JP6662150B2 - ハイパスフィルタ - Google Patents

Description

本発明は、ハイパスフィルタ、特に、ＬＣ直列共振器を備えたハイパスフィルタに関する。

従来のハイパスフィルタに関する発明としては、例えば、特許文献１に記載のハイパスフィルタが知られている。図８は、ハイパスフィルタ５００の等価回路図である。図９は、特許文献１に記載のハイパスフィルタ５００の分解斜視図である。

ハイパスフィルタ５００は、図８に示すように、入出力端子５０４，５０６、コンデンサＣ２０１，Ｃ２０２，Ｃ２０３及びＬＣ直列共振器ＬＣ１０１，ＬＣ１０２を備えている。コンデンサＣ２０１，Ｃ２０２，Ｃ２０３は、入出力端子５０４と入出力端子５０６との間においてこの順に直列に接続されている。ＬＣ直列共振器ＬＣ１０１は、インダクタＬ１０１及びコンデンサＣ１０１を含んでいる。ＬＣ直列共振器ＬＣ１０１の一端は、コンデンサＣ２０１とコンデンサＣ２０２との間に接続されている。ＬＣ直列共振器ＬＣ１０１の他端は、グランドに接続されている。ＬＣ直列共振器ＬＣ１０２は、インダクタＬ１０２及びコンデンサＣ１０２を含んでいる。ＬＣ直列共振器ＬＣ１０２の一端は、コンデンサＣ２０２とコンデンサＣ２０３との間に接続されている。ＬＣ直列共振器ＬＣ１０２の他端は、グランドに接続されている。

以上のようなハイパスフィルタ５００は、図９に示すように、積層体５０２を備えている。積層体５０２は、複数の絶縁体層が積層された構造を有する。インダクタＬ１０１は、積層体５０２内に設けられ、上側から見たときに、反時計回りに巻きながら上側から下側へと向かう螺旋状をなしている。インダクタＬ１０２は、積層体５０２内に設けられ、上側から見たときに、時計回りに巻きながら上側から下側へと向かう螺旋状をなしている。コンデンサＣ１０１は、積層体５０２の下面近傍に設けられており、インダクタＬ１０１と接続されている。コンデンサＣ１０２は、積層体５０２の下面近傍に設けられており、インダクタＬ１０２と接続されている。

以上のようなハイパスフィルタ５００では、特許文献１の図５のグラフに示すように、通過特性において減衰極が２つ形成される。

特開２００８−１６７１５７号

ところで、ハイパスフィルタ５００において、２つの減衰極を近づけたい場合がある。このような場合には、例えば、インダクタＬ１０１又はインダクタＬ１０２のいずれかの形状を変更し、インダクタンスの値を調整することが挙げられる。

しかしながら、インダクタＬ１０１又はインダクタＬ１０２のいずれかの形状を変更すると、ハイパスフィルタ５００の対称構造が崩れてしまう。そのため、入出力端子５０４を入力端子として用い、かつ、入出力端子５０６を出力端子として用いた場合における通過特性と、入出力端子５０６を入力端子として用い、かつ、入出力端子５０４を出力端子として用いた場合における通過特性とが異なってしまう。そのため、入出力の対称性が崩れてしまう。このような問題を解決する方法としては、インピーダンス整合用のインダクタ又はコンデンサを更に追加する方法があげられる。しかしながら、この方法では、入出力特性の問題を改善できたとしても、素子のサイズが大きくなってしまうという問題がある。

そこで、本発明の目的は、インダクタ電極の対称性を崩すことなく、素子サイズを大きくすることなく、通過特性に現れる２つの減衰極を近づけることができるハイパスフィルタを提供することである。

本発明の一形態であるハイパスフィルタは、第１の入出力端子、第２の入出力端子及び少なくとも１以上のグランド端子と、前記第１の入出力端子と前記第２の入出力端子との間に設けられている信号経路と、前記信号経路に電気的に接続されている第１の端部、及び、前記少なくとも１以上のグランド端子に電気的に接続されている第２の端部を有する第１のＬＣ直列共振器であって、第１のインダクタ及び第１のコンデンサを含む第１のＬＣ直列共振器であって、前記第１のコンデンサ及び前記第１のインダクタは、前記第１の端部と前記第２の端部との間においてこの順に直列に接続されている、第１のＬＣ直列共振器と、前記信号経路に電気的に接続されている第３の端部、及び、前記少なくとも１以上のグランド端子に電気的に接続されている第４の端部を有する第２のＬＣ直列共振器であって、第２のインダクタ及び第２のコンデンサを含む第２のＬＣ直列共振器であって、前記第２のコンデンサ及び前記第２のインダクタは、前記第３の端部と前記第４の端部との間においてこの順に直列に接続されている、第２のＬＣ直列共振器と、前記第１のコンデンサにおいて前記第１のインダクタに接続されている第１の電極から該第１のインダクタにおいて該第１のコンデンサに接続されていない端部よりも該第１の電極側の部分までの区間と、前記第２のコンデンサにおいて前記第２のインダクタに接続されている第２の電極から該第２のインダクタにおいて該第２のコンデンサに接続されていない端部よりも該第２の電極側の部分までの区間との間に形成されている第３のコンデンサと、複数の絶縁体層が積層方向に積層された構造を有する積層体と、を備えており、前記第１のＬＣ直列共振器は、前記絶縁体層上に設けられている少なくとも１以上の第１の導体層を含んでおり、前記第２のＬＣ直列共振器は、前記絶縁体層上に設けられている少なくとも１以上の第２の導体層を含んでおり、前記第３のコンデンサは、前記第１の導体層及び／又は前記第２の導体層と前記絶縁体層を介して対向する第１のコンデンサ導体層を含んでおり、前記少なくとも１以上の第１の導体層は、少なくとも１以上の第１のインダクタ導体層、及び、第２のコンデンサ導体層を含んでおり、前記少なくとも１以上の第２の導体層は、少なくとも１以上の第２のインダクタ導体層、及び、第３のコンデンサ導体層を含んでおり、前記第１のコンデンサ導体層と前記第１のインダクタ導体層とは容量結合している、及び／又は、前記第１のコンデンサ導体層と前記第２のインダクタ導体層とは容量結合していること、を特徴とする。

本発明によれば、インダクタ電極の対称性を崩すことなく、素子サイズを大きくすることなく、通過特性に現れる２つの減衰極を近づけることができるハイパスフィルタを提供することである。

