TWI521866B - Electronic Parts - Google Patents

Description

電子零件

本發明係關於一種電子零件，更特定而言，係關於內設有LC並聯諧振器之電子零件。

作為習知電子零件，例如，已知有專利文獻1記載之積層帶通濾波器。該積層帶通濾波器具備積層體及複數個LC並聯諧振器。積層體係複數個電介質層積層而構成。各LC並聯諧振器係藉由電容器電極與電感器電極構成。電感器電極形成為環狀。此外，各LC並聯諧振器之環面彼此重疊。在以上之積層帶通濾波器，由於環面彼此重疊，因此能使相鄰LC並聯諧振器之電感器電極間之耦合度變高，可謀求廣帶域化。

然而，在專利文獻1記載之積層帶通濾波器，產生電容器電極之自我諧振。因此，在自我諧振產生之頻率，積層帶通濾波器之阻抗變低，產生旁生(Spurious：在高頻帶之不需要波)。

專利文獻1：國際公開第2007/119356號小冊子

因此，本發明之目的在於提供一種可抑制旁生之產生之電子零件。

本發明一形態之電子零件，具備：積層體，複數個絕 緣體層積層而構成，且在積層方向之下側具有構裝面；第一LC並聯諧振器，設在該積層體且由第1線圈及第1電容器構成，且從與積層方向正交之方向俯視時呈環狀；以及第1接地導體層；該第1電容器，包含：第1電容器導體層，連接於該第1線圈之一端；以及第2接地導體層，連接於該第1線圈之另一端且設在較該第1電容器導體層位於積層方向之上側，且隔著該絕緣體層與該第1電容器導體層對向；該第1接地導體層設在較該第一LC並聯諧振器位於積層方向之下側，且隔著該絕緣體層與該第1電容器導體層對向。

根據本發明，可抑制旁生之產生。

以下，說明本發明實施形態之電子零件。

(電子零件之構成)

以下，參照圖式說明本發明一實施形態之電子零件之構成。圖1係本發明實施形態之電子零件10之外觀立體圖。圖2係電子零件10之積層體12之分解立體圖。圖3係電子零件10之等效電路圖。圖1及圖2中，z軸方向顯示積層方向。又，x軸方向顯示沿著電子零件10之長邊之方向，y軸方向顯示沿著電子零件10之短邊之方向。X軸方向、y軸方向及z軸方向彼此正交。

電子零件10，如圖1及圖2所示，具備積層體12、外部電極14(14a,14b),15、連接電極16(16a,16b)、折返電極 17(17a,17b)、LC並聯諧振器LC1~LC3及耦合導體層36。

積層體12，如圖2所示，藉由陶瓷電介質所構成之絕緣體層18(18a~18j)積層而構成，呈長方體狀。又，積層體12，在z軸方向之負方向側具有構裝面S。構裝面S為電子零件10構裝於電路基板時與該電路基板對向之面。

絕緣體層18，如圖2所示，呈長方形狀，例如由陶瓷電介質構成。絕緣體層18a~18j從z軸方向之正方向側往負方向側依序排列積層。以下，將絕緣體層18之z軸方向之正方向側之面稱為表面，將絕緣體層18之z軸方向之負方向側之面稱為背面。

外部電極14a，如圖1所示，設在構裝面S，用作為輸入電極。更詳細而言，外部電極14a設在絕緣體層18j之背面，呈T字型。外部電極14a引出至絕緣體層18j之x軸方向之負方向側之短邊之中央。

外部電極14b，如圖1所示，設在構裝面S，用作為輸出電極。更詳細而言，外部電極14b在絕緣體層18j之背面設在較外部電極14a位於x軸方向之正方向側，呈T字型。外部電極14b引出至絕緣體層18j之x軸方向之正方向側之短邊之中央。

外部電極15(第1接地導體層及第3接地導體層)設在構裝面S，用作為接地電極。更詳細而言，外部電極15設在絕緣體層18j之背面，呈往y軸方向延伸之長方形狀。外部電極15從x軸方向之兩側被外部電極14a,14b夾著。

LC並聯諧振器LC1(第一LC並聯諧振器)設在積層體 12，且由線圈L1(第1線圈)及電容器C1(第1電容器)構成。更詳細而言，LC並聯諧振器LC1由通孔導體v1~v11、線圈導體層20a,22a,24a、電容器導體層30a(第1電容器導體層)、及諧振接地導體層34(第2接地導體層及第4接地導體層)構成，從x軸方向俯視時呈長方形狀之環狀。

