TWI514758B - filter - Google Patents

Description

濾波器

本發明係關於一種濾波器，更特定而言，係關於積層型LC濾波器。

作為習知濾波器，已知例如專利文獻1所揭示之積層型電介質濾波器。以下，參照圖式說明專利文獻1所揭示之積層型電介質濾波器。圖6係積層型電介質濾波器500的分解立體圖。

積層型電介質濾波器500具備積層體502及外部電極503(503a～503d)。積層體502為長方體狀，係積層有長方形之絕緣體層504(504a～504j)而構成。外部電極503係分別設於積層體502之四個側面。外部電極503a係高頻訊號之輸入端子。外部電極503b係高頻訊號之輸出端子。外部電極503c,503d係接地端子。

又，積層型電介質濾波器500內設共振器505(505a～505c)。共振器505a～505c分別具有共振電極506a～506c。共振電極506a～506c係設於絕緣體層504f，作用為線圈。共振電極506a係連接於外部電極503a,503c。共振電極506b係連接於外部電極503c。共振電極506c係連接於外部電極503b,503c。共振電極506b係與共振電極506a,506c磁耦合。此外，共振器505a～505c除了共振電極506以外亦具有電容器，但此處省略說明。

再者，積層型電介質濾波器500具有調整電極508。調整電極508在從積層方向俯視時重疊於共振電極506a,506c之局部且未重疊於共振電極506b。

如以上構成之積層型電介質濾波器500，高頻訊號係藉由外部電極503a輸入，藉由外部電極503b輸出。由於共振電極506a與共振電極506b磁耦合，因此從外部電極503a輸入之高頻訊號係藉由電磁感應傳送至共振電極506b。再者，由於共振電極506b與共振電極506c磁耦合，因此高頻訊號係藉由電磁感應傳送至共振電極506c。接著，在共振電極506c傳送之高頻訊號從外部電極503b輸出。此處，共振電極506a～506c構成共振器505a～505c。因此，在該共振電極506a～506c之傳送中，通過頻帶以外之高頻訊號會被除去。因此，從外部電極503b輸出通過頻帶之高頻訊號。

再者，在積層型電介質濾波器500，如圖6所示，設有調整電極508。藉此，能使積層型電介質濾波器500之通過頻帶之低頻側急速衰減。

然而，積層型電介質濾波器500具有欲使通過頻帶狹帶化時會大型化之問題。更詳細而言，在積層型電介質濾波器500謀求狹帶化時，使共振電極506a～506c間之磁耦合變弱即可。然而，為了使共振電極506a～506c間之磁耦合變弱，必需加大共振電極506a～506c間之距離。其結果，積層型電介質濾波器500會大型化。

專利文獻1：日本特開2006-33614號公報

因此，本發明之目的在於提供一種不會大型化即可謀求通過頻帶之狹帶化之濾波器。

本發明第1形態之濾波器，具備：積層體，係積層複數層絕緣體層構成；輸入電極及輸出電極，係設於該積層體之表面；第1共振器，連接於該輸入電極且包含第1線圈；第2共振器，連接於該輸出電極且包含第2線圈；以及第3共振器，包含與該第1線圈及/或該第2線圈磁耦合之第3線圈；該第1線圈及該第2線圈分別包含設於該絕緣體層上之第1線圈導體層及第2線圈導體層；該第3線圈包含在積層方向貫通該絕緣體層之導通孔導體。

本發明第2形態之濾波器，具備：積層體，係積層複數層絕緣體層構成；輸入電極及輸出電極，係設於該積層體之表面；第1共振器，連接於該輸入電極且包含第1線圈；第2共振器，連接於該輸出電極且包含第2線圈；以及第3共振器，包含與該第1線圈及/或該第2線圈磁耦合之第3線圈；該第1線圈及該第2線圈係分別藉由在積層方向貫通該絕緣體層之第1導通孔導體及第2導通孔導體構成；該第3線圈包含設於該絕緣體層上之第3線圈導體層。

根據本發明，不會大型化即可謀求通過頻帶之狹帶化。

以下說明本發明實施形態之濾波器。

(電子零件之構成)

以下，參照圖式說明本發明一實施形態之濾波器之構成。圖1係本發明實施形態之濾波器10的外觀立體圖。圖2係濾波器10的分解立體圖。圖3係濾波器10的等效電路圖。圖1及圖2中，z軸方向表示積層方向。又，x軸方向表示從z軸方向俯視時沿著濾波器10長邊之方向。y軸方向表示從z軸方向俯視時沿著濾波器10短邊之方向。此外，x軸、y軸、z軸之原點為濾波器10之中心。

