JP2003115748A - 弾性表面波分波器、通信装置 - Google Patents
弾性表面波分波器、通信装置Info
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アンテナ端子２１から受信端子２３への間の
減衰量の劣化を抑え、送信端子２２から受信端子２３へ
の間のアイソレーション特性での減衰量劣化も抑えるこ
とができる弾性表面波分波器およびそれを用いた通信装
置を提供する。 【解決手段】 弾性表面波フィルタ２、３を複数有する
分波部６１を多層基板の表面側の第１電極パターン１４
ａ上に設ける。多層基板の裏面側の第４電極パターン１
７ａの周辺部上に、アンテナ端子２１、送信端子２２、
受信端子２３を分波部６１にそれぞれ接続して設ける。
多層基板の中間層の第３電極パターン１６ａに形成さ
れ、アンテナ端子２１に接続された整合用のストリップ
線路３３をアンテナ端子２１側の辺に対向する辺以外の
少なくとも一辺に接地して設ける。
減衰量の劣化を抑え、送信端子２２から受信端子２３へ
の間のアイソレーション特性での減衰量劣化も抑えるこ
とができる弾性表面波分波器およびそれを用いた通信装
置を提供する。 【解決手段】 弾性表面波フィルタ２、３を複数有する
分波部６１を多層基板の表面側の第１電極パターン１４
ａ上に設ける。多層基板の裏面側の第４電極パターン１
７ａの周辺部上に、アンテナ端子２１、送信端子２２、
受信端子２３を分波部６１にそれぞれ接続して設ける。
多層基板の中間層の第３電極パターン１６ａに形成さ
れ、アンテナ端子２１に接続された整合用のストリップ
線路３３をアンテナ端子２１側の辺に対向する辺以外の
少なくとも一辺に接地して設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の弾性表面波
（以下、ＳＡＷと略す）フィルタと、アンテナ端子との
結合部にインピーダンス整合回路を有するＳＡＷ分波
器、およびそれを有する通信装置に関する。
（以下、ＳＡＷと略す）フィルタと、アンテナ端子との
結合部にインピーダンス整合回路を有するＳＡＷ分波
器、およびそれを有する通信装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯端末等の移動体通信装置の高
機能化として、２つ以上の通信システムを備えたマルチ
バンド対応の携帯電話について検討されている。複数の
通信システムを１つの携帯端末に構成する為、構成部品
においては、その小型化、高機能化が要求されている。
そのため、通過域周波数の相異なる２つのフィルタを一
体化したデュアルフィルタや、送受信共用器といった分
波器において、小型化に有効なＳＡＷフィルタの使用が
検討されている。
機能化として、２つ以上の通信システムを備えたマルチ
バンド対応の携帯電話について検討されている。複数の
通信システムを１つの携帯端末に構成する為、構成部品
においては、その小型化、高機能化が要求されている。
そのため、通過域周波数の相異なる２つのフィルタを一
体化したデュアルフィルタや、送受信共用器といった分
波器において、小型化に有効なＳＡＷフィルタの使用が
検討されている。
【０００３】このような分波器として、特開平２−６９
０１２号公報には、ＳＡＷフィルタのチップ単体をキャ
ンケースに気密保持のために挿入したものが開示されて
いる。上記公報では、キャンケースがシールド効果を備
え、かつ、ＳＡＷフィルタのキャンケースを基板に半田
付けする必要が無くなり、従来の誘電体フィルタと比較
して取り扱いが容易で小型化が期待できる効果が記載さ
れている。
０１２号公報には、ＳＡＷフィルタのチップ単体をキャ
ンケースに気密保持のために挿入したものが開示されて
いる。上記公報では、キャンケースがシールド効果を備
え、かつ、ＳＡＷフィルタのキャンケースを基板に半田
付けする必要が無くなり、従来の誘電体フィルタと比較
して取り扱いが容易で小型化が期待できる効果が記載さ
れている。
【０００４】さらに、上記公報に記載の分波器は、イン
ピーダンス整合回路としての分波回路をインダクターと
することにより従来の分布定数線路によるストリップ線
路に比較して線路長が短くなるため分波回路の占有面積
が小さくでき、前記効果に加えて分波器をさらに小型化
できる。また、上記公報では、インダクターを基板裏面
に構成し小型化している。
ピーダンス整合回路としての分波回路をインダクターと
することにより従来の分布定数線路によるストリップ線
路に比較して線路長が短くなるため分波回路の占有面積
が小さくでき、前記効果に加えて分波器をさらに小型化
できる。また、上記公報では、インダクターを基板裏面
に構成し小型化している。
【０００５】また、特開平５−１６７３８８号公報に
は、複数のＳＡＷ共振器からなる帯域通過フィルタを用
いた分波器が開示されており、その分波器の一つの構成
として、上記公報に記載の第２の実施例に、送受信信号
の接続点からＧＮＤに対してインダクタンスをインピー
ダンス整合回路として挿入することが記載されている。
は、複数のＳＡＷ共振器からなる帯域通過フィルタを用
いた分波器が開示されており、その分波器の一つの構成
として、上記公報に記載の第２の実施例に、送受信信号
の接続点からＧＮＤに対してインダクタンスをインピー
ダンス整合回路として挿入することが記載されている。
【０００６】さらに他の分波器として、特開平５−１６
７３８９号公報には、アイソレーションを良好に保ちつ
つ極力小型化することが可能なものが開示されており、
上記公報に記載の第６の実施例に、３つの外部信号端子
を３つの辺に配置し、さらに、各信号端子の両側にＧＮ
Ｄを配置して信号の漏れを防止できることが開示されて
いる。
７３８９号公報には、アイソレーションを良好に保ちつ
つ極力小型化することが可能なものが開示されており、
上記公報に記載の第６の実施例に、３つの外部信号端子
を３つの辺に配置し、さらに、各信号端子の両側にＧＮ
Ｄを配置して信号の漏れを防止できることが開示されて
いる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のＳＡＷフィルタを用いた分波器においては、その小
形化が進み、アンテナ端子、送信端子、受信端子などの
各端子間の距離が近くなるので各端子間のアイソレーシ
ョンが十分に取れなくなってきているという問題を生じ
