TWI683535B - 雙工器 - Google Patents

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TWI683535B TW106100839A TW106100839A TWI683535B TW I683535 B TWI683535 B TW I683535B TW 106100839 A TW106100839 A TW 106100839A TW 106100839 A TW106100839 A TW 106100839A TW I683535 B TWI683535 B TW I683535B
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Abstract

本發明提供一種將第1濾波器與第2濾波器確實地隔離之雙工器。
本發明之雙工器，具備多層基板、以及形成於多層基板之第1端子、第2端子、第3端子、及接地端子，於第1端子與第2端子之間構成第1濾波器(低通濾波器LPF)，於第1端子與第3端子之間構成第2濾波器(高通濾波器HPF)，於多層基板之層間具備相互獨立之第1濾波器用接地電極、第2濾波器用接地電極、及用以將第1濾波器與第2濾波器之間屏蔽之屏蔽用接地電極，且接地端子係由相互獨立之連接於第1濾波器用接地電極之第1濾波器用接地端子、連接於第2濾波器用接地電極之第2濾波器用接地端子、及連接於屏蔽用接地電極之屏蔽用接地端子所構成。

Description

雙工器
本發明係關於一種具備第1濾波器及第2濾波器之雙工器(diplexer)，更詳細而言，係關於一種將第1濾波器與第2濾波器充分地隔離之具有優異之頻率特性之雙工器。
於無線通訊中，存在為了利用一個天線進行發送與接收之兩者而利用雙工器之情形。
又，於利用有線電視之線路之高速資料通訊中，亦存在為了利用一個電纜線路進行發送與接收之兩者而利用雙工器之情形。又，作為利用有線電視之線路之高速資料通訊之規格，例如有基於DOCSIS(註冊商標)(Data Over Cable Service Interface Specifications)之資料通訊服務。
可用於此種用途之雙工器揭示於專利文獻1(日本特開2014-179967號公報)。
專利文獻1所揭示之雙工器具備積層有多個基材層之多層基板(積層體)。於多層基板之層間積層有電容器電極、線路電極(圖案導體)、接地電極(接地導體)、及配線電極。又，形成有用以貫通基材層之兩主面間而謀求電性連接之通孔導體。進一步，於多層基板之非構裝面(上 側主面)搭載有電感器元件(電感器)。
專利文獻1所揭示之雙工器由電容器電極彼此或電容器電極與接地電極構成電容器。又，藉由線路電極構成電感器。而且，使用該等電容器、電感器、以及搭載於多層基板之非構裝面之電感器元件構成低通濾波器及高通濾波器。
然而，揭示於專利文獻1之雙工器即便於多層基板之內部鄰接形成有低通濾波器及高通濾波器，但並未採取將低通濾波器與高通濾波器之間隔離之手段。因此，存在如下問題，即，於低通濾波器之內部電極圖案與高通濾波器之內部電極圖案之間，藉由線路電容(line capacity)或電磁場耦合，通過高通濾波器之接收信號轉入低通濾波器，或通過低通濾波器之發送信號轉入高通濾波器而使頻率特性劣化。
又，專利文獻1所揭示之雙工器為具備低通濾波器及高通濾波器之雙工器，但於具備低通濾波器及帶通濾波器之雙工器中亦存在相同問題。
為了解決上述問題，於專利文獻2(日本特開2006-140862號公報)所揭示之雙工器(高頻模組)中，於多層基板(積層基板)之內部，於濾波器與濾波器之間形成屏蔽用接地電極(接地用導體層)，而謀求濾波器與濾波器之隔離之提昇。又，專利文獻2所揭示之雙工器係經複合化之雙工器，即，具備多個低通濾波器及多個帶通濾波器，又，具備多個發送信號路徑及多個接收信號路徑，且利用開關切換必需之濾波器而使用。
圖11(A)~(C)中表示專利文獻2所揭示之雙工器1100。但是，圖11(A)~(C)係分別將構成雙工器1100之多層基板(未圖示) 之19層基材層(介電體層)中之說明所必需之3層基材層101a、101b、101c抽出，表示其上側主面者。圖11(A)表示積層於自上方起第7層之基材層101a。圖11(B)表示積層於自上方起第8層之基材層101b。圖11(C)表示積層於自上方起第18層之基材層101c。
雙工器1100於圖11(A)、(B)中之左半邊之區域形成有接收用濾波器，於右半邊之區域形成有發送用濾波器。
於雙工器1100之多層基板之多個層間形成有圖11(A)所示之屏蔽用接地電極(接地用導體層)102。形成於不同之層間之屏蔽用接地電極102藉由圖11(A)、(B)所示之通孔導體(通孔)103相互連接。雙工器1100藉由屏蔽用接地電極102及通孔導體103而謀求接收用濾波器與發送用濾波器之隔離。
又，雙工器1100將接收用濾波器之接地、發送用濾波器之接地、及屏蔽用接地電極102整合於圖11(C)所示之形成於第18層基材層101c之1個接地電極(導體層)104之後，將接地電極104連接於6個接地端子G1~G6。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2014-179967號公報
[專利文獻2]日本特開2006-140862號公報
雙工器1100將所有接地暫時先整合於1個接地電極104之後，將接地電極104連接於6個接地端子G1~G6，並連接於系統(將雙工器1100組入之通訊機器)之接地。因此，自系統側觀察之雙工器1100之實際之特性表現為於內部之接地電極104與系統之接地之間賦予有較小之電感成分L或浮動電容之特性。因此，存在如下問題，即，因接地於內部之接地電極共通導致濾波器間之隔離產生極限。又，存在如下問題，即，由於各濾波器之接地共通，故而無法個別地調整形成於濾波器與系統之間之電感成分或浮動電容(floating capacitance)，且無法最大限度地有效利用各濾波器之特性。
進行以下實驗，調查形成於濾波器與接地端子之間之電感成分之大小對頻率特性賦予之影響。具體而言，製作濾波器之接地電極與接地端子之間之長度不同且形成於該部分之電感成分之大小不同之試樣1及試樣2之雙工器。然後，對試樣1與試樣2之頻率特性進行比較。
