KR102046345B1 - 분파기 및 프론트엔드 회로 - Google Patents

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Abstract

(과제) 배선의 배치의 자유도를 높이면서, 복수의 필터간의 아이솔레이션 특성을 향상시키는 분파기 및 프론트엔드 회로를 제공하는 것.
(해결수단) 분파기는 제1단자와 공통 단자 사이에 있어서 제1주파수대역의 신호를 통과시키는 제1필터 회로로서, 제1단자와 공통 단자 사이에 형성된 선로로부터 분기되도록 일단이 선로에 접속된 제1공진자를 갖는 제1필터 회로와, 제2단자와 공통 단자 사이에 있어서 제1주파수대역과 다른 제2주파수대역의 신호를 통과시키는 제2필터 회로와, 일단이 공통 단자에 접속되고, 타단이 개방된 제1배선과, 일단이 제1공진자의 타단에 접속되고, 타단이 접지된 제2배선을 구비하고, 제1배선과 제2배선이 전자적으로 결합된다.

Description

분파기 및 프론트엔드 회로{DUPLEXER AND FRONT-END CIRCUIT}
본 발명은, 분파기 및 프론트엔드 회로에 관한 것이다.
최근, 휴대전화 등의 통신 기기에 있어서, 1개의 안테나를 경유해서 신호의 송신 및 수신을 행하는 경우에, 송신 신호와 수신 신호를 분배하는 분파기가 사용되고 있다. 예를 들면 특허문헌 1에는 송신 신호의 주파수대역을 통과시키는 송신 필터와, 수신 신호의 주파수대역을 통과시키는 수신 필터가 래더형 필터에 의해 구성되는 분파기가 개시되어 있다. 이러한 분파기에 있어서는 송신 필터로부터 수신 필터에 신호가 누출될 우려가 있으므로, 송신 필터 및 수신 필터 사이의 아이솔레이션 특성의 향상이 요구된다. 예를 들면 특허문헌 1에 개시되는 분파기에서는 안테나 단자와 접지 사이에 접속된 제1배선과, 래더형 필터가 구비하는 공진자와 접지 사이에 접속된 제2배선을 전자적으로 결합시킴으로써, 아이솔레이션 특성을 향상시키고 있다.
국제공개 제2007/102560호
그러나, 특허문헌 1에 개시되는 분파기에서는 평행하게 배치된 제1배선과 제2배선을 흐르는 전류의 방향이 역방향이 되도록 각각의 배선을 배치할 필요가 있으므로 배선의 배치 상의 제약이 생긴다.
본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 배선의 배치의 자유도를 높이면서 복수의 필터간의 아이솔레이션 특성을 향상시키는 분파기 및 프론트엔드 회로를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이러한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일측면에 따른 분파기는 제1단자와 공통 단자 사이에 있어서 제1주파수대역의 신호를 통과시키는 제1필터 회로로서, 제1단자와 공통 단자 사이에 형성된 선로로부터 분기되도록 일단이 선로에 접속된 제1공진자를 갖는 제1필터 회로와, 제2단자와 공통 단자 사이에 있어서 제1주파수대역과 다른 제2주파수대역의 신호를 통과시키는 제2필터 회로와, 일단이 공통 단자에 접속되고, 타단이 개방된 제1배선과, 일단이 제1공진자의 타단에 접속되고, 타단이 접지된 제2배선을 구비하고, 제1배선과 제2배선이 전자적으로 결합된다.
또한 본 발명의 일측면에 따른 분파기는, 제1단자로부터 공통 단자에 제1주파수대역의 신호를 통과시키는 제1필터 회로로서, 제1단자와 공통 단자 사이에 형성된 선로로부터 분기되도록 일단이 선로에 접속된 제1공진자를 갖는 제1필터 회로와, 공통 단자로부터 제2단자에 제1주파수대역과 다른 제2주파수대역의 신호를 통과시키는 제2필터 회로와, 일단이 공통 단자에 접속되고, 타단이 개방된 제1배선과, 일단이 제1공진자의 타단에 접속되고, 타단이 접지된 제2배선을 구비하고, 제1배선과 제2배선이 전자적으로 결합된다.
또한 본 발명의 일측면에 따른 프론트엔드 회로는, 제1단자와 공통 단자 사이에 있어서 제1송신 신호를 통과시키는 제1필터 회로와, 제2단자와 공통 단자 사이에 있어서 제1수신 신호를 통과시키는 제2필터 회로와, 제3단자와 제4단자 사이에 있어서 제2송신 신호 및 제2수신 신호를 통과시키는 제3필터 회로로서, 제3단자와 제4단자 사이에 형성된 선로로부터 분기되도록 일단이 선로에 접속된 제1공진자를 갖는 제3필터 회로와, 공통 단자 및 제4단자 중 어느 한쪽 또는 쌍방을 안테나 단자에 접속하는 스위치 회로와, 일단이 제4단자에 접속되고, 타단이 개방된 제1배선과, 일단이 제1공진자의 타단에 접속되고, 타단이 접지된 제2배선을 구비하고, 제1배선과 제2배선이 전자적으로 결합된다
(발명의 효과)
본 발명에 의하면, 배선의 배치의 자유도를 높이면서, 복수의 필터간의 아이솔레이션 특성을 향상시키는 분파기 및 프론트엔드 회로를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1실시형태에 따른 분파기의 구성을 개념적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1실시형태에 따른 분파기에 있어서의 필터 회로 및 스터브의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 3은 본 발명의 제1실시형태에 따른 분파기가 형성되는 다층 기판의 주면의 평면도이다.
도 4는 도 3의 IV-IV선 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제2실시형태에 따른 분파기에 있어서의 필터 회로 및 스터브의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 6은 본 발명의 제2실시형태에 따른 분파기가 형성되는 다층 기판의 주면의 평면도이다.
도 7은 분파기(100A)에 있어서의 필터 회로간의 아이솔레이션 특성의 시뮬레이션 결과를 나타내는 그래프이다.
도 8a는 오픈 스터브(30) 및 쇼트 스터브(31)의 배치의 변형예를 나타내는 평면도이다.
도 8b는 오픈 스터브(30) 및 쇼트 스터브(31)의 배치의 변형예를 나타내는 평면도이다.
도 9는 도 8a 및 도 8b에 나타내어지는 구성에 있어서의 필터 회로간의 아이솔레이션 특성의 시뮬레이션 결과를 나타내는 그래프이다.
도 10은 본 발명의 제3실시형태에 따른 분파기의 구성을 개념적으로 나타내는 도면이다.
도 11은 분파기(100C)에 있어서의 필터 회로(10)의 출력 임피던스의 궤적을 나타내는 스미스 차트이다.
도 12는 본 발명의 제4실시형태에 따른 분파기의 구성을 개념적으로 나타내는 도면이다.
도 13a는 오픈 스터브(30) 및 쇼트 스터브(31)의 배치의 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 13b는 오픈 스터브(30) 및 쇼트 스터브(31)의 배치의 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 13c는 오픈 스터브(30) 및 쇼트 스터브(31)의 배치의 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 14는 오픈 스터브(30) 및 쇼트 스터브(31)의 배치의 변형예를 나타내는 평면도이다.
도 15a는 오픈 스터브(30) 및 쇼트 스터브(31)의 배치의 변형예를 나타내는 평면도이다.
도 15b는 오픈 스터브(30) 및 쇼트 스터브(31)의 배치의 변형예를 나타내는 평면도이다.
도 16은 도 15a 및 도 15b에 나타내어지는 구성에 있어서의 필터 회로간의 아이솔레이션 특성의 시뮬레이션 결과를 나타내는 그래프이다.
도 17a는 쇼트 스터브(31)의 선로폭의 변형예를 나타내는 평면도이다.
도 17b는 쇼트 스터브(31)의 선로폭의 변형예를 나타내는 평면도이다.
도 18은 본 발명의 제5실시형태에 따른 분파기의 구성을 개념적으로 나타내는 도면이다.
도 19는 본 발명의 제5실시형태에 따른 분파기에 있어서의 필터 회로 및 스터브의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 20은 본 발명의 제6실시형태에 따른 분파기에 있어서의 필터 회로 및 스터브의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 21은 본 발명의 제6실시형태에 따른 분파기가 형성되는 다층 기판의 주면의 평면도이다.
도 22는 본 발명의 제7실시형태에 따른 분파기에 있어서의 필터 회로 및 스터브의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 23은 본 발명의 제7실시형태에 따른 분파기가 형성되는 다층 기판의 주면의 평면도이다.
도 24는 분파기(200A)에 있어서의 필터 회로간의 아이솔레이션 특성의 시뮬레이션 결과를 나타내는 그래프이다.
도 25는 분파기(200C)에 있어서의 필터 회로간의 아이솔레이션 특성의 시뮬레이션 결과를 나타내는 그래프이다.
도 26은 본 발명의 제5실시형태의 변형예에 따른 분파기의 구성을 개념적으로 나타내는 도면이다.
도 27은 본 발명의 제5실시형태의 다른 변형예에 따른 분파기의 구성을 개념적으로 나타내는 도면이다.
도 28은 본 발명의 제8실시형태에 따른 프론트엔드 회로의 구성을 개념적으로 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 또, 동일의 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 중복되는 설명을 생략한다.
도 1은, 본 발명의 제1실시형태에 따른 분파기의 구성을 개념적으로 나타내는 도면이다. 도 1에 나타내어지는 분파기(100A)는, 예를 들면 휴대전화 등의 통신 기기에 사용되며, 1개의 안테나를 경유해서 소정의 주파수대역의 무선주파수(RF:Radio Frequency) 신호의 송신 및 수신을 행하는 경우에, 송신 신호와 수신 신호를 분배하는 기능을 갖는다. 구체적으로는, 분파기(100A)는, 예를 들면 2개의 필터 회로(10,11), 안테나 단자(20), 공통 단자(21), 송신측 단자(22), 수신측 단자(23) 및 2개의 스터브(30,31)를 구비한다.
