WO2004102799A1 - 弾性表面波分波器 - Google Patents

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WO2004102799A1
WO2004102799A1 PCT/JP2004/005546 JP2004005546W WO2004102799A1 WO 2004102799 A1 WO2004102799 A1 WO 2004102799A1 JP 2004005546 W JP2004005546 W JP 2004005546W WO 2004102799 A1 WO2004102799 A1 WO 2004102799A1
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surface acoustic
wiring pattern
wave filter
filter chip
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PCT/JP2004/005546
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Norio Taniguchi
Yasunori Kishimoto
Original Assignee
Murata Manufacturing Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to a surface acoustic wave duplexer used as a duplexer, for example, connected to a wireless communication device (part). More specifically, the present invention relates to first and second surface acoustic wave filters having different center frequencies. The present invention relates to a surface acoustic wave duplexer having a structure in which a chip is joined to a wiring pattern provided on a package material by a bump provided on the surface acoustic wave filter chip.
  • the signal input / output terminals A 1, A 2, B 1, B 2, C 1, C 2, D 1, and D 2 are arranged so as to be located at.
  • each signal input / output terminal in this manner, inductive coupling between a plurality of signal lines is suppressed, and the isolation is improved.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-183393 discloses a duplexer package shown in FIG.
  • the first and second surface acoustic wave filter chips 2 1 2 and 2 13 are housed in a duplexer package 2 11 having a multilayer structure.
  • strip lines 214, 215 are buried to constitute a phase matching device.
  • a surface acoustic wave chip having first and second surface acoustic wave filters is housed in a package.
  • the first and second surface acoustic wave filters are electrically connected to terminal electrodes formed on the package by bonding wires.
  • the bonding wire connected to the signal terminal and the bonding wire connected to the ground terminal intersect, thereby providing isolation and attenuation. The amount has been improved.
  • An object of the present invention is to provide a surface acoustic wave filter chip mounted on a package material by a flip chip bonding method using bumps in view of the above-mentioned state of the art, and therefore, miniaturization can be promoted. Furthermore, the isolation between the first and second surface acoustic wave filter chips can be further improved, and the surface acoustic wave filter chip has good damping characteristics and a small change in characteristics due to mounting displacement of the surface acoustic wave filter chip.
  • a wave branching filter providing a first aspect of the c the present application is to the a first surface acoustic wave off Irutachippu is relatively low center frequency, relatively high center frequency the second surface acoustic wave filter And a plurality of chips provided on the first and second surface acoustic wave filter chips.
  • a surface acoustic wave duplexer joined to the wiring pattern formed on the chip mounting surface of the package material using the bumps of the package material, which has a plurality of SAW resonators and a plurality of A first surface acoustic wave filter chip having a plurality of bumps, a second surface acoustic wave filter chip having a plurality of SAW resonators, and having a plurality of bumps on a lower surface;
  • a surface acoustic wave filter chip comprising: a package material joined by using the plurality of bumps; and a chip mounting surface of the package material includes a signal connected to an output terminal of the second surface acoustic wave filter chip.
  • the signal wiring pattern is configured to have a pattern portion closer to the ground wiring pattern side than the bump of the second elastic surface wave filter chip bonded to the second wiring.
  • the signal wiring pattern is bent so as to be close to the ground wiring pattern side, whereby the signal wiring pattern is connected to the ground electrode pattern side.
  • the pattern part close to is constructed.
  • the signal wiring pattern has a first wiring pattern portion extending in parallel with an edge of the ground wiring pattern at a portion close to the ground wiring pattern. And second and third wiring pattern portions bent from both ends of the first wiring pattern portion in a direction away from the ground wiring pattern.
  • first wiring pattern portion and the second and third wiring pattern portions are configured so as to be substantially perpendicular to each other. Has a substantially U-shape.
  • the signal wiring pattern is electrically connected to an output end of the second surface acoustic wave filter chip by a bump. ing.
  • the second invention of the present application is directed to a first surface acoustic wave filter chip having a relatively low center frequency and a second surface acoustic wave filter chip having a relatively high center frequency.
  • a surface acoustic wave duplexer that is connected to the wiring pattern on the chip mounting surface of the package material using a plurality of bumps provided on the surface acoustic wave filter chip, and includes a plurality of SAW resonators.
  • a first surface acoustic wave filter chip having a plurality of bumps on its lower surface and a plurality of SAW resonators, and a second surface acoustic wave filter having a plurality of bumps on its lower surface.
  • a chip mounting surface of the package material has a second elastic surface.
  • Wave filter chip output At least a signal wiring pattern connected to the end and a ground wiring pattern connected to the ground potential of the SAW resonator closest to the output end of the second surface acoustic wave filter chip; and A signal via hole electrode and a ground via hole electrode which are respectively connected to the signal wiring pattern and the ground wiring pattern and penetrate at least a part of the package material; and wherein the signal via hole electrode and the ground are provided.
  • the distance between the via-hole electrode and the via-hole electrode, which is formed on the package material is the smallest among the distances between the via-hole electrodes connected to different potentials. This is a surface acoustic wave duplexer.
  • a first surface acoustic wave filter chip having a relatively low center frequency and a second surface acoustic wave filter chip having a relatively high center frequency A surface acoustic wave duplexer that is connected to the wiring pattern on the chip mounting surface of the package material using a plurality of bumps provided on the surface acoustic wave filter chip, and includes a plurality of SAW resonators.
  • a first surface acoustic wave filter chip having a plurality of bumps on a lower surface thereof, and a second surface acoustic wave filter chip comprising a plurality of SAW resonators and having a plurality of bumps on a lower surface.
  • a package material in which the first and second elastic surface wave filter chips are joined using the plurality of bumps is provided.
  • a second surface acoustic wave is provided on the chip mounting surface of the package material.
  • Filter tip out At least a signal wiring pattern connected to the input end and a ground wiring pattern connected to the ground potential of the SAW resonator closest to the output end of the second surface acoustic wave filter chip;
  • the second elastic surface wave filter chip in the structure for canceling the magnetic flux, includes a plurality of bumps joining the second surface acoustic wave filter chip to a wiring pattern of a package material.
  • the first bump connected to the output end of the surface acoustic wave filter chip and the second bump connected to the ground potential of the SAW resonator closest to the output end are dispersed on both sides of an imaginary line, First and second via-hole electrodes connected to a ground wiring pattern and penetrating at least a part of the package material are arranged.
  • the second surface acoustic wave filter chip in the structure for canceling the magnetic flux, includes a plurality of bumps provided on the second surface acoustic wave filter chip.
  • the first bump connected to the output terminal of the second SAW filter and the center of the plurality of second bumps connected to the ground-side potential of the SAW resonator closest to the output terminal of the second surface acoustic wave filter chip.
  • First and second via-hole electrodes which are dispersed on both sides of the connecting line, are connected to the ground wiring pattern, and penetrate at least a part of the layer of the package material are arranged.
  • a line connecting the first via hole electrode and the second bump and a line connecting the second bump and the second via hole electrode are formed.
  • the angle is 90 ° or more.
  • the first via-hole electrode, a line connecting the centers of the plurality of second bumps, and the center of the plurality of second bumps and the second The angle between the via hole electrode and the line connecting the via hole electrode is 90 ° or more.
  • a plurality of via hole electrodes including the first and second via hole electrodes is provided in the package material, and at least one of the plurality of via hole electrodes is provided.
  • the via-hole electrode is disposed below the region where the second surface acoustic wave filter chip is mounted, and the remaining via-hole electrode is disposed outside the region where the second surface acoustic wave filter chip is mounted. Have been.
  • the first and second surface acoustic wave filter chips may be configured as individual chips, respectively.
  • the second surface acoustic wave filter chip may be integrated into one chip.
  • FIGS. 1 (a) and (b) are a schematic exploded perspective view and a front sectional view for explaining a surface acoustic wave duplexer according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram showing a circuit configuration of the surface acoustic wave duplexer according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic bottom view showing the electrode structure formed on the lower surface of the receiving-side surface acoustic wave filter chip used in the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic plan view for explaining a plurality of wiring patterns on the upper surface of the package material used in the first embodiment.
  • FIG. 5 is a schematic plan view for explaining a wiring pattern formed on an upper surface of a package material in a conventional surface acoustic wave duplexer prepared for comparison.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating the frequency characteristics of each receiving-side surface acoustic wave filter in the surface acoustic wave splitter of the first embodiment and a comparative example prepared for comparison.
  • FIG. 7 is a diagram showing the isolation characteristics of the surface acoustic wave duplexers of the second embodiment and the comparative example.
  • FIG. 8 is a schematic plan view for explaining a plurality of wiring patterns provided on the upper surface of the package material of the surface acoustic wave duplexer according to the second embodiment.
  • FIG. 9 is a schematic plan view for explaining a wiring pattern on an upper surface of a package material used in a surface acoustic wave duplexer according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a diagram showing the frequency characteristics of the receiving-side surface acoustic wave filter in the surface acoustic wave duplexer according to the third embodiment.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating an isolation characteristic of a receiving-side surface acoustic wave filter in the surface acoustic wave duplexer according to the third embodiment.
  • FIG. 12 is a diagram illustrating frequency characteristics of a receiving-side surface acoustic wave filter in a surface acoustic wave duplexer of a comparative example.
  • FIG. 13 is a diagram illustrating the isolation characteristics of the receiving surface acoustic wave filter in the surface acoustic wave duplexer of the comparative example.
  • FIG. 14 is a diagram for explaining a surface acoustic wave duplexer according to a fourth embodiment of the present invention, and is a schematic plan view for explaining a wiring pattern on an upper surface of a used package material.
  • FIG. 14 is a diagram for explaining a surface acoustic wave duplexer according to a fourth embodiment of the present invention, and is a schematic plan view for explaining a wiring pattern on an upper surface of a used package material.
  • FIG. 15 is a schematic plan view for explaining a wiring pattern on an upper surface of a package material used in a surface acoustic wave duplexer according to a modification of the first embodiment.
  • FIG. 16 is a bottom view of the receiving-side surface acoustic wave filter chip mounted on the top surface of the package material shown in FIG.
  • FIG. 17 is a schematic plan view for explaining a wiring pattern on an upper surface of a package material used in a surface acoustic wave duplexer according to a modified example of the surface acoustic wave duplexer according to the third embodiment. is there.
  • FIG. 18 is a schematic plan view for explaining the positional relationship of a plurality of via-hole electrodes connected to the receiving-side ground wiring pattern for strengthening the ground in the wiring pattern shown in FIG. 17. is there.
  • FIG. 19 is a schematic plan sectional view for explaining a conventional surface acoustic wave duplexer.
  • FIG. 20 is a schematic front sectional view for explaining still another example of the conventional surface acoustic wave duplexer. '' Best mode for carrying out the invention
  • FIG. 1 (a) and 1 (b) are a schematic exploded perspective view and a front sectional view for explaining a surface acoustic wave duplexer according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram showing a circuit configuration of the surface acoustic wave duplexer of the present embodiment. As shown in FIG. 2, the surface acoustic wave splitter 1 has an antenna connection terminal 2 connected to the antenna ANT.
  • a phase matching element 5 is connected between the antenna connection terminal 2 and the receiving-side surface acoustic wave filter chip 4.
  • Each of the surface acoustic wave filter chips 3 and 4 has a structure in which a plurality of SAW resonators are connected so as to form a ladder-type circuit, as shown in the figure. More specifically, the surface acoustic wave filter chips 3 and 4 respectively include SAW resonators S1 to S6 and S7 to S10 as series arm resonators, and SW resonators as parallel arm resonators. It has AW resonators P1 to P2 and P3 to P5.
  • the signal terminals opposite to the ANT terminal 2 of the surface acoustic wave filter chips 3 and 4 are a transmission signal terminal 6 and a reception signal terminal 7, respectively.
  • the SAW resonator P5 closest to the receiving signal terminal 7 and having one end connected to the ground potential is the electrode structure of the package material connected to the ground potential. That is, in the present invention, the ground potential of the SAW resonator closest to the output side of the second SAW filter chip indicates the ground potential of the SAW resonator P5 in FIG.
  • the package material 8 As shown in Fig. 1 (b), in the surface acoustic wave duplexer 1, the package material 8
  • a concave portion 8a is formed above.