ている。
来のＳＡＷフィルタを用いた分波器においては、その小
形化が進み、アンテナ端子、送信端子、受信端子などの
各端子間の距離が近くなるので各端子間のアイソレーシ
ョンが十分に取れなくなってきているという問題を生じ
ている。
【０００８】特開平２−６９０１２号公報では、各信号
端子が同一の辺に配置されているのに対し、特開平５−
１６７３８９号公報では各信号端子が３辺に配置され、
各信号端子の両側にＧＮＤを配置することにより、各信
号端子間での信号の漏れを防止している。
端子が同一の辺に配置されているのに対し、特開平５−
１６７３８９号公報では各信号端子が３辺に配置され、
各信号端子の両側にＧＮＤを配置することにより、各信
号端子間での信号の漏れを防止している。
【０００９】ところで、ＳＡＷ分波器のアンテナ結合部
には一般的に整合回路が必要であり、特開平２−６９０
１２号公報や特開平５−１６７３８８号公報に示す様に
並列のインダクタンスが用いられることがある。特開平
２−６９０１２号公報に記載の「第１図（ｂ）」に示す
ようにインダクタンスを整合回路としてアンテナ端子に
接続し、他方をＧＮＤに接続する場合、ＧＮＤ電極をア
ンテナ端子の反対側に配置するのが配線上都合が良い。
には一般的に整合回路が必要であり、特開平２−６９０
１２号公報や特開平５−１６７３８８号公報に示す様に
並列のインダクタンスが用いられることがある。特開平
２−６９０１２号公報に記載の「第１図（ｂ）」に示す
ようにインダクタンスを整合回路としてアンテナ端子に
接続し、他方をＧＮＤに接続する場合、ＧＮＤ電極をア
ンテナ端子の反対側に配置するのが配線上都合が良い。
【００１０】しかし、上記配置の方法では、アンテナ端
子とその他の端子のアイソレーションや送信端子と受信
端子との間のアイソレーションが十分に取れないといっ
た問題があった。
子とその他の端子のアイソレーションや送信端子と受信
端子との間のアイソレーションが十分に取れないといっ
た問題があった。
【００１１】本発明の目的は、アンテナ結合部にインピ
ーダンス整合回路を備え、良好なアイソレーション特性
を有するＳＡＷ分波器およびそれを有する通信装置を提
供することである。
ーダンス整合回路を備え、良好なアイソレーション特性
を有するＳＡＷ分波器およびそれを有する通信装置を提
供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のＳＡＷ分波器
は、上記課題を解決するために、ＳＡＷフィルタを複数
用いて、送受信のための分波機能を備える分波部が基板
上に設けられ、分波部にそれぞれ接続されるアンテナ端
子、送信端子、受信端子、および接地端子が、基板の周
辺部に設けられ、整合機能を備えたストリップ線路が、
一方をアンテナ端子に接続し、他方をアンテナ端子側の
辺に対向する辺以外の少なくとも一辺に接地して設けら
れていることを特徴としている。
は、上記課題を解決するために、ＳＡＷフィルタを複数
用いて、送受信のための分波機能を備える分波部が基板
上に設けられ、分波部にそれぞれ接続されるアンテナ端
子、送信端子、受信端子、および接地端子が、基板の周
辺部に設けられ、整合機能を備えたストリップ線路が、
一方をアンテナ端子に接続し、他方をアンテナ端子側の
辺に対向する辺以外の少なくとも一辺に接地して設けら
れていることを特徴としている。
【００１３】上記構成によれば、ＳＡＷフィルタを複数
用いたことにより、送受信のための分波機能を発揮で
き、かつ、アンテナ端子に接続される整合機能を備えた
ストリップ線路を設けたことによって、アンテナ端子で
の入出力インピーダンスの整合を図ることが可能とな
り、アンテナ端子からの送受信のための伝送特性を向上
できる。
用いたことにより、送受信のための分波機能を発揮で
き、かつ、アンテナ端子に接続される整合機能を備えた
ストリップ線路を設けたことによって、アンテナ端子で
の入出力インピーダンスの整合を図ることが可能とな
り、アンテナ端子からの送受信のための伝送特性を向上
できる。
【００１４】また、上記構成では、ストリップ線路を、
アンテナ端子側の辺に対向する辺以外の少なくとも一辺
に接地して設けたことにより、アンテナ端子から受信端
子への間の減衰量の劣化を抑え、送信端子から受信端子
への間のアイソレーション特性での減衰量劣化をも抑え
ることができる。
アンテナ端子側の辺に対向する辺以外の少なくとも一辺
に接地して設けたことにより、アンテナ端子から受信端
子への間の減衰量の劣化を抑え、送信端子から受信端子
への間のアイソレーション特性での減衰量劣化をも抑え
ることができる。
【００１５】上記ＳＡＷ分波器では、基板がく電気素子
回路や接続線のための導電体パターンを、複数厚さ方向
にそれぞれ有する多層基板であり、ストリップ線路が、
上記導電体パターンの一部として形成され、上記導電体
パターンと同層の接地用導電体パターンに接続されてい
ることが好ましい。
回路や接続線のための導電体パターンを、複数厚さ方向
にそれぞれ有する多層基板であり、ストリップ線路が、
上記導電体パターンの一部として形成され、上記導電体
パターンと同層の接地用導電体パターンに接続されてい
ることが好ましい。
【００１６】上記構成によれば、基板を多層基板とする
ことで、小型化を図ることができ、かつ、各端子への配
線の自由度を大きくできて、各端子間の干渉を抑制でき
る。
ことで、小型化を図ることができ、かつ、各端子への配
線の自由度を大きくできて、各端子間の干渉を抑制でき
る。
【００１７】上記ＳＡＷ分波器においては、ストリップ
線路が、アンテナ端子側の一辺にて接地されていること
が望ましい。
線路が、アンテナ端子側の一辺にて接地されていること
が望ましい。
【００１８】上記構成によれば、さらに、アンテナ端子
から受信端子への間の減衰量劣化の抑制、および、送信
端子から受信端子への間のアイソレーション特性での減
衰量劣化の抑制をより確実化できる。
から受信端子への間の減衰量劣化の抑制、および、送信
端子から受信端子への間のアイソレーション特性での減
衰量劣化の抑制をより確実化できる。
【００１９】上記ＳＡＷ分波器では、基板における、ア
ンテナ端子と送信端子とを結ぶ仮想線で分割した２つの
領域の内、受信端子を含む領域と異なる領域内に、スト
リップ線路が接地されていてもよい。
ンテナ端子と送信端子とを結ぶ仮想線で分割した２つの
