TW201739033A - 電子零件 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種能夠謀求小型化、並且能夠調整衰減極之頻率或衰減量之電子零件。本發明之特徵在於具備：積層體，其具有於積層方向積層有複數個絕緣體層之構造；側面電極，其設置於積層體中複數個絕緣體層之外緣相連而形成之側面，且與接地電位連接；至少1個以上之內部導體層，其設置於絕緣體層上；屏蔽導體層，其設置於與設置有內部導體層之絕緣體層不同之絕緣體層上，且自積層方向觀察時與內部導體層重疊；第1引出導體層，其設置於與設置有屏蔽導體層之絕緣體層不同之絕緣體層上，且與側面電極連接；及第1層間連接導體，其係藉由於積層方向貫通複數個絕緣體層中之1個以上之絕緣體層而將屏蔽導體層與第1引出導體層連接。

Description

電子零件

本發明係關於一種積層型電子零件。

作為以往之關於電子零件之發明，例如已知有專利文獻1中記載之積層型LC複合零件。該積層型LC複合零件具備積層體、複數個LC共振器及接地圖案。積層體係將複數個絕緣體層堆積而構成。複數個LC共振器係由複數個導體層及通孔導體所構成。又，接地圖案設置於被設置在最上側之絕緣體層上，並將該絕緣體層之上表面之大致整個面覆蓋。於接地圖案連接接地電位。藉此，抑制雜訊向積層型LC複合零件內侵入，並且抑制向積層型LC複合零件外輻射雜訊。

[先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本特開2002-76807號公報

且說，於使用專利文獻1中記載之積層型LC複合零件作為 濾波器之情形時，存在欲於通過特性上調整衰減極之頻率或衰減量之要求。若新設置被動電路元件以響應此種要求，則會導致零件尺寸之大型化。

因此，本發明之目的在於提供一種能夠謀求小型化、且能夠調整衰減極之頻率或衰減量之電子零件。

作為本發明之一形態之電子零件之特徵在於具備：積層體，其具有於積層方向積層有複數個絕緣體層之構造；側面電極，其設置於上述積層體中上述複數個絕緣體層之外緣相連而形成之側面，且與接地電位連接；至少1個以上之內部導體層，其設置於上述絕緣體層上；屏蔽導體層，其設置於與設置有上述至少1個以上之內部導體層之上述絕緣體層不同之上述絕緣體層上，且自上述積層方向觀察時與上述內部導體層重疊；第1引出導體層，其設置於與設置有上述屏蔽導體層之上述絕緣體層不同之上述絕緣體層上，且與上述側面電極連接；及第1層間連接導體，其係藉由於上述積層方向貫通上述複數個絕緣體層中之1個以上之上述絕緣體層而將上述屏蔽導體層與上述第1引出導體層連接。

根據本發明，能夠謀求小型化，並且能夠調整衰減極之頻率或衰減量。

10a~10e‧‧‧電子零件

12‧‧‧積層體

13‧‧‧屏蔽電極

14a~14c‧‧‧外部電極

16a~16p‧‧‧絕緣體層

18a~18c、38a~38c‧‧‧電感器導體層

20a、20b、22a、22b、26、32、40a、40b、42a、42b、46‧‧‧電容器導體層

24、30a、30b、44‧‧‧接地導體層

34、35‧‧‧連接導體層

50‧‧‧屏蔽導體層

52a、52b、54a、54b、56a、56b、58a、58b‧‧‧引出導體層

C1~C5、C11、C12‧‧‧電容器

L1、L2、L11‧‧‧電感器

LC1‧‧‧LC並聯共振器

LC11‧‧‧LC串聯共振器

v1~v6、v11~v14、v21~v25、v31~v35、v41~v43、v51~v53‧‧‧通孔導體

圖1A係電子零件10a~10c之等效電路圖。

圖1B係電子零件10a、10c之外觀立體圖。

圖2A係電子零件10a之分解立體圖。

圖2B係自上側觀察電子零件10a之引出導體層52a、54a、56a、58a及屏蔽導體層50之圖。

圖2C係自上側觀察電子零件10a之引出導體層52a、54a、56a、58a及屏蔽導體層50之圖。

圖2D係自上側觀察參考例之電子零件10d之引出導體層52a、58a及屏蔽導體層50之圖。

圖2E係自上側觀察參考例之電子零件10d之引出導體層52a、58a及屏蔽導體層50之圖。

圖3A係第3實施例之電子零件之絕緣體層16b~16d之分解立體圖。

圖3B係第2實施例及第3實施例之電子零件之等效電路圖。

圖4係表示第1模型及第2模型之通過特性之曲線圖。

圖5係電子零件10b之外觀立體圖。

圖6係電子零件10c之剖面構造圖。

圖7係自上側觀察電子零件10e之屏蔽導體層50及引出導體層52a、54a之圖。

(電子零件之構成)

以下，一面參照圖式，一面對一實施形態之電子零件10a之構成進行說明。圖1A係電子零件10a~10c之等效電路圖。

電子零件10a係由複數個被動元件所構成之包含低通濾波 器之電子零件，且如圖1A所示，具備LC並聯共振器LC1、LC2、LC串聯共振器LC11、電容器C3~C5及外部電極14a~14c(1個以上之外部電極之一例)。外部電極14a、14b係供高頻訊號輸入輸出之輸入輸出外部電極，外部電極14c係與接地電位連接之接地外部電極。

LC並聯共振器LC1、LC2於外部電極14a與外部電極14b之間按照該順序串聯連接。LC並聯共振器LC1包含電感器L1(被動元件之一例)及電容器C1(被動元件之一例)。電感器L1與電容器C1相互並聯連接。LC並聯共振器LC2包含電感器L2(被動元件之一例)及電容器C2(被動元件之一例)。電感器L2與電容器C2相互並聯連接。

LC串聯共振器LC11連接於電感器L1、L2與外部電極14c之間。更詳細而言，LC串聯共振器LC11包含電感器L11及電容器C11、C12。電容器C11之一電極與電感器L1連接。電容器C12之一電極與電感器L2連接。電容器C11之另一電極與電容器C12之另一電極相互連接。又，電感器L11之一端部與電容器C11之另一電極及電容器C12之另一電極相互串聯連接。即，電感器L11與電容器C11串聯連接，電感器L11與電容器C12串聯連接。又，電感器L11之另一端部與外部電極14c連接。

