TWI500262B - Laminated LC filter - Google Patents

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TWI500262B
TWI500262B TW101139892A TW101139892A TWI500262B TW I500262 B TWI500262 B TW I500262B TW 101139892 A TW101139892 A TW 101139892A TW 101139892 A TW101139892 A TW 101139892A TW I500262 B TWI500262 B TW I500262B
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Kenichiro Kikuchi
Hiroshi Masuda
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Murata Manufacturing Co
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Description

積層型LC濾波器
本發明係關於一種積層型LC濾波器，該積層型LC濾波器特別是在表面形成有內部電極圖案之多個電介質層積層而成，具備有電介質層與內部電極圖案構成線圈及電容器之積層體。
以往，作為在表面形成有內部電極圖案之多個電介質層積層而成，具備有電介質層與內部電極圖案構成線圈及電容器之積層體之積層型LC濾波器，例如在專利文獻1記載者係為已知。
該積層型LC濾波器，如圖12所示，具備有電介質層101~105。而且，在電介質層101之表面形成有接地電極109。此外，在電介質層102之表面形成有電容器電極111。此外，在電介質層104之表面形成有線路電極116。
通孔電極131係以貫通電介質層103、104之方式而形成。而且，通孔電極131係連接電容器電極111與線路電極116。此外，通孔電極141係以貫通電介質層102~104之方式而形成。而且，通孔電極141係連接接地電極109與線路電極116。
電容器電極111與接地電極109，係隔著電介質層102相對向構成電容器。此外，通孔電極131、141與線路電極116構成線圈。該等之電容器與線圈並聯連接，而成為1個LC並聯共振器。
而且，在先前文獻已揭示之積層型LC濾波器，具備有5個如此之LC並聯共振器，電磁場相互地耦合，而具有作為使僅有特定之頻帶(frequency band)之信號通過之帶通濾波器之功能。
專利文獻1：國際公開WO2007/119356號公報
而且，在圖12之積層型LC濾波器之積層體之表面，具有形成表面電極之情形。該表面電極，例如，用於識別該積層型LC濾波器之方向之識別標示，用於被使用於積層型LC濾波器之安裝之構裝電極。此時，在表面電極與內部電極圖案之間產生雜散電容(floating/stray capacitance)，而有改變濾波器特性之情形。
本發明係鑑於此而發明者，其目的在於提供不易受在與表面電極之間所產生之雜散電容之影響之積層型LC濾波器。
本發明之積層型LC濾波器，具備有：積層體，在表面形成有內部電極圖案之多個電介質層積層而成，電介質層與內部電極圖案構成線圈及電容器，具有與積層方向垂直之2個主面；以及表面電極，形成於積層體之主面上；其特徵在於：從形成有表面電極之主面到最接近該主面之內部電極圖案之間之電介質層之相對電容率，較構成電容器之電介質層之相對電容率為低。
此外，在本發明之積層型LC濾波器，較佳為：表面電極，係用於識別之用之識別標示；積層體之一方之主面， 構成積層體之構裝面；表面電極，形成於積層體之另一方之主面上。
