KR20060095092A - 고주파 모듈 부품 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR20060095092A
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이승희
박상욱
김남형
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Abstract

본 발명은 탄성표면파 부품의 보호를 위한 패키징과 모듈의 패키징을 동시에 구현함으로써, 공정 수를 감소 및 모듈의 사이즈 감소를 도모할 수 있는 고주파 모듈 부품 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명은 연결도선이 형성된 배선기판상에 칩 부품을 실장하고, 탄성표면파 부품을 베어칩 상태로 플립본딩한 후, 상기 탄성표면파 부품을 선택적으로 필름 라미네이팅한 후 몰딩하거나, 몰딩 없이 상기 탄성표면파 부품 및 칩부품 전체를 필름으로 라미네이팅한 후 금속 도금하거나, 배선기판과 탄성표면파 부품의 사이에 금속 월을 형성한 후 몰딩함으로써, 고주파 모듈 부품의 사이즈를 감소시키고, 제조 공정을 간소화시키고, 비용절감효과까지 얻고자 한다.
고주파 모듈, 탄성표면파(SAW), 베어칩(bare chip), 플립본딩, 세라믹 패키지

Description

고주파 모듈 부품 및 그 제조 방법{RF module device and method for manufacturing thereof}
도 1은 종래 고주파 모듈 부품의 단면 구성도.
도 2는 본 발명에 의한 고주파 모듈 부품의 제1 실시형태를 보인 단면도.
도 3은 본 발명에 의한 고주파 모듈 부품의 제2 실시형태를 보인 단면도.
도 4는 본 발명에 의한 고주파 모듈 부품의 제3 실시형태를 보인 단면도.
도 5는 본 발명의 제1 실시형태에 의한 고주파 모듈 부품의 제조 방법을 나타낸 공정도.
도 6은 본 발명의 제2 실시형태에 의한 고주파 모듈 부품의 제조 방법을 나타낸 공정도.
도 7은 본 발명의 제3 실시형태에 의한 고주파 모듈 부품의 제조 방법을 나타낸 공정도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
21, 31, 41: 배선기판
22, 32, 42: 칩부품
23, 33, 43 : 탄성표면파(SAW: Surface acoustic wave) 부품
24, 34: 열경화성 필름
35: 금속도금층
44: 금속 월(wall)
25, 45: 몰딩수지
본 발명은 탄성표면파(SAW: Surface Acoustic Wave) 부품을 하나 이상 포함하는 고주파 모듈 부품에 관한 것으로서, 더 상세하게는 베어칩(bare chip) 형태의 탄성표면파 부품을 배선기판상에 직접 탑재함으로써 사이즈를 더 감소시킨 고주파 모듈 부품 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근 무선 LAN(Local network), 휴대폰, PDA 등의 각종 무선 통신 단말기기에 대한 다기능화 및 소형화 추세에 따라서, 무선 통신 단말기에 사용되는 각종 부품의 소형화를 위한 여러 시도가 이루어지고 있다.
이런 무선 통신 단말기기에는 필터, 듀플렉서 등을 구현하는 부품으로서 탄성표면파(SAW)를 이용한 형태의 부품이 많이 사용되며, 또한 소형화를 위하여 다수의 부품을 하나의 패키지로 구현하는 모듈화가 많이 시도되고 있다. 이하, 탄성표면파 부품을 포함하는 모듈형태의 부품을 고주파 모듈 부품이라 한다.
도 1은 종래의 고주파 모듈 부품의 구조를 나타낸 것으로서, 이를 참조하면, 종래의 고주파 모듈 부품은 배선기판(11)상에 패키징 된 탄성표면파 부품(12)과, 탄성표면파 이외의 다른 칩 부품(13)을 장착하고, 상기 배선기판(11)의 상부 전체를 수지로 몰딩하여 구현된다.
이때, 상기 탄성표면파 부품(12)은 세라믹 기판(121) 위에 탄성표면파 칩(122)을 플립본딩에 의하여 장착한 후, 상기 탄성표면파 칩(122)의 상부에 열경화성 필름(123)을 라미네이팅하고, 상기 열경화성필름(123)의 상부에 금속(124)을 도금함으로써, 탄성표면파 칩(122)을 밀봉한 것이다. 이외에도 종래 방식에는 캐비티(cavity) 모양의 패키지에 탄성표면파 칩을 플립본딩 또는 와이어 본딩한 후, 금속 재질의 덮개를 패키시 상부에 심 용접하거나, 열 융착하는 등의 방법으로 탄성표면파 칩을 밀봉하는 구조도 있다.
