JPH11186872A - 分波器多層基板パッケージ - Google Patents
分波器多層基板パッケージInfo
- Publication number
- JPH11186872A JPH11186872A JP35645797A JP35645797A JPH11186872A JP H11186872 A JPH11186872 A JP H11186872A JP 35645797 A JP35645797 A JP 35645797A JP 35645797 A JP35645797 A JP 35645797A JP H11186872 A JPH11186872 A JP H11186872A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- duplexer
- filter
- saw
- layer substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 103
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 31
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 31
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 19
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 29
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 12
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 12
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 25
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000009812 interlayer coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 各ＳＡＷフィルタ、整合用線路及び各ＬＣフ
ィルタ間の結線網を多層基板内に具備することにより、
配線長の短縮及び結線網間の交差を可能な限り少なく、
分波器構成時における挿入損失の増加を可能な限り小さ
くし、分波器の低挿入損失化を図る分波器多層基板パッ
ケージを提供する。 【解決手段】 多層基板の第１層３００にはＳＡＷ送信
用フィルタ２０６、ＳＡＷ受信用フィルタ２０７及び集
中定数素子（Ｌ１，Ｃ１，ＣＤ１）、（Ｌ３，Ｃ３，Ｃ
Ｄ３）、（Ｌ４，Ｃ４，ＣＤ４）が搭載される。また、
多層基板の第２層４００には、第１層３００に搭載され
たＳＡＷ送信用フィルタ２０６、ＳＡＷ受信用フィルタ
２０７及び集中定数素子（Ｌ１，Ｃ１，ＣＤ１）、（Ｌ
３，Ｃ３，ＣＤ３）、（Ｌ４，Ｃ４，ＣＤ４）の接続の
ための配線パターンが設けられている。更に、多層基板
の第３層５００には、ＳＡＷ送信用フィルタ２０６とＳ
ＡＷ受信用フィルタ２０７により分波器を構成するため
に必要な線路長がλ／４のストリップラインが設けられ
ている。
ィルタ間の結線網を多層基板内に具備することにより、
配線長の短縮及び結線網間の交差を可能な限り少なく、
分波器構成時における挿入損失の増加を可能な限り小さ
くし、分波器の低挿入損失化を図る分波器多層基板パッ
ケージを提供する。 【解決手段】 多層基板の第１層３００にはＳＡＷ送信
用フィルタ２０６、ＳＡＷ受信用フィルタ２０７及び集
中定数素子（Ｌ１，Ｃ１，ＣＤ１）、（Ｌ３，Ｃ３，Ｃ
Ｄ３）、（Ｌ４，Ｃ４，ＣＤ４）が搭載される。また、
多層基板の第２層４００には、第１層３００に搭載され
たＳＡＷ送信用フィルタ２０６、ＳＡＷ受信用フィルタ
２０７及び集中定数素子（Ｌ１，Ｃ１，ＣＤ１）、（Ｌ
３，Ｃ３，ＣＤ３）、（Ｌ４，Ｃ４，ＣＤ４）の接続の
ための配線パターンが設けられている。更に、多層基板
の第３層５００には、ＳＡＷ送信用フィルタ２０６とＳ
ＡＷ受信用フィルタ２０７により分波器を構成するため
に必要な線路長がλ／４のストリップラインが設けられ
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、通過帯域の異なる
二つのＳＡＷフィルタにより構成され、調整可能な集中
定数回路を具備した樹脂基板を用いた分波器多層基板パ
ッケージに関するものである。
二つのＳＡＷフィルタにより構成され、調整可能な集中
定数回路を具備した樹脂基板を用いた分波器多層基板パ
ッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、特公平７−６０９８４号公報、特開平６−３１
６９７９号公報等に開示されるものがあった。図１２は
従来の携帯電話のアンテナと送信回路および受信回路に
介在される分波器の回路構成を示す図である。
例えば、特公平７−６０９８４号公報、特開平６−３１
６９７９号公報等に開示されるものがあった。図１２は
従来の携帯電話のアンテナと送信回路および受信回路に
介在される分波器の回路構成を示す図である。
【０００３】この図に示すように、従来の分波器は、送
信用フィルタ（ＦT ）１０６及び受信用フィルタ
（ＦR ）１０７をバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）で構成
したものである。なお、Ｔｘ端１０１は送信回路からの
送信信号を入力する入力端、Ｒｘ端１０２は受信信号を
受信回路に出力する出力端、ＡＮＴ端１００は前記送受
信信号をアンテナに入出力する入出力端である。
信用フィルタ（ＦT ）１０６及び受信用フィルタ
