TWI594572B - 電子零件 - Google Patents

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TWI594572B
TWI594572B TW104138044A TW104138044A TWI594572B TW I594572 B TWI594572 B TW I594572B TW 104138044 A TW104138044 A TW 104138044A TW 104138044 A TW104138044 A TW 104138044A TW I594572 B TWI594572 B TW I594572B
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Akira Tanaka
Naoshi Ishimaru
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Murata Manufacturing Co
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Description

電子零件
本發明係關於一種電子零件,更特定而言,係關於一種具備複數個LC並聯諧振器之電子零件。
作為關於習知電子零件之發明,已知有例如專利文獻1記載之積層帶通濾波器。該積層帶通濾波器具備四個LC並聯諧振器。LC並聯諧振器在左右方向排成一列,彼此磁耦合。以上述方式構成之積層帶通濾波器具有帶通濾波器之功能。
又,在積層帶通濾波器之變形例,追加連接於設在兩端之二個LC並聯諧振器之間之電容器。藉此,可調整衰減極之頻率。
然而,專利文獻1記載之積層帶通濾波器,不易獲得所欲之通過特性。更詳細而言,積層帶通濾波器,當追加了電容器時,所有衰減極之頻率即產生變化。其結果,積層帶通濾波器,不易獲得所欲之通過特性。
專利文獻1:國際公開2007/119356號(尤其是圖46及圖47)
因此,本發明之目的在於提供一種可輕易獲得所欲之通過特性之電子零件。
本發明一形態之電子零件,具備:積層體,由複數個絕緣體 層在積層方向積層構成;二個以上之第一LC並聯諧振器,在與該積層方向正交之正交方向排列,且分別包含第1電感器及第1電容器;二個第二LC並聯諧振器,係以從該正交方向兩側夾著該二個以上之第一LC並聯諧振器之方式配置,且分別包含第2電感器及第2電容器;第2電容器,係連接於該二個第二LC並聯諧振器之一端;以及第1連接導體,將在該正交方向不相鄰之二個該第一LC並聯諧振器加以連接,或者將在該正交方向不相鄰之該第一LC並聯諧振器與該第二LC並聯諧振器之二個LC並聯諧振器加以連接;該二個以上之第一LC並聯諧振器及該二個第二LC並聯諧振器,藉由在該正交方向相鄰且彼此磁耦合構成帶通濾波器。
根據本發明,可輕易獲得所欲之通過特性。
10a~10e‧‧‧電子零件
12‧‧‧積層體
14a~14c‧‧‧外部電極
16a~16i‧‧‧絕緣體層
18a~18d‧‧‧電感器導體層
20a~20d,22‧‧‧電容器導體層
21‧‧‧接地導體層
30a,30b‧‧‧連接導體層
C1~C5,C11,C12‧‧‧電容器
L1~L5,L11~L13‧‧‧電感器
LC1~LC5‧‧‧LC並聯諧振器
S1~S4‧‧‧環面
v1~v8,v11,v12,v21~v26‧‧‧通孔導體
圖1係第1實施形態之電子零件10a之等效電路圖。
圖2係電子零件10a~10e之外觀立體圖。
圖3A係電子零件10a之分解立體圖。
圖3B係從上側透視電子零件10a之圖。
圖4係顯示第1模型之通過特性(S21)之圖表。
圖5係顯示第2模型之通過特性(S21)之圖表。
圖6係顯示第3模型之通過特性(S21)之圖表。
圖7係第2實施形態之電子零件10b之等效電路圖。
圖8係電子零件10b之分解立體圖。
圖9係電子零件10c之分解立體圖。
圖10係電子零件10d之等效電路圖。
圖11係電子零件10e之等效電路圖。
(第1實施形態)
以下,參照圖式說明本發明第1實施形態之電子零件。圖1係第1實施形態之電子零件10a之等效電路圖。
