JP3678228B2 - Lcハイパスフィルタ回路、積層型lcハイパスフィルタ、マルチプレクサおよび無線通信装置 - Google Patents
Lcハイパスフィルタ回路、積層型lcハイパスフィルタ、マルチプレクサおよび無線通信装置 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、携帯電話等の移動体通信機器などに使用されるLCハイパスフィルタ回路、積層型LCハイパスフィルタ、マルチプレクサおよび無線通信装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
この種の積層型LCハイパスフィルタとして、従来より、図16に示す構造のものが知られている。このLCハイパスフィルタ151は、入出力導体161,162、共振用コンデンサ導体163、コイル導体164〜169、グランド導体170をそれぞれ設けた絶縁シート152〜158等にて構成されている。
【0003】
各シート152〜158は積み重ねられた後、一体的に焼成されることにより、図17に示す積層体175とされる。積層体175には、入力端子176、出力端子177およびグランド端子Gが形成されている。入力端子176には入力導体161が接続され、出力端子177には出力導体162が接続されている。グランド端子Gにはグランド導体170が接続されている。
【0004】
コイル導体164〜166,167〜169は、それぞれ絶縁シート155,156に設けたビアホール171b,171c、172b,172cを介して電気的に直列に接続され、インダクタL1,L2を構成する。インダクタL1,L2のそれぞれの一方の端部は、絶縁シート154に設けたビアホール171a,172aを介して入力導体161および出力導体162に電気的に接続されている。インダクタL1,L2のそれぞれの他方の端部は、絶縁シート157に設けたビアホール171d,172dを介してグランド導体170に電気的に接続されている。インダクタL1,L2の巻回方向は、互いに逆方向である。共振用コンデンサ導体163は、絶縁シート153を挟んで入出力導体161,162に対向することにより、共振用コンデンサCを形成する。
【0005】
図18は、以上の構成からなる積層型LCハイパスフィルタ151の電気等価回路図である。インダクタL1,L2は互いに逆方向に巻回しているので、インダクタL1とL2は反結合の状態となる。従って、インダクタL1,L2の反誘導結合による−Mと、共振用コンデンサCと、インダクタL1,L2とでトラップ回路も形成されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のLCハイパスフィルタ151は、コイル導体164〜166,167〜169によってインダクタL1,L2を構成しているので、入出力導体161,162やグランド導体170の主面がインダクタL1,L2による磁力線と略垂直に交差する。従って、インダクタL1,L2の磁力線によってグランド導体170などに発生する渦電流損が大きく、Qの低いLCハイパスフィルタ151しか得られなかった。さらに、コイル導体164〜166,167〜169は広い占有面積を必要とするため、LCハイパスフィルタ151の小型化(小面積化)が困難であった。
【0007】
また、図18に示した等価回路では、トラップ回路の減衰極の位置をハイパスフィルタ回路の中心周波数近傍にまで近付けることが困難であった。
【0008】
そこで、本発明の目的は、Qが高く、周波数特性の優れた、小型のLCハイパスフィルタ回路、積層型LCハイパスフィルタ、マルチプレクサおよび無線通信装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段と作用】
以上の目的を達成するため、本発明に係るLCハイパスフィルタ回路は、
(a)一対の入出力端子と、
(b)一対の入出力端子に対して直列に接続されたコンデンサと、一対の入出力端子に対して並列に接続されかつ接地されたインダクタとからなる複数のハイパスフィルタ回路と、
(c)隣接する二つのハイパスフィルタ回路の間に一対の入出力端子に対してシャント接続されかつ一端が接地された、コンデンサとインダクタの直列回路からなるトラップ回路と、
(d)トラップ回路のコンデンサとインダクタの中間接続点と、入出力端子との間に電気的に接続された帯域調整用コンデンサと、を備え、
(e)トラップ回路のコンデンサとインダクタのうち、コンデンサ側が接地されていること、
を特徴とする。
【0010】
そして、一対の入出力端子に対して並列に接続されかつ一端が接地されたインダクタと、一対の入出力端子に対してシャント接続されかつ一端が接地されたトラップ回路との間には、それぞれハイパスフィルタ回路のコンデンサが接続されている。
【0011】
以上の構成により、トラップ回路の減衰極の位置を、ハイパスフィルタ回路の通過帯域近傍に近付けることができる。従って、急峻なLCハイパスフィルタ回路が得られる。
【0012】
また、トラップ回路のコンデンサとインダクタの中間接続点と、入出力端子との間に帯域調整用コンデンサを電気的に接続することにより、インピーダンスが低い信号経路を別に形成できる。インピーダンスが低い場合には、流れる信号量が多くなるため、LCハイパスフィルタ回路の広帯域化が可能となる。
