CN106998197A - 电子部件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够增大通频带外的高频区域中的衰减量的电子部件。本发明所涉及的电子部件的特征在于，具备：层叠体；被设置于层叠体的滤波器；被设置于层叠体的输入输出端子；以及阻抗匹配用环导通孔电感器，是被设置于层叠体且连接在滤波器与输入输出端子之间的阻抗匹配用电感器，该阻抗匹配用环导通孔电感器包括阻抗匹配用电感器导体层、以及从阻抗匹配用电感器导体层朝向层叠方向延伸的第一阻抗匹配用导通孔导体和第二阻抗匹配用导通孔导体，不设置由与第一阻抗匹配用导通孔导体和第二阻抗匹配用导通孔导体分别连接的2个以上的导体层构成的电容器。

Description

电子部件
技术领域
本发明涉及具备滤波器的电子部件。
背景技术
作为与以往的电子部件有关的发明，例如已知专利文献1所记载的层叠带通滤波器(以下仅称为滤波器)。该滤波器具备5个LC并联谐振器。5个LC并联谐振器分别包括相互并联连接的电感器和电容器。
电感器具有线路电极、第一导通孔电极以及第二导通孔电极。线路电极是沿前后方向延伸的直线的导体层。第一导通孔电极以及第二导通孔电极从线路电极的两端朝向下方延伸。电容器具有电容器电极和接地电极。电容器电极与第一导通孔电极的下端连接。接地电极与第二导通孔电极的下端连接。这样的LC并联谐振器形成由电感器以及电容器围起的环面。而且，5个LC并联谐振器以相邻的彼此的环面对置的方式在左右方向上排列成一列。由此，相邻的LC并联谐振器彼此电磁耦合。以上那样的滤波器构成带通滤波器。
然而，在滤波器中有想要增大通频带外的高频区域中的衰减量这样的迫切期望。然而，在上述带通滤波器中，通频带外的高频区域中的衰减量并不充分。
专利文献1：国际公开第2007/119356号公报
发明内容
鉴于此，本发明的目的在于提供一种能够增大通频带外的高频区域中的衰减量的电子部件。
本发明的一方式所涉及的电子部件的特征在于，具备：层叠体，通过在层叠方向上层叠多个绝缘体层而构成；滤波器，被设置于上述层叠体；输入输出端子，被设置于上述层叠体；以及阻抗匹配用环导通孔电感器，是被设置于上述层叠体中且连接在上述滤波器与上述输入输出端子之间的阻抗匹配用电感器，该阻抗匹配用环导通孔电感器包括阻抗匹配用电感器导体层、以及从该阻抗匹配用电感器导体层朝向上述层叠方向延伸的第一阻抗匹配用导通孔导体和第二阻抗匹配用导通孔导体，不设置由与上述第一阻抗匹配用导通孔导体和上述第二阻抗匹配用导通孔导体分别连接的2个以上的导体层构成的电容器，在上述第一阻抗匹配用导通孔导体与上述第二阻抗匹配用导通孔之间产生寄生电容。
根据本发明，能够增大通频带外的高频区域中的衰减量。
附图说明
图1是一实施方式所涉及的双工器10a的等效电路图。
图2是双工器10a、10b的外观立体图。
图3是双工器10a的分解立体图。
图4是双工器10a的分解立体图。
图5是双工器10a的分解立体图。
图6是从上侧透视双工器10a的绝缘体层16b～16d的图。
图7A是表示第一模型的模拟结果的图表。
图7B是表示第二模型的模拟结果的图表。
图8是变形例所涉及的双工器10b的等效电路图。
图9是双工器10b的分解立体图。
图10是双工器10b的分解立体图。
图11是第三模型的模拟结果的图表。
图12是表示从上侧透视其它的实施方式所涉及的双工器10c的绝缘体层16b～16d的图。
符号说明
10a、10b，10c：双工器，12：层叠体，14a～14f：外部电极，16a～16z、16aa：绝缘体层，18a、18b、22a、22b、26a、26b、50a、50b：电感器导体层，C1～C7、C11～C17、C20、Cp：电容器，L1～L7、L20、L100：电感器，LC1～LC3、LC20、LC100LC并联谐振器，S1～S3，S100：环面，v1～v11，v15～v17，v20～v23，v25～v30，v35～v38：导通孔导体
具体实施方式
(双工器的结构)
以下参照附图，对本发明的一实施方式所涉及的双工器10a(电子部件的一个例子)的电路结构进行说明。图1是一实施方式所涉及的双工器10a的等效电路图。此外，环导通孔电感器是指由与电感器导体层的一端连接的导通孔导体和与电感器导体层的另一端连接的导通孔导体构成的电感器。
双工器10a如图1所示，具备信号路径SL1、SL2、外部电极14a～14f、电感器L1～L7、L100以及电容器C1～C7、C11～C17。
外部电极14a～14c是高频信号的输入输出端子。外部电极14d～14f是与接地电位连接的接地端子。信号路径SL1的一端与外部电极14a连接。信号路径SL1的另一端与外部电极14b连接。信号路径SL2的一端与外部电极14a连接。信号路径SL2的另一端与外部电极14c连接。即，双工器10a具有信号路径SL1和信号路径SL2分支的结构。
电容器C7和电感器L7通过并联连接而构成LC并联谐振器LC7，被设置于外部电极14a与信号路径SL1、SL2分支的位置之间。因此，LC并联谐振器LC7的一端与外部电极14a连接。
电容器C11～C13以及电感器L100(阻抗匹配用环导通孔电感器的一个例子)被设置在信号路径SL1上，在从外部电极14a朝向外部电极14b的方向上按照该顺序串联连接。另外，电容器Cp是在电感器L100中产生的寄生电容，并与电感器L100并联连接。由此，电感器L100和电容器Cp构成LC并联谐振器LC100。
电容器C1和电感器L1通过并联连接而构成LC并联谐振器LC1。LC并联谐振器LC1的一端在电容器C11与电容器C12之间同信号路径SL1连接。LC并联谐振器LC1的另一端与外部电极14e、14f连接。
