CN204013427U - 电子元器件 - Google Patents

Abstract

本实用新型的目的在于提供一种能抑制产生不需要电感分量的电子元器件。层叠体(12)由多层绝缘体层(16)层叠而构成，具有由该多层绝缘体层(16)的外缘相连而构成的安装面。谐振器(A1～A3)分别设置于层叠体(12)且由电容器(C1～C3)及线圈(L1～L3)构成。外部电极(15a～15c)设置于位于层叠体(12)的y轴方向的正方向侧的表面。电容器(C1～C3)由外部电极(15a～15c)、及隔着绝缘体层(16f)与外部电极(15a～15c)相对的电容器导体(18a～18c)构成。

Description

电子元器件

技术领域

本实用新型涉及电子元器件，特别涉及具备由线圈和电容器构成的谐振器的电子元器件。

背景技术

作为现有的电子元器件，例如，已知有专利文献1所记载的电子元器件。图9是专利文献1所记载的电子元器件500的外观立体图。图10是专利文献1所记载的电子元器件500的立体图。在图9及图10中，将层叠体502的层叠方向定义为y轴方向，在从y轴方向进行俯视时，将长边延伸的方向定义为x轴方向，将短边延伸的方向定义为z轴方向。

如图9及图10所示，电子元器件500包括层叠体502、外部电极504a～504c、线圈导体506、512、电容器导体508、510、514、连接导体516a、516b、及通孔导体v500。

层叠体502由多个绝缘体层沿y轴方向排列的方式进行层叠而构成，呈长方体状。外部电极504a、504b设置于层叠体502的y轴方向的负方向侧的面。外部电极504c设置于层叠体502的y轴方向的正方向侧的面。

连接导体516a设置于层叠体502的z轴方向的正方向侧的面，连接外部电极504b、504c。连接导体516b设置于层叠体502的z轴方向的负方向侧的面，连接外部电极504b、504c。

线圈导体506、512为相同形状，是沿x轴方向延伸的现状导体。线圈导体506在层叠体502内设置在相比线圈导体512更靠近y轴方向的负方向侧。

通孔导体v500沿y轴方向延伸，与外部电极504a及线圈导体506、512相连接。由此，线圈导体506、512通过通孔导体v500与外部电极504a相连接。

电容器导体508、514为相同形状，为长方形的导体。电容器导体508、514相互相对。另外，电容器导体508、514分别与线圈导体506、512的x轴方向的负方向侧的端部相连接。而且，电容器导体508、514与连接导体516a相连接。由此，电容器导体508、514通过连接导体516a与外部电极504b、504c相连接。

电容器导体510设置在电容器导体508、514之间，与电容器导体508、514相对。另外，电容器导体510与连接导体516b相连接。由此，电容器导体510通过连接导体516b与外部电极504b、504c相连接。

在采用上述结构的电子元器件500中，将外部电极504a用作输入端子，将外部电极504b、504c用作接地端子。由此，在外部电极504a和外部电极504b、504c之间形成线圈和电容器并联连接的并联谐振器。

在将专利文献1所记载的电子元器件500安装到电路基板时，使用层叠体502的z轴方向上的负方向侧的面作为安装面。电容器导体508、510、514相对于安装面垂直，因此相对于电路基板的主面也垂直。因此，电容器导体508、510、514相对于设置于电路基板的连接盘电极也垂直。其结果是，形成在电容器导体508、510、514和连接盘电极之间的静电电容减小，能抑制电子元器件500的并联谐振器的特性偏离所希望的特性。

但是，在电子元器件500中，电容器导体508、510、514通过连接导体516a、516b与外部电极504b、504c相连接。连接导体516a、516b具有电感分量。因此，专利文献1所记载的电子元器件500存在以下问题：即，在并联谐振器中，在电容器和外部电极504b、504c之间会产生不需要的电感分量。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2007-325046号公报