（ＦR ）１０７をバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）で構成
したものである。なお、Ｔｘ端１０１は送信回路からの
送信信号を入力する入力端、Ｒｘ端１０２は受信信号を
受信回路に出力する出力端、ＡＮＴ端１００は前記送受
信信号をアンテナに入出力する入出力端である。
【０００４】また、高性能分波器特性を得るため、送信
用フィルタ（ＦT ）１０６とＡＮＴ端１００を（１／
４）λ波長伝送線路で接続し、また、受信用フィルタ
（ＦR ）１０７とＡＮＴ端１００を（１／４）λ波長伝
送線路で接続し、インピーダンス整合回路１０５を構成
している。この分波器に用いられるＴｘ及びＲｘとして
は、筒状のセラミック等の内周面、外周面および一方端
面を導電材料で被覆した終端短絡の１／４波長誘電体同
軸共振器を用いた誘電体フィルタが用いられている。
用フィルタ（ＦT ）１０６とＡＮＴ端１００を（１／
４）λ波長伝送線路で接続し、また、受信用フィルタ
（ＦR ）１０７とＡＮＴ端１００を（１／４）λ波長伝
送線路で接続し、インピーダンス整合回路１０５を構成
している。この分波器に用いられるＴｘ及びＲｘとして
は、筒状のセラミック等の内周面、外周面および一方端
面を導電材料で被覆した終端短絡の１／４波長誘電体同
軸共振器を用いた誘電体フィルタが用いられている。
【０００５】また、送信用フィルタ（ＦT ）１０６及び
受信用フィルタ（ＦR ）１０７に接続されたインピーダ
ンス整合回路１０５を構成するＴｘ用（１／４）λ波長
伝送線路及びＲｘ用（１／４）λ波長伝送線路は、多層
セラミック基板または多層樹脂基板により実現され、パ
ッケージの底部または別基板に配置されている。しか
し、最近の携帯電話の分波器の小形化に伴い、前記終端
短絡の１／４波長誘電体同軸共振器を用いた誘電体フィ
ルタに代わり、ＳＡＷフィルタが多用されるようになっ
ている。したがって、分波器用のＴｘ，Ｒｘとしても、
性能及び形状からはＳＡＷフィルタが最も適している。
ＳＡＷフィルタを用いた分波器は、誘電体フィルタを用
いた分波器と比較して、約１／１０に小形化されること
が知られている。
受信用フィルタ（ＦR ）１０７に接続されたインピーダ
ンス整合回路１０５を構成するＴｘ用（１／４）λ波長
伝送線路及びＲｘ用（１／４）λ波長伝送線路は、多層
セラミック基板または多層樹脂基板により実現され、パ
ッケージの底部または別基板に配置されている。しか
し、最近の携帯電話の分波器の小形化に伴い、前記終端
短絡の１／４波長誘電体同軸共振器を用いた誘電体フィ
ルタに代わり、ＳＡＷフィルタが多用されるようになっ
ている。したがって、分波器用のＴｘ，Ｒｘとしても、
性能及び形状からはＳＡＷフィルタが最も適している。
ＳＡＷフィルタを用いた分波器は、誘電体フィルタを用
いた分波器と比較して、約１／１０に小形化されること
が知られている。
【０００６】図１３は従来のＳＡＷフィルタを用いた分
波器の構成例を示す図であり、図１３（Ａ）は蓋１を除
いた分波器の平面図であり、図１３（Ｂ）は図１３
（Ａ）のＸ−Ｘ′線断面図である。即ち、通過帯域の中
心周波数の異なるＳＡＷフィルタチップＦ1 とＦ2 を搭
載する部分を持ち、枠体形成層１８を上層としてストリ
ップライン形成層１９と擂鉢形をとる段階状に形成し、
端子形成層２０にパターンが形成されている信号端子と
グランド端子２３は、スルーホールによりフットパター
ン形成層２１の裏面に設けてあるそれぞれの信号端子と
グランド端子２３に回路接続する構造をとる。
波器の構成例を示す図であり、図１３（Ａ）は蓋１を除
いた分波器の平面図であり、図１３（Ｂ）は図１３
（Ａ）のＸ−Ｘ′線断面図である。即ち、通過帯域の中
心周波数の異なるＳＡＷフィルタチップＦ1 とＦ2 を搭
載する部分を持ち、枠体形成層１８を上層としてストリ
ップライン形成層１９と擂鉢形をとる段階状に形成し、
端子形成層２０にパターンが形成されている信号端子と
グランド端子２３は、スルーホールによりフットパター
ン形成層２１の裏面に設けてあるそれぞれの信号端子と
グランド端子２３に回路接続する構造をとる。
【０００７】このパッケージにＳＡＷフィルタチップＦ
1 とＦ2 を搭載した後、対応する信号端子やグランド端
子とワイヤボンディングを行って回路接続を行い、最後
に半田や導電性接着剤などを用いて蓋（図示なし）を枠
体形成層１８に当接して気密封止することにより分波器
を完成している。なお、２２はストリップラインであ
る。
1 とＦ2 を搭載した後、対応する信号端子やグランド端
子とワイヤボンディングを行って回路接続を行い、最後
に半田や導電性接着剤などを用いて蓋（図示なし）を枠
体形成層１８に当接して気密封止することにより分波器
を完成している。なお、２２はストリップラインであ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の方法では、最近の携帯電話等のＳＡＷフィルタ
の高性能化〔特に終端短絡の（１／４）λ波長誘電体同
軸共振器を用いた誘電体フィルタと同特性〕に伴い、Ｓ
ＡＷフィルタの一層の低挿入損失化が要求されている。
このＳＡＷフィルタを用いた分波器の低挿入損失化の達
成のためには、分波器構成時における挿入損失の増加を
可能な限り小さくする必要がある。
た従来の方法では、最近の携帯電話等のＳＡＷフィルタ
の高性能化〔特に終端短絡の（１／４）λ波長誘電体同
軸共振器を用いた誘電体フィルタと同特性〕に伴い、Ｓ
ＡＷフィルタの一層の低挿入損失化が要求されている。
このＳＡＷフィルタを用いた分波器の低挿入損失化の達
成のためには、分波器構成時における挿入損失の増加を
可能な限り小さくする必要がある。
【０００９】本発明は、この樹脂基板を用いた分波器構
