TWI639305B - 電子零件 - Google Patents

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TWI639305B
TWI639305B TW105135491A TW105135491A TWI639305B TW I639305 B TWI639305 B TW I639305B TW 105135491 A TW105135491 A TW 105135491A TW 105135491 A TW105135491 A TW 105135491A TW I639305 B TWI639305 B TW I639305B
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Abstract

本發明提供一種能夠增大通頻帶外的高頻區域中的衰減量的電子零件。與本發明所涉及的電子零件的特徵在於，具備：積層體；被設置於積層體的濾波器；被設置於積層體的輸入輸出端子；以及阻抗匹配用環通孔電感器，是被設置於積層體且連接在濾波器與輸入輸出端子之間的阻抗匹配用電感器，該阻抗匹配用環通孔電感器包括阻抗匹配用電感器導體層、以及從阻抗匹配用電感器導體層朝向積層方向延伸的第一阻抗匹配用通孔導體和第二阻抗匹配用通孔導體，不設置由與第一阻抗匹配用通孔導體和第二阻抗匹配用通孔導體分別連接的2個以上的導體層構成的電容器。

Description

電子零件
本發明係關於具備濾波器的電子零件。
作為與以往的電子零件有關的發明，例如已知專利文獻1所記載的積層帶通濾波器(以下僅稱為濾波器)。該濾波器具備5個LC並聯諧振器。5個LC並聯諧振器分別包括彼此並聯的電感器及電容器。
電感器具有線路電極、第一通孔電極以及第二通孔電極。線路電極是沿前後方向延伸的直線導體層。第一通孔電極以及第二通孔電極從線路電極的兩端朝向下方延伸。電容器具有電容器電極和接地電極。電容器電極連接於第一通孔電極的下端。接地電極連接於第二通孔電極的下端。這樣的LC並聯諧振器形成由電感器以及電容器圍起的環面。而且，5個LC並聯諧振器以相鄰的彼此的環面對向的方式在左右方向排列成一列。由此，相鄰的LC並聯諧振器彼此電磁耦合。以上那樣的濾波器構成帶通濾波器。
然而，在濾波器中有想要增大通頻帶外的高頻區域中的衰減量這樣的迫切期望。然而，在上述帶通濾波器中，通頻帶外的高頻區域中的衰減量並不充分。
現有技術文獻
專利文獻
國際公開第2007/119356號公報
鑒於此，本發明的目的在於提供一種能夠增大通頻帶外的高頻區域中的衰減量的電子零件。
本發明的一方式所涉及的電子零件的特徵在於，具備：積層體，藉由在積層方向積層多個絕緣體層所構成；濾波器，設置於上述積層體；輸入輸出端子，設置於上述積層體；以及阻抗匹配用環通孔電感器，是設置於上述積層體中且連接在上述濾波器與上述輸入輸出端子之間的阻抗匹配用電感器，其中，包含阻抗匹配用電感器導體層、以及從該阻抗匹配用電感器導體層朝向上述積層方向延伸的第一阻抗匹配用通孔導體和第二阻抗匹配用通孔導體，不設置由與上述第一阻抗匹配用通孔導體和上述第二阻抗匹配用通孔導體分別連接的2個以上的導體層構成的電容器，在上述第一阻抗匹配用通孔導體與上述第二阻抗匹配用通孔之間產生寄生電容。
根據本發明，能夠增大通頻帶外的高頻區域中的衰減量。
10a、10b，10c‧‧‧雙工器
12‧‧‧積層體
14a~14f‧‧‧外部電極
16a~16z、16aa‧‧‧絕緣體層
18a、18b、22a、22b、26a、26b、50a、50b‧‧‧電感器導體層
C1~C7、C11~C17、C20、Cp‧‧‧電容器
L1~L7、L20、L100‧‧‧電感器
LC1~LC3、LC20、LC100‧‧‧LC並聯諧振器
S1~S3，S100‧‧‧環面
v1~v11，v15~v17，v20~v23，v25~v30，v35~v38‧‧‧通孔導體
圖1係一實施形態所涉及的雙工器10a的等效電路圖。
圖2係雙工器10a、10b的外觀立體圖。
圖3係雙工器10a的分解立體圖。
圖4係雙工器10a的分解立體圖。
圖5係雙工器10a的分解立體圖。
圖6係從上側透視雙工器10a的絕緣體層16b~16d的圖。
圖7A係表示第一模型的模擬結果的圖表。
圖7B係表示第二模型的模擬結果的圖表。
圖8係變形例所涉及的雙工器10b的等效電路圖。
圖9係雙工器10b的分解立體圖。
圖10係雙工器10b的分解立體圖。
圖11係第三模型的模擬結果的圖表。
圖12係表示從上側透視其它的實施形態所涉及的雙工器10c的絕緣體層16b~16d的圖。
(双工器的結構)
以下參照附圖，對本發明的一實施形態所涉及的雙工器10a(電子零件的一個例子)的電路結構進行說明。圖1是一實施形態所涉及的雙工器10a的等效電路圖。此外，環通孔電感器是指由與電感器導體層的一端連接的通孔導體和與電感器導體層的另一端連接的通孔導體構成的電感器。
雙工器10a如圖1所示，具備訊號路徑SL1、SL2、外部電極14a~14f、電感器L1~L7、L100以及電容器C1~C7、C11~C17。
外部電極14a~14c是高頻訊號的輸入輸出端子。外部電極 14d~14f是與接地電位連接的接地端子。訊號路徑SL1的一端與外部電極14a連接。訊號路徑SL1的另一端與外部電極14b連接。訊號路徑SL2的一端與外部電極14a連接。訊號路徑SL2的另一端與外部電極14e連接。即，雙工器10a具有訊號路徑SL1和訊號路徑SL2分支的結構。
電容器C7和電感器L7透過並聯而構成LC並聯諧振器LC7，被設置於外部電極14a與訊號路徑SL1、SL2分支的位置之間。因此，LC並聯諧振器LC7的一端與外部電極14a連接。