試樣1及試樣2之雙工器均具備於內部積層有電容器電極或接地電極之多層基板，且於該多層基板之上側主面搭載有多個電感器元件。又，於多層基板之下側主面形成有第1端子、第2端子、第3端子、及接地端子。而且，藉由利用多層基板內部之電容器電極所構成之電容器、及利用所搭載之電感器元件之電感器而於第1端子與第2端子之間構成低通濾波器，於第1端子與第3端子之間構成高通濾波器。又，低通濾波器之接地與高通濾波器之接地暫時先整合於在多層基板之內部共通之接地電極，且該共通之接地電極連接於形成於多層基板之表面之各接地端子。
使試樣2之雙工器之自共通之接地電極至接地端子之線路之長度較試樣1之雙工器之自共通之接地電極至接地端子之線路之長度更長。因此，於試樣2之雙工器中形成於自共通之接地電極至接地端子之電感成分較於試樣1之雙工器中形成於自共通之接地電極至接地端子之電感成分更大。
於圖12中分別表示試樣1及試樣2之雙工器之頻率特性。又，虛線為試樣1之雙工器之頻率特性，實線為試樣2之雙工器之頻率特性。如試樣2之雙工器般，增長自共通之接地電極至接地端子之線路之長度，且增大所形成之電感成分時，低通濾波器如虛線之橢圓V-1所示般，相較於通帶，高頻側之衰減變大而較佳。然而，高通濾波器相反地如虛線之橢圓V-2所示般，通帶附近之低頻側之衰減變小而不佳。
由該實驗亦可知，較佳為形成於低通濾波器與接地端子之間之電感成分與形成於高通濾波器與接地端子之間之電感成分可分別調整。
相對於此，專利文獻2所揭示之雙工器1100係將所有接地暫時先整合於接地電極104之後，將接地電極104連接於接地端子G1~G6，因此，無法針對每個濾波器調整形成於濾波器與接地端子之間之電感成分。又，亦無法調整形成於濾波器與接地端子之間之浮動電容。
本發明係為了解決上述習知之問題而完成者，作為其手段，本發明之雙工器設為如下者，即，具備積層多層基材層而成之具有構裝面及非構裝面之多層基板、以及形成於多層基板之構裝面之第1端子、第2端子、第3端子、及接地端子，且於第1端子與第2端子之間構成第1濾波 器，於第1端子與第3端子之間構成第2濾波器，於多層基板之層間具備相互獨立之第1濾波器用接地電極、第2濾波器用接地電極、及用以將第1濾波器與第2濾波器之間屏蔽之屏蔽用接地電極，且接地端子係由相互獨立之連接於第1濾波器用接地電極之第1濾波器用接地端子、連接於第2濾波器用接地電極之第2濾波器用接地端子、及連接於屏蔽用接地電極之屏蔽用接地端子所構成。
第1濾波器例如可作為低通濾波器構成，第2濾波器例如可作為高通濾波器或帶通濾波器構成。
較佳為第1端子經由利用積層於多層基板之層間之線路電極形成之共通電感器之後，連接於第1濾波器、及第2濾波器。於此情形時，可藉由共通電感器進一步改善第1濾波器之頻率特性，且進一步改善第2濾波器之頻率特性。
較佳為屏蔽用接地電極至少將構成第1濾波器之多個電感器中之配置於第1端子與第2端子之中間者至配置於第2端子側者與構成第2濾波器之多個電感器中之配置於第1端子與第3端子之中間者至配置於第3端子側者之間屏蔽。已知第1濾波器與第2濾波器越於後半部分耦合則使頻率特性劣化之影響越大。上述構成係抑制第1濾波器與第2濾波器於後半部分耦合者，於此情形時，可有效地抑制頻率特性之劣化。又，於第1端子連接有共通電感器之情形時，可採取較大之共通電感器與屏蔽用接地電極之間隔，因此，亦可抑制因共通電感器與屏蔽用接地電極之隔離變得不充分導致之頻率特性之劣化。
較佳為屏蔽用接地電極於多層基板之內部形成於第1濾波 器用接地電極與第2濾波器用接地電極之間。於此情形時，第1濾波器與第2濾波器之隔離變得更確實。
較佳為第1濾波器用接地電極與第1濾波器用接地端子之間、及第2濾波器用接地電極與第2濾波器用接地端子之間分別藉由通孔導體連接，自第1濾波器用接地電極經由通孔導體而形成於第1濾波器用接地端子之電感成分較自第2濾波器用接地電極經由通孔導體而形成於第2濾波器用接地端子之電感成分更大。於此情形時，可於第1濾波器與第2濾波器之兩者分別進一步改善頻率特性。
於此情形時，於對第1濾波器用接地電極之外緣與第2濾波器用接地電極之外緣進行比較之情形時，較佳為第2濾波器用接地電極之外緣相較第1濾波器用接地電極之外緣凹凸之數量更多，及/或具備較大之凹凸，且將第1濾波器用接地電極與第1濾波器用接地端子之間連接之通孔導體之數量較將第2濾波器用接地電極與第2濾波器用接地端子之間連接之通孔導體之數量少。於此情形時，可容易地使自第1濾波器用接地電極經由通孔導體而形成於第1濾波器用接地端子之電感成分較自第2濾波器用接地電極經由通孔導體而形成於第2濾波器用接地端子之電感成分更大。
較佳為第1濾波器用接地電極與屏蔽用接地電極電磁場耦合，且第2濾波器用接地電極與屏蔽用接地電極電磁場耦合。於此情形時，可抑制第1濾波器用接地電極與第2濾波器用接地電極電磁場耦合，因此，第1濾波器與第2濾波器之隔離變得更確實。
較佳為屏蔽用接地電極係由多個構成，且該等屏蔽用接地電 極積層於多層基板之多個層間，且積層於不同之層間之屏蔽用接地電極彼此藉由通孔導體連接。於此情形時，可藉由多個屏蔽用接地電極、及將其等連接之通孔導體將第1濾波器與第2濾波器隔離，因此，第1濾波器與第2濾波器之隔離變得更確實。
亦可設為如下者，即，於多層基板之非構裝面進一步形成屏蔽用接地電極，形成於多層基板之非構裝面之屏蔽用接地電極與積層於多層基板之層間之屏蔽用接地電極由通孔導體連接。於此情形時，可將形成於多層基板之非構裝面之屏蔽用接地電極用作真空吸附該雙工器時之校對記號，或用作用以表示該雙工器之各端子之位置之針標(pin mark)。又，於將校對記號或針標形成為未與其他配線連接之所謂浮置電極(floating electrode)之情形時，存在難以於表面形成藉由電鍍所得之保護層之問題。然而，若如上述般，兼用校對記號或針標與屏蔽用接地電極，且使該屏蔽用接地電極與多層基板之內部之其他屏蔽用接地電極連接，則可於校對記號或針標之表面容易地形成藉由電鍍所得之保護層。
