WO2012066946A1 - 電子部品 - Google Patents

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WO2012066946A1
WO2012066946A1 PCT/JP2011/075466 JP2011075466W WO2012066946A1 WO 2012066946 A1 WO2012066946 A1 WO 2012066946A1 JP 2011075466 W JP2011075466 W JP 2011075466W WO 2012066946 A1 WO2012066946 A1 WO 2012066946A1
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WO
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parallel resonator
conductor layer
parallel
axis direction
coil
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PCT/JP2011/075466
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English (en)
French (fr)
Inventor
博志 増田
Original Assignee
株式会社村田製作所
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/09—Filters comprising mutual inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
    • H03H7/1775—Parallel LC in shunt or branch path
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
    • H03H2001/0021—Constructional details
    • H03H2001/0085—Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets

Definitions

  • the present invention relates to an electronic component, and more particularly to an electronic component including a band pass filter including a plurality of LC parallel resonators.
  • the multilayer bandpass filter includes a multilayer body and a plurality of LC parallel resonators.
  • the laminated body is configured by laminating a plurality of dielectric layers.
  • Each LC parallel resonator includes a capacitor electrode and an inductor electrode.
  • the inductor electrode is formed in a loop shape. And the loop surfaces of each LC parallel resonator overlap.
  • the degree of coupling between the inductor electrodes of the adjacent LC parallel resonators can be increased, and a wider band can be achieved.
  • an object of the present invention is to provide an electronic component capable of reducing the degree of coupling between coils of an LC parallel resonator without increasing the size of the element.
  • An electronic component according to an aspect of the present invention is provided on a stacked body formed by stacking a plurality of insulator layers, a via-hole conductor extending in the stacking direction, and the insulator layer.
  • the first loop surface of the first LC parallel resonator and the second loop surface of the second LC parallel resonator are parallel to the stacking direction and are mutually Are parallel to each other and overlap each other at least partially when viewed in plan from the normal direction of the first loop surface, and the first loop surface is located above and / or below the stacking direction. Characterized by protruding from the second loop surface To.
  • the degree of coupling between the coils of the LC parallel resonator can be adjusted without increasing the size of the element.
  • FIGS. 4A to 4H are cross-sectional structural views of the electronic component according to the first modification or the electronic component according to the eighth modification, respectively. It is the graph which showed the 1st simulation result. It is the graph which showed the 1st simulation result. It is the graph which showed the 2nd simulation result. It is the graph which showed the 3rd simulation result. It is the graph which showed the 4th simulation result. It is the graph which showed the 5th simulation result.
  • FIG. 1 is an external perspective view of an electronic component 10 according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an exploded perspective view of the multilayer body 12 of the electronic component 10.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the electronic component 10. 1 and 2, the z-axis direction indicates the stacking direction. Further, the x-axis direction indicates a direction along the long side of the electronic component, and the y-axis direction indicates a direction along the short side of the electronic component 10.
  • the electronic component 10 includes a multilayer body 12, external electrodes 14 (14a to 14d), LC parallel resonators LC1 to LC3, and lead conductor layers 20 (20a and 20b) and 28 (28a, 28b).
  • the laminate 12 is formed by laminating insulating layers 16 (16a to 16g) made of a ceramic dielectric, and has a rectangular parallelepiped shape.
  • the multilayer body 12 includes LC parallel resonators LC1 to LC3.
  • the external electrode 14a is provided on the side surface on the negative side in the x-axis direction, and is used as an input electrode.
  • the external electrode 14b is provided on the side surface on the positive direction side in the x-axis direction and is used as an output electrode.
  • the external electrode 14c is provided on the side surface on the negative direction side in the y-axis direction and is used as a ground electrode.
  • the external electrode 14d is provided on the side surface on the positive direction side in the y-axis direction and is used as a ground electrode.
  • the insulator layer 16 has a rectangular shape as shown in FIG. 2, and is made of, for example, a ceramic dielectric.
  • the insulator layers 16a to 16g are stacked so as to be arranged in this order in the z-axis direction.
  • the surface on the positive side in the z-axis direction of the insulator layer 16 is referred to as a front surface
  • the surface on the negative direction side in the z-axis direction of the insulator layer 16 is referred to as a back surface.
  • LC parallel resonator LC1 includes a coil L1 and a capacitor C1. More specifically, the LC parallel resonator LC1 includes a via-hole conductor b1 to b9, a capacitor conductor layer 22a, a coil conductor layer 24a, and a ground conductor layer 26, and has a loop shape.
  • the capacitor C1 includes a capacitor conductor layer 22a and a ground conductor layer 26.
  • the ground conductor layer 26 is a conductor layer provided on the most negative direction side in the z-axis direction of the LC parallel resonator LC1, and is provided on the surface of the insulator layer 16g.
  • the ground conductor layer 26 has a rectangular shape and covers substantially the entire surface of the insulator layer 16g.
  • the capacitor conductor layer 22a is a conductor layer facing the ground conductor layer 26 via the insulator layer 16f, and is provided on the surface of the insulator layer 16f. As a result, a capacitance is generated between the capacitor conductor layer 22a and the ground conductor layer 26.
  • the capacitor conductor layer 22a has a rectangular shape having a longitudinal direction in the y-axis direction, and is provided on the negative direction side in the x-axis direction from the intersection of the diagonal lines of the insulator layer 16f.
  • the coil L1 is composed of via-hole conductors b1 to b9 and a coil conductor layer 24a.
  • the via-hole conductors b1 to b4 penetrate the insulator layers 16b to 16e in the z-axis direction, respectively.
  • the end of the via-hole conductor b4 on the negative direction side in the z-axis direction is connected to the capacitor conductor layer 22a.
  • the via-hole conductors b1 to b4 constitute one via-hole conductor that is connected to the capacitor conductor layer 22a and extends in the z-axis direction.
  • the via-hole conductors b5 to b9 respectively penetrate the insulator layers 16b to 16f in the z-axis direction, and are provided on the positive side in the y-axis direction from the via-hole conductors b1 to b4. Further, the end of the via-hole conductor b9 on the negative side in the z-axis direction is connected to the ground conductor layer 26. As a result, the via-hole conductors b5 to b9 constitute one via-hole conductor that is connected to the ground conductor layer 26 and extends in the z-axis direction.
  • the coil conductor layer 24a is a conductor layer provided on the most positive side in the z-axis direction of the LC parallel resonator LC1, and is provided on the surface of the insulator layer 16b.
  • the coil conductor layer 24a has a rectangular shape having a longitudinal direction in the y-axis direction, and is provided on the negative direction side in the x-axis direction from the intersection of diagonal lines of the insulator layer 16b.
  • the coil conductor layer 24a is connected to the positive end in the z-axis direction of one via-hole conductor composed of the via-hole conductors b1 to b4 and the positive z-axis direction of one via-hole conductor composed of the via-hole conductors b5 to b9.
  • the end on the positive direction side in the z-axis direction of the via-hole conductor b1 is connected to the end on the negative direction side in the y-axis direction of the coil conductor layer 24a.
  • the end portion on the positive direction side in the z-axis direction of the via-hole conductor b5 is connected to the end portion on the positive direction side in the y-axis direction of the coil conductor layer 24a.
  • the coil L1 has the connection point between the via-hole conductor b4 and the capacitor conductor layer 22a as one end, and passes through the via-hole conductors b1 to b4, the coil conductor layer 24a, the via-hole conductors b5 to b9, and the via-hole conductor b9 and the ground conductor. It has a U shape with the layer 26 as the other end.
  • the LC parallel resonator LC1 configured as described above forms a loop surface S1 parallel to the yz plane.
  • the loop surface S1 is a rectangular virtual plane formed by the LC parallel resonator LC1.
  • LC parallel resonator LC2 includes a coil L2 and a capacitor C2. More specifically, the LC parallel resonator LC2 includes via-hole conductors b10 to b16, a capacitor conductor layer 22b, a coil conductor layer 24b, and a ground conductor layer 26, and has a loop shape.
  • the capacitor C2 includes a capacitor conductor layer 22b and a ground conductor layer 26.
  • the ground conductor layer 26 is a conductor layer provided on the most negative side in the z-axis direction of the LC parallel resonator LC2, and is provided on the surface of the insulator layer 16g.
  • the ground conductor layer 26 has a rectangular shape and covers substantially the entire surface of the insulator layer 16g. That is, the ground conductor layer 26 of the capacitor C2 is common to the ground conductor layer 26 of the capacitor C1, and is provided on the surface of the same insulator layer 16g.
  • the capacitor conductor layer 22b is a conductor layer facing the ground conductor layer 26 with the insulator layer 16f interposed therebetween, and is provided on the surface of the insulator layer 16f. As a result, a capacitance is generated between the capacitor conductor layer 22b and the ground conductor layer 26.
  • the capacitor conductor layer 22b has a rectangular shape having a longitudinal direction in the y-axis direction, and is provided on the intersection of diagonal lines of the insulator layer 16f.
  • the coil L2 is composed of via-hole conductors b10 to b16 and a coil conductor layer 24b.
  • the via-hole conductors b10 to b12 penetrate the insulator layers 16c to 16e in the z-axis direction, respectively.
  • the end of the via-hole conductor b12 on the negative side in the z-axis direction is connected to the capacitor conductor layer 22b.