電容器C11~C13以及電感器L100(阻抗匹配用環通孔電感器的一個例子)被設置在訊號路徑SL1上，在從外部電極14a朝向外部電極14b的方向按照該順序串聯。另外，電容器Cp是在電感器L100中產生的寄生電容，並與電感器L100並聯。由此，電感器L100和電容器Cp構成LC並聯諧振器LC100。
電容器C1和電感器L1藉由並聯而構成LC並聯諧振器LC1。LC並聯諧振器LC1的一端在電容器C11與電容器C12之間連接於訊號路徑SL1。LC並聯諧振器LC1的另一端與外部電極14e、14f連接。
電容器C2和電感器L2(第一環通孔電感器的一個例子)透過並聯而構成LC並聯諧振器LC2(第一LC並聯諧振器的一個例子)。LC並聯諧振器LC2的一端在電容器C12與電容器C13之間連接於訊號路徑SL1。LC並聯諧振器LC2的另一端與外部電極14e、14f連接。另外，電感器L1和電感器L2電磁耦合。
電容器C3和電感器L3(第二環通孔電感器的一個例子)藉由並聯而構成LC並聯諧振器LC3(第二LC並聯諧振器的一個例子)。LC 並聯諧振器LC3的一端在電容器C13與電感器L100之間連接於訊號路徑SL1。LC並聯諧振器LC3的另一端與外部電極14e、14f連接。另外，電感器L2和電感器L3電磁耦合。
電容器C14的一個電極在電容器C11與電容器C12之間連接於訊號路徑SL1。電容器C15的一個電極在電容器C12與電容器C13之間連接於訊號路徑SL1。電容器C16的一個電極在電容器C13與電感器L100之間連接於訊號路徑SL1。電容器C14~C16的另一個電極相互連接。
如以上那樣構成的LC並聯諧振器LC1~LC3以及電容器C11~C16例如構成具有以5GHz為中心頻率的第一通頻帶的帶通濾波器BPF(第一帶通濾波器的一個例子)。
電容器C4和電感器L4藉由並聯而構成LC並聯諧振器LC4。電容器C5和電感器L5藉由並聯而構成LC並聯諧振器LC5。並聯諧振器LC4、LC5被設置在訊號路徑SL2上，在從外部電極14a朝向外部電極14c的方向按照該順序串聯。LC並聯諧振器LC4的一端與LC並聯諧振器LC7的另一端連接。LC並聯諧振器LC5的另一端與外部電極14c連接。
電容器C6和電感器L6藉由串聯而構成LC串聯諧振器LC6。LC串聯諧振器LC6的一端在LC並聯諧振器LC4與LC並聯諧振器LC5之間連接於訊號路徑SL2。LC串聯諧振器LC6的另一端與外部電極14d連接。
電容器C17的一個電極連接在LC並聯諧振器LC5與外部電極14c之間。電容器C17的另一個電極與外部電極14d連接。
如以上那樣構成的LC並聯諧振器LC4、LC5、LC串聯諧振 器LC6以及電容器C17構成具有作為比第一通頻帶低的中心頻率的第二通頻帶的低通濾波器LPF。即，低通濾波器LPF在外部電極14a與外部電極14c之間使第二通頻帶的高頻訊號通過。
另外，LC並聯諧振器LC4、LC5使諧振頻率的高頻訊號不通過外部電極14a和外部電極14c。LC並聯諧振器LC4、LC5的諧振頻率例如是第二通頻帶的高頻側的附近的頻率。LC串聯諧振器LC6使成為LC串聯諧振器LC6的諧振頻率的高頻訊號不通過外部電極14a與外部電極14c之間。
如以上那樣構成的雙工器10a如上述，作為雙工器發揮作用。例如從外部電極14a輸入來的高頻訊號中的第一通頻帶(例如5GHz附近)的高頻訊號從外部電極14b輸出。從外部電極14a輸入來的高頻訊號中的第二通頻帶(例如2GHz)的高頻訊號從外部電極14c輸出。此外，與雙工器的各個濾波器對應的接地分離地構成，透過分離，能夠改善低通濾波器的通頻帶外的衰減量。
(雙工器的具體的結構)
接下來，參照附圖，對雙工器10a的具體結構進行說明。圖2是雙工器10a的外觀立體圖。圖3~圖5是雙工器10a的分解立體圖。圖6是從上側透視雙工器10a的絕緣體層16b~16d的圖。在圖6中僅示出電感器L1~L3以及電感器L100。在雙工器10a中，將積層體12的積層方向定義為上下方向。另外，在從上側觀察雙工器10a時，將雙工器10a的上面的長邊延伸的方向定義為左右方向(第二方向的一個例子)，將雙工器10a的上面的短邊延伸的方向定義為前後方向(第一方向的一個例子)。上下方向、前後方向 以及左右方向相互正交。
雙工器10a如圖2~圖5所示，具備積層體12、外部電極14a~14f、電感器導體層18a、18b、22a、22b、26a、26b、50a、50b、52、60a、60b、62a、62b、64a、64b、66a、66b、68a、68b、80、電容器導體層20、24、27、30、32、34、36、40、42、44、46、56、70a、70b、72、76、78、84、接地導體層28、82、連接導體層51、54、74以及通孔導體v1~v11、v15~v17、v20~v23、v25~v30、v35~v38，作為具體的結構。
積層體12如圖2所示，呈長方體狀，透過將絕緣體層16a~16z、16aa從上側至下側按照該順序積層而構成。積層體12的底面是位於積層體12的下側的面，是將雙工器10a構裝於電路基板上時與電路基板對向的構裝面。
絕緣體層16a~16z、16aa在從上側觀察時，呈具有沿左右方向延伸的長邊的長方形，例如由陶瓷等製成。以下，將絕緣體層16a~16z、16aa的上面稱為表面，將絕緣體層16a~16z、16aa的下面稱為內面。
作為一個例子，外部電極14a~14f被設置在積層體12的底面上而未設置在積層體12的前面、後面、右面以及左面。外部電極14a~14f呈長方形。外部電極14c、14e、14b沿著積層體12的底面的前側的長邊從左側至右側按照該順序排列成一列。外部電極14d、14a、14f沿著積層體12的底面的後側的長邊從左側至右側按照該順序排列成一列。外部電極14a~14f例如透過在由銅等構成的基底電極上實施鍍Ni以及鍍Sn或者鍍Ni以及鍍Au而製成。