電容器C3之一電極與外部電極14a連接，電容器C3之另一電極與外部電極14c連接。電容器C4之一電極連接於LC並聯共振器LC1與LC並聯共振器LC2之間，電容器C4之另一電極與外部電極14c連接。電容器C5之一電極與外部電極14b連接，電容器C5之另一電極與外部電極14c連接。

其次，一邊參照圖式，一邊對電子零件10a之具體之構成進 行說明。圖1B係電子零件10a、10c之外觀立體圖。圖2A係電子零件10a之分解立體圖。以下，將電子零件10a之積層方向定義為上下方向。將自上側觀察時電子零件10a之長邊延伸之方向定義為左右方向。將自上側觀察時電子零件10a之短邊延伸之方向定義為前後方向。上下方向、左右方向及前後方向正交。再者，圖1B及圖2A中之上下方向、左右方向及前後方向係一例，亦可不與實際使用電子零件10a時之上下方向、左右方向及前後方向一致。

如圖1B及圖2A所示，電子零件10a具備積層體12、屏蔽電極13、外部電極14a~14c、電感器導體層18a~18c、38a~38c、電容器導體層20a、20b、22a、22b、26、32、40a、40b、42a、42b、46、連接導體層34、35、接地導體層24、30a、30b、44、屏蔽導體層50、引出導體層52a、52b、54a、54b、56a、56b、58a、58b、方向識別標記60及通孔導體v1~v6、v11~v14、v21~v25、v31~v35、v41~v43、v51~v53。

如圖2A所示，積層體12係以絕緣體層16a~16p(複數個絕緣體層之一例)自上側朝向下側按照該順序排列之方式積層而構成，呈長方體狀。於圖2A中未表現，但對積層體12藉由實施滾磨加工而實施倒角。因此，積層體12之角及稜線帶有弧度。積層體12具有上表面、底面及4個側面(前表面、後表面、右表面及左表面)。4個側面係積層體12中絕緣體層16a~16p之外緣相連而形成之面，且相鄰於底面。積層體12中位於下側(積層方向之一側之一例)之底面係構裝面。構裝面係將電子零件10a構裝於電路基板時與電路基板對向之面。絕緣體層16a~16p係自上側觀察時呈具有2條長邊及2條短邊之長方形狀之介電層。絕緣體層16a~16p之 2條長邊相互平行。絕緣體層16a~16p之2條短邊與絕緣體層16a~16p之2條長邊正交。以下，將絕緣體層16a~16p之上側之主面稱為正面，將絕緣體層16a~16p之下側之主面稱為背面。

外部電極14a、14c、14b呈長方形狀，且以於積層體12之底面自左側朝向右側按照該順序排列之方式設置。外部電極14a~14c僅設置於積層體12之底面，而未設置於積層體12之前表面、後表面、左表面及右表面。外部電極14a~14c係藉由於以Ag或Cu構成之基底電極上實施鍍鎳及鍍錫或鍍金而製作。

屏蔽電極13(側面電極之一例)設置於積層體12之4個側面(前表面、後表面、右表面及左表面)，於本實施形態中，藉由將積層體12之4個側面之大致整個面覆蓋而呈四方筒狀。藉此，屏蔽電極13中之設置於前表面之部分與屏蔽電極13中之設置於左表面之部分於前表面與左表面之稜線連接。屏蔽電極13中之設置於左表面之部分與屏蔽電極13中之設置於後表面之部分於左表面與後表面之稜線連接。屏蔽電極13中之設置於後表面之部分與屏蔽電極13中之設置於右表面之部分於後表面與右表面之稜線連接。屏蔽電極13中之設置於右表面之部分與屏蔽電極13中之設置於前表面之部分於右表面與前表面之稜線連接。但是，屏蔽電極13未設置於積層體12之上表面及底面。

又，屏蔽電極13未與任一外部電極14a~14c於積層體12之表面(即，上表面、底面、前表面、後表面、右表面及左表面)物理連接。因此，如圖1B所示，於積層體12之底面，於屏蔽電極13與外部電極14a~14c之間存在無導體之間隙。如上所述之屏蔽電極13例如係藉由將Ag 等導電膏塗佈於積層體12之4個側面而製作。又，屏蔽電極13例如係藉由利用濺鍍法於積層體12之4個側面形成Cu及不鏽鋼等之金屬膜而製作。於利用濺鍍法製作屏蔽電極13之情形時，於積層體12之上表面及底面實施遮蔽處理。

電容器C3包含電容器導體層20a、20b及接地導體層24(內部導體層之一例)。電容器導體層20a、20b係分別設置於絕緣體層16m、16o之正面之左半部分之區域上之長方形狀的導體層。自上側觀察時，電容器導體層20a、20b重疊。

接地導體層24設置於絕緣體層16n之正面之左半部分之區域上。自上側觀察時，接地導體層24與電容器導體層20a、20b重疊。藉此，接地導體層24經由絕緣體層16m而與電容器導體層20a對向，且經由絕緣體層16n與電容器導體層20b對向。

又，自上側觀察時，接地導體層24之左端位於絕緣體層16n之左側之短邊。藉此，接地導體層24之左端於積層體12之左表面露出至積層體12外，與屏蔽電極13連接。

電容器C3之一電極(電容器導體層20a、20b)經由通孔導體v1、v2而與外部電極14a連接。通孔導體v1於上下方向貫通絕緣體層16o、16p，將電容器導體層20b與外部電極14a連接。通孔導體v2於上下方向貫通絕緣體層16e~16n，將電容器導體層20a與電容器導體層20b連接。藉此，外部電極14a與電容器導體層20a、20b電性連接。

電容器C3之另一電極(接地導體層24)經由接地導體層30b及通孔導體v6而與外部電極14c連接。接地導體層30b係設置於絕緣體層 16n之正面之中央上之長方形狀的導體層。接地導體層24之右端與接地導體層30b連接。通孔導體v6於上下方向貫通絕緣體層16l~16p，將接地導體層30b與外部電極14c連接。藉此，外部電極14c與接地導體層24電性連接。

又，接地導體層30b引出至絕緣體層16n之前側之長邊及後側之長邊。藉此，接地導體層30b於積層體12之前表面及後表面露出至積層體12外，與屏蔽電極13連接。

如上所述，接地導體層24、30b及通孔導體v6將屏蔽電極13與外部電極14c電性連接。

電感器L1包含電感器導體層18a~18c(內部導體層之一例)及通孔導體v3、v4。電感器導體層18a~18c分別係設置於絕緣體層16e~16g之正面之左半部分之區域上且長方形狀之環狀之一部分缺損之線狀之導體層。自上側觀察時，電感器導體層18a~18c相互重疊而形成長方形狀之環狀之軌道。以下，將電感器導體層18a~18c之順時針方向之上游側之端部稱為上游端，將電感器導體層18a~18c之順時針方向之下游側之端部稱為下游端。

