CN103684326A - 滤波器 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够简单地获得所希望的通过特性的滤波器。线圈（L1～L3）包括：设置于绝缘体层（16）上的线路导体层（18a～18f）；从y轴方向上的线路导体层的一端向z轴方向的负方向侧延伸，并与电容器导体层（32a、28、32b）电连接的通孔导体（b8～b15、b28～b33、b58～b65）；以及从y轴方向上的线路导体层的另一端向z轴方向的负方向侧延伸，并与接地导体层（30）电连接的通孔导体（b1～b7、b21～b27、b51～b57）。通孔导体（b1～b7、b21～b27、b51～b57）之间的距离与通孔导体（b8～b15、b28～b33、b58～b65）之间的距离不同。

Description

滤波器

技术领域

本发明涉及滤波器，更特定而言，涉及具备多个LC并联谐振器的滤波器。

背景技术

作为与现有的滤波器相关的发明，例如已知有专利文献1所记载的层叠带通滤波器。图19是专利文献1所记载的层叠带通滤波器500的分解立体图。

层叠带通滤波器500包括：层叠体502以及LC并联谐振器504、506、508、510、512。层叠体502通过层叠多个绝缘体层而得以构成。LC并联谐振器504、506、508、510、512由导体层以及通孔导体构成，在从与层叠方向正交的方向俯视时，呈环形。LC并联谐振器504、506、508、510、512的环路面相互重叠。

层叠带通滤波器500中，LC并联谐振器504、506、508、510、512的环路面稍有偏离。由此，LC并联谐振器504、506、508、510、512之间的耦合度下降，从而能够使层叠带通滤波器500的通频带变窄。其结果是，可以得到具有所希望的通过特性的层叠带通滤波器500。

如上所述，期望一种能得到所希望的通过特性的滤波器。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开专利第2007/119356号刊物

发明内容

发明所要解决的技术问题

这里，本发明的目的在于，提供一种能够简单地获得所希望的通过特性的滤波器。

解决技术问题所采用的技术方案

本发明的一个实施方式所涉及的滤波器的特征在于，包括：层叠体，该层叠体由多个绝缘体层层叠而成；以及多个LC并联谐振器，该多个LC并联谐振器沿着与所述层叠体中的层叠方向正交的第1方向排列，且包括线圈及电容器，在第1方向上相邻的所述LC并联谐振器之间彼此进行电磁耦合，各个所述电容器包括：电容器导体层；以及经由所述绝缘体层与所述电容器导体层相对的接地导体层，各个所述线圈包括：线路导体层，该线路导体层设置于所述绝缘体层上；第1通孔导体，该第1通孔导体从与层叠方向以及第1方向正交的第2方向上的所述线路导体层的一端向层叠方向的一侧延伸，并与所述电容器导体层电连接；以及第2通孔导体，该第2通孔导体从第2方向上的所述线路导体层的另一端向层叠方向的一侧延伸，并与所述接地导体层电连接，在第1方向上相邻的所述第1通孔导体之间的第1距离与在第1方向上相邻的所述第2通孔导体之间的第2距离不同。

发明效果

根据本发明，能够简单地获得所希望的通过特性。

附图说明

图1是本发明的实施方式所涉及的滤波器的外观立体图。

图2是滤波器的层叠体的分解立体图。

图3是滤波器的等效电路图。

图4是从z轴方向俯视第1模型的线路导体层时的图。

图5是从z轴方向俯视第2模型的线路导体层时的图。

图6是从z轴方向俯视第3模型的线路导体层时的图。

图7是从z轴方向俯视第4模型的线路导体层时的图。

图8是表示第1模型的仿真结果的曲线图。

图9是表示第2模型的仿真结果的曲线图。

图10是表示第3模型的仿真结果的曲线图。

图11是表示第4模型的仿真结果的曲线图。

图12是变形例所涉及的层叠体的分解立体图。

图13是从z轴方向俯视第5模型的线路导体层时的图。

图14是从z轴方向俯视第6模型的线路导体层时的图。

图15是从z轴方向俯视第7模型的线路导体层时的图。

图16是表示第5模型的仿真结果的曲线图。

图17是表示第6模型的仿真结果的曲线图。

图18是表示第7模型的仿真结果的曲线图。

图19是专利文献1所记载的层叠带通滤波器的分解立体图。

具体实施方式

下面，说明本发明的实施方式所涉及的滤波器。

(滤波器的结构)

下面，参照附图，对本发明的一个实施方式所涉及的滤波器的结构进行说明。图1是本发明的实施方式所涉及的滤波器10的外观立体图。图2是滤波器10的层叠体12的分解立体图。图3是滤波器10的等效电路图。图1及图2中，z轴方向表示绝缘体层16的层叠方向。另外，x轴方向表示沿着滤波器10的长边的方向，而y轴方向表示沿着滤波器10的短边的方向。x轴方向、y轴方向以及z轴方向相互正交。

如图1和图2所示，滤波器10包括：层叠体12、外部电极14(14a～14c)、LC并联谐振器LC1～LC3、电容器C4～C6、以及通孔导体b16、b17、b34～b42、b66、b67。

如图2所示，层叠体12通过将由陶瓷电介质所构成的绝缘体层16a～16k进行层叠而得以构成，且呈长方体状。另外，层叠体12内置有LC并联谐振器LC1～LC3以及电容器C4～C6。

如图2所示，绝缘体层16a～16k呈长方形状，例如由陶瓷电介质构成。绝缘体层16a～16k以从z轴方向的正方向侧向负方向侧按此顺序排列的方式进行层叠。下面，将绝缘体层16的z轴方向的正方向侧的面称为表面，而将绝缘体层16的z轴方向的负方向侧的面称为背面。

LC并联谐振器LC1～LC3沿x轴方向排列。本实施方式中，在从z轴方向俯视时，LC并联谐振器LC1～LC3按照该顺序从x轴方向的负方向侧向正方向侧排列。而且，在y轴方向上相邻的LC并联谐振器LC1～LC3通过相互进行电磁耦合，从而构成带通滤波器。

如图3所示，LC并联谐振器LC1包括线圈L1及电容器C1。更具体而言，LC并联谐振器LC1由通孔导体b1～b15、线路导体层18a、18b、电容器导体层26a、32a以及接地导体层30构成，且呈环形。