首先，對LC並聯諧振器LC7進行說明。電感器L7被設置 於積層體12，包括電感器導體層52。電感器導體層52是被設置於絕緣體層16w的表面的後側的長邊的中央附近，在從上側觀察時沿著順時針方向環繞的線狀的導體層。以下，將電感器導體層52的順時針方向的上游側的端部稱為上游端，將電感器導體層52的順時針方向的下游側的端部稱為下游端。
電感器L7的一端(電感器導體層的上游端)經由連接導體層54以及通孔導體v20、v21與外部電極14a連接。連接導體層54是被設置在絕緣體層16z的表面的後側的長邊的中央附近，並沿左右方向延伸的線狀的導體層。通孔導體v20在上下方向貫通絕緣體層16z、16aa，將連接導體層54的右端和外部電極14a連接起來。通孔導體v21在上下方向貫通絕緣體層16w~16y，將電感器導體層52的上游端和連接導體層54的左端連接起來。
電容器C7是在從上側觀察時透過電容器導體層56和電感器導體層52重疊而形成的微小電容。
接下來，對訊號路徑SL1側的結構進行說明。首先，對電容器C11~C13以及電感器L100進行說明。電容器C11被設置於積層體12，包括電容器導體層30、40、56。電容器導體層56是被設置在絕緣體層16s的表面的中央附近，並具有沿左右延伸的帶狀部的導體層。電容器導體層30是被設置在絕緣體層16r的表面的中央附近，並呈長方形的導體層。電容器導體層30經由絕緣體層16r與電容器導體層56對向。電容器導體層40是被設置在絕緣體層16t的表面的中央附近，並呈長方形的導體層。電容器導體層40經由絕緣體層16s與電容器導體層56對向。
電容器C11的一個電極(電容器導體層56)經由通孔導體 v22與電感器L7的另一端(電感器導體層52的下游端)連接。通孔導體v22在上下方向貫通絕緣體層16s~16v，將電感器導體層52的下游端和電容器導體層56連接起來。
電容器C12被設置於積層體12，包括電容器導體層30、36。電容器導體層36是被設置在絕緣體層16q的表面的右半部分區域中，並沿左右方向延伸的帶狀的導體層。電容器導體層36經由絕緣體層16q與電容器導體層30對向。由此，使電容器C11的另一個電極(電容器導體層30)與電容器C12的一個電極(電容器導體層30)連接起來。
電容器C13被設置於積層體12，包括電容器導體層34、36。電容器導體層34是被設置在絕緣體層16r的表面的右端，並呈長方形的導體層。電容器導體層36經由絕緣體層16q與電容器導體層34對向。由此，使電容器C12的另一個電極(電容器導體層36)與電容器C13的一個電極(電容器導體層36)連接起來。
電感器L100(阻抗匹配用環通孔電感器的一個例子)被設置於積層體12，包括電感器導體層50a、50b(阻抗匹配用電感器導體層的一個例子)以及通孔導體v15、v16。電感器導體層50a、50b分別是被設置在絕緣體層16b、16c的表面的右半部分區域中，並沿前後方向延伸的線狀的導體層。電感器導體層50a、50b呈相同的形狀，在從上側觀察時，以一致的狀態重疊。通孔導體v15(第一阻抗匹配用通孔導體的一個例子)在上下方向貫通絕緣體層16b~16q，將電感器導體層50a、50b的後端和電容器導體層34連接起來。由此，使電容器C13的另一個電極(電容器導體層34)與電感器L100的一端(通孔導體v15的下端)連接起來。
通孔導體v16(第二阻抗匹配用通孔導體的一個例子)在上下方向貫通絕緣體層16b~16y，並與電感器導體層50a、50b的前端連接。如以上那樣，電感器L100具有通孔導體v15、v16從電感器導體層50a、50b朝向下側(積層方向的一個例子)延伸的結構。由此，如圖6所示，形成由電感器導體層50a、50b以及通孔導體v15、v16圍起的長方形的環面S100(阻抗匹配用環面的一個例子)。環面S100是與左右方向垂直的平面。
電感器L100的另一端(通孔導體v16的下端)經由連接導體層51以及通孔導體v17與外部電極14b連接。連接導體層51是被設置在絕緣體層16z的表面的右前的角附近，並沿左右方向延伸的線狀的導體層。通孔導體v16的下端與連接導體層51的左端連接。通孔導體v17在上下方向貫通絕緣體層16z、16aa，將連接導體層51的右端和外部電極14b連接起來。
然而，在通孔導體v15與通孔導體v16之間產生寄生電容。該寄生電容是電容器Cp。由此，電容器Cp與電感器L100並聯。而且，電感器L100以及電容器Cp構成LC並聯諧振器LC100。
此外，在LC並聯諧振器LC100中未設置由與通孔導體v15、v16分別連接的2個以上的電容器導體層構成的電容器。即，未設置與電感器L100並聯的電容器。由此，LC並聯諧振器LC100在外觀上僅由電感器L100構成。
接下來，對與訊號路徑SL1連接的LC並聯諧振器LC1進行說明。電感器L1包括電感器導體層18a、18b以及通孔導體v1、v2。電感器導體層18a、18b分別是被設置在絕緣體層16d、16e的表面的中央附近， 並沿前後方向延伸的線狀的導體層。電感器導體層18a、18b呈相同的形狀，在從上側觀察時以一致的狀態重疊。通孔導體v1在上下方向貫通絕緣體層16d~16q，將電感器導體層18a、18b的後端和電容器導體層30連接起來。由此，使電容器C11的另一個電極(電容器導體層30)以及電容器C12的一個電極(電容器導體層30)和電感器L1的一端(通孔導體v1的一端)連接起來。