  • the transmitting surface acoustic wave filter chip 3 and the receiving surface acoustic wave filter chip 4 are mounted on the chip mounting surface 8b of the package material, and here, the chip mounting surface 8b of the package material 8 is mounted. Is the bottom surface of the recess 8a.
  • a flat package material having no concave portion 8a may be used.
  • a lid member 9 is attached so as to close the concave portion 8a of the package member 8.
  • the transmitting surface acoustic wave filter chip 3 and the receiving surface acoustic wave filter chip 4 use a plurality of bumps 10, 11 schematically shown to form a package material 8 chip. It is electrically connected to various wiring patterns described later provided on the mounting surface 8b, and the surface acoustic wave filter chips 3 and 4 are joined to the chip mounting surface 8b of the package material 8.
  • phase matching element 5 in FIG. 2 is constituted by the strip lines 12 and 13 shown in FIG. 1 (b). Strip lines 12 and 13 are no. It is embedded in the package material 8 and is electrically connected to the receiving-side surface acoustic wave filter chip 4 via electrodes 14 and 15.
  • the transmitting surface acoustic wave filter chip 3 and the receiving surface acoustic wave filter chip 4 are arranged close to each other. Therefore, the magnetic flux generated by the current flowing through the transmitting surface acoustic wave filter chip 3 passes through the receiving surface acoustic wave filter chip 4 side. More specifically, it passes in a direction orthogonal to the main surface of the receiving-side surface acoustic wave filter chip 4 and the chip mounting surface 8b of the package material 8. Therefore, there is a problem that the frequency characteristics of the receiving-side surface acoustic wave filter chip 4 are deteriorated by such magnetic flux, and the isolation between the surface acoustic wave filter chips 3 and 4 is deteriorated.
  • the characteristics due to such magnetic flux In order to prevent deterioration, the shape of the wiring pattern formed on the chip mounting surface 8b of the package material 8 has been improved. This will be described with reference to FIG. 1 (a), FIG. 3 and FIG.
  • FIG. 1A is an exploded perspective view schematically showing a portion where the receiving surface acoustic wave filter chip 4 is mounted on a chip mounting surface 8 b of a package material 8. Further, on the lower surface of the surface acoustic wave filter chip 4, various electrodes shown in FIG. 3 are provided. That is, the SAW resonators S7 to S10 and P3 to P5 shown in FIG. 2 are formed on the lower surface 4a of the surface acoustic wave chip 4. In the present embodiment, each of the SAW resonators S7 to S10 and P3 to P5 is configured by a one-port SAW resonator, and the surface wave propagation direction of an IDT (interdigital electrode) is provided.
  • IDT interdigital electrode
  • Electrodes 16a to .16 g are formed on the lower surface 4.a of the surface acoustic wave filter chip 4.
  • the electrode pads 16a to 16g are provided with respective metal bumps.
  • This metal bump corresponds to, for example, a metal bump 10 schematically shown in FIG. 1 (b), and protrudes downward from the lower surface 4 a of the elastic surface wave filter chip 4.
  • a plurality of wiring patterns are formed at a portion bonded to the metal bump. That is, as shown in FIG. 1 (a) and FIG. 4, the antenna-side signal wiring pattern 22, the antenna-side ground wiring pattern 21, the inter-stage ground wiring pattern 23, the receiving-side signal wiring pattern 24, and the receiving-side ground The wiring pattern 25 is formed.
  • the feature of the present embodiment lies in the structure of the receiving-side signal wiring pattern 24 and the receiving-side ground wiring pattern 25.
  • the signal wiring pattern 24 on the receiving side is connected to the signal terminal 7 on the receiving side shown in FIG. 2, that is, the portion to be bonded to the metal bump of the electrode pad 16 d ⁇ shown in FIG.
  • the ground wiring pattern 25 on the receiving side is a ground potential of the SAW resonator P5 in FIG. 2, that is, a portion to be joined to each bump provided on the electrode pads 16e to 16g in FIG.
  • various wiring patterns connected to the transmitting-side surface acoustic wave filter chip 3 shown in FIG. 1 (b) are formed in a portion indicated by a dashed line B in FIG. .
  • a plurality of via hole electrodes V1 to V9 are formed in the package material 8.
  • the upper ends of the via hole electrodes V1 to V9 are connected to one of the wiring patterns 21 to 25, respectively.
  • the via hole electrodes V1 to V9 extend so as to penetrate at least a part of the package material 8, that is, in a direction orthogonal to the chip mounting surface 8b.
  • V 4 connected to the antenna signal wiring pattern 22 is electrically connected to the strip lines 12 and 13 described above.
  • Other via hole electrodes are formed so as to reach the lower surface of the package material 8. Then, it is electrically connected to an external connection electrode formed on the lower surface of the package material 8. '
  • the surface acoustic wave splitter 1 also has an advantage that the ground is enhanced by the via-hole electrodes V7 to V9.
  • the transmitting surface acoustic wave chip 3 and the receiving surface acoustic wave filter chip 4 are arranged close to each other. Therefore, during operation, a magnetic flux is generated by an electric signal flowing through the electrode part of the transmitting surface acoustic wave filter chip 3 and the electrode part on the package material 8 which is electrically connected to the transmitting surface acoustic wave filter chip 3. This magnetic flux is applied to the chip mounting surface 8 b of the receiving surface acoustic wave filter chip 4 and package material 8
  • the isolation deteriorates because the magnetic flux passes through the portions where the receiving-side signal wiring pattern 24 and the receiving-side ground wiring pattern 25 are provided. Therefore, in the present embodiment, the reception-side signal wiring pattern 24 is bent so as to have a substantially U-shape as shown in FIGS. 1 (a) and 4.
  • the pattern 24 is configured to have a wiring pattern portion adjacent to the receiving-side ground wiring pattern 25. Therefore, it is possible to suppress the influence of the magnetic flux passing in the direction perpendicular to the chip mounting surface 8b in the portion between the receiving-side signal wiring pattern 24 and the receiving-side ground wiring pattern 25. ing.
  • FIG. 5 is a schematic plan view of a package 220 prepared for comparison.
  • the antenna-side signal wiring pattern 22 2, the antenna-side ground wiring pattern 2 21, and the inter-stage ground wiring pattern are formed on the chip mounting surface of the package material 220.
  • 2 2 3 a receiving-side signal wiring pattern 2 24 and a receiving-side ground wiring pattern 2 25 are formed.
  • the receiving-side signal wiring pattern 2 24 is, like the wiring patterns 2 2 2 and 2 2 3, arranged apart from the adjacent wiring pattern, and as is clear from FIG.
  • the wiring pattern 222 has a substantially linear shape.
  • the receiving-side signal wiring patterns 2.4 are bent so as to have a substantially U-shape, and the receiving-side ground wiring patterns 25 are formed. Being close.
  • the line pattern 24 has a linear first wiring pattern portion 24 a extending parallel to the edge of the receiving ground wiring pattern 25 at a portion facing the receiving ground wiring pattern 25, Second and third wires bent from both sides of the first wiring pattern portion 24a in a direction substantially orthogonal to the first wiring pattern portion 24a and away from the receiving-side ground wiring pattern 25 It has pattern portions 24b and 24c.
  • the second and third wiring pattern portions 24b and 24c are not necessarily required to be orthogonal to the first wiring pattern portion 24a, but are bent at an angle other than 90 °. May be configured.
  • Figure 6 shows the frequency characteristics of the surface acoustic wave filter chip on the receiving side of the device.
  • the solid line in FIG. 6 shows the result in the first embodiment, and the broken line shows the result in the comparative example.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating the isolation characteristics of the surface acoustic wave duplexers of the embodiment and the comparative example.
  • the solid line indicates the result of the embodiment, and the broken line indicates the result of the comparative example.
  • the pass band of the surface acoustic wave duplexer is 824: to 849 4 ⁇ , and the Rx pass band is 869 to 894 MHz.
  • the surface acoustic wave duplexer of the present embodiment has a better isolation characteristic than the passband of the surface acoustic wave filter. Therefore, it can be seen that the out-of-band attenuation is sufficiently large in the frequency characteristics of the surface acoustic wave filter chip on the receiving side. This is because, as described above, the signal wiring pattern 24 on the receiving side is brought close to the ground wiring pattern 25 on the receiving side, and the influence of the above-described magnetic flux passing through the portion between them can be suppressed. It is considered that
  • FIG. 8 is a schematic plan view showing the structure of the wiring pattern on the upper surface of the package material of the surface acoustic wave duplexer according to the second embodiment of the present invention, showing the structure of the first embodiment.
  • the surface acoustic wave duplexer of the second embodiment is the same as the first surface acoustic wave duplexer, so the description of the first embodiment will be referred to. .
  • the antenna-side signal wiring pattern 22 and the antenna-side ground are provided on the chip mounting surface 8 b of the package material 8, as in the first embodiment.
  • Wiring pattern 21, interstage ground wiring pattern 23, and receiving-side ground wiring pattern 25 are arranged.
  • the U-shaped receiving signal wiring pattern 24 is formed
  • the receiving signal wiring pattern 31 is It does not have a character shape but has a linear shape.
  • the via-hole electrode V6 connected to the receiving-side signal wiring pattern 31 and the via-hole electrode V6 of the via-hole electrodes V7 to V9 connected to the receiving-side ground wiring pattern 25 are close to each other.
  • the distance R between the via hole electrode V 7 and the via hole electrodes V 1 to V 9 electrically connected to the receiving surface acoustic wave filter chip 4 is different from the via hole connected to a different potential.
  • the distance between the pair of adjacent via-hole electrodes connected to another different potential is at least the distance between the pair of via-hole electrodes V 6 and the via-hole electrode. It may be equal to the distance from V7.
  • the package 8 is formed so as to extend from the chip mounting surface 8 b of the cage 8 to at least a part of the package 8 and to reach the lower surface 8 c of the package 8. Therefore, by reducing the distance between the via-hole electrodes V6 and V7, the influence of the magnetic flux between them can be suppressed.
  • the influence of the magnetic flux generated by the signal passing through the electrodes of the transmitting surface acoustic wave filter chip 3 and the package material 8 connected to the transmitting surface acoustic wave filter chip 3 is caused by the via hole electrode V 6 and the via hole electrode V 7 can also be achieved by reducing the distance R between them.
  • the receiving-side signal wiring pattern 31 is provided at the portion where the via-hole electrode V 6 is provided. Close to ground wiring pattern 25. That is, also in the surface acoustic wave duplexer according to the second embodiment, the receiving-side signal wiring pattern 31 also has a wiring pattern portion close to the receiving-side ground wiring pattern 25.
  • the via hole electrode V6 since the via hole electrode V6 may be brought close to the via hole electrode V7, it is not necessary to make the shape of the signal wiring pattern 31 complicated. However, in practice, when miniaturization is attempted, it is difficult to form a pair of via-hole electrodes close to each other, such as via-hole electrode V6 and via-hole electrode V7. Therefore, when the size of the surface acoustic wave duplexer is reduced, as in the first embodiment, a part of the receiving-side signal wiring pattern is brought closer to the receiving-side ground wiring pattern 25, and the via-hole electrode is formed. By forming the structure in which the distance between V6 and the via hole electrode V7 is wider than that in the second embodiment, the formation of the via hole electrodes V6 and V7 becomes easier. Therefore, taking into account the via hole electrode formation accuracy, the second implementation
  • the structure of the first embodiment is more advantageous than the embodiment because it is easier to manufacture.
  • FIG. 9 is a diagram for explaining a surface acoustic wave duplexer according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a diagram showing wiring on a chip mounting surface of a package material used in the third embodiment.
  • FIG. 5 is a schematic plan view showing a pattern structure, corresponding to FIG. 4 shown in the first embodiment.
  • the other structures are the same as those in the first embodiment. Therefore, the description of the other structures will be omitted by using the description of the first embodiment.
  • the antenna-side signal wiring pattern 41, the antenna-side ground wiring pattern 42, the inter-stage ground wiring pattern 43, and the receiving side are formed. Further, via hole electrodes V 1 to V 10 are formed so as to penetrate at least a part of package material 8.