电容器C1包括电容器导体层26a、32a以及接地导体层30。接地导体层30是呈十字型的导体层，由端部30a、中央部30b及端部30c构成。中央部30b是设置于绝缘体层16i的表面中央的长方形的导体层。端部30a是从中央部30b的x轴方向的负方向侧的边朝x轴方向的负方向侧突出的长方形的导体。端部30c是从中央部30b的x轴方向的正方向侧的边朝x轴方向的正方向侧突出的长方形的导体。

电容器导体层26a是隔着绝缘体层16g、16h与接地导体层30的端部30a相对的导体层，并设于绝缘体层16g的表面上。由此，在电容器导体层26a与接地导体层30之间产生静电电容。电容器导体层26a呈现为在y轴方向上具有长边方向的长方形，并设置于比绝缘体层16g的对角线交点、更靠x轴方向的负方向侧。

电容器导体层32a是隔着绝缘体层16i与接地导体层30的端部30a相对的导体层，并设于绝缘体层16j的表面上。由此，在电容器导体层32a与接地导体层30之间产生静电电容。电容器导体层32a呈现为在y轴方向上具有长边方向的长方形，并设置于比绝缘体层16j的对角线交点、更靠x轴方向的负方向侧。通过将电容器导体层26a与接地导体层30之间的静电电容和电容器导体层32a与接地导体层30之间的静电电容并联连接，来形成电容器C1。

线圈L1包含通孔导体b1～b15以及线路导体层18a、18b。线路导体层18a设置于绝缘体层16b的表面上，是呈L字型的线状导体。更具体而言，线路导体层18a由平行部A及弯曲部B构成。平行部A在y轴方向上延伸。弯曲部B从平行部A的y轴方向的正方向侧的端部朝x轴方向的正方向侧延伸。如上所述结构的线路导体层18a设置于比绝缘体层16b的对角线交点、更靠x轴方向的负方向侧。

线路导体层18b设置于绝缘体层16c的表面上，是呈L字型的线状导体。更具体而言，线路导体层18b由平行部A及弯曲部B构成。平行部A在y轴方向上延伸。弯曲部B从平行部A的y轴方向的正方向侧的端部朝x轴方向的正方向侧延伸。如上所述结构的线路导体层18b设置于比绝缘体层16c的对角线交点、更靠x轴方向的负方向侧。

通孔导体b1～b7分别在z轴方向上贯通绝缘体层16b～16h。通孔导体b1的z轴方向的正方向侧的端部与线路导体层18a的弯曲部B的x轴方向的正方向侧的端部相连接。通孔导体b2的z轴方向的正方向侧的端部与线路导体层18b的弯曲部B的x轴方向的正方向侧的端部相连接。此外，通孔导体b7的z轴方向的负方向侧的端部与接地导体层30相连接。由此，通孔导体b1～b7构成从线路导体层18a、18b的y轴方向的正方向侧的端部朝z轴方向的负方向侧延伸的一根通孔导体，并与接地导体层30相连接。

通孔导体b8～b15在z轴方向上分别贯通绝缘体层16b～16i，且相比于通孔导体b1～b7设置于更靠y轴方向的负方向侧。通孔导体b8的z轴方向的正方向侧的端部与线路导体层18a的平行部A的y轴方向的负方向侧的端部相连接。通孔导体b9的z轴方向的正方向侧的端部与线路导体层18b的平行部A的y轴方向的负方向侧的端部相连接。另外，通孔导体b12的z轴方向的负方向侧的端部与电容器导体层26a相连接。另外，通孔导体b15的z轴方向的负方向侧的端部与电容器导体层32a相连接。由此，通孔导体b8～b15构成从线路导体层18a、18b的y轴方向的负方向侧的端部朝z轴方向的负方向侧延伸的一根通孔导体，并与电容器导体层26a、32a相连接。

如上所述，线圈L1以通孔导体b7和接地导体层30的连接点作为一端，经由通孔导体b1～b7、线路导体层18a、18b、通孔导体b8～b15，以通孔导体b15和电容器导体层32a的连接点作为另一端，构成环状。

如上所述结构的LC并联谐振器LC1从z轴方向俯视时，形成弯曲成L字型的环路面。LC并联谐振器LC1环路面是指由LC并联谐振器LC1包围的假想平面。

如图3所示，LC并联谐振器LC2包括线圈L2及电容器C2。更具体而言，LC并联谐振器LC2由通孔导体b21～b33、线路导体层18c、18d、电容器导体层26b、28以及接地导体层30构成，且呈环形。

电容器C2包括电容器导体层26b、28以及接地导体层30。接地导体层30是呈十字型的导体层。

电容器导体层26b是隔着绝缘体层16g、16h与接地导体层30的中央部30b相对的导体层，并设于绝缘体层16g的表面上。由此，在电容器导体层26b与接地导体层30之间产生静电电容。电容器导体层26b呈现为在x轴方向上具有长边方向的长方形，并设置于绝缘体层16g的对角线交点附近。

电容器导体层28是隔着绝缘体层16h与接地导体层30的中央部30b相对的导体层，并设置于绝缘体层16h的表面上。由此，在电容器导体层28与接地导体层30之间产生静电电容。电容器导体层28呈现为在x轴方向上具有长边方向的长方形，并设置于比绝缘体层16h的对角线交点、更靠y轴方向的负方向侧。通过将电容器导体层26b与接地导体层30之间的静电电容和电容器导体层28与接地导体层30之间的静电电容并联连接，来形成电容器C2。

线圈L2包含通孔导体b21～b33以及线路导体层18c、18d。线路导体层18c设置于绝缘体层16b的表面上，是在y轴方向上延伸的呈直线状的线状导体。线路导体层18c由平行部A构成。如上所述结构的线路导体层18c设置于绝缘体层16b的对角线的附近。

线路导体层18d设置于绝缘体层16c的表面上，是在y轴方向上延伸的呈直线状的线状导体。线路导体层18d由平行部A构成。如上所述结构的线路导体层18d设置于绝缘体层16c的对角线的附近。