通孔導體v2在上下方向貫通絕緣體層16d~16y，與電感器導體層18a、18b的前端連接。如以上那樣，電感器L1具有通孔導體v1、v2從電感器導體層18a、18b朝向下側(積層方向的一個例子)延伸的結構。由此，如圖6所示，形成由電感器導體層18a、18b以及通孔導體v1、v2圍起的長方形的環面S1。環面S1是與左右方向垂直的平面。
電感器L1的另一端(通孔導體v2的下端)經由接地導體層28以及通孔導體v10、v11與外部電極14e、14f連接。接地導體層28是被設置在絕緣體層16z的表面的右半部分區域中的面狀的導體層。通孔導體v2的下端與接地導體層28連接。通孔導體v10、v11分別在上下方向貫通絕緣體層16z、16aa，將接地導體層28和外部電極14e、14f連接起來。
電容器C1包括電容器導體層20以及接地導體層28。電容器導體層20是被設置在絕緣體層16y的表面的中央附近，並呈長方形的導體層。電容器導體層20經由絕緣體層16y與接地導體層28對向。
電容器C1的一個電極(電容器導體層20)經由電容器導體層30以及通孔導體v3與電感器L1的一端(通孔導體v1的下端)連接。通孔導體v3在上下方向貫通絕緣體層16r~16x，將電容器導體層40、電容器 導體層30、和電容器導體層20連接起來。
電容器C1的另一個電極(接地導體層28)經由通孔導體v10、v11與外部電極14e、14f連接。
接下來，對LC並聯諧振器LC2(第一LC並聯諧振器的一個例子)進行說明。電感器L2(第一環通孔電感器的一個例子)包括電感器導體層22a、22b以及通孔導體v4、v5。電感器導體層22a、22b(第一電感器導體層的一個例子)分別是被設置在絕緣體層16d、16e的表面上電感器導體層18a、18b的右側，並沿前後方向延伸的線狀的導體層。電感器導體層22a、22b呈相同的形狀，並在從上側觀察時以一致的狀態重疊。通孔導體v4(第一通孔導體的一個例子)在上下方向貫通絕緣體層16d~16s，將電感器導體層22a、22b的後端和電容器導體層32、36、42連接起來。由此，使電容器C12的另一個電極(電容器導體層36)以及電容器C13的一個電極(電容器導體層36)和電感器L2的一端(通孔導體v4)連接起來。
通孔導體v5(第二通孔導體的一個例子)在上下方向貫通絕緣體層16d~16y，並與電感器導體層22a、22b的前端連接。如以上那樣，電感器L2具有通孔導體v4、v5從電感器導體層22a、22b朝向下側(積層方向的一個例子)延伸的結構。由此，如圖6所示，形成由電感器導體層22a、22b以及通孔導體v4、v5圍起的長方形的環面S2(第一環面的一個例子)。環面S2是與左右方向垂直的平面，在環面S1的右側與環面S1對向。由此，電感器L1(LC並聯諧振器LC1)和電感器L2(LC並聯諧振器LC2)電磁耦合。
電感器L2的另一端(通孔導體v5的下端)經由接地導體層 28以及通孔導體v10、v11與外部電極14e、14f連接。
電容器C2包括電容器導體層24以及接地導體層28。電容器導體層24是被設置在絕緣體層16y的表面上電容器導體層20的右側，並呈長方形的導體層。電容器導體層24經由絕緣體層16y與接地導體層28對向。
電容器C2的一個電極(電容器導體層24)經由電容器導體層32、42以及通孔導體v6與電感器L2的一端(通孔導體v4的下端)連接。電容器導體層32是被設置在絕緣體層16r的表面上電容器導體層30的右側，並呈長方形的導體層。電容器導體層42是被設置在絕緣體層16t的表面上電容器導體層40的右側，並呈長方形的導體層。通孔導體v6在上下方向貫通絕緣體層16t~16x，將電容器導體層32、42和電容器導體層24連接起來。
電容器C2的另一個電極(接地導體層28)經由通孔導體v10、v11與外部電極14e、14f連接。
接下來，對LC並聯諧振器LC3(第二LC並聯諧振器的一個例子)進行說明。電感器L3(第二環通孔電感器的一個例子)包括電感器導體層26a、26b以及通孔導體v7、v8。電感器導體層26a、26b(第二電感器導體層的一個例子)分別是被設置在絕緣體層16d、16e的表面上電感器導體層22a、22b的右側，並沿前後方向延伸的線狀的導體層。電感器導體層26a、26b呈相同的形狀，並在從上側觀察時以一致的狀態重疊。通孔導體v7(第三通孔導體的一個例子)在上下方向貫通絕緣體層16d~16q，將電感器導體層26a、26b的後端和電容器導體層34連接起來。由此，使電 容器C13的另一個電極(電容器導體層34)、電感器L100的一端(通孔導體v15的下端)、和電感器L3的一端(通孔導體v7的下端)連接起來。
通孔導體v8(第四通孔導體的一個例子)在上下方向貫通絕緣體層16d~16y，並與電感器導體層26a、26b的前端連接。如以上那樣，電感器L3具有通孔導體v7、v8從電感器導體層26a、26b朝向下側(積層方向的一個例子)延伸的結構。由此，如圖6所示，形成由電感器導體層26a、26b以及通孔導體v7、v8圍起的長方形的環面S3(第二環面的一個例子)。環面S3是與左右方向垂直的平面，並在環面S2的右側與環面S2對向。由此，電感器L2(LC並聯諧振器LC2)和電感器L3(LC並聯諧振器LC3)電磁耦合。
電感器L3的另一端(通孔導體v8的下端)經由接地導體層28以及通孔導體v10、v11與外部電極14e、14f連接。
電容器C3包括電容器導體層27以及接地導體層28。電容器導體層27是被設置在絕緣體層16y的表面上電容器導體層24的右側，並呈長方形的導體層。電容器導體層27經由絕緣體層16y與接地導體層28對向。
電容器C3的一個電極(電容器導體層27)經由電容器導體層34、44以及通孔導體v9與電感器L3的一端(通孔導體v7的下端)連接。電容器導體層34是被設置在絕緣體層16r的表面上電容器導體層32的右側，並呈長方形的導體層。電容器導體層44是被設置在絕緣體層16t的表面上電容器導體層42的右側，並呈長方形的導體層。通孔導體v9在上下方向貫通絕緣體層16r~16x，將電容器導體層34、44和電容器導體層27連接 起來。
