CN103959645A - 电子元器件 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能抑制寄生信号产生的电子元器件。层叠体(12)通过将多个绝缘体层(18)进行层叠而构成。LC并联谐振器(LC1)设置在层叠体(12)中，且由线圈(L1)及电容器(C1)构成，从x轴方向俯视时LC并联谐振器(LC1)呈环状。电容器(C1)包含：电容器导体层(30a)，该电容器导体层(30a)与线圈(L1)的一端相连接；以及谐振接地导体层(34)，该谐振接地导体层(34)与线圈(L1)的另一端相连接，且设置在相比电容器导体层(30a)更靠近z轴方向的正方向侧，并且该谐振接地导体层(34)隔着绝缘体层(18)与电容器导体层(30a)相对。外部电极(15)设置在相比LC并联谐振器(LC1)更靠近z轴方向的负方向侧，且隔着绝缘体层(18)与电容器导体层(30a)相对。

Description

电子元器件

技术领域

本发明涉及电子元器件，尤其涉及内置有LC并联谐振器的电子元器件。

背景技术

作为现有的电子元器件，例如，已知有专利文献1记载的层叠带通滤波器。该层叠带通滤波器包括层叠体及多个LC并联谐振器。层叠体通过将多个电介质层进行层叠而构成。各LC并联谐振器由电容器电极和电感器电极构成。电感器电极形成为环状。而且，各LC并联谐振器的环面彼此重合。在以上的层叠带通滤波器中，由于环面彼此重合，因此，能提高相邻的LC并联谐振器的电感器电极之间的耦合度，能实现宽频带化。

然而，在专利文献1记载的层叠带通滤波器中，会产生电容器电极的自谐振。因此，在产生自谐振的频率下，层叠带通滤波器的阻抗降低，从而产生寄生信号(日语：スプリアス)(高频带中的不需要的波)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2007/119356号公报

发明内容

发明所要解决的问题

因此，本发明的目的在于提供一种能抑制寄生信号产生的电子元器件。

解决技术问题所采用的技术方案

本发明的一个实施方式所涉及的电子元器件包括：层叠体，该层叠体通过将多个绝缘体层进行层叠而构成，且在层叠方向的下侧具有安装面；第1LC并联谐振器，该第1LC并联谐振器设置在所述层叠体中，且由第1线圈及第1电容器构成，在从与层叠方向正交的方向俯视时，该第1LC并联谐振器呈环状；以及第1接地导体层，其特征在于，所述第1电容器包含：第1电容器导体层，该第1电容器导体层与所述第1线圈的一端相连接；以及第2接地导体层，该第2接地导体层与所述第1线圈的另一端相连接，且设置在相比所述第1电容器导体层更靠近层叠方向的上侧，并且该第2接地导体隔着所述绝缘体层与该第1电容器导体层相对，所述第1接地导体层设置在相比所述第1LC并联谐振器更靠近层叠方向的下侧，且隔着所述绝缘体层与所述第1电容器导体层相对。

发明的效果

根据本发明，能抑制寄生信号的产生。

附图说明

图1是本发明的实施方式所涉及的电子元器件的外观立体图。

图2是电子元器件的层叠体的分解立体图。

图3是电子元器件的等效电路图。

图4是变形例1所涉及的电子元器件的层叠体的分解立体图。

图5是比较例所涉及的电子元器件的层叠体的分解立体图。

图6是表示模型1的仿真结果的曲线图。

图7是表示模型2的仿真结果的曲线图。

图8是表示模型3的仿真结果的曲线图。

图9是变形例2所涉及的电子元器件的分解立体图。

具体实施方式

下面对本发明的实施方式所涉及的电子元器件进行说明。

(电子元器件的结构)

以下，参照附图对本发明的一个实施方式所涉及的电子元器件的结构进行说明。图1是本发明的实施方式所涉及的电子元器件10的外观立体图。图2是电子元器件10的层叠体12的分解立体图。图3是电子元器件10的等效电路图。在图1及图2中，z轴方向表示层叠方向。此外，x轴方向表示沿着电子元器件10的长边的方向，y轴方向表示沿着电子元器件10的短边的方向。x轴方向、y轴方向及z轴方向彼此正交。

如图1及图2所示，电子元器件10包括层叠体12、外部电极14(14a、14b)、15、连接电极16(16a、16b)、折回电极17(17a、17b)、LC并联谐振器LC1～LC3及耦合导体层36。

如图2所示，层叠体12通过将由陶瓷电介质构成的绝缘体层18(18a～18j)进行层叠而构成，并呈长方体形状。此外，层叠体12在z轴方向的负方向侧具有安装面S。在将电子元器件10安装在电路基板上时，安装面S是与该电路基板相对的面。

如图2所示，绝缘体层18呈长方形，例如，由陶瓷电介质构成。绝缘体层18a～18j以从z轴方向的正方向侧朝负方向侧的顺序排列并层叠。以下，将绝缘体层18的z轴方向的正方向侧的面称为表面，将绝缘体层18的z轴方向的负方向侧的面称为背面。