通孔導體v3於上下方向貫通絕緣體層16e，將電感器導體層18a之下游端與電感器導體層18b之上游端連接。通孔導體v4於上下方向貫通絕緣體層16f，將電感器導體層18b之下游端與電感器導體層18c之上游端連接。藉此，自上側觀察時，電感器L1呈一邊沿順時針方向環繞、一邊自上側朝向下側行進之螺旋狀。

電容器C1包含電容器導體層22a、22b、26(內部導體層之 一例)。電容器導體層22a、22b係設置於絕緣體層16h、16j之正面之左半部分之區域上之長方形狀之導體層。電容器導體層22a、22b呈相同之形狀，且自上側觀察時，以一致之狀態重疊。

電容器導體層26係設置於絕緣體層16i之正面之左半部分之區域上之長方形狀之導體層。自上側觀察時，電容器導體層26與電容器導體層22a、22b重疊。藉此，電容器導體層26經由絕緣體層16h而與電容器導體層22a對向，且經由絕緣體層16i而與電容器導體層22b對向。

通孔導體v2與電容器導體層22a、22b及電感器導體層18a之上游端連接。又，通孔導體v2經由電容器導體層20a、20b及通孔導體v1而與外部電極14a連接。因此，電容器導體層22a、22b及電感器導體層18a之上游端與外部電極14a電性連接。

連接導體層34係設置於絕緣體層16i之正面之中央上且沿左右方向延伸之帶狀之導體層。連接導體層34之左端與電容器導體層26連接。連接導體層35係設置於絕緣體層16g之正面之中央且沿左右方向延伸之帶狀之導體層。連接導體層35之左端與電感器導體層18c之下游端連接。通孔導體v5於上下方向貫通絕緣體層16g~16j。通孔導體v5與連接導體層34、35連接。因此，電容器導體層26與電感器導體層18c之下游端相互電性連接。

電容器C4包含接地導體層30a及電容器導體層32(內部導體層之一例)。接地導體層30a係設置於絕緣體層16l之正面之中央上之長方形狀之導體層。電容器導體層32係設置於絕緣體層16k之正面之中央上之長方形狀之導體層。自上側觀察時，電容器導體層32與接地導體層30a 重疊。藉此，電容器導體層32經由絕緣體層16k而與接地導體層30a對向。

電容器C4之一電極(電容器導體層32)與電感器L1之另一端(電感器導體層18c之下游端)經由連接導體層35及通孔導體v5相互連接。更詳細而言，通孔導體v5與電容器導體層32連接。又，通孔導體v5經由連接導體層35而與電感器導體層18c之下游端連接。因此，電容器導體層32與電感器導體層18c之下游端相互電性連接。

電容器C4之另一電極(接地導體層30a)經由通孔導體v6而與外部電極14c連接。

且說，電感器L1及電容器C1、C3與電感器L2及電容器C2、C5具有自上側觀察時關於積層體12之上表面之對角線之交點呈點對稱之關係。點對稱之關係係指當以積層體12之上表面之對角線之交點為中心使電感器L1及電容器C1、C3旋轉180°時，與電感器L2及電容器C2、C5一致。更詳細而言，電感器導體層38a~38c與電感器導體層18a~18c處於點對稱之關係。電容器導體層20a、20b、22a、22b、26及接地導體層24與電容器導體層40a、40b、42a、42b、46及接地導體層44處於點對稱之關係。通孔導體v1~v4與通孔導體v11~v14處於點對稱之關係。將電感器L2及電容器C2、C5之進一步之詳細說明省略。

電容器C11包含電感器導體層18a及屏蔽導體層50。電容器C12包含電感器導體層38a及屏蔽導體層50。屏蔽導體層50位於較電感器L1、L2(即電感器導體層18a~18c、38a~38c及通孔導體v3、v4、v13、v14)及電容器C1~C5(即電容器導體層20a、20b、22a、22b、26、32、40a、40b、42a、42b、46及接地導體層24、30a、44)更上側(積層方向之另一側 之一例)。於本實施形態中，屏蔽導體層50設置於與設置有電感器導體層18a~18c、38a~38c、電容器導體層20a、20b、22a、22b、26、32、40a、40b、42a、42b、46及接地導體層24、30a、30b、44(內部導體層之一例)之絕緣體層16e~16o不同之絕緣體層16b之正面上。屏蔽導體層50將絕緣體層16b之正面之一部分覆蓋，於本實施形態中，將絕緣體層16b之正面之大致整個面覆蓋。藉此，自上側觀察時，屏蔽導體層50與電感器L1、L2之電感器導體層18a~18c、38a~38c重疊。因此，屏蔽導體層50之左半部分經由絕緣體層16b~16d而與電感器導體層18a對向。由此，電感器導體層18a係電容器C11之一電極，屏蔽導體層50係電容器C11之另一電極。又，屏蔽導體層50之右半部分經由絕緣體層16b~16d而與電感器導體層38a對向。由此，電感器導體層38a係電容器C12之一電極，屏蔽導體層50係電容器C12之另一電極。

但是，自上側觀察時，屏蔽導體層50未與絕緣體層16b之4條邊相接。因此，屏蔽導體層50未與屏蔽電極13物理連接。再者，屏蔽導體層50較佳為設置於距積層體12之上表面200μm以內之位置，但亦可設置於距積層體12之上表面300μm以上且400μm以下之範圍內之位置。

電感器L11包含引出導體層52a、52b、54a、54b、56a、56b、58a、58b(引出導體層52a、54a、56a、58a係第1引出導體層之一例，引出導體層52b、54b、56b、58b係第2引出導體層之一例)及通孔導體v21~v25、v31~v35、v41~v43、v51~v53(通孔導體v21~v23、v31~v33、v41、v42、v51、v52係第1層間連接導體之一例，通孔導體v23~v25、v33~v35、v42、v43、v52、v53係第2層間連接導體之一例)。引出導體層52a、54a、56a、 58a設置於與設置有屏蔽導體層50之絕緣體層16b不同之絕緣體層16c之正面上，且與屏蔽電極13連接。引出導體層52b、54b、56b、58b設置於與設置有屏蔽導體層50之絕緣體層16b及引出導體層52a、54a、56a、58a之絕緣體層16c不同之絕緣體層16d之正面上，且與屏蔽電極13連接。藉此，引出導體層52a、52b、54a、54b、56a、56b、58a、58b位於較屏蔽導體層50更下側(積層方向之一側之一例)。