一実施形態に係るハイパスフィルタ１０，１０ａ〜１０ｃの等価回路図である。 ハイパスフィルタ１０，１０ａ〜１０ｃの外観斜視図である。 ハイパスフィルタ１０の分解斜視図である。 ハイパスフィルタ１０の通過特性Ｓ２１及び反射特性Ｓ１１，Ｓ２２のシミュレーション結果を示したグラフである。 比較例に係るハイパスフィルタの通過特性Ｓ２１及び反射特性Ｓ１１，Ｓ２２のシミュレーション結果を示したグラフである。 第１の変形例に係るハイパスフィルタ１０ａの分解斜視図である。 第２の変形例に係るハイパスフィルタ１０ｂの分解斜視図である。 第３の変形例に係るハイパスフィルタ１０ｃの分解斜視図である。 ハイパスフィルタ５００の等価回路図である。 特許文献１に記載のハイパスフィルタ５００の分解斜視図である。

以下に、一実施形態に係るハイパスフィルタについて図面を参照しながら説明する。

（ハイパスフィルタの構成）
以下、一実施形態に係るハイパスフィルタの構成について図面を参照しながら説明する。図１は、一実施形態に係るハイパスフィルタ１０，１０ａ〜１０ｃの等価回路図である。

ハイパスフィルタ１０は、図１に示すように、信号経路ＳＬ、コンデンサＣ１〜Ｃ３，Ｃ１１、ＬＣ直列共振器ＬＣ１，ＬＣ２及び外部電極１４ａ〜１４ｄを備えている。外部電極１４ａ，１４ｂは入出力端子である。外部電極１４ｃ，１４ｄはグランド端子である。

信号経路ＳＬは、外部電極１４ａと外部電極１４ｂとを接続し、高周波信号が伝送される経路である。コンデンサＣ１〜Ｃ３は、信号経路ＳＬ上においてこの順に直列に接続されている。コンデンサＣ１〜Ｃ３は、信号経路ＳＬを伝送される高周波信号の内、所定周波数よりも高い高周波信号を通過させる。

ＬＣ直列共振器ＬＣ１（第１のＬＣ直列共振器の一例）は、コンデンサＣ４（第１のコンデンサの一例）及びインダクタＬ１（第１のインダクタの一例）を含んでいる。コンデンサＣ４とインダクタＬ１とは、直列に接続されている。以下では、コンデンサＣ４においてインダクタＬ１に接続されていない方の端部をＬＣ直列共振器ＬＣ１の第１の端部と呼ぶ。インダクタＬ１においてコンデンサＣ４に接続されていない方の端部をＬＣ直列共振器ＬＣ１の第２の端部と呼ぶ。ＬＣ直列共振器ＬＣ１の第１の端部は、信号経路ＳＬに電気的に接続されており、本実施形態では、コンデンサＣ１とコンデンサＣ２との間に接続されている。ＬＣ直列共振器ＬＣ１の第２の端部は、外部電極１４ｃに電気的に接続されている。

ＬＣ直列共振器ＬＣ２（第２のＬＣ直列共振器の一例）は、コンデンサＣ５（第２のコンデンサの一例）及びインダクタＬ２（第２のインダクタの一例）を含んでいる。コンデンサＣ５とインダクタＬ２とは、直列に接続されている。以下では、コンデンサＣ５においてインダクタＬ２に接続されていない方の端部をＬＣ直列共振器ＬＣ２の第３の端部と呼ぶ。インダクタＬ２においてコンデンサＣ５に接続されていない方の端部をＬＣ直列共振器ＬＣ２の第４の端部と呼ぶ。ＬＣ直列共振器ＬＣ２の第３の端部は、信号経路ＳＬに電気的に接続されており、本実施形態では、コンデンサＣ２とコンデンサＣ３との間に接続されている。ＬＣ直列共振器ＬＣ２の第４の端部は、外部電極１４ｄに電気的に接続されている。ＬＣ直列共振器ＬＣ１，ＬＣ２は、同じ共振周波数を有している。ＬＣ直列共振器ＬＣ１，ＬＣ２は、共振周波数においてインピーダンスが最小値となることにより、信号経路ＳＬを伝送される高周波信号の内、共振周波数の高周波信号をグランドへと導く。

コンデンサＣ１１（第３のコンデンサの一例）は、コンデンサＣ４においてインダクタＬ１に接続されている第１の電極（図１のコンデンサＣ４の下側の電極）からインダクタＬ１においてコンデンサＣ４に接続されていない端部（図１のインダクタＬ１の下側の端部）よりも該第１の電極側の部分までの区間と、コンデンサＣ１１の他方の電極は、コンデンサＣ５においてインダクタＬ２に接続されている第２の電極（図１のコンデンサＣ５の下側の電極）からインダクタＬ２においてコンデンサＣ５に接続されていない端部（図１のインダクタＬ２の下側の端部）よりも該第２の電極側の部分までの区間との間に形成されている。より詳細には、コンデンサＣ１１の一方の電極は、コンデンサＣ４においてインダクタＬ１に接続されている第１の電極からインダクタＬ１においてコンデンサＣ４に接続されていない端部よりも第１の電極側の区間までの間に接続されている。コンデンサＣ１１の他方の電極は、コンデンサＣ５においてインダクタＬ２に接続されている第２の電極からインダクタＬ２においてコンデンサＣ５に接続されていない端部よりも第２の電極側までの区間に接続されている。故に、コンデンサＣ１１の一方の電極は、コンデンサＣ４においてインダクタＬ１に接続されていない電極と接続されていてはいけない。同様に、コンデンサＣ１１の他方の電極は、コンデンサＣ５においてインダクタＬ２に接続されていない電極と接続されていてはいけない。同様に、コンデンサＣ１１の一方の電極は、インダクタＬ１においてコンデンサＣ４に接続されていない端部に接続されていてはいけない。コンデンサＣ１１の他方の電極は、インダクタＬ２においてコンデンサＣ５に接続されていない端部に接続されていてはいけない。本実施形態では、コンデンサＣ１１の一方の電極は、コンデンサＣ４とインダクタＬ１との間に接続され、コンデンサＣ１１の他方の電極は、コンデンサＣ５とインダクタＬ２との間に接続されている。

