CN107404298B - 高通滤波器 - Google Patents

Abstract

本发明涉及高通滤波器，能够不破坏电感器电极的对称性、不增大元件尺寸地使通过特性中出现的两个衰减极接近。本发明所涉及的高通滤波器的特征在于，具备：第一LC串联谐振器，具有与信号路径连接的第一端部以及与至少一个以上接地端子连接的第二端部；第二LC串联谐振器，具有与信号路径连接的第三端部以及与至少一个以上接地端子连接的第四端部；以及第三电容器，形成在第一电容器和第一电容器之间与第二电容器和第二电感器之间的之间。

Description

高通滤波器

技术领域

本发明涉及高通滤波器，特别是涉及具备LC串联谐振器的高通滤波器。

背景技术

作为以往的与高通滤波器有关的发明，例如已知有专利文献1所记载的高通滤波器。图8是高通滤波器500的等效电路图。图9是专利文献1所记载的高通滤波器500的分解立体图。

高通滤波器500如图8所示，具备输入输出端子504、506、电容器C201、C202、C203以及LC串联谐振器LC101、LC102。电容器C201、C202、C203在输入输出端子504与输入输出端子506之间按该顺序串联连接。LC串联谐振器LC101包括电感器L101以及电容器C101。LC串联谐振器LC101的一端连接在电容器C201与电容器C202之间。LC串联谐振器LC101的另一端与地连接。LC串联谐振器LC102包括电感器L102以及电容器C102。LC串联谐振器LC102的一端连接在电容器C202与电容器C203之间。LC串联谐振器LC102的另一端与地连接。

以上那样的高通滤波器500如图9所示，具备层叠体502。层叠体502具有多个绝缘体层被层叠的结构。电感器L101被设置在层叠体502内，在从上侧观察时，呈一边逆时针卷绕一边从上侧朝向下侧的螺旋状。电感器L102被设置在层叠体502内，在从上侧观察时，呈一边顺时针卷绕一边从上侧朝向下侧的螺旋状。电容器C101被设置在层叠体502的下表面附近，并与电感器L101连接。电容器C102被设置在层叠体502的下表面附近，并与电感器L102连接。

在以上那样的高通滤波器500中，如专利文献1的图5的图表所示，在通过特性中形成两个衰减极。

专利文献1：日本特开2008－167157号

然而，在高通滤波器500中，有时想要使两个衰减极接近。

在这样的情况下，例如可列举变更电感器L101或者电感器L102的任意一个的形状，来调整电感的值。

但是，若变更电感器L101或者电感器L102的任意一个的形状，则高通滤波器500的对称结构会被破坏。因此，导致将输入输出端子504用作输入端子、且将输入输出端子506用作输出端子的情况下的通过特性、和将输入输出端子506用作输入端子、且将输入输出端子504用作输出端子的情况下的通过特性不同。因此，输入输出的对称性会被破坏。作为解决这样的问题的方法，可列举进一步追加阻抗匹配用的电感器或者电容器的方法。但是，在该方法中，即使能够改善输入输出特性的问题，也存在元件的尺寸变大这个问题。

发明内容

鉴于此，本发明的目的在于，提供一种能够不破坏电感器电极的对称性、不增大元件尺寸地使通过特性中出现的两个衰减极接近的高通滤波器。

作为本发明的一个方式的高通滤波器的特征在于，具备：第一输入输出端子、第二输入输出端子以及至少一个以上接地端子；信号路径，被设置在上述第一输入输出端子与上述第二输入输出端子之间；第一LC串联谐振器，是具有与上述信号路径电连接的第一端部、以及与上述至少一个以上接地端子电连接的第二端部的第一LC串联谐振器，并包括第一电感器以及第一电容器；第二LC串联谐振器，是具有与上述信号路径电连接的第三端部、以及与上述至少一个以上接地端子电连接的第四端部的第二LC串联谐振器，并包括第二电感器以及第二电容器；以及第三电容器，形成在从上述第一电容器中与上述第一电感器连接的第一电极到比该第一电感器中不与该第一电容器连接的端部靠该第一电极侧的部分为止的区间、和从上述第二电容器中与上述第二电感器连接的第二电极到比该第二电感器中不与该第二电容器连接的端部靠该第二电极侧的部分为止的区间之间。

根据本发明，能够提供可不破坏电感器电极的对称性、不增大元件尺寸地使通过特性中出现的两个衰减极接近的高通滤波器。

附图说明

图1是一个实施方式所涉及的高通滤波器10、10a～10c的等效电路图。

图2是高通滤波器10、10a～10c的外观立体图。

图3是高通滤波器10的分解立体图。

图4A是示出高通滤波器10的通过特性S21以及反射特性S11、S22的模拟结果的图表。

图4B是示出比较例所涉及的高通滤波器的通过特性S21以及反射特性S11、S22的模拟结果的图表。

图5是第一变形例所涉及的高通滤波器10a的分解立体图。

图6是第二变形例所涉及的高通滤波器10b的分解立体图。

图7是第三变形例所涉及的高通滤波器10c的分解立体图。

图8是高通滤波器500的等效电路图。

图9是专利文献1所记载的高通滤波器500的分解立体图。

符号说明

10、10a～10c：高通滤波器；12：层叠体；14a～14d：外部电极；16a～16s：绝缘体层；18a～18f、20a～20f：电感器导体层；22、24、26a、26b、28a、28b、29：电容器导体层；30、32、34：电容器导体层；36a、36b、38a、38b：连接导体层；114a～114d：侧面部；115a～115d：底面部；116a～116d：上面部；500：高通滤波器；C1～C5、C11：电容器；L1、L2：电感器；LC1、LC2：LC串联谐振器；SL：信号路径；v1～v5、v11～v15：导通孔导体。