如图1所示，外部电极14a设置在安装面S上，用作输入电极。更详细而言，外部电极14a设置在绝缘体层18j的背面上，并呈T字形。外部电极14a在绝缘体层18j的x轴方向的负方向侧的短边的中央被引出。

如图1所示，外部电极14b设置在安装面S上，用作输出电极。更详细而言，在绝缘体层18j的背面上，外部电极14b设置在相比外部电极14a更靠近x轴方向的正方向侧，并呈T字形。外部电极14b在绝缘体层18j的x轴方向的正方向侧的短边的中央被引出。

外部电极15(第1接地导体层及第3接地导体层)设置在安装面S上，用作接地电极。更详细而言，外部电极15设置在绝缘体层18j的背面上，并呈在y轴方向上延伸的长方形。外部电极14a和14b从x轴方向的两侧夹着外部电极15。

LC并联谐振器LC1(第1LC并联谐振器)设置在层叠体12中，且由线圈L1(第1线圈)及电容器C1(第1电容器)构成。更详细而言，LC并联谐振器LC1由通孔导体v1～v11、线圈导体层20a、22a、24a、电容器导体层30a(第1电容器导体层)及谐振接地导体层34(第2接地导体层及第4接地导体层)构成，从x轴方向俯视时，LC并联谐振器LC1呈长方形的环状。

线圈L1由通孔导体v1～v11及线圈导体层20a、22a、24a构成。通孔导体v1～v5分别在z轴方向上贯通绝缘体层18b～18f，并通过彼此连接而得以构成一根通孔导体。

通孔导体v6～v11分别在z轴方向上贯通绝缘体层18b～18g，并通过彼此连接而得以构成一根通孔导体。此外，通孔导体v6～v11设置在相比通孔导体v1～v5更靠近y轴方向的负方向侧。

线圈导体层20a设置在绝缘体层18b的表面上，是在y轴方向上延伸的线状的导体层。线圈导体层20a的y轴方向的正方向侧的端部与通孔导体v1的z轴方向的正方向侧的端部相连接。此外，线圈导体层20a的y轴方向的负方向侧的端部与通孔导体v6的z轴方向的正方向侧的端部相连接。

线圈导体层22a设置在绝缘体层18c的表面上，是在y轴方向上延伸的线状的导体层。从z轴方向俯视时，线圈导体层22a以与线圈导体20a相一致的状态重叠。线圈导体层22a的y轴方向的正方向侧的端部连接有通孔导体v2的z轴方向的正方向侧的端部以及通孔导体v1的z轴方向的负方向侧的端部。此外，线圈导体层22a的y轴方向的负方向侧的端部连接有通孔导体v7的z轴方向的正方向侧的端部以及通孔导体v6的z轴方向的负方向侧的端部。

线圈导体层24a设置在绝缘体层18d的表面上，是在y轴方向上延伸的线状的导体层。从z轴方向俯视时，线圈导体层24a以与线圈导体20a、22a相一致的状态重叠。线圈导体层24a的y轴方向的正方向侧的端部连接有通孔导体v3的z轴方向的正方向侧的端部以及通孔导体v2的z轴方向的负方向侧。此外，线圈导体层24a的y轴方向的负方向侧的端部连接有通孔导体v8的z轴方向的正方向侧的端部以及通孔导体v7的z轴方向的负方向侧的端部。如上所述，线圈导体层20a、22a、24a并联连接。

如上所述，线圈L1呈U字形，其以通孔导体v11的z轴方向的负方向侧的端部为一端，以通孔导体v5的z轴方向的负方向侧的端部为另一端。

电容器C1由电容器导体层30a及谐振接地导体层34构成。

谐振接地导体层34设置在绝缘体层18g的表面上，是覆盖绝缘体层18g的大致整个面的导体层。谐振接地导体层34与通孔导体v5的z轴方向的负方向侧的端部相连接。因此，谐振接地导体层34与线圈L1的另一端相连接。

电容器导体层30a设置在绝缘体层18h的表面上，是呈两个长方形相连结的形状的导体层。即，在LC并联谐振器LC1中，电容器导体层30a设置在z轴方向的最靠负方向侧。由此，谐振接地导体层34设置在相比电容器导体层30a更靠近z轴方向的正方向侧。而且，电容器导体层30a与谐振接地导体层34隔着绝缘体层18g相对。因此，在电容器导体层30a与谐振接地导体层34之间形成静电电容。电容器导体层30a与通孔导体v11的z轴方向的负方向侧的端部相连接。因此，电容器导体层30a与线圈L1的一端相连接。