  • the via-hole conductors b10 to b12 constitute one via-hole conductor that is connected to the capacitor conductor layer 22b and extends in the z-axis direction.
  • the via-hole conductors b13 to b16 penetrate the insulator layers 16c to 16f in the z-axis direction, respectively, and are provided on the positive side in the y-axis direction with respect to the via-hole conductors b10 to b12. Further, the end of the via-hole conductor b ⁇ b> 16 on the negative side in the z-axis direction is connected to the ground conductor layer 26.
  • the via-hole conductors b13 to b16 constitute one via-hole conductor that is connected to the ground conductor layer 26 and extends in the z-axis direction.
  • the coil conductor layer 24b is a conductor layer provided on the most positive side in the z-axis direction of the LC parallel resonator LC2, and is provided on the surface of the insulator layer 16c.
  • the coil conductor layer 24b has a rectangular shape having a longitudinal direction in the y-axis direction, and is provided on the intersection of diagonal lines of the insulator layer 16c.
  • the coil conductor layer 24b is connected to the positive end in the z-axis direction of one via-hole conductor composed of the via-hole conductors b10 to b12 and the positive z-axis direction of one via-hole conductor composed of the via-hole conductors b13 to b16. It is connected to the end on the direction side.
  • the end portion on the positive side in the z-axis direction of the via-hole conductor b10 is connected to the end portion on the negative direction side in the y-axis direction of the coil conductor layer 24b.
  • the end portion on the positive direction side in the z-axis direction of the via-hole conductor b13 is connected to the end portion on the positive direction side in the y-axis direction of the coil conductor layer 24b.
  • the coil L2 has the connection point between the via-hole conductor b12 and the capacitor conductor layer 22b as one end, and passes through the via-hole conductors b10 to b12, the coil conductor layer 24b, and the via-hole conductors b13 to b16, and the via-hole conductor b16 and the ground conductor. It has a U shape with the layer 26 as the other end.
  • the LC parallel resonator LC2 configured as described above forms a loop surface S2 parallel to the yz plane.
  • the loop surface S2 is a rectangular virtual plane formed by the LC parallel resonator LC2.
  • LC parallel resonator LC3 includes a coil L3 and a capacitor C3. More specifically, the LC parallel resonator LC3 includes a via-hole conductor b17 to b25, a capacitor conductor layer 22c, a coil conductor layer 24c, and a ground conductor layer 26, and has a loop shape.
  • the capacitor C3 includes a capacitor conductor layer 22c and a ground conductor layer 26.
  • the ground conductor layer 26 is a conductor layer provided on the most negative side in the z-axis direction of the LC parallel resonator LC3, and is provided on the surface of the insulator layer 16g.
  • the ground conductor layer 26 has a rectangular shape and covers substantially the entire surface of the insulator layer 16g. That is, the ground conductor layer 26 of the capacitor C3 is common to the ground conductor layers 26 of the capacitors C1 and C2, and is provided on the surface of the same insulator layer 16g.
  • the capacitor conductor layer 22c is a conductor layer facing the ground conductor layer 26 with the insulator layer 16f interposed therebetween, and is provided on the surface of the insulator layer 16f. As a result, a capacitance is generated between the capacitor conductor layer 22c and the ground conductor layer 26.
  • the capacitor conductor layer 22c has a rectangular shape having a longitudinal direction in the y-axis direction, and is provided on the positive side in the x-axis direction from the intersection of the diagonal lines of the insulator layer 16f.
  • the coil L3 includes via-hole conductors b17 to b25 and a coil conductor layer 24c.
  • the via-hole conductors b17 to b20 penetrate the insulator layers 16b to 16e in the z-axis direction, respectively. Further, the end of the via-hole conductor b20 on the negative direction side in the z-axis direction is connected to the capacitor conductor layer 22c. As a result, the via-hole conductors b17 to b20 constitute one via-hole conductor that is connected to the capacitor conductor layer 22c and extends in the z-axis direction.
  • the via-hole conductors b21 to b25 respectively penetrate the insulator layers 16b to 16f in the z-axis direction, and are provided on the positive side in the y-axis direction from the via-hole conductors b17 to b20. Further, the end of the via-hole conductor b25 on the negative direction side in the z-axis direction is connected to the ground conductor layer 26. Thereby, the via-hole conductors b21 to b25 constitute one via-hole conductor that is connected to the ground conductor layer 26 and extends in the z-axis direction.
  • the coil conductor layer 24c is a conductor layer provided on the most positive side in the z-axis direction of the LC parallel resonator LC3, and is provided on the surface of the insulator layer 16b.
  • the coil conductor layer 24c has a rectangular shape having a longitudinal direction in the y-axis direction, and is provided on the positive side in the x-axis direction from the intersection of the diagonal lines of the insulator layer 16b.
  • the coil conductor layer 24c is connected to the positive end in the z-axis direction of one via-hole conductor composed of the via-hole conductors b17 to b20 and the positive z-axis direction of one via-hole conductor composed of the via-hole conductors b21 to b25.
  • the end on the positive direction side in the z-axis direction of the via-hole conductor b17 is connected to the end on the negative direction side in the y-axis direction of the coil conductor layer 24c.
  • the end portion on the positive direction side in the z-axis direction of the via-hole conductor b21 is connected to the end portion on the positive direction side in the y-axis direction of the coil conductor layer 24c.
  • the coil L3 has a connection point between the via-hole conductor b20 and the capacitor conductor layer 22c as one end, and passes through the via-hole conductors b17 to b20, the coil conductor layer 24c, and the via-hole conductors b21 to b25, and the via-hole conductor b25 and the ground conductor. It has a U shape with the layer 26 as the other end.
  • the LC parallel resonator LC3 configured as described above forms a loop surface S3 parallel to the yz plane.
  • the loop surface S3 is a rectangular virtual plane formed by the LC parallel resonator LC3.
  • the loop surfaces S1 to S3 of the LC parallel resonators LC1 to LC3 are parallel to the yz plane (that is, parallel to the z-axis direction and parallel to each other), and the x-axis direction (that is, the loop surfaces S1 to S3). When viewed in a plan view from the normal direction of (), at least a portion overlaps.
  • the loop surface S1 and the loop surface S3 sandwich the loop surface S2.
  • the coil L1 of the LC parallel resonator LC1 and the coil L2 of the LC parallel resonator LC2 are electromagnetically coupled.
  • the coil L2 of the LC parallel resonator LC2 and the coil L3 of the LC parallel resonator LC3 are electromagnetically coupled.
  • the coil conductor layers 24a and 24c provided on the most positive side in the z-axis direction in the LC parallel resonators LC1 and LC3 are provided on the most positive direction side in the z-axis direction in the LC parallel resonator LC2. It is provided on the surface of the insulator layer 16b provided on the positive side in the z-axis direction with respect to the coil conductor layer 24b. Therefore, the loop surfaces S1 and S3 protrude from the loop surface S2 on the positive direction side in the z-axis direction. Thereby, a part of the loop surface S1 of the LC parallel resonator LC1 and a part of the loop surface S3 of the LC parallel resonator LC3 face each other. As a result, the coil L1 and the coil L3 are electromagnetically coupled.
  • the LC parallel resonators LC1 to LC3 configured as described above constitute a band pass filter.
  • the lead conductor layer 20a is provided on the surface of the insulator layer 16f, is connected to the capacitor conductor layer 22a, and is drawn out to the short side of the insulator layer 16f on the negative side in the x-axis direction. . Thereby, the lead conductor layer 20a is connected to the external electrode 14a. As a result, the LC parallel resonator LC1 is electrically connected to the external electrode 14a between the capacitor C1 and the coil L1.
  • the lead conductor layer 20b is provided on the surface of the insulator layer 16f, is connected to the capacitor conductor layer 22c, and is drawn out to the short side of the insulator layer 16f on the positive side in the x-axis direction. . Thereby, the lead conductor layer 20b is connected to the external electrode 14b. As a result, the LC parallel resonator LC3 is electrically connected to the external electrode 14b between the capacitor C3 and the coil L3.
  • the lead conductor layer 28a is provided on the surface of the insulator layer 16g, is connected to the ground conductor layer 26, and is drawn out to the long side of the insulator layer 16g on the negative side in the y-axis direction. . Thereby, the lead conductor layer 28a is connected to the external electrode 14c. As a result, the LC parallel resonators LC1 to LC3 are electrically connected to the external electrode 14c between the capacitors C1 to C3 and the coils L1 to L3, respectively.
  • the lead conductor layer 28b is provided on the surface of the insulator layer 16g, is connected to the ground conductor layer 26, and is drawn out to the long side on the positive direction side in the y-axis direction of the insulator layer 16g. . Thereby, the lead conductor layer 28b is connected to the external electrode 14d. As a result, the LC parallel resonators LC1 to LC3 are electrically connected to the external electrode 14d between the capacitors C1 to C3 and the coils L1 to L3, respectively.
  • the high-frequency signal Sig1 having a positive voltage input from the external electrode 14a flows clockwise when viewed from the positive side in the x-axis direction.
  • the coil L1 and the coil L2 are electromagnetically coupled. Therefore, when the high-frequency signal Sig1 flows in the clockwise direction in the LC parallel resonator LC1 when viewed in plan from the positive direction side in the x-axis direction, the high-frequency signal Sig2 is planarized from the positive direction side in the x-axis direction by electromagnetic induction. When viewed, it flows counterclockwise in the LC parallel resonator LC2.