电容器C2和电感器L2(第一环导通孔电感器的一个例子)通过并联连接而构成LC并联谐振器LC2(第一LC并联谐振器的一个例子)。LC并联谐振器LC2的一端在电容器C12与电容器C13之间同信号路径SL1连接。LC并联谐振器LC2的另一端与外部电极14e、14f连接。另外，电感器L1和电感器L2电磁耦合。
电容器C3和电感器L3(第二环导通孔电感器的一个例子)通过并联连接而构成LC并联谐振器LC3(第二LC并联谐振器的一个例子)。LC并联谐振器LC3的一端在电容器C13与电感器L100之间同信号路径SL1连接。LC并联谐振器LC3的另一端与外部电极14e、14f连接。另外，电感器L2和电感器L3电磁耦合。
电容器C14的一个电极在电容器C11与电容器C12之间同信号路径SL1连接。电容器C15的一个电极在电容器C12与电容器C13之间同信号路径SL1连接。电容器C16的一个电极在电容器C13与电感器L100之间同信号路径SL1连接。电容器C14～C16的另一个电极相互连接。
如以上那样构成的LC并联谐振器LC1～LC3以及电容器C11～C16例如构成具有以5GHz为中心频率的第一通频带的带通滤波器BPF(第一带通滤波器的一个例子)。
电容器C4和电感器L4通过并联连接而构成LC并联谐振器LC4。电容器C5和电感器L5通过并联连接而构成LC并联谐振器LC5。并联谐振器LC4、LC5被设置在信号路径SL2上，在从外部电极14a朝向外部电极14c的方向上按照该顺序串联连接。LC并联谐振器LC4的一端与LC并联谐振器LC7的另一端连接。LC并联谐振器LC5的另一端与外部电极14c连接。
电容器C6和电感器L6通过串联连接而构成LC串联谐振器LC6。LC串联谐振器LC6的一端在LC并联谐振器LC4与LC并联谐振器LC5之间同信号路径SL2连接。LC串联谐振器LC6的另一端与外部电极14d连接。
电容器C17的一个电极连接在LC并联谐振器LC5与外部电极14c之间。电容器C17的另一个电极与外部电极14d连接。
如以上那样构成的LC并联谐振器LC4、LC5、LC串联谐振器LC6以及电容器C17构成具有作为比第一通频带低的中心频率的第二通频带的低通滤波器LPF。即，低通滤波器LPF在外部电极14a与外部电极14c之间使第二通频带的高频信号通过。
另外，LC并联谐振器LC4、LC5使谐振频率的高频信号不通过外部电极14a和外部电极14c。LC并联谐振器LC4、LC5的谐振频率例如是第二通频带的高频侧的附近的频率。LC串联谐振器LC6使成为LC串联谐振器LC6的谐振频率的高频信号不通过外部电极14a与外部电极14c之间。
如以上那样构成的双工器10a如上述，作为双工器发挥作用。例如从外部电极14a输入来的高频信号中的第一通频带(例如5GHz附近)的高频信号从外部电极14b输出。从外部电极14a输入来的高频信号中的第二通频带(例如2GHz)的高频信号从外部电极14c输出。此外，与双工器的各个滤波器对应的接地分离地构成，通过分离，能够改善低通滤波器的通频带外的衰减量。
(双工器的具体的结构)
接下来，参照附图，对双工器10a的具体的结构进行说明。图2是双工器10a的外观立体图。图3～图5是双工器10a的分解立体图。图6是从上侧透视双工器10a的绝缘体层16b～16d的图。在图6中仅示出电感器L1～L3以及电感器L100。在双工器10a中，将层叠体12的层叠方向定义为上下方向。另外，在从上侧观察双工器10a时，将双工器10a的上面的长边延伸的方向定义为左右方向(第二方向的一个例子)，将双工器10a的上面的短边延伸的方向定义为前后方向(第一方向的一个例子)。上下方向、前后方向以及左右方向相互正交。
双工器10a如图2～图5所示，具备层叠体12、外部电极14a～14f、电感器导体层18a、18b、22a、22b、26a、26b、50a、50b、52、60a、60b、62a、62b、64a、64b、66a、66b、68a、68b、80、电容器导体层20、24、27、30、32、34、36、40、42、44、46、56、70a、70b、72、76、78、84、接地导体层28、82、连接导体层51、54、74以及导通孔导体v1～v11、v15～v17、v20～v23、v25～v30、v35～v38，作为具体的结构。
层叠体12如图2所示，呈长方体状，通过将绝缘体层16a～16z、16aa从上侧至下侧按照该顺序层叠而构成。层叠体12的底面是位于层叠体12的下侧的面，是将双工器10a安装于电路基板上时与电路基板对置的安装面。
绝缘体层16a～16z、16aa在从上侧观察时，呈具有沿左右方向延伸的长边的长方形，例如由陶瓷等制成。以下，将绝缘体层16a～16z、16aa的上面称为表面，将绝缘体层16a～16z、16aa的下面称为里面。
作为一个例子，外部电极14a～14f被设置在层叠体12的底面上而未设置在层叠体12的前面、后面、右面以及左面。外部电极14a～14f呈长方形。外部电极14c、14e、14b沿着层叠体12的底面的前侧的长边从左侧至右侧按照该顺序排列成一列。外部电极14d、14a、14f沿着层叠体12的底面的后侧的长边从左侧至右侧按照该顺序排列成一列。外部电极14a～14f例如通过在由铜等构成的基底电极上实施镀Ni以及镀Sn或者镀Ni以及镀Au而制成。
首先，对LC并联谐振器LC7进行说明。电感器L7被设置于层叠体12，包括电感器导体层52。电感器导体层52是被设置于绝缘体层16w的表面的后侧的长边的中央附近，在从上侧观察时沿着顺时针方向环绕的线状的导体层。以下，将电感器导体层52的顺时针方向的上游侧的端部称为上游端，将电感器导体层52的顺时针方向的下游侧的端部称为下游端。
