CN111466083B - 弹性波滤波器、分波器以及通信装置 - Google Patents

弹性波滤波器、分波器以及通信装置 Download PDF

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Abstract

滤波器主体在将串联臂和一个以上的并联谐振器连接成梯型的状态下具有该串联臂和一个以上的并联谐振器。串联臂包含相互串联连接的多个串联谐振器。多个串联谐振器之间的谐振频率之差小于各串联谐振器的谐振频率和反谐振频率之差的一半。串联臂具有第1分割臂和第2分割臂，第1分割臂从压电基板上给定方向的一侧向另一侧延伸，第2分割臂从第1分割臂所述另一侧折返而向所述一侧延伸。屏蔽导体具有：位于在第1分割臂所包含的串联谐振器的至少一个与第2分割臂所包含的串联谐振器的至少一个之间的部分。

Description

弹性波滤波器、分波器以及通信装置
技术领域
本公开涉及一种对电信号进行滤波的弹性波滤波器、包含该弹性波滤波器的分波器以及通信装置。弹性波例如是SAW(Surface Acoustic Wave，声表面波)。
背景技术
已知一种通过将多个弹性波谐振器连接成梯型来构成的弹性波滤波器(例如专利文献1以及2)。
专利文献1公开了一种梯型的弹性波滤波器，其在对弹性波滤波器输入信号的输入端子或者将来自弹性波滤波器的信号输出的输出端子、与在弹性波滤波器内传递信号的布线之间，设置了屏蔽导体。
在专利文献2中公开了一种双工器，其具有由梯型的弹性波滤波器构成的发送滤波器、和由梯型的弹性波滤波器构成的接收滤波器。发送滤波器以及接收滤波器共同与一个输入输出端子连接，并整体上概略地被配置成U字状。在专利文献2中还公开了一种在发送滤波器与接收滤波器之间设置了屏蔽导体的方式。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平07-154201公报
专利文献2：日本特开2010-239612公报
发明内容
本公开的一种方式所涉及的弹性波滤波器具有：压电基板、所述压电基板上的滤波器主体、以及与基准电位部连接的屏蔽导体。所述滤波器主体在将串联臂和一个以上的并联谐振器连接成梯型的状态下具有该串联臂和一个以上的并联谐振器。所述串联臂包含相互串联连接的多个串联谐振器。所述多个串联谐振器之间的谐振频率之差小于各串联谐振器的谐振频率和反谐振频率之差的一半。所述串联臂具有第1分割臂和第2分割臂。所述第1分割臂相对于所述压电基板从给定方向的一侧向另一侧延伸，并包含至少一个所述串联谐振器。所述第2分割臂从所述第1分割臂的所述另一侧的部分折返而向所述一侧延伸，并包含至少一个所述串联谐振器。所述屏蔽导体具有：位于在所述第1分割臂所包含的所述串联谐振器的至少一个与所述第2分割臂所包含的所述串联谐振器的至少一个之间的部分。
本公开的一种方式所涉及的分波器具有：天线端子、与所述天线端子连接的发送滤波器、以及与所述天线端子连接的接收滤波器。所述发送滤波器以及所述接收滤波器的至少一者通过上述的弹性波滤波器构成。
本公开的一种方式所涉及的通信装置具有：上述的弹性波滤波器、与所述串联臂的一端连接的天线、以及与所述串联臂的另一端连接的IC。
附图说明
图1是表示SAW谐振器的结构的俯视图。
图2是示意性表示包含图1的SAW谐振器的SAW滤波器的结构的俯视图。
图3是表示图2的SAW滤波器的频率特性的图。
图4的(a)以及图4的(b)是表示第1以及第2变形例所涉及的SAW谐振器的结构的俯视图。
图5的(a)以及图5的(b)是表示第3以及第4变形例所涉及的SAW谐振器的结构的俯视图。
图6是表示第5变形例所涉及的SAW滤波器的一部分的俯视图。
图7是表示关于图6的SAW滤波器的特性的仿真结果的图。
图8是示意性表示作为图2的SAW滤波器的利用例的分波器的图。
图9是表示作为图8的分波器的利用例的通信装置的主要部分的结构的框图。
具体实施方式
以下，参照附图来说明本公开的实施方式。此外，在以下的说明中所用的图是示意性的，图上的尺寸比率等并不一定与现实的一致。
(SAW谐振器的结构)
图1是表示实施方式所涉及的SAW滤波器51(图2)中使用的SAW谐振器1的结构的俯视图。
SAW谐振器1(SAW滤波器51)可以将任一个方向设为上方或者下方，然而在以下的说明中，为了方便，定义了由D1轴、D2轴以及D3轴构成的正交坐标系，将D3轴的正侧(图1的纸面跟前侧)设为上方来使用上表面等用语。此外，D1轴被定义为，与沿着后述的压电基板5的上表面(纸面跟前侧的面。通常是最宽的面(主面)。)传播的SAW的传播方向平行；D2轴被定义为，与压电基板5的上表面平行并且与D1轴正交；D3轴被定义为，与压电基板5的上表面正交。
SAW谐振器1构成了所谓的单端口SAW谐振器，例如，若从示意性表示的两个端子3的一个输入给定频率的电信号则产生谐振，并将产生了该谐振的信号从两个端子3的另一个输出。
这样的SAW谐振器1例如具有：压电基板5、在压电基板5上设置的IDT电极7、和在压电基板5上位于IDT电极7的两侧的一对反射器9。
此外，如上述那样，严格来说，SAW谐振器1包含压电基板5。然而，如后述那样，在本实施方式中，在一个压电基板5上设置IDT电极7以及一对反射器9的多个组合，构成了多个SAW谐振器1(1S2、1P1等)(参照图2)。因此，在以下的说明中，为了方便，将IDT电极7以及一个反射器9的组合(SAW谐振器1的电极部)称为SAW谐振器1。
压电基板5例如由具有压电性的单晶构成。单晶例如是铌酸锂(LiNbO3)单晶或者钽酸锂(LiTaO3)单晶。切割角可以按照所利用的SAW的种类等来适当地设定。例如，压电基板5旋转Y切割X传播。即，X轴与压电基板5的上表面(D1轴)平行；Y轴相对于压电基板5的上表面的法线以给定角度倾斜。此外，压电基板5还可以形成得比较薄，并在背面(D3轴负侧的面)贴合了由无机材料或者有机材料构成的支持基板。此外，还可以在压电基板5与支持基板之间存在中间层。中间层可以是单层，也可以层叠了多个层。
IDT电极7以及反射器9通过在压电基板5上设置的层状导体构成。IDT电极7以及反射器9例如相互以相同的材料以及厚度来构成。构成这些的层状导体例如是金属。金属例如是Al或者以Al为主成分的合金(Al合金)。Al合金例如是Al-Cu合金。层状导体还可以由多个金属层构成。层状导体的厚度按照对SAW谐振器1要求的电特性等来适当地设定。作为一例，层状导体的厚度是50nm以上且600nm以下。
IDT电极7具有一对梳齿电极11(为了提高视觉辨认性的方便，对一者附带剖面线)。各梳齿电极11具有：汇流条13、从汇流条13起相互并列地延伸的多个电极指15、与在多个电极指15之间从汇流条13突出的多个虚拟电极17。
一对梳齿电极11被配置成多个电极指15相互啮合(交叉)。即，一对梳齿电极11的两条汇流条13相互对置地配置，一个梳齿电极11的电极指15和另一个梳齿电极11的电极指15在其宽度方向上基本上交替地排列。此外，一个梳齿电极11的多个虚拟电极其前端与另一个梳齿电极11的电极指15的前端对置。
汇流条13例如概略地被形成为以固定的宽度在SAW的传播方向(D1轴方向)上直线状地延伸的长条状。并且，一对汇流条13在与SAW的传播方向正交的方向(D2轴方向)上相互对置。一对汇流条13的相互对置的缘部例如是相互平行的。此外，汇流条13还可以宽度不断变化，或者相对于SAW的传播方向而倾斜。
各电极指15例如概略地被形成为以固定的宽度在与SAW的传播方向正交的方向(D2轴方向)上直线状地延伸的长条状。多个电极指15例如在SAW的传播方向上排列，并且相互是同等的长度。此外，对于IDT电极7，还可以实施了多个电极指15的长度(在另一观点下，交叉宽度)按照传播方向的位置而变化的所谓变迹(apodized)。
电极指15的条数、长度以及宽度w(在另一观点下，宽度w对间距p的比即占空比)可以按照对SAW谐振器1要求的电特性等来适当设定。此外，由于图1等是示意图，因此较少地示出了电极指15的条数。实际上，可以排列比图示更多(例如100条以上)的电极指15。针对后述的反射器9的带状(strip)电极21也是同样的。
多个电极指15的间距p(电极指间距)例如遍及IDT电极7整体地大致固定。此外，间距p例如是相互相邻的两条电极指15(或者后述的带状电极21)的中心间距离。间距p基本上被设为在压电基板5上传播的SAW中具有与想要使其谐振的频率同等频率的SAW的波长λ的一半(p＝λ/2)。
多个虚拟电极17例如被形成为，以大致固定的宽度在与SAW的传播方向正交的方向(D2轴方向)上直线状地突出的长条状。多个虚拟电极17的宽度、条数以及间距与多个电极指15是同等的。此外，虚拟电极17的宽度也可以与电极指15不同。IDT电极7也可以不具有虚拟电极17。在以下的说明中，有时省略虚拟电极17的说明以及图示。
如已述的那样，一个梳齿电极11的多个电极指15的前端和另一个梳齿电极11(更详细地，在本实施方式中，另一个梳齿电极11的虚拟电极17的前端)在多个电极指15的延伸方向(D2轴方向)上隔着间隙Gp而对置。间隙Gp的D2轴方向上的大小例如在多个电极指15间是同等的。
反射器9例如被形成为晶格状。即，反射器9具有相互对置的一对汇流条19、和在一对汇流条19间延伸的多个带状电极21。
汇流条19以及带状电极21的形状除了带状电极21的两端与一对汇流条19连接这一情况之外，可以设为与IDT电极7的汇流条13以及电极指15同样。
一对反射器9例如在SAW的传播方向上在IDT电极7的两侧相邻。因此，多个带状电极21接着多个电极指15的排列来排列。在反射器9与IDT电极7之间相互相邻的带状电极21和电极指15的间距例如与多个电极指15(以及多个带状电极21)的间距是同等的。
此外，压电基板5的上表面还可以从IDT电极7以及反射器9上起通过由SiO2等构成的未图示的保护膜覆盖。该保护膜可以比IDT电极7薄，也可以比其厚。此外，在设置保护膜的情况下等，在IDT电极7以及反射器9的上表面或者下表面还可以为了使SAW的反射系数提高而设置由绝缘体或者金属构成的附加膜。
