TWI584704B - Electronic Parts - Google Patents

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TWI584704B
TWI584704B TW103120014A TW103120014A TWI584704B TW I584704 B TWI584704 B TW I584704B TW 103120014 A TW103120014 A TW 103120014A TW 103120014 A TW103120014 A TW 103120014A TW I584704 B TWI584704 B TW I584704B
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Hiroshi Masuda
Tomoshiro Isoshima
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Murata Manufacturing Co
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Description

電子零件
本發明係關於一種電子零件，尤其是關於一種具備3以上之LC並聯諧振器的電子零件。
作為與習知電子零件相關之發明，例如已知有專利文獻1所記載之三維螺旋電感器。該三維螺旋電感器係設於積層體內且旋繞延伸於與積層方向正交之方向之捲繞軸周圍之螺旋狀線圈。此種三維螺旋電感器係用於例如低通濾波器。
使用三維螺旋電感器之低通濾波器，例如係串聯藉由三維螺旋電感器及電容器而構成之複數個LC並聯諧振器而構成。三維螺旋電感器由於呈螺旋狀，因此具有較渦旋狀之電感器大之空芯徑。因此，三維螺旋電感器能取得較渦旋狀之電感器高之Q值。因此，能謀求減低低通濾波器之插入損耗。
此外，低通濾波器中，三維螺旋電感器係配置成以彼此之捲繞軸大致一致之方式排成一列。因此，三維螺旋電感器彼此過於接近，導致三維螺旋電感器彼此之電磁耦合變強。因此，在低通濾波器中，高頻訊號容易在三維螺旋電感器間傳送。其結果，無法在低通濾波器之通過頻帶以外之頻帶取得充分之衰減量。
[先行技術文獻]
專利文獻1：日本特開2006-190934號公報(圖16a)
因此，本發明之目的在於提供一種電子零件，係能謀求插入損耗之減低且能在通過頻帶以外之頻帶取得充分之衰減量。
本發明之一實施形態的電子零件，其特徵在於，具備：元件本體；以及串聯之第1 LC並聯諧振器至第n(n為3以上之整數)LC並聯諧振器；前述第1 LC並聯諧振器至前述第n LC並聯諧振器分別包含第1電感器至第n電感器、以及第1電容器至第n電容器；前述第1電感器至前述第n電感器，係以於第1方向依序排列之方式設於前述元件本體；前述第1電感器及前述第n電感器呈旋繞捲繞軸之渦旋狀或螺旋狀，該捲繞軸係沿著與前述第1方向正交之第2方向；前述第2電感器至前述第n-1電感器中之至少一個電感器，呈旋繞沿著前述第1方向之捲繞軸之螺旋狀。
根據本發明，能謀求插入損耗之減低且能在通過頻帶以外之頻帶取得充分之衰減量。
C1~C7‧‧‧電容器
L1~L3‧‧‧電感器
LC1~LC3‧‧‧LC並聯諧振器
v1~v12,v21~v24‧‧‧通孔導體
10,10a‧‧‧電子零件
12‧‧‧積層體
14a~14h‧‧‧外部端子
16a~16p‧‧‧絕緣體層
18a~18f,22a~22e,26a~26f‧‧‧電感器導體
28,30,32a,32b,34,36,38a,38b,40a,40b‧‧‧電容器導體
42‧‧‧接地導體
圖1A係本案發明之電子零件10之等效電路圖。
圖1B係圖1A之電子零件10之外觀立體圖。
圖2A係電子零件10之積層體12的分解立體圖。
圖2B係電子零件10之積層體12的分解立體圖。
圖3係顯示電子零件10之通過特性之圖表。
圖4A係變形例之電子零件10a的積層體12的分解立體圖。
圖4B係變形例之電子零件10a的積層體12的分解立體圖。
以下，針對本發明的實施形態之電子零件進行說明。
(電子零件的構成)
