JP2015070489A - デュプレクサ及び電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】共通の圧電基板上に送信側フィルタ及び受信側フィルタを配置してデュプレクサを構成するにあたって、良好なアイソレーション特性が得られる技術を提供すること。【解決手段】送信側フィルタ及び受信側フィルタの一方である低域側フィルタ１０について、直列腕２１〜２４及び並列腕３１〜３４を備えたラダー型フィルタとして構成する。そして、低域側フィルタ１０側から数えて２番目及び３番目の並列腕３２、３３については直列信号路１１よりも右側に配置すると共に、シールド電極に接続する。一方、低域側フィルタ１０側から数えて１番目の並列腕３１については、直列信号路１１よりも左側に配置して、シールド電極６に対して電気的に絶縁する。【選択図】図１

Description

本発明は、例えば携帯電話などに用いられるデュプレクサ及びこのデュプレクサを備えた電子部品に関する。

例えば携帯電話などの移動体や基地局といった無線通信装置に使用されるデュプレクサでは、共通のアンテナポートを利用して、送信側フィルタと受信側フィルタとを介して夫々電気信号の送信及び受信を行っている。これらフィルタは、各々バンドパスフィルタとして構成されると共に、送信信号と受信信号との干渉を抑えるために、互いの通過域同士を位置ずれさせている。

このようなデュプレクサでは、各フィルタにおいて電気信号が伝達される信号線（ホットライン）同士の間にて、圧電基板の内部領域あるいは圧電基板の上方領域を介してカップリング（容量結合）が形成されると、アイソレーション特性が劣化してしまう。そのため、従来ではこれらフィルタを互いに別の圧電基板上に形成して、フィルタ同士を互いに離間させていたが、近年ではデュプレクサの小型化を図るために、これらフィルタが共通の圧電基板上に形成されるようになっており、従ってアイソレーション特性を向上させる技術が求められている。

特許文献１の図９には、デュプレクサにおいて、シールド電極をフィルタ間の領域に配置する技術について記載されている。しかしながら、特許文献１では、各フィルタの間にてシールド電極を介して依然として形成されるカップリングについては検討されていない。

特開２０１０−２３９６１２

本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、共通の圧電基板上に送信側フィルタ及び受信側フィルタを配置してデュプレクサを構成するにあたって、良好なアイソレーション特性が得られる技術を提供することにある。

本発明のデュプレクサは、
平面で見た時に矩形となるように形成された圧電基板と、
この圧電基板上にて互いに離間するように各々形成された低域側フィルタ及び高域側フィルタと、
前記低域側フィルタ及び前記高域側フィルタからの離間距離が互いに揃うように、前記圧電基板上における端部側に形成された入出力ポートと、
前記圧電基板上にて前記入出力ポートに対して前記低域側フィルタを介して対向する位置における当該圧電基板の角部を臨む領域に形成され、前記低域側フィルタを介して前記入出力ポートに信号の送信及び受信のいずれか一方を行う低域側フィルタポートと、
前記圧電基板上にて前記入出力ポートに対して前記高域側フィルタを介して対向する位置における当該圧電基板の角部を臨む領域に形成され、前記高域側フィルタを介して前記入出力ポートに信号の送信及び受信の他方を行う高域側フィルタポートと、
前記低域側フィルタ及び前記低域側フィルタポートが形成された領域と、前記高域側フィルタ及び前記高域側フィルタポートが形成された領域と、の間に設けられると共に接地されたシールド電極と、を備え、
前記低域側フィルタは、少なくとも２つの弾性波共振子を各々直列腕として前記入出力ポートと前記低域側フィルタポートとの間に一列に配置すると共に、互いに隣接する直列腕同士の間の各々及び前記低域側フィルタポートと当該低域側フィルタポートに隣接する直列腕との間に弾性波共振子を並列腕として形成して、これら並列腕から伸びる信号線を各々接地したラダー型フィルタとして構成され、
前記低域側フィルタポートから見て２番目の並列腕は、前記直列腕の並びと前記シールド電極との間に配置されると共に、当該並列腕から伸びる前記信号線が前記シールド電極に接続され、
前記低域側フィルタポートから見て１番目の並列腕は、前記直列腕の並びから見て前記シールド電極とは反対側に配置されると共に、当該１番目の並列腕から伸びる前記信号線が前記シールド電極に対して前記圧電基板上にて電気的に絶縁されていることを特徴とする。