若对一对梳齿电极11施加电压，则通过电极指15对压电基板5施加电压，在压电基板5的上表面附近沿着上表面在D1轴方向上传播的给定模式的SAW被激励。激励出的SAW被电极指15机械反射。其结果，形成了以电极指15的间距为半波长的驻波。驻波被变换成与该驻波同一频率的电信号，并被电极指15取出。这样，SAW谐振器1作为谐振器发挥功能。该谐振频率是与以电极指间距为半波长在压电基板5上传播的SAW的频率大致同一的频率。
在IDT电极7被激励出的SAW被反射器9的带状电极21机械反射。此外，相互相邻的带状电极21通过汇流条19而相互连接，因此，来自IDT电极7的SAW被带状电极21电反射。由此，SAW的发散被抑制，IDT电极7中的驻波强烈地产生，SAW谐振器1作为谐振器的功能提高。
此外，在所谓与SAW谐振器1连接的情况下，只要没有特别地说明，设为由两个端子3示意性表示的那样，在对一对梳齿电极11施加电压的方式下的连接。
IDT电极7为了特性的提高或者微调整，有时对其一部分(例如，间距p的总数的不足50％或者不足5％)设定与大部分的间距p不同的大小的间距p。例如，IDT电极7有时在SAW的传播方向的两侧设置间距p比其他大部分小的窄间距部。此外，例如，有时将交替排列的一对梳齿电极11的电极指15以给定数(例如1～3条)取下，或者进行与其实质上等效的电极指15的宽度w或者排列的变更、进行所谓的间隔剔除。本公开中，当言及间距p、宽度w或者占空比(w/p)时，只要没有特别地说明，并不考虑这样的特殊的部分。此外，在间距p或者宽度w遍及IDT电极7整体地在微小范围内变动这样的情况下，可以使用其平均值。
(SAW滤波器的概要)
图2是示意性表示包含SAW谐振器1的SAW滤波器51的结构的俯视图。在该图中，如根据在纸面左上侧示出的IDT电极7以及反射器9的符号所理解的那样，比图1更示意性地示出了这些导体。
SAW滤波器51具有已述的压电基板5。并且，SAW滤波器51在压电基板5上具有进行信号的输入输出的各种端子(3I以及3O等)、对信号进行滤波的滤波器主体52、和有助于滤波器主体52的特性的提高的屏蔽导体63。
多个端子例如包含：从SAW滤波器51的外部输入电信号的输入端子3I、向外部输出电信号的输出端子3O、从外部赋予基准电位的第1GND端子3G1～第4GND端子3G4、以及接合用的虚拟端子3D。此外，SAW滤波器51还能够以输入端子3I为输出端子、以输出端子3O为输入端子来使用。
此外，为了使图解容易，对这些端子附带有I、O、G或者D等字符。此外，有时并不对这些端子进行区分，简称为端子3。关于第1GND端子3G1～第4GND端子3G4，有时简称为“GND端子3G”，并不对它们进行区分。输入端子3I、输出端子3O和/或GND端子3G例如相当于图1所示的端子3。
滤波器主体52被构成为，对来自输入端子3I的电信号进行滤波而向输出端子3O输出。此外，滤波器主体52被构成为，在上述的滤波时，将电信号中包含的无用成分(通频带外的信号)向GND端子3G放掉。
在输入端子3I、输出端子3O以及一个以上的GND端子3G之间，多个SAW谐振器1(在图示的示例中，1S1～1S6以及1P1～1P5)连接成梯型，由此来构成滤波器主体52。多个端子3以及多个SAW谐振器1的连接通过多个布线23来进行。
此外，SAW滤波器51的封装和/或安装构造可以设为各种方式。例如，SAW滤波器51将压电基板5的上表面(+D3侧的面)配置成与未图示的电路基板对置，上述的各种端子3和电路基板的焊盘通过凸块而接合，由此来进行封装或者安装。或者，例如，在压电基板5的上表面覆盖未图示的箱状的壳体，并在各种端子3上竖立贯通壳体的未图示的柱状的导体。并且，将壳体的上表面配置成与未图示的电路基板对置，从壳体的上表面露出的柱状的导体和电路基板的焊盘通过凸块而接合，由此来安装SAW滤波器。
(端子以及布线)
端子3以及布线23由位于压电基板5的上表面的导体层构成。该导体层例如与构成IDT电极7以及反射器9的导体层是同一的(同一的材料以及厚度)。但是，在端子3的位置，在与IDT电极7、反射器9以及布线23共通的导体层上还可以形成由其他材料构成的导体层。当然，端子3、布线23以及其他导体层还可以由相互不同的材料构成。
端子3的形状以及尺寸等可以适当地设定。此外，端子3不必通过其自身的结构(形状或者材料等)而能够与布线23区分，也可以成为布线23的一部分。例如，端子3的位置或者范围还可以通过覆盖布线23而不覆盖端子3的绝缘层来确定，或者通过当对压电基板5进行封装时与端子3抵接的构件(例如凸块)来确定。
在图示的示例中，并不是全部的GND端子3G相互短路。例如，滤波器主体52所连接的全部GND端子3G(3G2～3G4)经由滤波器主体52(在另一观点下，SAW谐振器1等电子元件)而连接，然而并不是仅通过布线23(和/或未图示的封装等的布线)来连接。此外，作为电子元件，除了SAW谐振器1之外，例如能够列举电阻器、电容器或者电感器。布线23严格来说也具有电阻值、电容以及电感，然而这里并不考虑。此外，滤波器主体52所连接的全部GND端子3G还可以与图示的示例不同，其全部或者一部分被短路。
虚拟端子3D例如是当SAW滤波器51的封装或者安装时在接合中利用的端子，仅在SAW滤波器51设为例如电浮置状态。此外，虚拟端子3D可以在安装了SAW滤波器51时被赋予基准电位，也可以经由覆盖滤波器主体52的未图示的壳体与GND端子3G连接。此外，也可以不设置这样的虚拟端子3D。
布线23的具体路径以及宽度等可以适当地设定。在图2中，为了方便，以固定的宽度或者比较细地示出了布线23。然而，布线23宽度可以变化，可以如图1所示那样形成得比较粗，也可以在一部分具有与汇流条13的长度(D1轴方向)同等的宽度。此外，在图2中，为了方便，布线23与D1轴方向或者D2轴方向平行地围上，然而还可以向D1轴方向或者D2轴方向倾斜。在图示的示例中，布线23并不相互重叠，然而，也可以存在布线23彼此隔着绝缘体而立体交叉的部分。
(滤波器主体中的SAW谐振器的连接关系)
滤波器主体52通过所谓的梯型的SAW滤波器构成。即，滤波器主体52具有：将输入端子3I和输出端子3O连接的串联臂53(沿着串联臂53示出箭头y1。)、和将串联臂53和GND端子3G连接的一个以上(在图示的示例中，多个(5个))的并联臂55。串联臂53有助于通频带的信号的传输。并联臂55有助于使通频带外的信号流向GND端子3G。此外，在本实施方式的说明中，基本上取并联臂55的数量为多个的情况为示例。
串联臂53在输入端子3I与输出端子3O之间包含串联连接的第1串联谐振器1S1～第6串联谐振器1S6(以下，有时简称为“串联谐振器1S”，不对它们进行区分。)。各并联臂55具有将任一个串联谐振器1S的输入侧(输入端子3I侧)或者输出侧(输出端子3O侧)和GND端子3G连接的第1并联谐振器1P1～第5并联谐振器1P5(以下，有时简称为“并联谐振器1P”，不对它们进行区分。)。多个并联臂55(并联谐振器1P)与串联臂53在相互不同的位置(相对于串联谐振器1S的相对关系相互不同的位置)电连接。
此外，在本实施方式的说明中，在串联臂53(在另一观点下，一个以上的串联谐振器1S)以及并联臂55(在另一观点下，一个以上的并联谐振器1P)连接成梯型的情况下，如上述那样，是指如下状态：在输入端子3I与输出端子3O之间连接串联臂53(在另一观点下，一个串联谐振器或者串联连接了的多个串联谐振器1S)，并在一个以上的串联谐振器1S的输入侧或者输出侧和GND端子3G之间连接一个以上的并联臂55(在另一观点下，一个以上的并联谐振器1P)。
串联谐振器1S的数量以及并联谐振器1P的数量可以适当地设定，图2所示的数量只不过是一例。在图示的示例中，在最靠近输入端子3I侧的第1串联谐振器1S1的输入侧并未连接并联谐振器1P，然而也可以在第1串联谐振器1S1的输入侧连接有并联谐振器1P。同样地，在最靠近输出端子3O侧的第6串联谐振器1S6的输出侧并未连接并联谐振器1P，然而也可以在第6串联谐振器1S6的输出侧连接有并联谐振器1P。
多个并联谐振器1P可以个别地(1对1地)连接到并未相互短路的多个GND端子3G，也可以其全部或者一部分连接到同一个GND端子3G或者相互短路的多个GND端子3G。在图示的示例中，第1并联谐振器1P1以及第2并联谐振器1P2共同连接到第2GND端子3G2，第4并联谐振器1P4以及第5并联谐振器1P5共同连接到第4GND端子3G4，第3并联谐振器1P3连接到第3GND端子3G3。
串联谐振器1S以及并联谐振器1P例如分别通过参照图1说明的SAW谐振器1而构成。但是，电极指15的条数、电极指15的长度和/或间距p等的具体值按照对各谐振器要求的特性来设定。
串联谐振器1S以及并联谐振器1P可以分别由一个SAW谐振器1构成，也可以由多个SAW谐振器1构成。在图示的示例中，第1串联谐振器1S1由两个SAW谐振器1(第1分割谐振器1S1-1以及第2分割谐振器1S1-2)构成，除此以外的谐振器由一个SAW谐振器1构成。此外，在另一观点下还可以认为，一个SAW谐振器1被分割为多个(这里，两个)SAW谐振器1来构成第1串联谐振器1S1。
第1分割谐振器1S1-1以及第2分割谐振器1S1-2相互串联连接。连接可以通过布线23来进行，也可以通过将两者的汇流条13共通化来进行。第1分割谐振器1S1-1以及第2分割谐振器1S1-2例如概略地设为相互同一的结构。但是，二者还可以设为相互不同的结构。
这样，通过将一个串联谐振器1S或者一个并联谐振器1P分割，例如，能够使对一个SAW谐振器1(这里，第1分割谐振器1S1-1或者第2分割谐振器1S1-2)施加的电压下降，并使一个串联谐振器1S整体或者一个并联谐振器1P整体中的耐电力性提高。在是将SAW滤波器51利用于无线通信的发送滤波器(后述)的情况下，相比于输出端子3O侧，在输入端子3I侧电信号的强度高。该情况下，如图示的示例那样，通过将最靠近输入端子3I的SAW谐振器1分割，能够使作为SAW滤波器51整体的耐电力性提高。
