CN103210584B - 电子元器件 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种电子元器件，能不使元件变大而降低LC并联谐振器的耦合度。层叠体(12)通过层叠多个绝缘体层(16)而构成。LC并联谐振器(LC1、LC2)是由在z轴方向上延伸的过孔导体、及设置于绝缘体层(16)上的导体层组成且呈环路状的LC并联谐振器，并构成带通滤波器。LC并联谐振器(LC1)的环路面(S1)和LC并联谐振器(LC2)的环路面(S2)与z轴方向平行且相互平行，并且在从环路面(S1)的法线方向俯视时，LC并联谐振器(LC1)的环路面(S1)和LC并联谐振器(LC2)的环路面(S2)的至少一部分相互重叠。环路面(S1)朝z轴方向的正方向一侧超出环路面(S2)。

Description

电子元器件

技术领域

本发明涉及一种电子元器件，特别涉及一种包括由多个LC并联谐振器组成的带通滤波器的电子元器件。

背景技术

作为现有的电子元器件，例如，已知有专利文献1中记载的层叠带通滤波器。该层叠带通滤波器包括层叠体以及多个LC并联谐振器。层叠体通过层叠多个电介质层而构成。各LC并联谐振器由电容器电极及电感器电极构成。电感器电极形成为环路状。而且，各LC并联谐振器的环路面相互重叠。由于如上所述的层叠带通滤波器的环路面相互重叠，所以能够提高相邻LC并联谐振器的电感器电极间的耦合度，可实现宽频带化。

然而，对于具有由多个LC并联谐振器所组成的带通滤波器的电子元器件，有时会为了获得所需的特性而希望降低LC并联谐振器的电感器电极间的耦合度。专利文献1中所记载的层叠带通滤波器中，作为降低相邻LC并联谐振器间的耦合度的方法，提出了增大LC并联谐振器间的距离的方案。然而，若增大LC并联谐振器间的距离，则会出现层叠带通滤波器变大的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2007/119356号刊物

发明内容

发明所要解决的技术问题

因此，本发明的目的在于提供一种电子元器件，能不使元件变大而降低LC并联谐振器的线圈间的耦合度。

为解决问题所采用的技术方案

本发明一个实施方式的电子元器件包括：层叠体，该层叠体通过层叠多个绝缘体层而构成；以及环路状的第一LC并联谐振器和第二LC并联谐振器，所述第一LC并列谐振器和第二LC并联谐振器包括在层叠方向上延伸的过孔导体以及设置在所述绝缘体层上的导体层，所述第一LC并列谐振器和第二LC并联谐振器构成带通滤波器，所述第一LC并联谐振器的第一环路面和所述第二LC并联谐振器的第二环路面与层叠方向平行且相互平行，并且在从该第一环路面的法线方向俯视时，所述第一LC并联谐振器的第一环路面和所述第二LC并联谐振器的第二环路面的至少一部分相互重叠，所述第一环路面朝层叠方向的上侧和/或下侧超出所述第二环路面。

发明效果

利用本发明，能不使元件变大而调整LC并联谐振器的线圈间的耦合度。

附图说明

图1是本发明的实施方式所涉及的电子元器件的外观立体图。

图2是电子元器件的层叠体的分解立体图。

图3是电子元器件的等效电路图。

图4(a)至图4(h)分别是变形例1所涉及的电子元器件至变形例8所涉及的电子元器件的剖视结构图。

图5是表示第一仿真结果的曲线图。

图6是表示第一仿真结果的曲线图。

图7是表示第二仿真结果的曲线图。

图8是表示第三仿真结果的曲线图。

图9是表示第四仿真结果的曲线图。

图10是表示第五仿真结果的曲线图。

具体实施方式

下面，对本发明的实施方式所涉及的电子元器件进行说明。

(电子元器件的结构)

下面，参照附图，对本发明的一个实施方式所涉及的电子元器件的结构进行说明。图1是本发明实施方式所涉及的电子元器件10的外观立体图。图2是电子元器件10的层叠体12的分解立体图。图3是电子元器件10的等效电路图。在图1和图2中，z轴方向表示层叠方向。另外，x轴方向表示沿电子元器件的长边的方向，y轴方向表示沿电子元器件10的短边的方向。