【0013】
また、本発明に係る積層型LCハイパスフィルタは、
(f)複数の絶縁層と複数のコンデンサ導体と複数のコイル導体とを積み重ねて構成した積層体と、
(g)積層体の表面に設けた一対の入出力端子およびグランド端子と、
(h)積層体内にコンデンサ導体にて形成された第1コンデンサおよびコイル導体にて形成された第1インダクタにより構成された複数のハイパスフィルタと、
(i)積層体内にコンデンサ導体にて形成された第2コンデンサとコイル導体にて形成された第2インダクタとで直列回路を構成されたトラップと、
(j)前記積層体内に前記コンデンサ導体にて形成された帯域調整用コンデンサと、を備え、
(k)ハイパスフィルタの第1コンデンサのそれぞれが、一対の入出力端子に対して直列に接続され、第1インダクタのそれぞれが、一対の入出力端子に対して並列に接続されかつグランド端子に接続され、
(l)トラップが、隣接する二つのハイパスフィルタ回路の間に一対の入出力端子に対してシャント接続されるとともに、第2コンデンサと第2インダクタの直列回路がグランド端子に接続され、
(m)トラップの第2コンデンサと第2インダクタの中間接続点と、入出力端子との間に帯域調整用コンデンサが接続され、
(n)トラップの第2コンデンサと第2インダクタのうち、第2コンデンサ側がグランド端子に接続されていること、
を特徴とする。
【0014】
ここに、第1インダクタのコイル導体と第2インダクタのコイル導体のうち少なくとも一部が、インダクタ用ビアホールや螺旋状コイル導体や渦巻状コイル導体であってもよい。絶縁層の積み重ね方向に対して平行な軸を有するインダクタ用ビアホールにてインダクタを構成することにより、Qの高いLCハイパスフィルタやトラップが構成される。さらに、インダクタ用ビアホールの占有面積は小さいため、LCハイパスフィルタの小面積化が可能となる。
【0015】
また、第1インダクタのコイル導体と第2インダクタのコイル導体を、積層体の積み重ね方向において異なる位置に配設することにより、第1インダクタと第2インダクタは積層体内に多段構造を形成する。これにより、第1インダクタを有するLCハイパスフィルタと第2インダクタを有するトラップとが電磁結合しにくくなり、高周波特性の劣化を防止する。さらに、小面積の積層型LCフィルタが得られる。
【0016】
また、絶縁層の積み重ね方向において、トラップがハイパスフィルタより上側に配置されていることが好ましい。これにより、ハイパスフィルタの第1インダクタから積層型LCハイパスフィルタの外へ漏れる電界や磁界の量が少なくなる。
【0017】
また、ハイパスフィルタの第1インダクタを構成するに際し、絶縁層の積み重ね方向に対して平行な軸を有するインダクタ用ビアホールを主とし、絶縁層の表面に設けられた螺旋状コイル導体や渦巻状コイル導体を従として、両者を電気的に接続して構成することにより、ハイパスフィルタの第1インダクタの高さ寸法を低く抑えることができる。
【0018】
また、本発明に係るマルチプレクサや無線通信装置は、前述の特徴を有する積層型LCハイパスフィルタを備えることを特徴とする。これにより、小型のマルチプレクサや無線通信装置が得られる。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るLCハイパスフィルタ回路、積層型LCハイパスフィルタ、マルチプレクサおよび無線通信装置の実施形態について添付図面を参照して説明する。
【0020】
[第1実施形態、図1〜図8]
図1に示すように、積層型LCハイパスフィルタ1は、入力導体11、出力導体12、ハイパスフィルタ用コンデンサ導体13、帯域調整用コンデンサ導体14,15、トラップ用コンデンサ導体16、グランド導体17,18およびインダクタ用ビアホール20a,20b,21,22をそれぞれ設けた絶縁シート2〜8等にて構成されている。絶縁シート2〜8は、誘電体粉末や磁性体粉末を結合剤等と一緒に混練したものをシート状にしたものである。
【0021】
なお、インダクタ用ビアホール20a,20b,21,22をそれぞれ設けたシート4,5,7は、他のシート2,3等より厚く設定されている。このとき、シート4,5,7の厚さは、他のシート2等と同じシート厚のものを複数枚積み重ねて各シートに設けたビアホールを連接することによって確保してもよいし、1枚の厚いシートを用いて確保してもよい。
【0022】
導体11〜18は、Ag,Pd,Cu,Ni,Au,Ag−Pd等からなり、スパッタリング法、蒸着法、印刷法、フォトリソグラフィ法などの方法により形成される。インダクタ用ビアホール20a,20b,21,22は、絶縁シート4,5,7に金型、レーザ等で穴をあけ、Ag,Pd,Cu,Ni,Au,Ag−Pd等の導電体材料をこの穴に充填する、あるいは、穴の内周面に付与することにより形成される。
【0023】
インダクタ用ビアホール20a,20bは、絶縁シート2〜8の積み重ね方向に連接して柱状インダクタL3を構成する。また、インダクタ用ビアホール21,22は、それぞれ単独で柱状インダクタL1,L2を構成している。これらの柱状インダクタL1〜L3の軸方向はシート2〜8の表面に対して垂直である。ハイパスフィルタ用インダクタL1,L2は、それぞれの一端が入力導体11および出力導体12に接続され、他端がグランド導体18に接続されている。トラップ用インダクタL3の一端はトラップ用コンデンサ導体16に接続され、他端はハイパスフィルタ用コンデンサ導体13に接続されている。
