JPH0818393A - 分波器パッケージ - Google Patents
分波器パッケージInfo
- Publication number
- JPH0818393A JPH0818393A JP6151319A JP15131994A JPH0818393A JP H0818393 A JPH0818393 A JP H0818393A JP 6151319 A JP6151319 A JP 6151319A JP 15131994 A JP15131994 A JP 15131994A JP H0818393 A JPH0818393 A JP H0818393A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filter
- strip line
- filter chip
- characteristic impedance
- duplexer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0566—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers
- H03H9/0576—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers including surface acoustic wave [SAW] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
- H03H9/725—Duplexers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/50—Circuits using different frequencies for the two directions of communication
- H04B1/52—Hybrid arrangements, i.e. arrangements for transition from single-path two-direction transmission to single-direction transmission on each of two paths or vice versa
- H04B1/525—Hybrid arrangements, i.e. arrangements for transition from single-path two-direction transmission to single-direction transmission on each of two paths or vice versa with means for reducing leakage of transmitter signal into the receiver
Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、分波器パッケージに関し、多層構
造のパッケージ内部に埋め込まれたストリップ線路のイ
ンピーダンスの測定及び接地端子数の調整によってフィ
ルタ特性の劣化を改善することを目的とする。 【構成】それぞれ異なる帯域中心周波数を有する２つの
弾性表面波フィルタチップと、２つのフィルタ間の位相
整合用回路とを一つに収めた多層分波器パッケージであ
って、前記位相整合用回路が積層化された少なくとも２
つのストリップ線路により形成され、前記ストリップ線
路の特性インピーダンス値を前記分波器パッケージに接
続される外部回路の特性インピーダンス値よりも大きく
したことを特徴とする。
造のパッケージ内部に埋め込まれたストリップ線路のイ
ンピーダンスの測定及び接地端子数の調整によってフィ
ルタ特性の劣化を改善することを目的とする。 【構成】それぞれ異なる帯域中心周波数を有する２つの
弾性表面波フィルタチップと、２つのフィルタ間の位相
整合用回路とを一つに収めた多層分波器パッケージであ
って、前記位相整合用回路が積層化された少なくとも２
つのストリップ線路により形成され、前記ストリップ線
路の特性インピーダンス値を前記分波器パッケージに接
続される外部回路の特性インピーダンス値よりも大きく
したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波帯域通過フ
ィルタを用いた分波器パッケージに関し、特に、位相整
合用回路を備えた多階層の分波器用パッケージに関す
る。
ィルタを用いた分波器パッケージに関し、特に、位相整
合用回路を備えた多階層の分波器用パッケージに関す
る。
【０００２】近年、携帯用電話機に代表される移動通信
機器の小型化が急速に進められ、これらに使用される部
品の小型・高性能化が要望されている。これら無線通信
機器における信号の分岐、生成を行うために送信信号及
び受信信号が干渉しないように、分波器が用いられてい
る。分波器は誘電体を用いた帯域通過フィルタ、帯域阻
止フィルタあるいはそれらの組み合わせにより構成され
たものが多いが、今日では弾性表面フィルタを用いたも
のが研究開発されている。
機器の小型化が急速に進められ、これらに使用される部
品の小型・高性能化が要望されている。これら無線通信
機器における信号の分岐、生成を行うために送信信号及
び受信信号が干渉しないように、分波器が用いられてい
る。分波器は誘電体を用いた帯域通過フィルタ、帯域阻
止フィルタあるいはそれらの組み合わせにより構成され
たものが多いが、今日では弾性表面フィルタを用いたも
のが研究開発されている。
【０００３】
【従来の技術】二つの帯域通過弾性表面波フィルタチッ
プＦ1及びＦ2を用いて分波器を構成する場合、互いのフ
ィルタ特性を干渉しないように設計する必要があり、そ
のために各フィルタに対して位相整合回路が付加され
る。
プＦ1及びＦ2を用いて分波器を構成する場合、互いのフ
ィルタ特性を干渉しないように設計する必要があり、そ
のために各フィルタに対して位相整合回路が付加され
る。
【０００４】これは、一般に、上記のフィルタチップＦ
1及びＦ2は、それぞれの通過帯域の中心周波数付近では
分波器回路全体の特性インピーダンス（通常50Ω）に近
い値を持ち、他の周波数帯域では特性インピーダンスは
はるかに大きな値を持つように設計されるが、回路パタ
ーンに存在する抵抗分等の影響のため相手のフィルタチ
ップの通過帯域において相手のフィルタ特性に対して干
渉しないようにすることは難しいためである。この位相
整合回路の定数は２つのフィルタチップの中心周波数
（ｆ1及びｆ2）の値とその差によって決定される。
1及びＦ2は、それぞれの通過帯域の中心周波数付近では
分波器回路全体の特性インピーダンス（通常50Ω）に近
い値を持ち、他の周波数帯域では特性インピーダンスは
はるかに大きな値を持つように設計されるが、回路パタ
ーンに存在する抵抗分等の影響のため相手のフィルタチ
ップの通過帯域において相手のフィルタ特性に対して干
渉しないようにすることは難しいためである。この位相
整合回路の定数は２つのフィルタチップの中心周波数
（ｆ1及びｆ2）の値とその差によって決定される。
【０００５】従来、この位相整合回路としては、Ｌ（イ
ンダクタンス）素子やＣ（コンデンサ）素子を用いるも
の、又はＬ、Ｃ成分としての役割を果たす線路を用いる
もの等が提案されている。
ンダクタンス）素子やＣ（コンデンサ）素子を用いるも
の、又はＬ、Ｃ成分としての役割を果たす線路を用いる
もの等が提案されている。
【０００６】例えば、特開平５−１６７３８８号公報、
及び特開平５−１６７３８９号公報には、ガラスエポキ
シ基板またはセラミック基板上に金属のストリップ線路
により位相整合回路を形成した分波器が記載されてい
る。また、２つのフィルタチップ及び位相整合回路を多
層のセラミックパッケージの中に納めたものもある。
及び特開平５−１６７３８９号公報には、ガラスエポキ
シ基板またはセラミック基板上に金属のストリップ線路
により位相整合回路を形成した分波器が記載されてい
る。また、２つのフィルタチップ及び位相整合回路を多
層のセラミックパッケージの中に納めたものもある。
【０００７】この従来の多層セラミックパッケージを用
いた分波器の例を図１０（ａ），（ｂ）に示す。これ