具体实施方式

以下，参照附图，对一个实施方式所涉及的高通滤波器进行说明。

(高通滤波器的结构)

以下，参照附图，对一个实施方式所涉及的高通滤波器的结构进行说明。图1是一个实施方式所涉及的高通滤波器10、10a～10c的等效电路图。

高通滤波器10如图1所示，具备信号路径SL、电容器C1～C3、C11、LC串联谐振器LC1、LC2以及外部电极14a～14d。外部电极14a、14b是输入输出端子。外部电极14c、14d是接地端子。

信号路径SL是将外部电极14a和外部电极14b连接，传输高频信号的路径。电容器C1～C3在信号路径SL上按该顺序串联连接。电容器C1～C3使在信号路径SL上传输的高频信号中比规定频率高的高频信号通过。

LC串联谐振器LC1(第一LC串联谐振器的一个例子)包括电容器C4(第一电容器的一个例子)以及电感器L1(第一电感器的一个例子)。电容器C4和电感器L1串联连接。以下，将电容器C4中不与电感器L1连接的端部称为LC串联谐振器LC1的第一端部。将电感器L1中不与电容器C4连接的端部称为LC串联谐振器LC1的第二端部。LC串联谐振器LC1的第一端部与信号路径SL电连接，在本实施方式中，连接在电容器C1与电容器C2之间。LC串联谐振器LC1的第二端部与外部电极14c电连接。

LC串联谐振器LC2(第二LC串联谐振器的一个例子)包括电容器C5(第二电容器的一个例子)以及电感器L2(第二电感器的一个例子)。电容器C5和电感器L2串联连接。以下，将电容器C5中不与电感器L2连接的端部称为LC串联谐振器LC2的第三端部。将电感器L2中不与电容器C5连接的端部称为LC串联谐振器LC2的第四端部。LC串联谐振器LC2的第三端部与信号路径SL电连接，在本实施方式中，连接在电容器C2与电容器C3之间。LC串联谐振器LC2的第四端部与外部电极14d电连接。LC串联谐振器LC1、LC2具有相同的谐振频率。LC串联谐振器LC1、LC2由于在谐振频率下阻抗成为最小值，所以将在信号路径SL上传输的高频信号中谐振频率的高频信号向地引导。

电容器C11(第三电容器的一个例子)形成在从电容器C4中与电感器L1连接的第一电极(图1的电容器C4的下侧的电极)到比电感器L1中不与电容器C4连接的端部(图1的电感器L1的下侧的端部)靠该第一电极侧的部分为止的区间、和从电容器C5中与电感器L2连接的第二电极(图1的电容器C5的下侧的电极)至比电感器L2中不与电容器C5连接的端部(图1的电感器L2的下侧的端部)靠该第二电极侧的部分为止的区间之间。更详细而言，电容器C11的一个电极连接在从电容器C4中与电感器L1连接的第一电极至比电感器L1中不与电容器C4连接的端部靠第一电极侧的区间为止之间。电容器C11的另一个电极连接在从电容器C5中与电感器L2连接的第二电极至比电感器L2中不与电容器C5连接的端部靠第二电极侧为止的区间。因此，电容器C11的一个电极不能和电容器C4中不与电感器L1连接的电极连接。同样，电容器C11的另一个电极不能和电容器C5中不与电感器L2连接的电极连接。同样，电容器C11的一个电极不能和电感器L1中不与电容器C4连接的端部连接。电容器C11的另一个电极不能和电感器L2中不与电容器C5连接的端部连接。在本实施方式中，电容器C11的一个电极连接在电容器C4与电感器L1之间，电容器C11的另一个电极连接在电容器C5与电感器L2之间。

接下来，参照附图，对高通滤波器10的具体的结构进行说明。图2是高通滤波器10、10a～10c的外观立体图。图3是高通滤波器10的分解立体图。以下，将高通滤波器10的层叠方向定义为上下方向，将在从上侧俯视时，高通滤波器10的长边延伸的方向定义为左右方向，将从上侧俯视时的高通滤波器10的短边延伸的方向定义为前后方向。上下方向、左右方向以及前后方向正交。此外，图1以及图3的上下方向、左右方向以及前后方向是为了说明而示出的一个例子，与高通滤波器10使用时的上下方向、左右方向以及前后方向无需一致。