較佳設為如下者，即，第1濾波器用接地電極係由多個構成，且該等第1濾波器用接地電極積層於多層基板之多個層間，積層於不同之層間之第1濾波器用接地電極彼此藉由通孔導體連接，且第2濾波器用接地電極係由多個構成，該等第2濾波器用接地電極積層於多層基板之多個層間，積層於不同之層間之第2濾波器用接地電極彼此藉由通孔導體連接，且屏蔽用接地電極係由多個構成，該等屏蔽用接地電極積層於多層基板之多個層間，且積層於不同之層間之屏蔽用接地電極彼此藉由通孔導體連接，於多層基板之積層方向，交互地、重複多次設置將第1濾波器用 接地電極與第2濾波器用接地電極以屏蔽用接地電極夾於其間之方式積層而成之多層基板之層間、及完全未積層有第1濾波器用接地電極、第2濾波器用接地電極、及屏蔽用接地電極之多層基板之層間。於此情形時，若於第1濾波器濾波器用接地電極、第2濾波器用接地電極、及屏蔽用接地電極完全未積層之多層基板之層間積層電容器電極，則該電容器電極與接地電極之間不易具有不需要之浮動電容，從而可抑制濾波器之頻率特性之劣化。
多層基板例如可藉由低溫共燒陶瓷形成。於此情形時，可容易地製作本發明之雙工器所必需之多層基板。但是，多層基板之材質並不限定於低溫共燒陶瓷，亦可為其他種類之陶瓷或樹脂等。
本發明之雙工器於多層基板之內部分別設置第1濾波器用接地電極、第2濾波器用接地電極、及屏蔽用接地電極，並且於多層基板之構裝面(或構裝面及側面)分別設置第1濾波器用接地端子、第2濾波器用接地端子、及屏蔽用接地端子，進一步，將各接地電極與各接地端子分別連接。因此，第1濾波器與第2濾波器被確實地隔離，頻率特性優異。
又，本發明之雙工器可對形成於第1濾波器與第1濾波器用接地端子之間之浮動電容及電感成分、及形成於第2濾波器與第2濾波器用接地端子之間之浮動電容及電感成分相互獨立地進行調整，因此，可不受其他濾波器之影響而謀求第1濾波器之頻率特性之最佳化，且不受其他濾波器之影響而謀求第2濾波器之頻率特性之最佳化。
1‧‧‧多層基板
BL1~BL35‧‧‧基材層
L01a~L01d、L15a‧‧‧線路電極
L11~L14、L21~L25‧‧‧電感器元件
C11a~C14a、C11b~C14b、C21a~C30a、C21b~C30b‧‧‧電容器電極
LPF‧‧‧低通濾波器(第1濾波器)
HPF‧‧‧高通濾波器(第2濾波器)
BPF‧‧‧帶通濾波器(第2濾波器)
LG‧‧‧低通濾波器用接地電極
HG‧‧‧高通濾波器用接地電極
BG‧‧‧帶通濾波器用接地電極
SG‧‧‧屏蔽用接地電極
T1‧‧‧第1端子
T2‧‧‧第2端子
T3‧‧‧第3端子
LGT‧‧‧低通濾波器用接地端子
HGT‧‧‧高通濾波器用接地端子
BGT‧‧‧帶通濾波器用接地端子
SGT‧‧‧屏蔽用接地端子
100、200、300‧‧‧雙工器
圖1(A)係表示第1實施形態之雙工器100之俯視圖。圖1(B)係表示雙工器100之前視圖。圖1(C)係表示雙工器100之仰視圖。
圖2係表示積層於雙工器100之多層基板1之基材層BL1~BL8之各上側主面之俯視圖。
圖3係表示積層於雙工器100之多層基板1之基材層BL9~BL16之各上側主面之俯視圖。
圖4係表示積層於雙工器100之多層基板1之基材層BL17~BL24之各上側主面之俯視圖。
圖5係表示積層於雙工器100之多層基板1之基材層BL25~BL32之各上側主面之俯視圖。
圖6係表示積層於雙工器100之多層基板1之基材層BL33~BL35之各上側主面之俯視圖。其中，對於基材層BL35，進一步另行透視表示有下側主面。
圖7係雙工器100之等效電路圖。
圖8(A)、(B)係分別表示雙工器100、及比較例之雙工器之頻率特性之曲線圖。於圖8(A)、(B)中，實線表示雙工器100之頻率特性，虛線表示比較例之雙工器之頻率特性。又，圖8(A)係將圖8(B)之一部分放大表示者。
圖9係表示積層於第2實施形態之雙工器200之多層基板1之基材層BL1~BL5之各上側主面之俯視圖。
圖10係表示第3實施形態之雙工器300之說明圖(簡化之等效電路圖)。
圖11(A)係表示積層於專利文獻1所揭示之雙工器1100之多層基板之自上方起第7層基材層101a之俯視圖。圖11(B)係表示自上方起第8層基材層101b之俯視圖。圖11(C)係表示自上方起第18層基材層101c之俯視圖。
圖12係用以調查共通接地電極與各接地端子之間之長度(電感成分之大小)對頻率特性賦予之影響之實驗中之試樣1及試樣2之頻率特性之曲線圖。
以下，同時說明圖式及用以實施本發明之形態。
又，各實施形態係例示地表示本發明之實施之形態者，本發明並不限定於實施形態之內容。又，亦可將不同之實施形態中所記載之內容組合而實施，該情形之實施內容亦包含於本發明中。
又，圖式係用以幫助理解實施形態者，存在未必嚴密地描繪之情形。例如，存在所描繪之構成要素或構成要素間之尺寸之比率與說明書所記載之其等之尺寸之比率不一致之情形。又，存在說明書所記載之構成要素於圖式中被省略之情形或省略數量而被描繪之情形等。
[第1實施形態]
圖1(A)、(B)、(C)、圖2~圖7表示第1實施形態之雙工器100。
但是，圖1(A)係雙工器100之俯視圖。圖1(B)係雙工器100之前視圖。圖1(A)係雙工器100之仰視圖。
圖2~圖6係構成雙工器100之多層基板1之35層基材層 BL1~BL35之積圖。圖2表示基材層BL1~BL8之各上側主面。圖3表示基材層BL9~BL16之各上側主面。圖4表示基材層BL17~BL24之各上側主面。圖5表示基材層BL25~BL32之各上側主面。圖6表示基材層BL33~BL35之各上側主面。但是，對於基材層BL35，進一步另行透視表示下側主面。又，於基材層BL35之下側主面形成有於將雙工器100表面構裝於基底基板等時使用之各端子。
圖7為雙工器100之等效電路圖。
如圖1(A)~(C)所示，雙工器100具備多層基板1。
於本實施形態中，多層基板1之材質中使用低溫共燒陶瓷。若使用低溫共燒陶瓷，則可同時進行電極或端子之形成及多層基板1之燒成，製造變得容易。但是，多層基板1之材質為任意，亦可為其他種類之陶瓷或樹脂等。
如圖1(A)所示，於多層基板1之上側主面搭載有10個電感器元件L11~L14、L21~L26。
如圖1(C)所示，於多層基板1之下側主面(底面)形成有第1端子T1、第2端子T2、及第3端子T3。又，於多層基板1之下側主面形成有2個低通濾波器用接地端子LGT1、LGT2(第1濾波器用接地端子)、2個高通濾波器用接地端子HGT1、HGT2(第2濾波器用接地端子)、及1個屏蔽用接地端子SGT。進一步，於多層基板1之下側主面之中心部附近形成有未進行電性連接且用以提高構裝強度之4個浮動端子FT。
於下文中詳述細節，但雙工器100於第1端子T1與第2端子T2之間構成低通濾波器LPF作為第1濾波器，於第1端子T1與第3端 子T3之間構成高通濾波器HPF作為第2濾波器。