線圈L1由通孔導體v1~v11及線圈導體層20a,22a,24a構成。通孔導體v1~v5分別在z軸方向貫通絕緣體層18b~18f，彼此連接而構成一個通孔導體。

通孔導體v6~v11分別在z軸方向貫通絕緣體層18b~18g，彼此連接而構成一個通孔導體。又，通孔導體v6~v11設在較通孔導體v1~v5位於y軸方向之負方向側。

線圈導體層20a為設在絕緣體層18b之表面上且往y軸方向延伸之線狀導體層。在線圈導體層20a之y軸方向之正方向側之端部連接有通孔導體v1之z軸方向之正方向側之端部。又，在線圈導體層20a之y軸方向之負方向側之端部連接有通孔導體v6之z軸方向之正方向側之端部。

線圈導體層22a為設在絕緣體層18c之表面上且往y軸方向延伸之線狀導體層。線圈導體層22a，從z軸方向俯視時，以與線圈導體層20a一致之狀態重疊。在線圈導體層22a之y軸方向之正方向側之端部連接有通孔導體v2之z軸方向之正方向側之端部及通孔導體v1之z軸方向之負方向側之端部。又，在線圈導體層22a之y軸方向之負方向側之端部連接有通孔導體v7之z軸方向之正方向側之端部及通孔導體v6之z軸方向之負方向側之端部。

線圈導體層24a為設在絕緣體層18d之表面上且往y軸方向延伸之線狀導體層。線圈導體層24a，從z軸方向俯視時，以與線圈導體層20a,22a一致之狀態重疊。在線圈導體層24a之y軸方向之正方向側之端部連接有通孔導體v3之z軸方向之正方向側之端部及通孔導體v2之z軸方向之負方向側之端部。又，在線圈導體層24a之y軸方向之負方向側之端部連接有通孔導體v8之z軸方向之正方向側之端部及通孔導體v7之z軸方向之負方向側之端部。如上述，線圈導體層20a,22a,24a並聯。

如上述，線圈L1呈以通孔導體v11之z軸方向之負方向側之端部為一端、以通孔導體v5之z軸方向之負方向側之端部為另一端之字型。

電容器C1由電容器導體層30a及諧振接地導體層34構成。

諧振接地導體層34為設在絕緣體層18g之表面上且覆蓋絕緣體層18g之大致整面之導體層。在諧振接地導體層34連接有通孔導體v5之z軸方向之負方向側之端部。因此，諧振接地導體層34連接於線圈L1之另一端。

電容器導體層30a為設在絕緣體層18h之表面上且呈二個長方形連結之形狀之導體層。亦即，電容器導體層30a，在LC並聯諧振器LC1設在z軸方向之最負方向側。藉此，諧振接地導體層34設在較電容器導體層30a位於z軸方向之正方向側。此外，電容器導體層30a與諧振接地導體層34隔著絕緣體層18g對向。因此，在電容器導體層30a與 諧振接地導體層34之間形成有靜電容。在電容器導體層30a連接有通孔導體v11之z軸方向之負方向側之端部。因此，電容器導體30a連接於線圈L1之一端。

如上述，電容器C1係藉由形成在電容器導體層30a與諧振接地導體層34之間之靜電容構成。

引出導體層26a設在絕緣體層18e之表面，呈L字型。引出導體層26a，從絕緣體層18e之x軸方向之負方向側之短邊之中央往x軸方向之正方向側延伸，接著往y軸方向之負方向側折返。又，在引出導體層26a連接有通孔導體v9之z軸方向之正方向側之端部及通孔導體v8之z軸方向之負方向側之端部。

連接電極16a，如圖1所示，設在積層體12之x軸方向之負方向側之端面，往z軸方向延伸。連接電極16a之z軸方向之負方向側之端部與外部電極14a連接。又，引出導體層26a係連接於外部電極14a。藉此，外部電極14a與LC並聯諧振器LC1電氣連接。

折返電極17a設在絕緣體層18a之表面上，從絕緣體層18a之x軸方向之負方向側之短邊之中央往x軸方向之正方向側延伸。折返電極17a連接於連接電極16a。

LC並聯諧振器LC2(第二LC並聯諧振器)設在積層體12，且由線圈L2(第2線圈)及電容器C2(第2電容器)構成。LC並聯諧振器LC2具有在位於積層體12之x軸方向之兩端之端面之中間且與x軸及z軸平行之平面與LC並聯諧振器LC1面對稱之構造。更詳細而言，LC並聯諧振器LC2 由通孔導體v21~v31、線圈導體層20b,22b,24b、電容器導體層30b(第2電容器導體層)、及諧振接地導體層34(第4接地導體層)構成，從x軸方向俯視時呈長方形狀之環狀。又，LC並聯諧振器LC2，從x軸方向俯視時，與LC並聯諧振器LC1重疊。