以下，針對本發明的一實施形態之濾波器的構成，一邊參照圖式一邊進行說明。圖1A係本案發明之電子零件10之等效電路圖。圖1B係圖1A之電子零件10之外觀立體圖。圖2A及圖2B係電子零件10之積層體12的分解立體圖。以下，上下方向表示絕緣體層16之積層方向。又，在從上側俯視時，將沿著電子零件10之長邊之方向定義為前後方向，將沿著電子零件10之短邊之方向定義為左右方向。上下方向、前後方向以及左右方向彼此正交。
電子零件10之等效電路，如圖1A所示，具備LC並聯諧振器LC1~LC3、電容器C4~C7、以及外部端子14a~14h。LC並聯諧振器LC1包含電感器L1及電容器C1。LC並聯諧振器LC2包含電感器L2及電容器C2。LC並聯諧振器LC3包含電感器L3及電容器C3。又，LC並聯諧振器LC1~LC3係在外部端子14a與外部端子14b之間依序串聯。又，LC並聯諧振器LC2之諧振頻率較LC並聯諧振器LC1之諧振頻率及LC並聯諧振器LC3之諧振頻率低。
電容器C4設於外部端子14a與LC並聯諧振器LC1之連接點與外部端子14c~14h之間。電容器C5設於LC並聯諧振器LC1與LC並聯諧振器LC2之連接點與外部端子14c~14h之間。電容器C6設於LC並聯諧振器LC2與LC並聯諧振器LC3之連接點與外部端子14c~14h之間。電 容器C7設於LC並聯諧振器LC3與外部端子14b之連接點與外部端子14c~14h之間。
如上述之電子零件10作為低通濾波器使用。外部端子14a作為輸入端子使用，外部端子14b作為輸出端子使用，外部端子14c~14h作為接地端子使用。
如圖1B、圖2A及圖2B所示，電子零件10具備積層體12、外部端子14a~14h、電感器導體18a~18f,22a~22e,26a~26f、電容器導體28,30,32a,32b,34,36,38a,38b,40a,40b、接地導體42、以及通孔導體v1~v12。
如圖1B、圖2A及圖2B所示，積層體12係於上下方向積層絕緣體層16a~16p而構成，且呈長方體狀。此外，積層體12內置有LC並聯諧振器LC1~LC3及電容器C4~C7。
如圖2A及圖2B所示，絕緣體層16a~16p呈長方形狀，例如由陶瓷電介質構成。絕緣體層16a~16p，依序以從上側往下側排列之方式積層。於以下，將絕緣體層16a~16p之上側之面稱為表面，將絕緣體層16a~16p之下側之面稱為背面。
電感器L1呈旋繞與上下方向平行之捲繞軸之螺旋狀，設於積層體12之前面附近。又，電感器L1係藉由電感器導體18a~18f及通孔導體v1,v2構成。電感器導體18a,18b係分別設於絕緣體層16b,16c表面之線狀導體層，係在從上側俯視時，從絕緣體層16b,16c前側之短邊中央往後側些微延伸後往逆時針方向旋繞約一周的線狀導體層。不過，電感器導體18a,18b之長度較一周量短些許。因此，電感器導體18a,18b之逆時針方向 之下游側端部相對於絕緣體層16b,16c前側之短邊中央係位於右側。
電感器導體18c,18d係分別設於絕緣體層16c,16e表面之線狀導體層，係在從上側俯視時，從相對絕緣體層16d,16e前側之短邊中央在右側之位置往逆時針方向旋繞約一周的線狀導體層。不過，電感器導體18c,18d之長度較一周量短些許。因此，電感器導體18c,18d之逆時針方向之下游側端部位於絕緣體層16d,16e右側之長邊前端附近。又，電感器導體18c,18d之逆時針方向之上游側端部，在從上側俯視時與電感器導體18a,18b之逆時針方向之下游側端部重疊。
電感器導體18e,18f係分別設於絕緣體層16f,16g表面之線狀導體層，係在從上側俯視時，從絕緣體層16f,16g右側之長邊前端附近往逆時針方向旋繞約1/2周的線狀導體層。不過，電感器導體18e,18f之長度較1/2周量長些許。因此，電感器導體18e,18f之逆時針方向之下游側端部相對絕緣體層16f,16g中央(對角線之交點)位於前側。又，電感器導體18e,18f之逆時針方向之上游側端部，在從上側俯視時與電感器導體18c,18d之逆時針方向之下游側端部重疊。
通孔導體v1係於上下方向貫通絕緣體層16b~16d之層間連接導體。此外，通孔導體v1係藉由貫通絕緣體層16b~16d之各個之複數個通孔導體彼此連結而構成。通孔導體v1連接電感器導體18a,18b之逆時針方向之下游側端部與電感器導體18c,18d之逆時針方向之上游側端部。