此外，在串联臂53内设置有串联连接的多个SAW谐振器1的情况下，各SAW谐振器1是分割谐振器、还是以单体来构成串联谐振器1S，可以例如以与并联臂55的连接位置为基准来确定。例如，如果在相互串联连接的两个SAW谐振器1之间并未连接并联臂55，则可以将该两个SAW谐振器1共同视作构成一个串联谐振器1S的分割谐振器。
(电容元件的连接)
SAW滤波器51例如具有相对于多个SAW谐振器1的全部或者一部分(在图示的示例中，1S2、1S3、1P4以及1S5)并联连接的一个以上的电容元件57。此外，在图2中，电容元件57通过表示其配置区域的框(矩形)、和表示是电容元件的记号来表示。
通过设置与SAW谐振器1并联连接的电容元件57，例如能够使SAW谐振器1中的谐振频率与反谐振频率之差Δf(后述。参照图3)减小。其结果，例如，能够在通频带和其外侧的边界能够得到通过特性急剧变化的滤波器特性。此外，SAW滤波器51也可以不具有电容元件57。
电容元件57也可以针对SAW滤波器51内的任一个谐振器1来设置，此外其数量也是任意的。例如，针对一个SAW谐振器1设置一个电容元件57。但是，也可以针对多个SAW谐振器1来共通地设置电容元件57。针对分割谐振器(1S1-2以及1S1-2)也同样地，电容元件57可以个别地设置，也可以对多个分割谐振器共通地设置。
电容元件57例如由压电基板5上的导体层构成。该导体层例如与构成IDT电极7的导体层是同一导体层。电容元件57例如可以由使直线状的缘部彼此相互平行地对置的一对平行电极而构成，也可以由相互啮合的一对梳齿电极而构成。此外，一对平行电极或者一对梳齿电极的汇流条的对置方向还可以是不与压电基板5的上表面平行的任意方向。
此外，尽管未特别图示，然而SAW滤波器51除了上述之外还可以在适当的位置具有电容器和/或电感器。例如，SAW滤波器51还可具有在并联谐振器1P与GND端子3G之间串联连接的电容器和/或电感器。还可以将这样的电容器和/或电感器、和SAW谐振器1(串联谐振器1S或者并联谐振器1P)的组合整体认为是串联谐振器或者并联谐振器。
(串联臂的路径的形状)
如根据沿着串联臂53附带的箭头y1所理解的那样，SAW滤波器51被构成为，串联臂53在压电基板5上在途中折返(呈概略U字状)。换言之，串联臂53具有：从压电基板5上的给定方向(D2轴方向)的一侧(-D2侧)向另一侧(+D2侧)延伸的第1分割臂59A、和从第1分割臂59A的所述另一侧(+D2侧)折返而向所述一侧(-D2侧)延伸的第2分割臂59B(以下，有时简称为“分割臂59”，不对二者进行区分。)。它们的结构具体地例如如以下那样。
压电基板5例如在俯视观察下概略地被构成为矩形，具有4边。设-D2侧的边为第1边61A；设+D1侧的边为第2边61B；设+D2侧的边为第3边61C；并设-D1侧的边为第4边61D。
输入端子3I以及输出端子3O例如位于比压电基板5的中央更靠相同的一边侧(第1边61A)的位置，此外，例如与第1边61A相邻。此外，例如输入端子3I以及输出端子3O位于比压电基板5的中央更靠这些端子所相邻的第1边61A的两侧的一对对边(第2边61B以及第4边61D)侧的位置，此外，例如与第2边61B以及第4边61D相邻。
此外，这里所说的相邻是指，例如其他端子3或者SAW谐振器1并不位于端子3与一边之间的状态，和/或端子3与一边的距离(最短距离)小于端子3的径(例如最大径)的状态。此外，例如沿着压电基板5的外缘延伸的环状的导体图案(屏蔽用和/或接合用)也可以位于一边和与该一边相邻的端子3之间。
第1分割臂59A概略地从输入端子3I向+D2侧(第1边61A的对边即第3边61C侧)延伸而到达折返部(第1分割臂59A和第2分割臂59B的连接部)。第2分割臂59B概略地从折返部向-D2侧(第1边61A侧)延伸而到达输出端子3O。折返部例如由将两个串联谐振器1S彼此连接的布线23构成，设置于比较靠近第3边61C的位置。例如，该布线23的一部分与第3边61C相邻。相邻与上述的端子3和一边的相邻是同样的。
第1分割臂59A例如在压电基板5上位于比给定位置更靠+D2侧的第1分割区域6A的位置。此外，第2分割臂59B例如在压电基板5上位于比所述给定位置更靠-D2侧的第2分割区域6B的位置。此外，在以下，关于第1分割区域6A以及第2分割区域6B，有时简称为“分割区域6”，并不对二者进行区分。上述的给定位置例如是压电基板5的主面的大致中央。该大致中央例如是从压电基板5的主面的中心(图心、图形的重心)起的D1轴方向的距离是压电基板5的D1轴方向的长度的10％以内的位置。
在图2的纸面右侧如附带符号那样，在串联谐振器1S的一对梳齿电极11中，将关于电信号的流动位于输入端子3I侧(输入侧、一侧)的梳齿电极11设为输入侧梳齿电极11I；将关于电信号的流动位于输出端子3O侧(输出侧、另一侧)的梳齿电极11设为输出侧梳齿电极11O。即，一对梳齿电极11中的、经由其他串联谐振器1S而与输入端子3I连接、或者不经由其而连接的是输入侧梳齿电极11I；一对梳齿电极11中的、经由其他串联谐振器1S而与输出端子3O连接、或者不经由其而连接而连接的是输出侧梳齿电极11O。此外，有时将从输入侧梳齿电极11I的汇流条13向输出侧梳齿电极11O的汇流条13的D2轴方向的朝向，称为从输入侧梳齿电极11I向输出侧梳齿电极11O的相对于压电基板5的朝向等。
第1分割臂59A具有一个以上(在图示的示例中，多个)的串联谐振器1S(1S1～1S3)。此外，第2分割臂59B具有一个以上(在图示的示例中，多个)的串联谐振器1S(1S4～1S6)。此外，在第1分割臂59A的串联谐振器1S，从输入侧梳齿电极11I向输出侧梳齿电极11O的相对于压电基板5的朝向成为+D2方向(从输入端子3I向折返位置的方向、从第1边61A向第3边61C的方向)。另一方面，在第2分割臂59B的串联谐振器1S，从输入侧梳齿电极11I向输出侧梳齿电极11O的相对于压电基板5的朝向成为-D2方向(从折返位置向输出端子3O的方向、从第3边61C向第1边61A的方向)。即，从输入侧梳齿电极11I向输出侧梳齿电极11O的相对于压电基板5的朝向在第1分割臂59A和第2分割臂59B中是相反的。
在各分割臂59，多个串联谐振器1S例如按照其连接顺序在D2轴方向上排列。例如，在各分割臂59，若着眼于不经由其他串联谐振器1S而相互连接的两个串联谐振器1S，则输出侧(输出端子3O侧)的串联谐振器1S相对于输入侧的串联谐振器1S，位于该分割臂59所延伸的方向(在另一观点下，从输入侧梳齿电极11I向输出侧梳齿电极11O的方向)。即，在第1分割臂59A中，输出侧的串联谐振器1S相对于输入侧的串联谐振器1S位于+D2侧的位置；在第2分割臂59B中，输出侧的串联谐振器1S相对于输入侧的串联谐振器1S位于-D2侧的位置。
换言之，在各分割臂59，对于输入侧的串联谐振器1S以及输出侧的串联谐振器1S，D2轴方向的配置范围并不重复，另一方面，D1轴方向的配置范围的至少一部分彼此重复。此外，例如在各分割臂59，对于全部的串联谐振器1S，D2轴方向的配置范围并不重复，另一方面，D1轴方向的配置范围的至少一部分彼此重复。
此外，第1分割臂59A包含至少一个串联谐振器1S，如果作为该第1分割臂59A整体的输出侧部分(这里，第3串联谐振器1S3的输出侧梳齿电极11O的汇流条13)相对于输入侧部分(这里，布线23的与输入端子3I的连接部分、或者第1分割谐振器1S1-1的输入侧梳齿电极11I的汇流条13)位于+D2侧，则可以称之为向+D2侧延伸。同样地，第2分割臂59B包含至少一个串联谐振器1S，如果作为该第2分割臂59B整体的输出侧部分(这里，布线23的与输出端子3O的连接部分、或者第6串联谐振器1S6的输出侧梳齿电极11O的汇流条13)相对于输入侧部分(这里，第4串联谐振器1S4的输入侧梳齿电极11I的汇流条13)位于-D2侧，则可以称之为向-D2侧延伸。
因此，例如各分割臂59也可以包含从输入侧梳齿电极11I向输出侧梳齿电极11O的相对于压电基板5的朝向与上述说明不同的串联谐振器1S。此外，例如在各分割臂59，对于两个串联谐振器1S，D2轴方向的配置范围的至少一部分彼此也可以重复。此外，例如串联臂53也可以在两个分割臂59的输入侧或者输出侧包含两个分割臂59中并不包含的串联谐振器1S。此外，例如输入端子3I以及输出端子3O在电极指15所延伸的方向(D2轴方向)上的位置也可以相互不同。
(与串联臂连接的结构要素在压电基板上的配置位置)
如上述那样，在串联臂53例如连接有多个并联臂55以及多个电容元件57。这些多个结构要素也伴随着串联臂53以折返的方式延伸，在压电基板5上分为第1分割臂59A侧(+D1侧)的第1分割区域6A和第2分割臂59B侧(-D1侧)的第2分割区域6B来配置。具体地，如以下那样。
(并联谐振器在压电基板上的配置位置)
多个并联谐振器1P例如在压电基板5上按照与输入端子3I在电学上从近到远的顺序，沿着从串联臂53的输入侧向输出侧的路径来配置。其结果，例如若以在电学上与输入端子3I接近的顺序考虑多个并联谐振器1P的排列，则多个并联谐振器1P概略地与串联臂53同样地以折返的方式排列。换言之，多个并联谐振器1P被分为沿着第1分割臂59A的排列(第1分割区域6A内的排列)、和沿着第2分割臂59B的排列(第2分割区域6B内的排列)。
此外，各并联谐振器1P中的、从与串联臂53连接的梳齿电极11向与GND端子3G连接的梳齿电极11的相对于压电基板5的朝向可以适当地设定。例如，上述朝向在各分割区域6中不必是统一的。
