JP6295968B2 - 電子部品 - Google Patents
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Description
以下に、本発明の第1の実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図1は、第1の実施形態に係る電子部品10aの等価回路図である。
前記電子部品10aによれば、通過帯域外の帯域における高周波信号の減衰量をより大きくすることができる。より詳細には、特許文献1に記載の積層帯域通過フィルタでは、5段のLC並列共振器が用いられているのに対して、電子部品10aでは、6段のLC並列共振器LC1〜LC6が用いられている。このように、LC並列共振器を多段化することにより、通過帯域外の帯域における高周波信号の減衰量をより大きくすることができる。
以下に第2の実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図15は、第2の実施形態に係る電子部品10bの等価回路図である。図16は、電子部品10bの分解斜視図である。図17は、電子部品10bの通過特性(|S21|)を示したグラフである。電子部品10bの外観斜視図は、電子部品10aと同じであるので、図2を援用する。
以下に第3の実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図18は、第3の実施形態に係る電子部品10cの等価回路図である。図19は、電子部品10cの分解斜視図である。図20は、電子部品10cの通過特性(|S21|)を示したグラフである。電子部品10cの外観斜視図は、電子部品10aと同じであるので、図2を援用する。
本発明に係る電子部品は、前記電子部品10a〜10cに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。
12:積層体
14a〜14c:外部電極
16a〜16n:絶縁体層
17a〜17f,18a〜18f,19a〜19f,70a,70b,71a,71b:インダクタ導体層
20a〜20f,22,40a,40c,40d,40f,41a,41c,41d,41f,50a,50b,51a,51b:コンデンサ導体層
31:グランド導体層
60:接続導体層
C1〜C6,Ca〜Cg:コンデンサ
L1〜L8,L10:インダクタ
LC1〜LC6:LC並列共振器
S1〜S6:ループ面
SL1,SL2:スリット
v1〜v12,v20〜v24,v40,v41:ビアホール導体
Claims (8)
- 複数の絶縁体層が積層方向に積層されてなる積層体と、
前記積層方向に直交する第1の直交方向にこの順に並び、かつ、バンドパスフィルタを構成している第1のLC並列共振器ないし第6のLC並列共振器と、
前記第1のLC並列共振器と前記第6のLC並列共振器との間に接続されている第7のコンデンサと、
前記第1のLC並列共振器と前記第3のLC並列共振器との間に接続されている第8のコンデンサと、
前記第4のLC並列共振器と前記第6のLC並列共振器との間に接続されている第9のコンデンサと、
を備えており、
第n(nは1ないし6の整数)のLC並列共振器はそれぞれ、第nのインダクタ及び第nのコンデンサを含んでおり、
前記第nのインダクタ及び前記第nのコンデンサにより囲まれた第nのループ面であって、前記積層方向と実質的に平行な第nのループ面が形成されており、
前記第1のループ面ないし前記第6のループ面は、前記第1の直交方向から平面視したときに、該第1の直交方向に隣り合うもの同士で重なりあっていること、
を特徴とする電子部品。 - 前記第nのインダクタはそれぞれ、前記絶縁体層を前記積層方向に貫通する第nの層間接続導体及び第n+6の層間接続導体と、前記絶縁体層上に設けられている第nのインダクタ導体層と、を含んでおり、
前記第nの層間接続導体及び前記第n+6の層間接続導体は、前記第nのインダクタ導体層から前記積層方向の一方側に向かって延在していること、
を特徴とする請求項1に記載の電子部品。 - 前記第nのコンデンサは、前記絶縁体層を介して対向する第nのコンデンサ導体層及びグランド導体層により構成されており、
前記第nの層間接続導体は、前記第nのコンデンサ導体層に接続され、
前記第n+6の層間接続導体は、前記グランド導体層に接続されていること、
を特徴とする請求項2に記載の電子部品。 - 前記第7の層間接続導体ないし前記第9の層間接続導体は、前記第1の層間接続導体ないし前記第3の層間接続導体よりも、前記積層方向及び前記第1の直交方向に直交する第2の直交方向の一方側に位置しており、
前記第10の層間接続導体ないし前記第12の層間接続導体は、前記第4の層間接続導体ないし前記第6の層間接続導体よりも、前記第2の直交方向の他方側に位置しており、
を特徴とする請求項3に記載の電子部品。 - 前記第1のインダクタ導体層ないし前記第6のインダクタ導体層は、前記積層方向及び前記第1の直交方向に直交する第2の直交方向に延在しており、
前記第m(mは1ないし5の整数)のインダクタ導体層と前記第m+1のインダクタ導体層との前記第1の直交方向における間隔のうち、前記第3のインダクタ導体層と前記第4のインダクタ導体層との該第1の直交方向における間隔が最も小さいこと、
を特徴とする請求項2ないし請求項4のいずれかに記載の電子部品。 - 前記グランド導体層には、該グランド導体層の外縁から該外縁の内側に向かって延在するスリットが設けられていること、
を特徴とする請求項3に記載の電子部品。 - 前記第1のインダクタと前記第6のインダクタとを接続する接続導体層を、
更に備えていること、
を特徴とする請求項2ないし請求項6のいずれかに記載の電子部品。 - 前記第1の外部電極と、
前記第1の外部電極と前記第1のLC並列共振器との間に接続されている第7のインダクタと、
を更に備えていること、
を特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の電子部品。
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