此外，在本發明之積層型LC濾波器，較佳為：表面電極，在從積層方向觀看時，係以與最接近形成有表面電極之主面之內部電極圖案在多個部位重疊之方式而形成。
此外，在本發明之積層型LC濾波器，較佳為：最接近形成有表面電極之主面之內部電極圖案，係在同一電介質層上形成多個；表面電極，在從積層方向觀看時，係以與多個內部電極圖案重疊之方式而形成。
此外，在本發明之積層型LC濾波器，較佳為：最接近形成有表面電極之主面之1個或多個內部電極圖案構成線圈；表面電極，在從積層方向觀看時，係以與內部電極圖案之中之1個內部電極圖案之多個部份重疊之方式而形成。
此外，在本發明之積層型LC濾波器，較佳為：表面電極，係被使用於積層型LC濾波器之安裝之構裝電極；積層體之一方之主面，係構成積層體之構裝面；表面電極，係形成在一方之主面上，而最接近與積層體之構裝面相對向之主面之內部電極圖案係為接地電極。
根據本發明之積層型LC濾波器，表面電極與到最接近主面之內部電極圖案之間之電介質層之相對電容率，較構成電容器之電介質層為低。因此，能夠提供不易受在與表面電極之間發生之雜散電容之影響之積層型LC濾波器。
(第1實施形態)
圖1，係本發明之第1實施形態之積層型LC濾波器之等效電路圖。在本實施形態，表示積層型LC濾波器係帶通濾波器之例子。端子T1、T2係輸出入端子。在輸出入端子T1、T2之間，配置3個LC並聯共振器LC1、LC2、LC3。LC並聯共振器LC1，係以相互並聯連接之電容器C1與電感器L1而構成。同樣地，LC並聯共振器LC2，係以相互並聯連接之電容器C2與電感器L2而構成。此外，LC並聯共振器LC3，係以相互並聯連接之電容器C3與電感器L3而構成。此外，LC並聯共振器LC1與LC2，以及LC並聯共振器LC2與LC3，相互地耦合電磁場。
LC並聯共振器LC1、LC2、LC3，分別地一端與接地連接。此外，在LC並聯共振器LC1之另一端與LC並聯共振器LC2之另一端之間，連接電容器C4。同樣地，在LC並聯共振器LC2之另一端與LC並聯共振器LC3之另一端之間，連接電容器C5。而且，在輸出入端子T1與T2之間，連接電容器C6。該帶通濾波器，使特定之頻帶之信號通過，並具有遮斷除此以外之頻帶之信號之功能。
圖2，係表示本實施形態之帶通濾波器之立體圖。帶通濾波器1，具備有積層體10、表面電極41。而且，積層體10，具有與積層方向(圖中之箭頭方向)垂直之2個主面、連繫2個主面之多個側面。端子2、3、4、5、6、7，係以橫跨積層體10之2個主面與側面之方式而形成。在帶通濾波器1構裝在基板等之時候，成為積層體10之一方之主面構成積層體10之構裝面。
表面電極41，係形成在積層體10之主面上。在本實施形態，表面電極41，例如，係被使用於識別帶通濾波器之構裝方向之用之識別標示。此外，表面電極41，係形成在與構成積層體10之構裝面之積層體10之主面相反之主面。亦即，表面電極41，在構裝時從上部觀看係能夠目視。
在本實施形態，端子5對應圖1之輸出入端子T1，端子3、6對應圖1之接地端子，端子7對應圖1之輸出入端子T2。此外，端子2、4，係未與形成在積層體之內部之內部電極導通之虛擬(dummy)端子。
圖3，係表示本實施形態之帶通濾波器之分解立體圖。帶通濾波器1，係積層在表面形成有內部電極圖案之多個電介質層11a~11k而成。
表面電極41a與端子電極51a、52a、53a、54a、55a、56a，係形成在電介質層11a之表面。線路電極21b、22b、23b，係形成在電介質層11b之表面。線路電極21c、22c、23c，係形成在電介質層11c之表面。線路電極21d、22d、23d，係形成在電介質層11d之表面。引出電極44e、45e，係形成在電介質層11e之表面。電容器電極31f、32f、33f，係形成在電介質層11f之表面。耦合電極42g，係形成在電介質層11g之表面。電容器電極31h、32h、33h，係形成在電介質層11h之表面。電容器電極31i，係形成在電介質層11i之表面。電容器電極31j、32j、33j，係形成在電介質層11j之表面。接地電極46k，係形成在電介質層11k之表面。