領域の内、受信端子を含む領域と異なる領域内に、スト
リップ線路が接地されていてもよい。
【００２０】上記構成によれば、さらに、アンテナ端子
と送信端子とを結ぶ仮想線で分割した２つの領域の内、
ストリップ線路が受信端子を含まない領域に接地される
ことで、アンテナ端子から受信端子への間でのアイソレ
ーションを良好に保つことがより確実に可能となる。よ
って、上記構成では、小型化を図りつつ、良好な減衰特
性をより効果的に得ることができる。
と送信端子とを結ぶ仮想線で分割した２つの領域の内、
ストリップ線路が受信端子を含まない領域に接地される
ことで、アンテナ端子から受信端子への間でのアイソレ
ーションを良好に保つことがより確実に可能となる。よ
って、上記構成では、小型化を図りつつ、良好な減衰特
性をより効果的に得ることができる。
【００２１】上記ＳＡＷ分波器においては、基板の第一
辺の両隅部上に送信端子および受信端子がそれぞれ設け
られ、前記第一辺に対向する第二辺の中央部上に、アン
テナ端子が設けられていることが望ましい。
辺の両隅部上に送信端子および受信端子がそれぞれ設け
られ、前記第一辺に対向する第二辺の中央部上に、アン
テナ端子が設けられていることが望ましい。
【００２２】上記構成によれば、アンテナ端子、送信端
子、および受信端子の相互間の干渉を抑制できるので、
各端子間の良好なアイソレーションをより確実化でき
る。
子、および受信端子の相互間の干渉を抑制できるので、
各端子間の良好なアイソレーションをより確実化でき
る。
【００２３】上記ＳＡＷ分波器では、アンテナ端子、送
信端子、および受信端子間に、接地端子がそれぞれ配置
されていることが好ましい。
信端子、および受信端子間に、接地端子がそれぞれ配置
されていることが好ましい。
【００２４】上記構成によれば、アンテナ端子、送信端
子、および受信端子の相互間の干渉を、それらの間に配
置した接地端子によって、より確実に抑制できるので、
各端子間の良好なアイソレーションをより一層確実化で
きる。
子、および受信端子の相互間の干渉を、それらの間に配
置した接地端子によって、より確実に抑制できるので、
各端子間の良好なアイソレーションをより一層確実化で
きる。
【００２５】上記ＳＡＷ分波器においては、ストリップ
線路がコイル状に設けられていてもよい。上記構成によ
れば、ストリップ線路をコイル状に形成することによ
り、省スペース化を図れて小型化できる。
線路がコイル状に設けられていてもよい。上記構成によ
れば、ストリップ線路をコイル状に形成することによ
り、省スペース化を図れて小型化できる。
【００２６】一方、上記構成では、コイル状のストリッ
プ線路がインダクタンス素子としても機能することか
ら、単なる整合素子としてだけでは無く、高調波周波数
の信号抑圧用の素子としても機能させることで、例えば
携帯端末等の通信装置からの不要な高調波周波数の信号
放射を抑圧することができる。
プ線路がインダクタンス素子としても機能することか
ら、単なる整合素子としてだけでは無く、高調波周波数
の信号抑圧用の素子としても機能させることで、例えば
携帯端末等の通信装置からの不要な高調波周波数の信号
放射を抑圧することができる。
【００２７】本発明の通信装置は、前記の課題を解決す
るために、上記の何れかのＳＡＷ分波器を有することを
特徴としている。
るために、上記の何れかのＳＡＷ分波器を有することを
特徴としている。
【００２８】上記構成によれば、アンテナ端子、送信端
子、および受信端子の相互間のアイソレーションが良好
で、小型化が可能なＳＡＷ分波器を有しているので、小
型化を図れると共に、伝送特性といった通信特性を向上
できる。
子、および受信端子の相互間のアイソレーションが良好
で、小型化が可能なＳＡＷ分波器を有しているので、小
型化を図れると共に、伝送特性といった通信特性を向上
できる。
【００２９】
【発明の実施の形態】本発明の実施の各形態について図
１ないし図１７に基づいて説明すれば、以下の通りであ
る。
１ないし図１７に基づいて説明すれば、以下の通りであ
る。
【００３０】（実施の第一形態）図２は本発明の実施の
第一形態に係るＳＡＷ分波器を説明するための構造図で
ある。図２に示す様に、本発明のＳＡＷ分波器は、長方
形板状の多層基板（基板）１上に、送信用のＳＡＷフィ
ルタ２、受信用のＳＡＷフィルタ３、インピーダンス整
合用のコイル４およびコンデンサ５とを搭載して有して
いる。各ＳＡＷフィルタ２、３により分波部６１が形成
されている。
第一形態に係るＳＡＷ分波器を説明するための構造図で
ある。図２に示す様に、本発明のＳＡＷ分波器は、長方
形板状の多層基板（基板）１上に、送信用のＳＡＷフィ
ルタ２、受信用のＳＡＷフィルタ３、インピーダンス整
合用のコイル４およびコンデンサ５とを搭載して有して
いる。各ＳＡＷフィルタ２、３により分波部６１が形成
されている。
【００３１】ＳＡＷフィルタ２、３は、図示しないが、
圧電体基板上に、一つまたは複数のくし型電極部（イン
ターデジタルトランスデューサ、以下、ＩＤＴと略記す
る）と、ＩＤＴを左右（ＳＡＷの伝搬方向）から挟む２
つの反射器とをＳＡＷの伝搬方向に沿って有するもので
ある。
圧電体基板上に、一つまたは複数のくし型電極部（イン
ターデジタルトランスデューサ、以下、ＩＤＴと略記す
る）と、ＩＤＴを左右（ＳＡＷの伝搬方向）から挟む２
つの反射器とをＳＡＷの伝搬方向に沿って有するもので
ある。
【００３２】上記ＩＤＴは、アルミニウム等の金属薄膜
により形成されており、入力した電気信号（交流）をＳ
ＡＷ（弾性エネルギー）に変換して圧電体基板上に伝搬
させ、伝搬したＳＡＷを電気信号に変換して出力するＳ
ＡＷ変換部として機能するものである。上記反射器は、
伝搬してきたＳＡＷを来た方向に反射する機能を有する
ものである。
により形成されており、入力した電気信号（交流）をＳ
ＡＷ（弾性エネルギー）に変換して圧電体基板上に伝搬
させ、伝搬したＳＡＷを電気信号に変換して出力するＳ
ＡＷ変換部として機能するものである。上記反射器は、
伝搬してきたＳＡＷを来た方向に反射する機能を有する
ものである。
【００３３】このようなＩＤＴでは、各すだれ状電極指
の長さや幅、隣り合う各すだれ状電極指の間隔、互いの
すだれ状電極指間での入り組んだ状態の対面長さを示す
交叉叉幅を、それぞれ設定することにより信号変換特性
や、通過帯域の設定が可能となっている。また、反射器