이상과 같은 종래의 고주파 모듈 부품은 단순히 패키징된 탄성표면파 부품(12)과 칩 부품(13)을 배선기판(11)상에 장착한 후 몰딩한 것이기 때문에, 모듈화에 따른 사이즈 감소효과가 매우 미약하다.
그러나 최근의 무선통신 단말기분야는 더 많은 소형화를 요구하고 있기 때문에, 무선통신 단말기들에 필수적으로 요구되는 고주파 모듈 부품에 대한 개선이 필요하다.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 그 목적은 탄성표면파 부품의 밀봉 및 고주파 부품 모듈의 패키징을 동시에 구현함으로 써, 공정 수를 감소시키고, 사이즈 감소를 도모할 수 있는 고주파 모듈 부품 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 구성수단으로서, 본 발명에 의한 고주파 모듈 부품은, 부품 간의 연결도선이 형성된 배선기판; 탄성표면파 소자 이외의 다른 부품으로서 상기 배선기판상에 탑재되는 하나 이상의 칩 부품; 베어칩 상태로써, 상기 배선기판 상에 플립본딩 구조로 형성된 하나 이상의 탄성표면파 부품; 및 상기 탄성표면파 부품을 밀봉시키면서, 상기 연결도선 및 칩부품을 보호하는 패키징 수단으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
더하여, 상기 본 발명에 의한 고주파 모듈 부품의 패키징 수단은, 상기 탄성표면파 부품에 라미네이팅되는 열경화성 필름; 및 상기 연결도선, 칩부품, 및 열경화성 필름으로 라미네이팅된 탄성표면파 부품 전체에 도포되는 몰딩수지로 이루어지거나, 상기 연결도선, 칩부품, 및 탄성표면파 부품 전체에 라미네이팅된 열경화성 필름; 및 상기 열경화성 필름의 상부에 형성되는 금속도금층으로 이루어지거나, 상기 탄성표면파 부품과 배선기판사이에 탄성표면파 부품의 모서리를 따라 형성되는 금속 월 및 상기 연결도선, 칩부품, 및 탄성표면파 부품 전체에 도포되는 몰딩수지로 이루어질 수 있다.
더하여, 본 발명은 다수의 연결도선이 행렬로 반복 형성되어 있는 배선기판상에 다수의 칩부품을 솔더 본딩하는 단계; 상기 배선기판상에 베어칩상태인 하나 이상의 탄성표면파 부품을 플립본딩하는 단계; 상기 배선기판상의 연결도선 및 탑재된 칩부품과 탄성표면파부품을 보호하도록 패키징 수단을 형성하는 단계; 및 상기 패키징 수단이 형성된 배선기판을 다이싱하여 복수의 고주파 모듈 부품을 형성하는 단계를 포함하는 고주파 모듈 부품의 제조 방법을 제안한다.
또한, 상기 본 발명에 의한 고주파 모듈 부품의 제조 방법에 있어서, 상기 상기 패키징 수단을 형성하는 단계는, 열경화성 필름을 펀칭하여 탄성표면파 부품에 라미네이팅하고, 상기 연결도선, 칩부품, 및 라미네이팅된 탄성표면파 부품 모두가 덮히도록, 상기 배선기판 상부면 전체를 수지로 몰딩함에 의해 이루어지거나, 열경화성 필름을 상기 연결도선, 칩부품, 탄성표면파 부품 전체에 라미네이팅시키고, 다수 모듈간 경계선 부분을 열경화성 필름을 제거한 후, 배선기판상부 및 열경화성 필름 상부를 금속 도금함에 의해 이루어지거나, 상기 탄성표면파 부품의 모서리측에 배선기판과 연결되는 금속월을 형성한 후, 배선기판 상부면 전체를 수지로 몰딩함에 의해 구현된다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 의한 고주파 모듈 부품 및 그 제조 방법에 대해서 구체적으로 설명한다.
본 발명은 탄성표면파 부품을 포함하는 고주파 모듈 부품을 구현하는데 있어서, 배선기판상에 칩부품들과 함께 탄성표면파 부품을 베어칩 형태로 실장한 후, 탄성표면파 부품과 다른 칩부품의 패키징을 동시에 수행함으로써, 기존의 세라믹 기판을 제거하여, 사이즈 감소를 도모하는 것으로서, 이때 패키징 구조 및 방식에 따라서 제1~제3 실시형태로 구현될 수 있다.
