JP2003032076A - モジュール部品 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】弾性表面波素子をフリップ−チップ搭載したモ
ジュール部品において、小型化を図りながら、整合回路
を搭載し得るモジュール部品を提供する。 【解決手段】多層基板１００は、内部に複数の受動素子
Ｃ２８、Ｃ３８、Ｌ２３、Ｌ３３を含んでいる。弾性表
面波素子ＳＡＷ１は、電極形成面２０１が所定の間隔ｄ
１を保って多層基板１００の表面１０１に対向して、多
層基板１００の表面１０１上に搭載されている。整合回
路４１、４２は、少なくとも一部が、多層基板１００の
表面１０１における弾性表面波素子ＳＡＷ１の投影面１
０２内に形成され、弾性表面波素子ＳＡＷ１と電気的に
接続されている。
ジュール部品において、小型化を図りながら、整合回路
を搭載し得るモジュール部品を提供する。 【解決手段】多層基板１００は、内部に複数の受動素子
Ｃ２８、Ｃ３８、Ｌ２３、Ｌ３３を含んでいる。弾性表
面波素子ＳＡＷ１は、電極形成面２０１が所定の間隔ｄ
１を保って多層基板１００の表面１０１に対向して、多
層基板１００の表面１０１上に搭載されている。整合回
路４１、４２は、少なくとも一部が、多層基板１００の
表面１０１における弾性表面波素子ＳＡＷ１の投影面１
０２内に形成され、弾性表面波素子ＳＡＷ１と電気的に
接続されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波素子を
含むモジュール部品に関する。
含むモジュール部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のモジュール部品として
は、パッケージ型弾性表面波部品と、半田付け可能な電
子部品とを、多層基板に混載したタイプのものが一般的
であった。
は、パッケージ型弾性表面波部品と、半田付け可能な電
子部品とを、多層基板に混載したタイプのものが一般的
であった。
【０００３】しかし、パッケージ型弾性表面波部品は、
パッケージを有する分だけ、背が高くなると共に、占有
面積が拡大する。例えば、従来は、１．３ｍｍ＊０．８
ｍｍ＊０．３５ｍｍの弾性表面波素子に、２．５ｍｍ＊
２．０ｍｍ＊１．０ｍｍのパッケージを装着した構造で
あり、高さ及び占有面積を、パッケージの上記寸法以下
に縮小することができなかった。しかも、パッケージの
分だけ、コストが高くなり、重くなるという問題点もあ
った。
パッケージを有する分だけ、背が高くなると共に、占有
面積が拡大する。例えば、従来は、１．３ｍｍ＊０．８
ｍｍ＊０．３５ｍｍの弾性表面波素子に、２．５ｍｍ＊
２．０ｍｍ＊１．０ｍｍのパッケージを装着した構造で
あり、高さ及び占有面積を、パッケージの上記寸法以下
に縮小することができなかった。しかも、パッケージの
分だけ、コストが高くなり、重くなるという問題点もあ
った。
【０００４】この種のモジュール部品を組み込むべき携
帯電話などの電子機器では、モジュール部品に対する小
型化、低背化、低コスト化の要求が非常に強く、上述し
た従来のモジュール部品では、この市場要求に応えるこ
とができなくなりつつある。
帯電話などの電子機器では、モジュール部品に対する小
型化、低背化、低コスト化の要求が非常に強く、上述し
た従来のモジュール部品では、この市場要求に応えるこ
とができなくなりつつある。
【０００５】上述したパッケージ型弾性表面波部品の有
する問題点を解決する手段として、「将来の移動通信シ
ステムのための超音波装置に関する国際シンポジウム
（International Symposium on Acoustic Wave Devices
for Future Mobile Communication Systems）２００１
年３月５日〜７日、千葉大学」の論文集１４５頁〜１５
０頁には、弾性表面波素子を、パッケージを持たないむ
き出しの状態で、多層基板の表面にフリップ−チップ搭
載方式で搭載し、弾性表面波素子と半田付け電子部品と
を混載したモジュール部品が開示されている。
する問題点を解決する手段として、「将来の移動通信シ
ステムのための超音波装置に関する国際シンポジウム
（International Symposium on Acoustic Wave Devices
for Future Mobile Communication Systems）２００１
年３月５日〜７日、千葉大学」の論文集１４５頁〜１５
０頁には、弾性表面波素子を、パッケージを持たないむ
き出しの状態で、多層基板の表面にフリップ−チップ搭
載方式で搭載し、弾性表面波素子と半田付け電子部品と
を混載したモジュール部品が開示されている。
【０００６】上述した先行技術文献に開示された技術に
よれば、パッケージ型弾性表面波部品を用いたモジュー
ル部品の有する欠点をほぼ解消できる。
よれば、パッケージ型弾性表面波部品を用いたモジュー
ル部品の有する欠点をほぼ解消できる。
【０００７】しかし、伝送効率の改善や伝送特性の改善
等を目的として、フリップ−チップ搭載方式で搭載され
た弾性表面波素子に整合回路を付設しようとした場合、
その配置をどうするかについて、極めて大きな障害が生
じる。何故なら、フリップ−チップ搭載方式で弾性表面
波素子を搭載する目的の一つは、多層基板の平面積を縮
小して小型化することにあり、多層基板の平面積は、実
質的に、弾性表面波素子の実装に要する面積分と、混載
チップ部品の実装に要する面積分が考慮されているだけ
であり、整合回路を設けるためのスペースは確保されて
いない。
等を目的として、フリップ−チップ搭載方式で搭載され
た弾性表面波素子に整合回路を付設しようとした場合、
その配置をどうするかについて、極めて大きな障害が生
じる。何故なら、フリップ−チップ搭載方式で弾性表面
波素子を搭載する目的の一つは、多層基板の平面積を縮
小して小型化することにあり、多層基板の平面積は、実
質的に、弾性表面波素子の実装に要する面積分と、混載
チップ部品の実装に要する面積分が考慮されているだけ
であり、整合回路を設けるためのスペースは確保されて
いない。
【０００８】このような条件の下で、整合回路のために
多層基板の平面積を拡大することは、フリップ−チップ
搭載方式にして、小型化を図ろうとした本来の趣旨が没
却される。
多層基板の平面積を拡大することは、フリップ−チップ
搭載方式にして、小型化を図ろうとした本来の趣旨が没
却される。
【０００９】別の手段として、整合回路を多層基板の内
部に形成する構造も考えられる。しかし、整合回路を多
層基板の内部に形成した場合には、弾性表面波素子と整
合回路との間隔が大きくなるので、予測困難な分布定数
が発生し、高周波特性が劣化する。
部に形成する構造も考えられる。しかし、整合回路を多
層基板の内部に形成した場合には、弾性表面波素子と整
合回路との間隔が大きくなるので、予測困難な分布定数
が発生し、高周波特性が劣化する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、弾性
表面波素子をフリップ−チップ搭載したモジュール部品
において、小型化を図りながら、整合回路を搭載し得る
ようにしたモジュール部品を提供することである。
表面波素子をフリップ−チップ搭載したモジュール部品
において、小型化を図りながら、整合回路を搭載し得る
ようにしたモジュール部品を提供することである。
【００１１】本発明のもう一つの課題は、弾性表面波素
子をフリップ−チップ搭載したモジュール部品におい
て、高周波特性の劣化を生じさせることなく整合回路を
搭載したモジュール部品を提供することである。
子をフリップ−チップ搭載したモジュール部品におい
て、高周波特性の劣化を生じさせることなく整合回路を
搭載したモジュール部品を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明に係るモジュール部品は、多層基板と、弾
性表面波素子と、整合回路とを含む。多層基板は、内部
に複数の受動素子を含んでいる。弾性表面波素子は、電
極形成面が所定の間隔を保って多層基板の表面に対向し
て、多層基板の表面上に搭載されている。整合回路は、
少なくとも一部が、多層基板の表面における弾性表面波
素子の投影面内に形成され、弾性表面波素子と電気的に
接続されている。
ため、本発明に係るモジュール部品は、多層基板と、弾
性表面波素子と、整合回路とを含む。多層基板は、内部
に複数の受動素子を含んでいる。弾性表面波素子は、電
極形成面が所定の間隔を保って多層基板の表面に対向し
て、多層基板の表面上に搭載されている。整合回路は、
少なくとも一部が、多層基板の表面における弾性表面波
素子の投影面内に形成され、弾性表面波素子と電気的に
接続されている。
【００１３】本発明に係るモジュール部品は、多層基板
の内部に複数の受動素子が含まれているので、これらの
受動素子を用いて複雑な回路を構成できる。弾性表面波
素子が多層基板の表面上に搭載され、整合回路が多層基
板の表面に形成され、弾性表面波素子及び整合回路と多
層基板とが一体化されている。このため、弾性表面波素
子を含む特定の機能毎にまとめた集合素子、いわゆる、
いわゆるモジュール部品としての機能を発揮できる。
の内部に複数の受動素子が含まれているので、これらの
受動素子を用いて複雑な回路を構成できる。弾性表面波
素子が多層基板の表面上に搭載され、整合回路が多層基
板の表面に形成され、弾性表面波素子及び整合回路と多
層基板とが一体化されている。このため、弾性表面波素
子を含む特定の機能毎にまとめた集合素子、いわゆる、
いわゆるモジュール部品としての機能を発揮できる。
【００１４】また、本発明に係るモジュール部品は、多
層基板の内部にインダクタンス、キャパシタンス等の受
動素子を有しているので、その分だけ多層基板の表面に
搭載するはんだ接合部品の数を減らすことができ、小型
化、軽量化が可能になる。また、機能毎にまとめられた
モジュール部品としての特性仕様に合せて、機能を果た
せばよいので、回路設計の簡素化が図れ、開発を容易
化、かつ、短期化することができる。また、回路設計の