首先,參照圖式說明電子零件10a之等效電路。電子零件10a,如圖1所示,具備電感器L1~L4,L11,L12、電容器C1~C4,C11、及外部電極14a~14c作為等效電路之構成,為使既定頻帶之高頻訊號通過之帶通濾波器。
外部電極14a,14b係輸出入高頻訊號之輸出入端子。外部電極14c係接地之接地端子。
電感器L1(第2電感器之一例)與電容器C1(第2電容器之一例)彼此並聯,構成LC並聯諧振器LC1(第二LC並聯諧振器之一例)。LC並聯諧振器LC1之諧振頻率為f1。電感器L2(第1電感器之一例)與電容器C2(第1電容器之一例)彼此並聯,構成LC並聯諧振器LC2(第一LC並聯諧振器之一例)。LC並聯諧振器LC2之諧振頻率為f2。電感器L3(第1電感器之一例)與電容器C3(第1電容器之一例)彼此並聯,構成LC並聯諧振器LC3(第一LC並聯諧振器之一例)。LC並聯諧振器LC3之諧振頻率為f3。電感器L4(第2電感器之一例)與電容器C4(第2電容器之一例)彼此並聯,構成LC並聯諧振器LC4(第二LC並聯諧振器之一例)。LC並聯諧振器LC4之諧振頻率為f4。
LC並聯諧振器LC1之一端連接於外部電極14a。LC並聯諧振器LC4之一端連接於外部電極14b。再者,LC並聯諧振器LC1~LC4依序排列於外部電極14a至外部電極14b之間。LC並聯諧振器LC1~LC4彼此相鄰且磁耦合,LC並聯諧振器LC1~LC4構成帶通濾波器。又,LC並聯諧振器LC1~LC4之另一端連接於外部電極14c。
電容器C11,藉由連接於外部電極14a與外部電極14b之間,連接於LC並聯諧振器LC1之一端與LC並聯諧振器LC4之一端之間。
電感器L11將未相鄰之電感器L1(LC並聯諧振器LC1)與電感器L3(LC並聯諧振器LC3)加以連接。電感器L12將未相鄰之電感器L2(LC並聯諧振器LC2)與電感器L4(LC並聯諧振器LC4)加以連接。
以上述方式構成之電子零件10a,構成使f1~f4附近之頻率之高頻訊號從外部電極14a往外部電極14b通過之帶通濾波器。更詳細而言,LC並聯諧振器LC1~LC4之阻抗值,當f1~f4附近之高頻訊號從外部電極14a輸入時,即成為最大。因此,f1~f4附近之頻率之高頻訊號,由於無法通過LC並聯諧振器LC1~LC4,因此不會從外部電極14c輸出。其結果,f1~f4附近之頻率之高頻訊號從外部電極14b輸出。又,f1~f4附近之頻率以外之高頻訊號,通過LC並聯諧振器LC1~LC4,從外部電極14c輸出。
接著,參照圖式說明電子零件10a之具體構成。圖2係電子零件10a之外觀立體圖。圖3A係電子零件10a之分解立體圖。圖3B係從上側透視電子零件10a之圖。圖3B中僅顯示積層體12、電感器導體層18a~18d、及通孔導體v1~v8。在以下,將電子零件10a之積層方向定義成上下方向(下側為積層方向之一側之一例,上側為積層方向之另一側之一例)。 又,從上側俯視電子零件10a時,將電子零件10a之長邊延伸之方向定義成左右方向(正交方向之一例/右側為正交方向之一側之一例,左側為正交方向之另一側之一例),將電子零件10a之短邊延伸之方向定義成前後方向。上下方向、前後方向及左右方向彼此正交。
電子零件10a具備積層體12、外部電極14a~14c、電感器導體層18a~18d、電容器導體層20a~20d,22、接地導體層21、連接導體層30a,30b、及通孔導體v1~v8,v11,v12,v21~v26(層間連接導體之一例)。
積層體12呈長方體狀,由絕緣體層16a~16i從上側往下側依序排列積層構成。絕緣體層16a~16i,從上側俯視時,呈長方形狀,例如由陶瓷等製作。在以下,將絕緣體層16a~16i之上側主面稱為表面,將絕緣體層16a~16i之下側主面稱為背面。
電感器導體層18a~18d係設在絕緣體層16b之表面上之帶狀導體層,分別往絕緣體層16b之前後方向延伸。
通孔導體v1(第3層間連接導體之一例)在上下方向貫通絕緣體層16b~16g。通孔導體v1之上端連接於電感器導體層18a之前端。藉此,通孔導體v1從電感器導體層18a朝向下側延伸。