通孔電極61、63、65，在積層方向貫通電介質層 11b~11j。此外，通孔電極62、64、66，在積層方向貫通電介質層11b~11i。
線路電極21b、21c、21d之一端，分別與通孔電極61之一端電連接。線路電極21b、21c、21d之另一端，分別與通孔電極62之一端電連接。線路電極21b、21c、21d與通孔電極61、62，構成電感器L1(參照圖1)。此外，通孔電極61之另一端與接地電極46k電連接。通孔電極62之另一端與電容器電極31j電連接。電容器電極31j與接地電極46k，隔著電介質層11j相對向，構成電容器C1(參照圖1)。該等之電感器L1與電容器C1，構成LC並聯共振器LC1。
線路電極22b、22c、22d之一端與通孔電極63之一端電連接。線路電極22b、22c、22d之另一端與通孔電極64之一端電連接。線路電極22b、22c、22d與通孔電極63、64，構成電感器L2(參照圖1)。此外，通孔電極63之另一端與接地電極46k電連接。通孔電極64之另一端與電容器電極32j電連接。電容器電極32j與接地電極46k，隔著電介質層11j相對向，構成電容器C2(參照圖1)。該等之電感器L2與電容器C2，構成LC並聯共振器LC2。
線路電極23b、23c、23d之一端與通孔電極65之一端電連接。線路電極23b、23c、23d之另一端與通孔電極66之一端電連接。線路電極23b、23c、23d與通孔電極65、66，構成電感器L3(參照圖1)。此外，通孔電極65之另一端與接地電極46k電連接。通孔電極66之另一端與電容器電極33j電連接。電容器電極33j與接地電極46k，隔著電 介質層11j相對向，構成電容器C3(參照圖1)。該等之電感器L3與電容器C3，構成LC並聯共振器LC3。
引出電極44e與通孔電極62電連接，其一端與輸出入端子T1(參照圖1)連接。此外，引出電極45e與通孔電極66電連接，其一端與輸出入端子T2(參照圖1)連接。
電容器電極31i，與通孔電極64連接。而且，連接於通孔電極62之電容器電極31h、31j與電容器電極31i，隔著電介質層11h、11i相對向，構成電容器C4(參照圖1)。同樣地，連接於通孔電極66之電容器電極33h、33j與電容器電極31i，隔著電介質層11h、11i相對向，構成電容器C5(參照圖1)。
電容器電極31f、31h與耦合電極42g，隔著電介質層11f、11g相對向。電容器電極32f、32h與耦合電極32g，隔著電介質層11f、11g相對向。電容器電極33f、33h與耦合電極42g，隔著電介質層11f、11g相對向。該等係構成電容器C6(參照圖1)。
在本實施形態，在電介質層11a之表面形成之表面電極41a，在積層體10之一方之主面露出，發揮使帶通濾波器之構裝方向明確之方向性標示之功能。該表面電極41a，在從積層方向觀看時，係最接近該主面之多個內部電極圖案，與在電介質層11b之表面形成之線路電極21b、22b重疊。
因此，隔著電介質層11a，表面電極41a與線路電極21b、22b之間產生雜散電容(圖1之CF )，對帶通濾波器之濾波器特性有不良影響。因此，在本實施形態，使從形成 表面電極41a之主面到最接近主面之內部電極圖案亦即21b、22b、23b之間之電介質層11a之相對電容率，較構成電容器之電介質層11f、11g、11h、11i、11j之相對電容率為低。因此，獲得濾波器之所欲之特性，而且能夠抑制使在表面電極41a與線路電極21b、22b之間所產生之雜散電容之值不影響濾波器特性之程度。另外，在本實施形態，使電介質層11a之相對電容率，較電介質層11b~11k為低。作為電介質層11a之材質之例子，可例舉如低相對電容率之陶瓷或樹脂。