簡素化が図れるので、信頼性、特性の向上を図ることが
できる。
層基板の内部にインダクタンス、キャパシタンス等の受
動素子を有しているので、その分だけ多層基板の表面に
搭載するはんだ接合部品の数を減らすことができ、小型
化、軽量化が可能になる。また、機能毎にまとめられた
モジュール部品としての特性仕様に合せて、機能を果た
せばよいので、回路設計の簡素化が図れ、開発を容易
化、かつ、短期化することができる。また、回路設計の
簡素化が図れるので、信頼性、特性の向上を図ることが
できる。
【００１５】また、本発明に係るモジュール部品は、弾
性表面波素子の電極形成面が所定の間隔を保って、多層
基板の表面上に搭載されているので、弾性表面波素子の
電極形成面と、多層基板の表面との間に所定の間隔が確
保される。このため、弾性表面波素子の弾性表面波伝播
作用が、多層基板により阻害されることがない。
性表面波素子の電極形成面が所定の間隔を保って、多層
基板の表面上に搭載されているので、弾性表面波素子の
電極形成面と、多層基板の表面との間に所定の間隔が確
保される。このため、弾性表面波素子の弾性表面波伝播
作用が、多層基板により阻害されることがない。
【００１６】また、本発明に係るモジュール部品は、弾
性表面波素子の電極形成面と、多層基板の表面との間に
所定の間隔が確保されているので、多層基板の表面にお
ける弾性表面波素子の投影面内に整合回路を形成でき
る。
性表面波素子の電極形成面と、多層基板の表面との間に
所定の間隔が確保されているので、多層基板の表面にお
ける弾性表面波素子の投影面内に整合回路を形成でき
る。
【００１７】また、本発明に係るモジュール部品は、整
合回路の少なくとも一部が弾性表面波素子の投影面内に
形成されているので、従来であればデットスペースとな
っていた弾性表面波素子の下側部分が整合回路形成領域
として有効利用される。このため、モジュール部品の高
密度化が図れ、モジュール部品を小型化できる。
合回路の少なくとも一部が弾性表面波素子の投影面内に
形成されているので、従来であればデットスペースとな
っていた弾性表面波素子の下側部分が整合回路形成領域
として有効利用される。このため、モジュール部品の高
密度化が図れ、モジュール部品を小型化できる。
【００１８】また、本発明に係るモジュール部品は、整
合回路全体を弾性表面波素子の投影面内に形成すること
が好ましいが、整合回路の一部を多層基板の表面におけ
る弾性表面波素子の投影面外や、多層基板の内部に形成
した場合であっても、投影面内に形成した整合回路の分
だけ、モジュール部品の高密度化及び小型化を達成でき
る。
合回路全体を弾性表面波素子の投影面内に形成すること
が好ましいが、整合回路の一部を多層基板の表面におけ
る弾性表面波素子の投影面外や、多層基板の内部に形成
した場合であっても、投影面内に形成した整合回路の分
だけ、モジュール部品の高密度化及び小型化を達成でき
る。
【００１９】また、本発明に係るモジュール部品は、弾
性表面波素子の電極形成面が多層基板の表面に対向し
て、多層基板の表面上に搭載される。この搭載構造は、
フリップ−チップ搭載と称され、ワイヤ等を用いなくて
も、弾性表面波素子を多層基板と電気的に接続すること
ができる。このため、ワイヤボンディング用のパターン
を多層基板の表面上に設ける必要がなくなるので、モジ
ュール部品を小型化できる。
性表面波素子の電極形成面が多層基板の表面に対向し
て、多層基板の表面上に搭載される。この搭載構造は、
フリップ−チップ搭載と称され、ワイヤ等を用いなくて
も、弾性表面波素子を多層基板と電気的に接続すること
ができる。このため、ワイヤボンディング用のパターン
を多層基板の表面上に設ける必要がなくなるので、モジ
ュール部品を小型化できる。
【００２０】また、本発明に係るモジュール部品は、弾
性表面波素子が多層基板にフリップ−チップ搭載されて
いるので、パッケージを用いなくても、弾性表面波素子
を多層基板に搭載することができる。このため、パッケ
ージ分だけ、高背化と、占有面積の拡大を防ぐことがで
き、モジュール部品を小型化できる。また、パッケージ
分だけモジュール部品を低コスト化できる。
性表面波素子が多層基板にフリップ−チップ搭載されて
いるので、パッケージを用いなくても、弾性表面波素子
を多層基板に搭載することができる。このため、パッケ
ージ分だけ、高背化と、占有面積の拡大を防ぐことがで
き、モジュール部品を小型化できる。また、パッケージ
分だけモジュール部品を低コスト化できる。
【００２１】また、本発明に係るモジュール部品は、整
合回路が弾性表面波素子と電気的に接続されているの
で、弾性表面波素子の入力、又は出力インピーダンスを
的確に整合できる。このため、信号伝送効率が向上し、
モジュール部品の特性が向上する。
合回路が弾性表面波素子と電気的に接続されているの
で、弾性表面波素子の入力、又は出力インピーダンスを
的確に整合できる。このため、信号伝送効率が向上し、
モジュール部品の特性が向上する。
【００２２】また、本発明に係るモジュール部品は、整
合回路が多層基板の表面に形成されているので、多層基
板の内部の受動素子との接続が容易になる。このため、
製造が容易になるので、モジュール部品を低コスト化で
きる。
合回路が多層基板の表面に形成されているので、多層基
板の内部の受動素子との接続が容易になる。このため、
製造が容易になるので、モジュール部品を低コスト化で
きる。
【００２３】また、本発明に係るモジュール部品は、整
合回路が多層基板の表面に形成されているので、多層基
板の内部の受動素子と接続した状態で、整合回路の微調
整をすることができる。このため、製造が容易になるの
で、モジュール部品を低コスト化できる。
合回路が多層基板の表面に形成されているので、多層基
板の内部の受動素子と接続した状態で、整合回路の微調
整をすることができる。このため、製造が容易になるの
で、モジュール部品を低コスト化できる。
【００２４】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係るモジュール部
品を用いた移動体通信機器の一実施例を示すブロック図
であり、ＧＳＭ／ＤＣＳデュアルバンド対応の移動体通
信機器における高周波回路部である。図２は本発明に係
るモジュール部品の一実施例を示す回路図であり、図１
に示した移動体通信機器におけるアンテナスイッチ部で
ある。
品を用いた移動体通信機器の一実施例を示すブロック図
であり、ＧＳＭ／ＤＣＳデュアルバンド対応の移動体通
信機器における高周波回路部である。図２は本発明に係
るモジュール部品の一実施例を示す回路図であり、図１
に示した移動体通信機器におけるアンテナスイッチ部で
ある。
【００２５】図１、図２において、本実施例に係るモジ
ュール部品１は、アンテナＡＮＴと、ダイプレクサＤＩ
Ｐと、送受信切換器ＳＷ１、ＳＷ２と、弾性表面波素子
ＳＡＷ１、ＳＡＷ２と、整合回路４１、４２、４３、４
４と、ローパスフィルタＬＰＦ１、ＬＰＦ２とを含む。
ュール部品１は、アンテナＡＮＴと、ダイプレクサＤＩ
Ｐと、送受信切換器ＳＷ１、ＳＷ２と、弾性表面波素子
ＳＡＷ１、ＳＡＷ２と、整合回路４１、４２、４３、４
４と、ローパスフィルタＬＰＦ１、ＬＰＦ２とを含む。
【００２６】整合回路４１、４２、４３、４４は、例え
ば周波数１〜２ＧＨｚの範囲において、モジュール部品
１の内部又は外部の回路とインピーダンス整合を行う回
路である。整合回路４１は、弾性表面波素子ＳＡＷ１の
入力整合回路であり、整合回路４２は、弾性表面波素子
ＳＡＷ１の出力整合回路であり、整合回路４３は、弾性
表面波素子ＳＡＷ２の入力整合回路であり、整合回路４
４は、弾性表面波素子ＳＡＷ２の出力整合回路である。
ば周波数１〜２ＧＨｚの範囲において、モジュール部品
１の内部又は外部の回路とインピーダンス整合を行う回
路である。整合回路４１は、弾性表面波素子ＳＡＷ１の
入力整合回路であり、整合回路４２は、弾性表面波素子
ＳＡＷ１の出力整合回路であり、整合回路４３は、弾性
表面波素子ＳＡＷ２の入力整合回路であり、整合回路４
４は、弾性表面波素子ＳＡＷ２の出力整合回路である。
【００２７】図１に示した移動体通信機器２において、
ベースバンド部ＢＳＢは、直交変調部ＤＣ／ＡＣ、ミキ
サ部ＭＩＸ１、ＰＬＬ回路部ＰＬＬ、パワーアンプ回路
部ＡＭＰ１、ＡＭＰ２を介して、ローパスフィルタＬＰ
Ｆ１にＧＳＭ送信信号Ｔｘ１を出力し、ローパスフィル
タＬＰＦ２にＤＣＳ送信信号Ｔｘ２を出力する。
ベースバンド部ＢＳＢは、直交変調部ＤＣ／ＡＣ、ミキ
サ部ＭＩＸ１、ＰＬＬ回路部ＰＬＬ、パワーアンプ回路
部ＡＭＰ１、ＡＭＰ２を介して、ローパスフィルタＬＰ
Ｆ１にＧＳＭ送信信号Ｔｘ１を出力し、ローパスフィル
タＬＰＦ２にＤＣＳ送信信号Ｔｘ２を出力する。
【００２８】ローパスフィルタＬＰＦ１は、入力された
ＧＳＭ送信信号Ｔｘ１を送受信切換器ＳＷ１に出力す
る。ローパスフィルタＬＰＦ２は、入力されたＤＣＳ送
信信号Ｔｘ２を送受信切換器ＳＷ２に出力する。
ＧＳＭ送信信号Ｔｘ１を送受信切換器ＳＷ１に出力す
る。ローパスフィルタＬＰＦ２は、入力されたＤＣＳ送
信信号Ｔｘ２を送受信切換器ＳＷ２に出力する。
【００２９】送受信切換器ＳＷ１は、制御端子Ｖｃ１に
印加される電圧で制御され、整合回路４１又はローパス
フィルタＬＰＦ１の一方をダイプレクサＤＩＰに接続す
る。送受信切換器ＳＷ２は、制御端子Ｖｃ２に印加され
る電圧で制御され、整合回路４３又はローパスフィルタ
ＬＰＦ２の一方をダイプレクサＤＩＰに接続する。
印加される電圧で制御され、整合回路４１又はローパス
フィルタＬＰＦ１の一方をダイプレクサＤＩＰに接続す
る。送受信切換器ＳＷ２は、制御端子Ｖｃ２に印加され
る電圧で制御され、整合回路４３又はローパスフィルタ
ＬＰＦ２の一方をダイプレクサＤＩＰに接続する。
【００３０】ダイプレクサＤＩＰは、送受信切換器ＳＷ
１、ＳＷ２に入力されたＧＳＭ、ＤＣＳ送信信号Ｔｘ
１、Ｔｘ２をアンテナＡＮＴから送信する。また、ダイ
プレクサＤＩＰは、アンテナＡＮＴから受信したＧＳＭ
受信信号Ｒｘ１を送受信切換器ＳＷ１に出力し、アンテ