前記直列腕は、３つ以上設けられ、
前記低域側フィルタポートから見て３番目の並列腕は、前記直列腕の並びと前記シールド電極との間に配置されると共に、当該並列腕から伸びる前記信号線が前記シールド電極に接続されていることが好ましい。この場合には、前記２番目の並列腕から伸びる信号線と前記３番目の並列腕から伸びる信号線とは、共通化されていても良い。
前記低域側フィルタは、前記入出力ポートから信号の受信を行う受信側フィルタであり、
前記高域側フィルタは、前記入出力ポートに対して信号の送信を行う送信側フィルタであっても良い。

本発明の電子部品は、
既述のデュプレクサと、
このデュプレクサが収納される筐体と、
この筐体の外表面に各々形成され、前記入出力ポート、前記低域側フィルタポート、前記高域側フィルタポート、前記シールド電極及び前記１番目の並列腕における前記信号線に夫々電気的に接続される電極パッドと、を備え、
前記１番目の並列腕における前記信号線に接続される前記電極パッドは、前記筐体にて前記シールド電極に対して電気的に絶縁されていることを特徴とする。
また、本発明の電子部品は、
既述のデュプレクサと、
このデュプレクサが配置されるベース基板と、を備え、
前記１番目の並列腕は、前記ベース基板にて前記シールド電極に対して電気的に接続されていることを特徴とする。

本発明は、互いに隣接する直列腕同士の間の各々及び低域側フィルタポートと当該低域側フィルタポートに隣接する直列腕との間に並列腕を配置したラダー型フィルタを低域側フィルタとして用いている。また、低域側フィルタと高域側フィルタとの間に、接地したシールド電極を配置している。そして、低域側フィルタポートから見て２番目の並列腕から伸びる信号路についてはシールド電極に接続すると共に、低域側フィルタポートから見て１番目の並列腕から伸びる信号路については、圧電基板上においてシールド電極に対して電気的に絶縁している。そのため、後述の実施例からも分かるように、良好なアイソレーション特性を得ることができる。

本発明の実施の形態に係るデュプレクサの構成例を示した平面図である。 前記デュプレクサを模式的に示す電気回路図である。 前記デュプレクサに配置される直列腕及び並列腕の具体的一例を示す平面図である。 前記デュプレクサが搭載された電子部品を示す縦断面図である。 前記電子部品を示す平面図である。 従来のデュプレクサを示す平面図である。 従来のデュプレクサにて得られる特性を示した特性図である。 従来のデュプレクサを示す平面図である。 従来のデュプレクサにて得られる特性を示した特性図である。 本発明のデュプレクサにて得られる特性を示した特性図である。 本発明のデュプレクサの他の例を示した平面図である。 本発明のデュプレクサの他の例を示した平面図である。 本発明のデュプレクサの他の例を示した平面図である。 本発明のデュプレクサの他の例を示した平面図である。

本発明に係る実施の形態のデュプレクサ（弾性波共用器）について、図１〜図５を参照して説明する。このデュプレクサは、低域側フィルタ１０及び高域側フィルタ４０を備えており、平面で見た時に矩形となるように形成された圧電基板１上に配置されている。そして、このデュプレクサでは、後述の実験結果からも分かるように、既述の背景の項目で挙げた特許文献１の技術と比べて、良好なアイソレーション特性が得られるように構成されている。このように良好なアイソレーション特性が得られる理由について詳述する前に、始めにデュプレクサの具体的な構成について説明する。

圧電基板１の表面において弾性波（弾性表面波）が伝搬する方向を左右方向と呼ぶと、低域側フィルタ１０及び高域側フィルタ４０は、互いに離間するように、図１中夫々左側及び右側に配置されている。そして、これら低域側フィルタ１０と高域側フィルタ４０との間には、弾性波の伝搬方向に対して直交する方向に伸びると共に接地されたシールド電極６が配置されている。圧電基板１は、例えばタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）やニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）あるいは水晶（ＳｉＯ_２）などの圧電体により構成されている。

