilterchips zu verbessern und die Frequenzcharakteristika des zweiten Oberflächenwellenfilters wesentlich zu verbessern.
Bei einem Oberflächenwellenverzweigungsfilter gemäß einer dritten Erfindung weist die Chipbefestigungsoberfläche des Häusungsbauglieds zumindest eine Signalverdrahtungsstruktur, die mit einem Ausgangsende des zweiten Oberflächenwellenfilterchips verbunden ist, und eine Masseverdrahtungsstruktur, die mit einem Massepotential eines SAW-Resonators verbunden ist, der in größter Nähe zu dem Ausgangsende des zweiten Oberflächenwellenfilterchips ist, auf. Eine Struktur zum Aufheben eines Magnetflusses wird bereitgestellt. Wenn ein Magnetfluss, erzeugt durch ein elektrisches Signal, das durch den ersten Oberflächenwellenfilterchip fließt, in einer Region fließt, in der die Signalverdrahtungsstruktur und die Masseverdrahtungsstruktur vorgesehen sind, hebt die Struktur den Magnetfluss auf. Wie bei der ersten Erfindung ist es möglich, die Außerbandisolation des zweiten Oberflächenwellenfilterchips zu verbessern und die Frequenzcharakteristika des zweiten Oberflächenwellenfilterchips zu verbessern.
Bei der dritten Erfindung kann die Struktur zum Aufheben des Magnetflusses eine Struktur sein, bei der eine erste und zweite Durchkontaktierungslochelektrode angeordnet sind, um zumindest einen Abschnitt des Häusungsbauglieds zu durchdringen, mit der Masseverdrahtungsstruktur verbunden sind und an zwei gegenüberliegenden Seiten einer imaginären Linie angeordnet sind, die einen ersten Höcker und einen zweiten Höcker einer Mehrzahl von Höckern verbindet, die den zweiten Oberflächenwellenfilterchip mit dem Häusungsbauglied verbinden. Der erste Höcker ist mit dem Ausgangsende des zweiten Oberflächenwellenfilterchips verbunden und der zweite Höcker ist mit dem Massepotential des SAW-Resonators verbunden, der in größter Nähe zu dem Ausgangsende ist. In diesem Fall kann nur das Einstellen der Bildungsposition der ersten und zweiten Durchkontaktierungslochelektrode ohne weiteres die Struktur zum Aufheben des Magnetflusses liefern.
Die Struktur zum Aufheben des Magnetflusses kann eine Struktur sein, bei der die erste und zweite Durchkontaktierungslochelektrode angeordnet sind, um eine Schicht von zumindest einem Abschnitt des Häusungsbauglieds zu durchdringen, und mit der Masseverdrahtungsstruktur verbunden sind. Die erste und zweite Durchkontaktierungslochelektrode sind an zwei gegenüberliegenden Seiten einer Linie verteilt, die von der Mehrzahl von Höckern, die auf den zweiten Oberflächenwellenfilterchips vorgesehen sind, einen ersten Höcker und die Mitte einer Mehrzahl von zweiten Höckern verbindet. Der erste Höcker ist mit dem Ausgangsende des zweiten Oberflächenwellenfilterchips verbunden und die zweiten Höcker sind mit dem Massepotential des SAW-Resonators verbunden, der in größter Nähe zu dem Ausgangsende des zweiten Oberflächenwellenfilterchips ist. In diesem Fall kann auf ähnliche Weise nur das Einstellen der Positionen der ersten und zweiten Durchkontaktierungslochelektrode ohne weiteres die Struktur zum Aufheben eines Magnetflusses in dem Häusungsbauglied anordnen.
Der Winkel, der durch eine Linie, die die erste Durchkontaktierungslochelektrode und den zweiten Höcker verbindet, und eine Linie, die den zweiten Höcker und die zweite Durchkontaktierungslochelektrode verbindet, gebildet wird, kann 90° oder mehr sein. Dies verbessert die Masseverbindung an einem Abschnitt, an dem der zweite Oberflächenwellenfilterchip in dem Häusungsbauglied befestigt ist.
