CN105684305B - 电子元器件 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能降低插入损耗且能在通过频带以外的频带取得充分的衰减量电子元器件。其特征在于，具备：元件主体；以及串联连接的第1LC并联谐振器至第n LC并联谐振器，第1LC并联谐振器至第n LC并联谐振器分别包含第1电感器至第n电感器、以及第1电容器至第n电容器，第1电感器至第n电感器以沿第1方向依次排列的方式设置于元件主体，第1电感器及第n电感器呈环绕于卷绕轴的涡旋状或螺旋状，该卷绕轴沿着与第1方向正交的第2方向，第2电感器至第n‑1电感中的至少一个电感器呈环绕于沿着第1方向的卷绕轴的螺旋状。

Description

电子元器件

技术领域

本发明涉及一种电子元器件，尤其涉及一种具备3以上的LC并联谐振器的电子元器件。

背景技术

作为与现有电子元器件相关的发明，例如已知有专利文献1所记载的三维螺旋电感器。该三维螺旋电感器是设置于层叠体内且环绕于在与层叠方向正交的方向上延伸的卷绕轴周围的螺旋状线圈。此类三维螺旋电感器用于例如低通滤波器。

使用三维螺旋电感器的低通滤波器例如构成为由三维螺旋电感器及电容器构成的多个LC并联谐振器串联连接而构成。三维螺旋电感器呈螺旋状，因此相比涡旋状的电感器具有较大的空芯直径。因此，三维螺旋电感器相比涡旋状的电感器具有较高的Q值。因此，能力求降低低通滤波器的插入损耗。

此外，低通滤波器中，三维螺旋电感器配置成以彼此的卷绕轴大致一致的方式排成一列。因此，三维螺旋电感器彼此过于接近，导致三维螺旋电感器彼此的电磁耦合变强。因此，在低通滤波器中，高频信号容易在三维螺旋电感器间传送。其结果是，无法在低通滤波器的通过频带以外的频带取得充分的衰减量。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2006-190934号公报(图16a)

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种能力求降低插入损耗并能在通过频带以外的频带取得充分的衰减量的电子元器件。

解决技术问题的技术方案

本发明的一实施方式的电子元器件的特征在于，具备：元件主体；以及串联的第1LC并联谐振器至第n(n为3以上的整数)LC并联谐振器，前述第1LC并联谐振器至前述第nLC并联谐振器分别包含第1电感器至第n电感器、以及第1电容器至第n电容器，前述第1电感器至前述第n电感器以沿第1方向依次排列的方式设置于前述元件主体，前述第1电感器及前述第n电感器呈环绕于卷绕轴的涡旋状或螺旋状，该卷绕轴沿着与前述第1方向正交的第2方向，前述第2电感器至前述第n-1电感器中的至少一个电感器呈环绕于沿着前述第1方向的卷绕轴的螺旋状。

根据本发明，能力求降低插入损耗且能在通过频带以外的频带取得充分的衰减量。

附图说明

图1A是本发明所涉及的电子元器件10的等效电路图。

图1B是图1A的电子元器件10的外观立体图。

图2A是电子元器件10的层叠体12的分解立体图。

图2B是电子元器件10的层叠体12的分解立体图。

图3是表示电子元器件10的通过特性的曲线图。

图4A是变形例所涉及的电子元器件10a的层叠体12的分解立体图。

图4B是变形例所涉及的电子元器件10a的层叠体12的分解立体图。

具体实施方式

以下，针对本发明的实施方式的电子元器件进行说明。

(电子元器件的结构)

以下，参照附图说明本发明的一实施方式所涉及的滤波器的结构。图1A是本发明的电子元器件10的等效电路图。图1B是图1A的电子元器件10的外观立体图。图2A及图2B是电子元器件10的层叠体12的分解立体图。以下，上下方向表示绝缘体层16的层叠方向。此外，在从上侧俯视时，将沿着电子元器件10的长边的方向定义为前后方向，将沿着电子元器件10的短边的方向定义为左右方向。上下方向、前后方向以及左右方向彼此正交。

如图1A所示，电子元器件10的等效电路具备LC并联谐振器LC1～LC3、电容器C4～C7、以及外部端子14a～14h。LC并联谐振器LC1包含电感器L1及电容器C1。LC并联谐振器LC2包含电感器L2及电容器C2。LC并联谐振器LC3包含电感器L3及电容器C3。此外，LC并联谐振器LC1～LC3依次串联连接在外部端子14a与外部端子14b之间。此外，LC并联谐振器LC2的谐振频率比LC并联谐振器LC1的谐振频率及LC并联谐振器LC3的谐振频率要低。