【0024】
絶縁シート7の左右に配設された入力導体11および出力導体12は、それぞれの端部がシート7の左右の辺に露出している。これらの入出力導体11,12は、それぞれ絶縁シート6を挟んでハイパスフィルタ用コンデンサ導体13に対向し、ハイパスフィルタ用コンデンサC1,C2を形成する。
【0025】
絶縁シート5の左右に配設された帯域調整用コンデンサ導体14,15は、それぞれの端部がシート5の左右の辺に露出している。これらの帯域調整用コンデンサ導体14,15は、それぞれ絶縁シート4を挟んでトラップ用コンデンサ導体16に対向し、帯域調整用コンデンサC3,C4を形成する。さらに、トラップ用コンデンサ導体16は、絶縁シート3を挟んでグランド導体17に対向し、トラップ用コンデンサC5を形成する。
【0026】
各シート2〜8は積み重ねられ、一体的に焼成されることにより、図2および図3に示す積層体25とされる。積層体25の左右の端面にはそれぞれ入力端子26、出力端子27が形成され、手前側および奥側の側面にはグランド端子Gが形成されている。これらの端子26,27,Gはスパッタリング法、蒸着法、塗布法、印刷法などの方法によって形成され、Ag−Pd,Ag,Pd,Cu,Cu合金などの材料からなる。
【0027】
入力端子26には、入力導体11および帯域調整用コンデンサ導体14が電気的に接続されている。出力端子27には、出力導体12および帯域調整用コンデンサ導体15が電気的に接続されている。グランド端子Gには、グランド導体17,18が接続されている。
【0028】
図4はこうして得られた積層型LCハイパスフィルタ1の電気等価回路図である。ハイパスフィルタ用コンデンサC1とハイパスフィルタ用インダクタL1は、入力側ハイパスフィルタ回路HPF1を構成している。同様に、ハイパスフィルタ用コンデンサC2とハイパスフィルタ用インダクタL2は、出力側ハイパスフィルタ回路HPF2を構成している。また、トラップ用コンデンサC5とトラップ用インダクタL3はLC直列共振回路を構成し、トラップ回路Tを形成している。
【0029】
ハイパスフィルタ回路HPF1,HPF2のコンデンサC1,C2は、入出力端子26,27に対して直列に接続されている。ハイパスフィルタ回路HPF1,HPF2のインダクタL1,L2は、入出力端子26,27に対して並列に接続され、かつ、その一端はグランド端子Gに接続されている。トラップ回路Tは、ハイパスフィルタ回路HPF1,HPF2の間に、入出力端子26,27に対してシャント接続され、その一端はグランド端子Gに接続されている。
【0030】
さらに、帯域調整用コンデンサC3は、トラップ回路TのコンデンサC5とインダクタL3の中間接続点と、入力端子26との間に接続されている。帯域調整用コンデンサC4は、トラップ回路TのコンデンサC5とインダクタL3の中間接続点と、出力端子27との間に接続されている。帯域調整用コンデンサC3,C4はLCハイパスフィルタ1の広帯域化に寄与する。
トラップ帯域を制御する。
【0031】
このように、積層型LCハイパスフィルタ1は、図4に示すようなトラップ回路Tを有しているため、トラップの減衰極の位置をハイパスフィルタ回路HPF1,HPF2の通過帯域近傍に近付けることができる。従って、急峻なLCハイパスフィルタ1が得られる。
【0032】
また、一般に、フィルタの帯域幅は、入出力端子間に流れる信号の量が多いと、広帯域になる。帯域調整用コンデンサC3,C4によって、入力端子26と出力端子27間に静電容量が付加されると、帯域調整用コンデンサC3,C4はバイパスコンデンサとして機能する。これにより、低インピーダンス信号経路が別に形成される。インピーダンスが低い場合には、流れる信号量が多くなるため、LCハイパスフィルタ1の帯域幅を広帯域化することができる。
【0033】
図5〜図8は、トラップ用コンデンサC5の静電容量を種々変えたときの、LCハイパスフィルタ1の通過特性S21および入力反射特性S11を示すグラフである。ただし、インダクタL1,L2はそれぞれ0.67nH、ハイパスフィルタ用コンデンサC1,C2および帯域調整用コンデンサC3,C4はそれぞれ3pF、インダクタL3は0.8nH、インダクタL1,L2の相互結合係数は0.2とした。
【0034】
図5〜図8から、トラップ用コンデンサC5の静電容量の値を小さくすると、減衰極の位置をさらにLCハイパスフィルタ1の通過帯域に近づけることができることがわかる。また、トラップ用コンデンサC5の静電容量の値を大きくすると、減衰極の位置は若干LCハイパスフィルタ1の通過帯域から遠ざかるが、減衰量を多く取ることができることがわかる。従って、LCハイパスフィルタ1の用途によって、トラップ用コンデンサC5の値を調整することで所望の特性が得られることになる。なお、トラップ用コンデンサC5の静電容量の値を小さくし過ぎると、LCハイパスフィルタ1の通過帯域内に減衰極が形成されてしまうため、図5〜図8に示す例では、トラップ用コンデンサC5の値は4pF以上とするのが好ましい。
【0035】