  • the coil L2 and the coil L3 are electromagnetically coupled. Therefore, when the high-frequency signal Sig2 flows counterclockwise in the LC parallel resonator LC2 when viewed in plan from the positive direction side in the x-axis direction, the high-frequency signal Sig3 is generated from the positive direction side in the x-axis direction by electromagnetic induction. When viewed in a plan view, it flows clockwise in the LC parallel resonator LC3. Thereby, the high frequency signal Sig3 is output from the external electrode 14b. Since the coil L1 and the coil L3 are also electromagnetically coupled to each other, the power of the high-frequency signals Sig1 and Sig3 is also affected by this.
  • the LC parallel resonators LC1 to LC3 have specific resonance frequencies determined by the coils L1 to L3 and the capacitors C1 to C3, respectively.
  • the impedances of the LC parallel resonators LC1 to LC3 are high at these resonance frequencies. Thereby, a high frequency signal Sig3 in a predetermined frequency band determined by these resonance frequencies is output from the external electrode 14b.
  • a ceramic green sheet to be the insulator layer 16 is prepared.
  • via-hole conductors b1 to b25 are formed in the ceramic green sheets to be the insulator layers 16b to 16f, respectively.
  • via holes are formed by irradiating the ceramic green sheets to be the insulator layers 16b to 16f with a laser beam.
  • the via hole is filled with a conductive paste such as Ag, Pd, Cu, Au or an alloy thereof by a method such as printing.
  • a conductive paste mainly composed of Ag, Pd, Cu, Au, or an alloy thereof is screen-printed or photolithographyed on the ceramic green sheets to be the insulator layers 16b, 16c, 16f, and 16g.
  • the lead conductor layers 20a and 20b, the capacitor conductor layers 22a and 22b, the coil conductor layers 24a to 24c, the ground conductor layer 26, and the lead conductor layers 28a and 28b are formed.
  • the via holes may be filled with a conductive paste.
  • each ceramic green sheet is laminated. Specifically, a ceramic green sheet to be the insulator layer 16g is disposed. Next, the ceramic green sheet to be the insulator layer 16f is disposed on the ceramic green sheet to be the insulator layer 16g. Thereafter, the ceramic green sheet to be the insulator layer 16f is pressure-bonded to the ceramic green sheet to be the insulator layer 16g. Thereafter, the ceramic green sheets to be 16e, 16d, 16c, 16b, and 16a are similarly laminated and pressure-bonded in this order.
  • a mother laminated body is formed by the above process. The mother laminate is subjected to main pressure bonding by a hydrostatic pressure press or the like.
  • the mother laminated body is cut into a laminated body 12 having a predetermined size with a cutting blade.
  • the unfired laminate 12 is subjected to binder removal processing and firing.
  • the fired laminated body 12 is obtained through the above steps.
  • the laminated body 12 is subjected to barrel processing to be chamfered. Thereafter, an electrode paste whose main component is silver is applied and baked on the surface of the laminate 12 by, for example, a dipping method or the like, thereby forming a silver electrode to be the external electrode 14.
  • the external electrode 14 is formed by performing Ni plating / Sn plating on the surface of the silver electrode.
  • the degree of coupling between the coils L1 to L3 of the LC parallel resonators LC1 to LC3 can be adjusted without increasing the size of the element.
  • an electronic component having a band pass filter composed of a plurality of LC parallel resonators there is a case where it is desired to reduce the degree of coupling between the coils of the LC parallel resonators in order to obtain desired characteristics.
  • the multilayer bandpass filter described in Patent Document 1 as a method of reducing the degree of coupling between coils of adjacent LC parallel resonators, increasing the distance between the LC parallel resonators can be raised.
  • the distance between the LC parallel resonators is increased, there is a problem that the multilayer bandpass filter is increased in size.
  • the loop surface S1 of the LC parallel resonator LC1 protrudes from the loop surface S2 of the LC parallel resonator LC2 to the positive direction side in the z-axis direction. That is, in the electronic component 10, by reducing the height of the LC parallel resonator LC2 in the z-axis direction, the loop surface S1 of the LC parallel resonator LC1 and the loop surface S2 of the LC parallel resonator LC2 face each other. The area is reduced.
  • the degree of coupling between the LC parallel resonator LC1 and the LC parallel resonator LC2 in the electronic component 10 is such that the height of the loop surface S2 of the LC parallel resonator LC2 is equal to the height of the loop surface S1 of the LC parallel resonator LC1.
  • the degree of coupling between the LC parallel resonator LC1 and the LC parallel resonator LC2 in the electronic component is smaller.
  • the coupling degree of the LC parallel resonators LC1 to LC3 can be lowered without increasing the size of the element.
  • the conductor layers (coil conductor layers 24a and 24c) provided on the most positive side in the z-axis direction of the LC parallel resonators LC1 and LC3 are arranged in the z-axis direction of the LC parallel resonator LC2. It is provided on the surface of the insulator layer 16b provided on the positive direction side in the z-axis direction from the conductor layer (coil conductor layer 24b) provided on the most positive direction side.
  • the loop surfaces S1 and S3 of the LC parallel resonators LC1 and LC3 protrude from the loop surface S2 of the LC parallel resonator LC2 to the positive side in the z-axis direction and face each other.
  • the coupling degree between the coils L1 and L3 in the electronic component 10 is higher than the coupling degree between the coils L1 and L3 in the electronic component in which the loop surfaces S1 and S3 do not protrude from the loop surface S2. In this way, by coupling the coils L1 and L3 that are not adjacent to each other with a high degree of coupling, the characteristics of the electronic component 10 can be adjusted to desired characteristics as will be described later.
  • the ground conductor layer 26 is used as a ground conductor layer of the capacitors C1 to C3. Therefore, it is not necessary to provide the ground conductor layer 26 in each of the capacitors C1 to C3.
  • the ground conductor layer 26 is provided on the most negative direction side in the z-axis direction of the LC parallel resonators LC1 to LC3. Thereby, a via-hole conductor is not provided in the insulator layer 16g provided with the ground conductor layer 26. Therefore, the ground conductor layer 26 does not need to have a shape that avoids the via-hole conductor, and can cover substantially the entire surface of the insulator layer 16g. As a result, it is possible to prevent noise from leaking from the electronic component 10 or from entering the electronic component 10 from the outside.
  • the electronic component 10 is not limited to the electronic component 10 shown in the above embodiment, and can be changed within the scope of the gist thereof.
  • the electronic component 10 includes the LC parallel resonators LC1 to LC3.
  • the number of LC parallel resonators incorporated in the electronic component 10 is not limited to this.
  • 4A to 4H are cross-sectional structural views of the electronic component 10a according to the first modification example and the electronic component 10h according to the eighth modification example, respectively.
  • the electronic components 10a to 10h include LC parallel resonators LC1 to LC5.
  • the LC parallel resonators LC1 and LC5 protrude beyond the LC parallel resonators LC2 to LC4 toward the positive direction in the z-axis direction.
  • the coil L1 of the LC parallel resonator LC1 and the coil L5 of the LC parallel resonator LC5 are electromagnetically coupled.
  • the LC parallel resonators LC1 and LC5 protrude beyond the LC parallel resonators LC2 to LC4 toward the positive and negative directions in the z-axis direction.
  • the coil L1 of the LC parallel resonator LC1 and the coil L5 of the LC parallel resonator LC5 are electromagnetically coupled.
  • the coils L1 and L5 of the two LC parallel resonators LC1 and LC5 sandwiching the three LC parallel resonators LC2 to LC4 may be electromagnetically coupled.
  • the LC parallel resonators LC1, LC3, and LC5 protrude beyond the LC parallel resonators LC2 and LC4 on the positive side in the z-axis direction.
  • the coil L1 of the LC parallel resonator LC1 and the coil L3 of the LC parallel resonator LC3 are electromagnetically coupled.
  • the LC parallel resonator LC3 and the LC parallel resonator LC5 are electromagnetically coupled.
  • the coils L1, L3, and L5 of the LC parallel resonators LC1, LC3, and LC5 are more positive and negative in the z-axis direction than the coils L2 and L4 of the LC parallel resonators LC2 and LC4. It sticks out.
  • the coil L1 of the LC parallel resonator LC1 and the coil L3 of the LC parallel resonator LC3 are electromagnetically coupled.
  • the coil L3 of the LC parallel resonator LC3 and the coil L5 of the LC parallel resonator LC5 are electromagnetically coupled.
  • the coils L1, L3, L5 of the three LC parallel resonators LC1, LC3, LC5 may be electromagnetically coupled.
  • the LC parallel resonators LC2 and LC4 protrude beyond the LC parallel resonators LC1, LC3, and LC5 in the positive z-axis direction.
  • the coil L2 of the LC parallel resonator LC2 and the coil L4 of the LC parallel resonator LC4 are electromagnetically coupled.
  • the LC parallel resonators LC2 and LC4 protrude beyond the LC parallel resonators LC1, LC3, and LC5 toward the positive and negative directions in the z-axis direction.
  • the coil L2 of the LC parallel resonator LC2 and the coil L4 of the LC parallel resonator LC4 are electromagnetically coupled.
  • the coils L2 and L4 of the two LC parallel resonators LC2 and LC4 positioned in the even-numbered stages may be electromagnetically coupled.