在各分割臂59，串联谐振器1S以及并联谐振器1P例如按照其连接顺序在D2轴方向上交替地排列。例如，在各分割臂59，在串联谐振器1S的输出侧连接的并联谐振器1P相对于该串联谐振器1S，位于该分割臂59所延伸的方向(在另一观点下，从该串联谐振器1S的输入侧梳齿电极11I向输出侧梳齿电极11O的方向)。此外，在各分割臂59，在串联谐振器1S的输入侧连接的并联谐振器1P相对于该串联谐振器1S，位于与该分割臂59所延伸的方向相反方向(在另一观点下，从该串联谐振器1S的输出侧梳齿电极11O向输入侧梳齿电极11I的方向)。
此外，对于在折返位置连接的并联谐振器1P(在图示的示例中，1P3)，上述两个情况中仅一者成立。在设置有不经由串联谐振器1S与输入端子3I或者输出端子3O连接的并联谐振器1P的情况下，例如，针对该并联谐振器1P，上述两个情况中仅一者成立。
关于上述的交替配置，换言之，在各分割臂59，串联谐振器1S和在其输入侧或者输出侧连接的并联谐振器1P在D2轴方向的配置范围并不重复，另一方面，在D1轴方向的配置范围的至少一部分彼此重复。而且，例如在各分割臂59，全部的串联谐振器1S和全部的并联谐振器1P在D2轴方向的配置范围并不重复，另一方面，在D1轴方向的配置范围的至少一部分彼此重复。
在各分割臂59，多个并联谐振器1P在压电基板5上的配置位置例如除了第3并联谐振器1P3之外，全部相对于相邻的串联谐振器1S，向与另一个分割臂59相反的一侧(在另一观点下，压电基板5的D1轴方向外侧)偏移。该偏移可以通过例如串联谐振器1S以及并联谐振器1P的在另一个分割臂59侧的端部位置(例如，如果是第1分割臂59A，则-D1侧的端部位置)彼此的比较、D1轴方向的中央位置彼此的比较、和/或与另一个分割臂59相反的一侧的端部位置来判定。此外，第3并联谐振器1P3也可以与其他并联谐振器1P同样地偏移，相反地，其他并联谐振器1P也可以不如上述那样地偏移。
将各分割臂59的串联谐振器1S彼此连接的布线23在压电基板5上例如经由并联谐振器1P的另一个分割臂59侧(在另一观点下，压电基板5的D1轴方向中央侧)。此外，将各分割臂59所涉及的并联谐振器1P和GND端子3G连接的布线23在压电基板5上例如概略地从并联谐振器1P向与另一个分割臂59相反的一侧(在另一观点下，压电基板5的D1轴方向的外侧)延伸。关于至少一个分割臂59的至少一部分串联谐振器1S(在图示的示例中，1S2以及1S5)，例如GND端子3G位于该串联谐振器1S的与另一个分割臂59相反的一侧，该串联谐振器1S的输入侧以及输出侧的来自两个并联谐振器1P的布线23一并连接到所述的GND端子3G。
(电容元件的配置位置)
与第1分割区域6A内的串联谐振器1S或者并联谐振器1P连接的电容元件57例如被配置于第1分割区域6A。同样地，与第2分割区域6B内的串联谐振器1S或者并联谐振器1P连接的电容元件57例如被配置于第2分割区域6B。
在各分割区域6，至少一部分电容元件57在压电基板5上的配置位置例如相对于该分割区域6内的分割臂59位于另一个分割臂59侧(在另一观点下，压电基板5的D1轴方向中央侧)。在图示的示例中，位于另一个分割臂59侧的电容元件57每一个均是相对于串联谐振器1S并联连接的电容元件57。此外，该电容元件57例如相对于任一个串联谐振器1S或者并联谐振器1P位于另一个分割臂59侧。此外，电容元件57还可以简单地相对于串联臂53内的布线23仅位于另一个分割臂59侧(串联谐振器1S和D1轴方向的配置范围的至少一部分彼此可以重复。)。
第1分割臂59A的电容元件57和第2分割臂59B的电容元件57例如在D1轴方向的配置范围并不相互重复。但是，两者在D1轴方向的配置范围的至少一部分可以相互重复。此外，两者在D2轴方向的配置范围可以并不相互重复、也可以一部分或者全部相互重复。
(屏蔽导体)
屏蔽导体63位于两个分割臂59之间，并与一个以上的GND端子3G的任一个(在图示的示例中，3G1)连接。通过设置这样的屏蔽导体63，例如能够降低两个分割臂59彼此相互电磁耦合的可能性。
如已知的那样，不仅是两个分割臂59，与串联臂53连接的各种结构要素(1P、57以及23)也被分为第1分割臂59A侧(+D1侧)的第1分割区域6A和第2分割臂59B侧(-D1侧)的第2分割区域6B来配置。此外，屏蔽导体63位于两区域之间，进而也位于上述的各种结构要素之间。此外，还可以认为，通过屏蔽导体63压电基板5的主面被分为两个分割区域6(屏蔽导体63是两个分割区域6的边界线。)。
屏蔽导体63例如具有位于第1分割臂59A所包含的串联谐振器1S(1S1～1S3)的至少一个与第2分割臂59B所包含的串联谐振器1S(1S4～1S6)的至少一个之间的部分。在图示的示例中，屏蔽导体63位于一个分割臂59的全部串联谐振器1S的每一个与另一个分割臂59的全部串联谐振器1S的每一个之间。
此外，屏蔽导体63对于第3串联谐振器1S3以及第4串联谐振器1S4，位于其一部分彼此之间。换言之，在压电基板5的上表面能够描绘不与屏蔽导体63交叉，并且与第3串联谐振器1S3以及第4串联谐振器1S4这二者交叉的直线。这样，在屏蔽导体63位于两个串联谐振器1S之间这样的情况下，屏蔽导体63不必设置位置以便将二者的整体遮断(无法描绘上述那样的直线)。
如已述的那样，与各分割臂59连接的一部分电容元件57在压电基板5上的配置位置相对于该分割臂59位于另一个分割臂59侧。屏蔽导体63例如包含相对于该一部分电容元件57位于另一个分割臂59侧的部分。即，一部分电容元件57位于分割臂59和屏蔽导体63之间。更详细地，例如一部分电容元件57相对于串联谐振器1S和/或并联谐振器1P位于屏蔽导体63侧。
屏蔽导体63例如由位于压电基板5的上表面的导体层构成。该导体层例如可以是与构成IDT电极7、反射器9、布线23和/或端子3的导体层同一的(同一的材料以及厚度)，也可以不同。在后者的情况下，例如屏蔽导体63可以形成得比构成IDT电极7以及反射器9的导体层厚。
屏蔽导体63的俯视观察下的形状以及尺寸可以适当地设定。在图示的示例中，屏蔽导体63概略地是以固定的宽度直线状地延伸的长条状。以固定的宽度直线状地延伸的部分例如占屏蔽导体63的面积的8成以上。该固定宽度的大小例如大于多个布线23的最小宽度。
但是，屏蔽导体63可以根据串联谐振器1S、并联谐振器1P、电容元件57和/或布线23等的配置，适当地弯曲或者宽度发生变化。例如，屏蔽导体63可以大部分(例如面积的8成以上)以固定的宽度直线状地延伸，并且，在一部分，在两个分割臂59的并排方向(D1轴方向)上分开的结构要素(在图示的示例中，1S、1P、57和/或23)间的距离变短的部分不断变细。此外，例如，屏蔽导体63还可以越是在两个分割臂59的并排方向上分开的结构要素间的距离长的位置则宽度越宽，最大限度地确保面积。
屏蔽导体63由于基准电位是被赋予的，因此例如还可以与滤波器主体52内的赋予基准电位的导体直接或者间接地连接。例如，屏蔽导体63可以与并联谐振器1P所连接的GND端子3G连接，还可以通过布线23将屏蔽导体63所连接的GND端子3G和并联谐振器1P所连接的GND端子3G连接，也可以与并联谐振器1P的与GND端子3G连接的梳齿电极11连接。此外，在对反射器9赋予基准电位的情况下，屏蔽导体63还可以与反射器9直接或者间接地连接。
但是，在图示的示例中，屏蔽导体63在压电基板5上与滤波器主体52电分离。屏蔽导体63不仅未与滤波器主体52形成短路(不经由电子元件的连接)，也未与滤波器主体52进行经由电子元件的连接。电子元件如已述的那样，例如是SAW谐振器1、电阻器、电容器和/或电感器。此外，例如，SAW滤波器51具有覆盖压电基板5的壳体，当在该壳体设置有导体的情况下，屏蔽导体63也与滤波器主体52电分离。
(串联谐振器以及并联谐振器的频率特性)
图3是表示串联谐振器1S以及并联谐振器1P的频率特性的图。
在该图中，横轴表示频率f(Hz)，纵轴表示阻抗的绝对值|Z|(Ω)或者衰减量A(dB)。线L1表示串联谐振器1S的阻抗。线L2表示并联谐振器1P的阻抗。线L3表示SAW滤波器51的衰减量。
在SAW谐振器1(串联谐振器1S、并联谐振器1P)所涉及的阻抗的频率特性中，表现了阻抗成为极小值的谐振点、和阻抗成为极大值的反谐振点。将表现谐振点以及反谐振点的频率设为谐振频率(fsr、fpr)以及反谐振频率(fsa、fpa)。在SAW谐振器1中，反谐振频率高于谐振频率。
串联谐振器1S以及并联谐振器1P设定谐振频率以及反谐振频率，以使串联谐振器1S(线L1)的谐振频率fsr和并联谐振器1P(线L2)的反谐振频率fpa大致一致。由此，SAW滤波器51(线L3)作为将比从并联谐振器1P的谐振频率fpr到串联谐振器1S的反谐振频率fsa的频率范围(衰减域AB)狭窄若干的范围设为通频带PB1的滤波器发挥功能。
因此，在另一观点下，在SAW滤波器51中，多个串联谐振器1S设为基本上谐振频率相互同等，并且反谐振频率相互同等。关于多个并联谐振器1P也是同样的。
但是，即使所谓同等，然而因公差等而引起的差可以存在。此外，例如还基于所要求的规格等，然而一般地，在多个谐振频率间(反谐振频率间)允许各谐振频率(反谐振频率)的不足0.3％的差。此外，进行了用于SAW滤波器51整体特性的提高的调整的结果，也可以存在比较大的差。
这里，在各串联谐振器1S中，将谐振频率与反谐振频率之差设为Δf。此时，即使设多个串联谐振器1S之间的谐振频率之差比较大，例如该差即使使用任意的串联谐振器1S的Δf也小于Δf/2。关于串联谐振器1S的反谐振频率、以及并联谐振器1P的谐振频率以及反谐振频率，也是同样的。关于并联谐振器1P，可以使用并联谐振器1P的Δf。
接下来，考虑具有由梯型弹性波滤波器构成的发送滤波器、和由梯型弹性波滤波器构成的接收滤波器的双工器。发送滤波器的通频带和接收滤波器的通频带当然不重叠。例如，将SAW滤波器51设定为发送滤波器。该情况下，接收滤波器的通频带成为与通频带PB1相比低频侧的通频带PB2或者与通频带PB1相比高频侧的PB3。