濾波器10，如圖1及圖2所示，具備積層體12、外部電極14(14a～14d)、方向辨識標記15、共振器LC1～LC3及電容器C4～C7。積層體12，如圖2所示，係藉由積層絕緣體層16(16a～16h)而構成，為長方體狀。又，積層體12內設共振器LC1～LC3。

外部電極14a，如圖1所示，係設於積層體12在x軸方向之負方向側之側面(表面)，使用為高頻訊號之輸入電極。外部電極14b，係設於積層體12在x軸方向之正方向側之側面(表面)，使用為高頻訊號之輸出電極。外部電極14c，係設於積層體12在y軸方向之負方向側之側面(表面)，使用為接地電極。外部電極14d，係設於積層體12在y軸方向之正方向側之側面(表面)，使用為接地電極。

方向辨識標記15係設於積層體12在z軸方向之正方向側之上面，在構裝時用於辨識濾波器10之輸入電極與輸出電極之方向。

絕緣體層16，如圖2所示為長方形，係藉由例如陶瓷電介質構成。絕緣體層16a～16h，在z軸方向從正方向側往負方向側積層為依此順序排列。

共振器LC1，如圖2及圖3所示，包含線圈L1及電容器C1，連接於外部電極14a與外部電極14c,14d之間。具體而言，線圈L1及電容器C1並聯於外部電極14a與外部電極14c,14d之間。

線圈L1，如圖2所示，係藉由線圈導體層18構成。線圈導體層18包含線圈部18a及引出部18b,18c，設於絕緣體層16c上。線圈部18a，從z軸方向俯視時，在絕緣體層16c(xy平面)上，為順時針旋轉並從外部電極14a朝向外部電極14c之線狀導體。再者，線圈部18a具有在y軸方向延伸之部分。又，引出部18b係連接於線圈部18a之一端，與絕緣體層16c在x軸方向之負方向側之短邊接觸。藉此，線圈導體層18係連接於外部電極14a。同樣地，引出部18c係連接於線圈部18a之另一端，與絕緣體層16c在y軸方向之負方向側之長邊接觸。藉此，線圈導體層18係連接於外部電極14c。

電容器C1係藉由電容器導體層26及接地導體層32構成。電容器導體層26係藉由電容器部26a及引出部26b構成，設於絕緣體層16f上。電容器部26a係設於絕緣體層16f上之矩形導體。引出部26b係連接於電容器部26a，與絕緣體層16f在x軸方向之負方向側之短邊接觸。藉此，電容器導體層26係連接於外部電極14a。又，接地導體層32係藉由接地部32a及引出部32b～32g構成，設於絕緣體層16h上。接地部32a係設成覆蓋絕緣體層16h之大致整面之矩形導體。藉此，電容器導體層26與接地導體層32隔著絕緣體層16f,16g對向，構成電容器C1。引出部32b～32d係連接於接地部32a，與絕緣體層16h在y軸方向之負方向側之長邊接觸。引出部32e～32g係連接於接地部32a，與絕緣體層16h在y軸方向之正方向側之長邊接觸。藉此，接地導體層32係連接於外部電極14c,14d。根據上述，電容器C1係連接於外部電極14a與外部電極14c,14d。

共振器LC2，如圖2及圖3所示，包含線圈L2及電容器C2，連接於外部電極14b與外部電極14c,14d之間。具體而言，線圈L2及電容器C2並聯於外部電極14b與外部電極14c,14d之間。

線圈L2，如圖2所示，係藉由線圈導體層20構成。線圈導體層20包含線圈部20a及引出部20b,20c，設於絕緣體層16c上。線圈部20a，從z軸方向俯視時，在絕緣體層16c(xy平面)上，為反時針旋轉並從外部電極14b朝向外部電極14c之線狀導體。再者，線圈部20a具有在y軸方向延伸之部分。又，引出部20b係連接於線圈部20a之一端，與絕緣體層16c在x軸方向之正方向側之短邊接觸。藉此，線圈導體層20係連接於外部電極14b。同樣地，引出部20c係連接於線圈部20a之另一端，與絕緣體層16c在y軸方向之負方向側之長邊接觸。藉此，線圈導體層20係連接於外部電極14c。

電容器C2係藉由電容器導體層28及接地導體層32構成。電容器導體層28係藉由電容器部28a及引出部28b構成，設於絕緣體層16f上。電容器部28a在絕緣體層16f上係設於較電容器部26a更往x軸方向之正方向側之矩形導體。引出部28b係連接於電容器部28a，與絕緣體層16f在x軸方向之正方向側之短邊接觸。藉此，電容器導體層28係連接於外部電極14b。關於接地導體層32之詳細已進行說明因此省略說明。藉此，電容器導體層28與接地導體層32隔著絕緣體層16f,16g對向，構成電容器C2。此外，電容器C2係連接於外部電極14b與外部電極14c,14d。