次に、ハイパスフィルタ１０の具体的な構成について図面を参照しながら説明する。図２は、ハイパスフィルタ１０，１０ａ〜１０ｃの外観斜視図である。図３は、ハイパスフィルタ１０の分解斜視図である。以下では、ハイパスフィルタ１０の積層方向を上下方向と定義し、上側から平面視したときに、ハイパスフィルタ１０の長辺が延びている方向を左右方向と定義し、上側から平面視したときのハイパスフィルタ１０の短辺が延びている方向を前後方向と定義する。上下方向、左右方向及び前後方向は直交している。なお、図１及び図３の上下方向、左右方向及び前後方向は、説明のために示した一例であり、ハイパスフィルタ１０の使用時における上下方向、左右方向及び前後方向と一致している必要はない。

ハイパスフィルタ１０は、図２に示すように、積層体１２、外部電極１４ａ〜１４ｄ、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆ，２０ａ〜２０ｆ、コンデンサ導体層２２，２４，２６ａ，２６ｂ，２８ａ，２８ｂ，２９，３０，３２，３４、接続導体層３６ａ，３６ｂ，３８ａ，３８ｂ（インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆ、コンデンサ導体層２６ｂ，３０、接続導体層３６ａ，３６ｂは第１のＬＣ直列共振器に含まれる１以上の第１の導体層の一例、インダクタ導体層２０ａ〜２０ｆ、コンデンサ導体層２８ｂ，３２、接続導体層３８ａ，３８ｂは第２のＬＣ直列共振器に含まれる１以上の第２の導体層の一例）及びビアホール導体ｖ１〜ｖ５，ｖ１１〜ｖ１５を備えている。

積層体１２は、図２に示すように、絶縁体層１６ａ〜１６ｓ（複数の絶縁体層の一例）が上側から下側に向かってこの順に並ぶように積層された構造を有し、直方体状をなしている。絶縁体層１６ａ〜１６ｓは、上側から見たときに、長方形状をなす誘電体層である。以下では、絶縁体層１６ａ〜１６ｓの上側の主面を表面と呼び、絶縁体層１６ａ〜１６ｓの下側の主面を裏面と呼ぶ。

外部電極１４ａ〜１４ｄは、積層体１２の表面に設けられている。外部電極１４ａ（第１の入出力端子の一例）は、側面部１１４ａ、底面部１１５ａ及び上面部１１６ａを含んでいる。上面部１１６ａは、積層体１２の上面の左後ろの角に設けられており、長方形状をなしている。底面部１１５ａは、積層体１２の底面の左後ろの角に設けられており、長方形状をなしている。側面部１１４ａは、積層体１２の後面に設けられており、後面の左側の短辺に沿って延びている。側面部１１４ａは、長方形状をなしており、底面部１１５ａと上面部１１６ａとを接続している。

外部電極１４ｂ（第２の入出力端子の一例）は、側面部１１４ｂ、底面部１１５ｂ及び上面部１１６ｂを含んでいる。上面部１１６ｂは、積層体１２の上面の右後ろの角に設けられており、長方形状をなしている。底面部１１５ｂは、積層体１２の底面の右後ろの角に設けられており、長方形状をなしている。側面部１１４ｂは、積層体１２の後面に設けられており、後面の右側の短辺に沿って延びている。側面部１１４ｂは、長方形状をなしており、底面部１１５ｂと上面部１１６ｂとを接続している。

外部電極１４ｃ（１以上のグランド端子の一例）は、側面部１１４ｃ（少なくとも１以上の底面部の一例）、底面部１１５ｃ及び上面部１１６ｃを含んでいる。上面部１１６ｃは、積層体１２の上面の左前の角に設けられており、長方形状をなしている。底面部１１５ｃは、積層体１２の底面（積層体において積層方向の一方側に位置する面の一例）の左前の角に設けられており、長方形状をなしている。側面部１１４ｃは、積層体１２の後面に設けられており、前面の左側の短辺に沿って延びている。側面部１１４ｃは、長方形状をなしており、底面部１１５ｃと上面部１１６ｃとを接続している。

外部電極１４ｄ（１以上のグランド端子の一例）は、側面部１１４ｄ（少なくとも１以上の底面部の一例）、底面部１１５ｄ及び上面部１１６ｄを含んでいる。上面部１１６ｄは、積層体１２の上面の右前の角に設けられており、長方形状をなしている。底面部１１５ｄは、積層体１２の底面（積層体において積層方向の一方側に位置する面の一例）の右前の角に設けられており、長方形状をなしている。側面部１１４ｄは、積層体１２の前面に設けられており、前面の右側の短辺に沿って延びている。側面部１１４ｄは、長方形状をなしており、底面部１１５ｄと上面部１１６ｄとを接続している。外部電極１４ａ〜１４ｃは、Ａｇ又はＣｕからなる下地電極上にＮｉめっき及びＳｎめっきもしくはＡｕめっきが施されることにより作製される。

コンデンサＣ１は、コンデンサ導体層２２，２６ａを含んでいる。コンデンサ導体層２２は、絶縁体層１６ｒの表面上に設けられており、上側から見たときに、長方形状をなしている。コンデンサ導体層２２は、上側から見たときに、絶縁体層１６ｒの表面の左後ろの角近傍に設けられており、絶縁体層１６ｒの後ろ側の長辺の左端近傍に引き出されている。これにより、コンデンサ導体層２２は、側面部１１４ａ（すなわち、外部電極１４ａ）に接続されている。

コンデンサ導体層２６ａは、絶縁体層１６ｑの表面上に設けられており、上側から見たときに、長方形状をなしている。コンデンサ導体層２６ａは、絶縁体層１６ｑの左半分の領域の略全面を覆っており、絶縁体層１６ｑの外縁には引き出されていない。これにより、コンデンサ導体層２２とコンデンサ導体層２６ａとは、絶縁体層１６ｒを介して対向している。すなわち、コンデンサ導体層２２とコンデンサ導体層２６ａとの間にコンデンサＣ１が形成されている。

コンデンサＣ４は、コンデンサ導体層２６ｂ，３０を含んでいる。コンデンサ導体層２６ｂは、絶縁体層１６ｏの表面上に設けられており、上側から見たときに、長方形状をなしている。コンデンサ導体層２６ｂは、コンデンサ導体層２６ａと同じ形状を有しており、かつ、上側から見たときに、コンデンサ導体層２６ａと一致した状態で重なっている。