  • the LC parallel resonators LC1, LC2, LC4, and LC5 protrude beyond the LC parallel resonator LC3 toward the positive direction side in the z-axis direction.
  • the coil L2 of the LC parallel resonator LC2 and the coil L4 of the LC parallel resonator LC4 are electromagnetically coupled.
  • the LC parallel resonators LC1, LC2, LC4, and LC5 protrude beyond the LC parallel resonator LC3 toward the positive direction side and the negative direction side in the z-axis direction.
  • the coil L2 of the LC parallel resonator LC2 and the coil L4 of the LC parallel resonator LC4 are electromagnetically coupled.
  • the LC parallel resonator LC3 among the LC parallel resonators LC1 to LC5 may be configured to be short, so that the coils L2 and L4 of the LC parallel resonators LC2 and LC4 may be electromagnetically coupled.
  • the electronic components 10, 10a to 10h are assumed to include three or five LC parallel resonators.
  • the number of LC parallel resonators is not limited to this and may be plural.
  • a first model the high-frequency signal passing characteristics of an electronic component 10 (hereinafter referred to as a first model) in which the LC parallel resonator LC1 and the LC parallel resonator LC3 are protruded from the LC parallel resonator LC2 were examined.
  • a first model the high-frequency signal passing characteristics of an electronic component 10 (hereinafter referred to as a first model) in which the LC parallel resonator LC1 and the LC parallel resonator LC3 are protruded from the LC parallel resonator LC2 were examined.
  • . 5 and 6 are graphs showing the first simulation result.
  • the vertical axis represents the attenuation, and the horizontal axis represents the frequency.
  • an attenuation pole is formed on the high frequency side or low frequency side of the pass band of the high frequency signal.
  • the attenuation pole is formed at the high frequency end of the high frequency signal pass band.
  • the position of the attenuation pole can be adjusted by adjusting the degree of coupling between the LC parallel resonators LC1 and LC3.
  • FIG. 7 is a graph showing the second simulation result.
  • the vertical axis represents the attenuation, and the horizontal axis represents the frequency.
  • Attenuation poles are formed on both the high frequency side and the low frequency side of the pass band of the high frequency signal.
  • the attenuation pole may not be formed. In this case, the attenuation amount in the region higher and lower than the pass band of the electronic component 10 is reduced.
  • FIG. 8 is a graph showing a third simulation result.
  • the vertical axis represents the attenuation, and the horizontal axis represents the frequency.
  • the fourth model has a smaller attenuation pole depth than the third model. This is probably because the degree of coupling between the LC parallel resonators is lower in the third model than in the fourth model.
  • FIG. 9 is a graph showing a fourth simulation result.
  • the vertical axis represents the attenuation, and the horizontal axis represents the frequency.
  • two attenuation poles are formed by coupling LC parallel resonators at two locations.
  • the two attenuation poles are formed on both the high-frequency side and low-frequency side of the high-frequency signal pass band, or on the high-frequency side or low-frequency side of the high-frequency signal pass band, depending on the characteristics of the LC parallel resonators LC1 to LC6. Or formed on either side.
  • FIG. 10 is a graph showing the fifth simulation result.
  • the vertical axis represents the attenuation, and the horizontal axis represents the frequency.
  • two attenuation poles are formed on each of the high frequency side of the pass band and the low frequency side of the pass band.
  • the present invention is useful for electronic components, and is particularly excellent in that the degree of coupling of the LC parallel resonator can be adjusted without increasing the size of the element.
  • C1 to C3 Capacitors L1 to L3 Coils LC1 to LC6 LC parallel resonators S1 to S3 Loop surface b1 to b25 Via hole conductors 10, 10a to 10h Electronic parts 12 Laminated bodies 14a to 14d External electrodes 16a to 16g Insulator layers 20a, 20b, 28a, 28b Lead conductor layer 22a to 22c Capacitor conductor layer 24a to 24c Coil conductor layer 26 Ground conductor layer

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Abstract