필터 회로(10)(제1필터 회로)에는, 예를 들면 송신 회로(도면에 나타내지 않는다)로부터 송신측 단자(22)(제1단자)를 경유해서 송신 신호가 공급된다. 필터 회로(10)는 송신측 단자(22)와 공통 단자(21) 사이에 있어서, 소정의 주파수대역(제1주파수대역)의 신호를 통과시키고, 그 밖의 주파수의 신호를 감쇠시키는 필터이다. 필터 회로(10)를 통과한 신호는 공통 단자(21)로부터 안테나 단자(20)를 경유해서 안테나 단자(20)의 앞에 접속된 안테나(도면에 나타내지 않는다)로부터 송신된다. 또, 필터 회로(10)의 구성의 상세에 대해서는 후술한다.
필터 회로(11)(제2필터 회로)에는 안테나에 있어서 수신된 수신 신호가 안테나 단자(20) 및 공통 단자(21)를 경유해서 공급된다. 필터 회로(11)는 공통 단자(21)와 수신측 단자(23)(제2단자) 사이에 있어서, 소정의 주파수대역(제2주파수대역)의 신호를 통과시키고, 그 밖의 주파수의 신호를 감쇠시키는 필터이다. 필터 회로(11)를 통과한 수신 신호는, 예를 들면 수신 회로(도면에 나타내지 않는다)에 공급된다.
필터 회로(10)의 통과 주파수대역과 필터 회로(11)의 통과 주파수대역은 특별히 한정되지 않지만, 양자는 서로 다른 대역이다. 예를 들면 분파기(100A)가 밴드(8)의 RF 신호의 송수신에 사용될 경우, 필터 회로(10)의 통과 주파수대역은 밴드(8)의 송신 주파수대역인 880∼915MHz이며, 필터 회로(11)의 통과 주파수대역은 밴드(8)의 수신 주파수대역인 925∼960MHz이다. 즉, 이 경우 필터 회로(11)의 통과 주파수대역의 쪽이 필터 회로(10)의 통과 주파수대역보다 주파수가 높다. 또, 필터 회로(10)의 통과 주파수대역의 쪽이 필터 회로(11)의 통과 주파수대역보다 주파수가 높아도 좋다. 또한 필터 회로(10) 및 필터 회로(11)는 다른 칩에 형성되어 있어도 좋고, 또는 같은 칩에 형성되어 있어도 좋다.
스터브(30)(제1배선)는 일단이 공통 단자(21)에 접속되고, 타단이 개방된 오픈 스터브이다. 이하의 설명에 있어서, 스터브(30)는 오픈 스터브(30)라고도 표기한다.
스터브(31)(제2배선)는 일단이 후술하는 필터 회로(10)가 구비하는 공진자에 접속되고, 타단이 접지된 쇼트 스터브이다. 이하의 설명에 있어서, 스터브(31)는 쇼트 스터브(31)라고도 표기한다. 쇼트 스터브(31)는, 설명의 편의상, 필터 회로(10) 외부에 그려져 있지만, 필터 회로(10)에 포함되는 구성요소의 일부이어도 좋다.
오픈 스터브(30) 및 쇼트 스터브(31)는, 각각, 예를 들면 인덕턴스 소자 또는 저항 소자 등의 집중 정수 소자에 의해 구성되어도 좋고, 또는 인덕턴스 성분을 갖는 배선 등의 분포 정수 소자에 의해 구성되어도 좋다. 오픈 스터브(30) 및 쇼트 스터브(31)는 적어도 일부가 전자유도에 의해 자기적으로 결합(자계결합)되어 있다. 여기에서, 본 명세서에 있어서의 「결합」이란 본 실시형태를 예로 하면, 오픈 스터브(30)와 쇼트 스터브(31)를 구비함으로써, 오픈 스터브(30)와 쇼트 스터브(31)를 구비하지 않는 구성에 비해서 필터 회로(10,11)간의 아이솔레이션 특성이 개선되는 경우에, 이들의 오픈 스터브(30)와 쇼트 스터브(31)가 「결합」하고 있는 것으로 한다. 또, 결합이란 자계결합에 한정되지 않고, 전계결합이어도 좋다. 다음에 도 2를 참조하면서 필터 회로(10) 및 스터브(30,31)의 구성에 대해서 더 상세하게 설명한다.
도 2는, 본 발명의 제1실시형태에 따른 분파기에 있어서의 필터 회로 및 스터브의 구성을 나타내는 회로도이다. 또, 설명의 편의상, 도 2에 있어서는 오픈 스터브(30) 및 쇼트 스터브(31)가 인덕턴스 소자의 기호에 의해 나타내어져 있지만, 오픈 스터브(30) 및 쇼트 스터브(31)는 배선에 의해 구성되어 있는 것으로 한다. 이하에 나타내어지는 도 5, 도 19, 도 20 및 도 22에 있어서도 동일하다.
분파기(100A)가 구비하는 필터 회로(10A)는 복수의 필터 구성요소가 직렬 및 병렬로 접속된 래더형 필터이다. 구체적으로는, 필터 회로(10A)는 송신측 단자(22)와 공통 단자(21)를 연결하는 선로(L1)에 직렬로 접속된 4개의 공진자(41∼44)와, 선로(L1)와 접지 사이에 각각 병렬로 접속된 3개의 공진자(45∼47)를 구비한다. 공진자(41∼47)의 구체적인 구성은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 탄성 표면파(SAW:Surface Acoustic Wave) 필터이다. 또는, 공진자(41∼47)는, 예를 들면 압전 박막 공진자 등의 필터, 벌크 탄성파(BAW:Bulk Acoustic Wave) 필터, 또는 I. H. P. SAW(Incredible High Performance-SAW) 필터 등이어도 좋다. 또, 공진자(41∼47)의 수는 일례이며, 이것보다 많아도 좋고, 이것보다 적어도 좋다.
병렬로 접속된 공진자(45∼47) 중 가장 송신측 단자(22)에 가까운 공진자(45)(제1공진자)는 선로(L1)로부터 분기되도록, 일단이 선로(L1)에 접속되고, 타단(단자(24))이 쇼트 스터브(31)의 일단에 접속된다. 쇼트 스터브(31)는 일단이 단자(24)에 접속되고, 타단이 접지된다. 또, 쇼트 스터브(31)가 접속되는 공진자는 공진자(45)에 한정되지 않고, 병렬로 접속된 다른 어느 공진자이어도 좋다. 본 실시형태에 있어서, 오픈 스터브(30) 및 쇼트 스터브(31)는 모듈 기판(50)(예를 들면 다층 기판)에 형성된다. 상기 모듈 기판(50)에는 필터 회로(10A)가 형성되는 칩이 실장된다.
또, 도 2에 나타내어지는 필터 회로(10A)를 나타내는 프레임과, 모듈 기판(50)을 나타내는 프레임의 구별은 일례이며, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면 도 2에 있어서 공진자(46,47)의 접속점은 필터 회로(10A)를 나타내는 프레임에 포함되어 있지만, 실제로는, 필터 회로(10A)가 형성되는 칩 상에 있어서 접속되어 있어도 좋고, 또는 모듈 기판(50)에 있어서 접속되어 있어도 좋다. 이하에 나타내는 도 5에 있어서도 동일하다. 다음에 도 3 및 도 4를 참조하면서, 오픈 스터브(30) 및 쇼트 스터브(31)가 자기적으로 결합되는 배치에 대해서 설명한다.
도 3은, 본 발명의 제1실시형태에 따른 분파기가 형성되는 다층 기판의 주면의 평면도이며, 도 4는 도 3의 IV-IV선 단면도이다. 또, 도 3에서는 다층 기판의 다른 층에 형성된 요소가 겹쳐져 나타내어져 있다. 또한 설명의 편의상, 쇼트 스터브(31)와 구별하기 위해서 오픈 스터브(30a)에 사선을 부여한다. 이하의 도 6, 도 8a, 도 8b, 도 14, 도 15a, 도 15b, 도 21 및 도 23에 있어서도 동일하다.
도 3 및 도 4에 나타내어지는 다층 기판(50A)은 XY평면에 평행한 직사각형상의 주면과, Z축에 평행한 두께를 갖는다. 다층 기판(50A)의 주면에는 도 2에 나타내어지는 송신측 단자(22), 공통 단자(21) 및 단자(24)를 포함하는 복수의 단자와, 필터 회로(10,11)(도면에 나타내지 않는다)와, 스터브(30a,31a)가 형성되어 있다. 구체적으로는, 쇼트 스터브(31a)는 일단이 단자(24)에 접속되고, 단자(24)로부터 다층 기판의 주면의 평면으로 볼 때에 있어서 시계반대 방향으로 소용돌이 형상을 그리도록 연장되고, 타단이 비아홀을 경유해서 접지에 접속되어 있다. 한편, 오픈 스터브(30a)는 일단이 공통 단자(21)에 접속되고, 공통 단자(21)로부터 단자(24)측으로 연장되고, 단자(24)로부터 쇼트 스터브(31a)의 배치를 따라 시계반대 방향으로 소용돌이 형상을 그리도록 연장되고, 타단이 개방되어 있다.
또한 도 4에 나타내어지듯이, 오픈 스터브(30a)와 쇼트 스터브(31a)는 다층 기판(50A)에 있어서의 다른 층에 형성되어 있다. 구체적으로는, 다층 기판(50A)은, 예를 들면 내층(51,52) 및 표층(53)이 순차 적층되어서 구성되어 있다. 오픈 스터브(30a)가 표층(53)에 형성되고, 쇼트 스터브(31a)가 내층(52)에 형성되어 있다. 여기에서, 오픈 스터브(30a)와, 쇼트 스터브(31a)는 다층 기판(50A)의 주면의 평면으로 볼 때에 있어서 Z축 방향으로 서로 겹치도록 배치되어 있다. 이에 따라 오픈 스터브(30a)와 쇼트 스터브(31a)가 내층(52)을 사이에 두고 자기적으로 결합된다. 또, 다층 기판(50A)의 층수는 예시이며, 이것에 한정되지 않는다.