多層基板1係由自上方起依序積層有35層基材層BL1~BL35者所構成。如上所述，圖2~圖6中表示各基材層BL1~BL35之上側主面，但於圖2~圖6中為了避免變得繁雜，省略對通孔導體、配線電極、及中繼電極附註符號。
又，所謂配線電極係於多層基板1之層間用以將於平面方向上隔開之2點間連接之電極。又，所謂中繼電極係設置於多層基板1之層間之用以使設置於上側之基材層之通孔導體與設置於下側之基材層之通孔電極之確實連接者。
如圖2所示，於第1層(最上層)之基材層BL1(之上側主面)形成有用以構裝電感器元件之10對焊墊(land)電極EL11a~EL14a、EL11b~EL14b、EL21a~EL26a、及EL21b~EL26b。又，於基材層BL1形成有成為真空吸附雙工器100時之記號之校對記號CM、及用以表示雙工器100之各端子之位置之針標PM。又，貫通基材層BL1之兩主面間形成有多個通孔導體。
如圖1(A)所示，於焊墊電極EL11a、EL11b構裝有電感器元件L11。同樣地，於焊墊電極EL12a、EL12b構裝有電感器元件L12。於焊墊電極EL13a、EL13b構裝有電感器元件L13。於焊墊電極EL14a、EL14b構裝有電感器元件L14。於焊墊電極EL21a、EL21b構裝有電感器元件L21。於焊墊電極EL22a、EL22b構裝有電感器元件L22。於焊墊電極EL23a、EL23b構裝有電感器元件L23。於焊墊電極EL24a、EL24b構裝有電感器元件L24。於焊墊電極EL25a、EL25b構裝有電感器元件L25。於焊墊電極EL26a、EL26b 構裝有電感器元件L26。
再次參照圖2，於第2層~第3層基材層BL2~BL3分別貫通兩主面間形成有多個通孔導體。
於第4層基材層BL4形成有多個配線電極。又，於基材層BL4貫通兩主面間形成有多個通孔導體。
於第5層基材層BL5形成有用以將低通濾波器LPF與高通濾波器HPF屏蔽之屏蔽用接地電極SG。又，於基材層BL5形成有線路電極L15a(電感器L15)。又，於基材層BL5形成有多個配線電極。又，於基材層BL5貫通兩主面間形成有多個通孔導體。
於第6層基材層BL6形成有9個電容器電極C11b、C12a、C13a、C14a、C21b、C22a、C23b、C24a、C25b。又，電容器電極C11b與C12a、電容器電極C21b與C22a、及電容器電極C23b與C24a分別藉由配線電極相互連接。又，於基材層BL6貫通兩主面間形成有多個通孔導體。
於第7層基材層BL7形成有屏蔽用接地電極SG。又，於基材層BL7形成有10個電容器電極C11a、C12b、C13b、C14b、C21a、C22b、C23a、C24b、C25a、C30a。又，電容器電極C22b與C23a、電容器電極C24b與C25a分別藉由配線電極相互連接。又，於基材層BL7貫通兩主面間形成有多個通孔導體。
於第8層基材層BL8形成有10個電容器電極C11b、C12a、C13a、C14a、C21b、C22a、C23b、C24a、C25b、C30b。又，電容器電極C11b與C12a、電容器電極C21b與C22a、及電容器電極C23b與C24a分別藉由配線電極相互連接。又，於基材層BL8貫通兩主面間形成有多個通孔導體。
如圖3所示，於第9層基材層BL9形成有屏蔽用接地電極SG。又，於基材層BL9形成有10個電容器電極C11a、C12b、C13b、C14b、C21a、C22b、C23a、C24b、C25a、C30a。又，電容器電極C22b與C23a、及電容器電極C24b與C25a分別藉由配線電極相互連接。又，於基材層BL9貫通兩主面間形成有多個通孔導體。
於第10層基材層BL10形成有9個電容器電極C11b、C12a、C13a、C14a、C21b、C22a、C23b、C24a、C25b。又，電容器電極C11b與C12a、電容器電極C21b與C22a、及電容器電極C23b與C24a分別藉由配線電極相互連接。又，於基材層BL10貫通兩主面間形成有多個通孔導體。
於第11層基材層BL11形成有屏蔽用接地電極SG。又，於基材層BL11形成有8個電容器電極C11a、C13b、C14b、C21a、C22b、C23a、C24b、C25a。又，電容器電極C22b與C23a、及電容器電極C24b與C25a分別藉由配線電極相互連接。又，於基材層BL11形成有配線電極。又，於基材層BL11貫通兩主面間而形成有多個通孔導體。
於第12層基材層BL12形成有6個電容器電極C14a、C21b、C22a、C23b、C24a、C25b。又，電容器電極C21b與C22a、及電容器電極C23b與C24a分別藉由配線電極相互連接。又，於基材層BL12形成有多個配線電極。又，於基材層BL12貫通兩主面間而形成有多個通孔導體。
於第13層基材層BL13形成有屏蔽用接地電極SG。又，於基材層BL13形成有電容器電極C21a。又，於基材層BL13形成有多個配線電極。又，於基材層BL13貫通兩主面間而形成有多個通孔導體。
如圖3及圖4所示，於第14層~第22層基材層BL14~BL22 分別貫通兩主面間而形成有多個通孔導體。
於第23層基材層BL11形成有屏蔽用接地電極SG。又，於基材層BL11形成有3個電容器電極C27a、C28a、C29a。於基材層BL23形成有多個配線電極。又，於基材層BL23貫通兩主面間而形成有多個通孔導體。
於第24層基材層BL24形成有高通濾波器用接地電極HG(第2濾波器用接地電極)、及屏蔽用接地電極SG。又，於基材層BL13形成有配線電極。又，於基材層BL13貫通兩主面間而形成有多個通孔導體。
如圖5所示，於第25層基材層BL25形成有2個電容器電極C15a、C18a。又，於基材層BL10貫通兩主面間而形成有多個通孔導體。
於第26層基材層BL26形成有低通濾波器用接地電極LG(第1濾波器用接地電極)、高通濾波器用接地電極HG、及屏蔽用接地電極SG。又，於基材層BL26形成有線路電極L01d。又，於基材層BL26貫通兩主面間而形成有多個通孔導體。
於第27層基材層BL27形成有線路電極L01c。又，於基材層BL27形成有8個電容器電極C15a、C16a、C17a、C18a、C26a、C27a、C28a、C29a。又，於基材層BL27貫通兩主面間而形成有多個通孔導體。