电感器L7的一端(电感器导体层的上游端)经由连接导体层54以及导通孔导体v20、v21与外部电极14a连接。连接导体层54是被设置在绝缘体层16z的表面的后侧的长边的中央附近，并沿左右方向延伸的线状的导体层。导通孔导体v20在上下方向上贯通绝缘体层16z、16aa，将连接导体层54的右端和外部电极14a连接起来。导通孔导体v21在上下方向上贯通绝缘体层16w～16y，将电感器导体层52的上游端和连接导体层54的左端连接起来。
电容器C7是在从上侧观察时通过电容器导体层56和电感器导体层52重叠而形成的微小的电容。
接下来，对信号路径SL1侧的结构进行说明。首先，对电容器C11～C13以及电感器L100进行说明。电容器C11被设置于层叠体12，包括电容器导体层30、40、56。电容器导体层56是被设置在绝缘体层16s的表面的中央附近，并具有沿左右延伸的带状部的导体层。电容器导体层30是被设置在绝缘体层16r的表面的中央附近，并呈长方形的导体层。电容器导体层30经由绝缘体层16r与电容器导体层56对置。电容器导体层40是被设置在绝缘体层16t的表面的中央附近，并呈长方形的导体层。电容器导体层40经由绝缘体层16s与电容器导体层56对置。
电容器C11的一个电极(电容器导体层56)经由导通孔导体v22与电感器L7的另一端(电感器导体层52的下游端)连接。导通孔导体v22在上下方向上贯通绝缘体层16s～16v，将电感器导体层52的下游端和电容器导体层56连接起来。
电容器C12被设置于层叠体12，包括电容器导体层30、36。电容器导体层36是被设置在绝缘体层16q的表面的右半部分区域中，并沿左右方向延伸的带状的导体层。电容器导体层36经由绝缘体层16q与电容器导体层30对置。由此，使电容器C11的另一个电极(电容器导体层30)与电容器C12的一个电极(电容器导体层30)连接起来。
电容器C13被设置于层叠体12，包括电容器导体层34、36。电容器导体层34是被设置在绝缘体层16r的表面的右端，并呈长方形的导体层。电容器导体层36经由绝缘体层16q与电容器导体层34对置。由此，使电容器C12的另一个电极(电容器导体层36)与电容器C13的一个电极(电容器导体层36)连接起来。
电感器L100(阻抗匹配用环导通孔电感器的一个例子)被设置于层叠体12，包括电感器导体层50a、50b(阻抗匹配用电感器导体层的一个例子)以及导通孔导体v15、v16。电感器导体层50a、50b分别是被设置在绝缘体层16b、16c的表面的右半部分区域中，并沿前后方向延伸的线状的导体层。电感器导体层50a、50b呈相同的形状，在从上侧观察时，以一致的状态重叠。导通孔导体v15(第一阻抗匹配用导通孔导体的一个例子)在上下方向上贯通绝缘体层16b～16q，将电感器导体层50a、50b的后端和电容器导体层34连接起来。由此，使电容器C13的另一个电极(电容器导体层34)与电感器L100的一端(导通孔导体v15的下端)连接起来。
导通孔导体v16(第二阻抗匹配用导通孔导体的一个例子)在上下方向上贯通绝缘体层16b～16y，并与电感器导体层50a、50b的前端连接。如以上那样，电感器L100具有导通孔导体v15、v16从电感器导体层50a、50b朝向下侧(层叠方向的一个例子)延伸的结构。由此，如图6所示，形成由电感器导体层50a、50b以及导通孔导体v15、v16围起的长方形的环面S100(阻抗匹配用环面的一个例子)。环面S100是与左右方向垂直的平面。
电感器L100的另一端(导通孔导体v16的下端)经由连接导体层51以及导通孔导体v17与外部电极14b连接。连接导体层51是被设置在绝缘体层16z的表面的右前的角附近，并沿左右方向延伸的线状的导体层。导通孔导体v16的下端与连接导体层51的左端连接。导通孔导体v17在上下方向上贯通绝缘体层16z、16aa，将连接导体层51的右端和外部电极14b连接起来。
然而，在导通孔导体v15与导通孔导体v16之间产生寄生电容。该寄生电容是电容器Cp。由此，电容器Cp与电感器L100并联连接。而且，电感器L100以及电容器Cp构成LC并联谐振器LC100。
此外，在LC并联谐振器LC100中未设置由与导通孔导体v15、v16分别连接的2个以上的电容器导体层构成的电容器。即，未设置与电感器L100并联连接的电容器。由此，LC并联谐振器LC100在外观上仅由电感器L100构成。
接下来，对与信号路径SL1连接的LC并联谐振器LC1进行说明。电感器L1包括电感器导体层18a、18b以及导通孔导体v1、v2。电感器导体层18a、18b分别是被设置在绝缘体层16d、16e的表面的中央附近，并沿前后方向延伸的线状的导体层。电感器导体层18a、18b呈相同的形状，在从上侧观察时以一致的状态重叠。导通孔导体v1在上下方向上贯通绝缘体层16d～16q，将电感器导体层18a、18b的后端和电容器导体层30连接起来。由此，使电容器C11的另一个电极(电容器导体层30)以及电容器C12的一个电极(电容器导体层30)和电感器L1的一端(导通孔导体v1的一端)连接起来。
导通孔导体v2在上下方向上贯通绝缘体层16d～16y，与电感器导体层18a、18b的前端连接。如以上那样，电感器L1具有导通孔导体v1、v2从电感器导体层18a、18b朝向下侧(层叠方向的一个例子)延伸的结构。由此，如图6所示，形成由电感器导体层18a、18b以及导通孔导体v1、v2围起的长方形的环面S1。环面S1是与左右方向垂直的平面。