通孔導體v2(第4層間連接導體之一例)在上下方向貫通絕緣體層16b~16f。通孔導體v2之上端連接於電感器導體層18a之後端。
以上述方式構成之電感器導體層18a(第2電感器導體層之一例)及通孔導體v1,v2包含於電感器L1。藉此,電感器L1,從左側俯視時,呈朝向下側開口之直角U字形。
電容器導體層20a,20d(第2電容器導體層之一例)係設在絕 緣體層16h之表面上之帶狀導體層。電容器導體層20a,20d,在絕緣體層16h之左右側之短邊附近往前後方向延伸。
接地導體層21(第1接地導體層及第2接地導體層之一例)係設在絕緣體層16g之表面上之矩形導體層。接地導體層21覆蓋絕緣體層16g之大致整面。藉此,電容器導體層20a隔著絕緣體層16g與接地導體層21對向。然而,接地導體層21之右前方之角及左前方之角,由於通孔導體v1,v7通過,因此被切開。
以上述方式構成之電容器導體層20a及接地導體層21包含於電容器C1。又,通孔導體v1之下端連接於電容器導體層20a。通孔導體v2之下端連接於接地導體層21。藉此,電感器L1與電容器C1彼此並聯,構成LC並聯諧振器LC1。
通孔導體v3,v5(第2層間連接導體之一例)在上下方向貫通絕緣體層16b~16i。通孔導體v3之上端連接於電感器導體層18b之前端。通孔導體v5之上端連接於電感器導體層18c之前端。
通孔導體v4,v6(第1層間連接導體之一例)在上下方向貫通絕緣體層16b~16e。通孔導體v4之上端連接於電感器導體層18b之後端。通孔導體v6之上端連接於電感器導體層18c之後端。
以上述方式構成之電感器導體層18b(第1電感器導體層之一例)及通孔導體v3,v4包含於電感器L2。藉此,電感器L2,從左側俯視時,呈朝向下側開口之直角U字形。同樣地,電感器導體層18c(第1電感器導體層之一例)及通孔導體v5,v6包含於電感器L3。藉此,電感器L3,從左側俯視時,呈朝向下側開口之直角U字形。
電容器導體層20b,20c(第1電容器導體層之一例)係設在絕緣體層16f之表面上之矩形導體層。電容器導體層20b,20c,在絕緣體層16f之後側之長邊中央附近相鄰設置,隔著絕緣體層16f與接地導體層21對向。
以上述方式構成之電容器導體層20b及接地導體層21包含於電容器C2。又,通孔導體v3之下端連接於接地導體層21。通孔導體v4之下端連接於電容器導體層20b。藉此,電感器L2與電容器C2彼此並聯,構成LC並聯諧振器LC2。LC並聯諧振器LC2相對於LC並聯諧振器LC1位於右側。又,電容器導體層20c及接地導體層21包含於電容器C3。又,通孔導體v5之下端連接於接地導體層21。通孔導體v6之下端連接於電容器導體層20c。藉此,電感器L3與電容器C3彼此並聯,構成LC並聯諧振器LC3。LC並聯諧振器LC3相對於LC並聯諧振器LC4位於左側。
通孔導體v7(第3層間連接導體之一例)在上下方向貫通絕緣體層16b~16g。通孔導體v7之上端連接於電感器導體層18d之前端。
通孔導體v8(第4層間連接導體之一例)在上下方向貫通絕緣體層16b~16f。通孔導體v8之上端連接於電感器導體層18d之後端。藉此,通孔導體v8從電感器導體層18d朝向下側延伸。
以上述方式構成之電感器導體層18d(第2電感器導體層之一例)及通孔導體v7,v8包含於電感器L4。藉此,電感器L4,從左側俯視時,呈朝向下側開口之直角U字形。
以上述方式構成之電容器導體層20d及接地導體層21包含於電容器C4。又,通孔導體v7之下端連接於電容器導體層20d。通孔導體v8之下端連接於接地導體層21。藉此,電感器L4與電容器C4彼此並聯, 構成LC並聯諧振器LC4。
以上述方式構成之LC並聯諧振器LC1~LC4,如圖3B所示,形成由電感器L1~L4及電容器C1~C4所圍繞且與上下方向實質上平行之環面S1~S4。各環面係通過各電感器導體層之左右方向之平面。
通孔導體v21~v26在上下方向貫通絕緣體層16g~16i。通孔導體v21~v26之上端連接於接地導體層21。通孔導體v21~v26之下端連接於外部電極14c。藉此,LC並聯諧振器LC1~LC4連接於外部電極14c。