　素子を大型化することなく、ＬＣ並列共振器の結合度を下げることができる電子部品を提供することである。　積層体（１２）は、複数の絶縁体層（１６）が積層されることにより構成されている。ＬＣ並列共振器（ＬＣ１，ＬＣ２）は、ｚ軸方向に延在するビアホール導体、及び、絶縁体層（１６）上に設けられている導体層からなるループ状のＬＣ並列共振器であって、帯域通過フィルタを構成している。ＬＣ並列共振器（ＬＣ１）のループ面（Ｓ１）とＬＣ並列共振器（ＬＣ２）のループ面（Ｓ２）とは、ｚ軸方向に平行であって、かつ、互いに平行であると共に、ループ面（Ｓ１）の法線方向から平面視したときに、少なくとも一部において互いに重なっている。ループ面（Ｓ１）は、ｚ軸方向の正方向側にループ面（Ｓ２）からはみ出している。

Description

電子部品
　本発明は、電子部品に関し、より特定的には、複数のＬＣ並列共振器からなる帯域通過フィルタを備えている電子部品に関する。
　従来の電子部品としては、例えば、特許文献１に記載の積層帯域通過フィルタが知られている。該積層帯域通過フィルタは、積層体及び複数のＬＣ並列共振器を備えている。積層体は、複数の誘電体層が積層されて構成されている。各ＬＣ並列共振器は、キャパシタ電極とインダクタ電極とにより構成されている。インダクタ電極は、ループ形状に形成されている。そして、各ＬＣ並列共振器のループ面同士が重なっている。以上のような積層帯域通過フィルタでは、ループ面同士が重なっているので、隣接するＬＣ並列共振器のインダクタ電極間の結合度を高くすることができ、広帯域化を図ることができる。
　ところで、複数のＬＣ並列共振器からなる帯域通過フィルタを備えている電子部品では、所望の特性を得るためにＬＣ並列共振器のインダクタ電極間の結合度を低くしたい場合がある。特許文献１に記載の積層帯域通過フィルタにおいて、隣接するＬＣ並列共振器間の結合度を下げる方法としては、ＬＣ並列共振器間の距離を大きくすることが上げられる。しかしながら、ＬＣ並列共振器間の距離を大きくすると、積層帯域通過フィルタが大型化してしまうという問題がある。
国際公開第２００７／１１９３５６号パンフレット
　そこで、本発明の目的は、素子を大型化することなく、ＬＣ並列共振器のコイル間の結合度を下げることができる電子部品を提供することである。
　本発明の一形態に係る電子部品は、複数の絶縁体層が積層されることにより構成されている積層体と、積層方向に延在するビアホール導体、及び、前記絶縁体層上に設けられている導体層からなるループ状の第１のＬＣ並列共振器及び第２のＬＣ並列共振器であって、帯域通過フィルタを構成している第１のＬＣ並列共振器及び第２のＬＣ並列共振器と、を備えており、前記第１のＬＣ並列共振器の第１のループ面と前記第２のＬＣ並列共振器の第２のループ面とは、積層方向に平行であって、かつ、互いに平行であると共に、該第１のループ面の法線方向から平面視したときに、少なくとも一部において互いに重なっており、前記第１のループ面は、積層方向の上側及び／又は下側に前記第２のループ面からはみ出していること、を特徴とする。
　本発明によれば、素子を大型化することなく、ＬＣ並列共振器のコイル間の結合度を調整することができる。
本発明の実施形態に係る電子部品の外観斜視図である。 電子部品の積層体の分解斜視図である。 電子部品の等価回路図である。 図４（ａ）ないし図４（ｈ）はそれぞれ、第１の変形例に係る電子部品ないし第８の変形例に係る電子部品の断面構造図である。 第１のシミュレーション結果を示したグラフである。 第１のシミュレーション結果を示したグラフである。 第２のシミュレーション結果を示したグラフである。 第３のシミュレーション結果を示したグラフである。 第４のシミュレーション結果を示したグラフである。 第５のシミュレーション結果を示したグラフである。
　以下に本発明の実施形態に係る電子部品について説明する。
（電子部品の構成）
　以下に、本発明の一実施形態に係る電子部品の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の実施形態に係る電子部品１０の外観斜視図である。図２は、電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。図３は、電子部品１０の等価回路図である。図１及び図２において、ｚ軸方向は、積層方向を示す。また、ｘ軸方向は、電子部品の長辺に沿った方向を示し、ｙ軸方向は、電子部品１０の短辺に沿った方向を示す。
　電子部品１０は、図１及び図２に示すように、積層体１２、外部電極１４（１４ａ～１４ｄ）、ＬＣ並列共振器ＬＣ１～ＬＣ３及び引き出し導体層２０（２０ａ，２０ｂ），２８（２８ａ，２８ｂ）を備えている。
　積層体１２は、図２に示すように、セラミック誘電体からなる絶縁体層１６（１６ａ～１６ｇ）が積層されることにより構成され、直方体状をなしている。また、積層体１２は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１～ＬＣ３を内蔵している。
　外部電極１４ａは、図１に示すように、ｘ軸方向の負方向側の側面に設けられており、入力電極として用いられる。外部電極１４ｂは、ｘ軸方向の正方向側の側面に設けられ、出力電極として用いられる。外部電極１４ｃは、ｙ軸方向の負方向側の側面に設けられ、グランド電極として用いられる。外部電極１４ｄは、ｙ軸方向の正方向側の側面に設けられ、グランド電極として用いられる。
　絶縁体層１６は、図２に示すように、長方形状をなしており、例えば、セラミック誘電体により構成されている。絶縁体層１６ａ～１６ｇは、ｚ軸方向においてこの順に並ぶように積層されている。以下では、絶縁体層１６のｚ軸方向の正方向側の面を表面と称し、絶縁体層１６のｚ軸方向の負方向側の面を裏面と称す。
　ＬＣ並列共振器ＬＣ１は、コイルＬ１及びコンデンサＣ１を含んでいる。より詳細には、ＬＣ並列共振器ＬＣ１は、ビアホール導体ｂ１～ｂ９、コンデンサ導体層２２ａ、コイル導体層２４ａ及びグランド導体層２６からなり、ループ状をなしている。
　コンデンサＣ１は、コンデンサ導体層２２ａ及びグランド導体層２６により構成されている。グランド導体層２６は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１のｚ軸方向の最も負方向側に設けられている導体層であり、絶縁体層１６ｇの表面上に設けられている。グランド導体層２６は、長方形状をなしており、絶縁体層１６ｇの略全面を覆っている。コンデンサ導体層２２ａは、絶縁体層１６ｆを介してグランド導体層２６に対向している導体層であり、絶縁体層１６ｆの表面上に設けられている。これにより、コンデンサ導体層２２ａとグランド導体層２６との間には静電容量が発生している。コンデンサ導体層２２ａは、ｙ軸方向に長手方向を有する長方形状をなしており、絶縁体層１６ｆの対角線の交点よりもｘ軸方向の負方向側に設けられている。
　コイルＬ１は、ビアホール導体ｂ１～ｂ９及びコイル導体層２４ａにより構成されている。ビアホール導体ｂ１～ｂ４はそれぞれ、絶縁体層１６ｂ～１６ｅをｚ軸方向に貫通している。また、ビアホール導体ｂ４のｚ軸方向の負方向側の端部は、コンデンサ導体層２２ａに接続されている。これにより、ビアホール導体ｂ１～ｂ４は、コンデンサ導体層２２ａに接続され、かつ、ｚ軸方向に延在する１本のビアホール導体を構成している。ビアホール導体ｂ５～ｂ９はそれぞれ、絶縁体層１６ｂ～１６ｆをｚ軸方向に貫通しており、ビアホール導体ｂ１～ｂ４よりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。また、ビアホール導体ｂ９のｚ軸方向の負方向側の端部は、グランド導体層２６に接続されている。これにより、ビアホール導体ｂ５～ｂ９は、グランド導体層２６に接続され、かつ、ｚ軸方向に延在する１本のビアホール導体を構成している。
　コイル導体層２４ａは、ＬＣ並列共振器ＬＣ１のｚ軸方向の最も正方向側に設けられている導体層であり、絶縁体層１６ｂの表面上に設けられている。コイル導体層２４ａは、ｙ軸方向に長手方向を有する長方形状をなしており、絶縁体層１６ｂの対角線の交点よりもｘ軸方向の負方向側に設けられている。そして、コイル導体層２４ａは、ビアホール導体ｂ１～ｂ４からなる１本のビアホール導体のｚ軸方向の正方向側の端部とビアホール導体ｂ５～ｂ９からなる１本のビアホール導体のｚ軸方向の正方向側の端部とに接続されている。すなわち、ビアホール導体ｂ１のｚ軸方向の正方向側の端部は、コイル導体層２４ａのｙ軸方向の負方向側の端部に接続されている。ビアホール導体ｂ５のｚ軸方向の正方向側の端部は、コイル導体層２４ａのｙ軸方向の正方向側の端部に接続されている。
　このように、コイルＬ１は、ビアホール導体ｂ４とコンデンサ導体層２２ａの接続点を一端とし、ビアホール導体ｂ１～ｂ４、コイル導体層２４ａ、ビアホール導体ｂ５～ｂ９を経由して、ビアホール導体ｂ９とグランド導体層２６を他端とするコ字型をなしている。
　以上のように構成されたＬＣ並列共振器ＬＣ１は、ｙｚ平面に平行なループ面Ｓ１を形成している。ループ面Ｓ１とは、ＬＣ並列共振器ＬＣ１により形成されている長方形状の仮想の平面である。
　ＬＣ並列共振器ＬＣ２は、コイルＬ２及びコンデンサＣ２を含んでいる。より詳細には、ＬＣ並列共振器ＬＣ２は、ビアホール導体ｂ１０～ｂ１６、コンデンサ導体層２２ｂ、コイル導体層２４ｂ及びグランド導体層２６からなり、ループ状をなしている。
　コンデンサＣ２は、コンデンサ導体層２２ｂ及びグランド導体層２６により構成されている。グランド導体層２６は、ＬＣ並列共振器ＬＣ２のｚ軸方向の最も負方向側に設けられている導体層であり、絶縁体層１６ｇの表面上に設けられている。グランド導体層２６は、長方形状をなしており、絶縁体層１６ｇの略全面を覆っている。すなわち、コンデンサＣ２のグランド導体層２６は、コンデンサＣ１のグランド導体層２６と共通であり、同じ絶縁体層１６ｇの表面上に設けられている。コンデンサ導体層２２ｂは、絶縁体層１６ｆを介してグランド導体層２６に対向している導体層であり、絶縁体層１６ｆの表面上に設けられている。これにより、コンデンサ導体層２２ｂとグランド導体層２６との間には静電容量が発生している。コンデンサ導体層２２ｂは、ｙ軸方向に長手方向を有する長方形状をなしており、絶縁体層１６ｆの対角線の交点上に設けられている。