如上所述，电容器C1由在电容器导体层30a与谐振接地导体层34之间所形成的静电电容构成。

引出导体层26a设置在绝缘体层18e的表面上，并呈L字形。引出导体层26a从绝缘体层18e的x轴方向的负方向侧的短边的中央朝x轴方向的正方向侧延伸，并进一步朝y轴方向的负方向侧折回。此外，引出导体层26a连接有通孔导体v9的z轴方向的正方向侧的端部以及通孔导体v8的z轴方向的负方向侧的端部。

如图1所示，连接电极16a设置在层叠体12的x轴方向的负方向侧的端面上，并在z轴方向上延伸。连接电极16a的z轴方向的负方向侧的端部与外部电极14a相连接。此外，引出导体层26a与外部电极14a相连接。由此，外部电极14a与LC并联谐振器LC1进行电连接。

折回电极17a设置在绝缘体层18a的表面上，并从绝缘体层18a的x轴方向的负方向侧的短边的中央朝x轴方向的正方向侧延伸。折回电极17a与连接电极16a相连接。

LC并联谐振器LC2(第2LC并联谐振器)设置在层叠体12中，且由线圈L2(第2线圈)及电容器C2(第2电容器)构成。LC并联谐振器LC2具有与LC并联谐振器LC1关于如下的平面构成面对称的结构，该平面是位于层叠体12的x轴方向的两端的端面的中间的平面，且是与x轴及z轴平行的平面。更详细而言，LC并联谐振器LC2由通孔导体v21～v31、线圈导体层20b、22b、24b、电容器导体层30b(第2电容器导体层)、及谐振接地导体层34(第4接地导体层)构成，从x轴方向俯视时，LC并联谐振器LC2呈长方形的环状。此外，从x轴方向俯视时，LC并联谐振器LC2与LC并联谐振器LC1重合。

线圈L2由通孔导体v21～v31及线圈导体层20b、22b、24b构成。通孔导体v21～v25分别在z轴方向上贯通绝缘体层18b～18f，并通过彼此连接而得以构成一根通孔导体。

通孔导体v26～v31分别在z轴方向上贯通绝缘体层18b～18g，并通过彼此连接而得以构成一根通孔导体。此外，通孔导体v26～v31设置在相比通孔导体v21～v25更靠近y轴方向的负方向侧。

在绝缘体层18b的表面上，线圈导体层20b设置在相比线圈导体层20a更靠近x轴方向的正方向侧，是在y轴方向上延伸的线状的导体层。线圈导体层20b的y轴方向的正方向侧的端部与通孔导体v21的z轴方向的正方向侧的端部相连接。此外，线圈导体层20b的y轴方向的负方向侧的端部与通孔导体v26的z轴方向的正方向侧的端部相连接。

在绝缘体层18c的表面上，线圈导体层22b设置在相比线圈导体层22a更靠近x轴方向的正方向侧，是在y轴方向上延伸的线状的导体层。从z轴方向俯视时，线圈导体层22b以与线圈导体层20b相一致的状态重叠。线圈导体层22b的y轴方向的正方向侧的端部连接有通孔导体v22的z轴方向的正方向侧的端部以及通孔导体v21的z轴方向的负方向侧的端部。此外，线圈导体层22b的y轴方向的负方向侧的端部连接有通孔导体v27的z轴方向的正方向侧的端部以及通孔导体v26的z轴方向的负方向侧的端部。

在绝缘体层18d的表面上，线圈导体层24b设置在相比线圈导体层24a更靠近x轴方向的正方向侧，是在y轴方向上延伸的线状的导体层。从z轴方向俯视时，线圈导体层24b以与线圈导体层20b、22b相一致的状态重叠。线圈导体层24b的y轴方向的正方向侧的端部连接有通孔导体v23的z轴方向的正方向侧的端部以及通孔导体v22的z轴方向的负方向侧的端部。此外，线圈导体层24b的y轴方向的负方向侧的端部连接有通孔导体v28的z轴方向的正方向侧的端部以及通孔导体v27的z轴方向的负方向侧的端部。

如上所述，线圈L2呈U字形，其以通孔导体v31的z轴方向的负方向侧的端部为一端，以通孔导体v25的z轴方向的负方向侧的端部为另一端。

电容器C2由电容器导体层30b及谐振接地导体层34构成。

谐振接地导体层34设置在绝缘体层18g的表面上，是覆盖绝缘体层18g的大致整个面的导体层。谐振接地导体层34与通孔导体v25的z轴方向的负方向侧的端部相连接。由此，谐振接地导体层34与线圈L2的另一端相连接。这样，电容器C1的接地导体层和电容器C2的接地导体层通过一个谐振接地导体层34而构成。

在绝缘体层18h的表面上，电容器导体层30b设置在相比电容器导体层30a更靠近x轴方向的正方向侧，是呈两个长方形相连结的形状的导体层。即，在LC并联谐振器LC2中，电容器导体层30b设置在z轴方向的最靠负方向侧。由此，谐振接地导体层34设置在相比电容器导体层30b更靠近z轴方向的正方向侧。而且，电容器导体层30b与谐振接地导体层34隔着绝缘体层18g相对。由此，在电容器导体层30b与谐振接地导体层34之间形成静电电容。电容器导体层30b与通孔导体v31的z轴方向的负方向侧的端部相连接。由此，电容器导体层30b与线圈L2的一端相连接。