通孔导体b21～b27分别在z轴方向上贯通绝缘体层16b～16h。通孔导体b21的z轴方向的正方向侧的端部与线路导体层18c的y轴方向的正方向侧的端部相连接。通孔导体b2的z轴方向的正方向侧的端部与线路导体层18b的y轴方向的正方向侧的端部相连接。此外，通孔导体b27的z轴方向的负方向侧的端部与接地导体层30相连接。由此，通孔导体b21～b27构成从线路导体层18c、18d的y轴方向的正方向侧的端部朝z轴方向的负方向侧延伸的一根通孔导体，并且，与接地导体层30相连接。

通孔导体b28～b33在z轴方向上分别贯通绝缘体层16b～16g，且相比于通孔导体b21～b27设置于更靠y轴方向的负方向侧。通孔导体b28的z轴方向的正方向侧的端部与线路导体层18c的y轴方向的负方向侧的端部相连接。通孔导体b29的z轴方向的正方向侧的端部与线路导体层18d的y轴方向的负方向侧的端部相连接。另外，通孔导体b32的z轴方向的负方向侧的端部与电容器导体层26b相连接。此外，通孔导体b33的z轴方向的负方向侧的端部与电容器导体层28相连接。由此，通孔导体b28～b33构成从线路导体层18c、18d的y轴方向的负方向侧的端部朝z轴方向的负方向侧延伸的一根通孔导体，并与电容器导体层26b、28相连接。

如上所述，线圈L2以通孔导体b27和接地导体层30的连接点作为一端，经由通孔导体b21～b27、线路导体层18c、18d、通孔导体b28～b33，以通孔导体b33和电容器导体层28的连接点作为另一端，构成环状。

如上所述结构的LC并联谐振器LC2形成平行于yz平面的环路面。LC并联谐振器LC2环路面是指由LC并联谐振器LC2包围的长方形的假想平面。

如图3所示，LC并联谐振器LC3包括线圈L3及电容器C3。更具体而言，LC并联谐振器LC3由通孔导体b51～b65、线路导体层18e、18f、电容器导体层26c、32b以及接地导体层30构成，且呈环形。

电容器C3包括电容器导体层26c、32b以及接地导体层30。接地导体层30是呈十字型的导体层。

电容器导体层26c是隔着绝缘体层16g、16h与接地导体层30的端部30c相对的导体层，并设于绝缘体层16g的表面上。由此，在电容器导体层26c与接地导体层30之间产生静电电容。电容器导体层26c呈现为在y轴方向上具有长边方向的长方形，并设置于比绝缘体层16g的对角线交点、更靠x轴方向的正方向侧。

电容器导体层32b是隔着绝缘体层16i与接地导体层30的端部30c相对的导体层，并设于绝缘体层16j的表面上。由此，在电容器导体层32b与接地导体层30之间产生静电电容。电容器导体层32b呈现为在y轴方向上具有长边方向的长方形，并设置于比绝缘体层16j的对角线交点、更靠x轴方向的正方向侧。通过将电容器导体层26c与接地导体层30之间的静电电容和电容器导体层32b与接地导体层30之间的静电电容并联连接，来形成电容器C3。

线圈L3包含通孔导体b51～b65以及线路导体层18e、18f。线路导体层18e设置于绝缘体层16b的表面上，是呈L字型的线状导体。更具体而言，线路导体层18e由平行部A及弯曲部B构成。平行部A在y轴方向上延伸。弯曲部B从平行部A的y轴方向的正方向侧的端部朝x轴方向的负方向侧延伸。如上所述结构的线路导体层18e设置于比绝缘体层16b的对角线交点、更靠x轴方向的正方向侧。

线路导体层18f设置于绝缘体层16c的表面上，是呈L字型的线状导体。更具体而言，线路导体层18f由平行部A及弯曲部B构成。平行部A在y轴方向上延伸。弯曲部B从平行部A的y轴方向的正方向侧的端部朝x轴方向的负方向侧延伸。如上所述结构的线路导体层18f设置于比绝缘体层16c的对角线交点、更靠x轴方向的正方向侧。

通孔导体b51～b57分别在z轴方向上贯通绝缘体层16b～16h。通孔导体b51的z轴方向的正方向侧的端部与线路导体层18e的弯曲部B的x轴方向的负方向侧的端部相连接。通孔导体b52的z轴方向的正方向侧的端部与线路导体层18f的弯曲部B的x轴方向的负方向侧的端部相连接。此外，通孔导体b57的z轴方向的负方向侧的端部与接地导体层30相连接。由此，通孔导体b51～b57构成从线路导体层18e、18f的y轴方向的正方向侧的端部朝z轴方向的负方向侧延伸的一根通孔导体，并且，与接地导体层30相连接。

通孔导体b58～b65在z轴方向上分别贯通绝缘体层16b～16i，且相比于通孔导体b51～b57设置于更靠y轴方向的负方向侧。通孔导体b58的z轴方向的正方向侧的端部与线路导体层18e的平行部A的y轴方向的负方向侧的端部相连接。通孔导体b59的z轴方向的正方向侧的端部与线路导体层18f的平行部A的y轴方向的负方向侧的端部相连接。另外，通孔导体b62的z轴方向的负方向侧的端部与电容器导体层26c相连接。另外，通孔导体b65的z轴方向的负方向侧的端部与电容器导体层32b相连接。由此，通孔导体b58～b65构成从线路导体层18e、18f的y轴方向的负方向侧的端部朝z轴方向的负方向侧延伸的一根通孔导体，并与电容器导体层26c、32b相连接。

如上所述，线圈L3在yz平面上呈环状，以通孔导体b57与接地导体层30的连接点作为一端，并经由通孔导体b51～b57、线路导体层18e、18f、通孔导体b58～b65，以通孔导体b65与电容器导体层32b的连接点作为另一端。

如上所述结构的LC并联谐振器LC3从z轴方向俯视时，形成弯曲成L字型的环路面。LC并联谐振器LC3环路面是指由LC并联谐振器LC3包围的假想平面。

LC并联谐振器LC1的环路面和LC并联谐振器LC3的环路面夹着LC并联谐振器LC2的环路面。由此，如图3所示，LC并联谐振器LC1的线圈L1与LC并联谐振器LC2的线圈L2电磁耦合。另外，LC并联谐振器LC2的线圈L2与LC并联谐振器LC3的线圈L3电磁耦合。

