JP6128292B2 - ローパスフィルタ - Google Patents

Description

本発明は、ローパスフィルタに関し、より特定的には、２つのＬＣ並列共振器を備えたローパスフィルタに関する。

従来のローパスフィルタに関する発明として、特許文献１に記載のローパスフィルタが知られている。該ローパスフィルタは、第１のコンデンサないし第３のコンデンサ、第１のインダクタ及び第２のインダクタを備えている。第１のコンデンサ及び第１のインダクタは、第１のＬＣ並列共振器を構成しており、第２のコンデンサ及び第２のインダクタは、第２のＬＣ並列共振器を構成している。第１のＬＣ並列共振器と第２のＬＣ並列共振器とは、直列に接続されている。また、第３のコンデンサは、第１のＬＣ並列共振器と第２の並列共振器との間の部分とグランドとの間に接続されている。

ところで、特許文献１に記載のローパスフィルタでは、２つの減衰極の間隔を調整することが困難である。図６は、特許文献１に記載のローパスフィルタと同等の構成を有する比較例に係るローパスフィルタの通過特性｜Ｓ２１｜及び反射特性｜Ｓ１１｜のシミュレーション結果を示したグラフである。縦軸は通過特性及び反射特性を示し、横軸は周波数を示す。

ローパスフィルタでは、図６に示すように、通過帯域よりも高い周波数において、２つの減衰極が形成される。そして、ローパスフィルタにおいて、これらの減衰極の間隔を調整することにより、所望の通過特性を得たいという要望が存在する。このような減衰極の間隔の調整方法としては、第１のインダクタ及び第２のインダクタの構造を変更して、第１のインダクタと第２のインダクタとの磁気結合の強さを調整することが挙げられる。

しかしながら、第１のインダクタ導体と第２のインダクタ導体との磁気結合を調整するには、これらの距離を物理的に離すことで改善することができるが、このような変更を行うと、フィルタ全体の特性が劣化する可能性もあり、微調整を行うには容易な方法ではない。加えて、構造を変更することで、Ｑ値の劣化により、所望の減衰特性が得られない。

特開２０１３−２１４４９号公報

そこで、本発明の目的は、減衰極の間隔の調整を容易に行うことができるローパスフィルタを提供することである。

本発明の一形態に係るローパスフィルタは、複数の絶縁体層が積層方向に積層されて構成されている積層体と、前記積層方向の一方側の第１の端部及び該積層方向の他方側の第２の端部を有する第１のインダクタであって、複数の第１のインダクタ導体層と１以上の第２のビアホール導体とが接続されることにより該積層方向に進行しながら周回する螺旋状をなす第１のインダクタを含む第１のＬＣ並列共振器と、前記積層方向の一方側の第３の端部及び該積層方向の他方側の第４の端部を有する第２のインダクタであって、複数の第２のインダクタ導体層と１以上の第３のビアホール導体とが接続されることにより該積層方向に進行しながら周回する螺旋状をなす第２のインダクタを含み、かつ、前記第１のＬＣ並列共振器に対して直列に接続されている第２のＬＣ並列共振器と、前記第１のインダクタの前記第１の端部及び前記第２のインダクタの前記第３の端部に接続されている第１のビアホール導体であって、該第１のインダクタの前記第２の端部及び該第２のインダクタの前記第４の端部よりも該積層方向の他方側まで延在している第１のビアホール導体と、前記第１のインダクタの少なくとも一部及び前記第２のインダクタの一部に対して並列に接続されている第１のコンデンサであって、第１のコンデンサ導体層を含む第１のコンデンサと、を備えており、前記第２の端部は、前記積層方向において最も他方側に位置する前記第１のインダクタ導体層の端部であり、前記第４の端部は、前記積層方向において最も他方側に位置する前記第２のインダクタ導体層の端部であること、を特徴とする。

本発明によれば、減衰極の間隔の調整を容易に行うことができる。

第１の実施形態に係るローパスフィルタ１０の等価回路図である。 ローパスフィルタ１０の分解斜視図である。 ローパスフィルタ１０の通過特性｜Ｓ２１｜及び反射特性｜Ｓ１１｜のシミュレーション結果を示したグラフである。 第２の実施形態に係るローパスフィルタ１０ａの等価回路図である。 ローパスフィルタ１０ａの分解斜視図である。 比較例に係るローパスフィルタの通過特性｜Ｓ２１｜及び反射特性｜Ｓ１１｜のシミュレーション結果を示したグラフである。