电容器C4设置于外部端子14a和LC并联谐振器LC1的连接点、与外部端子14c～14h之间。电容器C5设置于LC并联谐振器LC1和LC并联谐振器LC2的连接点、与外部端子14c～14h之间。电容器C6设置于LC并联谐振器LC2和LC并联谐振器LC3的连接点、与外部端子14c～14h之间。电容器C7设置于LC并联谐振器LC3和外部端子14b的连接点、与外部端子14c～14h之间。

上述的电子元器件10用作为低通滤波器。外部端子14a用作为输入端子，外部端子14b用作为输出端子，外部端子14c～14h用作为接地端子。

如图1B、图2A及图2B所示，电子元器件10具备层叠体12，外部端子14a～14h，电感器导体18a～18f、22a～22e、26a～26f，电容器导体28、30、32a、32b、34、36、38a、38b、40a、40b，接地导体42以及通孔导体v1～v12。

如图1B、图2A及图2B所示，层叠体12通过在上下方向上层叠绝缘体层16a～16p而构成，且呈长方体状。此外，层叠体12内置有LC并联谐振器LC1～LC3及电容器C4～C7。

如图2A及图2B所示，绝缘体层16a～16p呈长方形状，例如由陶瓷电介质构成。绝缘体层16a～16p以从上侧向下侧依次排列的方式层进行叠。下文中，将绝缘体层16a～16p的上侧的面称为表面，将绝缘体层16a～16p的下侧的面称为背面。

电感器L1呈环绕于与上下方向平行的卷绕轴的螺旋状，设置于层叠体12的前表面附近。此外，电感器L1由电感器导体18a～18f及通孔导体v1、v2构成。电感器导体18a、18b是分别设置于绝缘体层16b、16c表面的线状导体层，是在从上侧俯视时从绝缘体层16b、16c前侧的短边中央往后侧稍许延伸后、沿逆时针方向环绕约一周的线状导体层。但是，电感器导体18a,18b的长度比一周的长度要稍短。因此，电感器导体18a、18b的逆时针方向的下游侧端部相对于绝缘体层16b、16c前侧的短边中央而位于右侧。

电感器导体18c、18d是分别设置于绝缘体层16c、16e表面的线状导体层，是在从上侧俯视时从相对于绝缘体层16d、16e前侧的短边中央而位于右侧的位置起、沿逆时针方向环绕约一周的线状导体层。但是，电感器导体18c、18d的长度比一周的长度要稍短。因此，电感器导体18c,18d的逆时针方向的下游侧端部位于绝缘体层16d、16e右侧的长边的前端附近。此外，在从上侧俯视时，电感器导体18c、18d的逆时针方向的上游侧端部与电感器导体18a、18b的逆时针方向的下游侧端部相重叠。

电感器导体18e,18f是分别设置于绝缘体层16f、16g表面的线状导体层，是在从上侧俯视时从绝缘体层16f、16g右侧的长边的前端附近的位置起、沿逆时针方向环绕约1/2周的线状导体层。但是，电感器导体18e、18f的长度比1/2周的长度要稍长。因此，电感器导体18e、18f的逆时针方向的下游侧端部相对于绝缘体层16f、16g中央(对角线的交点)位于前侧。此外，在从上侧俯视时，电感器导体18e、18f的逆时针方向的上游侧端部与电感器导体18c、18d的逆时针方向的下游侧端部相重叠。

通孔导体v1是沿上下方向贯通绝缘体层16b～16d的层间连接导体。此外，通孔导体v1是由分别贯通绝缘体层16b～16d的多个通孔导体相连而构成。通孔导体v1连接电感器导体18a、18b的逆时针方向的下游侧端部、与电感器导体18c、18d的逆时针方向的上游侧端部。

通孔导体v2是沿上下方向贯通绝缘体层16d～16f的层间连接导体。此外，通孔导体v2是由分别贯通绝缘体层16d～16f的多个通孔导体相连而构成。通孔导体v2连接电感器导体18c、18d的逆时针方向的下游侧端部、与电感器导体18e、18f的逆时针方向的上游侧端部。

在从上侧俯视时，采用上述结构的电感器L1呈一边沿逆时针方向环绕一边从上侧向下侧行进的螺旋状。

电感器L3呈环绕于与上下方向平行的卷绕轴的螺旋状，设置于层叠体12的后表面附近。此外，电感器L3由电感器导体26a～26f及通孔导体v9、v10构成。电感器导体26a、26b是分别设置于绝缘体层16g、16f表面的线状导体层，是在从上侧俯视时从相对于绝缘体层16g、16f中央而位于后侧的位置起、沿逆时针方向环绕约1/2周的线状导体层。但是，电感器导体26a、26b的长度比1/2周的长度要稍长。因此，电感器导体26a、26b的逆时针方向的下游侧端部位于绝缘体层16g、16f右侧的长边的后端附近。