此外，线路导体层18a、18e呈L字型。于是，线路导体层18a的y轴方向的正方向侧的端部与通孔导体b1～b7相连，而线路导体层18a的y轴方向的负方向侧的端部与通孔导体b8～b15相连。而且，线路导体层18c的y轴方向的正方向侧的端部与通孔导体b21～b27相连，而线路导体层18c的y轴方向的负方向侧的端部与通孔导体b28～b33相连。此外，线路导体层18e的y轴方向的正方向侧的端部与通孔导体b51～b57相连，而线路导体层18e的y轴方向的负方向侧的端部与通孔导体b58～b65相连。

由此，在y轴方向上相邻的通孔导体b1～b7和通孔导体b21～b27之间的距离与在y轴方向上相邻的通孔导体b8～b15和通孔导体b28～b33之间的距离不同。本实施方式中，通孔导体b8～b15和通孔导体b28～b33之间的距离比通孔导体b1～b7和通孔导体b21～b27之间的距离要大。

同样，在y轴方向上相邻的通孔导体b51～b57和通孔导体b21～b27之间的距离与在y轴方向上相邻的通孔导体b58～b65和通孔导体b28～b33之间的距离不同。本实施方式中，通孔导体b58～b65和通孔导体b28～b33之间的距离比通孔导体b51～b57和通孔导体b21～b27之间的距离要大。距离是指从z轴方向俯视时的直线距离。

此外，在从z轴方向俯视时，线路导体层18a～18f的平行部A从与电容器导体层32a、28、32b相连接的通孔导体b8～b15、b28～b33、b58～b65起彼此平行地向y轴方向的正方向侧延伸。

电容器C4包括电容器导体层22a、22b以及耦合导体层24a。耦合导体层24a设置在绝缘体层16f的表面上，并在x轴方向上延伸。电容器导体层22a是隔着绝缘体层16e与耦合导体层24a相对的导体层，并设置于绝缘体层16e的表面上。电容器导体层22a与通孔导体b10、b11相连接。电容器导体层22b是隔着绝缘体层16e与耦合导体层24a相对的导体层，并设置于绝缘体层16e的表面上。电容器导体层22b与通孔导体b30、b31相连接。由此，在电容器导体层22a、22b与耦合导体层24之间产生静电电容，从而形成电容器C4。如上所述，LC并联谐振器LC1与LC并联谐振器LC2经由电容器C4进行电容耦合。

电容器C5包括电容器导体层22b、22c以及耦合导体层24b。耦合导体层24b设置在绝缘体层16f的表面上，并在x轴方向上延伸。电容器导体层22c是隔着绝缘体层16e与耦合导体层24b相对的导体层，并设置于绝缘体层16e的表面上。电容器导体层22c与通孔导体b60、b61相连接。电容器导体层22b是隔着绝缘体层16e与耦合导体层24b相对的导体层，并设置于绝缘体层16e的表面上。由此，在电容器导体层22b、22c与耦合导体层24b之间产生静电电容，从而形成电容器C5。如上所述，LC并联谐振器LC3与LC并联谐振器LC2经由电容器C5进行电容耦合。

电容器C6包括电容器导体层22a、22c以及耦合导体层20。耦合导体层20设置在绝缘体层16d的表面上，并在x轴方向上延伸。由此，耦合导体层20隔着绝缘体层16d与电容器导体层22a、22c相对。其结果是，在电容器导体层22a与耦合导体层20之间产生静电电容，并在电容器导体层22b与耦合导体层20之间产生静电电容。如上所述，电容器导体层22a、22c经由耦合导体层20进行电容耦合。由此，形成电容器C6。如上所述，LC并联谐振器LC1与LC并联谐振器LC3经由电容器C6进行电容耦合。

如图1所示，外部电极14a设置于层叠体12中的z轴方向的负方向侧的底面上，且被用作为输入电极。即，外部电极14a设置于绝缘体层16k的背面上。外部电极14b设置于层叠体12中的z轴方向的负方向侧的底面上，且被用作为接地电极。即，外部电极14b设置于绝缘体层16k的背面上。外部电极14c设置于层叠体12中的z轴方向的负方向侧的底面上，且被用作为输出电极。即，外部电极14c设置于绝缘体层16k的背面上。外部电极14a～14c依该顺序从x轴方向的负方向侧向正方向侧排列。

通孔导体b16、b17在z轴方向上贯通绝缘体层16j、16k，并将电容器导体层32a和外部电极14a相连接。通孔导体b66、b67在z轴方向上贯通绝缘体层66j、16k，并将电容器导体层32b和外部电极14c相连接。通孔导体b34～b36在z轴方向上贯通绝缘体层16i～16k，并将接地导体层30和外部电极14b相连接。通孔导体b37～b39在z轴方向上贯通绝缘体层16i～16k，并将接地导体层30和外部电极14b相连接。通孔导体b40～b42在z轴方向上贯通绝缘体层16i～16k，并将接地导体层30和外部电极14b相连接。

接下来，参照图1至图3，对滤波器10的动作的一个示例进行说明。如图3所示，首先，从外部电极14a输入的高频信号Sig1流过LC并联谐振器LC1。

线圈L1与线圈L2电磁耦合。由此，若高频信号Sig1流过LC并联谐振器LC1，则高频信号Sig2由于电磁感应而流过LC并联谐振器LC2。

线圈L2与线圈L3电磁耦合。由此，若高频信号Sig2流过LC并联谐振器LC2，则高频信号Sig3由于电磁感应而流过LC并联谐振器LC3。由此，从外部电极14c输出高频信号Sig3。

这里，LC并联谐振器LC1～LC3分别具有由线圈L1～L3以及电容器C1～C3所确定的固有的谐振频率。于是，LC并联谐振器LC1～LC3的阻抗在这些谐振频率下会变大。由此，由这些谐振频率所确定的规定的频带的高频信号Sig3并非经由外部电极14b而流向接地，而是从外部电极14c输出。

(滤波器的制造方法)

接下来，参照图1和图2，对滤波器10的制造方法进行说明。

首先，准备要成为绝缘体层16a～16k的陶瓷生片。接下来，分别在要成为绝缘体层16b～16k的陶瓷生片上形成通孔导体b1～b17，b21～b42，b51～b67。具体而言，将激光束照射到要成为绝缘体层16b～16k的陶瓷生片上，从而形成通孔。接下来，利用印刷涂布等方法将Ag、Pd、Cu、Au或它们的合金等导电性糊料填充到该通孔中。