コンデンサ導体層３０（少なくとも１以上の第１の導体層に含まれる第２のコンデンサ導体層の一例）は、絶縁体層１６ｎの表面上に設けられており、上側から見たときに、長方形状をなしている。コンデンサ導体層３０は、上側から見たときに、絶縁体層１６ｎの表面の中央（対角線の交点）に対して左側に設けられている。これにより、コンデンサ導体層２６ａとコンデンサ導体層３０とは、絶縁体層１６ｎを介して対向している。すなわち、コンデンサ導体層２６ｂとコンデンサ導体層３０との間にコンデンサＣ４が形成されている。

ビアホール導体ｖ５は、絶縁体層１６ｏ，１６ｐを上下方向に貫通しており、コンデンサ導体層２６ａとコンデンサ導体層２６ｂとを接続している。これにより、コンデンサＣ１とコンデンサＣ４とが接続されている。

インダクタＬ１（第１のインダクタの一例）は、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆ（少なくとも１以上の第１の導体層に含まれる１以上又は複数の第１のインダクタ導体層の一例）、接続導体層３６ａ，３６ｂ及びビアホール導体ｖ１〜ｖ４（ビアホール導体ｖ１〜ｖ３が１以上のビアホール導体の一例、ビアホール導体ｖ４が第１のビアホール導体の一例）を含んでいる。インダクタＬ１は、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆがビアホール導体ｖ１〜ｖ３により接続されることにより、上側から見たときに、時計回り方向（所定方向の一例）に巻きながら上側から下側に向かって進行する螺旋状をなしている。本実施形態では、螺旋状は、３次元の螺旋（ｈｅｌｉｘ）である。ただし、螺旋状は、２次元の螺旋（ｓｐｉｒａｌ）であってもよい。

インダクタ導体層１８ａ，１８ｂはそれぞれ、絶縁体層１６ｂ，１６ｃの表面上に設けられており、同じ形状をなす線状の導体層である。インダクタ導体層１８ｃ，１８ｄはそれぞれ、絶縁体層１６ｄ，１６ｅの表面上に設けられており、同じ形状をなす線状の導体層である。インダクタ導体層１８ｅ，１８ｆはそれぞれ、絶縁体層１６ｆ，１６ｇの表面上に設けられており、同じ形状をなす線状の導体層である。

インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆはそれぞれ、絶縁体層１６ｂ〜１６ｇの右半分の領域において、上側から見たときに、時計回り方向に巻いている。インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆは、互いに重なり合うことにより、上側から見たときに、前後方向に延在する長辺を有する長方形状の軌道を形成している。以下では、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆの時計回り方向の上流側の端部を上流端と呼び、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆの時計回り方向の下流側の端部を下流端と呼ぶ。インダクタ導体層１８ａ，１８ｂの上流端はそれぞれ、長方形状の軌道からはみ出して絶縁体層１６ｂ，１６ｃの前側の長辺の左端近傍に引き出されている。これにより、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂは、側面部１１４ｃ（外部電極１４ｃ）に接続されている。すなわち、インダクタＬ１の上端（積層方向の他方側の端部の一例）は、底面部１１５ｃに側面部１１４ｃを介して電気的に接続されている。

接続導体層３６ａ，３６ｂはそれぞれ、絶縁体層１６ｈ，１６ｉの表面上に設けられており、上側から見たときに、前後方向に延びる線状をなしている。接続導体層３６ａ，３６ｂはそれぞれ、上側から見たときに、絶縁体層１６ｈ，１６ｉの表面の中央（対角線の交点）に対して左側に設けられている。

ビアホール導体ｖ１は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｄを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂの下流端とインダクタ導体層１８ｃ，１８ｄの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ２は、絶縁体層１６ｄ〜１６ｆを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層１８ｃ，１８ｄの下流端とインダクタ導体層１８ｅ，１８ｆの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ３は、絶縁体層１６ｆ〜１６ｈを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層１８ｅ，１８ｆの下流端と接続導体層３６ａ，３６ｂの前端とを接続している。これにより、インダクタＬ１が螺旋状をなしている。

ビアホール導体ｖ４は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｍを上下方向に貫通しており、接続導体層３６ａ，３６ｂの後端とコンデンサ導体層３０とを接続している。これにより、インダクタＬ１とコンデンサＣ４とが直列に接続されて、ＬＣ直列共振器ＬＣ１が形成されている。更に、コンデンサＣ４は、インダクタＬ１よりも下側に位置している。

コンデンサＣ３は、コンデンサ導体層２４，２８ａを含んでいる。コンデンサ導体層２４，２８ａは、上側から見たときに、積層体１２の中央を通過し、かつ、前後上下方向に平行な平面に関して、コンデンサ導体層２２，２６ａと面対称な構造を有する。よって、コンデンサ導体層２４，２８ａの詳細な構造の説明については省略する。

コンデンサＣ５は、コンデンサ導体層２８ｂ，３２（コンデンサ導体層３２は第３のコンデンサ導体層の一例）を含んでいる。コンデンサ導体層２８ｂ，３２は、上側から見たときに、積層体１２の中央を通過し、かつ、前後上下方向に平行な平面に関して、コンデンサ導体層２６ｂ，３０と面対称な構造を有する。よって、コンデンサ導体層２８ｂ，３２の詳細な構造の説明については省略する。

ビアホール導体ｖ１５は、絶縁体層１６ｏ，１６ｐを上下方向に貫通しており、コンデンサ導体層２８ａとコンデンサ導体層２８ｂとを接続している。これにより、コンデンサＣ３とコンデンサＣ５とが接続されている。

インダクタＬ２（第２のインダクタの一例）は、インダクタ導体層２０ａ〜２０ｆ（少なくとも１以上の第２の導体層に含まれる１以上又は複数の第２のインダクタ導体層の一例）、接続導体層３８ａ，３８ｂ及びビアホール導体ｖ１１〜ｖ１４（ビアホール導体ｖ１１〜ｖ１３が１以上のビアホール導体の一例、ビアホール導体ｖ１４が第２のビアホール導体の一例）を含んでいる。インダクタ導体層２０ａ〜２０ｆ、接続導体層３８ａ，３８ｂ及びビアホール導体ｖ１１〜ｖ１４は、上側から見たときに、積層体１２の中央を通過し、かつ、前後上下方向に平行な平面に関して、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆ、接続導体層３６ａ，３６ｂ及びビアホール導体ｖ１〜ｖ４と面対称な構造を有する。よって、インダクタ導体層２０ａ〜２０ｆ、接続導体層３８ａ，３８ｂ及びビアホール導体ｖ１１〜ｖ１４の詳細な構造の説明については省略する。