成において、各ＳＡＷフィルタ、整合用線路及び各ＬＣ
フィルタ間の結線網を多層基板内に具備することによ
り、配線長の短縮及び結線網間の交差を可能な限り少な
く、分波器構成時における挿入損失の増加を可能な限り
小さくし、分波器の低挿入損失化を図り得る分波器多層
基板パッケージを提供することを目的とする。
成において、各ＳＡＷフィルタ、整合用線路及び各ＬＣ
フィルタ間の結線網を多層基板内に具備することによ
り、配線長の短縮及び結線網間の交差を可能な限り少な
く、分波器構成時における挿入損失の増加を可能な限り
小さくし、分波器の低挿入損失化を図り得る分波器多層
基板パッケージを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕通過帯域の異なる二つのＳＡＷフィルタと集中定
数素子により構成される分波器において、二つのＳＡＷ
フィルタと集中定数素子を樹脂基板の表層に、各素子を
接続する配線部と分波回路の線路を樹脂基板の中層に設
定するようにしたものである。
成するために、 〔１〕通過帯域の異なる二つのＳＡＷフィルタと集中定
数素子により構成される分波器において、二つのＳＡＷ
フィルタと集中定数素子を樹脂基板の表層に、各素子を
接続する配線部と分波回路の線路を樹脂基板の中層に設
定するようにしたものである。
【００１１】〔２〕通過帯域の異なる二つのＳＡＷフィ
ルタと集中定数素子により構成される分波器において、
二つのＳＡＷフィルタと集中定数素子を樹脂基板の表層
に、各素子を接続する配線部を第２層に、分波回路の線
路を前記表層及び前記第２層以外の層に設定するように
したものである。 〔３〕通過帯域の異なる二つのＳＡＷフィルタと集中定
数素子により構成される分波器において、二つのＳＡＷ
フィルタと集中定数素子を樹脂基板の表層に、各素子を
接続する配線部を第２層に、分波回路の線路を第３層に
設定するようにしたものである。
ルタと集中定数素子により構成される分波器において、
二つのＳＡＷフィルタと集中定数素子を樹脂基板の表層
に、各素子を接続する配線部を第２層に、分波回路の線
路を前記表層及び前記第２層以外の層に設定するように
したものである。 〔３〕通過帯域の異なる二つのＳＡＷフィルタと集中定
数素子により構成される分波器において、二つのＳＡＷ
フィルタと集中定数素子を樹脂基板の表層に、各素子を
接続する配線部を第２層に、分波回路の線路を第３層に
設定するようにしたものである。
【００１２】〔４〕上記〔３〕記載の分波器多層基板パ
ッケージにおいて、前記第２層の配線部と前記第３層の
分波回路の線路とが交差しないように配置するようにし
たものである。
ッケージにおいて、前記第２層の配線部と前記第３層の
分波回路の線路とが交差しないように配置するようにし
たものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示す分波器
の構成図である。この図に示すように、ＡＮＴ端２００
のＬＣ素子（Ｌ１，Ｃ１，ＣＤ１），Ｔｘ端２０１のＬ
Ｃ素子（Ｌ３，Ｃ３，ＣＤ３）及びＲｘ端２０２の素子
（Ｌ４，Ｃ４，ＣＤ４）は、後述する樹脂基板を用いた
多層基板の第１層（表層）に設定されている。
て詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示す分波器
の構成図である。この図に示すように、ＡＮＴ端２００
のＬＣ素子（Ｌ１，Ｃ１，ＣＤ１），Ｔｘ端２０１のＬ
Ｃ素子（Ｌ３，Ｃ３，ＣＤ３）及びＲｘ端２０２の素子
（Ｌ４，Ｃ４，ＣＤ４）は、後述する樹脂基板を用いた
多層基板の第１層（表層）に設定されている。
【００１４】更に、ＡＮＴ端２００とＳＡＷ送信用フィ
ルタ（ＦT ）２０６間の接続と、Ｔｘ端２０１とＳＡＷ
送信用フィルタ（ＦT ）２０６間の接続、Ｒｘ端２０２
とＳＡＷ受信用フィルタ（ＦR ）２０７間の接続線は、
後述する多層基板の第２層に、線路長Ｌが（Ｌ≒λ／
４）の受信用整合回路２２０は後述する多層基板の第３
層に設けられている。なお、２０５及び２０８〜２１５
は接続点である。
ルタ（ＦT ）２０６間の接続と、Ｔｘ端２０１とＳＡＷ
送信用フィルタ（ＦT ）２０６間の接続、Ｒｘ端２０２
とＳＡＷ受信用フィルタ（ＦR ）２０７間の接続線は、
後述する多層基板の第２層に、線路長Ｌが（Ｌ≒λ／
４）の受信用整合回路２２０は後述する多層基板の第３
層に設けられている。なお、２０５及び２０８〜２１５
は接続点である。
【００１５】このように、樹脂基板を用いた多層基板
で、後述する第１層、第２層及び第３層を用いて図１に
示す分波器を構成した場合の各結線間の結合を少なくし
て、低挿入損失、高減衰化の高性能分波器を実現するこ
とができる。図２は本発明の樹脂基板を用いた分波器多
層基板パッケージの層構成を示す図、図３はその分波器
多層基板パッケージの第１層（表層）パターン層構成を
示す図、図４はその分波器多層基板パッケージの第２層
パターン層構成を示す図、図５はその分波器多層基板パ
ッケージの第３層パターン層構成を示す図である。
で、後述する第１層、第２層及び第３層を用いて図１に
示す分波器を構成した場合の各結線間の結合を少なくし
て、低挿入損失、高減衰化の高性能分波器を実現するこ
とができる。図２は本発明の樹脂基板を用いた分波器多
層基板パッケージの層構成を示す図、図３はその分波器
多層基板パッケージの第１層（表層）パターン層構成を
示す図、図４はその分波器多層基板パッケージの第２層
パターン層構成を示す図、図５はその分波器多層基板パ
ッケージの第３層パターン層構成を示す図である。
【００１６】図２に示すように、樹脂基板を用いた分波
器多層基板パッケージの層構成は、第１層（表層）３０
０（厚さ５１μｍ）、第１の樹脂基板３５０（１００μ
ｍ）、第２層４００（３３μｍ）、第２の樹脂基板４５