并且，虽然未特别地图示，然而接收滤波器的串联谐振器1S的谐振频率位于通频带PB2或者PB3的大致中央。此外，各通频带PB1～PB3通常具有至少Δf左右的带宽。此外，一般地，发送滤波器的通频带和接收滤波器的通频带概略地具有同等的带宽。因此，发送滤波器的串联谐振器1S的谐振频率与接收滤波器的串联谐振器1S的谐振频率之差不会小于任一个串联谐振器1S的Δf/2。串联谐振器1S的反谐振频率、以及并联谐振器1P的谐振频率以及反谐振频率也是同样的。
SAW滤波器51的U字状的串联臂53一眼看去可看出，例如在双工器，发送滤波器的串联臂和接收滤波器的串联臂连接，两者构成U字。然而，在双工器中，在U字的折返位置设置了兼用于输入以及输出的端子，因此，通过该端子的有无，来区分SAW滤波器51和双工器。
此外，如从上述的频率特性的说明还能够理解的那样，SAW滤波器51和双工器可以利用多个SAW谐振器1的谐振频率和/或反谐振频率的差是否小于Δf/2来区分。在另一观点下，例如在多个SAW谐振器1串联连接的器件(例如双工器)，可以通过其谐振频率之差是否小于Δf/2来确定一个滤波器的范围。
如以上，在本实施方式中，SAW滤波器51具有压电基板5、压电基板5上的滤波器主体52、和屏蔽导体63。滤波器主体52在将包含相互串联连接的多个串联谐振器1S的串联臂53和一个以上的并联谐振器1P连接成梯型的状态下具有该串联臂53和一个以上的并联谐振器1P。多个串联谐振器1S之间的谐振频率之差小于各串联谐振器1S的谐振频率与反谐振频率之差的一半(Δf/2)。串联臂53具有：从压电基板5上的给定方向(D2轴方向)的一侧(-D2侧)向另一侧(+D2侧)延伸的第1分割臂59A、和从第1分割臂59A的所述另一侧(+D2侧)折返而向所述一侧(-D2侧)延伸的第2分割臂59B。屏蔽导体63具有位于第1分割臂59A所包含的串联谐振器1S的至少一个与第2分割臂59B所包含的串联谐振器1S的至少一个之间的部分。
因此，例如能够通过屏蔽导体63来降低串联谐振器1S彼此的电磁耦合。其结果，例如能够使通频带的外侧的衰减特性提高。以往，在一个梯型滤波器(不是双工器)中，串联臂不折返地延伸。即，并未形成能够使串联臂的一部分(包含至少一个串联谐振器)彼此之间存在某些构件的结构。但是，在SAW滤波器51中，通过将串联臂53折返，能够在串联臂的一部分彼此之间配置屏蔽导体63，是突破性的。并且，在本申请发明者的仿真计算中，相比于串联臂不折返地延伸的情况，SAW滤波器51衰减特性提高。
此外，在本实施方式中，滤波器主体52还具有：与串联谐振器1S或者并联谐振器1P连接，并位于第1分割臂59A(或者第2分割臂59B)和屏蔽导体63之间的电容元件57。
因此，例如，能够增大两个分割臂59彼此的距离，进一步使衰减特性提高。这样的电容元件57例如是为了使SAW谐振器1的容量增加而使SAW滤波器51的特性提高而设置的。因此，不使作为滤波器主体52整体的面积扩大地，通过电容元件57和SAW谐振器1的布局的调整，能够使衰减特性提高。
此外，在本实施方式中，屏蔽导体63与滤波器主体52电分离。
因此，例如，相比于屏蔽导体63与并联谐振器1P直接或者间接地连接的情况，从并联谐振器1P放掉的无用成分在屏蔽导体63的电位产生变动的可能性被降低。其结果，对屏蔽导体63的电磁耦合进行抑制的效果提高。
(第1～第4变形例)
图4的(a)、图4的(b)、图5的(a)以及图5的(b)分别是表示在SAW滤波器51中使用的、变形例所涉及的SAW谐振器的俯视图。这些图对应于图1的+D1侧的一半。此外，-D1侧的一半例如是，针对图示的一半，对于与D2轴平行的对称轴而线对称，或者相对于与D3轴平行的对称轴而180°旋转对称。
对于这些变形例，一个梳齿电极11的电极指15的前端和另一个梳齿电极11的间隙Gp(Gpe以及Gpc)在D2轴方向上的大小的设定与实施方式不同。具体地，如以下那样。此外，以下，只要没有特别地说明，间隙Gp的大小意指D2轴方向上的大小。
(第1变形例)
在图4的(a)所示的第1变形例所涉及的SAW谐振器201中，多个电极指15包含：位于IDT电极7的端部侧(反射器9侧)的给定数量的端部侧电极指15E、和相对于端部侧电极指15E位于IDT电极7的中央侧的、比所述给定数量更多数量的中央侧电极指15C。此外，多个虚拟电极17包含：隔着间隙Gpe在D2轴方向上与端部侧电极指15E的前端对置的端部侧虚拟电极17E、和隔着间隙Gpc在D2轴方向上与中央侧电极指15C的前端对置的中央侧虚拟电极17C。并且，间隙Gpe大于间隙Gpc。
这里，一个梳齿电极11的电极指15的前端和另一个梳齿电极11(这里更详细地，虚拟电极17)在D2轴方向上的短路，容易在IDT电极7的反射器9侧的端部发生。作为其理由，例如列举了：在IDT电极7以及反射器9的蚀刻过程中，在两者之间产生电位的差异；位于IDT电极7的周围对曝光造成影响的布线23并不位于反射器9的周围。
因此，例如如上述那样，相对地增大间隙Gpe来降低短路的可能性，由此，作为IDT电极7整体能够降低在间隙Gp处的短路的可能性。在另一观点下，通过不增大全部的间隙Gp，而增大端部侧的一部分间隙Gpe，能够抑制IDT电极7的特性的低下，并且能够有效地降低短路的可能性。
端部侧电极指15E的条数例如在IDT电极7的一端侧是1以上且4以下(在图示的示例中，3。此外，在IDT电极7的两端，2以上且8以下)。此外，在另一观点下，端部侧电极指15E的条数例如在IDT电极7的一端侧是IDT电极7的全部电极指15的条数的10％以下、5％以下或者3％以下(在IDT电极7的两端，20％以下、10％以下或者6％以下)。
此外，在IDT电极7的两侧设置已述的窄间距部的情况下，端部侧电极指15E的至少一部分也可以构成窄间距部。此外，中央侧电极指15C例如可以是除了端部侧电极指15E之外的IDT电极7的全部电极指15。
如上述那样，通过使端部侧电极指15E的条数比较少，能够抑制因增大间隙Gpe而导致的IDT电极7的特性低下。
间隙Gpe的大小(D2轴方向)可以适当设定。例如，间隙Gpe的大小是间隙Gpc的大小的1.1倍以上且10倍以下或者5倍以下。此外，间隙Gpc的大小例如是，当设在IDT电极7传播的SAW的波长为λ时的λ/8以上且λ/2以下。
当存在多个间隙Gpe的情况下，多个间隙Gpe的大小可以相互同一(图示的示例)，也可以相互不同。在后者的情况下，例如可以使端部侧的间隙Gpe增大。关于多个间隙Gpc也同样地，全部间隙Gpc的大小不必是同一的。此外，在多个中央侧电极指15C的排列中，也可以混杂有其前端隔着比间隙Gpe大的间隙Gp在D2轴方向上与虚拟电极17(另一个梳齿电极11)对置的电极指15。
间隙Gpe在D1轴方向上的大小与间隙Gpc在D1轴方向上的大小可以是同等的。即，端部侧电极指15E(以及端部侧虚拟电极17E)的宽度与中央侧电极指15C(以及中央侧虚拟电极17C)的宽度可以是同等的。但是，在IDT电极7的端部，也可以使包含端部侧电极指15E的至少一部分的电极指15的宽度小于、或者大于中央侧的电极指15的宽度。
在SAW谐振器201，在纸面右侧如附带虚线地示出的那样，端部侧虚拟电极17E比中央侧虚拟电极17C短，由此，使间隙Gpe大于间隙Gpc。在另一观点下，端部侧电极指15E的长度与中央侧电极指15C的长度是同等的。
这样，在通过相对地缩短端部侧虚拟电极17E来相对地增大间隙Gpe的情况下，例如，电极指15的交叉宽度w(相互相邻的电极指15彼此在D2轴方向上的重复长度)在不增大间隙Gpe的情况下和增大了的情况下，基本上不变。其结果，例如降低了短路不良的可能性，并且维持SAW谐振器201的特性的效果提高。
图示的示例是如下方式：一对梳齿电极11的汇流条13的相互对置的缘部相互平行，中央侧电极指15C以及端部侧电极指15E的长度相互同等(在另一观点下，交叉宽度w跨越中央侧电极指15C以及端部侧电极指15E而固定的方式)。但是，相对地缩短上述端部侧虚拟电极17E(在另一观点下，使其短于原来的设计值)来使间隙Gpe大于间隙Gpc的设计方法还能够应用于实施了交叉宽度w变化的变迹的IDT电极7。
此外，例如在实施了变迹的IDT电极7，有时将一个梳齿电极11的多个电极指15的前端连结的线从反射器9侧的端部起跨越该一个梳齿电极11的电极指15的给定数量(例如10条)以上，是直线状。该情况下，例如可以说，将另一个梳齿电极11的虚拟电极17的前端连结的线的与上述直线状部分对置的部分与上述直线状部分基本上是平行的，并且，如果在反射器9侧的一部分(例如该另一个梳齿电极11的虚拟电极17的1条或者2条)，通过位于该另一个梳齿电极11的汇流条13侧而破坏了直线性，则端部侧虚拟电极17E变短。
此外，例如，在实施了变迹的IDT电极7，有时将一个梳齿电极11的多个电极指15的前端连结的线如正弦波或者三角波那样具有规则性。该情况下，例如可以说，将另一个梳齿电极11的虚拟电极17的前端连结的线基本上具有上述规则性以使间隙Gp的大小成为固定，并且如果在反射器9侧的一部分(例如该另一个梳齿电极11的虚拟电极17的1条或者2条)，通过位于该另一个梳齿电极11的汇流条13侧而破坏了上述规则性，则端部侧虚拟电极17E变短。
SAW谐振器201可以与SAW滤波器51的全部SAW谐振器1(1S以及1P)置换，也可以与一部分SAW谐振器1置换。此外，在与一部分SAW谐振器1置换的情况下，该一部分可以是任意位置的串联谐振器1S和/或并联谐振器1P。
例如，有时在SAW滤波器51内的多个SAW谐振器的至少一部分彼此占空比(w/p)是相互不同的。该情况下，SAW滤波器51内的多个SAW谐振器的一部分即一个以上的SAW谐振器201可以是与SAW滤波器51内的其他一部分或者全部的谐振器相比占空比大的谐振器。在该情况下，当设置有两个以上的SAW谐振器201时，两者的占空比可以相同，也可以不同。