高通滤波器10如图2所示，具备层叠体12、外部电极14a～14d、电感器导体层18a～18f、20a～20f、电容器导体层22、24、26a、26b、28a、28b、29、30、32、34、连接导体层36a、36b、38a、38b(电感器导体层18a～18f、电容器导体层26b、30、连接导体层36a、36b是第一LC串联谐振器所包含的一个以上第一导体层的一个例子，电感器导体层20a～20f、电容器导体层28b、32、连接导体层38a、38b是第二LC串联谐振器所包含的一个以上第二导体层的一个例子)以及导通孔导体v1～v5、v11～v15。

层叠体12如图3所示，具有绝缘体层16a～16s(多个绝缘体层的一个例子)以从上侧朝向下侧按该顺序排列的方式层叠的结构，呈直六面体状。绝缘体层16a～16s在从上侧观察时，是呈长方形的电介质层。以下，将绝缘体层16a～16s的上侧的主面称为表面，将绝缘体层16a～16s的下侧的主面称为背面。

外部电极14a～14d被设置在层叠体12的表面。外部电极14a(第一输入输出端子的一个例子)包括侧面部114a、底面部115a以及上面部116a。上面部116a被设置在层叠体12的上表面的左后角，呈长方形。底面部115a被设置在层叠体12的底面的左后角，呈长方形。侧面部114a被设置在层叠体12的后面，沿着后面的左侧的短边延伸。侧面部114a呈长方形，将底面部115a和上面部116a连接。

外部电极14b(第二输入输出端子的一个例子)包括侧面部114b、底面部115b以及上面部116b。上面部116b被设置在层叠体12的上表面的右后角，呈长方形。底面部115b被设置在层叠体12的底面的右后角，呈长方形。侧面部114b被设置在层叠体12的后面，沿着后面的右侧的短边延伸。侧面部114b呈长方形，将底面部115b和上面部116b连接。

外部电极14c(一个以上接地端子的一个例子)包括侧面部114c(至少一个以上的底面部的一个例子)、底面部115c以及上面部116c。上面部116c被设置在层叠体12的上表面的左前角，呈长方形。底面部115c被设置在层叠体12的底面(层叠体中位于层叠方向的一侧的面的一个例子)的左前角，呈长方形。侧面部114c被设置在层叠体12的前面，沿着前面的左侧的短边延伸。侧面部114c呈长方形，将底面部115c和上面部116c连接。

外部电极14d(一个以上接地端子的一个例子)包括侧面部114d(至少一个以上的底面部的一个例子)、底面部115d以及上面部116d。上面部116d被设置在层叠体12的上表面的右前角，呈长方形。底面部115d被设置在层叠体12的底面(层叠体中位于层叠方向的一侧的面的一个例子)的右前角，呈长方形。侧面部114d被设置在层叠体12的前面，沿着前面的右侧的短边延伸。侧面部114d呈长方形，将底面部115d和上面部116d连接。外部电极14a～14c通过在由Ag或者Cu构成的基底电极上实施镀Ni以及镀Sn或镀Au来制成。

电容器C1包括电容器导体层22、26a。电容器导体层22被设置在绝缘体层16r的表面上，在从上侧观察时，呈长方形。电容器导体层22在从上侧观察时，被设置在绝缘体层16r的表面的左后角附近，被引出至绝缘体层16r的后侧的长边的左端附近。由此，电容器导体层22与侧面部114a(即，外部电极14a)连接。

电容器导体层26a被设置在绝缘体层16q的表面上，在从上侧观察时，呈长方形。电容器导体层26a覆盖绝缘体层16q的左半部分的区域的大致整个面，未被引出至绝缘体层16q的外缘。由此，电容器导体层22和电容器导体层26a隔着绝缘体层16r对置。即，在电容器导体层22与电容器导体层26a之间形成有电容器C1。

电容器C4包括电容器导体层26b、30。电容器导体层26b被设置在绝缘体层16o的表面上，在从上侧观察时，呈长方形。电容器导体层26b具有与电容器导体层26a相同的形状，并且在从上侧观察时，在与电容器导体层26a一致的状态下重叠。

电容器导体层30(至少一个以上的第一导体层所包含的第二电容器导体层的一个例子)被设置在绝缘体层16n的表面上，在从上侧观察时，呈长方形。电容器导体层30在从上侧观察时，相对于绝缘体层16n的表面的中央(对角线的交点)被设置在左侧。由此，电容器导体层26a和电容器导体层30隔着绝缘体层16n对置。即，在电容器导体层26b与电容器导体层30之间形成有电容器C4。

导通孔导体v5在上下方向贯通绝缘体层16o、16p，将电容器导体层26a和电容器导体层26b连接。由此，电容器C1和电容器C4连接。

电感器L1(第一电感器的一个例子)包括电感器导体层18a～18f(至少一个以上的第一导体层所包含的一个以上或者多个第一电感器导体层的一个例子)、连接导体层36a、36b以及导通孔导体v1～v4(导通孔导体v1～v3为一个以上导通孔导体的一个例子，导通孔导体v4为第一导通孔导体的一个例子)。电感器L1通过利用导通孔导体v1～v3将电感器导体层18a～18f连接，由此在从上侧观察时，呈一边沿顺时针方向(规定方向的一个例子)卷绕一边从上侧朝向下侧前进的螺旋状。在本实施方式中，螺旋状是三维的螺旋(helix)。但是，螺旋状也可以是二维的螺旋(spiral)。