Der Winkel, der durch eine Linie, die die erste Durchkontaktierungslochelektrode und die Mitte der Mehrzahl von zweiten Höckern verbindet, und eine Linie, die die Mitte der Mehrzahl von zweiten Höckern und die zweite Durchkontaktierungslochelektrode verbindet, gebildet wird, kann ungefähr 90° oder mehr sein. Dies verbessert auf ähnliche Weise die Masseverbindung an einem Abschnitt, an dem die Masseverdrahtungsstruktur bereitgestellt ist.
Wenn eine Mehrzahl von Durchkontaktierungslochelektroden, einschließlich der ersten und zweiten Durchkontaktierungslochelektrode, in dem Häusungsbauglied vorgesehen ist, zumindest eine der Mehrzahl von Durchkontaktierungslochelektroden unter einer Region angeordnet ist, in der der zweite Oberflächenwellenfilterchip befestigt ist, und die anderen Durchkontaktierungslochelektroden in einer Region außerhalb einer Oberfläche angeordnet sind, auf der der zweite Oberflächenwellenfilterchip befestigt ist, ist es möglich, die Masseverbindung zu verbessern.

Claims

Oberflächenwellenverzweigungsfilter, mit: einem ersten Oberflächenwellenfilterchip (3) mit einer relativ niedrigen Mittenfrequenz, der eine Mehrzahl von SAW-Resonatoren und eine Mehrzahl von Höckern auf einer unteren Oberfläche aufweist; einem zweiten Oberflächenwellenfilterchip (4) mit einer relativ hohen Mittenfrequenz, der eine Mehrzahl von SAW-Resonatoren umfasst und der eine Mehrzahl von Höckern (10) auf einer unteren Oberfläche (4a) aufweist; und einem Gehäusebauglied (8) mit Verdrahtungsstrukturen, die auf einer Chipbefestigungsoberfläche (8b) des Gehäusebauglieds (8) gebildet sind, wobei der erste und zweite Oberflächenwellenfilterchip (3, 4) unter Verwendung der Mehrzahl von Höckern mit den Verdrahtungsstrukturen verbunden sind; wobei die Chipbefestigungsoberfläche (8b) des Gehäusebauglieds (8) folgendes aufweist: zumindest eine Signalverdrahtungsstruktur (24; 31; 44), die mit einem Ausgangsende (7) des zweiten Oberflächenwellenfilterchips (4) verbunden ist; und eine Masseverdrahtungsstruktur (25; 45), die mit einem Massepotential eines SAW-Resonators (P5) verbunden ist, der in nächster Nähe zu dem Ausgangsende (7) des zweiten Oberflächenwellenfilterchips (4) ist; wobei die Signalverdrahtungsstruktur (24; 31; 44) einen ersten Abschnitt umfasst, der näher an der Masseverdrahtungsstruktur (25; 45) ist als ein zweiter Abschnitt (D) der Signalverdrahtungsstruktur (24; 31; 44), an dem ein Höcker des zweiten Oberflächenwellenfilterchips (4) mit der Signalverdrahtungsstruktur (24; 31; 44) verbunden ist.
Oberflächenwellenverzweigungsfilter gemäß Anspruch 1, bei dem der erste Abschnitt der Signalverdrahtungsstruktur (31) ein erstes Ende benachbart zu dem zweiten Abschnitt (D) und ein zweites Ende beabstandet von dem zweiten Abschnitt (D) aufweist, wobei das zweite Ende näher an der Masseverdrahtungsstruktur (25; 45) ist als das erste Ende.
Oberflächenwellenverzweigungsfilter gemäß Anspruch 1, bei dem die Signalverdrahtungsstruktur (24; 44) ferner einen dritten Abschnitt umfasst, wobei sich der erste Abschnitt parallel zu einer Kante der Masseverdrahtungsstruktur (25; 45) erstreckt, und wobei sich der zweite und dritte Abschnitt von zwei gegenüberliegenden Enden des ersten Abschnitts in einer Richtung weg von der Masseverdrahtungsstruktur (25; 45) erstrecken.