以上の構成からなる積層型LCハイパスフィルタ1は、ハイパスフィルタ回路HPF1,HPF2のインダクタL1,L2並びにトラップ回路TのインダクタL3を、主としてそれぞれ絶縁シート2〜8の積み重ね方向に対して平行な軸を有するインダクタ用ビアホール21,22、あるいは20a,20bを連接することにより構成している。従って、コンデンサ導体13,16やグランド導体18などの主面がインダクタL1〜L3による磁力線と平行になる。つまり、インダクタL1〜L3の磁力線によって導体13,16,18などに発生する渦電流損が小さくなり、Qが劣化しにくい。この結果、Qの高いハイパスフィルタ回路HPF1,HPF2やトラップ回路Tを構成することができる。
【0036】
さらに、インダクタ用ビアホール20a,20b,21,22の占有面積は小さいため、積層型LCハイパスフィルタ1の小面積化が可能である。しかも、絶縁シート2〜8の積み重ね方向において、ハイパスフィルタ回路HPF1,HPF2のインダクタL1,L2とトラップ回路TのインダクタL3を異なる層に配置しているので、より一層の小面積化が可能である。こうして、積層型LCハイパスフィルタ1は、従来のフィルタより小型化することができ、長さが2.0mm、幅が1.25mm、高さが1.05mm(代表値)のサイズとされる。
【0037】
さらに、本第1実施形態では、トラップ回路TのインダクタL3と、ハイパスフィルタ回路HPF1,HPF2のインダクタL1,L2とを、積層体25の積み重ね方向において上下に配置している。これにより、インダクタL1,L2とインダクタL3間の磁気結合を抑えることができる。このため、ハイパスフィルタ回路HPF1,HPF2を流れる信号がトラップ回路TのインダクタL3に流れ込みにくくなり、ハイパスフィルタ回路HPF1,HPF2とトラップ回路Tを互いに独立して設計することができ、設計が容易になる。また、ハイパスフィルタ回路HPF1,HPF2を流れる信号がトラップ回路Tを介してグランドに流れにくくなるため、入力インピーダンスが高くなる。このため、高周波特性(特に、入力反射特性S11)の劣化を防止することができる。なお、ハイパスフィルタ回路HPF1,HPF2のインダクタL1とL2同士が磁気結合しても高周波特性に殆ど影響はない。
【0038】
さらに、ハイパスフィルタ回路HPF1,HPF2のインダクタL1,L2とトラップ回路TのインダクタL3を異なる層に配置しているので、積層型LCハイパスフィルタ1内のスペースを効率良く利用することができ、積層型LCハイパスフィルタ1の小面積化に適した構造となっている。しかも、同一絶縁シート7に設けたインダクタ用ビアホール21と22の間隔も広く設定できる。なぜなら、同一層に形成されるインダクタ用ビアホールの数が少なくなるからである。この結果、小面積でかつ、機械的強度の強い積層型LCハイパスフィルタ1を得ることができる。
【0039】
また、絶縁シート2〜8の積み重ね方向において、トラップ回路Tがハイパスフィルタ回路HPF1,HPF2より上側に位置しているので、トラップ回路Tをハイパスフィルタ回路HPF1,HPF2より下側に配置した場合と比較して、グランド導体17,18の開口率が小さく、開口部からの電界や磁界の漏れが抑えられる。
【0040】
[第2実施形態、図9]
図9に示すように、第2実施形態の積層型LCハイパスフィルタ1Aは、絶縁シート7A,8Aを残して、前記第1実施形態の積層型LCハイパスフィルタ1と同様のものである。
【0041】
絶縁シート8Aの表面には、略渦巻形状のコイル導体41,42が形成されている。コイル導体41は、シート8Aの略左側半分に配設され、その引出し部はシート8Aの手前側の辺の左寄りに露出してグランド端子Gに接続している。コイル導体42は、シート8Aの略右側半分に配設され、その引出し部はシート8Aの手前側の辺の右寄りに露出してグランド端子Gに接続している。
【0042】
絶縁シート7Aに設けたインダクタ用ビアホール21は、コイル導体41に電気的に直列に接続して、コイル導体41と共に所望のインダクタンス値を有するインダクタL1を構成する。絶縁シート7Aに設けたインダクタ用ビアホール22は、コイル導体42に電気的に直列に接続して、コイル導体42と共に所望のインダクタンス値を有するインダクタL2を構成する。
【0043】
以上の構成からなるLCハイパスフィルタ1Aは、ハイパスフィルタ回路HPF1,HPF2の一部が、絶縁シート8Aの表面に形成されたコイル導体41,42にて構成されているので、インダクタ用ビアホール21,22の長さ寸法を短くできる。従って、絶縁シート7Aの厚さを薄くすることができ、前記第1実施形態のLCハイパスフィルタ1と比較して、低背な積層型LCハイパスフィルタ1Aを得ることができる。
【0044】
[第3実施形態、図10〜図13]
第3実施形態の積層型LCハイパスフィルタは、第1実施形態の積層型LCハイパスフィルタ1と比較して、二つの帯域調整用コンデンサC3,C4を省略している点で異なる。第1実施形態および第2実施形態のように広帯域化を図るためには、帯域調整用コンデンサC3,C4を接続することが好ましいが、特に、広帯域化が必要ない場合には、帯域調整用コンデンサC3,C4は省略してもよい。この場合も、第1実施形態のLCハイパスフィルタ1と同様に、ハイパスフィルタ回路HPF1,HPF2の通過帯域近傍に減衰極を近付けることができ、急峻なLCハイパスフィルタを得ることができる。また、帯域調整用コンデンサC3,C4を省略すると、帯域調整用コンデンサC3,C4を構成するためのコンデンサ導体を省略できるので、積層型LCハイパスフィルタ51を小型化することができる。