以下に、本発明の実施形態に係るローパスフィルタについて図面を参照しながら説明する。

（第１の実施形態）
（ローパスフィルタの構成）
以下、本発明の第１の実施形態に係るローパスフィルタの構成について図面を参照しながら説明する。図１は、第１の実施形態に係るローパスフィルタ１０の等価回路図である。

ローパスフィルタ１０は、図１に示すように、ＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ２、インダクタＬ３，Ｌ４及びコンデンサＣ３〜Ｃ６及び外部電極１４ａ〜１４ｃを備えている。外部電極１４ａ，１４ｂは、入出力端子であり、外部電極１４ｃは、接地端子である。

ＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ２（第１のＬＣ並列共振器及び第２のＬＣ並列共振器の一例）は、外部電極１４ａと外部電極１４ｂとの間においてこの順に直列に接続されている。ＬＣ並列共振器ＬＣ１は、インダクタＬ１（第１のインダクタの一例）及びコンデンサＣ１（第３のコンデンサの一例）を含んでいる。インダクタＬ１とコンデンサＣ１とは互いに並列に接続されている。ＬＣ並列共振器ＬＣ２は、インダクタＬ２（第２のインダクタの一例）及びコンデンサＣ２を含んでいる。インダクタＬ２とコンデンサＣ２とは互いに並列に接続されている。

インダクタＬ３の一端は、インダクタＬ１とインダクタＬ２との間の部分に接続され、インダクタＬ３の他端は、コンデンサＣ１とコンデンサＣ２との間の部分に接続されている。

インダクタＬ４の一端は、外部電極１４ｃに接続されている。コンデンサＣ３の一方の電極は、外部電極１４ａに接続され、コンデンサＣ３の他方の電極は、インダクタＬ４の他端に接続されている。コンデンサＣ４の一方の電極は、外部電極１４ｂに接続され、コンデンサＣ４の他方の電極は、インダクタＬ４の他端に接続されている。

コンデンサＣ５（第２のコンデンサの一例）の一方の電極は、コンデンサＣ１とコンデンサＣ２との間の部分に接続され、コンデンサＣ５の他方の電極は、インダクタＬ４の他端に接続されている。

コンデンサＣ６（第１のコンデンサの一例）は、インダクタＬ１及びインダクタＬ２の一部に対して並列に接続されている。

次に、ローパスフィルタ１０の具体的な構成について図面を参照しながら説明する。図２は、ローパスフィルタ１０の分解斜視図である。以下では、ローパスフィルタ１０の積層方向を上下方向と定義し、上側から平面視したときに、ローパスフィルタ１０の長辺が延在している方向を左右方向と定義し、上側から平面視したときのローパスフィルタ１０の短辺が延在している方向を前後方向と定義する。上下方向、左右方向及び前後方向は直交している。

ローパスフィルタ１０は、図２に示すように、積層体１２、外部電極１４ａ〜１４ｃ、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｈ，２０ａ〜２０ｈ，４０、コンデンサ導体層２２ａ，２２ｂ，２４ａ，２４ｂ，２６，３０，３２，３４、グランド導体層２８（２８ａ〜２８ｃ）、接続導体層３１，３６，３８及びビアホール導体ｖ１〜ｖ９，ｖ１１〜ｖ１６を備えている。

積層体１２は、図２に示すように、絶縁体層１６ａ〜１６ｐ（複数の絶縁体層の一例）が上側から下側に向かってこの順に並ぶように積層されて構成され、直方体状をなしている。絶縁体層１６は、長方形状の誘電体層である。以下では、絶縁体層１６の上側の主面を表面と呼び、絶縁体層１６の下側の主面を裏面と呼ぶ。