电感器导体26c、26d是分别设置于绝缘体层16e、16d表面的线状导体层，是在从上侧俯视时从绝缘体层16e、16d右侧的长边的后端附近起、沿逆时针方向环绕约1周的线状导体层。但是，电感器导体26c、26d的长度比1周的长度要稍短。因此，电感器导体26c、26d的逆时针方向的下游侧端部相对于绝缘体层16e、16d后侧的短边中央而位于右侧。此外，在从上侧俯视时电感器导体26c、26d的逆时针方向的上游侧端部与电感器导体26a、26b的逆时针方向的下游侧端部相重叠。

电感器导体26e,26f是分别设置于绝缘体层16c、16b表面的线状导体层，是在从上侧俯视时从相对于绝缘体层16c、16b后侧的短边中央而位于右侧的位置起、沿逆时针方向环绕约一周的线状导体层。但是，电感器导体26e、26f的长度比一周的长度要稍短。因此，电感器导体26e、26f的逆时针方向的下游侧端部被引出至绝缘体层16c、16b后侧的短边中央。此外，在从上侧俯视时，电感器导体26e、26f的逆时针方向的上游侧端部与电感器导体26c、26d的逆时针方向的下游侧端部相重叠。

通孔导体v9是沿上下方向贯通绝缘体层16d～16f的层间连接导体。此外，通孔导体v9由分别贯通绝缘体层16d～16f的多个通孔导体连接而构成。通孔导体v9连接电感器导体26a、26b的逆时针方向的下游侧端部、与电感器导体26c、26d的逆时针方向的上游侧端部。

通孔导体v10是沿上下方向贯通绝缘体层16b～16d的层间连接导体。此外，通孔导体v10由分别贯通绝缘体层16b～16d的多个通孔导体连接而构成。通孔导体v10连接电感器导体26c、26d的逆时针方向的下游侧端部、与电感器导体26e、26f的逆时针方向的上游端。

在从上侧俯视时，以上述方式构成的电感器L3呈一边往逆时针方向环绕一边从下侧往上侧行进的螺旋状。

电感器L2呈环绕于与前后方向平行的卷绕轴的螺旋状，设置于层叠体12的前后方向上的中央附近。即，电感器L2设置于电感器L1与电感器L3之间。由此，电感器L1～L3是从前侧往后侧依次排列。

此外，电感器L2由电感器导体22a～22e及通孔导体v4～v7构成。电感器导体22a、22c、22e是在绝缘体层16h表面设置成从前侧向后侧依次排列的线状导体层。

电感器导体22a是在绝缘体层16h的前后方向上相比中央更靠近前侧的位置起向后侧稍许延伸后、再向左后侧延伸导体，并具有一个角部。电感器导体22a的左端位于相比绝缘体层16h左侧的长边的中央稍许靠前侧的位置。

电感器导体22c是从相比绝缘体层16h右侧的长边的中央要稍许靠近前侧的位置起、向左后侧延伸的导体。电感器导体22c的左端位于绝缘体层16h左侧的长边的中央附近。

电感器导体22e是从绝缘体层16h右侧的长边的中央附近起、向左后侧延伸后、向后侧稍许延伸导体，且具有一个角部。电感器导体22e的后端位于相比绝缘体层16h的中央更靠近后侧的位置。

电感器导体22a的一部分、电感器导体22c及电感器导体22e的一部分彼此平行地延伸。

电感器导体22b、22d是在绝缘体层16b的表面上设置成从前侧向后侧依次排列的线状导体层。因此，电感器导体22b、22d设置于电感器导体22a、22c、22e的上侧。

电感器导体22b在相比绝缘体层16b的中央更靠近前侧的位置上沿左右方向进行延伸。在从上侧俯视时，电感器导体22b的左端与电感器导体22a的左端相重叠。在从上侧俯视时，电感器导体22b的右端与电感器导体22c的右端相重叠。

电感器导体22d在相比绝缘体层16b的中央更靠近后侧的位置上沿左右方向进行延伸。在从上侧俯视时，电感器导体22d的左端与电感器导体22c的左端相重叠。在从上侧俯视时，电感器导体22d的右端与电感器导体22e的右端相重叠。

电感器导体22b及电感器导体22d彼此平行地延伸。

通孔导体v4是沿上下方向贯通绝缘体层16b～16g的层间连接导体。此外，通孔导体v4由分别贯通绝缘体层16b～16g的多个通孔导体相连接而构成。通孔导体v4连接电感器导体22a的左端与电感器导体22b的左端。