通孔導體v2係於上下方向貫通絕緣體層16d~16f之層間連接導體。此外，通孔導體v2係藉由貫通絕緣體層16d~16f之各個之複數個通孔導體彼此連結而構成。通孔導體v2連接電感器導體18c,18d之逆時針 方向之下游側端部與電感器導體18e,18f之逆時針方向之上游側端部。
以上述方式構成之電感器L1，在從上側俯視時，係呈一邊往逆時針方向旋繞一邊從上側往下側行進之螺旋狀。
電感器L3呈旋繞與上下方向平行之捲繞軸之螺旋狀，設於積層體12之後面附近。又，電感器L3係藉由電感器導體26a~26f及通孔導體v9,v10構成。電感器導體26a,26b係分別設於絕緣體層16g,16f表面之線狀導體層，係在從上側俯視時，從相對絕緣體層16g,16f中央位於後側之位置往逆時針方向旋繞約1/2周的線狀導體層。不過，電感器導體26a,26b之長度較1/2周量長些許。因此，電感器導體26a,26b之逆時針方向之下游側端部位於絕緣體層16g,16f右側之長邊後端附近。
電感器導體26c,26d係分別設於絕緣體層16e,16d表面之線狀導體層，係在從上側俯視時，從絕緣體層16e,16d右側之長邊後端附近往逆時針方向旋繞約1周的線狀導體層。不過，電感器導體26c,26d之長度較1周量短些許。因此，電感器導體26c,26d之逆時針方向之下游側端部相對絕緣體層16e,16d後側之短邊中央位於右側。又，電感器導體26c,26d之逆時針方向之上游側端部，在從上側俯視時與電感器導體26a,26b之逆時針方向之下游側端部重疊。
電感器導體26e,26f係分別設於絕緣體層16c,16b表面之線狀導體層，係在從上側俯視時，從相對絕緣體層16c,16b後側之短邊中央在右側之位置往逆時針方向旋繞約一周的線狀導體層。不過，電感器導體26e,26f之長度較一周量短些許。因此，電感器導體26e,26f之逆時針方向之下游側端部被引出至絕緣體層16c,16b後側之短邊中央。又，電感器導體26e, 26f之逆時針方向之上游側端部，在從上側俯視時與電感器導體26c,26d之逆時針方向之下游側端部重疊。
通孔導體v9係於上下方向貫通絕緣體層16d~16f之層間連接導體。此外，通孔導體v9係藉由貫通絕緣體層16d~16f之各個之複數個通孔導體彼此連結而構成。通孔導體v9連接電感器導體26a,26b之逆時針方向之下游側端部與電感器導體26c,26d之逆時針方向之上游側端部。
通孔導體v10係於上下方向貫通絕緣體層16b~16d之層間連接導體。此外，通孔導體v10係藉由貫通絕緣體層16b~16d之各個之複數個通孔導體彼此連結而構成。通孔導體v10連接電感器導體26c,26d之逆時針方向之下游側端部與電感器導體26e,26f之逆時針方向之上游端。
以上述方式構成之電感器L3，在從上側俯視時，係呈一邊往逆時針方向旋繞一邊從上側往下側行進之螺旋狀。
電感器L2呈旋繞與前後方向平行之捲繞軸之螺旋狀，設於積層體12之前後方向中央附近。亦即，電感器L2設於電感器L1與電感器L3之間。藉此，電感器L1~L3係從前側往後側依序排列。
又，電感器L2係藉由電感器導體22a~22e及通孔導體v4~v7構成。電感器導體22a,22c,22e係在絕緣體層16h表面設置成從前側往後側依序排列之線狀導體層。
電感器導體22a，係在從較絕緣體層16h前後方向中央前側往後側些微延伸後往左後側延伸之具有一個角部的導體。電感器導體22a之左端位於較絕緣體層16h左側之長邊中央些微前側。
電感器導體22c，係從較絕緣體層16h右側之長邊中央些微 前側之位置往左後側延伸之導體。電感器導體22c之左端位於較絕緣體層16h左側之長邊中央附近。
電感器導體22e，係在從絕緣體層16h右側之長邊中央附近往左後側延伸後往後側些微延伸之具有一個角部的導體。電感器導體22e之後端位於較絕緣體層16h中央後側。
電感器導體22a之一部分、電感器導體22c及電感器導體22e之一部分彼此平行地延伸。
電感器導體22b,22d，係在絕緣體層16b之表面上設置成從前側往後側依序排列之線狀導體層。因此，電感器導體22b,22d設於較電感器導體22a,22c,22e上側。
電感器導體22b，係在較絕緣體層16b中央前側處延伸於左右方向。電感器導體22b之左端，在從上側俯視時與電感器導體22a之左端重疊。電感器導體22b之右端，在從上側俯視時與電感器導體22c之右端重疊。