於第28層基材層BL28形成有低通濾波器用接地電極LG、高通濾波器用接地電極HG、及屏蔽用接地電極SG。又，於基材層BL28形成有線路電極L01b。又，於基材層BL28貫通兩主面間而形成有多個通孔導體。
於第29層基材層BL29形成有線路電極L01a。又，於基材 層BL29形成有8個電容器電極C15a、C16a、C17a、C18a、C26a、C27a、C28a、C29a。又，於基材層BL29貫通兩主面間而形成有多個通孔導體。
於第30層基材層BL30形成有低通濾波器用接地電極LG、高通濾波器用接地電極HG、及屏蔽用接地電極SG。又，於基材層BL30貫通兩主面間而形成有多個通孔導體。
於第31層、32層基材層BL31、BL32分別貫通兩主面間而形成有多個通孔導體。
如圖6所示，於第33層、34層基材層BL33、BL34分別形成有多個中繼電極。又，於基材層BL33、BL34分別貫通兩主面間而形成有多個通孔導體。
於第35層(最下層)基材層BL35之上側主面形成有多個中繼電極。又，於基材層BL35之下側主面，即，於多層基板1之下側主面如上述般形成有第1端子T1、第2端子T2、第3端子T3、2個低通濾波器用接地端子LGT1、LGT2、2個高通濾波器用接地端子HGT1、HGT2、1個屏蔽用接地端子SGT、及4個浮動端子FT。
又，於上述各電極、各端子及通孔導體之材質中，可將銅、銀、鋁等、或其等之合金作為主成分使用。又，亦可於各端子之表面進一步形成鍍覆層。
第1實施形態之雙工器100係由如下構造所構成，即，具備積層有如上所述之35層基材層BL1~BL35之多層基板1，且如上所述，於多層基板1之上側主面搭載有10個電感器元件L11~L14、L21~L26。
由以上構造所構成之雙工器100具有圖7所示之等效電路。
雙工器100具備第1端子T1、第2端子T2、及第3端子T3。又，雙工器100具備低通濾波器LPF作為第1濾波器，具備高通濾波器HPF作為第2濾波器。
首先，於第1端子T1連接有共通電感器L01。而且，於共通電感器L01與第2端子T2之間連接有低通濾波器LPF。又，於共通電感器L01與第3端子T3之間連接有高通濾波器LPF。
低通濾波器LPF於將共通電感器L01與第2端子T2連接之訊號線依序連接有電感器L11、並聯連接之電感器L12及電容器C11、並聯連接之電感器L13及電容器C12、並聯連接之電感器L14及電容器C13、及並聯連接之電感器L15及電容器C14。又，於電感器L11與並聯連接之電感器L12及電容器C11之連接點與低通濾波器用接地電極LG之間連接有電容器C15。於並聯連接之電感器L12及電容器C11與並聯連接之電感器L13及電容器C12之連接點與低通濾波器用接地電極LG之間連接有電容器C16。於並聯連接之電感器L13及電容器C12與並聯連接之電感器L14及電容器C13之連接點與低通濾波器用接地電極LG之間連接有電容器C17。於並聯連接之電感器L14及電容器C13與並聯連接之電感器L15及電容器C14之連接點與低通濾波器用接地電極LG之間連接有電容器C18。而且，低通濾波器用接地電極LG連接於低通濾波器用接地端子LGT1、LGT2。
又，高通濾波器HPF於將共通電感器L01與第3端子T3連接之訊號線依序連接有5個電容器C21~C25、及1個電感器L21。又，於電容器C21與電容器C22之連接點和高通濾波器用接地電極HG之間連接有串聯連接之電感器L22及電容器C26。於電容器C22與電容器C23之連 接點和高通濾波器用接地電極HG之間連接有串聯連接之電感器L23及電容器C27。於電容器C23與電容器C24之連接點和高通濾波器用接地電極HG之間連接有串聯連接之電感器L24及電容器C28。於電容器C24與電容器C25之連接點和高通濾波器用接地電極HG之間連接有串聯連接之電感器L25及電容器C29。進一步，於電感器L21與第3端子T3之連接點和高通濾波器用接地電極HG之間連接有並聯連接之電容器C30及電感器L26。而且，高通濾波器用接地電極HG連接於高通濾波器用接地端子HGT1、HGT2。
又，於低通濾波器LPF與高通濾波器HPF之間配置有屏蔽用接地電極SG。而且，屏蔽用接地電極SG連接於屏蔽用接地端子SGT。
其次，對圖1~圖6所示之雙工器100之構造與圖7所示之雙工器100之等效電路之關係進行說明。
首先，線路電極L01a~L01d由通孔導體連接而構成共通電感器L01。共通電感器L01之一端藉由通孔導體而連接於第1端子T1。又，共通電感器L01之另一端藉由通孔導體及配線電極而分別連接於低通濾波器LPF及高通濾波器HPF。更具體而言，共通電感器L01之另一端藉由通孔導體及配線電極而分別連接於焊墊電極EL11a~及電容器電極C21a。又，焊墊電極EL11a構成低通濾波器LPF之一部分，電容器電極C21a構成高通濾波器HPF之一部分。
首先，低通濾波器LPF於圖2所示之焊墊電極EL11a與焊墊電極EL11b之間構裝(電子零件之)電感器元件L11，而構成(電路構成上之)電感器L11。而且，焊墊電極EL11b藉由通孔導體及配線電極而連接於焊墊電極EL12a及電容器電極C11a。
其次，於焊墊電極EL12a與焊墊電極EL12b之間構裝電感器元件L12而構成電感器L12。又，藉由電容器電極C11a及電容器電極C11b而構成電容器C11。而且，焊墊電極EL12b及電容器電極C11b藉由通孔導體及配線電極而連接於焊墊電極EL13a及電容器電極C12a。
其次，於焊墊電極EL13a與焊墊電極EL13b之間構裝電感器元件L13而構成電感器L13。又，藉由電容器電極C12a及電容器電極C12b構成電容器C12。而且，焊墊電極EL13b及電容器電極C12b藉由通孔導體及配線電極而連接於焊墊電極EL14a及電容器電極C13a。
其次，於焊墊電極EL14a與焊墊電極EL14b之間構裝電感器元件L14而構成電感器L14。又，藉由電容器電極C13a及電容器電極C13b構成電容器C13。而且，焊墊電極EL14b及電容器電極C13b藉由通孔導體及配線電極而連接於線路電極L15a之一端及電容器電極C14a。
圖2所示之線路電極L15a構成電感器L15。又，藉由電容器電極C14a及電容器電極C14b構成電容器C14。而且，線路電極15a之另一端及電容器電極C14b藉由通孔導體及配線電極而連接於第2端子T2。
又，焊墊電極EL11b、焊墊電極EL12a、及電容器電極C11a藉由通孔導體及配線電極而連接於電容器電極C15a。而且，藉由電容器電極C15a及低通濾波器用接地電極LG構成電容器C15。