此外，例如，在SAW滤波器51内的多个SAW谐振器的至少一部分彼此占空比相互不同的情况下，仅占空比最大的谐振器可以是SAW谐振器201。但是，占空比最大的谐振器只要不是多个SAW谐振器的全部，则可以是一个，也可以是两个，例如是一个。
这里，占空比相对较大的SAW谐振器由于电极指15的面积相对于电极指15的周围的缝隙的面积大，因此容易发生短路。因此，如上述那样，并不针对全部的SAW谐振器使用变形例所涉及的SAW谐振器201，而仅针对占空比相对较大的一部分SAW谐振器使用变形例所涉及的SAW谐振器201，由此，能够维持SAW谐振器的特性，并降低短路的可能性。
除了以上叙述的事项之外，SAW谐振器201可以与SAW谐振器1是同样的。但是，例如，为了对因增大间隙Gpe导致产生的特性变化进行补偿，将电极指15的条数以及长度等各种参数进行微调整，基于此的差异也可以存在于SAW谐振器1与SAW谐振器201之间。
此外，电极指15与虚拟电极17之间的间隙Gp是一个梳齿电极11的电极指15的前端和另一个梳齿电极11在D2轴方向上的间隙的一例。
(第2变形例)
在第1变形例的SAW谐振器201中，通过使与端部侧电极指15E的前端对置的端部侧虚拟电极17E的长度相对缩短，使间隙Gpe大于间隙Gpc。与此相对地，在图4的(b)所示的第2变形例的SAW谐振器301中，并未设置与端部侧电极指15E的前端对置的虚拟电极17，由此，使间隙Gpe大于间隙Gpc。除此以外的事项可以与第1变形例相同。
在该第2变形例中，也与第1变形例同样地，电极指15的交叉宽度w在不增大间隙Gpe的情况下和增大了的情况下，基本上不变。其结果，例如降低了短路不良的可能性，并且维持SAW谐振器301的特性的效果提高。
此外，如根据端部侧电极指15E的前端和汇流条13隔着间隙Gpe而对置的情况所理解的那样，一个梳齿电极11的电极指15的前端和另一个梳齿电极11在D2轴方向上的间隙Gp并不受限于电极指15的前端和虚拟电极17的前端的间隙Gp。
(第3变形例)
在第1变形例的SAW谐振器201中，通过使与端部侧电极指15E的前端对置的端部侧虚拟电极17E的长度相对地缩短，使间隙Gpe大于间隙Gpc。与此相对地，在图5的(a)所示的第3变形例的SAW谐振器401中，通过使端部侧电极指15E的长度短于中央侧电极指15C的长度，使间隙Gpe大于间隙Gpc。在另一观点下，端部侧虚拟电极17E的长度和中央侧虚拟电极17C的长度是同等的。除此以外的事项可以与第1变形例相同。
在第3变形例中，也与第1以及第2变形例同样地，通过使位于IDT电极7的端部的间隙Gpe相对较大，能够抑制IDT电极7的特性的低下并且降低短路的可能性。
(第4变形例)
图5的(b)所示的第4变形例与第3变形例同样地，通过使端部侧电极指15E的长度短于中央侧电极指15C的长度，使间隙Gpe大于间隙Gpc。但是，在第4变形例中，与第3变形例不同地，并未设置多个虚拟电极17。除此以外的事项可以与第1～第3变形例相同。
在第4变形例中，也与第1～第3变形例同样地，通过使位于IDT电极7的端部的间隙Gpe相对较大，能够抑制IDT电极7的特性的低下并且降低短路的可能性。
此外，可以将第1变形例与第2变形例组合，也可以将第1变形例和/或第2变形例与第3变形例组合。此外，第1～第4变形例不仅应用于串联谐振器1S或者并联谐振器1P中包含的IDT电极7，还应用于其他的IDT电极7。例如还可以应用于后述的第5变形例的附加IDT电极。
上述那样的第1～第4变形例还可以应用于梯型滤波器中施加强电力的谐振器。即，还可以应用于作为分割谐振器的谐振器(在图2所示的示例中，第1串联谐振器1S1)、施加强电力但要求省空间化的谐振器等。
(第5变形例)
图6是表示第5变形例所涉及的SAW滤波器651的一部分的俯视图。
该图例如可以认为是，提取了图2的SAW滤波器51中的第1串联谐振器1S1、第1并联谐振器1P1以及第2串联谐振器1S2的部分的图。但是，多个SAW谐振器1在压电基板5上的相对位置等被简略化。
在本变形例的说明中，为了方便，有时将并联谐振器1P的IDT电极7称为并联IDT电极7P，将并联谐振器1P的反射器9称为并联反射器9P。
在图6所示的示例中，设置有图2中未设置的、在第1串联谐振器1S1的输入侧连接的第7并联谐振器1P7。但是，在第1串联谐振器1S1的输入侧可以连接并联谐振器1P这一情况是如在实施方式的说明中叙述的那样的，设置第7并联谐振器1P7这一情况本身并不是本变形例相对于实施方式的差异点。第7并联谐振器1P7更具体地连接在比两个分割谐振器中的前级(输入侧)的第1分割谐振器1S1-1更靠输入侧的位置。
在SAW滤波器651中，设置有与串联谐振器1S并联连接的第1附加IDT电极8A以及第2附加IDT电极8B(以下，有时不对二者进行区分，简称为“附加IDT电极8”。)，这一点与实施方式不同。附加IDT电极8为了方便附带了与IDT电极7不同的符号，然而与图1所示的IDT电极7是同样的。
在第1串联谐振器1S1中，第1附加IDT电极8A与两个分割谐振器中的后级的第2分割谐振器1S1-2并联连接。此外，第1附加IDT电极8A位于第7并联谐振器1P7的一对并联反射器9P间之间，与第7并联谐振器1P7的并联IDT电极7P在SAW的传播方向(D1轴方向)上相邻。通过第1附加IDT电极8A以及并联IDT电极7P在SAW的传播方向上相邻，能够进行所谓的纵耦合。
将第1附加IDT电极8A的谐振频率设为例如与第1附加IDT电极8A的并联IDT电极7P同等。此外，即使同等，也可以存在因公差等引起的差，此外，可以存在不足0.3％的差，这正如已叙述的那样。或者，例如，在图3中，如通过线L5所示的那样，第1附加IDT电极8A的谐振频率fdr比通过滤波器主体52(串联臂53以及一个以上的并联谐振器1P)而实现的通频带PB1低该通频带PB1的宽度以上的差。或者，例如，在SAW滤波器51是具有比接收滤波器的通频带PB2高的通频带PB1的发送滤波器的情况下，第1附加IDT电极8A的谐振频率fdr低于通频带PB1。此外，第1附加IDT电极8A的反谐振频率例如与并联谐振器1P的反谐振频率是同等的。但是二者也可以不同。
若设置这样的第1附加IDT电极8A，则例如在串联臂53中流动的电信号中相对于通频带PB1而言的低频侧的无用成分向第1附加IDT电极8A流动。该无用成分通过第1附加IDT电极8A和并联IDT电极7P的纵耦合而向并联IDT电极7P流动，进而向GND端子3G流动。由此，SAW滤波器651的低频侧的衰减特性提高。在SAW滤波器651是具有比接收滤波器的通频带PB2高的通频带PB1的发送滤波器的情况下，通频带PB2附近的衰减特性提高。其结果，例如双工器的特性提高。
在另一观点下，不仅是第1分割谐振器1S1-1的输入侧，在第2分割谐振器1S1-2的输入侧也形成无用成分放掉的路径。另一方面，由于由并联IDT电极7P和第1附加IDT电极8A来共用一对并联反射器9P，因此实现了小型化。
此外，例如，第1附加IDT电极8A与并联IDT电极7P不同，与串联谐振器1S并联连接，因此，例如发挥与和串联谐振器1S并联连接的电容元件57相同的作用。具体地，例如，有助于减小串联谐振器1S的Δf，进而有助于使通频带的高频侧的衰减特性急剧等。
第2附加IDT电极8B与第1附加IDT电极8A不同，与未被分割的第2串联谐振器1S2并联连接。此外，第2附加IDT电极8B与第1附加IDT电极8A同样地，被组入并联谐振器1P内。然而，与第1附加IDT电极8A不同地，第2附加IDT电极8B、以及组入了该第2附加IDT电极8B的第2并联谐振器1P2相对于串联臂53连接在同一位置(第2并联谐振器1P2的输入侧)。除此以外的事项，第2附加IDT电极8B与第1附加IDT电极8A是相同的。此外，在图示的示例中，第2附加IDT电极8B以及第2并联谐振器1P2的并联IDT电极7P以汇流条13好像是1条汇流条13的方式被连结，然而也可以不进行这样的连结。
第2附加IDT电极8B也实现与第1附加IDT电极8A同样的效果。但是，仅第1附加IDT电极8A独立于并联谐振器1P地，实现构成将无用成分向GND端子3G放掉的新路径的效果。
附加IDT电极8可以针对SAW滤波器51内的多个串联谐振器1S的全部进行设置，也可以针对一部分进行设置，在后者的情况下，可以对任意的串联谐振器1S进行设置。此外，在串联谐振器1S被分割的情况下，还可以代替与后级的分割谐振器(在图示的示例中，1S1-2)并联连接的附加IDT电极8(8A)，设置与前级的分割谐振器(在图示的示例中，1S1-1)并联连接的附加IDT电极8。
在图示的示例中，将组入附加IDT电极8的并联谐振器1P设为了在附加IDT电极8所并联连接的串联谐振器1S的输入侧连接的并联谐振器1P。但是，组入附加IDT电极8的并联谐振器1P也可以在附加IDT电极8所并联连接的串联谐振器1S的输出侧连接，也可以在SAW滤波器651内的其他串联谐振器1S的输入侧或者输出侧连接。
在图示的示例中，在一对反射器9间配置了一个并联IDT电极7P和一个附加IDT电极。但是，尽管未特别图示，然而还可以例如相互并联连接的两个并联IDT电极7P在一对并联反射器9P之间在D1轴方向上排列(在另一观点下，一个并联IDT电极7P在D1轴方向上被分割为两个)，并在其之间配置一个附加IDT电极8。此外，例如还可以，相互并联连接的两个附加IDT电极8在一对并联反射器9P之间在D1轴方向上排列(在另一观点下，附加IDT电极8在D1轴方向上被分割为两个)，并在其之间配置一个并联IDT电极7P。无论是哪一种均可以说，一对并联反射器9P相对于并联IDT电极7P位于给定的排列方向(D1轴方向)的两侧，在一对并联反射器9P间并联IDT电极7P和所述排列方向相邻。此外，尽管未特别图示，然而还可以在串联臂53与附加IDT电极8之间设置与附加IDT电极8串联连接的SAW谐振器。
图7示出了针对SAW滤波器651的特性进行仿真计算而得的结果。在该图中，横轴表示频率，纵轴表示通过特性。