は、同図に示すように、複数のグランド層ＧＮＤと、位
相整合回路１及び２と、接地用端子３、フィルタ側信号
端子４、共通信号端子５とが設けられた多層セラミック
パッケージ６に、フィルタチップ７及び８が搭載され、
フィルタチップ７、８と各端子３、４、５間をワイヤ９
で接続している。
いた分波器の例を図１０（ａ），（ｂ）に示す。これ
は、同図に示すように、複数のグランド層ＧＮＤと、位
相整合回路１及び２と、接地用端子３、フィルタ側信号
端子４、共通信号端子５とが設けられた多層セラミック
パッケージ６に、フィルタチップ７及び８が搭載され、
フィルタチップ７、８と各端子３、４、５間をワイヤ９
で接続している。
【０００８】パッケージ内に納められた位相整合回路１
及び２は、同図に示すように、フィルタチップの層の下
方でＧＮＤ層にはさまれた位置にあり、通常ストリップ
線路により形成され、その特性インピーダンスが共通信
号端子５に接続される外部回路の特性インピーダンスと
一致させるように作成される。これにより回路損失の低
減が図られる。
及び２は、同図に示すように、フィルタチップの層の下
方でＧＮＤ層にはさまれた位置にあり、通常ストリップ
線路により形成され、その特性インピーダンスが共通信
号端子５に接続される外部回路の特性インピーダンスと
一致させるように作成される。これにより回路損失の低
減が図られる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、分波器
を構成する２つの異なる中心周波数を持ったフィルタチ
ップは使用する信号の周波数により特性インピーダンス
が変化する。例えば、フィルタチップの特性インピーダ
ンスは通過帯域においては外部回路の特性インピーダン
スと略同等の値となり、阻止域においては外部回路の特
性インピーダンスよりも遙に小さいかあるいは大きな値
となる。そして、回路損失を低減するために、これらを
用いて分波器を構成する際には、フィルタチップ及び外
部回路の互いの特性を劣化させないようにしなければな
らない。そのためには、互いの通過域においては、相手
方の特性インピーダンスが無限大に且つ反射係数も略１
になっていることが理想である。
を構成する２つの異なる中心周波数を持ったフィルタチ
ップは使用する信号の周波数により特性インピーダンス
が変化する。例えば、フィルタチップの特性インピーダ
ンスは通過帯域においては外部回路の特性インピーダン
スと略同等の値となり、阻止域においては外部回路の特
性インピーダンスよりも遙に小さいかあるいは大きな値
となる。そして、回路損失を低減するために、これらを
用いて分波器を構成する際には、フィルタチップ及び外
部回路の互いの特性を劣化させないようにしなければな
らない。そのためには、互いの通過域においては、相手
方の特性インピーダンスが無限大に且つ反射係数も略１
になっていることが理想である。
【００１０】このような理想的特性に近づけるために位
相を整合する回路が必要であり、前記したようなストリ
ップ線路を形成させることが提案されているが、この場
合、線路長に比例して抵抗も増加する。抵抗が増加する
ということは、信号の伝搬損失の発生や、分布定数にお
ける浮遊容量の増加をもたらすおそれがある。この浮遊
容量の増加は、位相回路定数等に影響を及ぼし、使用す
る信号の周波数が高周波数になる程、その影響の度合い
は大きくなる。すなわち、送受信信号の分岐の特性の劣
化となり、さらに送受信信号の伝達の損失につながる。
相を整合する回路が必要であり、前記したようなストリ
ップ線路を形成させることが提案されているが、この場
合、線路長に比例して抵抗も増加する。抵抗が増加する
ということは、信号の伝搬損失の発生や、分布定数にお
ける浮遊容量の増加をもたらすおそれがある。この浮遊
容量の増加は、位相回路定数等に影響を及ぼし、使用す
る信号の周波数が高周波数になる程、その影響の度合い
は大きくなる。すなわち、送受信信号の分岐の特性の劣
化となり、さらに送受信信号の伝達の損失につながる。
【００１１】また、パッケージに高誘電率の材料を使う
と、高温で各層の結合をさせなければならず、したがっ
てストリップ線路にも高融点のものを使わなければなら
ないため、上記のフィルタ特性の劣化の度合いが大きく
なる。
と、高温で各層の結合をさせなければならず、したがっ
てストリップ線路にも高融点のものを使わなければなら
ないため、上記のフィルタ特性の劣化の度合いが大きく
なる。
【００１２】そこで、この発明は、以上のような事情を
考慮してなされたものであり、分波器パッケージに内蔵
された位相整合回路であるストリップ線路の特性インピ
ーダンスの設定及び分波器パッケージの接地用端子の数
の調整によって、帯域中心周波数の異なる２つのフィル
タの特性劣化を改善することができる分波器パッケージ
を提供することを目的とする。
考慮してなされたものであり、分波器パッケージに内蔵
された位相整合回路であるストリップ線路の特性インピ
ーダンスの設定及び分波器パッケージの接地用端子の数
の調整によって、帯域中心周波数の異なる２つのフィル
タの特性劣化を改善することができる分波器パッケージ
を提供することを目的とする。
【００１３】ここで、ストリップ線路の特性インピーダ
ンスの値を分波器に接続される外部回路の特性インピー
ダンスの値よりも高めに設定することによって、上記２
つの特性インピーダンスを一致させた時に比べて通常帯
域の信号損失を減らし、特性劣化を改善することを目的
とする。
ンスの値を分波器に接続される外部回路の特性インピー
ダンスの値よりも高めに設定することによって、上記２
つの特性インピーダンスを一致させた時に比べて通常帯
域の信号損失を減らし、特性劣化を改善することを目的
とする。
【００１４】また、前記ストリップ線路の幅を一定でな
く線路の両端において異ならせることによって、通過帯
域の信号損失を減らし、特性劣化を改善することを目的
とする。また、分波用パッケージの接地用端子の数をフ
ィルタチップを構成する並列型の弾性表面波共振器の数
よりも多くすることによって、阻止帯域の信号減衰量を
増加させて、特性劣化を改善することを目的とする。
く線路の両端において異ならせることによって、通過帯
域の信号損失を減らし、特性劣化を改善することを目的
とする。また、分波用パッケージの接地用端子の数をフ
ィルタチップを構成する並列型の弾性表面波共振器の数
よりも多くすることによって、阻止帯域の信号減衰量を
増加させて、特性劣化を改善することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この発明は、それぞれ異
なる帯域中心周波数を有する２つの弾性表面波フィルタ
チップと、２つのフィルタ間の位相整合用回路とを一つ
に収めた多層分波器パッケージであって、前記位相整合
用回路が積層化された少なくとも２つのストリップ線路
により形成され、前記ストリップ線路の特性インピーダ
ンス値を前記分波器パッケージに接続される外部回路の
特性インピーダンス値よりも大きくしたことを特徴とす
る分波器パッケージを提供するものである。
なる帯域中心周波数を有する２つの弾性表面波フィルタ
チップと、２つのフィルタ間の位相整合用回路とを一つ
に収めた多層分波器パッケージであって、前記位相整合
用回路が積層化された少なくとも２つのストリップ線路
により形成され、前記ストリップ線路の特性インピーダ
ンス値を前記分波器パッケージに接続される外部回路の
特性インピーダンス値よりも大きくしたことを特徴とす
る分波器パッケージを提供するものである。
【００１６】ここで、前記ストリップ線路の特性インピ
ーダンス値を前記外部回路の特性インピーダンス値に対
し、1.11倍±７％以内とすることが好ましい。また、前
記ストリップ線路の幅を、そのストリップ線路の両端に
おいて異ならしめるようにしてもよい。
ーダンス値を前記外部回路の特性インピーダンス値に対
し、1.11倍±７％以内とすることが好ましい。また、前
記ストリップ線路の幅を、そのストリップ線路の両端に
おいて異ならしめるようにしてもよい。
【００１７】さらに、前記外部回路を接続するための共
通信号端子を備え、前記ストリップ線路の一端が前記共
通信号端子に接続されると共に前記ストリップ線路の他