도 1로 되돌아와서, 일반적으로, 분파기에 있어서는 송신 신호의 대부분은 공통 단자(21)로부터 안테나 단자(20)측으로 흐르지만(도 1 실선 화살표 참조), 송신 신호의 일부는 공통 단자(21)를 경유해서 수신용의 필터 회로(11)로 누출된다(도 1 파선 화살표 참조). 또는, 신호 경로의 커플링 등에 의해서도 신호가 누출된다. 상기 누출된 신호가, 예를 들면 필터 회로(11)의 통과 주파수대역에 포함될 경우, 필터 회로(11)를 통과해서 수신측 단자(23)의 앞에 접속된 저잡음 앰프(LNA:Low Noise Amplifier)에 공급되어 수신 감도의 저하를 초래할 수 있다. 이 문제에 대처하기 위해서, 분파기에 있어서는 필터 회로간의 높은 아이솔레이션 특성을 실현하는 것이 요구되고 있다.
이 점, 분파기(100A)는 상술과 같이 쇼트 스터브(31)를 구비하므로, 필터 회로(10A)에 있어서, 공진자(45)의 커패시턴스 성분과 쇼트 스터브(31)의 자기 인덕턴스 성분으로부터 직렬 공진 회로가 구성된다. 또한 분파기(100A)는 상술한 바와 같이 쇼트 스터브(31)와 자기적으로 결합된 오픈 스터브(30)도 구비함으로써, 쇼트 스터브(31)에는 상호 인덕턴스 성분도 발생하게 된다. 이에 따라 직렬 공진 회로의 공진 주파수의 신호가 상기 직렬 공진 회로를 경유해서 접지에 단락되게 된다. 따라서, 분파기(100A)는 스터브(30,31)를 구비하지 않는 구성에 비해 필터 회로(10A)의 통과 주파수대역 외의 신호의 감쇠량이 상승한다. 구체적으로는, 예를 들면 스터브(30,31)의 자기 인덕턴스값의 조정에 의해, 필터 회로(10A)의 통과 주파수대역보다 높은 주파수로서, 필터 회로(11)의 통과 주파수대역에 포함되는 주파수의 신호를 감쇠시킬 수 있다. 그 때문에, 분파기(100A)는 스터브(30,31)를 구비하지 않는 구성에 비해서 필터 회로(10,11)간의 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다.
또한 분파기(100A)에서는 오픈 스터브(30)에 흐르는 전류와 쇼트 스터브(31)에 흐르는 전류의 방향에 상관없이, 동방향이어도 좋고, 또는 역방향이어도 좋다. 이것에 의해, 특허문헌 1에 개시되듯이, 공통 단자(21)에 접속되는 스터브로서 쇼트 스터브가 사용되는 구성(이하, 종래 구성이라고 부른다.)에 비해 다층 기판에 스터(브30,31)를 형성할 때의 배치의 자유도가 향상되고, 결과적으로 분파기(100A)의 설계의 자유도가 향상된다.
또한 분파기(100A)에서는 공통 단자(21)에 접속되는 스터브로서 오픈 스터브가 사용되므로, 스터브의 일단을 접지에 접속할 필요가 없다. 이것에 의해서도, 분파기(100A)는 종래 구성에 비해서 스터브(30,31)의 배치의 자유도가 향상된다.
또한 오픈 스터브는 쇼트 스터브에 비해서 스터브의 삽입에 기인하는 임피던스 특성의 변화가 적다. 따라서, 분파기(100A)에 의하면, 오픈 스터브를 구비하지 않는 구성으로부터, 임피던스 특성의 변화를 억제하면서, 오픈 스터브(30)를 설치할 수 있다.
또, 오픈 스터브(30)와 쇼트 스터브(31)가 Z축 방향으로 겹쳐진 영역(이하, 단지 「겹침량」이라고도 부른다.)의 넓이를 조정함으로써, 오픈 스터브(30)와 쇼트 스터브(31)의 결합의 강도를 조정할 수 있다. 예를 들면 어느 하나 또는 쌍방의 스터브의 선로길이나 선로폭을 변화시킴으로써, 스터브의 겹침량을 조정할 수 있다.
또한 예를 들면 필터 회로(11)의 통과 주파수대역의 쪽이 필터 회로(10)의 통과 주파수대역보다 낮은 경우, 필터 회로(10)의 통과 주파수대역보다 낮은 주파수로서 필터 회로(11)의 통과 주파수대역에 포함되는 주파수의 신호가 감쇠되도록 스터브(30,31)의 자기 인덕턴스값이 조정되어도 좋다.
또한 본 실시형태에 있어서의 각 단자는, 칩과 모듈 기판을 전기적으로 접속하기 위한 물리적인 단자에 의해 구성되지만, 본 명세서에 있어서의 「단자」는, 이러한 물리적인 단자에 한정되지 않는다. 즉, 상기 「단자」는, 각 구성요소가 회로도에 의해 나타내어진 경우에 있어서의 전기적 접속을 나타내는 접속점의 의미를 포함한다. 예를 들면 안테나(도면에 나타내지 않는다)와 필터 회로(10,11)가 동일한 칩에 형성되고, 안테나(도면에 나타내지 않는다)로부터 필터 회로(10,11)까지의 배선이 일체적으로 형성된 경우, 오픈 스터브(30)가 상기 배선 중 어느 하나의 영역에 접속되면, 도 1에 나타내어지는 공통 단자(21)에 접속된 것과 동등한 것으로 한다.
도 5는, 본 발명의 제2실시형태에 따른 분파기에 있어서의 필터 회로 및 스터브의 구성을 나타내는 회로도이다. 또, 제1실시형태와 동일한 요소에는 동일한 부호를 붙여서 설명을 생략한다. 또한 본 실시형태 이후에서는 제1실시형태와 공통의 사항에 대한 기술을 생략하고, 다른 점에 대해서만 설명한다. 특히, 동일한 구성에 의한 같은 작용 효과에 대해서는 실시형태마다에는 순차 언급하지 않는다.
도 5에 나타내어지는 분파기(100B)는 도 2에 나타내어지는 분파기(100A)에 비해서 스터브(32)를 더 구비한다.
스터브(32)(제3배선)는 일단이 공진자(46)(제2공진자)와 공진자(47)의 타단(단자(25))에 접속되고, 타단이 접지된 쇼트 스터브이다. 이하의 설명에 있어서, 스터브(32)는 쇼트 스터브(32)라고도 표기한다. 쇼트 스터브(32)는 쇼트 스터브(31)와 마찬가지로, 오픈 스터브(30)와 자기적으로 결합되어 있다.
도 6은, 본 발명의 제2실시형태에 따른 분파기가 형성되는 다층 기판의 주면의 평면도이다.
도 6에 나타내어지는 다층 기판(50B)에서는 쇼트 스터브(32a)는 일단이 단자(25)에 접속되고, 단자(25)로부터 다층 기판(50B)의 주면의 평면으로 볼 때에 있어서 시계 방향으로 소용돌이 형상을 그리도록 연장되고, 타단이 비아홀을 경유해서 접지에 접속되어 있다. 또한 쇼트 스터브(32a)는 쇼트 스터브(31a)와 마찬가지로, 오픈 스터브(30b)와는 다른 층에 형성되어 있다. 오픈 스터브(30b)는 일단이 공통 단자(21)에 접속되고, 쇼트 스터브(31a)의 적어도 일부 및 쇼트 스터브(32a)의 적어도 일부가 Z축방향에 있어서 각각 겹치도록 연장되어 있다. 이에 따라 오픈 스터브(30b)와 쇼트 스터브(31a), 및 오픈 스터브(30b)와 쇼트 스터브(32a)가 각각 자기적으로 결합된다.
이러한 구성에 의해서도, 분파기(100B)는 분파기(100A)와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한 분파기(100B)에서는 쇼트 스터브(32a)를 더 구비함으로써, 필터 회로(10B)의 통과 주파수대역 외의 주파수의 신호를 더 감쇠시킬 수 있다. 따라서, 분파기(100B)는 분파기(100A)에 비해서 아이솔레이션 특성을 더 향상시킬 수 있다.
도 7은, 분파기(100A)에 있어서의 필터 회로간의 아이솔레이션 특성의 시뮬레이션 결과를 나타내는 그래프이다. 구체적으로는, 도 7은, 분파기(100A)의 오픈 스터브(30)를 구비하는 구성과 구비하지 않는 구성에 있어서, 필터 회로(10,11)간의 아이솔레이션 특성의 비교를 나타내고 있다. 동 그래프에 있어서의 세로축은 아이솔레이션 특성(dB)을 나타내고, 가로축은 주파수(MHz)를 나타내고 있다.
도 7에 나타내어지듯이, 필터 회로(11)의 통과 주파수대역(925∼960MH)에서는 오픈 스터브(30)를 구비하는 구성에 의하면, 950MHz 부근에 있어서 아이솔레이션 특성이 크게 향상되어 있다. 이것에 따라, 대역 전체에서도 약 -60dB 이상의 아이솔레이션 특성을 실현하고 있다. 예를 들면 960MHz에서는 오픈 스터브(30)를 구비하지 않는 구성에 비해서 아이솔레이션 특성이 10dB 정도 개선되어 있다. 또, 송신 신호의 주파수대역(880∼915MHz)에서는 오픈 스터브(30)의 유무에 의한 아이솔레이션 특성의 차이점이 거의 없다. 즉, 오픈 스터브(30)의 삽입에 의해, 송신 주파수대역에는 거의 영향을 주는 않아 수신 주파수대역의 아이솔레이션 특성을 개선할 수 있다고 할 수 있다.
도 8a 및 도 8b는 오픈 스터브(30) 및 쇼트 스터브(31)의 배치의 변형예를 나타내는 평면도이다.