においては、各反射器電極指の幅や間隔を調整すること
により反射特性の設定が可能となっている。
の長さや幅、隣り合う各すだれ状電極指の間隔、互いの
すだれ状電極指間での入り組んだ状態の対面長さを示す
交叉叉幅を、それぞれ設定することにより信号変換特性
や、通過帯域の設定が可能となっている。また、反射器
においては、各反射器電極指の幅や間隔を調整すること
により反射特性の設定が可能となっている。
【００３４】また、前記ＳＡＷ分波器では、図には記載
していないが、さらに、ＳＡＷフィルタ２等の部品を覆
う様に金属カバーが多層基板１上に搭載されている。ま
た、多層基板１には、図３の分波回路図に示すとおり、
整合用の各ストリップ線路３１、３２、３３が、それぞ
れ内蔵されている。ストリップ線路３１、３２は、コイ
ル状線路にて形成され、ストリップ線路３３は、交互に
折れ曲がったジグザグ線路にて形成されており、インダ
クタンス素子としての機能を有している。
していないが、さらに、ＳＡＷフィルタ２等の部品を覆
う様に金属カバーが多層基板１上に搭載されている。ま
た、多層基板１には、図３の分波回路図に示すとおり、
整合用の各ストリップ線路３１、３２、３３が、それぞ
れ内蔵されている。ストリップ線路３１、３２は、コイ
ル状線路にて形成され、ストリップ線路３３は、交互に
折れ曲がったジグザグ線路にて形成されており、インダ
クタンス素子としての機能を有している。
【００３５】図４に前記多層基板１の断面図の一例を示
す。多層基板１は、その厚さ方向に沿って３層の誘電体
層１１、１２、１３を有し、それらの上下（厚さ方向）
にそれぞれ配置された、銅またはアルミニウムからなる
導体層１４、１５、１６、１７を備えている。誘電体層
１１、１２、１３は、Ａｌ2 Ｏ3 のような酸化物系のセ
ラミックやガラス系の樹脂などからなっている。ここ
で、多層基板１は整合素子の形状や、種類によりその層
数を増減させてもよい。
す。多層基板１は、その厚さ方向に沿って３層の誘電体
層１１、１２、１３を有し、それらの上下（厚さ方向）
にそれぞれ配置された、銅またはアルミニウムからなる
導体層１４、１５、１６、１７を備えている。誘電体層
１１、１２、１３は、Ａｌ2 Ｏ3 のような酸化物系のセ
ラミックやガラス系の樹脂などからなっている。ここ
で、多層基板１は整合素子の形状や、種類によりその層
数を増減させてもよい。
【００３６】図１（ａ）〜図１（ｄ）には多層基板１の
４つの各導体層１４、１５、１６、１７の平面図を示
す。第１の導体層１４には、図１（ａ）に示すように、
ＳＡＷフィルタ２、３、コイル４、コンデンサ５を搭載
するための第１電極パターン（導電体パターン）１４ａ
が形成されている。第３の導体層１６には、図１（ｃ）
に示すように、インピーダンス整合用の各ストリップ線
路３１、３２、３３と、各ストリップ線路３１、３２、
３３の接続点部（共通端子）３４と、ストリップ線路３
３の他端側に接続される各接地パターン２４Ａ、２４Ｂ
とを備えた第３電極パターン（導電体パターン）１６ａ
が形成されている。
４つの各導体層１４、１５、１６、１７の平面図を示
す。第１の導体層１４には、図１（ａ）に示すように、
ＳＡＷフィルタ２、３、コイル４、コンデンサ５を搭載
するための第１電極パターン（導電体パターン）１４ａ
が形成されている。第３の導体層１６には、図１（ｃ）
に示すように、インピーダンス整合用の各ストリップ線
路３１、３２、３３と、各ストリップ線路３１、３２、
３３の接続点部（共通端子）３４と、ストリップ線路３
３の他端側に接続される各接地パターン２４Ａ、２４Ｂ
とを備えた第３電極パターン（導電体パターン）１６ａ
が形成されている。
【００３７】各ストリップ線路３１、３２、３３は、図
１（ｂ）および図１（ｄ）に示すように、第２の導体層
１５に形成された接地（ＧＮＤ）パターンである第２電
極パターン（導電体パターン）１５ａ、および、第４の
導体層１７に形成された第４電極パターン（導電体パタ
ーン）１７ａの一部である接地パターン１７ｂにより、
多層基板１の厚さ方向にて挟まれている。
１（ｂ）および図１（ｄ）に示すように、第２の導体層
１５に形成された接地（ＧＮＤ）パターンである第２電
極パターン（導電体パターン）１５ａ、および、第４の
導体層１７に形成された第４電極パターン（導電体パタ
ーン）１７ａの一部である接地パターン１７ｂにより、
多層基板１の厚さ方向にて挟まれている。
【００３８】また、第１ないし第４の各導体層１４〜１
７間は、図４に示すように、多層基板１内部に厚さ方向
に貫通して形成されたビアホール１８や多層基板１外部
に厚さ方向に沿って形成されたスルーホール１９などに
より、電気的に接続されている。
７間は、図４に示すように、多層基板１内部に厚さ方向
に貫通して形成されたビアホール１８や多層基板１外部
に厚さ方向に沿って形成されたスルーホール１９などに
より、電気的に接続されている。
【００３９】また、第４の導体層１７には、図１（ｄ）
に示すように、アンテナ端子２１、送信端子２２、受信
端子２３と各接地端子２４が、第４電極パターン１７ａ
として略長方形状の第４の導体層１７の周辺部に沿って
それぞれ形成されている。また、図５に、ＳＡＷ分波器
の裏面（多層基板１の厚さ方向一端面、図１（ｄ）に示
す第４の導体層１７の裏面側）に設けられた各裏面端子
の配置を示す。各裏面端子では、図５に示すように、第
４の導体層１７の接地パターン１７ｂ上にレジスト２０
などの絶縁物を裏面側から所定形状にコーティングする
ことにより、各接地端子２４が形成されている。
に示すように、アンテナ端子２１、送信端子２２、受信
端子２３と各接地端子２４が、第４電極パターン１７ａ
として略長方形状の第４の導体層１７の周辺部に沿って
それぞれ形成されている。また、図５に、ＳＡＷ分波器
の裏面（多層基板１の厚さ方向一端面、図１（ｄ）に示
す第４の導体層１７の裏面側）に設けられた各裏面端子
の配置を示す。各裏面端子では、図５に示すように、第
４の導体層１７の接地パターン１７ｂ上にレジスト２０
などの絶縁物を裏面側から所定形状にコーティングする
ことにより、各接地端子２４が形成されている。
【００４０】このような各裏面端子の配置では、アンテ
ナ端子２１、送信端子２２、および受信端子２３が、相
互間の干渉を抑制するように配置されている。例えば、
略長方形状の第４の導体層１７における第一長辺（第一
辺）の両隅部上に送信端子２２、受信端子２３が、それ