电感器L1的另一端(导通孔导体v2的下端)经由接地导体层28以及导通孔导体v10、v11与外部电极14e、14f连接。接地导体层28是被设置在绝缘体层16z的表面的右半部分区域中的面状的导体层。导通孔导体v2的下端与接地导体层28连接。导通孔导体v10、v11分别在上下方向上贯通绝缘体层16z、16aa，将接地导体层28和外部电极14e、14f连接起来。
电容器C1包括电容器导体层20以及接地导体层28。电容器导体层20是被设置在绝缘体层16y的表面的中央附近，并呈长方形的导体层。电容器导体层20经由绝缘体层16y与接地导体层28对置。
电容器C1的一个电极(电容器导体层20)经由电容器导体层30以及导通孔导体v3与电感器L1的一端(导通孔导体v1的下端)连接。导通孔导体v3在上下方向上贯通绝缘体层16r～16x，将电容器导体层40、电容器导体层30、和电容器导体层20连接起来。
电容器C1的另一个电极(接地导体层28)经由导通孔导体v10、v11与外部电极14e、14f连接。
接下来，对LC并联谐振器LC2(第一LC并联谐振器的一个例子)进行说明。电感器L2(第一环导通孔电感器的一个例子)包括电感器导体层22a、22b以及导通孔导体v4、v5。电感器导体层22a、22b(第一电感器导体层的一个例子)分别是被设置在绝缘体层16d、16e的表面上电感器导体层18a、18b的右侧，并沿前后方向延伸的线状的导体层。电感器导体层22a、22b呈相同的形状，并在从上侧观察时以一致的状态重叠。导通孔导体v4(第一导通孔导体的一个例子)在上下方向上贯通绝缘体层16d～16s，将电感器导体层22a、22b的后端和电容器导体层32、36、42连接起来。由此，使电容器C12的另一个电极(电容器导体层36)以及电容器C13的一个电极(电容器导体层36)和电感器L2的一端(导通孔导体v4)连接起来。
导通孔导体v5(第二导通孔导体的一个例子)在上下方向上贯通绝缘体层16d～16y，并与电感器导体层22a、22b的前端连接。如以上那样，电感器L2具有导通孔导体v4、v5从电感器导体层22a、22b朝向下侧(层叠方向的一个例子)延伸的结构。由此，如图6所示，形成由电感器导体层22a、22b以及导通孔导体v4、v5围起的长方形的环面S2(第一环面的一个例子)。环面S2是与左右方向垂直的平面，在环面S1的右侧与环面S1对置。由此，电感器L1(LC并联谐振器LC1)和电感器L2(LC并联谐振器LC2)电磁耦合。
电感器L2的另一端(导通孔导体v5的下端)经由接地导体层28以及导通孔导体v10、v11与外部电极14e、14f连接。
电容器C2包括电容器导体层24以及接地导体层28。电容器导体层24是被设置在绝缘体层16y的表面上电容器导体层20的右侧，并呈长方形的导体层。电容器导体层24经由绝缘体层16y与接地导体层28对置。
电容器C2的一个电极(电容器导体层24)经由电容器导体层32、42以及导通孔导体v6与电感器L2的一端(导通孔导体v4的下端)连接。电容器导体层32是被设置在绝缘体层16r的表面上电容器导体层30的右侧，并呈长方形的导体层。电容器导体层42是被设置在绝缘体层16t的表面上电容器导体层40的右侧，并呈长方形的导体层。导通孔导体v6在上下方向上贯通绝缘体层16t～16x，将电容器导体层32、42和电容器导体层24连接起来。
电容器C2的另一个电极(接地导体层28)经由导通孔导体v10、v11与外部电极14e、14f连接。
接下来，对LC并联谐振器LC3(第二LC并联谐振器的一个例子)进行说明。电感器L3(第二环导通孔电感器的一个例子)包括电感器导体层26a、26b以及导通孔导体v7、v8。电感器导体层26a、26b(第二电感器导体层的一个例子)分别是被设置在绝缘体层16d、16e的表面上电感器导体层22a、22b的右侧，并沿前后方向延伸的线状的导体层。电感器导体层26a、26b呈相同的形状，并在从上侧观察时以一致的状态重叠。导通孔导体v7(第三导通孔导体的一个例子)在上下方向上贯通绝缘体层16d～16q，将电感器导体层26a、26b的后端和电容器导体层34连接起来。由此，使电容器C13的另一个电极(电容器导体层34)、电感器L100的一端(导通孔导体v15的下端)、和电感器L3的一端(导通孔导体v7的下端)连接起来。
导通孔导体v8(第四导通孔导体的一个例子)在上下方向上贯通绝缘体层16d～16y，并与电感器导体层26a、26b的前端连接。如以上那样，电感器L3具有导通孔导体v7、v8从电感器导体层26a、26b朝向下侧(层叠方向的一个例子)延伸的结构。由此，如图6所示，形成由电感器导体层26a、26b以及导通孔导体v7、v8围起的长方形的环面S3(第二环面的一个例子)。环面S3是与左右方向垂直的平面，并在环面S2的右侧与环面S2对置。由此，电感器L2(LC并联谐振器LC2)和电感器L3(LC并联谐振器LC3)电磁耦合。
电感器L3的另一端(导通孔导体v8的下端)经由接地导体层28以及导通孔导体v10、v11与外部电极14e、14f连接。
电容器C3包括电容器导体层27以及接地导体层28。电容器导体层27是被设置在绝缘体层16y的表面上电容器导体层24的右侧，并呈长方形的导体层。电容器导体层27经由绝缘体层16y与接地导体层28对置。
电容器C3的一个电极(电容器导体层27)经由电容器导体层34、44以及导通孔导体v9与电感器L3的一端(导通孔导体v7的下端)连接。电容器导体层34是被设置在绝缘体层16r的表面上电容器导体层32的右侧，并呈长方形的导体层。电容器导体层44是被设置在绝缘体层16t的表面上电容器导体层42的右侧，并呈长方形的导体层。导通孔导体v9在上下方向上贯通绝缘体层16r～16x，将电容器导体层34、44和电容器导体层27连接起来。
电容器C3的另一个电极(接地导体层28)经由导通孔导体v10、v11与外部电极14e、14f连接。