如图1和图2所示，电子元器件10包括层叠体12、外部电极14(14a～14d)、LC并联谐振器LC1～LC3以及引出导体层20(20a、20b)、28(28a、28b)。

如图2所示，层叠体12通过将由陶瓷电介质所构成的绝缘体层16(16a～16g)进行层叠而构成，从而形成长方体状。另外，层叠体12中内置有LC并联谐振器LC1～LC3。

如图1所示，外部电极14a设置于x轴方向的负方向侧的侧面上，作为输入电极来使用。外部电极14b设置于x轴方向的正方向侧的侧面上，作为输出电极来使用。外部电极14c设置于y轴方向的负方向侧的侧面上，作为接地电极来使用。外部电极14d设置于y轴方向的正方向侧的侧面上，作为接地电极来使用。

如图2所示，绝缘体层16呈长方形，由例如陶瓷电介质构成。绝缘体层16a～16g被层叠成使得在z轴方向上按此顺序排列。以下，将绝缘体层16的z轴方向的正方向侧的面称为表面，将绝缘体层16的z轴方向的负方向侧的面称为背面。

LC并联谐振器LC1包含线圈L1和电容器C1。更详细而言，LC并联谐振器LC1呈环路状，包括：过孔导体b1～b9、电容器导体层22a、线圈导体层24a以及接地导体层26。

电容器C1由电容器导体层22a及接地导体层26所构成。接地导体层26是设置在LC并联谐振器LC1的z轴方向上最靠负方向一侧的导体层，其被设置于绝缘体层16g的表面上。接地导体层26呈长方形，覆盖绝缘体层16g的几乎整个面。电容器导体层22a是隔着绝缘体层16f与接地导体层26相对的导体层，其被设置于绝缘体层16f的表面上。由此，在电容器导体层22a与接地导体层26之间产生静电电容。电容器导体层22a呈长方形，长边方向位于y轴方向上，电容器导体层22a被设置于相比于绝缘体层16f的对角线交点更靠x轴方向的负方向一侧。

线圈L1包括过孔导体b1～b9以及线圈导体层24a。过孔导体b1～b4分别在z轴方向上贯通绝缘体层16b～16e。过孔导体b4在z轴方向的负方向一侧的端部与电容器导体层22a相连接。由此，过孔导体b1～b4与电容器导体层22a相连接，并且，构成一根在z轴方向上延伸的过孔导体。过孔导体b5～b9在z轴方向上分别贯通绝缘体层16b～16f，过孔导体b5～b9被设置于相比于过孔导体b1～b4更靠y轴方向的正方向一侧。过孔导体b9在z轴方向的负方向一侧的端部与接地导体层26相连接。由此，过孔导体b5～b9与接地导体层26相连接，并且，构成一根在z轴方向上延伸的过孔导体。

线圈导体层24a是设置在LC并联谐振器LC1的z轴方向上最靠正方向一侧的导体层，其被设置于绝缘体层16b的表面上。线圈导体层24a呈长方形，长边方向位于y轴方向上，线圈导体层24a被设置于相比于绝缘体层16b的对角线交点更靠x轴方向的负方向一侧。而且，线圈导体层24a与过孔导体b1～b4所组成的一根过孔导体在z轴方向的正方向一侧的端部相连接，并且与过孔导体b5～b9所组成的一根过孔导体在z轴方向的正方向一侧的端部相连接。即，过孔导体b1在z轴方向的正方向一侧的端部与线圈导体层24a在y轴方向的负方向一侧的端部相连接。过孔导体b5在z轴方向的正方向一侧的端部与线圈导体层24a在y轴方向的正方向一侧的端部相连接。

这样，线圈L1呈U字形，将过孔导体b4与电容器导体层22a的连接点作为其一端，将过孔导体b9与接地导体层26的连接点作为其另一端，其间经过过孔导体b1～b4、线圈导体层24a、过孔导体b5～b9。

如上所述构成的LC并联谐振器LC1形成与yz平面平行的环路面S1。环路面S1是指由LC并联谐振器LC1所形成的长方形假想平面。

LC并联谐振器LC2包含线圈L2和电容器C2。更详细而言，LC并联谐振器LC2呈环路状，包括：过孔导体b10～b16、电容器导体层22b、线圈导体层24b以及接地导体层26。