ぞれ設けられ、上記第一長辺に対向する第二長辺（第二
辺）の中央部上に、アンテナ端子２１が設けられてい
る。
ナ端子２１、送信端子２２、および受信端子２３が、相
互間の干渉を抑制するように配置されている。例えば、
略長方形状の第４の導体層１７における第一長辺（第一
辺）の両隅部上に送信端子２２、受信端子２３が、それ
ぞれ設けられ、上記第一長辺に対向する第二長辺（第二
辺）の中央部上に、アンテナ端子２１が設けられてい
る。
【００４１】さらに、上記各裏面端子においては、アン
テナ端子２１、送信端子２２、および受信端子２３間
に、複数、例えば２個または３個の接地端子２４がそれ
ぞれ配置されており、かつ、互いに隣り合う端子同士間
がほぼ等間隔となっている。
テナ端子２１、送信端子２２、および受信端子２３間
に、複数、例えば２個または３個の接地端子２４がそれ
ぞれ配置されており、かつ、互いに隣り合う端子同士間
がほぼ等間隔となっている。
【００４２】このような各端子の配置により、アンテナ
端子２１、送信端子２２、および受信端子２３間の干渉
を、より確実に抑制できるようになっている。
端子２１、送信端子２２、および受信端子２３間の干渉
を、より確実に抑制できるようになっている。
【００４３】図１（ｃ）に示す様に、第３の導体層１６
には送信側の２倍、３倍の高調波周波数帯域近傍に減衰
極を設けるためのオープン型のストリップ線路３１、３
２と、アンテナ結合部１４ｂにおける、インピーダンス
整合機能を有するストリップ線路３３が形成されてい
る。
には送信側の２倍、３倍の高調波周波数帯域近傍に減衰
極を設けるためのオープン型のストリップ線路３１、３
２と、アンテナ結合部１４ｂにおける、インピーダンス
整合機能を有するストリップ線路３３が形成されてい
る。
【００４４】それら３つのストリップ線路３１、３２、
３３は接続点部３４で共通化され、スルーホール１９ａ
を介して第１の導体層１４のアンテナ結合部１４ｂと、
第４の導体層１７のアンテナ端子２１とにそれぞれ接続
されている。アンテナ結合部１４ｂには、ＳＡＷフィル
タ２、ＳＡＷフィルタ３の入出力端子の一方がそれぞれ
接続されている。
３３は接続点部３４で共通化され、スルーホール１９ａ
を介して第１の導体層１４のアンテナ結合部１４ｂと、
第４の導体層１７のアンテナ端子２１とにそれぞれ接続
されている。アンテナ結合部１４ｂには、ＳＡＷフィル
タ２、ＳＡＷフィルタ３の入出力端子の一方がそれぞれ
接続されている。
【００４５】ストリップ線路３１、３２の他方はオープ
ンとなっており、ストリップ線路３３の他方は、第３の
導体層１６の同層内で接地、例えば各接地パターン２４
Ａ、２４Ｂに接続されている。各接地パターン２４Ａ、
２４Ｂは、それぞれ、各スルーホール１９ｂ、１９ｃを
介して裏面端子の各接地端子２４ａ、２４ｂに接続され
ている。
ンとなっており、ストリップ線路３３の他方は、第３の
導体層１６の同層内で接地、例えば各接地パターン２４
Ａ、２４Ｂに接続されている。各接地パターン２４Ａ、
２４Ｂは、それぞれ、各スルーホール１９ｂ、１９ｃを
介して裏面端子の各接地端子２４ａ、２４ｂに接続され
ている。
【００４６】さらに、各接地パターン２４Ａ、２４Ｂ
は、第１の導体層１４の接地パターン１４ｃと、第２の
導体層１５の接地パターンである第２電極パターン１５
ａとにも接続されている。
は、第１の導体層１４の接地パターン１４ｃと、第２の
導体層１５の接地パターンである第２電極パターン１５
ａとにも接続されている。
【００４７】このとき、ストリップ線路３３は、第３の
導体層１６の同層内において、アンテナ端子２１を含む
辺４１の各接地パターン２４Ａ、２４Ｂにのみに接続さ
れて接地されている。
導体層１６の同層内において、アンテナ端子２１を含む
辺４１の各接地パターン２４Ａ、２４Ｂにのみに接続さ
れて接地されている。
【００４８】本実施の第一形態によるＡＭＰＳ／ＣＤＭ
Ａ用のＳＡＷ分波器の特性を図６および図７に示す。送
信側の通過帯域は８２４ＭＨｚ〜８４９ＭＨｚ、受信側
の通過帯域８６９ＭＨｚ〜８９４ＭＨｚとなっている。
図６はアンテナ端子２１から受信端子２３への通過域近
傍の振幅特性である。図６に示す特性では、８４９ＭＨ
ｚ（△２）において５８ｄＢと良好な減衰量を得てい
る。図７は送信端子２２から受信端子２３へのアイソレ
ーション特性である。図７に示す特性では、同様に８４
９ＭＨｚ（△２）で６２ｄＢと良好な特性を得ている。
Ａ用のＳＡＷ分波器の特性を図６および図７に示す。送
信側の通過帯域は８２４ＭＨｚ〜８４９ＭＨｚ、受信側
の通過帯域８６９ＭＨｚ〜８９４ＭＨｚとなっている。
図６はアンテナ端子２１から受信端子２３への通過域近
傍の振幅特性である。図６に示す特性では、８４９ＭＨ
ｚ（△２）において５８ｄＢと良好な減衰量を得てい
る。図７は送信端子２２から受信端子２３へのアイソレ
ーション特性である。図７に示す特性では、同様に８４
９ＭＨｚ（△２）で６２ｄＢと良好な特性を得ている。
【００４９】なお、実施の第一形態では、ストリップ線
路３３はアンテナ端子２１側の辺４１の一辺上の接地端
子２４ａ等に接地した例を挙げたが、本発明は上記に限
定されるものではなく、図８に示すように、アンテナ端
子２１側の辺４１に加え、辺４１に隣接した送信端子２
２側よりの辺４２の接地端子２４ｃや接地端子２４ｄに
接続してもよい。この場合でも良好な減衰量が得られて
いる。
路３３はアンテナ端子２１側の辺４１の一辺上の接地端
子２４ａ等に接地した例を挙げたが、本発明は上記に限
定されるものではなく、図８に示すように、アンテナ端
子２１側の辺４１に加え、辺４１に隣接した送信端子２
２側よりの辺４２の接地端子２４ｃや接地端子２４ｄに
接続してもよい。この場合でも良好な減衰量が得られて
いる。
【００５０】一方、図９（ａ）に示す本発明のストリッ
プ線路３３の接地位置に代えた、比較用ＳＡＷ分波器を
図９（ｂ）に示す。図９（ｂ）に示す比較用ＳＡＷ分波
器は、第３の導体層１６において、ストリップ線路３３
ａを備えた第３’の導体層２６を、前述の第３の導体層
１６に代え、他は同様にして作製したものである。スト
リップ線路３３ａは、各接地パターン２４Ａ、２４Ｂに
接地されると共に、前記の辺４１、辺４２に加えアンテ
ナ端子２１に対向する辺４３となる、接地パターン２４
Ｃにも接地されたものである。