又，自上側觀察時，引出導體層52a、54a、56a、58a分別與絕緣體層16c之左側之短邊之中央、右側之短邊之中央、前側之短邊之中央及後側之短邊之中央相接，呈長方形狀。又，自上側觀察時，引出導體層52b、54b、56b、58b分別與絕緣體層16d之左側之短邊之中央、右側之短邊之中央、前側之短邊之中央及後側之短邊之中央相接，呈長方形狀。引出導體層52a、54a、56a、58a分別呈與引出導體層52b、54b、56b、58b相同之形狀。但是，自上側觀察時，引出導體層52a、54a分別相對於引出導體層52b、54b向前側稍微偏移。自上側觀察時，引出導體層56a、58a分別相對於引出導體層56b、58b向左側稍微偏移。

通孔導體v21、v22於上下方向貫通絕緣體層16b，將屏蔽導體層50與引出導體層58a連接。通孔導體v23於上下方向貫通絕緣體層16b、16c，將屏蔽導體層50與引出導體層58a、58b連接。通孔導體v24、v25於上下方向貫通絕緣體層16b、16c，將屏蔽導體層50與引出導體層58b連接。

通孔導體v31、v32於上下方向貫通絕緣體層16b，將屏蔽導體層50與引出導體層56a連接。通孔導體v33於上下方向貫通絕緣體層 16b、16c，將屏蔽導體層50與引出導體層56a、56b連接。通孔導體v34、v35於上下方向貫通絕緣體層16b、16c，將屏蔽導體層50與引出導體層56b連接。

通孔導體v41於上下方向貫通絕緣體層16b，將屏蔽導體層50與引出導體層52a連接。通孔導體v42於上下方向貫通絕緣體層16b、16c，將屏蔽導體層50與引出導體層52a、52b連接。通孔導體v43於上下方向貫通絕緣體層16b、16c，將屏蔽導體層50與引出導體層52b連接。

通孔導體v51於上下方向貫通絕緣體層16b，將屏蔽導體層50與引出導體層54a連接。通孔導體v52於上下方向貫通絕緣體層16b、16c，將屏蔽導體層50與引出導體層54a、54b連接。通孔導體v53於上下方向貫通絕緣體層16b、16c，將屏蔽導體層50與引出導體層54b連接。

電感器L11之一端(通孔導體v21~v25、v31~v35、v41~v43、v51~v53之上端)與電容器C11、C12之另一電極(屏蔽導體層50)連接。又，電感器L11另一端(引出導體層52a、52b、54a、54b、56a、56b、58a、58b)與屏蔽電極13連接。

方向識別標記60係設置於積層體12之上表面(絕緣體層16a之正面)之圓形之導體層。方向識別標記60於識別電子零件10a之方向時使用。

電感器導體層18a~18c、38a~38c、電容器導體層20a、20b、22a、22b、26、32、40a、40b、42a、42b、46、連接導體層34、35、接地導體層24、30a、30b、44、屏蔽導體層50、引出導體層52a、52b、54a、54b、56a、56b、58a、58b、方向識別標記60及通孔導體v1~v6、v11~v14、v21 ~v25、v31~v35、v41~v43、v51~v53例如係由Cu等導電性材料製作。

(效果)

根據本實施形態之電子零件10a，如以下說明般能夠調整衰減極之頻率或衰減量。更詳細而言，於專利文獻1中記載之積層型LC複合零件中，接地圖案與連接於地線之外部電極直接連接。接地圖案由於係設置於絕緣體層上之導體層，故而僅有較小之電感成分。由此，於接地圖案與連接於接地電位之外部電極之間基本未形成電感器，亦基本未形成LC串聯共振器。由此，於專利文獻1中記載之積層型LC複合零件中，LC串聯共振器之衰減極僅有微小之衰減量。若新設置被動電路元件以調整此種衰減極之頻率或衰減量，則會導致零件尺寸之大型化。

另一方面，於電子零件10a中，自上側觀察時，屏蔽導體層50與電感器導體層18a、38a重疊。藉此，於電感器導體層18a與屏蔽導體層50之間形成有電容器C11，於電感器導體層38a與屏蔽導體層50之間形成有電容器C12。並且，屏蔽導體層50經由引出導體層52a、52b、54a、54b、56a、56b、58a、58b及通孔導體v21~v25、v31~v35、v41~v43、v51~v53而與屏蔽電極13連接。通孔導體v21~v25、v31~v35、v41~v43、v51~v53由於具有相對較大之電感器成分，故而形成電感器L11。其結果為，形成將電感器L11與電容器C11、C12串聯連接之LC串聯共振器LC11。如圖1A及圖2A所示，LC串聯共振器LC11經由屏蔽電極13、接地導體層30a、30b及通孔導體v6而與連接於接地電位之外部電極14c連接。因此，於外部電極14a、14b間傳輸之高頻訊號中之LC串聯共振器LC11之共振頻率之高頻訊號流向外部電極14c。其結果為，於電子零件10a之通過特性上，於LC 串聯共振器LC11之共振頻率之位置形成具有充分之衰減量之衰減極。即，於電子零件10a中，能夠調整衰減極之頻率或衰減量。

進而，於電子零件10a中，由於未新設置被動電路元件來調整衰減極之頻率或衰減量，故而可謀求零件尺寸之小型化。

又，於電子零件10a中，能夠容易地調整衰減極之頻率。以下，作為比較例之電子零件，列舉如下電子零件為例，即於電子零件10a中不設置引出導體層52a、52b、54a、54b、56a、56b、58a、58b及通孔導體v21~v25、v31~v35、v41~v43、v51~v53，且將相當於屏蔽導體層50之屏蔽導體層50'連接於屏蔽電極13。再者，對在比較例之電子零件中與電子零件10a相同之構成使用相同之參照符號而說明。

於比較例之電子零件中，未設置通孔導體v21~v25、v31~v35、v41~v43、v51~v53。因此，相當於電感器L11之電感器係由屏蔽導體層50'之電感器成分形成。因此，相當於電感器L11之電感器之電感值較小。為了使此種電感值變大並且調整電感值，必須使屏蔽導體層50'之形狀變更得較大。