구체적으로는, 도 8a에 나타내어지는 다층 기판(50C)에서는 오픈 스터브(30c)가 공통 단자(21)로부터 타단을 향하는 방향이 쇼트 스터브(31b)가 단자(24)로부터 접지측을 향하는 방향과 일치하도록 배치되어 있다. 한편, 도 8b에 나타내어지는 다층 기판(50D)에서는 오픈 스터브(30d)가 공통 단자(21)로부터 타단을 향하는 방향이 쇼트 스터브(31b)가 접지측으로부터 단자(24)를 향하는 방향과 일치하도록 배치되어 있다.
도 9는, 도 8a 및 도 8b에 나타내어지는 구성에 있어서의 필터 회로간의 아이솔레이션 특성의 시뮬레이션 결과를 나타내는 그래프이다. 도 9에 나타내어지듯이, 오픈 스터브(30c,30d)가 쇼트 스터브(31b)에 겹치는 방향이 어느 방향이어도 아이솔레이션 특성에 차이가 거의 없다. 즉, 도 9로부터, 아이솔레이션 특성의 개선은 오픈 스터브(30c,30d)가 쇼트 스터브(31b)에 겹치는 방향에는 의존하지 않는 것을 알 수 있다.
도 10은, 본 발명의 제3실시형태에 따른 분파기의 구성을 개념적으로 나타내는 도면이다. 도 10에 나타내어지는 분파기(100C)는 도 1에 나타내어지는 분파기(100A)에 비해서 정합 회로(60)를 더 구비한다. 또, 필터 회로(10,11), 스터브(30,31) 등의 구성의 상세에 대해서는 분파기(100A)와 같기 때문에, 상세한 설명을 생략한다.
정합 회로(60)는 공통 단자(21)와 안테나 단자(20) 사이에 접속되어 있다. 정합 회로(60)는 필터 회로(10,11)의 출력 임피던스와 안테나(도면에 나타내지 않는다)의 입력 임피던스를 정합한다.
공통 단자(21)에 접속된 스터브는 아이솔레이션 특성의 개선을 위할 뿐만 아니라, 분파기와 안테나(도면에 나타내지 않는다)의 임피던스를 정합하기 위해서도 사용할 수 있다. 여기에서, 가령 종래 구성과 같이 공통 단자(21)에 쇼트 스터브를 접속하면, 아이솔레이션 특성의 개선과 임피던스 정합을 양립시키기 위해서, 쇼트 스터브의 임피던스값을 크게 하기 위해, 상기 쇼트 스터브의 선로길이를 길게 할 필요가 있다. 한편, 오픈 스터브는, 일반적으로, 쇼트 스터브에 비해서 사용하는 주파수대역에 있어서 임피던스 특성에 주는 영향이 작다. 따라서, 분파기(100C)에서는 종래 구성에 비해서 오픈 스터브(30)의 선로길이를 짧게 해도, 정합 회로(60)에 주는 영향은 작다. 이와 같이, 분파기(100C)에서는 정합 회로(60)의 임피던스 정합과 아이솔레이션 특성의 개선을 독립적으로 제어하는 것이 가능해진다.
또, 오픈 스터브(30)의 선로길이나 선로폭을 조정함으로써, 임피던스 특성을 약간 변화시켜도 좋다. 바꿔 말하면, 분파기(100C)에서는 오픈 스터브(30)를 임피던스 정합의 조정에 사용할 수도 있다.
또, 도 10에 나타내어지듯이, 정합 회로(60)와 오픈 스터브(30)의 쌍방에 의해 임피던스가 정합되는 구성에 한정되지 않고, 정합 회로(60) 대신에 오픈 스터브(30)에 의해 임피던스가 정합되어도 좋다.
도 11은, 분파기(100C)에 있어서의 필터 회로(10)의 출력 임피던스의 궤적을 나타내는 스미스 차트이다. 구체적으로는, 도 11은, 도 10에 나타내어지는 분파기(100C) 중 오픈 스터브(30)를 구비하는 구성과 구비하지 않는 구성에 있어서의 필터 회로(10)의 출력 임피던스의 궤적을 나타내고 있다. 또, 송신 신호의 주파수는 필터 회로(10)의 통과 주파수대역인 880MHz로부터 915MHz까지 변화시키고 있다.
도 11에 나타내어지듯이, 필터 회로(10)의 출력 임피던스는 주파수 특성을 갖지만, 어느 주파수이어도, 오픈 스터브(30)를 구비하는 구성의 궤적과 구비하지 않는 구성의 궤적이 거의 겹쳐져 있다. 여기에서, 분파기(100C)가 오픈 스터브(30)를 구비하는 것에 의한 사용하는 주파수대역에서의 임피던스 특성에의 영향이 작은 것을 알 수 있다.
도 12는, 본 발명의 제4실시형태에 따른 분파기의 구성을 개념적으로 나타내는 도면이다. 도 12에 나타내어지는 분파기(100D)는, 도 1에 나타내어지는 분파기(100A)의 구성을 3개 구비하고, 상기 3개의 분파기와 안테나 단자(20)의 전기적 도통을 스위칭하는 스위치 회로(70)를 더 구비한다.
구체적으로는, 분파기(100D)는, 예를 들면 3개의 다른 주파수대역의 각각에 대응한 분파기(100Ax∼100Az)를 구비한다. 각 분파기(100Ax∼100Az)의 구성은 도 1에 나타내어지는 분파기(100A)와 같기 때문에, 유사한 부호를 붙여서 설명을 생략한다. 분파기(100D)에서는 송수신되는 신호의 주파수대역에 따라, 3개의 분파기(100Ax∼100Az) 중 어느 하나가 동작하고 있다. 또, 분파기(100D)가 구비하는 분파기(100Ax∼100Az)의 개수는 예시이며, 이것에 한정되지 않는다.
스위치 회로(70)는 3입력 1출력의 스위치이다. 스위치 회로(70)는 각각의 필터 회로(10x∼10z) 중 어느 하나로부터 공급되는 송신 신호를 정합 회로(60)에 출력하고, 정합 회로(60)로부터 공급되는 수신 신호를 각각의 필터 회로(11x∼11z) 중 어느 하나에 출력한다. 또, 스위치 회로는 n입력 n출력의 스위치(n:정수)이어도 좋다.
여기에서, 가령 스터브(30x∼30z)를 쇼트 스터브에 의해 구성하면, 상술한 바와 같이 임피던스 특성에 영향을 미치므로, 상기 쇼트 스터브의 인덕턴스값에 따라 정합 회로의 정수를 조정할 필요가 있다. 따라서, 필터 회로마다 정합 회로를 구비할 필요가 있고, 분파기가 복수의 정합 회로를 구비하게 된다. 이 점, 본 실시형태에 의하면, 스터브(30x∼30z)가 오픈 스터브에 의해 구성되므로, 도 11에도 나타내어지는 대로 스터브의 삽입에 의한 임피던스 특성에의 영향이 작다. 따라서, 정합 회로(60)의 임피던스 정합에의 영향을 억제하면서, 주파수대역마다 스터브의 인덕턴스값이 최적하게 되도록 형성할 수 있다. 이에 따라 분파기(100D)가 복수의 주파수대역에 대응하는 경우이어도, 스위치 회로(70)의 후단에 1개의 정합 회로(60)를 구비하면 충분하다. 따라서, 분파기(100D)에 의하면, 스터브(30x∼30z)를 쇼트 스터브에 의해 구성하는 경우에 비해서 회로규모가 삭감된다.
또, 도 12에 있어서의 스위치 회로(70)는 3입력 중 어느 1입력이 안테나 단자(20)에 접속되는 구성이지만, 상기 구성 대신에, 3입력 중 어느 하나 또는 전부가 안테나 단자(20)에 동시에 접속될 수 있는 구성이어도 좋다. 이 경우, 복수의 분파기(100Ax∼100Az)가 동시에 통신을 행하는, 소위 캐리어 어그리게이션에 대응할 수 있다. 이러한 캐리어 어그리게이션에 있어서는, 동일한 주파수대역에 있어서의 송신측과 수신측의 필터 회로간(예를 들면 필터 회로(10x)와 필터 회로(11x) 등)의 아이솔레이션 특성 뿐만 아니라, 다른 주파수대역에 있어서의 필터 회로간의 아이솔레이션 특성의 향상도 요구된다. 따라서, 본 발명의 적용이 보다 효과적으로 된다.
또한 도 12에 있어서는, 오픈 스터브(30x∼30z)가 각각, 공통 단자(21x∼21z)와 스위치 회로(70) 사이에 설치되어 있지만, 이들 오픈 스터브는 스위치 회로(70)와 안테나 단자(20) 사이에 설치되어 있어도 좋다.
다음에 도 13a∼도 17b를 참조하면서, 본 발명에 따른 분파기의 여러가지 변형예에 대해서 설명한다.
도 13a∼도 13c는 오픈 스터브(30) 및 쇼트 스터브(31)의 배치의 변형예를 나타내는 단면도이다. 또, 도 13a∼도 13c는, 도 4에 나타내어지는 다층 기판의 단면도와 동일한 방향을 나타내고 있다.
도 13a에 나타내어지는 다층 기판(50E)에서는 표층(53)에 형성된 오픈 스터브(30e)의 일부(도 13a에서는 X축 정방향측의 일부)와, 내층(52)에 형성된 쇼트 스터브(31c)의 일부(도 13a에서는 X축 부방향측의 일부)가 Z축 방향으로 겹쳐져서 배치되어 있다. 한편, 도 13b에 나타내어지는 다층 기판(50F)에서는 표층(53)에 형성된 오픈 스터브(30f)와, 내층(52)에 형성된 쇼트 스터브(31d)가 Z축 방향으로 겹치지 않고, 어긋나게 배치되어 있다. 또한 도 13c에 나타내어지는 다층 기판(50G)에서는 오픈 스터브(30g) 및 쇼트 스터브(31e)가 함께 내층(52)에 형성되어 서로 인접해서 배치되어 있다.