ナＡＮＴから受信したＤＣＳ受信信号Ｒｘ２を送受信切
換器ＳＷ２に出力する。
１、ＳＷ２に入力されたＧＳＭ、ＤＣＳ送信信号Ｔｘ
１、Ｔｘ２をアンテナＡＮＴから送信する。また、ダイ
プレクサＤＩＰは、アンテナＡＮＴから受信したＧＳＭ
受信信号Ｒｘ１を送受信切換器ＳＷ１に出力し、アンテ
ナＡＮＴから受信したＤＣＳ受信信号Ｒｘ２を送受信切
換器ＳＷ２に出力する。
【００３１】送受信切換器ＳＷ１は、ＧＳＭ受信信号Ｒ
ｘ１を、整合回路４１、弾性表面波素子ＳＡＷ１、整合
回路４２を介してパワーアンプ回路部ＡＭＰ３に出力す
る。送受信切換器ＳＷ２は、ＤＣＳ受信信号Ｒｘ２を、
整合回路４３、弾性表面波素子ＳＡＷ２、整合回路４４
を介してパワーアンプ回路部ＡＭＰ４に出力する。
ｘ１を、整合回路４１、弾性表面波素子ＳＡＷ１、整合
回路４２を介してパワーアンプ回路部ＡＭＰ３に出力す
る。送受信切換器ＳＷ２は、ＤＣＳ受信信号Ｒｘ２を、
整合回路４３、弾性表面波素子ＳＡＷ２、整合回路４４
を介してパワーアンプ回路部ＡＭＰ４に出力する。
【００３２】そして、パワーアンプ回路部ＡＭＰ３、Ａ
ＭＰ４は入力された信号を、ミキサ部ＭＩＸ２、ＩＦ回
路部ＩＦ、ＰＬＬ回路部ＰＬＬを介して、ベースバンド
部ＢＳＢに出力する。
ＭＰ４は入力された信号を、ミキサ部ＭＩＸ２、ＩＦ回
路部ＩＦ、ＰＬＬ回路部ＰＬＬを介して、ベースバンド
部ＢＳＢに出力する。
【００３３】図３は本発明に係るモジュール部品の一実
施例を示す断面図である。図４は図３の部分拡大図であ
り、図３の点線で囲んだ部分の拡大図である。図３、図
４に示すように、本実施例に係るモジュール部品１は、
多層基板１０と、整合回路４１、４２、４３、４４と、
第１の接合層３１と、第２の接合層３２（図示せず）
と、弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２と、受動素子と
を含む。
施例を示す断面図である。図４は図３の部分拡大図であ
り、図３の点線で囲んだ部分の拡大図である。図３、図
４に示すように、本実施例に係るモジュール部品１は、
多層基板１０と、整合回路４１、４２、４３、４４と、
第１の接合層３１と、第２の接合層３２（図示せず）
と、弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２と、受動素子と
を含む。
【００３４】受動素子は、図１、図２に示したダイプレ
クサＤＩＰ、送受信切換器ＳＷ１、ＳＷ２、ローパスフ
ィルタＬＰＦ１、ＬＰＦ２を構成する回路要素であり、
多層基板１０の表面１０１に搭載されたダイオードＤ２
１、Ｄ２２、Ｄ３１、Ｄ３２、抵抗Ｒ２１、Ｒ３１と、
多層基板１０の内部に構成されたＣ２８、Ｃ３８、Ｌ２
３、Ｌ３３とを含む。
クサＤＩＰ、送受信切換器ＳＷ１、ＳＷ２、ローパスフ
ィルタＬＰＦ１、ＬＰＦ２を構成する回路要素であり、
多層基板１０の表面１０１に搭載されたダイオードＤ２
１、Ｄ２２、Ｄ３１、Ｄ３２、抵抗Ｒ２１、Ｒ３１と、
多層基板１０の内部に構成されたＣ２８、Ｃ３８、Ｌ２
３、Ｌ３３とを含む。
【００３５】弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２は、電
極形成面２０１が所定の間隔ｄ１を保って多層基板１０
の表面１０１に対向して、表面１０１上に搭載される。
好ましくは、表面１０１と電極形成面２０１との間隔ｄ
１は、１０μｍ乃至５０μｍである。
極形成面２０１が所定の間隔ｄ１を保って多層基板１０
の表面１０１に対向して、表面１０１上に搭載される。
好ましくは、表面１０１と電極形成面２０１との間隔ｄ
１は、１０μｍ乃至５０μｍである。
【００３６】図５は弾性表面波素子ＳＡＷ１の平面図で
あり、図６は弾性表面波素子ＳＡＷ２の平面図である。
あり、図６は弾性表面波素子ＳＡＷ２の平面図である。
【００３７】図４、図５に示すように、弾性表面波素子
ＳＡＷ１は、圧電基板２００と、第２の端子部２１１、
２１２と、第２の固定部２２１、２２２、２２３と、イ
ンターディジタル電極（以下ＩＤＴ電極と称す）２３
１、２３２とを含む。また、図４、図６に示すように、
弾性表面波素子ＳＡＷ２は、圧電基板２００と、第２の
端子部２１３、２１４と、第２の固定部２２１、２２
２、２２３と、ＩＤＴ電極２３３、２３４とを含む。
ＳＡＷ１は、圧電基板２００と、第２の端子部２１１、
２１２と、第２の固定部２２１、２２２、２２３と、イ
ンターディジタル電極（以下ＩＤＴ電極と称す）２３
１、２３２とを含む。また、図４、図６に示すように、
弾性表面波素子ＳＡＷ２は、圧電基板２００と、第２の
端子部２１３、２１４と、第２の固定部２２１、２２
２、２２３と、ＩＤＴ電極２３３、２３４とを含む。
【００３８】圧電基板２００は、例えば、ニオブ酸リチ
ウム（ＬｉＮｂＯ２）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａ
Ｏ３）等の結晶表面からなる。第２の端子部２１１、２
１３は、弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２の入力端子
であり、第２の端子部２１２、２１４は、弾性表面波素
子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２の出力端子である。
ウム（ＬｉＮｂＯ２）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａ
Ｏ３）等の結晶表面からなる。第２の端子部２１１、２
１３は、弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２の入力端子
であり、第２の端子部２１２、２１４は、弾性表面波素
子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２の出力端子である。
【００３９】第２の端子部２１１、２１２、２１３、２
１４、第２の固定部２２１、２２２、２２３は、フォト
リソグラフィー技術により形成されたアルミ電極層５５
の上に金めっき膜５４が備えられてなり、圧電基板２０
０の電極形成面２０１に形成されている。好ましくは、
第２の固定部２２１、２２２、２２３は、直径が１００
μｍ以上である。
１４、第２の固定部２２１、２２２、２２３は、フォト
リソグラフィー技術により形成されたアルミ電極層５５
の上に金めっき膜５４が備えられてなり、圧電基板２０
０の電極形成面２０１に形成されている。好ましくは、
第２の固定部２２１、２２２、２２３は、直径が１００
μｍ以上である。
【００４０】ＩＤＴ電極２３１、２３２、２３３、２３
４は、フォトリソグラフィー技術により形成されたアル
ミ電極層５５からなり、入力用のＩＤＴ電極２３１、２
３３が圧電基板２００の弾性表面波伝播路の一方側に設
けられ、出力用のＩＤＴ電極２３２、２３４が圧電基板
２００の弾性表面波伝播路の他方側に設けられている。
４は、フォトリソグラフィー技術により形成されたアル
ミ電極層５５からなり、入力用のＩＤＴ電極２３１、２
３３が圧電基板２００の弾性表面波伝播路の一方側に設
けられ、出力用のＩＤＴ電極２３２、２３４が圧電基板
２００の弾性表面波伝播路の他方側に設けられている。
【００４１】ＩＤＴ電極２３１は、互いに対向する櫛形
電極からなり、その一方が第２の端子部２１１に接続さ
れ、他方が第２の固定部２２１に接続されている。ＩＤ
Ｔ電極２３２は、互いに対向する櫛形電極からなり、一
方が第２の端子部２１２に接続され、他方が第２の固定
部２２２に接続されている。
電極からなり、その一方が第２の端子部２１１に接続さ
れ、他方が第２の固定部２２１に接続されている。ＩＤ
Ｔ電極２３２は、互いに対向する櫛形電極からなり、一
方が第２の端子部２１２に接続され、他方が第２の固定
部２２２に接続されている。
【００４２】ＩＤＴ電極２３３は、互いに対向する櫛形
電極からなり、その一方が第２の端子部２１３に接続さ
れ、他方が第２の固定部２２１に接続されている。ＩＤ
Ｔ電極２３４は、互いに対向する櫛形電極からなり、一
方が第２の端子部２１４に接続され、他方が第２の固定
部２２２に接続されている。第２の固定部２２３は、機
械的な接続のために設けられた電極であり、ＩＤＴ電極
２３１、２３２、２３３、２３４には接続されていな
い。
電極からなり、その一方が第２の端子部２１３に接続さ
れ、他方が第２の固定部２２１に接続されている。ＩＤ
Ｔ電極２３４は、互いに対向する櫛形電極からなり、一
方が第２の端子部２１４に接続され、他方が第２の固定
部２２２に接続されている。第２の固定部２２３は、機
械的な接続のために設けられた電極であり、ＩＤＴ電極
２３１、２３２、２３３、２３４には接続されていな
い。
【００４３】図７は本発明に係るモジュール部品の部分
平面図であり、多層基板１０に搭載された弾性表面波素
子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２、ダイオードＤ２１、Ｄ２２、Ｄ
３１、Ｄ３２、抵抗Ｒ２１、Ｒ３１を除いた平面図であ
る。図８、図９は図７の部分拡大図であり、投影面１０
２、１０３の拡大図である。
平面図であり、多層基板１０に搭載された弾性表面波素
子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２、ダイオードＤ２１、Ｄ２２、Ｄ
３１、Ｄ３２、抵抗Ｒ２１、Ｒ３１を除いた平面図であ
る。図８、図９は図７の部分拡大図であり、投影面１０
２、１０３の拡大図である。
【００４４】図３、図４、図７、図８、図９に示すよう
に、多層基板１０は、複数のセラミック基板１００が重
ね合わされたセラミック多層基板であり、第１の端子部
１１１、１１２、１１３、１１４と、第１の固定部１２
１、１２２、１２３と、ランド１３１、１３２、１３
３、１３４、１３５、１３６と、外部端子１３７とを含
む。
に、多層基板１０は、複数のセラミック基板１００が重
ね合わされたセラミック多層基板であり、第１の端子部
１１１、１１２、１１３、１１４と、第１の固定部１２