电容器C2由电容器导体层22b及接地导体层26所构成。接地导体层26是设置在LC并联谐振器LC2的z轴方向上最靠负方向一侧的导体层，其被设置于绝缘体层16g的表面上。接地导体层26呈长方形，覆盖绝缘体层16g的几乎整个面。即，电容器C2的接地导体层26与电容器C1的接地导体层26是共用的，其被设置于同一绝缘体层16g的表面上。电容器导体层22b是隔着绝缘体层16f与接地导体层26相对的导体层，其被设置于绝缘体层16f的表面上。由此，在电容器导体层22b与接地导体层26之间产生静电电容。电容器导体层22b呈长方形，长边方向位于y轴方向上，电容器导体层22b被设置于绝缘体层16f的对角线交点上。

线圈L2包括过孔导体b10～b16以及线圈导体层24b。过孔导体b10～b12分别在z轴方向上贯通绝缘体层16c～16e。另外，过孔导体b12在z轴方向的负方向一侧的端部与电容器导体层22b相连接。由此，过孔导体b10～b12与电容器导体层22b相连接，并且，构成一根在z轴方向上延伸的过孔导体。过孔导体b13～b16在z轴方向上分别贯通绝缘体层16c～16f，过孔导体b13～b16被设置于相比于过孔导体b10～b12更靠y轴方向的正方向一侧。另外，过孔导体b16在z轴方向的负方向一侧的端部与接地导体层26相连接。由此，过孔导体b13～b16与接地导体层26相连接，并且，构成一根在z轴方向上延伸的过孔导体。

线圈导体层24b是设置在LC并联谐振器LC2的z轴方向上最靠正方向一侧的导体层，其被设置于绝缘体层16c的表面上。线圈导体层24b呈长方形，长边方向位于y轴方向上，线圈导体层24b被设置于绝缘体层16c的对角线交点上。而且，线圈导体层24b与过孔导体b10～b12所组成的一根过孔导体在z轴方向的正方向一侧的端部相连接，并且与过孔导体b13～b16所组成的一根过孔导体在z轴方向的正方向一侧的端部相连接。即，过孔导体b10在z轴方向的正方向一侧的端部与线圈导体层24b在y轴方向的负方向一侧的端部相连接。过孔导体b13在z轴方向的正方向一侧的端部与线圈导体层24b在y轴方向的正方向一侧的端部相连接。

这样，线圈L2呈U字形，将过孔导体b12与电容器导体层22b的连接点作为其一端，将过孔导体b16与接地导体层26的连接点作为其另一端，其间经过过孔导体b10～b12、线圈导体层24b、过孔导体b13～b16。

如上所述构成的LC并联谐振器LC2形成与yz平面平行的环路面S2。环路面S2是指由LC并联谐振器LC2所形成的长方形假想平面。

LC并联谐振器LC3包含线圈L3和电容器C3。更详细而言，LC并联谐振器LC3呈环路状，包括：过孔导体b17～b25、电容器导体层22c、线圈导体层24c以及接地导体层26。

电容器C3由电容器导体层22c及接地导体层26所构成。接地导体层26是设置在LC并联谐振器LC3的z轴方向上最靠负方向一侧的导体层，其被设置于绝缘体层16g的表面上。接地导体层26呈长方形，覆盖绝缘体层16g的几乎整个面。即，电容器C3的接地导体层26与电容器C1、C2的接地导体层26是共用的，其被设置于同一绝缘体层16g的表面上。电容器导体层22c是隔着绝缘体层16f与接地导体层26相对的导体层，其被设置于绝缘体层16f的表面上。由此，在电容器导体层22c与接地导体层26之间产生静电电容。电容器导体层22c呈长方形，长边方向位于y轴方向上，电容器导体层22c被设置于相比于绝缘体层16f的对角线交点更靠x轴方向的正方向一侧。