接下来，对电容器C14～C16进行说明。电容器C14包括电容器导体层40以及电容器导体层46。电容器导体层46是被设置在绝缘体层16v的表面的右半部分区域中，并沿左右方向延伸的带状的导体层。电容器导体层40经由绝缘体层16t、16u与电容器导体层46对置。电容器C14的一个电极(电容器导体层40)经由电容器导体层30以及导通孔导体v3与电感器L1的一端(导通孔导体v1的下端)连接。
电容器C15包括电容器导体层42以及电容器导体层46。电容器导体层42经由绝缘体层16t、16u与电容器导体层46对置。电容器C15的一个电极(电容器导体层42)与电感器L2的一端(导通孔导体v4的下端)连接。
电容器C16包括电容器导体层44以及电容器导体层46。电容器导体层44经由绝缘体层16t、16u与电容器导体层46对置。电容器C16的一个电极(电容器导体层44)经由电容器导体层34以及导通孔导体v9与电感器L3的一端(导通孔导体v7的下端)连接。
另外，电容器C14～C16的另一个电极(电容器导体层46)相互连接。
此处，对环面S2、S3、S100的关系进行说明。如图6所示，环面S100与环面S2、S3对置。在本实施方式中，环面S100在从上侧观察时在左右方向上位于环面S2与环面S3之间。由此，电感器L100和电感器L2、L3电磁耦合。
另外，电感器导体层50a、50b比电感器导体层18a、18b、22a、22b、26a、26b长。而且，导通孔导体v16比导通孔导体v2、v5、v8长。由此，环面S2、S3在从右侧观察时容纳于环面S100而未伸出。
接下来，对信号路径SL2侧的结构进行说明。首先，对LC并联谐振器LC4进行说明。电感器L4被设置于层叠体12，包括电感器导体层60a、60b、62a、62b、64a、64b以及导通孔导体v25、v26。电感器导体层60a、60b分别是被设置在绝缘体层16d、16e的左后的角附近，并在从上侧观察时沿逆时针方向环绕的线状的导体层。电感器导体层60a、60b呈相同的形状，并在从上侧观察时，以一致的状态重叠。电感器导体层62a、62b分别是在从上侧观察时被设置在绝缘体层16f、16g的左后的角附近，并沿逆时针方向环绕的线状的导体层。电感器导体层62a、62b呈相同的形状，并在从上侧观察时以一致的状态重叠。电感器导体层64a、64b分别是在从上侧观察时被设置在绝缘体层16h、16i的左后的角附近，并沿逆时针方向环绕的线状的导体层。电感器导体层64a、64b呈相同的形状，并在从上侧观察时以一致的状态重叠。以下，将电感器导体层60a、60b、62a、62b、64a、64b的逆时针方向的上游侧的端部称为上游端，将电感器导体层60a、60b、62a、62b、64a、64b的逆时针方向的下游侧的端部称为下游端。
导通孔导体v25在上下方向上贯通绝缘体层16d～16f，将电感器导体层60a、60b的下游端和电感器导体层62a、62b的上游端连接起来。导通孔导体v26在上下方向上贯通绝缘体层16f～16h，将电感器导体层62a、62b的下游端和电感器导体层64a、64b的上游端连接起来。由此，电感器L4在从上侧观察时呈沿逆时针方向环绕并朝向下侧行进的螺旋状。
电感器L4的一端(电感器导体层60a、60b的上游端)经由电容器导体层56以及导通孔导体v22、v23与电感器L7的另一端(电感器导体层52的下游端)连接。导通孔导体v23在上下方向上贯通绝缘体层16d～16r，将电感器导体层60a、60b的上游端和电容器导体层56、76连接起来。
电容器C4包括电容器导体层70a、76。电容器导体层70a是被设置在绝缘体层16m的表面的左半部分区域中，并呈长方形的导体层。电容器导体层76是被设置在绝缘体层16l的左半部分区域中，并沿左右方向延伸的带状的导体层。电容器导体层76经由绝缘体层16l与电容器导体层70a对置。
电容器C4的一个电极(电容器导体层76)经由导通孔导体v23与电感器L4的一端(电感器导体层60a、60b的上游端)连接。电容器C4的另一个电极(电容器导体层70a)经由导通孔导体v27与电感器L4的另一端(电感器导体层64a、64b的下游端)连接。导通孔导体v27在上下方向上贯通绝缘体层16h～16l，将电感器导体层64a、64b的下游端和电容器导体层70a连接起来。
接下来，对LC并联谐振器LC5进行说明。电感器L5被设置于层叠体12，包括电感器导体层66a、66b、68a、68b以及导通孔导体v28。电感器导体层66a、66b分别是在从上侧观察时被设置于绝缘体层16h、16i的左前的角附近，并沿逆时针方向环绕的线状的导体层。电感器导体层66a、66b呈相同的形状，并在从上侧观察时以一致的状态重叠。电感器导体层68a、68b分别是在从上侧观察时被设置在绝缘体层16j、16k的左前的角附近，并沿逆时针方向环绕的线状的导体层。电感器导体层68a、68b呈相同的形状，并在从上侧观察时以一致的状态重叠。以下，将电感器导体层66a、66b、68a、68b的逆时针方向的上游侧的端部称为上游端，将电感器导体层66a、66b、68a、68b的逆时针方向的下游侧的端部称为下游端。
导通孔导体v28在上下方向上贯通绝缘体层16h～16j，将电感器导体层66a、66b的下游端和电感器导体层68a、68b的上游端连接起来。由此，电感器L5在从上侧观察时呈沿逆时针方向环绕并朝向下侧行进的螺旋状。