通孔导体v5是沿上下方向贯通绝缘体层16b～16g的层间连接导体。此外，通孔导体v5由分别贯通绝缘体层16b～16g的多个通孔导体相连接而构成。通孔导体v5连接电感器导体22b的右端与电感器导体22c的右端。

通孔导体v6是沿上下方向贯通绝缘体层16b～16g的层间连接导体。此外，通孔导体v6由分别贯通绝缘体层16b～16g的多个通孔导体相连接而构成。通孔导体v6连接电感器导体22d的左端与电感器导体22c的左端。

通孔导体v7是沿上下方向贯通绝缘体层16b～16g的层间连接导体。此外，通孔导体v7由分别贯通绝缘体层16b～16g的多个通孔导体相连接而构成。通孔导体v7连接电感器导体22d的右端与电感器导体22e的右端。

在从前侧俯视时，以上述方式构成的电感器L2是呈一边沿逆时针方向环绕一边从前侧向后侧行进的螺旋状。

电容器C1由电容器导体28、30构成。更详细而言，电容器导体3是设置于绝缘体层16j表面、且设置于绝缘体层16j右半部分及前半部分的区域的长方形导体层。此外，电容器导体30分别被引出至绝缘体层16j的前侧的短边中央。电容器导体28是设置于绝缘体层16i表面、且设置于绝缘体层16i右半部分及前半部分的区域的长方形导体层。在从上侧俯视时，电容器导体28与电容器导体30相重叠。由此，电容器导体28隔着绝缘体层16i与电容器导体30相对。

电容器C2由电容器导体32a、32b、38a、38b、40a、40b构成。更详细而言，电容器导体32a、32b是分别设置于绝缘体层16l,16n表面、且设置于绝缘体层16l、16n左半部分及前半部分的区域的长方形导体层。此外，电容器导体38a、38b是分别设置于绝缘体层16l、16n表面、且设置于绝缘体层16l、16n左半部分及后半部分的区域的长方形导体层。电容器导体40a、40b是设置于绝缘体层16k、16m表面，且在绝缘体层16k、16m左半部分的区域中呈沿前后方向进行延伸的带状导体层。在从上侧俯视时，电容器导体40a、40b与电容器导体32a、32b、38a、38b相重叠。由此，电容器导体32a、38a隔着绝缘体层16k与电容器导体40a相对，且隔着绝缘体层16l与电容器导体40b相对，电容器导体32b、38b隔着绝缘体层16m与电容器导体40b相对。

电容器C3由电容器导体34、36构成。更详细而言，电容器导体36是设置于绝缘体层16j表面、且设置于绝缘体层16j右半部分及后半部分的区域的长方形导体层。此外，电容器导体36被引出至绝缘体层16j的后侧的短边中央。电容器导体34是设置于绝缘体层16i表面、且设置于绝缘体层16i右半部分及后半部分的区域的长方形导体层。在从上侧俯视时，电容器导体34与电容器导体36相重叠。由此，电容器导体34隔着绝缘体层16i与电容器导体36相对。

电容器C4由电容器导体30及接地导体42构成。更详细而言，接地导体42是覆盖绝缘体层16o的大致整个面的长方形导体层，在从上侧俯视时，其与电容器导体30相重叠。由此，电容器导体30隔着绝缘体层16j～16n与接地导体42相对。此外，接地导体42被拉出至绝缘体层16o的左侧长边的三个位置及右侧长边的三个位置。

电容器C5由电容器导体32b及接地导体42构成。更详细而言，在从上侧俯视时，接地导体42与电容器导体32b相重叠。由此，电容器导体32b隔着绝缘体层16n与接地导体42相对。

电容器C6由电容器导体38b及接地导体42构成。更详细而言，在从上侧俯视时，接地导体42与电容器导体38b相重叠。由此，电容器导体38b隔着绝缘体层16n与接地导体42相对。

电容器C7由电容器导体36及接地导体42构成。更详细而言，在从上侧俯视时，接地导体42与电容器导体36相重叠。由此，电容器导体36隔着绝缘体层16j～16n与接地导体42相对。

通孔导体v3是串联连接电感器L1与电感器L2的层间连接导体。更详细而言，通孔导体v3是沿上下方向贯通绝缘体层16f、16g的层间连接导体。此外，通孔导体v3由分别贯通绝缘体层16f、16g的多个通孔导体相连接而构成。通孔导体v3连接电感器导体18e、18f的逆时针方向的下游侧端部、与电感器导体22a的前端。