此處，接地導體層32之面積，如圖2所示，大於電容器導體層26之面積與電容器導體層28之面積之合計。再者，電容器導體層26,28，在z軸方向係設於接地導體層32與線圈導體層18,20之間。

共振器LC3，如圖2及圖3所示，包含線圈L3及電容器C3，連接於外部電極14c,14d。又，共振器LC3，如圖2所示，從z軸方向俯視時，在x軸方向挾持於共振器LC1與共振器LC2。

線圈L3，如圖2所示，係藉由導通孔導體B1,B2及連接導體層34構成，與線圈L1,L2磁耦合。導通孔導體B1，從z軸方向俯視時，在x軸方向於線圈導體層18,20之間，在z軸方向直線延伸。此外，導通孔導體B1係藉由導通孔導體b1～b6構成，在z軸方向貫通絕緣體層16b～16g。導通孔導體B2，從z軸方向俯視時，在較導通孔導體B1更往y軸方向之正方向側，且在x軸方向於線圈導體層18,20之間，在z軸方向直線延伸。此外，導通孔導體B2係藉由導通孔導體b11～b15構成，在z軸方向貫通絕緣體層16b～16f。連接導體層34，在與設有線圈導體層18,20之絕緣體層16c不同之絕緣體層16b上，係設於線圈導體層18,20在x軸方向之間，將導通孔導體B1,B2在z軸方向之正方向側之端部彼此加以連接。連接導體層34為在y軸方向延伸之線狀導體，從z軸方向俯視時，與線圈部18a在y軸方向延伸之部分及線圈部20a在y軸方向延伸之部分平行延伸。

電容器C3係藉由電容器導體層30及接地導體層32構成。電容器導體層30係設於與設有電容器導體層26,28之絕緣體層16f不同之絕緣體層16g上之矩形導體，從z軸方向俯視時，與導通孔導體B2重疊。因此，電容器導體層30與導通孔導體B2之導通孔導體b15在z軸方向之負方向側之端部連接。接地導體層32，從z軸方向俯視時，與導通孔導體B1重疊。因此，接地導體層32與導通孔導體B1之導通孔導體b6在z軸方向之負方向側之端部連接。藉此，電容器導體層30及接地導體層32隔著絕緣體層16g對向，構成電容器C3。此外，藉由以上構成，線圈L3之一端與電容器導體層30連接，線圈L3之另一端及接地導體層32係連接於外部電極14c,14d。

電容器C4,C5係藉由耦合導體層24及電容器導體層26,28構成，在外部電極14a,14b之間串聯。耦合導體層24係藉由電容器部24a,24b及連接部24c構成，設於絕緣體層16e上。電容器部24a為矩形導體。電容器部24a與電容器導體層26之電容器部26a對向而與該電容器部26a電容耦合，構成電容器C4。電容器部24b，在絕緣體層16e上，係設於較電容器部24a更往x軸方向之正方向側之矩形導體。電容器部24b與電容器導體層28之電容器部28a對向而與該電容器部28a電容耦合，構成電容器C5。由於已針對電容器導體層26,28進行說明，因此省略說明。連接部24c，在絕緣體層16e上，在x軸方向延伸，將電容器部24a,24b加以連接。再者，連接部24c與導通孔導體B2連接。由於具有以上構成，因此電容器C4,C5在外部電極14a,14b之間串聯。再者，電容器C4,C5係連接於線圈L3與電容器C3之間。

又，電容器導體層26構成電容器C1且亦構成電容器C4。因此，電容器C4，如圖3所示，係連接於線圈L1與電容器C1之間。同樣地，電容器導體層28構成電容器C2且亦構成電容器C5。因此，電容器C5，如圖3所示，係連接於線圈L2與電容器C2之間。

電容器C6,C7係藉由耦合導體層22及電容器導體層26,28構成，在外部電極14a,14b之間串聯。耦合導體層22係藉由電容器部22a,22b及連接部22c構成，設於絕緣體層16d上。耦合導體層22與共振器LC1及共振器LC2電容耦合，與共振器LC3幾乎不會電容耦合。具體而言，電容器部22a係設於絕緣體層16d上之矩形導體。電容器部22a與電容器部26a對向而與該電容器部26a電容耦合，構成電容器C6。電容器部22b，在絕緣體層16d上，係設於較電容器部22a更往x軸方向之正方向側之矩形導體。電容器部22b與電容器部28a對向而與該電容器部28a電容耦合，構成電容器C7。連接部22c，在絕緣體層16d上，在x軸方向延伸，將電容器部22a,22b加以連接。此處，電容器導體層26,28係分別連接於外部電極14a,14b。因此電容器C6,C7在外部電極14a,14b之間串聯。