０（２００μｍ）、第３層５００（３３μｍ）、第３の
樹脂基板５５０（１００μｍ）、パッド／ＧＮＤ層（裏
面）６００（５１μｍ）、スルーホール６０１、第１層
〜第２層間ブラインドビア６０２、第３層〜パッド／Ｇ
ＮＤ層間ブラインドビア６０３を有している。なお、樹
脂基板材料としては、ＢＴ樹脂板（比誘電率４．７）を
用いている。また、基板の外形寸法は、１２．５ｍｍ×
８．０ｍｍ×０．７±０．０５ｍｍ（厚み寸法はレジス
トを含む）である。
器多層基板パッケージの層構成は、第１層（表層）３０
０（厚さ５１μｍ）、第１の樹脂基板３５０（１００μ
ｍ）、第２層４００（３３μｍ）、第２の樹脂基板４５
０（２００μｍ）、第３層５００（３３μｍ）、第３の
樹脂基板５５０（１００μｍ）、パッド／ＧＮＤ層（裏
面）６００（５１μｍ）、スルーホール６０１、第１層
〜第２層間ブラインドビア６０２、第３層〜パッド／Ｇ
ＮＤ層間ブラインドビア６０３を有している。なお、樹
脂基板材料としては、ＢＴ樹脂板（比誘電率４．７）を
用いている。また、基板の外形寸法は、１２．５ｍｍ×
８．０ｍｍ×０．７±０．０５ｍｍ（厚み寸法はレジス
トを含む）である。
【００１７】図３に示すように、多層基板の第１層３０
０には、第１層パターン３０１が形成され、ＳＡＷ送信
用フィルタ（ＦT ）２０６、ＳＡＷ受信用フィルタ（Ｆ
R ）２０７及び集中定数素子（Ｌ１，Ｃ１，ＣＤ１）、
（Ｌ３，Ｃ３，ＣＤ３）、（Ｌ４，Ｃ４，ＣＤ４）が搭
載される。そして、ＡＮＴ端２００から点線（第２層配
線参照）を介して、集中定数素子（Ｌ１，Ｃ１，ＣＤ
１）が接続され、更に、接続点２０５，２０８からワイ
ヤボンディングによりＳＡＷ送信用フィルタ（ＦT ）２
０６に接続され、もう一方は、接続点２１０から点線
（第２層配線参照）を介して、集中定数素子（Ｌ３，Ｃ
３，ＣＤ３）から点線（第２層配線参照）を介して出力
端２０１に接続される。アース側はＥパターンによって
接続されている。
０には、第１層パターン３０１が形成され、ＳＡＷ送信
用フィルタ（ＦT ）２０６、ＳＡＷ受信用フィルタ（Ｆ
R ）２０７及び集中定数素子（Ｌ１，Ｃ１，ＣＤ１）、
（Ｌ３，Ｃ３，ＣＤ３）、（Ｌ４，Ｃ４，ＣＤ４）が搭
載される。そして、ＡＮＴ端２００から点線（第２層配
線参照）を介して、集中定数素子（Ｌ１，Ｃ１，ＣＤ
１）が接続され、更に、接続点２０５，２０８からワイ
ヤボンディングによりＳＡＷ送信用フィルタ（ＦT ）２
０６に接続され、もう一方は、接続点２１０から点線
（第２層配線参照）を介して、集中定数素子（Ｌ３，Ｃ
３，ＣＤ３）から点線（第２層配線参照）を介して出力
端２０１に接続される。アース側はＥパターンによって
接続されている。
【００１８】また、ＳＡＷ受信用フィルタ（ＦR ）２０
７の接続は、接続点２０５，２０８からストリップライ
ン（第３層配線参照）を介して、接続点２１２に接続さ
れ、この接続点２１２からワイヤボンディングによりＳ
ＡＷ送信用フィルタ（ＦT ）２０６に接続され、もう一
方は、接続点２１４から点線（第２層配線参照）を介し
て、集中定数素子（Ｌ４，Ｃ４，ＣＤ４、なお、ここ
で、Ｃ４は図示されていないが、搭載チップ上に階層的
に実装される）から点線（第２層配線参照）を介して受
信端２０２に接続される。アース側はＥパターンによっ
て接続されている。
７の接続は、接続点２０５，２０８からストリップライ
ン（第３層配線参照）を介して、接続点２１２に接続さ
れ、この接続点２１２からワイヤボンディングによりＳ
ＡＷ送信用フィルタ（ＦT ）２０６に接続され、もう一
方は、接続点２１４から点線（第２層配線参照）を介し
て、集中定数素子（Ｌ４，Ｃ４，ＣＤ４、なお、ここ
で、Ｃ４は図示されていないが、搭載チップ上に階層的
に実装される）から点線（第２層配線参照）を介して受
信端２０２に接続される。アース側はＥパターンによっ
て接続されている。
【００１９】なお、３１１，３１２は表層から第３層に
貫通されるスルーホール、３２１〜３２７は表層から第
２へのビィアホールである。また、３４０はパッケージ
の周囲に形成される側面接地ビィアホールである。次
に、図４に示すように、多層基板の第２層４００には、
第２層パターン４０１が形成されている。つまり、第１
層３００に搭載されたＳＡＷ送信用フィルタ（ＦT ）２
０６、ＳＡＷ受信用フィルタ（ＦR ）２０７及び集中定
数素子（Ｌ１，Ｃ１，ＣＤ１）、（Ｌ３，Ｃ３，ＣＤ
３）、（Ｌ４，Ｃ４，ＣＤ４）の接続のための配線パタ
ーンが設けられている。
貫通されるスルーホール、３２１〜３２７は表層から第
２へのビィアホールである。また、３４０はパッケージ
の周囲に形成される側面接地ビィアホールである。次
に、図４に示すように、多層基板の第２層４００には、
第２層パターン４０１が形成されている。つまり、第１
層３００に搭載されたＳＡＷ送信用フィルタ（ＦT ）２
０６、ＳＡＷ受信用フィルタ（ＦR ）２０７及び集中定
数素子（Ｌ１，Ｃ１，ＣＤ１）、（Ｌ３，Ｃ３，ＣＤ
３）、（Ｌ４，Ｃ４，ＣＤ４）の接続のための配線パタ
ーンが設けられている。
【００２０】すなわち、ＡＮＴ端２００から接続点２０
５への配線パターン４０２、送信端２０１から接続点２
１０への配線パターン４０３，４０４、接続点２１４か
ら受信端２０２への配線パターン４０５，４０６が形成
されている。また、図５に示すように、多層基板の第３
層５００には、第３層パターン５０１が形成されてい
る。つまり、ＳＡＷ送信用フィルタ（ＦT ）２０６とＳ
ＡＷ受信用フィルタ（ＦR ）２０７により分波器を構成
するために必要な線路長λ／４のストリップラインが設
けられている。
５への配線パターン４０２、送信端２０１から接続点２
１０への配線パターン４０３，４０４、接続点２１４か
ら受信端２０２への配線パターン４０５，４０６が形成