线圈L3包括过孔导体b17～b25以及线圈导体层24c。过孔导体b17～b20分别在z轴方向上贯通绝缘体层16b～16e。过孔导体b20在z轴方向的负方向一侧的端部与电容器导体层22c相连接。由此，过孔导体b17～b20与电容器导体层22c相连接，并且，构成一根在z轴方向上延伸的过孔导体。过孔导体b21～b25在z轴方向上分别贯通绝缘体层16b～16f，过孔导体b21～b25被设置于相比于过孔导体b17～b20更靠y轴方向的正方向一侧。过孔导体b25在z轴方向的负方向一侧的端部与接地导体层26相连接。由此，过孔导体b21～b25与接地导体层26相连接，并且，构成一根在z轴方向上延伸的过孔导体。

线圈导体层24c是设置在LC并联谐振器LC3的z轴方向上最靠正方向一侧的导体层，其被设置于绝缘体层16b的表面上。线圈导体层24c呈长方形，长边方向位于y轴方向上，线圈导体层24c被设置于相比于绝缘体层16b的对角线交点更靠x轴方向的正方向一侧。而且，线圈导体层24c与过孔导体b17～b20所组成的一根过孔导体在z轴方向的正方向一侧的端部相连接，并且与过孔导体b21～b25所组成的一根过孔导体在z轴方向的正方向一侧的端部相连接。即，过孔导体b17在z轴方向的正方向一侧的端部与线圈导体层24c在y轴方向的负方向一侧的端部相连接。过孔导体b21在z轴方向的正方向一侧的端部与线圈导体层24c在y轴方向的正方向一侧的端部相连接。

这样，线圈L3呈U字形，将过孔导体b20与电容器导体层22c的连接点作为其一端，将过孔导体b25与接地导体层26的连接点作为其另一端，其间经过过孔导体b17～b20、线圈导体层24c、过孔导体b21～b25。

如上所述构成的LC并联谐振器LC3形成与yz平面平行的环路面S2。环路面S3是指由LC并联谐振器LC3所形成的长方形假想平面。

LC并联谐振器LC1～LC3的环路面S1～S3与yz平面平行(即，与z轴方向平行，且相互平行)，从x轴方向(即，环路面S1～S3的法线方向)俯视时，环路面S1～S3的至少一部分重叠。而且，环路面S1和环路面S3夹着环路面S2。由此，如图3所示，LC并联谐振器LC1的线圈L1与LC并联谐振器LC2的线圈L2电磁耦合。另外，LC并联谐振器LC2的线圈L2与LC并联谐振器LC3的线圈L3电磁耦合。

另外，在相比于LC并联谐振器LC2中设置于z轴方向最靠近正方向一侧的线圈导体层24b被设置得更靠z轴方向的正方向一侧的绝缘体层16b的表面上，设置了LC并联谐振器LC1、LC3中设置于z轴方向最靠近正方向一侧的线圈导体层24a、24c。因此，环路面S1、S3朝z轴方向的正方向一侧超出环路面S2。由此，LC并联谐振器LC1的一部分环路面S1与LC并联谐振器LC3的一部分环路面S3相对。其结果是，线圈L1与线圈L3之间电磁耦合。如上所述构成的LC并联谐振器LC1～LC3构成带通滤波器。

引出导体层20a被设置于绝缘体层16f的表面上，与电容器导体层22a相连接，并向绝缘体层16f的x轴方向的负方向侧的短边引出。由此，引出导体层20a与外部电极14a连接。其结果是，LC并联谐振器LC1在电容器C1和线圈L1之间与外部电极14a电连接。

引出导体层20b被设置于绝缘体层16f的表面上，与电容器导体层22c相连接，并向绝缘体层16f的x轴方向的正方向侧的短边引出。由此，引出导体层20b与外部电极14b连接。其结果是，LC并联谐振器LC3在电容器C3和线圈L3之间与外部电极14b电连接。

引出导体层28a被设置于绝缘体层16g的表面上，与接地导体层26相连接，并向绝缘体层16g的y轴方向的负方向侧的长边引出。由此，引出导体层28a与外部电极14c连接。其结果是，LC并联谐振器LC1～LC3分别在电容器C1～C3和线圈L1～L3之间与外部电极14c电连接。

引出导体层28b被设置于绝缘体层16g的表面上，与接地导体层26相连接，并向绝缘体层16g的y轴方向的正方向侧的长边引出。由此，引出导体层28b与外部电极14d连接。其结果是，LC并联谐振器LC1～LC3分别在电容器C1～C3和线圈L1～L3之间与外部电极14d电连接。