如以上構成之濾波器10，線圈L1與線圈L2磁耦合，線圈L2與線圈L3磁耦合。藉此，濾波器10構成僅使既定頻帶之訊號通過之帶通濾波器。

以下，針對濾波器10之動作之一例，參照圖1至圖3進行說明。在濾波器10，如圖2及圖3所示，線圈L1之一端係連接於作為輸入電極之外部電極14a，線圈L1之另一端係連接於作為接地電極之外部電極14c。因此，在線圈L1，從外部電極14a向外部電極14c傳送高頻訊號。高頻訊號，在圖2中，從z軸方向俯視時，在線圈導體層18順時針傳送。

線圈L1與線圈L3係磁耦合。具體而言，線圈部18a在y軸方向延伸之部分與連接導體層34係磁耦合。藉此，高頻訊號，從線圈L1向線圈L3傳送。

又，線圈L3與線圈L2係磁耦合。具體而言，線圈部20a在y軸方向延伸之部分與連接導體層34係磁耦合。藉此，高頻訊號，從線圈L3向線圈L2傳送。接著，在高頻訊號通過共振器LC1～LC3之期間，從該高頻訊號除去既定通過頻帶以外之訊號。其結果，既定通過頻帶以外之訊號被除去後之輸出訊號，從外部電極14b輸出。

(效果)

如以上構成之濾波器10，不會大型化即可謀求通過頻帶之狹帶化。更詳細而言，在圖6所示之積層型電介質濾波器500謀求狹帶化之情形，使共振電極506a～506c間之磁耦合變弱即可。然而，為了使共振電極506a～506c間之磁耦合變弱，必需加大共振電極506a～506c間之距離。其結果，積層型電介質濾波器500會大型化。

因此，在濾波器10，線圈L3包含導通孔導體B1,B2。由於導通孔導體B1,B2在z軸方向延伸，因此高頻訊號在導通孔導體B1,B2傳送時，產生在導通孔導體B1,B2之周圍在xy平面內旋轉之磁通。另一方面，線圈L1,L2係分別藉由在xy平面內旋轉之線圈導體層18,20構成。在此種線圈導體層18,20傳送高頻訊號時，產生在與xy平面正交之面內旋轉之磁通。因此，在導通孔導體B1,B2產生之磁通與在線圈導體層18,20產生之磁通在彼此正交之面內旋轉。因此，導通孔導體B1,B2與線圈導體層18,20不易較強地磁耦合。根據上述，即使共振器LC1～LC3接近，線圈L1～L3亦不會較強地磁耦合，因此不使濾波器10大型化即可謀求狹帶化。

又，根據以下理由，不使濾波器10大型化亦可謀求通過頻帶之狹帶化。更詳細而言，線圈L1與線圈L3主要在線圈部18a在y軸方向延伸之部分與連接導體層34之間磁耦合。同樣地，線圈L2與線圈L3主要在線圈部20a在y軸方向延伸之部分與連接導體層34之間磁耦合。此外，線圈導體層18,20與連接導體層34係設於不同之絕緣體層16上。因此，線圈導體層18,20與連接導體層34，與此等設於相同之絕緣體層16上之情形相比，較弱地磁耦合。其結果，即使共振器LC1～LC3接近，線圈L1～L3亦不會較強地磁耦合，因此不使濾波器10大型化即可謀求狹帶化。

又，在濾波器10，如以下說明，容易調整線圈L1,L2與線圈L3之磁耦合之強度。線圈導體層18,20與連接導體層34係設於不同之絕緣體層16上。因此，藉由變更設有線圈導體層18,20或連接導體層34之絕緣體層16之厚度或絕緣體層16之積層數等，可調整線圈導體層18,20與連接導體層34之距離，調整該等之磁耦合之強度。

又，在濾波器10，如以下說明，可不使其大型化，減少插入損耗。更詳細而言，具備複數個共振器之所謂多段濾波器中，由於愈中央段之共振器電力愈集中，因此藉由使中央段之共振器之無負載Q變大能使濾波器之插入損耗變小。在濾波器10，為了使中央段之共振器LC3之無負載Q變大，例如可縮小線圈L3之直流電阻值。因此，在濾波器10，線圈L3係藉由導通孔導體B1,B2構成。導通孔導體B1,B2相較於導體層易於使直流電阻值變低。更詳細而言，在導體層，z軸方向之厚度非常小，因此欲確保充分之剖面積之情形，必須要較大線寬。另一方面，在導通孔導體B1,B2，由於具有圓形剖面，因此相較於導體層易於確保較大剖面積。因此，導通孔導體B1,B2較導體層易於使電阻值變低。根據上述，在濾波器10，可不使其大型化，減少插入損耗。