【0045】
図10に示すように、第3実施形態の積層型LCハイパスフィルタ51は、グランド導体66を表面に設けた絶縁シート52と、トラップ用コンデンサ導体60を表面に設けた絶縁シート53と、インダクタ用ビアホール67bを設けた絶縁シート54と、ハイパスフィルタ用コンデンサ導体61を表面に設けた絶縁シート55と、入出力導体62,63を表面に設けた絶縁シート56と、インダクタ用ビアホール68b,69bを設けた絶縁シート57と、渦巻状コイル導体64,65を表面に設けた絶縁シート58等にて構成されている。
【0046】
入力導体62と出力導体63は、絶縁シート56の左右の領域にそれぞれ配設されている。入力導体62の引出し部62aはシート56の左辺に露出し、出力導体63の引出し部63aはシート56の右辺に露出している。入力導体62と出力導体63は、それぞれ絶縁シート55を挟んでハイパスフィルタ用コンデンサ導体61に対向し、ハイパスフィルタ用コンデンサC1,C2を形成する。
【0047】
インダクタ用ビアホール68a,68b,69a,69bは、それぞれ絶縁シート52〜59の積み重ね方向に連接して柱状インダクタ68,69を形成する。柱状インダクタ68,69の軸方向は絶縁シート52〜59の表面に対して垂直である。柱状インダクタ68,69に電流が流れると、柱状インダクタ68,69のそれぞれの周囲に、柱状インダクタ68,69の軸方向に対して垂直な面を周回する磁界が発生する。柱状インダクタ68,69のそれぞれの一端部(ビアホール68a,69a)は、入出力導体62,63に接続されている。柱状インダクタ68,69のそれぞれの他端部(ビアホール68b,69b)は、渦巻状コイル導体64,65に接続されている。
【0048】
そして、柱状インダクタ68と渦巻状コイル導体64とでハイパスフィルタ用インダクタL1を形成する。同様に、柱状インダクタ69と渦巻状コイル導体65とでハイパスフィルタ用インダクタL2を形成する。これにより、柱状インダクタ68,69だけでは不足する電気長(インダクタンス値)を、渦巻状コイル導体64,65で補償することができる。従って、積層型LCフィルタ51内のスペースを有効に利用することができ、積層型LCフィルタ51をより一層小型化することができる。
【0049】
トラップ用コンデンサ導体60は、絶縁シート52を挟んでグランド導体66に対向し、トラップ用コンデンサC5を形成する。インダクタ用ビアホール67a,67bは、絶縁シート52〜59の積み重ね方向に連接して柱状インダクタ67を形成する。柱状インダクタ67の一端部(ビアホール67a)は、トラップ用コンデンサ導体60に接続され、他端部(ビアホール67b)はハイパスフィルタ用コンデンサ導体61に接続されている。柱状インダクタ67は単独でトラップ用インダクタL3を形成する。
【0050】
絶縁シート54,57は、その厚み寸法を大きくすることによって、インダクタ用ビアホールにて形成される柱状インダクタ67〜69のインダクタンス値を調整(大きく)できる。また、絶縁シート54,57は、1枚の分厚いシートを用いてもよいし、絶縁シート56のような薄いシートを複数枚積み重ねてもよい。
【0051】
絶縁シート52〜58は積み重ねられ、さらに上に保護用絶縁シート59が配置され、一体的に焼成される。これにより、図11に示す積層体71とされる。積層体71の左右の端面にはそれぞれ入力端子72、出力端子73が形成されている。積層体71の手前側および奥側の側面には、グランド端子G1,G2が形成されている。入力端子72には、入力導体62の引出し部62aが接続されている。出力端子73には、出力導体63の引出し部63aが接続されている。グランド端子G1には、渦巻状コイル導体64,65の引出し部64a,65aおよびグランド導体66の一方の端部が接続され、グランド端子G2にはグランド導体66の他方の端部が接続されている。
【0052】
図12はこうして得られた積層型LCハイパスフィルタ51の電気等価回路図である。ハイパスフィルタ用コンデンサC1とハイパスフィルタ用インダクタL1は、入力側ハイパスフィルタ回路HPF1を構成している。同様に、ハイパスフィルタ用コンデンサC2とハイパスフィルタ用インダクタL2は、出力側ハイパスフィルタ回路HPF2を構成している。また、トラップ用コンデンサC5とトラップ用インダクタL3はLC直列共振回路を構成し、トラップ回路Tを形成している。
【0053】
ハイパスフィルタ回路HPF1,HPF2のコンデンサC1,C2は、入出力端子72,73に対して直列に接続されている。ハイパスフィルタ回路HPF1,HPF2のインダクタL1,L2は、入出力端子72,73に対して並列に接続され、かつ、その一端はグランド端子G1に接続されている。トラップ回路Tは、ハイパスフィルタ回路HPF1,HPF2の間に、入出力端子72,73に対して並列に接続され、その一端はグランド端子G1,G2に接続されている。
【0054】
こうして、狭帯域設計に適し、小型化かつ低背化が可能な積層型LCハイパスフィルタ51を得ることができる。
【0055】