　コイルＬ２は、ビアホール導体ｂ１０～ｂ１６及びコイル導体層２４ｂにより構成されている。ビアホール導体ｂ１０～ｂ１２はそれぞれ、絶縁体層１６ｃ～１６ｅをｚ軸方向に貫通している。また、ビアホール導体ｂ１２のｚ軸方向の負方向側の端部は、コンデンサ導体層２２ｂに接続されている。これにより、ビアホール導体ｂ１０～ｂ１２は、コンデンサ導体層２２ｂに接続され、かつ、ｚ軸方向に延在する１本のビアホール導体を構成している。ビアホール導体ｂ１３～ｂ１６はそれぞれ、絶縁体層１６ｃ～１６ｆをｚ軸方向に貫通しており、ビアホール導体ｂ１０～ｂ１２よりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。また、ビアホール導体ｂ１６のｚ軸方向の負方向側の端部は、グランド導体層２６に接続されている。これにより、ビアホール導体ｂ１３～ｂ１６は、グランド導体層２６に接続され、かつ、ｚ軸方向に延在する１本のビアホール導体を構成している。
　コイル導体層２４ｂは、ＬＣ並列共振器ＬＣ２のｚ軸方向の最も正方向側に設けられている導体層であり、絶縁体層１６ｃの表面上に設けられている。コイル導体層２４ｂは、ｙ軸方向に長手方向を有する長方形状をなしており、絶縁体層１６ｃの対角線の交点上に設けられている。そして、コイル導体層２４ｂは、ビアホール導体ｂ１０～ｂ１２からなる１本のビアホール導体のｚ軸方向の正方向側の端部とビアホール導体ｂ１３～ｂ１６からなる１本のビアホール導体のｚ軸方向の正方向側の端部とに接続されている。すなわち、ビアホール導体ｂ１０のｚ軸方向の正方向側の端部は、コイル導体層２４ｂのｙ軸方向の負方向側の端部に接続されている。ビアホール導体ｂ１３のｚ軸方向の正方向側の端部は、コイル導体層２４ｂのｙ軸方向の正方向側の端部に接続されている。
　このように、コイルＬ２は、ビアホール導体ｂ１２とコンデンサ導体層２２ｂの接続点を一端とし、ビアホール導体ｂ１０～ｂ１２、コイル導体層２４ｂ、ビアホール導体ｂ１３～ｂ１６を経由して、ビアホール導体ｂ１６とグランド導体層２６を他端とするコ字型をなしている。
　以上のように構成されたＬＣ並列共振器ＬＣ２は、ｙｚ平面に平行なループ面Ｓ２を形成している。ループ面Ｓ２とは、ＬＣ並列共振器ＬＣ２により形成されている長方形状の仮想の平面である。
　ＬＣ並列共振器ＬＣ３は、コイルＬ３及びコンデンサＣ３を含んでいる。より詳細には、ＬＣ並列共振器ＬＣ３は、ビアホール導体ｂ１７～ｂ２５、コンデンサ導体層２２ｃ、コイル導体層２４ｃ及びグランド導体層２６からなり、ループ状をなしている。
　コンデンサＣ３は、コンデンサ導体層２２ｃ及びグランド導体層２６により構成されている。グランド導体層２６は、ＬＣ並列共振器ＬＣ３のｚ軸方向の最も負方向側に設けられている導体層であり、絶縁体層１６ｇの表面上に設けられている。グランド導体層２６は、長方形状をなしており、絶縁体層１６ｇの略全面を覆っている。すなわち、コンデンサＣ３のグランド導体層２６は、コンデンサＣ１，Ｃ２のグランド導体層２６と共通であり、同じ絶縁体層１６ｇの表面上に設けられている。コンデンサ導体層２２ｃは、絶縁体層１６ｆを介してグランド導体層２６に対向している導体層であり、絶縁体層１６ｆの表面上に設けられている。これにより、コンデンサ導体層２２ｃとグランド導体層２６との間には静電容量が発生している。コンデンサ導体層２２ｃは、ｙ軸方向に長手方向を有する長方形状をなしており、絶縁体層１６ｆの対角線の交点よりもｘ軸方向の正方向側に設けられている。
　コイルＬ３は、ビアホール導体ｂ１７～ｂ２５及びコイル導体層２４ｃにより構成されている。ビアホール導体ｂ１７～ｂ２０はそれぞれ、絶縁体層１６ｂ～１６ｅをｚ軸方向に貫通している。また、ビアホール導体ｂ２０のｚ軸方向の負方向側の端部は、コンデンサ導体層２２ｃに接続されている。これにより、ビアホール導体ｂ１７～ｂ２０は、コンデンサ導体層２２ｃに接続され、かつ、ｚ軸方向に延在する１本のビアホール導体を構成している。ビアホール導体ｂ２１～ｂ２５はそれぞれ、絶縁体層１６ｂ～１６ｆをｚ軸方向に貫通しており、ビアホール導体ｂ１７～ｂ２０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。また、ビアホール導体ｂ２５のｚ軸方向の負方向側の端部は、グランド導体層２６に接続されている。これにより、ビアホール導体ｂ２１～ｂ２５は、グランド導体層２６に接続され、かつ、ｚ軸方向に延在する１本のビアホール導体を構成している。
　コイル導体層２４ｃは、ＬＣ並列共振器ＬＣ３のｚ軸方向の最も正方向側に設けられている導体層であり、絶縁体層１６ｂの表面上に設けられている。コイル導体層２４ｃは、ｙ軸方向に長手方向を有する長方形状をなしており、絶縁体層１６ｂの対角線の交点よりもｘ軸方向の正方向側に設けられている。そして、コイル導体層２４ｃは、ビアホール導体ｂ１７～ｂ２０からなる１本のビアホール導体のｚ軸方向の正方向側の端部とビアホール導体ｂ２１～ｂ２５からなる１本のビアホール導体のｚ軸方向の正方向側の端部とに接続されている。すなわち、ビアホール導体ｂ１７のｚ軸方向の正方向側の端部は、コイル導体層２４ｃのｙ軸方向の負方向側の端部に接続されている。ビアホール導体ｂ２１のｚ軸方向の正方向側の端部は、コイル導体層２４ｃのｙ軸方向の正方向側の端部に接続されている。
　このように、コイルＬ３は、ビアホール導体ｂ２０とコンデンサ導体層２２ｃの接続点を一端とし、ビアホール導体ｂ１７～ｂ２０、コイル導体層２４ｃ、ビアホール導体ｂ２１～ｂ２５を経由して、ビアホール導体ｂ２５とグランド導体層２６を他端とするコ字型をなしている。
　以上のように構成されたＬＣ並列共振器ＬＣ３は、ｙｚ平面に平行なループ面Ｓ３を形成している。ループ面Ｓ３とは、ＬＣ並列共振器ＬＣ３により形成されている長方形状の仮想の平面である。
　ＬＣ並列共振器ＬＣ１～ＬＣ３のループ面Ｓ１～Ｓ３は、ｙｚ平面に平行（すなわち、ｚ軸方向に平行であって、かつ、互いに平行）であり、ｘ軸方向（すなわち、ループ面Ｓ１～Ｓ３の法線方向）から平面視したときに、少なくとも一部において重なっている。そして、ループ面Ｓ１とループ面Ｓ３とは、ループ面Ｓ２を挟んでいる。これにより、図３に示すように、ＬＣ並列共振器ＬＣ１のコイルＬ１とＬＣ並列共振器ＬＣ２のコイルＬ２とが電磁界結合する。また、ＬＣ並列共振器ＬＣ２のコイルＬ２とＬＣ並列共振器ＬＣ３のコイルＬ３とが電磁界結合する。
　また、ＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ３においてｚ軸方向の最も正方向側に設けられているコイル導体層２４ａ，２４ｃは、ＬＣ並列共振器ＬＣ２においてｚ軸方向の最も正方向側に設けられているコイル導体層２４ｂよりもｚ軸方向の正方向側に設けられている絶縁体層１６ｂの表面上に設けられている。よって、ループ面Ｓ１，Ｓ３は、ｚ軸方向の正方向側にループ面Ｓ２からはみ出している。これにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ１のループ面Ｓ１の一部とＬＣ並列共振器ＬＣ３のループ面Ｓ３の一部とが対向する。その結果、コイルＬ１とコイルＬ３とが電磁界結合する。以上のように構成されたＬＣ並列共振器ＬＣ１～ＬＣ３は、帯域通過フィルタを構成している。
　引き出し導体層２０ａは、絶縁体層１６ｆの表面上に設けられており、コンデンサ導体層２２ａに接続されていると共に、絶縁体層１６ｆのｘ軸方向の負方向側の短辺に引き出されている。これにより、引き出し導体層２０ａは、外部電極１４ａに接続されている。その結果、ＬＣ並列共振器ＬＣ１は、コンデンサＣ１とコイルＬ１との間において外部電極１４ａと電気的に接続されている。
　引き出し導体層２０ｂは、絶縁体層１６ｆの表面上に設けられており、コンデンサ導体層２２ｃに接続されていると共に、絶縁体層１６ｆのｘ軸方向の正方向側の短辺に引き出されている。これにより、引き出し導体層２０ｂは、外部電極１４ｂに接続されている。その結果、ＬＣ並列共振器ＬＣ３は、コンデンサＣ３とコイルＬ３との間において外部電極１４ｂと電気的に接続されている。
　引き出し導体層２８ａは、絶縁体層１６ｇの表面上に設けられており、グランド導体層２６に接続されていると共に、絶縁体層１６ｇのｙ軸方向の負方向側の長辺に引き出されている。これにより、引き出し導体層２８ａは、外部電極１４ｃに接続されている。その結果、ＬＣ並列共振器ＬＣ１～ＬＣ３はそれぞれ、コンデンサＣ１～Ｃ３とコイルＬ１～Ｌ３との間において外部電極１４ｃと電気的に接続されている。
　引き出し導体層２８ｂは、絶縁体層１６ｇの表面上に設けられており、グランド導体層２６に接続されていると共に、絶縁体層１６ｇのｙ軸方向の正方向側の長辺に引き出されている。これにより、引き出し導体層２８ｂは、外部電極１４ｄに接続されている。その結果、ＬＣ並列共振器ＬＣ１～ＬＣ３はそれぞれ、コンデンサＣ１～Ｃ３とコイルＬ１～Ｌ３との間において外部電極１４ｄと電気的に接続されている。
　次に、電子部品１０の動作の一例について、図１ないし図３を参照しながら説明する。最初に、外部電極１４ａから入力された正の電圧を持つ高周波信号Ｓｉｇ１は、図３に示すように、ｘ軸方向の正方向側から平面視したときに、時計回りに流れる。
　コイルＬ１とコイルＬ２とは、電磁界結合している。よって、高周波信号Ｓｉｇ１が、ｘ軸方向の正方向側から平面視したときにＬＣ並列共振器ＬＣ１において時計回りに流れると、高周波信号Ｓｉｇ２が、電磁誘導により、ｘ軸方向の正方向側から平面視したときにＬＣ並列共振器ＬＣ２において反時計回りに流れる。
　コイルＬ２とコイルＬ３とは、電磁界結合している。よって、高周波信号Ｓｉｇ２が、ｘ軸方向の正方向側から平面視したときにＬＣ並列共振器ＬＣ２において反時計回りに流れると、高周波信号Ｓｉｇ３が、電磁誘導により、ｘ軸方向の正方向側から平面視したときにＬＣ並列共振器ＬＣ３において時計回りに流れる。これにより、高周波信号Ｓｉｇ３は、外部電極１４ｂから出力される。なお、コイルＬ１とコイルＬ３も互いに電磁界結合しているので、高周波信号Ｓｉｇ１，Ｓｉｇ３のパワーはこれにも影響される。