接下来，参照图1至图3，对电子元器件10的动作的一个例子进行说明。最初，如图3所示，从x轴方向的正方向侧俯视时，从外部电极14a输入的、具有正电压的高频信号Sig1顺时针流转。

线圈L1和线圈L2电磁耦合。因此，从x轴方向的正方向侧俯视时，高频信号Sig1在LC并联谐振器LC1中顺时针流转，则由于电磁感应，从x轴方向的正方向侧俯视时，高频信号Sig2在LC并联谐振器LC2中逆时针流转。

线圈L2和线圈L3电磁耦合。因此，从x轴方向的正方向侧俯视时，高频信号Sig2在LC并联谐振器LC2中逆时针流转，则由于电磁感应，从x轴方向的正方向侧俯视时，高频信号Sig3在LC并联谐振器LC3中顺时针流转。由此，高频信号Sig3从外部电极14b输出。而且，由于线圈L1和线圈L3也相互电磁场耦合，因此高频信号Sig1、Sig3的功率也会被两者的电磁场耦合所影响。

这里，LC并联谐振器LC1～LC3分别具有由线圈L1～L3以及电容器C1～C3所确定的固有谐振频率。而且，LC并联谐振器LC1～LC3的阻抗在这些谐振频率下会变高。由此，由这些谐振频率所确定的规定频带的高频信号Sig3从外部电极14b输出。

(电子元器件的制造方法)

接着，参照图1和图2，对电子元器件10的制造方法进行说明。

首先，准备要成为绝缘体层16的陶瓷生片。接着，分别在将成为绝缘体层16b～16f的陶瓷生片上形成过孔导体b1～b25。具体而言，将激光束照射到要成为绝缘体层16b～16f的陶瓷生片，形成过孔。接下来，利用印刷涂布等方法将Ag、Pd、Cu、Au或它们的合金等导电性糊料填充到该过孔中。

接着，在要成为绝缘体层16b、16c、16f、16g的陶瓷生片上，利用丝网印刷法或光刻法等方法涂布以Ag、Pd、Cu、Au或它们的合金等为主要成分的导电性糊料，从而形成引出导体层20a、20b、电容器导体层22a、22b、线圈导体层24a～24c、接地导体层26以及引出导体层28a、28b。另外，也可以在形成引出导体层20a、20b、电容器导体层22a、22b以及线圈导体层24a～24c时，对过孔填充导电性糊料。

接下来，将各陶瓷生片进行层叠。具体而言，配置要成为绝缘体层16g的陶瓷生片。接着，在要成为绝缘体层16g的陶瓷生片上配置要成为绝缘体层16f的陶瓷生片。之后，对要成为绝缘体层16g的陶瓷生片压接要成为绝缘体层16f的陶瓷生片。之后，对于要成为16e、16d、16c、16b、及16a的陶瓷生片也同样地按照所述顺序进行层叠并进行压接。通过以上的工序，形成母层叠体。利用静水压冲压等来对该母层叠体实施正式压接。

接着，利用切刀将母层叠体切割成规定尺寸的层叠体12。对该未烧成的层叠体12进行脱粘合剂处理及烧成。

通过上述工序，得到烧成后的层叠体12。对层叠体12实施滚筒加工，并进行倒角。此后，通过利用浸渍法等方法、在层叠体12的表面上涂布主要成分为银的电极糊料并进行烧结，从而形成将成为外部电极14的银电极。

最后，通过对银电极的表面实施镀Ni/镀Sn，从而形成外部电极14。经过上述的工序，完成图1所示的电子元器件10。

(效果)

根据如上述那样构成的电子元器件10，能够不使元件变大、并调整LC并联谐振器LC1～LC3的线圈L1～L3之间的耦合度。例如，对于具有由多个LC并联谐振器所组成的带通滤波器的电子元器件，有时会为了获得所需的特性而希望降低LC并联谐振器的线圈间的耦合度。专利文献1所记载的层叠带通滤波器中，作为降低相邻LC并联谐振器的线圈间的耦合度的方法，提出了增大LC并联谐振器间的距离的方案。然而，若增大LC并联谐振器间的距离，则会出现层叠带通滤波器变大的问题。