도 2는 본 발명에 의한 고주파 모듈 부품의 제1 실시형태를 나타낸 단면사시도이다.
상기 도 2를 참조하면, 본 발명의 고주파 모듈 부품은, 부품간을 연결하는 연결도선이 형성되어 있는 배선기판(21)과, 고주파 회로에 사용되는 탄성표면파(SAW) 소자 이외의 다른 부품으로서 상기 배선기판(21)상에 본딩되는 칩부품(22)과, 베어칩형태로서 상기 배선기판(21) 상에 플립본딩 구조로 형성되는 탄성표면파부품(23)과, 상기 탄성표면파 부품(23)을 밀봉하는 열경화성 필름(24)과, 상기 배선기판(21), 칩부품(22), 및 탄성표면파 부품(23) 상부 전체에 형성되는 몰딩 수지(25)로 이루어진다.
상기에서 배선기판(21)은 HTCC 혹은 LTCC와 같은 세라믹기판이나 PCB 기판등을 포함한다. 그리고, 칩부품(22)으로는 MLCC(적층 세라믹 캐패시터), 칩인덕터, 칩저항,칩스위치 등이 포함된다.
상기에서, 칩부품(22) 및 탄성표면파 부품(23)을 하나씩만 도시하였으나, 그 갯수는 제한되지 않으며, 요구되는 고주파 모듈의 회로 또는 기능에 따라서, 둘 이상이 될 수 있다.
상기 열경화성 필름(24)은 폴리이미드 계열의 필름, 에폭시 계열의 필름을 포함하며, 몰딩수지(25)는 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC), 에폭시 시트 몰딩(ESM), 폴리페닐렌옥사이드(PPO), 실리콘 필름중 하나로 구현될 수 있다.
상기 제1 실시형태에 있어서, 패키징 수단은 열경화성 필름(24)과 몰딩 수지(25)가 된다.
상기와 같이, 탄성표면파 부품(23)을 베어칩 상태로 배선기판(21)상에 직접 탑재할 경우, 도 1에 보인 세라믹 기판을 제거하여 사이즈를 감소시킬 수 있으며, 더하여 상기 열경화성 필름(24)을 통해 탄성표면파 부품(23)을 밀봉시킴으로서, 탄성표면파 부품(23)은 안정적으로 동작할 수 있다.
상술한 제1 실시형태의 고주파 모듈 부품에 대한 제조 공정은 도 5에 도시된 바와 같이 이루어진다.
상기 도 5를 참조하여 제1실시형태에 있어서의 제조 과정을 설명하면, 하나의 고주파 모듈내에 설계된 연결도선이 행렬로 반복 형성되어 있는 배선기판(51)상에 SMT 기술을 통해 다수의 칩부품(52)을 솔더 본딩한다.
그리고, 베어칩 상태의 탄성표면파 부품(53)을 배선기판(51)에 플립본딩한다. 상기 플립본딩은 베이칩 상태의 탄성표면파 칩(53)위에 스터드 범프(Au stud Bump)를 형성하여 초음파 본딩을 하는 방법과, 배선기판(51)상에 솔더 범프를 형성한 후 열융착 본딩을 하는 방법에 의해서 이루어질 수 있다. 그리고 열경화성 필름을 펀칭하여 상기 배선기판(51)에 탑재된 탄성표면파 부품(53)에만 도포한 후, 압착하여 필름 라미네이팅층(54')을 형성한다.
이러한 필름 라미네이팅 과정에서 중요한 요소는 열경화성 필름의 재질, 온도, 시간, 및 진공도로서, 예를 들어, 상기 열경화성 필름(54)으로서 폴리이미드 계열의 필름을 사용할 경우, 압착 재질의 탄성은 0.2~1MPa이고, 온도는 170~220℃ 이고, 공정 시간은 30초~2분 이내, 진공도는 0.5~1.5hpa내인 경우, 최적의 라미네이팅 결과를 얻을 수 있다. 상기와 같은 라미네이팅 공정에 의하여, 배선기판(51)에 탑재된 다수의 부품 중, 탄성표면파 부품(53)이 상기 필름 라미네이팅(54')층에 의해서 밀봉된다. 그 결과, 탄성표면파 부품(53) 상에 형성된 탄성표면파 전극들이 보호될 수 있다. 그리고 상기 배선기판(51)의 상부 면에 칩부품(52) 및 탄성표면파 부품(53)의 두께 이상으로 수지를 몰딩하여, 몰딩층(55)을 형성한다. 상기 몰딩층(55)의 형성 방법은, EMC를 이용한 트랜스퍼 몰딩(transfer molding) 방법, 에폭시 시트를 열압착하여 몰딩하는 방법, 액상 형태의 몰딩재료를 토출하여 열처리하는 방법, 주입 성형하는 방법등이 모두 이용될 수 있다.