在该仿真计算中，设想了具有发送滤波器以及接收滤波器的双工器，并且设想了将第5变形例的结构应用于发送滤波器的情况。此外，与实施方式不同，设想了串联臂不折返的结构。设想的串联谐振器1S以及并联谐振器1P的数量也与图示的示例不同。此外，设想了第1附加IDT电极8A以及第2附加IDT电极8B每一个均配置了的方式。
在该图中，线L11表示发送滤波器的通过特性。线L12表示接收滤波器的通过特性。如从该图读取的那样，通过设置附加IDT电极8，在接收滤波器的通频带，发送滤波器的衰减特性不断提高。
(弹性波装置的利用例：分波器)
图8是示意性表示作为SAW滤波器51的利用例的分波器101(例如双工器)的结构的电路图。如从在该图的纸面左上表示的符号所理解的那样，在该图中，梳齿电极11通过二叉的叉形状来示意性表示，反射器9利用两端弯曲的1条线来表示。此外，在该图中，与图2相比，串联谐振器1S以及并联谐振器1P的数量减少，并且省略了SAW谐振器1在压电基板5上的具体配置(例如串联臂的U字状的形状)。
分波器101例如具有：对来自发送端子105的发送信号进行滤波而向天线端子103输出的发送滤波器109、和对来自天线端子103的接收信号进行滤波而向一对接收端子107输出的接收滤波器111。
发送滤波器109例如由实施方式的SAW滤波器51(或者651)构成。发送端子105是输入端子3I或者与该输入端子3I连接的端子。天线端子103是输出端子3O或者与该输出端子3O连接的端子。
接收滤波器111例如包含SAW谐振器1和多重模式型滤波器(设包含双模式型滤波器。)113而构成。多重模式型滤波器113具有：在弹性波的传播方向上排列的多个(在图示的示例中，3个)的IDT电极7、和在其两侧配置的一对反射器9。此外，构成接收滤波器111的SAW谐振器1以及多重模式型滤波器113例如设置于同一压电基板5。
此外，发送滤波器109以及接收滤波器111可以设置于同一压电基板5，也可以设置于相互不同的压电基板5。图8是最终分波器101的结构的一例，例如，接收滤波器111也可以与发送滤波器109同样地由梯型滤波器构成。分波器101并不受限于双工器，例如还可以是双信器(diplexer)、还可以是包含3个以上的滤波器的多路复用器。
(弹性波装置的利用例：通信装置)
图9是表示作为SAW滤波器51(在另一观点下，分波器101)的利用例的通信装置151的主要部分的框图。通信装置151进行利用了电波的无线通信，并包含分波器101。
在通信装置151中，包含应当发送的信息的发送信息信号TIS通过RF-IC(RadioFrequency Integrated Circuit，射频集成电路)153进行调制以及频率的提高(向具有载波频率的高频信号的变换)，来作为发送信号TS。发送信号TS通过带通滤波器155除去发送用的通频带以外的无用成分，并由放大器157放大，输入到分波器101(发送端子105)。然后，分波器101(发送滤波器109)从输入的发送信号TS除去发送用的通频带以外的无用成分，并将该除去后的发送信号TS从天线端子103输出给天线159。天线159将输入的电信号(发送信号TS)变换成无线信号(电波)来发送。
此外，在通信装置151，由天线159接收到的无线信号(电波)通过天线159变换成电信号(接收信号RS)，并输入给分波器101(天线端子103)。分波器101(接收滤波器111)从输入的接收信号RS除去接收用的通频带以外的无用成分，并从接收端子107输出给放大器161。输出的接收信号RS被放大器161放大，并通过带通滤波器163除去接收用的通频带以外的无用成分。然后，接收信号RS通过RF-IC153进行频率的下降以及解调，来作为接收信息信号RIS。
此外，发送信息信号TIS以及接收信息信号RIS可以是包含适当的信息的低频信号(基带信号)，例如是模拟声音信号或者数字化的声音信号。无线信号的通频带可以适当设定，也可以按照公知的各种规格。调制方式也可以是相位调制、振幅调制、频率调制、或者这些中的任意二者以上的组合的任一种。对于电路方式，例示了直接转换方式，然而还可以是除此以外的适当方式，例如还可以是双超外插方式(Double super heterodyne method)。此外，图9仅示意性的表示了主要部分，还可以在适当的位置追加低通滤波器、隔离器等，此外，放大器等的位置也可以变更。
此外，在以上的实施方式以及变形例中，SAW滤波器51以及651分别是弹性波滤波器的一例。第1～第4变形例所涉及的SAW谐振器201、301、401以及501分别是第1谐振器的一例。第5变形例所涉及的第7并联谐振器1P7以及第1并联谐振器1P1分别是组入附加IDT电极的并联谐振器的一例。第1GND端子3G1是基准电位部的一例。
本公开所涉及的技术并不限于以上实施方式以及变形例，可以在各种方式下实施。
例如，构成滤波器的谐振器并不限于将IDT电极设为激振电极，还可以是压电薄膜谐振器。弹性波并不限于SAW，例如还可以是体波或者弹性边界波(但是可以认为是SAW的一种)。
串联臂折返的结构如在实施方式中言及的那样，最低限能够通过两个串联谐振器和一个并联谐振器来实现。此外，串联臂也可以具有两个以上的折返部分。屏蔽导体并不限于压电基板上的图案。例如在压电基板覆盖的壳体有时在第1分割区域6A和第2分割区域6B之间具有在压电基板上竖立的分隔壁，也可以在该分隔壁形成屏蔽导体。
位于串联臂和屏蔽导体之间的电容元件并不限于与串联谐振器并联连接。例如，该电容元件可以与并联谐振器并联连接，也可以与并联谐振器串联连接，也可以用于使滤波器主体内的适当部位电磁耦合。此外，在串联臂和屏蔽导体之间还可以配置电容元件以外的元件(例如电感器)。
根据第1～第4变形例，能够提取以下弹性波元件所涉及的概念。
(概念1)
一种弹性波元件，具有：
压电基板；
IDT电极，其在所述压电基板上具有一对梳齿电极；以及
反射器，其在所述压电基板上在给定的第1方向上与所述IDT电极相邻，
所述一对梳齿电极各自具有：
汇流条；以及
多个电极指，其从所述汇流条起向与所述第1方向交叉的第2方向相互并排地延伸，
所述一对梳齿电极以相互啮合的状态配置，各梳齿电极的所述电极指的前端在所述第2方向上隔着间隙与另一个梳齿电极对置，
所述多个电极指在所述一对梳齿电极的整体中包含：
从所述反射器侧的端部开始计数给定数量的端部侧电极指；以及
数量比所述给定数量多的中央侧电极指，其相对于所述给定数量的端部侧电极指位于所述IDT电极的中央侧，
所述端部侧电极指的所述间隙在所述第2方向上大于所述中央侧电极指的所述间隙。
上述概念1的弹性波元件并不限于梯型滤波器中包含的弹性波谐振器。例如，相互相邻的IDT电极以及反射器可以是多重模式型滤波器中的一对反射器的一个、以及与该一个反射器相邻的IDT电极。此外，在概念1的弹性波元件是梯型滤波器中包含的弹性波谐振器的情况下，对于该梯型滤波器，串联臂不必进行折返，串联谐振器的数量可以是一个。
此外，根据第5变形例，能够提取以下弹性波滤波器所涉及的概念。
(概念2)
一种弹性波滤波器，具有：
压电基板；
一个以上的串联谐振器以及一个以上的并联谐振器，其在所述压电基板上连接成梯型；以及
所述压电基板上的附加IDT电极，其相对于所述一个以上的串联谐振器的任意一个并联连接，
所述一个以上的并联谐振器的任意一个具有：
并联IDT电极；以及
一对并联反射器，其相对于所述并联IDT电极位于给定方向的两侧，
所述附加IDT电极在所述一对并联反射器之间在所述给定方向上与所述并联IDT电极相邻，并且其谐振频率比通过所述一个以上的串联谐振器以及所述一个以上的并联谐振器而实现的通频带低该通频带的宽度以上的差。
(概念3)
一种弹性波滤波器，具有：
压电基板；
一个以上的串联谐振器以及一个以上的并联谐振，其在所述压电基板上连接成梯型；以及
所述压电基板上的附加IDT电极，其相对于所述一个以上的串联谐振器中包含的第1串联谐振器并联连接，
所述第1串联谐振器具有相互串联连接的第1分割谐振器以及第2分割谐振器，
所述一个以上的并联谐振器中包含的、在所述第1分割谐振器的与所述第2分割谐振器相反的一侧连接的并联谐振器具有：
并联IDT电极；以及
一对并联反射器，其相对于所述并联IDT电极位于给定方向的两侧，
所述附加IDT电极仅与所述第1分割谐振器以及所述第2分割谐振器中的所述第2分割谐振器并联连接，并且在所述一对并联反射器间在所述给定方向上与所述并联IDT电极相邻。
对于上述概念2以及3的弹性波滤波器，串联臂不必进行折返，串联谐振器的数量也可以是一个。
-符号说明-
1S…串联谐振器、1P…并联谐振器、5…压电基板、51…SAW滤波器(弹性波滤波器)、52…滤波器主体、53…串联臂、63…屏蔽导体、59A...第1分割臂、59B…第2分割臂。

Claims (12)

1.一种弹性波滤波器，具有：
压电基板；
所述压电基板上的滤波器主体，其在将包含相互串联连接的多个串联谐振器的串联臂和一个以上的并联谐振器连接成梯型的状态下，具有所述串联臂和所述一个以上的并联谐振器；以及
屏蔽导体，其与基准电位部连接，
所述多个串联谐振器之间的谐振频率之差小于各串联谐振器的谐振频率和反谐振频率之差的一半，
所述串联臂具有：
第1分割臂，其相对于所述压电基板从给定方向的一侧向另一侧延伸，并包含至少一个所述串联谐振器；以及
第2分割臂，其从所述第1分割臂的所述另一侧的部分折返而向所述一侧延伸，并包含至少一个所述串联谐振器，
所述屏蔽导体具有：位于所述第1分割臂所包含的所述串联谐振器的至少一个、与所述第2分割臂所包含的所述串联谐振器的至少一个之间的部分。
2.根据权利要求1所述的弹性波滤波器，其中，
所述滤波器主体还具有：电容元件，其与所述串联谐振器或者所述并联谐振器连接，并位于所述第1分割臂与所述屏蔽导体之间。
3.根据权利要求1所述的弹性波滤波器，其中，
所述屏蔽导体与所述滤波器主体电分离。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的弹性波滤波器，其中，