プ線路３３の接地位置に代えた、比較用ＳＡＷ分波器を
図９（ｂ）に示す。図９（ｂ）に示す比較用ＳＡＷ分波
器は、第３の導体層１６において、ストリップ線路３３
ａを備えた第３’の導体層２６を、前述の第３の導体層
１６に代え、他は同様にして作製したものである。スト
リップ線路３３ａは、各接地パターン２４Ａ、２４Ｂに
接地されると共に、前記の辺４１、辺４２に加えアンテ
ナ端子２１に対向する辺４３となる、接地パターン２４
Ｃにも接地されたものである。
【００５１】その比較用ＳＡＷ分波器の各特性を図１
０、図１１にそれぞれ示す。図１０のアンテナ端子２１
から受信端子２３への振幅特性において８４９ＭＨｚが
約４５ｄＢまで劣化している。同様に、図１１のアイソ
レーション特性では、８４９ＭＨｚでの減衰量が約４７
ｄＢに劣化している。図６との差は約１３ｄＢ、図７と
の差は約１６ｄＢとそれらの劣化量は明らかに大きい。
０、図１１にそれぞれ示す。図１０のアンテナ端子２１
から受信端子２３への振幅特性において８４９ＭＨｚが
約４５ｄＢまで劣化している。同様に、図１１のアイソ
レーション特性では、８４９ＭＨｚでの減衰量が約４７
ｄＢに劣化している。図６との差は約１３ｄＢ、図７と
の差は約１６ｄＢとそれらの劣化量は明らかに大きい。
【００５２】なお、図１０、図１１中の点線は比較用に
示した図６、図７に示した各特性である。図１２の回路
図に示す様な図９（ｂ）に示す構造では、測定系（携帯
端末等の通信装置）の接地（ＧＮＤ）に対し分波器の各
端子の接地（ＧＮＤ）が十分でない。
示した図６、図７に示した各特性である。図１２の回路
図に示す様な図９（ｂ）に示す構造では、測定系（携帯
端末等の通信装置）の接地（ＧＮＤ）に対し分波器の各
端子の接地（ＧＮＤ）が十分でない。
【００５３】このため、分波器内部の接地配線に僅かな
インダクタンス成分５１、５２、５３があり、アンテナ
端子２１へのインダクタンス成分５１より受信端子２３
へのインダクタンス成分５３の方が小さくなるため、ア
ンテナ端子２１から受信端子２３へ接地端子側から信号
の漏れが発生し、減衰量が劣化してしまう。
インダクタンス成分５１、５２、５３があり、アンテナ
端子２１へのインダクタンス成分５１より受信端子２３
へのインダクタンス成分５３の方が小さくなるため、ア
ンテナ端子２１から受信端子２３へ接地端子側から信号
の漏れが発生し、減衰量が劣化してしまう。
【００５４】従って、ストリップ線路３３を共通端子側
となるアンテナ端子２１側の辺に対向する辺以外の少な
くとも１辺に接地、例えば接地端子２４ａ等に接続する
ように配置することにより、通過帯域外での減衰量が大
きく、かつアイソレーション特性が優れているといった
良好な減衰特性を備えたＳＡＷ分波器を提供することが
できる。
となるアンテナ端子２１側の辺に対向する辺以外の少な
くとも１辺に接地、例えば接地端子２４ａ等に接続する
ように配置することにより、通過帯域外での減衰量が大
きく、かつアイソレーション特性が優れているといった
良好な減衰特性を備えたＳＡＷ分波器を提供することが
できる。
【００５５】本実施の第一形態では、送受信共用器につ
いての特性例を示したが、共通の入力端子と個々の出力
端子を有する、マルチモード対応のデュアルＳＡＷフィ
ルタの減衰特性においても同様の効果が得られる。
いての特性例を示したが、共通の入力端子と個々の出力
端子を有する、マルチモード対応のデュアルＳＡＷフィ
ルタの減衰特性においても同様の効果が得られる。
【００５６】上記ストリップ線路３３に関する接地方法
の変形例を説明すると以下の通りである。ストリップ線
路３３を接続する接地端子を、図９（ａ）に示すよう
に、第３の導体層１６の同層内において、領域Ｙ内に位
置し、かつアンテナ端子２１を含む辺４１に接続してい
る。
の変形例を説明すると以下の通りである。ストリップ線
路３３を接続する接地端子を、図９（ａ）に示すよう
に、第３の導体層１６の同層内において、領域Ｙ内に位
置し、かつアンテナ端子２１を含む辺４１に接続してい
る。
【００５７】領域Ｙは、上記接地端子を含む辺が、アン
テナ端子２１と送信端子２２を結ぶ仮想直線Ａ−Ａ’に
て第３の導体層１６の第３電極パターン１６ａを２つに
分割した各領域Ｘ、Ｙの内、受信端子２３を含まない領
域である。
テナ端子２１と送信端子２２を結ぶ仮想直線Ａ−Ａ’に
て第３の導体層１６の第３電極パターン１６ａを２つに
分割した各領域Ｘ、Ｙの内、受信端子２３を含まない領
域である。
【００５８】上記変形例によれば、ストリップ線路３３
を接続する接地端子２４ａ、２４ｂは第３の導体層１６
の同層内において、その接地端子２４ａ等を含む辺がア
ンテナ端子２１と送信端子２２を結ぶ仮想直線Ａ−Ａ’
で分割した２つの各領域Ｘ、Ｙの内、受信端子２３を含
まない領域Ｙ内に位置し、アンテナ端子２１を含む辺４
１に接続することにより、図６および図７に示す様に良
好が減衰特性を得ることができる。
を接続する接地端子２４ａ、２４ｂは第３の導体層１６
の同層内において、その接地端子２４ａ等を含む辺がア
ンテナ端子２１と送信端子２２を結ぶ仮想直線Ａ−Ａ’
で分割した２つの各領域Ｘ、Ｙの内、受信端子２３を含
まない領域Ｙ内に位置し、アンテナ端子２１を含む辺４
１に接続することにより、図６および図７に示す様に良
好が減衰特性を得ることができる。
【００５９】次に、比較のため、上記変形例とは接地位
置が逆となる他の比較用ＳＡＷ分波器を、図１３に示す
ように作製した。上記他の比較用ＳＡＷ分波器では、ス
トリップ線路３３に対応するストリップ線路３３ｂを接
地パターン２４Ｄに接続した第３”の導体層３６を用い
ている。接地パターン２４Ｄは、第３の導体層１６の同
層内において、その接地パターン２４Ｄを含む辺がアン
テナ端子２１と送信端子２２を結ぶ仮想直線Ａ−Ａ’で
分割した２つの各領域Ｘ、Ｙの内、受信端子２３を含む
領域Ｘ内に位置し、かつ、アンテナ端子２１を含む辺４
１に位置している。
置が逆となる他の比較用ＳＡＷ分波器を、図１３に示す
ように作製した。上記他の比較用ＳＡＷ分波器では、ス
トリップ線路３３に対応するストリップ線路３３ｂを接
地パターン２４Ｄに接続した第３”の導体層３６を用い
ている。接地パターン２４Ｄは、第３の導体層１６の同
層内において、その接地パターン２４Ｄを含む辺がアン
テナ端子２１と送信端子２２を結ぶ仮想直線Ａ−Ａ’で
分割した２つの各領域Ｘ、Ｙの内、受信端子２３を含む