圖4，係本實施形態之積層型LC濾波器之衰減特性之模擬波形結果。圖4表示該通過特性，圖4(A)係表示通帶(passband)與包含該上下之衰減域之頻率範圍之特性，圖4(B)係放大顯示關於該通帶部份。在圖4，虛線，係形成有表面電極41a之積層體10之最外層之電介質層11a(參照圖3)之相對電容率為50且其他之電介質層之相對電容率亦同樣為50之情形之帶通濾波器之通過特性。此外，實線，係最外層之電介質層11a之相對電容率為8且較其他之電介質層之相對電容率之值50為低之情形之帶通濾波器之通過特性。
如由圖4(B)得知，在通帶內之低頻側之2.4GHz附近，實線之波形係較點線之波形之衰減量低0.1dB左右。亦即，使電介質層11a為低相對電容率，藉此，通帶之低通(low-pass)側之衰減量成為更加陡斜，可知作為濾波器將表現出良好之特性。
(第2實施形態)
圖5，係本發明之第2實施形態之雙工器之等效電路圖。P1、P2、P3係輸出入端子。在端子P2與端子P3之間連接電感器LL1。此外，在端子P2與接地之間，電容器CL1與電感器LL2串聯連接。電感器LL1、LL2與電容器CL1，構成雙工器之低通濾波器(low-pass filter)部份。
同樣地，在端子P3與端子P1之間，電容器CH11、CH12串聯連接。此外，在電容器CH11與電容器CH12之連接點與接地之間，電容器CH2與電感器LH串聯連接。電感器LH與電容器CH11、CH12、CH2，構成雙工器之高通濾波器(high-pass filter)部份。
圖6，係表示本實施形態之雙工器之立體圖。端子5係對應圖5之P2，端子7係對應圖5之P1，端子3係對應圖5之P3，端子2、4係對應接地。此外，端子6係虛擬端子。
圖7，係表示本實施形態之雙工器之分解立體圖。雙工器，係積層在表面形成有內部電極圖案之多個電介質層11a~11o而成。
表面電極41a與端子電極51a、52a、53a、54a、55a、56a，形成在電介質層11a之表面。線圈電極24b、25b，形成在電介質層11b之表面。線圈電極24c、25c，形成在電介質層11c之表面。線圈電極24d、25d，形成在電介質層11d之表面。線圈電極24e，形成在電介質層11e之表面。電容器電極34f、35f，形成在電介質層11f之表面。電容器電極34g、35g，形成在電介質層11g之表面。電容器電極 34h、35h，形成在電介質層11h之表面。電容器電極35i，形成在電介質層11i之表面。電容器電極35j，形成在電介質層11j之表面。電容器電極35k，形成在電介質層11k之表面。線圈電極261，形成在電介質層11l之表面。線圈電極26m，形成在電介質層11m之表面。線圈電極26n，形成在電介質層11n之表面。接地電極46o，形成在電介質層11o之表面。
通孔電極67，在積層方向貫通電介質層11b~11d。通孔電極68，在積層方向貫通電介質層11b、11c。通孔電極69，在積層方向貫通電介質層11l、11m。通孔電極70，在積層方向貫通電介質層11g~11k。通孔電極71，在積層方向貫通電介質層11g~11j。通孔電極72，在積層方向貫通電介質層11d~11g。
關於圖5~圖7之對應關係在以下進行說明。線圈電極24b之一端，與端子3(參照圖6、圖5之P3)連接。此外，線圈電極24b、24c、24d、24e，藉由通孔電極67而相互連接。線圈電極24b、24c、24d、24e與通孔電極67，構成線圈LL1。線圈電極24e之一端，與端子5(參照圖6、圖5之P2)連接。