コンデンサＣ２は、コンデンサ導体層２６ａ，２６ｂ，２８ａ，２８ｂ，２９を含んでいる。コンデンサ導体層２９は、絶縁体層１６ｐの表面上に設けられており、Ｈ字型状をなしている。コンデンサ導体層２９は、容量部２９ａ，２９ｃ及び接続部２９ｂを含んでいる。容量部２９ａは、上側から見たときに、絶縁体層１６ｐの表面の中央に対して左側に設けられており、前後方向に延在する帯状をなしている。コンデンサ導体層２６ａ，２６ｂと容量部２９ａとは、絶縁体層１６ｏ，１６ｐを介して対向している。容量部２９ｃは、上側から見たときに、絶縁体層１６ｐの表面の中央に対して右側に設けられており、前後方向に延在する帯状をなしている。コンデンサ導体層２８ａ，２８ｂと容量部２９ｃとは、絶縁体層１６ｏ，１６ｐを介して対向している。接続部２９ｂは、容量部２９ａの前後方向の中央と容量部２９ｃの前後方向の中央とを接続している。これにより、コンデンサ導体層２６ａ，２６ｂとコンデンサ導体層２８ａ，２８ｂとの間には、コンデンサ導体層２９を介してコンデンサＣ２が形成されている。また、コンデンサ導体層２６ａはコンデンサＣ１に含まれ、コンデンサ導体層２８ａはコンデンサＣ３に含まれている。これにより、コンデンサＣ１〜Ｃ３が直列に接続されている。

コンデンサＣ１１は、コンデンサ導体層３０，３２，３４を含んでいる。コンデンサ導体層３４（第１のコンデンサ導体層の一例）は、絶縁体層１６ｍの表面上に設けられており、左右方向に延在する長辺を有する長方形状をなしている。これにより、コンデンサ導体層３４は、インダクタ導体層１８ｆ，２０ｆよりもコンデンサ導体層３０，３２の近くに設けられている。インダクタ導体層１８ｆ，２０ｆは、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆ，２０ａ〜２０ｆの内の最も下側に設けられているインダクタ導体層である。コンデンサ導体層３４は、絶縁体層１６ｍの表面の中央に設けられており、絶縁体層１６ｍを介してコンデンサ導体層３０，３２と対向している。これにより、コンデンサ導体層３０とコンデンサ導体層３２との間には、コンデンサ導体層３４を介してコンデンサＣ１１が形成されている。また、コンデンサ導体層３０はコンデンサＣ４に含まれ。コンデンサ導体層３２はコンデンサＣ５に含まれている。よって、コンデンサＣ１１は、コンデンサＣ４（すなわち、ＬＣ直列共振器ＬＣ１）とコンデンサＣ５（すなわち、ＬＣ直列共振器ＬＣ２）との間に形成されている。

インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆ，２０ａ〜２０ｆ、コンデンサ導体層２２，２４，２６ａ，２６ｂ，２８ａ，２８ｂ，２９，３０，３２，３４、接続導体層３６ａ，３６ｂ，３８ａ，３８ｂ及びビアホール導体ｖ１〜ｖ５，ｖ１１〜ｖ１５は、例えば、Ｃｕ等の導電性材料により作製されている。

（効果）
本実施形態に係るハイパスフィルタ１０によれば、通過特性に現れる２つの減衰極を近づけることができる。図４Ａは、ハイパスフィルタ１０の通過特性Ｓ２１及び反射特性Ｓ１１，Ｓ２２のシミュレーション結果を示したグラフである。図４Ｂは、比較例に係るハイパスフィルタの通過特性Ｓ２１及び反射特性Ｓ１１，Ｓ２２のシミュレーション結果を示したグラフである。縦軸は通過特性及び反射特性を示し、横軸は周波数を示す。

比較例に係るハイパスフィルタは、コンデンサ導体層３４が設けられていない点においてハイパスフィルタ１０と相違する。比較例に係るハイパスフィルタの各構成の参照符号については、ハイパスフィルタ１０の各構成の参照符号と同じものを用いて説明する。また、通過特性Ｓ２１とは、外部電極１４ａから入力した信号の強度に対する外部電極１４ｂから出力した信号の強度の比の値である。反射特性Ｓ１１とは、外部電極１４ａから入力した信号の強度に対する外部電極１４ａから出力した信号の強度の比の値である。反射特性Ｓ２２とは、外部電極１４ｂから入力した信号の強度に対する外部電極１４ｂから出力した信号の強度の比の値である。

比較例に係るハイパスフィルタでは、図４Ｂのグラフに示すように、通過特性において第１の減衰極及び第２の減衰極が形成される。第１の減衰極は、ＬＣ直列共振器ＬＣ１，ＬＣ２により形成される。第２の減衰極は、インダクタＬ１，Ｌ２とグランドとの間に形成されるインダクタンス成分の自己共振により形成される。より詳細には、比較例に係るハイパスフィルタでは、インダクタＬ１，Ｌ２の上端と底面部１１５ｃ，１１５ｄとが側面部１１４ｃ，１１４ｄを介して接続されている。側面部１１４ｃ，１１４ｄは、積層体１２の上面から底面まで伸びており、比較的に長い。故に、側面部１１４ｃ，１１４ｄは、大きなインダクタンス値を有する。特に、比較例に係るハイパスフィルタでは、コンデンサＣ４，Ｃ５がインダクタＬ１，Ｌ２よりも下側に位置している。そのため、インダクタＬ１，Ｌ２の上端は、積層体１２の底面から大きく離れる。これにより、インダクタＬ１と底面部１１５ｃとの間及びインダクタＬ２と底面部１１５ｄとの間にはより大きなインダクタ成分が形成される。第２の減衰極は、このインダクタ成分の自己共振により形成される。このようなインダクタ成分は、インダクタＬ１とインダクタＬ２とを強く磁気結合させるので、第１の減衰極と第２の減衰極とが離れる原因となる。また、第２の減衰極の周波数は第１の減衰極の周波数よりも低い。そのため、比較例に係るハイパスフィルタのように、大きなインダクタ成分が形成されると、第２の減衰極の周波数が低くなり、第１の減衰極と第２の減衰極とが離れる。