外部電極１４ａ，１４ｃ，１４ｂは、長方形状をなしており、積層体１２の下面において左側から右側へとこの順に並ぶように設けられている。外部電極１４ａ〜１４ｃは、積層体１２の下面のみに設けられており、積層体１２の前面、後面、左面及び右面には設けられていない。外部電極１４ａ〜１４ｃは、銀又は銅からなる下地電極上にＮｉめっき及びＳｎめっきもしくはＡｕめっきが施されることにより作製される。

インダクタ導体層１８ａ〜１８ｈはそれぞれ、絶縁体層１６ｂ〜１６ｉの表面の左半分の領域に設けられており、長方形状の環状の一部が切り欠かれた線状の導体層である。インダクタ導体層１８ａ〜１８ｈは、上側から平面視したときに、互いに重なり合って長方形状の環状の軌道を形成している。以下では、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｈの時計回り方向の上流側の端部を上流端と呼び、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｈの時計回り方向の下流側の端部を下流端と呼ぶ。

インダクタ導体層１８ａとインダクタ導体層１８ｂとは同じ形状をなしており、上側から平面視したときに、一致した状態で重なっている。インダクタ導体層１８ｃとインダクタ導体層１８ｄとは同じ形状をなしており、上側から平面視したときに、一致した状態で重なっている。インダクタ導体層１８ｅとインダクタ導体層１８ｆとは同じ形状をなしており、上側から平面視したときに、一致した状態で重なっている。インダクタ導体層１８ｇとインダクタ導体層１８ｈとは同じ形状をなしており、上側から平面視したときに、一致した状態で重なっている。

ビアホール導体ｖ１は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｄを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂの上流端とインダクタ導体層１８ｃ，１８ｄの下流端とを接続している。ビアホール導体ｖ２は、絶縁体層１６ｄ〜１６ｆを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層１８ｃ，１８ｄの上流端とインダクタ導体層１８ｅ，１８ｆの下流端とを接続している。ビアホール導体ｖ３は、絶縁体層１６ｆ〜１６ｈを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層１８ｅ，１８ｆの上流端とインダクタ導体層１８ｇ，１８ｈの下流端とを接続している。これにより、インダクタ導体層１８ａとインダクタ導体層１８ｂとが並列に接続され、インダクタ導体層１８ｃとインダクタ導体層１８ｄとが並列に接続され、インダクタ導体層１８ｅとインダクタ導体層１８ｆとが並列に接続され、インダクタ導体層１８ｇとインダクタ導体層１８ｈとが並列に接続されている。

以上のようなインダクタ導体層１８ａ〜１８ｈ及びビアホール導体ｖ１〜ｖ３は、インダクタＬ１に含まれている。インダクタＬ１は、上側から平面視したときに、時計回り方向に周回しながら下側から上側へと進行する螺旋状をなしている。

コンデンサ導体層２２ａ，２２ｂは、絶縁体層１６ｌ，１６ｎの表面の左半分の領域に設けられている長方形状の導体層である。コンデンサ導体層２２ａ，２２ｂは、同じ形状をなしており、上側から平面視したときに、一致した状態で重なっている。

グランド導体層２８（第１のグランド導体層の一例）は、絶縁体層１６ｍの表面に設けられており、十字型の導体層である。グランド導体層２８は、絶縁体層１６ｍの中央に設けられている長方形状の本体２８ａと、本体から左右方向のそれぞれに突出する帯状の突出部２８ｂ，２８ｃとを含んでいる。コンデンサ導体層２２ａと突出部２８ｂとは、絶縁体層１６ｌを介して対向しており、コンデンサ導体層２２ｂと突出部２８ｂとは、絶縁体層１６ｍを介して対向している。以上のようなコンデンサ導体層２２ａ，２２ｂ及びグランド導体層２８は、コンデンサＣ３に含まれている。コンデンサＣ３は、インダクタＬ１，Ｌ２よりも下側に設けられている。

接続導体層３６は、絶縁体層１６ｏの表面の左半分の領域に設けられており、前後方向に延在する線状をなしている。

ビアホール導体ｖ５は、絶縁体層１６ｎを上下方向に貫通しており、コンデンサ導体層２２ｂと接続導体層３６の後端とを接続している。ビアホール導体ｖ６は、絶縁体層１６ｏ，１６ｐを上下方向に貫通しており、接続導体層３６の前端と外部電極１４ａとを接続している。これにより、コンデンサＣ３の一方の電極（コンデンサ導体層２２ａ，２２ｂ）は、外部電極１４ａに接続されている。