以上述方式構成之LC並聯諧振器LC1~LC4,從左側往右側依序排列。
是以,LC並聯諧振器LC1~LC4之環面S1~S4係在左右方向彼此相鄰者相對向。具體而言,環面S1(第2環面之一例)與環面S2(第1環面之一例)對向。環面S2與環面S3(第1環面之一例)對向。環面S3與環面S4(第2環面之一例)對向。藉此,LC並聯諧振器LC1~LC4,由在左右方向彼此相鄰者磁耦合,據以構成帶通濾波器。
電容器導體層22係設在絕緣體層16e之表面上之帶狀導體層。電容器導體層22,在絕緣體層16e之前側之長邊附近往左右方向延伸。藉此,電容器導體層22,從上側俯視時,與電容器導體層20a,20d之前端重疊。因此,在電容器導體層20a與電容器導體層20d之間隔著電容器導體層22形成有電容器C11。此外,電容器導體層22與電感器導體層18a~18d或接地導體層21在俯視時未重疊。
連接導體層30a(第1連接導體之一例)係設在絕緣體層16c之表面上之線狀導體層。連接導體層30a將在左右方向未相鄰之電感器 L1(LC並聯諧振器LC1)與電感器L3(LC並聯諧振器LC3)之二個電感器(LC並聯諧振器)加以連接。亦即,連接導體層30a將電感器L1,L4(LC並聯諧振器LC1,LC4)之中位於左側之電感器L1(LC並聯諧振器LC1)、與電感器L2,L3(LC並聯諧振器LC2,LC3)之中位於右側之電感器L3(LC並聯諧振器LC3)加以連接。連接導體層30a之前端連接於通孔導體v5。連接導體層30a之後端連接於通孔導體v2。連接導體層30a包含在電感器L11。
連接導體層30b(第2連接導體之一例)係設在絕緣體層16d之表面上之線狀導體層。連接導體層30b將在左右方向未相鄰之電感器L2(LC並聯諧振器LC2)與電感器L4(LC並聯諧振器LC4)之二個電感器(LC並聯諧振器)加以連接。亦即,連接導體層30b將電感器L1,L4(LC並聯諧振器LC1,LC4)之中位於右側之電感器L4(LC並聯諧振器LC4)、與電感器L2,L3(LC並聯諧振器LC2,LC3)之中位於左側之電感器L2(LC並聯諧振器LC2)加以連接。連接導體層30b之前端連接於通孔導體v3。連接導體層30b之後端連接於通孔導體v8。連接導體層30b包含在電感器L12。
又,連接導體層30a與連接導體層30b,從上側俯視時交叉。藉此,連接導體層30a與連接導體層30b磁耦合。
(效果)
根據本實施形態之電子零件10a,可輕易獲得所欲之通過特性。以下,參照圖式進行說明。圖4係顯示第1模型之通過特性(S21)之圖表。圖5係顯示第2模型之通過特性(S21)之圖表。圖6係顯示第3模型之通過特性(S21)之圖表。圖4至圖6之縱軸表示|S21|,圖4至圖6之橫軸表示頻率。S21係從外部電極14b輸出之高頻訊號之強度相對於從外部電極14a輸入之高頻 訊號之強度之比值。
本申請發明人製作以下說明之第1模型至第3模型,藉由電腦模擬運算各模型之通過特性。第1模型,係在電子零件10a除去連接導體層30a,30b且使電容器導體層22之線寬變粗、或者使電容器導體層22位於電子零件10a下側之模型。第2模型,係在電子零件10a除去連接導體層30a,30b之模型。第3模型,係電子零件10a之模型。第2模型之電容器導體層22之線寬與第3模型之電容器導體層22之線寬相等。此外,第1模型及第2模型係比較例之模型。
第1模型之通過特性係圖4所示之特性。在第1模型之通過特性,在低於通過頻帶之頻率形成衰減極P1,P2,在高於通過頻帶之頻率形成衰減極P3,P4。在上述第1模型,存在有獲得使在衰減極P1~P4之衰減量變大、在通過頻帶兩端急速上升急速下降之通過特性之期盼。
因此,考慮使第2模型之電容器導體層22之線寬較第1模型之電容器導體層22之線寬細、或者使電容器導體層22位於下側。藉此,電容器C11之電容值變小。其結果,如圖5所示,在衰減極P3之衰減極變大,通過特性在通過頻帶之高頻側急速下降。
然而,當電容器C11之電容值變小時,如圖5所示,衰減極P1與衰減極P2即接近。其結果,衰減極P1,P2消滅,成為緩和之波形。是以,通過特性不會在通過頻帶之低頻側急速上升。