Oberflächenwellenverzweigungsfilter gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die Signalverdrahtungsstruktur (24; 31; 44) an dem zweiten Abschnitt (D) über den Höcker elektrisch mit dem Ausgangsende (7) des zweiten Oberflächenwellenfilterchips (4) verbunden ist.
Oberflächenwellenverzweigungsfilter gemäß Anspruch 1, bei dem die Chipbefestigungsoberfläche (8b) ferner eine Signaldurchkontaktierungslochelektrode (V6) und eine Massedurchkontaktierungslochelektrode (V7) umfasst, die mit der Signalverdrahtungsstruktur (31) bzw. der Masseverdrahtungsstruktur (25) verbunden sind und die zumindest einen Abschnitt des Gehäusebauglieds (8) durchdringen, wobei eine Distanz zwischen der Signaldurchkontaktierungslochelektrode (V6) und der Massedurchkontaktierungslochelektrode (V7) das Minimum der Distanzen zwischen Durchkontaktierungslochelektroden (V1–V9) ist, die in dem Gehäusebauglied (8) angeordnet sind und die mit unterschiedlichen Potentialen verbunden sind.
Oberflächenwellenverzweigungsfilter gemäß Anspruch 1, mit einer Struktur zum Aufheben eines Magnetflusses, der durch elektrische Signale erzeugt wird, die durch das erste Oberflächenwellenfilter (3) in einer Region fließen, in der die Signalverdrahtungsstruktur (44) und die Masseverdrahtungsstruktur (45) angeordnet sind.
Oberflächenwellenverzweigungsfilter gemäß Anspruch 6, bei dem die Masseverdrahtungsstruktur (45) einen ersten Abschnitt (C) aufweist, an dem ein Höcker des zweiten Oberflächenwellenfilterchips (4) mit der Masseverdrahtungsstruktur (45) verbunden ist, eine erste Massedurchkontaktierungslochelektrode (V7) und eine zweite Massedurchkontaktierungslochelektrode (V10) vorgesehen sind, die mit der Masseverdrahtungsstruktur (45) verbunden sind und zumindest einen Abschnitt des Gehäusebauglieds (8) durchdringen, und die Struktur zum Aufheben des Magnetflusses eine Struktur ist, gemäß der die erste Massedurchkontaktierungslochelektrode (V7) und die zweite Massedurchkontaktierungslochelektrode (V10) an zwei gegenüberliegenden Seiten einer imaginären Geraden (E) angeordnet sind, die den ersten Abschnitt (C) der Masseverdrahtungsstruktur (45) und den zweiten Abschnitt der Signalverdrahtungsstruktur (25) verbindet.
Oberflächenwellenverzweigungsfilter gemäß Anspruch 7, bei dem ein Winkel zwischen einer Geraden, die die erste Massedurchkontaktierungslochelektrode (V7) und den Höcker an dem ersten Abschnitt der Masseverdrahtungsstruktur (45) verbindet, und einer Geraden, die den Höcker an dem ersten Abschnitt der Masseverdrahtungsstruktur (45) und die zweite Massedurchkontaktierungslochelektrode (V10) verbindet, 90° oder größer ist.
Oberflächenwellenverzweigungsfilter gemäß Anspruch 7 oder 8, bei dem die Masseverdrahtungsstruktur (45) einen zweiten Abschnitt und einen dritten Abschnitt aufweist, an denen jeweils ein Höcker des zweiten Oberflächenwellenfilterchips (4) mit der Masseverdrahtungsstruktur (45) verbunden ist, wobei die Höcker des ersten, zweiten und dritten Abschnitts der Masseverdrahtungsstruktur (45) entlang einer Geraden angeordnet sind, die durch die erste Massedurchkontaktierungslochelektrode (V7) und den Höcker an dem ersten Abschnitt der Masseverdrahtungsstruktur (45) verläuft, und wobei der Höcker an dem ersten Abschnitt der Masseverdrahtungsstruktur (45) mittig zwischen den Höckern an dem zweiten bzw. dritten Abschnitt der Masseverdrahtungsstruktur (45) angeordnet ist.