另一方面，电子元器件10中，LC并联谐振器LC1的环路面S1朝z轴方向的正方向一侧超出LC并联谐振器LC2的环路面S2。即，电子元器件10中，通过降低LC并联谐振器LC2在z轴方向的高度，从而减小了LC并联谐振器LC1的环路面S1与LC并联谐振器LC2的环路面S2相对的面积。其结果是，与LC并联谐振器LC2的环路面S2高度等于LC并联谐振器LC1的环路面S1高度的电子元器件中LC并联谐振器LC1和LC并联谐振器LC2的耦合度相比，电子元器件10中LC并联谐振器LC1和LC并联谐振器LC2的耦合度变小。此外，LC并联谐振器LC2和LC并联谐振器LC3的耦合度也有同样的情况。如上所述，在电子元器件10中，能够不使元件变大地降低LC并联谐振器LC1～LC3的耦合度。

另外，在电子元器件10中，在相比于LC并联谐振器LC2中设置于z轴方向最靠近正方向一侧的导体层(线圈导体层24b)被设置得更靠z轴方向的正方向一侧的绝缘体层16b的表面上，设置了LC并联谐振器LC1、LC3中设置于z轴方向最靠近正方向一侧的导体层(线圈导体层24a、24c)。由此，LC并联谐振器LC1、LC3的环路面S1、S3朝z轴方向的正方向一侧超出LC并联谐振器LC2的环路面S2，且彼此相对。因此，与环路面S1、S3不超出环路面S2的电子元器件中的线圈L1、L3之间的耦合度相比，电子元器件10中的线圈L1、L3之间的耦合度变高。如此一来，通过使得不相邻的线圈L1、L3之间以高耦合度耦合，从而如后所述能够将电子元器件10的特性调整为所需的特性。

另外，电子元器件10中，接地导体层26被用作为电容器C1～C3的接地导体层。因此，无需为电容器C1～C3分别设置接地导体层26。另外，接地导体层26被设置在LC并联谐振器LC1～LC3的z轴方向的最靠近负方向一侧。由此，在设置了接地导体层26的绝缘体层16g上没有设置过孔导体。因此，接地导体层26的形状无需避开过孔导体，所以能够覆盖绝缘体层16g的几乎整个面。其结果是，抑制了噪声从电子元器件10泄露至外部，或者噪声从外部侵入至电子元器件10。

(其它实施方式)

此外，电子元器件10并不限于上述实施方式所示出的电子元器件10，也可以在其要点范围内进行变更。

上述实施方式所涉及的电子元器件10具备LC并联谐振器LC1～LC3。然而，电子元器件10所内置的LC并联谐振器的个数并不限于此。图4(a)至图4(h)分别是变形例1所涉及的电子元器件10a至变形例8所涉及的电子元器件10h的剖视结构图。

电子元器件10a～10h具备LC并联谐振器LC1～LC5。电子元器件10a中，LC并联谐振器LC1、LC5朝z轴方向的正方向一侧超出LC并联谐振器LC2～LC4。由此，LC并联谐振器LC1的线圈L1与LC并联谐振器LC5的线圈L5电磁耦合。另外，电子元器件10b中，LC并联谐振器LC1、LC5朝z轴方向的正方向一侧以及负方向一侧超出LC并联谐振器LC2～LC4。由此，LC并联谐振器LC1的线圈L1与LC并联谐振器LC5的线圈L5电磁耦合。如此一来，夹着3个LC并联谐振器LC2～LC4的2个LC并联谐振器LC1、LC5的线圈L1、L5可以电磁耦合。

另外，电子元器件10c中，LC并联谐振器LC1、LC3、LC5朝z轴方向的正方向一侧超出LC并联谐振器LC2、LC4。由此，LC并联谐振器LC1的线圈L1与LC并联谐振器LC3的线圈L3电磁耦合。同样地，LC并联谐振器LC3与LC并联谐振器LC5电磁耦合。另外，电子元器件10d中，LC并联谐振器LC1、LC3、LC5的线圈L1、L3、L5朝z轴方向的正方向一侧以及负方向一侧超出LC并联谐振器LC2、LC4的线圈L2、L4。由此，LC并联谐振器LC1的线圈L1与LC并联谐振器LC3的线圈L3电磁耦合。同样地，LC并联谐振器LC3的线圈L3与LC并联谐振器LC5的线圈L5电磁耦合。如此一来，3个LC并联谐振器LC1、LC3、LC5的线圈L1、L3、L5可以电磁耦合。