이렇게, 오픈 스터브(30) 및 쇼트 스터브(31)는 자기적으로 결합되어 있으면 좋고, 그 배치는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면 상술한 바와 같이, 도 4에 나타내어지듯이, 다층 기판의 주면의 평면으로 볼 때에 있어서 오픈 스터브(30) 및 쇼트 스터브(31)가 어긋나지 않고 겹쳐져 있어도 좋다. 또는, 도 13a 및 도 13b에 나타내어지듯이, 오픈 스터브(30) 및 쇼트 스터브(31)가 어긋나 있어도 좋다. 또한 도 13c에 나타내어지듯이, 오픈 스터브(30) 및 쇼트 스터브(31)가 동일한 층에 있어서 나란히 배치되어 있어도 좋다.
또, 오픈 스터브(30) 및 쇼트 스터브(31)가 형성되는 층은 특별히 한정되지 않는다. 또한 도 13a∼도 13c에 나타내어지는 오픈 스터브(30) 및 쇼트 스터브(31)의 위치는 바꿔 넣어도 좋다. 또한 도 5에 나타내어지는 쇼트 스터브(32)에 대해서는 쇼트 스터브(31)와 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
도 14는, 오픈 스터브(30) 및 쇼트 스터브(31)의 배치의 변형예를 나타내는 평면도이다. 또, 도 14는 도 3에 나타내어지는 다층 기판의 평면도와 동일한 방향을 나타내고 있다.
도 14에 나타내어지는 다층 기판(50H)에서는 오픈 스터브(30h) 및 쇼트 스터브(31b)가, 예를 들면 도 13c에 나타내어지듯이 동일의 층에 형성되어 있다. 구체적으로는, 쇼트 스터브(31b)가 시계 반대 방향으로 소용돌이 형상으로 형성되고, 그 둘레의 세방면을 둘러싸도록 오픈 스터브(30h)가 시계 반대 방향으로 소용돌이 형상으로 형성되어 있다. 오픈 스터브(30h)와 쇼트 스터브(31b)가 인접하는 영역에서는, 양 스터브가 대략 평행해지도록 병주(竝走)해서 형성되어 있다. 이렇게, 오픈 스터브(30)와 쇼트 스터브(31)의 자기적인 결합은 양 스터브의 근접에 의해 실현하지만, 상기 근접은 다른 층간에 한정되지 않고, 동일층에 있어서의 병주에 의해 실현해도 좋다.
도 15a 및 도 15b는, 오픈 스터브(30) 및 쇼트 스터브(31)의 배치의 변형예를 나타내는 평면도이며, 도 16은, 도 15a 및 도 15b에 나타내어지는 구성에 있어서의 필터 회로간의 아이솔레이션 특성의 시뮬레이션 결과를 나타내는 그래프이다. 도 15a에 나타내어지는 다층 기판(50I)과 도 15b에 나타내어지는 다층 기판(50J)은 오픈 스터브(30)와 쇼트 스터브(31)의 겹치는 방법이 다르다.
구체적으로는, 다층 기판(50J)에 형성된 오픈 스터브(30j)는 다층 기판(50I)에 형성된 오픈 스터브(30i)에 비해서 단자(24)에 가까운 측으로부터 쇼트 스터브(31b)에 겹쳐져 있다. 이들 다층 기판(50I,50J)을 비교하면, 도 16에 나타내어지는 바와 같이, 오픈 스터브(30)는 쇼트 스터브(31) 중 접지되지 않은 측의 일단(즉, 단자(24))에 가까운 측으로부터 겹쳐진 쪽이 적은 겹침량으로 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다고 할 수 있다. 따라서, 다층 기판(50J)은 다층 기판(50I)에 비해서 오프 스터브(30)의 선로길이를 짧게 할 수 있다.
도 17a 및 도 17b는 쇼트 스터브(31)의 선로폭의 변형예를 나타내는 평면도이다. 또, 도 17a 및 도 17b는, 도 3에 나타내어지는 다층 기판의 평면도와 동일한 방향을 나타내고 있다. 또한 도 17a 및 도 17b에서는 설명의 편의상, 오픈 스터브(30)의 도시가 생략되어 있다.
구체적으로는, 도 17b에 나타내어지는 다층 기판(50L)에 형성된 쇼트 스터브(31g)의 선로폭은, 도 17a에 나타내어지는 다층 기판(50K)에 형성된 쇼트 스터브(31f)의 선로폭보다 가늘다. 이렇게, 쇼트 스터브(31)의 선로폭을 가늘게 하면, 소용돌이 형상의 배선의 권취수를 늘리거나, 소용돌이 형상의 배선의 간격을 좁게 하거나 할 수 있다. 이에 따라 쇼트 스터브(31)의 자기 인덕턴스값을 높게 할 수 있다. 쇼트 스터브(31f,31g)의 자기 인덕턴스값을 조정함으로써 오픈 스터브(30)와의 결합의 강도를 조정하는 것이 가능해진다. 또, 쇼트 스터브(31)의 선로폭은, 예를 들면 오픈 스터브(30)의 선로폭보다 가늘어도 좋다.
상술의 분파기(100A∼100D)는 모두 송신 신호가 수신용의 필터 회로(11)로 누출되는 것을 억제하므로, 쇼트 스터브(31,32)가 송신측의 필터 회로(10)에 접속되어 있었다. 그러나, 이러한 분파기에 있어서는, 수신 신호가 송신측의 필터 회로(10)에 누출될 우려도 있다. 그래서, 다음에 도 18∼도 23을 참조하면서, 이 수신 신호의 누출을 억제하는 구성(제5실시형태∼제7실시형태)에 대해서 설명한다.
도 18은, 본 발명의 제5실시형태에 따른 분파기의 구성을 개념적으로 나타내는 도면이다. 도 18에 나타내어지는 분파기(200A)는, 도 1에 나타내어지는 분파기(100A)에 비해서 쇼트 스터브(31) 대신에 쇼트 스터브(33)를 구비한다.
쇼트 스터브(33)(제2배선)는, 일단이 후술하는 필터 회로(11)가 구비하는 공진자에 접속되고, 타단이 접지된다. 오픈 스터브(30)(제1배선)는, 도 1에 나타내어지는 오픈 스터브(30)와 동일한 구성이다. 오픈 스터브(30)와 쇼트 스터브(33)는 자기적으로 결합되어 있다.
수신용의 필터 회로(11)(제1필터 회로)의 구체적인 구성은 도 2에 나타내어지는 송신용의 필터 회로(10)(제2필터 회로)의 구체적인 구성과 다르기 때문에, 이 점에 대해서 도 19를 참조해서 설명한다.
도 19는, 본 발명의 제5실시형태에 따른 분파기에 있어서의 필터 회로 및 스터브의 구성을 나타내는 회로도이다.
필터 회로(11A)는 복수의 필터 구성요소를 포함한다. 구체적으로는, 필터 회로(11A)는 수신측 단자(23)와 공통 단자(21) 사이에 있어서 종형 접속된 5개의 공진자(80∼84))와, 수신측 단자(23)와 공통 단자(21) 사이를 연결하는 선로(L2)에 직렬로 접속된 공진자(85)와, 선로(L2)와 접지 사이에 접속된 공진자(86)를 구비한다. 공진자(80∼86)의 구체적인 구성은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 공진자(41∼47)와 마찬가지로, SAW 필터이어도 좋고, 또는 압전 박막 공진자 등의 필터, BAW 필터, 또는 I.H.P. SAW 필터 등이어도 좋다. 또, 공진자(80∼86)의 수는 일례이며, 이것보다 많아도 좋고, 이것보다 적어도 좋다.
종형 접속된 공진자(80∼84)는 각각, 일단이 공진자(85)를 경유해서 공통 단자(21)에 접속되거나, 또는 수신측 단자(23)에 교대로 접속되고, 타단은 어느 것이나 접지된다. 공진자(86)(제1공진자)는 선로(L2)로부터 분기되도록, 일단이 선로(L2)에 접속되고, 타단(단자(26))이 쇼트 스터브(33)의 일단에 접속된다.
쇼트 스터브(33)는 일단이 단자(26)에 접속되고, 타단이 접지된다. 쇼트 스터브(33)는 오픈 스터브(30)와 함께 모듈 기판(50)에 형성되고, 오픈 스터브(30)와 자기적으로 결합된다. 또, 모듈 기판(50)에 있어서의 오픈 스터브(30)와 쇼트 스터브(33)의 배치는, 예를 들면 도 3에 나타내어지는 다층 기판(50A)과 동일한 구성으로 할 수 이 있으므로, 상세한 설명을 생략한다.
상술의 구성에 의해서도, 분파기(200A)는, 분파기(100A∼100D)와 마찬가지로, 스터브(30,33)를 구비하지 않는 구성에 비해서 필터 회로(11A)의 통과 주파수대역 외의 신호의 감쇠량을 상승시킬 수 있다. 따라서, 분파기(200A)는, 필터 회로(10,11)간의 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다.
도 20은, 본 발명의 제6실시형태에 따른 분파기에 있어서의 필터 회로 및 스터브의 구성을 나타내는 회로도이다. 도 20에 나타내어지는 분파기(200B)는, 도 19에 나타내어지는 분파기(200A)에 비해서 쇼트 스터브(34)를 더 구비한다.
쇼트 스터브(34)(제3배선)는 일단이 공진자(80∼84)(제2공진자)의 접지측의 단자(27)에 접속되고, 타단이 접지된다. 즉, 쇼트 스터브(34)는 공진자(80∼84)와 접지 사이에 형성된다. 쇼트 스터브(34)는 쇼트 스터브(33)와 마찬가지로, 오픈 스터브(30)와 함께 모듈 기판(50)에 형성되고, 오픈 스터브(30)와 자기적으로 결합된다.
도 21은, 본 발명의 제6실시형태에 따른 분파기가 형성되는 다층 기판의 주면의 평면도이다.