そこで、ハイパスフィルタ１０では、コンデンサ導体層３４が設けられることにより、ＬＣ直列共振器ＬＣ１とＬＣ直列共振器ＬＣ２との間にコンデンサＣ１１が形成されている。これにより、ハイパスフィルタ１０では比較例に係るローパスフィルタに比べて、インダクタＬ１とインダクタＬ２との間における容量結合の度合いが大きくなるので、インダクタＬ１とインダクタＬ２との間における磁気結合の度合いが小さくなる。そのため、ハイパスフィルタ１０では比較例に係るローパスフィルタに比べて、インダクタＬ１とインダクタＬ２との磁気結合が小さくなる。その結果、図４Ａに示すように、ハイパスフィルタ１０では比較例に係るローパスフィルタに比べて、第１の減衰極と第２の減衰極とが近づく。また、第２の減衰極の周波数は第１の減衰極の周波数よりも低い。そのため、ハイパスフィルタ１０のように、容量結合の度合いが大きくなることによって磁気結合の度合いが小さくなると、第２の減衰極の周波数が高くなり、第１の減衰極と第２の減衰極とが近づく。

また、ハイパスフィルタ１０では、以下に説明するように、小型化が図られる。より詳細には、比較例に係るハイパスフィルタに、絶縁体層を介して対向する２つ以上のコンデンサ導体層を追加することで、コンデンサＣ１１に相当するコンデンサを形成することが考えられる。この場合には、異なる２つ以上の絶縁体層のそれぞれに２つ以上のコンデンサ導体層を形成する必要がある。よって、ハイパスフィルタの積層体が大型化する。そこで、ハイパスフィルタ１０では、コンデンサ導体層３４をコンデンサ導体層３０，３２に対向させている。これにより、コンデンサ導体層３４を設けるための絶縁体層１６ｍが１つで済むようになる。その結果、ハイパスフィルタ１０では、低背化が図られる。

また、ハイパスフィルタ１０では、コンデンサ導体層３４が設けられることによって、インダクタＬ１，Ｌ２のＱ値が低下することが抑制される。より詳細には、コンデンサ導体層２６ａ，２６ｂとコンデンサ導体層２８ａ，２８ｂとの間には、コンデンサ導体層３４を介してコンデンサＣ１１が形成されている。換言すれば、コンデンサ導体層３４は、インダクタ導体層１８ｆ，２０ｆよりもコンデンサ導体層３０，３２の近くに設けられている。これにより、コンデンサ導体層３４がインダクタＬ１，Ｌ２が発生した磁束を妨げにくくなる。その結果、インダクタＬ１，Ｌ２のＱ値が低下することが抑制される。

また、ハイパスフィルタ１０では、入出力の対称性に優れている。より詳細には、ハイパスフィルタ１０では、コンデンサ導体層３４は、上側から見たときに、積層体１２の中央を通過し、かつ、前後上下方向に平行な平面に関して面対称な構造を有する。よって、コンデンサＣ１１が対象構造を有している。そのため、外部電極１４ａを入力端子として用い、かつ、外部電極１４ｂを出力端子として用いた場合における通過特性と、外部電極１４ｂを入力端子として用い、かつ、外部電極１４ａを出力端子として用いた場合における通過特性とが近づく。

また、ハイパスフィルタ１０では、インダクタＬ１，Ｌ２は、３次元の螺旋状をなしているので、大きなインダクタンス値を有する。

（第１の変形例）
以下、第１の変形例に係るハイパスフィルタ１０ａの構成について図面を参照しながら説明する。図５は、第１の変形例に係るハイパスフィルタ１０ａの分解斜視図である。ハイパスフィルタ１０ａの等価回路図及び外観斜視図は、ハイパスフィルタ１０の等価回路図及び外観斜視図と同じであるので、図１及び図２を援用する。

ハイパスフィルタ１０ａは、コンデンサ導体層３４が設けられている位置においてハイパスフィルタ１０と相違する。以下に係る相違点を中心にハイパスフィルタ１０ａの構造について説明する。

コンデンサ導体層３４は、絶縁体層１６ｊの表面上に設けられており、長方形状をなしている。これにより、コンデンサ導体層３４は、コンデンサ導体層３０，３２よりもインダクタ導体層１８ｆ，２０ｆの近くに設けられている。コンデンサ導体層３４は、絶縁体層１６ｍの表面の中央に設けられており、絶縁体層１６ｇ〜１６ｉを介してインダクタ導体層１８ｆ，２０ｆと対向している。これにより、インダクタ導体層１８ｆとインダクタ導体層２０ｆとの間には、コンデンサ導体層３４を介してコンデンサＣ１１が形成されている。また、インダクタ導体層１８ｆはインダクタＬ１に含まれている。インダクタ導体層２０ｆはインダクタＬ２に含まれている。よって、コンデンサＣ１１は、インダクタＬ１（すなわち、ＬＣ直列共振器ＬＣ１）とインダクタＬ２（すなわち、ＬＣ直列共振器ＬＣ２）との間に形成されている。なお、ハイパスフィルタ１０ａのコンデンサ導体層３４以外の構成は、ハイパスフィルタ１０と同じであるので説明を省略する。

ハイパスフィルタ１０ａによれば、ハイパスフィルタ１０と同様に、通過特性に現れる２つの減衰極を近づけることができる。また、ハイパスフィルタ１０ａでは、ハイパスフィルタ１０と同様に、小型化が図られる。また、ハイパスフィルタ１０ａでは、ハイパスフィルタ１０と同様に、入出力の対称性に優れている。また、ハイパスフィルタ１０ａでは、ハイパスフィルタ１０と同様に、インダクタＬ１，Ｌ２は、３次元の螺旋状をなしているので、大きなインダクタンス値を有する。

（第２の変形例）
以下、第２の変形例に係るハイパスフィルタ１０ｂの構成について図面を参照しながら説明する。図６は、第２の変形例に係るハイパスフィルタ１０ｂの分解斜視図である。ハイパスフィルタ１０ｂの等価回路図及び外観斜視図は、ハイパスフィルタ１０の等価回路図及び外観斜視図と同じであるので、図１及び図２を援用する。

ハイパスフィルタ１０ｂは、コンデンサ導体層３４の形状においてハイパスフィルタ１０ａと相違する。以下に係る相違点を中心にハイパスフィルタ１０ｂの構造について説明する。