电感器导体层18a、18b分别被设置在绝缘体层16b、16c的表面上，是呈相同形状的线状的导体层。电感器导体层18c、18d分别被设置在绝缘体层16d、16e的表面上，是呈相同形状的线状的导体层。电感器导体层18e、18f分别被设置在绝缘体层16f、16g的表面上，是呈相同形状的线状的导体层。

电感器导体层18a～18f分别在绝缘体层16b～16g的左半部分的区域中，在从上侧观察时，沿顺时针方向卷绕。电感器导体层18a～18f通过相互重合而在从上侧观察时形成了具有沿前后方向延伸的长边的长方形的轨道。以下，将电感器导体层18a～18f的顺时针方向的上游侧的端部称为上游端，将电感器导体层18a～18f的顺时针方向的下游侧的端部称为下游端。电感器导体层18a、18b的上游端分别从长方形的轨道露出并被引出至绝缘体层16b、16c的前侧的长边的左端附近。由此，电感器导体层18a、18b与侧面部114c(外部电极14c)连接。即，电感器L1的上端(层叠方向的另一侧的端部的一个例子)经由侧面部114c与底面部115c电连接。

连接导体层36a、36b分别被设置在绝缘体层16h、16i的表面上，在从上侧观察时，呈沿前后方向延伸的线状。连接导体层36a、36b分别在从上侧观察时，相对于绝缘体层16h、16i的表面的中央(对角线的交点)被设置在左侧。

导通孔导体v1在上下方向贯通绝缘体层16b～16d，将电感器导体层18a、18b的下游端和电感器导体层18c、18d的上游端连接。导通孔导体v2在上下方向贯通绝缘体层16d～16f，将电感器导体层18c、18d的下游端和电感器导体层18e、18f的上游端连接。导通孔导体v3在上下方向贯通绝缘体层16f～16h，将电感器导体层18e、18f的下游端和连接导体层36a、36b的前端连接。由此，电感器L1呈螺旋状。

导通孔导体v4在上下方向贯通绝缘体层16h～16m，将连接导体层36a、36b的后端和电容器导体层30连接。由此，电感器L1和电容器C4串联连接，形成LC串联谐振器LC1。并且，电容器C4比电感器L1位于下侧。

电容器C3包括电容器导体层24、28a。电容器导体层24、28a在从上侧观察时，关于通过层叠体12的中央、且与前后上下方向平行的平面，具有和电容器导体层22、26a面对称的结构。因此，省略电容器导体层24、28a的详细的结构的说明。

电容器C5包括电容器导体层28b、32(电容器导体层32为第三电容器导体层的一个例子)。电容器导体层28b、32在从上侧观察时，关于通过层叠体12的中央、且与前后上下方向平行的平面，具有和电容器导体层26b、30面对称的结构。因此，省略电容器导体层28b、32的详细的结构的说明。

导通孔导体v15在上下方向贯通绝缘体层16o、16p，将电容器导体层28a和电容器导体层28b连接。由此，电容器C3和电容器C5连接。

电感器L2(第二电感器的一个例子)包括电感器导体层20a～20f(至少一个以上的第二导体层所包含的一个以上或者多个第二电感器导体层的一个例子)、连接导体层38a、38b以及导通孔导体v11～v14(导通孔导体v11～v13为一个以上导通孔导体的一个例子，导通孔导体v14为第二导通孔导体的一个例子)。电感器导体层20a～20f、连接导体层38a、38b以及导通孔导体v11～v14在从上侧观察时，关于通过层叠体12的中央、且与前后上下方向平行的平面，具有和电感器导体层18a～18f、连接导体层36a、36b以及导通孔导体v1～v4面对称的结构。因此，省略电感器导体层20a～20f、连接导体层38a、38b以及导通孔导体v11～v14的详细的结构的说明。

电容器C2包括电容器导体层26a、26b、28a、28b、29。电容器导体层29被设置在绝缘体层16p的表面上，呈H字形状。电容器导体层29包括电容部29a、29c以及连接部29b。电容部29a在从上侧观察时，相对于绝缘体层16p的表面的中央被设置在左侧，呈沿前后方向延伸的带状。电容器导体层26a、26b和电容部29a隔着绝缘体层16o、16p对置。电容部29c在从上侧观察时，相对于绝缘体层16p的表面的中央被设置在右侧，呈沿前后方向延伸的带状。电容器导体层28a、28b和电容部29c隔着绝缘体层16o、16p对置。连接部29b将电容部29a的前后方向的中央和电容部29c的前后方向的中央连接。由此，在电容器导体层26a、26b与电容器导体层28a、28b之间借助电容器导体层29形成有电容器C2。另外，电容器导体层26a包含于电容器C1，电容器导体层28a包含于电容器C3。由此，电容器C1～C3串联连接。