電容器電極34f、34h之一端，與端子5(參照圖6、圖5之P2)連接。電容器電極34f、34h與電容器電極34g，隔著電介質層11f、11g相對向，構成電容器CL1。電容器電極34g之一端與線圈電極261，藉由通孔電極70連接。
線圈電極26l、26m、26n藉由通孔電極69而相互連接。 線圈電極26l、26m、26n與通孔電極69，構成線圈LL2。線圈電極26n之一端，與端子2(參照圖6、圖5之接地)連接。
線圈電極25b之一端，與端子6(參照圖6、圖5之接地)連接。此外，線圈電極25b、25c、25d，藉由通孔電極68連接。線圈電極25b、25c、25d與通孔電極68，構成線圈LH。線圈電極25d與電容器電極35h，藉由通孔電極72連接。
電容器電極35h與電容器電極35g、35i，隔著電介質層11g、11h相對向，構成電容器CH2。電容器電極35g、35i、35k，藉由通孔電極71連接。
電容器電極35i、35k與電容器電極35j，隔著電介質層11i、11j相對向，構成電容器CH12。電容器電極35j之一端，與端子7(參照圖6、圖5之P1)連接。
電容器電極35f與電容器電極35g，隔著電介質層11f相對向，構成電容器CH11。電容器電極35f之一端，與端子3(參照圖6、圖5之P3)連接。
在本實施形態，最接近形成有表面電極41a之主面之內部電極圖案亦即線圈電極24b、25b，分別構成線圈。
圖8，係表示圖7之表面電極41a與線圈電極24b之位置關係之示意俯視圖。表面電極41a，在從積層方向觀看時，係以與線圈電極24b之多個部份重疊之方式而形成。在本實施形態，線圈電極24b係螺旋(helical)形狀，表面電極41a，係在圖8之斜線部份之2個部位以與線圈電極24b 重疊之方式而形成。在該情形，亦隔著電介質層11a，在表面電極41a與線圈電極24b之間產生雜散電容，降低積層型LC濾波器之特性。因此，使電介質層11a之相對電容率，藉由較構成電容器之電介質層11f、11g、11h、11i、11j、11k為低，而能夠抑制特性降低。
圖9，係構成本實施形態之雙工器之高通濾波器之通過特性之模擬波形。圖9(A)，係該寬通帶之通過特性，圖9(B)係該截斷頻率附近之放大圖。虛線，係最外層之電介質層11a(參照圖7)之相對電容率為50且其他之電介質層之相對電容率亦同為50之情形之雙工器之通過特性。此外，實線，係最外層之電介質層11a之相對電容率為8且較其他之電介質層之相對電容率50為低之情形之雙工器之通過特性。
在線圈電極24b與表面電極41a之間產生之雜散電容，在高通濾波器部份，係作為連接於端子P1、端子P3間與接地端子間之電容器而引起。藉此，位在高通濾波器之高頻率側之衰減極之頻率降低，因此在虛線之波形係為降低了衰減特性。
另一方面，在最外層之電介質層11a之相對電容率較其他之電介質層之相對電容率為低之實線之波形之場合，可抑制雜散電容之產生導致之衰減極之頻率之降低。因此，在較寬之頻率通帶之範圍，維持了良好之衰減特性。
另外，本實施形態，說明了關於在緊鄰表面電極之下方之線圈係為螺旋線圈之例子，但其他之線圈亦發揮本發明之效果。圖10，係表示線圈與內部電極之位置關係之示 意俯視圖，係改變線圈之種類者。圖10(A)係螺旋(spiral)線圈之例子，圖10(B)係蜿蜒(meander)線圈之例子。從積層方向觀看，在表面電極41之下部具有線圈電極24之情形，藉由線圈電極24與表面電極41間之電位差，在線圈電極24與表面電極41間產生雜散電容。該雜散電容，成為雙工器之高頻率區域之特性惡化之主因。因此，使從形成有表面電極41之主面到最接近主面之內部電極圖案亦即線圈電極24之間之電介質層11之相對電容率降低，藉此能夠抑制雜散電容之影響。
此外，本實施形態，已說明關於以橫跨雙工器中之1個線圈之線圈電極之方式形成有表面電極，但表面電極以橫跨多個線圈之線圈電極間、電容器電極間或是線圈電極與電容器電極間之方式而形成亦可。此外，不僅雙工器(diplexer)，關於三工器(triplexer)亦能適用。