線圈L2由通孔導體v21~v31及線圈導體層20b,22b,24b構成。通孔導體v21~v25分別在z軸方向貫通絕緣體層18b~18f，彼此連接而構成一個通孔導體。

通孔導體v26~v31分別在z軸方向貫通絕緣體層18b~18g，彼此連接而構成一個通孔導體。又，通孔導體v26~v31設在較通孔導體v21~v25位於y軸方向之負方向側。

線圈導體層20b為在絕緣體層18b之表面上設在較線圈導體層20a位於x軸方向之正方向側且往y軸方向延伸之線狀導體層。在線圈導體層20b之y軸方向之正方向側之端部連接有通孔導體v21之z軸方向之正方向側之端部。又，在線圈導體層20b之y軸方向之負方向側之端部連接有通孔導體v26之z軸方向之正方向側之端部。

線圈導體層22b為在絕緣體層18c之表面上設在較線圈導體層22a位於x軸方向之正方向側且往y軸方向延伸之線狀導體層。線圈導體層22b，從z軸方向俯視時，以與線圈導體層20b一致之狀態重疊。在線圈導體層22b之y軸方向之正方向側之端部連接有通孔導體v22之z軸方向之正方向側之端部及通孔導體v21之z軸方向之負方向側之端部。 又，在線圈導體層22b之y軸方向之負方向側之端部連接有通孔導體v27之z軸方向之正方向側之端部及通孔導體v26之z軸方向之負方向側之端部。

線圈導體層24b為在絕緣體層18d之表面上設在較線圈導體層24a位於x軸方向之正方向側且往y軸方向延伸之線狀導體層。線圈導體層24b，從z軸方向俯視時，以與線圈導體層20b,22b一致之狀態重疊。在線圈導體層24b之y軸方向之正方向側之端部連接有通孔導體v23之z軸方向之正方向側之端部及通孔導體v22之z軸方向之負方向側之端部。又，在線圈導體層24b之y軸方向之負方向側之端部連接有通孔導體v28之z軸方向之正方向側之端部及通孔導體v27之z軸方向之負方向側之端部。

如上述，線圈L2呈以通孔導體v31之z軸方向之負方向側之端部為一端、以通孔導體v25之z軸方向之負方向側之端部為另一端之字型。

電容器C2由電容器導體層30b及諧振接地導體層34構成。

諧振接地導體層34為設在絕緣體層18g之表面上且覆蓋絕緣體層18g之大致整面之導體層。在諧振接地導體層34連接有通孔導體v25之z軸方向之負方向側之端部。因此，諧振接地導體層34連接於線圈L2之另一端。如此，電容器C1之接地導體層與電容器C2之接地導體層由一個諧振接地導體層34構成。

電容器導體層30b為在絕緣體層18h之表面上設在較 電容器導體層30a位於x軸方向之正方向側且呈二個長方形連結之形狀之導體層。亦即，電容器導體層30b，在LC並聯諧振器LC2設在z軸方向之最負方向側。藉此，諧振接地導體層34設在較電容器導體層30b位於z軸方向之正方向側。此外，電容器導體層30b與諧振接地導體層34隔著絕緣體層18g對向。因此，在電容器導體層30b與諧振接地導體層34之間形成有靜電容。在電容器導體層30b連接有通孔導體v31之z軸方向之負方向側之端部。因此，電容器導體30b連接於線圈L2之一端。

如上述，電容器C2係藉由形成在電容器導體層30b與諧振接地導體層34之間之靜電容構成。

引出導體層26b設在絕緣體層18e之表面，呈L字型。引出導體層26b，從絕緣體層18e之x軸方向之正方向側之短邊之中央往x軸方向之負方向側延伸，接著往y軸方向之負方向側折返。又，在引出導體層26b連接有通孔導體v29之z軸方向之正方向側之端部及通孔導體v28之z軸方向之負方向側之端部。

連接電極16b，如圖1所示，設在積層體12之x軸方向之正方向側之端面，往z軸方向延伸。連接電極16b之z軸方向之負方向側之端部與外部電極14b連接。又，引出導體層26b係連接於外部電極14b。藉此，外部電極14b與LC並聯諧振器LC2電氣連接。

折返電極17b設在絕緣體層18a之表面上，從絕緣體層18a之x軸方向之正方向側之短邊之中央往x軸方向之負方 向側延伸。折返電極17b連接於連接電極16b。

LC並聯諧振器LC3設在積層體12，且由線圈L3及電容器C3構成。更詳細而言，LC並聯諧振器LC3由通孔導體v41~v49、線圈導體層20c,22c,24c、電容器導體層32、及諧振接地導體層34構成，從x軸方向俯視時呈長方形狀之環狀。又，LC並聯諧振器LC3，從x軸方向之兩側被LC並聯諧振器LC1,LC2夾著，從x軸方向俯視時，與LC並聯諧振器LC1,LC2重疊。