ビアホール導体ｖ４は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｍを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層１８ｇ，１８ｈの上流端とコンデンサ導体層２２ａ，２２ｂとを接続している。これにより、インダクタＬ１は、外部電極１４ａに接続されている。

インダクタ導体層４０は、絶縁体層１６ｏの表面の中央近傍に設けられており、長方形の１辺が切り欠かれた形状をなしている。インダクタ導体層４０の反時計回り方向の上流側の端部を上流端と呼び、インダクタ導体層４０の反時計回り方向の下流側の端部を下流端と呼ぶ。インダクタ導体層４０は、インダクタＬ４に含まれている。

ビアホール導体ｖ８は、絶縁体層１６ｍ，１６ｎを上下方向に貫通しており、グランド導体層２８とインダクタ導体層４０の上流端とを接続している。これにより、コンデンサＣ３の他方の電極（グランド導体層２８）は、インダクタＬ４に接続されている。

ビアホール導体ｖ９は、絶縁体層１６ｏ，１６ｐを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層４０の下流端と外部電極１４ｃとを接続している。これにより、インダクタＬ４は、外部電極１４ｃに接続されている。よって、グランド導体層２８は、ビアホール導体ｖ８，ｖ９及びインダクタ導体層４０を介して、外部電極１４ｃと電気的に接続されている。

コンデンサ導体層２６（第２のコンデンサ導体層の一例）は、絶縁体層１６ｌの表面の中央に設けられている長方形状の導体層である。グランド導体層２８の本体２８ａとコンデンサ導体層２６とは、上側から平面視したときに、絶縁体層１６ｌを介して対向している。これにより、コンデンサ導体層２６及びグランド導体層２８は、コンデンサＣ５に含まれている。また、コンデンサＣ５は、インダクタＬ１，Ｌ２よりも下側に設けられている。

コンデンサ導体層３０は、絶縁体層１６ｋの表面の左半分の領域に設けられている長方形状の導体層である。コンデンサ導体層２２ａとコンデンサ導体層３０とは、上側から平面視したときに、絶縁体層１６ｋを介して、対向している。これにより、コンデンサ導体層２２ａ，３０は、コンデンサＣ１に含まれている。コンデンサＣ１は、インダクタＬ１，Ｌ２よりも下側に設けられている。

インダクタ導体層２０ａ〜２０ｈ、コンデンサ導体層２４ａ，２４ｂ，３２、接続導体層３８及びビアホール導体ｖ１１〜ｖ１６はそれぞれ、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｈ、コンデンサ導体層２２ａ，２２ｂ，３０、接続導体層３６及びビアホール導体ｖ１〜ｖ６と絶縁体層１６ａ〜１６ｏの中央（対角線の交点）に関して点対称な関係にある。したがって、インダクタ導体層２０ａ〜２０ｈ、コンデンサ導体層２４ａ，２４ｂ，３２、接続導体層３８及びビアホール導体ｖ１１〜ｖ１６の詳細な説明については省略する。なお、インダクタ導体層１８ａの下流端とインダクタ導体層２０ａの上流端とは接続されており、インダクタ導体層１８ｂの下流端とインダクタ導体層２０ｂの上流端とは接続されている。すなわち、インダクタＬ１の上端とインダクタＬ２の上端とは接続されている。これにより、インダクタＬ１とインダクタＬ２とが直列に接続されている。

インダクタ導体層２０ａ〜２０ｈ及びビアホール導体ｖ１１〜ｖ１３は、インダクタＬ２に含まれている。コンデンサ導体層２４ａ，２４ｂ及びグランド導体層２８は、コンデンサＣ４に含まれている。コンデンサ導体層２４ａ，３２は、コンデンサＣ２に含まれている。