实用新型内容

实用新型所要解决的技术问题

因此，本实用新型的目的在于提供一种能够抑制不需要的电感分量的电子元器件。

解决技术问题所采用的技术方案

本实用新型的实施方式的电子元器件的特征在于，包括：层叠体，该层叠体由多层绝缘体层层叠而构成，具有由该多层绝缘体层的外缘相连而构成的安装面；谐振器，该谐振器设置于所述层叠体且由线圈及电容器构成；以及第一外部电极，该第一外部电极设置于位于所述层叠体的层叠方向的一侧的第一面，所述电容器由所述第一外部电极、及与该第一外部电极隔着所述绝缘体层相对的电容器导体构成。

实用新型效果

根据本实用新型，能抑制不需要的电感分量的产生。

附图说明

图1是实施方式1所涉及的电子元器件的外观立体图。

图2是实施方式1所涉及的电子元器件的分解立体图。

图3是实施方式1所涉及的电子元器件的剖视结构图。

图4是实施方式1所涉及的电子元器件的等效电路图。

图5是实施方式2所涉及的电子元器件的外观立体图。

图6是实施方式2所涉及的电子元器件的分解立体图。

图7是实施方式2所涉及的电子元器件的剖视结构图。

图8是实施方式2所涉及的电子元器件的等效电路图。

图9是专利文献1所记载的电子元器件的外观立体图。

图10是专利文献1所记载的电子元器件的立体图。

具体实施方式

下面，对本实用新型的实施方式所涉及的电子元器件进行说明。

(实施方式1)

(电子元器件的结构)

下面，参照附图，对本实用新型的实施方式1所涉及的电子元器件的结构进行说明。图1是实施方式1所涉及的电子元器件10的外观立体图。图2是实施方式1所涉及的电子元器件10的分解立体图。图3是实施方式1所涉及的电子元器件10的剖视结构图。图4是实施方式1所涉及的电子元器件10的等效电路图。以下定义电子元器件10的层叠方向为y方向。另外，当从y轴方向俯视时，将沿着电子元器件10的长边的方向定义为x轴方向，将沿着电子元器件1的短边的方向定义为z轴方向。

如图1及图2所示，电子元器件10包括层叠体12、外部电极14(14a～14c)、15(15a～15c)、谐振器A1～A3、及电容器C4、C5。

层叠体12为长方体状，由为长方形形状的多层绝缘体层16(16a～16g)依次从y轴方向的负方向侧向正方向侧排列的方式层叠而构成。在将电子元器件10安装到电路基板上时，层叠体12的z轴方向的负方向侧的主面S1成为与该电路基板相对的安装面。主面S1由绝缘体层16a～16g的z轴方向的负方向侧的长边(外缘)相连而构成。将绝缘体层16的y轴方向的负方向侧的面称为表面，将绝缘体层16的y轴方向的正方向侧的面称为背面。

外部电极14a～14c分别如图1及图2所示地设置于层叠体12的y轴方向的负方向侧的侧面S2。因此，外部电极14a～14c设置于绝缘体层16a的表面。另外，外部电极14a～14c以该顺序从x轴方向的负方向侧向正方向侧排列。

外部电极15a～15c分别如图1及图2所示地设置于层叠体12的y轴方向的正方向侧的侧面S3(与侧面S2相对的面)。因此，外部电极15a～15c设置于绝缘体层16g的背面。另外，外部电极15a～15c以该顺序从x轴方向的负方向侧向正方向侧排列。由此，外部电极14a与外部电极15a相对，外部电极14b和外部电极15b相对，外部电极14c和外部电极15c相对。

谐振器A1设置于层叠体12，由线圈L1及电容器C1构成。线圈L1由通孔导体v1～v5构成。通孔导体v1～v5分别如图2所示那样，沿y轴方向贯通绝缘体层16a～16e，且如图3所示，以相互连接的方式构成在y轴方向上延伸的一根通孔导体。另外，通孔导体v1的y轴方向的负方向侧的端部与外部电极14a相连接。