端が前記フィルタチップに接続され、かつ前記共通信号
端子との接続部のストリップ線路の幅が前記フィルタチ
ップとの接続部のストリップ線路の幅よりも小さく、ス
トリップ線路の幅が前記フィルタチップ接続部から前記
共通信号端子接続部にかけて徐々に細く形成されるよう
にすることが好ましい。さらに、前記フィルタチップと
前記ストリップ線路は階層化されて形成されるようにし
てもよい。
通信号端子を備え、前記ストリップ線路の一端が前記共
通信号端子に接続されると共に前記ストリップ線路の他
端が前記フィルタチップに接続され、かつ前記共通信号
端子との接続部のストリップ線路の幅が前記フィルタチ
ップとの接続部のストリップ線路の幅よりも小さく、ス
トリップ線路の幅が前記フィルタチップ接続部から前記
共通信号端子接続部にかけて徐々に細く形成されるよう
にすることが好ましい。さらに、前記フィルタチップと
前記ストリップ線路は階層化されて形成されるようにし
てもよい。
【００１８】また、前記フィルタチップが、前記外部回
路を接続するための共通信号端子と前記ストリップ線路
を接続する信号線に対して並列に接続される並列型の弾
性表面波共振器と、直接に接続される直列型の弾性表面
波共振器とから構成され、さらに前記フィルタチップを
接地するための接地用端子の数が前記並列型の弾性表面
波共振器の数よりも多く設けられるようにすることが好
ましい。
路を接続するための共通信号端子と前記ストリップ線路
を接続する信号線に対して並列に接続される並列型の弾
性表面波共振器と、直接に接続される直列型の弾性表面
波共振器とから構成され、さらに前記フィルタチップを
接地するための接地用端子の数が前記並列型の弾性表面
波共振器の数よりも多く設けられるようにすることが好
ましい。
【００１９】ここで、分波器パッケージは一般にアルミ
ナ又はガラスセラミックで形成されるが、高誘電率を持
つ材料であればよい。また、ストリップ線路は、金、タ
ングステン、銅等の金属が用いられるが、抵抗分が少な
く導電率の高い材料が好ましい。また、２つのストリッ
プ線路は、前記したような高誘電率の材料で作られたパ
ッケージの層間に挟まれて形成され、２つのストリップ
線路は、パッケージの層を介在して積層化して形成され
ることが好ましい。
ナ又はガラスセラミックで形成されるが、高誘電率を持
つ材料であればよい。また、ストリップ線路は、金、タ
ングステン、銅等の金属が用いられるが、抵抗分が少な
く導電率の高い材料が好ましい。また、２つのストリッ
プ線路は、前記したような高誘電率の材料で作られたパ
ッケージの層間に挟まれて形成され、２つのストリップ
線路は、パッケージの層を介在して積層化して形成され
ることが好ましい。
【００２０】
【作用】この発明によれば、ストリップ線路の特性イン
ピーダンスの値を分波器パッケージに接続される外部回
路の特性インピーダンス値よりも大きく設定しているた
め、フィルタチップの通過帯域の信号損失を減らし、特
性劣化を改善することができる。
ピーダンスの値を分波器パッケージに接続される外部回
路の特性インピーダンス値よりも大きく設定しているた
め、フィルタチップの通過帯域の信号損失を減らし、特
性劣化を改善することができる。
【００２１】また、ストリップ線路の幅を一定でなく、
そのストリップ線路の両端において異ならせるように
し、特に、ストリップ線路の共通信号端子との接続部の
幅をストリップ線路のフィルタチップとの接続部の幅よ
りも小さくし、かつストリップ線路の幅をフィルタチッ
プ接続部から前記共通信号端子接続部にかけて徐々に細
く形成されるようにするため、フィルタチップの通過帯
域の信号損失を減らし、特性劣化を改善することができ
る。
そのストリップ線路の両端において異ならせるように
し、特に、ストリップ線路の共通信号端子との接続部の
幅をストリップ線路のフィルタチップとの接続部の幅よ
りも小さくし、かつストリップ線路の幅をフィルタチッ
プ接続部から前記共通信号端子接続部にかけて徐々に細
く形成されるようにするため、フィルタチップの通過帯
域の信号損失を減らし、特性劣化を改善することができ
る。
【００２２】また、フィルタチップとストリップ線路が
階層化されて形成されるため、分波器パッケージを小型
化することができる。
階層化されて形成されるため、分波器パッケージを小型
化することができる。
【００２３】また、フィルタチップを接地するための接
地用端子の数を、フィルタチップを構成する並列型の弾
性表面波共振器の数よりも多く設けるため、フィルタチ
ップの阻止帯域の信号減衰量を増加させ、特性劣化を改
善することができる。
地用端子の数を、フィルタチップを構成する並列型の弾
性表面波共振器の数よりも多く設けるため、フィルタチ
ップの阻止帯域の信号減衰量を増加させ、特性劣化を改
善することができる。
【００２４】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明
を詳述する。なお、これによってこの発明が限定される
ものではない。
を詳述する。なお、これによってこの発明が限定される
ものではない。
【００２５】第１実施例 図１にこの発明に関する分波器の概略構成図を示す。同
図に示すように、共通端子Ｔ−Ｔ’に対し、２つの弾性
表面波帯域通過フィルタチップＦ１及びＦ２が接続さ
れ、これらのフィルタチップとＴ−Ｔ’の間に２つの位
相整合回路１及び２が設けられる。
図に示すように、共通端子Ｔ−Ｔ’に対し、２つの弾性
表面波帯域通過フィルタチップＦ１及びＦ２が接続さ
れ、これらのフィルタチップとＴ−Ｔ’の間に２つの位
相整合回路１及び２が設けられる。
【００２６】ここで、共通端子Ｔ，Ｔ’は、アンテナを
通して電波を送受信する外部回路を接続する端子であ
る。また、同図のフィルタチップＦ１及びＦ２に接続さ
れ、たとえば外部の送信用回路が接続されるＦ1用端子
及び外部の受信用回路が接続されるＦ2用端子が設けら
れる。
通して電波を送受信する外部回路を接続する端子であ
る。また、同図のフィルタチップＦ１及びＦ２に接続さ
れ、たとえば外部の送信用回路が接続されるＦ1用端子
及び外部の受信用回路が接続されるＦ2用端子が設けら
れる。
【００２７】図２に分波器のフィルタチップの周波数特
性の説明図を示す。同図に示すように、弾性表面波帯域
通過フィルタチップＦ１，Ｆ２は、互いに異なる帯域中
心周波数を有しており、例えばフィルタチップＦ１の中
心周波数f1は932MHZ、フィルタチップＦ２の中心周波数
f2は878MHzに設定される。このとき、各フィルタチップ
の帯域通過特性が互いに干渉しあわないようにするた
め、すなわち、図２における各フィルタチップの通過強
度の山がなるべく重なり合わないようにするために、位
相整合用の回路が付加される。
性の説明図を示す。同図に示すように、弾性表面波帯域
通過フィルタチップＦ１，Ｆ２は、互いに異なる帯域中
心周波数を有しており、例えばフィルタチップＦ１の中
心周波数f1は932MHZ、フィルタチップＦ２の中心周波数
f2は878MHzに設定される。このとき、各フィルタチップ
の帯域通過特性が互いに干渉しあわないようにするた
め、すなわち、図２における各フィルタチップの通過強
度の山がなるべく重なり合わないようにするために、位
相整合用の回路が付加される。
【００２８】図３（ａ），（ｂ）に、この発明における
多層セラミックパッケージを用いた分波器の平面図及び
断面図を示す。同図において、１，２は位相整合回路で
あり、タングステン等の材料を用いたストリップ線路に
よって形成される。ＧＮＤは、グランド層であり、２つ
のストリップ線路を間にはさんで積層される。３はこの
分波器を接地するための接地用端子であり、４は信号を
分岐した後のフィルタチップに接続されるフィルタ側信
号端子であり、５は外部回路に接続する共通側信号端子
である。
多層セラミックパッケージを用いた分波器の平面図及び
断面図を示す。同図において、１，２は位相整合回路で
あり、タングステン等の材料を用いたストリップ線路に
よって形成される。ＧＮＤは、グランド層であり、２つ
のストリップ線路を間にはさんで積層される。３はこの
分波器を接地するための接地用端子であり、４は信号を
分岐した後のフィルタチップに接続されるフィルタ側信
号端子であり、５は外部回路に接続する共通側信号端子