線圈L3由通孔導體v41~v49及線圈導體層20c,22c,24c構成。通孔導體v41~v44分別在z軸方向貫通絕緣體層18b~18e，彼此連接而構成一個通孔導體。

通孔導體v45~v49分別在z軸方向貫通絕緣體層18b~18f，彼此連接而構成一個通孔導體。又，通孔導體v45~v49設在較通孔導體v41~v44位於y軸方向之負方向側。

線圈導體層20c為在絕緣體層18b之表面上設在線圈導體層20a,20b之間且往y軸方向延伸之線狀導體層。在線圈導體層20c之y軸方向之正方向側之端部連接有通孔導體v41之z軸方向之正方向側之端部。又，在線圈導體層20c之y軸方向之負方向側之端部連接有通孔導體v45之z軸方向之正方向側之端部。

線圈導體層22c為在絕緣體層18c之表面上設在線圈導體層22a,22b之間且往y軸方向延伸之線狀導體層。線圈導體層22c，從z軸方向俯視時，以與線圈導體層20c一致 之狀態重疊。在線圈導體層22c之y軸方向之正方向側之端部連接有通孔導體v42之z軸方向之正方向側之端部及通孔導體v41之z軸方向之負方向側之端部。又，在線圈導體層22c之y軸方向之負方向側之端部連接有通孔導體v46之z軸方向之正方向側之端部及通孔導體v45之z軸方向之負方向側之端部。

線圈導體層24c為在絕緣體層18d之表面上設在線圈導體層24a,24b之間且往y軸方向延伸之線狀導體層。線圈導體層24c，從z軸方向俯視時，以與線圈導體層20c,22c一致之狀態重疊。在線圈導體層24c之y軸方向之正方向側之端部連接有通孔導體v43之z軸方向之正方向側之端部及通孔導體v42之z軸方向之負方向側之端部。又，在線圈導體層24c之y軸方向之負方向側之端部連接有通孔導體v47之z軸方向之正方向側之端部及通孔導體v46之z軸方向之負方向側之端部。

如上述，線圈L3呈以通孔導體v44之z軸方向之負方向側之端部為一端、以通孔導體v49之z軸方向之負方向側之端部為另一端之字型。此外，與線圈L1,L2電磁耦合。

電容器C3由電容器導體層32及諧振接地導體層34構成。電容器導體層32為設在絕緣體層18f之表面上且呈長方形狀之導體層。在電容器導體層32連接有通孔導體v44之z軸方向之負方向側之端部。因此，電容器導體層32連接於線圈L3之一端。

諧振接地導體層34藉由設在絕緣體層18g之表面上， 設在較電容器導體層32位於z軸方向之負方向側。亦即，諧振接地導體層34在LC並聯諧振器LC3設在z軸方向之最負方向側。諧振接地導體層34覆蓋絕緣體層18g之大致整面。藉此，電容器導體層32與諧振接地導體層34隔著絕緣體層18f對向。因此，在電容器導體層32與諧振接地導體層34之間形成有靜電容。又，在諧振接地導體層34連接有通孔導體v49之z軸方向之負方向側之端部。因此，諧振接地導體層34連接於線圈L3之另一端。如此，電容器C1之接地導體層與電容器C2之接地導體層與電容器C3之接地導體層由一個諧振接地導體層34構成。

耦合導體層36為設在絕緣體層18i之表面上且往x軸方向延伸之長方形狀之導體層。是以，耦合導體層36在z軸方向設在電容器導體層30a,30b與外部電極15之間。又，耦合導體層36隔著絕緣體層18h與電容器導體層30a,30b對向。藉此，在耦合導體層36與電容器導體層30a,30b之間分別形成電容器C10,C11。藉此，LC並聯諧振器LC1,LC2隔著耦合導體層36電容耦合。又，外部電極15藉由設在絕緣體層18j之背面上，設在較LC並聯諧振器LC1,LC2位於z軸方向之負方向側。又，外部電極15隔著絕緣體層18h~18j與電容器導體層30a,30b對向，且隔著絕緣體層18i,18j與耦合導體層36對向。外部電極15為接地導體層，直接施加母板上之接地電位。與電容器導體層30a對向之接地導體層和與電容器導體層30b對向之接地導體層，係藉由一個外部電極15構成。