又，焊墊電極EL12b、焊墊電極EL13a、電容器電極C11b、及電容器電極C12a藉由通孔導體及配線電極而連接於電容器電極C16a。而且，藉由電容器電極C16a及低通濾波器用接地電極LG構成電容器C16。
又，焊墊電極EL13b、焊墊電極EL14a、電容器電極C12b、 及電容器電極C13a藉由通孔導體及配線電極而連接於電容器電極C17a。而且，藉由電容器電極C17a及低通濾波器用接地電極LG構成電容器C17。
又，焊墊電極EL14b、線路電極L15a之一端、電容器電極C13b、及電容器電極C14a藉由通孔導體及配線電極而連接於電容器電極C18a。而且，藉由電容器電極C18a及低通濾波器用接地電極LG構成電容器C18。
而且，低通濾波器用接地電極LG藉由通孔導體及中繼電極而連接於低通濾波器用接地端子LGT1、LGT2。
另一方面，高通濾波器HPF連接於共通電感器L01之另一端且藉由電容器電極C21a、及電容器電極C21b構成電容器C21。而且，電容器電極C21b藉由通孔導體及配線電極而連接於電容器電極C22a。
其次，藉由電容器電極C22a及電容器電極C22b構成電容器C22。而且，電容器電極C22b連接於電容器電極C23a。
其次，藉由電容器電極C23a及電容器電極C23b構成電容器C23。而且，電容器電極C23b藉由通孔導體及配線電極而連接於電容器電極C24a。
其次，藉由電容器電極C24a及電容器電極C24b構成電容器C24。而且，電容器電極C24b藉由通孔導體及配線電極而連接於電容器電極C25a。
其次，藉由電容器電極C25a及電容器電極C25b構成電容器C25。而且，電容器電極C25b藉由通孔導體及配線電極而連接於焊墊電極EL21a。
其次，於焊墊電極EL21a與焊墊電極EL21b之間構裝電感器元件L21而構成電感器L21。進一步，焊墊電極EL21b藉由通孔導體、配線電極及中繼電極而連接於第3端子T3。
又，電容器電極C21b及電容器電極C22a藉由通孔導體及配線電極而連接於焊墊電極EL22a。而且，於焊墊電極EL22a與焊墊電極EL22b之間構裝電感器元件L22而構成電感器L22。進一步，焊墊電極EL22b藉由通孔導體及配線電極而連接於電容器電極C26a。而且，藉由電容器電極C26a及高通濾波器用接地電極HG構成電容器C26。
又，電容器電極C22b及電容器電極C23a藉由通孔導體及配線電極而連接於焊墊電極EL23a。而且，於焊墊電極EL23a與焊墊電極EL23b之間構裝電感器元件L23而構成電感器L23。進一步，焊墊電極EL23b藉由通孔導體及配線電極而連接於電容器電極C27a。而且，藉由電容器電極C27a及高通濾波器用接地電極HG構成電容器C27。
又，電容器電極C23b及電容器電極C24a藉由通孔導體及配線電極而連接於焊墊電極EL24a。而且，於焊墊電極EL24a與焊墊電極EL24b之間構裝電感器元件L24而構成電感器L24。進一步，焊墊電極EL24b藉由通孔導體及配線電極而連接於電容器電極C28a。而且，藉由電容器電極C28a及高通濾波器用接地電極HG構成電容器C28。
又，電容器電極C24b及電容器電極C25a藉由通孔導體及配線電極而連接於焊墊電極EL25a。而且，於焊墊電極EL25a與焊墊電極EL25b之間構裝電感器元件L25而構成電感器L25。進一步，焊墊電極EL25b藉由通孔導體及配線電極而連接於電容器電極C29a。而且，藉由電容器電極C29a 及高通濾波器用接地電極HG構成電容器C29。
又，焊墊電極EL21b及第3端子T3藉由通孔導體及配線電極而連接於電容器電極C30a及焊墊電極EL26a。而且，藉由電容器電極C30a及電容器電極C30b構成電容器C30。又，於焊墊電極EL26a與焊墊電極EL26b之間構裝電感器元件L26而構成電感器L26。而且，電容器電極C30b及焊墊電極EL26b藉由通孔導體及配線電極而連接於高通濾波器用接地電極HG。
而且，高通濾波器用接地電極HG藉由通孔導體及中繼電極而連接於高通濾波器用接地端子HGT1、HGT2。
又，多個屏蔽用接地電極SG藉由多個通孔導體而相互連接。而且，設置於作為最下側之基材層BL30之屏蔽用接地電極SG藉由多個通孔導體及中繼電極而連接於屏蔽用接地端子SGT。
由以上構造及等效電路所構成之本實施形態之雙工器100可藉由自習知以來通常實施之雙工器之製造方法製造。
由以上構造及等效電路所構成之本實施形態之雙工器100具備如下特徵。
雙工器100於多層基板1之內部分別設置有低通濾波器用接地電極LG、高通濾波器用接地電極HG、及屏蔽用接地電極SG。又，於多層基板1之表面分別設置有低通濾波器用接地端子LGT1、LGT2、高通濾波器用接地端子HGT1、HGT2、及屏蔽用接地端子SGT。而且，低通濾波器用接地電極LG與低通濾波器用接地端子LGT1、LGT2、高通濾波器用接地電極HG與高通濾波器用接地端子HGT1、HGT2、及屏蔽用接地電極SG與 屏蔽用接地端子SGT分別分開連接。因此，雙工器100之低通濾波器LPF(第1濾波器)與高通濾波器HPF(第2濾波器)確實地隔離而頻率特性優異。
又，雙工器100可對形成於低通濾波器用接地電極LG與低通濾波器用接地端子LGT1、LGT2之間之浮動電容、電感成分、及形成於高通濾波器用接地電極HG與高通濾波器用接地端子HGT1、HGT2之間之浮動電容、電感成分相互獨立地進行調整。因此，雙工器100可不受其他濾波器之影響而謀求低通濾波器LPF(第1濾波器)之頻率特性之最佳化。又，可不受其他濾波器之影響而謀求高通濾波器HPF(第2濾波器)之頻率特性之最佳化。
又，雙工器100於第1端子T1與低通濾波器LPF及高通濾波器HPF之間藉由線路電極L01a~L01d而形成有共通電感器L01，低通濾波器LPF(第1濾波器)之頻率特性、及高通濾波器HPF(第2濾波器)之頻率特性進一步被改善。
又，如圖7所示，雙工器100之屏蔽用接地電極SG將低通濾波器LPF之第2端子T2側之後半部分、即低通濾波器LPF之電感器L13以後與高通濾波器HPF之第3端子T3側之後半部分、即高通濾波器HPF之電感器L24以後之間屏蔽。即，將若耦合則使頻率特性劣化之影響較大之後半部分屏蔽，因此，有效地抑制頻率特性之劣化。又，雙工器100係同時於多層基板1之內部，共通電感器L01與屏蔽用接地電極SG之距離變大，亦抑制因共通電感器L01與屏蔽用接地電極SG進行不必要之耦合導致之頻率特性之劣化。