又，在濾波器10，耦合導體層24使共振器LC1與共振器LC3電容耦合，且使共振器LC2與共振器LC3電容耦合。藉此，可獲得共振器LC1中線圈部18a與共振器LC3中連接導體層34之磁耦合與電容耦合之均衡，且獲得共振器LC2中線圈部20a與共振器LC3中連接導體層34之磁耦合與電容耦合之均衡。其結果，可調整各共振器LC1～LC3間之耦合，提昇濾波器10之設計自由度。

又，在濾波器10，共振器LC1與共振器LC2係藉由耦合導體層22電容耦合。具備複數個共振器之多段濾波器中，已知使輸入段之共振器與輸出段之共振器耦合時可在濾波器之通帶兩側或單側形成衰減極。藉由本實施形態之構成，可提升濾波器10之衰減特性。又，藉由變更絕緣體層16d之厚度，能使電容之耦合量變化，容易獲得所欲衰減特性。

又，在濾波器10，電容器導體層26,28與電容器導體層30係設於不同之絕緣體層16上。藉此，電容器導體層26,28,30不易接近。其結果，在濾波器10，相較於電容器導體層26,28,30設於相同之絕緣體層16之情形，電容器導體層26,28,30之大小、形狀、位置等之設計自由度變高。

又，在濾波器10，如以下說明，可降低插入損耗。更詳細而言，高頻訊號在線圈導體層18,20傳送時，在線圈導體層18,20之周圍產生磁通。此磁通通過電容器導體層26,28及接地導體層32時，在電容器導體層26,28及接地導體層32產生渦電流。渦電流之產生使濾波器10之插入損耗增加。因此，較佳為抑制渦電流之產生。此處，接地導體層32之面積大於電容器導體層26,28之面積之合計。因此，接地導體層32及電容器導體層26,28位於從線圈導體層18,20相同距離時，在接地導體層32產生之渦電流大於在電容器導體層26,28產生之渦電流。因此，在濾波器10，藉由使接地導體層32較電容器導體層26,28離線圈導體層18,20更遠，抑制渦電流之產生。其結果，在濾波器10，可降低插入損耗。

又，線圈L3係藉由導通孔導體B1,B2及連接導體層34構成。此處，由於在導通孔導體B1,B2電流流於z軸方向，因此在導通孔導體B1,B2之周圍在與z軸方向垂直之xy平面內產生磁場。因此，在導通孔導體B1,B2之周圍產生之磁場不與接地導體層32交會。因此，不會產生渦電流，能使共振器LC3之無負載Q變高，使濾波器10低損耗化。又，線圈L3形成為使U字上下反轉之形狀。如此，線圈L3具有彎折之構造，因此不增加濾波器10在z軸方向之高度，能使線圈L3之長度變長，使線圈L3之電感值變大。

(電子零件之製造方法)

以下，參照圖1及圖2說明濾波器10的製造方法。

首先，準備應成為絕緣體層16的陶瓷坯片。接著，在應成為絕緣體層16b～16g的陶瓷坯片分別形成導通孔導體b1～b6,b11～b15。具體而言，對應成為絕緣體層16b～16g的陶瓷坯片照射雷射光束形成導通孔。接下來，使用印刷塗布等方法在該導通孔填充Ag、Pd、Cu、Au或它們的合金等的導電性糊。

接著，在應成為絕緣體層16a～16h的陶瓷坯片上用網版印刷法或光微影法等方法塗布將Ag、Pd、Cu、Au或它們的合金等作為主要成分的導電性糊，以形成外部電極14、方向辨識標記15、線圈導體層18,20、耦合導體層22,24、電容器導體層26,28,30、接地導體層32及連接導體層34。此外，在形成線圈導體層18,20時對導通孔填充導電性糊亦可。

接著，將各陶瓷坯片積層。具體而言，配置應成為絕緣體層16h的陶瓷坯片。接著，在應成為絕緣體層16h的陶瓷坯片上配置應成為絕緣體層16g的陶瓷坯片。之後，將應成為絕緣體層16g的陶瓷坯片對應成為絕緣體層16f的陶瓷坯片進行壓接。之後，對應成為絕緣體層16e,16d,16c,16b,16a的陶瓷坯片亦同樣地依此順序積層、壓接。藉由以上步驟，形成母積層體。藉由靜水壓加壓對此母積層體施加正式壓接。

接著，藉由切刀將母積層體切割成既定尺寸之積層體12。對該未燒成之積層體12進行脫結合劑處理及燒成。

藉由以上步驟，獲得燒成後之積層體12。對積層體12施加筒式加工，進行去角。之後，在積層體12的表面上，例如使用浸漬法等方法塗布及燒接主要成分為銀的電極糊，形成應成為外部電極14之銀電極。

最後，在銀電極的表面實施鍍鎳(Ni)/鍍錫(Sn)，形成外部電極14。經過以上的步驟，完成圖1所示的濾波器10。

(變形例)