接着，将以Ag、Pd、Cu、Au或它们的合金等为主要成分的导电性糊料利用丝网印刷法、光刻法等方法涂布在要成为绝缘体层16b～16j的陶瓷生片的表面上，从而形成线路导体层18a～18f、耦合导体层20、24a、24b、电容器导体层22a～22c、26a～26c、28、32a、32b及接地导体层30。将以Ag、Pd、Cu、Au或它们的合金等为主要成分的导电性糊料利用丝网印刷法或光刻法等方法涂布在要成为绝缘体层16k的陶瓷生片的背面上，从而形成要成为外部电极14a～14c的导体电极。另外，在形成导体电极、线路导体层18a～18f、耦合导体层20、24a、24b、电容器导体层22a～22c、26a～26c、28、32a、32b及接地导体层30时，也可以对通孔导体填充导电性糊料。

接下来，将各陶瓷生片进行层叠。具体而言，配置要成为绝缘体层16k的陶瓷生片。接下来，在要成为绝缘体层16k的陶瓷生片上配置要成为绝缘体层16j的陶瓷生片。之后，将要成为绝缘体层16j的陶瓷生片对要成为绝缘体层16k的陶瓷生片进行压接。之后，对要成为16i、16h、16g、16f、16e、16d、16c、16b、16a的陶瓷生片也同样地按照该顺序进行层叠与压接。通过上述工序，形成母层叠体。利用静水压冲压等来对该母层叠体实施正式压接。

接着，利用切刀刃将母层叠体切割成规定尺寸的层叠体12。对该未烧成的层叠体12进行脱粘合剂处理及烧成。

通过上述工序，得到烧成后的层叠体12。对层叠体12实施滚筒加工，并进行倒角。

最后，对导体电极的表面实施镀Ni/镀Sn，从而形成外部电极14a～14c。经过上述工序，图1所示的滤波器10得以完成。

（效果）

根据以上所述结构的滤波器，能简单地获得所希望的通过特性。更具体而言，滤波器10中，通孔导体b8～b15和通孔导体b28～b33之间的距离比通孔导体b1～b7和通孔导体b21～b27之间的距离要大。通孔导体b58～b65和通孔导体b28～b33之间的距离比通孔导体b51～b57和通孔导体b21～b27之间的距离要大。由此，在滤波器10中，与接地导体层30相连的通孔导体b1～b7、通孔导体b21～b27及通孔导体b51～b57彼此之间比与电容器导体层32a、28、32b相连的通孔导体b8～b15、通孔导体b28～b33及通孔导体b58～b65彼此之间要接近。若与接地导体层相连的通孔导体彼此之间接近，则磁场耦合相对较强，能使通频带变窄。另一方面，若与电容器导体层相连的通孔导体彼此之间接近，则电容耦合相对较强，能使通频带变窄。因此，滤波器10能力图使通频带变窄。

如上所述，根据滤波器10，使通孔导体b8～b15与通孔导体b28～b33之间的距离不同于通孔导体b1～b7与通孔导体b21～b27之间的距离，并使通孔导体b58～b65与通孔导体b28～b33之间的距离不同于通孔导体b51～b57与通孔导体b21～b27之间的距离。由此，能改变滤波器10的通频带。即，能简单地在滤波器10中获得所希望的通过特性。

此外，在滤波器10中由于以下说明的理由也能改变滤波器10的通频带。更具体而言，在从z轴方向俯视时，线路导体层18a～18f的平行部A从与电容器导体层32a、28、32b相连接的通孔导体b8～b15、通孔导体b28～b33及通孔导体b58～b65起相互平行地向y轴方向的正方向侧延伸。即，线路导体层18a、18c、18e的平行部A以分隔的状态平行地延伸。同样，线路导体层18b、18d、18f的平行部A以分隔的状态平行地延伸。由此，线路导体层18a、18c、18e之间的磁场耦合、以及线路导体层18b、18d、18f之间的磁场耦合变弱。其结果是，在滤波器10中可力图使滤波器10的通频带变宽。如上所述，通过改变线路导体层18a～18f的形状，也能改变滤波器10的通频带。即，能简单地在滤波器10中获得所希望的通过特性。

本申请的发明人为了明确滤波器10所起到的效果，进行了如下说明的计算机仿真。更详细而言，生成了滤波器10的第1模型至第3模型，以及比较例所涉及的滤波器的第4模型。图4是从z轴方向俯视第1模型的线路导体层18a、18c、18e时的图。图5是从z轴方向俯视第2模型的线路导体层18a、18c、18e时的图。图6是从z轴方向俯视第3模型的线路导体层18a、18c、18e时的图。图7是从z轴方向俯视第4模型的线路导体层118a、118c、118e时的图。

如图4所示，第1模型中，线路导体层18a、18c、18e的平行部A相互接近。即，在从z轴方向俯视时，线路导体层18a、18c、18e的平行部A从与接地导体层30相连接的通孔导体b1～b7、通孔导体b21～b27及通孔导体b51～b57起相互平行地向y轴方向的负方向侧延伸。于是，线路导体层18a的弯曲部B从平行部A的y轴方向的负方向侧的端部朝x轴方向的负方向侧延伸。线路导体层18e的弯曲部B从平行部A的y轴方向的负方向侧的端部朝x轴方向的正方向侧延伸。

如图5所示，在从z轴方向俯视时，第2模型中线路导体层18a、18c、18e呈直线状，随着去向y轴方向的正方向侧，相互的距离变小。

如图6所示，第3模型中，线路导体层18a、18c、18e的平行部A相互分隔。即，在从z轴方向俯视时，线路导体层18a、18c、18e的平行部A从与电容器导体层32a、28、32b相连接的通孔导体b8～b15、通孔导体b28～b33及通孔导体b58～b65起相互平行地向y轴方向的正方向侧延伸。于是，线路导体层18a的弯曲部B从平行部A的y轴方向的正方向侧的端部朝x轴方向的正方向侧延伸。线路导体层18e的弯曲部B从平行部A的y轴方向的正方向侧的端部朝x轴方向的负方向侧延伸。第3模型具有与图2所示的滤波器10相同的结构。