  • the receiving-side signal wiring pattern 44 is configured in the same manner as the receiving-side signal wiring pattern 24 of the first embodiment. That is, the receiving-side signal wiring pattern 44 has a shape that is bent in a U-shape so as to have a wiring pattern portion close to the receiving ground wiring pattern 45. Therefore, similarly to the first embodiment, the influence of the magnetic flux from the transmitting-side surface acoustic wave filter chip 3 can be suppressed by the shape of the receiving-side signal wiring pattern 44.
  • the via-hole electrode V10 and the via-hole electrode V7 are arranged as shown in the drawing, the above-mentioned magnetic flux can be canceled out, thereby further improving the attenuation and the isolation. Is possible.
  • the arrangement structure of the via-hole electrodes V7 and V10 will be described.
  • via-hole electrodes V7 and V10 are formed on both sides of a virtual line E connecting virtual points C and D.
  • the via-hole electrode VI 0 is connected to the receiving-side ground wiring pattern 45, similarly to the via-hole electrodes V 7 to V 9.
  • the imaginary point D indicates a portion where the bump connected to the receiving signal terminal 7 of the surface acoustic wave filter chip 4 shown in FIG. 1 is bonded, and the imaginary point C indicates the surface acoustic wave shown in FIG. This is a portion bonded to the bump on the electrode pad 16f connected to the ground potential of the SAW resonator P5 of the wave filter chip 4.
  • the joint point D of the bump connected to the output end of the receiving surface acoustic wave filter chip 4 as the second surface acoustic wave filter chip and closest to the signal wiring pattern and the SAW closest to the output end are shared.
  • Via-hole electrodes V 7 and V 10 connected to the ground potential are arranged on both sides of a virtual line E connecting the point C where the bump connected to the ground potential of the pendulum is connected.
  • FIGS. FIG. 10 and 11 are diagrams showing frequency characteristics and isolation characteristics on the receiving side of the surface acoustic wave duplexer according to the third embodiment.
  • FIGS. FIG. 9 is a diagram showing frequency characteristics and isolation characteristics on the receiving side of the surface acoustic wave duplexer according to the comparative example.
  • FIGS. 10 to 13 show the case where the transmitting-side surface acoustic wave filter chip is fixed.
  • the mounting position of the receiving surface acoustic wave filter chip is shifted about 5 ⁇ up, down, left, and right within the chip mounting surface, the characteristics with the best attenuation and the characteristics with the best isolation Each is indicated by a solid line, and the characteristic with the worst attenuation and the characteristic with the worst isolation are indicated by broken lines.
  • FIG. 10 and FIG. 11 even if the mounting of the surface acoustic wave filter on the receiving side is displaced, there is hardly any deviation in the characteristics, so that the solid line and the broken line overlap so hard to be distinguished.
  • Fig. 12 and Fig. 13 when the mounting deviation of the receiving surface acoustic wave filter occurs, the deviation of the attenuation and the isolation characteristics increases, and the difference between the solid line and the broken line increases. .
  • the variation in the attenuation in the transmission passband in the reception surface acoustic wave filter is 4. O dB, and the dispersion of the isolation in the transmission side band was 5.ld B.
  • the signal passing through the transmission side surface acoustic wave filter of the reception side surface acoustic wave filter was used. It can be seen that the attenuation in the band can be significantly improved to 1.2 dB, and the isolation in the transmission side band can be significantly improved to 0.8 dB. .
  • the isolation outside the pass band on the receiving side is further improved. It can be seen that the attenuation on the lower frequency side than the pass band in the frequency characteristics can be made sufficiently large.
  • the virtual point C is joined to one bump on the electrode pad 16f connected to the ground potential of the SAW resonator P5 of the surface acoustic wave filter chip 4.
  • a plurality of bumps may be formed on an electrode pad connected to the ground potential of the SAW resonator P5 of the surface acoustic wave filter chip 4, and in that case, a plurality of bumps may be formed.
  • the center of the pump is the virtual point C. That is, there may be a plurality of bumps connected to the ground potential of the SAW resonator P5 and close to the signal wiring pattern. In this case, the center of the plurality of bumps is set to the virtual point D. Then, via-hole electrodes V7 and VI0 may be arranged.
  • FIG. 14 is a schematic plan view for explaining a surface acoustic wave duplexer according to a fourth preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a schematic plan view showing an electrode structure on the chip mounting surface 8 b of the package material 8.
  • the surface acoustic wave duplexer according to the fourth embodiment corresponds to a modified example of the above-described second surface acoustic wave duplexer. That is, as shown in FIG. 8, in the second embodiment, the receiving-side signal wiring pattern 31 had a substantially linear shape, and was connected to the via-hole electrode V6 at the outer end. In the second embodiment, a substantially linear signal wiring pattern 31 is formed. However, as shown in FIG. 14, an L-shaped signal wiring pattern is formed as the receiving-side signal wiring pattern 32. May be. In this case as well, the outer end of the signal wiring pattern 32 on the receiving side is connected to the via hole electrode V6, and the via electrode V6 connected to the ground wiring pattern 25 on the receiving side is connected to the via hole electrode V6.
  • FIGS. 15 and 16 are diagrams for explaining still another modified example of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a diagram showing the shape of the wiring pattern on the upper surface of the pattern material used in this modification
  • FIG. 16 is a diagram showing the electrode shape on the lower surface of the surface acoustic wave filter chip 4 used in this modification. It is a typical bottom view shown.
  • the ground wiring pattern 25 is formed by one electrode. However, as shown in FIG. 15, the receiving-side ground wiring pattern 25 is formed by the ground wiring pattern 25 a And the ground wiring pattern 25b. That is, also in the first embodiment and the second and third embodiments, the receiving-side ground wiring pattern may be divided into a plurality of wiring patterns. '
  • FIG. 17 is a diagram for explaining a surface acoustic wave duplexer according to a modification of the surface acoustic wave duplexer of the third embodiment described above.
  • FIG. 17 is a diagram illustrating the third embodiment.
  • FIG. 10 is a diagram corresponding to FIG.
  • the present modified example has the same configuration as the surface acoustic wave duplexer of the third embodiment except that the receiving-side wiring pattern 44 does not have a U-shape. That is, in the surface acoustic wave duplexer according to the third embodiment, the receiving-side wiring pattern 44A has a substantially U-shaped shape, similarly to the first embodiment, in the same manner as in the first embodiment. Was close to 4-5. On the other hand, in the surface acoustic wave duplexer of the present modification, the receiving-side wiring pattern 44A does not have a U-shape.
  • the via hole electrode V 10 and the via hole electrode V 7 are arranged as shown in FIG.
  • the influence of the magnetic flux from the surface acoustic wave filter chip 3 on the side can be negated, whereby the attenuation and isolation can be improved.
  • the third embodiment even when the shape of the receiving-side signal wiring pattern is deformed as shown in FIG. 17, by arranging the via-hole electrodes V7 and VI0 as shown in FIG. Although inferior to the third embodiment, the attenuation and the isolation can be improved. Also, as schematically shown in FIG. 18, the modified example shown in FIG. And a line connecting the virtual point D and the via-hole electrode V7 connected to the receiving-side ground wiring pattern on the surface of the receiving-side ground wiring pattern to which the bumps are joined, and the virtual point D An angle between the line and the line connecting the via hole electrode V 10 connected to another ground wiring pattern is preferably 90 ° or more. As a result, the ground in the receiving-side ground wiring pattern is strengthened.
  • a broken line J shown in FIG. 18 indicates a region where the surface acoustic wave filter chip 4 is mounted on the chip mounting surface 8 b of the package material 8.
  • the via-hole electrodes V1 to V10 are dispersedly arranged inside and outside the area where the receiving-side surface acoustic wave filter chip 4 is mounted.
  • the via-hole electrode VI 0 is arranged in the area where the surface acoustic wave filter chip 4 is mounted, and the other via-hole electrodes V 7 to V 9 connected to the ground potential are arranged outside the area. ing.
  • At least one via hole electrode V10 is arranged in the area where the surface acoustic wave filter chip 4 is mounted, and the remaining via hole electrodes V1 to V9 are connected to the area where the surface acoustic wave filter chip 4 is mounted.
  • the first and second surface acoustic wave filter chips 3 and 4 are configured as separate chips by arranging the first and second surface acoustic wave filter chips.
  • the two surface acoustic wave filter chips 3 and 4 may be integrated into a single chip.
  • the surface acoustic wave duplexer closer to the ground wiring pattern side than the bump of the second surface acoustic wave filter chip connected to the signal wiring pattern formed on the chip mounting surface of the package material Since the signal wiring pattern is configured to have a pattern portion, the first bullet Magnetic flux caused by a signal flowing through the surface acoustic wave filter chip can be suppressed from passing through the portion where the signal wiring pattern and the ground wiring pattern connected to the second surface acoustic wave filter chip are provided. It becomes. Therefore, the isolation characteristics outside the pass band of the second surface acoustic wave filter can be improved, and the attenuation outside the band of the second surface acoustic wave filter can be made sufficiently large.
  • the planar shape of the signal wiring pattern is changed as described above.
  • the isolation on the side of the second surface acoustic wave filter can be improved only by configuring as above. At a portion where the signal wiring pattern is close to the ground wiring pattern, a first wiring pattern portion extending in parallel with an edge of the ground wiring pattern, and a ground wiring from both sides of the first wiring pattern portion.
  • the signal wiring pattern is formed in such a substantially U-shape, and the present invention
  • the isolation outside the pass band on the side of the second surface acoustic wave filter can be improved.
  • the second and third wiring patterns if the signal wiring pattern is electrically connected to the output end of the second surface acoustic wave filter chip by a bump, the first wiring pattern is Even if the isolation is improved by approaching the ground wiring pattern, the junction of the signal wiring pattern by the pump can be kept away from the ground wiring pattern. Therefore, the second surface acoustic wave filter can be easily joined to the package material by bumps.
  • the second or third wiring pattern portion the second or third wiring pattern When the via-hole electrode connected to the portion is formed in the package material, the distance between the via-hole electrode and the via-hole electrode connected to the ground side wiring pattern can be increased. Therefore, even if the size is reduced, the distance between both via-hole electrodes can be made sufficiently large, so that both via-hole electrodes can be easily formed.
  • a signal wiring pattern connected to an output end of the second surface acoustic wave filter chip is provided on the chip mounting surface of the package material, and the second surface acoustic wave filter chip And a ground wiring pattern connected to the ground potential of the SAW resonator closest to the output end of the signal via, and a signal via hole penetrating at least a part of the package material in the signal wiring pattern and the ground wiring pattern.
  • the electrode and the ground via hole electrode are connected to each other, and the distance between the signal via hole electrode and the ground via hole electrode is equal to the distance between the via hole electrodes formed on the package material and connected to different potentials.
  • the current flowing through the first surface acoustic wave filter chip is the same as in the first invention. Magnetic flux can inhibit the effect of passing through the region and the signal wiring pattern and the ground wiring pattern is provided. Therefore, the isolation outside the pass band of the second surface acoustic wave filter chip can be improved, and the frequency characteristics of the second surface acoustic wave filter can be significantly improved.
  • a signal wiring pattern connected to an output end of the second surface acoustic wave filter chip is provided on the chip mounting surface of the package material, and the second surface acoustic wave filter chip At least a ground wiring pattern connected to the ground potential of the SAW resonator closest to the output end of the first and second wirings is provided.
  • the first elasticity Surface wave filter Since a structure is provided for canceling the magnetic flux generated by an electric signal flowing through the chip when the magnetic flux flows, an isolator outside the band of the second surface acoustic wave filter chip is provided, as in the first invention. The resolution can be improved, and the frequency characteristics of the second surface acoustic wave filter chip can be improved.
  • the structure for canceling the magnetic flux is the one connected to the output terminal of the second surface acoustic wave filter chip among the plurality of bumps joining the second surface acoustic wave filter chip to the package material.
  • the above-described magnetic flux can be reduced only by devising the formation positions of the first and second via-hole electrodes.
  • the structure for canceling can be easily configured.
  • the structure for canceling the magnetic flux includes a first bump connected to an output end of the second surface acoustic wave filter chip among a plurality of bumps provided on the second surface acoustic wave filter chip, Connected to the ground wiring pattern on both sides of a line connecting to the center of the plurality of second bumps connected to the ground potential of the SAW resonator closest to the output end of the surface acoustic wave filter chip of at least the package material. Even in the case where the first and second via-hole electrodes penetrating some layers are arranged, similarly, the above-described magnetic flux can be obtained only by devising the positions of the first and second via-hole electrodes. The structure that cancels out can be easily configured in the package material.