弾性波の伝搬方向に対して直交する方向を前後方向と呼ぶと、圧電基板１上において各フィルタ１０、４０から見て奥側に離間した領域には、フィルタ１０、４０にて共用されるアンテナポート（入出力ポート）２が配置されている。このアンテナポート２は、フィルタ１０、４０からの離間距離が互いに揃う位置に形成されている。この例では、低域側フィルタ１０及び高域側フィルタ４０は、アンテナポート２に対して夫々信号の受信及び送信を行うように構成されている。即ち、前記デュプレクサは、３ＧＰＰ（Ｔｈｉｒｄ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ｐａｒｔｎｅｒｓｈｉｐ Ｐｒｏｊｅｃｔ）規格のＢａｎｄ１３にて使用される移動体（携帯電話）を対象としている。従って、低域側フィルタ１０（受信側フィルタ）の受信帯域及び高域側フィルタ４０（送信側フィルタ）の送信帯域は、夫々７４６〜７５６ＭＨｚ及び７７７〜７８７ＭＨｚとなっている。

アンテナポート２に対して低域側フィルタ１０を介して手前側に対向する位置において、圧電基板１の左側の角部を臨む領域には、当該低域側フィルタ１０を介してアンテナポート２から信号の受信を行うための低域側フィルタポート３が配置されている。また、アンテナポート２に対して高域側フィルタ４０を介して手前側に対向する位置において、圧電基板１の右側の角部を臨む領域には、高域側フィルタ４０を介してアンテナポート２に信号の送信を行うための高域側フィルタポート４が配置されている。従って、低域側フィルタポート３及び高域側フィルタポート４は、各フィルタ１０、４０から見た時にアンテナポート２に対して夫々反対側（手前側）に配置されると共に、圧電基板１における左前の角部及び右前の角部に夫々隣接するように形成されている。

続いて、低域側フィルタ１０について詳述する。この低域側フィルタ１０は、図２にも示すように、弾性波共振子５を直列腕及び並列腕としてラダー型に配置したラダー型フィルタとなっている。この弾性波共振子５は、図３に概略的に示すように、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極７１と、このＩＤＴ電極７１における左右両側に配置された一対の反射器７２、７２とを備えている。図３中７３は電極指、７４はバスバーである。また、図３中７５は反射器電極指、７６は反射器バスバーである。尚、図１では、各弾性波共振子５について簡略化して描画している。また、図２は、図１におけるデュプレクサの電気回路図を示している。

アンテナポート２と低域側フィルタポート３との間を接続する直列信号路１１には、４つの弾性波共振子５が各々直列腕として前後方向に一列に配置されている。即ち、各直列腕をなす弾性波共振子５に設けられている一対のバスバー７４、７４のうち、奥側のバスバー７４がアンテナポート２側から伸びる直列信号路１１に接続され、手前側のバスバー７４が低域側フィルタポート３側から伸びる直列信号路１１に接続されている。

ここで、これら４つの直列腕をなす弾性波共振子５について、低域側フィルタポート３側からアンテナポート２側に向かって順番に「第１の直列腕２１」、「第２の直列腕２２」、「第３の直列腕２３」及び「第４の直列腕２４」と呼ぶものとする。低域側フィルタポート３と第１の直列腕２１との間、及び互いに隣接する直列腕をなす弾性波共振子５、５同士の間の各々には、並列腕をなす弾性波共振子５が設けられている。従って、これら並列腕をなす弾性波共振子５についても、低域側フィルタ１０では４箇所に設けられており、低域側フィルタ１０側からアンテナポート２側に向かって順番に「第１の並列腕３１」、「第２の並列腕３２」、「第３の並列腕３３」及び「第４の並列腕３４」と呼ぶものとする。即ち、低域側フィルタポート３と第１の直列腕２１との間、第１の直列腕２１と第２の直列腕２２との間、第２の直列腕２２と第３の直列腕２３との間、及び第３の直列腕２３と第４の直列腕２４との間には、夫々第１の並列腕３１、第２の並列腕３２、第３の並列腕３３及び第４の並列腕３４が接続されている。