(第3實施形態)
圖11，係表示本發明之第3實施形態之積層型LC濾波器之分解立體圖。本實施形態之積層型LC濾波器係以積層電介質層11a~11l之積層體而構成。在電介質層11a之表面，形成有與積層體內部之接地電極產生雜散電容問題之表面電極41a、41b與其他之端子電極51a、52a、53a、54a、55a、56a。在電介質層11b之表面形成有接地電極46b。在電介質層11d之表面形成有線圈電極27d、28d。在電介質層11e之表面形成有線圈電極27e、28e。在電介質層11g之表面形成有接地電極47g、48g。在電介質層11h之表面 形成有電容器電極36h、37h。在電介質層11i之表面形成有耦合電極42i。在電介質層11j之表面形成有電容器電極36j、37j。在電介質層11k之表面形成有接地電極46k。
線圈電極27d、28d之一端，藉由貫通電介質層11d之通孔電極，分別與線圈電極27e、28e連接。線圈電極27d、27e，與線圈電極28d、28e分別構成電感器。線圈電極27d、28d之另一端分別在積層體之一方側面與另一方側面引出。
電容器電極36h、36j，分別在積層體之一方側面引出，藉由在該側面形成之側面電極而相互連接。電容器電極36h隔著電介質層11g與接地電極47g相對向，構成電容。電容器電極36j隔著電介質層11j與接地電極46k相對向，構成電容。同樣地，電容器電極37h、37j，分別在積層體之另一方側面引出，藉由在該側面形成之側面電極而相互連接。電容器電極37h隔著電介質層11g與接地電極48g相對向，構成電容。電容器電極37j隔著電介質層11j與接地電極46k相對向，構成電容。
耦合電極42i，隔著電介質層11h、11i，電容器電極36h、37h與電容器電極36j、37j分別相對向，構成耦合電容。
藉由上述電容與電感器，構成本實施形態之積層濾波器。
此外，表面電極41a，藉由在積層體之一方之側面所形成之側面電極，連接於線圈電極27d與電容器電極36h、36j。表面電極41b，藉由在積層體之另一方之側面所形成 之側面電極，連接於線圈電極28d與電容器電極37h、37j。表面電極41a、41b，相當於本實施形態之積層LC濾波器之輸出入端子。
在本實施形態，表面電極41a、41b、端子電極51a~56a，係被使用於積層型LC濾波器之構裝之構裝電極。構裝電極，使積層型LC濾波器構裝於基板之際，透過焊錫等之接合材料與基板的板面(land)接合。表面電極41a，形成在構成積層體之構裝面之積層體之一方之主面上。而且，最接近與構裝面相對向之主面之內部電極圖案成為接地電極46b。
而且，在本實施形態，從形成有表面電極41a、41b、端子電極51a~56a之主面到最接近主面之接地電極46b之間之電介質層11a之相對電容率，較構成電容器之電介質層11g、11h、11i、11j之相對電容率為低。在該情形，能夠抑制在接地電極46b與成為輸出入端子之表面電極41a、41b之間產生之雜散電容，能夠使積層LC濾波器之特性安定。
另外，本實施形態並未限定於上述之實施形態者，在未脫離要旨之範圍可以做各種的變更。
1‧‧‧積層型LC濾波器(帶通濾波器、雙工器)
2、3、4、5、6、7‧‧‧端子
10‧‧‧積層體
11‧‧‧電介質層
21、22、23‧‧‧線路電極
24、25、26‧‧‧線圈電極
27、28‧‧‧線圈電極
31、32、33‧‧‧電容器電極
34、35‧‧‧電容器電極
36、37‧‧‧電容器電極
41‧‧‧表面電極
42‧‧‧耦合電極
43‧‧‧電容器電極
44、45‧‧‧引出電極
46‧‧‧接地電極
47、48‧‧‧接地電極
51、52、53、54、55、56‧‧‧端子電極