電感器導體22d，係在較絕緣體層16b中央後側處延伸於左右方向。電感器導體22d之左端，在從上側俯視時與電感器導體22c之左端重疊。電感器導體22d之右端，在從上側俯視時與電感器導體22e之右端重疊。
電感器導體22b及電感器導體22d彼此平行地延伸。
通孔導體v4係於上下方向貫通絕緣體層16b~16g之層間連接導體。此外，通孔導體v4係藉由貫通絕緣體層16b~16g之各個之複數個通孔導體彼此連結而構成。通孔導體v4連接電感器導體22a之左端與電感 器導體22b之左端。
通孔導體v5係於上下方向貫通絕緣體層16b~16g之層間連接導體。此外，通孔導體v5係藉由貫通絕緣體層16b~16g之各個之複數個通孔導體彼此連結而構成。通孔導體v5連接電感器導體22b之右端與電感器導體22c之右端。
通孔導體v6係於上下方向貫通絕緣體層16b~16g之層間連接導體。此外，通孔導體v6係藉由貫通絕緣體層16b~16g之各個之複數個通孔導體彼此連結而構成。通孔導體v6連接電感器導體22d之左端與電感器導體22c之左端。
通孔導體v7係於上下方向貫通絕緣體層16b~16g之層間連接導體。此外，通孔導體v7係藉由貫通絕緣體層16b~16g之各個之複數個通孔導體彼此連結而構成。通孔導體v7連接電感器導體22d之右端與電感器導體22e之右端。
以上述方式構成之電感器L2，在從前側俯視時，係呈一邊往逆時針方向旋繞一邊從前側往後側行進之螺旋狀。
電容器C1係藉由電容器導體28,30構成。更詳細而言，電容器導體30係設於絕緣體層16j表面、且設於絕緣體層16j右半部分且前半部分之區域的長方形導體層。又，電容器導體30分別被引出至絕緣體層16j之前側短邊中央。電容器導體28係設於絕緣體層16i表面、且設於絕緣體層16i右半部分且前半部分之區域的長方形導體層。電容器導體28在從上側俯視時係與電容器導體30重疊。藉此，電容器導體28隔著絕緣體層16i與電容器導體30對向。
電容器C2係藉由電容器導體32a,32b,38a,38b,40a,40b構成。更詳細而言，電容器導體32a,32b係分別設於絕緣體層16l,16n表面、且設於絕緣體層16l,16n左半部分且前半部分之區域的長方形導體層。又，電容器導體38a,38b係分別設於絕緣體層16l,16n表面、且設於絕緣體層16l,16n左半部分且後半部分之區域的長方形導體層。電容器導體40a,40b係設於絕緣體層16k,16m表面、且在絕緣體層16k,16m左半部分之區域呈延伸於前後方向之帶狀導體層。電容器導體40a,40b在從上側俯視時係與電容器導體32a,32b,38a,38b重疊。藉此，電容器導體32a,38a隔著絕緣體層16k與電容器導體40a對向，且隔著絕緣體層16l與電容器導體40b對向，電容器導體32b,38b隔著絕緣體層16m與電容器導體40b對向。
電容器C3係藉由電容器導體34,36構成。更詳細而言，電容器導體36係設於絕緣體層16j表面、且設於絕緣體層16j右半部分且後半部分之區域的長方形導體層。又，電容器導體36被引出至絕緣體層16j之後側短邊中央。電容器導體34係設於絕緣體層16i表面、且設於絕緣體層16i右半部分且後半部分之區域的長方形導體層。電容器導體34在從上側俯視時係與電容器導體36重疊。藉此，電容器導體34隔著絕緣體層16i與電容器導體36對向。
電容器C4係藉由電容器導體30及接地導體42構成。更詳細而言，接地導體42係覆蓋絕緣體層160大致全面的長方形導體層。在從上側俯視時係與電容器導體30重疊。藉此，電容器導體30隔著絕緣體層16j~16n與接地導體42對向。又，接地導體42被拉出至絕緣體層160之左側長邊三處及右側長邊三處。
電容器C5係藉由電容器導體32b及接地導體42構成。更詳細而言，接地導體42在從上側俯視時係與電容器導體32b重疊。藉此，電容器導體32b隔著絕緣體層16n與接地導體42對向。
電容器C6係藉由電容器導體38b及接地導體42構成。更詳細而言，接地導體42在從上側俯視時係與電容器導體38b重疊。藉此，電容器導體38b隔著絕緣體層16n與接地導體42對向。