因此,在第3模型,設有連接導體層30a,30b。藉此,LC並聯諧振器LC1與LC並聯諧振器LC3磁耦合,LC並聯諧振器LC2與LC並聯諧振器LC4磁耦合。其結果,衰減極P3與衰減極P4之位置關係不會變 化,衰減極P1與衰減極P2分離,衰減極P1,P2出現。再者,在第3模型之衰減極P1之衰減量大於在第1模型之衰減極P1,P2之衰減量。亦即,在第3模型,獲得在通過頻帶兩端急速上升急速下降之通過特性。
如上述,可調整電容器C11之電容值,且藉由設置連接導體層30a,30b調整形成在通過頻帶兩端之衰減極P1~P4之各個之衰減量及頻率。其結果,根據電子零件10a,可輕易獲得所欲之通過特性。
又,在電子零件10a,連接導體層30a,30b,從上側俯視時,彼此重疊。藉此,在連接導體層30a,30b間容易產生磁耦合及電耦合。是以,藉由調整連接導體層30a與連接導體層30b重疊之面積,可調整磁耦合及電耦合。其結果,可調整電子零件10a之通過特性。
(第2實施形態)
以下,參照圖式說明第2實施形態之電子零件。圖7係第2實施形態之電子零件10b之等效電路圖。圖8係電子零件10b之分解立體圖。
電子零件10b,如圖7及圖8所示,在未設置電感器L12(連接導體層30b)之點,與電子零件10a不同。如上述,電感器L11(連接導體層30a)與電感器L12(連接導體層30b)只要設置任一者即可。
在以上述方式構成之電子零件10b,亦可獲得與電子零件10a相同之作用效果。
(第3實施形態)
以下,參照圖式說明第3實施形態之電子零件。圖9係電子零件10c之分解立體圖。
電子零件10c,如圖9所示,在連接導體層30a與連接導體 層30b從上側俯視時未交叉之點、及LC並聯諧振器LC3之方向,與電子零件10a不同。如上述,在不欲連接導體層30a與連接導體層30b較強磁耦合及電耦合之情形,只要使連接導體層30a,30b不交叉即可。
在以上述方式構成之電子零件10c,亦可獲得與電子零件10a相同之作用效果。
(第4實施形態)
以下,參照圖式說明第4實施形態之電子零件。圖10係電子零件10d之等效電路圖。
電子零件10d,如圖10所示,在設置電容器C12以替代電感器L12之點,與電子零件10a不同。
在以上述方式構成之電子零件10d,亦可獲得與電子零件10a相同之作用效果。
(第5實施形態)
以下,參照圖式說明第5實施形態之電子零件。圖11係電子零件10e之等效電路圖。
電子零件10e,如圖11所示,在具備LC並聯諧振器LC1~LC5之點,與電子零件10a不同。如上述,電子零件10e亦可具備五個以上之LC並聯諧振器。
又,在電子零件10e,電感器L13將在左右方向未相鄰之二個LC並聯諧振器LC2與LC並聯諧振器LC4加以連接。
在以上述方式構成之電子零件10e,亦可獲得與電子零件10a相同之作用效果。
此外,在電子零件10e,電感器L13只要例如將在左右方向未相鄰之二個LC並聯諧振器加以連接即可。是以,電感器L13亦可將LC並聯諧振器LC1與LC並聯諧振器LC3加以連接,亦可將LC並聯諧振器LC1與LC並聯諧振器LC4加以連接。又,電感器L13亦可將LC並聯諧振器LC2與LC並聯諧振器LC5加以連接,亦可將LC並聯諧振器LC3與LC並聯諧振器LC5加以連接。
是以,電感器L13只要將LC並聯諧振器LC2~LC4之中在左右方向未相鄰之二個LC並聯諧振器LC2~LC4加以連接,或者將LC並聯諧振器LC1~LC5之中在左右方向未相鄰之LC並聯諧振器LC1,LC5之任一者與LC並聯諧振器LC2~LC4之任一者之二個LC並聯諧振器加以連接即可。然而,電感器L13不可將位於兩端之LC並聯諧振器LC1與LC並聯諧振器LC5加以連接。
(其他實施形態)
本發明之電子零件並不限於上述電子零件10a~10e,可在其要旨範圍內進行變更。
此外,亦可任意組合電子零件10a~10e之構成。
此外,環面S1~S4彼此亦可不平行。
如上述,本發明可用於電子零件,尤其是在可輕易獲得所欲之通過特性之點優異。
10a‧‧‧電子零件
12‧‧‧積層體
14a~14c‧‧‧外部電極
16a~16i‧‧‧絕緣體層
18a~18d‧‧‧電感器導體層