然而，屏蔽導體層50'必須作為積層體12之屏蔽導體層發揮功能。因此，難以使屏蔽導體層50'之形狀變更得較大。由此，於比較例之電子零件中，難以使相當於電感器L11之電感器之電感值變大並且調整電感值。其結果為，於比較例之電子零件中，難以形成具有充分之衰減量之衰減極並且調整該衰減極之頻率。

另一方面，於電子零件10a中，能夠藉由調整通孔導體v21~v25、v31~v35、v41~v43、v51~v53之長度、根數或粗細，而調整衰減 極之頻率。通孔導體v21~v25、v31~v35、v41~v43、v51~v53之長度、根數或粗細之變更與屏蔽導體層50'之變更相比較為容易。由此，於電子零件10a中，能夠容易地調整衰減極之頻率。

更詳細而言，於電子零件10a中，通孔導體v21~v25、v31~v35、v41~v43、v51~v53作為電感器L11發揮功能。由此，藉由調整通孔導體v21~v25、v31~v35、v41~v43、v51~v53之長度，能夠調整電感器L11之電感值。具體而言，若使通孔導體v21~v25、v31~v35、v41~v43、v51~v53之長度變長，則電感器L11之電感值變大，LC串聯共振器LC11之共振頻率變低。若使通孔導體v21~v25、v31~v35、v41~v43、v51~v53之長度變短，則電感器L11之電感值變小，LC串聯共振器LC11之共振頻率變高。如此，能夠藉由調整通孔導體v21~v25、v31~v35、v41~v43、v51~v53之長度而調整衰減極之頻率。

進而，若通孔導體v21~v25、v31~v35、v41~v43、v51~v53之根數變少，則電感器L11之電感值變大，LC串聯共振器LC11之共振頻率變低。若通孔導體v21~v25、v31~v35、v41~v43、v51~v53之根數變多，則電感器L11之電感值變小，LC串聯共振器LC11之共振頻率變高。如此，能夠藉由調整通孔導體v21~v25、v31~v35、v41~v43、v51~v53之根數而調整衰減極之頻率。

進而，若通孔導體v21~v25、v31~v35、v41~v43、v51~v53之粗細變細，則電感器L11之電感值變大，LC串聯共振器LC11之共振頻率變低。若通孔導體v21~v25、v31~v35、v41~v43、v51~v53之粗細變粗，則電感器L11之電感值變小，LC串聯共振器LC11之共振頻率變高。 如此，能夠藉由調整通孔導體v21~v25、v31~v35、v41~v43、v51~v53之粗細而調整衰減極之頻率。

又，於電子零件10a中，可更確實地將屏蔽電極13與引出導體層52a、52b、54a、54b、56a、56b、58a、58b連接。更詳細而言，屏蔽電極13係以覆蓋積層體12之4個側面之大致整個面之方式設置。但是，以覆蓋4個側面之整個面之方式形成屏蔽電極13則較為困難。因此，例如於積層體12之4個側面中之上表面附近存在未形成屏蔽電極13之區域。並且，於引出導體層52a、52b、54a、54b、56a、56b、58a、58b在該區域自4個側面露出之情形時，未將屏蔽電極13與引出導體層52a、52b、54a、54b、56a、56b、58a、58b連接。

因此，於電子零件10a中，引出導體層52a、52b、54a、54b、56a、56b、58a、58b位於較屏蔽導體層50更下側。藉此，引出導體層52a、52b、54a、54b、56a、56b、58a、58b遠離積層體12之上表面，因此自積層體12之4個側面中之未形成屏蔽電極13之區域露出之可能性變低。其結果為，於電子零件10a中，可更確實地將屏蔽電極13與引出導體層52a、52b、54a、54b、56a、56b、58a、58b連接。

又，於電子零件10a中，抑制於積層體12中產生層間剝離。以下，列舉第1實施例之電子零件(未圖示)為例而進行說明。第1實施例之電子零件具備引出導體層52'、54'、56'、58'(未圖示)代替引出導體層52a、52b、54a、54b、56a、56b、58a、58b。引出導體層52'、54'、56'、58'設置於絕緣體層16c之正面上。自上側觀察時，引出導體層52'呈引出導體層52a、52b重疊而形成之長方形狀。自上側觀察時，引出導體層54'構成引 出導體層54a、54b重疊而形成之長方形狀。自上側觀察時，引出導體層56'呈引出導體層56a、56b重疊而形成之長方形狀。自上側觀察時，引出導體層58'呈引出導體層58a、58b重疊而形成之長方形狀。再者，針對在第1實施例之電子零件中與電子零件10a相同之構成，使用相同之參照符號進行說明。

為了抑制於積層體產生層間剝離，相鄰之2個絕緣體層必須較強地密接。相鄰之2個絕緣體層密接之力依存於相鄰之2個絕緣體層接觸之面積。由此，存在於相鄰之2個絕緣體層之間之導體層之面積較小者為佳。

於第1實施例之電子零件中，絕緣體層16b與絕緣體層16c無法於設置有引出導體層52'、54'、56'、58'之區域中接觸。另一方面，於電子零件10a中，絕緣體層16b與絕緣體層16c無法於設置有引出導體層52a、54a、56a、58a之區域中接觸。進而，於電子零件10a中，絕緣體層16c與絕緣體層16d無法於設置有引出導體層52b、54b、56b、58b之區域中接觸。

自上側觀察時，引出導體層52'呈引出導體層52a、52b重疊而形成之長方形狀，因此具有大於引出導體層52a、52b之面積。自上側觀察時，引出導體層54'呈引出導體層54a、54b重疊而形成之長方形狀，因此具有大於引出導體層54a、54b之面積。自上側觀察時，引出導體層56'呈引出導體層56a、56b重疊而形成之長方形狀，因此具有大於引出導體層56a、56b之面積。自上側觀察時，引出導體層58'呈引出導體層58a、58b重疊而形成之長方形狀，因此具有大於引出導體層58a、58b之面積。由此，設置有引出導體層52a、54a、56a、58a之區域之面積及設置有引出導體層52b、 54b、56b、58b之區域之面積小於設置有引出導體層52'、54'、56'、58'之區域之面積。其結果為，於電子零件10a中絕緣體層16b與絕緣體層16c接觸之面積及絕緣體層16c與絕緣體層16d接觸之面積大於在第1比較例之電子零件中絕緣體層16b與絕緣體層16c接觸之面積。根據以上，抑制了於電子零件10a中在絕緣體層16b與絕緣體層16c之間及絕緣體層16b與絕緣體層16c之間產生層間剝離。