されている。また、図５に示すように、多層基板の第３
層５００には、第３層パターン５０１が形成されてい
る。つまり、ＳＡＷ送信用フィルタ（ＦT ）２０６とＳ
ＡＷ受信用フィルタ（ＦR ）２０７により分波器を構成
するために必要な線路長λ／４のストリップラインが設
けられている。
【００２１】すなわち、接続点２０５から接続点２１２
まで、細い線路長がλ／４のストリップライン５０２が
形成されている。このように、この実施例によれば、分
波器を樹脂基板にコンパクトに容易に構成することがで
きる。ところで、この実施例の場合においては、層間の
接続線の交差部分は第２層と第３層における線路長Ｌ
が、（Ｌ≒λ／４）の受信用整合回路２２０とＳＡＷ送
信用フィルタ（ＦT ）２０６の出力部２１０〔Ａ点〕及
びＳＡＷ受信用フィルタ（ＦR ）２０７の出力部２１４
〔Ｂ点〕が交差配線されることになり、電気的に結合し
ている。
まで、細い線路長がλ／４のストリップライン５０２が
形成されている。このように、この実施例によれば、分
波器を樹脂基板にコンパクトに容易に構成することがで
きる。ところで、この実施例の場合においては、層間の
接続線の交差部分は第２層と第３層における線路長Ｌ
が、（Ｌ≒λ／４）の受信用整合回路２２０とＳＡＷ送
信用フィルタ（ＦT ）２０６の出力部２１０〔Ａ点〕及
びＳＡＷ受信用フィルタ（ＦR ）２０７の出力部２１４
〔Ｂ点〕が交差配線されることになり、電気的に結合し
ている。
【００２２】この場合の分波器の構成は、図６に示すよ
うに、容量ＣTL，ＣRL，ＣTR1 及びＣTR2 により結合し
た構成になる。この容量Ｃは誘電率ε、縦Ｗ（ｃｍ）、
横Ｌ（ｃｍ）、間隔ｄ（ｃｍ）の場合、次式（１）で与
えられる。 Ｃ＝０．０８８５×ε×Ｗ×Ｌ／ｄ（ｐＦ） …（１） 図７は本発明の実施例を示す樹脂基板を用いた分波器多
層基板パッケージの結合を考慮したフィルタ構成を示す
図、図８は本発明の実施例を示す樹脂基板の層間結合を
考慮した場合のＴｘフィルタ側の構成図であり、図８
（ａ）は本発明の有効性を示すためのＴｘフィルタ側の
構成図、図８（ｂ）は図８（ａ）の作用を説明するため
の簡略化したＴｘフィルタ側の構成図である。
うに、容量ＣTL，ＣRL，ＣTR1 及びＣTR2 により結合し
た構成になる。この容量Ｃは誘電率ε、縦Ｗ（ｃｍ）、
横Ｌ（ｃｍ）、間隔ｄ（ｃｍ）の場合、次式（１）で与
えられる。 Ｃ＝０．０８８５×ε×Ｗ×Ｌ／ｄ（ｐＦ） …（１） 図７は本発明の実施例を示す樹脂基板を用いた分波器多
層基板パッケージの結合を考慮したフィルタ構成を示す
図、図８は本発明の実施例を示す樹脂基板の層間結合を
考慮した場合のＴｘフィルタ側の構成図であり、図８
（ａ）は本発明の有効性を示すためのＴｘフィルタ側の
構成図、図８（ｂ）は図８（ａ）の作用を説明するため
の簡略化したＴｘフィルタ側の構成図である。
【００２３】この結合容量Ｃによる減衰ＡＴＴは次式
（２）で与えられる。 ＡＴＴ＝１０×Ｌｏｇ〔１＋１／（Ｗ×Ｃ）2 〕 （ｄＢ） …（２） ここで、Ｃ＝ｊＷ，Ｗ＝２πｆである。今、ｆ＝０．９
Ｅ＋９（Ｈｚ）、Ｃ＝０．０３５４（ｐＦ）の場合、Ａ
ＴＴ＝４０（ｄＢ）である。
（２）で与えられる。 ＡＴＴ＝１０×Ｌｏｇ〔１＋１／（Ｗ×Ｃ）2 〕 （ｄＢ） …（２） ここで、Ｃ＝ｊＷ，Ｗ＝２πｆである。今、ｆ＝０．９
Ｅ＋９（Ｈｚ）、Ｃ＝０．０３５４（ｐＦ）の場合、Ａ
ＴＴ＝４０（ｄＢ）である。
【００２４】また、ｆ＝０．９Ｅ＋９（Ｈｚ），Ｃ＝
０．００３５４（ｐＦ）の場合、ＡＴＴ＝４０（ｄＢ）
〔？〕である。図において、ＡＮＴ端２００のＬＣ素子
（Ｌ１，Ｃ１，ＣＤ１），Ｔｘ端２０１のＬＣ素子（Ｌ
３，Ｃ３，ＣＤ３）及びＲｘ端２０２のＬＣ素子（Ｌ
４，Ｃ４，ＣＤ４）は、上記した多層基板の第１層（表
層）３００に設定され、ＡＮＴ端２００とＳＡＷ送信用
フィルタ（ＦT ）２０６間の接続と、Ｔｘ端２０１とＳ
ＡＷ送信用フィルタ（ＦT ）２０６間の接続、Ｒｘ端２
０２とＳＡＷ受信用フィルタ（ＦR ）２０７間の接続は
多層基板の第２層４００、線路長Ｌが（Ｌ≒λ／４）の
受信用整合回路は多層基板の第３層５００に設けられて
いる。
０．００３５４（ｐＦ）の場合、ＡＴＴ＝４０（ｄＢ）
〔？〕である。図において、ＡＮＴ端２００のＬＣ素子
（Ｌ１，Ｃ１，ＣＤ１），Ｔｘ端２０１のＬＣ素子（Ｌ
３，Ｃ３，ＣＤ３）及びＲｘ端２０２のＬＣ素子（Ｌ
４，Ｃ４，ＣＤ４）は、上記した多層基板の第１層（表
層）３００に設定され、ＡＮＴ端２００とＳＡＷ送信用
フィルタ（ＦT ）２０６間の接続と、Ｔｘ端２０１とＳ
ＡＷ送信用フィルタ（ＦT ）２０６間の接続、Ｒｘ端２
０２とＳＡＷ受信用フィルタ（ＦR ）２０７間の接続は
多層基板の第２層４００、線路長Ｌが（Ｌ≒λ／４）の
受信用整合回路は多層基板の第３層５００に設けられて
いる。
【００２５】以下、第２層と第３層の配線が交差するこ
とのない配置を行うことにより、更なる容量の低減を図
り得る分波器について説明する。図９は本発明の他の実
施例を示す分波器多層基板パッケージの第１層（表層）
パターン層構成を示す図、図１０はその分波器多層基板
パッケージの第２層パターン層構成を示す図、図１１は
その分波器多層基板パッケージの第３層パターン層構成
を示す図である。
とのない配置を行うことにより、更なる容量の低減を図
り得る分波器について説明する。図９は本発明の他の実
施例を示す分波器多層基板パッケージの第１層（表層）
パターン層構成を示す図、図１０はその分波器多層基板
パッケージの第２層パターン層構成を示す図、図１１は
その分波器多層基板パッケージの第３層パターン層構成
を示す図である。
【００２６】図９に示す分波器多層基板パッケージの第
１層７００の第１層パターン７０１は、図３に示した実
施例のものと略同様である。また、図１０に示す分波器