又，在濾波器10，線圈L1,L2係藉由線圈導體層18,20構成，線圈L3係藉由連接導體層34及導通孔導體B1,B2構成。然而，線圈L1,L2係藉由導通孔導體構成，線圈L3係藉由線圈導體層構成亦可。以下，參照圖式說明變形例之濾波器10a。圖4係變形例之濾波器10a的分解立體圖。圖5係變形例之濾波器10a的等效電路圖。如圖3及圖5所示，濾波器10的等效電路與濾波器10a的等效電路相同。此外，濾波器10a的外觀立體圖援引圖1。又，對濾波器10a之構成之內、與濾波器10相同之構成賦予相同參照符號。

濾波器10a，如圖4及圖5所示，具備積層體12、外部電極14(14a～14d)、方向辨識標記15、共振器LC1～LC3及電容器C4～C7。積層體12，如圖4所示，係藉由積層絕緣體層16(16a～16i)而構成，為長方體狀。又，積層體12內設共振器LC1～LC3。

濾波器10a之外部電極14a～14d及方向辨識標記15之構成與濾波器10之該等之構成相同，因此省略說明。

絕緣體層16，如圖4所示為長方形，係藉由例如陶瓷電介質構成。絕緣體層16a～16i，在z軸方向從正方向側往負方向側積層為依此順序排列。

共振器LC1，如圖4及圖5所示，包含線圈L1及電容器C1，連接於外部電極14a與外部電極14c,14d之間。具體而言，線圈L1及電容器C1並聯於外部電極14a與外部電極14c,14d之間。

線圈L1，如圖4所示，係藉由導通孔導體B3,B4及連接導體層134構成。導通孔導體B3係藉由導通孔導體b21～b26構成，在z軸方向貫通絕緣體層16b～16g。導通孔導體B4係藉由導通孔導體b31～b37構成，在z軸方向貫通絕緣體層16b～16h。連接導體層134，在絕緣體層16b上，係設成延伸於y軸方向，將導通孔導體B3,B4在z軸方向之正方向側之端部彼此加以連接。

電容器C1係藉由電容器導體層126及接地導體層132構成。電容器導體層126係藉由電容器部126a及引出部126b構成，設於絕緣體層16h上。電容器部126a係設於絕緣體層16h上之矩形導體。引出部126b係連接於電容器部126a，與絕緣體層16h在x軸方向之負方向側之短邊接觸。藉此，電容器導體層126係連接於外部電極14a。又，接地導體層132係藉由接地部132a及引出部132b,132c構成，設於絕緣體層16i上。接地部132a係設成覆蓋絕緣體層16i之大致整面之矩形導體。藉此，電容器導體層126與接地導體層132隔著絕緣體層16h對向，構成電容器C1。引出部132b係連接於接地部132a，與絕緣體層16i在y軸方向之負方向側之長邊接觸。引出部132c係連接於接地部132a，與絕緣體層16i在y軸方向之正方向側之長邊接觸。藉此，接地導體層132係連接於外部電極14c,14d。根據上述，電容器C1係連接於外部電極14a與外部電極14c,14d。

共振器LC2，如圖4及圖5所示，包含線圈L2及電容器C2，連接於外部電極14b與外部電極14c,14d之間。具體而言，線圈L2及電容器C2並聯於外部電極14a與外部電極14c,14d之間。

線圈L2，如圖4所示，係藉由導通孔導體B5,B6及連接導體層136構成。導通孔導體B5係藉由導通孔導體b41～b46構成，在z軸方向貫通絕緣體層16b～16g。導通孔導體B6係藉由導通孔導體b51～b57構成，在z軸方向貫通絕緣體層16b～16h。連接導體層136，在絕緣體層16b上，係設成延伸於y軸方向，將導通孔導體B5,B6在z軸方向之正方向側之端部彼此加以連接。

電容器C2係藉由電容器導體層128及接地導體層132構成。電容器導體層128係藉由電容器部128a及引出部128b構成，設於絕緣體層16h上。電容器部128a係設於絕緣體層16h上之矩形導體。藉此，電容器導體層128與接地導體層132隔著絕緣體層16h對向，構成電容器C2。引出部128b係連接於電容器部128a，與絕緣體層16h在x軸方向之正方向側之短邊接觸。藉此，電容器導體層128係連接於外部電極14b。根據上述，電容器C2係連接於外部電極14b與外部電極14c,14d。

共振器LC3，如圖4及圖5所示，包含線圈L3及電容器C3，連接於外部電極14c,14d。又，共振器LC3，如圖4所示，從z軸方向俯視時，在x軸方向挾持於共振器LC1與共振器LC2。