电容器C11包括电容器导体层30、32、34。电容器导体层34(第一电容器导体层的一个例子)被设置在绝缘体层16m的表面上，呈具有沿左右方向延伸的长边的长方形。由此，电容器导体层34被设置在比电感器导体层18f、20f靠电容器导体层30、32的附近。电感器导体层18f、20f是电感器导体层18a～18f、20a～20f内的被设置在最下侧的电感器导体层。电容器导体层34被设置在绝缘体层16m的表面的中央，并隔着绝缘体层16m与电容器导体层30、32对置。由此，在电容器导体层30与电容器导体层32之间借助电容器导体层34形成有电容器C11。另外，电容器导体层30包含于电容器C4。电容器导体层32包含于电容器C5。因此，电容器C11形成在电容器C4(即，LC串联谐振器LC1)与电容器C5(即，LC串联谐振器LC2)之间。

电感器导体层18a～18f、20a～20f、电容器导体层22、24、26a、26b、28a、28b、29、30、32、34、连接导体层36a、36b、38a、38b以及导通孔导体v1～v5、v11～v15例如由Cu等导电性材料制成。

(效果)

根据本实施方式所涉及的高通滤波器10，能够使通过特性中出现的两个衰减极接近。图4A是示出高通滤波器10的通过特性S21以及反射特性S11、S22的模拟结果的图表。图4B是示出比较例所涉及的高通滤波器的通过特性S21以及反射特性S11、S22的模拟结果的图表。纵轴表示通过特性以及反射特性，横轴表示频率。

比较例所涉及的高通滤波器在未设置电容器导体层34这一点上与高通滤波器10不同。关于比较例所涉及的高通滤波器的各构成的参照符号，使用与高通滤波器10的各构成的参照符号相同的符号来进行说明。另外，通过特性S21是指从外部电极14b输出的信号的强度相对于从外部电极14a输入的信号的强度之比的值。反射特性S11是指从外部电极14a输出的信号的强度相对于从外部电极14a输入的信号的强度之比的值。反射特性S22是指从外部电极14b输出的信号的强度相对于从外部电极14b输入的信号的强度之比的值。

在比较例所涉及的高通滤波器中，如图4B的图表所示，在通过特性中形成第一衰减极以及第二衰减极。第一衰减极由LC串联谐振器LC1、LC2形成。第二衰减极由形成于电感器L1、L2与地之间的电感分量的自谐振形成。更详细而言，在比较例所涉及的高通滤波器中，电感器L1、L2的上端和底面部115c、115d经由侧面部114c、114d连接。侧面部114c、114d从层叠体12的上表面延伸到底面，比较长。因此，侧面部114c、114d具有大的电感值。尤其是在比较例所涉及的高通滤波器中，电容器C4、C5比电感器L1、L2位于下侧。因此，电感器L1、L2的上端与层叠体12的底面大幅分离。由此，在电感器L1与底面部115c之间以及电感器L2与底面部115d之间形成更大的电感器分量。第二衰减极由该电感器分量的自谐振形成。由于这样的电感器分量使电感器L1和电感器L2很强地磁耦合，所以成为第一衰减极和第二衰减极分离的原因。另外，第二衰减极的频率低于第一衰减极的频率。因此，若如比较例所涉及的高通滤波器那样形成大的电感器分量，则第二衰减极的频率变低，第一衰减极和第二衰减极分离。

鉴于此，在高通滤波器10中，通过设置电容器导体层34，从而在LC串联谐振器LC1与LC串联谐振器LC2之间形成电容器C11。由此，在高通滤波器10中，与比较例所涉及的高通滤波器相比，电感器L1与电感器L2之间的电容耦合的程度变大，所以电感器L1与电感器L2之间的磁耦合的程度变小。因而，在高通滤波器10中，与比较例所涉及的高通滤波器相比，电感器L1和电感器L2的磁耦合变小。结果如图4A所示，在高通滤波器10中，与比较例所涉及的高通滤波器相比，第一衰减极和第二衰减极接近。另外，第二衰减极的频率低于第一衰减极的频率。因此，若如高通滤波器10那样因电容耦合的程度变大而磁耦合的程度变小，则第二衰减极的频率变高，第一衰减极和第二衰减极接近。

另外，在高通滤波器10中，如以下说明那样实现小型化。更详细而言，可以考虑通过对比较例所涉及的高通滤波器追加隔着绝缘体层对置的两个以上电容器导体层来形成与电容器C11相当的电容器。该情况下，需要在不同的两个以上绝缘体层的各个形成两个以上电容器导体层。因此，高通滤波器的层叠体会大型化。鉴于此，在高通滤波器10中，使电容器导体层34与电容器导体层30、32对置。由此，用于设置电容器导体层34的绝缘体层16m为一个即可。结果，在高通滤波器10中，可实现低高度化。