如图2及图3所示，电容器C1由电容器导体18a及外部电极15a构成。电容器导体18a设置于层叠体12内，更具体而言，是设置在绝缘体层16f的表面的长方形的导体。电容器导体18a隔着外部电极15a和绝缘体层16f、16g相对。由此，在外部电极15a与电容器导体18a之间形成静电电容。另外，电容器导体18a与线圈L1相连接，更详细而言，与通孔导体v5的y轴方向的正方向侧的端部相连接。由此，线圈L1和电容器C1串联连接。

谐振器A2在层叠体12中设置在相比谐振器A1要更靠近x轴方向的正方向侧，与谐振器A1进行电磁耦合。另外，谐振器A2由线圈L2及电容器C2构成。线圈L2由通孔导体v11～v15构成。通孔导体v11～v15分别如图2所示那样，沿y轴方向贯通绝缘体层16a～16e，且如图3所示，以相互连接的方式构成在y轴方向上延伸的一根通孔导体。另外，通孔导体v11的y轴方向的负方向侧的端部与外部电极14b相连接。

如图2及图3所示，电容器C2由电容器导体18b及外部电极15b构成。电容器导体18b设置于层叠体12内，更具体而言，是设置在绝缘体层16f的表面的长方形的导体。电容器导体18b隔着外部电极15b和绝缘体层16f、16g相对。由此，在外部电极15b与电容器导体18b之间形成静电电容。另外，电容器导体18b与线圈L2相连接，更详细而言，与通孔导体v15的y轴方向的正方向侧的端部相连接。由此，线圈L2和电容器C2串联连接。

谐振器A3在层叠体12中设置在相比谐振器A2要更靠近x轴方向的正方向侧，与谐振器A2进行电磁耦合。另外，谐振器A3由线圈L3及电容器C3构成。线圈L3由通孔导体v21～v25构成。通孔导体v21～v25分别如图2所示那样，沿y轴方向贯通绝缘体层16a～16e，且如图3所示，以相互连接的方式构成在y轴方向上延伸的一根通孔导体。另外，通孔导体v21的y轴方向的负方向侧的端部与外部电极14c相连接。

如图2及图3所示，电容器C3由电容器导体18c及外部电极15c构成。电容器导体18c设置于层叠体12内，更具体而言，是设置在绝缘体层16f的表面的长方形的导体。电容器导体18c隔着外部电极15c和绝缘体层16f、16g相对。由此，在外部电极15c与电容器导体18c之间形成静电电容。另外，电容器导体18c与线圈L3相连接，更详细而言，与通孔导体v25的y轴方向的正方向侧的端部相连接。由此，线圈L3和电容器C3串联连接。

电容器C4由电容器导体18a、18b、20a构成。电容器导体20a是设置在绝缘体层16e的表面的长方形的导体，在从y轴方向俯视时，隔着绝缘体层16e与电容器导体18a、18b相对。由此，电容器导体18a、18b与电容器导体20a之间形成静电电容。即，在电容器导体18a、18b之间形成电容器C4。

电容器C5由电容器导体18b、18c、20b构成。电容器导体20b是设置在绝缘体层16e的表面的长方形的导体，在从y轴方向俯视时，隔着绝缘体层16e与电容器导体18b、18c相对。由此，电容器导体18b、18c与电容器导体20b之间形成静电电容。即，在电容器导体18b、18c之间形成电容器C5。

采用上述结构的电子元器件10具有图4所示的电路结构。更具体而言，线圈L1及电容器C1串联连接在外部电极14a、15a间，构成谐振器A1。线圈L2及电容器C2串联连接在外部电极14b、15b间，构成谐振器A2。线圈L3及电容器C3串联连接在外部电极14c、15c间，构成谐振器A3。

另外，在线圈L1和电容器C1之间、与线圈L2和电容器C2之间，连接有电容器C4。在线圈L2和电容器C2之间、与线圈L3和电容C3之间，连接有电容器C5。

另外，谐振器A1、A2电磁耦合，谐振器A2、A3电磁耦合。由此，谐振器A1～A3构成带阻滤波电路。

在采用上述结构的电子元器件10中，将外部电极14a用作输入端子，将外部电极14c用作输出端子。另外，将外部电极15a～15c用作接地端子。另外，将外部电极14b保持为浮动电位。