線圈L3，如圖4所示，係藉由線圈導體層118及導通孔導體b61,b62構成，與線圈L1,L2磁耦合。線圈導體層118，在絕緣體層16c上，從z軸方向俯視時，在x軸方向係設於導通孔導體B3,B4及連接導體層134與導通孔導體B5,B6及連接導體層136之間。此外，線圈導體層118包含線圈部118a及引出部118b。

線圈部118a，從z軸方向俯視時，在絕緣體層16c(xy平面)上，為以外部電極14c附近為起點逆時針旋轉之線狀導體。再者，線圈部118a具有在y軸方向延伸之部分。亦即，線圈部118a具有與連接導體層134,136平行之部分。又，引出部118b係連接於線圈部118a之一端，與絕緣體層16c在y軸方向之負方向側之長邊接觸。藉此，線圈導體層118係連接於外部電極14c。

導通孔導體b61,b62，在z軸方向貫通絕緣體層16c,16d，彼此連接構成一個導通孔導體。導通孔導體b61在z軸方向之正方向側之端部係連接於線圈部118a之另一端。

電容器C3係藉由電容器導體層130及接地導體層232構成。電容器導體層130係設於絕緣體層16e上之矩形導體，從z軸方向俯視時，與導通孔導體b61,b62重疊。因此，電容器導體層130與導通孔導體b62在z軸方向之負方向側之端部連接。接地導體層232係藉由接地部232a及引出部232b構成，設於絕緣體層16d上。接地部232a，從z軸方向俯視時，與電容器導體層130重疊。藉此，電容器導體層130及接地導體層232隔著絕緣體層16d對向，構成電容器C3。又，引出部232b係連接於接地部232a，與絕緣體層16d在y軸方向之正方向側之長邊接觸。藉此，接地導體層232連接於外部電極14d。藉由以上構成，線圈L3之一端與電容器導體層130連接，線圈L3之另一端及接地導體層132係連接於外部電極14d。

電容器C4,C5係藉由電容器導體層130,226,228構成，在外部電極14a,14b之間串聯。電容器導體層226,228係設於絕緣體層16f上之矩形導體層，與電容器導體層130對向而電容耦合，構成電容器C4,C5。再者，電容器導體層226,228分別與導通孔導體B3,B5連接。由於具有以上構成，因此電容器C4,C5在外部電極14a,14b之間串聯。再者，電容器C4,C5係透過電容器導體層130連接於線圈L3與電容器C3之間。

電容器C6,C7係藉由耦合導體層122及電容器導體層126,226,128,228構成，在外部電極14a,14b之間串聯。耦合導體層122係設於絕緣體層16g上之矩形導體層。耦合導體層122與共振器LC1及共振器LC2電容耦合，與共振器LC3幾乎不會電容耦合。具體而言，耦合導體層122與電容器電極126a及電容器電極226對向而與該電容器電極126a及電容器電極226電容耦合，構成電容器C6。再者，耦合導體層122與電容器電極128a及電容器電極228對向而與該電容器電極128a及電容器電極228電容耦合，構成電容器C7。此處，電容器導體層126,128係分別連接於外部電極14a,14b。因此電容器C6,C7在外部電極14a,14b之間串聯。

如以上構成之濾波器10a，線圈L1與線圈L2磁耦合，線圈L2與線圈L3磁耦合。藉此，濾波器10a構成僅使既定頻帶之訊號通過之帶通濾波器。

如以上構成之濾波器10a，與濾波器10同樣地，不會大型化即可謀求通過頻帶之狹帶化。

此外，在濾波器10，接地導體層32係藉由一個導體層構成。然而，接地導體層32例如分割為與電容器導體層26對向者、與電容器導體層28對向者、與電容器導體層30對向者亦可。

又，連接導體層34將導通孔導體B1,B2在z軸方向之正方向側之端部彼此連接。然而，連接導體層34將導通孔導體B1,B2在z軸方向之負方向側之端部彼此連接亦可。此情形，電容器導體層30及接地導體層32位於較導通孔導體B1,B2更往z軸方向之正方向側。又，濾波器10進一步具備複數個由連接導體層與導通孔導體構成之共振器亦可。