如上所述，电容器C2由在电容器导体层30b与谐振接地导体层34之间形成的静电电容构成。

引出导体层26b设置在绝缘体层18e的表面上，并呈L字形。引出导体层26b从绝缘体层18e的x轴方向的正方向侧的短边的中央朝x轴方向的负方向侧延伸，并进一步朝y轴方向的负方向侧折回。此外，引出导体层26b连接有通孔导体v29的z轴方向的正方向侧的端部以及通孔导体v28的z轴方向的负方向侧的端部。

如图1所示，连接电极16b设置在层叠体12的x轴方向的正方向侧的端面上，并在z轴方向上延伸。连接电极16b的z轴方向的负方向侧的端部与外部电极14b相连接。此外，引出导体层26b与外部电极14b相连接。由此，外部电极14b与LC并联谐振器LC2进行电连接。

折回电极17b设置在绝缘体层18a的表面上，从绝缘体层18a的x轴方向的正方向侧的短边的中央朝x轴方向的负方向侧延伸。折回电极17b与连接电极16b相连接。

LC并联谐振器LC3设置在层叠体12中，且由线圈L3及电容器C3构成。更详细而言，LC并联谐振器LC3由通孔导体v41～v49、线圈导体层20c、22c、24c、电容器导体层32、及谐振接地导体层34构成，从x轴方向俯视时，LC并联谐振器LC3呈长方形的环状。此外，LC并联谐振器LC1和LC2从x轴方向的两侧夹着LC并联谐振器LC3，从x轴方向俯视时，LC并联谐振器LC3与LC并联谐振器LC1、LC2重合。

线圈L3由通孔导体v41～v49及线圈导体层20c、22c、24c构成。通孔导体v41～v44分别在z轴方向上贯通绝缘体层18b～18e，并通过彼此连接而得以构成一根通孔导体。

通孔导体v45～v49分别在z轴方向上贯通绝缘体层18b～18f，并通过彼此连接而得以构成一根通孔导体。此外，通孔导体v45～v49设置在相比通孔导体v41～v44更靠近y轴方向的负方向侧。

在绝缘体层18b的表面上，线圈导体层20c设置在线圈导体层20a和20b之间，是在y轴方向上延伸的线状的导体层。线圈导体层20c的y轴方向的正方向侧的端部与通孔导体v41的z轴方向的正方向侧的端部相连接。此外，线圈导体层20c的y轴方向的负方向侧的端部与通孔导体v45的z轴方向的正方向侧的端部相连接。

在绝缘体层18c的表面上，线圈导体层22c设置在线圈导体层22a和22b之间，是在y轴方向上延伸的线状的导体层。从z轴方向俯视时，线圈导体层22c以与线圈导体20c相一致的状态重叠。线圈导体层22c的y轴方向的正方向侧的端部连接有通孔导体v42的z轴方向的正方向侧的端部以及通孔导体v41的z轴方向的负方向侧的端部。此外，线圈导体层22c的y轴方向的负方向侧的端部连接有通孔导体v46的z轴方向的正方向侧的端部以及通孔导体v45的z轴方向的负方向侧的端部。

在绝缘体层18d的表面上，线圈导体层24c设置在线圈导体层24a和24b之间，是在y轴方向上延伸的线状的导体层。从z轴方向俯视时，线圈导体层24c以与线圈导体20c、22c相一致的状态重叠。线圈导体层24c的y轴方向的正方向侧的端部连接有通孔导体v43的z轴方向的正方向侧的端部以及通孔导体v42的z轴方向的负方向侧的端部。此外，线圈导体层24c的y轴方向的负方向侧的端部连接有通孔导体v47的z轴方向的正方向侧的端部以及通孔导体v46的z轴方向的负方向侧的端部。

如上所述，线圈L3呈U字形，其以通孔导体v44的z轴方向的负方向侧的端部为一端，以通孔导体v49的z轴方向的负方向侧的端部为另一端。而且，线圈L1与L3进行电磁场耦合。

电容器C3由电容器导体层32及谐振接地导体层34构成。电容器导体层32设置在绝缘体层18f的表面上，是呈长方形的导体层。电容器导体层32与通孔导体v44的z轴方向的负方向侧的端部相连接。因此，电容器导体层32与线圈L3的一端相连接。