通孔导体v8是串联连接电感器L2与电感器L3的层间连接导体。更详细而言，通孔导体v8是沿上下方向贯通绝缘体层16f、16g的层间连接导体。此外，通孔导体v8由分别贯通绝缘体层16f、16g的多个通孔导体相连接而构成。通孔导体v8连接电感器导体26a、26b的逆时针方向的上游侧端部、与电感器导体22e的后端。

通孔导体v11是串联连接电感器L1、L2与电容器C1、C2、C5的层间连接导体。更详细而言，通孔导体v11是沿上下方向贯通绝缘体层16h～16m的层间连接导体。此外，通孔导体v11由分别贯通绝缘体层16h～16m的多个通孔导体相连接而构成。通孔导体v11连接电感器导体22a前端与电容器导体28、32a、32b。

通孔导体v12是串联连接电感器L2、L3与电容器C2、C3、C6的层间连接导体。更详细而言，通孔导体v12是沿上下方向贯通绝缘体层16h～16m的层间连接导体。此外，通孔导体v12由分别贯通绝缘体层16h～16m的多个通孔导体相连接而构成。通孔导体v12连接电感器导体22e后端与电容器导体34、38a、38b。

如图1B所示，外部端子14a设置成在层叠体12前表面沿上下方向进行延伸。由此，外部端子14a与电感器导体18a、18b及电容器导体30相连接。即，外部端子14a与电感器L1及电容器导体C1、C4相连接。

如图1B所示，外部端子14b设置成在层叠体12后表面沿上下方向进行延伸。由此，外部端子14b与电感器导体26e、26f及电容器导体36相连接。即，外部端子14b与电感器L3及电容器导体C3、C7相连接。

如图1B所示，外部端子14c～14e设置成在层叠体12的左表面从前侧向后侧依次排列。此外，外部端子14c～14e沿上下方向进行延伸。由此，外部端子14c～14e与接地导体42相连接。即，外部端子14c～14e与电容器导体C4～C7相连接。

如图1B所示，外部端子14f～14h设置成在层叠体12的右表面从前侧向后侧依次排列。此外，外部端子14f～14h沿上下方向进行延伸。由此，外部端子14f～14h与接地导体42相连接。即，外部端子14f～14h与电容器导体C4～C7相连接。

(电子元器件的制造方法)

接下来，使用图1A、图1B、图2A及图2B来说明电子元器件10的制造方法。

首先，准备应成为绝缘体层16a～16p的陶瓷生片(green sheet)。接着，对应成为绝缘体层16b～16m的陶瓷生片的各生片形成通孔导体v1～v12。具体而言，对应成为绝缘体层16b～16m的陶瓷生片照射激光束来形成通孔。接着，对于该通孔，利用印刷涂布等方法填充Ag、Pd、Cu、Au或其合金等的导电性糊料。

接着，在应成为绝缘体层16b～16o的陶瓷生片的表面上，利用丝网印刷法或光刻法等方法涂布以Ag、Pd、Cu、Au或其合金等为主要成分的导电性糊料，由此形成电感器导体18a～18f、22a～22e、26a～26f，电容器导体28、30、32a、32b、34、36、38a、38b、40a、40b及接地导体42。另外，也可在形成电感器导体18a～18f、22a～22e、26a～26f，电容器导体28、30、32a、32b、34、36、38a、38b、40a、40b及接地导体42时，对通孔填充导电性糊料。

接着，将各陶瓷生片进行层叠。具体而言，将要成为绝缘体层16a～16p的陶瓷生片逐一进行层叠及压接。通过上述的工序，形成母层叠体。利用静水压按压等对该母层叠体实施正式压接。

接着，利用切刀刃将母层叠体切割成规定尺寸的层叠体12。

通过以上工序，可获得未烧成的层叠体12。对层叠体12实施滚筒加工，并进行倒角，并对该未烧成的层叠体12施以脱粘合剂处理及烧成。

最后，在层叠体12的表面涂布以Ag、Pd、Cu、Au或其合金等为主要成分的导电性糊料，形成外部端子14a～14h的基底电极。接着，对基底电极的表面实施镀Ni/镀Sn，由此形成外部端子14a～14h。经由以上的工序，完成电子元器件10。此外，也可在切割成层叠体12后，进行滚筒加工，然后利用导电性糊料形成外部端子14a～14h，之后，烧成层叠体12。

(效果)

根据采用以上结构的电子元器件10，能力求降低插入损耗。更详细而言，电子元器件10中，将电感器L2成为螺旋状的电感器。由于螺旋状电感器的空芯直径比涡旋状电感器的空芯直径要大，因此能提高电感器L2的Q值。此外，螺旋状电感器L2的电感值比涡旋状电感器的电感值要大。由此，能力求降低电子元器件10的插入损耗。