電容器C7係藉由電容器導體36及接地導體42構成。更詳細而言，接地導體42在從上側俯視時係與電容器導體36重疊。藉此，電容器導體36隔著絕緣體層16j~16n與接地導體42對向。
通孔導體v3係串聯電感器L1與電感器L2之層間連接導體。更詳細而言，通孔導體v3係於上下方向貫通絕緣體層16f,16g之層間連接導體。此外，通孔導體v3係藉由貫通絕緣體層16f,16g之各個之複數個通孔導體彼此連結而構成。通孔導體v3連接電感器導體18e,18f之逆時針方向之下游側端部與電感器導體22a之前端。
通孔導體v8係串聯電感器L2與電感器L3之層間連接導體。更詳細而言，通孔導體v8係於上下方向貫通絕緣體層16f,16g之層間連接導體。此外，通孔導體v8係藉由貫通絕緣體層16f,16g之各個之複數個通孔導體彼此連結而構成。通孔導體v8連接電感器導體26a,26b之逆時針方向之上游側端部與電感器導體22e之後端。
通孔導體v11係串聯電感器L1,L2與電容器C1,C2,C5之層間連接導體。更詳細而言，通孔導體v11係於上下方向貫通絕緣體層16h~16m之層間連接導體。此外，通孔導體v11係藉由貫通絕緣體層16h~16m 之各個之複數個通孔導體彼此連結而構成。通孔導體v11連接電感器導體22a前端與電容器導體28,32a,32b。
通孔導體v12係串聯電感器L2,L3與電容器C2,C3,C6之層間連接導體。更詳細而言，通孔導體v12係於上下方向貫通絕緣體層16h~16m之層間連接導體。此外，通孔導體v12係藉由貫通絕緣體層16h~16m之各個之複數個通孔導體彼此連結而構成。通孔導體v12連接電感器導體22e後端與電容器導體34,38a,38b。
外部端子14a，如圖1B所示，在積層體12前面設置成延伸於上下方向。藉此，外部端子14a係與電感器導體18a,18b及電容器導體30連接。亦即，外部端子14a係與電感器L1及電容器導體C1,C4連接。
外部端子14b，如圖1B所示，在積層體12後面設置成延伸於上下方向。藉此，外部端子14b係與電感器導體26e,26f及電容器導體36連接。亦即，外部端子14b係與電感器L3及電容器導體C3,C7連接。
外部端子14c~14e，如圖1B所示，在積層體12左面設置成從前側往後側依序排列。又，外部端子14c~14e延伸於上下方向。藉此，外部端子14c~14e係與接地導體42連接。亦即，外部端子14c~14e係與電容器導體C4~C7連接。
外部端子14f~14h，如圖1B所示，在積層體12右面設置成從前側往後側依序排列。又，外部端子14f~14h延伸於上下方向。藉此，外部端子14f~14h係與接地導體42連接。亦即，外部端子14f~14h係與電容器導體C4~C7連接。
(電子零件的製造方法)
接下來，針對電子零件10的製造方法，一邊參照圖1A、圖1B、圖2A及圖2B一邊進行說明。
首先，準備用以成為絕緣體層16a~16p的陶瓷胚片(green sheet)。接著，在用以成為絕緣體層16b~16m的陶瓷胚片之各個，形成通孔導體v1~v12。具體而言，對用以成為絕緣體層16b~16m的陶瓷胚片照射雷射光束，而形成通孔。接著，對該通孔，利用印刷塗布等方法填充Ag、Pd、Cu、Au或該等之合金等的導電性糊料。
接著，在用以成為絕緣體層16b~160的陶瓷胚片之表面上，利用網版印刷法或光刻法等方法塗布以Ag、Pd、Cu、Au或該等之合金等為主成分的導電性糊料，藉此形成電感器導體18a~18f,22a~22e,26a~26f、電容器導體28,30,32a,32b,34,36,38a,38b,40a,40b及接地導體42。另外，亦可在電感器導體18a~18f,22a~22e,26a~26f、電容器導體28,30,32a,32b,34,36,38a,38b,40a,40b及接地導體42之形成時，進行對通孔填充導電性糊料。
接著，將各陶瓷胚片進行積層。具體而言，係將用以成為絕緣體層16a~16p的陶瓷胚片逐一積層及壓接。藉由上述之步驟，形成母積層體。利用靜水壓按壓等，對該母積層體實施正式壓接。
接著，利用切刀刃將母積層體切割成既定尺寸的積層體12。
藉由以上之步驟，可得未燒成的積層體12。對積層體12實施滾筒加工，並進行倒角，並對該未燒成的積層體12施以脫黏合劑處理及燒成。