１、１２２、１２３と、ランド１３１、１３２、１３
３、１３４、１３５、１３６と、外部端子１３７とを含
む。
【００４５】第１の端子部１１１、１１２、１１３、１
１４、第１の固定部１２１、１２２、１２３、ランド１
３１、１３２、１３３、１３４、１３５、１３６は、同
一の工程で、同時に構成することができ、例えば、粒径
が０．１〜１μｍの銀粉体を含むペーストを多層基板１
０の表面１０１に塗布した後、ペーストに圧力を加えて
平坦化し、その後、このペーストを焼結して焼結性導体
膜５１を形成し、この焼結性導体膜５１の上にＮｉめっ
き膜５２を設け、更にＮｉめっき膜５２の上に金めっき
膜５３を設けて構成する。好ましくは、ペーストに加え
る圧力は、５〜７＊１０７Ｎ／ｍ2である。
１４、第１の固定部１２１、１２２、１２３、ランド１
３１、１３２、１３３、１３４、１３５、１３６は、同
一の工程で、同時に構成することができ、例えば、粒径
が０．１〜１μｍの銀粉体を含むペーストを多層基板１
０の表面１０１に塗布した後、ペーストに圧力を加えて
平坦化し、その後、このペーストを焼結して焼結性導体
膜５１を形成し、この焼結性導体膜５１の上にＮｉめっ
き膜５２を設け、更にＮｉめっき膜５２の上に金めっき
膜５３を設けて構成する。好ましくは、ペーストに加え
る圧力は、５〜７＊１０７Ｎ／ｍ2である。
【００４６】第１の端子部１１１、１１２は、第２の端
子部２１１、２１２に対向して、多層基板１０の表面１
０１における弾性表面波素子ＳＡＷ１の投影面１０２内
に形成されている。第１の端子部１１３、１１４は、第
２の端子部２１３、２１４に対向して、弾性表面波素子
ＳＡＷ２の投影面１０３内に形成されている。
子部２１１、２１２に対向して、多層基板１０の表面１
０１における弾性表面波素子ＳＡＷ１の投影面１０２内
に形成されている。第１の端子部１１３、１１４は、第
２の端子部２１３、２１４に対向して、弾性表面波素子
ＳＡＷ２の投影面１０３内に形成されている。
【００４７】第１の固定部１２１、１２２、１２３は、
第２の固定部２２１、２２２、２２３に対向して投影面
１０２、１０３内に形成される。ランド１３１、１３
２、１３３、１３４、１３５、１３６は、多層基板１０
の表面１０１における投影面１０２、１０３以外の部分
に形成される。外部端子１３７は、多層基板１０の側面
に形成される。
第２の固定部２２１、２２２、２２３に対向して投影面
１０２、１０３内に形成される。ランド１３１、１３
２、１３３、１３４、１３５、１３６は、多層基板１０
の表面１０１における投影面１０２、１０３以外の部分
に形成される。外部端子１３７は、多層基板１０の側面
に形成される。
【００４８】また、好ましくは、第１の固定部１２１、
１２２、１２３は、直径が１００μｍ以上である。ま
た、好ましくは、金めっき膜５３の膜厚は、０．１μｍ
乃至１μｍであるが、更に好ましくは、０．３μｍ乃至
０．７μｍである。また、好ましくは、Ｎｉめっき膜５
２の膜厚は、２μｍ乃至５μｍである。また、好ましく
は、金めっき膜５３の表面粗さは、０．１μｍ以下であ
る。
１２２、１２３は、直径が１００μｍ以上である。ま
た、好ましくは、金めっき膜５３の膜厚は、０．１μｍ
乃至１μｍであるが、更に好ましくは、０．３μｍ乃至
０．７μｍである。また、好ましくは、Ｎｉめっき膜５
２の膜厚は、２μｍ乃至５μｍである。また、好ましく
は、金めっき膜５３の表面粗さは、０．１μｍ以下であ
る。
【００４９】そして、ランド１３１、１３２、１３３、
１３４、１３５、１３６は、それぞれ、はんだ５６を介
して、ダイオードＤ２１、Ｄ２２、Ｄ３１、Ｄ３２、抵
抗Ｒ２１、Ｒ３１に接続される。ローパスフィルタＬＰ
Ｆ１、ＬＰＦ２の出力端６２、６４は、外部端子１３７
を介して、パワーアンプ回路部ＡＭＰ１、ＡＭＰ２に接
続される。第１の固定部１２１、１２２は、ＧＮＤに接
続される。第１の固定部１２３は、機械的な接続のため
に設けられた電極であり、電気的に接続されない。
１３４、１３５、１３６は、それぞれ、はんだ５６を介
して、ダイオードＤ２１、Ｄ２２、Ｄ３１、Ｄ３２、抵
抗Ｒ２１、Ｒ３１に接続される。ローパスフィルタＬＰ
Ｆ１、ＬＰＦ２の出力端６２、６４は、外部端子１３７
を介して、パワーアンプ回路部ＡＭＰ１、ＡＭＰ２に接
続される。第１の固定部１２１、１２２は、ＧＮＤに接
続される。第１の固定部１２３は、機械的な接続のため
に設けられた電極であり、電気的に接続されない。
【００５０】図４、図７、図８、図９に示すように、整
合回路４１、４２、４３、４４は、焼結性導体膜５１の
上にＮｉめっき膜５２が設けられ、更に金めっき膜５３
が設けられてなり、第１の端子部１１１、１１２、１１
３、１１４、第１の固定部１２１、１２２、１２３を形
成する工程と同一の工程で、同時に形成される。
合回路４１、４２、４３、４４は、焼結性導体膜５１の
上にＮｉめっき膜５２が設けられ、更に金めっき膜５３
が設けられてなり、第１の端子部１１１、１１２、１１
３、１１４、第１の固定部１２１、１２２、１２３を形
成する工程と同一の工程で、同時に形成される。
【００５１】また、好ましくは、整合回路４１、４２、
４３、４４の金めっき膜５３の膜厚は、０．１μｍ乃至
１μｍであるが、更に好ましくは、０．３μｍ乃至０．
７μｍである。また、好ましくは、整合回路４１、４
２、４３、４４のＮｉめっき膜５２の膜厚は、２μｍ乃
至５μｍである。
４３、４４の金めっき膜５３の膜厚は、０．１μｍ乃至
１μｍであるが、更に好ましくは、０．３μｍ乃至０．
７μｍである。また、好ましくは、整合回路４１、４
２、４３、４４のＮｉめっき膜５２の膜厚は、２μｍ乃
至５μｍである。
【００５２】整合回路４１は、一端４１１と他端４１２
との間の線路により、インダクタＬ４１、及びコンデン
サＣ４１を構成している。整合回路４２は、一端４２１
と他端４２２との間の線路により、インダクタＬ４２、
及びコンデンサＣ４２を構成している。整合回路４３
は、一端４３１と他端４３２との間の線路により、イン
ダクタＬ４３、及びコンデンサＣ４３を構成している。
整合回路４４は、一端４４１と他端４４２との間の線路
により、インダクタＬ４４、及びコンデンサＣ４４を構
成している。そして、整合回路４１、４２、４３、４４
は、スルーホール４０を介して多層基板１０の内部に構
成された受動素子に接続されている。
との間の線路により、インダクタＬ４１、及びコンデン
サＣ４１を構成している。整合回路４２は、一端４２１
と他端４２２との間の線路により、インダクタＬ４２、
及びコンデンサＣ４２を構成している。整合回路４３
は、一端４３１と他端４３２との間の線路により、イン
ダクタＬ４３、及びコンデンサＣ４３を構成している。
整合回路４４は、一端４４１と他端４４２との間の線路
により、インダクタＬ４４、及びコンデンサＣ４４を構
成している。そして、整合回路４１、４２、４３、４４
は、スルーホール４０を介して多層基板１０の内部に構
成された受動素子に接続されている。
【００５３】また、本発明に係るモジュール部品は、整
合回路の一部が多層基板１０の表面１０１における投影
面１０２、１０３外や、多層基板１０の内部に形成され
てもよい。また、本発明に係るモジュール部品は、入力
整合回路、又は出力整合回路の一方のみが設けられても
よい。
合回路の一部が多層基板１０の表面１０１における投影
面１０２、１０３外や、多層基板１０の内部に形成され
てもよい。また、本発明に係るモジュール部品は、入力
整合回路、又は出力整合回路の一方のみが設けられても
よい。
【００５４】整合回路４１の一端４１１は、第１の端子
部１１１に接続される。整合回路４１の他端４１２は、
送受信切換器ＳＷ１の出力端子６１に接続される。整合
回路４２の一端４２１は、第１の端子部１１２に接続さ
れる。整合回路４２の他端４２２は、外部端子１３７を
介して、パワーアンプ回路部ＡＭＰ３に接続される。整
合回路４３の一端４３１は、第１の端子部１１３に接続
される。整合回路４３の他端４３２は、送受信切換器Ｓ
Ｗ２の出力端子６３に接続される。整合回路４４の一端
４４１は、第１の端子部１１４に接続される。整合回路
４４の他端４４２は、外部端子１３７を介して、パワー
アンプ回路部ＡＭＰ４に接続される。
部１１１に接続される。整合回路４１の他端４１２は、
送受信切換器ＳＷ１の出力端子６１に接続される。整合
回路４２の一端４２１は、第１の端子部１１２に接続さ
れる。整合回路４２の他端４２２は、外部端子１３７を
介して、パワーアンプ回路部ＡＭＰ３に接続される。整
合回路４３の一端４３１は、第１の端子部１１３に接続
される。整合回路４３の他端４３２は、送受信切換器Ｓ
Ｗ２の出力端子６３に接続される。整合回路４４の一端
４４１は、第１の端子部１１４に接続される。整合回路
４４の他端４４２は、外部端子１３７を介して、パワー
アンプ回路部ＡＭＰ４に接続される。
【００５５】第１の接合層３１、第２の接合層３２は、
金を主成分とする。第１の接合層３１は、第２の端子部
２１１、２１２、２１３、２１４に固着された後、超音
波接合で第１の端子部１１１、１１２、１１３、１１４
に固着される。第２の接合層３２は、第２の固定部２２
１、２２２、２２３に固着された後、超音波接合で第１
の固定部１２１、１２２、１２３に固着される。
金を主成分とする。第１の接合層３１は、第２の端子部
２１１、２１２、２１３、２１４に固着された後、超音
波接合で第１の端子部１１１、１１２、１１３、１１４
に固着される。第２の接合層３２は、第２の固定部２２
１、２２２、２２３に固着された後、超音波接合で第１
の固定部１２１、１２２、１２３に固着される。
【００５６】そして、この第１の接合層３１、第２の接
合層３２により、弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２が
多層基板１０の表面１０１にフリップ−チップ搭載され
る。このとき、第１の端子部１１１は、第１の接合層３
１を介して第２の端子部２１１と電気的、機械的に接続
され、第１の端子部１１２は、第１の接合層３１を介し