  • the angle between the line connecting the first via-hole electrode and the second bump and the line connecting the second bump and the second via-hole electrode is 90 ° or more
  • the angle The second surface acoustic wave filter chip is packaged
  • the ground can be strengthened in the part mounted on the.
  • the angle formed between the first via hole electrode, the line connecting the centers of the plurality of second bumps, and the line connecting the centers of the plurality of second bumps and the second via hole electrode is 90 ° or more. In this case, the ground at the portion where the ground wiring pattern is provided can be similarly enhanced. .
  • a plurality of via-hole electrodes including first and second via-hole electrodes are provided in the package material, and at least one of the plurality of via-hole electrodes is provided in an area where the second surface acoustic wave filter chip is mounted.
  • the ground can be enhanced by arranging the remaining via-hole electrodes in a region outside the surface on which the second surface acoustic wave filter chip is mounted.

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Abstract

フリップチップボンディング方式で第1,第2の弾性表面波フィルタチップがパッケージ材に搭載されており、さらに第1,第2の弾性表面波フィルタチップ間のアイソレーションを改善することができ、良好な減衰特性を有する弾性表面波分波器を提供する。中心周波数が低い第1の弾性表面波フィルタチップと、相対的に高い第2の弾性表面波フィルタチップ4とが、パッケージ材8のチップ搭載面に接合されており、パッケージ材8のチップ搭載面に形成された信号配線パターン24に接合される第2の弾性表面波フィルタチップ4のバンプよりも、グラウンド配線パターン25側に近接したパターン部分を有するように上記信号配線パターン24が構成されている、弾性表面波分波器。

Description

明 細 弾性表面波分波器 技術分野
本発明は、 例えば無線通信装置( 部分に接続される.分波器と して用いられる弾性表面波分波器に関し、 より詳細には、 中心周波数が 異なる第 1 , 第 2の弾性表面波フィルタチップが該弾性表面波フィルタ チップに設けられたバンプによりパッケージ材に設けられた配線パター ンに接合されている構造を備えた弾性表面波分波器に関する。 背景技術
近年、 携帯用電話機などの小型の無線通信装置において、 より一層の 小型化を図るために、 弾性表面波フィルタを用いた分波器が種々開発さ れている。
この種の弾性表面波フィルタ分波器では、 パッケージ内に、 中心周波 数が異なる第 1,第 2の弾性表面波フィルタが実装されている力、第 1, 第' 2の弾性表面波フィルタ間のアイソレーションがより完全であること が強く求められている。
上記アイソレーショ ンを改善する構造の一例が下記の特開平 5 _ 1 6 7 3 8 9号公報に開示されている。 すなわち、 図 1 9に示すように、 特 開平 5— 1 6 7 3 8 9号公報に記載の弾性表面波分波器 2 0 1では、 パ ッケージ材 2 0 2内に、第 1,第 2の弾性表面波フィルタチップ 2 0 3, 2 0 4が実装されている。 そして、 第 1の弹性表面波フィルタチップ 2 0 3における信号入出力端子 A 1, A 2とパッケージ材 2 0 2の信号入 出力端子 C l, C 2とを結ぶ信号線と、 第 2の弾性表面波フィルタチッ プ 204側における信号入出力端子 B 1, B 2とパッケージ材 202の 信号入出力端子 D l, D 2とを結ぶ信号線とが、 互いに略直角をなして 交わる 2つの直線 (X, Y) に位置するように信号入出力端子 A 1 , A 2, B l, B 2, C 1 , C 2 , D 1 , D 2が配置されている。 ここでは、 各信号入出力端子をこのように配置することにより、 複数の信号線間に おける誘導結合が抑制され、 アイソレーションが改善されている。
他方、 下記の特開平 8— 1 8 3 9 3号公報には、 '図 20に示す分波器 パッケージが開示されている。 ここでは、 多層構造の分波器パッケージ 2 1 1内に、 第 1, 第 2の弾性表面波フィルタチップ 2 1 2, 2 1 3が 収納されている。 そして、 分波器パッケージ 2 1 1内には、 位相整合器 を構成するためにストリップ線路 2 14, 21 5が埋設されている。 ス トリツプ線路 2 1 4, 2 1 5の特性ィンピーダンス値を分波器パッケー ジに接続される外部回路の特性インピーダンス値よりも.大きくすること により、 また、 一方の弾性表面波フィルタチップに対して、 パッケージ に少なくとも 2個以上の接地用端子を設けることにより、 減衰量の改善 が図られている。
下記の特開 2003— 5 1 73 1号公報に記載の弾性表面波分波器で は、第 1,第 2の弾性表面波フィルタが構成された弾性表面波チップが、 パッケージ内に収納されている。 ここでは、 第 1, 第 2の弾性表面波フ ィルタが、 ボンディングワイヤによりパッケージに構成された端子電極 に電気的に接続されている。 この弹性表面波分波器では、 第 1の弾性表 面波フィルタにおいて、 信号端子に接続されるボンディングワイヤと、 接地端子と接続されるボンディングワイヤとが交差されており、 それに よってアイソレーション及び減衰量の改善が図られている。
特開平 5— 1 6 73 8 9号公報に記載の構成では、 第 1, 第 2の弾性 表面波フィルタチップの信号線同士を上記のように配置することにより、 互いの誘導結合が抑えられているが、 この構成では、 相互誘導をある程 度抑えることはできるものの、 十分ではなかった。 そのため、 弾性表面 波分波器 2 0 1では、 第 1, 第 2の弾性表面波フィルタチップ間のアイ ソレーシヨンはなお十分ではなかつた。
また、 第 1 , 第 2の弾性表面波フィルタチップの実装ずれが生じた場 合、 減衰量及びアイソレーション特性の劣化が大きくなるという問題も めった。
他方、 特開平 8— 1 8 3 9 3号公報に記載の構成では、 ィンダクタ成 分が小さいフリップチップボンディング方式のパッケージ構造に適用し た場合には、 インダクタ成分が小さいため、 減衰量を十分に改善するこ とはできなかった。
• また、特開 2 0 0 3— 5 1 7 3 1号公報に記載の弾性表面波分波器は、 ボンディングワイヤを交差させることにより、 相互誘導による電流の打 ち消しが果たされている。 しかしながら、 ボンディングワイヤを用いた 構造であるため、 弾性表面波分波器の小型化を図るのが困難であった。 発明の開示 ·
本発明の目的は、 上述した従来技術の現状に鑑み、 バンプを用いてフ リップチップボンディング方式で弾性表面波フィルタチップがパッケ一 ジ材に搭載されており、従って小型化を進めることができ、さらに第 1, 第 2の弾性表面波フィルタチップ間のアイソレーションをより一層改善 で.き、 良好な減衰特性を有し、 また、 弾性表面波フィルタチップの実装 ずれによる特性の変化が小さい弾性表面波分波器を提供することにある c 本願の第 1の発明は、 中心周波数が相対的に低い第 1の弾性表面波フ ィルタチップと、 中心周波数が相対的に高い第 2の弾性表面波フィルタ チップとが、 第 1, 第 2の弾性表面波フィルタチップに設けられた複数 のバンプを利用して、 パッケージ材のチップ搭載面に形成された配線パ ターンに接合されている弾性表面波分波器であって、 複数の S A W共振 子が構成されており、 かつ下面に複数のバンプを有する第 1の弾性表面 波フィルタチップと、 複数の S AW共振子が構成されており、 かつ下面 に複数のバンプを有する第 2の弾性表面波フィルタチップと、前記第 1, 第 2の弾性表面波フィルタチップが、 前記複数のバンプを用いて接合さ れるパッケージ材とを備え、 前記パッケージ材のチップ搭載面には、 第 2の弾性表面波フィルタチップの出力端に接続される信号配線パターン と、 前記第 2の弾性表面波フィルタチップにおける出力端に最も近い S A W共振子のグラウンド電位に接続されるグラウンド配線パターンとが 少なく とも形成されており、 かつ前記信号配線パターン及びグラウンド 配線パターンにそれぞれ接続されており、 前記パッケージ材の少なくと も一部を貫通している信号ビアホール電極及びク"ラウンドビアホール電 極が設けられており、 前記信号配線パターンに接合される前記第 2の弾 性表面波フィルタチップのバンプよりも、 前記グラウンド配線パターン 側に近接したパターン部分を有するように前記信号配線パターンが構成 されていることを特徴とする。
第 1の発明のある特定の局面では、 前記信号配線パターンが前記ダラ ゥン .ド配線パタ一ン側に近接するように曲げられており、 それによつて 前記信号配線パターンに前記グラウンド電極パターン側に近接したパタ ーン部分が構成されている。
第 1の発明のさらに他の特定の局面では、 前記信号配線パターンが、 前記グラウンド配線パターンに近接されている部分において、 前記ダラ ゥンド配線パターンの端縁と平行に延びる第 1の配線パターン部分と、 第 1の配線パターン部分の両端から、 前記グラウンド配線パターンから 遠ざかる方向に折り曲げられた第 2, 第 3の配線パターン部分とを有す る。
第 1の発明のさらに他の特定の局面では、第 1の配線パターン部分と、 第 2,第 3の配線パタ一ン部分とが略直角をなすように構成されており、 従って上記信号配線パターンは略コの字状の形状を有する。
第 1の発明のさらに別の特定の局面では、 前記第 2または第 3の配線 パターン部分において、 前記信号配線パターンがバンプにより前記第 2 の弾性表面波フィルタチップの出力端と電気的に接続されている。
本願の第 2の発明は、 中心周波数が相対的に低い第 1の弾性表面波フ ィルタチップと、 中心周波数が相対的に高い第 2の弾性表面波フィルタ チップとが、 第 1 , 第 2の弾性表面波フィルタチップに設けられた複数 のバンプを利用して、 パッケージ材のチップ搭載面の配線パターンに接 合されている弾性表面波分波器であって、 複数の S AW共振子が構成さ れており、 かつ下面に複数のバンプを有する第 1の弾性表面波フィルタ チップと、 複数の S AW共振子が構成されており、 かつ下面に複数のバ ンプを有する第 2の弾性表面波フィルタチップと、 前記第 1, 第 2の弾 性表面波フィルタチップが、 前記複数のバンプを用いて接合されるパッ ケージ材とを備え、 前記パッケージ材のチップ搭載面には、 第 2の弾性 表面波フィルタチップの出力端に接続される信号配線パターンと、 前記 第 2の弾性表面波フィルタチップにおける出力端に最も近い S AW共振 子のグラウンド電位に接続されるグラウンド配線パターンとが少なくと も形成されており、 かつ前記信号配線パターン及びグラウンド配線バタ ーンにそれぞれ接続されており、 前記パッケージ材の少なくとも一部を 貫通している信号ビアホール電極及びグラウンドビアホール電極が設け られており、 前記信号ビアホール電極と、 前記グラウンドビアホール電 極との間の距離が、 前記パッケージ材に構成されており、 かつ異なる電 位に接続されるビアホール電極間の距離のうち最小であることを特徴と する、 弾性表面波分波器である。