61、62、63、64、65、66‧‧‧通孔電極
67、68、69、70、71、72‧‧‧通孔電極
101、102、103、104、105‧‧‧電介質層
109‧‧‧接地電極
111‧‧‧電容器電極
116‧‧‧路電極
131、141‧‧‧通孔電極
圖1，係關於本發明之第1實施型態之帶通濾波器之等效電路。
圖2，係表示關於本發明之第1實施型態之帶通濾波器之立體圖。
圖3，係表示關於本發明之第1實施型態之帶通濾波器 之分解立體圖。
圖4，係關於本發明之第1實施型態之帶通濾波器之模擬之波形結果。
圖5，係本發明之第2實施型態之雙工器之等效電路圖。
圖6，係表示本發明之第2實施型態之雙工器之立體圖。
圖7，係表示本發明之第2實施型態之雙工器之分解立體圖。
圖8，係表示圖7之表面電極與線圈電極之位置關係之示意俯視圖。
圖9，係本發明之第2實施型態之雙工器之模擬之波形結果。
圖10，係表示線圈與內部電極之位置關係之示意俯視圖。
圖11，係表示本發明之第3實施形態之積層型LC濾波器之分解立體圖。
圖12，係表示習知之積層型LC濾波器之分解立體圖。
1‧‧‧帶通濾波器
2‧‧‧端子
3(GND)‧‧‧端子(接地端子GND)
4‧‧‧端子
5(T1)‧‧‧端子(輸出入端子T1)
6(GND)‧‧‧端子(接地端子GND)
7(T2)‧‧‧端子(輸出入端子T2)
10‧‧‧積層體
41‧‧‧表面電極

Claims (8)

  1. 一種積層型LC濾波器，其特徵在於具備有：積層體，係在表面形成有內部電極圖案之多個電介質層積層而成，該電介質層與該內部電極圖案構成線圈及電容器，具有與積層方向垂直之2個主面；表面電極，係形成在該積層體之主面上；其中，從形成有該表面電極之該主面到最接近該主面之內部電極圖案之間之電介質層之相對電容率，較構成該電容器之電介質層之相對電容率為低。
  2. 如申請專利範圍第1項之積層型LC濾波器，其中，該表面電極係用於識別之用之識別標示；該積層體之一方之主面，構成該積層體之構裝面；該表面電極，形成於該積層體之另一方之主面上。
  3. 如申請專利範圍第1項之積層型LC濾波器，其中，該表面電極，在從積層方向觀看時，係以與最接近形成有該表面電極之主面之內部電極圖案在多個部位重疊之方式而形成。
  4. 如申請專利範圍第2項之積層型LC濾波器，其中，該表面電極，在從積層方向觀看時，係以與最接近形成有該表面電極之主面之內部電極圖案在多個部位重疊之方式而形成。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之積層型LC濾波器，其中，最接近形成有該表面電極之主面之內部電極圖案，係在同一電介質層上形成多個； 該表面電極，在從積層方向觀看時，係以與多個內部電極圖案重疊之方式而形成。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之積層型LC濾波器，其中，最接近形成有該表面電極之主面之1個或多個內部電極圖案構成線圈；該表面電極，在從積層方向觀看時，係以與該內部電極圖案之中之1個內部電極圖案之多個部份重疊之方式而形成。
  7. 如申請專利範圍第5項之積層型LC濾波器，其中，最接近形成有該表面電極之主面之1個或多個內部電極圖案構成線圈；該表面電極，在從積層方向觀看時，係以與該內部電極圖案之中之1個內部電極圖案之多個部份重疊之方式而形成。
  8. 如申請專利範圍第1項之積層型LC濾波器，其中，該表面電極，係被使用於該積層型LC濾波器之構裝之構裝電極；該積層體之一方之主面，構成該積層體之構裝面；該表面電極，形成在該一方之主面上；最接近與該積層體之構裝面相對向之主面之內部電極圖案係接地電極。
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