마지막으로, 상기 몰딩된 배선기판(51)을 다이싱 공정을 통해 절단하여, 다수의 고주파 모듈 부품을 형성한다.
상기 공정에 따르면, 종래의 탄성표면파 부품의 패키징을 위한 세라믹 기판형성 공정 및 금속도금공정 등이 제거될 수 있으며, 그 결과 제조가 용이해질 수 있다.
다음으로, 도 3은 본 발명에 의한 고주파 모듈 부품의 제2실시형태를 나타낸 단면사시도이다.
상기 도 3을 참조하면, 본 발명의 고주파 모듈 부품은, 부품간을 연결하는 연결도선이 형성되어 있는 배선기판(31)과, 탄성표면파(SAW)소자 이외의 다른 부품으로서 상기 배선기판(31)상에 본딩되는 칩부품(32)과, 베어칩 형태로서 상기 배선 기판(31) 상에 플립본딩 구조로 배치되는 탄성표면파부품(33)과, 상기 배선기판(31), 칩부품(32), 및 탄성표면파 부품(33) 전체에 라미네이팅된 열경화성 필름(34)과, 상기 열경화성 필름(34)의 상부에 형성되는 금속도금층(35)으로 이루어진다. 상기 구성에서, 배선기판(31)과 칩부품(32)과 열경화성 필름(34)의 종류는 앞서 설명한 제1실시형태와 동일한다.
상기 배선기판(31)과 금속도금층(35)이 접속되는 부분은 배선기판(31)을 통해 하부의 접지단자(도시 생략)와 연결되어 있으며, 또한 상기 배선기판(31)상의 금속도금층(35)이 형성될 부분에 미리 금속층을 형성함으로서, 금속도금층(35)의 형성시 배선기판(31)과의 밀착력을 높힐 수 있다.
상기 제1 실시형태에서와 마찬가지로, 상기 칩부품(32) 및 탄성표면파부품(33)의 수는 하나 이상이 될 수 있다.
상술한 제2 실시형태에 있어서, 패키징 수단은 열경화성 필름(34)과 금속 도금층(35)이 된다.
상기 제2실시형태에 보인 고주파 모듈 부품은 도 2에의 몰딩 수지(25) 대신에 열경화성 필름(34)을 칩부품(32)과 탄성표면파 부품(33)에 함께 라미네이팅함으로써, 배선기판(31)의 연결도선과 칩부품(32)의 보호 및 탄성표면파 부품(33)의 밀봉을 동시에 구현한다. 이때, 상기 열경화성 필름(34)의 상부 면에는 금속도금(35)을 형성함으로써 수분침투를 억제시킬 수 있고, 또한 상기 금속도금층(35)을 배선기판(31)의 접지단자와 연결시킴으로써 전자기장 차폐효과까지 기대할 수 있다. 또한 상기 제2실시형태에 따른 고주파 모듈 부품은 상기 제1실시형태에 비하여 공정 을 더 간소화할 수 있다.
도 6은 상술한 제2실시형태에 따른 고주파 모듈 부품의 제조 공정을 차례대로 도시한 것으로서, 이를 참조하여 제2실시형태의 고주파 모듈 부품 제조 공정을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 설계된 회로를 구현하는 연결도선이 다수의 행렬로 반복 형성된 배선기판(61) 상에 복수의 칩부품(62)을 SMT 기술을 통해 동시에 장착한다.
또한, 상기 배선기판(61)상에 복수의 탄성표면파 부품(63)을 플립본딩에 의하여 탑재한다.
그 다음, 열경화성 필름(64)을 상기 배선기판(61), 칩부품(62) 및 탄성표면파 부품(63) 전체에 도포한 후, 라미네이팅 공정을 통해 밀착시킨다.
상기와 같이 열경화성 필름(64)의 라미네이팅이 완료되면, 배선기판(61)상부에 있어서, 단일 모듈간의 경계선을 따라서, 상기 열경화성 필름(64)을 제거하여, 배선기판(61)이 노출되는 그루빙(grooving)(65)을 형성한다.
그 다음, 상기 배선기판(61) 상부 및 열경화성 필름(64) 상부에 금속도금(66)을 형성한다. 그리고 다이싱공정을 통해 각 모듈을 분리시킨다.