ビアホール導体ｖ７（第１のビアホール導体の一例）は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｋを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂの下流端（すなわち、インダクタＬ１の上端・第１の端部の一例）及びインダクタ導体層２０ａ，２０ｂの上流端（すなわち、インダクタＬ２の上端・第３の端部の一例）とコンデンサ導体層２６とを接続している。したがって、ビアホール導体ｖ７は、インダクタＬ１の下端（第２の端部の一例）及びインダクタＬ２の下端（第４の端部の一例）よりも下側まで延在している。ビアホール導体ｖ７は、インダクタＬ３に含まれている。これにより、インダクタＬ３の一端は、インダクタＬ１とインダクタＬ２との間の部分に接続されている。

接続導体層３１は、絶縁体層１６ｋの表面に設けられており、左右方向に延在する線状の導体層である。接続導体層３１は、コンデンサ導体層３０とコンデンサ導体層３２とを接続している。これにより、コンデンサＣ１とコンデンサＣ２とが直列に接続されている。

また、接続導体層３１は、ビアホール導体ｖ７に接続されている。これにより、インダクタＬ３の他端は、コンデンサＣ１とコンデンサＣ２との間の部分に接続されている。更に、コンデンサＣ１がインダクタＬ１に並列に接続されると共に、コンデンサＣ２がインダクタＬ２に並列に接続される。

コンデンサ導体層３４（第１のコンデンサ導体層の一例）は、絶縁体層１６ｊの表面に設けられており、左右方向に延在する線状の導体層である。コンデンサ導体層３４の左端は、ビアホール導体ｖ４に接続されている。すなわち、コンデンサ導体層３４の左端は、インダクタＬ１とコンデンサＣ１との間の部分に接続されている。コンデンサ導体層３４の右端は、上側から平面視したときに、インダクタＬ２（すなわち、インダクタ導体層２０ｅ，２０ｆ）と重なっている。コンデンサ導体層３４は、コンデンサＣ６に含まれている。これにより、コンデンサＣ６は、インダクタＬ１及びインダクタＬ２の一部に対して並列に接続されている。すなわち、コンデンサＣ６は、コンデンサ導体層３４により形成されている。

インダクタ導体層１８ａ〜１８ｈ，２０ａ〜２０ｈ，４０、コンデンサ導体層２２ａ，２２ｂ，２４ａ，２４ｂ，２６，３０，３２，３４、グランド導体層２８、接続導体層３１，３６，３８及びビアホール導体ｖ１〜ｖ９，ｖ１１〜ｖ１６は、例えば、Ｃｕ等の導電性材料により作製されている。

（効果）
本実施形態に係るローパスフィルタ１０によれば、減衰極の間隔の調整を容易に行うことができる。図３は、ローパスフィルタ１０の通過特性｜Ｓ２１｜及び反射特性｜Ｓ１１｜のシミュレーション結果を示したグラフである。縦軸は通過特性及び反射特性を示し、横軸は周波数を示す。なお、図６は、比較例に係るローパスフィルタの通過特性｜Ｓ２１｜及び反射特性｜Ｓ１１｜のシミュレーション結果を示したグラフである。比較例に係るローパスフィルタは、コンデンサ導体層３４が設けられていない点においてローパスフィルタ１０と相違する。比較例に係るローパスフィルタの各構成の参照符号については、ローパスフィルタ１０の各構成の参照符号と同じものを用いて説明する。

比較例に係るローパスフィルタでは、ビアホール導体ｖ７は、インダクタＬ１の上端及びインダクタＬ２の上端に接続されており、インダクタＬ１の下端及びインダクタＬ２の下端よりも下側まで延在している。ビアホール導体ｖ７は、上下方向に長いために大きなインダクタンス値を有し、インダクタＬ３を構成している。したがって、インダクタＬ３は、インダクタＬ１とインダクタＬ２とを強く磁気結合させる。インダクタＬ１とインダクタＬ２とが強く磁気結合すると、図６に示すように、ＬＣ並列共振器ＬＣ１とＬＣ並列共振器ＬＣ２とにより形成される２つの減衰極の間隔が近くなってしまう。