最後，在積層體12的表面塗布以Ag、Pd、Cu、Au或該等 之合金等為主成分的導電性糊料，形成外部端子14a~14h之基底電極。接著，對基底電極之表面實施鍍Ni/鍍Sn，藉此形成外部端子14a~14h。經由以上之步驟，完成電子零件10。此外，亦可在切割成積層體12後，進行滾筒加工，並於接著形成導電性糊料之外部端子14a~14h後，燒成積層體12。
(效果)
根據以上般構成的電子零件10，能謀求插入損耗之減低。更詳細而言，電子零件10中，將電感器L2作成螺旋狀之電感器。由於螺旋狀電感器之空芯徑較渦旋狀電感器之空芯徑大，因此能提高電感器L2之Q值。又，螺旋狀電感器L2之電感值較渦旋狀電感器之電感值大。藉此，能謀求電子零件10之插入損耗之減低。
又，根據電子零件10，能在通過頻帶以外之頻帶取得充分之衰減量。更詳細而言，電子零件10中，電感器L1~L3係從前側往後側依序排列。進而，電感器L1與電感器L3呈旋繞與上下方向平行之捲繞軸之螺旋狀。又，電感器L2呈旋繞與前後方向平行之捲繞軸之螺旋狀。亦即，電感器L1,L3之旋繞軸與電感器L2之捲繞軸正交。因此，與電感器L1~L3之捲繞軸一致之場合相較，電感器L1,L3之捲繞軸與電感器L2之捲繞軸正交之場合，電感器L1與電感器L2之電磁耦合及電感器L2與電感器L3之電磁耦合變弱。藉此，在電感器L1與電感器L2之間、以及電感器L2與電感器L3之間變得難以傳送高頻訊號，而能在通過頻帶以外之頻帶取得充分之衰減量。
此處，電子零件10中，較佳為使LC並聯諧振器LC2之諧振頻率較LC並聯諧振器LC1,LC3之諧振頻率低。藉此，在電子零件10作 為低通濾波器使用時，會在通過頻帶之上限中通過特性急遽地下降。圖3係顯示電子零件10之通過特性之圖表。縱軸顯示通過特性，橫軸顯示頻率。
更詳細而言，在使LC並聯諧振器LC2之諧振頻率較LC並聯諧振器LC1,LC3之諧振頻率低時，係藉由LC並聯諧振器LC2形成衰減極P2，藉由LC並聯諧振器LC1形成衰減極P1，藉由LC並聯諧振器LC3形成衰減極P3。衰減極P2之頻率較衰減極P1,P3之頻率低，位於通過頻帶之上限附近。此種電子零件10中，只要藉由具有高Q值之螺旋狀電感器構成形成衰減極P2之LC並聯諧振器LC2之電感器L2，即可減低在衰減極P2附近之插入損耗。其結果，如圖3之A部分所示，在通過頻帶之上限中通過特性急遽地下降。
又，電子零件10，能調整電感器L1與電感器L2之耦合度。更詳細而言，電感器L1透過通孔導體v3,v11連接於電容器C5，電感器L2透過通孔導體v11連接於電容器C5。亦即，電感器L1與電感器L2透過一條通孔導體v11連接於電容器C5。通孔導體v11發揮電感器作用。因此，電感器L1與通孔導體v11電磁耦合，電感器L2與通孔導體v11電磁耦合。藉此，電感器L1與電感器L2透過通孔導體v11而彼此電磁耦合。藉此，能藉由調整通孔導體v11長度來調整電感器L1與電感器L2之耦合度。此外，能依據相同之原理亦調整電感器L2與電感器L3之耦合度。
又，電子零件10能謀求電感器L1,L3之低阻抗化。以下舉電感器L1為例來說明。電感器L1中，係並聯電感器導體18a,18b，並聯電感器導體18c,18d，並聯電感器導體18e,18f。藉此，能謀求電感器L1之低阻抗化。此外，電感器L3亦藉由相同理由而能謀求低阻抗化。又，電感器 L2中亦可與電感器L1,L3同樣地並聯電感器導體。
又，電子零件10中，在電流流經電感器L1~L3時，在電感器L1之電流旋繞方向與在電感器L3之電流旋繞方向係相同。
又，電子零件10中設有電容器C4~C7。通過LC並聯諧振器LC1~LC3之高頻訊號中具有較通過頻帶高之頻率之高頻訊號透過電容器C4~C7往地面流動。藉此，能使電子零件10之作為低通濾波器之功能更為提升。
(變形例)
以下參照圖式說明變形例之電子零件。圖4A及圖4B係變形例之電子零件10a的積層體12的分解立體圖。關於電子零件10a之等效電路圖及外觀立體圖援用圖1A及圖1B。
電子零件10a在電感器L1,L2與電容器C5之連接構造、以及電感器L2,L3與電容器C6之連接構造方面係與電子零件10相異。以下，以此相異點為中心說明電子零件10a之構成。
電子零件10a中，係取代通孔導體v3,v8,v11,v12而設有通孔導體v21~v24。