若从外部电极14a输入高频信号，则在线圈L1及电容器C1中流过高频信号。并且，因电磁感应而在线圈L2及电容器C2中流过高频信号。并且，因电磁感应而在线圈L3及电容器C3中流过高频信号。

此处，谐振器A1由串联连接的线圈L1和电容器C1而构成。因此，在谐振器A1的谐振频率下，谐振器A1的阻抗最小。因而，高频信号内的谐振器A1的谐振频率的信号通过外部电极15a流向接地。

另外，谐振器A2由串联连接的线圈L2和电容器C2而构成。因此，在谐振器A2的谐振频率下，谐振器A2的阻抗最小。因而，高频信号内的谐振器A2的谐振频率的信号通过外部电极15b流向接地。

另外，谐振器A3由串联连接的线圈L3和电容器C3而构成。因此，在谐振器A3的谐振频率下，谐振器A3的阻抗最小。因而，高频信号内的谐振器A3的谐振频率的信号通过外部电极15c流向接地。

如上所述，在高频信号在谐振器A1～A3之间进行传输的期间中，能去除谐振器A1～A3的谐振频率的信号。然后，从外部电极14c输出去除了谐振器A1～A3的谐振频率的信号后的高频信号。

(电子元器件的制造方法)

接下来，参照图1和图2，对电子元器件10的制造方法进行说明。

首先，准备要成为绝缘体层16的陶瓷生片。接下来，分别在要成为绝缘体层16a～16e的陶瓷生片上形成通孔导体v1～v5，v11～v15，v21～v25。具体而言，用激光束照射要成为绝缘体层16a～16e的陶瓷生片，从而形成通孔。接下来，利用印刷涂布等方法将Ag、Pd、Cu、Au、或它们的合金等的导电性糊料填充到该通孔中。

接下来，利用丝网印刷法或光刻法等方法将以Ag、Pd、Cu、Au、或它们的合金等为主要成分的导电性糊料涂布到要成为绝缘体层16a、16e、16f的陶瓷生片的表面上，从而形成要成为外部电极14a～14c的基底电极、电容器导体18a～18c、20a、20b。此外，也可以在形成要成为外部电极14a～14c的基底电极、电容器导体18a～18c、20a、20b时，对通孔填充导线性糊料。

接下来，利用丝网印刷法或光刻法等方法将以Ag、Pd、Cu、Au、或它们的合金等为主要成分的导电性糊料涂布到要成为绝缘体层16g的陶瓷生片的背面上，从而形成要成为外部电极15a～15c的基底电极。

接着，将要成为绝缘体层16a～16g的陶瓷生片从y轴方向的负方向侧朝向正方向侧按此顺序排列的方式进行层叠和压接。通过以上的工序，形成母层叠体。利用等静压等来对该母层叠体实施正式的压接。

接下来，利用切刀将母层叠体切割成规定尺寸的层叠体12。对该未烧制的层叠体12进行脱粘合剂处理及烧制。

通过以上的工序，得到经过烧成的层叠体12。对层叠体12实施滚筒加工，并进行倒角。

最后，对成为外部电极14a～14c、15a～15c的基底电极的表面实施镀Ni/镀Sn。经过以上的工序，完成图1所示的电子元器件10。

(效果)

采用上述结构的电子元器件10能抑制产生不需要的电感分量。更具体而言，在专利文献1所记载的电子元器件500中，电容器导体508、510、514通过连接导体516a、516b与外部电极504b、504c相连接。连接导体516a、516b具有电感分量。因此，专利文献1所记载的电子元器件500存在以下问题：即，在并联谐振器中，在电容器和外部电极504b、504c之间会产生不需要的电感分量。

另一方面，在电子元器件10中，电容器C1～C3分别由电容器导体18a～18c和外部电极15a～15c构成。因此，不需要用于连接电容器C1～C3和外部电极15a～15c的布线。其结果是，能抑制在电容器C1～C3和外部电极15a～15c之间产生不需要的电感分量。