そこで、ローパスフィルタ１０では、コンデンサ導体層３４が設けられることにより、インダクタＬ１及びインダクタＬ２の一部に対してコンデンサＣ６が並列に接続されている。これにより、ローパスフィルタ１０では比較例に係るローパスフィルタに比べて、インダクタＬ１とインダクタＬ２との間における容量結合の度合いが大きくなるので、相対的にインダクタＬ１とインダクタＬ２との間における誘導結合の度合いが小さくなる。そのため、ローパスフィルタ１０では比較例に係るローパスフィルタに比べて、インダクタＬ１とインダクタＬ２との磁気結合が小さくなる。その結果、図３及び図６に示すように、ローパスフィルタ１０では比較例に係るローパスフィルタに比べて、ＬＣ並列共振器ＬＣ１とＬＣ並列共振器ＬＣ２とにより形成される２つの減衰極の間隔が離れる。そして、コンデンサＣ６の容量値を調整することにより、２つの減衰極の間隔を調整することができる。具体的には、コンデンサＣ６の容量値が大きくなるにしたがって、２つの減衰極の間隔が大きくなる。よって、ローパスフィルタ１０では、インダクタＬ１，Ｌ２の構造を変更することなく、２つの減衰極の間隔を調整することができる。以上より、ローパスフィルタ１０では、減衰極の間隔の調整を容易に行うことができる。

（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係るローパスフィルタの構成について図面を参照しながら説明する。図４は、第２の実施形態に係るローパスフィルタ１０ａの等価回路図である。図５は、ローパスフィルタ１０ａの分解斜視図である。

ローパスフィルタ１０ａの回路構成は、コンデンサＣ６の接続部分においてローパスフィルタ１０の回路構成と相違する。より詳細には、ローパスフィルタ１０ａでは、コンデンサＣ６は、インダクタＬ１の一部及びインダクタＬ２の一部に対して並列に接続されている。ローパスフィルタ１０ａのその他の回路構成は、ローパスフィルタ１０の回路構成と同じであるので説明を省略する。

ローパスフィルタ１０ａの具体的構成は、コンデンサ導体層３４の構造においてローパスフィルタ１０の具体的構成と相違する。より詳細には、ローパスフィルタ１０ａでは、コンデンサ導体層３４は、ビアホール導体ｖ４に接続されておらず、他の導体と接続されていない。その代わりに、コンデンサ導体層３４の左端は、上側から平面視したときに、インダクタＬ１（すなわち、インダクタ導体層１８ｅ，１８ｆ）と重なっている。コンデンサ導体層３４の右端は、上側から平面視したときに、インダクタＬ２（すなわち、インダクタ導体層２０ｅ，２０ｆ）と重なっている。コンデンサ導体層３４は、コンデンサＣ６に含まれている。これにより、コンデンサＣ６は、インダクタＬ１の一部及びインダクタＬ２の一部に対して並列に接続されている。

ローパスフィルタ１０ａによれば、ローパスフィルタ１０と同様に、減衰極の間隔の調整を容易に行うことができる。

また、ローパスフィルタ１０ａでは、コンデンサＣ６は、インダクタＬ１とコンデンサ導体層３４との間に形成されたコンデンサと、コンデンサ導体層３４とインダクタＬ２との間に形成されたコンデンサとが直列に接続されて構成されている。したがって、ローパスフィルタ１０ａのコンデンサＣ６の容量値は、ローパスフィルタ１０のコンデンサＣ６の容量値の半分である。このように、コンデンサ導体層３４の接続のさせ方により、コンデンサＣ６の容量値を調整することができる。よって、減衰極の間隔の調整を行うことができる。

（その他の実施形態）
本発明に係るローパスフィルタは、ローパスフィルタ１０，１０ａに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。

なお、ローパスフィルタ１０の構成とローパスフィルタ１０ａの構成とを任意に組み合わせてもよい。

また、コンデンサＣ６は、インダクタＬ１（第２のインダクタの一例）の一部とインダクタＬ２（第１のインダクタの一例）とに対して並列に接続されていてもよい。

また、ローパスフィルタ１０において、コンデンサ導体層３４は、インダクタＬ１（すなわち、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｈ及びビアホール導体ｖ１〜ｖ３）に直接に接続されていてもよい。

なお、ローパスフィルタ１０，１０ａは、ＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ２に加えて、更なるＬＣ並列共振器を備えていてもよい。