상기 그루빙(65)은 수분침투에 대한 신뢰성을 보장하도록 상기 금속도금(66)과 배선기판(61)을 완전히 밀착시키기 위한 것으로서, 모듈간 경계선상에 위치한 필름(64)이 완벽하게 제거되어야 한다. 또한, 상기 배선기판(61)상의 상기 경계선 부근에는 하부의 접지단자와 연결되는 금속층 혹은 도선이 형성되어 있어, 금속도금층(66)을 접지로 연결시킨다. 이에 외부에서 발생하는 전자파가 상기 금속도금층 (66)을 따라 접지됨으로서, 전자파 차폐효과를 발생시킨다. 상기 금속도금층(66)의 형성방법으로는 스퍼터로 시드 메탈(seed metal)을 형성한 후, 그 위에 전해 도금하는 방법이 있다.
다음으로, 도 4는 본 발명에 의한 고주파 모듈 부품의 제3실시형태를 나타낸 단면도이다.
상기 도 4를 참조하면, 본 발명의 고주파 모듈 부품은, 부품간을 연결하는 연결도선이 형성되는 배선기판(41)과, 탄성표면파(SAW)소자 이외의 소자로서 상기 배선기판(41)상에 본딩되는 칩부품(42)과, 베어칩 상태로서 상기 배선기판(31) 상에 플립본딩 구조로 배치된 탄성표면파부품(43)과, 상기 탄성표면파 부품(43)의 모서리를 따라서, 상기 탄성표면파 부품(43)과 배선기판(41) 사이에 구비되어, 탄성표면파부품(43)을 밀봉시키는 금속 월(44)과, 상기 배선기판(41), 칩부품(42), 및 탄성표면파 부품(43) 전체에 형성된 몰딩 수지(45)로 이루어진다.
앞의 실시형태와 마찬가지로, 상기 칩부품(42) 및 탄성표면파 부품(43)의 수는 하나 이상이 될 수 있다. 또한, 상기 배선기판(41)과, 칩부품(42)과, 몰딩수지(45)의 구체적인 예는 앞서 설명한 제1실시형태에서와 동일하다.
상기 제3실시형태에 있어서, 패키징 수단은 금속 월(44)과 몰딩 수지(45)가 된다.
상술한 제3실시형태에 따른 고주파 모듈 부품은, 베어칩 상태의 탄성표면파 부품(43)과 배선기판(44) 사이에 사각틀 형태로 금속 월(44)이 구비되어, 탄성표면 파 부품(43)의 패턴 부분을 밀봉시킨다. 따라서, 라미네이팅 공정 없이도 간단하게 탄성표면파 부품(43)의 밀폐구조를 형성할 수 있게 된다. 따라서, 제1,2실시형태보다 더 공정을 소형화시킬 수 있다.
이러한 제3실시형태에 따른 고주파 모듈 부품의 제조 공정을 도 7에 도시한다.
상기 도 7을 참조하면, 앞서와 마찬가지로 소정의 고주파 회로를 형성하기 위한 연결도선이 행렬로 다수 개 반복 형성된 배선기판(71)을 마련하고, 상기 배선기판(71) 상에 SMT 공정에 의해 복수의 칩 부품(72)을 장착한다.
이어서, 복수의 탄성표면파 부품(73) 장착 및 금속월(74)의 형성을 수행한다. 상기 금속월(74)은 범프볼(73a)과 함께 탄성표면파 부품(73)상에 형성되거나, 배선기판(71)상의 탄성표면파 부품(73) 장착 위치에 형성된 후, 상기 복수의 탄성표면파 부품(73)을 배선기판(71)상에 플립본딩함에 의하여, 탄성표면파 부품(73) 및 금속월(74)의 형성이 이루어진다.
상기 금속 월(74)은 탄성표면파 부품(73)의 패턴이 형성된 상면의 모서리와 결합되는 대략 사각 틀 형태로써, 플립본딩후 밀폐용 벽을 형성하게 된다. 상기 금속 월(74)의 형성방법으로는, 솔더를 스크린 프린팅하는 방법, 무전해 도금방법, 증착방법등이 있으며, 금속 월(74)의 재질은 금(Au) 혹은 AuSn등의 금을 포함한 합금이 된다.
상기 플립 본딩 방법은 제1실시형태와 동일하게, 초음파 본딩 방법, 열융착 본딩방법을 사용할 수 있다.