又，雙工器100之屏蔽用接地電極SG於多層基板1之內部形成於低通濾波器用接地電極LG與高通濾波器用接地電極HG之間，從而使低通濾波器LPF(第1濾波器)與高通濾波器HPF(第2濾波器)確實地隔離。
又，雙工器100於如圖4及圖5所示般將低通濾波器用接地電極(第1濾波器用接地電極)LG之外緣與高通濾波器用接地電極(第2濾波器用接地電極)HG之外緣進行比較之情形時，高通濾波器用接地電極HG之外緣相較低通濾波器用接地電極LG之外緣，凹凸之數量較多，且具備較大之凹凸。又，於圖5之第30層基材層BL30中，如2個虛線之圓圈X-1所示般，將低通濾波器用接地電極LG與低通濾波器用接地端子LGT1、LGT2之間分別藉由1個通孔導體連接，相對於此，如2個虛線之圓圈X-2所示般，將高通濾波器用接地電極HG與高通濾波器用接地端子HGT1、HGT2之間分別藉由2個通孔導體連接。其結果，雙工器100係相對地自低通濾波器用接地電極LG經由通孔導體而形成於低通濾波器用接地端子LGT1、LGT2之電感成分變大，自高通濾波器用接地電極HG經由通孔導體而形成於高通濾波器用接地端子HGT1、HGT2之電感成分變小。因此，雙工器100之低通濾波器LPF(第1濾波器)之頻率特性被改善，且高通濾波器HPF(第2濾波器)之頻率特性被改善。
又，雙工器100之低通濾波器用接地電極LG與屏蔽用接地電極SG電磁場耦合，高通濾波器用接地電極HG與屏蔽用接地電極SG電磁場耦合。其結果，雙工器100抑制低通濾波器用接地電極LG與高通濾波器用接地電極HG之電磁場耦合，從而使低通濾波器LPF(第1濾波器)與 高通濾波器HPF(第2濾波器)之隔離更確實。
又，雙工器100將屏蔽用接地電極SG設置於多層基板1之多個層間，積層於不同之層間之屏蔽用接地電極SG彼此藉由通孔導體而連接。其結果，雙工器100藉由屏蔽用接地電極SG及通孔導體進行屏蔽，因此，低通濾波器LPF(第1濾波器)與高通濾波器HPF(第2濾波器)之隔離變得更確實。
又，雙工器100例如如圖5之基材層BL26~BL30所示般，形成有屏蔽用接地電極SG之基材層BL26、BL28、BL30與未形成屏蔽用接地電極SG之基材層BL27、BL29交互地積層。即，屏蔽用接地電極SG形成於形成有低通濾波器用接地電極LG及高通濾波器用接地電極HG之基材層BL26、BL28、BL30，但並未形成於形成有電容器電極C15a~C18a、C26a~C29a之基材層BL27、BL29。其係為了防止於屏蔽用接地電極SG與電容器電極C15a~C18a、C26a~C29a之間產生不需要之浮動電容而頻率特性劣化。雙工器100藉由每隔一層形成屏蔽用接地電極SG而抑制頻率特性之劣化。
為了確認本實施形態之雙工器100之頻率特性之優異性，製作了比較例之雙工器(未圖示)。比較例之雙工器於第30層基材層BL30中，將低通濾波器用接地電極LG、高通濾波器用接地電極HG、及屏蔽用接地電極SG整合而形成1個共通接地電極。而且，將該共通接地電極連接於形成於多層基板1(基材層BL35)之下側主面之5個共通接地端子。又，5個共通接地端子與雙工器100之低通濾波器用接地端子LGT1、LGT2、高通濾波器用接地端子HGT1、HGT2、及屏蔽用接地電極SG形成於相同位置。
於圖8(A)、(B)中，以實線表示第1實施形態之雙工器100之頻率特性，以虛線表示比較例之雙工器之頻率特性。又，圖8(A)係將圖8(B)之一部分放大而表示者。
第1實施形態之雙工器100與比較例之雙工器相比，如虛線之圓圈Y-1所示，高通濾波器HPF之通帶附近之衰減量被大幅地改善。又，如虛線之圓圈Y-2所示，低通濾波器HPF之通帶附近之衰減量亦被大幅地改善。如此一來，雙工器100具備優異之頻率特性。
[第2實施形態]
圖9表示第2實施形態之雙工器200。但是，圖9表示雙工器200之多層基板1之自第1層至第5層之基材層BL1~BL5之上側主面。
於圖1~圖7所示之第1實施形態之雙工器100中，於多層基板1(基材層BL1)之上側主面未形成屏蔽用接地電極SG，而形成有校對記號CM及針標PM。
於雙工器200中，如圖9所示，於基材層BL1之上側主面形成有兼具校對記號CM及針標PM之功能之屏蔽用接地電極SG。而且，於基材層BL1~BL4分別於由虛線之橢圓Z所包圍之區域形成多個通孔導體，藉此，將形成於基材層BL1之屏蔽用接地電極SG與形成於基材層BL5之屏蔽用接地電極SG連接。雙工器200之其他構成係與雙工器100相同。
於如雙工器100般，將校對記號CM或針標PM分別以浮置電極形成之情形時，難以獲得電鍍時所必需之電位，而難以於表面形成藉由電鍍所得之保護層。相對於此，雙工器200係兼用校對記號CM或針標PM與屏蔽用接地電極SG，因此，可容易地於表面形成藉由電鍍所得之保 護層。
[第3實施形態]
圖10表示第3實施形態之雙工器300。但是，圖10係表示雙工器300之說明圖(簡化之等效電路圖)。
圖1~圖7所示之第1實施形態之雙工器100具備作為第1濾波器之低通濾波器LPF、及作為第2濾波器之高通濾波器HPF。
相對於此，雙工器300具備帶通濾波器BPF代替高通濾波器HPF作為第2濾波器。即，雙工器300具備低通濾波器LPF及帶通濾波器BPF。而且，雙工器300將帶通濾波器用接地電極BG與帶通濾波器用接地端子BGT1、BGT2藉由通孔導體等連接。雙工器300之其他構成係與雙工器100相同。
雙工器300藉由屏蔽用接地電極SG將低通濾波器LPF(第1濾波器)與帶通濾波器BPF(第2濾波器)隔離，因此，具備優異之頻率特性。
以上，對第1實施形態~第3實施形態之雙工器100~300進行了說明。然而，本發明之雙工器並不限定於上述內容，可依照發明之主旨形成各種變更。
例如，於上述實施形態中，於多層基板1之非構裝面(上側主面)搭載有電感器元件L11~L14、L21~L25，但除此以外，亦可使於多層基板1內藉由電容器電極而形成之電容器作為電容器元件搭載於多層基板1之非構裝面。或者，亦可將搭載於多層基板1之非構裝面之電感器元件L11~L14、L21~L25之一部分作為於多層基板1內藉由線路電極所得之 電感器而構成。
又，雙工器之等效電路亦為任意，並不限定於上述內容。