本願の第 3の発明は、 中心周波数が相対的に低い第 1の弾性表面波フ ィルタチップと、 中心周波数が相対的に高い第 2の弹性表面波フィルタ チップとが、 第 1, 第 2の弾性表面波フィルタチップに設けられた複数 のバンプを利用して、 パッケージ材のチップ搭載面の配線パターンに接 合されている弾性表面波分波器であって、 複数の S A W共振子が構成さ れており、 かつ下面に複数のバンプを有する第 1の弾性表面波フィルタ チップと、 複数の S AW共振子が構成されており、 かつ下面に複数のバ ンプを有する第 2の弾性表面波フィルタチップと、 前記第 1, 第 2の弾 性表面波フィルタチップが、 前記複数のバンプを用いて接合されるパッ ケージ材とを備え、 前記パッケージ材のチップ搭載面には、 第 2の弾性 表面波フィルタチップの出力端に接続される信号配線パターンと、 前記 第 2の弾性表面波フィルタチップにおける出力端に最も近い S AW共振 子のグラウンド電位に接続されるグラウンド配線パターンとが少なくと も形成されており、 前記信号配線パターンと前記グラウンド配線パター ンとが設けられている領域において、 前記第 1の弾性表面波フィルタチ ップを流れる電気信号により生じた磁束が流れた際に、 該磁束を打ち消 す構造が設けられていることを特徴とする。
第 3の発明のある特定の局面では、前記磁束を打ち消す構造において、 前記第 2の弾性表面波フィルタチップをパッケ一ジ材の配線パターンに 接合している複数のバンプのうち、 第 2の弾性表面波フィルタチップの 出力端に接続される第 1のバンプと、 最も出力端に近い S AW共振子の グラゥンド電位に接続される第 2のバンプとを結ぶ仮想線の両側に分散 されて、 前記グラウンド配線パターンに接続されておりかつ前記パッケ 一ジ材の少なくとも一部を貫通している第 1 , 第 2のビアホール電極が 配置されている。 第 3の発明のさらに他の特定の局面では、 前記磁束を打ち消す構造に おいて、 前記第 2の弾性表面波フィルタチップに設けられている複数の バンプのうち、 第 2の弾性表面波フィルタチップの出力端に接続される 第 1のバンプと、 第 2の弾性表面波フィルタチップの出力端に最も近い S AW共振子のグラウンド側電位に接続される複数の第 2のバンプの中 心とを結ぶ線の両側に分散されて、 前記グラウンド配線パターンに接続 され、かつ前記パッケージ材の少なくとも一部の層を貫通している第 1, 第 2のビアホール電極が配置されている。
第 3の発明のさらに別の特定の局面では、 前記第 1のビアホール電極 と前記第 2のバンプとを結ぶ線と、 前記第 2のバンプと前記第 2のビア ホール電極とを結ぶ線のなす角度が 9 0 °以上の角度をなしている。 第 3の発明のさらに他の特定の局面では、 前記第 1のビアホール電極 と、 複数の前記第 2のバンプの中心とを結ぶ線と、 複数の前記第 2のバ ンプの中心と第 2のビアホール電極とを結ぶ線とのなす角度が 9 0 °以 上である。
第 3の発明のさらに別の特定の局面によれば、 前記第 1, 第 2のビア ホール電極を含む複数のビアホール電極が前記パッケージ材に設けられ ており、 該複数のビアホール電極の少なくとも 1つのビアホール電極が 前記第 2の弾性表面波フィルタチップが搭載される領域の下方に配置さ れており、 残りのビアホール電極が第 2の弾性表面波フィルタチップが 搭載される領域の外側の領域に配置されている。
. 第 1〜第 3の発明に係る弾性表面波装置では、 上記第 1, 第 2の弾性 表面波フィルタチップは、 それぞれ個別のチップとして構成されてもよ いが、 本発明においては、 第 1 , 第 2の弾性表面波フィルタチップは統 合されて 1つのチップで構成されていてもよい。 図面の簡単な説明
図 1は、 (a ) 及び (b ) は、 本発明の第 1の実施形態に係る弾性表 面波分波器を説明するための模式的分解斜捭図及び正面断面図である。 図 2は、 本発明の第 1の実施形態に係る弾性表面波分波器の回路構成 を示す図である。
図 3は、 本発明の第 1の実施形態に用いられる受信側弾性表面波フィ ルタチップの下面に形成されている電極構造を示す模式的底面図である。 図 4は、 第 1の実施形態で用いられるパッケージ材の上面の複数の配 線パターンを説明するための模¾:的平面図である。
図 5は、 比較のために用意した従来の弾性表面波分波器において、 パ ッケージ材の上面に形成されている配線パターンを説明するための模式 的平面図である。
図 6は、 第 1の実施形態及び比較のために用意された比較例の弾性表 面波分波器における、 各受信側弾性表面波フィルタの周波数特性を示す 図である。
図 7は、 第 2の実施形態及ぴ比較例の弾性表面波分波器におけるアイ ソレーシヨン特性を示す図である。
図 8は、 第 2の実施形態の弾性表面波分波器のパッケージ材の上面に 設けられた複数の配線パターンを説明するための模式的平面図である。 図 9は、 本発明の第 3の実施形態に係る弾性表面波分波器において用 いられるパッケージ材の上面の配線パターンを説明するための模式的平 面図である。
図 1 0は、 第 3の実施形態に係る弾性表面波分波器における受信側弾 性表面波フィルタの周波数特性を示す図である。
図 1 1は、 第 3の実施形態に係る弾性表面波分波器における受信側弾 性表面波フィルタのアイソレーシヨン特性を示す図である。 図 1 2は、 比較例の弾性表面波分波器における受信側弾性表面波フィ ルタの周波数特性を示す図である。
図 1 3は、 比較例の弾性表面波分波器における受信側弾性表面波フィ ルタのアイソレーション特性を示す図である。
図 1 4は、 本発明の第 4の実施形態に係る弾性表面波分波器を説明す るための図であり、 用いられているパッケージ材の上面の配線パターン を説明するための模式的平面図である。
図 1 5は、 第 1の実施形態の変形例に係る弾性表面波分波器で用いら れるパッケージ材の上面の配線パターンを説明するための模式的平面図 である。
図 1 6は、 図 1 5に示したパッケージ材の上面に搭載される受信側弾 性表面波フィルタチップの底面図である。
図 1 7は、 第 3の実施形態に係る弾性表面波分波器の変形例の弾性表 面波分波器において用いられるパッケージ材の上面の配線パターンを説 明するための模式的平面図である。
図 1 8は、 図 1 7に示した配線パターンにおいて、 グラウンド強化の ために、 受信側グラウンド配線パターンに接続されている複数のビアホ ール電極め位置関係を説明するための模式的平面図である。
図 1 9は、 従来の弾性表面波分波器を説明するための模式的平面断面 図である。
図 2 0は、 従来の弾性表面波分波器のさらに他の例を説明するための 模式的正面断面図である。' 発明を実施するための最良の形態
以下、 図面を参照しつつ本発明の具体的な実施形態を説明すること より、 本発明を明らかにする。 図 1 (a) 及び (b) は、 本発明の第 1の実施形態に係る弾性表面波 分波器を説明するための模式的分解斜視図及び正面断面図である。また、 図 2は、 本実施形態の弾性表面波分波器の回路構成を示す図である。 図 2に示すように、 弾性表面波分波器 1は、 アンテナ AN Tに接続さ れるアンテナ接続端子 2を有する。 アンテナ接続端子 2に接続されるよ うに、 第 1の弾性表面波フィルタチップとしての送信側弾性表面波フィ ルタチップ 3と、 第 2の弾性表面波フィルタチップとしての受信側弾性 表面波フィルタチップ 4とが接続されている。 なお、 アンテナ接続端子 2と、 受信側弾性表面波フィルタチップ 4との間には、 位相整合素子 5 が接続されている。
各弾性表面波フィルタチップ 3, 4は、 図示のように、 複数の SAW 共振子を梯子型回路を構成するように接続した構造を有する。 より具体 的には、 弾性表面波フィルタチップ 3, 4は、 それぞれ、 直列腕共振子 としての SAW共振子 S 1〜S 6, S 7~S 1 0、 及び並列腕共振子と しての S AW共振子 P 1〜P 2, P 3〜P 5を有する。
図 2において、 弾性表面波フィルタチップ 3, 4の AN T端子 2とは 反対側の信号端子が、 それぞれ、 送信側信号端子 6及び受信側信号端子 7である。
なお、 本明細書においては、 受信側弾性表面波フィルタチップ 4の複 数の SAW共振子のうち、 受信側信号端子 7に最も近く、 かつ一端がグ ラウンド電位に接続される SAW共振子 P 5のグラウンド電位に接続さ れるパッケージ材の電極構造が問題となる。すなわち、本発明において、 第 2の S AWフィルタチップの最も出力側に近い S AW共振子のグラゥ ンド電位とは、 図 2の SAW共振子 P 5のグラウンド電位を示すものと する。
図 1 (b) に示すように、 弾性表面波分波器 1では、 パッケージ材 8
0 の上方に凹部 8 aが形成されている。 本発明では、 パッケージ材のチッ プ搭載面 8 bに送信側弾性表面波フィルタチップ 3及び受信側弾性表面 波フィルタチップ 4が搭載されるが、 ここでパッケージ材 8のチップ搭 載面 8 bとは、 凹部 8 aの底面である。 なお、 本発明においては、 凹部 8 aを有しない平板状のパッケージ材を用いてもよい。
弾性表面波分波器 1では、 パッケージ材 8の上記凹部 8 aを閉成する ように蓋材 9が取り付けられている。
弾性表面波分波器 1では、 送信側弾性表面波フィルタチップ 3及び受 信側弾性表面波フィルタチップ 4は、 略図的に示す複数のバンプ 1 0, 1 1を用いて、 パッケージ材 8のチップ搭載面 8 bに設けられた後述の 各種配線パターンに電気的に接続され、 かつ弾性表面波フィルタチップ 3, 4がパッケージ材 8のチップ搭載面 8 bに接合されている。
なお、 図 2における位相整合素子 5は、 図 1 ( b ) に示すス トリ ップ 線路 1 2, 1 3により構成されている。 ス トリ ップ線路 1 2, 1 3はノヽ。 ッケージ材 8に埋設されており、 ビアホール電極 1 4, 1 5により受信 側弾性表面波フィルタチップ 4に電気的に接続されている。
ところで、 この種の弾性表面波分波器 1では、 送信側弾性表面波フィ ルタチップ 3と受信側弾性表面波フィルタチップ 4とが近接配置されて いる。 従って、 送信側弾性表面波フィルタチップ 3を流れる電流により 生じた磁束が受信側弾性表面波フィルタチップ 4側を通過する。 より具 体的には、 受信側弾性表面波フィルタチップ 4の主面及びパッケージ材 8のチップ搭載面 8 bと直交する方向に通過する。 従って、 このような 磁束により受信側弾性表面波フィルタチップ 4の周波数特性が劣化し、 かつ弾性表面波フィルタチップ 3, 4間のアイソレーションが劣化する という問題があった。
本実施形態の弾性表面波分波器 1では、 このような磁束による特性の 劣化を防止するために、 パッケージ材 8のチップ搭載面 8 bに形成され ている配線パターンの形状が改良されている。 これを図 1 ( a ) 、 図 3 及び図 4を併せて参照することにより説明する。
図 1 ( a ) は、 上記受信側弾性表面波フィルタチップ 4をパッケージ 材 8のチップ搭載面 8 bに実装する部分を模式的に示す分解斜視図であ る。 また、 弾性表面波フィルタチップ 4の下面には、 図 3に示す各種電 極が設けられている。すなわち、弾性表面波チップ 4の下面 4 a上には、 図 2に示した S AW共振子 S 7〜S 1 0, P 3〜P 5が構成されている。 各 S AW共振子 S 7〜S 1 0, P 3〜P 5は、 本実施形態では、 1ポー ト型 S AW共振子により構成されており、 I D T (インターデジタル電 極)の表面波伝搬方向両側にそれぞれ反射器が設けられた構造を有する。 また、 弾性表面波フィルタチップ 4の下面 4. aには、 電極パッド 1 6 a 〜.1 6 gが形成されている。 電極パッド 1 6 a〜1 6 gには、 図 3では 図示していないが、 それぞれ金属バンプが設けられている。 この金属バ ンプは、 例えば図 1 ( b ) に略図的に示す金属バンプ 1 0に相当し、 弾 性表面波フィルタチップ 4の下面 4 aから下方に突出される。
他方、 パッケージ材 8のチップ搭載面 8 b上には、 上記金属バンプに 接合される部分に、 複数の配線パターンが形成されている。 すなわち、 図 1 ( a ) 及び図 4に示すように、 アンテナ側信号配線パターン 2 2、 アンテナ側グラウンド配線パターン 2 1、 段間グラウンド配線パターン 2 3、 受信側信号配線パターン 2 4及び受信側グラウンド配線バタ一ン 2 5が形成されている。
本実施形態の特徴は、 受信側信号配線パターン 2 4及び受信側グラウ ンド配線パターン 2 5の構造にある。
受信側信号配線パターン 2 4は、 図 2に示した受信側信号端子 7、 す なわち図 3に示した電極パッド 1 6 d ±の金属バンプに接合される部分
2 である。 他方、 受信側グラウンド配線パターン 2 5は、 図 2の S A W共 振子 P 5のグラウンド電位、 すなわち図 3の電極パッド 1 6 e〜1 6 g に設けられた各バンプに接合される部分である。
なお、 図 4に一点鎖線 Bで示す部分には、 図 1 ( b ) に示した送信側 弾性表面波フィルタチップ 3に接続される各種配線パターンが形成され る。 .