電容器C3的另一個電極(接地導體層28)經由通孔導體v10、v11與外部電極14e、14f連接。
接下來，對電容器C14~C16進行說明。電容器C14包括電容器導體層40以及電容器導體層46。電容器導體層46是被設置在絕緣體層16v的表面的右半部分區域中，並沿左右方向延伸的帶狀的導體層。電容器導體層40經由絕緣體層16t、16u與電容器導體層46對向。電容器C14的一個電極(電容器導體層40)經由電容器導體層30以及通孔導體v3與電感器L1的一端(通孔導體v1的下端)連接。
電容器C15包括電容器導體層42以及電容器導體層46。電容器導體層42經由絕緣體層16t、16u與電容器導體層46對向。電容器C15的一個電極(電容器導體層42)與電感器L2的一端(通孔導體v4的下端)連接。
電容器C16包括電容器導體層44以及電容器導體層46。電容器導體層44經由絕緣體層16t、16u與電容器導體層46對向。電容器C16的一個電極(電容器導體層44)經由電容器導體層34以及通孔導體v9與電感器L3的一端(通孔導體v7的下端)連接。
另外，電容器C14~C16的另一個電極(電容器導體層46)相互連接。
此處，對環面S2、S3、S100的關係進行說明。如圖6所示，環面S100與環面S2、S3對向。在本實施形態中，環面S100在從上側觀察時在左右方向位於環面S2與環面S3之間。由此，電感器L100和電感器L2、 L3電磁耦合。
另外，電感器導體層50a、50b比電感器導體層18a、18b、22a、22b、26a、26b長。而且，通孔導體v16比通孔導體v2、v5、v8長。由此，環面S2、S3在從右側觀察時被收納於環面S100而未伸出。
接下來，對訊號路徑SL2側的結構進行說明。首先，對LC並聯諧振器LC4進行說明。電感器L4被設置於積層體12，包括電感器導體層60a、60b、62a、62b、64a、64b以及通孔導體v25、v26。電感器導體層60a、60b分別是被設置在絕緣體層16d、16e的左後的角附近，並在從上側觀察時沿逆時針方向環繞的線狀的導體層。電感器導體層60a、60b呈相同的形狀，並在從上側觀察時，以一致的狀態重疊。電感器導體層62a、62b分別是在從上側觀察時被設置在絕緣體層16f、16g的左後的角附近，並沿逆時針方向環繞的線狀的導體層。電感器導體層62a、62b呈相同的形狀，並在從上側觀察時以一致的狀態重疊。電感器導體層64a、64b分別是在從上側觀察時被設置在絕緣體層16h、16i的左後的角附近，並沿逆時針方向環繞的線狀的導體層。電感器導體層64a、64b呈相同的形狀，並在從上側觀察時以一致的狀態重疊。以下，將電感器導體層60a、60b、62a、62b、64a、64b的逆時針方向的上游側的端部稱為上游端，將電感器導體層60a、60b、62a、62b、64a、64b的逆時針方向的下游側的端部稱為下游端。
通孔導體v25在上下方向貫通絕緣體層16d~16f，將電感器導體層60a、60b的下游端和電感器導體層62a、62b的上游端連接起來。通孔導體v26在上下方向貫通絕緣體層16f~16h，將電感器導體層62a、62b的下游端和電感器導體層64a、64b的上游端連接起來。由此，電感器L4 在從上側觀察時呈沿逆時針方向環繞並朝向下側行進的螺旋狀。
電感器L4的一端(電感器導體層60a、60b的上游端)透過電容器導體層56以及通孔導體v22、v23與電感器L7的另一端(電感器導體層52的下游端)連接。通孔導體v23在上下方向貫通絕緣體層16d~16r，將電感器導體層60a、60b的上游端與電容器導體層56、76加以連接。
電容器C4包括電容器導體層70a、76。電容器導體層70a是被設置在絕緣體層16m的表面的左半部分區域中，並呈長方形的導體層。電容器導體層76是被設置在絕緣體層161的左半部分區域中，並沿左右方向延伸的帶狀的導體層。電容器導體層76透過絕緣體層161與電容器導體層70a對向。
電容器C4的一個電極(電容器導體層76)經由通孔導體v23與電感器L4的一端(電感器導體層60a、60b的上游端)連接。電容器C4的另一個電極(電容器導體層70a)經由通孔導體v27與電感器L4的另一端(電感器導體層64a、64b的下游端)連接。通孔導體v27在上下方向貫通絕緣體層16h~16l，將電感器導體層64a、64b的下游端和電容器導體層70a連接起來。
接下來，對LC並聯諧振器LC5進行說明。電感器L5被設置於積層體12，包括電感器導體層66a、66b、68a、68b以及通孔導體v28。電感器導體層66a、66b分別是在從上側觀察時被設置於絕緣體層16h、16i的左前的角附近，並沿逆時針方向環繞的線狀的導體層。電感器導體層66a、66b呈相同的形狀，並在從上側觀察時以一致的狀態重疊。電感器導體層68a、68b分別是在從上側觀察時被設置在絕緣體層16j、16k的左前的 角附近，並沿逆時針方向環繞的線狀的導體層。電感器導體層68a、68b呈相同的形狀，並在從上側觀察時以一致的狀態重疊。以下，將電感器導體層66a、66b、68a、68b的逆時針方向的上游側的端部稱為上游端，將電感器導體層66a、66b、68a、68b的逆時針方向的下游側的端部稱為下游端。
通孔導體v28在上下方向貫通絕緣體層16h~16j，將電感器導體層66a、66b的下游端和電感器導體層68a、68b的上游端連接起來。由此，電感器L5在從上側觀察時呈沿逆時針方向環繞並朝向下側行進的螺旋狀。