これら並列腕３１〜３４には、並列信号路１２の一端側が各々接続されており、並列信号路１２の他端側は、後述の導電材８２を介して各々接地されている。即ち、各並列腕３１〜３４における一対のバスバー７４、７４のうち一方のバスバー７４には直列信号路１１が接続され、他方のバスバー７４には並列信号路１２が接続されている。第１の並列腕３１及び第４の並列腕３４は、各直列腕２１〜２４の並び（直列信号路１１）よりも左側に配置されている。

第２の並列腕３２及び第３の並列腕３３は、直列信号路１１よりも右側（高域側フィルタ４０側）に配置されており、並列信号路１２が共通化されて（互いに接続されて）、既述のシールド電極６に接続されている。従って、第２の並列腕３２及び第３の並列腕３３は、当該並列腕３２、３３から伸びる並列信号路１２に設けられる導電材８２と、シールド電極６に設けられる導電材８２と、を介して接地されている。一方、第１の並列腕３１については、圧電基板１上においてシールド電極６に接続されておらず、従って当該シールド電極６に対して電気的に絶縁されながら接地されている。尚、図１では、電気信号が流れる直列信号路１１に対して、アースされる並列信号路１２及びシールド電極６を薄い色調に彩色している。

高域側フィルタ４０は、図１及び図２に示すように、低域側フィルタ１０と同様に複数の弾性波共振子５を直列腕５１〜５３及び並列腕６１〜６３としてラダー型に接続したラダー型フィルタとして構成されている。高域側フィルタ４０についても同様に各直列腕５１〜５３及び並列腕６１〜６３について高域側フィルタポート４からアンテナポート２に向かって順番に番号を付すものとする。第１の並列腕６１は、高域側フィルタポート４と第１の直列腕５１との間に接続されると共に、高域側フィルタ４０における各直列腕５１〜５３の並び（直列信号路４１）よりも左側（低域側フィルタ１０側）に配置されている。

第２の並列腕６２は、第１の並列腕５１と第２の直列腕５２との間において、直列信号路４１よりも右側に配置されている。第３の並列腕６３は、第２の直列腕５２と第３の直列腕５３との間にて、直列信号路１１よりも右側に配置されている。従って、高域側フィルタ４０における並列信号路４２は、圧電基板１上において、既述の低域側フィルタ１０における並列信号路１２に対して電気的に絶縁されている。

そして、シールド電極６は、低域側フィルタ１０及び低域側フィルタポート３が配置された領域と、高域側フィルタ４０及び高域側フィルタポート４が配置された領域と、の間にて、アンテナポート２に近接する部位から圧電基板１の手前側の端部に近接する部位までに亘って伸び出している。

図４及び図５は、以上説明したデュプレクサが形成された圧電基板１をフリップチップボンディング構造により電子部品としてモジュール化したＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）の一例を示している。即ち、既述の圧電基板１は、各フィルタ１０、４０などが形成された面を下側に向けてセラミックスなどからなるベース基板８１に対向配置されており、金（Ａｕ）などの金属からなるバンプである導電材８２によって当該ベース基板８１から浮いた状態にて固定されると共に電気信号が授受されるように構成されている。尚、図４中８５は、圧電基板１の周囲を覆うように例えば樹脂などにより構成された蓋体であり、当該蓋体８５及びベース基板８１により筐体が形成される。

具体的には、ベース基板８１の内部には、当該ベース基板８１を上下方向に貫通する貫通電極８３が複数箇所に形成されており、前記導電材８２は、これら貫通電極８３の上方側に配置されている。そして、これら貫通電極８３（導電材８２）は、図１に破線で示す部位に対応するように形成されており、ベース基板８１の内部に引き回された図示しない引き回し電極を介して、図５に示すように、ベース基板８１の下面に複数箇所に形成された電極パッド８４のいずれかに電気的に接続されている。

圧電基板１上において、導電材８２は、図１に示すように、アンテナポート２、低域側フィルタポート３、高域側フィルタポート４、低域側フィルタ１０における各並列腕３１〜３４から伸びる並列信号路１２、高域側フィルタ４０における各並列腕６１〜６３から伸びる並列信号路４２及びシールド電極６における手前側の領域に各々配置されている。そして、圧電基板１の表面において導電材８２が配置される部位の数量（１０箇所）に対して、ベース基板８１の下面における電極パッド８４の個数（８箇所あるいは９箇所）が少なくなっており、従って前記部位のうち少なくとも２つがベース基板８１の内部における前記引き回し電極を介して互いに接続されている。