領域Ｘ内に位置し、かつ、アンテナ端子２１を含む辺４
１に位置している。
【００６０】上記他の比較用ＳＡＷ分波器では、図１４
および図１５に示すように、減衰特性の劣化が見られ
た。図１４はアンテナ端子２１から受信端子２３への通
過域近傍の振幅特性である。図１５は送信端子２２から
受信端子２３へのアイソレーション特性である。図１４
に示す特性では、８４９ＭＨｚにおいて５６ｄＢとな
り、図６に示したＳＡＷ分波器の特性と比べて約２ｄＢ
劣化している。図１５に示す特性では、同様に８４９Ｍ
Ｈｚで５９ｄＢとなり、図７に示したＳＡＷ分波器の特
性と比べて約３ｄＢ劣化している。なお、図１４および
図１５中の点線は比較用に示した図６および図７に示し
た各特性である。
および図１５に示すように、減衰特性の劣化が見られ
た。図１４はアンテナ端子２１から受信端子２３への通
過域近傍の振幅特性である。図１５は送信端子２２から
受信端子２３へのアイソレーション特性である。図１４
に示す特性では、８４９ＭＨｚにおいて５６ｄＢとな
り、図６に示したＳＡＷ分波器の特性と比べて約２ｄＢ
劣化している。図１５に示す特性では、同様に８４９Ｍ
Ｈｚで５９ｄＢとなり、図７に示したＳＡＷ分波器の特
性と比べて約３ｄＢ劣化している。なお、図１４および
図１５中の点線は比較用に示した図６および図７に示し
た各特性である。
【００６１】このように上記ＳＡＷ分波器では、ストリ
ップ線路３３を、領域Ｙ内に位置し、かつアンテナ端子
２１を含む辺４１に接地することにより、通過帯域外で
の減衰量を大きくでき、かつ、アイソレーション特性も
向上できる。
ップ線路３３を、領域Ｙ内に位置し、かつアンテナ端子
２１を含む辺４１に接地することにより、通過帯域外で
の減衰量を大きくでき、かつ、アイソレーション特性も
向上できる。
【００６２】また、前記オープン型の各ストリップ線路
３１、３２をアンテナ端子２１に接続することで、図１
６の送信側のスプリアス特性に示すように、各ストリッ
プ線路３１、３２の容量性（コンデンサー様特性）によ
って通過域の整合を取ることに加えて送信周波数の２
倍、３倍の高調波周波数域の減衰量が改善されている
（図１６中、△２および△３を参照）ことが判る。
３１、３２をアンテナ端子２１に接続することで、図１
６の送信側のスプリアス特性に示すように、各ストリッ
プ線路３１、３２の容量性（コンデンサー様特性）によ
って通過域の整合を取ることに加えて送信周波数の２
倍、３倍の高調波周波数域の減衰量が改善されている
（図１６中、△２および△３を参照）ことが判る。
【００６３】加えて、ショート型（接地された）のスト
リップ線路３３をアンテナ端子２１に接続することで、
ストリップ線路３３のインダクタンス様特性によって前
記３倍の高調波周波数域で減衰量を更に大きく（図１６
中、△４に対して高域側の極小部を参照）できることが
判る。
リップ線路３３をアンテナ端子２１に接続することで、
ストリップ線路３３のインダクタンス様特性によって前
記３倍の高調波周波数域で減衰量を更に大きく（図１６
中、△４に対して高域側の極小部を参照）できることが
判る。
【００６４】（実施の第二形態）続いて、図１７を参照
しながら、本実施の第一形態に記載のＳＡＷ分波器を搭
載した通信装置１００について説明する。上記通信装置
１００は、受信を行うレシーバ側（Ｒｘ側）として、ア
ンテナ１０１、アンテナ共用部／ＲＦＴｏｐフィルタ１
０２、アンプ１０３、Ｒｘ段間フィルタ１０４、ミキサ
１０５、１ｓｔＩＦフィルタ１０６、ミキサ１０７、２
ｎｄＩＦフィルタ１０８、１ｓｔ＋２ｎｄローカルシン
セサイザ１１１、ＴＣＸＯ（temperature compensated
crystal oscillator（温度補償型水晶発振器））１１
２、デバイダ１１３、ローカルフィルタ１１４を備えて
構成されている。Ｒｘ段間フィルタ１０４からミキサ１
０５へは、図１７に二本線で示したように、バランス性
を確保するために各平衡信号にて送信することが好まし
い。
しながら、本実施の第一形態に記載のＳＡＷ分波器を搭
載した通信装置１００について説明する。上記通信装置
１００は、受信を行うレシーバ側（Ｒｘ側）として、ア
ンテナ１０１、アンテナ共用部／ＲＦＴｏｐフィルタ１
０２、アンプ１０３、Ｒｘ段間フィルタ１０４、ミキサ
１０５、１ｓｔＩＦフィルタ１０６、ミキサ１０７、２
ｎｄＩＦフィルタ１０８、１ｓｔ＋２ｎｄローカルシン
セサイザ１１１、ＴＣＸＯ（temperature compensated
crystal oscillator（温度補償型水晶発振器））１１
２、デバイダ１１３、ローカルフィルタ１１４を備えて
構成されている。Ｒｘ段間フィルタ１０４からミキサ１
０５へは、図１７に二本線で示したように、バランス性
を確保するために各平衡信号にて送信することが好まし
い。
【００６５】また、上記通信装置１００は、送信を行う
トランシーバ側（Ｔｘ側）として、上記アンテナ１０１
および上記アンテナ共用部／ＲＦＴｏｐフィルタ１０２
を共用すると共に、ＴｘＩＦフィルタ１２１、ミキサ１
２２、Ｔｘ段間フィルタ１２３、アンプ１２４、カプラ
１２５、アイソレータ１２６、ＡＰＣ（automatic powe
r control （自動出力制御））１２７を備えて構成され
ている。
トランシーバ側（Ｔｘ側）として、上記アンテナ１０１
および上記アンテナ共用部／ＲＦＴｏｐフィルタ１０２
を共用すると共に、ＴｘＩＦフィルタ１２１、ミキサ１
２２、Ｔｘ段間フィルタ１２３、アンプ１２４、カプラ
１２５、アイソレータ１２６、ＡＰＣ（automatic powe
r control （自動出力制御））１２７を備えて構成され
ている。
【００６６】そして、上記アンテナ共用部／ＲＦＴｏｐ
フィルタ１０２には、上述した本実施の第一形態に記載
のＳＡＷ分波器が好適に利用できる。
フィルタ１０２には、上述した本実施の第一形態に記載
のＳＡＷ分波器が好適に利用できる。
【００６７】よって、上記通信装置は、用いたＳＡＷ分
波器が多機能化や小型化されており、さらに良好な伝送
特性を備えていることにより、良好な送受信機能と共に
小型化を図れるものとなっている。
波器が多機能化や小型化されており、さらに良好な伝送
特性を備えていることにより、良好な送受信機能と共に
小型化を図れるものとなっている。
【００６８】
【発明の効果】本発明のＳＡＷ分波器は、以上のよう