通孔導體v12~v15在z軸方向貫通絕緣體層18g~18j，彼此連接而構成一個通孔導體。通孔導體v12之z軸方向之正方向側之端部連接於諧振接地導體層34。通孔導體v15之z軸方向之負方向側之端部連接於外部電極15。

通孔導體v32~v35在z軸方向貫通絕緣體層18g~18j，彼此連接而構成一個通孔導體。通孔導體v32之z軸方向之正方向側之端部連接於諧振接地導體層34。通孔導體v35之z軸方向之負方向側之端部連接於外部電極15。

通孔導體v61~v64在z軸方向貫通絕緣體層18g~18j，彼此連接而構成一個通孔導體。通孔導體v61之z軸方向之正方向側之端部連接於諧振接地導體層34。通孔導體v64之z軸方向之負方向側之端部連接於外部電極15。

通孔導體v71~v74在z軸方向貫通絕緣體層18g~18j，彼此連接而構成一個通孔導體。通孔導體v71之z軸方向之正方向側之端部連接於諧振接地導體層34。通孔導體v74之z軸方向之負方向側之端部連接於外部電極15。

如上述，LC並聯諧振器LC1~LC3，從x軸方向俯視時重疊。此外，LC並聯諧振器LC1,LC2夾著LC並聯諧振器LC3。藉此，如圖3所示，LC並聯諧振器LC1之線圈L1與LC並聯諧振器LC3之線圈L3電磁耦合。又，LC並聯諧振器LC3之線圈L3與LC並聯諧振器LC2之線圈L2電磁耦合。再者，藉由設置與電容器導體層30a,30b之各個對向之耦合導體層36，LC並聯諧振器LC1與LC並聯諧振器LC2，如圖3所示，電容耦合。以上述方式構成之LC並 聯諧振器LC1~LC3構成帶通濾波器。

接著，參照圖1至圖3說明電子零件10之動作之一例。例如，具有正電壓之高頻訊號Sig1從外部電極14a輸入之情形，如圖3所示，從x軸方向之正方向側俯視時，順時針流動。

LC並聯諧振器LC1之線圈L1與LC並聯諧振器LC3之線圈L3電磁耦合。因此，高頻訊號Sig1，若從x軸方向之正方向側俯視時在LC並聯諧振器LC1順時針流動，則高頻訊號Sig3藉由電磁感應從x軸方向之正方向側俯視時在LC並聯諧振器LC3逆時針流動。

LC並聯諧振器LC3與LC並聯諧振器LC2電磁耦合。因此，高頻訊號Sig3，若從x軸方向之正方向側俯視時在LC並聯諧振器LC3逆時針流動，則高頻訊號Sig2藉由電磁感應從x軸方向之正方向側俯視時在LC並聯諧振器LC2順時針流動。藉此，高頻訊號Sig2從外部電極14b輸出。

此處，LC並聯諧振器LC1~LC3分別具有藉由線圈L1~L3及電容器C1~C3決定之固有之諧振頻率。此外，LC並聯諧振器LC1~LC3之阻抗在此等諧振頻率變高。藉此，藉由此等諧振頻率決定之既定頻帶之高頻訊號Sig2從外部電極14b輸出。

再者，若高頻訊號Sig1從外部電極14a輸入且高頻訊號Sig2從外部電極14b輸出，則會有因電容器導體層30a,30b之自我諧振在電子零件10之使用頻帶(以下，稱為既定頻帶)產生旁生之虞。因此，在電子零件10，電容器導體層 30a,30b與外部電極15對向。藉此，因自我諧振產生之高頻訊號透過電容器導體層30a,30b往外部電極15流動。其結果，可抑制因電容器導體層30a,30b之自我諧振在既定頻帶產生之高頻訊號從外部電極14b輸出，可抑制旁生之產生。

(電子零件之製造方法)

接著，參照圖1及圖2說明電子零件10之製造方法。

首先，準備應成為絕緣體層18的陶瓷坯片。接著，在應成為絕緣體層18b~18j的陶瓷坯片的各個形成通孔導體v1~v15,v21~v35,v41~v49,v61~v64,v71~v74。具體而言，對應成為絕緣體層18b~18j的陶瓷坯片照射雷射光束形成通孔。接下來，使用印刷塗布等方法對該通孔填充Ag、Pd、Cu、Au或它們的合金等的導電性糊。

