JP3417340B2 - バンドパスフィルタ - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
- H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
- H03H7/1775—Parallel LC in shunt or branch path
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
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- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
- H03H7/1716—Comprising foot-point elements
- H03H7/1725—Element to ground being common to different shunt paths, i.e. Y-structure
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- H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
- H03H2001/0021—Constructional details
- H03H2001/0085—Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はバンドパスフィルタ
に関し、特に、携帯電話等の移動体通信機器や各種電子
機器に組み込まれて用いられるバンドパスフィルタに関
する。
に関し、特に、携帯電話等の移動体通信機器や各種電子
機器に組み込まれて用いられるバンドパスフィルタに関
する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種のバンドパスフィルタは
複数のＬＣ共振器を備え、これらＬＣ共振器が相互誘導
結合（Ｍ結合）や静電容量結合している。図８は、２つ
のＬＣ共振器を有する２段のバンドパスフィルタの電気
等価回路図である。該バンドパスフィルタは、入力端子
ＩＮに結合コンデンサＣ５を介してＬＣ共振器１が接続
され、出力端子ＯＵＴに結合コンデンサＣ６を介してＬ
Ｃ共振器２が接続されている。ＬＣ共振器１は、インダ
クタＬ１とコンデンサＣ１の並列回路にて構成されてい
る。ＬＣ共振器２は、インダクタＬ２とコンデンサＣ２
の並列回路にて構成されている。そして、ＬＣ共振器１
とＬＣ共振器２とは、相互誘導結合している。
複数のＬＣ共振器を備え、これらＬＣ共振器が相互誘導
結合（Ｍ結合）や静電容量結合している。図８は、２つ
のＬＣ共振器を有する２段のバンドパスフィルタの電気
等価回路図である。該バンドパスフィルタは、入力端子
ＩＮに結合コンデンサＣ５を介してＬＣ共振器１が接続
され、出力端子ＯＵＴに結合コンデンサＣ６を介してＬ
Ｃ共振器２が接続されている。ＬＣ共振器１は、インダ
クタＬ１とコンデンサＣ１の並列回路にて構成されてい
る。ＬＣ共振器２は、インダクタＬ２とコンデンサＣ２
の並列回路にて構成されている。そして、ＬＣ共振器１
とＬＣ共振器２とは、相互誘導結合している。
【０００３】この等価回路を有する従来のバンドパスフ
ィルタの具体的な構成およびその外観の一例を図９及び
図１０に示す。図９に示すように、該バンドパスフィル
タ８０は、入力用引出しパターン７３及び出力用引出し
パターン７４を表面に設けたセラミックシート６３と、
インダクタパターン６９，７０を表面に設けたセラミッ
クシート６４と、コンデンサパターン７１，７２を表面
に設けたセラミックシート６５と、シールド電極７５，
７６を表面に設けたセラミックシート６１，６７等にて
構成されている。
ィルタの具体的な構成およびその外観の一例を図９及び
図１０に示す。図９に示すように、該バンドパスフィル
タ８０は、入力用引出しパターン７３及び出力用引出し
パターン７４を表面に設けたセラミックシート６３と、
インダクタパターン６９，７０を表面に設けたセラミッ
クシート６４と、コンデンサパターン７１，７２を表面
に設けたセラミックシート６５と、シールド電極７５，
７６を表面に設けたセラミックシート６１，６７等にて
構成されている。
【０００４】インダクタＬ１，Ｌ２は、それぞれインダ
クタパターン６９，７０により形成されている。コンデ
ンサＣ１，Ｃ２は、それぞれコンデンサパターン７１，
７２と、これらコンデンサパターン７１，７２に対向し
ているインダクタパターン６９，７０の開放端部６９
ｂ，７０ｂとで形成されている。結合コンデンサＣ５
は、インダクタパターン６９と入力用引出しパターン７
３とで形成されている。結合コンデンサＣ６は、インダ
クタパターン７０と出力用引出しパターン７４とで形成
されている。
クタパターン６９，７０により形成されている。コンデ
ンサＣ１，Ｃ２は、それぞれコンデンサパターン７１，
７２と、これらコンデンサパターン７１，７２に対向し
ているインダクタパターン６９，７０の開放端部６９
ｂ，７０ｂとで形成されている。結合コンデンサＣ５
は、インダクタパターン６９と入力用引出しパターン７
３とで形成されている。結合コンデンサＣ６は、インダ
クタパターン７０と出力用引出しパターン７４とで形成
されている。
【０００５】セラミックシート６４の表面に形成されて
いるインダクタパターン６９，７０の引出し部６９ａ，
７０ａは、それぞれセラミックシート６４の手前側の辺
及び奥側の辺に露出している。また、セラミックシート
６５の表面に形成されているコンデンサパターン７１，
７２は、それぞれセラミックシート６５の奥側の辺及び
手前側の辺に露出している。つまり、ＬＣ共振器１のイ
ンダクタパターン６９と共振器２のインダクタパターン
７０とは、互いに逆向きに配置されており、ＬＣ共振器
１のコンデンサパターン７１とＬＣ共振器２のコンデン
サパターン７２も、互いに逆向きに配置されている。従
って、ＬＣ共振器１と２は、いわゆるインターデジタル
結合をしている。
いるインダクタパターン６９，７０の引出し部６９ａ，
７０ａは、それぞれセラミックシート６４の手前側の辺
及び奥側の辺に露出している。また、セラミックシート
６５の表面に形成されているコンデンサパターン７１，
７２は、それぞれセラミックシート６５の奥側の辺及び
手前側の辺に露出している。つまり、ＬＣ共振器１のイ
ンダクタパターン６９と共振器２のインダクタパターン
７０とは、互いに逆向きに配置されており、ＬＣ共振器
１のコンデンサパターン７１とＬＣ共振器２のコンデン
サパターン７２も、互いに逆向きに配置されている。従
って、ＬＣ共振器１と２は、いわゆるインターデジタル
結合をしている。
【０００６】図１０に示すように、セラミックシート６
１〜６８を積み重ねて構成した積層体７８には、入力端
子ＩＮ、出力端子ＯＵＴおよびグランド端子Ｇ１，Ｇ２
が形成されている。入力端子ＩＮには入力用引出しパタ
ーン７３が接続され、出力端子ＯＵＴには出力用引出し
パターン７４が接続されている。グランド端子Ｇ１に
は、インダクタパターン６９の引出し部６９ａ、コンデ
ンサパターン７２の引出し部７２ａ及びシールド電極７
５，７６の一方の端部７５ａ，７６ａが接続されてい
る。グランド端子Ｇ２には、インダクタパターン７０の
引出し部７０ａ、コンデンサパターン７１の引出し部７
１ａ及びシールド電極７５，７６の他方の端部７５ｂ，
７６ｂが接続されている。
１〜６８を積み重ねて構成した積層体７８には、入力端
子ＩＮ、出力端子ＯＵＴおよびグランド端子Ｇ１，Ｇ２
が形成されている。入力端子ＩＮには入力用引出しパタ
ーン７３が接続され、出力端子ＯＵＴには出力用引出し
パターン７４が接続されている。グランド端子Ｇ１に
は、インダクタパターン６９の引出し部６９ａ、コンデ
ンサパターン７２の引出し部７２ａ及びシールド電極７
５，７６の一方の端部７５ａ，７６ａが接続されてい
る。グランド端子Ｇ２には、インダクタパターン７０の
引出し部７０ａ、コンデンサパターン７１の引出し部７
１ａ及びシールド電極７５，７６の他方の端部７５ｂ，
７６ｂが接続されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のバン
ドパスフィルタ８０は、インダクタパターン６９，７０
を同一のセラミックシート６４に形成すると共に、コン
デンサパターン７１，７２も同一のセラミックシート６
５に形成している。そして、インダクタパターン６９と
７０は互いに対向する辺に向かって延在し、引出し部６
９ａ，７０ａがそれぞれの辺に露出している。同様に、
コンデンサパターン７１と７２も互いに対向する辺に向
かって延在し、引出し部７１ａ，７２ａがそれぞれの辺
に露出している。
ドパスフィルタ８０は、インダクタパターン６９，７０
を同一のセラミックシート６４に形成すると共に、コン
デンサパターン７１，７２も同一のセラミックシート６
５に形成している。そして、インダクタパターン６９と
７０は互いに対向する辺に向かって延在し、引出し部６
９ａ，７０ａがそれぞれの辺に露出している。同様に、
コンデンサパターン７１と７２も互いに対向する辺に向
かって延在し、引出し部７１ａ，７２ａがそれぞれの辺
に露出している。
【０００８】このため、シート６１〜６８の積層の際
に、例えば図１１に示すように、シート６４と６５がず
れると、コンデンサＣ１を構成するコンデンサパターン
７１とインダクタパターン６９の開放端部６９ｂとの対
向面積が小さくなり、逆に、コンデンサＣ２を構成する
コンデンサパターン７２とインダクタパターン７０の開
放端部７０ｂとの対向面積が大きくなる。従って、ＬＣ
共振器１の共振周波数のずれの方向とＬＣ共振器２の共
振周波数のずれの方向とが逆になり、バンドパスフィル
タ特性が劣化するという問題があった。
に、例えば図１１に示すように、シート６４と６５がず
れると、コンデンサＣ１を構成するコンデンサパターン
７１とインダクタパターン６９の開放端部６９ｂとの対
向面積が小さくなり、逆に、コンデンサＣ２を構成する
コンデンサパターン７２とインダクタパターン７０の開
放端部７０ｂとの対向面積が大きくなる。従って、ＬＣ
共振器１の共振周波数のずれの方向とＬＣ共振器２の共
振周波数のずれの方向とが逆になり、バンドパスフィル
タ特性が劣化するという問題があった。
【０００９】そこで、本発明の目的は、積層ずれが生じ
た際、ＬＣ共振器間で共振周波数のずれの方向が同じに
なるバンドパスフィルタを提供することにある。
た際、ＬＣ共振器間で共振周波数のずれの方向が同じに
なるバンドパスフィルタを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び作用】前記目的を達成
するため、本発明に係るバンドパスフィルタは、複数の
絶縁層と複数のインダクタパターンと複数のコンデンサ
パターンとを積み重ねて構成した積層体内部に、前記イ
ンダクタパターンにより形成される複数のインダクタ
と、前記コンデンサパターンが前記インダクタパターン
に対向して形成する複数のコンデンサとで複数のＬＣ共
振器を形成したバンドパスフィルタであって、少なくと
も一対の隣り合うＬＣ共振器の一方のＬＣ共振器のコン
デンサパターンと他方のＬＣ共振器のインダクタパター
ンとを同一絶縁層の表面に設けると共に、一方のＬＣ共
振器のインダクタパターンと他方のＬＣ共振器のコンデ
ンサパターンとを同一絶縁層の表面に設け、各絶縁層毎
にコンデンサパターン及びインダクタパターンが同一辺
に向かって延在し、露出している。
するため、本発明に係るバンドパスフィルタは、複数の
絶縁層と複数のインダクタパターンと複数のコンデンサ
パターンとを積み重ねて構成した積層体内部に、前記イ
ンダクタパターンにより形成される複数のインダクタ
と、前記コンデンサパターンが前記インダクタパターン
に対向して形成する複数のコンデンサとで複数のＬＣ共
振器を形成したバンドパスフィルタであって、少なくと
も一対の隣り合うＬＣ共振器の一方のＬＣ共振器のコン
デンサパターンと他方のＬＣ共振器のインダクタパター
ンとを同一絶縁層の表面に設けると共に、一方のＬＣ共
振器のインダクタパターンと他方のＬＣ共振器のコンデ
ンサパターンとを同一絶縁層の表面に設け、各絶縁層毎
にコンデンサパターン及びインダクタパターンが同一辺
に向かって延在し、露出している。
【００１１】以上の構成により、少なくとも一対の隣り
合うＬＣ共振器のそれぞれのインダクタパターンは互い
に逆向きに配置されると共に、コンデンサパターンも互
いに逆向きに配置されている。従って、前記隣り合うＬ
Ｃ共振器は、いわゆるインターデジタル結合をしてい
る。そして、各絶縁層毎にコンデンサパターン及びイン
ダクタパターンが同一辺に向かって延在し露出している
ため、積層ずれが生じても、各ＬＣ共振器のコンデンサ
を構成するコンデンサパターンとインダクタパターンの
対向面積のそれぞれの変化量が等しくなる。これによ
り、ＬＣ共振器の共振周波数のずれの方向が同じにな
り、ハンドパスフィルタの特性が安定する。
合うＬＣ共振器のそれぞれのインダクタパターンは互い
に逆向きに配置されると共に、コンデンサパターンも互
いに逆向きに配置されている。従って、前記隣り合うＬ
Ｃ共振器は、いわゆるインターデジタル結合をしてい
る。そして、各絶縁層毎にコンデンサパターン及びイン
ダクタパターンが同一辺に向かって延在し露出している
ため、積層ずれが生じても、各ＬＣ共振器のコンデンサ
を構成するコンデンサパターンとインダクタパターンの
対向面積のそれぞれの変化量が等しくなる。これによ
り、ＬＣ共振器の共振周波数のずれの方向が同じにな
り、ハンドパスフィルタの特性が安定する。
【００１２】また、インダクタパターンとコンデンサパ
ターンとを表面に設けた絶縁層を少なくとも三つ積み重
ねることにより、各ＬＣ共振器のコンデンサの静電容量
を大きくすることができる。さらに、少なくとも３個の
ＬＣ共振器で３段以上のバンドパスフィルタを構成して
もよい。
ターンとを表面に設けた絶縁層を少なくとも三つ積み重
ねることにより、各ＬＣ共振器のコンデンサの静電容量
を大きくすることができる。さらに、少なくとも３個の
ＬＣ共振器で３段以上のバンドパスフィルタを構成して
もよい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係るバンドパス
フィルタの実施の形態について添付の図面を参照して説
明する。
フィルタの実施の形態について添付の図面を参照して説
明する。
【００１４】［第１実施形態、図１〜図４］図８で説明
した回路構成を有するバンドパスフィルタに本発明を適
用した実施形態を図１に示す。該バンドパスフィルタ１
０は、入力用引出しパターン２４を表面に設けたセラミ
ックシート１６と、インダクタパターン２０及びコンデ
ンサパターン２１を表面に設けたセラミックシート１５
と、コンデンサパターン２２及びインダクタパターン２
３を表面に設けたセラミックシート１４と、出力用引出
しパターン２５を表面に設けたセラミックシート１３
と、シールド電極２６，２７をそれぞれ表面に設けたセ
ラミックシート１１，１８等にて構成されている。
した回路構成を有するバンドパスフィルタに本発明を適
用した実施形態を図１に示す。該バンドパスフィルタ１
０は、入力用引出しパターン２４を表面に設けたセラミ
ックシート１６と、インダクタパターン２０及びコンデ
ンサパターン２１を表面に設けたセラミックシート１５
と、コンデンサパターン２２及びインダクタパターン２
３を表面に設けたセラミックシート１４と、出力用引出
しパターン２５を表面に設けたセラミックシート１３
と、シールド電極２６，２７をそれぞれ表面に設けたセ
ラミックシート１１，１８等にて構成されている。
【００１５】インダクタパターン２０はシート１５の左
寄りの位置に設けられ、その引出し部２０ａは手前側の
辺に露出している。コンデンサパターン２１はシート１
５の右寄りの位置に設けられ、その引出し部２１ａは手
前側の辺に露出している。コンデンサパターン２２はシ
ート１４の左寄りの位置に設けられ、その引出し部２２
ａは奥側の辺に露出している。インダクタパターン２３
はシート１４の右寄りの位置に設けられ、その引出し部
２３ａは奥側の辺に露出している。
寄りの位置に設けられ、その引出し部２０ａは手前側の
辺に露出している。コンデンサパターン２１はシート１
５の右寄りの位置に設けられ、その引出し部２１ａは手
前側の辺に露出している。コンデンサパターン２２はシ
ート１４の左寄りの位置に設けられ、その引出し部２２
ａは奥側の辺に露出している。インダクタパターン２３
はシート１４の右寄りの位置に設けられ、その引出し部
２３ａは奥側の辺に露出している。
【００１６】図８で示した入力側ＬＣ共振器１のインダ
クタＬ１は、インダクタパターン２０により形成されて
いる。コンデンサＣ１は、コンデンサパターン２２とこ
のコンデンサパターン２２に対向しているインダクタパ
ターン２０の開放端部２０ｂとで形成されている。一
方、出力側ＬＣ共振器２のインダクタＬ２は、インダク
タパターン２３により形成されている。コンデンサＣ２
は、コンデンサパターン２１とこのコンデンサパターン
２１に対向しているインダクタパターン２３の開放端部
２３ｂとで形成されている。インダクタパターン２０，
２３の開放端部２０ｂ，２３ｂはパターン幅が広くなっ
ており、コンデンサパターンとして機能し易いように設
計されている。そして、インダクタパターン２０と２３
は逆方向に引き出されて配置されており、コンデンサパ
ターン２１と２２も逆方向に引き出されて配置されてい
る。従って、ＬＣ共振器１と２は、いわゆるインターデ
ジタル結合している。
クタＬ１は、インダクタパターン２０により形成されて
いる。コンデンサＣ１は、コンデンサパターン２２とこ
のコンデンサパターン２２に対向しているインダクタパ
ターン２０の開放端部２０ｂとで形成されている。一
方、出力側ＬＣ共振器２のインダクタＬ２は、インダク
タパターン２３により形成されている。コンデンサＣ２
は、コンデンサパターン２１とこのコンデンサパターン
２１に対向しているインダクタパターン２３の開放端部
２３ｂとで形成されている。インダクタパターン２０，
２３の開放端部２０ｂ，２３ｂはパターン幅が広くなっ
ており、コンデンサパターンとして機能し易いように設
計されている。そして、インダクタパターン２０と２３
は逆方向に引き出されて配置されており、コンデンサパ
ターン２１と２２も逆方向に引き出されて配置されてい
る。従って、ＬＣ共振器１と２は、いわゆるインターデ
ジタル結合している。
【００１７】入力用引出しパターン２４は、一方の端部
がシート１６の左辺に露出している。入力用引出しパタ
ーン２４の他方の端部はインダクタパターン２０に対向
し、結合コンデンサＣ５を形成している。出力用引出し
パターン２５は、一方の端部がシート１３の右辺に露出
している。出力用引出しパターン２５の他方の端部はイ
ンダクタパターン２３に対向し、結合コンデンサＣ６を
形成している。
がシート１６の左辺に露出している。入力用引出しパタ
ーン２４の他方の端部はインダクタパターン２０に対向
し、結合コンデンサＣ５を形成している。出力用引出し
パターン２５は、一方の端部がシート１３の右辺に露出
している。出力用引出しパターン２５の他方の端部はイ
ンダクタパターン２３に対向し、結合コンデンサＣ６を
形成している。
【００１８】セラミックシート１１〜１９は積み重ねら
れた後、一体的に焼成され、図２に示すように、積層体
２８とされる。積層体２８には、入力端子ＩＮ、出力端
子ＯＵＴおよびグランド端子Ｇ１，Ｇ２が形成されてい
る。入力端子ＩＮには入力用引出しパターン２４が接続
され、出力端子ＯＵＴには出力用引出しパターン２５が
接続されている。グランド端子Ｇ１には、インダクタパ
ターン２０の引出し部２０ａ、コンデンサパターン２１
の引出し部２１ａ及びシールド電極２６，２７の一方の
端部２６ａ，２７ａが接続されている。グランド端子Ｇ
２には、インダクタパターン２３の引出し部２３ａ、コ
ンデンサパターン２２の引出し部２２ａ及びシールド電
極２６，２７の他方の端部２６ｂ，２７ｂが接続されて
いる。
れた後、一体的に焼成され、図２に示すように、積層体
２８とされる。積層体２８には、入力端子ＩＮ、出力端
子ＯＵＴおよびグランド端子Ｇ１，Ｇ２が形成されてい
る。入力端子ＩＮには入力用引出しパターン２４が接続
され、出力端子ＯＵＴには出力用引出しパターン２５が
接続されている。グランド端子Ｇ１には、インダクタパ
ターン２０の引出し部２０ａ、コンデンサパターン２１
の引出し部２１ａ及びシールド電極２６，２７の一方の
端部２６ａ，２７ａが接続されている。グランド端子Ｇ
２には、インダクタパターン２３の引出し部２３ａ、コ
ンデンサパターン２２の引出し部２２ａ及びシールド電
極２６，２７の他方の端部２６ｂ，２７ｂが接続されて
いる。
【００１９】このバンドパスフィルタ１０は、図３に示
すように、セラミックシート１５の表面にＬＣ共振器１
のインダクタパターン２０とＬＣ共振器２のコンデンサ
パターン２１とを設けている。インダクタパターン２０
とコンデンサパターン２１はシート１５の同一辺に向か
って延在している。また、セラミックシート１４の表面
にＬＣ共振器１のコンデンサパターン２２とＬＣ共振器
２のインダクタパターン２３とを設けている。コンデン
サパターン２２とインダクタパターン２３はシート１４
の同一辺に向かって延在している。
すように、セラミックシート１５の表面にＬＣ共振器１
のインダクタパターン２０とＬＣ共振器２のコンデンサ
パターン２１とを設けている。インダクタパターン２０
とコンデンサパターン２１はシート１５の同一辺に向か
って延在している。また、セラミックシート１４の表面
にＬＣ共振器１のコンデンサパターン２２とＬＣ共振器
２のインダクタパターン２３とを設けている。コンデン
サパターン２２とインダクタパターン２３はシート１４
の同一辺に向かって延在している。
【００２０】これにより、図４に示すように、セラミッ
クシート１４と１５が積層ずれを起こしても、コンデン
サＣ１を構成するコンデンサパターン２２とインダクタ
パターン２０の対向面積の変化量と、コンデンサＣ２を
構成するコンデンサパターン２１とインダクタパターン
２３の対向面積の変化量とが等しくなる。従って、シー
ト１４，１５の積層ずれに基づくＬＣ共振器１，２のそ
れぞれの共振周波数のずれの方向が同じになり、バンド
パスフィルタ１０のフィルタ特性を安定させることがで
きる。
クシート１４と１５が積層ずれを起こしても、コンデン
サＣ１を構成するコンデンサパターン２２とインダクタ
パターン２０の対向面積の変化量と、コンデンサＣ２を
構成するコンデンサパターン２１とインダクタパターン
２３の対向面積の変化量とが等しくなる。従って、シー
ト１４，１５の積層ずれに基づくＬＣ共振器１，２のそ
れぞれの共振周波数のずれの方向が同じになり、バンド
パスフィルタ１０のフィルタ特性を安定させることがで
きる。
【００２１】［第２実施形態、図５］本発明に係るバン
ドパスフィルタのいま一つの実施形態を図５に示す。該
バンドパスフィルタ３０は、図１で説明した第１実施形
態のバンドパスフィルタ１０において、インダクタパタ
ーン２０及びコンデンサパターン２１を表面に設けたセ
ラミックシート１５と、インダクタパターン２３及びコ
ンデンサパターン２２を表面に設けたセラミックシート
１４とを，それぞれ２枚積み重ねたものである。これに
より、第２実施形態のバンドパスフィルタ３０は、第１
実施形態のバンドパスフィルタ１０が奏する効果に加え
て、入力側のＬＣ共振器１のコンデンサＣ１の静電容量
および出力側のＬＣ共振器２のコンデンサＣ２の静電容
量を大きくすることができる。なお、図５において、図
１に対応する部分には同じ符号を付して示し、重複した
説明は省略する。
ドパスフィルタのいま一つの実施形態を図５に示す。該
バンドパスフィルタ３０は、図１で説明した第１実施形
態のバンドパスフィルタ１０において、インダクタパタ
ーン２０及びコンデンサパターン２１を表面に設けたセ
ラミックシート１５と、インダクタパターン２３及びコ
ンデンサパターン２２を表面に設けたセラミックシート
１４とを，それぞれ２枚積み重ねたものである。これに
より、第２実施形態のバンドパスフィルタ３０は、第１
実施形態のバンドパスフィルタ１０が奏する効果に加え
て、入力側のＬＣ共振器１のコンデンサＣ１の静電容量
および出力側のＬＣ共振器２のコンデンサＣ２の静電容
量を大きくすることができる。なお、図５において、図
１に対応する部分には同じ符号を付して示し、重複した
説明は省略する。
【００２２】［第３実施形態、図６］本発明に係るバン
ドパスフィルタのいま一つの実施形態を図６に示す。該
バンドパスフィルタ５０は、３個のＬＣ共振器を有する
３段のバンドパスフィルタに本発明を適用したものであ
る。なお、図６において、図１に対応する部分には同じ
符号を付して示し、重複した説明は省略する。
ドパスフィルタのいま一つの実施形態を図６に示す。該
バンドパスフィルタ５０は、３個のＬＣ共振器を有する
３段のバンドパスフィルタに本発明を適用したものであ
る。なお、図６において、図１に対応する部分には同じ
符号を付して示し、重複した説明は省略する。
【００２３】インダクタパターン３８，３９はそれぞれ
シート３２の左寄り及び中央の位置に設けられ、その引
出し部３８ａ，３９ａは手前側の辺に露出している。コ
ンデンサパターン４０はシート３２の右寄りの位置に設
けられ、その引出し部４０ａは手前側の辺に露出してい
る。コンデンサパターン４１，４２はそれぞれシート３
１の左寄り及び中央の位置に設けられ、その引出し部４
１ａ，４２ａは奥側の辺に露出している。インダクタパ
ターン４３はシート３１の右寄りの位置に設けられ、そ
の引出し部４３ａは奥側の辺に露出している。
シート３２の左寄り及び中央の位置に設けられ、その引
出し部３８ａ，３９ａは手前側の辺に露出している。コ
ンデンサパターン４０はシート３２の右寄りの位置に設
けられ、その引出し部４０ａは手前側の辺に露出してい
る。コンデンサパターン４１，４２はそれぞれシート３
１の左寄り及び中央の位置に設けられ、その引出し部４
１ａ，４２ａは奥側の辺に露出している。インダクタパ
ターン４３はシート３１の右寄りの位置に設けられ、そ
の引出し部４３ａは奥側の辺に露出している。
【００２４】入力側（１段目）のＬＣ共振器１のインダ
クタＬ１は、インダクタパターン３８により形成され、
コンデンサＣ１は、コンデンサパターン４１とこのコン
デンサパターン４１に対向しているインダクタパターン
３８の開放端部３８ｂとで形成されている。２段目のＬ
Ｃ共振器２のインダクタＬ２は、インダクタパターン３
９により形成され、コンデンサＣ２はコンデンサパター
ン４２とこのコンデンサパターン４２に対向しているイ
ンダクタパターン３９の開放端部３９ｂとで形成されて
いる。出力側（３段目）のＬＣ共振器３のインダクタＬ
３は、インダクタパターン４３により形成され、コンデ
ンサＣ３は、コンデンサパターン４０とこのコンデンサ
パターン４０に対向しているインダクタパターン４３の
開放端部４３ｂとで形成されている。
クタＬ１は、インダクタパターン３８により形成され、
コンデンサＣ１は、コンデンサパターン４１とこのコン
デンサパターン４１に対向しているインダクタパターン
３８の開放端部３８ｂとで形成されている。２段目のＬ
Ｃ共振器２のインダクタＬ２は、インダクタパターン３
９により形成され、コンデンサＣ２はコンデンサパター
ン４２とこのコンデンサパターン４２に対向しているイ
ンダクタパターン３９の開放端部３９ｂとで形成されて
いる。出力側（３段目）のＬＣ共振器３のインダクタＬ
３は、インダクタパターン４３により形成され、コンデ
ンサＣ３は、コンデンサパターン４０とこのコンデンサ
パターン４０に対向しているインダクタパターン４３の
開放端部４３ｂとで形成されている。
【００２５】インダクタパターン３８，３９，４３の開
放端部３８ｂ，３９ｂ，４３ｂはパターン幅が広くなっ
ており、コンデンサパターンとして機能し易いように設
計されている。そして、インダクタパターン３８と３９
は同方向に引き出されて配置されており、コンデンサパ
ターン４１と４２も同方向に引き出されて配置されてい
る。従って、ＬＣ共振器１と２は、いわゆるコムライン
結合している。一方、インダクタパターン３９と４３は
逆方向に引き出されて配置されており、コンデンサパタ
ーン４２と４０も逆方向に引き出されて配置されてい
る。従って、ＬＣ共振器２と３は、いわゆるインターデ
ジタル結合している。
放端部３８ｂ，３９ｂ，４３ｂはパターン幅が広くなっ
ており、コンデンサパターンとして機能し易いように設
計されている。そして、インダクタパターン３８と３９
は同方向に引き出されて配置されており、コンデンサパ
ターン４１と４２も同方向に引き出されて配置されてい
る。従って、ＬＣ共振器１と２は、いわゆるコムライン
結合している。一方、インダクタパターン３９と４３は
逆方向に引き出されて配置されており、コンデンサパタ
ーン４２と４０も逆方向に引き出されて配置されてい
る。従って、ＬＣ共振器２と３は、いわゆるインターデ
ジタル結合している。
【００２６】入力用引出しパターン２４はインダクタパ
ターン３８に対向し、結合コンデンサＣ５を形成してい
る。出力用引出しパターン２５はインダクタパターン４
３に対向し、結合コンデンサＣ６を形成している。
ターン３８に対向し、結合コンデンサＣ５を形成してい
る。出力用引出しパターン２５はインダクタパターン４
３に対向し、結合コンデンサＣ６を形成している。
【００２７】セラミックシート１１〜１３，１６〜１
９，３１，３２は積み重ねられた後、一体的に焼成さ
れ、図７に示すように、積層体４８とされる。積層体４
８には、入力端子ＩＮ、出力端子ＯＵＴおよびグランド
端子Ｇ１，Ｇ２が形成されている。入力端子ＩＮには入
力用引出しパターン２４が接続され、出力端子ＯＵＴに
は出力用引出しパターン２５が接続されている。グラン
ド端子Ｇ１には、インダクタパターン３８，３９の引出
し部３８ａ，３９ａ、コンデンサパターン４０の引出し
部４０ａ及びシールド電極２６，２７の一方の端部２６
ａ，２７ａが接続されている。グランド端子Ｇ２には、
インダクタパターン４３の引出し部４３ａ、コンデンサ
パターン４１，４２の引出し部４１ａ，４２ａ及びシー
ルド電極２６，２７の他方の端部２６ｂ，２７ｂが接続
されている。
９，３１，３２は積み重ねられた後、一体的に焼成さ
れ、図７に示すように、積層体４８とされる。積層体４
８には、入力端子ＩＮ、出力端子ＯＵＴおよびグランド
端子Ｇ１，Ｇ２が形成されている。入力端子ＩＮには入
力用引出しパターン２４が接続され、出力端子ＯＵＴに
は出力用引出しパターン２５が接続されている。グラン
ド端子Ｇ１には、インダクタパターン３８，３９の引出
し部３８ａ，３９ａ、コンデンサパターン４０の引出し
部４０ａ及びシールド電極２６，２７の一方の端部２６
ａ，２７ａが接続されている。グランド端子Ｇ２には、
インダクタパターン４３の引出し部４３ａ、コンデンサ
パターン４１，４２の引出し部４１ａ，４２ａ及びシー
ルド電極２６，２７の他方の端部２６ｂ，２７ｂが接続
されている。
【００２８】このバンドパスフィルタ５０は、セラミッ
クシート３２の表面にＬＣ共振器１，２のインダクタパ
ターン３８，３９とＬＣ共振器３のコンデンサパターン
４０とを設けている。インダクタパターン３８，３９と
コンデンサパターン４０はシート３２の同一辺に向かっ
て延在している。また、セラミックシート３１の表面に
ＬＣ共振器１，２のコンデンサパターン４１，４２とＬ
Ｃ共振器３のインダクタパターン４３とを設けている。
コンデンサパターン４１，４２とインダクタパターン４
３はシート３１の同一辺に向かって延在している。
クシート３２の表面にＬＣ共振器１，２のインダクタパ
ターン３８，３９とＬＣ共振器３のコンデンサパターン
４０とを設けている。インダクタパターン３８，３９と
コンデンサパターン４０はシート３２の同一辺に向かっ
て延在している。また、セラミックシート３１の表面に
ＬＣ共振器１，２のコンデンサパターン４１，４２とＬ
Ｃ共振器３のインダクタパターン４３とを設けている。
コンデンサパターン４１，４２とインダクタパターン４
３はシート３１の同一辺に向かって延在している。
【００２９】これにより、セラミックシート３１，３２
が積層ずれを起こしても、コンデンサＣ１を構成するコ
ンデンサパターン４１とインダクタパターン３８の対向
面積の変化量と、コンデンサＣ２を構成するコンデンサ
パターン４２とインダクタパターン３９の対向面積の変
化量と、コンデンサＣ３を構成するコンデンサパターン
４０とインダクタパターン４３の対向面積の変化量とが
等しくなる。従って、シート３１，３２の積層ずれに基
づくＬＣ共振器１のそれぞれの共振周波数のずれの方向
が同じになり、バンドパスフィルタ５０のフィルタ特性
を安定させることができる。
が積層ずれを起こしても、コンデンサＣ１を構成するコ
ンデンサパターン４１とインダクタパターン３８の対向
面積の変化量と、コンデンサＣ２を構成するコンデンサ
パターン４２とインダクタパターン３９の対向面積の変
化量と、コンデンサＣ３を構成するコンデンサパターン
４０とインダクタパターン４３の対向面積の変化量とが
等しくなる。従って、シート３１，３２の積層ずれに基
づくＬＣ共振器１のそれぞれの共振周波数のずれの方向
が同じになり、バンドパスフィルタ５０のフィルタ特性
を安定させることができる。
【００３０】［他の実施形態］なお、本発明に係るバン
ドパスフィルタは前記実施形態に限定するものではな
く、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
例えば、バンドパスフィルタが有するＬＣ共振器は四つ
以上であってもよい。
ドパスフィルタは前記実施形態に限定するものではな
く、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
例えば、バンドパスフィルタが有するＬＣ共振器は四つ
以上であってもよい。
【００３１】さらに、前記実施形態は、それぞれパター
ンが形成された絶縁性シートを積み重ねた後、一体的に
焼成するものであるが、必ずしもこれに限定されない。
絶縁性シートは予め焼成されたものを用いてもよい。ま
た、以下に説明する製法によってバンドパスフィルタを
作成してもよい。印刷等の方法によりペースト状の絶縁
材料にて絶縁層を形成した後、その絶縁層の表面にペー
スト状の導電性パターン材料を塗布して任意のパターン
を形成する。次に、ペースト状の絶縁材料を前記パター
ンの上から塗布してパターンが内蔵された絶縁層とす
る。同様にして、順に重ね塗りすることにより積層構造
を有するバンドパスフィルタが得られる。
ンが形成された絶縁性シートを積み重ねた後、一体的に
焼成するものであるが、必ずしもこれに限定されない。
絶縁性シートは予め焼成されたものを用いてもよい。ま
た、以下に説明する製法によってバンドパスフィルタを
作成してもよい。印刷等の方法によりペースト状の絶縁
材料にて絶縁層を形成した後、その絶縁層の表面にペー
スト状の導電性パターン材料を塗布して任意のパターン
を形成する。次に、ペースト状の絶縁材料を前記パター
ンの上から塗布してパターンが内蔵された絶縁層とす
る。同様にして、順に重ね塗りすることにより積層構造
を有するバンドパスフィルタが得られる。
【００３２】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば、少なくとも一対の隣り合うＬＣ共振器のコ
ンデンサパターンとインダクタパターンとを同一絶縁層
の表面に設け、各絶縁層毎にコンデンサパターン及びイ
ンダクタパターンを同一辺に向かって延在し露出させて
いるので、積層ずれが生じても、各ＬＣ共振器のコンデ
ンサを構成するコンデンサパターンとインダクタパター
ンの対向面積のそれぞれの変化量が等しくなる。これに
より、各ＬＣ共振器の共振周波数のずれの方向が同じに
なり、フィルタ特性が安定したバンドパスフィルタを得
ることができる。
明によれば、少なくとも一対の隣り合うＬＣ共振器のコ
ンデンサパターンとインダクタパターンとを同一絶縁層
の表面に設け、各絶縁層毎にコンデンサパターン及びイ
ンダクタパターンを同一辺に向かって延在し露出させて
いるので、積層ずれが生じても、各ＬＣ共振器のコンデ
ンサを構成するコンデンサパターンとインダクタパター
ンの対向面積のそれぞれの変化量が等しくなる。これに
より、各ＬＣ共振器の共振周波数のずれの方向が同じに
なり、フィルタ特性が安定したバンドパスフィルタを得
ることができる。
【図１】本発明に係るバンドパスフィルタの第１実施形
態の分解斜視図。
態の分解斜視図。
【図２】図１に示したバンドパスフィルタの外観を示す
斜視図。
斜視図。
【図３】図１に示したバンドパスフィルタの正規のパタ
ーン配置関係を示す説明図。
ーン配置関係を示す説明図。
【図４】積層ずれがある場合のパターン配置関係を示す
説明図。
説明図。
【図５】本発明に係るバンドパスフィルタの第２実施形
態の分解斜視図。
態の分解斜視図。
【図６】本発明に係るバンドパスフィルタの第３実施形
態の分解斜視図。
態の分解斜視図。
【図７】図６に示したバンドパスフィルタの外観を示す
斜視図。
斜視図。
【図８】バンドパスフィルタの電気等価回路図。
【図９】従来のバンドパスフィルタの分解斜視図。
【図１０】図９に示したバンドパスフィルタの外観を示
す斜視図。
す斜視図。
【図１１】積層ずれがある場合のパターン配置関係を示
す説明図。
す説明図。
１，２，３…ＬＣ共振器
１０，３０，５０…バンドパスフィルタ
１１〜１９，３１，３２…セラミックシート
２８，４８…積層体
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３…コンデンサ
２１，２２，４０，４１，４２…コンデンサパターン
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３…インダクタ
２０，２３，３８，３９，４３…インダクタパターン
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平11−97963（ＪＰ，Ａ)
実開 平６−81130（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H03H 5/00 - 7/12
H01P 1/203
H01F 17/00
Claims (3)
- 【請求項１】 複数の絶縁層と複数のインダクタパター
ンと複数のコンデンサパターンとを積み重ねて構成した
積層体内部に、前記インダクタパターンにより形成され
る複数のインダクタと、前記コンデンサパターンが前記
インダクタパターンに対向して形成する複数のコンデン
サとで複数のＬＣ共振器を形成したバンドパスフィルタ
において、 少なくとも一対の隣り合うＬＣ共振器の一方のＬＣ共振
器のコンデンサパターンと他方のＬＣ共振器のインダク
タパターンとを同一絶縁層の表面に設けると共に、一方
のＬＣ共振器のインダクタパターンと他方のＬＣ共振器
のコンデンサパターンとを同一絶縁層の表面に設け、各
絶縁層毎にコンデンサパターン及びインダクタパターン
が同一辺に向かって延在し、露出していることを特徴と
するバンドパスフィルタ。 - 【請求項２】 インダクタパターンとコンデンサパター
ンとを表面に設けた絶縁層を少なくとも三つ積み重ねて
いることを特徴とする請求項１記載のバンドパスフィル
タ。 - 【請求項３】 少なくとも３個の前記ＬＣ共振器で３段
以上のフィルタを構成したことを特徴とする請求項１又
は請求項２記載のバンドパスフィルタ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14040899A JP3417340B2 (ja) | 1999-05-20 | 1999-05-20 | バンドパスフィルタ |
| SE0001838A SE520557C2 (sv) | 1999-05-20 | 2000-05-18 | Sammansättning av laminerade skikt för bandpassfilter |
| US09/575,069 US6414568B1 (en) | 1999-05-20 | 2000-05-19 | Interdigitated, laminated LC bandpass filter with different length electrodes |
| NO20002581A NO324795B1 (no) | 1999-05-20 | 2000-05-19 | Bandpassfilter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14040899A JP3417340B2 (ja) | 1999-05-20 | 1999-05-20 | バンドパスフィルタ |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=15268069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14040899A Expired - Fee Related JP3417340B2 (ja) | 1999-05-20 | 1999-05-20 | バンドパスフィルタ |
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| Country | Link |
|---|---|
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| JP4512448B2 (ja) * | 2004-08-24 | 2010-07-28 | 双信電機株式会社 | 受動部品 |
| KR100616674B1 (ko) * | 2005-02-16 | 2006-08-28 | 삼성전기주식회사 | 저지대역 감쇄특성을 개선한 적층형 필터 |
| US7532092B2 (en) | 2006-06-20 | 2009-05-12 | Tdk Corporation | Grounding strategy for filter on planar substrate |
| US7492240B1 (en) | 2006-07-14 | 2009-02-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Integrated capacitor and inductor |
| JP4605404B2 (ja) * | 2007-11-12 | 2011-01-05 | Ｔｄｋ株式会社 | 電子部品 |
| JP5104879B2 (ja) * | 2007-12-21 | 2012-12-19 | 株式会社村田製作所 | 共振器およびそれを備える基板、ならびに共振を生じさせる方法 |
| WO2010018798A1 (ja) * | 2008-08-11 | 2010-02-18 | 日立金属株式会社 | バンドパスフィルタ、高周波部品及び通信装置 |
| WO2010026906A1 (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-11 | 株式会社村田製作所 | メタマテリアル |
| JP5339092B2 (ja) * | 2010-07-22 | 2013-11-13 | Ｔｄｋ株式会社 | バンドパスフィルタモジュール及びモジュール基板 |
| CN103474728B (zh) * | 2013-09-17 | 2015-07-22 | 南京理工大学 | L波段微型多层低温共烧陶瓷平衡滤波器 |
| US9424984B2 (en) * | 2014-03-05 | 2016-08-23 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Integrated capacitor and inductor having co-located magnetic and electrical energy storage volumes |
| WO2016064309A1 (en) * | 2014-10-21 | 2016-04-28 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | A bandpass filter structure |
| JP6695807B2 (ja) * | 2014-10-30 | 2020-05-20 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 車載制御装置 |
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|---|---|---|---|---|
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| US6114925A (en) * | 1998-06-18 | 2000-09-05 | Industrial Technology Research Institute | Miniaturized multilayer ceramic filter with high impedance lines connected to parallel coupled lines |
-
1999
- 1999-05-20 JP JP14040899A patent/JP3417340B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-05-18 SE SE0001838A patent/SE520557C2/sv not_active IP Right Cessation
- 2000-05-19 NO NO20002581A patent/NO324795B1/no not_active IP Right Cessation
- 2000-05-19 US US09/575,069 patent/US6414568B1/en not_active Expired - Lifetime
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