多層基板パッケージの第２層８００の第２層パターン８
０１は、図４に示した実施例のものと略同様である。そ
して、図１１に示す分波器多層基板パッケージの第３層
９００の第３層パターン９０１は、線路長がλ／４のス
トリップライン９０２の形状は、図５に示されたものと
は異なっている。すなわち、スルーホール３１１からス
ルーホール３１２にわたってより右側寄りに配置され、
周回距離は、図５に比べて短くなるので、それをカバー
するために、つまり線路長さを稼ぐために、蛇行部分９
０２Ａが形成されている。
１層７００の第１層パターン７０１は、図３に示した実
施例のものと略同様である。また、図１０に示す分波器
多層基板パッケージの第２層８００の第２層パターン８
０１は、図４に示した実施例のものと略同様である。そ
して、図１１に示す分波器多層基板パッケージの第３層
９００の第３層パターン９０１は、線路長がλ／４のス
トリップライン９０２の形状は、図５に示されたものと
は異なっている。すなわち、スルーホール３１１からス
ルーホール３１２にわたってより右側寄りに配置され、
周回距離は、図５に比べて短くなるので、それをカバー
するために、つまり線路長さを稼ぐために、蛇行部分９
０２Ａが形成されている。
【００２７】したがって、図１０における第２層パター
ンと図１１における第３層パターンとを重ねた状態にし
ても、層間の接続線の交差部分が生じることはなくな
る。つまり、第２層と第３層における線路長Ｌが（Ｌ≒
λ／４）の受信用整合回路とＳＡＷ送信用フィルタ（Ｆ
T ）２０６の出力部２１０〔Ａ点〕及びＳＡＷ受信用フ
ィルタ（ＦR ）２０７の出力部２１４〔Ｂ点〕が交差配
線されることはなくなる。
ンと図１１における第３層パターンとを重ねた状態にし
ても、層間の接続線の交差部分が生じることはなくな
る。つまり、第２層と第３層における線路長Ｌが（Ｌ≒
λ／４）の受信用整合回路とＳＡＷ送信用フィルタ（Ｆ
T ）２０６の出力部２１０〔Ａ点〕及びＳＡＷ受信用フ
ィルタ（ＦR ）２０７の出力部２１４〔Ｂ点〕が交差配
線されることはなくなる。
【００２８】このように、この実施例によれば、樹脂基
板を用いた多層基板で、第１層、第２層及び第３層を用
いて分波器を構成した場合の各結線間の結合を少なくし
て、低挿入損失、高減衰化の高性能分波器を実現するこ
とができる。また、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
板を用いた多層基板で、第１層、第２層及び第３層を用
いて分波器を構成した場合の各結線間の結合を少なくし
て、低挿入損失、高減衰化の高性能分波器を実現するこ
とができる。また、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２９】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１乃至３記載の発明によれば、ＳＡＷフィ
ルタを用いて構成される分波器において、従来、多層化
に用いられてＡｌ2 Ｏ3 基板に代わり、樹脂基板を用い
て、各ＳＡＷフィルタ、整合用線路及び各ＬＣフィルタ
間の結線網を多層基板内に具備することにより、配線長
の短縮及び結線網間の交差を可能な限り少なく、分波器
構成時における挿入損失の増加を可能な限り小さくし、
分波器の低挿入損失化を図ることができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１乃至３記載の発明によれば、ＳＡＷフィ
ルタを用いて構成される分波器において、従来、多層化
に用いられてＡｌ2 Ｏ3 基板に代わり、樹脂基板を用い
て、各ＳＡＷフィルタ、整合用線路及び各ＬＣフィルタ
間の結線網を多層基板内に具備することにより、配線長
の短縮及び結線網間の交差を可能な限り少なく、分波器
構成時における挿入損失の増加を可能な限り小さくし、
分波器の低挿入損失化を図ることができる。
【００３０】（２）請求項４記載の発明によれば、更
に、ＡＮＴ端、Ｔｘ端、Ｒｘ端及び各ＳＡＷフィルタ間
の接続配線の交差部をなくしたことにより、分波器の一
層の低挿入損失、高減衰化を図ることができる。
に、ＡＮＴ端、Ｔｘ端、Ｒｘ端及び各ＳＡＷフィルタ間
の接続配線の交差部をなくしたことにより、分波器の一
層の低挿入損失、高減衰化を図ることができる。
【図１】本発明の実施例を示す分波器の構成図である。
【図２】本発明の実施例を示す樹脂基板を用いた分波器
多層基板パッケージの層構成を示す図である。
多層基板パッケージの層構成を示す図である。
【図３】本発明の実施例を示す分波器多層基板パッケー
ジの第１層（表層）パターン層構成を示す図である。
ジの第１層（表層）パターン層構成を示す図である。
【図４】本発明の実施例を示す分波器多層基板パッケー
ジの第２層パターン層構成を示す図である。
ジの第２層パターン層構成を示す図である。
【図５】本発明の実施例を示す分波器多層基板パッケー
ジの第３層パターン層構成を示す図である。
ジの第３層パターン層構成を示す図である。
【図６】本発明の実施例を示す分波器多層基板パッケー
ジの結合を考慮した構成図である。
ジの結合を考慮した構成図である。
【図７】本発明の実施例を示す樹脂基板を用いた分波器
多層基板パッケージの結合を考慮したフィルタ構成を示
す図である。
多層基板パッケージの結合を考慮したフィルタ構成を示
す図である。
【図８】本発明の実施例を示す樹脂基板の層間結合を考
慮した場合のＴｘフィルタ側の構成図である。
慮した場合のＴｘフィルタ側の構成図である。
【図９】本発明の他の実施例を示す分波器多層基板パッ
ケージの第１層（表層）パターン層構成を示す図であ
る。
ケージの第１層（表層）パターン層構成を示す図であ
る。
【図１０】本発明の他の実施例を示す分波器多層基板パ