電感器L5的一端(電感器導體層66a、66b的上游端)與電感器L4的另一端(電感器導體層64a、64b的下游端)連接。電感器L5的另一端(電感器導體層68a、68b的下游端)經由連接導體層74以及通孔導體v29、v30與外部電極14c連接。連接導體層74是被設置在絕緣體層16z的表面的右前的角附近，並沿左右方向延伸的線狀的導體層。通孔導體v29在上下方向貫通絕緣體層16j~16y，將電感器導體層68a、68b的下游端和連接導體層74的左端連接起來。通孔導體v30在上下方向貫通絕緣體層16z、16aa，將連接導體層74的右端和外部電極14c連接起來。
電容器C5包括電容器導體層70a、70b、72。電容器導體層70b是被設置在絕緣體層16o的表面的左半部分區域中，並呈長方形的導體層。電容器導體層72是被設置在絕緣體層16n的左半部分區域中，並呈長方形的導體層。電容器導體層72經由絕緣體層16m與電容器導體層70a對向，並經由絕緣體層16n與電容器導體層70b對向。
電容器C5的一個電極(電容器導體層70a、70b)經由通孔 導體v27與電感器L4的另一端(電感器導體層64a、64b的下游端)以及電感器L5的一端(電感器導體層66a、66b的上游端)連接。通孔導體v27在上下方向貫通絕緣體層16h~16l，將電感器導體層64a、64b的下游端以及電感器導體層66a、66b的上游端和電容器導體層70a連接起來。另外，通孔導體v35在上下方向貫通絕緣體層16m、16n，將電容器導體層70a和電容器導體層70b連接起來。
電容器C5的另一個電極(電容器導體層72)經由連接導體層74以及通孔導體v29、v30與外部電極14c連接。
接下來，對LC串聯諧振器LC6進行說明。電容器C6被設置於積層體12，包括電容器導體層70b、78。電容器導體層78是被設置在絕緣體層16p的左後的角附近，並呈長方形的導體層。電容器導體層78經由絕緣體層16o與電容器導體層70b對向。
電容器C6的一個電極(電容器導體層70b)經由電容器導體層70a以及通孔導體v27、v35與電感器L4的另一端(電感器導體層64a、64b的下游端)以及電感器L5(電感器導體層66a、66b的上游端)的一端連接。
電感器L6包括電感器導體層80。電感器導體層80是被設置在絕緣體層16u的表面的左後的角附近，並沿順時針方向環繞的線狀的導體層。以下，將電感器導體層80的順時針方向的上游側的端部稱為上游端，將電感器導體層80的順時針方向的下游側的端部稱為下游端。
電感器L6的一端(電感器導體層80的上游端)經由通孔導體v36與電容器C6的另一個電極(電容器導體層78)連接。通孔導體v36 在上下方向貫通絕緣體層16p~16t，將電容器導體層78和電感器導體層80的上游端連接起來。
電感器L6的另一端(電感器導體層80的下游端)經由接地導體層82以及通孔導體v37、v38與外部電極14d連接。接地導體層82是被設置在絕緣體層16z的表面的左半部分區域中，並呈長方形的導體層。接地導體層82與接地導體28層分離。通孔導體v37在上下方向貫通絕緣體層16u~16y，將電感器導體層80的下游端和接地導體層82連接起來。通孔導體v38在上下方向貫通絕緣體層16z、16aa，將接地導體層82和外部電極14d連接起來。
接下來，對電容器C17進行說明。電容器C17包括接地導體層82、電容器導體層84。電容器導體層84是被設置在絕緣體層16x的表面的左前的角附近，並呈長方形的導體層。電容器導體層84經由絕緣體層16x、16y與接地導體層82對向。
電容器C17的一個電極(電容器導體層84)經由通孔導體v29與電容器C5的另一個電極(電容器導體層72)以及電感器L5的另一端(電感器導體層68a、68b的下游端)連接。電容器C17的另一個電極(接地導體層82)經由通孔導體v38與外部電極14d連接。
(效果)
根據如以上那樣構成的雙工器10a，能夠增大帶通濾波器BPF的通頻帶外的高頻區域中的衰減量。更詳細而言，雙工器10a具備電感器L100。電感器L100由2個通孔導體v15、v16以及電感器導體層50a、50b構成。在這樣的電感器L100中，在兩根通孔導體v15、v16之間產生寄生電容(電容 器Cp)。由此，在帶通濾波器BPF與外部電極14b之間連接由電感器L100以及電容器Cp構成的LC並聯諧振器LC100。LC並聯諧振器LC100具有諧振頻率f100。因此，以將電感器L100的電感值以及電容器Cp的容量值調整為適當的值的方式變更形狀，以使諧振頻率f100位於帶通濾波器BPF的高頻側的截止頻率附近。由此，能夠增大雙工器10a的帶通濾波器BPF的通頻帶外的高頻區域中的衰減量。
本申請發明人為了明確能夠在雙工器10a中增大帶通濾波器BPF的通頻帶外的高頻區域中的衰減量，而進行了以下說明的計算機模擬。更詳細而言，本申請發明人製作具有雙工器10a的結構的第一模型(實施例)，並且，製作在雙工器10a中除了電感器L100之外的結構的第二模型(比較例)。此外，在第二模型中，在除掉電感器L100時，由於阻抗發生了變動，所以在進行了阻抗校正的基礎上進行了評價。
圖7A是表示第一模型的模擬結果的圖表。圖7B是表示第二模型的模擬結果的圖表。縱軸表示透過特性，橫軸表示頻率。透過特性是從外部電極14b輸出的高頻訊號的強度相對於從外部電極14a輸入的高頻訊號的強度的比的值。
比較圖7A和圖7B，可知相對於在第一模型中，在10GHz附近產生衰減極，而在第二模型中，在10GHz附近未產生衰減極。即，若設置電感器L100，則在10GHz附近產生衰減極。10GHz是帶通濾波器BPF的高頻側的截止頻率。由此，透過本模擬，可知能夠在雙工器10a中增大帶通濾波器BPF的通頻帶外的高頻區域中的衰減量。