接著，在應成為絕緣體層18a~18i的陶瓷坯片的表面上用網版印刷法或光微影法等方法塗布將Ag、Pd、Cu、Au或它們的合金等作為主成分的導電性糊，以形成折返電極17a,17b、線圈導體層20a~20c,22a~22c,24a~24c、引出導體層26a,26b、電容器導體層30a,30b,32、諧振接地導體層34、及耦合導體層36。此外，在形成線圈導體層20a~20c,22a~22c,24a~24c、引出導體層26a,26b、電容器導體層30a,30b,32、諧振接地導體層34、及耦合導體層36時，進行對通孔之導電性糊之填充亦可。

接著，在應成為絕緣體層18j的陶瓷坯片的背面上用網版印刷法或光微影法等方法塗布將Ag、Pd、Cu、Au或它 們的合金等作為主成分的導電性糊，以形成外部電極14a,14b,15。此外，在形成外部電極14a,14b,15時，進行對通孔之導電性糊之填充亦可。

接著，將各陶瓷坯片積層。具體而言，配置應成為絕緣體層18j的陶瓷坯片。接著，在應成為絕緣體層18j的陶瓷坯片上配置應成為絕緣體層18i的陶瓷坯片。之後，將應成為絕緣體層18i的陶瓷坯片對應成為絕緣體層18j的陶瓷坯片壓接。之後，針對應成為絕緣體層18h,18g,18f,18e,18d,18c,18b,18a的陶瓷坯片亦同樣地依此順序進行積層及壓接。藉由上述步驟，形成母積層體。此母積層體，係藉由靜水壓加壓等進行正式壓接。

接著，藉由切刀將母積層體裁切成既定尺寸之積層體12。對此未燒成之積層體12進行脫結合劑處理及燒成。

藉由以上步驟，獲得燒成後之積層體12。對積層體12施加筒式加工，進行去角。

之後，藉由塗布導電性糊，形成連接電極16a,16b。

最後，在外部電極14a,14b,15、連接電極16a,16b及折返電極17a,17b的表面實施鍍鎳(Ni)/鍍錫(Sn)。經過以上的步驟，完成圖1所示的電子零件10。

(效果)

根據以上述方式構成之電子零件10，可抑制在既定頻帶之旁生之產生。更詳細而言，在電子零件10，接地導體層即外部電極15係設在較LC並聯諧振器LC1,LC2位於z軸方向之最負方向側，且透過絕緣體層18h~18j與電容器導 體層30a,30b對向。其結果，即使在電容器導體層30a,30b產生自我諧振而產生高頻訊號，該高頻訊號亦往外部電極15流動。其結果，可抑制因自我諧振產生之高頻訊號從外部電極14b輸出，可抑制在既定頻帶之旁生之產生。

又，在電子零件10，因以下理由，可更有效抑制在既定頻帶之旁生之產生。更詳細而言，在電子零件10，藉由電容器導體層30a,30b與接地導體層對向，抑制旁生之產生。此處，與電容器導體層30a,30b對向之接地導體層為外部電極15。因此，如接地導體層與外部電極15個別設置之情形般，在接地導體層與外部電極15之間未設置通孔導體，在接地導體層與外部電極15之間未形成電感器成分。藉此，因自我諧振產生之高頻訊號不會被接地導體層與外部電極15之間之電感器成分往電子零件10內反射，從外部電極15往電子零件10外輸出。如上述，在電子零件10，可更有效抑制在既定頻帶之旁生之產生。

又，在電子零件10，LC並聯諧振器LC1與LC並聯諧振器LC2電磁耦合。藉此，在電子零件10之高頻訊號之通過特性，可降低衰減極之頻率。

又，在電子零件10，LC並聯諧振器LC1,LC2之電容器導體層30a,30b係設在較諧振接地導體層34位於z軸方向之負方向側，LC並聯諧振器LC3之電容器導體層32係設在較諧振接地導體層34位於z軸方向之正方向側。因此，電容器導體層32不與耦合導體層36及電容器導體層30a,30b對向。因此，藉由使耦合導體層36及電容器導體層30a, 30b對向，LC並聯諧振器LC1,LC2與LC並聯諧振器LC3不耦合。其結果，在電子零件10之高頻訊號之通過特性，可更降低衰減極之頻率。

(第1變形例)

以下，參照圖式說明變形例之電子零件。圖4係第1變形例之電子零件10a之積層體12之分解立體圖。

電子零件10a，在未設有絕緣體層18i、耦合導體層36及通孔導體v14,v34,v63,v73之點與電子零件10不同。由於未設有耦合導體層36，因此電子零件10a相較於電子零件10，LC並聯諧振器LC1與LC並聯諧振器LC2之耦合度低。

以上述方式構成之電子零件10a，與電子零件10相同，可抑制旁生之產生。

(模擬)

本申請發明人為了使電子零件10,10a達成之效果更明確，進行以下說明之電腦模擬。圖5係比較例之電子零件之積層體111之分解立體圖。圖5中，僅賦予與說明相關之參照符號。