电感器L5的一端(电感器导体层66a、66b的上游端)与电感器L4的另一端(电感器导体层64a、64b的下游端)连接。电感器L5的另一端(电感器导体层68a、68b的下游端)经由连接导体层74以及导通孔导体v29、v30与外部电极14c连接。连接导体层74是被设置在绝缘体层16z的表面的右前的角附近，并沿左右方向延伸的线状的导体层。导通孔导体v29在上下方向上贯通绝缘体层16j～16y，将电感器导体层68a、68b的下游端和连接导体层74的左端连接起来。导通孔导体v30在上下方向上贯通绝缘体层16z、16aa，将连接导体层74的右端和外部电极14c连接起来。
电容器C5包括电容器导体层70a、70b、72。电容器导体层70b是被设置在绝缘体层16o的表面的左半部分区域中，并呈长方形的导体层。电容器导体层72是被设置在绝缘体层16n的左半部分区域中，并呈长方形的导体层。电容器导体层72经由绝缘体层16m与电容器导体层70a对置，并经由绝缘体层16n与电容器导体层70b对置。
电容器C5的一个电极(电容器导体层70a、70b)经由导通孔导体v27与电感器L4的另一端(电感器导体层64a、64b的下游端)以及电感器L5的一端(电感器导体层66a、66b的上游端)连接。导通孔导体v27在上下方向上贯通绝缘体层16h～16l，将电感器导体层64a、64b的下游端以及电感器导体层66a、66b的上游端和电容器导体层70a连接起来。另外，导通孔导体v35在上下方向上贯通绝缘体层16m、16n，将电容器导体层70a和电容器导体层70b连接起来。
电容器C5的另一个电极(电容器导体层72)经由连接导体层74以及导通孔导体v29、v30与外部电极14c连接。
接下来，对LC串联谐振器LC6进行说明。电容器C6被设置于层叠体12，包括电容器导体层70b、78。电容器导体层78是被设置在绝缘体层16p的左后的角附近，并呈长方形的导体层。电容器导体层78经由绝缘体层16o与电容器导体层70b对置。
电容器C6的一个电极(电容器导体层70b)经由电容器导体层70a以及导通孔导体v27、v35与电感器L4的另一端(电感器导体层64a、64b的下游端)以及电感器L5(电感器导体层66a、66b的上游端)的一端连接。
电感器L6包括电感器导体层80。电感器导体层80是被设置在绝缘体层16u的表面的左后的角附近，并沿顺时针方向环绕的线状的导体层。以下，将电感器导体层80的顺时针方向的上游侧的端部称为上游端，将电感器导体层80的顺时针方向的下游侧的端部称为下游端。
电感器L6的一端(电感器导体层80的上游端)经由导通孔导体v36与电容器C6的另一个电极(电容器导体层78)连接。导通孔导体v36在上下方向上贯通绝缘体层16p～16t，将电容器导体层78和电感器导体层80的上游端连接起来。
电感器L6的另一端(电感器导体层80的下游端)经由接地导体层82以及导通孔导体v37、v38与外部电极14d连接。接地导体层82是被设置在绝缘体层16z的表面的左半部分区域中，并呈长方形的导体层。接地导体层82与接地导体28层分离。导通孔导体v37在上下方向上贯通绝缘体层16u～16y，将电感器导体层80的下游端和接地导体层82连接起来。导通孔导体v38在上下方向上贯通绝缘体层16z、16aa，将接地导体层82和外部电极14d连接起来。
接下来，对电容器C17进行说明。电容器C17包括接地导体层82、电容器导体层84。电容器导体层84是被设置在绝缘体层16x的表面的左前的角附近，并呈长方形的导体层。电容器导体层84经由绝缘体层16x、16y与接地导体层82对置。
电容器C17的一个电极(电容器导体层84)经由导通孔导体v29与电容器C5的另一个电极(电容器导体层72)以及电感器L5的另一端(电感器导体层68a、68b的下游端)连接。电容器C17的另一个电极(接地导体层82)经由导通孔导体v38与外部电极14d连接。
(效果)
根据如以上那样构成的双工器10a，能够增大带通滤波器BPF的通频带外的高频区域中的衰减量。更详细而言，双工器10a具备电感器L100。电感器L100由2个导通孔导体v15、v16以及电感器导体层50a、50b构成。在这样的电感器L100中，在两根导通孔导体v15、v16之间产生寄生电容(电容器Cp)。由此，在带通滤波器BPF与外部电极14b之间连接由电感器L100以及电容器Cp构成的LC并联谐振器LC100。LC并联谐振器LC100具有谐振频率f100。因此，以将电感器L100的电感值以及电容器Cp的容量值调整为适当的值的方式变更形状，以使谐振频率f100位于带通滤波器BPF的高频侧的截止频率附近。由此，能够增大双工器10a的带通滤波器BPF的通频带外的高频区域中的衰减量。
本申请发明人为了明确能够在双工器10a中增大带通滤波器BPF的通频带外的高频区域中的衰减量，而进行了以下说明的计算机模拟。更详细而言，本申请发明人制作具有双工器10a的结构的第一模型(实施例)，并且，制作在双工器10a中除了电感器L100之外的结构的第二模型(比较例)。此外，在第二模型中，在除掉电感器L100时，由于阻抗发生了变动，所以在进行了阻抗校正的基础上进行了评价。
图7A是表示第一模型的模拟结果的图表。图7B是表示第二模型的模拟结果的图表。纵轴表示通过特性，横轴表示频率。通过特性是从外部电极14b输出的高频信号的强度相对于从外部电极14a输入的高频信号的强度的比的值。
比较图7A和图7B，可知相对于在第一模型中，在10GHz附近产生衰减极，而在第二模型中，在10GHz附近未产生衰减极。即，若设置电感器L100，则在10GHz附近产生衰减极。10GHz是带通滤波器BPF的高频侧的截止频率。由此，通过本模拟，可知能够在双工器10a中增大带通滤波器BPF的通频带外的高频区域中的衰减量。