如图7所示，第4模型中线路导体层118a、118c、118e呈在y轴方向延伸的直线状。即，线路导体层118a、118c、118e相互平行。

本申请的发明人对第1模型至第4模型的通过特性以及反射特性进行了调查。所谓通过特性是指从外部电极14c输出的输出信号相对于从外部电极14a输入的输入信号的衰减量与输入信号的频率之间的关系。所谓反射特性是指从外部电极14a输出的反射信号相对于从外部电极14a输入的输入信号的衰减量与输入信号的频率之间的关系。图8是表示第1模型的仿真结果的曲线图。图9是表示第2模型的仿真结果的曲线图。图10是表示第3模型的仿真结果的曲线图。图11是表示第4模型的仿真结果的曲线图。纵轴表示衰减量，而横轴表示频率。

若将图8至图10的曲线图与图11的曲线图进行比较，则可知第1模型至第3模型的通频带比第4模型的通频带要窄。由此，与接地导体层30相连的通孔导体b1～b7、通孔导体b21～b27及通孔导体b51～b57彼此之间比与电容器导体层32a、28、32b相连的通孔导体b8～b15、通孔导体b28～b33及通孔导体b58～b65彼此之间要接近，由此可知可力图使滤波器10的频带变窄。

此外，若将图8至图10进行比较，则可知第1模型的通频带最窄，而第3模型的通频带最宽。由于第1模型中，平行部A相接近，因此LC并联谐振器LC1～LC3之间的磁场耦合较强。因此，可知在第1模型中可力图使频带变窄。另一方面，由于第3模型中，平行部A相分隔，因此LC并联谐振器LC1～LC3之间的磁场耦合较弱。因此，可知在第3模型中可力图使频带变宽。如上所述可知，通过改变线路导体层18a～18f的形状，也能改变滤波器10的通过特性。

(变形例)

下面，参照附图，对变形例所涉及的滤波器10a进行说明。图12是变形例所涉及的滤波器10a的层叠体12的分解立体图。图12中，对与滤波器10相同的结构附加了与滤波器10相同的参照标号。对于滤波器10a的外观立体图，引用图1。此外，对于滤波器10a的等效电路图，引用图3。

滤波器10与滤波器10a的不同点在于，与电容器导体层32a、28、32b电连接的通孔导体b8、b9、通孔导体b28、b29及通孔导体b58、b59彼此之间比与接地导体层30电连接的通孔导体b1、b2、通孔导体b21、b22及通孔导体b51、b52彼此之间更接近。

更详细而言，如图3所示，LC并联谐振器LC1包括线圈L1及电容器C1。更具体而言，LC并联谐振器LC1由通孔导体b1～b15、线路导体层18a、18b、电容器导体层26a、32a、接地导体层30以及连接导体层40a、42a构成，且呈环形。

滤波器10a的电容器C1与滤波器10的电容器C1相同，因此省略说明。

线圈L1包含通孔导体b1～b15、线路导体层18a、18b以及连接导体层40a、42a。线路导体层18a设置于绝缘体层16b的表面上，是呈L字型的线状导体。更具体而言，线路导体层18a由平行部A及弯曲部B构成。平行部A在y轴方向上延伸。弯曲部B从平行部A的y轴方向的负方向侧的端部朝x轴方向的正方向侧延伸。如上所述结构的线路导体层18a设置于比绝缘体层16b的对角线交点、更靠x轴方向的负方向侧。

线路导体层18b设置于绝缘体层16c的表面上，是呈L字型的线状导体。更具体而言，线路导体层18b由平行部A及弯曲部B构成。平行部A在y轴方向上延伸。弯曲部B从平行部A的y轴方向的负方向侧的端部朝x轴方向的正方向侧延伸。如上所述结构的线路导体层18b设置于比绝缘体层16c的对角线交点、更靠x轴方向的负方向侧。

连接导体层40a设置在绝缘体层16d的表面上，并在x轴方向上延伸。连接导体层40a设置于比绝缘体层16d的对角线交点、更靠x轴方向的负方向侧、以及y轴方向的正方向侧。连接导体层42a设置在绝缘体层16d的表面上，并在x轴方向上延伸。连接导体层40a设置于比绝缘体层16d的对角线交点、更靠x轴方向的负方向侧、以及y轴方向的负方向侧。

通孔导体b1、b2分别在z轴方向上贯通绝缘体层16b、16c。通孔导体b1的z轴方向的正方向侧的端部与线路导体层18a的平行部A的y轴方向的正方向侧的端部相连接。通孔导体b2的z轴方向的正方向侧的端部与线路导体层18b的平行部A的y轴方向的正方向侧的端部相连接。另外，通孔导体b2的z轴方向的负方向侧的端部与连接导体层40a的x轴方向的负方向侧的端部相连接。

通孔导体b3～b7分别在z轴方向上贯通绝缘体层16d～16h。通孔导体b3的z轴方向的正方向侧的端部与连接导体层40a的x轴方向的正方向侧的端部相连接。此外，通孔导体b7的z轴方向的负方向侧的端部与接地导体层30相连接。由此，通孔导体b1、b2构成为从线路导体层18a、18b的y轴方向的正方向侧的端部朝z轴方向的负方向侧延伸的一根通孔导体，并且，经由通孔导体b3～b7与接地导体层30电连接。

通孔导体b8、b9分别在z轴方向上贯通绝缘体层16b、16c。通孔导体b8的z轴方向的正方向侧的端部与线路导体层18a的弯曲部B的x轴方向的正方向侧的端部相连接。通孔导体b9的z轴方向的正方向侧的端部与线路导体层18b的弯曲部B的x轴方向的正方向侧的端部相连接。另外，通孔导体b9的z轴方向的负方向侧的端部与连接导体层42a的x轴方向的正方向侧的端部相连接。

通孔导体b10～b15分别在z轴方向上贯通绝缘体层16d～16i。通孔导体b10的z轴方向的正方向侧的端部与连接导体层42a的x轴方向的负方向侧的端部相连接。另外，通孔导体b12的z轴方向的负方向侧的端部与电容器导体层26a相连接。另外，通孔导体b15的z轴方向的负方向侧的端部与电容器导体层32a相连接。由此，通孔导体b8、b9构成为从线路导体层18a、18b的y轴方向的负方向侧的端部朝z轴方向的负方向侧延伸的一根通孔导体，并且，经由通孔导体b10～b15与电容器导体层26a、32a相连接。