此外，根据电子元器件10，能在通过频带以外的频带取得充分的衰减量。更详细而言，电子元器件10中，电感器L1～L3从前侧向后侧依次排列。进而，电感器L1与电感器L3呈环绕于与上下方向平行的卷绕轴的螺旋状。此外，电感器L2呈环绕于与前后方向平行的卷绕轴的螺旋状。即，电感器L1、L3的环绕轴、与电感器L2的卷绕轴正交。因此，与电感器L1～L3的卷绕轴相一致的场合相比，电感器L1、L3的卷绕轴与电感器L2的卷绕轴正交的场合下，电感器L1与电感器L2的电磁耦合、及电感器L2与电感器L3的电磁耦合变弱。由此，在电感器L1与电感器L2之间、以及电感器L2与电感器L3之间变得难以传送高频信号，能在通过频带以外的频带取得充分的衰减量。

此处，电子元器件10中，优选使LC并联谐振器LC2的谐振频率低于LC并联谐振器LC1、LC3的谐振频率。由此，在将电子元器件10用作为低通滤波器时，在通过频带的上限处，通过特性会急遽地下降。图3是表示电子元器件10的通过特性的曲线图。纵轴显示通过特性，横轴显示频率。

更详细而言，在使LC并联谐振器LC2的谐振频率低于LC并联谐振器LC1、LC3的谐振频率时，利用LC并联谐振器LC2形成衰减极P2，利用LC并联谐振器LC1形成衰减极P1，利用LC并联谐振器LC3形成衰减极P3。衰减极P2的频率低于衰减极P1、P3的频率，位于通过频带的上限附近。上述电子元器件10中，只要利用具有高Q值的螺旋状电感器构成形成衰减极P2的LC并联谐振器LC2的电感器L2，即可减低在衰减极P2附近的插入损耗。其结果是，如图3的A部分所示，在通过频带的上限处，通过特性急遽地下降。

此外，电子元器件10中，能调整电感器L1与电感器L2的耦合度。更详细而言，电感器L1通过通孔导体v3、v11与电容器C5相连接，电感器L2通过通孔导体v11与电容器C5相连接。即，电感器L1与电感器L2通过一条通孔导体v11与电容器C5相连接。通孔导体v11发挥电感器作用。因此，电感器L1与通孔导体v11电磁耦合，电感器L2与通孔导体v11电磁耦合。由此，电感器L1与电感器L2通过通孔导体v11而彼此电磁耦合。由此，能通过调整通孔导体v11的长度来调整电感器L1与电感器L2的耦合度。此外，能依据相同的原理来调整电感器L2与电感器L3的耦合度。

此外，在电子元器件10中，能力求使电感器L1、L3低阻抗化。以下举电感器L1为例来进行说明。在电感器L1中，并联连接电感器导体18a、18b，并联连接电感器导体18c、18d，并联连接电感器导体18e、18f。由此，能力求实现电感器L1的低阻抗化。此外，因相同理由，力求获取电感器L3的低阻抗化。此外，在电感器L2中，也可与电感器L1、L3同样地并联连接电感器导体。

此外，在电子元器件10中，在电感器L1～L3中有电流流过的情况下，电感器L1中的电流环绕方向、与电感器L3中的电流环绕方向相同。

此外，电子元器件10中设有电容器C4～C7。通过LC并联谐振器LC1～LC3的高频信号中、具有比通过频带的频率要高的高频信号会通过电容器C4～C7向接地流动。由此，能使电子元器件10的作为低通滤波器的功能更为提升。

(变形例)

以下参照附图说明变形例的电子元器件。图4A及图4B是变形例所涉及的电子元器件10a的层叠体12的分解立体图。关于电子元器件10a的等效电路图及外观立体图援用图1A及图1B。

电子元器件10a与电子元器件10的不同之处在于，电感器L1、L2与电容器C5相连接的结构，以及电感器L2、L3与电容器C6相连接的结构。以下，以该不同点为中心说明电子元器件10a的结构。

电子元器件10a中，设有通孔导体v21～v24，以代替通孔导体v3、v8、v11、v12。

通孔导体v21是连接电感器L1与电容器C5的层间连接导体。更详细而言，通孔导体v21是沿上下方向贯通绝缘体层16f～16m的层间连接导体。此外，通孔导体v21由分别贯通绝缘体层16f～16m的多个通孔导体相连接而构成。通孔导体v21连接电感器导体18e、18f的逆时针方向的下游侧端部与电容器导体28、32a、32b。