以上のように、本発明は、ローパスフィルタに有用であり、特に、減衰極の間隔の調整を容易に行うことができる点において優れている。

１０，１０ａ：ローパスフィルタ
１２：積層体
１４ａ〜１４ｃ：外部電極
１６ａ〜１６ｐ：絶縁体層
１８ａ〜１８ｈ，２０ａ〜２０ｈ，４０：インダクタ導体層
２２ａ，２２ｂ，２４ａ，２４ｂ，２６，３０，３２，３４：コンデンサ導体層
２８：グランド導体層
Ｃ１〜Ｃ６：コンデンサ
Ｌ１〜Ｌ４：インダクタ
ＬＣ１，ＬＣ２：ＬＣ並列共振器
ｖ１〜ｖ９，ｖ１１〜ｖ１６：ビアホール導体

Claims (6)

1. 複数の絶縁体層が積層方向に積層されて構成されている積層体と、
   前記積層方向の一方側の第１の端部及び該積層方向の他方側の第２の端部を有する第１のインダクタであって、複数の第１のインダクタ導体層と１以上の第２のビアホール導体とが接続されることにより該積層方向に進行しながら周回する螺旋状をなす第１のインダクタを含む第１のＬＣ並列共振器と、
   前記積層方向の一方側の第３の端部及び該積層方向の他方側の第４の端部を有する第２のインダクタであって、複数の第２のインダクタ導体層と１以上の第３のビアホール導体とが接続されることにより該積層方向に進行しながら周回する螺旋状をなす第２のインダクタを含み、かつ、前記第１のＬＣ並列共振器に対して直列に接続されている第２のＬＣ並列共振器と、
   前記第１のインダクタの前記第１の端部及び前記第２のインダクタの前記第３の端部に接続されている第１のビアホール導体であって、該第１のインダクタの前記第２の端部及び該第２のインダクタの前記第４の端部よりも該積層方向の他方側まで延在している第１のビアホール導体と、
   前記第１のインダクタの少なくとも一部及び前記第２のインダクタの一部に対して並列に接続されている第１のコンデンサであって、第１のコンデンサ導体層を含む第１のコンデンサと、
   を備えており、
   前記第２の端部は、前記積層方向において最も他方側に位置する前記第１のインダクタ導体層の端部であり、
   前記第４の端部は、前記積層方向において最も他方側に位置する前記第２のインダクタ導体層の端部であること、
   を特徴とするローパスフィルタ。
2. 前記第１のインダクタ及び前記第２のインダクタよりも前記積層方向の他方側に設けられ、かつ、互いに対向する第２のコンデンサ導体層及び第１のグランド導体層を有する第２のコンデンサを、
   更に備えており、
   前記第１のビアホール導体は、前記第２のコンデンサ導体層に接続されていること、
   を特徴とする請求項１に記載のローパスフィルタ。
3. 前記積層体の前記積層方向の他方側の面に設けられている外部電極を、
   更に備えており、
   前記外部電極と前記第１のグランド導体層とは電気的に接続されていること、
   を特徴とする請求項２に記載のローパスフィルタ。
4. 前記第１のＬＣ並列共振器は、前記第１のインダクタに並列に接続されている第３のコンデンサを更に含んでおり、
   前記第１のコンデンサ導体層は、前記第１のインダクタの前記第２の端部と前記第３のコンデンサとの間、又は、該第１のインダクタに接続されていると共に、前記積層方向から平面視したときに、前記第２のインダクタと重なっていること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のローパスフィルタ。
5. 前記第１のコンデンサ導体層は、前記積層方向から平面視したときに、前記第１のインダクタ及び前記第２のインダクタと重なっていること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のローパスフィルタ。
6. 前記第１のインダクタは、所定方向に周回しながら前記積層方向の他方側から一方側へと進行する螺旋状をなし、
   前記第２のインダクタは、所定方向に周回しながら前記積層方向の一方側から他方側へと進行する螺旋状をなし、
   前記第２の端部は、前記積層方向において最も他方側に位置する前記第１のインダクタ導体層における前記所定方向の上流側の端部であり、
   前記第４の端部は、前記積層方向において最も他方側に位置する前記第２のインダクタ導体層における前記所定方向の下流側の端部であること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のローパスフィルタ。

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