である。
【００２９】７及び８はフィルタチップであり、ＧＮＤ
層の上方に搭載される。また、フィルタチップ７及び８
と、接地用端子３、フィルタ側信号端子４、共通側信号
端子５とはワイヤ９によって接続される。また、ストリ
ップ線路１，２と各信号端子及びフィルタチップとは階
層構造をなすため、層間にわたって形成され電気的に接
続されたスルーホールを通して結合される。
層の上方に搭載される。また、フィルタチップ７及び８
と、接地用端子３、フィルタ側信号端子４、共通側信号
端子５とはワイヤ９によって接続される。また、ストリ
ップ線路１，２と各信号端子及びフィルタチップとは階
層構造をなすため、層間にわたって形成され電気的に接
続されたスルーホールを通して結合される。
【００３０】以上のような構成を持った多層セラミック
パッケージ６はガラスセラミック材料（誘電率＝５）で
作成され、縦7.5 mm、横8.5 mm、高さ2.1 mm程度の高さ
で形成できる。
パッケージ６はガラスセラミック材料（誘電率＝５）で
作成され、縦7.5 mm、横8.5 mm、高さ2.1 mm程度の高さ
で形成できる。
【００３１】また、ＧＮＤ層の間に埋め込まれた２つの
ストリップ線路１、２は単なる直線ラインではなく、同
一平面上で適当に折れ曲がった直線状の線路から構成さ
れる。図４にこのストリップ線路１の形状の平面図の例
を示す。なお、ストリップ線路１の長さは35mm、線幅は
0.2mm 程度である。もう１つのストリップ線路２はスト
リップ線路１と形状が異なり、長さも25mmと短いが線幅
は同じ0.2mmである。
ストリップ線路１、２は単なる直線ラインではなく、同
一平面上で適当に折れ曲がった直線状の線路から構成さ
れる。図４にこのストリップ線路１の形状の平面図の例
を示す。なお、ストリップ線路１の長さは35mm、線幅は
0.2mm 程度である。もう１つのストリップ線路２はスト
リップ線路１と形状が異なり、長さも25mmと短いが線幅
は同じ0.2mmである。
【００３２】２つのストリップ線路は図３（ａ）、
（ｂ）に示すようにガラスセラミック材料で作成された
ＧＮＤ層の間に形成されるが、２つのストリップ線路の
パターンの特性インピーダンス値を５５Ωとするため、
各ＧＮＤ層の厚みは図３（ｂ）に示すような値とした。
ここで、ストリップ線路の特性インピーダンス値（＝55
Ω）は、外部回路の特性インピーダンス値（＝50Ω）よ
りも大きく設定している。
（ｂ）に示すようにガラスセラミック材料で作成された
ＧＮＤ層の間に形成されるが、２つのストリップ線路の
パターンの特性インピーダンス値を５５Ωとするため、
各ＧＮＤ層の厚みは図３（ｂ）に示すような値とした。
ここで、ストリップ線路の特性インピーダンス値（＝55
Ω）は、外部回路の特性インピーダンス値（＝50Ω）よ
りも大きく設定している。
【００３３】図５に、ストリップ線路の特性インピーダ
ンス値に対するフィルタ特性の変化の測定図を示す。フ
ィルタ特性値として、縦軸に帯域内ＶＳＷＲ（Voltage
Standing Wave Ratio:電圧定存波比）、反射係数変化
分、相手側フィルタチップの通過帯域における損失増加
分を示している。
ンス値に対するフィルタ特性の変化の測定図を示す。フ
ィルタ特性値として、縦軸に帯域内ＶＳＷＲ（Voltage
Standing Wave Ratio:電圧定存波比）、反射係数変化
分、相手側フィルタチップの通過帯域における損失増加
分を示している。
【００３４】ここで、帯域内ＶＳＷＲは、通常２以下で
用いられるものであり、理想的なフィルタでは１を示す
ものである。従って、ＶＳＷＲは、２以下でできるだけ
１に近い値を示すほうがよい。
用いられるものであり、理想的なフィルタでは１を示す
ものである。従って、ＶＳＷＲは、２以下でできるだけ
１に近い値を示すほうがよい。
【００３５】また、反射係数は、理想的には１であるこ
とが望ましいが、通常用いられるフィルタでは、0.85〜
0.90の値を示しており、フィルタの特性劣化をさけるた
めには、反射係数変化分は、反射係数をできるだけ１に
近づける方向の値、すなわち０以上であることが必須条
件である。
とが望ましいが、通常用いられるフィルタでは、0.85〜
0.90の値を示しており、フィルタの特性劣化をさけるた
めには、反射係数変化分は、反射係数をできるだけ１に
近づける方向の値、すなわち０以上であることが必須条
件である。
【００３６】また、ストリップ線路の特性インピーダン
スを変化させると、損失もそれに応じて増減するが、こ
こでは、実質的な信号伝送に問題のない損失増加分とし
て０から0.5 までの範囲は許容するものとする。
スを変化させると、損失もそれに応じて増減するが、こ
こでは、実質的な信号伝送に問題のない損失増加分とし
て０から0.5 までの範囲は許容するものとする。
【００３７】同図において、たとえば、特性インピーダ
ンスが50Ωの場合には、55Ωの場合に比べてＶＳＷＲは
良い数値を示しているが、反射係数変化分と損失増加分
の値は、悪い数値を示している。
ンスが50Ωの場合には、55Ωの場合に比べてＶＳＷＲは
良い数値を示しているが、反射係数変化分と損失増加分
の値は、悪い数値を示している。
【００３８】従って、図５において、ストリップ線路の
特性インピーダンスが50Ωよりも55Ωにした方がフィル
タの特性劣化が少ないと言うことができる。すなわち、
ストリップ線路の特性インピーダンスは、外部回路の特
性インピーダンスよりも若干大きな値を持つようにした
方が特性劣化が少ないことを意味する。また、特性イン
ピーダンスが60Ω付近になるとＶＳＷＲ値が２以上とな
り、また不整合損失の増加分が0.5を越えるようにな
り、無視できないフィルタ特性の劣化が発生しつつある
状態にある。
特性インピーダンスが50Ωよりも55Ωにした方がフィル
タの特性劣化が少ないと言うことができる。すなわち、
ストリップ線路の特性インピーダンスは、外部回路の特
性インピーダンスよりも若干大きな値を持つようにした
方が特性劣化が少ないことを意味する。また、特性イン
ピーダンスが60Ω付近になるとＶＳＷＲ値が２以上とな
り、また不整合損失の増加分が0.5を越えるようにな
り、無視できないフィルタ特性の劣化が発生しつつある
状態にある。
【００３９】そこで、実用上問題のないストリップ線路
の特性インピーダンスを選ぶ基準としてＶＳＷＲは２以
下、反射係数変化分は０以上、損失増加分は0.5 以下を
採用することにする。このとき、フィルタ特性の劣化を
押え、実質的な信号伝送に問題とならないために、スト
リップ線路の特性インピーダンスとしては、外部回路の
特性インピーダンス値５０Ωに対して、1.11倍±7%(51.
615 〜59.385Ω)を利用することができる。
の特性インピーダンスを選ぶ基準としてＶＳＷＲは２以
下、反射係数変化分は０以上、損失増加分は0.5 以下を
採用することにする。このとき、フィルタ特性の劣化を
押え、実質的な信号伝送に問題とならないために、スト
リップ線路の特性インピーダンスとしては、外部回路の
特性インピーダンス値５０Ωに対して、1.11倍±7%(51.
615 〜59.385Ω)を利用することができる。
【００４０】ここで、ストリップ線路の特性インピーダ
ンスの上限値としては、ＶＳＷＲが２となるものを採用
し、その下限値としては、反射係数変化分が０となるも
のを採用している。この特性インピーダンスの上限値と
下限値の範囲を外部回路の特性インピーダンス値５０Ω
で現格化したものが1.11倍±7%である。
ンスの上限値としては、ＶＳＷＲが２となるものを採用
し、その下限値としては、反射係数変化分が０となるも
のを採用している。この特性インピーダンスの上限値と
下限値の範囲を外部回路の特性インピーダンス値５０Ω
で現格化したものが1.11倍±7%である。
【００４１】以上のように、位相整合回路であるストリ
ップ線路の特性インピーダンス値を外部回路の特性イン
ピーダンス値よりも大きく設定することによって、フィ
ルタチップ通過帯域の信号損失を減少し、フィルタチッ
プの特性劣化を改善することができる。
ップ線路の特性インピーダンス値を外部回路の特性イン
ピーダンス値よりも大きく設定することによって、フィ
ルタチップ通過帯域の信号損失を減少し、フィルタチッ