て第２の端子部２１２と電気的、機械的に接続され、第
１の端子部１１３は、第１の接合層３１を介して第２の
端子部２１３と電気的、機械的に接続され、第１の端子
部１１４は、第１の接合層３１を介して第２の端子部２
１４と電気的、機械的に接続される。第１の固定部１２
１、１２２は、第２の接合層３２を介して第２の固定部
２２１、２２２と電気的、機械的に接続される。第１の
固定部１２３は、第２の接合層３２を介して第２の固定
部２２３と機械的に接続される。
合層３２により、弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２が
多層基板１０の表面１０１にフリップ−チップ搭載され
る。このとき、第１の端子部１１１は、第１の接合層３
１を介して第２の端子部２１１と電気的、機械的に接続
され、第１の端子部１１２は、第１の接合層３１を介し
て第２の端子部２１２と電気的、機械的に接続され、第
１の端子部１１３は、第１の接合層３１を介して第２の
端子部２１３と電気的、機械的に接続され、第１の端子
部１１４は、第１の接合層３１を介して第２の端子部２
１４と電気的、機械的に接続される。第１の固定部１２
１、１２２は、第２の接合層３２を介して第２の固定部
２２１、２２２と電気的、機械的に接続される。第１の
固定部１２３は、第２の接合層３２を介して第２の固定
部２２３と機械的に接続される。
【００５７】このようにして構成された本実施例に係る
モジュール部品は、多層基板１０の寸法が６ｍｍ＊４ｍ
ｍ＊０．８ｍｍであり、弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡ
Ｗ２を含めた全体の寸法が６ｍｍ＊４ｍｍ＊１．５ｍｍ
である。
モジュール部品は、多層基板１０の寸法が６ｍｍ＊４ｍ
ｍ＊０．８ｍｍであり、弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡ
Ｗ２を含めた全体の寸法が６ｍｍ＊４ｍｍ＊１．５ｍｍ
である。
【００５８】本実施例に係るモジュール部品は、多層基
板１０の内部に複数の受動素子が含まれているので、こ
れらの受動素子を用いて複雑な回路を構成できる。弾性
表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２が多層基板１０の表面１
０１上に搭載され、整合回路４１、４２、４３、４４が
多層基板１０の表面１０１に形成され、弾性表面波素子
ＳＡＷ１、ＳＡＷ２及び整合回路４１、４２、４３、４
４と多層基板１０とが一体化されている。このため、弾
性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２を含む特定の機能毎に
まとめた集合素子、いわゆる、いわゆるモジュール部品
としての機能を発揮できる。
板１０の内部に複数の受動素子が含まれているので、こ
れらの受動素子を用いて複雑な回路を構成できる。弾性
表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２が多層基板１０の表面１
０１上に搭載され、整合回路４１、４２、４３、４４が
多層基板１０の表面１０１に形成され、弾性表面波素子
ＳＡＷ１、ＳＡＷ２及び整合回路４１、４２、４３、４
４と多層基板１０とが一体化されている。このため、弾
性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２を含む特定の機能毎に
まとめた集合素子、いわゆる、いわゆるモジュール部品
としての機能を発揮できる。
【００５９】また、本発明に係るモジュール部品は、多
層基板１０の内部にインダクタンス、キャパシタンス等
の受動素子を有しているので、その分だけ多層基板１０
の表面１０１に搭載するはんだ接合部品の数を減らすこ
とができ、小型化、軽量化が可能になる。また、機能毎
にまとめられたモジュール部品としての特性仕様に合せ
て、機能を果たせばよいので、回路設計の簡素化が図
れ、開発を容易化、かつ、短期化することができる。ま
た、回路設計の簡素化が図れるので、信頼性、特性の向
上を図ることができる。
層基板１０の内部にインダクタンス、キャパシタンス等
の受動素子を有しているので、その分だけ多層基板１０
の表面１０１に搭載するはんだ接合部品の数を減らすこ
とができ、小型化、軽量化が可能になる。また、機能毎
にまとめられたモジュール部品としての特性仕様に合せ
て、機能を果たせばよいので、回路設計の簡素化が図
れ、開発を容易化、かつ、短期化することができる。ま
た、回路設計の簡素化が図れるので、信頼性、特性の向
上を図ることができる。
【００６０】また、本実施例に係るモジュール部品は、
弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２の電極形成面２０１
が所定の間隔ｄ１を保って、多層基板１０の表面１０１
上に搭載されているので、弾性表面波素子ＳＡＷ１、Ｓ
ＡＷ２の電極形成面２０１と、多層基板１０の表面１０
１との間に所定の間隔ｄ１が確保される。このため、弾
性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２の弾性表面波伝播作用
が、多層基板１０により阻害されることがない。
弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２の電極形成面２０１
が所定の間隔ｄ１を保って、多層基板１０の表面１０１
上に搭載されているので、弾性表面波素子ＳＡＷ１、Ｓ
ＡＷ２の電極形成面２０１と、多層基板１０の表面１０
１との間に所定の間隔ｄ１が確保される。このため、弾
性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２の弾性表面波伝播作用
が、多層基板１０により阻害されることがない。
【００６１】また、本実施例に係るモジュール部品は、
弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２の電極形成面２０１
と、多層基板１０の表面１０１との間に所定の間隔ｄ１
が確保されているので、多層基板１０の表面１０１にお
ける弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２の投影面１０
２、１０３内に整合回路４１、４２、４３、４４を形成
できる。
弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２の電極形成面２０１
と、多層基板１０の表面１０１との間に所定の間隔ｄ１
が確保されているので、多層基板１０の表面１０１にお
ける弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２の投影面１０
２、１０３内に整合回路４１、４２、４３、４４を形成
できる。
【００６２】また、本実施例に係るモジュール部品は、
整合回路４１、４２、４３、４４の少なくとも一部が弾
性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２の投影面１０２、１０
３内に形成されているので、従来であればデットスペー
スとなっていた弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２の下
側部分が整合回路４１、４２、４３、４４形成領域とし
て有効利用される。このため、モジュール部品の高密度
化及び小型化を達成できる。
整合回路４１、４２、４３、４４の少なくとも一部が弾
性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２の投影面１０２、１０
３内に形成されているので、従来であればデットスペー
スとなっていた弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２の下
側部分が整合回路４１、４２、４３、４４形成領域とし
て有効利用される。このため、モジュール部品の高密度
化及び小型化を達成できる。
【００６３】また、本実施例に係るモジュール部品は、
整合回路４１、４２、４３、４４全体を弾性表面波素子
ＳＡＷ１、ＳＡＷ２の投影面１０２、１０３内に形成す
ることが好ましいが、整合回路４１、４２、４３、４４
の一部を多層基板１０の表面１０１における弾性表面波
素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２の投影面１０２、１０３外や、
多層基板１０の内部に形成した場合であっても、投影面
１０２、１０３内に形成した整合回路４１、４２、４
３、４４の分だけ、モジュール部品の高密度化が図れ、
モジュール部品を小型化できる。
整合回路４１、４２、４３、４４全体を弾性表面波素子
ＳＡＷ１、ＳＡＷ２の投影面１０２、１０３内に形成す
ることが好ましいが、整合回路４１、４２、４３、４４
の一部を多層基板１０の表面１０１における弾性表面波
素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２の投影面１０２、１０３外や、
多層基板１０の内部に形成した場合であっても、投影面
１０２、１０３内に形成した整合回路４１、４２、４
３、４４の分だけ、モジュール部品の高密度化が図れ、
モジュール部品を小型化できる。
【００６４】また、本実施例に係るモジュール部品は、
弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２の電極形成面２０１
が多層基板１０の表面１０１に対向して、多層基板１０
の表面１０１上に搭載される。この搭載構造は、フリッ
プ−チップ搭載と称され、ワイヤ等を用いなくても、弾
性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２を多層基板１０と電気
的に接続することができる。このため、ワイヤボンディ
ング用のパターンを多層基板１０の表面１０１上に設け
る必要がなくなるので、モジュール部品を小型化でき
る。
弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２の電極形成面２０１
が多層基板１０の表面１０１に対向して、多層基板１０
の表面１０１上に搭載される。この搭載構造は、フリッ
プ−チップ搭載と称され、ワイヤ等を用いなくても、弾
性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２を多層基板１０と電気
的に接続することができる。このため、ワイヤボンディ
ング用のパターンを多層基板１０の表面１０１上に設け
る必要がなくなるので、モジュール部品を小型化でき
る。
【００６５】また、本実施例に係るモジュール部品は、
弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２が多層基板１０にフ
リップ−チップ搭載されているので、パッケージを用い
なくても、弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２を多層基
板１０に搭載することができる。このため、パッケージ
分だけ、高背化と、占有面積の拡大を防ぐことができ、
モジュール部品を小型化できる。また、パッケージ分だ
けモジュール部品を低コスト化できる。
弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２が多層基板１０にフ
リップ−チップ搭載されているので、パッケージを用い
なくても、弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２を多層基
板１０に搭載することができる。このため、パッケージ
分だけ、高背化と、占有面積の拡大を防ぐことができ、
モジュール部品を小型化できる。また、パッケージ分だ
けモジュール部品を低コスト化できる。
【００６６】また、本実施例に係るモジュール部品は、
整合回路４１、４２、４３、４４が弾性表面波素子ＳＡ
Ｗ１、ＳＡＷ２と電気的に接続されているので、弾性表
面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２の入力、又は出力インピー
ダンスを的確に整合できる。このため、信号伝送効率が
向上し、モジュール部品の特性が向上する。
整合回路４１、４２、４３、４４が弾性表面波素子ＳＡ
Ｗ１、ＳＡＷ２と電気的に接続されているので、弾性表
面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２の入力、又は出力インピー
ダンスを的確に整合できる。このため、信号伝送効率が
向上し、モジュール部品の特性が向上する。
【００６７】また、本実施例に係るモジュール部品は、
整合回路４１、４２、４３、４４が多層基板１０の表面
１０１に形成されているので、多層基板１０の内部の受
動素子との接続が容易になる。このため、製造が容易に
なるので、モジュール部品を低コスト化できる。
整合回路４１、４２、４３、４４が多層基板１０の表面
１０１に形成されているので、多層基板１０の内部の受
動素子との接続が容易になる。このため、製造が容易に
なるので、モジュール部品を低コスト化できる。
【００６８】また、本実施例に係るモジュール部品は、
整合回路４１、４２、４３、４４が多層基板１０の表面
１０１に形成されているので、多層基板１０の内部の受
動素子と接続した状態で、整合回路４１、４２、４３、
４４の微調整をすることができる。このため、製造が容
易になるので、モジュール部品を低コスト化できる。
整合回路４１、４２、４３、４４が多層基板１０の表面
１０１に形成されているので、多層基板１０の内部の受
動素子と接続した状態で、整合回路４１、４２、４３、
４４の微調整をすることができる。このため、製造が容
易になるので、モジュール部品を低コスト化できる。
【００６９】また、本実施例に係るモジュール部品は、
整合回路４１、４２、４３、４４が多層基板１０の表面
１０１に形成されているので、整合回路４１、４２、４
３、４４をＩＤＴ電極２３１、２３２、２３３、２３４
の近傍に配置することが可能になる。このため、モジュ
ール部品の高周波特性が良好になる。
整合回路４１、４２、４３、４４が多層基板１０の表面
１０１に形成されているので、整合回路４１、４２、４
３、４４をＩＤＴ電極２３１、２３２、２３３、２３４
の近傍に配置することが可能になる。このため、モジュ
ール部品の高周波特性が良好になる。
【００７０】また、本実施例に係るモジュール部品は、
弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２の電極形成面２０１
と、多層基板１０の表面１０１との間に、アルミ電極層
５５、金めっき膜５４、第１の接合層３１、第２の接合
層３２、焼結性導体膜５１、Ｎｉめっき膜５２、金めっ
き膜５３が備えられているので、弾性表面波素子ＳＡＷ
１、ＳＡＷ２の電極形成面２０１と、多層基板１０の表
面１０１との間に所定の間隔ｄ１を設けることができ
る。
弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２の電極形成面２０１
と、多層基板１０の表面１０１との間に、アルミ電極層
５５、金めっき膜５４、第１の接合層３１、第２の接合
層３２、焼結性導体膜５１、Ｎｉめっき膜５２、金めっ
き膜５３が備えられているので、弾性表面波素子ＳＡＷ
１、ＳＡＷ２の電極形成面２０１と、多層基板１０の表
面１０１との間に所定の間隔ｄ１を設けることができ
る。
【００７１】また、本実施例に係るモジュール部品は、
第１の端子部１１１、１１２、１１３、１１４、第２の
端子部２１１、２１２、２１３、２１４に金めっき膜５
４と金めっき膜５３とが備えられているので、第１の接
合層３１を介して金−金接合することが可能となる。こ
のため、弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２と多層基板
１０とを電気的、機械的に接続することが可能となる。
このため、弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２が多層基
板１０から脱落したり、弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡ
Ｗ２と多層基板１０との間の断線不良や、熱衝撃等に対
する信頼性の不具合が生じることがない。
第１の端子部１１１、１１２、１１３、１１４、第２の
端子部２１１、２１２、２１３、２１４に金めっき膜５
４と金めっき膜５３とが備えられているので、第１の接
合層３１を介して金−金接合することが可能となる。こ
のため、弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２と多層基板
１０とを電気的、機械的に接続することが可能となる。
このため、弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２が多層基
板１０から脱落したり、弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡ
Ｗ２と多層基板１０との間の断線不良や、熱衝撃等に対
する信頼性の不具合が生じることがない。
【００７２】また、本実施例に係るモジュール部品は、
第２の固定部１２１、１２２、１２３、第１の固定部２
２１、２２２、２２３の直径が１００μｍ以上であるた
め、弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２と多層基板１０
との結合強度が更に強くなる。
第２の固定部１２１、１２２、１２３、第１の固定部２
２１、２２２、２２３の直径が１００μｍ以上であるた
め、弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２と多層基板１０
との結合強度が更に強くなる。
【００７３】また、本実施例に係るモジュール部品は、
整合回路４１、４２、４３、４４を投影面１０２、１０
３の内部に収めているので、投影面１０２、１０３以外
の部分に、整合回路４１、４２、４３、４４を形成する
ための新たなスペースを必要としない。このため、モジ
ュール部品を小型化できる。
整合回路４１、４２、４３、４４を投影面１０２、１０
３の内部に収めているので、投影面１０２、１０３以外
の部分に、整合回路４１、４２、４３、４４を形成する
ための新たなスペースを必要としない。このため、モジ
ュール部品を小型化できる。
【００７４】また、本実施例に係るモジュール部品は、
多層基板１０の表面１０１にはんだ接合部品を搭載する
ためのランドを形成する工程と同一の工程で、第１の端
子部１１１、１１２、１１３、１１４、第１の固定部１
２１、１２２、１２３、整合回路４１、４２、４３、４
４が形成される。このため、モジュール部品の製造工程
が簡素化するので、モジュール部品を低コスト化でき
る。
多層基板１０の表面１０１にはんだ接合部品を搭載する
ためのランドを形成する工程と同一の工程で、第１の端
子部１１１、１１２、１１３、１１４、第１の固定部１
２１、１２２、１２３、整合回路４１、４２、４３、４
４が形成される。このため、モジュール部品の製造工程
が簡素化するので、モジュール部品を低コスト化でき
る。
【００７５】また、本実施例に係るモジュール部品は、
焼結性導体膜５１の表面にＮｉめっき膜５２が施されて
いるので、焼結性導体膜５１の表面の凹凸をＮｉめっき
膜５２で吸収するとともに、硬い下地を形成できる。こ
のため、Ｎｉめっき膜５２の表面に滑らかで薄い金めっ
き膜５３を施すことが可能になり、超音波で、金−金接
合を行う際の結合強度が強くなる。
焼結性導体膜５１の表面にＮｉめっき膜５２が施されて
いるので、焼結性導体膜５１の表面の凹凸をＮｉめっき
膜５２で吸収するとともに、硬い下地を形成できる。こ
のため、Ｎｉめっき膜５２の表面に滑らかで薄い金めっ
き膜５３を施すことが可能になり、超音波で、金−金接
合を行う際の結合強度が強くなる。