に、ＳＡＷフィルタを複数有する分波部が基板上に設け
られ、分波部のアンテナ端子に接続されたストリップ線
路が、アンテナ端子側の辺に対向する辺以外の少なくと
も一辺に接地されている構成である。
に、ＳＡＷフィルタを複数有する分波部が基板上に設け
られ、分波部のアンテナ端子に接続されたストリップ線
路が、アンテナ端子側の辺に対向する辺以外の少なくと
も一辺に接地されている構成である。
【００６９】それゆえ、上記構成は、小型化を図りつ
つ、各ＳＡＷフィルタに接続されたアンテナ端子の整合
を、ストリップ線路により行い、かつ良好な減衰特性や
アイソレーション特性を得ることができるという効果を
奏する。
つ、各ＳＡＷフィルタに接続されたアンテナ端子の整合
を、ストリップ線路により行い、かつ良好な減衰特性や
アイソレーション特性を得ることができるという効果を
奏する。
【００７０】本発明の通信装置は、以上のように、上記
ＳＡＷ分波器を有する構成である。それゆえ、上記構成
は、用いたＳＡＷ分波器が多機能化や小型化されてお
り、さらに良好な伝送特性を備えていることにより、良
好な送受信機能と共に小型化を図れるという効果を奏す
る。
ＳＡＷ分波器を有する構成である。それゆえ、上記構成
は、用いたＳＡＷ分波器が多機能化や小型化されてお
り、さらに良好な伝送特性を備えていることにより、良
好な送受信機能と共に小型化を図れるという効果を奏す
る。
【図１】（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施の第一形態に係
るＳＡＷ分波器における多層基板の各分解平面図であ
る。
るＳＡＷ分波器における多層基板の各分解平面図であ
る。
【図２】上記ＳＡＷ分波器の斜視図である。
【図３】上記ＳＡＷ分波器の回路ブロック図である。
【図４】上記多層基板の概略断面図である。
【図５】上記多層基板の裏面側の各端子を示す説明図で
ある。
ある。
【図６】上記ＳＡＷ分波器の、アンテナ端子から受信端
子への通過域振幅特性を示すグラフである。
子への通過域振幅特性を示すグラフである。
【図７】上記ＳＡＷ分波器の、送信端子から受信端子へ
のアイソレーション特性を示すグラフである。
のアイソレーション特性を示すグラフである。
【図８】上記図１（ｃ）に関するストリップ線路の一変
形例を示す平面図である。
形例を示す平面図である。
【図９】本発明の多層基板におけるストリップ線路の接
地位置の説明図であって、（ａ）は本発明の接地位置を
示し、（ｂ）は比較用ＳＡＷ分波器のための接地位置を
示す。
地位置の説明図であって、（ａ）は本発明の接地位置を
示し、（ｂ）は比較用ＳＡＷ分波器のための接地位置を
示す。
【図１０】上記比較用ＳＡＷ分波器のアンテナ端子から
受信端子への通過域振幅特性を示すグラフである。
受信端子への通過域振幅特性を示すグラフである。
【図１１】上記比較用ＳＡＷ分波器の送信端子から受信
端子へのアイソレーション特性を示すグラフである。
端子へのアイソレーション特性を示すグラフである。
【図１２】上記比較用ＳＡＷ分波器での各特性劣化を説
明するための回路ブロック図である。
明するための回路ブロック図である。
【図１３】他の比較用ＳＡＷ分波器に用いた第３”の導
体層の平面図である。
体層の平面図である。
【図１４】上記の他の比較用ＳＡＷ分波器のアンテナ端
子から受信端子への通過域振幅特性を示すグラフであ
る。
子から受信端子への通過域振幅特性を示すグラフであ
る。
【図１５】上記の他の比較用ＳＡＷ分波器の送信端子か
ら受信端子へのアイソレーション特性を示すグラフであ
る。
ら受信端子へのアイソレーション特性を示すグラフであ
る。
【図１６】本発明の実施の第一形態に係るＳＡＷ分波器
の送信側のスプリアス特性を示すグラフである。
の送信側のスプリアス特性を示すグラフである。
【図１７】本発明のＳＡＷ分波器を用いた通信装置の要
部ブロック図である。
部ブロック図である。
１ 多層基板
２ ＳＡＷフィルタ（弾性表面波フィルタ）
３ ＳＡＷフィルタ（弾性表面波フィルタ）
２１ アンテナ端子
２２ 送信端子
２３ 受信端子
３３ ストリップ線路
４１ 一辺
６１ 分波部
Claims (8)
- 【請求項１】弾性表面波フィルタを複数用いて、送受信
のための分波機能を備える分波部が基板上に設けられ、 分波部にそれぞれ接続されるアンテナ端子、送信端子、
受信端子、および接地端子が、基板の周辺部に設けら
れ、 整合機能を備えたストリップ線路が、一方をアンテナ端
子に接続し、他方をアンテナ端子側の辺に対向する辺以
外の少なくとも一辺に接地して設けられていることを特
徴とする弾性表面波分波器。 - 【請求項２】請求項１に記載の弾性表面波分波器におい
て、 基板が、電気素子回路や接続線のための導電体パターン
を、複数、厚さ方向にそれぞれ有する多層基板であり、 ストリップ線路が、上記導電体パターンの一部として形
成され、上記導電体パターンと同層の接地用導電体パタ
ーンに接続されていることを特徴とする弾性表面波分波
器。 - 【請求項３】請求項１または２に記載の弾性表面波分波
器において、 ストリップ線路が、アンテナ端子側の一辺にて接地され
ていることを特徴する弾性表面波分波器。 - 【請求項４】請求項１、２または３に記載の弾性表面波
分波器において、 基板における、アンテナ端子と送信端子とを結ぶ仮想線
で分割した２つの領域の内、受信端子を含む領域と異な
る領域内に、ストリップ線路が接地されていることを特
徴とする弾性表面波分波器。 - 【請求項５】請求項１ないし４の何れかに記載の弾性表
面波分波器において、 基板の第一辺の両隅部上に送信端子および受信端子がそ
れぞれ設けられ、 前記第一辺に対向する第二辺の中央部上に、アンテナ端
子が設けられていることを特徴とする弾性表面波分波
器。 - 【請求項６】請求項５記載の弾性表面波分波器におい
て、 アンテナ端子、送信端子および受信端子の間に、接地端
子がそれぞれ配置されていることを特徴とする弾性表面
波分波器。 - 【請求項７】請求項１ないし６の何れかに記載の弾性表
面波分波器において、 ストリップ線路がコイル状に設けられていることを特徴
とする弾性表面波分波器。 - 【請求項８】請求項１ないし７の何れかに記載の弾性表
面波分波器を有することを特徴とする通信装置。
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