弾性表面波分波器 1では、 パッケージ材 8に、 複数のビアホール電極 V 1〜V 9が形成されている。ビアホール電極 V 1〜V 9は、それぞれ、 上端が配線パターン 2 1〜2 5のいずれかに接続されている。 ビアホー ル電極 V 1〜V 9は、 本実施形態では、 パッケージ材 8の少なくとも一 部を貫通するように、 すなわちチップ搭載面 8 bに直交する方向に延ば されている。 アンテナ信号配線パターン 2 2に接続する V 4は、 前述し たストリップ線路 1 2, 1 3に電気的に接続されている。 その他のビア ホール電極は、 パッケージ材 8の下面に至るように形成されている。 そ して、 パッケージ材 8の下面に形成された外部接続電極に電気的に接続 されている。 '
ところで、 受信側グラウンド配線パターン 2 5には、 複数のビアホー ル電極 V 7〜V 9が電気的に接続されている。 従って、 弾性表面波分波 器 1は、 グラウンドの強化がビアホール電極 V 7〜V 9で図られるとい う利点も有する。
上述したように、 弾性表面波分波器 1では、 送信側弾性表面波チップ 3と、 受信側弾性表面波フィルタチップ 4どが近接配置されている。 従 つて、 動作時に、 送信側弾性表面波フィルタチップ 3及びパッケージ材 8上の送信側弾性表面波フィルタチップ 3と電気的に接続されている電 極部分を流れる電気信号により、 磁束が発生する。 この磁束が、 受信側 弾性表面波フィルタチップ 4並びにパッケージ材 8のチップ搭載面 8 b
3 における上記配線パターン 2 1〜 2 5が設けられている部分を、 チップ 搭載面 8 bと直交する方向に通過する。
弾性表面波分波器 1では、 磁束が、 特に受信側信号配線パターン 2 4 及ぴ受信側グラウンド配線パターン 2 5が設けられている部分を通過す ることによりアイソレーションが悪化する。 そこで、 本実施形態では、 受信側信号配線パターン 2 4が、 図 1 ( a ) 及び図 4に示すように、 略 コの字状の形状を有するように折り曲げられ、 それによつて受信側信号 配線パターン 2 4が受信側グラウンド配線パターン 2 5に近接する配線 パターン部分を有するように構成されている。 そのため、 受信側信号配 線パターン 2 4と受信側グラウンド配線パターン 2 5との間の部分にお いてチップ搭載面 8 bに垂直な方向に通過する磁束の影響を抑制するこ とが可能とされている。
これを、 従来例に相当する図 5の配線パターンの平面形状と比較して 説明することとする。 図 5は、 比較のために用意したパッケージ材 2 2 0の模式的平面図である。 ここでは、 パッケージ材 8のチップ搭载面 8 bと同様にパッケージ材 2 2 0のチップ搭載面に、 アンテナ側信号配線 パターン 2 2 2、 アンテナ側グラウンド配線パターン 2 2 1、 段間ダラ ゥンド配線パターン 2 2 3、 受信側信号配線パターン 2 2 4及び受信側 グラウンド配線パターン 2 2 5が形成されている。 もっとも、 受信側信 号配線パターン 2 2 4は、 配線パターン 2 2 2, 2 2 3と同様に、 隣接 する配線パターンから隔てられて配置されており、 図 5から明らかなよ うに、 受信側信号配線パターン 2 2 4は略直線状の形状を有する。 これに対して、 本実施形態の弾性表面波分波器 1では、 受信側信号配 線パターン 2· 4が略コの字状の形状を有するように折り曲げられ、 受信 側グラウンド配線パターン 2 5に近接されている。
より具体的には、 図 4に示すように、 本実施形態では、 受信側信号配
4 線パターン 2 4は、 受信側グラウンド配線パターン 2 5と対向している 部分において、 受信側グラウンド配線パターン 2 5の端縁と平行に延び る直線状の第 1の配線パターン部分 2 4 aと、 第 1の配線パターン部分 2 4 aの両側から、 第 1の配線パターン部分 2 4 aと略直交する方向に かつ受信側グラウンド配線パターン 2 5と遠ざかる方向に折り曲げられ た第 2, 第 3の配線パターン部分 2 4 b , 2 4 cとを有する。 なお、 第 2, 第 3の配線パターン部分 2 4 b, 2 4 cは、 第 1の配線パターン部 分 2 4 aと直交する必要は必ずしもなく、 9 0 °以外の角度をなすように 折り曲げられて構成されていてもよい。
パッケージ材 8を用いた本実施形態の弾性表面波分波器 1及び図 5に 示したパッケージ材 2 2 0を用いたことを除いては、 同様に構成された 比較例の弾性表面波分波器の受信側の弾性表面波フィルタチップの周波 数特性を図 6に示す。 図 6の実線が第 1の実施形態における結果を、 破 線が上記比較例の結果を示す。
また、 図 7は、 上記実施形態及び比較例の弾性表面波分波器における アイソレーション特性を示す図であり、 実線が実施形態の結果を、 破線 が比較例の結果を示す。 なお、 弾性表面波分波器の Τ χ通過帯域は、 8 2 4:〜 8 4 9 Μ Η ζであり、 R x通過帯域は、 8 6 9〜8 9 4 M H zで ある。
図 6及び図 7から明らかなように、 比較例の弾性表面波分波器に比べ て、 本実施形態の弾性表面波分波器では、 アイソレーション特性が受信 侧弾性表面波フィルタの通過帯域外で良好とされており、 従って受信側 弾性表面波フィルタチップにおける周波数特性において帯域外減衰量が 十分な大きさとされていることがわかる。 これは、 上記のように、 受信 側信号配線パターン 2 4が、 受信側グラウンド配線パターン 2 5側に近 接され、 両者の間の部分を通過する前述した磁束の影響を抑制し得るこ とによると考えられる。
図 8は、 本発明の第 2の実施形態に係る弾性表面波分波器のパッケー ジ材の上面の配線パターンの構造を示す模式的平面図であり、 第 1の実 施形態について示した図 4に相当する図である。 なお、 その他の構造に ついては、 第 2の実施形態の弾性表面波分波器は、 第 1の弾性表面波分 波器と同様であるため、 第 1の実施形態の説明を援用することとする。 第 2の実施形態の弾性表面波分波器では、 パッケージ材 8のチップ搭 載面 8 b上に、 第 1の実施形態の場合と同様に、 アンテナ側信号配線パ ターン 2 2、 アンテナ側グラウンド配線パターン 2 1、 段間グラウンド 配線パターン 2 3、 受信側グラウンド配線パターン 2 5が配置されてい る。 もっとも、 第 1の実施形態では、 コの字状の受信側信号配線パター ン 2 4が形成されていたのに対し、 第 2の実施形態では、 受信側信号配 線パターン 3 1は、 コの字状の形状を有せず、 直線状の形状を有する。
また、 受信側信号配線パターン 3 1に接続されているビアホール電極 V 6と、 受信側グラウンド配線パターン 2 5に接続されているビアホー ル電極 V 7〜V 9のうちビアホール電極 V 6にもつとも近接しているビ ァホ"ル電極 V 7との間の距離 Rは、 受信側弾性表面波フィルタチップ 4に電気的に接続されるビアホール電極 V 1〜V 9において、 異なる電 位に接続されるビアホール電極間の距離のうち最小とされている。なお、 他の異なる電位に接続される隣接する一対のビアホール電極間のうち、 少なくとも一対のビアホール電極間の距離が、 ビアホール電極 V 6とビ ァホール電極 V 7との間の距離と同等であってもよい。
本実施形態では、 ビアホール電極 V 6とビアホール電極 V 7との距離 が上記のように短くされているため、 前述した磁束が受信側信号配線パ ターン 3 1と、 受信側グラウンド配線パターン 2 5との間の部分を通過 することが抑制される。 これは、 ビアホール電極 V 6及び V 7が、 パッ ケージ材 8のチップ搭載面 8 bから少なくともパッケージ材 8の一部を 貫通するように、 本実施形態ではパッケージ材 8の下面 8 cに至るよう に形成されている。 そのため、 ビアホール電極 V 6, V 7の距離を小さ くすることにより、 両者の間における上記磁束の影響を抑制し得ること による。
このように、 送信側弾性表面波フィルタチップ 3及び送信側弾性表面 波フィルタチップ 3に接続されているパッケージ材 8の電極を通る信号 により生じた磁束の影響は、 ビアホール電極 V 6とビアホール電極 V 7 との間の距離 Rを小さくすることによつても達成され得る。
ビアホーノレ電極 V 6が、 上記のようにビアホール電極 V 7に近づけら れているため、 言い換えれば、 受信側信号配線パターン 3 1は、 ビアホ ール電極 V 6が設けられている部分において、 受信側グラウンド配線パ ターン 2 5に近接されている。 すなわち、 第 2の実施形態の弾性表面波 分波器においても、 受信側信号配線パターン 3 1は、 受信側グラウンド 配線パターン 2 5に近接されている配線パターン部分をも有するものと なる。
なお、 第 2の実施形態では、 ビアホール電極 V 6を、 ビアホール電極 V 7と近づければよいため、 信号配線パターン 3 1の形状を複雑な形状 とする必要はない。 しかしながら、 実際には、 小型化を図った場合、 ビ ァホール電極 V 6とビアホール電極 V 7のように、 一対のビアホール電 極を近接させて形成することは困難である。 従って、 弾性表面波分波器 の小型化を図った場合には、 第 1の実施形態のように、 受信側信号配線 パターンの一部を受信側グラウンド配線パターン 2 5に近づけ、 ビアホ ール電極 V 6とビアホール電極 V 7との距離を第 2の実施形態に比べて 広げた構造とすることにより、 ビアホール電極 V 6 , V 7の形成が容易 となる。 よって、 ビアホール電極の形成精度を考慮すれば、 第 2の実施
7 形態に比べて、 第 1の実施形態の構造の方が製造容易であるため有利で ある。
図 9は、 本発明の第 3の実施形態に係る弾性表面波分波器を説明する ための図であり、 図 9は第 3の実施形態で用いられるパッケージ材のチ ップ搭載面の配線パターン構造を示す模式的平面図であり、 第 1の実施 形態において示した図 4に相当する図である。
第 3の実施形態においても、 その他の構造については、 第 1の実施形 態と同様で _あるため、 その他の構造の説明については、 第 1の実施形態 の説明を援用することにより省略する。
第 3の実施形態の弾性表面波分波器では、 パッケージ材 8の上面にお いて、 アンテナ側信号配線パターン 4 1、 アンテナ側グラウンド配線パ ターン 4 2、 段間グラウンド配線パターン 4 3、 受信側信号配線パタ一 ン 4 4及び受信側ダラゥンド配線パターン 4 5が形成されている。また、 ビアホール電極 V 1〜V 1 0がパッケージ材 8の少なくとも一部を貫通 するように形成されている。
第 3の実施形態においても、 受信側信号配線パターン 4 4は、 第 1の 実施形態の受信側信号配線パターン 2 4と同様に構成されている。 すな わち、 受信側信号配線パターン 4 4は、 受信翻グラウンド配線パターン 4 5に近接した配線パターン部分を有するようにコの字状に折り曲げら れた形状を有する。 従って、 第 1の実施形態と同様に、 受信側信号配線 パターン 4 4の形状により、 前述した送信側弾性表面波フィルタチップ 3側からの磁束による影響を抑制することができる。
本実施形態では、 ビアホール電極 V 1 0と、 ビアホール電極 V 7とが 図示のように配置されているため、 上記磁束を打ち消すことができ、 そ れによって減衰量及びアイソレーションをより一層改善することが可能 とされている。ビアホール電極 V 7 , V 1 0の配置構造を次に説明する。
8 図 9において、 仮想点 C, Dを結ぶ仮想線 Eの両側に、 ビアホール電 極 V 7, V 1 0が形成されている。 ビアホール電極 V I 0は、 ビアホー ル電極 V 7〜V 9と同様に、 受信側ダラゥンド配線パターン 4 5に接続 されている。 そして、 仮想点 Dは、 図 1に示した弾性表面波フィルタチ ップ 4の受信側信号端子 7に接続されたバンプが接合される部分を示し、 仮想点 Cは、 図 1に示した弾性表面波フィルタチップ 4の S A W共振子 P 5のグラウンド電位に接続される電極パッド 1 6 f 上のバンプに接合 される部分である。 すなわち、 第 2の弾性表面波フィルタチップとして の受信側弾性表面波フィルタチップ 4の出力端に接続され、 かつ信号配 線パターンに最も近いバンプの接合点 Dと、 出力端に最も近い S AW共 振子のグラウンド電位に接続されるバンプが接合される点 Cとを結ぶ仮 想線 Eの両側に、 グラウンド電位に接続されるビアホール電極 V 7, V 1 0が配置されている。
他方、 弾性表面波分波器 1の使用時に、 送信側から漏れた磁束がパッ ケージ 8の上面と直交する方向に通過した場合、 図 9の破線 F, Gで示 す誘導電流が磁束の周りを回転するように方向に発生する。 ところが、 本実施形態では、 上記ビアホール電極 V 7, V 1 0が仮想線 Eの両側に 配置され、 言い換えればグラウンド電位に流れる電流が線 H, Iに分岐 して流れるため、 上述した誘導電流 F, Gを相殺する。 従って、 上記磁 束の影響を抑制することができ、 帯域外減衰量及びアイソレーションを より一層改善することができる。 これを、 図 1 0〜図 1 3を参照して説 明する。 図 1 0及び図 1 1は、 第 3の実施形態に係る弾性表面波分波器 における受信側の周波数特性及びアイソレーシヨン特性を示す図であり、 図 1 2及ぴ図 1 3は、 上述した比較例の弾性表面波分波器における受信 側の周波数特性及びアイソレーシヨン特性を示す図である。
なお、 図 1 0〜図 1 3は、 送信側弾性表面波フィルタチップを固定し た状態で、 受信側弾性表面波フィルタチップの実装位置をチップ実装面 内で上下左右に約 5 Ο μηιずらした場合の特性のうち、 もっとも減衰量 の良い特性ともっともァイソレーションの良い特性をそれぞれ実線で示 し、 もっとも減衰量の悪い特性ともっともアイソレーションの悪い特性 をそれぞれ破線で示している。 ここで、 図 1 0及ぴ図 1 1では、 受信側 弾性表面波フィルタの実装ずれが発生しても、 ほとんど特性のずれが発 生しないため、 実線と破線とが判別し難いほど重なっている。 これに対 して、 図 1 2及び図 1 3では、 受信側弾性表面波フィルタの実装ずれが 発生すると減衰量及びアイソレーション特性のずれが大きくなり、 実線 と破線との差が大きくなつている。
図 1 0, 図 1 1と、 図 1 2及び図 1 3との比較から明らかなように、 比較例では、 受信側弾性表面波フィルタにおける送信側通過帯域におけ る減衰量のばらつきが 4 . O d Bであり、 送信側帯域におけるアイソレ ーシヨンのばらつきが 5 . l d Bであったのに対し、 第 3の実施形態に よれば、 受信側弾性表面波フィルタの送信側弾性表面波フィルタの通過 域における減衰量は 1 . 2 d B、 送信側帯域におけるアイソレーション が 0 . · 8 d Bに大幅に改善され得ることがわかる。 .