さらに、本第3実施形態では、トラップ回路TのインダクタL3と、ハイパスフィルタ回路HPF1,HPF2のインダクタL1,L2とを、積層体71の積み重ね方向において上下に配置している。これにより、インダクタL1,L2とインダクタL3間の磁気結合を抑えることができる。このため、ハイパスフィルタ回路HPF1,HPF2を流れる信号がトラップ回路TのインダクタL3に流れ込みにくくなり、ハイパスフィルタ回路HPF1,HPF2とトラップ回路Tを互いに独立して設計することができ、設計が容易になる。また、ハイパスフィルタ回路HPF1,HPF2を流れる信号がトラップ回路Tを介してグランドに流れにくくなるため、入力インピーダンスが高くなる。このため、高周波特性(特に、入力反射特性S11)の劣化を防止することができる。なお、ハイパスフィルタ回路HPF1,HPF2のインダクタL1とL2同士が磁気結合しても高周波特性に殆ど影響はない。
【0056】
さらに、ハイパスフィルタ回路HPF1,HPF2のインダクタL1,L2とトラップ回路TのインダクタL3を異なる層に配置しているので、積層型LCハイパスフィルタ51内のスペースを効率良く利用することができ、積層型LCハイパスフィルタ51の小面積化に適した構造となっている。しかも、同一絶縁シート56に設けたインダクタ用ビアホール68aと69aの間隔、並びに同一絶縁シート57に設けたインダクタ用ビアホール68bと69bの間隔も広く設定できる。なぜなら、同一層に形成されるインダクタ用ビアホールの数が少なくなるからである。この結果、小面積でかつ、機械的強度の強い積層型LCハイパスフィルタ51を得ることができる。
【0057】
また、トラップ回路TのインダクタL3を、絶縁シート52〜59の積み重ね方向に連接されたインダクタ用ビアホール67a,67bにより構成しているので、コンデンサ導体60,61などの導体の主面がインダクタL3による磁力線と平行になる。従って、インダクタL3の磁力線によってコンデンサ導体60,61などの導体に発生する渦電流損が小さくなり、Qが劣化しにくい。さらに、インダクタL3の断面積も大きくできるので、Qが良くなる。この結果、Qの高いトラップ回路Tが構成され、シャープで減衰量の大きいトラップ回路Tが得られる。
【0058】
また、ハイパスフィルタ回路HPF1,HPF2のインダクタL1,L2の一部が、絶縁シート58の表面に形成された渦巻状コイル導体64,65にて構成されているので、インダクタL1,L2の高さ寸法はインダクタ用ビアホール68aと68bの合計長(あるいは、69aと69bの合計長)に殆ど等しくなり、インダクタL1,L2の高さ寸法を低く抑えることができる。
【0059】
また、絶縁シート58の表面に渦巻状のコイル導体64,65を形成できるため、大きなインダクタL1,L2が得られる。一方、ハイパスフィルタ回路HPF1,HPF2のインダクタL1,L2は大きなインダクタンスが必要であるが、トラップ回路TのインダクタL3は比較的小さいインダクタンスで十分である。例えば、2.4GHz帯の積層型LCハイパスフィルタ51の場合、L1=L2=1.5nH、C1=C2=2.54pF、L3=1.0nH、C5=9.56pFである。
【0060】
そのため、インダクタL1,L2とインダクタL3を異なる層に配置する構造を採用することにより、トラップ回路TのインダクタL3の長さを短くすることができる。なお、トラップ回路Tの中心周波数は(LC)1/2に逆比例する。従って、インダクタL3のインダクタンスを小さくした場合、同じ中心周波数を確保しようとすれば、コンデンサC5の静電容量を大きくする必要が生じる。しかし、コンデンサC5は絶縁シート52の厚みを薄くすることにより、静電容量を容易に大きくできるので問題はない。従って、インダクタL1,L2とインダクタL3を、積層体71の積層方向において重ねても、低背な積層型LCハイパスフィルタ51を得ることができる。
【0061】
また、インダクタL1,L2の一部、並びに、インダクタL3の全部がQの高い柱状インダクタ67,68,69で構成されているため、高周波特性の優れた積層型LCハイパスフィルタ51が得られる。特に、トラップ回路TのインダクタL3の全部を柱状インダクタ67で構成することにより、ハイパスフィルタ回路HPF1,HPF2の通過帯域近傍に高減衰の極を形成することが可能になり、急峻なフィルタ特性が実現できる。図13には、積層型LCハイパスフィルタ51の通過特性S21及び反射特性S11を示す。
【0062】
[第4実施形態、図14]
また、インダクタL1〜L3は、少なくともその一部が螺旋状コイル導体で構成されていてもよい。例えば、図14に示すように、トラップ回路TのインダクタL3が、絶縁シート75,76,77に設けたインダクタ用ビアホール(柱状インダクタ)80a,80b,80cと螺旋状コイル導体79a,79bとで構成されたものであってもよい。螺旋状コイル導体79a,79bや柱状インダクタ80a〜80cのQが高いので、急峻なフィルタ特性を有する積層型LCハイパスフィルタ51Aを実現できる。
【0063】
[第5実施形態、図15]
さらに、本発明は、これらの積層型LCハイパスフィルタ1,1A,51,51Aを組み合わせて構成したデュプレクサやトリプレクサなどのマルチプレクサのように、一つの積層体内に複数個のフィルタが内蔵されたものを含む。さらに、本発明は、そのようなマルチプレクサを用いた無線通信装置も含む。
【0064】