ッケージの第２層パターン層構成を示す図である。
ッケージの第２層パターン層構成を示す図である。
【図１１】本発明の他の実施例を示す分波器多層基板パ
ッケージの第３層パターン層構成を示す図である。
ッケージの第３層パターン層構成を示す図である。
【図１２】従来の携帯電話のアンテナと送信回路および
受信回路に介在される分波器の回路構成を示す図であ
る。
受信回路に介在される分波器の回路構成を示す図であ
る。
【図１３】従来のＳＡＷフィルタを用いた分波器の構成
例を示す図である。
例を示す図である。
２００ ＡＮＴ端 ２０１ Ｔｘ端（送信端） ２０２ Ｒｘ端（受信端） ２０５，２０８，２１２，２１４ 接続点 ２０６ ＳＡＷ送信用フィルタ（ＦT ） ２０７ ＳＡＷ受信用フィルタ（ＦR ） ２１０ 送信用フィルタの出力部（Ａ） ２１４ 受信用フィルタの出力部（Ｂ） ２２０ 受信用整合回路 ３００，７００ 第１層（表層） ３０１，７０１ 第１層パターン ３１１，３１２ スルーホール ３２１〜３２７，３４０ ビィアホール ３５０ 第１の樹脂基板 ４００，８００ 第２層 ４０１，８０１ 第２層パターン ４０２，４０３，４０４，４０５，４０６ 配線パタ
ーン ４５０ 第２の樹脂基板 ５００，９００ 第３層 ５０１，９０１ 第３層パターン ５０２，９０２ ストリップライン ５５０ 第３の樹脂基板 ６００ パッド／ＧＮＤ層（裏面） ６０１ スルーホール ６０２ 第１層〜第２層間ブラインドビア ６０３ 第３層〜パッド／ＧＮＤ層間ブラインドビア ９０２Ａ 蛇行部分
ーン ４５０ 第２の樹脂基板 ５００，９００ 第３層 ５０１，９０１ 第３層パターン ５０２，９０２ ストリップライン ５５０ 第３の樹脂基板 ６００ パッド／ＧＮＤ層（裏面） ６０１ スルーホール ６０２ 第１層〜第２層間ブラインドビア ６０３ 第３層〜パッド／ＧＮＤ層間ブラインドビア ９０２Ａ 蛇行部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 島村 一 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内 (72)発明者 藤田 義昭 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内 (72)発明者 駒崎 友和 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 通過帯域の異なる二つのＳＡＷフィルタ
と集中定数素子により構成される分波器において、 二つのＳＡＷフィルタと集中定数素子を樹脂基板の表層
に、各素子を接続する配線部と分波回路の線路を樹脂基
板の中層に設定するようにしたことを特徴とする分波器
多層基板パッケージ。 - 【請求項２】 通過帯域の異なる二つのＳＡＷフィルタ
と集中定数素子により構成される分波器において、 二つのＳＡＷフィルタと集中定数素子を樹脂基板の表層
に、各素子を接続する配線部を第２層に、分波回路の線
路を前記表層及び前記第２層以外の層に設定するように
したことを特徴とする分波器多層基板パッケージ。 - 【請求項３】 通過帯域の異なる二つのＳＡＷフィルタ
と集中定数素子により構成される分波器において、 二つのＳＡＷフィルタと集中定数素子を樹脂基板の表層
に、各素子を接続する配線部を第２層に、分波回路の線
路を第３層に設定するようにしたことを特徴とする分波
器多層基板パッケージ。 - 【請求項４】 請求項３記載の分波器多層基板パッケー
ジにおいて、前記第２層の配線部と前記第３層の分波回
路の線路とが交差しないように配置することを特徴とす
る分波器多層基板パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35645797A JPH11186872A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 分波器多層基板パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35645797A JPH11186872A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 分波器多層基板パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186872A true JPH11186872A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18449111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35645797A Withdrawn JPH11186872A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 分波器多層基板パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186872A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6489861B2 (en) * | 2000-04-28 | 2002-12-03 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Antenna duplexer with divided and grounded transmission line |
| GB2382933A (en) * | 2001-07-30 | 2003-06-11 | Murata Manufacturing Co | Surface acoustic wave duplexer and matching strip line |