谐振接地导体层34设置在绝缘体层18g的表面上，从而设置在相比电容器导体层32更靠近z轴方向的负方向侧。即，在LC并联谐振器LC3中，谐振接地导体层34设置在z轴方向的最靠负方向侧。谐振接地导体层34覆盖绝缘体层18g的大致整个面。由此，电容器导体层32与谐振接地导体层34隔着绝缘体层18f相对。由此，在电容器导体层32与谐振接地导体层34之间形成静电电容。此外，谐振接地导体层34与通孔导体v49的z轴方向的负方向侧的端部相连接。由此，谐振接地导体层34与线圈L3的另一端相连接。这样，电容器C1的接地导体层、电容器C2的接地导体层、及电容器C3的接地导体层通过一个谐振接地导体层34而构成。

耦合导体层36设置在绝缘体层18i的表面上，是在x轴方向上延伸的长方形的导体层。因此，在z轴方向上，耦合导体层36设置在电容器导体层30a、30b与外部电极15之间。此外，耦合导体层36隔着绝缘体层18h与电容器导体30a、30b相对。由此，在耦合导体层36与电容器导体层30a、30b之间分别形成电容器C10、C11。由此，LC并联谐振器LC1与LC2经由耦合导体层36进行电容耦合。

此外，外部电极15设置在绝缘体层18j的背面上，从而设置在相比LC并联谐振器LC1、LC2更靠近z轴方向的负方向侧。此外，外部电极15隔着绝缘体层18h～18j与电容器导体层30a、30b相对，并且隔着绝缘体层18i、18j与耦合导体层36相对。外部电极15是接地导体层，其直接被施加母板上的接地电位。与电容器导体层30a相对的接地导体层和与电容器导体层30b相对的接地导体层通过一个外部电极15而构成。

通孔导体v12～v15在z轴方向上贯通绝缘体层18g～18j，并通过彼此连接而得以构成一根通孔导体。通孔导体v12的z轴方向的正方向侧的端部与谐振接地导体层34相连接。通孔导体v15的z轴方向的负方向侧的端部与外部电极15相连接。

通孔导体v32～v35在z轴方向上贯通绝缘体层18g～18j，并通过彼此连接而得以构成一根通孔导体。通孔导体v32的z轴方向的正方向侧的端部与谐振接地导体层34相连接。通孔导体v35的z轴方向的负方向侧的端部与外部电极15相连接。

通孔导体v61～v64在z轴方向上贯通绝缘体层18g～18j，并通过彼此连接而得以构成一根通孔导体。通孔导体v61的z轴方向的正方向侧的端部与谐振接地导体层34相连接。通孔导体v64的z轴方向的负方向侧的端部与外部电极15相连接。

通孔导体v71～v74在z轴方向上贯通绝缘体层18g～18j，并通过彼此连接而得以构成一根通孔导体。通孔导体v71的z轴方向的正方向侧的端部与谐振接地导体层34相连接。通孔导体v74的z轴方向的负方向侧的端部与外部电极15相连接。

如上所述，从x轴方向俯视时，LC并联谐振器LC1～LC3重合。而且，LC并联谐振器LC1和LC2夹着LC并联谐振器LC3。由此，如图3所示，LC并联谐振器LC1的线圈L1与LC并联谐振器LC3的线圈L3进行电磁场耦合。此外，LC并联谐振器LC3的线圈L3与LC并联谐振器LC2的线圈L2进行电磁场耦合。而且，通过设置分别与电容器导体层30a、30b相对的耦合导体层36，如图3所示，LC并联谐振器LC1与LC并联谐振器LC2进行电容耦合。具有以上结构的LC并联谐振器LC1～LC3构成带通滤波器。

接下来，参照图1至图3对电子元器件10的动作的一个示例进行说明。例如，在具有正的电压的高频信号Sig1从外部电极14a输入的情况下，如图3所示，从x轴方向的正方向侧俯视时，高频信号Sig1朝顺时针方向流动。

LC并联谐振器LC1的线圈L1与LC并联谐振器LC3的线圈L3进行电磁场耦合。由此，若从x轴方向的正方向侧俯视时高频信号Sig1在LC并联谐振器LC1中朝顺时针方向流动，则从x轴方向的正方向侧俯视时高频信号Sig3通过电磁感应在LC并联谐振器LC3中朝逆时针方向流动。

LC并联谐振器LC3与LC并联谐振器LC2进行电磁场耦合。由此，若从x轴方向的正方向侧俯视时高频信号Sig3在LC并联谐振器LC3中朝逆时针方向流动，则从x轴方向的正方向侧俯视时高频信号Sig2通过电磁感应在LC并联谐振器LC2中朝顺时针方向流动。由此，高频信号Sig2从外部电极14b输出。

此处，LC并联谐振器LC1～LC3分别具有由线圈L1～L3及电容器C1～C3所决定的固有谐振频率。而且，LC并联谐振器LC1～LC3的阻抗会在这些谐振频率下增高。由此，由这些谐振频率所决定的规定频带的高频信号Sig2从外部电极14b输出。