通孔導體v21係連接電感器L1與電容器C5之層間連接導體。更詳細而言，通孔導體v21係於上下方向貫通絕緣體層16f~16m之層間連接導體。此外，通孔導體v21係藉由貫通絕緣體層16f~16m之各個之複數個通孔導體彼此連結而構成。通孔導體v21連接電感器導體18e,18f之逆時針方向之下游側端部與電容器導體28,32a,32b。
通孔導體v22係連接電感器L2與電容器C5之層間連接導 體。更詳細而言，通孔導體v22係於上下方向貫通絕緣體層16h~16m之層間連接導體。此外，通孔導體v22係藉由貫通絕緣體層16h~16m之各個之複數個通孔導體彼此連結而構成。通孔導體v22連接電感器導體22a之前端與電容器導體28,32a,32b。
通孔導體v23係連接電感器L2與電容器C6之層間連接導體。更詳細而言，通孔導體v23係於上下方向貫通絕緣體層16h~16m之層間連接導體。此外，通孔導體v23係藉由貫通絕緣體層16h~16m之各個之複數個通孔導體彼此連結而構成。通孔導體v23連接電感器導體22e之後端與電容器導體34,38a,38b。
通孔導體v24係連接電感器L3與電容器C6之層間連接導體。更詳細而言，通孔導體v24係於上下方向貫通絕緣體層16f~16m之層間連接導體。此外，通孔導體v24係藉由貫通絕緣體層16f~16m之各個之複數個通孔導體彼連結而構成。通孔導體v24連接電感器導體26a,26b之逆時針方向之上游側端部與電容器導體34,38a,38b。
如以上述方式構成之電子零件10a能大幅減低衰減量。更詳細而言，電子零件10a中，連接電感器L1與電容器C5之通孔導體v21及連接電感器L2與電容器C5之通孔導體v22係分別設置。此情形下，連接電感器L1與電容器C5之通孔導體v21及電感器L1構成一個電感器，連接電感器L2與電容器C5之通孔導體v22及電感器L2構成一個電感器。又，兩個電感器並非如電子零件10般透過一條通孔導體連接於電容器C5，而是直接連接於電容器C5。因此，不會如電子零件10般兩個電感器透過一條通孔導體電磁耦合。其結果，電感器L1與電感器L2之耦合度變低。因此， 能大幅減低電子零件10a之衰減量。此外，依據相同之原理，電感器L2與電感器L3之耦合度亦變低。
(其他實施形態)
本發明之電子零件並不限於電子零件10,10a，能在其要旨之範圍內變更。
此外，LC並聯諧振器之數目不限於三個。LC並聯諧振器之數目亦可為四以上。在設有n個LC並聯諧振器LC1~LCn時，位於前後方向兩端之LC並聯諧振器LC1,LCn之電感器L1,Ln呈旋繞與上下方向平行之捲繞軸之螺旋狀。又，LC並聯諧振器LC2~LCn-1中之至少一個電感器呈旋繞與前後方向平行之捲繞軸之螺旋狀。此外，此情形下，設於外部端子14a,14b附近之LC並聯諧振器LC1及LC並聯諧振器LCn之諧振頻率，較佳為較LC並聯諧振器LC2至LC並聯諧振器LCn-1之諧振頻率低。
進而，LC2~LCn-1中之至少一個電感器之線圈徑亦可在途中變化。藉由使線圈徑變化，而能調整成能取得適切之電感值。
此外，電感器L1,L3之捲繞軸雖係平行於上下方向，但亦可相對上下方向略微偏移。亦即，電感器L1,L3之捲繞軸只要係沿著上下方向即可。
又，電感器L2之捲繞軸雖係平行於前後方向，但亦可相對前後方向略微偏移。亦即，電感器L2之捲繞軸只要係沿著前後方向即可。
此外，在電流流經電感器L1~L3時，在電感器L1之電流旋繞方向與在電感器L3之電流旋繞方向亦可係逆向。藉此，能增強電感器L1與電感器L3之電磁耦合。
又，電子零件10,10a中，雖電感器導體22b,22d設於絕緣體層16b，但電感器導體22b,22d亦可分散設於不同絕緣體層。如此，藉由使電感器導體22b,22d之上下方向位置變化，而能調整電感器L2之空芯徑，能調整電感器L2之電感值。基於相同理由，電感器導體22a,22c,22e亦可分散設於不同絕緣體層。
又，電感器L1,L3亦可呈旋繞沿著上下方向之捲繞軸之渦旋狀。所謂渦旋狀之電感器，係指在從上側俯視時，在實質上同一平面上旋繞複數周且同時從中心往外周或從外周往中心之形狀的電感器。
此外，電容器C4~C5亦可不完全設置，只要設有此等電容器中之至少任一個即可。
[產業上可利用性]
本發明對於電子零件係有貢獻的，尤其是在能謀求插入損耗之減低且能在通過頻帶以外之頻帶取得充分之衰減量方面，表現優異。