另外，电子元器件10e中，LC并联谐振器LC2、LC4朝z轴方向的正方向一侧超出LC并联谐振器LC1、LC3、LC5。由此，LC并联谐振器LC2的线圈L2与LC并联谐振器LC4的线圈L4电磁耦合。另外，电子元器件10f中，LC并联谐振器LC2、LC4朝z轴方向的正方向一侧以及负方向一侧超出LC并联谐振器LC1、LC3、LC5。由此，LC并联谐振器LC2的线圈L2与LC并联谐振器LC4的线圈L4电磁耦合。如此一来，位于偶数级的2个LC并联谐振器LC2、LC4的线圈L2、L4可以电磁耦合。

另外，电子元器件10g中，LC并联谐振器LC1、LC2、LC4、LC5朝z轴方向的正方向一侧超出LC并联谐振器LC3。由此，LC并联谐振器LC2的线圈L2与LC并联谐振器LC4的线圈L4电磁耦合。另外，电子元器件10h中，LC并联谐振器LC1、LC2、LC4、LC5朝z轴方向的正方向一侧以及负方向一侧超出LC并联谐振器LC3。由此，LC并联谐振器LC2的线圈L2与LC并联谐振器LC4的线圈L4电磁耦合。如此一来，通过仅将LC并联谐振器LC1～LC5中的LC并联谐振器LC3构成得较短，从而LC并联谐振器LC2、LC4的线圈L2、L4可以电磁耦合

另外，电子元器件10、10a～10h具备3个或者5个LC并联谐振器。然而，LC并联谐振器的个数并不限于此，可以是多个。

(关于不相邻的LC并联谐振器相互间的耦合)

下面，参照附图，对不相邻的LC并联谐振器的耦合进行说明。本申请的发明人为了研究不相邻的LC并联谐振器彼此相对耦合对于电子元器件10的特性产生的变化，进行了以下的计算机仿真。具体而言，在具有6个LC并联谐振器LC1～LC6的电子元器件10中，改变相对的LC并联谐振器彼此，研究高频信号的通过特性变化。

首先，作为第一仿真，研究了LC并联谐振器LC1和LC并联谐振器LC3超出LC并联谐振器LC2的电子元器件10(以下称为第一模型)的高频信号通过特性。图5及图6是表示第一仿真结果的曲线图。纵轴表示衰减量，横轴表示频率。

如图5所示，第一模型中，在高频信号通频带的高频侧或低频侧形成了衰减极。图5中，衰减极形成于高频信号通频带高频一侧的端部。如图5所示，通过调整LC并联谐振器LC1、LC3之间的耦合度，从而能够调整衰减极的位置。

接着，作为第二仿真，研究了LC并联谐振器LC1和LC并联谐振器LC4超出LC并联谐振器LC2、LC3的电子元器件10(以下称为第二模型)的高频信号通过特性。图7是表示第二仿真结果的曲线图。纵轴表示衰减量，横轴表示频率。

如图7所示，第二模型中，在高频信号通频带的高频侧以及低频侧这两侧都形成了衰减极。另外，根据LC并联谐振器LC1～LC6的特性不同，也有未形成衰减极的情况。在此情况下，比电子元器件10的通频带更高的区域或者更低的区域的衰减量变小。

接着，作为第三仿真，研究了LC并联谐振器LC1和LC并联谐振器LC3超出LC并联谐振器LC2的电子元器件10(以下称为第三模型)、以及LC并联谐振器LC1和LC并联谐振器LC5超出LC并联谐振器LC2～LC4的电子元器件10(以下称为第四模型)的高频信号通过特性。图8是表示第三仿真结果的曲线图。纵轴表示衰减量，横轴表示频率。