又，構成多層基板1之基材層BL1~BL35之層數、或形成於各基材層BL1~BL35之電極之形狀或數量、通孔導體之形成位置或數量亦為任意，並不限定於上述內容。
C11‧‧‧電容器
C12‧‧‧電容器
C13‧‧‧電容器
C14‧‧‧電容器
C15‧‧‧電容器
C16‧‧‧電容器
C17‧‧‧電容器
C18‧‧‧電容器
C21‧‧‧電容器
C22‧‧‧電容器
C23‧‧‧電容器
C24‧‧‧電容器
C25‧‧‧電容器
C26‧‧‧電容器
C27‧‧‧電容器
C28‧‧‧電容器
C29‧‧‧電容器
C30‧‧‧電容器
HG‧‧‧高通濾波器用接地電極
HGT1‧‧‧高通濾波器用接地端子
HGT2‧‧‧高通濾波器用接地端子
HPF‧‧‧高通濾波器
L01‧‧‧共通電感器
L11‧‧‧電感器元件
L12‧‧‧電感器元件
L13‧‧‧電感器元件
L14‧‧‧電感器元件
L15‧‧‧電感器
L21‧‧‧電感器元件
L22‧‧‧電感器元件
L23‧‧‧電感器元件
L24‧‧‧電感器元件
L25‧‧‧電感器元件
L26‧‧‧電感器元件
LG‧‧‧低通濾波器用接地電極
LGT1‧‧‧低通濾波器用接地端子
LGT2‧‧‧低通濾波器用接地端子
LPF‧‧‧低通濾波器用接地電極
SG‧‧‧屏蔽用接地電極
SGT‧‧‧屏蔽用接地端子
T1‧‧‧第1端子
T2‧‧‧第2端子
T3‧‧‧第3端子
100‧‧‧雙工器

Claims (12)

  1. 一種雙工器，其具備：積層多個基材層而成之具有構裝面及非構裝面之多層基板；以及形成於上述多層基板之上述構裝面之第1端子、第2端子、第3端子、及接地端子；且於上述第1端子與上述第2端子之間構成第1濾波器，於上述第1端子與上述第3端子之間構成第2濾波器者；於上述多層基板之層間，具備相互獨立之第1濾波器用接地電極、第2濾波器用接地電極、及用以將上述第1濾波器與上述第2濾波器之間屏蔽之屏蔽用接地電極；上述接地端子，係由相互獨立之連接於上述第1濾波器用接地電極之第1濾波器用接地端子、連接於上述第2濾波器用接地電極之第2濾波器用接地端子、及連接於上述屏蔽用接地電極之屏蔽用接地端子所構成；於上述第1濾波器用接地電極連接上述第1濾波器用接地端子之全部，於上述第2濾波器用接地電極連接上述第2濾波器用接地端子之全部。
  2. 如申請專利範圍第1項之雙工器，其中，上述第1濾波器係由低通濾波器所構成，且上述第2濾波器係由高通濾波器或帶通濾波器所構成。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之雙工器，其中，上述第1端子經由藉由積層於上述多層基板之層間的線路電極形成之共通電感器，連接於上述第1濾波器、及上述第2濾波器。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之雙工器，其中，上述屏蔽用接地電極，至少將構成上述第1濾波器之多個電感器中之配置於上述第1端子與上述第2端子之中間者至配置於上述第2端子側者之間、與構成上述第2濾波器之多個電感器中之配置於上述第1端子與上述第3端子之中間者至配置於上述第3端子側者之間屏蔽。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之雙工器，其中，上述屏蔽用接地電極，於上述多層基板之內部，形成於上述第1濾波器用接地電極與上述第2濾波器用接地電極之間。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之雙工器，其中，上述第1濾波器用接地電極與上述第1濾波器用接地端子之間、及上述第2濾波器用接地電極與上述第2濾波器用接地端子之間分別藉由通孔導體連接；自上述第1濾波器用接地電極經由上述通孔導體而形成於上述第1濾波器用接地端子之電感成分，較自上述第2濾波器用接地電極經由上述通孔導體而形成於上述第2濾波器用接地端子之電感成分大。
  7. 如申請專利範圍第6項之雙工器，其中，於對上述第1濾波器用接地電極之外緣與上述第2濾波器用接地電極之外緣進行比較時，上述第2濾波器用接地電極之外緣相較於上述第1濾波器用接地電極之外緣，凹凸之數量較多，及/或具備較大之凹凸；將上述第1濾波器用接地電極與上述第1濾波器用接地端子之間連接之上述通孔導體之數量，較將上述第2濾波器用接地電極與上述第2濾波器用接地端子之間連接之上述通孔導體之數量少。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之雙工器，其中，上述第1濾波器用接地電極與上述屏蔽用接地電極電磁場耦合，且上述第2濾波器用接地電極與上述屏蔽用接地電極電磁場耦合。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之雙工器，其中，上述屏蔽用接地電極由多個構成，且該屏蔽用接地電極積層於上述多層基板之多個層間，積層於不同之層間的上述屏蔽用接地電極彼此藉由通孔導體連接。
  10. 如申請專利範圍第1或2項之雙工器，其中，於上述多層基板之上述非構裝面進一步形成上述屏蔽用接地電極；形成於上述多層基板之上述非構裝面的上述屏蔽用接地電極與積層於上述多層基板之層間的上述屏蔽用接地電極，藉由通孔導體而連接。
  11. 如申請專利範圍第1或2項之雙工器，其中，上述第1濾波器用接地電極由多個構成，且該第1濾波器用接地電極積層於上述多層基板之多個層間，且積層於不同之層間之上述第1濾波器用接地電極彼此藉由通孔導體連接；上述第2濾波器用接地電極由多個構成，且該第2濾波器用接地電極積層於上述多層基板之多個層間，且積層於不同之層間之上述第2濾波器用接地電極彼此藉由通孔導體連接；上述屏蔽用接地電極由多個構成，且該屏蔽用接地電極積層於上述多層基板之多個層間，且積層於不同之層間之上述屏蔽用接地電極彼此藉由通孔導體連接；於上述多層基板之積層方向，將上述第1濾波器用接地電極與上述 第2濾波器用接地電極以上述屏蔽用接地電極夾於其間之方式積層而成之上述多層基板之層間，與完全未積層有上述第1濾波器用接地電極、上述第2濾波器用接地電極、及上述屏蔽用接地電極之上述多層基板之層間，交互地、重複多次地設置。
  12. 如申請專利範圍第1或2項之雙工器，其中，上述多層基板係藉由低溫共燒陶瓷形成。
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