コンデンサ導体層３４は、絶縁体層１６ｊの表面上に設けられており、線状をなしている。これにより、コンデンサ導体層３４は、コンデンサ導体層３０，３２よりもインダクタ導体層１８ｆ，２０ｆの近くに設けられている。コンデンサ導体層３４は、前方に向かって伸びた後に右側に折れ曲がり、その後、更に前方に向かって伸びる線状をなしている。コンデンサ導体層３４の後端は、ビアホール導体ｖ４に接続されている。また、コンデンサ導体層３４は、絶縁体層１６ｇ〜１６ｉを介してインダクタ導体層２０ｆと対向している。これにより、コンデンサ導体層３４とインダクタ導体層２０ｆとの間には、コンデンサＣ１１が形成されている。また、ビアホール導体ｖ４はインダクタＬ１に含まれている。インダクタ導体層２０ｆはインダクタＬ２に含まれている。よって、コンデンサＣ１１は、インダクタＬ１（すなわち、ＬＣ直列共振器ＬＣ１）とインダクタＬ２（すなわち、ＬＣ直列共振器ＬＣ２）との間に形成されている。なお、ハイパスフィルタ１０ｂのコンデンサ導体層３４以外の構成は、ハイパスフィルタ１０ａと同じであるので説明を省略する。

ハイパスフィルタ１０ｂによれば、ハイパスフィルタ１０ａと同様に、通過特性に現れる２つの減衰極を近づけることができる。また、ハイパスフィルタ１０ｂでは、ハイパスフィルタ１０ａと同様に、小型化が図られる。また、ハイパスフィルタ１０ｂでは、ハイパスフィルタ１０ａと同様に、インダクタＬ１，Ｌ２は、３次元の螺旋状をなしているので、大きなインダクタンス値を有する。

（第３の変形例）
以下、第３の変形例に係るハイパスフィルタ１０ｃの構成について図面を参照しながら説明する。図７は、第３の変形例に係るハイパスフィルタ１０ｃの分解斜視図である。ハイパスフィルタ１０ｃの等価回路図及び外観斜視図は、ハイパスフィルタ１０の等価回路図及び外観斜視図と同じであるので、図１及び図２を援用する。

ハイパスフィルタ１０ｃは、コンデンサ導体層３４が設けられている位置においてハイパスフィルタ１０ｂと相違する。以下に係る相違点を中心にハイパスフィルタ１０ａの構造について説明する。

コンデンサ導体層３４は、絶縁体層１６ｍの表面上に設けられており、線状をなしている。これにより、コンデンサ導体層３４は、インダクタ導体層１８ｆ，２０ｆよりもコンデンサ導体層３０，３２の近くに設けられている。コンデンサ導体層３４は、前方に向かって伸びた後に右側に向かって伸びる線状をなしている。コンデンサ導体層３４の後端は、ビアホール導体ｖ４に接続されている。また、コンデンサ導体層３４は、絶縁体層１６ｍを介してコンデンサ導体層３２と対向している。これにより、コンデンサ導体層３４とコンデンサ導体層３２との間には、コンデンサＣ１１が形成されている。また、ビアホール導体ｖ４はインダクタＬ１に含まれている。コンデンサ導体層３２はコンデンサＣ５に含まれている。よって、コンデンサＣ１１は、インダクタＬ１（すなわち、ＬＣ直列共振器ＬＣ１）とコンデンサＣ５（すなわち、ＬＣ直列共振器ＬＣ２）との間に形成されている。なお、ハイパスフィルタ１０ｃのコンデンサ導体層３４以外の構成は、ハイパスフィルタ１０ｂと同じであるので説明を省略する。

ハイパスフィルタ１０ｃによれば、ハイパスフィルタ１０ｂと同様に、通過特性に現れる２つの減衰極を近づけることができる。また、ハイパスフィルタ１０ｃでは、ハイパスフィルタ１０ｂと同様に、小型化が図られる。また、ハイパスフィルタ１０ｃでは、ハイパスフィルタ１０ｂと同様に、インダクタＬ１，Ｌ２は、３次元の螺旋状をなしているので、大きなインダクタンス値を有する。

また、ハイパスフィルタ１０ｃによれば、ハイパスフィルタ１０と同様に、コンデンサ導体層３４が設けられることによって、インダクタＬ１，Ｌ２のＱ値が低下することが抑制される。

（その他の実施形態）
本発明に係るハイパスフィルタは、ハイパスフィルタ１０，１０ａ〜１０ｃに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。

なお、ハイパスフィルタ１０，１０ａ〜１０ｃの構成を任意に組み合わせてもよい。

なお、ハイパスフィルタ１０ａにおいて、コンデンサ導体層３４は、インダクタ導体層１８ｆ，２０ｆと対向する代わりに、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｅ，２０ａ〜２０ｅと対向していてもよい。

なお、ハイパスフィルタ１０，１０ａ〜１０ｃにおいて、１以上のＬＣ直列共振器が更に設けられていてもよい。また、信号経路ＳＬ上に、更にコンデンサが設けられていてもよい。

また、ハイパスフィルタ１０，１０ａ〜１０ｃにおいて、ＬＣ直列共振器ＬＣ１，ＬＣ２と信号経路ＳＬとの間にインダクタやコンデンサ等の回路素子が設けられていてもよい。

また、ハイパスフィルタ１０，１０ａ〜１０ｃにおいて、ＬＣ直列共振器ＬＣ１，ＬＣ２と外部電極１４ｃ，１４ｄとの間にインダクタやコンデンサ等の回路素子が設けられていてもよい。

なお、ハイパスフィルタ１０ｂ，１０ｃにおいて、コンデンサ導体層３４は、ビアホール導体ｖ１４に接続され、かつ、絶縁体層を介してインダクタ導体層１８ａ又はコンデンサ導体層３０と対向していてもよい。

なお、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆは少なくとも１つ設けられていればよい。同様に、インダクタ導体層２０ａ〜２０ｆは少なくとも１つ設けられていればよい。

なお、ハイパスフィルタ１０，１０ａ〜１０ｃにおいて、外部電極１４ｃ，１４ｄのいずれか一方のみが設けられていてもよい。

以上のように、本発明は、ハイパスフィルタに有用であり、特に、インダクタ電極の対称性を崩すことなく、素子サイズを大きくすることなく、通過特性に現れる２つの減衰極を近づけることができる点で優れている。