另外，根據雙工器10a，能夠抑制元件的大型化。作為比較 例所涉及的雙工器，利用以下雙工器進行說明，上述雙工器即為使用了第一電容器導體層和第二電容器導體層經由絕緣體層對向的電容器來代替雙工器10a的電容器Cp。此外，由於比較例所涉及的雙工器的結構基本上與雙工器10a相同，所以對於比較例所涉及的雙工器的各結構的參照符號，共用雙工器10a的參照符號。
為了增大比較例所涉及的雙工器的通頻帶外的高頻區域中的衰減量，如上述，在帶通濾波器BPF與外部電極14b之間連接LC並聯諧振器LC100即可。在設置了LC並聯諧振器LC100的情況下，一般使第一電容器導體層與通孔導體v15連接，使第二電容器導體層與通孔導體v16連接。而且，透過第一電容器導體層和第二電容器導體層經由絕緣體層對向來形成與電感器L100並聯的電容器。
然而，若電容器的形成使用第一電容器導體層以及第二電容器導體層，則在比較例所涉及的雙工器內需要用於設置第一電容器導體層以及第二電容器導體層的空間。結果導致了比較例所涉及的雙工器的大型化。
因此，在雙工器10a中，不存在由與通孔導體v15和通孔導體v16分別連接的2個以上的導體層構成的電容器。取而代之，由在通孔導體v15與通孔導體v16之間產生的寄生電容形成電容器Cp。即，在雙工器10a中，並不是追加導體層來形成電容器，而利用電感器L100中產生的寄生電容來形成電容器Cp。因此，抑制雙工器10a的大型化。
另外，在雙工器10a中，根據以下的理由，抑制元件的大型化。電感器L100的環面S100如圖6所示，位於電感器L2的環面S2與電 感器L3的環面S3之間。即，環面S100在左右方向位於設置有帶通濾波器BPF的區域內。因此，在雙工器10a中不需要重新追加設置電感器L100的空間。由此，在雙工器10a中抑制元件的大型化。
另外，在雙工器10a中抑制電感器L100阻礙電感器L2和電感器L3的電磁耦合。更詳細而言，環面S2、S3在從右側觀察時，被收納於環面S100而不伸出。由此，抑制電感器L2、L3產生的磁通透過電感器L100的電感器導體層50a、50b以及通孔導體v15、v16。結果抑制電感器L100阻礙電感器L2和電感器L3的電磁耦合。
此外，在雙工器10a中，透過調整電感器導體層50a、50b以及通孔導體v15、v16的長度，從而能夠調整電感器L100的電感值，並調整LC並聯諧振器LC100的諧振頻率f100。
(變形例)
以下，參照附圖，對變形例所涉及的雙工器10b進行說明。圖8是變形例所涉及的雙工器10b的等效電路圖。圖9以及圖10是雙工器10b的分解立體圖。此外，從雙工器10b的絕緣體層16a到絕緣體層16i之間的結構與從雙工器10a的絕緣體層16a到絕緣體層16i之間的結構相同，所以引用圖3。
雙工器10b在還具備LC並聯諧振器LC20這一點上與雙工器10a不同。以下，以上述的不同點為中心，對雙工器10b進行說明。
LC並聯諧振器LC20如圖8所示，連接在帶通濾波器BPF與LC並聯諧振器LC100之間，包括電感器L20以及電容器C20。電感器L20和電容器C20並列連接。
電感器L20如圖9所示，包括電感器導體層90a、90b。電感器導體層90a、90b分別是被設置在絕緣體層16j、16k的表面的右後的角附近，並在從上側觀察時沿逆時針方向環繞的線狀的導體層。電感器導體層90a和電感器導體層90b呈相同的形狀，在從上側觀察時重疊。以下，將電感器導體層90a、90b的逆時針方向的上游側的端部稱為上游端，將電感器導體層90a、90b的逆時針方向的下游側的端部稱為下游端。
電感器L20的一端透過使電感器導體層90a、90b的上游端與通孔導體v7連接而與電感器L3連接。電感器L20的另一端透過使電感器導體層90a、90b的下游端與通孔導體v15連接而與電感器L100連接。
另外，電容器C20包括電容器導體層34、44、92。雙工器10b的電容器導體層34不與通孔導體v15連接。電容器導體層92是被設置在絕緣體層16s的表面的右半部分區域中的導體層。電容器導體層92經由絕緣體層16r與電容器導體層34對向，並經由絕緣體層16s與電容器導體層44對向。
電容器C20的一個電極(電容器導體層32、34、42、44)與電容器C3的一個電極(電容器導體層27)、電容器C13的另一個電極(電容器導體層36)以及電容器C16的一個電極(電容器導體層44)連接。
如以上那樣構成的雙工器10b能夠起到與雙工器10a同樣的作用效果。
另外，在雙工器10b中，LC並聯諧振器LC20作為陷波電路發揮作用。由此，可以在帶通濾波器BPF的高頻側的通頻帶頻率的附近形成衰減極，並能夠增大帶通濾波器BPF的通頻帶外的高頻側中的衰減量。
本申請發明人為了明確能夠在雙工器10b中增大帶通濾波器BPF的通頻帶外的高頻區域中的衰減量，進行了以下說明的計算機模擬。更詳細而言，本申請發明人製作了具有雙工器10b的結構的第三模型(實施例)。圖11是表示第三模型的模擬結果的圖表。
根據圖11，可知在第三模型中，在7GHz附近產生衰減極。即，若設置LC並聯諧振器LC20，則在7GHz附近產生衰減極。因此，根據本模擬，可知能夠在雙工器10b中增大帶通濾波器BPF的通頻帶外的高頻區域中的衰減量。
(其它的實施形態)
本發明所涉及的電子零件並不限於上述雙工器10a、10b，在其要旨的範圍內能夠變更。
此外，可以任意地組合雙工器10a、10b的結構。
另外，本發明所涉及的電子零件可以不是雙工器。本發明所涉及的電子零件是具備濾波器的電子零件即可。
另外，雙工器10a、10b具備帶通濾波器BPF以及低通濾波器LPF，但也可以具備帶通濾波器BPF'(第二帶通濾波器的一個例子)來代替低通濾波器LPF。帶通濾波器BPF'的通頻帶比帶通濾波器BPF的通頻帶低。