【００７６】また、本実施例に係るモジュール部品は、
ランド１３１、１３２、１３３、１３４、１３５、１３
６にＮｉめっき膜５２が施されているので、はんだ付け
時の食われを抑えることができる。
ランド１３１、１３２、１３３、１３４、１３５、１３
６にＮｉめっき膜５２が施されているので、はんだ付け
時の食われを抑えることができる。
【００７７】また、本発明に係るモジュール部品は、整
合回路の一部を多層基板１０の内部に形成することによ
り、より一層の高密度化を図ることができ、モジュール
部品をより一層小型化できる。
合回路の一部を多層基板１０の内部に形成することによ
り、より一層の高密度化を図ることができ、モジュール
部品をより一層小型化できる。
【００７８】図１０、図１１に、本発明に係るモジュー
ル部品の別の実施例の部分拡大図を示す。図１０、図１
１は、図７に示した投影面１０２、１０３に対応する部
分の拡大図である。
ル部品の別の実施例の部分拡大図を示す。図１０、図１
１は、図７に示した投影面１０２、１０３に対応する部
分の拡大図である。
【００７９】図１０、図１１において、本発明に係るモ
ジュール部品は、整合回路４５、４６、４７、４８を含
む。
ジュール部品は、整合回路４５、４６、４７、４８を含
む。
【００８０】整合回路４５は、導体パターン４５１と、
インダクタＬ４１、及びコンデンサＣ４１を構成する受
動素子４５２とを含む。整合回路４６は、導体パターン
４６１と、インダクタＬ４２、及びコンデンサＣ４２を
構成する受動素子４６２とを含む。整合回路４７は、イ
ンダクタＬ４３、及びコンデンサＣ４３を構成する受動
素子４７２を含む。整合回路４８は、インダクタＬ４
４、及びコンデンサＣ４４を構成する受動素子４８２を
含む。導体パターン４６１、４６２は、多層基板１０の
表面に構成されている。受動素子４５２、４６２、４７
２、４８２は、多層基板１０の内部に構成されている。
インダクタＬ４１、及びコンデンサＣ４１を構成する受
動素子４５２とを含む。整合回路４６は、導体パターン
４６１と、インダクタＬ４２、及びコンデンサＣ４２を
構成する受動素子４６２とを含む。整合回路４７は、イ
ンダクタＬ４３、及びコンデンサＣ４３を構成する受動
素子４７２を含む。整合回路４８は、インダクタＬ４
４、及びコンデンサＣ４４を構成する受動素子４８２を
含む。導体パターン４６１、４６２は、多層基板１０の
表面に構成されている。受動素子４５２、４６２、４７
２、４８２は、多層基板１０の内部に構成されている。
【００８１】受動素子４５２は、スルーホール４０を介
して導体パターン４５１に接続される。受動素子４６２
は、スルーホール４０を介して導体パターン４６１に接
続される。導体パターン４５１は、第１の端子部１１１
に接続される。導体パターン４６１は、第１の端子部１
１２に接続される。受動素子４７２は、スルーホール４
０を介して、第１の端子部１１３に接続される。受動素
子４８２は、スルーホール４０を介して、第１の端子部
１１４に接続される。
して導体パターン４５１に接続される。受動素子４６２
は、スルーホール４０を介して導体パターン４６１に接
続される。導体パターン４５１は、第１の端子部１１１
に接続される。導体パターン４６１は、第１の端子部１
１２に接続される。受動素子４７２は、スルーホール４
０を介して、第１の端子部１１３に接続される。受動素
子４８２は、スルーホール４０を介して、第１の端子部
１１４に接続される。
【００８２】本実施例に係るモジュール部品は、導体パ
ターン４５１、４５２のように、ＬＣ成分を構成する受
動素子と、弾性表面波素子との間に設けられた部分が整
合回路の一部を構成する。そして、この部分が弾性表面
波素子の下側部分に形成されているので、モジュール部
品の高密度化が図れ、モジュール部品を小型化できる。
ターン４５１、４５２のように、ＬＣ成分を構成する受
動素子と、弾性表面波素子との間に設けられた部分が整
合回路の一部を構成する。そして、この部分が弾性表面
波素子の下側部分に形成されているので、モジュール部
品の高密度化が図れ、モジュール部品を小型化できる。
【００８３】また、本実施例に係るモジュール部品は、
整合回路４７、４８のスルーホール４０も、導体パター
ン４５１、４５２と同様に整合回路の一部を構成する。
そして、この部分が弾性表面波素子の下側部分に形成さ
れているので、モジュール部品の高密度化が図れ、モジ
ュール部品を小型化できる。
整合回路４７、４８のスルーホール４０も、導体パター
ン４５１、４５２と同様に整合回路の一部を構成する。
そして、この部分が弾性表面波素子の下側部分に形成さ
れているので、モジュール部品の高密度化が図れ、モジ
ュール部品を小型化できる。
【００８４】次に、図１２に図１〜図９に示したモジュ
ール部品の横押強度と第１の固定部の金めっき膜の膜厚
との関係を示す。
ール部品の横押強度と第１の固定部の金めっき膜の膜厚
との関係を示す。
【００８５】本実施例に係るモジュール部品において
は、金めっき膜５３の膜厚が０．１μｍに満たない場合
には、弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２の接合が不安
定になるので、金めっき膜５３が剥がれてＮｉめっき膜
５２が露出する不具合が生じた。また、１μｍを超えた
場合には、受動素子をはんだ接合する際に、金めっき膜
５３及びＮｉめっき膜５２にストレスがかかりやすいの
で、金めっき膜５３がＮｉめっき膜５２との界面で剥離
する不具合が生じた。
は、金めっき膜５３の膜厚が０．１μｍに満たない場合
には、弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２の接合が不安
定になるので、金めっき膜５３が剥がれてＮｉめっき膜
５２が露出する不具合が生じた。また、１μｍを超えた
場合には、受動素子をはんだ接合する際に、金めっき膜
５３及びＮｉめっき膜５２にストレスがかかりやすいの
で、金めっき膜５３がＮｉめっき膜５２との界面で剥離
する不具合が生じた。
【００８６】また、図１２に示すように、第１の固定部
１２１、１２２、１２３、１２４の金めっき膜５３の膜
厚が０．１〜１μｍである場合に、十分に大きな横押強
度が得られた。また、金めっき膜５３の膜厚が０．３〜
０．７μｍである場合には、より良好な結果が得られ
た。
１２１、１２２、１２３、１２４の金めっき膜５３の膜
厚が０．１〜１μｍである場合に、十分に大きな横押強
度が得られた。また、金めっき膜５３の膜厚が０．３〜
０．７μｍである場合には、より良好な結果が得られ
た。
【００８７】図１３に図１〜図９に示したモジュール部
品の周波数特性を示す。図１３は、整合回路４１、４
２、４３、４４の金めっき膜５３の膜厚が０μｍ、０．
０５μｍ、０．１μｍ、０．５μｍである場合の周波数
特性を示すものである。ここで、整合回路４１、４２、
４３、４４に施す金めっき膜５３の膜厚が０μｍである
場合であっても、弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２を
多層基板１０に搭載する必要から、第１の端子部及び第
１の固定部には、金めっき膜５３を施した。
品の周波数特性を示す。図１３は、整合回路４１、４
２、４３、４４の金めっき膜５３の膜厚が０μｍ、０．
０５μｍ、０．１μｍ、０．５μｍである場合の周波数
特性を示すものである。ここで、整合回路４１、４２、
４３、４４に施す金めっき膜５３の膜厚が０μｍである
場合であっても、弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２を
多層基板１０に搭載する必要から、第１の端子部及び第
１の固定部には、金めっき膜５３を施した。
【００８８】図１３において、モジュール部品の周波数
特性は、弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２に入出力さ
れる信号の通過帯域である周波数１．８ＧＨｚ付近のリ
ップル波形で評価し、この周波数においてリップルが深
ければ特性が悪いことを意味する。
特性は、弾性表面波素子ＳＡＷ１、ＳＡＷ２に入出力さ
れる信号の通過帯域である周波数１．８ＧＨｚ付近のリ
ップル波形で評価し、この周波数においてリップルが深
ければ特性が悪いことを意味する。
【００８９】図１３に示すように、本実施例に係るモジ
ュール部品は、金めっき膜５３が０．０５μｍ以上であ
る場合に、周波数特性が良好となり、導体損失が少なく
なる。
ュール部品は、金めっき膜５３が０．０５μｍ以上であ
る場合に、周波数特性が良好となり、導体損失が少なく
なる。
【００９０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果を得ることができる。 （ａ）弾性表面波素子をフリップ−チップ搭載したモジ
ュール部品において、小型化を図りながら、整合回路を
搭載し得るようにしたモジュール部品を提供することが
できる。 （ｂ）弾性表面波素子をフリップ−チップ搭載したモジ
ュール部品において、高周波特性の劣化を生じさせるこ
となく整合回路を搭載したモジュール部品を提供するこ
とができる。
のような効果を得ることができる。 （ａ）弾性表面波素子をフリップ−チップ搭載したモジ
ュール部品において、小型化を図りながら、整合回路を
搭載し得るようにしたモジュール部品を提供することが
できる。 （ｂ）弾性表面波素子をフリップ−チップ搭載したモジ
ュール部品において、高周波特性の劣化を生じさせるこ
となく整合回路を搭載したモジュール部品を提供するこ
とができる。
【図１】本発明に係るモジュール部品を用いた移動体通
信機器の一実施例を示すブロック図である。
信機器の一実施例を示すブロック図である。
【図２】本発明に係るモジュール部品の一実施例を示す
回路図である。
回路図である。
【図３】本発明に係るモジュール部品の一実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】図３の部分拡大図である。
【図５】本発明に係るモジュール部品の弾性表面波素子