另外，在高通滤波器10中，通过设置电容器导体层34来抑制电感器L1、L2的Q值降低。更详细而言，在电容器导体层26a、26b与电容器导体层28a、28b之间借助电容器导体层34形成有电容器C11。换言之，电容器导体层34被设置在比电感器导体层18f、20f靠电容器导体层30、32的附近。由此，电容器导体层34难以妨碍电感器L1、L2产生的磁通。结果，可抑制电感器L1、L2的Q值降低。

另外，在高通滤波器10中，输入输出的对称性优异。更详细而言，在高通滤波器10中，电容器导体层34在从上侧观察时，关于通过层叠体12的中央、且与前后上下方向平行的平面具有面对称的结构。因而，电容器C11具有对称结构。因此，将外部电极14a用作输入端子、且将外部电极14b用作输出端子的情况下的通过特性、和将外部电极14b用作输入端子、且将外部电极14a用作输出端子的情况下的通过特性接近。

另外，在高通滤波器10中，由于电感器L1、L2呈三维的螺旋状，所以具有大的电感值。

(第一变形例)

以下，参照附图，对第一变形例所涉及的高通滤波器10a的结构进行说明。图5是第一变形例所涉及的高通滤波器10a的分解立体图。由于高通滤波器10a的等效电路图以及外观立体图与高通滤波器10的等效电路图以及外观立体图相同，所以引用图1以及图2。

高通滤波器10a在设置电容器导体层34的位置上与高通滤波器10不同。以下面所涉及的不同点为中心对高通滤波器10a的结构进行说明。

电容器导体层34被设置在绝缘体层16j的表面上，呈长方形。由此，电容器导体层34被设置在比电容器导体层30、32靠电感器导体层18f、20f的附近。电容器导体层34被设置在绝缘体层16m的表面的中央，并隔着绝缘体层16g～16i与电感器导体层18f、20f对置。由此，在电感器导体层18f与电感器导体层20f之间借助电容器导体层34形成有电容器C11。另外，电感器导体层18f包含于电感器L1。电感器导体层20f包含于电感器L2。因此，电容器C11形成在电感器L1(即，LC串联谐振器LC1)与电感器L2(即，LC串联谐振器LC2)之间。此外，由于高通滤波器10a的电容器导体层34以外的结构与高通滤波器10相同，所以省略说明。

根据高通滤波器10a，能够与高通滤波器10同样地使通过特性中出现的两个衰减极接近。另外，在高通滤波器10a中，能与高通滤波器10同样地实现小型化。另外，在高通滤波器10a中，与高通滤波器10同样地输入输出的对称性优异。另外，在高通滤波器10a中，由于与高通滤波器10同样，电感器L1、L2呈三维的螺旋状，所以具有大的电感值。

(第二变形例)

以下，参照附图，对第二变形例所涉及的高通滤波器10b的结构进行说明。图6是第二变形例所涉及的高通滤波器10b的分解立体图。由于高通滤波器10b的等效电路图以及外观立体图与高通滤波器10的等效电路图以及外观立体图相同，所以引用图1以及图2。

高通滤波器10b在电容器导体层34的形状上与高通滤波器10a不同。以下面所涉及的不同点为中心对高通滤波器10b的结构进行说明。

电容器导体层34被设置在绝缘体层16j的表面上，呈线状。由此，电容器导体层34被设置在比电容器导体层30、32靠电感器导体层18f、20f的附近。电容器导体层34呈在朝向前方延伸后向右侧折弯，之后再朝向前方延伸的线状。电容器导体层34的后端与导通孔导体v4连接。另外，电容器导体层34隔着绝缘体层16g～16i与电感器导体层20f对置。由此，在电容器导体层34与电感器导体层20f之间形成有电容器C11。另外，导通孔导体v4包含于电感器L1。电感器导体层20f包含于电感器L2。因此，电容器C11形成在电感器L1(即，LC串联谐振器LC1)与电感器L2(即，LC串联谐振器LC2)之间。此外，由于高通滤波器10b的电容器导体层34以外的结构与高通滤波器10a相同，所以省略说明。

根据高通滤波器10b，能够与高通滤波器10a同样地使通过特性中出现的两个衰减极接近。另外，在高通滤波器10b中，能与高通滤波器10a同样地实现小型化。另外，在高通滤波器10b中，由于与高通滤波器10a同样，电感器L1、L2呈三维的螺旋状，所以具有大的电感值。

(第三变形例)

以下，参照附图，对第三变形例所涉及的高通滤波器10c的结构进行说明。图7是第三变形例所涉及的高通滤波器10c的分解立体图。由于高通滤波器10c的等效电路图以及外观立体图与高通滤波器10的等效电路图以及外观立体图相同，所以引用图1以及图2。