プの特性劣化を改善することができる。
【００４２】また、２つのストリップ線路を積層化し、
さらに、フィルタチップをストリップ線路の上方に搭載
しているため、分波器パッケージ全体の大きさを小型化
することができる。また、前記のようにフィルタチップ
の特性劣化が改善できるので、分波器パッケージの製造
上の歩留りも向上させることができる。
さらに、フィルタチップをストリップ線路の上方に搭載
しているため、分波器パッケージ全体の大きさを小型化
することができる。また、前記のようにフィルタチップ
の特性劣化が改善できるので、分波器パッケージの製造
上の歩留りも向上させることができる。
【００４３】第２実施例 次に、ストリップ線路の幅をその両端において異ならせ
た場合の分波器の実施例を示す。図４に示したようなグ
ランド層の間に埋め込まれたストリップ線路のパターン
の幅を変化させるわけであるが、ストリップ線路１を例
にとるとフィルタチップと接続される側を240μｍと
し、線路長方向に対して徐々にパターン幅を狭くしてい
き、ストリップ線路の共通端子と接続される側を180μ
ｍとし、線路中間で200μｍとする。
た場合の分波器の実施例を示す。図４に示したようなグ
ランド層の間に埋め込まれたストリップ線路のパターン
の幅を変化させるわけであるが、ストリップ線路１を例
にとるとフィルタチップと接続される側を240μｍと
し、線路長方向に対して徐々にパターン幅を狭くしてい
き、ストリップ線路の共通端子と接続される側を180μ
ｍとし、線路中間で200μｍとする。
【００４４】図６にストリップ線路の線路幅を異ならせ
た場合の特性インピーダンスの変化を測定した図を示
す。ただし、この中には、線路の抵抗による成分も含ま
れる。同図において、横軸が線路長に相当し、縦軸がス
トリップ線路の特性インピーダンスである。図６の上の
グラフはストリップ線路１に対応する線路長が35mmのも
のであり、下のグラフはストリップ線路２に対応する線
路長が25mmのものである。
た場合の特性インピーダンスの変化を測定した図を示
す。ただし、この中には、線路の抵抗による成分も含ま
れる。同図において、横軸が線路長に相当し、縦軸がス
トリップ線路の特性インピーダンスである。図６の上の
グラフはストリップ線路１に対応する線路長が35mmのも
のであり、下のグラフはストリップ線路２に対応する線
路長が25mmのものである。
【００４５】また、グラフの左側が線路幅の広いフィル
タチップ側であり、グラフの右側が線路幅の狭い共通端
子側である。同図のグラフより、外部回路の特性インピ
ーダンス値50Ωで規格化した場合には、ストリップ線路
の特性インピーダンスは線路幅の広いフィルタチップ側
で0.95倍、線路幅の狭い共通端子側で1.3倍、全体平均
で1.11倍となっていることがわかる。
タチップ側であり、グラフの右側が線路幅の狭い共通端
子側である。同図のグラフより、外部回路の特性インピ
ーダンス値50Ωで規格化した場合には、ストリップ線路
の特性インピーダンスは線路幅の広いフィルタチップ側
で0.95倍、線路幅の狭い共通端子側で1.3倍、全体平均
で1.11倍となっていることがわかる。
【００４６】図７に、第１実施例におけるような線路幅
を一定にした場合と、この第２実施例における線路幅を
変化させた場合の比較の測定図を示す。横幅が周波数で
あり、縦軸が通過強度である。
を一定にした場合と、この第２実施例における線路幅を
変化させた場合の比較の測定図を示す。横幅が周波数で
あり、縦軸が通過強度である。
【００４７】これによれば、線幅を変化させた場合の方
が通過強度が改善され、不整合損失は約0.20ｄＢとな
り、第１実施例の線幅一定の場合に比べて不整合損失が
８割程度に低減されていることがわかる。これはストリ
ップ線路の特性インピーダンス値と外部回路の特性イン
ピーダンス値は大きく異なるが、ストリップ線路により
位相回転を起こした結果、フィルタチップの特性インピ
ーダンス値が外部回路と同等の値となるため、理論値よ
り実際の不整合損失が小さくなったと考えられる。
が通過強度が改善され、不整合損失は約0.20ｄＢとな
り、第１実施例の線幅一定の場合に比べて不整合損失が
８割程度に低減されていることがわかる。これはストリ
ップ線路の特性インピーダンス値と外部回路の特性イン
ピーダンス値は大きく異なるが、ストリップ線路により
位相回転を起こした結果、フィルタチップの特性インピ
ーダンス値が外部回路と同等の値となるため、理論値よ
り実際の不整合損失が小さくなったと考えられる。
【００４８】以上のように、ストリップ線路の線幅をそ
の両端において異ならせることによって、フィルタチッ
プの通過帯域の信号損失を減らし、フィルタチップの特
性劣化を改善することができる。また、この特性劣化の
改善によって、分波器パッケージの製造の歩留りも向上
できる。
の両端において異ならせることによって、フィルタチッ
プの通過帯域の信号損失を減らし、フィルタチップの特
性劣化を改善することができる。また、この特性劣化の
改善によって、分波器パッケージの製造の歩留りも向上
できる。
【００４９】第３実施例 第１実施例では、図３に表面に複数の接地用端子を有す
る分波器パッケージの例を示した。ここでは、この接地
用端子すなわち接地用ボンディングパッドの数がフィル
タチップを構成するその内部の並列型弾性表面波共振器
の数よりも多い場合の特性について説明する。
る分波器パッケージの例を示した。ここでは、この接地
用端子すなわち接地用ボンディングパッドの数がフィル
タチップを構成するその内部の並列型弾性表面波共振器
の数よりも多い場合の特性について説明する。
【００５０】一般にフィルタチップの内部は、前記した
共通端子及びストリップ線路を接続する信号線に対して
並列に接続される並列型の弾性表面波共振器とこの信号
に対して直列に接続される直列型の弾性表面波共振器と
で構成される。
共通端子及びストリップ線路を接続する信号線に対して
並列に接続される並列型の弾性表面波共振器とこの信号
に対して直列に接続される直列型の弾性表面波共振器と
で構成される。
【００５１】また、図３（ａ）に示したように、フィル
タチップのこれらの共振器の一端のと、表面に存在する
接地用端子３、フィルタ側端子４、及び共通信号端子５
がワイヤ９によって接続される。ただし、この分波器は
積層化されているため、下層部のストリップ線路や接地
のためには、スルーホールが用いられる。
タチップのこれらの共振器の一端のと、表面に存在する
接地用端子３、フィルタ側端子４、及び共通信号端子５
がワイヤ９によって接続される。ただし、この分波器は
積層化されているため、下層部のストリップ線路や接地
のためには、スルーホールが用いられる。
【００５２】図８に図３の分波器パッケージの電気的な
等価モデルを示す。ここでは、フィルタチップ７及び８
が、どちらも１つの直列型弾性表面波共振器と、２つの
並列型弾性表面波共振器で構成されている。また、ワイ
ヤ９によってフィルタチップは各端子と接続されるが、
ワイヤ９にはインダクタンス成分が存在し、さらに、下
層のストリップラインや接地端子と接続するためのスル
ーホールにも図に示すようなインダクタンス成分が存在
する。
等価モデルを示す。ここでは、フィルタチップ７及び８
が、どちらも１つの直列型弾性表面波共振器と、２つの
並列型弾性表面波共振器で構成されている。また、ワイ
ヤ９によってフィルタチップは各端子と接続されるが、
ワイヤ９にはインダクタンス成分が存在し、さらに、下
層のストリップラインや接地端子と接続するためのスル
ーホールにも図に示すようなインダクタンス成分が存在
する。
【００５３】この並列型弾性表面波共振器に接続された
ワイヤの数を変えることでフィルタの阻止帯域の信号減
衰量が変化することが知られているが、これは、ワイヤ
９及びスルーホールによるインダクタンス成分が変化す
るためである。一般に、このインダクタンス成分は、高
周波信号のもれとして減衰量に悪影響を及ぼすので、イ
ンダクタンス成分を減少させた方がよい。
ワイヤの数を変えることでフィルタの阻止帯域の信号減
衰量が変化することが知られているが、これは、ワイヤ
９及びスルーホールによるインダクタンス成分が変化す
るためである。一般に、このインダクタンス成分は、高