20a~20d,22‧‧‧電容器導體層
21‧‧‧接地導體層
30a,30b‧‧‧連接導體層
v1~v8,v11,v12,v21~v26‧‧‧通孔導體

Claims (10)

  1. 一種電子零件,具備:積層體,由複數個絕緣體層在積層方向積層構成;二個以上之第一LC並聯諧振器,在與該積層方向正交之正交方向排列,且分別包含第1電感器及第1電容器;二個第二LC並聯諧振器,係以從該正交方向兩側夾著該二個以上之第一LC並聯諧振器之方式配置,且分別包含第2電感器及第2電容器;第3電容器,係連接於該二個第二LC並聯諧振器之一端;以及第1連接導體,將在該正交方向不相鄰之二個該第一LC並聯諧振器加以連接,或者將在該正交方向不相鄰之該第一LC並聯諧振器與該第二LC並聯諧振器之二個LC並聯諧振器加以連接;該二個以上之第一LC並聯諧振器及該二個第二LC並聯諧振器,由在該正交方向彼此相鄰者磁耦合,據以構成帶通濾波器。
  2. 如申請專利範圍第1項之電子零件,其中,該第一LC並聯諧振器設有二個;該第1連接導體,將二個該第一LC並聯諧振器中位於該正交方向一側之該第一LC並聯諧振器、與二個該第二LC並聯諧振器中位於該正交方向另一側之該第二LC並聯諧振器加以連接;進一步具備第2連接導體,該第2連接導體,將二個該第一LC並聯諧振器中位於該正交方向另一側之該第一LC並聯諧振器、與二個該第二LC並聯諧振器中位於該正交方向一側之該第二LC並聯諧振器加以連接。
  3. 如申請專利範圍第2項之電子零件,其中,該第1連接導體及該第2 連接導體,係設在該絕緣體層上之導體層;該第1連接導體與該第2連接導體,從該積層方向俯視時交叉。
  4. 如申請專利範圍第2項之電子零件,其中,該第1連接導體及該第2連接導體,係設在該絕緣體層上之導體層;該第1連接導體與該第2連接導體,從該積層方向俯視時未交叉。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之電子零件,其中,各該第一LC並聯諧振器,形成該第1電感器及該第1電容器所圍繞、與該積層方向實質上平行之第1環面;各該第二LC並聯諧振器,形成該第2電感器及該第2電容器所圍繞、與該積層方向實質上平行之第2環面。
  6. 如申請專利範圍第5項之電子零件,其中,該第1電感器包含在該積層方向貫通該絕緣體層之第1層間連接導體及第2層間連接導體、與設在該絕緣體層上之第1電感器導體層;該第1層間連接導體及該第2層間連接導體,從該第1電感器導體層朝向該積層方向一側延伸;該第2電感器包含在該積層方向貫通該絕緣體層之第3層間連接導體及第4層間連接導體、與設在該絕緣體層上之第2電感器導體層;該第3層間連接導體及該第4層間連接導體,從該第2電感器導體層朝向該積層方向一側延伸。
  7. 如申請專利範圍第6項之電子零件,其中,該第1電容器係由隔著該絕緣體層對向之第1電容器導體層及第1接地導體層構成;該第2電容器係由隔著該絕緣體層對向之第2電容器導體層及第2接 地導體層構成;該第1層間連接導體係連接於該第1電容器導體層;該第2層間連接導體係連接於該第1接地導體層;該第3層間連接導體係連接於該第2電容器導體層;該第4層間連接導體係連接於該第2接地導體層。
  8. 如申請專利範圍第5項之電子零件,其中,二個以上之該第1環面及二個以上之該第2環面,在該正交方向彼此相鄰者相對向。
  9. 如申請專利範圍第6項之電子零件,其中,二個以上之該第1環面及二個以上之該第2環面,在該正交方向彼此相鄰者相對向。
  10. 如申請專利範圍第7項之電子零件,其中,二個以上之該第1環面及二個以上之該第2環面,在該正交方向彼此相鄰者相對向。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10931192B2 (en) * 2016-09-09 2021-02-23 Texas Instruments Incorporated Discrete capacitor structure
TWI643454B (zh) * 2016-10-05 2018-12-01 日商村田製作所股份有限公司 Multilayer LC filter