도 21에 나타내어지는 다층 기판(50M)에서는 쇼트 스터브(33a,34a)(도 20에 있어서의 쇼트 스터브(33,34)에 대응)는 오픈 스터브(30k)(도 20에 있어서의 오픈 스터브(30)에 대응)와 다른 층에 형성되어 있다. 구체적으로는, 쇼트 스터브(33a)는 일단이 단자(26)에 접속되고, 다층 기판(50M)의 주면의 평면으로 볼 때에 있어서 단자(26)로부터 Y축 부방향측을 향해서 연장되어 있다. 한편 쇼트 스터브(34a)는 일단이 단자(27)에 접속되고, 상기 평면으로 볼 때에 있어서 단자(27)로부터 X축 정방측으로 연장되어 있다. 쇼트 스터브(33a) 및 쇼트 스터브(34a)는 다층 기판(50M)에 있어서 접촉되고, 타단이 어느 것이나 비아홀을 경유해서 접지에 접속되어 있다.
오픈 스터브(30k)는 일단이 공통 단자(21)에 접속되고, 쇼트 스터브(33a,34a)의 적어도 일부와 Z축방향에 있어서 각각 겹쳐지도록 연장되어 있다. 구체적으로는 오픈 스터브(30k)는 사이에 분기점을 갖고 있고, 상기 분기점으로부터 개방측의 타단을 향해서 2개의 부분으로 나뉘어져 있다. 그리고, 이 2개의 부분이 쇼트 스터브(33a,34a)와 각각 겹쳐져 있다. 이에 따라 오픈 스터브(30k)와 쇼트 스터브(33a,34a)가 각각 자기적으로 결합된다.
이러한 구성에 의해서도, 분파기(200B)는 분파기(200A)와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한 분파기(200B)에서는 쇼트 스터브(34)를 더 구비함으로써, 필터 회로(11B)의 통과 주파수대역 외의 주파수의 신호를 더 감쇠시킬 수 있다. 따라서, 분파기(200B)는 분파기(200A)에 비해서 아이솔레이션 특성을 더 향상시킬 수 있다.
또, 도 21에 있어서는, 오픈 스터브(30k)가 사이에 분기점을 갖는 구성이 나타내어져 있지만, 오픈 스터브(30k)는 공통 단자(21)로부터 2개의 부분으로 나뉘어져 있어도 좋다.
또한 모듈 기판(50)에 있어서의 오픈 스터브(30)와 쇼트 스터브(33,34)의 배치는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 도 6에 나타내어지는 다층 기판(50B)과 동일한 구성으로 해도 좋다.
또한 도 20에 있어서는, 분파기(200B)가 2개의 쇼트 스터브(33,34)를 구비하는 구성이 나타내어져 있지만, 분파기(200B)가 구비하는 쇼트 스터브는 어느 한쪽이어도 좋다.
도 22는 본 발명의 제7실시형태에 따른 분파기에 있어서의 필터 회로 및 스터브의 구성을 나타내는 회로도이다. 도 22에 나타내어지는 분파기(200C)는 도 20에 나타내어지는 분파기(200B)에 비해서 쇼트 스터브(35)를 더 구비한다.
쇼트 스터브(35)(제3배선)는 일단이 공진자(80∼84)(제2공진자)의 접지측의 단자(28)에 접속되고, 타단이 접지된다. 즉, 쇼트 스터브(35)는 공진자(80∼84)와 접지 사이에 형성된다. 쇼트 스터브(35)는 쇼트 스터브(34)와 마찬가지로 오픈 스터브(30)와 함께 모듈 기판(50)에 형성되고, 오픈 스터브(30)와 자기적으로 결합된다.
도 23은, 본 발명의 제7실시형태에 따른 분파기가 형성되는 다층 기판의 주면의 평면도이다.
도 23에 나타내어지는 다층 기판(50N)에서는 쇼트 스터브(35a)(도 22에 있어서의 쇼트 스터브(35)에 대응)는 오픈 스터브(30l)(도 20에 있어서의 오픈 스터브(30)에 대응)와 다른 층에 형성되어 있다. 구체적으로는, 쇼트 스터브(35a)는 일단이 단자(28)에 접속되고, 다층 기판(50N)의 주면의 평면으로 볼 때에 있어서 단자(28)로부터 Y축부 방향측을 향해서 연장되어 있다. 쇼트 스터브(35a)는 쇼트 스터브(33a,34a)와 다층 기판(50N)에 있어서 접촉하고, 타단이 비아홀을 경유해서 접지에 접속되어 있다.
오픈 스터브(30l)는 일단이 공통 단자(21)에 접속되고, 쇼트 스터브(33a,34a,35a) 중 적어도 일부와 Z축방향에 있어서 각각 겹쳐지도록 연장되어 있다. 구체적으로는, 오픈 스터브(30l)는 사이에 분기점을 갖고 있고, 상기 분기점으로부터 개방측의 타단을 향해서 3개의 부분으로 나뉘어져 있다. 그리고, 이 3개의 부분이 쇼트 스터브(33a,34a,35a)와 각각 겹쳐져 있다. 이에 따라 오픈 스터브(30l)와 쇼트 스터브(33a,34a,35a)가 각각 자기적으로 결합된다.
이러한 구성에 의해서도, 분파기(200C)는 분파기(200A,200B)와 같은 효과를 얻을 수 있다. 또한 분파기(200C)에서는 쇼트 스터브(35)를 더 구비함으로써, 필터 회로(11B)의 통과 주파수대역 외의 주파수의 신호를 더 감쇠시킬 수 있다. 따라서, 분파기(200C)는 분파기(200B)에 비해서 아이솔레이션 특성을 더 향상시킬 수 있다.
또, 도 23에 있어서는, 오픈 스터브(30l)가 사이에 분기점을 갖는 구성이 나타내어져 있지만, 오픈 스터브(30l)는 공통 단자(21)로부터 3개의 부분으로 나뉘어져 있어도 좋다.
또한 도 22에 있어서는, 분파기(200C)가 3개의 쇼트 스터브(33∼35)를 구비하는 구성이 나타내어져 있지만, 분파기(200C)가 구비하는 쇼트 스터브는 어느 1개 또는 2개이어도 좋다.
도 24는 분파기(200A)에 있어서의 필터 회로간의 아이솔레이션 특성의 시뮬레이션 결과를 나타내는 그래프이다. 구체적으로는, 도 24는, 분파기(200A)의 오픈 스터브(30)를 구비하는 구성과 구비하지 않는 구성에 있어서, 필터 회로(10,11)간의 아이솔레이션 특성의 비교를 나타내고 있다. 동 그래프에 있어서의 세로축은 아이솔레이션 특성(dB)을 나타내고, 가로축은 주파수(GHz)를 나타내고 있다. 또, 상기 시뮬레이션에 있어서는 분파기(200A)가 밴드(11)의 RF 신호의 송수신에 사용되는 경우가 상정되어 있고, 필터 회로(10)의 통과 주파수대역이 1427.9∼1447.9MHz이며, 필터 회로(11)의 통과 주파수대역이 1475.9∼1495.9MHz이다.
도 24에 나타내어지듯이, 오픈 스터브(30)를 구비하는 구성에 의하면, 송신 주파수대역(1427.9∼1447.9MHz) 전체 중 반 정도의 대역에 있어서 아이솔레이션 특성이 향상되어 있다. 또한 수신 신호의 주파수대역에서는 오픈 스터브(30)의 유무에 의한 아이솔레이션 특성의 차이가 거의 없다. 즉, 오픈 스터브(30)의 삽입에 의해 수신 주파수대역에는 거의 영향을 주지 않고, 송신 주파수대역의 아이솔레이션은 특성을 개선할 수 있다고 할 수 있다.
도 25는, 분파기(200C)에 있어서의 필터 회로간의 아이솔레이션 특성의 시뮬레이션 결과를 나타내는 그래프이다. 구체적으로는, 도 25는, 분파기(200C)의 오픈 스터브(30)를 구비하는 구성과 구비하지 않는 구성에 있어서, 필터 회로(10,11)간의 아이솔레이션 특성의 비교를 나타내고 있다. 동 그래프에 있어서의 세로축은 아이솔레이션 특성(dB)을 나타내고, 가로축은 주파수(GHz)를 나타내고 있다. 또, 대상으로 하는 주파수대역은, 상술의 도 24와 같다.
도 25에 나타내어지듯이, 오픈 스터브(30)를 구비하는 구성에 의하면, 송신 주파수대역(1427.9∼1447.9MHz) 전체 중, 일부의 대역에 있어서는 아이솔레이션 특성이 악화되어 있지만, 특정 주파수(1444MHz 정도) 부근에 있어서 아이솔레이션 특성이 크게 향상되어 있다. 또한 수신 신호의 주파수대역에서는 오픈 스터브(30)의 유무에 의한 아이솔레이션 특성의 차이가 거의 없다. 즉, 오픈 스터브(30)의 삽입에 의해, 수신 주파수대역에는 거의 영향을 주지 않고, 송신 주파수대역의 아이솔레이션 특성을 개선할 수 있다고 할 수 있다. 또한 분파기(200C)는 복수의 쇼트 스터브(33∼35)를 구비하기 때문에, 이들 스터브의 인덕턴스값이나 오픈 스터브와의 결합의 강도를 적당하게 조정함으로써, 소망의 주파수의 신호를 특히 감쇠시킬 수 있다고 할 수 있다.
도 26은, 본 발명의 제5실시형태의 변형예에 따른 분파기의 구성을 개념적으로 나타내는 도면이다. 또한 도 27은, 본 발명의 제5실시형태의 다른 변형예에 따른 분파기의 구성을 개념적으로 나타내는 도면이다. 도 26에 나타내어지는 분파기(200D) 및 도 27에 나타내어지는 분파기(200E)는 어느 것이나, 분파기(100A)와 분파기(200A)의 구성이 조합된 구성이다.