周波信号のもれとして減衰量に悪影響を及ぼすので、イ
ンダクタンス成分を減少させた方がよい。
【００５４】そのため、図３（ａ）に示すように、分波
器表面に接地用端子３を並列型弾性表面波共振器の数よ
りも多く設置する。これにより、フィルタと接地用端子
３を接続するワイヤ９の数とスルーホールの数が並列に
増加させられるため、これらが寄与していたインダクタ
ンス成分が減少できる。
器表面に接地用端子３を並列型弾性表面波共振器の数よ
りも多く設置する。これにより、フィルタと接地用端子
３を接続するワイヤ９の数とスルーホールの数が並列に
増加させられるため、これらが寄与していたインダクタ
ンス成分が減少できる。
【００５５】図９に、上記したように接地用端子の数を
増加させた場合（Ａ）と並列型弾性表面波共振器の数と
同数の接地用端子を設けた場合（Ｂ）の帯域特性の比較
例を示す。ここで、接地用端子の数を増加させる場合、
一つの並列型弾性表面波共振器に対して２個設けるもの
とする。同図において、接地用端子の数を増加させた場
合の方が５ｄＢ程度フィルタチップの阻止帯域において
減衰量が改善できることがわかる。なお、このとき図９
のようにフィルタチップの通過帯域に対しては、特性の
劣化はほとんど見られない。
増加させた場合（Ａ）と並列型弾性表面波共振器の数と
同数の接地用端子を設けた場合（Ｂ）の帯域特性の比較
例を示す。ここで、接地用端子の数を増加させる場合、
一つの並列型弾性表面波共振器に対して２個設けるもの
とする。同図において、接地用端子の数を増加させた場
合の方が５ｄＢ程度フィルタチップの阻止帯域において
減衰量が改善できることがわかる。なお、このとき図９
のようにフィルタチップの通過帯域に対しては、特性の
劣化はほとんど見られない。
【００５６】また、上記のように接地端子数を増加させ
る場合の他、接地端子数を増加させずに同じ接地端子と
フィルタとを接続するワイヤの数を増加させることによ
っても減衰量を改善することができる。これらは、いず
れも前記したように、スルーホール及びワイヤに存在す
るインダクタンス成分を減少させることによると考えら
れる。
る場合の他、接地端子数を増加させずに同じ接地端子と
フィルタとを接続するワイヤの数を増加させることによ
っても減衰量を改善することができる。これらは、いず
れも前記したように、スルーホール及びワイヤに存在す
るインダクタンス成分を減少させることによると考えら
れる。
【００５７】以上のことにより、接地用端子３を、分波
器パッケージのスペースの許す限り多く設けた方が、フ
ィルタの特性を改善できる。したがって、接地用端子の
数を並列型弾性表面波共振器の数よりも多く設けること
によって、フィルタチップの通過帯域に対しては特性の
劣化をさせずに、阻止帯域に対してのみ信号減衰量を増
加させることができる。このことは、互いに相手のフィ
ルタチップの通過帯域に対する特性が改善できることを
意味する。
器パッケージのスペースの許す限り多く設けた方が、フ
ィルタの特性を改善できる。したがって、接地用端子の
数を並列型弾性表面波共振器の数よりも多く設けること
によって、フィルタチップの通過帯域に対しては特性の
劣化をさせずに、阻止帯域に対してのみ信号減衰量を増
加させることができる。このことは、互いに相手のフィ
ルタチップの通過帯域に対する特性が改善できることを
意味する。
【００５８】なお、パッケージ材料はガラスセラミック
のみならず、アルミナ（誘導率：10）を用いてもよく、
減衰量の絶対値としては多少の違いが見られるが、略同
様にフィルタの特性が改善できる。従って、パッケージ
材料としてムライト等の材料を用いても同様の結果が得
られることはいうまでもない。
のみならず、アルミナ（誘導率：10）を用いてもよく、
減衰量の絶対値としては多少の違いが見られるが、略同
様にフィルタの特性が改善できる。従って、パッケージ
材料としてムライト等の材料を用いても同様の結果が得
られることはいうまでもない。
【００５９】なお、以上の実施例では、２つのストリッ
プ線路を積層化し、フィルタチップとストリップ線路が
階層化された構造の分波器パッケージを用いたが、積層
化せずに、１板のガラスセラミック基板上に２つのスト
リップ線路とフィルタチップを並べて配置してもかまわ
ない。この場合底面積は増加するが、高さを低くするこ
とが可能であり、用途に応じて、積層化された構造の分
波器か、又はフィルタチップ等を並列に配置した構造の
分波器を採用すればよい。
プ線路を積層化し、フィルタチップとストリップ線路が
階層化された構造の分波器パッケージを用いたが、積層
化せずに、１板のガラスセラミック基板上に２つのスト
リップ線路とフィルタチップを並べて配置してもかまわ
ない。この場合底面積は増加するが、高さを低くするこ
とが可能であり、用途に応じて、積層化された構造の分
波器か、又はフィルタチップ等を並列に配置した構造の
分波器を採用すればよい。
【００６０】また、ストリップ線路とフィルタチップを
それぞれ別の基板上に配置した構造や、ガラスセラミッ
ク基板の中に２つのストリップ線路を並列に埋め込む構
造を持つように分波器を形成してもよい。
それぞれ別の基板上に配置した構造や、ガラスセラミッ
ク基板の中に２つのストリップ線路を並列に埋め込む構
造を持つように分波器を形成してもよい。
【００６１】
【発明の効果】この発明によれば、ストリップ線路の特
性インピーダンスの値を分波器パッケージに接続される
外部回路の特性インピーダンス値よりも大きく設定する
こと、ストリップ線路の両端において線路幅を異ならせ
ること、又は、接地用端子の数をフィルタチップを構成
する並列型弾性表面波共振器の数よりも多く設けること
によって、フィルタチップの特性劣化を改善することが
できる。
性インピーダンスの値を分波器パッケージに接続される
外部回路の特性インピーダンス値よりも大きく設定する
こと、ストリップ線路の両端において線路幅を異ならせ
ること、又は、接地用端子の数をフィルタチップを構成
する並列型弾性表面波共振器の数よりも多く設けること
によって、フィルタチップの特性劣化を改善することが
できる。
【図１】この発明の一実施例である分波器の構成図であ
る。
る。
【図２】分波器のフィルタチップの周波数特性の説明図
である。
である。
【図３】この発明の一実施例である多層セラミックパッ
ケージを用いた分波器の平面図及び断面図である。
ケージを用いた分波器の平面図及び断面図である。
【図４】この発明のストリップ線路の形状の例を示す平
面図である。
面図である。
【図５】この発明におけるストリップ線路の特性インピ
ーダンス値に対するフィルタ特性の変化を示す測定図で
ある。
ーダンス値に対するフィルタ特性の変化を示す測定図で
ある。
【図６】この発明の第２実施例におけるストリップ線路
の特性インピーダンスの変化を示す測定図である。
の特性インピーダンスの変化を示す測定図である。
【図７】第１実施例と第２実施例との帯域特性の比較図
である。
である。
【図８】この発明における分波器パッケージの電気的等
価モデルである。
価モデルである。
【図９】この発明の第３実施例における帯域特性の測定
図である。
図である。
【図１０】従来における分波器パッケージの平面図及び
断面図である。
断面図である。
１ 位相整合回路（ストリップ線路） ２ 位相整合回路（ストリップ線路） ３ 接地用端子 ４ フィルタ側信号端子 ５ 共通側信号端子 ６ 多層セラミックパッケージ ７ フィルタチップ ８ フィルタチップ ９ ワイヤ
フロントページの続き (72)発明者 大森 秀樹 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 それぞれ異なる帯域中心周波数を有する
２つの弾性表面波フィルタチップと、２つのフィルタ間
の位相整合用回路とを一つに収めた多層分波器パッケー
ジであって、前記位相整合用回路が積層化された少なく
とも２つのストリップ線路により形成され、前記ストリ
ップ線路の特性インピーダンス値を前記分波器パッケー
ジに接続される外部回路の特性インピーダンス値よりも
大きくしたことを特徴とする分波器パッケージ。 - 【請求項２】 前記ストリップ線路の特性インピーダン
ス値を前記外部回路の特性インピーダンス値に対し、1.