又，根據電子零件10a，能夠於與其他電子零件接近之狀態下將電子零件10a構裝於電路基板。於電子零件10a中，屏蔽電極13未與任一外部電極14a~14c於積層體12之表面物理連接。因此，於積層體12之底面，於屏蔽電極13與外部電極14a~14c之間存在間隙。因此，於使用焊料將電子零件10a構裝於電路基板之情形時，抑制賦予至外部電極14a~14c之焊料附著於屏蔽電極13。即，抑制焊料沾於積層體12之側面。藉此，即便其他電子零件接近電子零件10a，亦可抑制焊料與其他電子零件接觸。其結果為，能夠於與其他電子零件接近之狀態下將電子零件10a構裝於電路基板。

又，根據電子零件10a，能夠獲得較高之屏蔽效果，因此，能夠抑制雜訊自外部侵入並且能夠抑制向外部輻射雜訊。更詳細而言，於電子零件10a中，屏蔽電極13將積層體12之4個側面之大致整個面覆蓋。藉此，抑制雜訊自電子零件10a之側面向電子零件10a內侵入，並且抑制自電子零件10a之側面向電子零件10a外輻射雜訊。進而，於電子零件10a中，於較電感器L1、L2及電容器C1~C5更靠近積層體12之上表面處設置有屏蔽導體層50。自上側觀察時，屏蔽導體層50與積層體12之上表面之大致 整體重疊。藉此，抑制雜訊自電子零件10a之上表面向電感器L1、L2及電容器C1~C5侵入，並且抑制自電子零件10a之上表面向電感器L1、L2及電容器C1~C5輻射雜訊。

又，於電子零件10a中，將電子零件10a構裝於電路基板時，能夠抑制電子零件10a之吸附失敗之產生。更詳細而言，屏蔽電極13之表面粗糙度大於積層體12之表面粗糙度。因此，若吸附屏蔽電極13，則有產生電子零件10a之吸附失敗之虞。因此，於電子零件10a中，於積層體12之上表面未設置屏蔽電極13。藉此，能夠吸附積層體12之上表面，抑制電子零件10a之吸附失敗之產生。

又，於電子零件10a中，由於在積層體12之上表面未設置屏蔽電極13，故而能夠於積層體12之上表面設置方向識別標記60。藉此，能夠容易地進行電子零件10a之方向之識別。

又，於電子零件10a中，於積層體12之上表面未設置屏蔽電極13。因此，於電子零件10a中，與積層體12之上表面被屏蔽電極13覆蓋之電子零件相比，能夠使燒成時之積層體12之上表面附近之收縮量與積層體12之底面附近之收縮量接近。其結果為，抑制燒成後於電子零件10a產生翹曲。

又，於電子零件10a中，能夠抑制電感器L11之電感值之偏差。圖2B及圖2C係自上側觀察電子零件10a之引出導體層52a、54a、56a、58a及屏蔽導體層50之圖。圖2D及圖2E係自上側觀察參考例之電子零件10d之引出導體層52a、58a及屏蔽導體層50之圖。於圖2B及圖2D中，將積層體12自塊之狀態切割而單片化為片形狀時，未產生切割偏移。圖2C 及圖2E中產生了積層體12之切割偏移。更詳細而言，於圖2C及圖2E中，切割位置自本來之位置向後側及左側偏移。

於參考例之電子零件10d中，如圖2D及圖2E所示，引出導體層52a、58a設置於絕緣體層16c上。又，與絕緣體層16c之左側之短邊相接之引出導體層52a之數量和與絕緣體層16c之右側之短邊相接之引出導體層之數量不同。即，不存在與絕緣體層16c之右側之短邊相接之引出導體層。又，與絕緣體層16c之前側之長邊相接之引出導體層之數量和與絕緣體層16c之後側之長邊相接之引出導體層58a之數量不同。即，不存在與絕緣體層16c之前側之長邊相接之引出導體層。

此處，於圖2D中，將引出導體層52a之左右方向之長度設為長度D1。又，於圖2D中，將引出導體層58a之前後方向之長度設為長度D4。若於電子零件10d產生切割偏移，則如圖2E所示，引出導體層52a之左右方向之長度自長度D1增加至長度D1'。又，若於電子零件10d產生切割偏移，則如圖2E所示，引出導體層58a之前後方向之長度自長度D4增加至長度D4'。因此，於圖2E之引出導體層52a、58a產生之電感成分大於在圖2D之引出導體層52a、58a產生之電感成分。即，圖2E之電子零件10d之電感器L11之電感值大於圖2D之電子零件10d之電感器L11之電感值。如此，於電子零件10d中，因切割偏移而導致於電感器L11之電感值產生偏差。

因此，於電子零件10a中，如圖2A及圖2B所示，引出導體層52a、54a、56a、58a(複數個第1絕緣體層之一例)設置於絕緣體層16c(1個既定之絕緣體層之一例)上。又，與絕緣體層16c之左側之短邊(第 1邊之一例)相接之引出導體層52a之數量和與絕緣體層16c之右側之短邊(第2邊之一例)相接之引出導體層52a的數量相等，為1個。又，與絕緣體層16c之前側之長邊(第3邊之一例)相接之引出導體層56a之數量和與絕緣體層16c之後側之長邊(第4邊之一例)相接之引出導體層58a的數量相等，為1個。

於圖2B中，將引出導體層52a、54a之左右方向之長度分別設為長度D1、D2。又，於圖2B中，將引出導體層56a、58a之前後方向之長度分別設為長度D3、D4。於未產生切割偏移之電子零件10a中，D1與D2相等，D3與D4相等。

若於如上所述之電子零件10a產生切割偏移，則如圖2C所示，引出導體層52a之左右方向之長度自長度D1增加至長度D1'，引出導體層54a之左右方向之長度自長度D2減少至長度D2'。又，若於電子零件10d產生切割偏移，則如圖2C所示，引出導體層56a之前後方向之長度自長度D3減少至長度D3'，引出導體層58a之前後方向之長度自長度D4增加至長度D4'。因此，引出導體層52a之左右方向之長度之增加量與引出導體層54a之左右方向之長度的減少量相抵。又，引出導體層56a之前後方向之長度之減少量與引出導體層58a之前後方向之長度的增加量相抵。其結果為，無論有無切割偏移，引出導體層52a、54a、56a、58a之長度之總和均固定。根據相同之原因，無論有無切割偏移，引出導體層52b、54b、56b、58b之長度之總和均固定。其結果為，於電子零件10a中，能夠抑制電感器L11之電感值之偏差。再者，參考例之電子零件10d係本案發明之電子零件之實施例，並非自本案發明中排除。又，電感器L11之電感值之偏差除切 割偏移以外，例如亦因絕緣體層16a~16p之積層偏移而產生。根據電子零件10a，亦能夠抑制因絕緣體層16a~16p之積層偏移而產生之電感器L11之電感值之偏差。