滤波器10a的LC并联谐振器LC2与滤波器10的LC并联谐振器LC2相同，因此省略说明。

如图3所示，LC并联谐振器LC3包括线圈L3及电容器C3。更具体而言，LC并联谐振器LC3由通孔导体b51～b65、线路导体层18e、18f、电容器导体层26c、32b、接地导体层30以及连接导体层40b、42b构成，且呈环形。

滤波器10a的电容器C3与滤波器10的电容器C3相同，因此省略说明。

线圈L3包含通孔导体b51～b65、线路导体层18e、18f以及连接导体层40b、42b。线路导体层18e设置于绝缘体层16b的表面上，是呈L字型的线状导体。更具体而言，线路导体层18e由平行部A及弯曲部B构成。平行部A在y轴方向上延伸。弯曲部B从平行部A的y轴方向的负方向侧的端部朝x轴方向的负方向侧延伸。如上所述结构的线路导体层18e设置于比绝缘体层16b的对角线交点、更靠x轴方向的正方向侧。

线路导体层18f设置于绝缘体层16c的表面上，是呈L字型的线状导体。更具体而言，线路导体层18f由平行部A及弯曲部B构成。平行部A在y轴方向上延伸。弯曲部B从平行部A的y轴方向的负方向侧的端部朝x轴方向的负方向侧延伸。如上所述结构的线路导体层18f设置于比绝缘体层16c的对角线交点、更靠x轴方向的正方向侧。

连接导体层40b设置在绝缘体层16d的表面上，并在x轴方向上延伸。连接导体层40b设置于比绝缘体层16d的对角线交点、更靠x轴方向的正方向侧、以及y轴方向的正方向侧。连接导体层42b设置在绝缘体层16d的表面上，并在x轴方向上延伸。连接导体层42b设置于比绝缘体层16d的对角线交点、更靠x轴方向的正方向侧、以及y轴方向的负方向侧。

通孔导体b51、b52分别在z轴方向上贯通绝缘体层16b、16c。通孔导体b51的z轴方向的正方向侧的端部与线路导体层18e的平行部A的y轴方向的正方向侧的端部相连接。通孔导体b52的z轴方向的正方向侧的端部与线路导体层18f的平行部A的y轴方向的正方向侧的端部相连接。另外，通孔导体b52的z轴方向的负方向侧的端部与连接导体层40b的x轴方向的正方向侧的端部相连接。

通孔导体b53～b57分别在z轴方向上贯通绝缘体层16d～16h。通孔导体b53的z轴方向的正方向侧的端部与连接导体层40b的x轴方向的负方向侧的端部相连接。此外，通孔导体b57的z轴方向的负方向侧的端部与接地导体层30相连接。由此，通孔导体b51、b52构成为从线路导体层18e、18f的y轴方向的正方向侧的端部朝z轴方向的负方向侧延伸的一根通孔导体，并且，经由通孔导体b53～b57与接地导体层30电连接。

通孔导体b58、b59分别在z轴方向上贯通绝缘体层16b、16c。通孔导体b58的z轴方向的正方向侧的端部与线路导体层18e的弯曲部B的x轴方向的负方向侧的端部相连接。通孔导体b59的z轴方向的正方向侧的端部与线路导体层18f的弯曲部B的x轴方向的负方向侧的端部相连接。另外，通孔导体b59的z轴方向的负方向侧的端部与连接导体层42b的x轴方向的负方向侧的端部相连接。

通孔导体b60～b65分别在z轴方向上贯通绝缘体层16d～16i。通孔导体b60的z轴方向的正方向侧的端部与连接导体层42b的x轴方向的正方向侧的端部相连接。另外，通孔导体b62的z轴方向的负方向侧的端部与电容器导体层26c相连接。另外，通孔导体b65的z轴方向的负方向侧的端部与电容器导体层32b相连接。由此，通孔导体b58、b59构成为从线路导体层18e、18f的y轴方向的负方向侧的端部朝z轴方向的负方向侧延伸的一根通孔导体，并且，经由通孔导体b60～b65与电容器导体层26c、32b相连接。

滤波器10a的电容器C4～C6与滤波器10的电容器C4～C6相同，因此省略说明。

（效果）

根据以上所述结构的滤波器10a，能简单地获得所希望的通过特性。更具体而言，滤波器10a中，通孔导体b8、b9和通孔导体b28、b29之间的距离比通孔导体b1、b2和通孔导体b21、b22之间的距离要小。通孔导体b58、b59和通孔导体b28、b29之间的距离比通孔导体b51、b52和通孔导体b21、b22之间的距离要小。由此，在滤波器10a中，与接地导体层30电连接的通孔导体b1、b2、通孔导体b21、b22及通孔导体b51、b52彼此之间比与电容器导体层32a、28、32b电连接的通孔导体b8、b9、通孔导体b28、b29及通孔导体b58、b59彼此之间要接近。若与接地导体层相连的通孔导体之间接近，则磁场耦合相对较强，能力图使通频带变窄。另一方面，若与电容器导体层相连的通孔导体之间接近，则电容耦合相对较强，能力图使通频带变窄。因此，滤波器10a能力图使通频带变窄。

如上所述，根据滤波器10a，使通孔导体b8、b9与通孔导体b28、b29之间的距离不同于通孔导体b1、b2与通孔导体b21、b22之间的距离，并使通孔导体b58、b59与通孔导体b28、b29之间的距离不同于通孔导体b51、b52与通孔导体b21、b22之间的距离。由此，能改变滤波器10a的通频带。即，能简单地在滤波器10a中获得所希望的通过特性。

此外，在滤波器10a中由于以下说明的理由也能改变滤波器10a的通频带。更具体而言，在从z轴方向俯视时，线路导体层18a～18f的平行部A从与接地导体层30电连接的通孔导体b1、b2、通孔导体b21、b22及通孔导体b51、b52起相互平行地向y轴方向的负方向侧延伸。即，线路导体层18a、18c、18e的平行部A以分隔的状态平行地延伸。同样，线路导体层18b、18d、18f的平行部A以分隔的状态平行地延伸。由此、线路导体层18a、18c、18e之间的磁场耦合、以及线路导体层18b、18d、18f之间的磁场耦合变弱。其结果，在滤波器10a中可力图使滤波器10a的通频带变宽。如上所述，通过改变线路导体层18a～18f的形状，也能改变滤波器10a的通频带。即，能简单地在滤波器10a中获得所希望的通过特性。