図 1 0及び図 1 1と、図 1 2及び図 1 3は比較すれば明らかなように、 第 3の実施形態によれば、 受信側の通過帯域の外側におけるアイソレー シヨンがより一層良好であり、 かつ周波数特性における通過帯域よりも 低周波側における減衰量を十分な大きさとし得ることがわかる。
なお、 第 3の実施形態では、 上記仮想点 Cは、 弾性表面波フィルタチ ップ 4の S AW共振子 P 5のグラウンド電位に接続される電極パッド 1 6 f 上の 1つのバンプに接合される部分であつたが、 弾性表面波フィル タチップ 4の S AW共振子 P 5のグラウンド電位に接続される電極パッ ド上に複数のバンプが形成されていてもよく、 その場合には、 複数のバ ンプの中心が上記仮想点 Cとなる。 すなわち、 S AW共振子 P 5のダラ ゥンド電位に接続され、 かつ信号配線パターンに近接しているバンプは 複数であってもよく、 その場合には、 複数のバンプの中心を仮想点 Dと して、 ビアホール電極 V 7, V I 0を配置すればよい。
図 1 4は、 本発明の第 4の実施形態に係る弾性表面波分波器を説明す るための模式的平面図である。 図 1 4は、 パッケージ材 8のチップ搭載 面 8 b上の電極構造を示す模式的平面図である。
なお、 第 4の実施形態の弾性表面波分波器は、 前述した第 2の弾性表 面波分波器の変形例に相当する。 すなわち、 図 8に示したように、 第 2 の実施形態では、受信側信号配線パターン 3 1は略直線状の形状を有し、 その外側端においてビアホール電極 V 6に接続されていた。 第 2の実施 形態では、 略直線状の信号配線パターン 3 1が形成されていたが、 図 1 4に示すように、 受信側信号配線パターン 3 2として、 L字状の信号配 線パターンを形成してもよい。 この場合においても、 受信側信号配線パ ターン 3 2の外側端においてビアホール電極 V 6に接続されており、 ビ ァホール電極 V 6と、 受信側グラウンド配線パターン 2 5に接続された ビアホール電極 V 7とが第 2の実施形態と同様に異なる電位に接続され る一対のビアホール電極間のうち最小距離とされている。 従って、 本実 施形態においても、 第 2の実施形態と同様に、 受信側弾性表面波フィル タにおける減衰量の拡大及びアイソレーションの改善を図ることができ る。
図 1 5及ぴ図 1 6は、 本発明の第 1の実施形態のさらに他の変形例を 説明するための図である。 図 1 5は、 本変形例で用いられるパターン材 の上面の配線パターンの形状を示す図であり、 図 1 6は、 本変形例で用 いられる弾性表面波フィルタチップ 4の下面の電極形状を示す模式的底 面図である。
2 第 1の実施形態では、 グラウンド配線パターン 2 5は 1つの電極によ り形成されていたが、 図 1 5に示すように、 受信側グラウンド配線パタ ーン 2 5が、 グラウンド配線パターン 2 5 aとグラウンド配線パターン 2 5 bに分割されていてもよい。 すなわち、 第 1の実施形態及び第 2, 第 3の実施形態においても、 受信側グラウンド配線パターンは、 複数の 配線パターンに分割されていてもよい。 '
図 1 7は、 上述した第 3の実施形態の弾性表面波分波器の変形例に係 る弾性表面波分波器を説明するための図であり、 図 1 7は、 第 3の実施 形態について示した図 9に相当する図である。
本変形例では、 受信側配線パターン 4 4がコの字状の形状を有してい ないことを除いては、 第 3の実施形態の弾性表面波分波器と同様に構成 されている。 すなわち、 第 3の実施形態の弾性表面波分波器では、 受信 側配線パターン 4 4 Aが、 第 1の実施形態と同様に、 略コの字状の形状 を有するように受信側グラウンド配線パターン 4 5に近接されていた。 これに対して、 本変形例の弾性表面波分波器では、 受信側配線パター ン 4 4 Aは、 コの字状の形状を有しない。 しかしながら、 本変形例にお いても、 第 3の実施形態の弾性表面波分波器と同様に、 ビアホール電極 V 1 0と、 ビアホール電極 V 7とが図示のように配置されているため、 送信側の弾性表面波フィルタチップ 3側からの磁束による影響を打ち消 すことができ、 それによつて減衰量及びアイソレーションを改善するこ とができる。
すなわち、 第 3の実施形態において、 受信側信号配線パターンの形状 を図 1 7に示したように変形した場合であっても、ビアホール電極 V 7, V I 0を図示のように配置することにより、 第 3の実施形態よりも劣る ものの、 減衰量及びアイソレーションを改善することは可能である。 また、 図 1 8に同様に模式的に示すように、 図 1 7に示した変形例に おいては、 受信側グラウンド配線パターンのバンプが接合される面上に おいて、 仮想点 Dと受信側グラウンド配線パターンに接続されるビアホ ール電極 V 7とを結ぶ線と、 前記仮想点 Dと他のグラウンド配線バタ ンに接続されるビアホール電極 V 1 0とを結ぶ線とのなす角が好ましく は 9 0 °以上とされる。それによつて受信側グラウンド配線パターンにお けるグラウンドが強化される。
また、 図 1 8に示す破線 Jは、 パッケージ材 8のチップ搭載面 8 b上 に弾性表面波フィルタチップ 4が搭載される領域を示す。 図 1 8から明 らかなように、 受信側弾性表面波フィルタチップ 4が搭載される領域内 と、 該領域外に、 ビアホール電極 V 1〜V 1 0が分散されて配置されて いる。 言い換えれば、 ビアホール電極 V I 0が、 弾性表面波フィルタチ ップ 4が実装される領域内に配置されており、 グラウンド電位に接続さ れる他のビアホール電極 V 7〜V 9が該領域外に配置されている。 この ように、 弾性表面波フィルタチップ 4が実装される領域に少なくとも 1 つのビアホ ル電極 V 1 0を配置し、 残りのビアホール電極 V 1〜V 9 を弾性表面波フィルタチップ 4が実装される領域の外側の領域に配置す ることにより、 上述してきた実施例及び変形例では、 第 1, 第 2の弾性 表面波フィルタチップ 3, 4は別々のチップで構成されていたが、第 1, 第 2の弾性表面波フィルタチップ 3, 4が統合されて単一のチップとし て構成されていてもよい。 産業上の利用可能性
第 1の発明に係る弾性表面波分波器では、 パッケージ材のチップ搭載 面に形成された信号配線パターンに接続される第 2の弾性表面波フィル タチップのバンプよりもグラウンド配線パターン側に近接したパターン 部分を有するように信号配線パターンが構成されているため、 第 1の弾 性表面波フィルタチップを流れる信号による磁束が、 第 2の弾性表面波 フィルタチップに接続される上記信号配線パターンとグラウンド配線パ ターンとが設けられている部分を通過するのを抑制することが可能とな る。 よって、 第 2の弾性表面波フィルタの通過帯域外におけるアイソレ ーシヨン特性を改善することができ、 従って第 2の弾性表面波フィルタ における帯域外減衰量を十分な大きさとすることができる。
上記信号配線パターンが、 グラウンド配線パターン側に近接するよう に曲げられており、 それによつてグラウンド電極パターン側に近接した 上記パターン部分が構成されている場合には、 信号配線パターンの平面 形状を上記のように構成するだけで、 本発明に従って、 第 2の弾性表面 波フィルタ側におけるアイソレーションを改善することができる。 信号配線パターンがグラウンド配線パターンに近接されている部分に おいて、 グラウンド配線パタ一ンの端縁と平行に延びる第 1の配線パタ ーン部分と、 第 1の配線パターン部分の両側から、 グラウンド配線パタ ーンから遠ざかる方向に折り曲げられた第 2, 第 3の配線パターン部分 とを有する場合には、 このような略コの字状の形状に信号配線パターン を形成するだけで、 本発明に従って第 2の弾性表面波フィルタ側におけ る通過帯域外のアイソレーションを改善することができる。
上記第 2, 第 3の配線パターン部分において、 信号配線パターンがバ ンプにより第 2の弾性表面波フィルタチップの出力端と電気的に接続さ れている場合には、 第 1の配線パターン部分をグラウンド配線パターン に近接させて、 アイソレーシヨンの改善を図った場合であっても、' パン プによる信号配線パターンの接合部分をグラウンド配線パターンから遠 ざけることができる。 従って、 第 2の弾性表面波フィルタのパッケージ 材へのバンプによる接合を容易に行うことができる。 また、 上記第 2ま たは第 3の配線パターン部分において、 第 2または第 3の配線パターン 部分に接続されるビアホール電極がパッケージ材に形成されている場合 には、 該ビアホール電極と、 グラウンド側配線パターンに接続されてい るビアホール電極との距離を隔てることができる。 従って、 小型化を図 つた場合でも、 双方のビアホール電極の距離を十分な大きさとし得るた め、 双方のビアホール電極を容易に形成できる。
第 2の発明に係る弾性表面波分波器では、 パッケージ材のチップ搭載 面に、 第 2の弾性表面波フィルタチップの出力端に接続される信号配線 パターンと、 第 2の弾性表面波フィルタチップにおける出力端に最も近 い S AW共振子のグラウンド電位に接続されるグラウンド配線パターン とが形成されており、信号配線パターン及びグラウンド配線パターンに、 パッケージ材の少なくとも一部を貫通している信号ビアホール電極及ぴ グラウンドビアホール電極がそれぞれ接続されており、 信号ビアホール 電極と、 グラウンドビアホール電極との間の距離が、 パッケージ材に構 成されておりかつ異なる電位に接続されるビアホール電極間の距離のう ち最小であるため、 第 1の発明と同様に、 第 1の弾性表面波フィルタチ ップを流れる電流による磁束が上記信号配線パターンとグラウンド配線 パターンとが設けられている領域を通過することによる影響を抑制する ことができる。 従って、 第 2の弾性表面波フィルタチップの通過帯域外 におけるアイソレーションを改善することができ、 第 2の弾性表面波フ ィルタの周波数特性を大幅に改善することが可能となる。
第 3の発明に係る弾性表面波分波器では、 パッケージ材のチップ搭載 面に、 第 2の弾性表面波フィルタチップの出力端に接続される信号配線 パターンと、 第 2の弾性表面波フィルタチップにおける出力端に最も近 い S AW共振子のグラウンド電位に接続されるグラウンド配線パターン とが少なくとも形成されており、 該信号配線パターンとグラウンド配線 パターンとが設けられている領域において、 第 1の弾性表面波フィルタ チップを流れる電気信号により生じた磁束が流れた際に、 該磁束を打ち 消す構造が設けられているため、 第 1の発明と同様に、 第 2の弾性表面 波フィルタチップの帯域外におけるアイソレーシヨンを改善することが できるとともに、 第 2の弾性表面波フィルタチップの周波数特性を改善 することができる。