所述多个串联谐振器以及所述一个以上的并联谐振器中包含的第1谐振器具有：
IDT电极，其在所述压电基板上具有一对梳齿电极；以及
反射器，其在所述压电基板上在给定的第1方向上与所述IDT电极相邻，
所述一对梳齿电极各自具有：
汇流条；以及
多个电极指，其从所述汇流条起向与所述第1方向交叉的第2方向相互并排地延伸，
所述一对梳齿电极以相互啮合的状态配置，各梳齿电极的所述多个电极指的前端在所述第2方向上隔着间隙与另一个梳齿电极对置，
所述多个电极指在所述一对梳齿电极的整体中包含：
从所述反射器侧的端部开始计数给定数量的端部侧电极指；以及
数量比所述给定数量多的中央侧电极指，其相对于所述给定数量的端部侧电极指，位于所述IDT电极的中央侧，
所述端部侧电极指的所述间隙在所述第2方向上大于所述中央侧电极指的所述间隙。
5.根据权利要求4所述的弹性波滤波器，其中，
所述给定数量是1条以上且4条以下。
6.根据权利要求4所述的弹性波滤波器，其中，
所述一对梳齿电极各自具有：多个虚拟电极，其从所述多个电极指之间 起向所述多个电极指所延伸的方向突出，隔着所述间隙与另一个梳齿电极的所述多个电极指的前端对置，
一对所述汇流条的相互对置的缘部相互平行，
所述端部侧电极指以及所述中央侧电极指的长度同等，
与所述端部侧电极指的前端对置的所述虚拟电极比与所述中央侧电极指的前端对置的所述虚拟电极短，或者未被设置。
7.根据权利要求4所述的弹性波滤波器，其中，
所述多个串联谐振器以及所述一个以上的并联谐振器中的仅一部分的一个以上的谐振器是所述第1谐振器，
所述一个以上的第1谐振器的电极指的宽度相对于相邻的电极指的间距之比，比所述多个串联谐振器以及所述一个以上的并联谐振器中的其他谐振器的电极指的宽度相对于相邻的电极指的间距之比大。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的弹性波滤波器，其中，
所述弹性波滤波器还具有：所述压电基板上的附加IDT电极，其相对于所述多个串联谐振器的任意一个并联连接，
所述一个以上的并联谐振器的任意一个具有：
并联IDT电极；以及
一对并联反射器，其相对于所述并联IDT电极位于给定的排列方向的两侧，
所述附加IDT电极在所述一对并联反射器之间在所述给定方向上与所述并联IDT电极相邻，并且其谐振频率比通过所述多个串联谐振器以及所述一个以上的并联谐振器而实现的通频带低该通频带的宽度以上的差。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的弹性波滤波器，其中，
所述弹性波滤波器还具有：所述压电基板上的附加IDT电极，其相对于所述多个串联谐振器中包含的第1串联谐振器并联连接，
所述第1串联谐振器具有相互串联连接的第1分割谐振器以及第2分割谐振器，
所述一个以上的并联谐振器中包含的、在所述第1分割谐振器的与所述第2分割谐振器相反的一侧连接的并联谐振器具有：
并联IDT电极；以及
一对并联反射器，其相对于所述并联IDT电极位于给定的排列方向的两侧，
所述附加IDT电极仅与所述第1分割谐振器以及所述第2分割谐振器中的所述第2分割谐振器并联连接，并且在所述一对并联反射器间在所述给定方向上与所述并联IDT电极相邻。
10.一种分波器，具有：
天线端子；
发送滤波器，其与所述天线端子连接；以及
接收滤波器，其与所述天线端子连接，
所述发送滤波器以及所述接收滤波器中的至少一方由权利要求1至9中任一项所述的弹性波滤波器构成。
11.根据权利要求10所述的分波器，其中，
所述发送滤波器的通频带高于所述接收滤波器的通频带，
所述发送滤波器由权利要求8或9的弹性波滤波器构成，
所述附加IDT电极的谐振频率低于所述接收滤波器的通频带。
12.一种通信装置，具有：
权利要求1至9中任一项所述的弹性波滤波器；
天线，其与所述串联臂的一端连接；以及
IC，其与所述串联臂的另一端连接。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020179905A1 (ja) * 2019-03-06 2020-09-10 株式会社村田製作所 フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
RU205909U1 (ru) * 2021-03-18 2021-08-12 Общество с ограниченной ответственностью "БУТИС" Дуплексерный фильтр на поверхностных акустических волнах

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000174586A (ja) * 1991-10-28 2000-06-23 Fujitsu Ltd 弾性表面波フィルタ
CN103959647A (zh) * 2011-11-30 2014-07-30 松下电器产业株式会社 梯型弹性波滤波器和利用该梯型弹性波滤波器的天线共用器
JP2015070489A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 日本電波工業株式会社 デュプレクサ及び電子部品
CN107005217A (zh) * 2014-12-04 2017-08-01 株式会社村田制作所 梯型滤波器、弹性波滤波器模块以及双工器
CN107210730A (zh) * 2015-01-27 2017-09-26 京瓷株式会社 滤波器、分波器以及通信装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2800905B2 (ja) 1991-10-28 1998-09-21 富士通株式会社 弾性表面波フィルタ
JPH07154201A (ja) 1993-11-30 1995-06-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP2003298391A (ja) * 2002-03-29 2003-10-17 Murata Mfg Co Ltd ラダー型フィルタ装置
JP2004096250A (ja) * 2002-08-29 2004-03-25 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ、通信装置
JP3929415B2 (ja) * 2003-04-23 2007-06-13 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波デバイス
EP1732216B1 (en) * 2004-04-01 2014-01-08 Seiko Epson Corporation Surface acoustic device
US8004370B2 (en) * 2006-03-31 2011-08-23 Kyocera Corporation Surface acoustic wave element, surface acoustic wave apparatus, and communication apparatus
JP5073355B2 (ja) * 2007-04-20 2012-11-14 太陽誘電株式会社 アンテナ分波器
JP5240793B2 (ja) * 2009-03-09 2013-07-17 日本電波工業株式会社 デュプレクサ
JP5325729B2 (ja) * 2009-09-28 2013-10-23 太陽誘電株式会社 弾性波フィルタ
JP2011182220A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Panasonic Corp 弾性波共振器及びこれを用いた縦結合二重モードフィルタ、ラダー型フィルタ
WO2018079522A1 (ja) * 2016-10-28 2018-05-03 京セラ株式会社 弾性波フィルタ、弾性波デバイス、分波器および通信装置
CN110178308B (zh) * 2017-01-30 2024-04-26 京瓷株式会社 弹性波滤波器、分波器以及通信装置
US20200259481A1 (en) * 2017-08-29 2020-08-13 Kyocera Corporation Filter device and communication apparatus
JP7132944B2 (ja) * 2017-12-01 2022-09-07 京セラ株式会社 弾性波フィルタ、分波器および通信装置
JP6913619B2 (ja) * 2017-12-12 2021-08-04 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000174586A (ja) * 1991-10-28 2000-06-23 Fujitsu Ltd 弾性表面波フィルタ
CN103959647A (zh) * 2011-11-30 2014-07-30 松下电器产业株式会社 梯型弹性波滤波器和利用该梯型弹性波滤波器的天线共用器
JP2015070489A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 日本電波工業株式会社 デュプレクサ及び電子部品
CN107005217A (zh) * 2014-12-04 2017-08-01 株式会社村田制作所 梯型滤波器、弹性波滤波器模块以及双工器
CN107210730A (zh) * 2015-01-27 2017-09-26 京瓷株式会社 滤波器、分波器以及通信装置

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