例えば、図15に示すように、前述の積層型LCハイパスフィルタ1を二つ用いたデュプレクサDPX、およびそれを用いた無線通信装置81がある。デュプレクサDPXは、積層型LCハイパスフィルタ1(1a,1b)を電気的に接続して構成されており、三つのポートP1,P2,P3を備えている。デュプレクサDPXのポートP1は、積層型LCハイパスフィルタ1aの一端に形成され、送信部TXに接続されている。デュプレクサDPXのポートP2は、積層型LCハイパスフィルタ1bの一端に形成され、受信部RXに接続されている。さらに、デュプレクサDPXのポートP3は、積層型LCハイパスフィルタ1aの他端および積層型LCハイパスフィルタ1bの他端に形成され、アンテナANTに接続されている。
【0065】
以上のように構成することで、積層型LCハイパスフィルタ1をデュプレクサとして用いることができる。従って、小型化かつ低背化が可能なデュプレクサを得ることができる。同様にして、積層型LCハイパスフィルタ1を、三つの周波数に対応したトリプレクサなどのマルチプレクサに用いることが可能である。なお、上述の実施形態では、デュプレクサDPXは二つの積層型LCハイパスフィルタ1から構成されているが、一つの積層型LCハイパスフィルタ1と、一つの表面弾性波フィルタ(SAWフィルタ)などの他のフィルタとから構成されてもよい。
【0066】
[他の実施形態]
なお、本発明に係るLCハイパスフィルタ回路、積層型LCハイパスフィルタ、マルチプレクサおよび無線通信装置は、前記実施形態に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
【0067】
また、本発明は、例えば、RFダイオードスイッチ、送受信デバイス、RFモジュールなどの高周波複合部品において、それらの部品の一部に本発明に係るLCハイパスフィルタ回路や積層型LCハイパスフィルタの構造が適用されたものも含む。
【0068】
さらに、前記実施形態は、それぞれ導体やビアホールが形成された絶縁シートを積み重ねた後、一体的に焼成するものであるが、必ずしもこれに限定されない。絶縁シートは予め焼成されたものを用いてもよい。また、以下に説明する製法によって積層型LCハイパスフィルタを製造してもよい。印刷等の方法によりペースト状の絶縁材料にて絶縁層を形成した後、その絶縁層の表面にペースト状の導電性材料を塗布して導体やビアホールを形成する。次にペースト状の絶縁材料を上から塗布して絶縁層とする。同様にして、順に重ね塗りすることにより積層構造を有するLCハイパスフィルタが得られる。
【0069】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、二つのハイパスフィルタ回路と一つのトラップ回路を内蔵することにより、トラップ回路の減衰極の位置を、ハイパスフィルタ回路の通過帯域近傍に近付けることができる。従って、急峻なLCハイパスフィルタ回路が得られる。さらに、トラップ回路のコンデンサとインダクタの中間接続点と、入出力端子との間に帯域調整用コンデンサを電気的に接続することにより、インピーダンスが低い信号経路を別に形成でき、LCハイパスフィルタ回路の広帯域化が可能となる。この結果、小型化かつ低背化が可能なLCハイパスフィルタ、マルチプレクサおよび無線通信装置を得ることができる。また、絶縁層の積み重ね方向に対して平行な軸を有するインダクタ用ビアホールによりインダクタを構成することにより、Qの高いハイパスフィルタやトラップが構成される。さらに、インダクタ用ビアホールの占有面積は小さいため、積層型LCハイパスフィルタの小面積化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る積層型LCハイパスフィルタの第1実施形態を示す分解斜視図。
【図2】図1に示した積層型LCハイパスフィルタの外観斜視図。
【図3】図2に示した積層型LCハイパスフィルタの模式断面図。
【図4】図2に示した積層型LCハイパスフィルタの電気等価回路図。
【図5】図2に示した積層型LCハイパスフィルタの通過特性および反射特性を示すグラフ。
【図6】図2に示した積層型LCハイパスフィルタの通過特性および反射特性を示すグラフ。
【図7】図2に示した積層型LCハイパスフィルタの通過特性および反射特性を示すグラフ。
【図8】図2に示した積層型LCハイパスフィルタの通過特性および反射特性を示すグラフ。
【図9】本発明に係る積層型LCハイパスフィルタの第2実施形態を示す分解斜視図。
【図10】本発明に係る積層型LCハイパスフィルタの第3実施形態を示す分解斜視図。
【図11】図10に示した積層型LCハイパスフィルタの外観斜視図。
【図12】図11に示した積層型LCハイパスフィルタの電気等価回路図。
【図13】図11に示した積層型LCハイパスフィルタの通過特性S21および反射特性S11を示すグラフ。
【図14】本発明に係る積層型LCハイパスフィルタの第4実施形態を示す分解斜視図。
【図15】本発明に係る無線通信装置の一実施形態を示すRF部分の電気回路ブロック図。
【図16】従来の積層型LCハイパスフィルタの分解斜視図。
【図17】図16に示した積層型LCハイパスフィルタの外観斜視図。
【図18】図17に示した積層型LCハイパスフィルタの電気等価回路図。
【符号の説明】
1,1A,51,51A…積層型LCハイパスフィルタ