TWI656731B (zh) * 2016-12-04 2019-04-11 日商村田製作所股份有限公司 Multilayer LC filter
JP6965732B2 (ja) * 2017-12-26 2021-11-10 Tdk株式会社 バンドパスフィルタ
US10971789B2 (en) 2018-08-30 2021-04-06 Qualcomm Incorporated Transmission-line filtering with enhanced frequency response
JP7232083B2 (ja) 2019-03-05 2023-03-02 太陽誘電株式会社 フィルタ

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100524749C (zh) * 2006-07-20 2009-08-05 上海交通大学 硅基多层螺旋差分电感
TW201234707A (en) * 2010-11-19 2012-08-16 Murata Manufacturing Co Electronic part
CN102647167A (zh) * 2006-04-14 2012-08-22 株式会社村田制作所 分层带通滤波器
US20130229241A1 (en) * 2010-12-06 2013-09-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer band pass filter
TW201424259A (zh) * 2012-09-14 2014-06-16 Murata Manufacturing Co 高頻濾波器

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4983881B2 (ja) * 2009-09-28 2012-07-25 株式会社村田製作所 積層帯域通過フィルタ
JP5609968B2 (ja) * 2010-03-18 2014-10-22 株式会社村田製作所 高周波積層部品および積層型高周波フィルタ
EP2601114B1 (en) * 2010-08-06 2017-10-11 Avery Dennison Corporation Privacy protection packet for holding security devices
JP5672266B2 (ja) * 2012-05-28 2015-02-18 株式会社村田製作所 電子部品
JP5821914B2 (ja) * 2013-08-28 2015-11-24 株式会社村田製作所 高周波部品

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102647167A (zh) * 2006-04-14 2012-08-22 株式会社村田制作所 分层带通滤波器
CN101421918B (zh) * 2006-04-14 2013-02-27 株式会社村田制作所 分层带通滤波器
CN100524749C (zh) * 2006-07-20 2009-08-05 上海交通大学 硅基多层螺旋差分电感
TW201234707A (en) * 2010-11-19 2012-08-16 Murata Manufacturing Co Electronic part
US20130229241A1 (en) * 2010-12-06 2013-09-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer band pass filter
TW201424259A (zh) * 2012-09-14 2014-06-16 Murata Manufacturing Co 高頻濾波器

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