１０，１０ａ〜１０ｃ：ハイパスフィルタ
１２：積層体
１４ａ〜１４ｄ：外部電極
１６ａ〜１６ｓ：絶縁体層
１８ａ〜１８ｆ，２０ａ〜２０ｆ：インダクタ導体層
２２，２４，２６ａ，２６ｂ，２８ａ，２８ｂ，２９：コンデンサ導体層
３０，３２，３４：コンデンサ導体層
３６ａ，３６ｂ，３８ａ，３８ｂ：接続導体層
１１４ａ〜１１４ｄ：側面部
１１５ａ〜１１５ｄ：底面部
１１６ａ〜１１６ｄ：上面部
５００ ：ハイパスフィルタ
Ｃ１〜Ｃ５，Ｃ１１：コンデンサ
Ｌ１，Ｌ２：インダクタ
ＬＣ１，ＬＣ２：ＬＣ直列共振器
ＳＬ：信号経路
ｖ１〜ｖ５，ｖ１１〜ｖ１５：ビアホール導体

Claims (8)

1. 第１の入出力端子、第２の入出力端子及び少なくとも１以上のグランド端子と、
   前記第１の入出力端子と前記第２の入出力端子との間に設けられている信号経路と、
   前記信号経路に電気的に接続されている第１の端部、及び、前記少なくとも１以上のグランド端子に電気的に接続されている第２の端部を有する第１のＬＣ直列共振器であって、第１のインダクタ及び第１のコンデンサを含む第１のＬＣ直列共振器であって、前記第１のコンデンサ及び前記第１のインダクタは、前記第１の端部と前記第２の端部との間においてこの順に直列に接続されている、第１のＬＣ直列共振器と、
   前記信号経路に電気的に接続されている第３の端部、及び、前記少なくとも１以上のグランド端子に電気的に接続されている第４の端部を有する第２のＬＣ直列共振器であって、第２のインダクタ及び第２のコンデンサを含む第２のＬＣ直列共振器であって、前記第２のコンデンサ及び前記第２のインダクタは、前記第３の端部と前記第４の端部との間においてこの順に直列に接続されている、第２のＬＣ直列共振器と、
   前記第１のコンデンサにおいて前記第１のインダクタに接続されている第１の電極から該第１のインダクタにおいて該第１のコンデンサに接続されていない端部よりも該第１の電極側の部分までの区間と、前記第２のコンデンサにおいて前記第２のインダクタに接続されている第２の電極から該第２のインダクタにおいて該第２のコンデンサに接続されていない端部よりも該第２の電極側の部分までの区間との間に形成されている第３のコンデンサと、
   複数の絶縁体層が積層方向に積層された構造を有する積層体と、
   を備えており、
   前記第１のＬＣ直列共振器は、前記絶縁体層上に設けられている少なくとも１以上の第１の導体層を含んでおり、
   前記第２のＬＣ直列共振器は、前記絶縁体層上に設けられている少なくとも１以上の第２の導体層を含んでおり、
   前記第３のコンデンサは、前記第１の導体層及び／又は前記第２の導体層と前記絶縁体層を介して対向する第１のコンデンサ導体層を含んでおり、
   前記少なくとも１以上の第１の導体層は、少なくとも１以上の第１のインダクタ導体層、及び、第２のコンデンサ導体層を含んでおり、
   前記少なくとも１以上の第２の導体層は、少なくとも１以上の第２のインダクタ導体層、及び、第３のコンデンサ導体層を含んでおり、
   前記第１のコンデンサ導体層と前記第１のインダクタ導体層とは容量結合している、及び／又は、前記第１のコンデンサ導体層と前記第２のインダクタ導体層とは容量結合していること、
   を特徴とするハイパスフィルタ。
2. 前記第１のコンデンサ導体層は、前記絶縁体層を介して前記第１のインダクタ導体層及び／又は前記第２のインダクタ導体層と対向していること、
   を特徴とする請求項１に記載のハイパスフィルタ。
3. 前記１以上の第１のインダクタ導体層は、前記積層方向から見たときに、所定方向に巻いており、
   前記１以上の第２のインダクタ導体層は、前記積層方向から見たときに、前記所定方向の反対方向に巻いていること、
   を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載のハイパスフィルタ。
4. 前記第１のコンデンサ導体層は、前記絶縁体層を介して前記第１のインダクタ導体層及び前記第２のインダクタ導体層と対向しており、かつ、前記第２のコンデンサ導体層及び前記第３のコンデンサ導体層よりも該第１のインダクタ導体層及び該第２のインダクタ導体層の近くに設けられていること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のハイパスフィルタ。
5. 前記第１のインダクタは、前記絶縁体層を前記積層方向に貫通し、かつ、前記第１のインダクタ導体層と前記第２のコンデンサ導体層とを電気的に接続する第１のビアホール導体を更に含んでおり、
   前記第１のコンデンサ導体層は、前記第１のビアホール導体に接続され、前記絶縁体層を介して前記第２のインダクタ導体層と対向しており、かつ、前記第３のコンデンサ導体層よりも該第２のインダクタ導体層の近くに設けられていること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のハイパスフィルタ。
6. 前記第１のインダクタは、複数の前記第１のインダクタ導体層が少なくとも１以上のビアホール導体により接続されることにより、前記積層方向から見たときに前記所定方向に巻きながら該積層方向に進行する螺旋状をなしており、
   前記第２のインダクタは、複数の前記第２のインダクタ導体層が少なくとも１以上のビアホール導体により接続されることにより、前記積層方向から見たときに前記所定方向の反対方向に巻きながら該積層方向に進行する螺旋状をなしていること、
   を特徴とする請求項３に記載のハイパスフィルタ。
7. 前記少なくとも１以上のグランド端子は、前記積層体において前記積層方向の一方側に位置する面に設けられている底面部を含んでおり、
   前記第１のインダクタの前記積層方向の他方側の端部、及び、前記第２のインダクタの前記積層方向の他方側の端部は、少なくとも１以上の前記底面部に電気的に接続されていること、
   を特徴とする請求項６に記載のハイパスフィルタ。
8. 前記第２のコンデンサ及び前記第３のコンデンサは、前記第１のインダクタ及び前記第２のインダクタよりも前記積層方向の一方側に位置していること、
   を特徴とする請求項７に記載のハイパスフィルタ。