通孔导体v22是连接电感器L2与电容器C5的层间连接导体。更详细而言，通孔导体v22是沿上下方向贯通绝缘体层16h～16m的层间连接导体。此外，通孔导体v22由分别贯通绝缘体层16h～16m的多个通孔导体相连接而构成。通孔导体v22连接电感器导体22a的前端与电容器导体28、32a、32b。

通孔导体v23是连接电感器L2与电容器C6的层间连接导体。更详细而言，通孔导体v23是沿上下方向贯通绝缘体层16h～16m的层间连接导体。此外，通孔导体v23由分别贯通绝缘体层16h～16m的多个通孔导体相连接而构成。通孔导体v23连接电感器导体22e的后端与电容器导体34、38a、38b。

通孔导体v24是连接电感器L3与电容器C6的层间连接导体。更详细而言，通孔导体v24是沿上下方向贯通绝缘体层16f～16m的层间连接导体。此外，通孔导体v24由分别贯通绝缘体层16f～16m的多个通孔导体相连接而构成。通孔导体v24连接电感器导体26a、26b的逆时针方向的上游侧端部与电容器导体34、38a、38b。

采用上述结构的电子元器件10a能大幅减低衰减量。更详细而言，在电子元器件10a中，连接电感器L1与电容器C5的通孔导体v21、及连接电感器L2与电容器C5的通孔导体v22是分别设置的。此情形下，连接电感器L1与电容器C5的通孔导体v21、及电感器L1构成一个电感器，连接电感器L2与电容器C5的通孔导体v22、及电感器L2构成一个电感器。此外，两个电感器并非如电子元器件10那样通过一个通孔导体而与电容器C5相连接，而是直接与电容器C5相连接。因此，不会如电子元器件10那样两个电感器通过一个通孔导体进行电磁耦合。其结果是，电感器L1与电感器L2的耦合度变低。因此，能大幅减低电子元器件10a的衰减量。此外，依据相同的原理，电感器L2与电感器L3的耦合度也变低。

(其他实施形态)

本发明的电子元器件并不限于电子元器件10、10a，能在其要旨的范围内变更。

此外，LC并联谐振器的数目不限于三个。LC并联谐振器的数目也可为四以上。在设有n个LC并联谐振器LC1～LCn时，位于前后方向上两端的LC并联谐振器LC1、LCn的电感器L1、Ln呈环绕于与上下方向平行的卷绕轴的螺旋状。此外，LC并联谐振器LC2～LCn-1中的至少一个电感器呈环绕于与前后方向平行的卷绕轴的螺旋状。此外，此情形下，优选设置于外部端子14a、14b附近的LC并联谐振器LC1及LC并联谐振器LCn的谐振频率会比LC并联谐振器LC2至LC并联谐振器LCn-1的谐振频率要低。

进而，LC2～LCn-1中的至少一个电感器的线圈直径也可中途发生变化。通过使线圈直径变化，从而能进行调整成以取得适当的电感值。

此外，虽然设为电感器L1、L3的卷绕轴平行于上下方向，但也可相对于上下方向略微偏移。即，只要电感器L1、L3的卷绕轴沿着上下方向即可。

此外，虽然设为电感器L2的卷绕轴平行于前后方向，但也可相对于前后方向略微偏移。即，只要电感器L2的卷绕轴沿着前后方向即可。

此外，在电感器L1～L3中有电流流动时，电感器L1中的电流环绕方向、与电感器L3中的电流环绕方向也可相反。由此，能增强电感器L1与电感器L3的电磁耦合。

此外，电子元器件10、10a中，虽然电感器导体22b、22d设置于绝缘体层16b，但也可将电感器导体22b、22d分散设置于不同绝缘体层。如此，通过使电感器导体22b、22d在上下方向上的位置变化，从而能调整电感器L2的空芯直径，能调整电感器L2的电感值。基于相同理由，也能将电感器导体22a、22c、22e分散设置于不同绝缘体层。

此外，电感器L1、L3也可呈环绕于沿上下方向的卷绕轴的涡旋状。所谓涡旋状的电感器是指，在从上侧俯视时，实质上在同一平面上一边环绕多圈一边从中心朝向外周或从外周朝向中心的形状的电感器。

此外，对于电容器C4～C5，也可不全部进行设置，只要设有这些电容器中的至少任一个即可。

[产业上可利用性]

本发明对于电子元器件是有用的，尤其是在能实现插入损耗的降低且能在通过频带以外的频带取得充分的衰减量这些方面较为优异。

【符号说明】

C1～C7 电容器

L1～L3 电感器

LC1～LC3 LC 并联谐振器

v1～v12、v21～v24 通孔导体

10、10a 电子元器件

12 层叠体

14a～14h 外部端子

16a～16p 绝缘体层

18a～18f、22a～22e、26a～26f 电感器导体

28、30、32a、32b、34、36、38a、38b、40a、40b 电容器导体

42 接地导体

Claims (13)