구체적으로는, 분파기(200D)에 있어서는, 필터 회로(10)에 접속되는 쇼트 스터브(31)와, 필터 회로(11)에 접속되는 쇼트 스터브(33)가 어느 것이나 1개의 오픈 스터브(30)와 자기적으로 결합되어 있다. 한편 분파기(200E)는 2개의 오픈 스터브(30A,30B)를 구비한다. 그리고, 필터 회로(10)에 접속되는 쇼트 스터브(31)와, 필터 회로(11)에 접속되는 쇼트 스터브(33)가 각각, 오픈 스터브(30A,30B)와 자기적으로 결합되어 있다. 또, 오픈 스터브(30) 및 쇼트 스터브(31,33)의 구체적인 접속의 구성에 대해서는, 상술의 실시형태와 동일하게 할 수 있으므로, 상세한 설명은 생략한다.
상술의 구성에 의해, 분파기(200D,200E)는 스터브((30(30A,30B)),31,33)를 구비하지 않는 구성에 비해서 필터 회로(10)로부터 필터 회로(11)에 누출되는 신호와, 필터 회로(11)로부터 필터 회로(10)에 누출되는 신호를 어느 것이나 억제할 수 있다. 따라서, 분파기(200D,200E)는 필터 회로(10,11)간의 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다.
또, 도 26 및 도 27에서는, 각 분파기가 구비하는 오픈 스터브와 쇼트 스터브의 조합이 2개인 예가 나타내어져 있지만, 분파기가 구비하는 상기 조합은 3개 이상이어도 좋다.
여기까지 서술한 분파기(100A∼100D,200A∼200E)는 어느 것이나, 송신 신호와 수신 신호를 주파수에 따라 나누는 필터 회로가 상정되어 있었다. 즉, 휴대전화에 있어서, 송신과 수신에서 다른 주파수의 신호를 사용하는 FDD(Frequency Division Duplex) 방식이 상정되어 있었다. 한편 휴대전화에 있어서는, 송신과 수신을 시간에 의해 구획하면서 동일한 주파수대역의 신호를 사용하는 TDD(Time Division Duplex) 방식도 적용될 수 있다. 그래서, 다음에 도 28을 참조하면서, 이들의 FDD 방식과 TDD 방식이 동시에 사용되는 경우에, 상호의 필터 회로간의 누출을 억제하는 구성(제8실시형태)에 대해서 설명한다.
도 28은, 본 발명의 제8실시형태에 따른 프론트엔드 회로의 구성을 개념적으로 나타내는 도면이다. 도 28에 나타내어지는 프론트엔드 회로(300A)는 FDD용 회로(310), TDD용 회로(320), 스위치 회로(71), 오픈 스터브(36) 및 쇼트 스터브(37)를 구비한다.
FDD용 회로(310)는, 도 1에 나타내어지는 분파기(100A)의 구성을 포함하는 회로이다. 즉, 필터 회로(10)(제1필터 회로)는 송신측 단자(22)(제1단자)로부터 공통 단자(21)에 소정의 주파수대역의 송신 신호(Tx1)(제1송신 신호)를 통과시킨다. 필터 회로(11)(제2필터 회로)는 공통 단자(21)로부터 수신측 단자(23)(제2단자)에 상기 주파수대역의 수신 신호(Rx1)(제1수신 신호)를 통과시킨다. 본 실시형태에 있어서, 공통 단자(21)는 스위치 회로(71)의 한쪽의 출력단에 접속된다.
TDD용 회로(320)는 필터 회로(12)와 단자(90,91)를 포함한다. 필터 회로(12)(제3필터 회로)는 송수신측의 단자(90)(제3단자)와 안테나측의 단자(91)(제4단자) 사이에 있어서, 소정의 주파수대역의 송신 신호(Tx2)(제2송신 신호) 및 수신 신호(Rx2)(제2수신 신호)를 통과시키는 주파수 특성을 갖는다. 필터 회로(12)에는 시간에 따라 송신 신호(Tx2) 또는 수신 신호(Rx2) 중 어느 한쪽이 공급된다. 단자(91)는 스위치 회로(71)의 다른쪽의 출력단에 접속된다.
또, 필터 회로(12)는 상술의 필터 회로(10A,10B,11A∼11C) 등과 마찬가지로 1개 또는 복수의 공진자를 구비하지만, 구체적인 구성에 대해서는 상기 상술의 필터 회로와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.
스위치 회로(71)는 1입력 2출력의 스위치이다. 스위치 회로(71)의 입력단은 안테나 단자(20)에 접속되고, 출력단의 한쪽은 FDD용 회로(310)에 접속되고, 출력단의 다른쪽은 TDD용 회로(320)에 접속된다. 이에 따라 스위치 회로(71)는 프론트 엔드 회로(300A)의 외부로부터 공급되는 제어신호에 따라, FDD용 회로(310)와 TDD용 회로(320) 중 어느 한쪽을 안테나 단자(20)에 접속하거나, 쌍방을 동시에 안테나 단자(20)에 접속한다. 스위치 회로(71)가 FDD용 회로(310)와 TDD용 회로(320)의 쌍방을 동시에 안테나 단자(20)에 접속한 경우, 프론트엔드 회로(300A)는 FDD 방식으로의 통신과 TDD 방식으로의 통신을 동시에 행하는 캐리어 어그리게이션에 대응한다.
오픈 스터브(36)(제1배선)는 일단이 단자(91)와 스위치 회로(71) 사이에 접속되고, 타단이 개방된다.
쇼트 스터브(37)(제2배선)는 일단이 필터 회로(12)에 구비된 공진자(도시생략)에 접속되고, 타단이 접지된다. 오픈 스터브(36)와 쇼트 스터브(37)는 자기적으로 결합되어 있다.
상술의 구성에 있어서도, 프론트엔드 회로(300A)는 분파기(100A∼100D,200A∼200E)와 마찬가지로 스터브(36,37)를 구비하지 않는 구성에 비해서 TDD용 회로(320)측의 필터 회로(12)의 통과 주파수대역 외의 신호의 감쇠량을 상승시킬 수 있다. 따라서, 프론트엔드 회로(300A)는 FDD용 회로(310)와 TDD용 회로(320) 사이의 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다.
또, 도 28에 있어서는, TDD용 회로(320)의 측에 스터브(36,37)가 구비되어 있지만, 이 대신에, FDD용 회로(310)의 측의 필터 회로(10)나 필터 회로(11)에 스터브가 구비되어 있어도 좋다. 또는, 도 26 및 도 27에 나타내어지듯이, TDD용 회로(320) 및 FDD용 회로(310)의 쌍방에 스터브가 구비되어 있어도 좋다.
또한 도 28에 있어서는, 프론트엔드 회로(300A)가 FDD용 회로(310)와 TDD용 회로(320)를 1개씩 구비한 구성이 나타내어져 있지만, 프론트 엔드 회로가 구비하는 FDD용 회로와 TDD용 회로의 개수는 이것에 한정되지 않고, 어느 것이나 2개 이상 구비하고 있어도 좋다.
이상, 본 발명의 예시적인 실시형태에 대해서 설명했다. 분파기(100A∼100D)는 필터 회로(10,11)와, 일단이 공통 단자(21)에 접속되고, 타단이 개방된 오픈 스터브(30)와, 일단이 필터 회로(10)에 있어서의 공진자(45)에 접속되고, 타단이 접지된 쇼트 스터브(31)를 구비하고, 오픈 스터브(30)와 쇼트 스터브(31)가 전자적으로 결합된다. 이에 따라 필터 회로(10)의 통과 주파수대역 외의 주파수의 신호가 스터브(31)측으로 흐르므로, 스터브(30,31)를 구비하지 않는 구성에 비해서 통과 주파수대역 외의 신호의 감쇠량이 상승한다. 따라서, 분파기(100A∼100D)는 배선의 배치의 자유도를 높이면서 복수의 필터간의 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다.
또한 분파기(200A∼200E)는 필터 회로(10,11)와, 일단이 공통 단자(21)에 접속되고, 타단이 개방된 오픈 스터브(30)와, 일단이 필터 회로(11)에 있어서의 공진자(86)에 접속되고, 타단이 접지된 쇼트 스터브(33)를 구비하고, 오픈 스터브(30)와 쇼트 스터브(33)가 전자적으로 결합된다. 이에 따라 필터 회로(11)의 통과 주파수대역 외의 주파수의 신호가 스터브(33)측으로 흐르므로, 스터브(30,33)를 구비하지 않는 구성에 비교해서 통과 주파수대역 외의 신호의 감쇠량이 상승한다. 따라서, 분파기(200A∼200E)는 배선의 배치의 자유도를 높이면서 복수의 필터간의 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다.
또한 분파기(100B,200B)에 있어서는, 필터 회로(10B,11B)가 쇼트 스터브(32,34)를 더 구비한다. 이에 따라 필터 회로(10B,11B)의 통과 주파수대역 외의 주파수의 신호를 더 감쇠시킬 수 있다. 따라서, 분파기(100B,200B)는 분파기(100A,200A)에 비해서 아이솔레이션 특성을 더 향상시킬 수 있다.
또한 분파기(100A∼100D,200A∼200E)에서는 오픈 스터브(30)와 쇼트 스터브(31,33)가 각각 다층 기판의 다른 층에 형성되고, 양 스터브의 적어도 일부가 겹치도록 형성되어 있어도 좋다. 이에 따라 오픈 스터브(30)와 쇼트 스터브(31,33)가 자기적으로 결합되게 된다.
또한 분파기(100A∼100D,200A∼200E)에서는 오픈 스터브(30)와 쇼트 스터브(31,33)가 각각 다층 기판의 동일층에 형성되고, 양 스터브의 적어도 일부가 대략 평행하게 인접해서 형성되어 있어도 좋다. 이에 따라 오픈 스터브(30)와 쇼트 스터브(31,33)가 자기적으로 결합되게 된다.
또한 분파기(100A∼100D,200A∼200E)가 구비하는 각 스터브는, 특별히 한정되지 않지만, 집중 정수 소자에 의해 구성되어 있어도 좋다.