　ここで、ＬＣ並列共振器ＬＣ１～ＬＣ３はそれぞれコイルＬ１～Ｌ３及びコンデンサＣ１～Ｃ３により定まる固有の共振周波数を有している。そして、ＬＣ並列共振器ＬＣ１～ＬＣ３のインピーダンスは、これらの共振周波数において高くなる。これにより、これらの共振周波数により定まる所定の周波数帯域の高周波信号Ｓｉｇ３が外部電極１４ｂから出力される。
（電子部品の製造方法）
　次に、電子部品１０の製造方法について図１及び図２を参照しながら説明する。
　まず、絶縁体層１６となるべきセラミックグリーンシートを準備する。次に、絶縁体層１６ｂ～１６ｆとなるべきセラミックグリーンシートのそれぞれに、ビアホール導体ｂ１～ｂ２５を形成する。具体的には、絶縁体層１６ｂ～１６ｆとなるべきセラミックグリーンシートにレーザビームを照射してビアホールを形成する。次に、このビアホールに対して、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電性ペーストを印刷塗布などの方法により充填する。
　次に、絶縁体層１６ｂ，１６ｃ，１６ｆ，１６ｇとなるべきセラミックグリーンシート上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、引き出し導体層２０ａ，２０ｂ、コンデンサ導体層２２ａ，２２ｂ、コイル導体層２４ａ～２４ｃ、グランド導体層２６及び引き出し導体層２８ａ，２８ｂを形成する。なお、引き出し導体層２０ａ，２０ｂ、コンデンサ導体層２２ａ，２２ｂ及びコイル導体層２４ａ～２４ｃの形成の際に、ビアホールに対する導電性ペーストの充填を行ってもよい。
　次に、各セラミックグリーンシートを積層する。具体的には、絶縁体層１６ｇとなるべきセラミックグリーンシートを配置する。次に、絶縁体層１６ｇとなるべきセラミックグリーンシート上に絶縁体層１６ｆなるべきセラミックグリーンシートを配置する。この後、絶縁体層１６ｆとなるべきセラミックグリーンシートを絶縁体層１６ｇとなるべきセラミックグリーンシートに対して圧着する。この後、１６ｅ，１６ｄ，１６ｃ，１６ｂ，１６ａとなるべきセラミックグリーンシートについても同様にこの順番に積層及び圧着する。以上の工程により、マザー積層体が形成される。このマザー積層体には、静水圧プレスなどにより本圧着が施される。
　次に、マザー積層体をカット刃により所定寸法の積層体１２にカットする。この未焼成の積層体１２には、脱バインダー処理及び焼成がなされる。
　以上の工程により、焼成された積層体１２が得られる。積層体１２には、バレル加工が施されて、面取りが行われる。その後、積層体１２の表面には、例えば、浸漬法等の方法により主成分が銀である電極ペーストが塗布及び焼き付けされることにより、外部電極１４となるべき銀電極が形成される。
　最後に、銀電極の表面に、Ｎｉめっき／Ｓｎめっきを施すことにより、外部電極１４を形成する。以上の工程を経て、図１に示すような電子部品１０が完成する。
（効果）
　以上のように構成された電子部品１０によれば、素子を大型化することなく、ＬＣ並列共振器ＬＣ１～ＬＣ３のコイルＬ１～Ｌ３間の結合度を調整することができる。例えば、複数のＬＣ並列共振器からなる帯域通過フィルタを備えている電子部品では、所望の特性を得るためにＬＣ並列共振器のコイル間の結合度を低くしたい場合がある。特許文献１に記載の積層帯域通過フィルタにおいて、隣接するＬＣ並列共振器のコイル間の結合度を下げる方法としては、ＬＣ並列共振器間の距離を大きくすることが上げられる。しかしながら、ＬＣ並列共振器間の距離を大きくすると、積層帯域通過フィルタが大型化してしまうという問題がある。
　一方、電子部品１０では、ＬＣ並列共振器ＬＣ１のループ面Ｓ１は、ｚ軸方向の正方向側にＬＣ並列共振器ＬＣ２のループ面Ｓ２からはみ出している。すなわち、電子部品１０では、ＬＣ並列共振器ＬＣ２のｚ軸方向の高さを低くすることにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ１のループ面Ｓ１とＬＣ並列共振器ＬＣ２のループ面Ｓ２とが対向している面積を小さくしている。その結果、電子部品１０におけるＬＣ並列共振器ＬＣ１とＬＣ並列共振器ＬＣ２との結合度は、ＬＣ並列共振器ＬＣ２のループ面Ｓ２の高さがＬＣ並列共振器ＬＣ１のループ面Ｓ１の高さと等しい電子部品におけるＬＣ並列共振器ＬＣ１とＬＣ並列共振器ＬＣ２との結合度よりも小さくなる。なお、ＬＣ並列共振器ＬＣ２とＬＣ並列共振器ＬＣ３との結合度についても同様のことが言える。以上のように、電子部品１０では、素子を大型化することなく、ＬＣ並列共振器ＬＣ１～ＬＣ３の結合度を下げることができる。
　また、電子部品１０では、ＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ３のｚ軸方向の最も正方向側に設けられている導体層（コイル導体層２４ａ，２４ｃ）は、ＬＣ並列共振器ＬＣ２のｚ軸方向の最も正方向側に設けられている導体層（コイル導体層２４ｂ）よりもｚ軸方向の正方向側に設けられている絶縁体層１６ｂの表面上に設けられている。これにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ３のループ面Ｓ１，Ｓ３は、ｚ軸方向の正方向側にＬＣ並列共振器ＬＣ２のループ面Ｓ２からはみ出して互いに対向するようになる。そのため、電子部品１０におけるコイルＬ１，Ｌ３間の結合度は、ループ面Ｓ１，Ｓ３がループ面Ｓ２からはみ出してない電子部品におけるコイルＬ１，Ｌ３間の結合度よりも高くなる。このように、隣り合っていないコイルＬ１，Ｌ３を高い結合度で結合させることにより、後述するように、電子部品１０の特性を所望の特性に調整することが可能となる。
　また、電子部品１０では、グランド導体層２６は、コンデンサＣ１～Ｃ３のグランド導体層として用いられている。そのため、グランド導体層２６をコンデンサＣ１～Ｃ３のそれぞれに設ける必要がない。また、グランド導体層２６は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１～ＬＣ３のｚ軸方向の最も負方向側に設けられている。これにより、グランド導体層２６が設けられている絶縁体層１６ｇにビアホール導体が設けられることがない。そのため、グランド導体層２６は、ビアホール導体を避ける形状を有している必要がなくなるので、絶縁体層１６ｇの略全面を覆うことができる。その結果、電子部品１０からノイズが外部に漏れたり、電子部品１０に外部からノイズが侵入したりすることが抑制される。
（その他の実施形態）
　なお、電子部品１０は、前記実施形態に示した電子部品１０に限らず、その要旨の範囲において変更可能である。
　前記実施形態に係る電子部品１０は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１～ＬＣ３を備えていた。しかしながら、電子部品１０が内蔵するＬＣ並列共振器の数はこれに限らない。図４（ａ）ないし図４（ｈ）はそれぞれ、第１の変形例に係る電子部品１０ａないし第８の変形例に係る電子部品１０ｈの断面構造図である。
　電子部品１０ａ～１０ｈは、ＬＣ並列共振器ＬＣ１～ＬＣ５を備えている。電子部品１０ａでは、ＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ５が、ＬＣ並列共振器ＬＣ２～ＬＣ４よりもｚ軸方向の正方向側にはみ出している。これにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ１のコイルＬ１とＬＣ並列共振器ＬＣ５のコイルＬ５とは、電磁界結合するようになる。また、電子部品１０ｂでは、ＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ５は、ＬＣ並列共振器ＬＣ２～ＬＣ４よりもｚ軸方向の正方向側及び負方向側にはみ出している。これにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ１のコイルＬ１とＬＣ並列共振器ＬＣ５のコイルＬ５とは、電磁界結合するようになる。このように、３つのＬＣ並列共振器ＬＣ２～ＬＣ４を挟む２つのＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ５のコイルＬ１，Ｌ５が電磁界結合してもよい。
　また、電子部品１０ｃでは、ＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ３，ＬＣ５が、ＬＣ並列共振器ＬＣ２，ＬＣ４よりもｚ軸方向の正方向側にはみ出している。これにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ１のコイルＬ１とＬＣ並列共振器ＬＣ３のコイルＬ３とは、電磁界結合するようになる。同様に、ＬＣ並列共振器ＬＣ３とＬＣ並列共振器ＬＣ５とは、電磁界結合するようになる。また、電子部品１０ｄでは、ＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ３，ＬＣ５のコイルＬ１，Ｌ３，Ｌ５は、ＬＣ並列共振器ＬＣ２，ＬＣ４のコイルＬ２，Ｌ４よりもｚ軸方向の正方向側及び負方向側にはみ出している。これにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ１のコイルＬ１とＬＣ並列共振器ＬＣ３のコイルＬ３とは、電磁界結合するようになる。同様に、ＬＣ並列共振器ＬＣ３のコイルＬ３とＬＣ並列共振器ＬＣ５のコイルＬ５とは、電磁界結合するようになる。このように、３つのＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ３，ＬＣ５のコイルＬ１，Ｌ３，Ｌ５が電磁界結合してもよい。
　また、電子部品１０ｅでは、ＬＣ並列共振器ＬＣ２，ＬＣ４が、ＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ３，ＬＣ５よりもｚ軸方向の正方向側にはみ出している。これにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ２のコイルＬ２とＬＣ並列共振器ＬＣ４のコイルＬ４とは、電磁界結合するようになる。また、電子部品１０ｆでは、ＬＣ並列共振器ＬＣ２，ＬＣ４は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ３，ＬＣ５よりもｚ軸方向の正方向側及び負方向側にはみ出している。これにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ２のコイルＬ２とＬＣ並列共振器ＬＣ４のコイルＬ４とは、電磁界結合するようになる。このように、偶数段目に位置する２つのＬＣ並列共振器ＬＣ２，ＬＣ４のコイルＬ２，Ｌ４が電磁界結合してもよい。