この例では、低域側フィルタ１０における第１の並列腕３１と第４の並列腕３４とが共通の電極パッド８４に接続され、また高域側フィルタ４０における第２の並列腕６２と第３の並列腕６３とが共通の電極パッド８４に接続され、他の部位が夫々独立して個別に電極パッド８４に接続されている。図５では、各電極パッド８４について、圧電基板１上において接続される部位の符号を括弧書きにて併記している。こうして低域側フィルタ１０における第１の並列腕３１から伸びる並列信号路１２は、ベース基板８１の下面においてもシールド電極６に対して電気的に絶縁されている。また、低域側フィルタ１０における各並列信号路１２についても、ベース基板８１の下面において高域側フィルタ４０の各並列信号路４２に対して電気的に絶縁されている。

続いて、以上のようにデュプレクサを構成した理由について詳述する。即ち、既述の背景の項目で説明したように、特許文献１の図９では、低域側フィルタと高域側フィルタとの間にシールド電極を配置している。しかしながら、この図９では、低域側フィルタポート（送信入力ポート１５）側から数えて１番目の並列腕がシールド電極に接続されており、また当該低域側フィルタポートは、シールド電極に近接配置されている。

一方、本発明において種々実験を行ったところ、特許文献１における図９の構成では、シールド電極を配置しない場合と比べて良好なアイソレーション特性が得られるものの、本発明にて必要としているレベルまでもの良好な（低い）アイソレーション特性は得られない。そこで、本発明では、以下に説明する実験結果に基づいて、既述の図１に示したレイアウトを採っている。

始めに、図６に示すレイアウトのデュプレクサを作製して、このデュプレクサについてアイソレーション特性を求める実験を行った。このデュプレクサでは、各フィルタ１０、４０における弾性波共振子５のレイアウトについては既述の図１と同じ構成を採っているが、低域側フィルタ１０における第２の並列腕３２及び第３の並列腕３３から共通化されて伸びる並列信号路１２は、シールド電極６に接続されておらず、導電材８２を介して独立して接地されている。このデュプレクサのアイソレーション特性を図７に示すと、高域側フィルタ４０の通過域におけるアイソレーション特性は、本発明における要求レベル（スペック）を満たしておらず、大幅に改善する必要があると言える。

また、図８は、既述の特許文献１の図９と類似した構成のデュプレクサを示しており、低域側フィルタ１０から数えて一番目の第１の並列腕３１をシールド電極６に接続している。従って、第１の並列腕３１について、直列信号路１１とシールド電極６との間の領域に配置されるように、低域側フィルタ１０における第１の並列腕３１と第２の並列腕３２及び第３の並列腕３３との形成位置を互いに入れ替えている。

即ち、既述の図１に示したレイアウトでは、第１の並列腕３１をシールド電極６に接続しにくい。具体的には、第１の並列腕３１からシールド電極６に向かう導電路を圧電基板１上に形成しようとすると、第１の並列腕３１と圧電基板１の端部との間にはそれ程余分なスペースが空いていない。従って、前記導電路を形成するためには、（１）低域側フィルタ１０全体を高域側フィルタ４０側に寄せるか、あるいは（２）圧電基板１を大型化することになり、（１）の場合には他の導電路（例えば直列信号路１１）が細くなって電気的抵抗の増大に繋がってしまうし、（２）の場合にはデュプレクサの大型化やコストアップに繋がってしまう。

一方、図１のレイアウトにて第１の並列腕３１からシールド電極６に向かうワイヤを圧電基板１の上方領域を介して配置すると、意図しないカップリングが当該ワイヤとフィルタ１０との間に発生してしまうおそれがある。そこで、既述の図８に示したように、第１の並列腕３１とシールド電極６とを互いに接続するにあたって、直列信号路１１よりも右側に第１の並列腕３１を配置している。従って、この図８から分かるように、第１の並列腕３１から低域側フィルタポート３に向かう直列信号路１１は、図１のレイアウトと比べて、シールド電極６に近接するので、高域側フィルタポート４との間でカップリングが形成されやすくなると言える。特許文献１の図９についても、低域側フィルタポート３をシールド電極６に近接配置させており、同様に高域側フィルタポート４との間でカップリングが形成しやすくなっていて、図８と同様のアイソレーション特性となることが分かる。