高通滤波器10c在设置电容器导体层34的位置上与高通滤波器10b不同。以下面所涉及的不同点为中心对高通滤波器10c的结构进行说明。

电容器导体层34被设置在绝缘体层16m的表面上，呈线状。由此，电容器导体层34被设置在比电感器导体层18f、20f靠电容器导体层30、32的附近。电容器导体层34呈在朝向前方延伸后朝向右侧延伸的线状。电容器导体层34的后端与导通孔导体v4连接。另外，电容器导体层34隔着绝缘体层16m与电容器导体层32对置。由此，在电容器导体层34与电容器导体层32之间形成有电容器C11。另外，导通孔导体v4包含于电感器L1。电容器导体层32包含于电容器C5。因此，电容器C11形成在电感器L1(即，LC串联谐振器LC1)与电容器C5(即，LC串联谐振器LC2)之间。此外，由于高通滤波器10c的电容器导体层34以外的结构与高通滤波器10b相同，所以省略说明。

根据高通滤波器10c，能够与高通滤波器10b同样地使通过特性中出现的两个衰减极接近。另外，在高通滤波器10c中，能与高通滤波器10b同样地实现小型化。另外，在高通滤波器10c中，由于与高通滤波器10b同样，电感器L1、L2呈三维的螺旋状，所以具有大的电感值。

另外，根据高通滤波器10c，与高通滤波器10同样地通过设置电容器导体层34来抑制电感器L1、L2的Q值降低。

(其它实施方式)

本发明所涉及的高通滤波器并不限于高通滤波器10、10a～10c，在其主旨的范围内能够变更。

此外，也可以任意地组合高通滤波器10、10a～10c的结构。

此外，在高通滤波器10a中，电容器导体层34也可以与电感器导体层18a～18e、20a～20e对置来代替与电感器导体层18f、20f对置。

此外，在高通滤波器10、10a～10c中，还可以设置一个以上LC串联谐振器。另外，在信号路径SL上还可以设置电容器。

另外，在高通滤波器10、10a～10c中，也可以在LC串联谐振器LC1、LC2与信号路径SL之间设置电感器、电容器等电路元件。

另外，在高通滤波器10、10a～10c中，也可以在LC串联谐振器LC1、LC2与外部电极14c、14d之间设置电感器、电容器等电路元件。

此外，在高通滤波器10b、10c中，电容器导体层34也可以与导通孔导体v14连接、且隔着绝缘体层与电感器导体层18a或者电容器导体层30对置。

此外，电感器导体层18a～18f只要设置至少一个即可。同样，电感器导体层20a～20f只要设置至少一个即可。

此外，在高通滤波器10、10a～10c中，也可以仅设置外部电极14c、14d中的任意一个。

【工业上的可利用性】

如以上那样，本发明对高通滤波器是有用的，尤其在能够不破坏电感器电极的对称性、不增大元件尺寸地使通过特性中出现的两个衰减极接近这个点上优异。

Claims (11)

1.一种高通滤波器，其特征在于，具备：

第一输入输出端子、第二输入输出端子以及至少一个以上接地端子；

信号路径，被设置在上述第一输入输出端子与上述第二输入输出端子之间；

第一LC串联谐振器，是具有与上述信号路径电连接的第一端部、以及与上述至少一个以上接地端子电连接的第二端部的第一LC串联谐振器，并包括第一电感器以及第一电容器；

第二LC串联谐振器，是具有与上述信号路径电连接的第三端部、以及与上述至少一个以上接地端子电连接的第四端部的第二LC串联谐振器，并包括第二电感器以及第二电容器；以及

第三电容器，形成在从上述第一电容器中与上述第一电感器连接的第一电极到该第一电感器中与该第一电容器连接的端部为止的区间、和从上述第二电容器中与上述第二电感器连接的第二电极到该第二电感器中与该第二电容器连接的端部为止的区间之间，

还具备层叠体，上述层叠体具有多个绝缘体层在层叠方向层叠而成的结构，

上述第一LC串联谐振器包括被设置在上述绝缘体层上的至少一个以上第一导体层，

上述第二LC串联谐振器包括被设置在上述绝缘体层上的至少一个以上第二导体层，

上述第三电容器包括隔着上述绝缘体层与上述第一导体层以及/或者上述第二导体层对置的第一电容器导体层，

在从上述层叠方向观察时，上述至少一个以上第一导体层包括沿规定方向卷绕的至少一个以上第一电感器导体层以及第二电容器导体层，

在从上述层叠方向观察时，上述至少一个以上第二导体层包括沿上述规定方向的相反方向卷绕的至少一个以上第二电感器导体层以及第三电容器导体层，

上述第一电容器导体层隔着上述绝缘体层与上述第二电容器导体层以及上述第三电容器导体层对置、且被设置在比上述第一电感器导体层以及上述第二电感器导体层靠近该第二电容器导体层以及该第三电容器导体层的附近的位置。

2.一种高通滤波器，其特征在于，具备：

第一输入输出端子、第二输入输出端子以及至少一个以上接地端子；

信号路径，被设置在上述第一输入输出端子与上述第二输入输出端子之间；

第一LC串联谐振器，是具有与上述信号路径电连接的第一端部、以及与上述至少一个以上接地端子电连接的第二端部的第一LC串联谐振器，并包括第一电感器以及第一电容器；

第二LC串联谐振器，是具有与上述信号路径电连接的第三端部、以及与上述至少一个以上接地端子电连接的第四端部的第二LC串联谐振器，并包括第二电感器以及第二电容器；以及