第 3の発明において、 磁束を打ち消す構造が、 第 2の弾性表面波フィ ルタチップをパッケージ材に接合している複数のバンプのうち、 第 2の 弾性表面波フィルタチップの出力端に接続される第 1のバンプと、 最も 出力端に近い S AW共振子のグラウンド電位に接続される第 2のバンプ とを結ぶ仮想線の両側に、 上記グラウンド配線パターンに接続されてお りかつパッケージ材の少なく とも一部を貫通している第 1, 第 2のビア ホール電極が配置されている構造である場合には、 上記第 1, 第 2のビ ァホール電極の形成位置を工夫するだけで、 上記磁束を打ち消す構造を 容易に構成することができる。
上記磁束を打ち消す構造が、 第 2の弾性表面波フィルタチップに設け られている複数のバンプのうち、 第 2の弾性表面波フィルタチップの出 力端に接続される第 1のバンプと、 第 2の弾性表面波フィルタチップの 出力端に最も近い S AW共振子のグラウンド電位に接続される複数の第 2のバンプの中心とを結ぶ線の両側に、 グラウンド配線パターンに接続 されかつパッケージ材の少なくとも一部の層を貫通している第 1 , 第 2 のビアホール電極が配置されている構造である場合においても、同様に、 第 1 , 第 2のビアホール電極の位置を工夫するだけで、 上記磁束を打ち 消す構造を容易にパッケージ材に構成することができる。
第 1のビアホール電極と、 第 2のバンプとを結ぶ線と、 第 2のバンプ と第 2のビアホール電極とを結ぶ線とのなす角度が 9 0 °以上である場 合には、 それによつて第 2の弹性表面波フィルタチップがパッケ一ジ材 に搭載されている部分において、 グラウンドを強化することができる。 第 1のビアホール電極と、 複数の前記第 2のバンプの中心とを結ぶ線 と、 複数の前記第 2のバンプの中心と第 2のビアホール電極とを結ぶ線 とのなす角度が 9 0 °以上である場合においても、同様にグラウンド配線 パターンが設けられている部分におけるグラウンドを強化することがで きる。 .
第 1, 第 2のビアホール電極を含む複数のビアホール電極がパッケ一 ジ材に設けられており、 複数のビアホール電極の少なくとも 1つのビア ホール電極が第 2の弾性表面波フィルタチップが実装される領域の下方 に配置されており、 残りのビアホール電極が第 2の弾性表面波フィルタ チップが実装される面の外側の領域に配置することにより、 グラウンド を強化することができる。

Claims

請 求 の 範 囲
1 - 中心周波数が相対的に低い第 1の弾性表面波フィルタチップと、 中心周波数が相対的に高い第 2の弾性表面波フィルタチップと力 S、第 1 , 第 2の弾性表面波フィルタチップに設けられた複数のバンプを利用して、 パッケージ材のチップ搭載面に形成された配線パターンに接合されてい る弾性表面波分波器であって、
複数の S AW共振子が構成されており、 かつ下面に複数のバンプを有 する第 1の弾性表面波フィルタチップと、
複数の S AW共振子が構成されており、 かつ下面に複数のバンプを有 する第 2の弾性表面波フィルタチップと、
前記第 1, 第 2の弾性表面波フィルタチップが、 前記複数のバンプを 用いて接合されるパッケージ材とを備え、
前記パッケ一ジ材のチップ搭載面には、 第 2の弾性表面波フィルタチ ップの出力端に接続される信号配線パターンと、 前記第 2の弾性表面波 フィルタチップにおける出力端に最も近い S AW共振子のグラウンド電 •位に接続されるグラウンド配線パターンとが少なくとも形成されており、 かつ前記信号配線パターン及びグラウンド配線パターンにそれぞれ接続 されており、 前記パッケージ材の少なくとも一部を貫通している信号ビ ァホール電極及びグラゥンドビアホール電極が設けられており、
前記信号配線パターンに接合される前記第 2の弾性表面波フィルタチ ' ップのバンプよりも、 前記グラウンド配線パターン側に近接したパター ン部分を有するように前記信号配線パターンが構成されていることを特 徴とする、 弾性表面波分波器。
2 . 前記信号配線パターンが前記グラウンド配線パターン側に近接す るように曲げられており、 それによつて前記信号配線パターンに前記グ ラウンド電極パターン側に近接したパターン部分が構成されている、 請 求項 1に記載の弾性表面波分波器。
3 . 前記信号配線パターンが、 前記グラウンド配線パターンに近接さ れている部分において、 前記グラウンド配線パターンの端縁と平行に延 びる第 1の配線パターン部分と、 第 1の配線パターン部分の両端から、 前記グラウンド配線パターンから遠ざかる方向に折り曲げられた第 2, 第 3の配線パターン部分とを有する、 請求項 2に記載の弾性表面波分波
4 . 前記第 2または第 3の配線パターン部分において、 前記信号配線 パターンがバンプにより前記第 2の弾性表面波フィルタチップの出力端 と電気的に接続されている、 請求項 3に記載の弾性表面波分波器。
5 . 中心周波数が相対的に低い第 1の弾性表面波フィルタチップと、 中心周波数が相対的に高い第 2の弾性表面波フィルタチップと力 S、第 1, 第 2の弾性表面波フィルタチップに設けられた複数のバンプを利用して、 パッケ一ジ材のチップ搭載面の配線パターンに接合されている弾性表面 波分波器であって、
' 複数の S AW共振子が構成され おり、 かつ下面に複数のバンプを有 する第 1の弾性表面波フィルタチップと、 - 複数の S AW共振子が構成されており、 かつ下面に複数のバンプを有 する第 2の弾性表面波フィルタチップと、
前記第 1, 第 2の弾性表面波フィルタチップが、 前記複数のバンプを 用いて接合されるパッケージ材とを備え、
前記パッケージ材のチップ搭載面には、 第 2の弾性表面波フィルタチ ップの出力端に接続される信号配線パターンと、 前記第 2の弾性表面波 フィルタチップにおける出力端に最も近い S AW共振子のグラウンド電 位に接続されるグラウンド配線パターンとが少なくとも形成されており、 かつ前記信号配線パターン及びグラウンド配線パターンにそれぞれ接続 されており、 前記パッケージ材の少な.くとも一部を貫通している信号ビ ァホール電極及びグラウンドビアホール電極が設けられており、
前記信号ビアホール電極と、 前記グラウンドビアホール電極との間の 距離が、 前記パッケージ材に構成されており、 かつ異なる電位に接続さ れるビアホール電極間の距離のうち最小であることを特徴とする、 弾性 表面波分波器。
6 . 中心周波数が相対的に低い第 1の弾性表面波フィルタチップと、 中心周波数が相対的に高い第 2の弾性表面波フィルタチップと力 第 1, 第 2の弾性表面波フィルタチップに設けられた複数のバンプを利用して、 パッケージ材のチップ搭載面の配線パターンに接合されている弾性表面 波分波器であって、
複数の S AW共振子が構成されており、 かつ下面に複数のバンプを有 する第 1の弾性表面波フィルタチップと、
複数の S AW共振子が構成されており、 かつ下面に複数のバンプを有 する第 2の弾性表面波フィルタチップと、
前記第 1, 第 2の弾性表面波フィルタチップが、 前記複数のバンプを 用いて接合されるパッケージ材とを備え、
前記パッケージ材のチップ搭载面には、 第 2の弾性表面波フィルタチ ップの出力端に接続される信号配線パターンと、 前記第 2の弾性表面波 フィルタチップにおける出力端に最も近い S AW共振子のグラウンド電 位に接続されるグラウンド配線パターンとが少なくとも形成されており、 前記信号配線パターンと前記グラウンド配線パターンとが設けられて いる領域において、 前記第 1の弾性表面波フィルタチップを流れる電気 信号により生じた磁束が流れた際に、 該磁束を打ち消す構造が設けられ ていることを特徴とする、 弾性表面波分波器。
7 . 前記磁束を打ち消す構造が、 前記第 2の弾性表面波フィルタチッ プをパッケージ材の配線パターンに接合している複数のバンプのうち、 第 2の弾性表面波フィルタチップの出力端に接続される第 1のバンプと、 最も出力端に近い S AW共振子のグラウンド電位に接続される第 2のバ ンプとを結ぶ仮想線の両側に分散されて、 前記グラウンド配線パターン に接続されておりかつ前記パッケージ材'の少なくとも一部を貫通してい る第 1, 第 2のビアホール電極が配置されている構造である、 請求項 6 に記載の弾性表面波分波器。
8 . 前記第 1のビアホール電極と前記第 2のバンプとを結ぶ線と、 前 記第 2のバンプと前記第 2のビアホール電極とを結ぶ線のなす角度が 9
0 °以上である、 請求項 7に記載の弾性表面波分波器。
9 . 前記磁束を打ち消す構造が、 前記第 2の弾性表面波フィルタチッ プに設けられている複数のバンプのうち、 第 2の弾性表面波フィルタチ ップの出力端に接続される第 1のバンプと、 第 2の弾性表面波フィルタ チップの出力端に最も近い S A W共振子のグラウンド側電位に接続され る複数の第 2のバンプの中心とを結ぶ線の両側に分散されて、 前記ダラ ゥンド配線パターンに接続され、 かつ前記パッケージ材の少なくとも一 部の層を貫通している第 1, 第 2のビアホール電極が配置されている構 造である、 請求項 6に記載の弾性表面波分波器。
1 0 . 前記第 1のビアホール電極と、複数の前記第 2のバンプの中心と を結ぶ線と、 複数の前記第 2のバンプの中心と第 2のビアホール電極と を結ぶ線とのなす角度が 9 0 °以上である、請求項 9に記載の弾性表面波 分波器。
1 1 . 前記第 1,第 2のビアホール電極を含む複数のビアホール電極が 前記パッケージ材に設けられており、 該複数のビアホール電極の少なく とも 1つのビアホール電極が前記第 2の弾性表面波フィルタチップが実
3 装される面の下方に配置されており、 残りのビアホール電極が第 2の弹 性表面波フィルタチップが実装される領域の外側の領域に配置されてい る、 請求項 1〜 9のいずれかに記載の弾性表面波分波器。
1 2 . 前記第 1,第 2の弾性表面波フィルタチップが統合されて 1つの チップで構成されている、 請求項 1〜 1 1のいずれかに記載の弾性表面
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