図８のデュプレクサを実際に作製してアイソレーション特性を測定したところ、図９に示す結果が得られた。即ち、高域側フィルタ４０の通過域におけるアイソレーション特性は、本発明にて求める最低限のレベルは満たしていたものの、それ程良好な結果とは言えない。

そこで、本発明では、信号が流れる直列信号路１１をできるだけシールド電極６（高域側フィルタ４０及び高域側フィルタポート４）から離間させるために、第１の並列腕３１を直列信号路１１よりも左側に配置すると共に、低域側フィルタ１０における第２の並列腕３２及び第３の並列腕３３をシールド電極６に接続している。そのため、図１０に示すように、高域側フィルタ４０の通過域におけるアイソレーション特性について、要求レベルよりも極めて低い（良好な）値が得られ、具体的には５５ｄＢ以上もの低い減衰量が得られている。

従って、本発明では、低域側フィルタ１０と高域側フィルタ４０との間にシールド電極６を配置するにあたって、当該シールド電極６を介して依然として形成されるカップリングをできるだけ抑えるために、低域側フィルタ１０のレイアウトを調整していると言える。具体的には、第１の並列腕３１を直列信号路１１よりも左側に配置することにより、低域側フィルタポート３及び当該低域側フィルタポート３から伸びる直列信号路１１をシールド電極６からなるべく離間させている。そして、第２の並列腕３２と第３の並列腕３３とについて、単にアースするだけでなく、シールド電極６に接続している。言い換えると、特許文献１の図９は、シールド電極によって低域側フィルタと高域側フィルタとの間におけるカップリングの発生を低減する技術であり、シールド電極を介して依然として形成されるカップリングまでをも抑制するものではない。即ち、特許文献１の図９では、低域側フィルタポートは、シールド電極に近接配置されており、従ってシールド電極を配置したことだけでアイソレーション特性が既に改善されていると捉えていることが分かる。また、特許文献１の図９の低域側フィルタは、本発明の低域側フィルタ１０とは構成が異なり、具体的には低域側フィルタポート側から数えて１番目の並列腕がシールド電極に接続されており、一方本発明では低域側フィルタポート３から数えて２番目及び３番目の並列腕３２、３３がシールド電極６に接続されている。

上述の実施の形態によれば、ラダー型フィルタを低域側フィルタ１０として配置したデュプレクサにおいて、当該低域側フィルタ１０について、低域側フィルタポート３と第１の直列腕２１との間、第１の直列腕２１と第２の直列腕２２との間、及び第２の直列腕２２と第３の直列腕２３との間に、夫々第１の並列腕３１、第２の並列腕３２及び第３の並列腕３３を配置している。そして、低域側フィルタポート３から数えて２番目の第２の並列腕３２と、低域側フィルタポート３から数えて３番目の第３の並列腕３３とについては、シールド電極６に接続している。一方、低域側フィルタポート３から数えて１番目の第１の並列腕３１については、直列信号路１１よりも左側に配置して、高域側フィルタ４０やシールド電極６から離間させると共に、当該シールド電極６に対して電気的に絶縁している。そのため、以上説明した実験によって得られた結果から分かるように、高域側フィルタ４０の通過域において極めて良好なアイソレーション特性を得ることができる。

このように高域側フィルタ４０の通過域において良好なアイソレーション特性が得られるため、本発明のデュプレクサは、低域側フィルタ１０を受信側フィルタとして使用すると共に、高域側フィルタ４０を送信側フィルタとして適用する場合に大きな効果が得られる。即ち、送信側の帯域では、一般的に、受信側の帯域よりも良好なアイソレーション特性が要求される。従って、本発明のデュプレクサについて、既述のように３ＧＰＰ規格のＢａｎｄ１３に使用される移動体に適用することが好ましい。