而且，若高频信号Sig1从外部电极14a输入，高频信号Sig2从外部电极14b输出，则有可能在电子元器件10的使用频带(下面称为规定频带)下因电容器导体层30a、30b的自谐振而产生寄生信号。因此，在电子元器件10中，电容器导体层30a、30b与外部电极15相对。由此，因自谐振产生的高频信号经由电容器导体层30a、30b流向外部电极15。其结果是，能抑制因电容器导体层30a、30b的自谐振而在规定频带下产生的高频信号从外部电极14b输出，从而抑制寄生信号的产生。

(电子元器件的制造方法)

接下来，参照图1及图2对电子元器件10的制造方法进行说明。

首先，准备要成为绝缘体层18的陶瓷生片。接下来，分别在要成为绝缘体层18b～18j的陶瓷生片上形成通孔导体v1～v15、v21～v35、v41～v49、v61～v64、v71～v74。具体而言，对要成为绝缘体层18b～18j的陶瓷生片照射激光束，从而形成通孔。接下来，利用印刷涂布等方法将Ag、Pd、Cu、Au、或它们的合金等的导电性糊料填充到该通孔中。

接下来，利用丝网印刷法或光刻法等方法将以Ag、Pd、Cu、Au、或它们的合金等为主要成分的导电性糊料涂布到要成为绝缘体层18a～18i的陶瓷生片的表面上，从而形成折回电极17a、17b、线圈导体层20a～20c、22a～22c、24a～24c、引出导体层26a、26b、电容器导体层30a、30b、32、谐振接地导体层34及耦合导体层36。另外，也可以在形成线圈导体层20a～20c、22a～22c、24a～24c、引出导体层26a、26b、电容器导体层30a、30b、32、谐振接地导体层34及耦合导体层36时，对通孔填充导电性糊料。

接下来，利用丝网印刷法或光刻法等方法将以Ag、Pd、Cu、Au、或它们的合金等为主要成分的导电性糊料涂布到要成为绝缘体层18j的陶瓷生片的背面上，从而形成外部电极14a、14b、15。另外，也可以在形成外部电极14a、14b、15时，对通孔填充导电性糊料。

接下来，将各陶瓷生片进行层叠。具体而言，配置要成为绝缘体层18j的陶瓷生片。接下来，将要成为绝缘体层18i的陶瓷生片配置在要成为绝缘体层18j的陶瓷生片上。之后，将要成为绝缘体层18i的陶瓷生片与要成为绝缘体层18j的陶瓷生片进行压接。之后，对于要成为绝缘体层18h、18g、18f、18e、18d、18c、18b、18a的陶瓷生片，也同样地按此顺序进行层叠和压接。通过以上的工序，形成母层叠体。利用等静压等来对该母层叠体实施正式的压接。

接下来，利用切刀将母层叠体切割成规定尺寸的层叠体12。对该未烧制的层叠体12进行脱粘合剂处理及烧制。

通过以上的工序，得到经过烧制的层叠体12。对层叠体12实施滚筒加工，并进行倒角。

接下来，涂布导电性糊料，从而形成连接电极16a、16b。

最后，对外部电极14a、14b、15、连接电极16a、16b、及折回电极17a、17b的表面实施镀Ni/镀Sn。经过以上的工序，完成图1所示的电子元器件10。

(效果)

根据具有以上结构的电子元器件10，能抑制在规定频带下的寄生信号的产生。更详细而言，在电子元器件10中，接地导体层即外部电极15设置在相比LC并联谐振器LC1、LC2更靠近z轴方向的负方向侧，且隔着绝缘体层18h～18j与电容器导体层30a、30b相对。其结果是，即使在电容器导体层30a、30b中产生自谐振而产生高频信号，该高频信号也会流向外部电极15。其结果是，能抑制因自谐振而产生的高频信号从外部电极14b输出，从而抑制在规定频带下的寄生信号的产生。

此外，在电子元器件10中，出于以下的理由，能更有效地抑制在规定频带下的寄生信号的产生。更详细而言，在电子元器件10中，电容器导体层30a、30b与接地导体层相对，从而抑制寄生信号的产生。此处，与电容器导体层30a、30b相对的接地导体层是外部电极15。由此，不是像分别设置接地导体层和外部电极15的情况那样在接地导体层与外部电极15之间设置通孔导体，因此，在接地导体层与外部电极15之间不会形成电感分量。由此，因自谐振所产生的高频信号不会因接地导体层与外部电极15之间的电感分量而在电子元器件10内反射，而是从外部电极15向电子元器件10外输出。如上所述，在电子元器件10中，能更有效地抑制在规定频带下的寄生信号的产生。

此外，在电子元器件10中，LC并联谐振器LC1与LC并联谐振器LC2进行电磁场耦合。由此，在电子元器件10的高频信号的通过特性中，能降低衰减极点的频率。

此外，在电子元器件10中，LC并联谐振器LC1、LC2的电容器导体层30a、30b设置在相比谐振接地导体层34更靠近z轴方向的负方向侧，LC并联谐振器LC3的电容器导体层32设置在相比谐振接地导体层34更靠近z轴方向的正方向侧。因此，电容器导体层32不与耦合导体层36及电容器电极30a、30b相对。因此，通过与耦合导体层36及电容器电极30a、30b相对，使得LC并联谐振器LC1、LC2与LC并联谐振器LC3不进行耦合。其结果是，在电子元器件10的高频信号的通过特性中，能进一步降低衰减极点的频率。