　また、電子部品１０ｇでは、ＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ２，ＬＣ４，ＬＣ５が、ＬＣ並列共振器ＬＣ３よりもｚ軸方向の正方向側にはみ出している。これにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ２のコイルＬ２とＬＣ並列共振器ＬＣ４のコイルＬ４とは、電磁界結合するようになる。また、電子部品１０ｈでは、ＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ２，ＬＣ４，ＬＣ５は、ＬＣ並列共振器ＬＣ３よりもｚ軸方向の正方向側及び負方向側にはみ出している。これにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ２のコイルＬ２とＬＣ並列共振器ＬＣ４のコイルＬ４とは、電磁界結合するようになる。このように、ＬＣ並列共振器ＬＣ１～ＬＣ５のうちのＬＣ並列共振器ＬＣ３のみが短く構成されることによって、ＬＣ並列共振器ＬＣ２，ＬＣ４のコイルＬ２，Ｌ４が電磁界結合してもよい。
　なお、電子部品１０，１０ａ～１０ｈは、ＬＣ並列共振器を３つ又は５つ備えているものとした。しかしながら、ＬＣ並列共振器の数はこれに限らず、複数であればよい。
（隣り合わないＬＣ並列共振器同士の結合について）
　以下に、隣り合わないＬＣ並列共振器の結合について図面を参照しながら説明する。本願発明者は、隣り合わないＬＣ並列共振器同士を対向させて結合させることによる電子部品１０の特性の変化を調べるために、以下のコンピュータシミュレーションを行った。具体的には、６つのＬＣ並列共振器ＬＣ１～ＬＣ６を有する電子部品１０において、対向させるＬＣ並列共振器同士を変化させて、高周波信号の通過特性の変化を調べた。
　まず、第１のシミュレーションとして、ＬＣ並列共振器ＬＣ１とＬＣ並列共振器ＬＣ３とをＬＣ並列共振器ＬＣ２からはみ出させた電子部品１０（以下、第１のモデル）の高周波信号の通過特性を調べた。図５及び図６は、第１のシミュレーション結果を示したグラフである。縦軸は減衰量を示しており、横軸は周波数を示している。
　図５に示すように第１のモデルでは、高周波信号の通過帯域の高周波側又は低周波側に減衰極が形成される。図５では、減衰極は、高周波信号の通過帯域の高周波側の端に形成されている。図５に示すように、ＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ３間の結合度を調整することにより、減衰極の位置を調整できる。
　次に、第２のシミュレーションとして、ＬＣ並列共振器ＬＣ１とＬＣ並列共振器ＬＣ４とをＬＣ並列共振器ＬＣ２，ＬＣ３からはみ出させた電子部品１０（第２のモデル）の高周波信号の通過特性を調べた。図７は、第２のシミュレーション結果を示したグラフである。縦軸は減衰量を示しており、横軸は周波数を示している。
　図７に示すように、第２のモデルでは、高周波信号の通過帯域の高周波側及び低周波側の両側に減衰極が形成される。なお、ＬＣ並列共振器ＬＣ１～ＬＣ６の特性によっては、減衰極が形成されない場合もある。この場合には、電子部品１０の通過帯域よりも高い領域及び低い領域の減衰量が小さくなる。
　次に、第３のシミュレーションとして、ＬＣ並列共振器ＬＣ１とＬＣ並列共振器ＬＣ３とをＬＣ並列共振器ＬＣ２からはみ出させた電子部品１０（第３のモデル）、及び、ＬＣ並列共振器ＬＣ１とＬＣ並列共振器ＬＣ５とをＬＣ並列共振器ＬＣ２～ＬＣ４からはみ出させた電子部品１０（第４のモデル）の高周波信号の通過特性を調べた。図８は、第３のシミュレーション結果を示したグラフである。縦軸は減衰量を示しており、横軸は周波数を示している。
　図８に示すように、第３のモデルよりも第４のモデルの方が、減衰極の深さが浅くなることがわかる。これは、第４のモデルよりも第３のモデルの方がＬＣ並列共振器同士の結合度が低いためであると考えられる。
　次に、第４のシミュレーションとして、ＬＣ並列共振器ＬＣ１とＬＣ並列共振器ＬＣ３とをＬＣ並列共振器ＬＣ２からはみ出させると共に、ＬＣ並列共振器ＬＣ３とＬＣ並列共振器ＬＣ５とをＬＣ並列共振器ＬＣ４からはみ出させた電子部品１０（第５のモデル）の高周波信号の通過特性を調べた。図９は、第４のシミュレーション結果を示したグラフである。縦軸は減衰量を示しており、横軸は周波数を示している。
　図９に示すように、第５のモデルでは、２箇所においてＬＣ並列共振器同士が結合することによって、２つの減衰極が形成される。そして、２つの減衰極は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１～ＬＣ６の特性によって、高周波信号の通過帯域の高周波側と低周波側との両方に形成されたり、高周波信号の通過帯域の高周波側又は低周波側のいずれかに形成されたりする。
　次に、第５のシミュレーションとして、ＬＣ並列共振器ＬＣ１とＬＣ並列共振器ＬＣ４とをＬＣ並列共振器ＬＣ２，ＬＣ３，ＬＣ５，ＬＣ６からはみ出させた電子部品１０（第６のモデル）の高周波信号の通過特性を調べた。図１０は、第５のシミュレーション結果を示したグラフである。縦軸は減衰量を示しており、横軸は周波数を示している。
　図１０に示すように、第６のモデルでは、通過帯域の高周波側及び通過帯域の低周波側のそれぞれに、２つの減衰極が形成される。
　以上のように、本発明は、電子部品に有用であり、特に、素子を大型化することなく、ＬＣ並列共振器の結合度を調整することができる点において優れている。
　Ｃ１～Ｃ３　コンデンサ
　Ｌ１～Ｌ３　コイル
　ＬＣ１～ＬＣ６　ＬＣ並列共振器
　Ｓ１～Ｓ３　ループ面
　ｂ１～ｂ２５　ビアホール導体
　１０，１０ａ～１０ｈ　電子部品
　１２　積層体
　１４ａ～１４ｄ　外部電極
　１６ａ～１６ｇ　絶縁体層
　２０ａ，２０ｂ，２８ａ，２８ｂ　引き出し導体層
　２２ａ～２２ｃ　コンデンサ導体層
　２４ａ～２４ｃ　コイル導体層
　２６　グランド導体層

Claims (5)

  1. 　複数の絶縁体層が積層されることにより構成されている積層体と、
    　積層方向に延在するビアホール導体、及び、前記絶縁体層上に設けられている導体層からなるループ状の第１のＬＣ並列共振器及び第２のＬＣ並列共振器であって、帯域通過フィルタを構成している第１のＬＣ並列共振器及び第２のＬＣ並列共振器と、
    　を備えており、
    　前記第１のＬＣ並列共振器の第１のループ面と前記第２のＬＣ並列共振器の第２のループ面とは、積層方向に平行であって、かつ、互いに平行であると共に、該第１のループ面の法線方向から平面視したときに、少なくとも一部において互いに重なっており、
    　前記第１のループ面は、積層方向の上側及び／又は下側に前記第２のループ面からはみ出していること、
    　を特徴とする電子部品。
  2. 　前記電子部品は、
    　積層方向に延在するビアホール導体、及び、前記絶縁体層上に設けられている導体層からなるループ状の第３のＬＣ並列共振器であって、前記第１のＬＣ並列共振器及び前記第２の並列共振器と共に帯域通過フィルタを構成している第３のＬＣ並列共振器を、
    　更に備えており、
    　前記第１のループ面と前記第２のループ面と前記第３のＬＣ並列共振器の第３のループ面とは、積層方向に平行であって、かつ、互いに平行であると共に、該第１のループ面の法線方向から平面視したときに、少なくとも一部において互いに重なっており、
    　前記第１のループ面と前記第３のループ面とは、前記第２のループ面を挟んでいること、
    　を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
  3. 　前記第１のＬＣ並列共振器の積層方向の最も上側に設けられている前記導体層、及び、前記第３のＬＣ並列共振器の積層方向の最も上側に設けられている前記導体層は、前記第２のＬＣ並列共振器の積層方向の最も上側に設けられている前記絶縁体層よりも積層方向の上側に設けられている前記絶縁体層上に設けられていること、
    　を特徴とする請求項２に記載の電子部品。
  4. 　前記第１のＬＣ並列共振器の積層方向の最も下側に設けられている前記導体層、前記第２のＬＣ並列共振器の積層方向の最も下側に設けられている前記導体層、及び、前記第３のＬＣ並列共振器の積層方向の最も下側に設けられている前記導体層は、同じ前記絶縁体層上に設けられていること、
    　を特徴とする請求項２又は請求項３のいずれかに記載の電子部品。
  5. 　前記第１のＬＣ並列共振器は、コイル及びコンデンサを含んでおり、
    　前記コンデンサは、
    　　前記第１のＬＣ並列共振器の積層方向の最も下側に設けられている前記導体層により構成されているグランド導体層と、
    　　前記絶縁体層を介して前記グランド導体層に対向している前記導体層により構成されているコンデンサ導体層と、
    　を含んでおり、
    　前記コイルは、
    　　前記コンデンサ導体に接続され、かつ、積層方向に延在している前記ビアホール導体により構成されている第１のコイルビアホール導体と、
    　　前記グランド導体層に接続され、かつ、積層方向に延在している前記ビアホール導体により構成されている第２のコイルビアホール導体と、
    　　前記第１のコイルビアホール導体の積層方向の上側の端部と前記第２のコイルビアホール導体の積層方向の上側の端部とに接続されている前記導体層により構成されているコイル導体層と、
    　を含んでいること、
    　を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の電子部品。
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