| EP1675262A3 (en) * | 2004-12-22 | 2007-09-12 | Fujitsu Media Devices Limited | Duplexer |
| JP2008085569A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Kyocera Corp | 分波器 |
| JP2012506185A (ja) * | 2008-10-17 | 2012-03-08 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | Ｇｐｓ用周波数帯域において帯域外サプレッション効果をもつアンテナデュプレクサ |
-
1997
- 1997-12-25 JP JP35645797A patent/JPH11186872A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6489861B2 (en) * | 2000-04-28 | 2002-12-03 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Antenna duplexer with divided and grounded transmission line |
| GB2382933A (en) * | 2001-07-30 | 2003-06-11 | Murata Manufacturing Co | Surface acoustic wave duplexer and matching strip line |
| GB2382933B (en) * | 2001-07-30 | 2004-02-18 | Murata Manufacturing Co | Surface acoustic wave duplexer and communication apparatus |
| US6781479B2 (en) | 2001-07-30 | 2004-08-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave duplexer and communication apparatus |
| EP1675262A3 (en) * | 2004-12-22 | 2007-09-12 | Fujitsu Media Devices Limited | Duplexer |
| US7579927B2 (en) * | 2004-12-22 | 2009-08-25 | Fujitsu Media Devices Limited | Duplexer |
| JP2008085569A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Kyocera Corp | 分波器 |
| JP2012506185A (ja) * | 2008-10-17 | 2012-03-08 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | Ｇｐｓ用周波数帯域において帯域外サプレッション効果をもつアンテナデュプレクサ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2905094B2 (ja) | 分波器パッケージ | |
| JP3222072B2 (ja) | 分波器パッケージ | |
| KR100717659B1 (ko) | 분파기 및 전자 장치 | |
| US7941103B2 (en) | Duplexer | |
| KR100697767B1 (ko) | 분파기 및 전자 장치 | |
| JP3375936B2 (ja) | 分波器デバイス | |
| JP2009544201A (ja) | 電気モジュール | |
| JPH0758506A (ja) | Ｌｃ型誘電体フィルタ、およびこれを用いた空中線共用器 | |
| JP3433430B2 (ja) | 分波器 | |
| JP2001211097A (ja) | マルチバンド用高周波スイッチモジュール | |
| JP3525408B2 (ja) | 分波器パッケージ | |
| KR20000076755A (ko) | 분포 정수 필터 및 그 제조 방법 및 분포 정수 필터 회로기판 | |
| JP2006086871A (ja) | 複合型分波回路、並びにそれを用いたチップ部品、高周波モジュール及び無線通信機器 | |
| JPH08191230A (ja) | 分波器 | |
| JPH11186872A (ja) | 分波器多層基板パッケージ | |
| JP2005184773A (ja) | 複合型分波回路、並びにそれを用いたチップ部品、高周波モジュール及び無線通信機器 | |
| KR100759737B1 (ko) | 분파 필터 패키지 | |
| JP2012222491A (ja) | モジュール | |
| US7183878B2 (en) | Surface acoustic wave filter | |
| JP2003152590A (ja) | アンテナスイッチモジュール | |
| JPH0951206A (ja) | 分波器及びその製造方法 | |
| JPH09181567A (ja) | 弾性表面波分波器 | |
| JPH1075153A (ja) | 分波器パッケージ | |
| JP2005277522A (ja) | 電子部品 | |
| JP4473147B2 (ja) | 位相線路及び分波器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050301 |