首先，參照圖5說明比較例之電子零件。比較例之電子零件具備LC並聯諧振器LC101~LC103。LC並聯諧振器LC101~LC103分別包含電容器C101~C103。此處，電容器C101,C102之電容器導體層112a,112b係設在較接地導體層114位於z軸方向之負方向側，與外部電極115a,115b對向。然而，電容器導體層112a,112b與設在z軸方向之 負方向且施加有接地電位之外部電極116未對向。

首先，製作具有圖2及圖4所示之構成之第1模型及第2模型。又，製作具有圖5所示之構成之第3模型。接著，對第1模型至第3模型調查輸出訊號相對於輸入訊號之衰減量。圖6係顯示第1模型之模擬結果之圖表。圖7係顯示第2模型之模擬結果之圖表。圖8係顯示第3模型之模擬結果之圖表。圖6至圖8中，縱軸顯示衰減量，橫軸顯示頻率。

在第3模型，如圖8所示，可知在10GHz附近產生旁生。另一方面，在第1模型及第2模型，如圖6及圖7所示，可知在10GHz附近未產生旁生。如上述，根據電子零件10a,10b，可知可抑制在既定頻帶之旁生之產生。

又，第1模型之衰減極之頻率，根據圖6，為5GHz程度，相對於此，第2模型之衰減極之頻率，根據圖7，為3.5GHz程度。因此，藉由設有耦合導體層36，電子零件10之衰減極之頻率較電子零件10a之衰減極之頻率低，可知通帶附近之高頻側之衰減急速。

(第2變形例)

以下，參照圖式說明第2變形例之電子零件。圖9係第2變形例之電子零件10b之分解立體圖。

電子零件10b，在未設有連接電極16a,16b、折返電極17a,17b、絕緣體層18e、引出導體層26a,26b、及通孔導體v4,v9,v24,v29,v44,v48之點及設有通孔導體v80~v84之點與電子零件10不同。

更詳細而言，在電子零件10b，外部電極僅由外部電極14a,14b,15構成。因此，不需要引出導體層26a,26b。再者，外部電極14a,14b分別未引出至絕緣體層18j之x軸方向之負方向側之短邊及x軸方向之正方向側之短邊亦可。

然而，由於必須連接外部電極14a與線圈L1及電容器C1，因此設有通孔導體v80~v82。通孔導體v80~v82在z軸方向貫通絕緣體層18h~18j，彼此連接而構成一個通孔導體。又，通孔導體v80之z軸方向之正方向側之端部係連接於電容器導體層30a。通孔導體v82之z軸方向之負方向側之端部係連接於外部電極14a。

又，由於必須連接外部電極14b與線圈L2及電容器C2，因此設有通孔導體v83~v85。通孔導體v83~v85在z軸方向貫通絕緣體層18h~18j，彼此連接而構成一個通孔導體。又，通孔導體v83之z軸方向之正方向側之端部係連接於電容器導體層30b。通孔導體v85之z軸方向之負方向側之端部係連接於外部電極14b。

以上述方式構成之電子零件10b，與電子零件10相同具有等效電路。又，電子零件10b亦與電子零件10相同，可抑制旁生之產生。

(其他實施形態)

本發明之電子零件之構成，並不限於上述實施形態之電子零件10,10a,10b，在其要旨之範圍內可進行變更。

此外，在電子零件10,10a,10b，電容器導體層30a,30b與外部電極15對向。然而，電容器導體層30a,30b與設在 積層體12內之下層接地導體層對向亦可。此情形，下層接地導體層(第1接地導體層及第3接地導體層)設在外部電極15之z軸方向之正方向側，藉由通孔導體連接於外部電極15。