또한 프론트엔드 회로(300A)는 필터 회로(10∼12)와, 일단이 단자(91)에 접속되고, 타단이 개방된 오픈 스터브(36)와, 일단이 필터 회로(12)에 있어서의 공진자에 접속되고, 타단이 접지된 쇼트 스터브(37)를 구비하고, 오픈 스터브(36)와 쇼트 스터브(37)가 전자적으로 결합된다. 이에 따라 필터 회로(12)의 통과 주파수대역 외의 주파수의 신호가 스터브(37)측으로 흐르므로, 스터브(36,37)를 구비하지 않는 구성에 비해서 통과 주파수대역 외의 신호의 감쇠량이 상승한다. 따라서, 프론트엔드 회로(300A)는 배선의 배치의 자유도를 높이면서 복수의 필터간의 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다.
이상에서 설명한 각 실시형태는, 본 발명의 이해를 쉽게 하기 위한 것이고, 본 발명을 한정해서 해석하기 위한 것은 아니다. 본 발명은, 그 취지를 일탈하지 않고, 변경 또는 개량될 수 있음과 아울러, 본 발명에는 그 등가물도 포함된다. 즉 각 실시형태에 당업자가 적당하게 설계 변경을 추가한 것도 본 발명의 특징을 구비하고 있는 한, 본 발명의 범위에 포함된다. 예를 들면 각 실시형태가 구비하는 각 요소 및 그 배치, 재료, 조건, 형상, 사이즈 등은 예시한 것에 한정되는 것은 아니고 적당하게 변경할 수 있다. 또한 각 실시형태가 구비하는 각 요소는 기술적으로 가능한 한에 있어서 조합시킬 수 있고, 이들을 조합시킨 것도 본 발명의 특징을 포함하는 한 본 발명의 범위에 포함된다.
예를 들면 상기 실시형태에 있어서는, 공통 단자(21)나 단자(91)에 접속된 스터브가 오픈 스터브이며, 필터 회로가 구비하는 공진자에 접속된 스터브가 쇼트 스터브인 예가 나타내어져 있지만, 스터브의 구성은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면 공통 단자(21)나 단자(91)에 접속된 스터브가 쇼트 스터브이며, 공진자에 접속된 스터브가 오픈 스터브이어도 좋다.
또한 상기 실시형태에 있어서는 어느 것이나 오픈 스터브와 쇼트 스터브가 전자유도에 의해 자계결합된 예가 나타내어져 있지만, 자계결합 대신에 전계결합되어 있어도 좋다. 구체적으로는, 예를 들면 다층 기판에 있어서 오픈 스터브와 쇼트 스터브를 구성하는 금속층의 면적을 확장함으로써, 접합 용량을 형성할 수 있다. 이렇게, 오픈 스터브와 쇼트 스터브의 전자적인 결합은 자계결합 또는 전계결합, 또는 및 이들의 조합으로 할 수 있다.
또한 상술의 각 실시형태는 각각 조합되어 구성되어 있어도 좋다. 예를 들면, 도 21 및 도 23에 나타내어져 있는 오픈 스터브가 분기점을 갖는 구성이 분파기(100A∼100D), 분파기(200A,200D,200E) 또는 프론트엔드 회로(300A)에 적용되어도 좋다.
100A∼100D, 200A∼200E…분파기
300A …프론트엔드 회로
10∼12…필터 회로
20…안테나 단자
21…공통 단자
22…송신측 단자
23…수신측 단자
24∼28…단자
30, 36…스터브(오픈 스터브)
31∼35, 37…스터브(쇼트 스터브)
41∼47…공진자
50…모듈 기판
50A∼50N…다층 기판
51, 52…내층
53…표층
60…정합 회로
70, 71…스위치 회로
80∼86…공진자
90, 91…단자
L1, L2…선로

Claims (14)

  1. 제1단자와 공통 단자 사이에 있어서 제1주파수대역의 신호를 통과시키는 제1필터 회로로서, 상기 제1단자와 상기 공통 단자 사이에 형성된 선로로부터 분기되도록 일단이 상기 선로에 접속된 제1공진자를 갖는 제1필터 회로와,
    제2단자와 상기 공통 단자 사이에 있어서 상기 제1주파수대역과 다른 제2주파수대역의 신호를 통과시키는 제2필터 회로와,
    일단이 상기 공통 단자에 접속되고, 타단이 개방된 제1배선과,
    일단이 상기 제1공진자의 타단에 접속되고, 타단이 접지된 제2배선을 구비하고,
    상기 제1배선과 상기 제2배선이 전자적으로 결합된 분파기.
  2. 제1단자로부터 공통 단자에 제1주파수대역의 신호를 통과시키는 제1필터 회로로서, 상기 제1단자와 상기 공통 단자 사이에 형성된 선로로부터 분기되도록 일단이 상기 선로에 접속된 제1공진자를 갖는 제1필터 회로와,
    상기 공통 단자로부터 제2단자에 상기 제1주파수대역과 다른 제2주파수대역의 신호를 통과시키는 제2필터 회로와,
    일단이 상기 공통 단자에 접속되고, 타단이 개방된 제1배선과,
    일단이 상기 제1공진자의 타단에 접속되고, 타단이 접지된 제2배선을 구비하고,
    상기 제1배선과 상기 제2배선이 전자적으로 결합된 분파기.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제1필터 회로는 상기 선로로부터 분기되도록 일단이 상기 선로에 접속된 제2공진자를 더 갖고,
    상기 분파기는 일단이 상기 제2공진자의 타단에 접속되고, 타단이 접지된 제3배선을 더 구비하고,
    상기 제1배선과 상기 제3배선이 전자적으로 결합된 분파기.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제1주파수대역은 소정의 주파수대역에 있어서의 송신 주파수대역이며,
    상기 제2주파수대역은 상기 소정의 주파수대역에 있어서의 수신 주파수대역인 분파기.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1주파수대역은 소정의 주파수대역에 있어서의 수신 주파수대역이며,
    상기 제2주파수대역은 상기 소정의 주파수대역에 있어서의 송신 주파수대역인 분파기.
  6. 제 1 항, 제 2 항, 또는 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 분파기는 상기 제1배선 및 상기 제2배선이 형성된 다층 기판을 더 구비하고,
    상기 제1배선과 상기 제2배선은 각각 상기 다층 기판의 다른 층에 형성되고, 상기 다층 기판의 주면의 평면으로 볼 때에 있어서, 상기 제1배선의 적어도 일부와 상기 제2배선의 적어도 일부가 겹치도록 배치된 분파기.
  7. 제 1 항, 제 2 항, 또는 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 분파기는 상기 제1배선 및 상기 제2배선이 형성된 다층 기판을 더 구비하고,
    상기 제1배선과 상기 제2배선은 각각 상기 다층 기판의 동일층에 형성되고, 상기 제1배선의 적어도 일부와 상기 제2배선의 적어도 일부가 평행하게 인접해서 배치된 분파기.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제1배선 또는 상기 제2배선은 집중 정수 소자에 의해 구성되는 분파기.
  9. 제1단자와 공통 단자 사이에 있어서 제1송신 신호를 통과시키는 제1필터 회로와,
    제2단자와 상기 공통 단자 사이에 있어서 제1수신 신호를 통과시키는 제2필터 회로와,
    제3단자와 제4단자 사이에 있어서 제2송신 신호 및 제2수신 신호를 통과시키는 제3필터 회로로서, 상기 제3단자와 상기 제4단자 사이에 형성된 선로로부터 분기되도록 일단이 상기 선로에 접속된 제1공진자를 갖는 제3필터 회로와,
    상기 공통 단자 및 상기 제4단자 중 어느 한쪽 또는 쌍방을 안테나 단자에 접속하는 스위치 회로와,
    일단이 상기 제4단자에 접속되고, 타단이 개방된 제1배선과,
    일단이 상기 제1공진자의 타단에 접속되고, 타단이 접지된 제2배선을 구비하고,
    상기 제1배선과 상기 제2배선이 전자적으로 결합된 프론트엔드 회로.
  10. 제 3 항에 있어서,
    상기 제1주파수대역은 소정의 주파수대역에 있어서의 송신 주파수대역이며,
    상기 제2주파수대역은 상기 소정의 주파수대역에 있어서의 수신 주파수대역인 분파기.
  11. 제 3 항에 있어서,
    상기 분파기는 상기 제1배선 및 상기 제2배선이 형성된 다층 기판을 더 구비하고,
    상기 제1배선과 상기 제2배선은 각각 상기 다층 기판의 다른 층에 형성되고, 상기 다층 기판의 주면의 평면으로 볼 때에 있어서, 상기 제1배선의 적어도 일부와 상기 제2배선의 적어도 일부가 겹치도록 배치된 분파기.
  12. 제 4 항에 있어서,
    상기 분파기는 상기 제1배선 및 상기 제2배선이 형성된 다층 기판을 더 구비하고,
    상기 제1배선과 상기 제2배선은 각각 상기 다층 기판의 다른 층에 형성되고, 상기 다층 기판의 주면의 평면으로 볼 때에 있어서, 상기 제1배선의 적어도 일부와 상기 제2배선의 적어도 일부가 겹치도록 배치된 분파기.
  13. 제 3 항에 있어서,
    상기 분파기는 상기 제1배선 및 상기 제2배선이 형성된 다층 기판을 더 구비하고,
    상기 제1배선과 상기 제2배선은 각각 상기 다층 기판의 동일층에 형성되고, 상기 제1배선의 적어도 일부와 상기 제2배선의 적어도 일부가 평행하게 인접해서 배치된 분파기.
  14. 제 4 항에 있어서,
    상기 분파기는 상기 제1배선 및 상기 제2배선이 형성된 다층 기판을 더 구비하고,
    상기 제1배선과 상기 제2배선은 각각 상기 다층 기판의 동일층에 형성되고, 상기 제1배선의 적어도 일부와 상기 제2배선의 적어도 일부가 평행하게 인접해서 배치된 분파기.
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