16a~16p‧‧‧絕緣體層
18a~18f、22a~22d、26a~26f‧‧‧電感器導體
28、30、32a、32b、34、36、38a、38b、40a、40b‧‧‧電容器導體
42‧‧‧接地導體
v1~v12‧‧‧通孔導體

Claims (13)

  1. 一種電子零件，其特徵在於，具備：元件本體；以及串聯之第1 LC並聯諧振器至第n(n為3以上之整數)LC並聯諧振器；前述第1 LC並聯諧振器至前述第n LC並聯諧振器分別包含第1電感器至第n電感器、以及第1電容器至第n電容器；前述第1電感器至前述第n電感器，係以於第1方向依序排列之方式設於前述元件本體；前述第1電感器及前述第n電感器呈旋繞捲繞軸之渦旋狀或螺旋狀，該捲繞軸係沿著與前述第1方向正交之第2方向；前述第2電感器至前述第n-1電感器中之至少一個電感器，呈旋繞沿著前述第1方向之捲繞軸之螺旋狀。
  2. 如申請專利範圍第1項之電子零件，其中，n為3。
  3. 如申請專利範圍第2項之電子零件，其中，前述第2 LC並聯諧振器之諧振頻率，較前述第1 LC並聯諧振器之諧振頻率及前述第3 LC並聯諧振器之諧振頻率低。
  4. 如申請專利範圍第2或3項之電子零件，其進一步具備：輸入端子，設於前述元件本體表面，連接於前述第1 LC並聯諧振器；輸出端子，設於前述元件本體表面，連接於前述第3 LC並聯諧振器；接地端子，設於前述元件本體之表面；以及電容器，連接於前述輸入端子與前述第1 LC並聯諧振器之連接點與前述接地端子之間、該第1 LC並聯諧振器與前述第2 LC並聯諧振器之連接點 與該接地端子之間、該第2 LC並聯諧振器與前述第3 LC並聯諧振器之連接點與該接地端子之間、或該第n LC並聯諧振器與前述輸出端子之連接點與該接地端子之間。
  5. 如申請專利範圍第4項之電子零件，其中，前述元件本體，係複數個絕緣體層積層於前述第2方向而構成；前述第1 LC並聯諧振器至前述第3 LC並聯諧振器，係藉由在前述第2方向貫通設於前述絕緣體層上之內部導體及前述絕緣體層之層間連接導體構成。
  6. 如申請專利範圍第5項之電子零件，其中，於前述第1 LC並聯諧振器與前述第2 LC並聯諧振器之連接點與前述接地端子之間設有前述電容器；進一步具備：串聯前述第1電感器與前述第2電感器之第1層間連接導體；以及連接前述第2電感器與前述電容器之第2層間連接導體。
  7. 如申請專利範圍第5項之電子零件，其中，於前述第1 LC並聯諧振器與前述第2 LC並聯諧振器之間與前述接地端子之間設有前述電容器；進一步具備：電連接前述第1電感器與前述電容器之第3層間連接導體；以及電連接前述第2電感器與前述電容器之第4層間連接導體。
  8. 如申請專利範圍第5項之電子零件，其中，前述第1電感器至前述第3電感器之至少一個係藉由並聯複數個內部導體構成。
  9. 如申請專利範圍第5項之電子零件，其中，前述第2電感器，係藉由 下述構件構成：複數個第1電感器導體，設於前述絕緣體層上且排列於前述第1方向且彼此平行；第2電感器導體，係設於較該第1電感器導體位於前述第2方向之一方側之前述絕緣體層上且排列於該第1方向且彼此平行，在從該第2方向俯視時，在位於該第1方向一方側之前述第1電感器導體之一端部與一端部重疊，且在位於該第1方向另一方側之前述第1電感器導體之另一端部與另一端部重疊；複數個第5層間連接導體，連接前述第1電感器導體之一端部與前述第2電感器導體之一端部；以及複數個第6層間連接導體，連接前述第1電感器導體之另一端部與前述第2電感器導體之另一端部；前述複數個第1電感器導體分散設於複數個前述絕緣體層。
  10. 如申請專利範圍第2項之電子零件，其中，前述第1電感器及前述第3電感器呈螺旋狀。
  11. 如申請專利範圍第2項之電子零件，其中，前述第1電感器及前述第3電感器呈渦旋狀。
  12. 如申請專利範圍第1項之電子零件，其中，n為4以上。
  13. 如申請專利範圍第1或12項之電子零件，其中，前述第2 LC並聯諧振器至前述第n-1 LC並聯諧振器之諧振頻率，較前述第1 LC並聯諧振器及前述第n LC並聯諧振器之諧振頻率低。
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