另外，在将电子元器件10安装到电路基板时，将层叠体12的z轴方向的负方向侧的主面S1用作为安装面。电容器导体18a～18c相对于主面S1垂直，因此相对于电路基板的主面页垂直。因此，电容器导体18a～18c相对于设置于电路基板的连接盘电极也垂直。因此，电容器导体18a～18c不与连接器电极相对。其结果是，能降低电容器导体18a～18c与接地电极之间的不需要的静电电容，能抑制电子元器件10的谐振器A1～A3的特性偏离所希望的特性。

另外，在电子元器件10中，在构成线圈的通孔导体之间配置构成电容器C4、C5的电容器导体20a、20b。因此，通过改变电容器导体20a、20b的形状及电容器导体20a、20b所形成的层，能适当地设定电容器C4、C5的电容值，并且能调整构成线圈的通孔导体间的电磁耦合度，从而获得所希望的滤波特性。而且，为了增加耦合调整的自由度，也可以在相比电容器导体20a、20b更靠近y轴负方向侧的位置上设置一个以上的浮动电极。此时，将该浮动电极的面积设定得小于电容器电极20a、20b的面积，且使其仅隔着电容器电极20a、20b而与电容器导体18a、18b、18c相重叠，从而能防止因设置浮动电极而引起的电容器C4、C5的电容值的变化。

另外，在电子元器件10中，不需要用于连接电容器C1～C3与外部电极15a～15c的布线，因此，不需要在层叠体12内留出新出布线的空间。即，能力图实现电子元器件10的小型化。

另外，在电子元器件10中能降低制造成本。更具体而言，在专利文献1所记载的电子元器件500中，连接导体516a、516b设置在层叠体502的z轴方向的正方向侧及负方向侧的面上。层叠体502的z轴方向的正方向侧及负方向侧的主面由绝缘体层的外缘相连而形成。因此，需要在形成层叠体502之后，利用印刷等来形成连接导体516a、516b。

另一方面，在电子元器件10中，设置于层叠体12的表面的外部电极14a～14c、15a～15c形成在绝缘体层16a的表面及绝缘体层16g的背面。因此，通过对陶瓷生片进行丝网印刷，从而能形成外部电极14a～14c、15a～15c。即，能利用与电容器导体18a～18c、20a、20c相同的工序来形成外部电极14a～14c、15a～15c。其结果是，能将电子元器件10的制造成本抑制得比电子元器件500的制造成本更低。

(实施方式2)

下面，参照附图，对本实用新型的实施方式2所涉及的电子元器件的结构进行说明。图5是实施方式2所涉及的电子元器件10a的外观立体图。图6是实施方式2所涉及的电子元器件10a的分解立体图。图7是实施方式2所涉及的电子元器件10a的剖视结构图。图8是实施方式2所涉及的电子元器件10a的等效电路图。

在电子元器件10中，谐振器A1～A3构成带阻滤波电路。另一方面，在电子元器件10a中，谐振器A1～A3构成带通滤波器。下面以上述不同点为重点对电子元器件10a的结构进行说明。

在电子元器件10a中，如图5～图7所示，还具有外部电极30(30a,30b)。外部电极30a设置在层叠体12的x轴方向的负方向侧的端面S5上。外部电极30b设置在层叠体12的x轴方向的正方向侧的端面S6上。

另外，在电子元器件10a中，设置有电容器导体18'a、18'c，来代替电容器导体18a、18c。如图6及图7所示，电容器导体18'a设置在绝缘体层16f的表面，引出至绝缘体层16f的x轴方向的负方向侧的短边。由此，电容器导体18'a与外部电极30a相连接。如图6及图7所示，电容器导体18'c设置在绝缘体层16f的表面，引出至绝缘体层16f的x轴方向的正方向侧的短边。由此，电容器导体18'c与外部电极30b相连接。电子元器件10a的其它结构与电子元器件10相同，因此省略说明。