ＳＡＷ１の平面図である。
ＳＡＷ１の平面図である。
【図６】本発明に係るモジュール部品の弾性表面波素子
ＳＡＷ２の平面図である。
ＳＡＷ２の平面図である。
【図７】本発明に係るモジュール部品の部分平面図であ
る。
る。
【図８】図７の部分拡大図である。
【図９】図７の別の部分拡大図である。
【図１０】本発明に係るモジュール部品の別の実施例を
示す部分拡大図である。
示す部分拡大図である。
【図１１】本発明に係るモジュール部品の別の実施例を
示す別の部分拡大図である。
示す別の部分拡大図である。
【図１２】図１〜図９に示したモジュール部品の横押強
度と金めっき膜の膜厚との関係を示す図である。
度と金めっき膜の膜厚との関係を示す図である。
【図１３】図１〜図９に示したモジュール部品の周波数
特性を示す図である。
特性を示す図である。
１００ 多層基板
１０１ 多層基板の表面
１０２、１０３ 投影面
ＳＡＷ１、ＳＡＷ２ 弾性表面波素子
２０１ 電極形成面
３０ 第１の接合層
４１、４２、４３、４４ 整合回路
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｑ
Ｚ
Ｆターム(参考） 5E338 AA03 CC01 CD32 CD40 EE11
EE22
5E346 BB16 BB20 HH22
5J097 AA12 AA30 BB15 DD25 HA04
JJ09 KK04 KK05 KK08 KK10
LL07
Claims (13)
- 【請求項１】 多層基板と、弾性表面波素子と、整合回
路とを含むモジュール部品であって、 前記多層基板は、内部に複数の受動素子を含んでおり、 前記弾性表面波素子は、電極形成面が所定の間隔を保っ
て前記多層基板の表面に対向して、前記多層基板の前記
表面上に搭載されており、 前記整合回路は、少なくとも一部が、前記多層基板の表
面における前記弾性表面波素子の投影面内に形成され、
前記弾性表面波素子と電気的に接続されているモジュー
ル部品。 - 【請求項２】 請求項１に記載されたモジュール部品で
あって、 前記多層基板の表面と前記電極形成面との間隔が、１０
μｍ乃至５０μｍであるモジュール部品。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載されたモジュール
部品であって、 前記多層基板は、第１の端子部を含み、 前記第１の端子部は、前記多層基板の表面における前記
投影面に形成され、 前記弾性表面波素子は、第２の端子部を含み、 前記第２の端子部は、前記弾性表面波素子の入力、又は
出力端子であり、前記電極形成面に形成され、 前記第１の端子部及び前記第２の端子部は、互いに対向
して備えられ、 前記整合回路は、前記第１の端子部を介して前記第２の
端子部と電気的に接続されているモジュール部品。 - 【請求項４】 請求項１乃至３の何れかに記載されたモ
ジュール部品であって、 更に、第１の接合層を含み、 前記第１の接合層は、前記第１の端子部と前記第２の端
子部との間に配置され、両者に接続されているモジュー
ル部品。 - 【請求項５】 請求項４に記載されたモジュール部品で
あって、 前記第１の端子部及び前記第２の端子部は、金めっき膜
を含み、 前記第１の接合層は、金を主成分とするモジュール部
品。 - 【請求項６】 請求項５に記載されたモジュール部品で
あって、 前記第１の端子部は、焼結性導体膜と、Ｎｉめっき膜
と、金めっき膜とを含み、 前記Ｎｉめっき膜は、前記焼結性導体膜の上に備えら
れ、 前記金めっき膜は、前記Ｎｉめっき膜の上に備えられて
いるモジュール部品。 - 【請求項７】 請求項６に記載されたモジュール部品で
あって、 前記Ｎｉめっき膜の膜厚が、２μｍ乃至５μｍであるモ
ジュール部品。 - 【請求項８】 請求項５乃至７の何れかに記載されたモ
ジュール部品であって、 前記第１の端子部の前記金めっき膜の膜厚が、０．１μ
ｍ乃至１μｍであるモジュール部品。 - 【請求項９】 請求項５乃至７の何れかに記載されたモ
ジュール部品であって、 前記第１の端子部の前記金めっき膜の膜厚が、０．３μ
ｍ乃至０．７μｍであるモジュール部品。 - 【請求項１０】 請求項１乃至９の何れかに記載された
モジュール部品であって、 前記多層基板は、第１の固定部を含み、 前記第１の固定部は、前記多層基板の表面ににおける前
記投影面に形成され、 前記弾性表面波素子は、第２の固定部を含み、 前記第２の固定部は、前記弾性表面波素子の前記電極形
成面に形成され、 前記第１の固定部及び前記第２の固定部は、互いに対向
して備えられているモジュール部品。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載されたモジュール部
品であって、 更に、第２の接合層を含み、 前記第２の接合層は、前記第１の固定部と前記第２の固
定部との間に配置され、両者に接続されているモジュー
ル部品。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載されたモジュール部
品であって、 前記第１の固定部及び前記第２の固定部は、金めっき膜
を含み、 前記第２の接合層は、金を主成分とするモジュール部
品。 - 【請求項１３】 請求項１乃至１２の何れかに記載され
たモジュール部品であって、前記整合回路は、金めっき
膜を含むモジュール部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2001218506A JP4232884B2 (ja) | 2001-07-18 | 2001-07-18 | モジュール部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2001218506A JP4232884B2 (ja) | 2001-07-18 | 2001-07-18 | モジュール部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003032076A true JP2003032076A (ja) | 2003-01-31 |
| JP4232884B2 JP4232884B2 (ja) | 2009-03-04 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001218506A Expired - Fee Related JP4232884B2 (ja) | 2001-07-18 | 2001-07-18 | モジュール部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4232884B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004102799A1 (ja) * | 2003-05-14 | 2004-11-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波分波器 |
| US7053731B2 (en) | 2003-04-28 | 2006-05-30 | Fujitsu Media Devices, Limited | Duplexer using surface acoustic wave filters |
| KR100945622B1 (ko) * | 2006-08-31 | 2010-03-04 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 전자 부품 모듈 |
| JP2013251848A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイス |
-
2001
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7053731B2 (en) | 2003-04-28 | 2006-05-30 | Fujitsu Media Devices, Limited | Duplexer using surface acoustic wave filters |
| KR100717659B1 (ko) * | 2003-04-28 | 2007-05-15 | 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 | 분파기 및 전자 장치 |
| WO2004102799A1 (ja) * | 2003-05-14 | 2004-11-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波分波器 |
| KR100945622B1 (ko) * | 2006-08-31 | 2010-03-04 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 전자 부품 모듈 |
| US8345438B2 (en) | 2006-08-31 | 2013-01-01 | Fujitsu Limited | Electronic part module and method of making the same |
| JP2013251848A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4232884B2 (ja) | 2009-03-04 |
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| A621 | Written request for application examination |
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| A977 | Report on retrieval |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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