此外，在濾波器10a，線圈L3與線圈L1,L2兩方磁耦合。然而，線圈L3只要與線圈L1,L2之至少一方磁耦合即可。

本發明有用於濾波器，尤其是在不會大型化即可謀求通過頻帶之狹帶化之點優異。

B1～B6,b1～b6,b11～b15,b21～b26,b31～b37,b41～b46,b51～b56．．．導通孔導體

C1～C7．．．電容器

L1～L3．．．線圈

LC1～LC3．．．共振器

10,10a．．．濾波器

12．．．積層體

14a～14d．．．外部電極

16a～16h．．．絕緣體層

18,20,118．．．線圈導體層

22,24,122．．．耦合導體層

26,28,30,126,128,130,226,228．．．電容器導體層

32,132,232．．．接地導體層

圖1係本發明實施形態之濾波器的外觀立體圖。

圖2係圖1之濾波器的分解立體圖。

圖3係圖1之濾波器的等效電路圖。

圖4係變形例之濾波器的分解立體圖。

圖5係變形例之濾波器的等效電路圖。

圖6係專利文獻1記載之積層型電介質濾波器的分解立體圖。

B1,B2,b1～b6,b11～b15．．．導通孔導體

10．．．濾波器

12．．．積層體

14a～14d．．．外部電極

15．．．方向辨識標記

16a～16h．．．絕緣體層

18,20．．．線圈導體層

18a．．．線圈部

18b,18c．．．引出部

20a．．．線圈部

20b,20c．．．引出部

22,24．．．耦合導體層

22a,22b．．．電容器部

22c．．．連接部

24a,24b．．．電容器部

24c．．．連接部

26,28,30．．．電容器導體層

26a．．．電容器部

26b．．．引出部

28a．．．電容器部

28b．．．引出部

32．．．接地導體層

32a．．．接地部

32b～32g．．．引出部

34．．．連接導體層

Claims (10)

1. 一種濾波器，具備：積層體，係積層複數層絕緣體層構成；輸入電極及輸出電極，係設於該積層體之表面；第1共振器，連接於該輸入電極且包含第1線圈；第2共振器，連接於該輸出電極且包含第2線圈；以及第3共振器，包含與該第1線圈及/或該第2線圈磁耦合之第3線圈；該第1線圈及該第2線圈分別包含設於該絕緣體層上且從積層方向俯視時旋轉之第1線圈導體層及第2線圈導體層；該第3線圈包含在積層方向貫通該絕緣體層之導通孔導體及設在該絕緣體層上之連接導體層，從與積層方向正交之方向俯視時旋轉。
2. 如申請專利範圍第1項之濾波器，其中，該第3線圈包含在積層方向貫通該絕緣體層之二個該導通孔導體及設於該絕緣體層上且將該二個導通孔導體在積層方向之上端彼此或下端彼此加以連接之連接導體層。
3. 如申請專利範圍第2項之濾波器，其中，該第1線圈導體層及該第2線圈導體層，從積層方向俯視時，具有與該連接導體層平行延伸之部分。
4. 如申請專利範圍第2或3項之濾波器，其中，該連接導體層係設於與設有該第1線圈導體層及該第2線圈導體 層之該絕緣體層不同之該絕緣體層上。
5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之濾波器，其進一步具備與該第1共振器及該第2共振器電容耦合之第1耦合導體層。
6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之濾波器，其中，該濾波器進一步具備設於該積層體之表面之接地電極；該第1共振器進一步包含由第1電容器導體層及第1接地導體層構成之第1電容器；該第2共振器進一步包含由第2電容器導體層及第2接地導體層構成之第2電容器；該第3共振器進一步包含由第3電容器導體層及第3接地導體層構成之第3電容器；該第1線圈及該第1電容器在該輸入電極與該輸出電極之間並聯；該第2線圈及該第2電容器在該輸出電極與該接地電極之間並聯；該第3線圈之一端與該第3電容器導體層連接，且該第3線圈之另一端及該第3接地導體層係連接於該接地電極。
7. 如申請專利範圍第6項之濾波器，其進一步具備第2耦合導體層，該第2耦合導體層係連接於該導通孔導體，且與該第1電容器導體層電容耦合及與該第2電容器導體層電容耦合。
8. 如申請專利範圍第6項之濾波器，其中，該第3電容 器導體層係設於與設有該第1電容器導體層及該第2電容器導體層之該絕緣體層不同之該絕緣體層上。
9. 如申請專利範圍第6項之濾波器，其中，該第1接地導體層與該第2接地導體層係藉由一個接地導體層構成；該接地導體層之面積大於該第1電容器導體層之面積與該第2電容器導體層之面積之合計；該第1電容器導體層及該第2電容器導體層，在積層方向係設於該接地導體層與該第1線圈導體層及該第2線圈導體層之間。
10. 一種濾波器，具備：積層體，係積層複數層絕緣體層構成；輸入電極及輸出電極，係設於該積層體之表面；第1共振器，連接於該輸入電極且包含第1線圈；第2共振器，連接於該輸出電極且包含第2線圈；以及第3共振器，包含與該第1線圈及/或該第2線圈磁耦合之第3線圈；該第1線圈及該第2線圈係分別包含在積層方向貫通該絕緣體層之第1導通孔導體及第2導通孔導體及設在該絕緣體層上之第1連接導體層及第2連接導體層，從與積層方向正交之方向俯視時旋轉；該第3線圈包含設於該絕緣體層上且從積層方向俯視時旋轉之第3線圈導體層。