11倍±７％以内としたことを特徴とする請求項１記載の
分波器パッケージ。 - 【請求項３】 前記ストリップ線路の幅をその両端にお
いて異ならしめたことを特徴とする請求項１又は２記載
の分波器パッケージ。 - 【請求項４】 前記外部回路を接続するための共通信号
端子を備え、前記ストリップ線路の一端が前記共通信号
端子に接続されると共に前記ストリップ線路の他端が前
記フィルタチップに接続され、かつ前記共通信号端子と
の接続部のストリップ線路の幅が前記フィルタチップと
の接続部のストリップ線路の幅よりも小さく、ストリッ
プ線路の幅が前記フィルタチップ接続部から前記共通信
号端子接続部にかけて徐々に細く形成されることを特徴
とする請求項３記載の分波器パッケージ。 - 【請求項５】 前記フィルタチップと前記ストリップ線
路が階層化されて形成されることを特徴とする請求項
１、２、３又は４記載の分波器パッケージ。 - 【請求項６】 前記フィルタチップが、前記外部回路を
接続するための共通信号端子と前記ストリップ線路を接
続する信号線に対して並列に接続される並列型の弾性表
面波共振器と、直接に接続される直列型の弾性表面波共
振器とから構成され、さらに前記フィルタチップを接地
するための接地用端子の数が前記並列型の弾性表面波共
振器の数よりも多く設けられることを特徴とする請求項
１又は２記載の分波器パッケージ。 - 【請求項７】 １つの前記並列型の弾性表面波共振器に
対して少なくとも２個以上の接地用端子を設けることを
特徴とする請求項６記載の分波器パッケージ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6151319A JP2905094B2 (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | 分波器パッケージ |
| US08/412,318 US5561406A (en) | 1994-07-01 | 1995-03-29 | Duplexer package |
| DE19514798A DE19514798C2 (de) | 1994-07-01 | 1995-04-21 | Duplexer-Paket |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6151319A JP2905094B2 (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | 分波器パッケージ |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12483998A Division JP3525408B2 (ja) | 1998-05-07 | 1998-05-07 | 分波器パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0818393A true JPH0818393A (ja) | 1996-01-19 |
| JP2905094B2 JP2905094B2 (ja) | 1999-06-14 |
Family
ID=15516039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6151319A Expired - Lifetime JP2905094B2 (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | 分波器パッケージ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5561406A (ja) |
| JP (1) | JP2905094B2 (ja) |
| DE (1) | DE19514798C2 (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1075153A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 分波器パッケージ |
| JP2000138552A (ja) * | 1998-10-29 | 2000-05-16 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
| JP2000511581A (ja) * | 1996-06-03 | 2000-09-05 | ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー | 温度応答接着剤製品 |
| US6765456B2 (en) | 2001-12-17 | 2004-07-20 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Surface acoustic wave duplexer and portable communication device using the same |
| US6822537B1 (en) | 2003-05-14 | 2004-11-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave branching filter |
| US7053731B2 (en) | 2003-04-28 | 2006-05-30 | Fujitsu Media Devices, Limited | Duplexer using surface acoustic wave filters |
| KR100642612B1 (ko) * | 2001-02-09 | 2006-11-10 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 듀플렉서 장치 |
| JP2007215173A (ja) * | 2006-02-06 | 2007-08-23 | Samsung Electronics Co Ltd | デュプレクサ |
| US7276992B2 (en) | 2004-04-27 | 2007-10-02 | Fujitsu Media Devices Limited | Antenna duplexer and electronic device |
| WO2008029641A1 (fr) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Kyocera Corporation | Carte de circuit pour dispositif séparateur d'onde, séparateur d'onde et dispositif de communication |
| US7479845B2 (en) | 1998-06-09 | 2009-01-20 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Branching filter package |
| US7548135B2 (en) | 2005-04-21 | 2009-06-16 | Fujitsu Media Devices | Filter and duplexer |
| US7629863B2 (en) | 2006-05-18 | 2009-12-08 | Fujitsu Media Devices Limited | Filter and duplexer |
| US7684764B2 (en) | 2003-04-30 | 2010-03-23 | Fujitsu Media Devices Limited | Duplexer using surface acoustic wave filters and electronic device equipped with the same |
| JP2010526306A (ja) * | 2007-05-05 | 2010-07-29 | リフラクトリー・インテレクチュアル・プロパティー・ゲー・エム・ベー・ハー・ウント・コ・カーゲー | セラミック体をベースとした構造部品 |
| JP2015033080A (ja) * | 2013-08-06 | 2015-02-16 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
Families Citing this family (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3244386B2 (ja) * | 1994-08-23 | 2002-01-07 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波装置 |
| KR100206037B1 (ko) * | 1994-11-10 | 1999-07-01 | 세끼자와 다다시 | 탄성표면파필터 |
| JP3139327B2 (ja) * | 1995-05-31 | 2001-02-26 | 株式会社村田製作所 | 高周波複合部品 |
| US5786738A (en) * | 1995-05-31 | 1998-07-28 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave filter duplexer comprising a multi-layer package and phase matching patterns |
| DE19621353C2 (de) * | 1995-05-31 | 2000-05-18 | Fujitsu Ltd | Duplexer und ein Verfahren zum Herstellen desselben |
| JPH09121138A (ja) * | 1995-08-24 | 1997-05-06 | Fujitsu Ltd | フィルタ装置及びこれを用いた無線装置 |
| DE19619750A1 (de) * | 1996-05-15 | 1997-11-20 | Thomson Brandt Gmbh | Verstärkerschaltung mit Filter für digitale und analoge Signale |
| US6542725B2 (en) | 1996-05-15 | 2003-04-01 | Thomson Licensing S.A. | Amplifier circuit arrangement for alternatively processing a digital or an analog signal |
| JP2803723B2 (ja) * | 1996-09-02 | 1998-09-24 | 日本電気株式会社 | 周波数変換型フィルタ |
| JP3227645B2 (ja) * | 1996-09-17 | 2001-11-12 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| JP3222072B2 (ja) * | 1996-10-15 | 2001-10-22 | 富士通株式会社 | 分波器パッケージ |
| US6107899A (en) * | 1996-10-21 | 2000-08-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter with grounds not connected in the package or on the piezoelectric substrate |
| DE19719467C2 (de) * | 1997-05-07 | 1999-08-19 | Siemens Matsushita Components | OFW-Duplexer |
| JP3982876B2 (ja) * | 1997-06-30 | 2007-09-26 | 沖電気工業株式会社 | 弾性表面波装置 |
| JP3227649B2 (ja) * | 1997-08-07 | 2001-11-12 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ |
| US5977850A (en) * | 1997-11-05 | 1999-11-02 | Motorola, Inc. | Multilayer ceramic package with center ground via for size reduction |
| JP3315644B2 (ja) * | 1998-05-14 | 2002-08-19 | 富士通株式会社 | 弾性表面波素子 |
| EP0961404B1 (en) * | 1998-05-29 | 2008-07-02 | Fujitsu Limited | Surface-acoustic-wave filter having an improved suppression outside a pass-band |
| US6222426B1 (en) * | 1998-06-09 | 2001-04-24 | Oki Electric Industry, Co., Ltd. | Branching filter with a composite circuit of an LC circuit and a serial arm saw resonator |
| US6201457B1 (en) * | 1998-11-18 | 2001-03-13 | Cts Corporation | Notch filter incorporating saw devices and a delay line |
| JP3498204B2 (ja) * | 1999-03-10 | 2004-02-16 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ、それを用いた通信機装置 |
| JP3403669B2 (ja) * | 1999-06-04 | 2003-05-06 | 富士通株式会社 | アンテナ分波器 |
| DK174005B1 (da) | 2000-01-21 | 2002-04-08 | Ericsson Telefon Ab L M | Duplexfilter af bølgeledertype |
| JP2001313542A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 分波器 |
| JP3375936B2 (ja) * | 2000-05-10 | 2003-02-10 | 富士通株式会社 | 分波器デバイス |
| JP3363870B2 (ja) * | 2000-05-29 | 2003-01-08 | 沖電気工業株式会社 | 弾性表面波分波器 |
| JP2001345662A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Murata Mfg Co Ltd | デュプレクサ及びそれを用いた移動体通信装置 |
| JP2002141771A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-05-17 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波フィルタ装置 |
| JP3614369B2 (ja) * | 2001-01-11 | 2005-01-26 | 沖電気工業株式会社 | 有極型ｓａｗフィルタ |
| JP3612031B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2005-01-19 | Ｔｄｋ株式会社 | 高周波モジュール |
| DE60229821D1 (de) * | 2001-09-25 | 2008-12-24 | Tdk Corp | Gehäuse für integrierte Schaltung |
| JP3818896B2 (ja) * | 2001-11-26 | 2006-09-06 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 分波器及びこれを用いた電子装置 |
| US7023297B2 (en) * | 2003-05-14 | 2006-04-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave branching filter |
| US20040227585A1 (en) * | 2003-05-14 | 2004-11-18 | Norio Taniguchi | Surface acoustic wave branching filter |
| JP2005033246A (ja) * | 2003-07-07 | 2005-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｓａｗフィルタとそれを用いた電子デバイス |
| JP2005124139A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-05-12 | Murata Mfg Co Ltd | 分波器、通信機 |