另外，根据双工器10a，能够抑制元件的大型化。作为比较例所涉及的双工器，利用以下双工器进行说明，所述双工器即为使用了第一电容器导体层和第二电容器导体层经由绝缘体层对置的电容器来代替双工器10a的电容器Cp。此外，由于比较例所涉及的双工器的结构基本上与双工器10a相同，所以对于比较例所涉及的双工器的各结构的参照符号，挪用双工器10a的参照符号。
为了增大比较例所涉及的双工器的通频带外的高频区域中的衰减量，如上述，在带通滤波器BPF与外部电极14b之间连接LC并联谐振器LC100即可。在设置了LC并联谐振器LC100的情况下，一般使第一电容器导体层与导通孔导体v15连接，使第二电容器导体层与导通孔导体v16连接。而且，通过第一电容器导体层和第二电容器导体层经由绝缘体层对置来形成与电感器L100并联连接的电容器。
然而，若电容器的形成使用第一电容器导体层以及第二电容器导体层，则在比较例所涉及的双工器内需要用于设置第一电容器导体层以及第二电容器导体层的空间。结果导致了比较例所涉及的双工器的大型化。
因此，在双工器10a中，不存在由与导通孔导体v15和导通孔导体v16分别连接的2个以上的导体层构成的电容器。取而代之，由在导通孔导体v15与导通孔导体v16之间产生的寄生电容形成电容器Cp。即，在双工器10a中，并不是追加导体层来形成电容器，而利用电感器L100中产生的寄生电容来形成电容器Cp。因此，抑制双工器10a的大型化。
另外，在双工器10a中，根据以下的理由，抑制元件的大型化。电感器L100的环面S100如图6所示，位于电感器L2的环面S2与电感器L3的环面S3之间。即，环面S100在左右方向上位于设置有带通滤波器BPF的区域内。因此，在双工器10a中不需要重新追加设置电感器L100的空间。由此，在双工器10a中抑制元件的大型化。
另外，在双工器10a中抑制电感器L100阻碍电感器L2和电感器L3的电磁耦合。更详细而言，环面S2、S3在从右侧观察时，容纳于环面S100而不伸出。由此，抑制电感器L2、L3产生的磁通通过电感器L100的电感器导体层50a、50b以及导通孔导体v15、v16。结果抑制电感器L100阻碍电感器L2和电感器L3的电磁耦合。
此外，在双工器10a中，通过调整电感器导体层50a、50b以及导通孔导体v15、v16的长度，从而能够调整电感器L100的电感值，并调整LC并联谐振器LC100的谐振频率f100。
(变形例)
以下，参照附图，对变形例所涉及的双工器10b进行说明。图8是变形例所涉及的双工器10b的等效电路图。图9以及图10是双工器10b的分解立体图。此外，从双工器10b的绝缘体层16a到绝缘体层16i之间的结构与从双工器10a的绝缘体层16a到绝缘体层16i之间的结构相同，所以引用图3。
双工器10b在还具备LC并联谐振器LC20这一点上与双工器10a不同。以下，以所述的不同点为中心，对双工器10b进行说明。
LC并联谐振器LC20如图8所示，连接在带通滤波器BPF与LC并联谐振器LC100之间，包括电感器L20以及电容器C20。电感器L20和电容器C20并列连接。
电感器L20如图9所示，包括电感器导体层90a、90b。电感器导体层90a、90b分别是被设置在绝缘体层16j、16k的表面的右后的角附近，并在从上侧观察时沿逆时针方向环绕的线状的导体层。电感器导体层90a和电感器导体层90b呈相同的形状，在从上侧观察时重叠。以下，将电感器导体层90a、90b的逆时针方向的上游侧的端部称为上游端，将电感器导体层90a、90b的逆时针方向的下游侧的端部称为下游端。
电感器L20的一端通过使电感器导体层90a、90b的上游端与导通孔导体v7连接而与电感器L3连接。电感器L20的另一端通过使电感器导体层90a、90b的下游端与导通孔导体v15连接而与电感器L100连接。
另外，电容器C20包括电容器导体层34、44、92。双工器10b的电容器导体层34不与导通孔导体v15连接。电容器导体层92是被设置在绝缘体层16s的表面的右半部分区域中的导体层。电容器导体层92经由绝缘体层16r与电容器导体层34对置，并经由绝缘体层16s与电容器导体层44对置。
电容器C20的一个电极(电容器导体层32、34、42、44)与电容器C3的一个电极(电容器导体层27)、电容器C13的另一个电极(电容器导体层36)以及电容器C16的一个电极(电容器导体层44)连接。
如以上那样构成的双工器10b能够起到与双工器10a同样的作用效果。
另外，在双工器10b中，LC并联谐振器LC20作为陷波电路发挥作用。由此，可以在带通滤波器BPF的高频侧的通频带频率的附近形成衰减极，并能够增大带通滤波器BPF的通频带外的高频侧中的衰减量。
本申请发明人为了明确能够在双工器10b中增大带通滤波器BPF的通频带外的高频区域中的衰减量，进行了以下说明的计算机模拟。更详细而言，本申请发明人制作了具有双工器10b的结构的第三模型(实施例)。图11是表示第三模型的模拟结果的图表。
根据图11，可知在第三模型中，在7GHz附近产生衰减极。即，若设置LC并联谐振器LC20，则在7GHz附近产生衰减极。因此，根据本模拟，可知能够在双工器10b中增大带通滤波器BPF的通频带外的高频区域中的衰减量。
(其它的实施方式)
本发明所涉及的电子部件并不限于上述双工器10a、10b，在其要旨的范围内能够变更。
此外，可以任意地组合双工器10a、10b的结构。
另外，本发明所涉及的电子部件可以不是双工器。本发明所涉及的电子部件是具备滤波器的电子部件即可。
另外，双工器10a、10b具备带通滤波器BPF以及低通滤波器LPF，但也可以具备带通滤波器BPF'(第二带通滤波器的一个例子)来代替低通滤波器LPF。带通滤波器BPF'的通频带比带通滤波器BPF的通频带低。