此外，在電子零件10,10a,10b，LC並聯諧振器雖設有三個，但LC並聯諧振器之數並不限於此。LC並聯諧振器只要設有一個以上即可。

如上述，本發明在電子零件有用，尤其是在可抑制旁生之產生之點優異。

C1~C3,C10,C11‧‧‧電容器

L1~L3‧‧‧線圈

LC1~LC3‧‧‧LC並聯諧振器

10,10a,10b‧‧‧電子零件

12‧‧‧積層體

14a,14b,15‧‧‧外部電極

18a~18j‧‧‧絕緣體層

30a,30b,32‧‧‧電容器導體層

34‧‧‧諧振接地導體層

36‧‧‧耦合導體層

圖1係本發明實施形態之電子零件之外觀立體圖。

圖2係電子零件之積層體之分解立體圖。

圖3係電子零件之等效電路圖。

圖4係第1變形例之電子零件之積層體之分解立體圖。

圖5係比較例之電子零件之積層體之分解立體圖。

圖6係顯示第1模型之模擬結果之圖表。

圖7係顯示第2模型之模擬結果之圖表。

圖8係顯示第3模型之模擬結果之圖表。

圖9係第2變形例之電子零件之分解立體圖。

C1~C3,C10,C11‧‧‧電容器

L1~L3‧‧‧線圈

LC1~LC3‧‧‧LC並聯諧振器

S‧‧‧構裝面

v1~v15,v21~v35,v41~v49,v61~v64,v71~v74‧‧‧通孔導體

12‧‧‧積層體

14a,14b,15‧‧‧外部電極

17a,17b‧‧‧折返電極

18a~18j‧‧‧絕緣體層

20a,20b,20c,22a,22b,22c,24a,24b,24c‧‧‧線圈導體層

26a,26b‧‧‧引出導體層

30a,30b,32‧‧‧電容器導體層

34‧‧‧諧振接地導體層

36‧‧‧耦合導體層

Claims (10)

1. 一種電子零件，具備：積層體，由複數個絕緣體層積層而構成，且在積層方向之下側具有構裝面；第一LC並聯諧振器，設在該積層體且由第1線圈及第1電容器構成，且從與積層方向正交之方向俯視時呈環狀；第1接地導體層；外部電極，設在該構裝面上；以及引出導體層，電氣連接於該第1線圈與該外部電極；該第1電容器，包含：第1電容器導體層，連接於該第1線圈之一端；以及第2接地導體層，連接於該第1線圈之另一端且設在較該第1電容器導體層位於積層方向之上側，且隔著該絕緣體層與該第1電容器導體層對向；該第1接地導體層設在較該第一LC並聯諧振器位於積層方向之下側，且隔著該絕緣體層與該第1電容器導體層對向；該引出導體層相較該第2接地導體層設在積層方向之上側。
2. 如申請專利範圍第1項之電子零件，其中，該電子零件進一步具備：第二LC並聯諧振器，設在該積層體且由第2線圈及第2電容器構成，且從與積層方向正交之方向俯視時呈環狀；以及 第3接地導體層；該第2電容器，包含：第2電容器導體層，連接於該第2線圈之一端；以及第4接地導體層，連接於該第2線圈之另一端且設在較該第2電容器導體層位於積層方向之上側，且隔著該絕緣體層與該第2電容器導體層對向；該第3接地導體層設在較該第二LC並聯諧振器位於積層方向之下側，且隔著該絕緣體層與該第2電容器導體層對向；該第一LC並聯諧振器及該第二LC並聯諧振器，由該第1線圈與該第2線圈電磁耦合構成濾波器。
3. 如申請專利範圍第2項之電子零件，其中，該第2接地導體層及該第4接地導體層係由一個導體層構成。
4. 如申請專利範圍第2或3項之電子零件，其中，該第1接地導體層及該第3接地導體層係由一個導體層構成。
5. 如申請專利範圍第2項之電子零件，其中，該電子零件進一步具備耦合導體層，該耦合導體層隔著該絕緣體層與該第1電容器導體層及該第2電容器導體層對向，且在積層方向設在該第1電容器導體層及該第2電容器導體層與該第1接地導體層及該第3接地導體層之間。
6. 如申請專利範圍第2項之電子零件，其中，該電子零件進一步具備第三LC並聯諧振器，該第三LC並聯諧振器設在該積層體且由第3線圈及第3電容器構成，且從與積層方向正交之方向俯視時呈環狀； 該第3電容器，包含：第3電容器導體層，連接於該第3線圈之一端；以及第5接地導體層，連接於該第3線圈之另一端且設在較該第3電容器導體層位於積層方向之下側，且隔著該絕緣體層與該第3電容器導體層對向；該第三LC並聯諧振器在與積層方向正交之方向被該第一LC並聯諧振器與該第二LC並聯諧振器夾著；該第一LC並聯諧振器、該第二LC並聯諧振器、及該第三LC並聯諧振器，係藉由該第1線圈、該第2線圈、該第3線圈之電磁耦合，據以構成濾波器。
7. 如申請專利範圍第6項之電子零件，其中，該第2接地導體層、該第4接地導體層、及該第5接地導體層係由一個導體層構成。
8. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之電子零件，其中，該第1接地導體層為設在該構裝面之接地電極。
9. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之電子零件，其中，該電子零件進一步具備設在該構裝面之接地電極；該第1接地導體層係連接於該接地電極。
10. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之電子零件，其中，該第1接地導體層及該第2接地導體層係藉由四個通孔導體連接。