且說，本案發明者為了使電子零件10a所發揮之效果更明確，進行以下說明之電腦模擬。圖3A係第3實施例之電子零件之絕緣體層16b~16d之分解立體圖。圖3B係第2實施例及第3實施例之電子零件之等效電路圖。

本案發明者製作出具有第2實施例之電子零件之構造之第1模型、及具有第3實施例之電子零件之構造之第2模型。於第2實施例之電子零件與第3實施例之電子零件中，通孔導體之根數不同。更詳細而言，第2實施例之電子零件具備圖2A之屏蔽導體層50、引出導體層52a、52b、54a、54b、56a、56b、58a、58b及通孔導體v21~v25、v31~v35、v41~v43、v51~v53。又，對第2實施例之電子零件之較絕緣體層16e更下側之構造省略詳細內容，但並非圖2A之構造，而係構成由通孔導體及導體層形成電阻R1、R2之構造。電阻R1、R2於外部電極14a與外部電極14b之間串聯連接。第3實施例之電子零件具備圖3A之屏蔽導體層50、引出導體層52a、52b、54a、54b、56a、56b、58a、58b及通孔導體v34、v42、v52。又，第3實施例之電子零件之較絕緣體層16e更下側之構造與第2實施例之電子零件相同，且構成由通孔導體及導體層形成電阻R1、R2之構造。電阻R1、R2於外部電極14a與外部電極14b之間串聯連接。

圖4係表示第1模型及第2模型之通過特性之曲線圖。通過特性係自外部電極14b輸出之訊號之強度相對於自外部電極14a輸入之訊號 之強度之比的值。於圖4中，縱軸表示通過特性，橫軸表示頻率。

第1模型之通孔導體之根數較第2模型之通孔導體之根數多。因此，第1模型之電感器L11之電感值小於第2模型之電感器L11之電感值。因此，第1模型之LC串聯共振器LC11之共振頻率高於第2模型之LC串聯共振器LC11之共振頻率。其結果如圖4所示而得知，第1模型之衰減極之頻率高於第2模型之衰減極的頻率。根據以上之電腦模擬，可知能夠藉由調整通孔導體之根數而調整衰減極之頻率。

(第1變形例)

以下，一邊參照圖式，一邊對本發明之第1變形例之電子零件之構成進行說明。圖5係電子零件10b之外觀立體圖。電子零件10b之等效電路圖及分解立體圖與電子零件10a之該等圖式相同，因此引用圖1A及圖2A。

電子零件10b於屏蔽電極13之形狀上與電子零件10a不同。以下，以該不同點為中心對電子零件10b進行說明。

如圖5所示，於電子零件10b中，屏蔽電極13未與積層體12之上表面及底面相接。即，於屏蔽電極13與積層體12之上表面之間存在未設置導體之間隙，於屏蔽電極13與積層體12之底面之間存在未設置導體之間隙。

如上所述之電子零件10b能夠發揮與電子零件10a相同之作用效果。

又，於電子零件10b中，抑制製造時於積層體12之上表面形成屏蔽電極13。藉此，抑制於積層體12之上表面形成凹凸，從而抑制電子零件10b之吸附失敗之產生。

又，於電子零件10b中，抑制製造時於積層體12之底面形成屏蔽電極13。其結果為，抑制屏蔽電極13與外部電極14a~14c發生短路。

再者，屏蔽電極13亦可未與積層體12之上表面或底面之任一者相接。

(第2變形例)

以下，一邊參照圖式，一邊對第2變形例之電子零件之構成進行說明。圖6係電子零件10c之剖面構造圖。電子零件10c之等效電路圖及分解立體圖與電子零件10a之等效電路圖相同，因此引用圖1A及圖2A。

電子零件10c於進而具備樹脂層62之方面與電子零件10a不同。樹脂層62如圖6所示般將屏蔽電極13之表面覆蓋。

於如上所述之電子零件10c中，能夠抑制焊料沾於屏蔽電極13。更詳細而言，於藉由塗佈導電膏而形成屏蔽電極13之情形時，對外部電極14a~14c實施鍍鎳及鍍錫時，亦對屏蔽電極13之表面實施鍍鎳及鍍錫。由於鍍鎳及鍍錫之焊料潤濕性優異，故而屏蔽電極13之焊料潤濕性亦提高。即，有焊料沾於電子零件10c之側面之虞。

因此，於電子零件10c中，樹脂層62將屏蔽電極13之表面覆蓋。樹脂層62之焊料潤濕性與鍍鎳及鍍錫之焊料潤濕性相比較低。因此，抑制焊料沾於樹脂層62(即，電子零件10c之側面)上。

(第3變形例)

以下，一邊參照圖式，一邊對第2變形例之電子零件之構成進行說明。圖7係自上側觀察電子零件10e之屏蔽導體層50及引出導體層52a、54a之圖。

電子零件10e於不具備引出導體層56a、56b、58a、58b之方面與電子零件10a不同。即，與絕緣體層16c之左側之短邊相接之引出導體層52a之數量和與絕緣體層16c之右側之短邊相接之引出導體層54a之數量相等，為1個。又，於絕緣體層16c之前側之長邊及後側之長邊，引出導體層未與之相接。雖省略圖示，但與絕緣體層16d之左側之短邊相接之引出導體層52b之數量和與絕緣體層16d之右側之短邊相接之引出導體層54b之數量相等，為1個。又，於絕緣體層16d之前側之長邊及後側之長邊，引出導體層未與之相接。於如上所述之電子零件10e中，亦根據與電子零件10a相同之原因，能夠抑制於電感器L11之電感值產生偏差。

再者，電子零件10e亦可不具備引出導體層52a、52b、54a、54b，而具備引出導體層56a、56b、58a、58b。

(其他實施形態)