如图8所示，可见相比于第三模型，第四模型中衰减极的深度更浅。可以认为这是由于相比于第四模型，第三模型中LC并联谐振器相互间的耦合度更低的原因。

接着，作为第四仿真，研究了LC并联谐振器LC1和LC并联谐振器LC3超出LC并联谐振器LC2、并且LC并联谐振器LC3和LC并联谐振器LC5超出LC并联谐振器LC4的电子元器件10(以下称为第五模型)的高频信号通过特性。图9是表示第四仿真结果的曲线图。纵轴表示衰减量，横轴表示频率。

如图9所示，第五模型中，由于LC并联谐振器在两处相互耦合，从而形成了2个衰减极。而且，根据LC并联谐振器LC1～LC6的特性不同，两个衰减极或形成于高频信号通频带的高频侧和低频侧这两侧，或形成于高频信号通频带的高频侧和低频侧中的任一侧。

接着，作为第五仿真，研究了LC并联谐振器LC1和LC并联谐振器LC4超出LC并联谐振器LC2、LC3、LC5、LC6的电子元器件10(以下称为第六模型)的高频信号通过特性。图10是表示第五仿真结果的曲线图。纵轴表示衰减量，横轴表示频率。

如图10所示，第六模型中，分别在通频带的高频侧以及通频带的低频侧形成了两个衰减极。

工业上的实用性

如上所述，本发明适用于电子元器件，特别在能够不使元件变大而对LC并联谐振器的耦合度进行调整这一点上较为优异。

标号说明

C1～C3电容器

L1～L3线圈

LC1～LC6LC并联谐振器

S1～S3环路面

b1～b25过孔导体

10、10a～10h电子元器件

12层叠体

14a～14d外部电极

16a～16g绝缘体层

20a、20b、28a、28b引出导体层

22a～22c电容器导体层

24a～24c线圈导体层

26接地导体层

Claims (3)

1.一种电子元器件，其特征在于，包括：

层叠体，该层叠体通过层叠多个绝缘体层而构成；以及

环路状的第一LC并联谐振器至第三LC并联谐振器，所述第一LC并联谐振器至第三LC并联谐振器包括在层叠方向上延伸的过孔导体以及设置在所述绝缘体层上的导体层，所述第一LC并联谐振器和第二LC并联谐振器构成带通滤波器，

所述第一LC并联谐振器的第一环路面、所述第二LC并联谐振器的第二环路面和所述第三LC并联谐振器的第三环路面与层叠方向平行且相互平行，并且在从该第一环路面的法线方向俯视时，所述第一LC并联谐振器的第一环路面和所述第二LC并联谐振器的第二环路面的至少一部分相互重叠，

所述第一环路面和所述第三环路面夹着所述第二环路面，

所述第一LC并联谐振器与输入高频信号的外部电极相连接，

所述第三LC并联谐振器与输出高频信号的外部电极相连接，

将设置于所述第一LC并联谐振器的层叠方向最上侧的所述导体层以及设置于所述第三LC并联谐振器的层叠方向最上侧的所述导体层，设置在所述第二LC并联谐振器的层叠方向最上侧的所述绝缘体层的上一层的相同绝缘体层上。

2.如权利要求1所述的电子元器件，其特征在于，

将设置于所述第一LC并联谐振器的层叠方向最下侧的所述导体层、设置于所述第二LC并联谐振器的层叠方向最下侧的所述导体层以及设置于所述第三LC并联谐振器的层叠方向最下侧的所述导体层，设置在同一所述绝缘体层上。

3.如权利要求1或2所述的电子元器件，其特征在于，

所述第一LC并联谐振器包含线圈和电容器，

所述电容器包含：

由设置于所述第一LC并联谐振器的层叠方向最下侧的所述导体层所构成的接地导体层；以及

由隔着设置于所述第一LC并联谐振器的层叠方向最下侧的所述导体层的上一层绝缘体层与所述接地导体层相对的所述导体层构成的电容器导体层，

所述线圈包含：

第一线圈过孔导体，所述第一线圈过孔导体与所述电容器导体相连接，并且由在层叠方向上延伸的所述过孔导体构成；

第二线圈过孔导体，所述第二线圈过孔导体与所述接地导体层相连接，并且由在层叠方向上延伸的所述过孔导体构成；以及

线圈导体层，所述线圈导体层由与所述第一线圈过孔导体在层叠方向上侧的端部以及所述第二线圈过孔导体在层叠方向上侧的端部相连接的所述导体层构成。