(变形例1)

以下，参照附图对变形例所涉及的电子元器件进行说明。图4是变形例1所涉及的电子元器件10a的层叠体12的分解立体图。

电子元器件10a与电子元器件10的不同之处在于：没有设置绝缘体层18i、耦合导体层36及通孔导体v14、v34、v63、v73。由于没有设置耦合导体层36，因此，在电子元器件10a中，LC并联谐振器LC1与LC并联谐振器LC2的耦合度比电子元器件10要低。

即使是具有以上结构的电子元器件10a，也能与电子元器件10相同地抑制寄生信号的产生。

(仿真)

本申请的发明人为了进一步明确电子元器件10、10a所起到的效果，进行了下面所说明的计算机仿真。图5是变形例所涉及的电子元器件的层叠体111的分解立体图。在图5中，仅标注了与说明有关的参照标号。

首先，参照图5对比较例所涉及的电子元器件进行说明。比较例所涉及的电子元器件包括LC并联谐振器LC101～LC103。LC并联谐振器LC101～LC103分别包含电容器C101～C103。此处，电容器C101、C102的电容器导体层112a、112b设置在相比接地导体层114更靠近z轴方向的负方向侧，并与外部电极115a、115b相对。然而，电容器导体层112a、112b不与设置在z轴方向的负方向侧、并被施加接地电位的外部电极116相对。

首先，制成具有图2及图4所示的结构的模型1及模型2。并且，制成具有图5所示的结构的模型3。然后，对于模型1至模型3，调查了输出信号相对于输入信号的衰减量。图6是表示模型1的仿真结果的曲线图。图7是表示模型2的仿真结果的曲线图。图8是表示模型3的仿真结果的曲线图。在图6至图8中，纵轴表示衰减量，横轴表示频率。

在模型3中，从图8可见，在10GHz附近产生了寄生信号。另一方面，在模型1及模型2中，从图6及图7可见，在10GHz附近没有产生寄生信号。如上所述，根据电子元器件10、10a，发现能抑制在规定频带下的寄生信号的产生。

此外，根据图6，模型1的衰减极点的频率为5GHz左右，与此相对，根据图7，模型2的衰减极点的频率为3.5GHz左右。因此，可见通过设置耦合导体层36，电子元器件10的衰减极点的频率比电子元器件10a的衰减极点的频率要低，通频带附近的高频侧的衰减变得急剧。

(变形例2)

以下，参照附图对变形例2所涉及的电子元器件进行说明。图9是变形例2所涉及的电子元器件10b的分解立体图。

电子元器件10b与电子元器件10的不同之处在于：没有设置连接电极16a、16b、折回电极17a、17b、绝缘体层18e、引出导体层26a、26b、通孔导体v4、v9、v24、v29、v44、v48，以及设有通孔导体v80～v84。

更详细而言，在电子元器件10b中，外部电极仅由外部电极14a、14b、15构成。因此，不需要引出导体层26a、26b。而且，外部电极14a、14b也可以不分别在绝缘体层18j的x轴方向的负方向侧的短边及x轴方向的正方向侧的短边引出。

其中，由于需要将外部电极14a与线圈L1及电容器C1相连接，因此，设有通孔导体v80～v82。通孔导体v80～v82在z轴方向上贯通绝缘体层18h～18j，并通过彼此连接而得以构成一根通孔导体。此外，通孔导体v80的z轴方向的正方向侧的端部与电容器导体层30a相连接。通孔导体v82的z轴方向的负方向侧的端部与外部电极14a相连接。

此外，由于需要将外部电极14b与线圈L2及电容器C2相连接，因此，设有通孔导体v83～v85。通孔导体v83～v85在z轴方向上贯通绝缘体层18h～18j，并通过彼此连接而得以构成一根通孔导体。此外，通孔导体v83的z轴方向的正方向侧的端部与电容器导体层30b相连接。通孔导体v85的z轴方向的负方向侧的端部与外部电极14b相连接。

具有以上结构的电子元器件10b具有与电子元器件10相同的等效电路。此外，电子元器件10b也能与电子元器件10相同地抑制寄生信号的产生。

(其它实施方式)

本发明所涉及的电子元器件的结构并不限于所述实施方式所涉及的电子元器件10、10a、10b，能在其要点的范围内进行变更。

另外，在电子元器件10、10a、10b中，电容器导体层30a、30b与外部电极15相对。然而，电容器导体层30a、30b也可以与设置在层叠体12内的下层接地导体层相对。在此情况下，下层接地导体层(第1接地导体层及第3接地导体层)设置在外部电极15的z轴方向的正方向侧，并通过通孔导体与外部电极15相连接。