상기에 의해, 탄성표면파 부품(73)의 밀폐 구조가 형성된다. 이후, 상기 배선기판(71), 칩부품(72), 탄성표면파 부품(73)의 전체가 보호되도록 몰딩 수지(75)를 형성한 후, 다이싱을 통해 개별 고주파 모듈 부품을 형성한다. 상기에서 몰딩 수지(75)를 형성하는 방법도, 제1실시형태에서 제시된 몰딩 방법을 동일하게 사용할 수 있다.
상술한 바에 의하면, 본 발명은 기존 탄성표면파 부품의 세라믹 패키지 부분가 제거됨으로써, 그만큼의 두께 및 면적이 감소되어, 고주파 모듈 부품의 소형화 및 박형화를 도모할 수 있으며, 마찬가지로 세라믹 패키지 제조 공정이 제거되고, 탄성표면파 부품의 패키지와 고주파 모듈의 회로 보호 공정을 일체로 진행함으로써, 공정수를 감소시킬 수 있으며, 또한 재료비 비중이 큰 세라믹 패키지의 제거를 통해 상당한 재료비 감소효과를 얻을 수 있다.

Claims (9)

  1. 부품 간의 연결도선이 형성된 배선기판;
    탄성표면파 소자 이외의 소자로서, 상기 배선기판 상에 장착되는 하나 이상의 칩 부품;
    패키징 되지 않은 베어칩 상태로서, 상기 배선기판 상에 플립본딩구조로 장착되는 하나 이상의 탄성표면파 부품; 및
    상기 배선기판 상부에 형성되어, 탄성표면파 부품을 밀봉시키고, 배선기판의 연결도선 및 칩부품을 보호하는 패키징 수단으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈 부품.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 패키징 수단은
    상기 탄성표면파 부품에 라미네이팅되는 열경화성 필름; 및
    상기 배선기판, 칩부품, 및 상기 탄성표면파 부품 전체에 도포되는 몰딩수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈 부품.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 패키징 수단은
    상기 배선기판, 칩부품, 및 탄성표면파 부품 전체에 라미네이팅된 열경화성 필름; 및
    상기 열경화성 필름의 상부에 형성되는 금속도금층으로 이루어지는 고주파 모듈 부품.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 패키징 수단은
    상기 플립본딩된 탄성표면파 부품과 배선기판 사이에 구비되어, 탄성표면파 부품을 밀봉시키는 금속 월; 및
    상기 배선기판, 칩부품, 및 탄성표면파 부품 전체에 도포되는 몰딩수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈 부품.
  5. 다수의 연결도선이 행렬로 반복 형성되어 있는 배선기판을 형성하는 단계;
    상기 배선기판 상에 다수의 칩부품을 솔더 본딩하는 단계;
    상기 배선기판상에 베어칩 상태인 하나 이상의 탄성표면파 부품을 플립본딩하는 단계;
    상기 탄성표면파 부품을 밀봉시키면서, 배선기판 상의 연결도선 및 칩부품을 보호하는 패키징 수단을 형성하는 단계; 및
    상기 패키징 수단이 형성된 배선기판을 다이싱하여 복수의 고주파 모듈 부품을 형성하는 단계를 포함하는 고주파 모듈 부품의 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 패키징 수단을 형성하는 단계는
    열경화성 필름을 펀칭하여 상기 탄성표면파 부품에 도포한 후, 라미네이팅하는 단계; 및
    상기 배선기판, 칩부품, 및 탄성표면파 부품을 수지로 몰딩하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈 부품의 제조 방법.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 패키징 수단을 형성하는 단계는
    열경화성 필름을 상기 칩부품 및 탄성표면파 부품 전체에 라미네이팅하는 단계;
    상기 배선기판상에서 단위 모듈의 경계선에 존재하는 상기 열경화성 부분을 제거하는 단계; 및
    상기 배선기판, 및 열경화성 필름의 상부를 금속 도금하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈 부품의 제조 방법.
  8. 제 5항에 있어서, 상기 탄성표면파 부품을 플립본딩하는 단계는
    상기 탄성표면파 부품 또는 배선기판상에 범프 볼과 함께 사각틀 형상의 금속 월을 형성하는 단계; 및
    상기 탄성표면파 부품을 플립본딩하여, 금속 월을 탄성표면파 부품과 배선기판 사이에 접합시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈 부품의 제조 방법.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 패키징 수단을 형성하는 단계는
    상기 배선기판, 칩부품, 및 상기 탄성표면파 부품 전체를 수지로 몰딩하는 단계인 것을 특징으로 하는 고주파 모듈 부품의 제조 방법.
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