| KR100552482B1 (ko) * | 2003-11-28 | 2006-02-15 | 삼성전자주식회사 | Ｒｆ 듀플렉서 |
| US6963257B2 (en) * | 2004-03-19 | 2005-11-08 | Nokia Corporation | Coupled BAW resonator based duplexers |
| KR100760780B1 (ko) | 2004-09-28 | 2007-09-21 | 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 | 분파기 |
| JP2006129445A (ja) | 2004-09-28 | 2006-05-18 | Fujitsu Media Device Kk | 分波器 |
| JP4297368B2 (ja) * | 2005-06-16 | 2009-07-15 | Ｔｄｋ株式会社 | 高周波モジュール |
| DE102006023165B4 (de) * | 2006-05-17 | 2008-02-14 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines akustischen Spiegels aus alternierend angeordneten Schichten hoher und niedriger akustischer Impedanz |
| US8508316B2 (en) * | 2010-10-21 | 2013-08-13 | Epcos Ag | Bulk acoustic wave filter of ladder-type structure |
| US8954025B2 (en) * | 2011-05-09 | 2015-02-10 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Tactical radio transceiver with intermediate frequency (IF) filter package for narrowband and wideband signal waveforms |
| CN104347526B (zh) * | 2013-07-29 | 2018-06-19 | 讯芯电子科技（中山）有限公司 | 双工器封装结构及制造方法 |
| JP6330910B2 (ja) * | 2014-07-22 | 2018-05-30 | 株式会社村田製作所 | デュプレクサ |
| WO2016068096A1 (ja) * | 2014-10-30 | 2016-05-06 | 株式会社村田製作所 | 受動素子付フィルタ部品および高周波モジュール |
| JP6604293B2 (ja) * | 2016-09-20 | 2019-11-13 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3130154A1 (de) * | 1981-07-30 | 1983-02-17 | Siemens Ag | Oberflaechenwellen-anordnung mit integriertem anpassungsnetzwerk |
| US4625184A (en) * | 1982-07-02 | 1986-11-25 | Clarion Co., Ltd. | Surface acoustic wave device with impedance matching network formed thereon |
| US5015973A (en) * | 1987-08-31 | 1991-05-14 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Duplexer with an isolating circuit on a dielectric plate |
| JPH0220111A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | 分波器 |
| JPH0760984B2 (ja) * | 1988-07-19 | 1995-06-28 | 沖電気工業株式会社 | 分波器 |
| JPH0269012A (ja) * | 1988-09-05 | 1990-03-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | 分波器 |
| US5103197A (en) * | 1989-06-09 | 1992-04-07 | Lk-Products Oy | Ceramic band-pass filter |
| US5202652A (en) * | 1989-10-13 | 1993-04-13 | Hitachi, Ltd. | Surface acoustic wave filter device formed on a plurality of piezoelectric substrates |
| JPH0484501A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 分波器 |
| JPH05167389A (ja) * | 1991-12-16 | 1993-07-02 | Fujitsu Ltd | 分波器 |
| JP3388475B2 (ja) * | 1991-12-16 | 2003-03-24 | 富士通株式会社 | 分波器 |
-
1994
- 1994-07-01 JP JP6151319A patent/JP2905094B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-03-29 US US08/412,318 patent/US5561406A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-04-21 DE DE19514798A patent/DE19514798C2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000511581A (ja) * | 1996-06-03 | 2000-09-05 | ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー | 温度応答接着剤製品 |
| JPH1075153A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 分波器パッケージ |
| US7679472B2 (en) | 1998-06-09 | 2010-03-16 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Branching filter package |
| US7893794B2 (en) | 1998-06-09 | 2011-02-22 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Branching filter package |
| US7859362B2 (en) | 1998-06-09 | 2010-12-28 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Branching filter package |
| US7479845B2 (en) | 1998-06-09 | 2009-01-20 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Branching filter package |
| US7602263B2 (en) | 1998-06-09 | 2009-10-13 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Branching filter package |
| JP2000138552A (ja) * | 1998-10-29 | 2000-05-16 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
| KR100642612B1 (ko) * | 2001-02-09 | 2006-11-10 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 듀플렉서 장치 |
| US6765456B2 (en) | 2001-12-17 | 2004-07-20 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Surface acoustic wave duplexer and portable communication device using the same |
| US7053731B2 (en) | 2003-04-28 | 2006-05-30 | Fujitsu Media Devices, Limited | Duplexer using surface acoustic wave filters |
| US7684764B2 (en) | 2003-04-30 | 2010-03-23 | Fujitsu Media Devices Limited | Duplexer using surface acoustic wave filters and electronic device equipped with the same |
| US6822537B1 (en) | 2003-05-14 | 2004-11-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave branching filter |
| DE112004000738B3 (de) * | 2003-05-14 | 2010-07-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo | Oberflächenwellenverzweigungsfilter |
| US7276992B2 (en) | 2004-04-27 | 2007-10-02 | Fujitsu Media Devices Limited | Antenna duplexer and electronic device |
| US7548135B2 (en) | 2005-04-21 | 2009-06-16 | Fujitsu Media Devices | Filter and duplexer |
| JP2007215173A (ja) * | 2006-02-06 | 2007-08-23 | Samsung Electronics Co Ltd | デュプレクサ |
| US7629863B2 (en) | 2006-05-18 | 2009-12-08 | Fujitsu Media Devices Limited | Filter and duplexer |
| JPWO2008029641A1 (ja) * | 2006-08-30 | 2010-01-21 | 京セラ株式会社 | 分波器デバイス用回路基板、分波器、及び通信装置 |
| WO2008029641A1 (fr) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Kyocera Corporation | Carte de circuit pour dispositif séparateur d'onde, séparateur d'onde et dispositif de communication |
| JP2010526306A (ja) * | 2007-05-05 | 2010-07-29 | リフラクトリー・インテレクチュアル・プロパティー・ゲー・エム・ベー・ハー・ウント・コ・カーゲー | セラミック体をベースとした構造部品 |
| JP2015033080A (ja) * | 2013-08-06 | 2015-02-16 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2905094B2 (ja) | 1999-06-14 |
| US5561406A (en) | 1996-10-01 |
| DE19514798A1 (de) | 1996-01-11 |
| DE19514798C2 (de) | 2001-08-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2905094B2 (ja) | 分波器パッケージ | |
| JP3222072B2 (ja) | 分波器パッケージ | |
| US6380823B1 (en) | Antenna duplexer with receiving, transmitting, and antenna terminal groups separated planarly | |
| US7053731B2 (en) | Duplexer using surface acoustic wave filters | |
| JP3487692B2 (ja) | 分波器 | |
| EP1675262B1 (en) | Duplexer | |
| US7924118B2 (en) | Duplexer and elastic wave device | |
| US6489860B1 (en) | Surface acoustic wave duplexer with first and second package ground patterns | |
| US5786738A (en) | Surface acoustic wave filter duplexer comprising a multi-layer package and phase matching patterns | |
| JP3375936B2 (ja) | 分波器デバイス | |
| KR100697767B1 (ko) | 분파기 및 전자 장치 | |
| US20070111674A1 (en) | Duplexer | |
| US6919778B2 (en) | Duplexer with an impedance matching circuit and an electronic device using the same | |
| TW200301617A (en) | Duplexer and electronic device using the same | |
| US8170629B2 (en) | Filter having impedance matching circuits | |
| JPH04284003A (ja) | 平面型誘電体フィルタ | |
| JP3967289B2 (ja) | 分波器及び電子装置 | |
| JP3525408B2 (ja) | 分波器パッケージ | |
| JP3532158B2 (ja) | 分波器デバイス | |
| JP2002280862A (ja) | 複合型ｌｃフィルタ回路及び複合型ｌｃフィルタ部品 | |
| CN113381718A (zh) | 滤波器及复用器 | |
| JP3710445B2 (ja) | アンテナ分波器 | |
| US20050046512A1 (en) | Demultiplexer | |
| JP3198252B2 (ja) | 分波器及びその製造方法 | |
| JPH06112762A (ja) | 分波器パッケージ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990309 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080326 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090326 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100326 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100326 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110326 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110326 Year of fee payment: 12 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110326 Year of fee payment: 12 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140326 Year of fee payment: 15 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |