JP2000201001A - バンドパスフィルタ - Google Patents
バンドパスフィルタInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 優れた帯域通過特性を有する小型のバンドパ
スフィルタを提供する。 【解決手段】 ＬＣ共振器Ｑ１は、静電容量形成電極５
１ａ，５１ｂ，５５ａ，５５ｂにて構成されている。Ｌ
Ｃ共振器Ｑ２は、静電容量形成電極５２ａ，５２ｂ，５
６ａ，５６ｂにて構成されている。ＬＣ共振器Ｑ３は、
静電容量形成電極５３ａ，５３ｂ，５７ａ，５７ｂにて
構成されている。ＬＣ共振器Ｑ４は、静電容量形成電極
５４ａ，５４ｂ，５８ａ，５８ｂにて構成されている。
ＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ４は、セラミックシート８１〜９４
を積み重ねて構成した積層体内部に、該積層体の厚み方
向に千鳥状に配置されている。
スフィルタを提供する。 【解決手段】 ＬＣ共振器Ｑ１は、静電容量形成電極５
１ａ，５１ｂ，５５ａ，５５ｂにて構成されている。Ｌ
Ｃ共振器Ｑ２は、静電容量形成電極５２ａ，５２ｂ，５
６ａ，５６ｂにて構成されている。ＬＣ共振器Ｑ３は、
静電容量形成電極５３ａ，５３ｂ，５７ａ，５７ｂにて
構成されている。ＬＣ共振器Ｑ４は、静電容量形成電極
５４ａ，５４ｂ，５８ａ，５８ｂにて構成されている。
ＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ４は、セラミックシート８１〜９４
を積み重ねて構成した積層体内部に、該積層体の厚み方
向に千鳥状に配置されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はバンドパスフィルタ
に関し、特に、高周波で使用される積層型バンドパスフ
ィルタに関する。
に関し、特に、高周波で使用される積層型バンドパスフ
ィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、特定の周波数帯の信号を通過さ
せるバンドパスフィルタは、複数のＬＣ共振回路から構
成されている。このようなバンドパスフィルタの回路構
成の一例を図４に示す。該バンドパスフィルタは第１段
から第４段のＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ４からなる４段のＬＣ
バンドパスフィルタである。これらＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ
４は互いに隣接するものが相互インダクタンスＭにより
磁気的に結合されている。
せるバンドパスフィルタは、複数のＬＣ共振回路から構
成されている。このようなバンドパスフィルタの回路構
成の一例を図４に示す。該バンドパスフィルタは第１段
から第４段のＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ４からなる４段のＬＣ
バンドパスフィルタである。これらＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ
４は互いに隣接するものが相互インダクタンスＭにより
磁気的に結合されている。
【０００３】従来より、前記のような回路構成を有する
積層型バンドパスフィルタとしては、例えば図５〜図７
に示すような構成を有するものが一般に知られている。
該バンドパスフィルタ１０は、四角形状のセラミックシ
ート３１〜３９を積層してなる積層体４１内に、第１段
から第４段のＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ４を形成し、これらＬ
Ｃ共振器Ｑ１〜Ｑ４により、図４に示す等価回路を構成
したものである。
積層型バンドパスフィルタとしては、例えば図５〜図７
に示すような構成を有するものが一般に知られている。
該バンドパスフィルタ１０は、四角形状のセラミックシ
ート３１〜３９を積層してなる積層体４１内に、第１段
から第４段のＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ４を形成し、これらＬ
Ｃ共振器Ｑ１〜Ｑ４により、図４に示す等価回路を構成
したものである。
【０００４】第１段（入力段）のＬＣ共振器Ｑ１のキャ
パシタンスＣ１は、図５に示すように、帯状のホット側
静電容量形成電極１ａ，１ｂと、これらホット側静電容
量形成電極１ａ，１ｂにセラミックシート３４，３６，
３７を介して対向している帯状のグランド側静電容量形
成電極５ａ，５ｂにより構成されている。また、ＬＣ共
振器Ｑ１のインダクタンスＬ１は、ホット側及びグラン
ド側の静電容量形成電極１ａ，１ｂ，５ａ，５ｂ自身が
有するインダクタンスにより形成される。
パシタンスＣ１は、図５に示すように、帯状のホット側
静電容量形成電極１ａ，１ｂと、これらホット側静電容
量形成電極１ａ，１ｂにセラミックシート３４，３６，
３７を介して対向している帯状のグランド側静電容量形
成電極５ａ，５ｂにより構成されている。また、ＬＣ共
振器Ｑ１のインダクタンスＬ１は、ホット側及びグラン
ド側の静電容量形成電極１ａ，１ｂ，５ａ，５ｂ自身が
有するインダクタンスにより形成される。
【０００５】第２段のＬＣ共振器Ｑ２のキャパシタンス
Ｃ２は、ホット側静電容量形成電極２ａ，２ｂと、グラ
ンド側静電容量形成電極６ａ，６ｂにより構成されてい
る。また、ＬＣ共振器Ｑ２のインダクタンスＬ２は、ホ
ット側及びグランド側静電容量形成電極２ａ，２ｂ，６
ａ，６ｂ自身が有するインダクタンスにより形成され
る。
Ｃ２は、ホット側静電容量形成電極２ａ，２ｂと、グラ
ンド側静電容量形成電極６ａ，６ｂにより構成されてい
る。また、ＬＣ共振器Ｑ２のインダクタンスＬ２は、ホ
ット側及びグランド側静電容量形成電極２ａ，２ｂ，６
ａ，６ｂ自身が有するインダクタンスにより形成され
る。
【０００６】第３段のＬＣ共振器Ｑ３のキャパシタンス
Ｃ３は、ホット側静電容量形成電極３ａ，３ｂと、グラ
ンド側静電容量形成電極７ａ，７ｂにより構成されてい
る。また、ＬＣ共振器Ｑ３のインダクタンスＬ３は、ホ
ット側及びグランド側静電容量形成電極３ａ，３ｂ，７
ａ，７ｂ自身が有するインダクタンスにより形成され
る。
Ｃ３は、ホット側静電容量形成電極３ａ，３ｂと、グラ
ンド側静電容量形成電極７ａ，７ｂにより構成されてい
る。また、ＬＣ共振器Ｑ３のインダクタンスＬ３は、ホ
ット側及びグランド側静電容量形成電極３ａ，３ｂ，７
ａ，７ｂ自身が有するインダクタンスにより形成され
る。
【０００７】第４段（出力段）のＬＣ共振器Ｑ４のキャ
パシタンスＣ４は、ホット側静電容量形成電極４ａ，４
ｂと、グランド側静電容量形成電極８ａ，８ｂにより構
成されている。また、ＬＣ共振器Ｑ４のインダクタンス
Ｌ４は、ホット側及びグランド側静電容量形成電極４
ａ，４ｂ，８ａ，８ｂ自身が有するインダクタンスによ
り形成される。以上の第１段から第４段のＬＣ共振器Ｑ
１〜Ｑ４は、隣接する共振器が磁気的に相互に結合され
る。
パシタンスＣ４は、ホット側静電容量形成電極４ａ，４
ｂと、グランド側静電容量形成電極８ａ，８ｂにより構
成されている。また、ＬＣ共振器Ｑ４のインダクタンス
Ｌ４は、ホット側及びグランド側静電容量形成電極４
ａ，４ｂ，８ａ，８ｂ自身が有するインダクタンスによ
り形成される。以上の第１段から第４段のＬＣ共振器Ｑ
１〜Ｑ４は、隣接する共振器が磁気的に相互に結合され
る。
【０００８】ホット側静電容量形成電極１ａ〜４ａはい
ずれも、セラミックシート３４の表面に、シート３４の
手前側の辺から奥側の辺に向かって延びるように形成さ
れている。ホット側静電容量形成電極１ａの先端部は、
シート３４の左側に設けた引出電極１４に接続してい
る。ホット側静電容量形成電極４ａの先端部は、シート
３４の右側に設けた引出電極１５に接続している。同様
に、ホット側静電容量形成電極１ｂ〜４ｂも、セラミッ
クシート３６の表面に、シート３６の手前側の辺から奥
側の辺に向かって延びるように形成されている。
ずれも、セラミックシート３４の表面に、シート３４の
手前側の辺から奥側の辺に向かって延びるように形成さ
れている。ホット側静電容量形成電極１ａの先端部は、
シート３４の左側に設けた引出電極１４に接続してい
る。ホット側静電容量形成電極４ａの先端部は、シート
３４の右側に設けた引出電極１５に接続している。同様
に、ホット側静電容量形成電極１ｂ〜４ｂも、セラミッ
クシート３６の表面に、シート３６の手前側の辺から奥
側の辺に向かって延びるように形成されている。
【０００９】一方、グランド側静電容量形成電極５ａ〜
８ａはいずれも、セラミックシート３５の表面に、シー
ト３５の奥側の辺から手前側の辺に向かって延びるよう
に形成されている。同様に、グランド側静電容量形成電
極５ｂ〜８ｂも、セラミックシート３７の表面に、シー
ト３７の奥側の辺から手前側の辺に向かって延びるよう
に形成されている。
８ａはいずれも、セラミックシート３５の表面に、シー
ト３５の奥側の辺から手前側の辺に向かって延びるよう
に形成されている。同様に、グランド側静電容量形成電
極５ｂ〜８ｂも、セラミックシート３７の表面に、シー
ト３７の奥側の辺から手前側の辺に向かって延びるよう
に形成されている。
【００１０】セラミックシート３６，３７，３４及び３
５は順に積層され、その上側には、カバー用のセラミッ
クシート３１、シールド電極１２を形成したセラミック
シート３２及びスペーサ用のセラミックシート３３を積
層している。また、その下側には、スペーサ用のセラミ
ックシート３８、シールド電極１３を形成したセラミッ
クシート３９を積層している。
５は順に積層され、その上側には、カバー用のセラミッ
クシート３１、シールド電極１２を形成したセラミック
シート３２及びスペーサ用のセラミックシート３３を積
層している。また、その下側には、スペーサ用のセラミ
ックシート３８、シールド電極１３を形成したセラミッ
クシート３９を積層している。
【００１１】この積層体４１には、図６に示すような入
力端子電極２１、出力端子電極２２、シールド端子電極
２３，２４が形成されている。入力端子電極２１には引
出電極１４が接続され、出力端子電極２２には引出電極
１５が接続される。ホット側静電容量形成電極１ａ〜４
ａ，１ｂ〜４ｂは、シールド電極１２，１３の引出し部
１２ａ，１３ａと共に、シールド端子電極２３に電気的
に接続している。グランド側静電容量形成電極５ａ〜８
ａ，５ｂ〜８ｂは、シールド電極１２，１３の引出し部
１２ｂ，１３ｂと共に、シールド端子電極２４に電気的
に接続している。
力端子電極２１、出力端子電極２２、シールド端子電極
２３，２４が形成されている。入力端子電極２１には引
出電極１４が接続され、出力端子電極２２には引出電極
１５が接続される。ホット側静電容量形成電極１ａ〜４
ａ，１ｂ〜４ｂは、シールド電極１２，１３の引出し部
１２ａ，１３ａと共に、シールド端子電極２３に電気的
に接続している。グランド側静電容量形成電極５ａ〜８
ａ，５ｂ〜８ｂは、シールド電極１２，１３の引出し部
１２ｂ，１３ｂと共に、シールド端子電極２４に電気的
に接続している。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図７に示す
ように、従来のバンドパスフィルタ１０は、第１段から
第４段のＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ４が、セラミックシート３
１〜３９の厚み方向、言い換えると、積層体４１の厚み
方向に対して同一位置に並置されている。ここに、バン
ドパスフィルタ１０の通過帯域幅は、互いに隣接するＬ
Ｃ共振器Ｑ１とＱ２，Ｑ２とＱ３，Ｑ３とＱ４の結合度
により決定される。そして、これら結合度は、隣接する
ＬＣ共振器Ｑ１とＱ２，Ｑ２とＱ３，Ｑ３とＱ４の間隔
により決まる。このため、所望の通過帯域幅を得るため
には、隣接するＬＣ共振器Ｑ１とＱ２，Ｑ２とＱ３，Ｑ
３とＱ４の間隔を所定寸法だけ確保する必要があり、Ｌ
Ｃ共振器の段数が増えると部品サイズが大きくなるとい
う問題があった。
ように、従来のバンドパスフィルタ１０は、第１段から
第４段のＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ４が、セラミックシート３
１〜３９の厚み方向、言い換えると、積層体４１の厚み
方向に対して同一位置に並置されている。ここに、バン
ドパスフィルタ１０の通過帯域幅は、互いに隣接するＬ
Ｃ共振器Ｑ１とＱ２，Ｑ２とＱ３，Ｑ３とＱ４の結合度
により決定される。そして、これら結合度は、隣接する
ＬＣ共振器Ｑ１とＱ２，Ｑ２とＱ３，Ｑ３とＱ４の間隔
により決まる。このため、所望の通過帯域幅を得るため
には、隣接するＬＣ共振器Ｑ１とＱ２，Ｑ２とＱ３，Ｑ
３とＱ４の間隔を所定寸法だけ確保する必要があり、Ｌ
Ｃ共振器の段数が増えると部品サイズが大きくなるとい
う問題があった。
【００１３】そこで、本発明の目的は、優れた帯域通過
特性を有する小型のバンドパスフィルタを提供すること
にある。
特性を有する小型のバンドパスフィルタを提供すること
にある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るバンドパスフィルタは、複数の誘電体
層と複数の静電容量形成電極とを積み重ねて構成した積
層体内部に、前記複数の静電容量形成電極により形成さ
れる複数のキャパシタンスと、前記静電容量形成電極が
それぞれ有しているインダクタンスとで複数のＬＣ共振
器が形成されており、前記積層体の内部で互いに隣り合
うＬＣ共振器が、前記積層体の厚み方向において異なる
高さ位置に配置され、かつ、電磁気的に結合しているこ
とを特徴とする。
め、本発明に係るバンドパスフィルタは、複数の誘電体
層と複数の静電容量形成電極とを積み重ねて構成した積
層体内部に、前記複数の静電容量形成電極により形成さ
れる複数のキャパシタンスと、前記静電容量形成電極が
それぞれ有しているインダクタンスとで複数のＬＣ共振
器が形成されており、前記積層体の内部で互いに隣り合
うＬＣ共振器が、前記積層体の厚み方向において異なる
高さ位置に配置され、かつ、電磁気的に結合しているこ
とを特徴とする。
【００１５】
【作用】複数のＬＣ共振器を積層体内部に、該積層体の
厚み方向の異なる高さ位置に配置することにより、バン
ドパスフィルタの設計上必要とするＬＣ共振器の間の物
理的な距離を確保した状態で、部品サイズの小型化が図
れる。
厚み方向の異なる高さ位置に配置することにより、バン
ドパスフィルタの設計上必要とするＬＣ共振器の間の物
理的な距離を確保した状態で、部品サイズの小型化が図
れる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るバンドパスフ
ィルタの実施の形態について添付の図面を参照して説明
する。
ィルタの実施の形態について添付の図面を参照して説明
する。
【００１７】本発明に係るバンドパスフィルタの一つの
実施の形態を図１〜図３に示す。該バンドパスフィルタ
５０は、図４で説明した第１段から第４段のＬＣ共振器
Ｑ１〜Ｑ４にて構成されたＬＣバンドパスフィルタに本
発明を適用したものである。本実施形態のバンドパスフ
ィルタ５０は、チタン酸バリウム等のセラミック誘電体
材料からなる四角形状のセラミックシート８１〜９４を
積層し、一体的に焼成してなる積層体７０内に、第１か
ら第４のＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ４を、適正な間隔をおいて
積層体７０の積層方向に千鳥状に配置したものである。
実施の形態を図１〜図３に示す。該バンドパスフィルタ
５０は、図４で説明した第１段から第４段のＬＣ共振器
Ｑ１〜Ｑ４にて構成されたＬＣバンドパスフィルタに本
発明を適用したものである。本実施形態のバンドパスフ
ィルタ５０は、チタン酸バリウム等のセラミック誘電体
材料からなる四角形状のセラミックシート８１〜９４を
積層し、一体的に焼成してなる積層体７０内に、第１か
ら第４のＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ４を、適正な間隔をおいて
積層体７０の積層方向に千鳥状に配置したものである。
【００１８】第１段（入力段）のＬＣ共振器Ｑ１のキャ
パシタンスＣ１は、図１に示すように、帯状のホット側
静電容量形成電極５１ａ，５１ｂと、これらホット側静
電容量形成電極５１ａ，５１ｂにセラミックシート８
４，８５，８６を介して対向している帯状のグランド側
静電容量形成電極５５ａ，５５ｂにより構成されてい
る。また、ＬＣ共振器Ｑ１のインダクタンスＬ１は、ホ
ット側及びグランド側の静電容量形成電極５１ａ，５１
ｂ，５５ａ，５５ｂ自身が有するインダクタンスにより
形成される。
パシタンスＣ１は、図１に示すように、帯状のホット側
静電容量形成電極５１ａ，５１ｂと、これらホット側静
電容量形成電極５１ａ，５１ｂにセラミックシート８
４，８５，８６を介して対向している帯状のグランド側
静電容量形成電極５５ａ，５５ｂにより構成されてい
る。また、ＬＣ共振器Ｑ１のインダクタンスＬ１は、ホ
ット側及びグランド側の静電容量形成電極５１ａ，５１
ｂ，５５ａ，５５ｂ自身が有するインダクタンスにより
形成される。
【００１９】第２段のＬＣ共振器Ｑ２のキャパシタンス
Ｃ２は、帯状のホット側静電容量形成電極５２ａ，５２
ｂと、これらホット側静電容量形成電極５２ａ，５２ｂ
にセラミックシート８９，９０，９１を介して対向して
いる帯状のグランド側静電容量形成電極５６ａ，５６ｂ
により構成されている。ＬＣ共振器Ｑ２のインダクタン
スＬ２は、ホット側及びグランド側の静電容量形成電極
５２ａ，５２ｂ，５６ａ，５６ｂ自身が有するインダク
タンスにより形成される。
Ｃ２は、帯状のホット側静電容量形成電極５２ａ，５２
ｂと、これらホット側静電容量形成電極５２ａ，５２ｂ
にセラミックシート８９，９０，９１を介して対向して
いる帯状のグランド側静電容量形成電極５６ａ，５６ｂ
により構成されている。ＬＣ共振器Ｑ２のインダクタン
スＬ２は、ホット側及びグランド側の静電容量形成電極
５２ａ，５２ｂ，５６ａ，５６ｂ自身が有するインダク
タンスにより形成される。
【００２０】第３段のＬＣ共振器Ｑ３のキャパシタンス
Ｃ３は、帯状のホット側静電容量形成電極５３ａ，５３
ｂと、これらホット側静電容量形成電極５３ａ，５３ｂ
にセラミックシート８４，８５，８６を介して対向して
いる帯状のグランド側静電容量形成電極５７ａ，５７ｂ
により構成されている。ＬＣ共振器Ｑ３のインダクタン
スＬ３は、ホット側及びグランド側静電容量形成電極５
３ａ，５３ｂ，５７ａ，５７ｂ自身が有するインダクタ
ンスにより形成される。
Ｃ３は、帯状のホット側静電容量形成電極５３ａ，５３
ｂと、これらホット側静電容量形成電極５３ａ，５３ｂ
にセラミックシート８４，８５，８６を介して対向して
いる帯状のグランド側静電容量形成電極５７ａ，５７ｂ
により構成されている。ＬＣ共振器Ｑ３のインダクタン
スＬ３は、ホット側及びグランド側静電容量形成電極５
３ａ，５３ｂ，５７ａ，５７ｂ自身が有するインダクタ
ンスにより形成される。
【００２１】第４段のＬＣ共振器Ｑ４のキャパシタンス
Ｃ４は、帯状のホット側静電容量形成電極５４ａ，５４
ｂと、これらホット側静電容量形成電極５４ａ，５４ｂ
にセラミックシート８９，９０，９１を介して対向して
いる帯状のグランド側静電容量形成電極５８ａ，５８ｂ
により構成されている。ＬＣ共振器Ｑ４のインダクタン
スＬ４は、ホット側及びグランド側静電容量形成電極５
４ａ，５４ｂ，５８ａ，５８ｂ自身が有するインダクタ
ンスにより形成される。
Ｃ４は、帯状のホット側静電容量形成電極５４ａ，５４
ｂと、これらホット側静電容量形成電極５４ａ，５４ｂ
にセラミックシート８９，９０，９１を介して対向して
いる帯状のグランド側静電容量形成電極５８ａ，５８ｂ
により構成されている。ＬＣ共振器Ｑ４のインダクタン
スＬ４は、ホット側及びグランド側静電容量形成電極５
４ａ，５４ｂ，５８ａ，５８ｂ自身が有するインダクタ
ンスにより形成される。
【００２２】以上の第１段から第４段のＬＣ共振器Ｑ１
〜Ｑ４は、隣接するＬＣ共振器Ｑ１とＱ２、ＬＣ共振器
Ｑ２とＱ３、並びに、ＬＣ共振器Ｑ３とＱ４がスペーサ
用のセラミックシート８８を間にして適正な距離に配置
されている。つまり、互いに隣り合うＬＣ共振器Ｑ１〜
Ｑ４は、積層体７０の厚み方向において異なる高さ位置
に千鳥状に（言い換えると、積層体７０の左端部から右
端部に向かって千鳥状に）配置され、かつ、電磁気的に
相互に結合している。
〜Ｑ４は、隣接するＬＣ共振器Ｑ１とＱ２、ＬＣ共振器
Ｑ２とＱ３、並びに、ＬＣ共振器Ｑ３とＱ４がスペーサ
用のセラミックシート８８を間にして適正な距離に配置
されている。つまり、互いに隣り合うＬＣ共振器Ｑ１〜
Ｑ４は、積層体７０の厚み方向において異なる高さ位置
に千鳥状に（言い換えると、積層体７０の左端部から右
端部に向かって千鳥状に）配置され、かつ、電磁気的に
相互に結合している。
【００２３】ホット側静電容量形成電極５１ａ，５３ａ
は、セラミックシート８７の表面に、シート８７の手前
の辺から奥側の辺に向かって延びるように形成されてい
る。ホット側静電容量形成電極５１ｂ，５３ｂは、セラ
ミックシート８５の表面に、シート８５の手前側の辺か
ら奥側の辺に向かって延びるように形成されている。ホ
ット側静電容量形成電極５１ｂの先端部は、シート８５
の左側に設けた引出電極６４に接続している。ホット側
静電容量形成電極５２ａ，５４ａはセラミックシート９
１の表面に、シート９１の手前側の辺から奥側の辺に向
かって延びるように形成されている。ホット側静電容量
形成電極５４ａの先端部は、シート９１の右側に設けた
引出電極６５に接続している。ホット側静電容量形成電
極５２ｂ，５４ｂは、セラミックシート８９の表面に、
シート８９の手前側の辺から奥側の辺に向かって延びる
ように形成されている。
は、セラミックシート８７の表面に、シート８７の手前
の辺から奥側の辺に向かって延びるように形成されてい
る。ホット側静電容量形成電極５１ｂ，５３ｂは、セラ
ミックシート８５の表面に、シート８５の手前側の辺か
ら奥側の辺に向かって延びるように形成されている。ホ
ット側静電容量形成電極５１ｂの先端部は、シート８５
の左側に設けた引出電極６４に接続している。ホット側
静電容量形成電極５２ａ，５４ａはセラミックシート９
１の表面に、シート９１の手前側の辺から奥側の辺に向
かって延びるように形成されている。ホット側静電容量
形成電極５４ａの先端部は、シート９１の右側に設けた
引出電極６５に接続している。ホット側静電容量形成電
極５２ｂ，５４ｂは、セラミックシート８９の表面に、
シート８９の手前側の辺から奥側の辺に向かって延びる
ように形成されている。
【００２４】一方、グランド側静電容量形成電極５５
ａ，５７ａは、セラミックシート８６の表面に、シート
８６の奥側の辺から手前側の辺に向かって延びるように
形成されている。グランド側静電容量形成電極５５ｂ，
５７ｂは、セラミックシート８４の表面に、シート８４
の奥側の辺から手前側の辺に向かって延びるように形成
されている。グランド側静電容量形成電極５６ａ，５８
ａは、セラミックシート９２の表面に、シート９２の奥
側の辺から手前側の辺に向かって延びるように形成され
ている。ホット側静電容量形成電極５６ｂ，５８ｂは、
セラミックシート９０の表面に、シート９０の奥側の辺
から手前側の辺に向かって延びるように形成されてい
る。
ａ，５７ａは、セラミックシート８６の表面に、シート
８６の奥側の辺から手前側の辺に向かって延びるように
形成されている。グランド側静電容量形成電極５５ｂ，
５７ｂは、セラミックシート８４の表面に、シート８４
の奥側の辺から手前側の辺に向かって延びるように形成
されている。グランド側静電容量形成電極５６ａ，５８
ａは、セラミックシート９２の表面に、シート９２の奥
側の辺から手前側の辺に向かって延びるように形成され
ている。ホット側静電容量形成電極５６ｂ，５８ｂは、
セラミックシート９０の表面に、シート９０の奥側の辺
から手前側の辺に向かって延びるように形成されてい
る。
【００２５】広面積のシールド電極６２，６３は、それ
ぞれセラミックシート８２，９４の表面に形成されてい
る。シールド電極６２の引出し部６２ａはシート８２の
手前側の辺に露出し、引出し部６２ｂはシート８２の奥
側の辺に露出している。シールド電極６３の引出し部６
３ａはシート９４の手前側の辺に露出し、引出し部６３
ｂはシート９４の奥側の辺に露出している。
ぞれセラミックシート８２，９４の表面に形成されてい
る。シールド電極６２の引出し部６２ａはシート８２の
手前側の辺に露出し、引出し部６２ｂはシート８２の奥
側の辺に露出している。シールド電極６３の引出し部６
３ａはシート９４の手前側の辺に露出し、引出し部６３
ｂはシート９４の奥側の辺に露出している。
【００２６】以上の構成からなるセラミックシート８
２，８４〜８７，８９〜９２，９４は、スペーサ用のセ
ラミックシート８３，８８，９３及びカバー用のセラミ
ックシート８１とともに積み重ねられて、図２に示すよ
うな積層体７０とされる。
２，８４〜８７，８９〜９２，９４は、スペーサ用のセ
ラミックシート８３，８８，９３及びカバー用のセラミ
ックシート８１とともに積み重ねられて、図２に示すよ
うな積層体７０とされる。
【００２７】この積層体７０には、入力端子電極２１、
出力端子電極２２、シールド端子電極２３，２４が形成
されている。入力端子電極２１には引出し電極６４が接
続され、出力端子電極２２には引出し電極６５が接続さ
れる。ホット側静電容量形成電極５１ａ〜５４ａ，５１
ｂ〜５４ｂは、シールド電極６２，６３の引出し部６２
ａ，６３ａと共に、シールド端子電極２３に電気的に接
続している。グランド側静電容量形成電極５５ａ〜５８
ａ，５５ｂ〜５８ｂは、シールド電極６２，６３の引出
し部６２ｂ，６３ｂと共に、シールド端子電極２４に電
気的に接続している。
出力端子電極２２、シールド端子電極２３，２４が形成
されている。入力端子電極２１には引出し電極６４が接
続され、出力端子電極２２には引出し電極６５が接続さ
れる。ホット側静電容量形成電極５１ａ〜５４ａ，５１
ｂ〜５４ｂは、シールド電極６２，６３の引出し部６２
ａ，６３ａと共に、シールド端子電極２３に電気的に接
続している。グランド側静電容量形成電極５５ａ〜５８
ａ，５５ｂ〜５８ｂは、シールド電極６２，６３の引出
し部６２ｂ，６３ｂと共に、シールド端子電極２４に電
気的に接続している。
【００２８】このような構成を有するバンドパスフィル
タ５０において、図３に示すように、第１段から第４段
のＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ４は、スペーサ用のセラミックシ
ート８８を間にしてその両側に千鳥状に配置されてい
る。これにより、第１段から第４段のＬＣ共振器Ｑ１〜
Ｑ４が積層体７０内部で立体的に配置されることにな
り、隣接するＬＣ共振器間の間隔を適正な状態に保った
まま、バンドパスフィルタ５０のサイズを小型化でき
る。具体的には、特性が同等であれば、従来より体積比
で約５５％小型化することができる。また、スペーサ用
のセラミックシート８８の厚みを変更することにより、
隣接するＬＣ共振器Ｑ１とＱ２の結合、Ｑ２とＱ３の結
合、Ｑ３とＱ４の結合をそれぞれ容易に調整することが
でき、バンドパスフィルタ５０の設計も容易になる。
タ５０において、図３に示すように、第１段から第４段
のＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ４は、スペーサ用のセラミックシ
ート８８を間にしてその両側に千鳥状に配置されてい
る。これにより、第１段から第４段のＬＣ共振器Ｑ１〜
Ｑ４が積層体７０内部で立体的に配置されることにな
り、隣接するＬＣ共振器間の間隔を適正な状態に保った
まま、バンドパスフィルタ５０のサイズを小型化でき
る。具体的には、特性が同等であれば、従来より体積比
で約５５％小型化することができる。また、スペーサ用
のセラミックシート８８の厚みを変更することにより、
隣接するＬＣ共振器Ｑ１とＱ２の結合、Ｑ２とＱ３の結
合、Ｑ３とＱ４の結合をそれぞれ容易に調整することが
でき、バンドパスフィルタ５０の設計も容易になる。
【００２９】さらに、上記実施形態におけるＬＣ共振器
Ｑ１とＱ３、並びに、ＬＣ共振器Ｑ２とＱ４は、それぞ
れ積層体７０内において同一セラミックシート上にあ
る。従って、これによって発生するＬＣ共振器Ｑ１とＱ
３の間の不要な磁気結合、あるいは、ＬＣ共振器Ｑ２と
Ｑ４の間の不要な磁気結合は、ＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ３、
Ｑ２，Ｑ４を、それぞれシールド電極６２，６３に近づ
けて配置することにより緩和することができる。
Ｑ１とＱ３、並びに、ＬＣ共振器Ｑ２とＱ４は、それぞ
れ積層体７０内において同一セラミックシート上にあ
る。従って、これによって発生するＬＣ共振器Ｑ１とＱ
３の間の不要な磁気結合、あるいは、ＬＣ共振器Ｑ２と
Ｑ４の間の不要な磁気結合は、ＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ３、
Ｑ２，Ｑ４を、それぞれシールド電極６２，６３に近づ
けて配置することにより緩和することができる。
【００３０】なお、本発明は、前記実施形態に限定され
るものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更するこ
とができる。バンドパスフィルタを製造する場合、静電
容量形成電極を設けたセラミックシートを積み重ねた
後、一体的に焼成する工法に必ずしも限定されない。セ
ラミックシートは予め焼成されたものを用いてもよい。
また、以下に説明する工法によってバンドパスフィルタ
を製造してもよい。すなわち、印刷等の手法によりペー
スト状の誘電体材料を塗布して誘電体層を形成した後、
その誘電体層の上からペースト状の導電性材料を塗布し
て静電容量形成電極を形成する。さらに、ペースト状の
誘電体材料を上から塗布して誘電体層とする。こうして
順に重ね塗りをすることにより、積層構造を有するバン
ドパスフィルタが得られる。
るものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更するこ
とができる。バンドパスフィルタを製造する場合、静電
容量形成電極を設けたセラミックシートを積み重ねた
後、一体的に焼成する工法に必ずしも限定されない。セ
ラミックシートは予め焼成されたものを用いてもよい。
また、以下に説明する工法によってバンドパスフィルタ
を製造してもよい。すなわち、印刷等の手法によりペー
スト状の誘電体材料を塗布して誘電体層を形成した後、
その誘電体層の上からペースト状の導電性材料を塗布し
て静電容量形成電極を形成する。さらに、ペースト状の
誘電体材料を上から塗布して誘電体層とする。こうして
順に重ね塗りをすることにより、積層構造を有するバン
ドパスフィルタが得られる。
【００３１】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば、複数のＬＣ共振器を積層体内部に、該積層
体の厚み方向の異なる高さ位置に配置することによっ
て、バンドパスフィルタの設計上必要とするＬＣ共振器
の間の物理的な距離を確保した状態で、部品サイズを小
型化できる。この結果、小型で帯域通過特性が優れ、設
計も容易なバンドパスフィルタを得ることができる。
明によれば、複数のＬＣ共振器を積層体内部に、該積層
体の厚み方向の異なる高さ位置に配置することによっ
て、バンドパスフィルタの設計上必要とするＬＣ共振器
の間の物理的な距離を確保した状態で、部品サイズを小
型化できる。この結果、小型で帯域通過特性が優れ、設
計も容易なバンドパスフィルタを得ることができる。
【図１】本発明に係るバンドパスフィルタの一つの実施
形態の構成を示す分解斜視図。
形態の構成を示す分解斜視図。
【図２】図１に示したバンドパスフィルタの外観を示す
斜視図。
斜視図。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ断面図。
【図４】４段のＬＣ共振器により構成されるバンドパス
フィルタの等価回路図。
フィルタの等価回路図。
【図５】従来のバンドパスフィルタの構成を示す分解斜
視図。
視図。
【図６】図５に示したバンドパスフィルタの外観を示す
斜視図。
斜視図。
【図７】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ断面図。
５１ａ〜５８ａ，５１ｂ〜５８ｂ…静電容量形成電極 ５０…バンドパスフィルタ Ｑ１〜Ｑ４…ＬＣ共振器 ８１〜９４…セラミックシート Ｃ１〜Ｃ４…キャパシタンス Ｌ１〜Ｌ４…インダクタンス Ｍ…相互インダクタンス
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の誘電体層と複数の静電容量形成電
極とを積み重ねて構成した積層体内部に、前記複数の静
電容量形成電極により形成される複数のキャパシタンス
と、前記静電容量形成電極がそれぞれ有しているインダ
クタンスとで複数のＬＣ共振器が形成されており、前記
積層体の内部で互いに隣り合うＬＣ共振器が、前記積層
体の厚み方向において異なる高さ位置に配置され、か
つ、電磁気的に結合していることを特徴とするバンドパ
スフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11003257A JP2000201001A (ja) | 1999-01-08 | 1999-01-08 | バンドパスフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11003257A JP2000201001A (ja) | 1999-01-08 | 1999-01-08 | バンドパスフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000201001A true JP2000201001A (ja) | 2000-07-18 |
Family
ID=11552429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11003257A Pending JP2000201001A (ja) | 1999-01-08 | 1999-01-08 | バンドパスフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000201001A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1489482A2 (en) * | 2003-06-16 | 2004-12-22 | General Touch Technology Co. Ltd. | A touch position coordinate detecting system |
| JP2005012258A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-01-13 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型ｌｃフィルタ |
| WO2007119356A1 (ja) | 2006-04-14 | 2007-10-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層帯域通過フィルタ |
| WO2008143071A1 (ja) | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層帯域通過フィルタ |
| WO2009041294A1 (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層帯域通過フィルタ |
| US7671706B2 (en) | 2006-04-14 | 2010-03-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd | High frequency multilayer bandpass filter |
| WO2011033878A1 (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-24 | 株式会社村田製作所 | フィルタ |
| WO2012077498A1 (ja) * | 2010-12-06 | 2012-06-14 | 株式会社村田製作所 | 積層帯域通過フィルタ |
| US9083070B2 (en) | 2012-02-21 | 2015-07-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component |
-
1999
- 1999-01-08 JP JP11003257A patent/JP2000201001A/ja active Pending
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1489482A2 (en) * | 2003-06-16 | 2004-12-22 | General Touch Technology Co. Ltd. | A touch position coordinate detecting system |
| JP2005012258A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-01-13 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型ｌｃフィルタ |
| EP1489482A3 (en) * | 2003-06-16 | 2007-07-25 | General Touch Technology Co. Ltd. | A touch position coordinate detecting system |
| US7671706B2 (en) | 2006-04-14 | 2010-03-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd | High frequency multilayer bandpass filter |
| WO2007119356A1 (ja) | 2006-04-14 | 2007-10-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層帯域通過フィルタ |
| WO2008143071A1 (ja) | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層帯域通過フィルタ |
| US7907034B2 (en) | 2007-05-18 | 2011-03-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated band-pass filter having an even number of LC parallel resonators |
| WO2009041294A1 (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層帯域通過フィルタ |
| US8212633B2 (en) | 2007-09-27 | 2012-07-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated band pass filter |
| CN101809865A (zh) * | 2007-09-27 | 2010-08-18 | 株式会社村田制作所 | 层叠带通滤波器 |
| JPWO2009041294A1 (ja) * | 2007-09-27 | 2011-01-20 | 株式会社村田製作所 | 積層帯域通過フィルタ |
| JP4821910B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2011-11-24 | 株式会社村田製作所 | 積層帯域通過フィルタ |
| KR101112519B1 (ko) | 2007-09-27 | 2012-02-15 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층 대역 통과 필터 |
| WO2011033878A1 (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-24 | 株式会社村田製作所 | フィルタ |
| US8847707B2 (en) | 2009-09-18 | 2014-09-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Filter |
| JP5787760B2 (ja) * | 2009-09-18 | 2015-09-30 | 株式会社村田製作所 | フィルタ |
| WO2012077498A1 (ja) * | 2010-12-06 | 2012-06-14 | 株式会社村田製作所 | 積層帯域通過フィルタ |
| JP5549744B2 (ja) * | 2010-12-06 | 2014-07-16 | 株式会社村田製作所 | 積層帯域通過フィルタ |
| US9035724B2 (en) | 2010-12-06 | 2015-05-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer band pass filter |
| US9083070B2 (en) | 2012-02-21 | 2015-07-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component |
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