本發明之電子零件不限於電子零件10a~10e，能夠於其主旨之範圍內進行變更。

再者，亦可任意組合電子零件10a~10e之構成。

又，電子零件10a~10e作為一例內置有低通濾波器，但亦可內置有其他電路或被動元件。電子零件10a~10e內置之電路係由被動元件之組合所構成之電路。因此，電子零件10a~10e不內置主動元件。作為電子零件10a~10e內置之被動元件，例如可列舉線圈、電感器、電阻等。又，作為電子零件10a~10e內置之電路，例如可列舉：雙訊器、耦合器、低通濾波器、帶通濾波器等。

又，電子零件10a~10e係所謂晶片零件，並非模組零件。 晶片零件係指藉由導體層或通孔導體等之組合而構成被動元件或由被動元件之組合所形成之電路的小型電子零件。因此，於電路基板上構裝半導體積體電路等主動元件並利用樹脂將半導體積體電路密封而得之模組零件不包含於本案中之晶片零件。

又，於電子零件10a~10e中，於積層體12之側面設置有屏蔽電極13。然而，亦可於積層體12之側面設置有與接地電位連接之外部電極以代替屏蔽電極13。即，亦可將外部電極14c設置於積層體12之底面及側面，將引出導體層52a、52b、54a、54b、56a、56b、58a、58b與外部電極14c連接。

又，於電子零件10a~10e中，亦可為引出導體層52a、52b、54a、54b、56a、56b、58a、58b位於較屏蔽導體層50更上側。

又，於電子零件10a~10e中，亦可為與絕緣體層16c之左側之短邊相接之引出導體層之數量、及與絕緣體層16c之右側之短邊相接之引出導體層之數量為2個以上。進而，於電子零件10a~10e中，亦可為與絕緣體層16d之左側之短邊相接之引出導體層之數量、及與絕緣體層16d之右側之短邊相接之引出導體層之數量為2個以上。又，於電子零件10a~10c中，亦可為與絕緣體層16c之前側之長邊相接之引出導體層之數量、及與絕緣體層16c之後側之短邊相接之引出導體層之數量為2個以上。於電子零件10a~10c中，亦可為與絕緣體層16d之前側之長邊相接之引出導體層之數量、及與絕緣體層16d之後側之短邊相接之引出導體層之數量為2個以上。

[產業上之可利用性]

如上所述，本發明於電子零件有用，於能夠調整衰減極之頻率或衰減量之方面而言較為優異。

10a~10c‧‧‧電子零件

14a‧‧‧外部電極

14b‧‧‧外部電極

14c‧‧‧外部電極

C1‧‧‧電容器

C2‧‧‧電容器

C3‧‧‧電容器

C4‧‧‧電容器

C5‧‧‧電容器

C11‧‧‧電容器

C12‧‧‧電容器

L1‧‧‧電感器

L2‧‧‧電感器

L11‧‧‧電感器

LC1‧‧‧LC並聯共振器

LC2‧‧‧LC並聯共振器

LC11‧‧‧LC串聯共振器

Claims (10)

1. 一種電子零件，其特徵在於，具備：積層體，其具有於積層方向積層有複數個絕緣體層之構造；側面電極，其設置於上述積層體中上述複數個絕緣體層之外緣相連而形成之側面，且與接地電位連接；至少1個以上之內部導體層，其設置於上述絕緣體層上；屏蔽導體層，其設置於與設置有上述至少1個以上之內部導體層之上述絕緣體層不同之上述絕緣體層上，且自上述積層方向觀察時與上述內部導體層重疊；第1引出導體層，其設置於與設置有上述屏蔽導體層之上述絕緣體層不同之上述絕緣體層上，且與上述側面電極連接；及第1層間連接導體，其係藉由於上述積層方向貫通上述複數個絕緣體層中之1個以上之上述絕緣體層而將上述屏蔽導體層與上述第1引出導體層連接。
2. 如申請專利範圍第1項之電子零件，其中，上述積層體中位於上述積層方向之一側之面係將上述電子零件構裝於電路基板時與該電路基板對向之構裝面，上述屏蔽導體層位於較上述至少1個以上之內部導體層更靠上述積層方向之另一側。
3. 如申請專利範圍第1或2項之電子零件，其中，上述積層體中位於上述積層方向之一側之面係將上述電子零件構裝於電路基板時與該電路基板對向之構裝面， 上述第1引出導體層位於較上述屏蔽導體層更靠上述積層方向之一側。
4. 如申請專利範圍第1或2項之電子零件，其進一步具備：第2引出導體層，其設置於與設置有上述屏蔽導體層之上述絕緣體層及設置有上述第1引出導體層之上述絕緣體層不同之上述絕緣體層上，且與上述側面電極連接；及第2層間連接導體，其係藉由於上述積層方向貫通上述絕緣體層而將上述屏蔽導體層與上述第2引出導體層連接。
5. 如申請專利範圍第1或2項之電子零件，其中，上述積層體呈長方體狀，上述積層體中位於上述積層方向之一側之面係將上述電子零件構裝於電路基板時與該電路基板對向之構裝面，上述電子零件進一步具備：設置於上述構裝面之1個以上之外部電極，上述側面電極係藉由將上述積層體之與上述構裝面相鄰之4個側面覆蓋而呈筒狀之屏蔽電極，且未與任一上述1個以上之外部電極於該積層體之表面物理連接。
6. 如申請專利範圍第5項之電子零件，其中，上述1個以上之外部電極未設置於上述積層體之與上述構裝面相鄰之4個側面。
7. 如申請專利範圍第6項之電子零件，其中，上述1個以上之外部電極包含與接地電位連接之接地外部電極，上述屏蔽電極與上述接地外部電極係經由上述內部導體層而電性連 接。
8. 如申請專利範圍第1或2項之電子零件，其中，自上述積層方向觀察時，上述複數個絕緣體層呈具有相互平行之第1邊及第2邊之長方形狀，上述第1引出導體層於上述複數個絕緣體層中之1個既定之絕緣體層上設置有複數個，與上述既定之絕緣體層之上述第1邊相接之上述第1引出導體層之數量和與上述既定之絕緣體層之上述第2邊相接之上述第1引出導體層之數量相等。
9. 如申請專利範圍第8項之電子零件，其中，自上述積層方向觀察時，上述複數個絕緣體層呈具有與上述第1邊及上述第2邊正交之第3邊及第4邊之長方形狀，與上述既定之絕緣體層之上述第3邊相接之上述第1引出導體層之數量和與上述既定之絕緣體層之上述第4邊相接之上述第1引出導體層之數量相等。
10. 如申請專利範圍第1或2項之電子零件，其中，上述至少1個以上之內部導體層包含於被動元件。