在采用上述结构的电子元器件10a中，如图8所示，线圈L1连接在外部电极14a、30a之间。电容器C1连接在外部电极15a、30a之间。线圈L2及电容器C2串联连接在外部电极14b、15b间。线圈L3连接在外部电极14c、30b之间。电容器C3连接在外部电极15c、30b之间。

在采用上述结构的电子元器件10中，将外部电极30a用作输入端子，将外部电极30b用作输出端子。另外，将外部电极14a～14c、15a～15c用作接地端子。由此，由线圈L1和电容器C1构成并联的谐振器A1。由线圈L2和电容器C2构成并联的谐振器A2。由线圈L3和电容器C3构成并联的谐振器A3。

若从外部电极30a输入高频信号，则在线圈L1及电容器C1中流过高频信号。并且，因电磁感应而在线圈L2及电容器C2中流过高频信号。并且，因电磁感应而在线圈L3及电容器C3中流过高频信号。

此处，谐振器A1由并联连接的线圈L1和电容器C1而构成。因此，在谐振器A1的谐振频率下，谐振器A1的阻抗最大。因而，高频信号内的谐振器A1的谐振频率的信号不会通过外部电极14a、15a流向接地，而会被传输到谐振器A2。

另外，谐振器A2由并联连接的线圈L2和电容器C2而构成。因此，在谐振器A2的谐振频率下，谐振器A2的阻抗最大。因而，高频信号内的谐振器A2的谐振频率的信号不会通过外部电极14b、15b流向接地，而会被传输到谐振器A3。

另外，谐振器A3由并联连接的线圈L3和电容器C3而构成。因此，在谐振器A3的谐振频率下，谐振器A3的阻抗最大。因而，高频信号内的谐振器A3的谐振频率的信号不会通过外部电极14c、15c流向接地，而会被传输到外部电极14c。

如上所述，谐振器A1～A3的谐振频率的信号会通过谐振器A1～A3。并且，从外部电极14c输出去除了谐振器A1～A3的谐振频率的信号的高频信号。

采用上述结构的电子元器件10a能与电子元器件10一样，能抑制产生不需要的电感分量。另外，根据电子元器件10a，与电子元器件10相同，能降低电容器导体18a～18c与接地电极之间所形成的不需要的静电电容，能抑制电子元器件10a的谐振器A1～A3的特性偏离所希望的特性。在电子元器件10a中，与电子元器件10相同，能力图实现电子元器件10a的小型化。

工业上的实用性

如上所述，本实用新型适用于电子元器件，在抑制产生不需要的电感分量这一点上尤为突出。

标号说明

A1～A3 谐振器

C1～C5 电容器

L1～L3 线圈

v1～v5、v11～v15、v21～v25 通孔导体

10、10a 电子元器件

12 层叠体

14a～14c、15a～15c、30a、30b 外部电极

16a～16g 绝缘体层

18a～18c、18'a、18'c 电容器导体

Claims (4)

1.一种电子元器件，其特征在于，具备：

层叠体，该层叠体由多层绝缘体层层叠而构成，具有由该多层绝缘体层的外缘相连而构成的安装面；

谐振器，该谐振器设置于所述层叠体且由线圈及电容器构成；以及

第一外部电极，该第一外部电极设置于位于所述层叠体的层叠方向的一侧的第一面，

所述电容器由所述第一外部电极、及隔着所述绝缘体层与该第一外部电极相对的电容器导体构成，

在所述层叠体中设置有多个所述谐振器，以通过相互电磁耦合来构成滤波器电路。

2.如权利要求1所述的电子元器件，其特征在于，

所述电容器导体与所述线圈相连接。

3.如权利要求2所述的电子元器件，其特征在于，

所述线圈由在所述层叠体内沿层叠方向延伸且与所述电容器导体相连接的通孔导体构成。

4.如权利要求3所述的电子元器件，其特征在于，

还进一步包括设置于与所述第一面相对的第二面的第二外部电极，

所述通孔导体与所述第二外部电极相连接。