また、本発明のデュプレクサを３ＧＰＰ規格のＢａｎｄ５の基地局に適用しても良い。即ち、このＢａｎｄ５の基地局では、送信帯域及び受信帯域が夫々８６９〜８９４ＭＨｚ及び８２４〜８４９ＭＨｚとなっている。ここで、本発明のデュプレクサについて、Ｂａｎｄ１３の基地局あるいはＢａｎｄ５の移動体に適用した場合であっても、受信帯域において同様に良好なアイソレーション特性が得られることは当然である。尚、Ｂａｎｄ１３の基地局では、送信帯域が７４６〜７５６ＭＨｚであり、受信帯域が７７７〜７８７ＭＨｚとなっている。また、Ｂａｎｄ５の移動体では、送信帯域が８２４〜８４９ＭＨｚであり、受信帯域が８６９〜８９４ＭＨｚである。

以下に、本発明のデュプレクサの他の例について説明する。図１１は、低域側フィルタ１０について、直列信号路１１に３つの直列腕２１、２２、２３を配置した例を示している。この場合にも、第１の直列腕２１と第２の直列腕２２との間に第２の並列腕３２が接続されると共に、第２の直列腕２２と第３の直列腕２３との間に第３の並列腕３３が接続されて、これら並列腕３２、３３がシールド電極６に共通に接続される。また、第１の並列腕３１については、直列信号路１１よりも左側の領域にてシールド電極６に対して電気的に絶縁される。
また、低域側フィルタ１０の直列信号路１１では、互いに隣接する直列腕２１、２２同士の間に第２の並列腕３２が配置されるように当該直列腕の数量を設定すれば良く、具体的には前記数量は２つ以上である。

図１２は、低域側フィルタ１０について、既述の図１の構成に加えて、第４の直列腕２４とアンテナポート２との間に、弾性波共振子５からなる第５の直列腕２５を配置した例を示している。また、第５の直列腕２５と第４の直列腕２４との間には、同様に弾性波共振子５からなる第５の並列腕３５が設けられている。また、高域側フィルタ４０については、アンテナポート２と第３の直列腕５３との間に第４の直列腕５４が配置されると共に、当該第４の直列腕５４と第３の直列腕５３との間に第４の並列腕６４が配置されている。この場合であっても、同様の効果が得られる。

また、図１３は、第２の並列腕３２と第３の並列腕３３とをシールド電極６に各々接続するにあたって、これら並列腕３２、３３から伸びる並列信号路１２、１２を個別に設けた例を示している。即ち、各並列腕３２、３３に夫々接続されている並列信号路１２、１２は、導電材８２、８２を介して夫々接地されると共に、互いに独立してシールド電極６に接続されている。このような例であっても、同様に高域側フィルタ４０における通過域にて良好なアイソレーション特性が得られる。また、図１４に示すように、低域側フィルタ１０における第２の並列腕３２については既述のようにシールド電極６に接続すると共に、第３の並列腕３３については当該シールド電極６とは別に（シールド電極６に対して電気的に絶縁しながら）接地しても良い。

以上説明したように、本発明では、第１の並列腕３１について、圧電基板１上ではシールド電極６に対して電気的に絶縁されている。また、この第１の並列腕３１から伸びる並列信号路１２についても、シールド電極６に対してベース基板８１上において電気的に絶縁している。しかしながら、既述のＣＳＰあるいはデュプレクサを電子機器として別の部材に配置した時、第１の並列腕３１（あるいは当該第１の並列腕３１から伸びる並列信号路１２）は、当該別の部材を経由してシールド電極６に接続される場合もある。また、第１の並列腕３１は、圧電基板１上ではシールド電極６に対して電気的に絶縁されていても、ベース基板８１上ではシールド電極６に電気的に接続される場合もある。即ち、ベース基板８１は、圧電基板１と比べて誘電率が大幅に低いため、当該ベース基板８１にてシールド電極６と第１の並列腕３１とが電気的に接続されていても、カップリングが起こりにくい。従って、シールド電極６は、ベース基板８１上（あるいはベース基板８１の内部）において、第１の並列腕３１に電気的に接続されていても良い。以上纏めると、本発明では、第１の並列腕３１は、少なくとも圧電基板１上においてシールド電極６に対して電気的に絶縁されていれば良く、ベース基板８１あるいは前記他の部材では電気的に接続されていても良い。
以上の各例において、高域側フィルタ４０についてはラダー型フィルタとして説明したが、高域側フィルタ４０として縦結合共振器型フィルタを用いて、アンバランス（不平衡）信号をバランス（平衡）信号に変換しても良い。