此外，电感器导体层18a、18b在从上侧观察时具有后端向右侧折弯的形状，但也可以具有后端不向右侧折弯的形状，也可以具有后端向左侧折弯的形状。另外，电感器导体层18a、18b可以在从上侧观察时，具有前端向右侧折弯的形状，也可以具有前端向左侧折弯的形状。在电感器导体层18a、18b中，根据电感器L1与电感器L2的电磁耦合的强度来决定其两端的折弯的有无及方向。具体而言，在电容性的耦合较强的情况下，若电感器L1与电感器L2的距离变小，它们的电感性的耦合变强则使带通滤波器的通频带窄带化。同样地在容量性的耦合较强的情况下，若电感器L1与电感器L2的距离变大，它们的电感性的耦合变弱则使带通滤波器的通频带宽带化。此外，电感器导体层26a、26b也与电感器导体层18a、18b相同。
另外，电感器导体层50a、50b在从上侧观察时，比电感器导体层18a、18b、22a、22b、26a、26b长，但可以比电感器导体层18a、18b、22a、22b、26a、26b短。由此，能够减小电感器L100的电感值。
此外，在双工器10a、10b中，电感器L100的导通孔导体v15、v16可以比电感器L1～L3的导通孔导体v1、v2、v4、v5、v7、v8长，也可以比电感器L1～L3的导通孔导体v1、v2、v4、v5、v7、v8短。在导通孔导体v15、v16比导通孔导体v1、v2、v4、v5、v7、v8长的情况下，电感器L100的电感值变大。在导通孔导体v15、v16比导通孔导体v1、v2、v4、v5、v7、v8短的情况下，电感器L100的电感值变小。即，通过调整导通孔导体v15、v16的长度，能够调整电感器L100的电感值。因此，通过电感器L100的值发生变化，从而电容器Cp(寄生电容)变化，衰减极频率发生变化。
另外，电感器L100并不限于电感器L2与电感器L3之间。图12是从上侧透视其它的实施方式所涉及的双工器10c的绝缘体层16b～16d的图。
在双工器10c中，电感器L100被设置在电感器L3的右侧。即，环面S2、环面S3以及环面S100在从上侧观察时，从左侧至右侧按照该顺序排列。而且，在环面S3的右侧不设置电感器L100以外的环导通孔电感器。这样，环面S100可以在左右方向上不位于设置有带通滤波器BPF的区域内。
如以上那样，本发明对电子部件有用，特别是在能够增大通频带外的高频区域中的衰减量的这一点上优异。

Claims (11)

1.一种电子部件，其特征在于，具备：
层叠体，其通过在层叠方向上层叠多个绝缘体层而构成；
滤波器，其被设置在所述层叠体中；
输入输出端子，其被设置在所述层叠体中；以及
阻抗匹配用环导通孔电感器，其是被设置于所述层叠体且连接在所述滤波器与所述输入输出端子之间的阻抗匹配用电感器，所述阻抗匹配用环导通孔电感器包括阻抗匹配用电感器导体层、以及从该阻抗匹配用电感器导体层朝向所述层叠方向延伸的第一阻抗匹配用导通孔导体和第二阻抗匹配用导通孔导体，
不设置由与所述第一阻抗匹配用导通孔导体和所述第二阻抗匹配用导通孔导体分别连接的2个以上的导体层构成的电容器，
在所述第一阻抗匹配用导通孔导体与所述第二阻抗匹配用导通孔之间产生寄生电容。
2.根据权利要求1所述的电子部件，其特征在于，
将所述阻抗匹配用电感器导体层延伸的方向作为第一方向，将与所述层叠方向以及所述第一方向正交的方向作为第二方向，
所述滤波器包括：
第一LC并联谐振器，其包括第一环导通孔电感器，该第一环导通孔电感器包含沿所述第一方向延伸的第一电感器导体层、以及从该第一电感器导体层朝向所述层叠方向延伸的第一导通孔导体和第二导通孔导体；以及
第二LC并联谐振器，其包括第二环导通孔电感器，该第二环导通孔电感器包含沿所述第一方向延伸的第二电感器导体层、以及从该第二电感器导体层朝向所述层叠方向延伸的第三导通孔导体和第四导通孔导体，
形成由所述阻抗匹配用环导通孔电感器围起的阻抗匹配用环面，
形成由所述第一LC并联谐振器围起的第一环面，
形成由所述第二LC并联谐振器围起的第二环面，
所述第一LC并联谐振器和所述第二LC并联谐振器通过所述第一环面和所述第二环面相互对置而电磁耦合，
所述阻抗匹配用环面与所述第一环面以及所述第二环面对置。
3.根据权利要求2所述的电子部件，其特征在于，
所述阻抗匹配用环面在所述第二方向上位于所述第一环面与所述第二环面之间。
4.根据权利要求3所述的电子部件，其特征在于，
所述第一环面和所述第二环面在从上述第二方向观察时容纳于该阻抗匹配用环面而未伸出。
5.根据权利要求2所述的电子部件，其特征在于，
所述第一环面、所述第二环面以及所述阻抗匹配用环面按照该顺序在所述第二方向上排列。
6.根据权利要求2～权利要求5中的任意一项所述的电子部件，其特征在于，
所述第一阻抗匹配用导通孔导体和所述第二阻抗匹配用导通孔导体比所述第一导通孔导体～所述第四导通孔导体长。
7.根据权利要求2～权利要求6中的任意一项所述的电子部件，其特征在于，
所述阻抗匹配用电感器导体层比所述第一电感器导体层和所述第二电感器导体层长。
8.根据权利要求2、权利要求3或者权利要求5中的任意一项所述的电子部件，其特征在于，
所述阻抗匹配用电感器导体层比所述第一电感器导体层以及所述第二电感器导体层短。
9.根据权利要求1～权利要求8中的任意一项所述的电子部件，其特征在于，
所述滤波器是第一带通滤波器。
10.根据权利要求9所述的电子部件，其特征在于，
所述电子部件还具备低通滤波器或者第二带通滤波器，
所述滤波器和所述低通滤波器或者所述第二带通滤波器构成双工器。
11.根据权利要求10所述的电子部件，其特征在于，
所述阻抗匹配用电感器在从所述层叠方向观察时与所述第二带通滤波器的接地导体重叠。
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