另外，在电子元器件10、10a、10b中，设有三个LC并联谐振器，但LC并联谐振器的数量并不限于此。LC并联谐振器只要设置一个以上即可。

工业上的实用性

如上所述，本发明对电子元器件是有用的，尤其在能抑制寄生信号的产生方面较为优异。

标号说明

C1～C3、C10、C11  电容器

L1～L3  线圈

LC1～LC3  LC 并联谐振器

10、10b、10b  电子元器件

12  层叠体

14a、14b、15  外部电极

18a～18j  绝缘体层

30a、30b、32  电容器导体层

34  谐振接地导体层

36  耦合导体层

Claims (9)

1.一种电子元器件，其特征在于，包括：

层叠体，该层叠体通过将多个绝缘体层进行层叠而构成，且在层叠方向的下侧具有安装面；

第1LC并联谐振器，该第1LC并联谐振器设置在所述层叠体中，且由第1线圈及第1电容器构成，在从与层叠方向正交的方向俯视时，该第1LC并联谐振器呈环状；以及

第1接地导体层，

所述第1电容器包含：

第1电容器导体层，该第1电容器导体层与所述第1线圈的一端相连接；以及

第2接地导体层，该第2接地导体层与所述第1线圈的另一端相连接，且设置在相比所述第1电容器导体层更靠近层叠方向的上侧，并且该第2接地导体隔着所述绝缘体层与该第1电容器导体层相对，

所述第1接地导体层设置在相比所述第1LC并联谐振器更靠近层叠方向的下侧，且隔着所述绝缘体层与所述第1电容器导体层相对。

2.如权利要求1所述的电子元器件，其特征在于，

所述电子元器件还包括：

第2LC并联谐振器，该第2LC并联谐振器设置在所述层叠体中，且由第2线圈及第2电容器构成，在从与层叠方向正交的方向俯视时，该第2LC并联谐振器呈环状；以及

第3接地导体层，

所述第2电容器包含：

第2电容器导体层，该第2电容器导体层与所述第2线圈的一端相连接；以及

第4接地导体层，该第4接地导体层与所述第2线圈的另一端相连接，且设置在相比所述第2电容器导体层更靠近层叠方向的上侧，该第4接地导体层隔着所述绝缘体层与该第2电容器导体层相对，

所述第3接地导体层设置在相比所述第2LC并联谐振器更靠近层叠方向的下侧，且隔着所述绝缘体层与所述第2电容器导体层相对，

所述第1LC并联谐振器及所述第2LC并联谐振器通过所述第1线圈与所述第2线圈进行电磁场耦合来构成滤波器。

3.如权利要求2所述的电子元器件，其特征在于，

所述第2接地导体层及所述第4接地导体层由一个导体层构成。

4.如权利要求2或3所述的电子元器件，其特征在于，

所述第1接地导体层及所述第3接地导体层由一个导体层构成。

5.如权利要求2至4的任一项所述的电子元器件，其特征在于，

所述电子元器件还包括耦合导体层，该耦合导体层隔着所述绝缘体层与所述第1电容器导体层及所述第2电容器导体层相对，并且在层叠方向上，该耦合导体层设置在该第1电容器导体层与所述第1接地导体层之间、以及该第2电容器导体层与所述第3接地导体层之间。

6.如权利要求2至5的任一项所述的电子元器件，其特征在于，

所述电子元器件还包括第3LC并联谐振器，该第3LC并联谐振器设置在所述层叠体中，且由第3线圈及第3电容器构成，在从与层叠方向正交的方向俯视时，该第3LC并联谐振器呈环状，

所述第3电容器包含：

第3电容器导体层，该第3电容器导体层与所述第3线圈的一端相连接；以及

第5接地导体层，该第5接地导体层与所述第3线圈的另一端相连接，且设置在相比所述第3电容器导体层更靠近层叠方向的下侧，并且该第5接地导体层隔着所述绝缘体层与该第3电容器导体层相对，

所述第1LC并联谐振器和所述第2LC并联谐振器在与层叠方向正交的方向上夹着所述第3LC并联谐振器，

所述第1LC并联谐振器、所述第2LC并联谐振器及所述第3LC并联谐振器通过所述第1线圈与所述第2线圈与所述第3线圈进行电磁场耦合来构成滤波器。

7.如权利要求6所述的电子元器件，其特征在于，

所述第2接地导体层、所述第4接地导体层及所述第5接地导体层由一个导体层构成。

8.如权利要求1至7的任一项所述的电子元器件，其特征在于，

所述第1接地导体层是设置在所述安装面上的接地电极。

9.如权利要求1至7的任一项所述的电子元器件，其特征在于，

所述电子元器件还包括设置在所述安装面上的接地电极，

所述第1接地导体层与所述接地电极相连接。