第三电容器，形成在从上述第一电容器中与上述第一电感器连接的第一电极到该第一电感器中与该第一电容器连接的端部为止的区间、和从上述第二电容器中与上述第二电感器连接的第二电极到该第二电感器中与该第二电容器连接的端部为止的区间之间，

还具备层叠体，上述层叠体具有多个绝缘体层在层叠方向层叠而成的结构，

上述第一LC串联谐振器包括被设置在上述绝缘体层上的至少一个以上第一导体层，

上述第二LC串联谐振器包括被设置在上述绝缘体层上的至少一个以上第二导体层，

上述第三电容器包括隔着上述绝缘体层与上述第一导体层以及/或者上述第二导体层对置的第一电容器导体层，

在从上述层叠方向观察时，上述至少一个以上第一导体层包括沿规定方向卷绕的至少一个以上第一电感器导体层以及第二电容器导体层，

在从上述层叠方向观察时，上述至少一个以上第二导体层包括沿上述规定方向的相反方向卷绕的至少一个以上第二电感器导体层以及第三电容器导体层，

上述第一电容器导体层隔着上述绝缘体层与上述第一电感器导体层以及上述第二电感器导体层对置、且被设置在比上述第二电容器导体层以及上述第三电容器导体层靠近该第一电感器导体层以及该第二电感器导体层的附近的位置。

3.根据权利要求1或2所述的高通滤波器，其特征在于，

上述第一电感器还包括第一导通孔导体，该第一导通孔导体在上述层叠方向贯通上述绝缘体层、且将上述第一电感器导体层和上述第二电容器导体层电连接，

上述第一电容器导体层与上述第一导通孔导体连接，隔着上述绝缘体层与上述第三电容器导体层对置、且被设置在比上述第二电感器导体层靠近该第三电容器导体层的附近的位置。

4.根据权利要求1或2所述的高通滤波器，其特征在于，

上述第一电感器还包括第一导通孔导体，该第一导通孔导体在上述层叠方向贯通上述绝缘体层、且将上述第一电感器导体层和上述第二电容器导体层电连接，

上述第一电容器导体层与上述第一导通孔导体连接，隔着上述绝缘体层与上述第二电感器导体层对置、且被设置在比上述第三电容器导体层靠近该第二电感器导体层的附近的位置。

5.根据权利要求1或2所述的高通滤波器，其特征在于，

上述第一电感器通过利用至少一个以上导通孔导体将多个上述第一电感器导体层连接，从而在从上述层叠方向观察时呈一边沿上述规定方向卷绕一边沿该层叠方向前进的螺旋状，

上述第二电感器通过利用至少一个以上导通孔导体将多个上述第二电感器导体层连接，从而在从上述层叠方向观察时呈一边沿上述规定方向的相反方向卷绕一边沿该层叠方向前进的螺旋状。

6.根据权利要求3所述的高通滤波器，其特征在于，

上述第一电感器通过利用至少一个以上导通孔导体将多个上述第一电感器导体层连接，从而在从上述层叠方向观察时呈一边沿上述规定方向卷绕一边沿该层叠方向前进的螺旋状，

上述第二电感器通过利用至少一个以上导通孔导体将多个上述第二电感器导体层连接，从而在从上述层叠方向观察时呈一边沿上述规定方向的相反方向卷绕一边沿该层叠方向前进的螺旋状。

7.根据权利要求4所述的高通滤波器，其特征在于，

上述第一电感器通过利用至少一个以上导通孔导体将多个上述第一电感器导体层连接，从而在从上述层叠方向观察时呈一边沿上述规定方向卷绕一边沿该层叠方向前进的螺旋状，

上述第二电感器通过利用至少一个以上导通孔导体将多个上述第二电感器导体层连接，从而在从上述层叠方向观察时呈一边沿上述规定方向的相反方向卷绕一边沿该层叠方向前进的螺旋状。

8.根据权利要求5所述的高通滤波器，其特征在于，

上述至少一个以上接地端子包括被设置在上述层叠体中位于上述层叠方向的一侧的面的底面部，

上述第一电感器的上述层叠方向的另一侧的端部、以及上述第二电感器的上述层叠方向的另一侧的端部与上述至少一个以上底面部电连接。

9.根据权利要求6或7所述的高通滤波器，其特征在于，

上述至少一个以上接地端子包括被设置在上述层叠体中位于上述层叠方向的一侧的面的底面部，

上述第一电感器的上述层叠方向的另一侧的端部、以及上述第二电感器的上述层叠方向的另一侧的端部与上述至少一个以上底面部电连接。

10.根据权利要求8所述的高通滤波器，其特征在于，

上述第二电容器以及上述第三电容器位于比上述第一电感器以及上述第二电感器靠近上述层叠方向的另一侧的位置。

11.根据权利要求9所述的高通滤波器，其特征在于，

上述第二电容器以及上述第三电容器位于比上述第一电感器以及上述第二电感器靠近上述层叠方向的另一侧的位置。

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