1.一种电子元器件，其特征在于，具备：

元件主体；以及

串联连接的第1 LC并联谐振器至第nLC并联谐振器，其中，n为3以上的整数，

所述第1 LC并联谐振器至所述第n LC并联谐振器分别包含第1电感器至第n电感器、以及第1电容器至第n电容器，

所述第1电感器至所述第n电感器以沿第1方向依次排列的方式设置于所述元件主体，

所述第1电感器及所述第n电感器呈环绕于卷绕轴的涡旋状或螺旋状，所述卷绕轴沿着与所述第1方向正交的第2方向，

所述第2电感器至所述第n-1电感器中的至少一个电感器呈环绕于沿着所述第1方向的卷绕轴的螺旋状。

2.如权利要求1所述的电子元器件，其特征在于，n为3。

3.如权利要求2所述的电子元器件，其特征在于，所述第2 LC并联谐振器的谐振频率比所述第1 LC并联谐振器的谐振频率及所述第3 LC并联谐振器的谐振频率要低。

4.如权利要求2所述的电子元器件，其特征在于，还具备：

输入端子，该输入端子设置于所述元件主体的表面，与所述第1 LC并联谐振器相连接；

输出端子，该输出端子设置于所述元件主体的表面，与所述第3 LC并联谐振器相连接；

接地端子，该接地端子设置于所述元件主体的表面；以及

电容器，该电容器连接于所述输入端子和所述第1 LC并联谐振器的连接点、与所述接地端子之间，该第1 LC并联谐振器和所述第2 LC并联谐振器的连接点、与该接地端子之间，该第2 LC并联谐振器和所述第3 LC并联谐振器的连接点、与该接地端子之间，或该第3 LC并联谐振器和所述输出端子的连接点、与该接地端子之间。

5.如权利要求4所述的电子元器件，其特征在于，所述元件主体由多个绝缘体层沿所述第2方向进行层叠而构成，

对于所述第1 LC并联谐振器至所述第3 LC并联谐振器，其由沿所述第2方向贯通设置于所述绝缘体层上的内部导体及所述绝缘体层的层间连接导体构成。

6.如权利要求5所述的电子元器件，其特征在于，在所述第1 LC并联谐振器和所述第2LC并联谐振器的连接点、与所述接地端子之间设有所述电容器，

所述电子元器件还具备：

串联连接所述第1电感器和所述第2电感器的第1层间连接导体；以及

连接所述第2电感器和所述电容器的第2层间连接导体。

7.如权利要求5所述的电子元器件，其特征在于，在所述第1 LC并联谐振器和所述第2LC并联谐振器之间、与所述接地端子之间设有所述电容器；

所述电子元器件还具备：

电连接所述第1电感器和所述电容器的第3层间连接导体；以及

电连接所述第2电感器和所述电容器的第4层间连接导体。

8.如权利要求5所述的电子元器件，其特征在于，所述第1电感器至所述第3电感器的至少一个是通过并联连接多个内部导体而构成。

9.如权利要求5至8的任一项所述的电子元器件，其特征在于，所述第2电感器由多个第1电感器导体、多个第2电感器导体、多个第5层间连接导体、及多个第6层间连接导体构成，

所述多个第1电感器导体设置于所述绝缘体层上且沿所述第1方向彼此平行地排列，

所述多个第2电感器导体设置于相比所述第1电感器导体位于所述第2方向的一侧的所述绝缘体层上且沿该第1方向彼此平行地排列，从该第2方向俯视时，其在一个端部与位于该第1方向的一侧的所述第1电感器导体的一个端部相重叠，并在另一个端部与位于该第1方向的另一侧的所述第1电感器导体的另一个端部相重叠，

所述多个第5层间连接导体连接所述第1电感器导体的一个端部与所述第2电感器导体的一个端部，

所述多个第6层间连接导体连接所述第1电感器导体的另一个端部与所述第2电感器导体的另一个端部，

所述多个第1电感器导体分散设置于多个所述绝缘体层。

10.如权利要求2至8的任一项所述的电子元器件，其特征在于，所述第1电感器及所述第3电感器呈螺旋状。

11.如权利要求2至8的任一项所述的电子元器件，其特征在于，所述第1电感器及所述第3电感器呈涡旋状。

12.如权利要求1所述的电子元器件，其特征在于，n为4以上。

13.如权利要求1或12所述的电子元器件，其特征在于，所述第2 LC并联谐振器至所述第n-1 LC并联谐振器的谐振频率比所述第1 LC并联谐振器及所述第n LC并联谐振器的谐振频率要低。