１ 圧電基板
２ アンテナポート
３ 低域側フィルタポート
４ 高域側フィルタポート
５ 弾性波共振子
６ シールド電極
１０ 低域側フィルタ
１１ 直列信号路
１２ 並列信号路
２１〜２４ 直列腕
３１〜３４ 並列腕
４０ 高域側フィルタ

Claims (6)

1. 平面で見た時に矩形となるように形成された圧電基板と、
   この圧電基板上にて互いに離間するように各々形成された低域側フィルタ及び高域側フィルタと、
   前記低域側フィルタ及び前記高域側フィルタからの離間距離が互いに揃うように、前記圧電基板上における端部側に形成された入出力ポートと、
   前記圧電基板上にて前記入出力ポートに対して前記低域側フィルタを介して対向する位置における当該圧電基板の角部を臨む領域に形成され、前記低域側フィルタを介して前記入出力ポートに信号の送信及び受信のいずれか一方を行う低域側フィルタポートと、
   前記圧電基板上にて前記入出力ポートに対して前記高域側フィルタを介して対向する位置における当該圧電基板の角部を臨む領域に形成され、前記高域側フィルタを介して前記入出力ポートに信号の送信及び受信の他方を行う高域側フィルタポートと、
   前記低域側フィルタ及び前記低域側フィルタポートが形成された領域と、前記高域側フィルタ及び前記高域側フィルタポートが形成された領域と、の間に設けられると共に接地されたシールド電極と、を備え、
   前記低域側フィルタは、少なくとも２つの弾性波共振子を各々直列腕として前記入出力ポートと前記低域側フィルタポートとの間に一列に配置すると共に、互いに隣接する直列腕同士の間の各々及び前記低域側フィルタポートと当該低域側フィルタポートに隣接する直列腕との間に弾性波共振子を並列腕として形成して、これら並列腕から伸びる信号線を各々接地したラダー型フィルタとして構成され、
   前記低域側フィルタポートから見て２番目の並列腕は、前記直列腕の並びと前記シールド電極との間に配置されると共に、当該並列腕から伸びる前記信号線が前記シールド電極に接続され、
   前記低域側フィルタポートから見て１番目の並列腕は、前記直列腕の並びから見て前記シールド電極とは反対側に配置されると共に、当該１番目の並列腕から伸びる前記信号線が前記シールド電極に対して前記圧電基板上にて電気的に絶縁されていることを特徴とするデュプレクサ。
2. 前記直列腕は、３つ以上設けられ、
   前記低域側フィルタポートから見て３番目の並列腕は、前記直列腕の並びと前記シールド電極との間に配置されると共に、当該並列腕から伸びる前記信号線が前記シールド電極に接続されていることを特徴とする請求項１に記載のデュプレクサ。
3. 前記２番目の並列腕から伸びる信号線と前記３番目の並列腕から伸びる信号線とは、共通化されて前記シールド電極に接続されていることを特徴とする請求項２に記載のデュプレクサ。
4. 前記低域側フィルタは、前記入出力ポートから信号の受信を行う受信側フィルタであり、
   前記高域側フィルタは、前記入出力ポートに対して信号の送信を行う送信側フィルタであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載のデュプレクサ。
5. 請求項１ないし４のいずれか１つに記載のデュプレクサと、
   このデュプレクサが収納される筐体と、
   この筐体の外表面に各々形成され、前記入出力ポート、前記低域側フィルタポート、前記高域側フィルタポート、前記シールド電極及び前記１番目の並列腕における前記信号線に夫々電気的に接続される電極パッドと、を備え、
   前記１番目の並列腕における前記信号線に接続される前記電極パッドは、前記筐体にて前記シールド電極に対して電気的に絶縁されていることを特徴とする電子部品。
6. 請求項１ないし４のいずれか１つに記載のデュプレクサと、
   このデュプレクサが配置されるベース基板と、を備え、
   前記１番目の並列腕は、前記ベース基板にて前記シールド電極に対して電気的に接続されていることを特徴とする電子部品。