本申请的发明人为了进一步明确滤波器10a所起到的效果，进行了如下说明的计算机仿真。更具体而言，生成了滤波器10a的第5模型至第7模型。图13是从z轴方向俯视第5模型的线路导体层18a、18c、18e时的图。图14是从z轴方向俯视第6模型的线路导体层18a、18c、18e时的图。图15是从z轴方向俯视第7模型的线路导体层18a、18c、18e时的图。

如图13所示，第5模型中，线路导体层18a、18c、18e的平行部A相互接近。即，在从z轴方向俯视时，线路导体层18a、18c、18e的平行部A从与电容器导体层32a、28、32b电连接的通孔导体b8、b9、通孔导体b28、b29及通孔导体b58、b59起相互平行地向y轴方向的正方向侧延伸。于是，线路导体层18a的弯曲部B从平行部A的y轴方向的正方向侧的端部朝x轴方向的负方向侧延伸。线路导体层18e的弯曲部B从平行部A的y轴方向的正方向侧的端部朝x轴方向的正方向侧延伸。

如图14所示，在从z轴方向俯视时，第6模型中线路导体层18a、18c、18e呈直线状，随着去向y轴方向的正方向侧，相互的距离变宽。

如图15所示，第7模型中，线路导体层18a、18c、18e的平行部A相互分隔。即，在从z轴方向俯视时，线路导体层18a、18c、18e的平行部A从与接地导体层30电连接的通孔导体b1、b2、通孔导体b21、b22及通孔导体b51、b52起相互平行地向y轴方向的负方向侧延伸。于是，线路导体层18a的弯曲部B从平行部A的y轴方向的负方向侧的端部朝x轴方向的正方向侧延伸。线路导体层18e的弯曲部B从平行部A的y轴方向的负方向侧的端部朝x轴方向的负方向侧延伸。第7模型具有与图12所示的滤波器10a相同的结构。

本申请的发明人对第5模型至第7模型的通过特性以及反射特性进行了调查。图16是表示第5模型的仿真结果的曲线图。图17是表示第6模型的仿真结果的曲线图。图18是表示第7模型的仿真结果的曲线图。纵轴表示衰减量，而横轴表示频率。

若将图16至图18的曲线图与图11的曲线图进行比较，则可知第5模型至第7模型的通频带比第4模型的通频带要宽。因此，与电容器导体层32a、28、32b电连接的通孔导体b8、b9、通孔导体b28、b29及通孔导体b58、b59彼此之间比与接地导体层30电连接的通孔导体b1、b2、通孔导体b21、b22

及通孔导体b51、b52彼此之间更接近，由此可知能力图使滤波器10a频带变宽。

此外，若将图16至图18进行比较，则可知第5模型的通频带最窄，而第7模型的通频带最宽。由于第5模型中，平行部A相接近，因此LC并联谐振器LC1～LC3之间的磁场耦合较强。因此，可知在第5模型中可力图使频带变窄。另一方面，由于第7模型中，平行部A相分隔，因此LC并联谐振器LC1～LC3之间的磁场耦合较弱。因此，可知在第7模型中可力图使频带变宽。如上所述可知，通过改变线路导体层18a～18f的形状，也能改变滤波器10a的通过特性。

（其它的实施方式）

另外，本发明申请所涉及的滤波器并不限于所述滤波器10、10a，也可以在其要点范围内进行变更。

此外，LC并联谐振器的数量也可以是2个，也可以是4个以上。

工业上的实用性

本发明对于滤波器是有用的，尤其在能够简单地获得所希望的通过特性这一点上较为优异。

标号说明

A  平行部

B 弯曲部

C1～C6   电容器

L1～L3   线圈

LC1～LC3  LC并联谐振器

b1～b17、b21～b42、b51～b67  通孔导体

10、10a  滤波器

12  层叠体

14a～14c  外部电极

16a～16k  绝缘体层

18a～18f  线路导体层

22a～22c、26a～26c、28、32a、32b  电容器导体层

30  接地导体层

Claims (9)

1.一种滤波器，其特征在于，包括：

层叠体，该层叠体由多个绝缘体层层叠而成；以及

多个LC并联谐振器，该多个LC并联谐振器沿着与所述层叠体中的层叠方向正交的第1方向排列，且包括线圈及电容器，

在第1方向上相邻的所述LC并联谐振器之间彼此进行电磁耦合，

各个所述电容器包括：

电容器导体层；以及

经由所述绝缘体层与所述电容器导体层相对的接地导体层，

各个所述线圈包括：

线路导体层，该线路导体层设置于所述绝缘体层上；

第1通孔导体，该第1通孔导体从与层叠方向以及第1方向正交的第2方向上的所述线路导体层的一端向层叠方向的一侧延伸，并与所述电容器导体层电连接；以及

第2通孔导体，该第2通孔导体从第2方向上的所述线路导体层的另一端向层叠方向的一侧延伸，并与所述接地导体层电连接，

在第1方向上相邻的所述第1通孔导体之间的第1距离与在第1方向上相邻的所述第2通孔导体之间的第2距离不同。

2.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，

所述第1距离比所述第2距离要大。

3.如权利要求2所述的滤波器，其特征在于，

从层叠方向俯视时，多个所述线路导体层分别具有从多个所述第2通孔导体起相互平行地延伸的平行部。

4.如权利要求2所述的滤波器，其特征在于，

从层叠方向俯视时，多个所述线路导体层分别具有从多个所述第1通孔导体起相互平行地延伸的平行部。

5.如权利要求2所述的滤波器，其特征在于，

从层叠方向俯视时，多个所述线路导体层分别呈直线状。

6.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，

所述第1距离比所述第2距离要小。

7.如权利要求6所述的滤波器，其特征在于，

从层叠方向俯视时，多个所述线路导体层分别具有从多个所述第2通孔导体起相互平行地延伸的平行部。

8.如权利要求6所述的滤波器，其特征在于，

从层叠方向俯视时，多个所述线路导体层分别具有从多个所述第1通孔导体起相互平行地延伸的平行部。

9.如权利要求6所述的滤波器，其特征在于，

从层叠方向俯视时，多个所述线路导体层分别呈直线状。

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