此外，電感器導體層18a、18b在從上側觀察時具有後端向右側折彎的形狀，但也可以具有後端不向右側折彎的形狀，也可以具有後端向左側折彎的形狀。另外，電感器導體層18a、18b可以在從上側觀察時，具有前端向右側折彎的形狀，也可以具有前端向左側折彎的形狀。在電感 器導體層18a、18b中，根據電感器L1與電感器L2的電磁耦合的強度來決定其兩端的折彎的有無及方向。具體而言，在電容性的耦合較強的情況下，若電感器L1與電感器L2的距離變小，它們的電感性的耦合變強則使帶通濾波器的通頻帶窄帶化。同樣地在容量性的耦合較強的情況下，若電感器L1與電感器L2的距離變大，它們的電感性的耦合變弱則使帶通濾波器的通頻帶寬帶化。此外，電感器導體層26a、26b也與電感器導體層18a、18b相同。
另外，電感器導體層50a、50b在從上側觀察時，比電感器導體層18a、18b、22a、22b、26a、26b長，但可以比電感器導體層18a、18b、22a、22b、26a、26b短。由此，能夠減小電感器L100的電感值。
此外，在雙工器10a、10b中，電感器L100的通孔導體v15、v16可以比電感器L1~L3的通孔導體v1、v2、v4、v5、v7、v8長，也可以比電感器L1~L3的通孔導體v1、v2、v4、v5、v7、v8短。在通孔導體v15、v16比通孔導體v1、v2、v4、v5、v7、v8長的情況下，電感器L100的電感值變大。在通孔導體v15、v16比通孔導體v1、v2、v4、v5、v7、v8短的情況下，電感器L100的電感值變小。即，透過調整通孔導體v15、v16的長度，能夠調整電感器L100的電感值。因此，透過電感器L100的值發生變化，從而電容器Cp(寄生電容)變化，衰減極頻率發生變化。
另外，電感器L100並不限於電感器L2與電感器L3之間。圖12是從上側透視其它的實施形態所涉及的雙工器10c的絕緣體層16b~16d的圖。
在雙工器10c中，電感器L100被設置在電感器L3的右側。 則，環面S2、環面S3以及環面S100在從上側觀察時，從左側至右側按照該順序排列。而且，在環面S3的右側不設置電感器L100以外的環通孔電感器。這樣，環面S100可以在左右方向不位於設置有帶通濾波器BPF的區域內。
[產業上之利用可能性]
如上，本發明適用於電子零件，特別是在能夠增大通頻帶外的高頻區域中的衰減量的這一點上優異。

Claims (11)

  1. 一種電子零件，其特徵在於，具備：積層體，係由在積層方向積層多個絕緣體層所構成；濾波器，被設置在上述積層體；輸入輸出端子，被設置在上述積層體；以及阻抗匹配用環通孔電感器，設置於上述積層體且連接在上述濾波器與上述輸入輸出端子之間的阻抗匹配用電感器，其中，包含阻抗匹配用電感器導體層、以及從該阻抗匹配用電感器導體層朝向上述積層方向延伸的第一阻抗匹配用通孔導體與第二阻抗匹配用通孔導體，電容器，至少包含兩個電容導體層，且不連接於阻抗匹配用環通孔電感器與輸出入端子之間，在上述第一阻抗匹配用通孔導體與上述第二阻抗匹配用通孔之間產生寄生電容。
  2. 如申請專利範圍第1項之電子零件，其中，將上述阻抗匹配用電感器導體層延伸的方向作為第一方向，將與上述積層方向以及上述第一方向正交的方向作為第二方向，上述濾波器包含：第一LC並聯諧振器，包括第一環通孔電感器，該第一環通孔電感器包含沿上述第一方向延伸的第一電感器導體層、以及從該第一電感器導體層朝向上述積層方向延伸的第一通孔導體與第二通孔導體；以及第二LC並聯諧振器，包括第二環通孔電感器，該第二環通孔電感器包含沿上述第一方向延伸的第二電感器導體層、以及從該第二電感器 導體層朝向上述積層方向延伸的第三通孔導體與第四通孔導體，形成由上述阻抗匹配用環通孔電感器圍起的阻抗匹配用環面，形成由上述第一LC並聯諧振器圍起的第一環面，形成由上述第二LC並聯諧振器圍起的第二環面，上述第一LC並聯諧振器與上述第二LC並聯諧振器透過上述第一環面與上述第二環面彼此對向而電磁耦合，上述阻抗匹配用環面與上述第一環面以及上述第二環面對向。
  3. 如申請專利範圍第2項之電子零件，其中，上述阻抗匹配用環面在上述第二方向位於上述第一環面與上述第二環面之間。
  4. 如申請專利範圍第3項之電子零件，其中，上述第一環面與上述第二環面在從上述第二方向觀察時被收納於該阻抗匹配用環面而未伸出。
  5. 如申請專利範圍第2項之電子零件，其中，上述第一環面、上述第二環面以及上述阻抗匹配用環面，於上述第二方向係以此順序排列。
  6. 如申請專利範圍第2至5項中任一項之電子零件，其中，上述第一阻抗匹配用通孔導體及上述第二阻抗匹配用通孔導體，較上述第一通孔導體至上述第四通孔導體長。
  7. 如申請專利範圍第2至5項中任一項之電子零件，其中，上述阻抗匹配用電感器導體層，較上述第一電感器導體層及上述第二電感器導體層長。
  8. 如申請專利範圍第2、3、5項中任一項之電子零件，其中，上述阻抗匹配用電感器導體層，較上述第一電感器導體層及上述第二電感器導體層短。
  9. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之電子零件，其中，上述濾波器是第一帶通濾波器。
  10. 如申請專利範圍第9項之電子零件，其進一步具備：低通濾波器或第二帶通濾波器，上述濾波器及上述低通濾波器或上述第二帶通濾波器構成雙工器。
  11. 如申請專利範圍第10項之電子零件，其中，上述阻抗匹配用電感器，在從上述積層方向觀察時與上述第二帶通濾波器的接地導體重疊。
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