2〜8,7A,8A,52〜59,75〜77…絶縁シート
13,61…ハイパスフィルタ用コンデンサ導体
14,15…帯域調整用コンデンサ導体
16,60…トラップ用コンデンサ導体
17,18,66…グランド導体
20a,20b,21,22,67a,67b,68a,68b,69a,69b,80a〜80c…インダクタ用ビアホール
25,71…積層体
26,72…入力端子
27,73…出力端子
G,G1,G2…グランド端子
41,42,64,65…渦巻状コイル導体
67,68,69…柱状インダクタ
79a,79b…螺旋状コイル導体
81…無線通信装置
ANT…アンテナ
DPX…デュプレクサ
TX…送信部
RX…受信部
C1,C2…ハイパスフィルタ用コンデンサ
C3…トラップ用コンデンサ
C4,C5…帯域調整用コンデンサ
L1,L2…ハイパスフィルタ用インダクタ
L3…トラップ用インダクタ
HPF1,HPF2…ハイパスフィルタ回路
T…トラップ回路
Claims (11)
- 一対の入出力端子と、
前記一対の入出力端子に対して直列に接続されたコンデンサと、前記一対の入出力端子に対して並列に接続されかつ接地されたインダクタとからなる複数のハイパスフィルタ回路と、
隣接する二つの前記ハイパスフィルタ回路の間に前記一対の入出力端子に対してシャント接続されかつ一端が接地された、コンデンサとインダクタの直列回路からなるトラップ回路と、
前記トラップ回路のコンデンサとインダクタの中間接続点と、前記入出力端子との間に電気的に接続された帯域調整用コンデンサと、を備え、
前記トラップ回路のコンデンサとインダクタのうち、コンデンサ側が接地されていること、
を特徴とするLCハイパスフィルタ回路。 - 一対の入出力端子に対して並列に接続されかつ一端が接地された前記インダクタと、一対の入出力端子に対してシャント接続されかつ一端が接地された前記トラップ回路との間に、それぞれ前記ハイパスフィルタ回路のコンデンサが接続されていることを特徴とする請求項1に記載のLCハイパスフィルタ回路。
- 複数の絶縁層と複数のコンデンサ導体と複数のコイル導体とを積み重ねて構成した積層体と、
前記積層体の表面に設けた一対の入出力端子およびグランド端子と、
前記積層体内に前記コンデンサ導体にて形成された第1コンデンサおよびコイル導体にて形成された第1インダクタにより構成された複数のハイパスフィルタと、
前記積層体内に前記コンデンサ導体にて形成された第2コンデンサとコイル導体にて形成された第2インダクタとで直列回路を構成されたトラップと、
前記積層体内に前記コンデンサ導体にて形成された帯域調整用コンデンサと、を備え、
前記ハイパスフィルタの第1コンデンサのそれぞれが、前記一対の入出力端子に対して直列に接続され、前記第1インダクタのそれぞれが、前記一対の入出力端子に対して並列に接続されかつ前記グランド端子に接続され、
前記トラップが、隣接する二つの前記ハイパスフィルタ回路の間に前記一対の入出力端子に対してシャント接続されるとともに、前記第2コンデンサと第2インダクタの直列回路が前記グランド端子に接続され、
前記トラップの第2コンデンサと第2インダクタの中間接続点と、前記入出力端子との間に前記帯域調整用コンデンサが接続され、
前記トラップの第2コンデンサと第2インダクタのうち、第2コンデンサ側が前記グランド端子に接続されていること、
を特徴とする積層型LCハイパスフィルタ。 - 前記第1インダクタのコイル導体と前記第2インダクタのコイル導体が、前記積層体の積み重ね方向において異なる位置に配設されていることを特徴とする請求項3に記載の積層型LCハイパスフィルタ。
- 前記第1インダクタのコイル導体と前記第2インダクタのコイル導体のうち少なくとも一部が、前記絶縁層に設けたインダクタ用ビアホールであることを特徴とする請求項3または請求項4に記載の積層型LCハイパスフィルタ。
- 前記第1インダクタのコイル導体と前記第2インダクタのコイル導体のうち少なくとも一部が、前記絶縁層に設けた螺旋状コイル導体であることを特徴とする請求項3〜請求項5のいずれかに記載の積層型LCハイパスフィルタ。
- 前記第1インダクタのコイル導体と前記第2インダクタのコイル導体のうち少なくとも一部が、前記絶縁層に設けた渦巻状コイル導体であることを特徴とする請求項3〜請求項6のいずれかに記載の積層型LCハイパスフィルタ。
- 前記絶縁層の積み重ね方向において、前記トラップが前記ハイパスフィルタより上側に配置されていることを特徴とする請求項3〜請求項7のいずれかに記載の積層型LCハイパスフィルタ。
- 前記ハイパスフィルタの第1インダクタが、前記絶縁層の積み重ね方向に対して平行な軸を有するインダクタ用ビアホールを主とし、前記絶縁層の表面に設けられた螺旋状コイル導体もしくは渦巻状コイル導体を従として、電気的に接続して構成されていることを特徴とする請求項6〜請求項8のいずれかに記載の積層型LCハイパスフィルタ。
- 請求項3〜請求項9に記載の積層型LCハイパスフィルタの少なくともいずれか一つを備えたことを特徴とするマルチプレクサ。
- 請求項3〜請求項9に記載の積層型LCハイパスフィルタ、もしくは、請求項10に記載のマルチプレクサの少なくともいずれか一つを備えたことを特徴とする無線通信装置。
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